Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах

Левшин, Николай Леонидович

Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Левшин, Николай Леонидович АВТОР

доктора физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ

2000 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах»

Автореферат диссертации на тему "Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах"

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В. ЛОМОНОСОВА

Физический факультет » > & ОД

2 5 1ЕН ш ^

На правах рукописи

ЛЕВ1Ш-Щ НИКОЛАЙ ЛЕОККДОБИЧ

ВЛИЯНИЕ АДСОРБШЮПНО - ДЕСОРБЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ НА ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

01.04.07 - Физика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико - математических наук.

Москва 2000

Работа выполнена на кафедре общей физики и молекулярной электроники физическогс факультета Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова.

Официальные оппоненты: член - корр. РАН, доктор физико -

математических наук, проф. В.Г.МОКЕРОВ;

доктор физико - математических наук, профессор Л.А. ФЕЙГ1Ш.

доктор физико - математических наук, профессор А.Н.ВАСИЛЬЕВ;

Ведущая организация: НИИ физики Санкт-Петербургского государственного университета

^__. ^ ^

Защита состоится СиЖ-Си>?Я 2000 г. в /Г' час. на заседанш

диссертационного совета Д. 053.05.40 при Московском государственном университет! им. М.В.Ломоносова по адресу: 119899 г.Москва, Воробьевы горы, физический факульте-МГУ, ауд. 1 ~

С писсергацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ. Автореферат разослан « )-{{?2000г.

Ученый секретарь диссертационного Совета Д. 053.05.40

доктор физико-математических наук,

профессор > С.А. Никитин

ЬЪ {02>

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Л.Д.Ландау был предложен термодинамический подход к рассмотрению фазовых переходов второго рода. Достаточно подробно были разработаны теории сегнетоэлектрического и ферромагнитного переходов. Наименее изученным является фазовый переход полупроводник - металл. Предложенные теоретические модели этого фазового перехода базируются на идеях Н.Ф.Мотта и Р.Пайерлса. Сложность рассматриваемой проблемы не позволила исследователям предложить теорию, удовлетворительно описывающую этот фазовый переход. Более того, в литературе отсутствуют теоретические модели, объясняющие всю совокупность экспериментальных данных для отдельных веществ, в которых наблюдается фазовый переход полупроводник - металл.

Понимание механизма фазового перехода невозможно без изучения влияния различных внешних воздействий на его характерйстики. Накопленные в литературе данные по этому вопросу касаются исследования влияния активных обработок на весь объем образца. Развитый рельеф и дефектность поверхности позволяет рассматривать последнюю в качестве объекта, обладающего пониженной размерностью и,

следовательно, измененными свойствами вещества^ На ней образуются зародыши новой фазы, в результате чего фазовый переход должен начинаться именно с поверхности и затем распространяться на весь объем твердого тела. Поэтому особый интерес представляет изучение роли поверхностных явлений в механизмах фазовых превращений в твердых телах.

Исследование влияния поверхностных воздействий на фазовые переходы интересно и с практической точки зрения. Чувствительность поверхности к этим воздействиям, как правило, негативно сказывается на стабильности работы различных устройств микроэлектроники. С другой стороны кардинальное изменением свойств твердого тела при фазовом переходе делает такие объекты перспективным материалом для создания газоанализаторов. Несмотря на всю важность рассмотрения поверхностных воздействий на вещества, претерпевающие фазовые переходы, в литературе уделено явно недостаточное внимание этому вопросу. В частности, к моменту постановки настоящей работы подобные исследования фазовых переходов полупроводник - металл вообще не проводились.

Анализ механизмов влияния внешних поверхностных воздействий на фазовые переходы в твердых телах требует достаточно обширных знаний по физике поверхности. Наибольшие успехи в этой области достигнуты для модельных полупроводниковых объектов. Взаимосвязь электронных и адсорбционных процессов на поверхностях других твердых тел, в том числе претерпевающих фазовые переходы, изучена достаточно слабо.

До постановки настоящей работы основное внимание исследователей было направлено на изучение структурных превращений на поверхности твердого тела. С другой стороны большой цикл работ был посвящен фазовым переходам в самой адсорбционной фазе на поверхности инертного

твердого тела. Взаимодействию адсорбата и адсорбента, претерпевающего фазовый переход, достаточного внимания не уделялось. В литературе описаны систематические исследования адсорбционных воздействий только на сегнетоэлектрический фазовый переход. Прямые измерения адсорбции в области фазовых переходов в твердых телах отсутствуют. Вместе с тем такие исследования позволяют изучать адсорбционно -десорбционные характеристики поверхностей, имеющих один и тот же стехиометрический состав, находящихся при близких температурах, но в различных фазах. Изменяя адсорбционный покров поверхности твердого тела, можно оказывать эффективное влияние на протекание фазовых превращений в приповерхностной. области, а следовательно и во всем объеме образца.

Цель работы. Систематическое экспериментальное исследование влияния поверхностных воздействий на протекание фазовых переходов различного типа и построение физических моделей, описывающих такое влияние. Для решения этой проблемы были поставлены следующие задачи:

1. Разработка теории фазового перехода полупроводник - металл, позволяющей объяснить всю совокупность экспериментальных данных.

2. Обнаружение влияния адсорбции молекул и ионов из газовой фазы на критическую температуру фазового перехода полупроводник - металл.

3. Проведение прямых адсорбционных измерений в интервале температур, близким к критической, с целью установления связи фазового перехода в твердом теле и адсорбционных характеристик вещества.

4. . Исследование влияния фазового перехода в твердом теле на

десорбционную способность его поверхности. Сравнение десорбционной способности вещества в различных фазах.

5. Изучение роли активных поверхностных воздействий (термовакуумных обработок и облучения ультрафиолетовой радиацией) в изменении характеристик фазовых переходов в твердых телах.

6. Рассмотрение возможности фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник - металл путем фотовозбуждения молекул красителей, адсорбированных на поверхности образца. ,.... .

7. Исследование влияния адсорбции на магнитные свойства ферромагнетика.

8. На основании полученных экспериментальных данных разработка новых физических принципов работы газоанализаторов и новых методов диагностики фазовых переходов.

Для решения поставленных задач был использован широкий комплекс методов исследования, включающий электрофизические (измерение проводимости, вольт - фарадные и вольт - амперные характеристики, эффект поля), адсорбционные и масс - спектроскопические измерения; электронографию; растровую электронную микроскопию, магнитооптические методы; атомную силовую спектроскопию; фотоакустические методы.

В качестве объектов исследования были выбраны следующие образцы; ■ Фазовый переход полупроводник - металл изучался на пленках ■ диоксида ванадия, объемные свойства которых изучены наиболее полно. Кроме того этот материал обладает удобной для экспериментальных исследований критической температурой (Т5 = 340К). Ряд измерений был проведен на структурах полупроводник-сегнетоэлектрик (Ва^9 5г0:1 ТЮ3, РЬТЮ3: Ьа, РЬсд^Гцо: (7мо5{По47)03 + КЪ205). Такие образцы позволяют выполнять исследование взаимного влияния пленки сегнетоэлектрика, претерпевающего фазовый переход типа «смещения», и полупроводниковой подложки. Цикл экспериментов

был осуществлен на сегнетоэлектрических ленгмюровских пленках, в которых наблюдается сегнетоэлектрический фазовый переход другого типа -«порядок - беспорядок». В качестве модельных ферромагнетиков были выбраны химически чистые образцы железа и никеля, а также аморфного железа.

Научная иоктиа работы заключается в исследовании взаимного влияния поверхностных воздействий и фазовых переходов в твердых телах и установлении механизмов этих явлений. В результате исследований были получены следующие оригинальные результаты, Выносимые на защиту:

1. Предложена модель фазового перехода металл - полупроводник и па ее основе разработана теория фазового перехода в диоксиде ванадия. На базе предложенной модели проведен теоретический расчет ряда параметров этого вещества, а также влияния некоторых внешних воздействий (одноосного вдоль кристалладрафической оси с и гидростатического давлений) на характеристики образцов. Получено хорошее соответствие теории и эксперимента.

2. Обнаружен эффект влияния обратимой адсорбции донорных молекул и ионов на температуру фазового перехода полупроводник - металл. Вскрыты механизмы воздействия адсорбции на критическую температуру перехода.

3. Установлено увеличение адсорбции ряда молекул при температуре ссгнетоэлектрического фазового перехода первого рода, связанное с перестройкой кристаллической решетки. Предложен новый метод диагностики фазовых переходов в твердых телах путем измерения изотерм адсорбции.

4. Зарегистрировано резкое увеличение десорбционной способности поверхности твердого тела при критической температуре фазовых переходов как первого (переходы полупроводник - металл и сегнетоэлекгрик - параэлектрик), так и второго (ферромагнитный переход) рода. Предложено объяснение полученного эффекта. Проведено сравнение этой характеристики для ряда веществ в различных фазах.

5. Установлена повышенная чувствительность металлической фазы диоксида ванадия (по сравнению с полупроводниковой) к термовакуумным обработкам и облучению ультрафиолетовой радиацией. Обнаружено влияние этих воздействий на температуру фазового перехода полупроводник - металл и ширину петли температурного гистерезиса.

6. Впервые обнаружен эффект фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник - металл. При освещении образца в полосе поглощения красителя, адсорбированного на его поверхности, наблюдалось снижение температуры фазового перехода, связанное с фотосенсибилизацкей электронных переходов между ловушками и разрешенной зоной диоксида ванадия.

7. Установлено влияние слабосорбированных молекул поды на динамику движения доменной границы в нитевидных монокристаллах железа. Предложен механизм обнаруженного эффекта.

8. Па примере фазового перехода полупроводник - металл предложен метод диагностики фаз оною перехода первого рода путем измерения фо!термической деформации поверхности. Эшм методом изучено движение 1раниц раздела фаз в объеме и на поверхности пленки при фазовом переходе.

Практическая ценность работы;

1. Обнаруженное и подробно исследованное в работе кардинальное изменение адсорбционно — десорбционных свойств при фазовых переходах как первого, так и второго рода, позволило предложить новые методы диагностики фазовых переходов. Для этих целей использовались измерения изотерм адсорбции при различных температурах либо спектры термо- и фотодесорбции, полученные методом масс - спектроскопии. Другим, разработанным в работе, методом обнаружения фазового перехода первого рода является измерение импульсной фототермической деформации поверхности.

2. Полученные в работе экспериментальные данные о влиянии активных внешних поверхностных воздействий (адсорбции, термовакуумных обработок, облучения ультрафиолетовой радиацией, химического травления) дают ценную информацию, которая может быть использована при создании стабильных приборов на основе исследованных веществ для нужд микроэлектроники. В частности, показана возможность управления напряжением переключения в пленках диоксида ванадия с помощью внешних поверхностных воздействий.

3. Снижение температуры фазового перехода полупроводник - металл в пленках диоксида ванадия при адсорбции донорных молекул воды и аммиака позволяет предложить селективный газовый анализатор на эти молекулы, отличающийся высокой чувствительностью.

принцип избирательного газового анализа, в том числе химически инертных молекул и молекул с изотогюзамещенными атомами. 5. Проведенные исследования взаимодействия сегнетоэлектрических пленок Ленгмюра - Блоджетт и полупроводниковой подложки позволяют создавать структуры с контролируемыми свойствами для нужд молекулярной электроники.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на 25 Международных., Всесоюзных и Российских конференциях: IY Всесоюзной школе - семинаре по физике поверхности полупроводников (Ленинград, 1979), Y1I Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник - диэлектрик (Новосибирск, 1980), YIII Всесоюзном совещании «Физика поверхностных явлений в полупроводниках» (Киев, 1984), II, III и IY Всесоюзных научных конференциях «Физика окисных пленок» (Петрозаводск, 1987, 1991, 1994), XII European Crystaliographic Meeting (Moscow, 1989), Всесоюзной школе - семинаре «Фотоакустическая спектроскопия и микроскопия (фотоакустическис и термоволновые явления)» (Душанбе, 1989), YI Всесоюзном семинаре «Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников» (Новосибирск, 1989), Всесоюзной конференции «Химические сенсоры - 89» (Ленинград, 1989), Всесоюзной конференции «Современные проблемы физики и ее приложений» (Москва, 1990), У Всесоюзном совещании но когерентному взаимодействию излучения с веществом (Симферополь, 1990), YI1I Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград,

1990), YII Международной конференции по теоретическим вопросам адсорбции (Москва, 1991), 8Ш Internation Topical Meeting on Photoacoustic and Phototermal Phenomena (Guadeloupe, France, 1994), International Conference on Magnetism (Warsaw, Poland, 1994), XIY, XYII Международных школах - семанарах «Новые магнитные материалы ' микроэлектроники» (Москва, 1994, 2000), Всероссийском семинаре «Проблемы записи и хранения информации в телерадиовещании» (Москва, 1995), SMM 12 и SMM 14 (Soft Magnetic Materials Conference) (Cracow, Poland, 1995, Balatonfered, Hungary, 1999), Международном симпозиуме по фотохимии и фотофизике молекул и ионов (Санкт - Петербург, 1996), YI Всероссийской конференции «Структура и динамика молекулярных систем» (Яльчик, 1999), Moscow International Symposium on Magnetism (Moscow, 1999), 3th European Conference on Magnetic Sensors and Actuators (Dresden, Germany, 2000), Ломоносовских чтениях в МГУ (1976, 1979,1990,2000). Публикации. По материалам диссертации опубликовано 69 статей и тезисов докладов, получено авторское свидетельство на изобретение. Список основных публикаций по теме диссертации приведен в конце автореферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, приложения и заключения. Объем диссертации составляет 434 страницы, включая 119 рисунков, б таблиц, а также список литературы из 552 наименований. ,.,. ,

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цели и задачи исследования, показана новизна и

практическая значимость полученных результаты, изложены основные положения работы, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена изложению предложенной в работе модели фазового перехода металл - полупроводник (ФПМП). На основе анализа свойств материалов, претерпевающих ФПМП, обосновывается выбор диоксида ванадия в качестве модельного объекта для исследования фазового перехода данного типа. Свойства оксидов переходных металлов, обладающих узкими разрешенными зонами, во многом определяются электрон -электронным и электрон - фононным взаимодействиями. В выбранном нами У02 основную роль в механизме ФПМП играет электрон - фононное взаимодействие. Краткий обзор существующих к на стоящему времени представлений о ФПМП позволяет сделать вывод о необходимости разработки модели фазового перехода в диоксиде ванадия, объясняющей всю совокупность экспериментальных данных.

Предложенная в работе модель фононного ангармонизма ФПМП является одномерной моделью, основанной на теоретических представлениях Пайерлса. В отличие от предыдущих моделей, учитывающих ангармонизм мягкой моды, обусловленный электрон - фононным взаимодействием, предложенная модель учитывает фонон - фононный ангармонизм.

Гамильтониан одномерного кристалла в приближении сильной связи имеет вид:

Я = + (1)

п я

где п - номер узла в цепочке атомов ванадия, Еп - энергия электрона, находящегося в узле п, а*,ал - соответственно операторы рождения и уничтожения электрона на узле п, ВП;П+1 - резонансный

интеграл перекрытия . волновых функций электронов соседних' узлов.

Интеграл перекрытия зависит только от взаимного расположения соседних узлов и может быть представлен в виде ряда:

^ = (2)

где Oj - коэффициенты разложения, и„ - изменение расстояния между п - ым и п + 1 - узлами решетки при ФПМП, отнесенное к расстоянию между этими узлами в металлической фазе.

Попарное сближение атомов ванадия при фазовом переходе может быть отражено соотношением:

ия = (-1)ли, (3)

где и - параметр спаривания, который является параметром порядка ФПМП в рассматриваемой модели.

В модели фононного энгармонизма получено выражение для зависимости плотности состояний от энергии в обеих фазах УОг-Были рассмотрены отдельно свободная энергия электронной подсистемы Рэл и решетки Рр. Производная величины Рр была разложена в ряд по параметру порядка И:

—^- = аШ-р(Ш)Чу(«/)5, (4)

ди

где X = уго, у - обратный радиус волновой функции атома, го -среднее расстояние между атомами, а, Р, у - коэффициенты разложения, которые являются подгоночными параметрами теории. Эти коэффициенты разложения были рассчитаны для диоксида ванадия путем использования следующих экспериментальных данных \Ю2:

1. Температуры ФПМП Тс = 340 К.

2. Скачка ширины запрещенной зоны при переходе в полупроводниковую фазу ВЕ0 = 0,6 эВ.

3. Ширины петли гистерезиса ДТ = 1К.

Предложенная модель позволила рассчитать ряд параметров, характеризующих ФПМП в У02 и провести сравнение с известными экспериментальными данными. Экспериментальные значения некоторых величин в литературе отсутствуют и поэтому наши расчеты в этом случае носят характер предсказания. Были рассчитаны зависимости ширины запрещенной зоны ^ У02 в полупроводниковой фазе Ег от температуры Т, одноосного вдоль кристаллографической оси с 8С и гидростатического (всестороннего) давлений Р, а также критической температуры ФПМП от величины ЯсИР:

эксперимент ^ = -8,Ь10'4 эВ-К1

^ = -1,2-10"9 К-см2 -дин'1 ^ =0,8-10-9 К-см2-дин1

теория

= -2,6-10"4 эВ-К'1

дТ ) -

(дЕ- !=-Ю-10 эВ-см2 -дин"1

= ю10 эВ-см2-дин1

дР

^ = -10"9 К-см2-дин1

= Ю-9 К-см2-дин1

дР )

В заключительном параграфе этой главы предложена теория влияния примесей замещения на температуру ФПМП. Раздельно

рассмотрены вклады изменения электронного спектра и деформаций, вносимых точечным дефектом.

Вклад электронного механизма сдвига критической температуры

составил : —£.= -13,6 К/%, где у - доля примесных атомов.

ду

Влияние деформаций на величину Тс было значительно более

слабым : = 2,8 К/%. Суммарное значение сдвига критической ду

температуры ФПМП _ю,б К/% находится в

ду

удовлетворительном соответствии с экспериментальным

результатом = -12 К/%, полученным для группы примесей ду

замещения типа ЫЬ, Мо, \У.

Вторая глава посвящена экспериментальным исследованиям, устанавливающим взаимосвязь адсорбционяо - десорбционных процессов и фазового перехода полупроводник - металл в диоксиде ванадия.

В работе использовались пленки УОг, полученные методом газотранспортных реакций на подложках из лейкосапфира. Толщина пленок составляла —0,3 мкм. Для проведения электрофизических измерений на края пленки были напылены алюминиевые контакты. Структура пленок изучалась методами электронографии и растровой электронной микроскопии. Было установлено, что образцы У02 представляют собой мозаичный монокристалл, покрытый деструктурированным слоем, толщиной ~20 км. Пленки диоксида ванадия различных серий отличались расположением кристаллографических осей относительно поверхности образца.

Прежде, чем приступить к изучению влияния адсорбционно -десорбционных процессов на ФППМ в У02 ,был проведен цикл исследований влияния адсорбции ряда молекул (воды, аммиака, кислорода) на заряд поверхности пленок диоксида ванадия, находящихся в полупроводниковой фазе.

Эти исследования позволили установить тип проводимости на поверхности пленок У02. Закономерности влияния адсорбции на электронную подсистему в полупроводниковой фазе У02 являются общими-сгтакими традиционными полупроводниками, как Се и Бь Все это позволяет использовать обширные знания по физике поверхности полупроводников ^ для , , интерпретации экспериментальных данных.

Изучение ФППМ проводилось путем измерения зависимости сопротивления Л пленки У02 от температуры. Эта кривая имеет гистерезис, характерный для фазового перехода первого рода (рис.1). Конструкция измерительной ячейки и методика проведения эксперимента исключали существенное изменение условий теплообмена между образцом и окружающей средой при напуске паров адсорбата. Термостатирование образцов осуществлялось с точностью ±0,15 К. В качестве адсорбатов были выбраны молекулы воды и аммиака (проявляющие донорные свойства при адсорбции на поверхности полупроводников), кислорода и тетрацианэтилена (акцепторы). Адсорбция молекул Н20 и ЫН3 приводила к смещению петли гистерезиса в область более низких температур на несколько градусов (рис.1), форма кривой ЩТ) не менялась. Эффект сдвига критической температуры ФППМ был обратим в цикле: прогрев в вакууме при Ть = 350К - напуск адсорбата - прогрев в вакууме при Ть = 350К в течении двух часов. Увеличение давления паров

м>

Рис. 1 Температурные зависимости сопротивления пленки У02 в вакууме (1) и в парах воды (2). Давление паров воды 1 Па.

=i и

0.0

280 300 320 340 360 380 400

Т,К

Рис.2 Термодесорбция молекул воды (1), СО (2), С02(3) и 02(4) с поверхности пленки V02.

адсорбата приводило к росту сдвига критической температуры. Адсорбция акцепторных молекул кислорода и тетрацианэтилена не оказывала влияния на величину критической температуры ФППМ. Проведенные дополнительные эксперименты и теоретические расчеты показали, что уменьшение температуры фазового перехода не связано с заряжением поверхности пленки V02 при адсорбции молекул Н2 О и М13. Обнаруженный эффект сдвига критической температуры, зависящий от расположения кристаллографических осей в пленке, объясняется деформациями сжатия, которые возникают на поверхности при адсорбции молекул по механизму образования водородных связей при небольших давлениях паров адсорбата.

Следующим шагом в наших исследованиях явилось изучение влияния адсорбции ионов на критическую температуру ФППМ, которая проводилась на поверхность пленки V02 из коронного разряда. В этих условиях ионы, обладающие весьма малыми кинетическими энергиями, не создают радиационных дефектов в образце. Как и в предыдущей серии экспериментов, изучались температурные зависимости сопротивления пленки V02. Адсорбция ионов приводила к возрастанию критической температуры ФППМ на 2 - ЗК. Эффект не зависел от сорта ионов и знака их заряда. Прямыми экспериментами было показано, что возрастание температуры ФППМ не связано с деформацией поверхности при адсорбции ионов, а также интегральным зарядом поверхности V02. Вместе с тем адсорбция ионов на поверхности пленки вызывает появление локальных электрических полей, напряженность которых на расстояниях ~ 1 нм составляет Eioc ~ 108 В-смЛ Относительное

расширение поверхности пленки при электрострикции должно приводить к возрастанию критической температуры ФППМ.

Обнаруженный эффект сдвига критической температуры ФППМ при адсорбции нейтральных молекул и ионов позволяет предположить существование обратного эффекта - влияния фазового перехода на адсорбционно - десорбционные свойства диоксида ванадия. Для решения этой задачи были изучены спектры термодесорбции атомов и молекул с поверхности пленки ЛЮ2 методом масс - спектроскопии. В области фазового перехода (ТС=340К) было зарегистрировано резкое возрастание числа десорбирующихся молекул Н20, 02, СО, С02'(рис.2). Активизация процесса термодесорбции молекул с поверхности пленки обусловлена'изменением симметрии кристаллической решетки У02 при ФППМ и,1 Следовательно, облегчением процесса диффузии молекул из объема образца по межкристашттный зазорам и порам. Из рис.2 видно, что десорбционная способность Металлической фазы \Ю2 "существенно больше, чем' полупроводниковой. Действительно, аномально большое возрастание 'амплитуд колебаний поверхностных атомов ванадия в металлической фазе, неоднократно отмечаемое в литературе, облегчает' разрушение различных адсорбционных комплексов на поверхности пленки и повышает ее десорбционную способность.

В третьей главе рассматривается влияние светового облучения пленок \Ю2 на их свойства. Выбор длины световой волны в ультрафиолетовом диапазоне позволяет воздействовать освещением на тонкий приповерхностный слой образца толщиной ~ 20 нм. В настоящей главе исследовано влияние светового облучения на

электронные переходы в У02) нагрев пленки и образование дефектов.

Проведенное комплексное исследование температурных зависимостей сопротивления пленок У02 ЩТ), спектров термо- и фотодесорбдии, электронографических измерений позволило установить следующее. Первый цикл экспериментов был проведен на образцах, на поверхности которых присутствовал деструктурированный слой толщиной -20 нм. Предварительное облучение поверхности образца ультрафиолетом при температурах выше критической начиная с дозы облучения Б = 5-10 фотон-см" приводило к деградации фазового перехода: уменьшению скачка сопротивления при ФППМ (за счет снижения сопротивления в полупроводниковой фазе), сдвигу температуры ФППМ в сторону более низких значений, расширению петли гистерезиса. Эффект деградации свойств пленки У02 был практически необратим -сопротивление образца в полупроводниковой фазе восстанавливалось на воздухе за год всего на 70%. Если предварительное облучение поверхности У02 проводилось при температуре, соответствующей полупроводниковой фазе, то оно не оказывало влияния на зависимости К(Т).

Во второй Ьерии экспериментов деструктурированный слой был удален с поверхности пленок У02 химическим травлением В этом случае было зарегистрировано существенное повышение чувствительности пленок У02 к воздействию ультрафиолетового облучения. Кроме того деградация ФППМ сопровождалась повышением критической температуры. Проведенные нами исследования спектров фотодесорбции установили резкое увеличение числа десорбирующихся молекул С02 и СО, а также

атомарного кислорода при облучении образцов ультрафиолетом при критической температуре ФППМ. Методом электронографии не было зарегистрировано изменение стехиометрического состава У02 (появления других оксидов ванадия) после облучения. Поэтому десорбирующиеся атомы кислорода являются, в основном, продуктами разрушения кислородосодержащих адсорбционных комплексов, присутствующих на поверхности пленки. На облученных образцах было обнаружено появление кластеров тетрагональной (металлической) фазы при комнатной температуре. Больший объем тетрагональной фазы приводит к деформациям остальной поверхности пленки и, следовательно, изменению критической температуры ФППМ. Другой знак деформации образца может возникать при разрушении адсорбционных комплексов под действием ультрафиолетового облучения.

Активные внешние воздействия могут оказывать влияние на температуру ФППМ либо путем деформации кристаллической решетки У02, либо - изменения энергии электронной подсистемы. С целью установления возможности управления критической температурой через электронную подсистему У02 была проведена следующая серия экспериментов. На поверхность образца из спиртового раствора адсорбировались молекулы красителя. В качестве красителей были выбраны родамин В, метиленовый синий, кумарин и эритрозин, обладающие флуоресценцией,: максимум которой соответствует квантам света от ^ = 1,75 эВ (метиленовый синий) до Ъм2 = 2,4 эВ (кумарин).

Изучались температурные зависимости сопротивления образца К(Т) в темноте и при освещении пленки в полосе поглощения красителя. Было обнаружено, что на образцах У02 с

адсорбированными молекулами родамина В наблюдалось снижение критической температуры ФППМ на 2К при освещении (рис.3). На таких образцах также регистрировалось резкое уменьшение интенсивности флуоресценции красителя на поверхности У02 по сравнению с флуоресценцией на инертной кварцевой подложке, свидетельствующее о передаче энергии возбуждения красителя в пленку диоксида ванадия. Эффект фотосенсибилизации ФППМ не наблюдался при адсорбции на поверхности пленки других использованных красителей. Снижение температуры ФППМ зависело от концентрации молекул родамина В и интенсивности освещения. Переход от кривой 1 на рис.3 к кривой 2 осуществлялся за характерное время т ~ 50с.

Было установлено, что наблюдаемый фотосенсибилизированный ФППМ не может быть объяснен нагревом образца при освещении. Снижение критической температуры не связано с межзонными переходами при освещении пленки У02. Проведенные нами теоретические расчеты показали, что для понижения температуры фазового перехода на 1К необходимо создать неравновесную заселенность зоны проводимости У02 ~ 1018 электр.-см"3. В наших экспериментах интенсивность света составляла ~1015 квант-см^ с'1. С учетом характерного времени обратных межзонных электронных переходов (~10"9с) такая интенсивность света, поглощаемого во всем

325

330 т, К 335

340

Рис.3 Зависимость сопротивления пленки У02 с адсорбированными молекулами родамина В от температуры в отсутствие облучения (1) и при облучении в полосе поглощения красителя (2).

1.00.8-

Л-1-г

280 320

1.0

0.8 1-0.6 0.4

г 0.2 0.0

360

400

Рис.4 Зависимость количества адсорбированных молекул Н20 (1,4), С6Н14 (2), и 02 (3) на пленке УББ/ТгРЕ толщиной 15 им (1-3) и 2,5 нм (4) от температуры.

объеме пленки, соответствует сдвигу критической температуры всего на 10~7К.

Обнаруженный эффект фотосенсибилизации ФППМ может быть объяснен захватом электронов валентной зоны на медленные ловушки, расположенные вблизи зоны проводимости У02, время г' перезарядки которых близко к характерному времени кинетики эффекта фотосенсибйлизации х ~ 50 сек. Молекулы красителя поглощают квант света и передают энергию в пленку У02 по индуктивно - резонансному механизму. Эта энергия расходуется на' возбуждение электронов .из валентной зоны на ловушки. Проведенные нами оценки указывают на возможность подобного ^объяснения эффекта фотосенсибюшзации. Роль молекул красителя, обладающих большими ^сечениями захвата фотона, сводится к перераспределению энергии поглощаемого света со всего объема пленки на тонкий приповерхностный слой, Толщиной ~5 нм. Переход в металлическую фазу этого слоя приводит к резкому уменьшению общего сопротивления образца. Отсутствие эффекта фотосенсибилизации ФППМ на пленках У02 с адсорбированными молекулами кумарина и эритрозина связано с тем, что энергия, передаваемая от молекул красителя в твердой тело, соответствует межзонным электронным переходам. Энергии возбуждения молекул метиленового синего должно хватить на перехода из валентной зоны на глубокие ловушки, находящиеся в середине энергетической щели. Концентрация этих лрвушек мала и сдвиг критической температуры выходит за пределы точности эксперимента. Таким образом эффективная сенсибилизация ФПЦМ может осуществляться только в том случае, если энергия передаваемая молекулами красителя в пленку \Ю2, будет соответствовать

переходам электронов в ту часть запрещенной зоны, где имеется высокая концентрация медленных состояний. Описанный метод люминесцентных зондов может являться удобным инструментом для изучения спектра поверхностных состояний V02.

Рассматривая свойства диоксида ванадия, претерпевающего ФППМ, нельзя не остановиться на его вольт - амперных характеристиках, которые имеют 8 - образную форму. Такая форма кривой 1(11) используется при конструировании на основе \Ю2 переключающих элементов и генераторов. Нами было проведено исследование адсорбционно - десорбционных воздействий, а также облучения ультрафиолетом на вид вольт - амперных характеристик. Было обнаружено изменение напряжения переключения пленки У02 в результате адсорбции Н20, СН3ОН, С'НзО, ЫНз, 02, прогревов в вакууме и облучения светом в ультрафиолетовом диапазоне. При большинстве видов рассматриваемых воздействий сдвиг напряжения переключения был связан с изменением сопротивления образца и носил тепловой характер: Некоторые из них, в частности прогревы в вакууме, приводили к образованию кислородных вакансий в пленке. Проведенные оценки указывают на то, что при напряжении переключения происходит ФППМ лишь в 1/300 наиболее дефектной части объема образца.

Полезную информацию для установления особенностей механизма протекания ФППМ в приповерхностной области образца может дать изучение динамики движения границы раздела полупроводниковой и металлической фаз. Для изучения этих процессов был использован метод фототермической деформации поверхности (ФТДП). Часть поверхности ■ пленки облучалась мощным лазерным импульсом света, в результате чего происходил

локальный нагрев образца до температуры выше критической. Возникающее в результате нагрева локальное смещение поверхности измерялось по изменению угла отражения вспомогательного зондирующего лазерного луча. Локальное смещение поверхности определялось двумя факторами: термоупругим расширением разогретой области пленки (положительный сигнад ФТДП) и изменением объема области, в которой произошел ФППМ (отрицательный сигнал). Сжатие поверхности образца при ФППМ объясняется уменьшением постоянной решетки вдоль кристаллографической оси, расположенной перпендикулярно поверхности пленки УОг- Были выполнены три серии экспериментов, в которых варьировались температура пленки У02, мощность греющего лазерного импульса и расстояние от центра нагретого пятна до точки зондирования. На основании этих исследований был проведен детальный анализ формы сигнала ФТДП, вычислены скорости движения границы раздела фаз в объеме и на поверхности пленки, предложен новый метод диагностики фазовых переходов первого рода.

Четвертая глава посвящена изучению влияния поверхностных воздействий на сегнетоэлектрический фазовый переход. Глава начинается с краткого обзора литературных данных по рассматриваемому вопросу и постановки задач исследования. В качестве образцов были выбраны два типа сегнетоэлектрических пленок: неорганические пленки, претерпевающие

сегнетоэлектрический фазовый переход типа «смещения» и ленгмюровские пленки, в которых наблюдается переход типа «порядок - беспорядок».

Сегнетоэлектрические пленки различного состава (Вао^ГодТЮз, РЬ0Э5 8г0,о5(гпо.5зТ1о,47)03 + КЬ205(1%), РЬТЮ3:Ьа) высокочастотным реактивным распылением наносились на кремниевые подложки п- и р- типа. На сегнетоэлектрик напылялись металлические контакты. Переполяризация сегнетоэлетрической пленки проводилась с помощью термополевых обработок. Изучались вольт - фарадные и вольт - амперные характеристики. На основании анализа экспериментальных данных можно было сделать заключение, что состояние исходной поляризации структур сегнетоэлектрик -полупроводник определяется типом проводимости подложки. Термополевые обработи приводят к существенному изменению вольт - фарадных и вольт - амперных характеристик. Эти изменения обусловлены не только переполяризацией, но и перезарядкой электронных ловушек. Изучение формы вольт -фарадных характеристик структур при различных температурах позволяет провести оценки однородности состава сегнетоэлектрической пленки. При критической температуре сегнетоэлектрического фазового перехода наблюдается существенное изменение этих характеристик.

Исследования спектров термодесорбции двух

сегнетоэлектрических пленок различного состава показали, что также, как и для пленок У02, при фазовом переходе первого рода наблюдается рост десорбционной способности поверхности образца. Была зарегистрирована десорбция молекул кислорода и воды. В отличие от ФПБМ десорбционная способность сегнетоэлектрической и параэлектрической фаз была примерно одинаковой.

Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на адсорбционные свойства поверхности изучались на ленгмюровских пленках. Образцы сополимера винилиденфторида с трифторэтиленом (УПР / ТгРЕ) представляли собой цепочку (- СН2 -СР2)П (СНБ - Ср2)т, состоящую соответственно из п и т мономеров. В этих пленках наблюдается сегнетоэлектрический фазовый переход 1 рода, сопровождающийся изменением структуры молекулярного кристалла. Изотермы адсорбции различных молекул (Н20, 02, СбНи) на поверхности образцов исследовались методом «пьезорезонансных» кварцевых весов. Изучались пленки, состоящие из 5 и 30 монослоев сополимера, что соответствовало толщине пленок 2,5 и 15 нм. Было обнаружено, что с повышением температуры происходило возрастание числа адсорбированных молекул, которое достигало максимума при температуре фазового перехода (Те ~ 380К), а затем уменьшалось (рис.4). Изотермы адсорбции были полностью воспроизводимы в цикле напуск газа -длительная откачка при комнатной температуре. Все полученные изотермы адсорбции не описывались уравнением Брунауэра -Эмметта - Теллера. ■ - -

Аномальная температурная1 зависимость числа адсорбированных молекул связана с разрывом слабых связей Ван - дер - Ваальса между цепочками сополимера при адсорбции и возрастанием расстояния между ними. Перестройка структуры молекулярного кристалла при фазовом переходе способствует этому процессу. Уменьшение подвижности структуры сополимера после перехода в параэлектрическую фазу приводит к уменьшению числа адсорбированных молекул.

При перестройке кристаллической решетки УГУ? / ТгБЕ в процессе сегнетоэлектрического фазового перехода происходит изменение направления электрических диполей, то есть изменяются локальные электрические поля в пленке. Весьма чувствительным индикатором зарядового состояния поверхности являются спектры флуоресценции молекул красителей и других сложных органических веществ, адсорбированных на поверхности пленки. При переходе в параэлектрическую фазу был зарегистрирован сдвиг максимума флуоресценции родамина 6Ж, нанесенного на пленку сополимера, в коротковолновую область на 20 нм, а также уменьшение ширины спектра.

На сверхтонких пленках сополимера, содержащих всего 5 монослоев, был исследован недавно описанный в литературе низкотемпературный (Тс = 301К) фазовый переход. Этот переход не наблюдается в пленках сополимера толщиной более 30 монослоев. Обе фазы являются сегнетоэлектрическими. Можно предположить, что изменение сегнетоэлектрических свойств тонких пленок \Т)Б / ТгБЕ происходит в результате перестройки структуры сополимера, при которой сохраняется преимущественное направление диполей в цепочке. Высокотемпературный переход сегнетоэлектрик -параэлектрик регистрируется в пленках любой толщины. На сверхтонких пленках сополимера нами было обнаружено возрастание числа адсорбированных молекул при обоих фазовых переходах, (рис.4, кривая4).

Полярные лешмюровские пленки, нанесенные на полупроводниковые подложки, могут служить основой приборов для целей газового анализа. Поэтому нами было проведено исследование влияния пленки сополимера на заряд медленных

состояний кремниевой подложки, который весьма чувствителен к адсорбционным воздействиям. Исследование перезарядки медленных ловушек кремния в эффекте поля, проведенное в вакууме и в атмосфере паров воды, позволило установить влияние пленки сополимера на заряжение поверхности полупроводника и степень ее гетерогенности. Интерпретация полученных результатов проводится в рамках электронно - колебательной модели медленной

релаксации на поверхности полупроводника. .....

В пятой главе рассмотрено влияние адсорбционно десорбционных процессов на поверхностные 1 свойства ферромагнетиков. В начале главы приведен краткий обзор литературы по этой теме, поставлены задачи настоящей работы. В качестве образцов использовались поликристаллы .. никеля, нитевидные монокристаллы железа, а также аморфное железо.

Изучение воздействия фазового перехода ферромагнетик -парамагнетик на десорбированнуто активность поверхности было проведено на поликристаллических образцах никеля методом масс -спектроскопии. Было обнаружено резкое возрастание десорбции молекул П20, СО, С02, 02, а также атомарного кислорода вблизи температуры Кюри (Тс = 631К). В отличие от рассмотренных во второй и четвертой главах фазовых переходов полупроводник -металл и сегнетоэлектрик - параэлектрик, ферромагнетный фазовый переход относится к переходам второго рода, при которых изменяется магнитная структура вещества, а симметрия кристаллической решетки остается:, неизменной. Структурных фазовых переводов вблизи температуры Кюри никель не имеет. Таким образом рассуждения, приведенные в главах 2 и 4 для объяснения роста десорбционной активности при фазовом переходе

первого рода, в данном случае неприменимы. Тщательные эксперименты, в которых к образцу прикладывались постоянные и переменные магнитные поля с напряженностью больше коэрцитивной показали, что полученный эффект нельзя объяснить исчезновением при фазовом переходе доменных границ, обладающих повышенной адсорбционной способностью. Более достоверным представляется объяснение повышенной десорбционной активности ферромагнетика в области фазового перехода влиянием ферромагнитных аномалий, то есть изменением немагнитных свойств вещества при ферромагнитном фазовом переходе. Одна из таких аномалий наблюдается для термического коэффициента расширения, который имеет максимум при температуре Кюри. Резкое увеличение коэффициента расширения при фазовом переходе должно приводить к деформациям кристаллической решетки. Деформации испытывают также поверхности межкристаллитных зазоров. Все это, также как и изменения симметрии кристаллической решетки при фазовом переходе первого рода, и является причиной активизации десорбционных процессов при температуре Кюри.

Высокое значение . температуры Кюри у большинства ферромагнетиков не позволяет исследовать влияние адсорбции молекул из газовой фазы на изменение различных свойств этих материалов при фазовом переходе. Вместе с тем, попытки управления магнитными свойствами ферромагнетика с помощью адсорбционных воздействий представляет большой научный и практический интерес. В качестве объекта исследования были выбраны нитевидные монокристаллы железа (вискеры), обладающие совершенной кристаллической структурой в объеме и

на поверхности образца, а также образцы аморфного железа, имеющие развитую дефектную поверхность.

Колебания 180° доменной границы в переменном магнитном поле изучались с помощью микромагнетометра, снабженного вакуумной ячейкой. Исследовался экваториальный эффект Керра. Было обнаружено, что при адсорбции молекул воды происходит изменение частотной зависимости амплитуды раскачки доменной границы Л(0 на поверхности образца. Эффект был полностью обратим в цикле напуск паров НгО - вакуумирование при комнатной температуре. Уменьшение выличины А с ростом частоты магнитного поля можно характеризовать частотой релаксации определяющей из кривой Л(1) на уровне 0,7 от максимального значения Л при £ 0. Адсорбция приводила к уменьшению величины £ примерно в 50 раз на вискерах железа и ~ 3 раза на аморфных образцах.

Релаксационная частота характеризует силу эффективного трения, действующую на движущуюся доменную 1раницу. Теоретический анализ полученных результатов позволил сделать вывод, что движение доменной стенки в приповерхностном слое, содержащем магнитные дефекты, является нерегулярным и нестационарным. Уменьшение амплитуды раскачки доменной границы с ростом частоты внешнего магнитного поля обусловлено диссипацией энергии колебаний в дефектном приповерхностном слое. Появление магнитных дефектов связано с деформациями поверхности, создаваемыми адсорбированными молекулами воды. Возникающие микронапряжения благодаря магнитоупругому взаимодействию являются источниками магнитных микродефектов.

В приложении рассмотрен экспериментальный материал, посвященный изучению безызлучательных механизмов передачи энергии, выделившейся при захвате носителей заряда на поверхностные состояния полупроводника. Результаты этих исследований использовались при интерпретации

экспериментальных данных,, изложенных, в болынистве глав настоящей работы.

Детальное изучение перезарядки медленных поверхностных состояний полупроводника в эффекте поля, проведенное в вакууме и атмосфере различных газов и паров, позволило объяснить эффект ускорения перезарядки этих состояний в присутствии слабосорбированных молекул. Согласно рассмотренной в работе электронно - колебательной модели медленной релаксации лимитирующей стадией захвата носителей заряда на медленные состояния является диссипация выделившейся при захвате энергии. В присутствии слабосорбированных молекул эта энергия может быть израсходавана на колебательное возбуждение молекул адсорбата. Полученные результаты позволяют предложить новый способ анализа состава молекул в газовой фазе, аналогичный ИК -спектроскопии.

Исследование зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала гидратированной и дейтерированной поверхностней германия позволило установить роль колебательного возбуждения адсорбированных молекул в процессе перезарядки рекомбинационных центров поверхности полупроводника.

Экспериментальное изучение перезарядки медленных ловушек на поверхности кремния в атмосфере кислорода показало, что

выделившиеся при завате носителей заряда на медленные состояния энергия может быть ; затрачена на электронные ''возбуждения адсорбированных молекул. ■ • ' '

В заключении обобщены основные научные результаты и выводы работы. '

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

1. Предложена модель фазового перехода металл - полупроводник и на ее основе разработана теория фазового перехода в диоксиде ванадия. На

- базе модели фононного энгармонизма рассчитано удлинение кристалла вдоль кристаллографической оси с при фазовом переходе; изучена температурная зависимость величины энергетической щели в полупроводниковой фазе, предсказаны сдвиг критической температуры перехода и зависимость ширины энергетической щели при изменении одноосного вдоль оси с и гидростатического давлений; построена теория влияния примесей замещения на температуру фазового перехода. Все полученные теоретические результаты находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.

2. Впервые был поставлен вопрос о взаимосвязи адсорбционно -десорбционных процессов и фазового перехода полупроводник - металл на примере диоксида ванадия. В рамках решения этой проблемы был обнаружен эффект сдвига критической температуры фазового перехода при адсорбции донорных молекул воды и аммиака. Экспериментально и теоретически показано, что сдвиг температуры фазового перехода определяется формами связи адсорбированных молекул с поверхностью пленки. Исследовано влияние адсорбции ионов из газовой фазы на этот фазовый переход. Установлено увеличение критической температуры перехода, не зависящее от природы ионов и знака их заряда.

Полученный эффект может быть объяснен возникновением локальных кулоновских полей адсорбированных ионов.

3. Впервые прямыми измерениями обнаружено возрастание адсорбционной способности твердого тела при критической температуре сегнетоэлектрического фазового перехода первого рода. Эффект, связан с изменением межатомных расстояний в кристалле при фазовом переходе и возрастанием подвижности решетки в процессе ее перестройки. Полученные результаты позволили предложить новый метод диагностики структурных фазовых переходов на оспове регистрации адсорбционных характеристик твердого тела.

4. Установлен рост десорбции различных молекул с поверхности твердых тел при температуре фазового перехода. Эффект обнаружен для фазового перехода полупроводник - металл, а также сегнетоэлектрического и ферромагнитного переходов. Показано, что основным источником десорбирующихся частиц являются адсорбционные комплексы на поверхности твердого тела, а не атомы, входящие в состав кристаллической решетки. Впервые проведено сравнение десорбционной способности двух фаз.

5. Исследовано влияние термических и радиационных воздействий на пленки диоксида ванадия в полупроводниковой фазе, в области фазового перехода и в металлической фазе па их критическую температуру и ширину петли гистерезиса. Установлено, что стойкость ме1аллической фазы диоксида ванадия к этим воздействиям нюхе, чем у полупроводниковой. Возрастание десорбционной способности пленок в металлической фазе приводит к увеличению дефектообразования нри

облучении ультрафиолетом. Обнаружен!', что в результате УФ -облучения образцов формируются кластеры высокотемпературной фазы, сохраняющиеся в диоксиде ванадия при понижении температуры ниже критической.

6. Впервые обнаружен эффект фотосенсибалкзацЕМ фазового перехода полупроводник - металл в пленках диоксиаа ванадия, заключающийся в снижении критической температуры прк фотоюзоуждении молекул красителя, адсорбированных на поверхности образца. Полученный эффект объяснен передачей энергии возбуждении молекул красителя в полупроводник и перезарядкой ловушее в era запрещенной зоне. Повышение энергии электронной подсистемы приводит к снижению температуры фазового перехода полупроводник - металл.

7. Методом импульсной фототермическсш деформации поверхности исследовано движение границы раздала ш<лу проводниковой и металлической фаз в объеме и на поверхности плеики диоксида ванадия. Показано, что скорость движения граница раздела на поверхности на два порядка больше, чем в объеме плгнки. На примере фазового перехода полупроводник - металл предложен новый метод диагностики фазового перехода первого рода.

8. Обнаружено влияние физической адсорбции молекул из газовой фазы на динамику движения доменной границы в нитевидных монокристаллах железа а также образцах аморфной: жежза. Показано, что слабосорбированные молекулы воды создают магнитные дефекты на поверхности образца путем ее деформации. На основе частотных зависимостей амплитуды колебаний доменной границы в вискерах

железа предложен механизм движения доменной стенки, а также рассмотрены возможные пути диссипации энергии на поверхностных магнитных дефектах.

9. На основании полученных экспериментальных данных проанализирована роль поверхностных явлений в фазовых переходах различного типа.

Оеноппые публикации до теме диссертации:

1. Kiselev V.F., Kurylev V.V., Levshin N.L. The effect of adsorption on the

eIectroconductrvity of Pc Fe avid Pc Cu films. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.42, №2, P-K61-K64.

2. Козлов C.H., Левшин H.JI. О кинетике медленной релаксации заряда на поверхности германия в широком диапазоне времени. Вестник МГУ, сер. фю., астр:, 1979, т.20, №4, с.68-72.

3. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Левшин Н.Л. Изотопный эффект в кинетике перезарядки медленных поверхностных состояний. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, №9, с.513-515.

4. Козлов СЛ., Левшин Н.Л. О сечении захвата носителей заряда медленными состояниями на поверхности полупроводников. Деп в ВИНИТИ 13.10.1980., №4348-80. Д-т, 31с.

5. Козлов С.Н., Левшин Н.Л. Об участии адсорбированных молекул в диссипиации энергии, выделившейся при захвате носителей заряда на медленные поверхностные состояния. ФТП, 1980, т.14, №12,

■ с.2377-2380.

6. Киселев В.Ф., Козлов С.Ы.. Левшин Н.Л. О возбуждении колебательных мод адсорбированных молекул в актах заряжения поверхности полупроводника. ДАН СССР, 1981, т.256, №2,

с.411-414.

7. Kozlov S.N., Levshin N.L. On the distribution function of activation barriers surmounted by chargc carriers when captured to slow surface states of a semiconductor. Phys. Stat. Sol. (а), 1981, v.64, №2, p.IC169-K172.

8. Kiselev V.F., Kozlov S.N., Levshin N.L. On the mechanism of dissipation of energy released in the capture of charge carries to adsorptive slow states of a semiconductor. Phys. Stat. Sol. (a), 1981,v.66,№l,p.93 - 101.

9. Козлов C.H., Левинсн II.Л. Влияние адсорбции воды на кинетику перезарядки медленных состояний кремния. Вестник МГУ, сер физ. астр., 1983, т.24, №3,с.76 - 79.

Ю.Козлов С.Н., ЛевшинН.Л. О влиянии легирования поверхности германия ионами цезия на перезарядку медленных состояний. Изв. вузов, физ., 1984, №1, сЛ05-108.

11.Киселев В.Ф., Козлов СЛ., ЛевшинН.Л. Способ определения содержания молекул в газовой среде. А.С.№1149353 от 08.12.84.

12.Kozlov S.N., Levshin N.L. Isotopic effect in the recombination of nonequilibrium charge carriers on the germanium surface. Phys. Stat. Sol.(a), 1984, v.83, p. К 149-K 152.

13.Козлов C.H., Левшин Н.Л. О возможности электронного возбуждения адсорбированных молекул в актах захвата носителей заряда на адсорбциошше поверхностные состояния. Поверхность. Физ., хим., мех. 1986, №2, с.146-148.

14.Городник Л.Б., Левшин Н.Л., Невзоров А.Н. Температурная зависимость поляризационного гистерезиса вольт - фарадных Характеристик структур А1 - (Ba0,9Sr0)1)TiO3 - Si. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1986, т.27, №3, с.84-85.

15.Козлов С.Н., Левшин Н.Л., Смирнов Н.И. Влияние адсорбции молекул воды на температуру фазового перехода полупроводник - металл в

пленках У02. Препринт физич. ф-та МГУ , 1987, №5, 4с.

16. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Левшин Н.Л., Смирнов Н.И. Управление фазовым переходом полупроводник - Металл в пленках У02 методом

■ адсорбционных воздействий. ФТТ, 1988, т.30, №3,с.924 - 926.

17. Зайцев В.Б., Киселев В.Ф.. Левшин Н.Л., Новиков В.Н., Плотников Г.С. Пужляков А,Ф. .Снижение температуры фазового перехода метали - полупроводник под действием света в системе пленка У02

- краситель. Препринт физич. ф-та МГУ, 1988, №7,1988, 5с.

18. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Деформационный механизм сдвига критической температуры фазового перехода металл

- полупроводник в пленке У02 при адсорбции. Вестник МГУ, сер.физ., астр. 1988, т.29, №6, с.98-100. ;

19. Зайцев В.Б., Киселев В.Ф., Левшин Н.Л., Новиков В.Н., Плотников Г.С., Поройков С.Ю., Пужляков А.Ф. Влияние фотовозбужденных адсорбированных молекул красителя на фазовый переход полупроводник - металл. ДАН СССР, 1989, т.304, №3, с.649-652.

20. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Модель фононного ангармонизма в теории фазового перехода металл - полупроводник в У02. Вестник МГУ, Сер.физ., астр., 1989, т.ЗО, №5, с.52 - 56.

21. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Сдвиг температуры фазового перехода металл - полупроводник за счет примесей и дефектов. ФТТ, 1989, т.31, №10, с.261 - 264.

22. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние освещения в ультрафиолетовом диапазоне на фазовый переход полупроводник - металл в пленках У02. Вестник МГУ, сер физ. астр., 1990, т.31, №1, с.93 - 95.

23. Виниченко С.Ю., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние адсорбционно - десорбционных процессов на эффект переключения в пленке У02. Вестник МГУ, сер. физ.,астр., 1990, т.31, №4, с.97-99.

24. Емельянов В.И., Левшин íÍJL, Семенов A.JI. Влияние примесей замещения на температуру фазового перехода металл - полупроводник. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1990, т.31, №5, с.99 - 101.

25. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю., Семенов А.Л. Влияние локальных возмущений на фазовый переход полупроводник - металл. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1991, т.32, №1, с.63 - 74.

26. Vintzentz S.V., Kiselev V.F., Levshin N.L., Sandomirskii V.B. Kinetics of pulse photothermal surface deformation as a method of studying the phase interface movement in a first - order phase transition. Surf. Sei. 1991, V.241, №1/2, p.225-230.

27. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние локальных кулоновских полей на фазовый переход полупроводник - металл в пленках V02. ФТТ, 1991, т.33, №3, с.949 - 951.

28. Киселев В.Ф:, Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Адсорбционно -десорбционные процессы на поверхности пленок диоксида ванадия в области фазового перехода полупроводник - металл. ДАН СССР, 1991, т.317,№6,с.1408- 1412.

29. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Фотодесорбционные процессы при фазовом переходе полупроводник - металл. Вестник СПбГУ, сер физ. хим., 1992, №2(11), С.17 -21,103 - 104.

30: Зотеев A.B., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние фазового перехода полупроводник - металл на гидратный покров пленок диоксида ванадия. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1992 , т.ЗЗ, №5, C.71 -75.

31. Винценц C.B., Левшин Н.Л. Исследование движения границы раздела фаз при фазовом переходе первого рода, индуцированном лазерным импульсом по кинетике фототермической деформации поверхности: переход металл - полупроводник в пленках V02. Поверхность. Физ.,

хим., мех.'. 1993, №2, с.67-81.

32. Авилов A.C., Винценц C.B., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю., Хитрова В.И. Исследование фазового перехода полупроводник - металл в пленках диоксида ванадия методом импульсной фототермической деформации поверхности. Известия АН СССР, сер. физ., 1993, т.57, №9, с.43 - 47.

33. Зубов, В.Е., Кулаков А.Д., Левшин Н.Л., Пилипенко В.В. Влияние адсорбционно - десорбционных процессов на динамику доменных границ в монокристаллах железа. Письма в ЖТФ, 1994, т.20, №11, с.69-73.

34. Zubov V.E., Küdakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Influence of adsorption - desoiption processes on dynamics of 180° domain wall in iron. J. of Magn. andMagn. Mat., 1995. v.140-144, №3 p.1895-1896.

35. Киселев В.Ф., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Обратимое влияние адсорбции на фазовый переход полупроводник - металл в адсорбенте. Сб. »Современные проблемы теории адсорбции.» М., ПАИМС, 1995, т.2, с.166 -172.

36. Авилов A.C., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю., Ревина E.H., Хитрова В.И. Влияние УФ - освещения на характер фазового перехода полупроводник - металл в пленках VO2 с различной структурой приповерхностного слоя. Кристаллография, 1995, т.40, №2, с.355 - 357.

37. Левшин Н.Л., Невзоров А.Н., Петрухин А.Г. Влияние состояния поляризации сегнетоэлектрических пленок на электрофизические свойства структур кремний - сегнетоэлектрик. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1996, №3, с.49-55.

38. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Anomalous influence of physical adsorption on the magnetic properties of iron single crystals. J. of. Magn. andMagn. Mat., 1996, v. 160, p. 19-20.

39. Левшин Н.Л. Влияние фазовых переходов на термодесорбцию с поверхности твердого тела, ФТТ, 1997, т.39, №3, с.573 - 576.

40. Левшин Н.Л., Юдин С.Г., Дианкина А.П. Влияние сегнетоэлектричес-кого фазового перехода в пленках Ленгмюра - Блоджетт на их адсорбционные свойства. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1997, №5, с.54-56.

41. Левшин Н.Л., Юдин С.Г. Влияние полярных пленок Ленгмюра -Блоджетт на медленные состояния поверхности кремния. Вестник МГУ, сер.физ., астр., 1999, №5, с.27-30.

42. Левшин Н.Л., Пестова С.А. Влияние фазового перехода на адсорбционные свойства полярных пленок Ленгмюра - Блоджетт. В сб.»Структура и динамика молекулярных систем». Казань, УНИПРЕСС, 1999, №6, с.270-273.

43. Зубов В.Е., Кудаков А.Д., Левшин Н.Л., Поляков П.А. Механизмы поверхностной диссипации энергии в движущейся доменной границе в монокристаллах железа. Вестник МГУ, сер.физ.,астр.,2000, №1,с.43-45.

44. Зайцев В.Б., Левшин Н.Л., Пестова С.А., Плотников Г.С., Юдин С.Г. Изменение адсорбционных свойств и спектров флуоресценции при сегнетоэлектрическом фазовом переходе в пленках Ленгмюра -Блоджетт. Хим. физика, 2000, №5, стр.85-90.

45. Зубов В.Е., Кудаков А.Д., Левшин Н.Л., Федулова Т.С. Особенности перемагничивания аморфного ферромагнетика при адсорбции молекул воды. Сб.»Новые магнитные метериалы микроэлектроники» М., МГУ, 2000, с.7,13 —.716.

46. Зубов В.Е., Кудаков А.Д., Левшин Н.Л., Федулова Т.С. Влияние слабосорбированных молекул воды на динамику доменной границы в аморфных ферромагнетиках. Письма в ЖЭТФ, 2000,1.12, №4, с.292-296.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: доктора физико-математических наук, Левшин, Николай Леонидович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 .МОДЕЛИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ

ПОЛУПРОВОДНИК.

§1.1. Краткие сведения о материалах, претерпевающих фазовый переход металл - полупроводник.

§1.2. Основные модели ФПМП.

1.2.1. Модель Мотта - Хаббарда.

1.2.2. Модели, учитывающие электрон - фононное взаимодействие.

1.2.3. Модели, учитывающие электрон - электронное и электрон - фононное взаимодействие.

1.2.4. Модель Хирна.

§1.3. Модель фононного ангармонизма ФПМП.

1.3.1. Модельный гамильтониан.

1.3.2. Свободная энергия кристалла.

1.3.3. Определение подгоночных параметров модели ФПМП.

Введение диссертация по физике, на тему "Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах"

Актуальность темы. Одной из центральных и наиболее сложных задач физики твердого тела является проблема фазовых переходов. Наиболее интересными с научной и прикладной точек зрения можно считать сегнетоэлектрический и ферромагнитный фазовые переходы, а также переход полупроводник - металл. Многолетние исследования привели к накоплению обширного экспериментального материала и созданию большого числа теорий, рассматривающих конкретные фазовые перехода. Наименее изученным является фазовый переход полупроводник - металл. Сложность рассматриваемой проблемы не позволила исследователям предложить теорию, удовлетворительно описывающую этот фазовый переход. Более того, в литературе отсутствуют теоретические модели, объясняющие всю совокупность экспериментальных данных для отдельных веществ, в которых наблюдается фазовый переход полупроводник - металл.

Понимание механизма фазового перехода невозможно без изучения влияния различных внешних воздействий на его характеристики. Накопленный в литературе обширный экспериментальный материал по этому вопросу касается исследования влияния активных обработок на весь объем образца. Вместе с тем, поверхность является наиболее дефектной частью кристалла. Поэтому на ней в первую очередь образуются зародыши новой фазы, в результате чего фазовый переход должен начинаться именно с поверхности и затем распространяться на весь объем твердого тела.

Изучение влияния поверхностных воздействий на фазовые переходы интересно и с практической точки зрения. Чувствительность поверхности к этим воздействиям, как правило, негативно сказывается на стабильности работы различных устройств микроэлектроники. С другой стороны кардинальное изменением свойств твердого тела при фазовом переходе делает такие объекты перспективным материалом для создания газоанализаторов. Несмотря на всю важность рассмотрения поверхностных воздействий на вещества, претерпевающие фазовые переходы, в литературе уделено явно недостаточное внимание этому вопросу. В частности, к моменту постановки настоящей работы подобные исследования фазовых переходов полупроводник - металл вообще не проводились.

Исследование механизмов влияния внешних поверхностных воздействий на фазовые переходы в твердых телах требует достаточно обширных знаний по физике поверхности. Вместе с тем эта область науки, в основном, развита для модельных полупроводниковых объектов, типа германия и кремния. Электронные и адсорбционные явления на поверхностях других твердых тел, претерпевающих фазовые переходы, практически не исследованы.

Одним из наиболее эффективных поверхностных воздействий является адсорбция. В литературе описаны систематические исследования адсорбционных воздействий только на сегнетоэлектрический фазовый переход. Прямые измерения адсорбции в области фазовых переходов в твердых телах отсутствуют. Основное внимание исследователей было направлено на изучение фазовых переходов в самой адсорбционной фазе на поверхности инертного твердого тела. Взаимодействию адсорбата и адсорбента, претерпевающего фазовый переход, достаточного внимания не уделялось. Вместе с тем такие твердые тела позволяют исследовать адсорбционно - десорбционные характеристики поверхностей, имеющих один и тот же стехиометрический состав, находящихся при близких температурах, но в различных фазах, обладающих различными свойствами.

Цель работы. Изучение роли внешних поверхностных явлений в протекании фазовых переходов различного типа в твердых телах, включающем обе фазы и область критических температур. Для решения этой проблемы были поставлены следующие задачи:

1. Разработка теории фазового перехода полупроводник - металл и проведение на ее основе расчетов влияния внешних воздействий на характеристики фазового перехода.

2. Исследование адсорбционно - десорбционных характеристик твердых тел в интервале температур, близким к критической.

3. Изучение влияния активных поверхностных воздействий (термовакуумных обработок и облучение ультрафиолетовой радиацией) на фазовые переходы в твердых телах.

4. Выяснение возможности воздействия на электронную и фононную подсистемы вещества, претерпевающего фазовый переход полупроводник - металл.

5. Рассмотрение возможности фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник - металл путем фотовозбуждения молекул красителей, адсорбированных на поверхности образца.

6. На основании планируемых исследований разработка новых методыовдиагностики фазовых переходов в твердых телах.

7. Установление возможности использования информации о влиянии адсорбционных воздействий на систему поверхностных состояний полупроводников и диэлектриков к твердым телам, претерпевающим фазовые переходы.

8. На основании изученных адсорбционно - десорбционных характеристик образцов разработка новых физических принципов работы газоанализаторов.

Для решения поставленных задач был использован широкий комплекс методов исследования, включающий электрофизические (измерение проводимости, вольт - фарадные и вольт - амперные характеристики, эффект поля), адсорбционные и масс - спектроскопические измерения; коронный разряд; электронографию; магнитооптические методы; атомную силовую спектроскопию; фотоакустические методы, растровую электронную микроскопию.

В качестве объектов исследования были выбраны следующие образцы. Фазовый переход полупроводник - металл изучался на пленках диоксида ванадия, объемные свойства которых изучены наиболее полно. Кроме того этот материал обладает удобной для экспериментальных исследований критической температурой (Тс = 340К). Ряд измерений был проведен на структурах полупроводник- сегнетоэлектрик (Вао,9 Sr0,i ТЮ3, PbTi03: La, Pbo,95Sro,o5 (Zn0,53^0,47)03 + Nb205. Такие образцы позволяют проводить исследование взаимного влияния пленки сегнетоэлектрика, претерпевающего фазовый переход типа "смещения", и полупроводниковой подложки. Цикл экспериментов был проведен на сегнетоэлектрических ленгмюровских пленках, в которых наблюдается сегнетоэлектрический фазовый переход другого типа -"порядок -беспорядок". В качестве модельных ферромагнетиков были выбраны химически чистые образцы железа и никеля.

Научная новизна работы заключается в исследовании взаимного влияния поверхностных воздействий и фазовых переходов в твердых телах и установлении механизмов этих явлений. В результате исследований были получены следующие оригинальные результаты, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

1. Предложена модель фазового перехода металл - полупроводник и на ее основе разработана теория фазового перехода в диоксиде ванадия. На базе предложенной модели проведен теоретический расчет ряда параметров этого вещества, а также влияния некоторых внешних воздействий (одноосного вдоль кристаллографической оси с и гидростатического давлений) на характеристики образцов. Получено хорошее соответствие теории и эксперимента.

3. Впервые установлено увеличение адсорбции ряда молекул при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода первого рода. Предложен новый метод диагностики фазовых переходов в твердых телах путем измерения изотерм адсорбции.

4. Зарегистрировано резкое увеличение десорбционной способности поверхности твердого тела при критической температуре фазовых переходов как первого (переходы полупроводник - металл и сегнетоэлектрик - параэлектрик), так и второго (ферромагнитный переход) рода. Проведено сравнение этой характеристики для ряда веществ в различных фазах.

5. Установлена повышенная чувствительность металлической фазы диоксида ванадия к термовакуумным обработкам и облучению ультрафиолетовой радиацией. Обнаружено влияние этих воздействий на температуру фазового перехода полупроводник - металл и ширину петли температурного гистерезиса.

7. На примере фазового перехода полупроводник - металл предложен метод диагностики фазового перехода первого рода путем измерения фототермической деформации поверхности. Этим методом изучено движение границ раздела фаз в объеме и на поверхности пленки при фазовом переходе.

8. Установлено влияние слабосорбированных молекул воды на динамику движения доменной границы в нитевидных монокристаллах железа. Предложен механизм обнаруженного эффекта.

Практическая ценность работы:

1. Обнаруженное и подробно исследованное в работе кардинальное изменение адсорбционно - десорбционных свойств при фазовых переходах как первого, так и второго рода, позволило предложить новые методы диагностики фазовых переходов. Для этих целей использовались измерения изотерм адсорбции при различных температурах либо спектры термо- и фотодесорбции, полученные методом масс - спектроскопии. Другим, разработанным в работе, методом обнаружения фазового перехода первого рода является измерение импульсной фототермической деформации поверхности.

1 2

4. Разработанный в работе способ оценки энергии наиболее высокочастотных колебательных мод адсорбированных на поверхности полупроводника молекул по величине энергии активации релаксационного процесса позволяет предложить новый физический принцип избирательного газового анализа, в том числе химически инертных молекул и молекул с изотопозамещенными атомами.

5. Проведенные исследования взаимодействия сегнетоэлектрических пленок Ленгмюра - Блоджетт и полупроводниковой подложки позволяют создавать структуры с контролируемыми свойствами для нужд молекулярной электроники.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

В настоящей работе была поставлена задача изучения роли поверхностных явлений в фазовых переходах, происходящих без изменения агрегатного состояния вещества. Мы ограничились тремя наиболее интересными с нашей точки зрения переходами, наблюдаемыми в твердых телах: полупроводник - металл, сегнетоэлектрическом и ферромагнитном фазовыми переходами. Наименее изученным и в то же время удобным для выполнения поставленной задачи оказался фазовый переход полупроводник -металл. Поэтому исследованиям этого перехода посвящены три первые главы настоящей работы. Измерения, посвященные сегнетоэлектрикам, описаны в четвертой главе, ферромагнетикам - в пятой.

В качестве модельного объекта для исследований фазового перехода полупроводник - металл был выбран диоксид ванадия, обладающий удобной для адсорбционных измерений критической температурой. Объемные свойства этого материала достаточно подробно описаны в литературе. Отсутствие теоретической модели, удовлетворительно объясняющей всю совокупность экспериментальных данных заставило провести теоретические расчеты, восполняющие этот пробел. Предлагаемая в настоящей работе модель Пайерлсовского типа не только хорошо описывает экспериментальные результаты, но и позволяет рассчитать ряд характеристик диоксида ванадия, значения которых отсутствует в литературе.

Одним из наиболее интересных и практически важных активных воздействий на поверхность образца является адсорбция. Поэтому взаимному влиянию адсорбционно - десорбционных процессов и фазовых переходов уделено центральное место в настоящей работе. Было обнаружено, что обратимая адсорбция ряда молекул (Н20 и NH3) снижает температуру фазового перехода полупроводник - металл. Анализ полученных результатов позволил сделать вывод, что эффект связан с деформациями поверхности образца, которые сопровождают адсорбцию этих молекул. Другой механизм предлагается для объяснения повышения критической температуры фазового перехода полупроводник - металл при адсорбции ионов из коронного разряда. В этом случае основную роль играют кулоновские поля ионов, либо заряженных поверхностных ловушек, которые могут путем электрострикции деформировать поверхность образца.

В настоящей работе была рассмотрена также обратная задача -влияние фазового перехода в твердом теле на адсорбционные и десорбционные характеристики его поверхности. Прямыми измерениями изотерм адсорбции было обнаружено резкое возрастание числа адсорбированных на поверхности молекул при температуре фазового перехода первого рода (сегнетоэлектрические пленки Ленгмюра - Блоджетт). Причиной этого явления является перестройка кристаллической решетки при фазовом переходе, облегчающая доступ молекулам адсорбата в адсорбент. Если же исследуемый образец поместить в вакуум, то при прохождении температуры фазового перехода будет зарегистрировано возрастание десорбирующихся с его поверхности молекул. Этот эффект наблюдался как для фазовых переходов первого (сегнетоэлектрический и полупроводник - металл), так и второго рода (ферромагнитный). В последнем случае фазовый переход происходит без изменения симметрии кристаллической решетки. Однако при критической температуре наблюдается рост линейного коэффициента термического расширения, что и приводит к возрастанию десорбции. Десорбционные процессы оказывают влияние на электрофизические характеристики материалов: изменение проводимости (диоксид ванадия), необратимость вольт - амперных и вольт - фарадных характеристик (неорганические сегнетоэлектрические пленки).

Изменение постоянных решетки при фазовом переходе первого рода позволило применить метод фототермической деформации поверхности для изучения движения границы раздела полупроводниковой и металлической фаз. На основе полученных результатов был предложен новый метод диагностики фазового перехода первого рода в твердом теле.

Проведенные исследования показали, что наряду с фононной подсистемой определенную роль во взаимосвязи фазового перехода полупроводник - металл с процессами на поверхности образца играет и электронная подсистема полупроводника. На это указывают результаты экспериментов по изучению фотодесорбции при критической температуре перехода, а также обнаруженный в работе эффект фотосенсибилизации фазового перехода, связанный с перезарядкой поверхностных ловушек.

Полученные результаты можно систематизировать следующим образом:

1. Предложена модель фазового перехода металл -полупроводник и на ее основе разработана теория фазового перехода в диоксиде ванадия. На базе модели фононного ангармонизма теоретически рассчитано удлинение кристалла вдоль кристаллографической оси с при фазовом переходе; изучена температурная зависимость величины энергетической щели в полупроводниковой фазе, теоретически предсказаны сдвиг критической температуры перехода и зависимость ширины энергетической щели при изменении одноосного вдоль оси с и гидростатического давлений; построена теория влияния примесей замещения на температуру фазового перехода. Все полученные теоретические результаты находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.

2. Впервые был поставлен вопрос о взаимосвязи адсорбционно - десорбционных процессов и фазового перехода полупроводник -металл на примере диоксида ванадия. В рамках решения этой проблемы был обнаружен эффект сдвига критической температуры фазового перехода при адсорбции донорных молекул воды и аммиака. Экспериментально и теоретически показано, что сдвиг температуры фазового перехода определяется формами связи адсорбированных молекул с поверхностью пленки. Исследовано влияние адсорбции ионов из газовой фазы на этот фазовый переход. Установлено увеличение критической температуры перехода, не зависящее от природы ионов и знака их заряда. Полученный эффект может быть объяснен воздействием локальных кулоновских полей адсорбированных ионов.

3. Впервые прямыми измерениями обнаружено возрастание адсорбционной способности твердого тела при критической температуре сегнетоэлектрического фазового перехода первого рода. Эффект связан с изменением межатомных расстояний в кристалле при фазовом переходе и возрастанием подвижности решетки в процессе ее перестройки.Полученные результаты позволили предложить новый метод диагностики структурных фазовых переходов на основе регистрации адсорбционных характеристик твердого тела.

4. Установлен рост десорбции различных молекул с поверхности твердых тел при температуре фазового перехода. Эффект обнаружен для фазового перехода полупроводник - металл, а также сегнетоэлектрического и ферромагнитных переходов. Показано, что основным источником десорбирующихся частиц являются адсорбционные комплексы на поверхности твердого тела, а не атомы, входящие в состав кристаллической решетки. Впервые проведено сравнение десорбционной способности двух фаз.

5. Исследовано влияние термических и радиационных воздействий на пленки диоксида ванадия в полупроводниковой фазе, в области фазового перехода и в металлической фазе на их критическую температуру и ширину петли гистерезиса. Установлено, что стойкость металлической фазы диоксида ванадия к этим воздействиям ниже, чем у полупроводниковой. Возрастание десорбционной способности пленок в металлической фазе приводит к увеличению дефектообразования при облучении ультрафиолетом. Обнаружено формирование кластеров высокотемпературной фазы в результате УФ - облучения образцов, сохраняющихся в диоксиде ванадия при понижении температуры ниже критической.

6. Впервые обнаружен эффект фотосенсибилизации фазового перехода полупроводник - металл в пленках диоксида ванадия, заключающийся в снижении критической температуры при фотовозбуждении молекул красителя, адсорбированных на поверхности образца. Полученный эффект объяснен передачей энергии возбуждения молекул красителя в полупроводник и перезарядкой ловушек в его запрещенной зоне. Повышение энергии электронной подсистемы приводит к снижению температуры фазового перехода полупроводник - металл.

7. Методом импульсной фототермической деформации поверхности исследовано движение границы раздела полупроводниковой и металлической фаз в объеме и на поверхности пленки диоксида ванадия. Показано, что скорость движения границы раздела на поверхности на два порядка больше, чем в объеме пленки. На примере фазового перехода полупроводник - металл предложен новый метод диагностики фазового перехода первого рода.

8. Обнаружено влияние физической адсорбции молекул из газовой фазы на динамику движения доменной границы в нитевидных монокристаллах железа а также образцах аморфного железа. Показано, что слабосорбированные молекулы воды создают магнитные дефекты на поверхности образца путем ее деформации. На основе частотных зависимостей амплитуды колебаний доменной границы в висперах железа предложен механизм движения доменной стенки, а также рассмотрены возможные пути диссипации энергии на поверхностных магнитных дефектах.

В заключении мне хочется выразить глубокую благодарность профессору В.Ф.Киселеву, под влиянием идей которого выполнено большинство исследований настоящей работы. Я благодарен профессорам ПК.Кашкарову, С.Н.Козлову и Г.С.Плотникову за прочтение рукописи и полезные замечания. я глубоко признателен профессору В.И.Емельянову и своему аспиранту А.Л.Семенову за

Список источников диссертации и автореферата по физике, доктора физико-математических наук, Левшин, Николай Леонидович, Москва

1. Мотт Н.Ф. Переходы металл - изолятор. М.,Наука, 1979. 343с.

2. Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл полупроводник и его применение. Л., Наука, 1979, 183с.

3. Kucharezy K.D., Niklewski Т. Accurate X ray determination of the lattice parameters and the thermal expantion coeffitiens of VO2 near the transition temperature. J. Appl. Crystallogr., 1979, v.12, №14, p.370 - 373.

4. Mc Whan D.B., Marezio M., Remeika J.P., Dernier P.D. X ray difraction study of metalic V02. Phys.Rev.B, 1974, v. 10, №2, p.490 - 495.

5. Ladd L.A., Paul W. Optical and transport properties of high quality crystal of V2O4 near the semiconductor metallic transition temperature. Sol.Stat. Comm. 1969, v.7 № 4, p.425 428.

6. Berglund C.N., Guggenhiem H.J. Electronic properties of V02 near the semiconductor metal transition. Phys.Rev. 1969, v.185, p. 1022 - 1033.

7. De Natale J.F., Hood P.J., Harker A.B. Formation and characterization of grainoziented V02 thin films. J.Appl. Phys. 1989, v.66, №12, p.5844 -5850.

8. Мокеров В.Г., Бегишев A.P., Игнатьев A.C. Электронная структура и ФППМ в структурно разупорядоченной двуокиси ванадия. ФТТ, 1980, т.22, №1, с.92 - 99.

9. Бегишев А.Р., ГалиевГ.В., Игнатьев А.С., Мокеров В.Г., Пошин В.Г. Влияние нарушений периодичности кристаллической решетки на фазовый переход полупроводник металл в двуокиси ванадия. ФТТ, 1978, т.20, №6, с. 1643 - 1650.

10. Алешина JI.А., Малиненко В.П., Стефанович Г.Б., Чудновский Ф.А. Исследование ближнего порядка атомной структуры аморфной двуокиси ванадия. ФТТ. 1988, т.30, №3, с.914 916.

11. П.Кидалов Д.О., Малиненко В.П., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б. Оптические свойства тонких пленок аморфных окислов ванадия Письма в ЖТФ, 1999, т.25, №8, с.81-87.

12. Oppermann Н., Reichelt W., Gerlach U., Wolf E., Bruckner W., Moldenhauer W., Wich H. The range of homogeneity of V02 and the influence of the composition on the physical properties. Phys. Stat. Sol.(a), 1975, v.28, №2, p.439 446.

13. Bruckner W., Moldenhauer W., Wich H., Wolf E., Opperman H., Gerlach U., Reichelt W. The range of homogeneity of V02 and the influence of the of composition on the physical properties Phys.Stat.Sol.(a), 1975, v.29, №1, p.63 70.

14. Kimizuka H., Ishii M., Kawada I., Saeki M., Nakahira M. Behavior of vanadium dioxide single crystals synthesizer under the various oxigen partial pressures at 1500 K. J.of Sol.Stat. Chem. 1974, v.9, №1, p.69 77.

15. Суриков В.И., Данилов C.B. Суриков Вал.И Влияние отклонения от стехиометрии на теплофизические свойства двуокиси ванадия. ФТТ, 1986, т.28, №5, с. 1574 1575.

16. Мокеров В.Г., Бегишев А.Р., Игнатьев И.С. Влияние отклонения от стехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл изолятор в двуокиси ванандия. ФТТ., 1979, т.21, №5, с.1482- 1488.

17. Verleur H.W., Barker Jr. A.S., Berglund C.N. Optical properties of V02 between 0,25 and 5 eV. Phys. Rev. 1968, v. 172, №3, p.788 798.

18. Каминский В.В., Теруков Е.И., Шелых А.И. Спектр фотопроводимости монокристаллов VO2. ФТТ, 1980, т.22, №6, с.1686- 1689.

19. RosevarW.H., Paul W. Hall effect in V02 near the semiconductor metal transition. Phys. Rev. В., 1973, v.7, №5, p.2109-2111.

20. Мокеров В.Г., Раков A.B. Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник металл. ФТТ, 1968, т. 10, с. 1556 - 1557.

21. Мокеров В.Г., Сарайкин В.В. Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник металл. ФТТ, 1976, т. 18, №7, с.1801 - 1805.

22. Аронов А.Г., Мирлин Д.Н., Решина И.И., Чудновский Ф.А. Спектр комбинационного рассеяния света и фазовый переход в V02. ФТТ,1977, т.19, №1, с.193 199.

23. Горшунов Б.П., Решина И.И., Стефанович Г.Б., Терман М.Ю., Чудновский Ф.А. Проводимость металлической фазы пленок V02 вблизи температуры фазового перехода. ЖТФ, 1986, т.56, №9, с. 1845- 1849.

24. Brews J.R. Symmetry consideration in the vanadium dioxide phase transition. Phys. Rev. В., 1970, v.l, №6, p.2557 2568.

25. Terauchi H., Cohen J.B. Diffuse X ray scattering due to the lattice instability near the metal - semiconductor transition in V02. Phys.Rev.B.,1978, v.l7, №6, p.2494 2496.

26. Вольф E., Опперман Г., Райхельт В., Теруков Е.И. Исследование влияния изотопического эффекта на температуру фазового перехода металл диэлектрик в окислах ванандия. Письма в ЖЭТФ, 1978, т.27, №3, с. 159- 160.

27. Вонсовский С.В. Магнетизм. М., Наука, 1984,208с.

28. Копаев Ю.В. К теории взаимосвязи электронных и структурных превращений и сверхпроводимости. Труды ФИАН, М., Наука 1975, т.86, с.З 100.

29. Мотт Н., Туз У. Теория проводимости по примесям. УФН, 1963, т.79, №4, с.691 740.

30. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands. Proc. Roy. Soc., 1963, V.A276, №1365, p.238 257.

31. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands II. The degenerate band case. Proc. Roy. Soc.,1964, V.A277, №1369, p.237 259.

32. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands IY. The atomic representation. Proc.Roy.Soc., 1965, V.A285, №1403, p.542 560.

33. Зайцев P.O., Кузьмин E.B., Овчинников С.Г. Основные представления о переходах металл диэлектрик в соединениях 3d - металлов. УФН, 1986, т. 148, №4, с.603 - 636.

34. Poilblanc D., Yunoki S., Maekawa S., Dagotto E. Insulator metal transition in one dimention induced by long - range electronic interaction. Phys.Rev.B., 1997, v.56, №4, p.R1645 - R1649.

35. Assaad F.F., Imada M. Doping induced metal insulator transition in two - dimentional Hubbard t - U and extended Hubbard t - U - W models. Phys.Rev.B., 1998, v.58, №4, p.1845 - 1852.

36. Kondo H., Moriya T. On the magnetic and metal insulator transition in a two - dimensional Hubbard model. J.Phys.Soc.Jap. 1998, v.67, №1, p.234-241.

37. Tasaki H. The Hubbard model an introduction and selected rigorous results. J.Phys.F., 1998, v.10, №20, p.4353 4378.

38. Rozenberg M.J. Integer filling metal - insulator transition in the degenerate Hubbard model. Phys.Rev.B., 1997, v.55, №8, p.R4855 -R4858.

39. Doniach S. The insulator metal transition. Adv. Phys., 1969, v. 18, №76, p.819- 848.

40. Mott N.F., Zinamon Z. The metal nonmetal transition. Rep.Progr. Phys. 1970, v.33, №19, p.881 - 910.

41. Хомский д. и. Электронные корреляции в узких зонах (модель Хаббарда). ФММ, 1970, т.29, с.31 57.

42. Pouget J.P., Launois Н. Metal insulator phase transition in VO2. J. De Phys., 1976, v.37, №10, p.449 - 457.

43. Кочелап B.A., Соколов B.H., Венгалис Б.Ю. Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон фононным взаимодействием. Киев, Наук. Думка, 1984, 180с.

44. Пайерлс Р. Квантовая теория твердых тел. М., Ил, 1956, 259с.

45. Adler D., Brooks Н. Theory of semiconductor to - metal transitions. Phys. Rev. 1967, v.155, №3, p.826 - 840.

46. Лосева Г.В., Овчинников С.Г., Петраковский Г.А. Переход металл -диэлектрик в сульфидах 3d металлов М., Наука, 1983, 143с.

47. Булаевский Л.Н. Структурный (пайерлсовский) переход в квазиодномерных кристаллах. УФН, 1975, №2, тЛ 15, с.263 300.

48. Ciucu С., Apostol М., Corciovei A. Peierls Frohlich transition in quasi -one - dimensional materials. Rev. Roum. Phys. 1987, v.32, №8, p.889 -899.

49. Kolomeisky E.B., Straley J.P. Phase transition in the peierls model and the possibility of one dimentional melting. Phys.Rev .Lett., 1996, v.76, №16, p.2930 - 2933.

50. Аблова M.C., Голубков A.B., Жузе В.П. Микротвердость V02 в области фазового перехода. ФТТ, 1971, т.13, №12, с.3711-3713.

51. Adler D., Feinleib J., Brooks H., Paul W. Semiconductor to - metal transitions in transition - metal compounds. Phys.Rev., 1967, v. 155, №3, p.851 - 860.

52. Mattis D.C., Langer W.D. Role of phonons and band structure in metal -insulator phase transition. Phys. Rev. Lett., 1970, v.25, №6, p.376 380.

53. Аронов А.Г., Кудинов E.K. Фазовый переход при сильном электрон -фононном взоимодействии. ЖЭТФ, 1968, т.55, №4, с.1344 1355.

54. Келдыш Л.В., Копаев Ю.В. Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия. ФТТ, 1964, т.6, с.2791 2796 .

55. Копаев Ю.В. К теории взаимосвязи электронных и структурных превращений и сверхпроводимости. Труды ФИАН, М., Наука.1975, т.86, с.З 100.

56. Gupta М., Freeman A.J., Ellis D.E. Electronic structure and lattive instability of metallic V02. Phys.Rev. 1977, V.18B, p.3338 3351.

57. Копаев Ю.В., Моперов В.Г. Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана. ДАН СССР, 1982, т.264, №6, с.1370 1374.

58. Hotta Т., Takado Y. Effect of electron correlation on phonons in a strongly coupled electron phonon system. Phys.Rev.B, 1997, v.56, №21, p.13916-13926.

59. Gebhard F., Bott K., Scheidler M., Thomas P., Koch S.W. Phil. Mag.B., 1997, v.75, №1, p.13-46.

60. Jeckelmann E. Mott Peierls transition in the extended Peierls - Hubbard model. Phys.Rev. B, 1998, v.57, №19, p.l 1838-11841.

61. Hearn C.J. Phonon softening and the metal insulator transition in V02. J.Phys. C, 1972, v.5, №12, p.1317 - 1334.

62. Goodenough J.B. The two components of the crystallographic transition in V02. J. Sol. Stat. Chem., 1971, v.3, №4, p.490 500.

63. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Модель фононного ангармонизма в теории фазового перехода металл полупроводник в V02. Вестник МГУ, сер.физ., астр., 1989, т.ЗО, №5, с.52 - 56.

64. Emeljanov V.I., Levshin N.L., Semenov A.L. Phonon anharmonic Model in the theory of metal semiconductor phase transition in V02. Twelfth Eur. Crystallogr.Meet., USSR, 1989, v.l, p. 185.

65. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.,Мир, 1978, т.1, 569 с.

66. Брус А., Каули Р. Структурные фазовые переходы. М., Мир, 1984, 408 с.

67. Handbook of chemistry and physics, NY, Chemical Rubber Co, 1968, 1500p.

68. Kawakubo Т., Nakagawa T. Phase transition in V02. J.Phys.Soc. Jap., 1964, v.l 9, №4, p.517-520.

69. Семенов А.Л. Двухпараметрическая модель фазового перехода металл полупроводник в квазиодномерной системе. ФТТ, 1997, т.39, №5, с.925 - 928.

70. Pouquet J.P., Launois Н., D'Haenens J.P., Merenda P., Rice T.M. Electron localization induced by uniaxial stress in pure V02. Phys. Rev. Lett., 1975, v.35, 13, p.873 875.

71. Berglund C.N., Jayarman A. Hydrostatic pressure dependence of the electronic properties of V02 near the semiconductor - metal transition temperature. Phys. Rev. 1969, v.185, №3, p.1034 - 1039.

72. Minomura S., Magasaki H. The effect of pressure on the metal to -insulator transition in V204 and У2Оз. J. Phys. Soc. Jap., 1964, v.19, №1, p.131 - 132.

73. Биленко Д.И., Жаркова Э.А., Хасина Е.И., Борисов С.П., Стальмахов А.В. Влияние одноосного давления на фазовый переход металлполупроводник в пленках двуокиси ванадия. Микроэлектроника, 1979, т.8, №1, с.74 76.

74. Абдулова М.С., Голубков А.В., Жузе В.П., Шелых А.И. Микротвердость V02 в области фазового перехода. ФТТ, 1971, т. 13, №12, с.2711 -2713.

75. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Сдвиг температуры фазового перехода металл полупроводник за счет примесей и дефектов. ФТТ, 1989, т.31, №10, с.261 - 264.

76. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Влияние примесей замещения на температуру фазового перехода металл полупроводник. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1990, т.31, №5, с.99 - 101.

77. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю., Семенов А.Л. Влияние локальных возмущений на фазовый переход полупроводник металл. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1991, т.32, №1, с.63 - 74.

78. Fisher B. Electrical and Seebeck effect measurements in Nb doped V02. J. Phys. Chem. Sol., 1982, v.43, №3, p.205 -211.

79. Futaki H., Aoki M. Effect of various doping elements on the transition temperature of vanadium oxide semiconductors. Jap. J. of Appl. Phys., 1969, v.8, №8, p.1008 1013.

80. Magarino J., Tuchendler J., D'Haenens J.P. High frequency EPR experiments in niobium doped vanadium dioxide. Phys. Rev. B, 1976, v.14, №3, p.865 - 871.

81. Horlin Т., Niklewski Т., Nygren M. Magnetic electrical and thermal studies of the Vi.xMox02 system with 0 < X < 0,20. Mater. Res. Bull. 1973,v.8, №2, p.179 190.

82. Nugren M., Israelsson M. Transition temperature in VixWx02. Mater. Res. Bull. 1969, v.4, №12, p.881 886.

83. Reyes J.M., Sager M., Chen R. Transport properties of tungsten doped V02. Canad. J. Phys. 1976, v.54, №4, p.408 - 412.

84. Marezio M., Mc Whan D.B., Remeika J.R., Dernier P.D. Structural aspects of the metal insulator transition in Cr - doped V02. Phys. Rev. B, 1972, V.5,№7,p.2541 -2551.

85. Pollert E., Villenluve Q., Menil F., Hagenmuller T. Le systeme Vi xFex02: properties structurales et magnetiques. Mater. Res. Bull, 1976, v. 11, №2, p. 159 166.

86. Kosuge K., Kachi S. Phase diagram of FexV,.x02 in the 0 < X < 0,25 region. Mater. Res. Bull., 1976, v.l 1, №3, p.255 262.

87. Blauw C., Van der Woude F. The metal nonmetal transition in V02: a 57Fe Mossbauer study. J. Phys.C, 1974, v.7, №23, p.4361 - 4377.

88. Blauw C., Leenhouts F., Vander Woude F. Phase transition in the Fe doped V02. Sol. Stat. Comm. 1975, v.17, №5, p.559 563.

89. Bruckner W., Gerlach U., Moldenhauer W., Bruckner H.P., Thuss В., Oppermann H., Wolf E., Storbeck I. Metal nonmetal transition in Fe and A1 doped V02. J. de Phys., 1976, v.37, №4, p.463 - 468.

90. Чарыев A.A., Бабкин E.B., Баранов A.B. Особенность магнитных и электрических свойств монокристаллических пленок FeV204. ФТТ, 1989, т.31, №10, с.175 181.

91. Бабкин Е.В., Сапаров С.И., Чарыев А.А. Особенности магнитных и электрических свойств монокристаллических пленок FeV204 вблизи температуры Кюри. ФТТ, 1992, т.34, №4, с. 1088 1090.

92. Калистратова Л.Ф., Ярош Э.М. Рентгенографическое исследование твердых растворов V2xFex04 в области фазовых переходов. ФТТ, 1985, т.27, №3, с.904 907.

93. Brtickner W., Gerlach U., Bruckner H.P., Moldenhauer W., Oppermann H. Influence of nonstoichiometry on the phase transition in Ga-, Al- and Fe -doped V02. Phys. Stat. Sol.(a), 1977, v.42, №1, p.295 303.

94. Bruckner W., Gerlach U., Moldenhauer W. Phase transitions and semicondactor metal transition in VixGax02 syngle crystals. Phys. Stat. Sol. 1976, v.38, №1, p.93 - 102.

95. Bruckner W., Gerlach U., Thuss B. Phase diagram VixA1x02. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.40, №2, p. K131 K134.

96. Барышников Ю.Ю., Дроботенко B.B., Захарова C.B., Макин Г.И., Терман М.Ю. Легированнные пленки диоксида ванадия, полученные по МОС технологии. В сб. "Физика окисных пленок ", Петрозаводск, 1991, т.1, с.31.

97. Pouget J.P., Launois Н., D'Haenens J.P., Merenda P., Rice T.M. Electron localization induced by uniaxial stress in pure V02. Phys. Rev. Lett. 1975, v.35, №13, p.873 875.

98. Лебедев Н.И., Леванюк А.П., Морозов А.И., Сычов А.С. Дефекты вблизи точек фазовых переходов: приближение квазиизолированных дефектов, ФТТ, 1983, т.25, №10, с.2975 2978.

99. Леванюк А.П., Сигов А.С. Структурные фазовые переходы в кристаллах с дефектами. Изв. АН СССР, сер. физ., 1985, т.49, №2, с.219 226.

100. Овчинников С.Г. Недиагональный беспорядок и переход металл -диэлектрик в узкозонном металле. ЖЭТФ, 1978, т.75, №3, с. 1000 -1006.104.3айман Дж. Модели беспорядка. М., Мир, 1982, 592с.

101. Авилов А.С., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю., Ревина Е.Н., Хитрова В.И. Влияние УФ освещения на характер фазового перехода полупроводник - металл в пленках V02 с различной структурой приповерхностного слоя. Кристаллография, 1995, т.40, №2, с.355 - 357.

102. Ryabova L.A., Serbinov I.A., Darevsky A.S. Preparation and properties of pyrolysis of vanadium oxide films. J. Electrochem. Soc. 1972, v. 119, №4, p.427 429.

103. Рябова Л.А., Антохина В.У., Сербинов И.А. Пиролиз ацетилацетона ванадила. ЖПХ, 1972, т.45, №9, с.2103 2104.

104. Nyberg G.A.,Buhrman R.A. High optical contrast in V02 thin films due to improved stoichiometry. Thin. Sol. Films 1988, v. 147, p.l 11 116.

105. O.Rogers K.D., Coath J.A., Lovell M.C. Characterization of epitaxially grown films of vanadium oxides. J.Appl. Phys. 1991, v.70, №3, p. 1412 -1415.

106. Ш.Малиненко В.П., Стефанович Г.Б., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл полупроводник в структурно - разупоря-доченной двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, №12, с.754 - 757.

107. Chang H.L.M., You Н., Guo J., Lam D.J. Epitaxial Ti02 and V02 films prepared by MOCVD. Appl. Surf. Sci. 1991, v.48 49, p. 12 - 18.

108. ИЗ.Бугаев A.A., Гаврилюк А.И., Гурьянов A.A., Захарченя Б.Л., Чудновский Ф.А. Метастабильная металлическая фаза в пленках двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, №2, с.65 69.

109. Duchene J., Terraillon М., Pailly М. R.F. and D.C. reactive sputtering for crystalline and amorphous V02 thin films deposition. Thin Sol. Films., 1972, v.12, №2, p.231 -234.

110. Александров Ю.А. Барышников Ю.Ю., Захаров И.Л. Макин Г.И.Терман М.Ю. Изучение влияния структуры пленок диоксида ванадия на их электрофизические свойства. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат., 1987, т.23, №9, с. 1571 1575.

111. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М., Высшая школа, 1975,302с.

112. Барышников Ю.Ю., Дроботенко В.В., Терман М.Ю., Токарева Л.Н. Особенности химического травления пленок диоксида ванандия вблизи температуры фазового перехода металл полупровдник. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат., 1990, т.26, №2, с.304 - 307.

113. Landolt Bornstein. Numerical date and functional relationships in science and technology, New Series, 1984, Group 3, v. 17, subg, p. 185 -193.

114. De Natale J.F., Hood P.J., Harker A.B. Formation and characterization of geainoriented V02 thin films. J. Appl. Phys. 1989, v.66, №12, p.5844-5850.

115. Козлов C.H., Левшин Н.Л., Смирнов Н.И. Влияние адсорбции молекул воды на температуру фазового перехода полупроводник -металл в пленках V02. Препринт физич. ф-та МГУ, 1987, №5, 4с.

116. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Левшин Н.Л., Смирнов Н.И. Управление фазовым переходом полупроводник металл в пленках V02 методом адсорбционных воздействий. ФТТ, 1988, т.30, с.924 - 926.

117. Киселев В.Ф., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Обратимое влияние адсорбции на фазовый переход полупроводник металл в адсорбенте. Сб. "Современные проблемы теории адсорбции." М., ПАИМС, 1995, т.2, с. 166 - 172.

118. Kiselev V.F., Kozlov S.N., Levshin N.L. On the mechanism of dissipation of energy released in the capture of charge carries to adsorptive slow states of a semiconductor. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.66, №1, p.93 101.

119. Козлов С.Н., Левшин Н.Л. Влияние адсорбции воды на кинетику перезарядки медленных состояний кремния. Вестник МГУ, сер физ. астр., 1983, т.24, №3,с.76 79.

120. Левшин Н.Л. Исследование механизма медленного захвата носителей заряда на поверхности полупроводника. Диссертация КФМН, М.: МГУ, 1982, 187с.

121. Kiselev V.F., Krylov O.V. Adsorption processes on semiconductor and dielectric surfaces. Berlin, Springer Verlag, 1985, 237p.

122. Kiselev V.F., Krylov O.V. Electronic phenomena in adsorption and catalysis. Berlin, Springer Verlag, 1987, 279p.

123. Ржанов A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука, 1971, 480с.

124. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1970, 399с.

125. Бажанова А.Е., Зарифьянц Ю.А., Киселев В.Ф., Козлов С.Н. О кинетике хемосорбции и заряжения поверхности полупроводника. ДАН СССР, 1974, т.217, №5, с. 1099 1102.

126. Козлов С.Н. О кинетике заряжения поверхности полупроводника при адсорбции. Изв. вузов, физика, 1975, №2, с.116 120.

127. Левшин Н.Л., Смирнов Н.И. Об изменении температуры фазового перехода полупроводник металл в пленках V02 при адсорбции донорных молекул. В сб. "Физика окисных пленок", Петрозаводск, 1987, т.2, с.20-21.

128. Емельянов В.И., Левшин Н.Л., Семенов А.Л. Деформационный механизм сдвига критической температуры фазового перехода металл полупроводник в пленке V02 при адсорбции. Вестник МГУ, сер.физ., астр. 1988, т.29, №6, с.98-100.

129. Киселев В.Ф., Левшин НЛ., Поройков С.Ю. Влияние поверхностных эффектов на фазовый переход полупроводник металл в пленках VO2. В сб. "V Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом". Симферополь, М. 1990, с.190.

130. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние адсорбционно -десорбционных процессов на фазовый переход полупроводник -металл в пленках диоксида ванадия. В сб. "Физика окисных пленок" Петрозаводск, 1991, т.2, с.27.

131. Киселев В.Ф., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Особенности структурных фазовых переходов в полупроводниковых микро и наноструктурах. В сб."Физика окисных пленок" Петрозаводск, 1994, с.41.

132. Кировская И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск, ИГУ, 1984, с.138.

133. Курзаев А.Б., Козлов С.Н., Киселев В.Ф. Об электропроводности и молекулярной подвижности адсорбированной на поверхности двуокиси кремния воды. ДАН СССР, 1976, т.228, №4, с.877 880.

134. Грицков A.M., Швец А.А., Казанский В.Б. Изучение адсорбции на ванадий силикатных катализаторах по спектрам с переносом заряда ионов V5+. Кинет, и катализ. 1973, т.14, №4, с.1062 1064.

135. Lindon P.J.D., Harrison N.H., Gillan H.J. Mixed dissociative and molecular adsorption of water on the rutile (110) surface. Phys.Rev.Lett., 1998, v.80, №4, p.762—765.

136. Kvlividze V.I., Brants R.A., Kiselev V.F., Bliznakov G.M. On the state of ammonia in the adsorbed phase. J.Catalysis, 1969, v.13, №3, p.255 260.

137. Васильев Г.П., Сербинов И.А., Рябова JI.A. Переключение в системе V02 диэлектрик - полупроводник. Письма в ЖТФ, 1977, т.З, №8, с.342 - 345.

138. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М., Наука, 1978, 255с.147.3енгуил Э. Физика поверхности. М., Мир, 1990, 536с.

139. Martinz М.Р., Aberman R.A. Interaction of 02, CO, H20, H2 and N with thin chromium films studied by internal stress measurements. Thin Sol. Films, 1982, v.89, №2, p.133 138.

140. Вовси А.И., Страхов JI.П. Влияние кислорода на внутренние напряжения в напыленных пленках теллурида кадмия. ФТТ., 1970, т.12, №11, с.3319 3321.

141. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние локальных кулоновских полей на фазовый переход полупроводник металл в пленках V02. ФТТ, 1991, т.33,№3,с.949-951.

142. Weinberg Z.A., Johnson W.C., Lampert М.А. The migration in high fields in Si02 on silicon induced by coronal discharge on nemetalic surface. J. Appl.Phys., 1976, v.47, №1, p.248 255.

143. Hauffe K., Shmidt R. Charging and discharging experiments with zinc oxide single crystal. Phys. Stat. Sol. (a), 1970, v.3, №1, p.173 185.

144. Зайцев В.Б., Жидомирова С.Г., Плотников Г.С. Штарковские сдвиги полосы флуоресценции молекул красителей, адсорбированных на поверхности полупроводника. Хим. физика, 1990, т.9, №4, с.485 -492.

145. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Фотодесорбционные процессы при фазовом переходе полупроводник металл в пленках диоксида ванадия. В сб. "Физика окисных пленок", Петрозаводск, 1991, т.2, с.28.

146. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Фотодесорбционные процессы при фазовом переходе полупроводник металл. Вестник СПбГУ, сер физ. хим., 1992, №2(11), с.17-21,103- 104.

147. Левшин Н.Л. Влияние фазовых переходов на термодесорбцию с поверхности твердого тела, ФТТ, 1997, т.39, №3, с.573 576.

148. Бурбулявичус Л.И., Зарифьянц Ю.А., Киселев В.Ф., Прудников Р.В. Исследование дегидратации поверхности двуокиси титана методом термодесорбции. Кинет, и катализ., 1971, т.12, №1, с.258 259.

149. Van Hien N., Lichtman D. Bandgap radiation induced photodesorption V2O3 powder and vanadium oxide surfaces. J. Vacuum Sci. Technol., 1981, v.18, №1, p.49 53

150. Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние освещения в ультрафиолетовом диапазоне на фазовый переход полупроводник металл в пленках V02. Вестник МГУ, сер физ., астр., 1990, т.31, №1, с.93 - 95.

151. Аброян И.А., Величко В.Я., Гаврилюк А.И., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Влияние ионного облучения на оптические параметры фазового перехода в пленках V02. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, №10, с.565 569.

152. Бегишев А.Р., Игнатьев А.С., Мокеров В.Г. Эффект "раздвоения"фа-зового перехода полупроводник металл в монокристаллах двуокиси ванадия под влиянием ионной бомбардировки. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, №1, с.42 -45.

153. Величко В.Я. Влияние температуры облучения на параметры фазового перехода в пленках V02. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, №22, с. 1345 1349.

154. Ланская Т.Г., Суворов А.В., Теруков Е.И. Исследование влияния ионной бомбардировки на фазовый переход металл полупроводник в V02. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, №2, с. 108 - 111.

155. Суворов А.В., Теруков Е.И. Влияние ионной бомбардировки на фазовый переход металл диэлектрик в двуокиси ванадия. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, №22, с. 1335 - 1337.

156. Ufert K.D., Terukov E.I. On the problem of the phase transition in disordered V02 thin films. Phys. Stat. Sol.(a), 1977, v.40, №2, p.K157 K159.

157. Величко В.Я. Влияние ионного облучения на фазовый переход в двуокиси ванадия. В сб. "Физика окисных пленок". Петрозаводск, 1982, с.56-57.

158. Mezentzeff P., Lifshitz Y, Rabalais J.W. Compositional and chemical modifications of V205 and NaV03 induced by N2+ bombardment. Phys.Rev.B. 1990, v.44, №3, p.296 301.

159. Аброян И.А., Величко В.Я., Подсвиров O.A., Чудновский Ф.А. Влияние облучения электронами на фазовый переход в пленках V02. Письма в ЖТФ. 1982, т.8, №13, с.775 778.

160. Леонов А.С., Подсвиров О.А. Деградация фазового перехода в двуокиси ванадия при электронном облучении. Письма в ЖТФ, 1984, т.10, №17, с.1046 1049.

161. Аброян И.А., Подсвиров О.А. Эффект запаздывания фазового перехода в двуокиси ванадия при импульсном нагреве электронным пучком. Письма в ЖТФ, 1986, т.12, №24, с.1527 1531.

162. Аброян И.А., Подсвиров О. А. Модификацмя оптических и электрических характеристик фазового перехода пленок двуокиси ванадия и системы ФТИ РОС с помощью электронного облучения. В сб. "Физика окисных пленок", Петрозаводск, 1987, т.1, с. 12.

163. Аброян И.А., Подсвиров О.А Воздействие электронного облучения на электрические и оптические характеристики фазового перехода в пленках двуокиси ванадия. Тр. Лен. Политех. Института, 1989, №429, с.61-64.

164. Манухин А.В., Крюкова Л.М., Некурящих Е.В. Особенности структурных превращений в кристаллах V2O5 под действием электронного пучка. Физика и химия обработки материалов. 1989, №4, с.20-23.

165. Fan H.J., Marks L.D. Phase transition in V2O5 in a high resolution electron microscope. Ultramicroscopy, 1989, v.31, №4, p.357 364.

166. Мясников Д.А., Никулин Е.И., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Швайло-Швайковский М.В. Влияние электронной бомбардировки на пленки двуокиси ванади. В сб. "Физика окисных пленок", Петрозаводск, 1991, т.2, с.42.

167. Агеев В.Н. Десорбция, стимулированная электронными возбуждениями, как метод анализа адсорбционного слоя. Кинет, и катализ, 1990, т.31, №2, с.284 291.

168. Мокеров В.Г., Сарайкин В.В., Петрова А.Г., Рябинин К.В. Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник металл в V02. В сб. "Фазовые переходы металл - диэлектрик". Львов, 1977, с.42 - 44.

169. Becker M.F., Walser R.M., Gunn R.W. Fast laser excitation in V02 of the semiconducting metallic phase transition. In "Picosecond phenomena", Springer - Verlag, 1978, p.236 - 239.

170. Бугаев A.A., Клочков A.B. Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии. ФТТ, 1984, т.26, №11, с.3487 3489.

171. Климов В.А., Шадрин Е.Б. Визуализация непрерывного излучения С02 лазера.В сб."Физика окисных пленок",.Петрозаводск, 1987, т.2, с.14-15

172. Чапланов A.M., Шибко А.Н. Окисление тонких пленок ванадия при лазерном облучении. В сб. "Физика окисных пленок" Петрозаводск, 1987, т.2, с.67.

173. Боборыкина Е.Н., Мансуров А.А., Светлов В.Н., Чудновский Ф.А., Шер Э.М., Янута А.Н. Получение окислов ванадия лазерным напылением. В сб."Физика окисных пленок". Петрозаводск, 1991, т. 1, с.41.

174. Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Самосинхронизация мод при использовании в качестве модулятора зеркала, испытывающего фазовый переход металл полупроводник. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.ЗЗ, №12, с.643 - 646.

175. Емельянов В.И., Семенов A.JI. Образование сверхрешеток фаз при равновесном фазовом переходе металл полупроводник в монокристаллических пленках V02. ФТТ, 1990, т.32, №10, с.3083-3088.

176. Копаев В.В. Образование поверхностной гетерофазной периодической структуры полупроводник металл при лазерном воздействии. ЖЭТФ, 1988, т.94, №12, с.50 - 60.

177. Болыпов JI.A., Московченко А.В., Персианцев М.И. Нелинейная стадия роста поверхностных периодических структур при лазерном воздействии. ЖЭТФ, 1988, т.94, №4, с.62 75.

178. Кашкаров П.К., Петров В.И., Птицын Д.В. Тимошенко В.Ю. Образование упорядоченных структур на поверхности GaAs при импульсном лазерном облучении. ФТП, 1989, т.23, №11, с.2080 2082.

179. Емельянов В.И., Кашкаров П.К., Чеченин Н.Г., Дитрих Т. Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении. ФТТ, 1988, т.ЗО, №8, с.2259 -2263.

180. Емельянов В.И., Уварова И.Ф. Электронно деформационная тепловая неустойчивость и фазовый переход полупроводник - металл под воздействием лазерного излучения с образованием сверхструктур. ЖЭТФ, 1988, т.94, №8, с.255 -269.

181. Емельянов В.И., Кашкаров П.К. Дефектообразование в приповерхностных слоях полупроводников при импульсном лазерном воздействии. Поверхность. Физ., хим., мех., 1990, №2, с.77 85.

182. Емельянов В.И., Сумбатов А.А. Кристаллизационно деформационно - тепловая неустойчивость и образование упорядоченных структур при лазерной кристаллизации. Поверхность. Физ. хим. мех. 1988, №7, с.122 - 131.

183. Мокеров В.Г., Сарайкин В.В. Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при ФППМ. ФТТ, 1976, т.18, №7, с. 1801 1805.

184. Гербштейн Ю.М., Смирнова Т.В., Чудновский Ф.А. Поглощение света "каплями" металлической фазы вблизи точки фазового перехода полупроводник металл в V02. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.25, №10, с.373 -476.

185. Srivastava R., Chase L.L. Raman spectrum of semiconductor and metallic V02 . Phys.Rev.,1971, V.27, p.727-732.

186. Redhead P.A. Thermal desorption of gases. Vacuum, 1962, v.12, №4, p.203-211.

187. Kornblit L., Ignatiev A. Photodesorption threshold energies in semiconductors. Surf. Sci., 1984, v. 136, №2, p.L 57 L 66.

188. Van Hieu N., Lichtman D. Bandgap radiation induced photodesorption V203 powder and vanadium oxide surfaces. J. Vacuum Sci. Thecnol. 1981, v.18, №1, p.49 53.

189. Грицков A.M., Швец A.A., Казанский В.Б. Изучение адсорбции на ванадийселикатных катализаторах в переносом заряда V5+. Кинет, и катализ. 1973, т.14, №4, с.1062 1064.

190. Roach W.R., Balberg I. Optical induction and detection of fast phase transition in V02. Sol. Stat. Comm. 1971, V.9, №6, p.551-555.

191. Бугаев A.A., Гудялис B.B., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл -полупроводник в двуокиси ванадия при инициировании его пикосекундными импульсами. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, №8, с.452-455.

192. Vyshkvarko А.А., Kiselev V.F., Paschenko V.Z., Plotnikov G.S. Luminescence quenching kinetics of photo excited adsorbed dye molecules in insulators and insulator - semiconductor structures. J. of Lumin. 1991, v.47, p.327-334.

193. Бажанова A.E., Савельева З.И. Метод измерения адсорбции на поверхности монокристалла. ЖФХ, 1969, т.43, №6, с.1618-1620.

194. Vintsents S.V., Kiselev V.F., Plotnikov G.S. Energy transfer between exite adsorbate dye molecules and charge defects in insulator -semiconductor structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v.35, №1, p.273-281.

195. Зайцев В.Б., Зотеев A.B., Киселев В.Ф., Плотников Г.С. Вибронные эффекты в поверхностных фазах и молекулярная электроника. Вестник МГУ, сер. физ. астр., 1992, т.ЗЗ, №2, с.3-18.

196. Gutman Е.Е., Kiselev V.F., Plotnikov G.S. Vibronik effects as a clue to the solution of the selectivity problem of semiconductor gas sensors. Sensors and Actuators B, 1997, v.44, p.468-473.

197. Левшин Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и ее применение, М., МГУ, 1989,279с.

198. Schulthess G., Wachter P. First observation of photoconductivity in the semiconducting phase of VO2. Sol. Stat. Comm., 1975, v. 15, №10, p.1645-1649.

199. Виниченко С.Ю., Левшин Н.Л., Поройков С.Ю. Влияние адсорбционно десорбционных процессов на эффект переключения в пленке V02. Вестник МГУ, сер. физ.,астр., 1990, т.31, №4, с.97-99.

200. Mansigh A., Singh R., Krupanidhi S.B. Electrical switching in crystal V02. Sol. Stat. Electron. 1980, v.23, №6, p.649 654.

201. П1алимова K.B., Мокроусов B.B., Корнетов B.H. Эффекты переключения в четырехэлектродной структуре на основе пленок двуокиси ванадия. Микроэлектроника, 1976, т.5, №5, с.459-461.

202. Алексеюнас А.А., Барейкис В.А/, Бондаренко В.М., Веркялис Ю.В., Либерис Ю.С. Исследование тонких пленок V02 в режиме генерации. Письма в ЖТФ, 1977, т.З, №15, с.752-755.

203. Fisher В. Moving boundaries and travelling domains during switching of V02 single crystals. J. Phys. C. 1975, v.8, №13, p.2072-2076.

204. Мокроусов В.В., Корнетов B.H. Полевые эффекты в пленках двуокиси ванадия. ФТТ, 1974, т. 16, №10, с.3106-3107.

205. Kitchen W.J., Proto Jr. and C.R. Properties of vanadium dioxide thermal filaments. J.Appl.Phys., 1971, v.42, №5, p.2140-2142.

206. Adam G., Duchene J. Capacitance discharge in V02 threshold switching devices. Sol.Stat.Comm. 1972, v.10, №12, p.1277-1280.

207. Ждан А.Г., Чугунова М.Е., Елинсон В.М., Сербинов И.А. Иофис Н.А. Переключение с "памятью " в аморфных пиролитических плен-ках двуокиси ванадия. Микроэлектроника, 1976, т.5, №3, с.282-283.

208. Гурьев Г.Л., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б. Переключение в тонкопленочных MOM структурах на основе двуокиси ванадия при низких температурах. В сб. "Физика окисных пленок" Петрозаводск, 1991, т.1, с.73.

209. Пергамент А.Л. Эффект переключения в MOM структурах с аморфной двуокисью ванадия. В сб. "Физика окисных пленок" Петрозаводск, 1987, т.2, с.44-45.

210. Алексеюнас А., Барейкис В., Бондаренко В., Либерис Ю. Флуктуации тока и время переключения в монокристаллах диоксида ванадия. ФТТ, 1978, т.20, №7, с.1980-1984.

211. Briickner W., Moldenhauer resistivity temperature characteristic and thermal switching. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v.47, p.K99-K102.

212. Berglund C.N. Thermal filamets in vanadium dioxide. IEEE Tran. on Elec. Dev. 1969, v.ED-16, №5, p.432-437.

213. Anklam H.J., Matthech C. Theoretical investigation on the pulse response of V02 coplanar switching devices. Phys.Stat.Sol(a), 1973, v.19, p.433-439.

214. Duchene J.C., Terraillon M., Pailly M., Adam G.B. Initiation of switching in V02 coplanar devices. IEEE Tran. on Elec. Dev. 1971, v.ED-18, №12, p.1151-1155.

215. Duchene J., Adam G., Angier D. Mechanism of negative resistance and filamentary conduction in thermal switching devices. Phys. Stat. Sol.(a), 1971, v.8, p.454-462.

216. Guntersdorfer M. Schalteffekte in V02. Sol. Stat. Electron., 1970, v.13, №3, p.369-379.

217. Jackson J.L., Swaw M.P. The form and stability of carrent voltage characteristics for ideal thermal switching. Appl. Phys. Lett., 1974, v.25, №11, p.666-668.

218. Vintzentz S.V., Kiselev V.F., Levshin N.L., Sandomirskii V.B. Kinetics of pulse photothermal surface deformation as a method of studying the phase interface movement in a first order phase transition. Surf. Sci. 1991, v.241, №1/2, p.225-230.

219. Винценц С.В., Левшин НЛ., Поройков С.Ю. Применение метода импульсной фототермической деформации поверхности для исследования фазового перехода полупроводник металл в пленках диоксида ванадия. В сб. "Физика окисных пленок", Петрозаводск, 1994, с.19.

220. Калафати Ю.Д., Сербинов И.А., Рябова Л.А. Нелинейные волны в среде с фазовым переходом полупроводник металл. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, №10, с.637-641.

221. Сербинов И.А., Калафати Ю.Д., Аганбекян К.А., Рябова Л.А. Использование движущейся межфазной границы при фазовом переходе полупроводник металл для регистрации изображений. Радиотехника и электроника. 1979, №8, с.1617-1620.

222. Сербинов И.А., Калафати Ю.Д., Рябова Л.А. Диссипативные структуры при фазовом переходе полупроводник металл. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, №4, с. 196-200.

223. Olmstead М.А., Amer N.M. Direct measurements of the polarization dependence of Si(III) 2x 1 surface state absorption by use of photothermal displacement spectroscopy. Phys.Rev.Lett.,1984, v.52, №13, p.1148-1151.

224. Винценц С.В. Определение температуропроводности металлов из кинетики импульсной фототермической деформации поверхности. Поверхность. Физ., хим., мех. 1991, №7, с.155-157.

225. Jen С., Farnell G.W., Adler E.L., Oliveira J.E.B. Interactive computer -aided analysis for bulk acoustic wave in materials of arbitrary anisotropy and piezoelectricity. IEEE Trans. Sonics and Ultrason. 1985, v.su 32, №1, p.56-60.

226. Von Gutfeld R.J., Mc Donald F.A., Dreyfus R.W. Surface deformation measurements following excimer laser irradiation of insulators. Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, №17, p.1059 1061.

227. Dreyfus R.W., Mc Donald F.A., Von Gutfeld RJ. Laser energy deposition at sapphire surface studied by pulsed photothermal deformation. Appl. Phys. Lett., 1987, v.56, №21, p.1491 1493.

228. Винценц C.B., Миргородский В.И., Халилов Ш.С. Влияние ионной имплантации на импульсное фототермическое смещение поверхности GaAs и Si. Поверхность. Физ., хим., мех. 1990, №9, с.157-159.

229. Castanede Guzman R., Villagran - Muniz M., Saniger - Blesa J.H., Perez - Martinez O. Photoacoustic phase transition of the ceramic BaTi03. Appl. Phys. Lett., 1998, v.73, №5, p.623-625.

230. Vintsents S.V., Sandomirskii V.B. Surface deformation response induced by a laser thermal pulse as the basis for metal thermal diffusivity measurements. Phys. Stat. Sol. (a), 1992, v.133, p. K7 K11.

231. Двуреченский A.B., Качурин Г.А., Нидаев E.B., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., Наука, 1982, 208с.

232. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М., Наука, 1979, 264с.

233. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария. М., Наука, 1974, 295 с.

234. Kristoffel N., Konsin P. Vibronic theory of structural phase transitions and displacive ferroelectrics. Phys. Stat Sol. (b), 1988, v.149, p.l 1-40.

235. Генкин Г.М. Зильберберг B.B., Щедрина Н.В.Изменение частоты мягкой моды сегнетоэлектриков полупроводников в постоянном электрическом поле. Изв. вузов, физика, 1988, №1, с.33-37.

236. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлек-трических явлений в кристаллах. М., Наука, 1983, 240с.

237. Hafid L., Godefroy G., El Idrissi A., Michel Calendini F. Absorption spectrum in near U.V. and electronic structure of pure barium titanate. Sol. Stat. Comm. 1988, v.66, №8, p.841 - 845.

238. Castel Mejean L., Godefroy G., Hafid L. Optical absorption in the near ultraviolet region band structure and phase change of ВаТЮз. Jap. J. of Appl. Phys. 1985, v.24, p.651-652.

239. Шаблаев С.И., Данишевский A.M., Субашиев B.K. О структуре зон кислородно октаэдрических сегнетоэлектриков ВаТЮз, SrTi03 и КТаОз из данных по двухфотонной спектроскопии. ЖЭТФ, 1984, т.86, №6, с.2158 - 2169.

240. Jovanovic A., Wohlecke М., Kapplan S., Maillard A., Godefroy G. Infrared spectroscopy of hydrogen centers in undoped and iron doped ВаТЮз crystals. J.Chem.Sol. 1989, v.50, №6, p.623-627.

241. Diaz Guemes M.I., Carreno T.G., Serna C.J. The infrared power spectra of lithium niobate and strontium and barium titanate. Spectrochim.Acta, 1989, v.45A, №5, p.589-593.

242. Holtmann L., Unland M., Kratzig E., Godefroy G. Conductivity and light -induced absorption in BaTi03. Appl. Phys. A, 1990, v.51, p. 13-17.

243. Gover V.C. Photoinduced voltages and frequency shifts in a self pumped phase - conjugating BaTi03 crystal. Optics Lett. 1986, v.11, №7, p.458 -460.

244. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. M., Наука, 1976, 408 с.

245. Агальцов A.M., Горелик B.C., Моисеенко В.Н. Особенности гиперрелеевского рассеяния света вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода в приповерхностном слое титаната бария. Краткие сообщения по физике, 1985, №5, с.49-52.

246. Мамин Р.Ф., Тейтельбаум Г.Б. Трансформация сегиетоэлектрических фазовых переходов под действием освещения. Письма в ЖЭТФ, 1986, т.44, №7, с.326-329.

247. Даринский Б.М., Дьяченко А.А, Шалимов В.В. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках во внешнем электрическом поле. Изв. РАН, сер.физ. 1997, т.61, №5, с.860-866.

248. Buinov N.S, Syrtsov S.R.Ferroelectric phase transition in the field of non resonance electromagnetic waves. Phys.Stat.Sol. (b), 1984, v.123, p.K165-K167.

249. Исмаилзаде И.Г., Самедов O.A., Эюбова H.A., Алиев И.М. Влияние постоянных электрических полей на фазовые переходы в кристаллах KN03. Изв. АН СССР, сер. неорг.мат., 1987, т.23, №5, с.819-821.

250. Высочанский Ю.М., Гурзан М.И., Майор М.М., Сливко В.Ю. Фурцев В.Г., Хома М.М. Управление сегнетоэлектрическим состоянием в окрестности точки Лифшица с помощью электрического поля. ФТТ, 1986, т.27, №12, с.3676-3678.

251. Исмаилзаде И.Г., Исмаилов P.M., Алекперов А.И. Влияние постоянного магнитного поля на температуру Кюри сегнетоэлеткриков типа смещения и порядок-беспорядок.Изв. АН Азер. ССР, сер.физ.-тех.и мат., 1983, №6, с.68-73.

252. Neumann D.A., McWhan D.B., Littlewood P., Aeppli G., Remeika J.P., Maines R.G. Nucleation near the tricritical point in BaTi03. Phys. Rev.B, 1985, v.32, №3, p.1866-1868.

253. Lee J.K., Kang S.G., Kim H. Dielectric properties of Pb(Zni/3Nb2/3)03 ceramics modifined by Ba(Zni/3Nb2/3)03 and BaTi03. J.Mater.Sci., 1998, v.33, №3, p.693-698.

254. Томашпольский Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. M., Радио и связь, 1984, 193 с.

255. Zhuang Z.Q., Harmer М.Р., Smyth D.M., Newnham R.E. The effect of octahedrally coordinated calcium on the ferroelectric transition of ВаТЮ3. Mater.Res.Bull. 1987, v.22, p.1329-1335.

256. Kojima S., Ikeuchi Y., Zhungchang H., Qingrui Y. Raman scattering study of cubic to tetragonal phase transitions in mixed system AxBaixTi03. Jap.J.Appl.Phys. 1996, v.35, №9b, p.5192-5195.

257. Maglion M., Bohmer R., Loidl A., Hochli U.T. Polar relaxation mode in pure and iron doped barium titanate. Phys. Rev. B. 1989, v.40, №16, p.l 1441-11444.

258. Takada K., Ichimura H., Smyth D.M. Equilibrium conductivity for Er doped ВаТЮ3. Jap.J.Appl.Phys. 1987, v.26, №2, p.42-45.

259. Chavan S.H., Kulkarni P.G. Dielectric and hysteresis studies of the ferroelectric solid solution barium strontium titanate and barium -caltium titanate. Indian J.Phys. 1986, v.60A, p.124-132.

260. Medong L., Liandl J., Hsiwel L., Zhixiong C., Xi Y. Improved RTCR materials based on BaixPbxTi03 systems. Jap. J.Appl.Phys. 1985, v.24, №2 p.308-310.

261. Michel Calendini F.M., Hafid L., Godefroy G., Chermette H. Cubic to tetragonal phase tremsition effects on the electronic structures of pure and iron doped barium titanate. Sol. Stat. Comm. 1985, v.54, №11, p.951-956.

262. Hidaka Т., Oka K. Isotope effect in BaTi03 phase transition. Jap. J.Appl.Phys. 1985,v.24, №2 p.250-251.

263. Shu Yau W. A new ferroelectric memory device, metal - ferroelectric -semiconductor transistor. IEEE Tran. on Elec. Dev. 1974, v.21, №8, p.499-504.

264. Yukinori K., Nobuhiro E., Kiyoshi S. Ferroelectric field effect memory device using bismuth titanate film. J.Jap.Soc.Appl.Phys. 1975, v.44, p. 197202.

265. Mitoseriy L., Ricinshi D., Harnagea C., Okuyama M., Tsukamoto Т., Tura V. Grain size dependence of switching properties of ferroelectric BaTi03 ceramics. Jap. J. Appl. Phys., 1996, pt.l, v.35, №9b, p.5210-5216.

266. Kanata Т., Yoshikawa Т., Kubota K. Grain size effects on dielectric phase transition of BaTi03 ceramics. Sol. Stat. Comm. 1987, v.62, №11, p.765-767.

267. Болдырев B.B., Лапшин В.И., Фокина Е.Л., Ярмаркин В.К. Аномальные диэлектрические свойства мелкокристаллической керамики BaTi03, полученной с использованием механической активации. ДАН СССР, 1989, т.304, №4, с.852-854.

268. Shih W.Y., Shih W.H., Aksay I.A. Size dependence of the ferroelectric transition of small BaTi03 particles: effect of depolarization. Phys. Rev. В., 1994, v.50, №21, p.15575-15585.

269. Zafar S., Jones R.E., Jiang В., White В., Kanshik V., Gillespie S. The electronic conduction mechanism in barium strontium titanate thin films. Appl.Phys.Lett., 1998, v.73, №24, p.3533-3535.

270. McNeal M.P., Jang S.J., Newnham R.E. The effect of grain and particle size on the microwave properties of barium titanate (BaTi03). J.Appl.Phys. 1998, v.83, №6, p.3288-3297.

271. Томашпольский Ю.Я. Строение сегнетоэлектрических поверхностей. Изв. АН СССР, сер. физ., 1987, т.51, №12, с.2263-2268.

272. Fujisaki Y., Shimamoto Y., Matsui Y. Analysis of decomposed layer aprearing on the surface of barium strontium titanate. Jap. J. Appl. Phys. 1999, v.38, pt2, la - lb, p.L52-L54.

273. Толстоусов C.B., Мухортов B.M., Мясников Э.Н., Дудкевич В.П. Процессы, приводящие к эффекту памяти в структуресегнетоэлектрическая пленка монокристалл кремния. ЖТФ, 1985, т.55, №1, с.127-130.

274. Rohrer G., Narayan S., McMilan L., Kulkarni A. A new technigue for characterization of thin film ferroelectriv memory devices. J.Vacuum.Sci. Technol., 1988, v.A6, №3. p.1756 - 1758.

275. Фроленков К.Ю., Ким С.Г. Исследование эффекта памяти в структурах металл сегнетоэлектрик - полупроводник. Автометрия 1994, №4, с.22-26.

276. Такауата R., Tomita Y.Preparation Pb(Zrx Т^.^Оз thin films and their crystallographic, pyroelectric and ferroelectric properties. J.Appl.Phys. 1989, v.65, №4, p.1666-1670.

277. Yoneda Y., Okabe T.,Sakane K., Terunchi H., Kasatani H., Deduchi K. Structural characterization of BaTi03 thin films grown by molecular beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1998, v.83, №5, p.2458-2461.

278. Hoerman B.H., Ford G.M., Kaufmann L.D., Wessels B.W. Dielectric properties of epitaxial ВаТЮз thin films. Appl.Phys.Lett. 1998, v.73, №16, p.2248-2250.

279. Kwak B.S., Boyd E.P., Erbil A. Metalorganic chemical vapor deposition of Pb Ti03 thin films. Appl. Phys. Lett. 1988, v.53, №18, p.1702-1704.

280. Basantakumar S.H., Mansingh A. Phase transition in sol gel derived barium titanate thin films. J.Phys.D., 1998, v.31, №13, p.l527-1533.

281. Kim S., Manabe Т., Yamaguchi I., Kumagai Т., Mizuta S. Effect of P(02) and P(C02) on epitaxial grouth of BaTi03 thin films on MgO(lOO) substrates by using metal organic acid solts. Thin Solid Films, 1997, v.310, №1-2, p. 199-202.

282. Tsunekawa S., Fukuda Т., Ozaki Т., Yoneda J., Okabe Т., Terauchi H. Study on ferroelectric domain in BaTi03 crystalline films and bulk crystalsby atomic force and scanning electron microscopies. J.Appl.Phys. 1998, v.84, №2, p.999-1002.

283. Свиридов Е.В., Мухортов В.М., Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Сегнетоэлектрические свойства тонких пленок Pb(ZrTi)C>3, полученных ВЧ катодным распылением. ЖТФ, 1985, т.55, №5, с.959-961.

284. Tsuzuki A., Kato К., Kusumoto К., Torii Y. Preparation and characterization of (Bai.xSrx)Ti03 films by sol-gel processing. J.Mater.Sci., 1998, v.33, №12, p.3055-3058.

285. Xu Y., Chen C.J., Xu R., Mackenzie J.D. The self biased heterojunction effect of ferroelectric thin film on silicon substrate. J. Appl. Phys., 1990, v.67, №6, p.2985-2991.

286. Wu G.Y.Z., Sayer M. Preparation of Pb(Zr,Ti)03 thin films by sol gel processing: electrical, optical and electro optic properties. J. Appl. Phys. 1988, v.64, №5, p.2717-2724.

287. Луганников А.Г., Шувалов Л.А. Пьезоэлектрические, диэлектрические и упругие свойства электрически деполяризованной керамики ВаТЮ3. Кристаллография, 1999, т.44, №2, с.297-303.

288. Городник Л.Б., Петров А.В., Петрухин А.Г., Старостин В.В. Влияние фазового перехода на оптическое перезаряжение ловушек всегнетоэлектрической пленке на кремнии. Поверхность. Физ., хим., мех. 1992, №12, с.43-45.

289. Петрухин А.Г., Петров А.В. Фотоинжекционные процессы в структуре Si -Вао^ГодТЮз. Поверхность. Физ., хим., мех. 1992, №8, с.124-127.

290. Li P., Lu Т.М. Conduction mechanism in ВаТЮз films. Phys.Rev.B., 1991, v.43, №17, p.14261-14264.

291. Калюжная JI.B., Зунг Л.Г., Прудан A.M., Тер Мартиросян Л.Т., Ткачук Б.В. Влияние радиационных дефектов на электропроводящие свойства пленок (Ва, Sr)Ti03. ЖТФ, 1986, т.56, №10, с.2058-2059.

292. Беленов К.В., Голобородько Е.А., Завадовский О.Э., Концевой Ю.А., Мухортов В.М., Тиходеев Ю.С. Исследование свойств структур Si -BaxSr!.xTi03. ЖТФ, 1984, т.54, №9, с.1782-1786.

293. Санджиев Д.Н., Косоногов И.А., Савченко Э.А., Рогач Е.Д., Проценко Н.П. Гистерезисные явления в структурах металл сегнетоэлектрик -полупроводник на основе тонких пленок Sn2P2S6- ЖТФ, 1990, т.60, №3, с. 196-199.

294. Жихарев В.Н., Попик Ю.В., Проскуряков Б.Ф. Ориентирующее действие сегнетоэлектрической поляризации пленок при адсорбции дипольных молекул. Поверхность. Физ., хим., мех. 1988, №6, с.23-27.

295. Жихарев В.Н., Попик Ю.В. Электронное состояние поверхности и параметры фазового перехода титаната бария. УФЖ, 1988, т.ЗЗ, №8, с.1255-1259.

296. Попик Ю.В., Жихарев В.Н., Беца В.В.Влияние адсорбции на процессы поляризации в сегнетоэлектриках ВаТЮ3 и SbSl. ФТТ, 1982, т.24, №2, с.486-493.

297. Попик Ю.В., Беца В.В. Электронное состояние поверхности и локальные уровни в монокристаллах SdSl. ФТТ, 1988, т.30, №5, с.1282-1288.

298. Попик Ю.В., Жихарев В.Н., Сейковекий И.Д. Влияние "собственного" эффекта поля на термостимулированную проводимость сегнетоэлектриков полупроводников. Изв. вузов. Физика, 1990, №3, с.86-90.

299. Попик Ю.В., Жихарев В.Н. Влияние адсобрбции на величину поляризации сегнетоэлектриков. Поверхность. Физ., хим., мех. 1989, №9, с.33-41.

300. Попик Ю.В., Сейковекий И.Д., Жихарев В.Н. Влияние адсорбции полярных молекул на формирование солитонов в несоразмерной фазе собственного сегнетоэлектрика Sn2P2Se6. ФТТ, 1988, т.30, №3, с.870-873.

301. Попик Ю.В., Жихарев В.Н., Сейковекий И.Д. Роль адсорбции дипольных молекул в формировании свойств несоразмерной фазы. Поверхность. Физ., хим., мех. 1990, №1, с.13-17.

302. Parravano G. Ferroelectric transition and heterogenous catalysis. J.of Chem. Phys, 1952, v.20, №2, p.342-343.

303. Розентуллер Б.В, Спиридонов K.H, Крылов О.В. О влиянии фазового перехода в титанате бария на адсорбцию и катализ. ДАН СССР, 1981, Т.259, №4, с.895-899.

304. Вистинь JI.K, Сахарова И.И, Яковенко С.С. Сегнетоэлектрические жидкие кристаллы и их применение. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат. 1982, т.18, №10, с.1656-1661.

305. Адоменас Н. Соверменные успехи в синтезе сегнетоэлектрических жидкокристаллических соединений. Изв. АН СССР, сер. физ, 1989, т.53, №10, с.1860-1869.

306. Береснев JI.A, Блинов J1.M, Дергачев Д.И, Жиндулис А.И, Клименко И.С, Паеда С.И, Сергеев А.А. Фоточувствительная структурасегнетоэолектрический жидкий кристалл фотопроводник. Письма в ЖТФ, 1988, т.14, №3, с.263-266.

307. Furukawa Т. Ferroelectric properties of vinylidene fluoride copolymers. Phase trans., 1989, v. 18, p. 143-211.

308. Roberts G.G. Polar Langmuir Blodgett thin film layers for non - linear optical and pyroelectric applications. Ferroelectrics, 1989, v.91, p.21-38.

309. Legrand J.F. Structure and ferroelectric properties of P(VDF TrFE) copolymers. Ferroelectrics, 1989, v.91, p.303-317.

310. Верховская K.JI. Допированные сегнетоэлектрические полимеры. Кристаллография, 1994, т.39, №5, с.939-957.

311. Palto S., Blinov L., Dubovik E., Fridkin V., Petukhova N., Verkhovskaya K., Yudin S. Ferroelectric Langmuir Blodgett films. Ferroelectric Lett. 1995, v.19 p.65-68.

312. Palto S., Blinov L., Dubovic E., Fridkin V., Petukhova N., Sorokin A., Verkhovskaya K., Yudin S., Zlatkin A. Ferroelectric Langmuir Blodgett films showing bistable switching. Europhys. Lett. 1996, v.34, №6, p.465-470.

313. Blinov L.M., Fridkin V.M., Palto D.P., Sorokin A.V., Yudin S.G. Critical point in ferroelectric Langmuir-Bladgett polymer films. Phys.Rev.B, 1998, v.57, №1, p.25-28.

314. Bune A., Ducharme S., Fridkin V., Blinov L., Palto S., Petukhova N., Yudin S. Novel switching phenomena in ferroelectric Langmuire -Blodgett films. Appl. Phys. Lett. 1995, v.67, №26, p.3975-3977.

315. Sorokin A., Palto S., Blinov L., Fridkin V., Yudin S. Ultrathin ferroelectric Langmuir Blodgett films. Mol. Mat. 1996, v.6, p.61-67.

316. Ploss Beat., Ploss Ber. Phenomenological and microscopical description of the nonlinear dielectric permittivities of P(VDF/TrFE). J.Kor.Phys.Soc., 1998, V.32, pt.3, p.S 1084 S 1086.

317. Bellet Amalric E., Legrand J.F. Crystalline structures and phase transition of the ferroelectric P(VDF/TrFE) copolymers, a neutron diffraction study. Eur.Phys.J. (Z.Phys.B.) 1998, v.3, №2, p.225-236.

318. Takahashi Y. Molecular mechanism for structural changes in poly (vinylidene fluoride) induced by electctric field. J.Macromol. Sci. B, 1998, v.37, №4, p.421-429.

319. Блинов JI.M., Верховская K.A., Палто С.П., Сорокин А.В. Тевосов А.А. Локальное поле в полимерном сегнетоэлектрике и его влияние на упорядоченность молекул красителя. Кристаллография, 1996, т.41, №2, с.328-334.

320. Городник Л.Б., Левшин Н.Л., Невзоров А.Н. Температурная зависимость поляризационного гистерезиса вольт фарадных характеристик структур А1 - (Ba0,9Sr0,i)TiO3 - Si. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1986, т.27, №3, с.84-85.

321. Левшин Н.Л., Невзоров А.Н., Петрухин А.Г. Влияние состояния поляризации сегнетоэлектрических пленок на электрофизические свойства структур кремний сегнетоэлектрик. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1996, №3, с.49-55.

322. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Эффект памяти в тонкопленочной структуре металл Bao5Sro55Nb206 - Si02 - Si. Автометрия, 1988, №4, с.88-96.

323. Зайцев В.Б., Петров А.В., Петрухин А.Г, Старостин В.В. Спектры адсорбированных молекул красителей на поверхности структур кремний сегнетоэлектрик. Хим. физика. 1994, т. 13, №6, с.106-110.

324. Зайцев В .Б, Киселев В.Ф, Петрухин А.Г, Плотников Г.С, Старостин В.В. Заряженные состояния в сегнетоэлектрических пленках на поверхности полупроводника. Поверхность. Физ, хим., мех, 1995, №10, с.71-79.

325. Киселев В.Ф. Наноструктуры и метастабильные состояния в адсорбции и катализе. Кинет, и катализ, 1994, т.35, №5, с.714-723.

326. Сонин А.С, Струков Б.А. Введение в сегнетоэлектричество. М, Высшая школа, 1970, 271 с.

327. Якунин С.И. Просвечивающая электронная микроскопия монокристаллических пленок титаната бария. Кандидатская дис. М.: МГУ, 1972.

328. Томашпольский Ю.Я, Попов Ю.М^, Севостьянов М.А, Попов А.В, Артюхов Б.Л. Поверхностные и промежуточные слои в пленках титанатов бария и стронция, полученных катодным распылением. Изв. АН СССР, сер. неорг. мат. 1989, т.25, №9, с.1508-1512.

329. Смирнова Е.П, Сотников А.В, Юшин Н.К. Петли переполяризации в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом. ФТТ, 1995, т.37, №3, с.752-759.

330. Киселев В.Ф, Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М,Наука, 1978, 255с.

331. Zafar S., Jones R.E., Jiang В., White В., Chu P., Taylor D., Gillespie S. Oxygen vacancy mobility determined from current measurements in thin Bao,5Sro,5Ti03 films. Appl.Phys .Lett. 1998, v.73, №2, p. 175-177.

332. Левшин Н.Л., Юдин С.Г., Дианкина А.П. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода в пленках Ленгмюра Блоджетт на их адсорбционные свойства. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1997, №5, с.54-56.

333. Зайцев В.Б., Левшин Н.Л., Пестова С.А., Плотников Г.С., Юдин С.Г. Изменение адсорбционных свойств и спектров флуоресценции при сегнетоэлектрическом фазовом переходе в пленках Ленгмюра -Блоджетт. Хим. физика, 2000, №5, стр.85-90.

334. Левшин Н.Л., Пестова С.А. Влияние фазового перехода на адсорбционные свойства полярных пленок Ленгмюра Блоджетт. В сб."Структура и динамика молекулярных систем". Казань, УНИПРЕСС, 1999, №4, с.270-273.

335. Kiselev V.F., Kurylev V.V., Levshin N.L. The effect of adsorption on the electroconductivity of Pc Fe and Pc Cu films. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.42, №2, p.K61-K64.

336. Gramer K., Fogliato M., Lima S., Magonov S.N., Hellmann E.H., Jakobs M., Hellmann G.P. Atomic force microscopy on tree like crystals in poly-vinylidene fluoride blends. J.Mater.Sci., 1998, v.33, №9, p.2305-2312.

337. Бажанова A.E. Кинетика адсорбции и заряжения поверхности сульфида свинца. Кандидатская дис., МГУ, 1975.

338. Bashanova А.Е., Kiselev V.F., Saveljeva S.I. Untersuchung der adsorption an quarzeinkristallen: die abhangigkeit der spezifischen adsorptionseigensehaften der oberflache von den dimensionen der quarzteilchen. Zeit. Chem. 1969, v.9, №2, p.52-54.

339. Де Бур Я. Динамический характер адсорбции М., ИЛ., 1962, 290 с.

340. Дубинин М.М. Основы теории объемного заполнения микропор для неоднородных микропористых структур. В сб. "Адсорбция и адсорбенты"М., Наука, 1987, с.201-206.

341. Красильников К.Г., Скоблинская Н.Н. Сорбция воды и набухание монтмориллонита. В сб. "Связанная воды в дисперсных системах" М., МГУ, 1972, №2, с.66-86.

342. Львов Ю.М., Фейгин JI.A. Ленгмюровские пленки получение, структура, некоторые применения. Кристаллография, 1987, т.32, №3, с.800-815.

343. Дубинин М.М., Сарахов А.И., Кононнок В.Ф. Изменение линейных размеров гранул синтетических целитов при адсорбции неполярных веществ. ДАН СССР, 1972, т.206", №4, с.901-904.

344. Бойцов В.М., Южаков В.И. О природе вибронных спектров растворов родаминовых красителей. Опт. и спектр. 1986, т.61, №5, с.966-969.

345. Bune A.V., Fridkin V.M., Ducharme S., Blinov L.M., Palto S.P., Sorokin A.V., Yudin S.G., Zlatkin A. Two dimensional ferroelectric films. Nature, 1998, v.391, p.274-277.

346. Левшин Н.Л., Юдин С.Г. Влияние полярных пленок Ленгмюра -Блоджетт на медленные состояния поверхности кремния. Вестник МГУ, сер.физ., астр. 1999, №5, с.27-30.

347. Kozlov S.N., Levshin N.L. On the distribution function of activation barriers surmounted by charge carriers when captured to slow surface states of a semiconductor. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.64, №2, p.K169-K172.

348. Козлов С.Н., Левшин Н.Л. О кинетике медленной релаксации заряда на поверхности германия в широком диапазоне времени. Вестник МГУ, сер. физ., астр., 1979, т.20, №4, с.68-72.

349. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М., Наука, 1990, 212с.

350. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1979, 234с.

351. Kozlov S.N. Slow relaxation kinetics on a heterogeneous semiconductor surface. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, v.42, p.l 15-124.

352. Low M.J.D., Madison N., Ramanurty R. Infrared spectra of hydrogen and water on germanium gel surface. Surf. Sci., 1969, v. 13, p.238-250.

353. Вонсовский C.B. Магнетизм. M., Наука, 1971,1032c

354. Давыдов С.Ю., Марголин В.И. Намагниченность поверхности ферромагнетика. Поверхность. Физ., хим., мех. 1989, №2, с.5-12.

355. Pink S., Dreusse Н., Model of gas adsorption on magnetic surfaces. Surf.Sci., 1997, v.394, №1-3, p.192-200.

356. Maksymowicz A.Z., Whiting J.S.S. Influence of magnetization variation near the surface on spin wave modes. Thin. Sol. Films, 1989, v. 170, p.191-200.

357. Liu C., Bader S.D. Magneto optical studies of metastable 3d - transition metal films. J. Phys. В., 1989, v.161, p.253-259.

358. Зубов B.E., Кринчик Г.С., Селезнев B.H., Стругацкий М.Б. Поверхностный магнетизм бората железа. ЖЭТФ, 1988, т.94, №10, с.290-300.

359. Zubov V.E., Krinchik G.S., Seleznyov V.N., Strugatsky M.B. Near surface magnetic structures in iron borate. J. of Magn. and Magn. Mat. 1990, v.86, p.105-114.

360. Кринчик Г.С., Хребтов А.П., Аскочинский А.А., Зубов В.Е. Поверхностный магнетизм гематита. Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 17, №9, с.466-470.

361. Gradmann U. Surface magnetism. J. of Magn and Magn. Mat. 1991, v. 100, №1-3, p.481-496.

362. Zubov V.E., Krinchik G.S., Tablin A.S., Kostyurin.A A. Magneto optical techniques in self - consistent determination of optical and magnetooptical constants of magnetics. Phys. Stat. Sol.(a), 1990, v.l 19, p.297-306.

363. Schooll D., Donath M., Mauri D., Kay E., Mathon J., Muniz R.B., Siegman H.C. Exchenge interactions at the surface of a ferromaguent. Phys. Rev. B. 1991, v.43, №16b, p.13309-13313.

364. Кринчик Г.С. Физика магнитных явлений. М., МГУ, 1985, 336с.

365. Henrich В., Cochram J.F., Arrott A.S., Purcell S.T., Urquhart K.B., Dutcher J.R., Egclhoff W.F. Development of magnetic anisotropics in ultrathin epitaxial films of Fe(001) and Ni(OOl). Appl. Phys.A., 1989, v.49, p.473-490.

366. Bruno P., Renard J.P. Magnetic surface anisotropy of transition metal ultrathin films. Appl. Phys. A., 1989, v.49, p.499-506.

367. Бабкин E.B. Магнитные фазовые переходы в пленках с поверхностной анизотропией. ФТТ, 1989, т.31, №9, с. 181-187.

368. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М., Наука, 1986, 367с.

369. Aguilera Grauja F., Bonarad S., Lopez N.J., Vega A., Montejano -Carrizales J.M., Iriquez M.P., Alonso J.A. Magnetic moments of Ni clusters. Phys.Rev.B., 1998, v.57, №19, p.12469-12475.

370. Hucht A., Usadel K.D. Reorientation transition of ultrathin ferromagnetic films. Phys.Rev.B., 1997, v.55, №18, p.12309-12312.

371. Bodker F., Morup S., Oxborrow C.A., Madsen M.B., Nicmantsycrdrief J.W. Surface magnetism in ultrafine a-Fe particles. J. Magn. and Magn. Mat. 1992, v.104-107, №3 p.1695-1696.

372. Terashima Т., Bando Y. Magnetism of ultrathin Fe304 films. J.Phys.Soc.Jap.1985, v.54, №10, p.3920-3924.

373. Moog E.R., Zak J., Huberman M.L., Bader S.D. Magnetooptic rotation and ellipticity of ultrathin ferromagnetic films. Phys.Rev.B., 1989, v.39, №13, p.9496-9499.

374. Thomassen J., May F., Feldmann D., Wittig M., Jbach H. Magnetic live surface layers in Fe/Cu(100). Phys.Rev.Lett. 1992, v.69, №26, p.3831-3834.

375. Tang H., Plihal M., Mills D.L. Theory of the spin dynamics of bulk Fe and ultrathin Fe(100) films. J.Magn.Magn. and Mat. 1998, v.187, №1, p.23-46.

376. L6ffler J.F., Wagner W. Random and exchange anisotropy in consolidated nanostructured Fe and Ni: role of grain size and trace oxides on the magnetic properties. Phys.Rev.B., 1998, v.57, №5, p.2915-2924.

377. Manri D., Scholl D., Slegmann H.C., Kay E. Magnetism in very thin films of permalloy measured by spin polarized cascade electrons. Appl.Phys.A., 1989, v.49, p.439-447.

378. Kerkmann D. Kerr effect magnetometry of the single monolayer Co/Cu(001). Appl.Phys.A., 1989, v.49, p.523-526.

379. Qiu Z.Q., Pearson J., Boder S.D. Magnetic .phase transition of ultrathin Fe films on Ag(lll). Phys.Rev.Lett., 1991, v.67, №12, p.1646-1649.

380. McCiuire T.R., Hartmann M. Magneto optical properties of amorphous alloy films. IEEE Tran. on Magn. 1985, v.MAG-21, №5, p. 1644-1646.

381. Hai Т., Li Z.Y. A study for critical behavior of ferromagnetic thin films. Phys.Stat. Sol. (b), 1989, v.156, p.641-646.

382. Schroder К., Ваша S. Magnetization changes of Fe films due to a Mn -overlayer. Phys.Lett., 1986, v.l 14A, №1 , p.31-33.

383. Гусев С.А, Короткова Н.А, Розенштейн Д.Б, Фраерман А.А, Шен-гуров В.Г. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице из пористого кремния. Письма в ЖТФ, 1994, т.20, №11, с.50-53.

384. Dillon J.F. Magnetooptics. J. of Magn. and Magn. Mat, 1991, v.100, №1-3, p.425-439.

385. Schafer R, Hubert A. A new magnetooptic effect related to non uniform magnetization on the surface of a ferromagnet. Phys.Stat.Sol. (a), 1990, v.l 18, p.271-288.

386. Hubert A, Blochwande in dicken magnetishen schichten. Z.Angew.Phys. 1971, v.32, №1, p.58-63.

387. Кринчик Г.С, Бенидзе O.M. Магнитооптическое исследование магнитных структур при микронном разрешении. ЖЭТФ, 1974, т.67, с.2180-2194.

388. Yang Z.J, Scheinfein M.R. Combined three axis surface magneto - optical Kerr effects in the study of surface and ultrathin - film magnetism. J.Appl.Phys,1993, v.74, №11, p.6810-6823.

389. Niedova H, Hubert A, Mirecki B, Pucholska I.B. First direct magneto -optical observations of quasi Neel walls in double permalloy films. J.Magn. and Magn. Mat. 1989, v.8Q, №2-3, p.379-383.

390. Rave W, Hubert A. Micromagnetic calculation of the thickness dependence of surface and interior width of assimmetrical Bloch walls. J.of Magn. and Magn. Mat. 1998, v. 184, p. 179-183.

391. Siegmann H.C., Bogus P.S., Kay E. Origins of surface induced magnetic structures. J.Phys.B. 1988, v.69, p.485-488.431.0epen H.P., Kirshner J. Imaging of magnetic microstructures at surface. J.Phys.Colloq. 1988, v.,49, №C8, pt.3, p. 1853-1857.

392. Aharoni A., Jakubovies J.P. Effect of magnetostriction on 90° domain wall in thin films. J. of Magn. and. Magn. Mat. 1992, v.113, №1-3, p.58-62.

393. Зубов B.E., Кринчик Г.С., Кулаков А.Д. Структура доменных границ в приповерхностной области монокристаллов железа. ЖЭТФ, 1988, т.94, №12, с.243-250.

394. Han B.S. Behavior of vertical Bloch - line chains of hard domains in garnet bubble films. J. of Magn. and Magn. Mat. 1991, v.100, №1-3, p.455-468.

395. Винокурова T.B., Попков А.Ф., Редько В.Г. Влияние микронеодно-родностей на работу регистра хранения информации на блоховских линиях. ЖТФ, 1991, т.61, №11, с.87-94.

396. Береснев В.И., Никитин А.В., Филиппов Б.Н. Статические и динамические свойства пары ВБЛ в скрученной доменной границе. ФММ, 1991, №8, с.59-64.

397. Bland J.A.C., Padgett M.J., Mackay K.D., Johnson A.D. Investigation of the magnetic properties of sandwiched epitaxial Fe and Co films using the magneto optic Kerr effect. J.Phys.Cond.Mat., 1989, v.l, p.4407-4417.

398. Cowburnn R.P., Ferre J., Gray S.J., Bland J.A.C. Domain wall dynamics pinning and nucleation in ultrathin epitaxial Fe films. Phys.Rev.B., 1998, v.58, №17, p.l 1507-11513.

399. Freeman M.R., Hiebert W.K., Stankiewicz A. Time resolved scanning Kerr microscopy of ferromagnetic structures. J.Appl.Phys., 1998, v.83, №11, pt2, p.6217-6222.

400. Hiebert W.K., Stankiewicz A., Freeman M.R. Direct observation of magnetic relaxation in a small permalloy disk by time resolved scanning Kerr microscopy. Phys.Rev.Lett., 1997, v.79, №6, p.l 134-1137.

401. Takanashi K., Mitani S., Fujimory H., Sato K., Suzuki Y. Magnetooptical Kerr effect in Fe/Au superlattices modulated by integer atomic layers. J.Magn. andMagn. Mat., 1998, v.177-181. №2,p.l 199-1200.

402. Pretorius M., Friedrich J., Ranck A.,Schroeder M., Voss J., Wedemeier V., Spanke D., Knabben D., Rozhko I., Ohldag H., Hillebrecht F.U., Kisker E.

403. Transverse magneto optical Kerr effect of Fe at the Fe 3p threshold. Phys.Rev.B., 1997, v.55, №21, p.14133-14135.

404. Иванов Б.А., Кулагин H.E. О предельной скорости и вынужденном движении доменной стенки ферромагнетика во внешнем поле, перпендикулярном оси легкого намагничивания. ЖЭТФ, 1997, т. 112, №3, с.953-974.

405. Горобец Ю.И., Финохин В.И., Джежеря Ю.И. Торможение доменной стенки в ферромагнетике с дефектами. УФЖ, 1991, т.36, №8, с.1215 -1220.

406. Narayan О. Self similar Barkhausen noise in magnetic domain wall motion. Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, №18, p.3855-3857.

407. Филиппов Б.Н., Корзулин Л.Г., Ребрякова E.B. Влияние поверхностной магнитной анизотропии на нелинейную динамику доменных границ с двумерным ремпеределнием намагниченности. ФММ, 1997, т.83, №6, с.19-27.

408. Тихомиров О. А. Колебания доменной стенки вблизи порога коэрцитивности. ФТТ, 1994, т.36, №7, с. 1958-1967.

409. Шамсутдинов М.А., Филиппов Б.Н. Колебания доменной границы в магнитном поле ферромагнетиков с неоднородными параметрами. ФММ, 1991, №8, с.87-96.

410. Барьяхтар В.Г., Горобец Ю.И., Денисов С.И. Дрейф доменных границ в осциллириющем магнитном поле. ЖЭТФ, 1990, т.98, №4(10), с. 13451353.

411. Иванов Б.А., Киселевский М., Ляхимец С.Н., Мацевский А. Динамика доменных границ и релаксация намагниченности в магнетиках с эффектом магнитного последействия. ЖЭТФ, 1992, т. 101, №6, с. 18941907.

412. Поляков П.А. Движение Д.Г. при наличие поверхностной коэрцитив-ности. В сб.'Тезисы XIY школы семинара. Новые магнитные материалы микроэлектроники". М., 1994, т.2, с. 15-16.

413. Деннисов С.И. Форма равномерно движущейся доменной границы в проводящей ферромагнитной пленке. ФТТ, 1989, т.31, №7, с.236-237.

414. Дедух JI.M., Кабанов Ю.П. Возбуждение изгибных колебаний блоховских линий в осциллирующей доменной стенке. ЖЭТФ, 1991, т.99, №5, с. 1632-1639.

415. Зубов В.Е., Кринчик Г.С. Кудаков А.Д. Изменение формы колеблющейся 180° доменной границы в монокристаллах железа при повышении частоты. Письма в ЖТФ, 1988, т.14, №17, с.1597-1601.

416. Крылов О.В., Киселев В.Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. М., Химия, 1981, 286с.

417. LombardoS.J., Bell А.Т., A review of theoretical models of adsorption, diffusion, desorption and reaction of gases on metal surface. Surf.Sci.Rep. 1991, v.13, №1-2, p. 1-72.

418. Птушинский Ю.Г., Чуйков Б.А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов. Поверхность. Физ., хим., мех. 1992, №9, с.5-27.

419. Norskov J.K. Chemisorption on metal surfaces. Rep. Progr. Phys. 1990, v.53, №10, p.1253-1295.

420. Yanagita H., Sakai J., Aruda Т., Takegi N., Nishijima M. Adsorbed states of H on Ni(lll) at 100K: a vibrational study. Phys.Rev.B., 1997, v.56, №23, p.14952-149955.

421. Цыбулев П.Н. Пинчук A.M., Пархоменко H.B. Адсорбция молекул водорода на грани (100) оксидов 3d металлов первого переходного периода. ЖСХ, 1992, т.ЗЗ, №3, с.27-31.

422. Zommer L., Randzios L.J. Thermodynamic and kinetik properties of hydrogen adsorption on thin iron layers. Therm. Anal., 1992, v.38, №9, p.1999-2003.

423. Namba H., Okawa Y., Kuroda H. Rearrengement of sutface steps of the Ni surface by hydrogen adsorption. Surf. Sci. 1991, v.242, №1-3, p.32-38.

424. Hung W.H., Schwartz J., Bernasek S.L. Adsorption of H20 on oxidized Fe(100) surface: comparission between the oxidation of iron by H20 and 02. Surf. Sci., 1993, v.294,p.21-32.

425. Henrich V.E. The nature of transition metal - oxide surface. Prog, in Surf. Sci., 1983, v.14, №2, p.175-200.

426. Pache Т., Steinruch H.P., Huber W., Menzel D. The adsorption of H20 on clean oxygen precovered Ni(lll) studied by ARUPS and TPD. Surf.Sci., 1989, v.224, №1-3, p. 195-214.

427. Callen B.W., Griffths K., Norton P.R. Reorientation of chemisolbed water on N(110) by hydrogen bonding to second layer. Phys.Rev.Lett., 1991, v.66, №12, p. 1634-1637.

428. Brucker C.F., Phodin T.N. Oxygen chemisorption and reaction on a Fe (110) using potoemission and low - energy electron diffraction. Surf.Sci., 1976, v.57, №2, p.523-539.

429. Боресков Т.К., Савченко В.И., Дадеян К.А., Иванов В.П., Булгаков Н.Н. Адсорбция кислорода и взаимодействие его с водородом на монокристалле никеля с ориентацией (100). Пробл. кинет, и катализ. 1978, т.17, с.115-127.

430. Bushby S.J, Pope T.D, Callen B.W, Griffiths K, Norton P.R. The low temperature adsorption of oxygen on to Ni oxide. Surf.Sci. 1991, v.256, №3, p.301-311.

431. Getzlaff M, Bansmann J, Schonhense G. Oxygen on Fe(llO): magnetic properties of the adsorbate system. J.Magn. and Magn. Mat. 1999, v. 192, p.458-466.

432. Benndorf C, Meyer L. Co adsorption on stepped Ni(lll) surfaces. J.Vacuumm Sci. and Technol. A, 1990, v8, №3, p.2677-2681.

433. Berlowitz P.J, He J.W, Goodman D.W. Overlayer growth and chemisorptive properties of ultra thin Fe films on W(110) and W(100). Surf.Sci, 1990, v.231, p.315-324.

434. Chen J.G, Erley W, Ibach H. Rairs investigation of the interaction between the coadsorbed NO and oxygen on Ni(l 11): observation of a substantial N -О bond strengthening. Surf. Sci, 1989,v.224, №1-3, p.215-234.

435. Sandell A, Nilsson A, Morfensson N. Lying down NO on Ni(100). Surf. Sci. 1991, v.241, №1-2, p.Ll-L5.

436. Geisler H, Odorfer G, Illing G, Jaeger R, Freund H.J, Watson G, Plummer E.W, Neuber M, Neumann M. N02 adsorption on Ni(100): acomparission of N02 with C02 adsorption. Surf. Sci., 1990, v.234, p.237-250.

437. Grunze M., Golze M., Hirschwald W., Fereund H.J., Pulm H., Seip U., Tsai M.C., Ertl G., Kuppecs J. n bondet N2 on Fe(lll): the precursor of dissociation. Phys.Rev.Lett., 1984, v.53, №8, p.850-853.

438. Yoshinob J., Zenovi R., Xu J., Xu Zh., Yates J.T. N2 chemisorption on Ni(lll) an infrared investigation under steady staty condition. J.Chem. Phys., 1991, v.95, №12, p.9393-9400.

439. Alstrup I., Chorkendorff I., Ullmann S. Dissociative chemisorption of CH4 on Ni(100) with preadsorption oxygen. Surf. Sci., 1990, v.234, p.79-86.

440. Nuberg G., Westerlung L., Jonsson L., Andersson S. Coadsorption of hydrogen and carbon monoxide on Ni(100) and Pd(100). J.Elec.Spect. and Rel.Phen.1990, v.54-55, p.639-648:

441. Rangelov G., Bischler U., Memmel N., Bertel E., Dose V., Pabst M., Rosch N. Coadsorption of CO and H on Ni(100): evidence for a strong local CO -H interaction. Surf. Sci., 1992, v.273, №1-2, p.61-72.

442. Erdohelyi A., Anneser E., Baner Th., Stephan K., Borgmann D., Wedler G. Interaction of carbon dioxide and oxygen on iron films at 273 K. Surf. Sci. 1990, v.227, p.57-66.

443. Landoulsi H.B., Vergnon P. Adsorption de C02 sur Fe203. Influence de la structure et de la taille desparticales. Bui. de la Soc. Chem. de France, 1982, pt.I, №7-8, p.267-272.

444. Ganzmann I., Borgman D., Wedler G. Coadsorption of CO and 02 on Fe II. Calorimetric and termal desorption spectroscopy. Mol. Phys. 1992, v.76, №4, p.823-831.

445. Селвуд П. Магнетохимия. M., ИЛ., 1958, 458с.

446. Кринчик Г.С., Шварцман Р.А., Гущин B.C., Кипнис А.Я. Изменение поверхностных магнитных свойств ферромагнитных металлов при хемосорбции газов.ФТТ, 1974, т. 16, №6, с. 1682-1685.

447. Getzlaff М., Schonhenge G. Magnetic exchange effects on adsorbates on iron Fe(llO) films. Surf. Sci., 1995, v.331-333, ptA, p.213-218.

448. Allan G. Ininerant electron surface magnetism. Surf. Sci. Rep. 1981, v.l, №3, p.121-156.

449. Давыдов С.Ю., Тихонов C.K. Адсорбционные свойства магнетиков. Поверхность. Физ., хим., мех. 1988, №11, с.37-41.

450. Слинкин А.А., Локтев М.И., Рубинштейн A.M. Влияние дисперсности никеля на механизм хемосорбции водорода и кислорода. ДАН СССР, 1972, т.207, №5, с.1169-1172.

451. Bansmann J., Getzlaff М., Westphal С., Schonhence G. Surface hysteresis curves of Fe(llO) and Fe(100) crystals in ultrahigh vacuum evidence of adsorbate influences. J. Magn. and Magn. Mat. 1992, v.l 17, p.38-44.

452. Elmers H.J., Gradmann H. Surface magnetism of oxygen and hydrogen adsorption on Ni(l 11). J.Appl.Phys. 1988, v.63, №8, p.3664-3666.

453. Wu R., Freeman A.J. Magnetic properties of Fe overlayers on W(001) and the effect of oxygen adsorption. Phys.Rev.B., 1992, v.45, №13, p.7532-7535.

454. Кринчик Г.С. Шварцман P.A. Осцилляционное влияние магнитного поля на скорость химической реакции. ЖЭТФ, 1974, т.67, №6(12), с.2326-2334.

455. Кринчик Г.С., Шварцман Р.А., Кипнис А.Я. Осцилляции скорости химической реакции на поверхности никеля в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 19, №7, с.425-429.

456. Thomassen J., May F., Feldmann В., Wuttig M., Ibach H. Magnetic live surface layers in Fe/Cu(100). Phys.Rev.Lett. 1992, v.69, №26, p.3831-3834.

457. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Influence of adsor-ption desorption process on dynamics of 180 - degree domain wall in iron. In "International Conference of Magnetism". Warsaw, Poland, 1994, p.67.

458. Зубов B.E., Кудаков А.Д., Левшин Н.Л., Пилипенко В.В. Влияние адсорбции на динамику 180° доменных границ в приповерхностной области монокристаллов железа. В сб. "Новые магнитные материалы микроэлетроники". Москва, 1994* т.2, с. 19-20.

459. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Influence of adsorption desorption processes on dynamics of 180° domain wall in iron. J. of Magn. and Magn. Mat., 1995. v.140-144, №3 p.1895-1896.

460. Ю.Зубов B.E., Кудаков А.Д., Левшин Н.Л., Пилипенко В.В. Влияние физической адсорбции на магнитные свойства поверхности железа. В сб."Проблемы записи и хранения информации в телерадиовещании" АОВНИИТР, Москва, 1995, с.20-21.

461. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Anomalous influence of physical adsorption on magnetic properties of iron single crystals. In "SMM12 Soft Magnetic Materials Conference", Crakov, Poland, 1995, p.22.

462. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Pilipenko V.V. Anomalous influence of physical adsorption on the magnetic properties of iron single crystals. J. of. Magn. and Magn. Mat., 1996, v. 160, p. 19-20.

463. Зубов В.Е., Кудаков А.Д., Левшин Н.Л., Поляков П.А. Механизмы поверхностной диссипации энергии в движущейся доменной границе в монокристаллах железа. Вестник МГУ, сер.физ.,астр.,2000, №1,с.43-45.

464. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Polyakov P.A. Surface dissipation of energy in moving domain wall. In "Soft Magnetic Materials 14" Balatonfuzed, Hungary, 1999, p.51.

465. Zubov V.E., Kudakov A.D., Levshin N.L., Polyakov P.A. Surface dissipation of energy in moving domain wall. In "Moscow Int.Sym. on Magnetism" Moscow, 1999, p.24-25.

466. Кузьменко С.Н. Приповерхностная структура доменных границ в монокристаллах железа и процессы ее преобразования в магнитном поле. Кандидатская, дис. МГУ, 1991.

467. Brenner S. The grouth of wiskers by the reduction of metal salts. Acta Metal. 1956, v.4, №1, p.62-74.

468. Бережкова Г.В. Нитевидные кристаллы. M., Наука, 1969, 158с.

469. Henrich В., Urguhart К.В., Dutcher J.R., Parcell S.T., Cochan J.F., Arrott A.S., Steigerwald D.A., Egelhoff W.K. Large surface anisotropics in ultrathin films of becandfec Fe (001). J.Appl.Phys. 1988, v.63, №8, p.3863-3868.

470. Jouty M.R., Regis R. Resistance a Toxydation des trichites de FeR. J. de Phys. et le Radium, 1962, v.23, №2, p.125-127.

471. Sewell P.B., Stokbridge C.D., Cohen M. An electrometric and electron diffraction study of air formed oxide films on iron. J. Electrochem. Soc., 1961, v.108,№10, p.933-941.

472. Борман В.Д., Гусев Е.П., Девятко Ю.Н., Лебединский Ю.Ю., Рогожкин С.В., Тронин В.Н., Троян В.И. Кинетика начальной стадии островкового роста оксидной фазы на поверхности металла. Поверхность. Физ., хим., мех. 1990, №8, с.22-30.

473. Huong R., Xiong H., Lu Q., Hsia Y., Liu R., Ji R., Lu.H., Wang L., Xu Y., Fang G. Investigation of the oxide surface layer on fine iron particles. J., Appl. Phys. 1993, v.74, №6, p.L102-L104.

474. Luborsky F.E., Koch E.F., Merelak C.R. Crystallographic orientation and oxidation of submicron whiskers of iron, iron cobalt and cobalt. J.Appl.Phys., 1963, v.34, №9, p.2905-2909.

475. Зубов B.E., Кудаков А.Д., Федулова T.C. Аномальное поверхностное торможение доменной границы в аморфном ферромагнетике. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.71, №1, с.34-37.

476. Кушнир И.П. Движение дислокаций в монокристаллах железа. Кристаллография, 1967, т. 12, №3, с.474-479.

477. Bishop J.E.L. The influence of domain wall bowing on eddy current drag. Phys. Stat. Sol.(a), 1971, v.7, p. 117-124.

478. Поляков П.А. Влияние поверхностной диссипации энергии на динамику доменной границы в ферромагнетике. ФММ, 1995, т.79, №4, с.23-29.

479. Малоземов А., Слонзуски Дж. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. М., Мир, 1982, 382с.

480. Бонч Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1977, 672с.

481. Киселев В.Ф. О роли фононных возбуждений в явлениях фотоадсорбции и фотокатализа на полупроводниках. Кинет, и катализ., 1978, т.19,№5,с.1146- 1151.

482. Stoneham A.M. Non radiative processes in insulators and semiconductors. Phil. Mag., 1977, v.36, №4, p.983-997.

483. Жарких Ю.С., Лысоченко C.B., Гайдар A.B. Влияние неравновесных носителей заряда на адсорбционные процессы на поверхности германия. УФЖ, 1985, т.31, №1, с.117-119.

484. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Левшин Н.Л. Изотопный эффект в кинетике перезарядки медленных поверхностных состояний. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, №9, с.513-515.

485. Козлов С.Н., Левшин Н.Л. Об участии адсорбированных молекул в диссипации энергии, выделившейся при захвате носителей заряда на медленные поверхностные состояния. ФТП, 1980, т.14, №12, с.2377-2380.

486. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Левшин Н.Л. О возбуждении колебательных мод адсорбированных молекул в актах заряжения поверхности полупроводника. ДАН СССР, 1981, т.256, №2, с.411-414.

487. Козлов С.Н., Левшин Н.Л. О влиянии легирования поверхности германия ионами цезия на перезарядку медленных состояний. Изв. вузов, физ., 1984, №1, с.105-108.

488. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Левшин Н.Л. Способ определения содержания молекул в газовой среде. А.С.№1149353 от 08.12.84.

489. Демидович Г.Б., Киселев В.Ф., Левшин Н.Л., Плотников Г.С. Некоторые новые принципы полупроводникового газового анализа. В сб. "Химические сенсоры 89" Л., 1989, т.2, с. 102.

490. Киселев В.Ф., Козлов С.Н. О роли колебательных возбуждеений молекулярной системы в кинетике медленной релаксации заряда на поверхности полупроводника. Вест. МГУ, сер. физ., астр., 1979, т.20, №6, с.56-62.

491. Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М., Мир, 1968, 432с.

492. Ребане К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М., Наука, 1968, 232 с.

493. Повхан Т.Н. Релаксация заряда медленных состояний на поверхности окиси цинка. Ж. научн. и приклад, фотографии и кинематографии, 1974, т. 19, №3, с.221 -223.

494. Kozlov S.N., Levshin N.L. Izotopic effect in the recombination on nonequilibrium charge carriers on the germanium surface. Phys. Stat. Sol.(a), 1984, v.83, p. К 149-K 152.

495. Козлов C.H., Левшин Н.Л. Влияние гидратации в обычной и тяжелой воде на поверхностную рекомбинацию неравновесных носителей заряда. В сб. "Физика поверхностных явлений в полупроводниках". Киев, 1984, т.2, с.8-9.

496. Grinev V.I., Kiselev V.F. On the nature and energy spectrum of surface recombination centres. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.66, p.493-502.

497. Козлов C.H., Левшин н.Л. О возможности электронного возбуждения адсорбированных молекул в актах захвата носителей заряда на адсорбционные поверхностные состояния. Поверхность. Физ., хим., мех. 1986, №2, с. 146-148.

498. Гучик Д., Шеве Е., Шеве И. Активация газов на твердых поверхностях. Проблемы кинетики и катализа. 1970, т. 14, с.67-72.

499. Смирнов Б.М. Физика слабоионизированного газа. М., Наука, 1972, 416с.