Влияние допирования на сверхпроводящие свойства купратов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

Введение.

Глава I. Сверхпроводящие свойства слоистых купратов.

§ 1Л. Кристаллическая структура и электронный энергетический спектр слоистых купратов В128г2Сап1Сип02п+

§, Н§Ва2Сап.1Сип02П+2+ и Т12Ва2Сап.,Сип02п+

§

§ 1.2. Теоретические модели высокотемпературной сверхпроводимости и их экспериментальное обоснование.

§ 1.3. Зависимость сверхпроводящих свойств от допирования в высокотемпературных сверхпроводниках.

§ 1.4. Зависимость параметра порядка от числа Си02 - слоев в сверхпроводящем блоке.

Глава И. Методика измерений вольтамперных характеристик контактов на микротрещине в ВТСП образцах

§ 2.1. Быстродействующая цифровая установка для записи 1(У)-и с11(У)/(1У- характеристик туннельных контактов на микротрещине в

ВТСП образцах.

§ 2.2. Техника приготовления контактов на микротрещине в ВТСП монокристаллах и поликристаллических образцах.

§ 2.3. Экспериментальные методы: туннельная спектроскопия, внутренняя туннельная спектроскопия, андреевская спектроскопия, джозефсоновская спектроскопия.

Глава III. Определение сверхпроводящих параметров В128г2Сап1Сип02п+4+5, Е^Ва2Сап1Сип02п+2+8 и Т12Ва2Сап.1Сип02п+4+з с помощью туннельной, андреевской и джозефсоновской спектроскопии.

§ 3.1. Исследование влияния допирования на сверхпроводящую щель у монокристаллических образцов В128г2„хЬахСи06+5 с помощью андреевской, туннельной и внутренней андреевской спектроскопии.

§ 3.2. Исследование влияния допирования на сверхпроводящую щель у монокристаллических образцов В128г2-хЬахСаСи208+5 с помощью андреевской, туннельной и внутренней туннельной спектроскопии.

§3.3 Микроконтактная и туннельная спектроскопия ВТСП образцов

В1-2223, Т1-2212, Т1-2223 фаз.

§ 3.4 Андреевская спектроскопия поликристаллических образцов

Н£Ва2Си04+5 и ЩВа2СаСи206+

Глава IV. Сравнительный анализ сверхпроводящих свойств соединений В128г2Сап.1Сип02п+4+5,

§Ва2Сап.1Сип02п+2+5 и Т12Ва2Сап.1Сип02п+4+8-

§ 4.1 Скейлинг сверхпроводящей щели Д8 и критической температуры

Тс у дотированных кристаллов В1-2201(Ьа) и В1-2212(Ьа).

§ 4.2. О возможном влиянии протяженной сингулярности ван Хова на ВАХ туннельных контактов на базе В128г2.хЬахСаСи208+б вблизи оптимального допирования.

§ 4.3. Зависимость сверхпроводящей щели Д5 оптимально допированных образцов В128г2Сап.1Сип02п+4+5, 1Н^Ва2Са п-1 Сип02п+2+5 и Т12Ва2Сап1Сип02п+4+8 от числа Си02 слоев в сверхпроводящем блоке

§ 4.4. Возможные механизмы спаривания в высокотемпературных сверхпроводниках В128г2Сап.1Сип02п+4+8 > Ь^Ва2Са п-1Сип02п+

§ И

Т12Ва2Сап. 1 Сип02п+

§.

Выводы.

Высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП), благодаря уникальности своих свойств, являются в настоящее время одними из самых перспективных материалов для использования в различных областях техники. Кроме того, само явление высокотемпературной сверхпроводимости представляет огромный интерес для фундаментальных исследований в физике конденсированного состояния вещества. Существенно более высокие по сравнению с классическими сверхпроводниками значения критической температуры и щелевого параметра, а также большие критические поля и плотности тока в ВТСП дают новые возможности для создания мощных сверхпроводящих магнитов, криоэлектронных приборов, работающих в ИК и СВЧ диапазонах (супергетеродинные приемники, детекторы, смесители, полосковые линии и др.), СКВИДов, микроэлектронных устройств, быстродействующих ЭВМ, сделанных с использованием ВТСП.

Однако ВТСП материалы обычно являются многофазными соединениями с неоднородностями, пористостью, примесями и другими дефектами, что затрудняет как техническое использование ВТСП, так и фундаментальные исследования их свойств, не позволяя однозначным образом решить основную проблему, связанную с высокотемпературной сверхпроводимостью: каков механизм спаривания сверхпроводящих носителей в ВТСП материалах?

Одним из эффективных методов изучения физических свойств сверхпроводящего состояния является изучение туннельных эффектов в контактах между сверхпроводниками. Важную информацию можно получить и из микроконтактных характеристик. Вольтамперные характеристики (ВАХ) контактов в режиме одночастичного туннелирования и микроконтактные характеристики с субгармонической щелевой структурой позволяют с хорошей точностью определить величину щелевого параметра и его зависимость от температуры, магнитного поля и других внешних воздействий.

В настоящее время считается установленным, что в ВТСП соединениях на базе висмута, таллия и ртути: В128г2Сап-1Сип02п+4+5 , Т^ВагСа п-1Сип02п+4+6 И Ь^Ва2Сап.1Сип02п+2+5, сверхпроводимость в элементарной ячейке кристалла сосредоточена в п С11О2 слоях, интеркалированных кальцием. В вышеуказанных семействах ВТСП максимально возможная критическая температура сверхпроводящего перехода Тс opt для фазы с заданным числом С11О2 слоев п достигается подбором избыточной концентрации кислорода 5. Допирование кислородом понижает уровень Ферми в валентной зоне материала, что приводит к росту концентрации дырочных носителей заряда. Отметим в качестве примера, что у сверхпроводящей фазы Bi2Sr2CaiCu208+5 с п = 2 (Bi-2212) критическая температура Тс проходит через максимум при 8opt=0.15-^0.18. Образцы с оптимальной избыточной концентрацией кислорода обычно называют оптимально допированными. Образцы с 5 < 5opt и 5 > S0pt называются соответственно недодопированными и передопированными. В большом числе работ показано, что у оптимально допированных образцов ВТСП критическая температура Тс opt зависит от числа С11О2 слоев п нелинейным образом, причем Tcopt сильно растет с числом слоев при п<3, априп>3 Тс 0р1 начинает медленно понижаться.

В 1999 году Абрикосовым была предложена теоретическая модель, успешно описывающая явление высокотемпературной сверхпроводимости и базирующаяся на фононном механизме спаривания [1]. Согласно Абрикосову высокая критическая температура Тс в ВТСП реализуется благодаря существованию вблизи уровня Ферми протяженной особенности ван Хова с высокой плотностью состояний [1]. В модели Абрикосова основную роль в спаривании играют оптические фононы с малыми волновыми векторами.

Альтернативой фононному спариванию в ВТСП является спаривание на спиновых флуктуациях, амплитуда которых должна быть максимальна вблизи фазового перехода моттовский диэлектрик-сверхпроводник [2]. Сравнительно недавно было предположено, что недодопированные купратные высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) с магнонным спариванием характеризуются двумя щелевыми энергиями Др и As [3]. Существующая в широком температурном интервале Т < Т* большая щель (псевдощель) Др, измеряемая фотоэмиссионной или туннельной спектроскопией, характеризует энергию связи 2 Др куперовских пар, остающихся в некогерентном состоянии при Т>ТС (Тс - критическая температура сверхпроводника). Меньшая щель Д5 (сверхпроводящая щель), измеряемая андреевской или рамановской спектроскопией, определяет минимальную энергию 2Д5 возбуждения сверхпроводящего конденсата при Т < Тс (Тс < Т* в недодопированных образцах). Согласно [3] Д5 меняется с концентрацией дырок р подобно Тс , проходя через максимум при оптимальном допировании. В то же время Ар монотонно растет при р —>• 0 (т. е. при переходе от передопированных образцов к недодотированным).

Из теоретических расчетов следует, что присутствие некогерентных куперовских пар при Т > Тс в купратном сверхпроводнике с магнонным спариванием должно приводить к эффекту андреевского отражения в интерфейсе нормальный металл-купратный сверхпроводник [4]. Экспериментальная проверка этого предсказания на N-8 микроконтактах (золото-УВСО) дала негативный результат [5], что поставило под сомнение общепринятую версию магнонного спаривания в ВТСП.

Очевидно, что сравнительный анализ сверхпроводящих свойств допированных купратов позволит приблизиться к решению задачи о физической природе явления высокотемпературной сверхпроводимости.

Основной задачей настоящей работы являлось сравнительное исследование сверхпроводящих свойств допированных купратных сверхпроводников ВЬ8г2Си06+8 (Вь2201), В128г2СаСи208+5 (Вь2212), а также В128г2Са2Си3Ою+б (Вь2223), Т12Ва2СаСи208+8 (Т1-2212), Т12Ва2Са2Си30ю+8 (Т1-2223), Н§Ва2Си04+5 (Н^-1201) и Н£Ва2СаСи20б+з (Ь^-1212) с помощью туннельной, андреевской и джозефсоновской спектроскопии.

Конкретные задачи диссертационной работы включали:

1. исследование влияния допирования на сверхпроводящую щель в Вь2201(Ьа) с помощью андреевской и туннельной спектроскопии;

2. исследование влияния допирования на сверхпроводящую щель в Вь2212(Ьа) с помощью внутренней туннельной и андреевской спектроскопии;

3. определение сверхпроводящей щели в Вь2223 с помощью туннельной и андреевской спектроскопии;

4. определение сверхпроводящей щели в Т1-2212, Т1-2223, Н^-1201 и Н£-1212 с помощью андреевской спектроскопии;

5. сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими теоретическими моделями высокотемпературной сверхпроводимости.

В результате проведенных исследований:

1. обнаружен скейлинг сверхпроводящей щели и критической температуры в допированных образцах Bi-2201(La) и Bi-2212(La), что является естественным следствием доминирующего вклада электрон-фононного взаимодействия в спаривание носителей заряда в ВТСП;

2. на В АХ стопочных Bi-2212 контактов (j || с) при щелевых смещениях Vgn = 2Дп/е обнаружена резкая щелевая структура, характерная для классических сверхпроводников с изотропым спариванием. У близких к оптимальному допированию образцов купратов с анизотропной щелью подобные ВАХ могут быть следствием сильной анизотропии нормальной плотности состояний из-за присутствия на уровне Ферми протяженной особенности ван Хова. При отходе от оптимального допирования щелевая структура на ВАХ заметно размывается;

3. Обнаружено, что у оптимально допированных образцов Bi-2201(La), Bi -2212 и Bi-2223 фаз при гелиевой температуре щелевой параметр Д с хорошей точностью пропорционален числу сверхпроводящих СиСЬ слоев в сверхпроводящем блоке. Установлено, что критическая температура Тс opt у исследованных фаз не подчиняется этому простому правилу.

4. Обнаружено, что при Т>ТС избыточный ток при нулевом смещении на ВАХ андреевских SNS микроконтактов исчезает, что указывает на отсутствие некогерентных (локальных) куперовских пар в недодопированных Bi-2201(La) и Bi-2212(La) монокристаллах при Т >ТС.

5. Сопоставление результатов, полученных с помощью микроконтактной спектроскопии Hg-1201 и Hg-1212 фаз (один и два СиОг слоя соответственно), с данными других авторов показало, что в данном семействе при оптимальном допировании и гелиевой температуре щелевой параметр А пропорционален числу сверхпроводящих С11О2 слоев в сверхпроводящем блоке. Установлено, что критическая температура Тс opt У исследованных фаз не подчиняется этому простому правилу.

6. Сопоставление результатов, полученных с помощью микроконтактной спектроскопии Т1-2212 и Т1-2223 фаз (два и три С11О2 слоя соответственно), с данными других авторов показало, что в данном семействе при оптимальном допировании и гелиевой температуре щелевой параметр Д пропорционален числу сверхпроводящих С11О2 слоев в сверхпроводящем блоке. Установлено, что критическая температура Тс 0pt У исследованных фаз не подчиняется этому простому правилу.

Практическая ценность полученных в диссертационной работе результатов заключается в том, что они дают существенный вклад в решение вопроса о природе высокотемпературной сверхпроводимости и указывают на широкие потенциальные возможности практических применений ВТСП туннельных структур.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Первая глава содержит краткий литературный обзор по теме исследования, вторая глава - описание экспериментальной установки и метода приготовления контактов на микротрещине (break junction) в ВТСП - образцах. Каждая из следующих двух глав содержит оригинальные результаты, полученные автором.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. В дотированных образцах Bi-2201(La) и Bi-2212(La) обнаружен скейлинг сверхпроводящей щели и критической температуры, что косвенно указывает на фононный механизм спаривания в ВТСП материалах. Отношения 2А/кТс =12 ± 1 для Bi-2201(La) и 2Д/кТс = 7 ± 1 для Bi-2212(La) в первом приближении от допирования не зависят.

2. Установлено, что у оптимально допированных образцов Bi-2201(La), Bi -2212 и Bi-2223 фаз при гелиевой температуре щелевой параметр А с хорошей точностью пропорционален числу сверхпроводящих С1Ю2 слоев в сверхпроводящем блоке. Установлено, что критическая температура Тс opt у исследованных фаз не подчиняется этому простому правилу.

3. Обнаружена резкая щелевая структура на I(V) и <31(У)/ёУ характеристиках стопок джозефсоновских Bi-2212(La) контактов (вблизи оптимального допирования). При учете анизотропии сверхпроводящей щели в ab-плоскости такая форма ВАХ может быть следствием сильной анизотропии нормальной плотности состояний, вызванной существованием сингулярностей ван Хова в Г-М направлениях.

4. Установлено, что сверхпроводящая щель AS(T) обращается в нуль при Т = Тс как у недодопированных, так у передопированных монокристаллов Bi-2201(La) и Bi-2212(La).

5. Обнаружено, что при Т > Тс избыточный ток при нулевом смещении на ВАХ андреевских SNS микроконтактов исчезает, что указывает на отсутствие некогерентных (локальных) куперовских пар в недодопированных Bi-2201(La) и Bi-2212(La) монокристаллах при Т > Тс.

6. У образцов Bi-2201(La) обнаружен внутренний эффект многократных андреевских отражений, являющийся следствием металлизации спейсеров при сильном допировании ВТСП.

7. На вольтамперных характеристиках андреевских микроконтактов в Bi-2223, Tl-2212, Tl-2223, Hg-1201, Hg-1212 фазах обнаружена четкая субгармоническая щелевая структура, возникающая в результате многократных андреевских

1. Ю.А. Изюмов. //Спин-флуктуационный механизм высокотемпературной сверхпроводимости и симметрия параметра порядка// УФН 169, N3, 225-254,1999).

2. G. Deutscher. Nature 397, 410, (1999).

3. Han-Yong Choi, Yunkyu Bang, David K. Campbell.// Andreev reflections in the pseudogap state of cuprate superconductors // Phys. Rev. В 61, 9748, (2000).

4. Y. Dagan, A. Kohen, G. Deutscher, Revcolevschi. // Absence of Andreev reflections and Andreev bound states above the critical temperature// Phys. Rev. В 61, 7012,2000).

5. Z.-X. Shen, D.S. Dessau. // Electronic structure and photoemission studies of late transition-metal oxides Mott insulators and high-temperature superconductors // Physica Reports 253 , 1 -162, (1995)

6. T. Timusk, B. Statt. // The pseudogap in high-temperature superconductors: an experimental survey // Rep. Prog. Phys. 62 , 61-122, (1999)

7. J.L. Tallon, G.V.M. Williams, J.W. Loram. // Factors affecting the optimal design of high-Tc superconductors the pseudogap and critical doping // Physica С 338, 9-17, (2000)

8. Физические свойства ВТСП .// Справочное пособие под ред. А.И. Буздина, В.В.Мощалкова // ВНК "Базис", Москва , том 1 (1990), том 2 (1991)

9. J. М. Harris et al.,// Measurement of an Anisotropic Energy Gap in Single Plane Bi2Sr2-xLaxCu06+ delta// Phys. Rev. Lett., v. 79, № 1, p. 143, (1997)

10. G.M. Zhao, M.B. Hunt, H. Keller, K.A. Mueller // Nature (London) 385 (1997) 236.

11. M.Randeria, J.C. Campuzano // High Tc Superconductors: New Insights from Angle-Resolved Photoemission //cond-mat/9709107, (1997).

12. C. W.Chu , Journal of Superconductivity , v.7, p.1,(1994)

13. Jun Chen et al.// Point-contact tunneling study of HgBa2Cu04+£/e/to : BCS-like gap structure// Phys. Rev.B, v.49, № 5, p. 3683, (1994)

14. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников (под редакцией Д.М. Гинзберга), изд-во "МИР", Москва, 1990.

15. D. S. Dessau et al. // Key features in the measured band structure of Bi2Sr2CaCu2CW,fa : Flat bands at Ep and Fermi surface nesting// Phys.Rev. Lett., 71, 2781 (1993)

16. A. Abrikosov, J. C. Campuzano et al., Physica C, 214, 73, (1993)

17. K. Gofron et al.// Observation of an "extended" Van Hove singularity in YBa2Cu40g by ultrahigh energy resolution angle-resolved photoemission// Phys. Rev. Lett. 73 , 3302-3305, (1994)

18. E. Г. Максимов. //Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. Современное состояние//УФН 170 , 1032-1061, (2000)

19. E.G. Maksimov, P.I. Arseev, N.S. Maslova. //Phonon assisted tunneling in Josephson junctions // Sol. State Comm. Ill, 391-395, (1999)

20. Lanzara, P.V. Bogdanov, X.J. Zhou et al.//Strong electron-phonon coupling in high temperature superconductors // cond-mat/0102227, Feb 2001.

21. Z. X. Shen, A. Lanzara, N. Nagaosa.// Key ingredients for superconductivity in cuprates // cond-mat/0102244, 15 Feb (2001).

22. G.M. Zhao, M.B. Hunt, H. Keller, K.A. Mueller // Nature (London) 385 , 236, (1997).

23. Y. Shina et al., Journ. Phys. Soc. Japan, 64, 2577, (1995)

24. A. Abrikosov et al.// Influence of the nonuniform superconductivity on the upper critical field in the extended saddle-point model// Phys. Rev. B, 63, 224506, (2001)

25. A. Abrikosov // Fine structure of the neutron maximum in high-temperature superconducting cuprates // Phys. Rev. B, 62, № 22, 15156 (2000).

26. A.W. McConnell, B.P. Clayman et al. // Phonon screening in high-temperaturesuperconductors // Phys. Rev. Lett. 84, 5391-5394, (2000).

27. B. Combescot, X. Leyronas, cond-mat/0006296, 20 Jun, (2000)

28. A. Abrikosov // Possible explanation of the pseudogap in high-temperature cuprates// Phys. Rev. B, 63, 134518, (2001)

29. A. Abrikosov, Physica C, 317-318, 154-174 (1999)

30. P. Monthoux, D. Pines. //YBa2Cu307: a nearly antiferromagnetic Fermi liquid et al. //Phys. Rev. B,v. 47 , p. 6069, (1993)

31. Byczuk et al.// Transition temperature and a spatial dependence of the superconducting gap for multilayer high-temperature superconductors// Phys. Rev. B, v. 53, №2,p.R518, (1996)

32. Jin-Ho Chou et al., Science , v. 280, p. 1589,(1998)

33. D. Pines.// Spin fluctuations and dx2-y2 pairing in the high temperature superconductors// Turkish Journ. Phys., v. 20, N 6, p. 535, (1996).

34. M. Suzuki, K. Tanabe. //Influence of the nonequilibrium superconductivity effect on the quasiparticle current-voltage characteristics of intrinsic tunnel Josephson junctions//Jap. J. Appl. Phys., v. 35, p. L482, (1996).

35. Yu.S. Barash, A.V. Galaktionov, A.D. Zaikin.//Charge transport injunctions between d-wave superconductors // Phys. Rev. B, v. 52, N 1, p. 665, (1995).

36. А. А. Абрикосов // Основы теории металлов // Москва, "Наука", (1987)

37. Э.А. Пашицкий, В.И. Пентегов.// О природе анизотропной структуры щели в высокотемпературных сверхпроводниках: конкуренция между s- и d- типами симметрии// ЖЭТФ, т. 111, стр. 298, (1997)

38. Shen et al.// Anomalously large gap anisotropy in the a-b plane of Bi2Sr2CaCu208+ dei,„ //Phys. Rev. Lett. 70, 1553, (1993)

39. N. Nagaosa.// Superconductivity and antiferromagnetism in high-Tc cuprats// Science,v. 275, p. 1078,(1997).

40. A.G. Sun, D.A. Gaiewski, M.B. Maple, R.C. Dynes.// Observation of pair tunneling between a high-Tc cuprate УВагСизОу and a conventional superconductor (Pb)// Phys. Rev. Lett., v. 72, p. 2267, (1994).

41. J. Lesueur, M. Aprili, A. Goulon, T.J. Horton, L. Dumoulin.// Josephson effect in YBa2Cu307/I/Pb junctions// Phys. Rev. B, v. 55, N 6, p. R3398, (1997).

42. Ding et al.// Angle-resolved photoemission spectroscopy study of the superconducting gap anisotropy in Bi2Sr2CaCu208+;c //Phys. Rev. B, 54, R9678, (1996)

43. G. Deutscher. //Electronic properties of the superconducting cuprates// Current Opinion in Solid State & Materials Science, v. 1, 1996, p. 37, (1996).

44. S. Chakravarty, A. Sudbo, P.W. Anderson, S. Strong. //Interlayer tunneling and gap anisotropy in high- temperature superconductors// Science,v. 261, p. 337, (1993).

45. Lanzara, P.V. Bogdanov, X.J. Zhou et al. Strong electron-phonon coupling in high temperature superconductors // cond-mat/0102227, Feb (2001).

46. Ma et al., Science, 267, 862, (1995)

47. S. Liu, R. Klemm// Surface state effects in high-T^ superconductors// Phys. Rev. Lett., 73, 1019,(1994)

48. L.Ozyuzer et al., Int. J. Mod. Phys. B, 13, 3721 (1999)

49. N. Miyakawa et al.// Strong Dependence of the Superconducting Gap on Oxygen Doping from Tunneling Measurements on Bi2Sr2CaCu208 // Phys. Rev. Lett. 80, 157, (1998)

50. N. Miyakawa et al.// Predominantly Superconducting Origin of Large Energy Gaps in Underdoped Bi2Sr2CaCu208 from Tunneling Spectroscopy// Phys. Rev. Lett. 83, 1018,(1999)

51. Ch. Renner et al.// Pseudogap Precursor of the Superconducting Gap in Under- and Overdoped Bi2Sr2CaCu208 // Phys. Rev. Lett., 80, 149, (1998)

52. J. Harris et al.// Anomalous superconducting state gap size versus Tc behavior in underdoped Bi2Sr2Cai.xDy.vCu208+^/to //Phys. Rev. B, 54, R15665 (1996)

53. J. Liu et al.// Intrinsic features of Bi2Sr2CaCu208+ delta tunneling spectra: Scaling and symmetry of the energy gap// Phys. Rev. B, 49, 6234 (1994)

54. Sugai et al.// Relation between the Superconducting Gap Energy and the Two-Magnon Raman Peak Energy in Bi2Sr2Ca!^YxCu208 // Phys. Rev. Lett., 85, 1112, (2000)

55. M. Opel et al.// Carrier relaxation, pseudogap, and superconducting gap in high-rc cuprates: A Raman scattering study// Phys. Rev. B, 61, 9752, (2000)

56. K.C. Hewitt et al.// Doping dependence of the superconducting gap in

57. Bi2Sr2CaCu208+i/e/,a//cond-mat/0012413, 21Dec. (2000)

58. M. Machida et al.// Dynamical Breaking of Charge Neutrality in Intrinsic Josephson Junctions: Common Origin for Microwave Resonant Absorptions and Multiple-Branch Structures in the /-FCharacteristics.//Phys. Rev. Lett., 83, 4618. (1999)

59. J. Harris et al.// Measurement of an Anisotropic Energy Gap in Single Plane Bi2Sr2.xLaxCu06, // Phys. Rev. Lett., v. 79, № 1, p. 143,(1997)

60. J.F. Zasadzinski et al., J. Phys. Chem. Solids , v.53, № 12,p. 1635,(1992)

61. K. Mizuno et al., Appl. Phys. Lett.,v. 56,№15, p. 1469,(1990)

62. T. Matsumoto et al., Physica C ,v. 198 , p.273, (1992)

63. S. H. Pan et al.// Vacuum tunneling of superconducting quasiparticles from atomically sharp scanning tunneling microscope tips// Applied Physics Letters, v.73, n. 20, (2000)

64. L.Ozyuzer et al.// Tunneling spectroscopy of heavily underdoped crystals of Bi2Sr2CaCu208+5 // Physica C, 341-348, 927-928, (2000)

65. Zhe Zhang et al.// Measurement of the energy gap in oxygen-annealed Bi2Sr2CaCu208+ delta high-7^ superconductors by tunneling spectroscopy// Phys.Rev. B, 47,3423,(1993)

66. L. Wolf et al., Solid State Communications, v.77,p.519-523, (1991)

67. H.J.Tao et al.// Electron tunneling spectroscopy of single-crystal Bi2Sr2CaCu208 //Phys. Rev. B, 45, 10622-10632,(1992)

68. T. Matsumoto et al.// Temperature-dependent tunneling spectra of Bi2Sr2CaCu20s single crystals with well-defined Bi2Sr2Cu06 epitaxial layers// Phys. Rev. B, 52, 591, (1995)

69. H. Hancotte et al.//Superconducting order parameter in partially substituted Bi2Sr2CaCu208+x single crystals as measured by the tunneling effect // Phys. Rev. B, 55, R3410-R3413, (1997)

70. Norman et al.// Phenomenology of the low-energy spectral function in high-TV superconductors// Phys. Rev. B, 57, R11093, (1998)

71. R. Mueller et al.// Fermi surface and superconducting gap of triple-layered Bi2Sr2Ca2Cu3Oio+ delta//cond-mat/0110523, (2001)

72. Zasadzinski et al.//J. Appl. Phys. ,79(10), p. 7843,(1996)

73. Jun Chen et al.// Point-contact tunneling study of HgBa2Cu04+ delta '■ BCS-like gap structure// Phys. Rev.B, v.49, № 5, p. 3683 ,(1994)

74. L.F. Rybaltchenko et al., Physica B, 218, p. 220-223,(1996)

75. G.T. Jeong et al.// Energy gap of the high-rc superconductor HgBaoCaiCAijO.v delta determined by point-contact spectroscopy// Phys. Rev.B, v.49 ,№21, p. 15416,(1994)

76. J.Y.T. Wei et al.// Quasiparticle tunneling spectra of the high-T^ mercury cuprates: Implications of the d-wave two-dimensional van Hove scenario// Phys. Rev.B, v.57, № 6, p. 3650, (1998)

77. Tsai J S et al, Physica C, 162-164, 1133, (1989); L. Ozyuzer et al., Physica C 320, 920 (1999); D. S. Ginley et al., Appl. Phys. Lett., v.55, n.14, pp 1463-65, (1989); I. Takeuchi et al., Physica C 158, 83-87, (1989)

78. R.C. Dynes, J.P. Garno, G.B. Hertel, T.P. Orlando .// Tunneling study of superconductivity near the metal- insulator transition // Phys. Rev. Lett., v. 53, p. 2437,(1984).

79. J.R. Kirtley. //Tunneling measurements of the energy gap in high-Tc superconductors// Intern. Journ. of Mod. Phys. B, v. 4, p. 201, (1990).

80. M. Itoh et al. // Current-voltage characteristics of intrinsic Josephson-junction stacks and an unconventional temperature dependence of the magnitude of the order parameter// Phys. Rev. B, v. 55 , p. 12001 , (1997)

81. K. Tanabe et al. II Observation of both pair and quasiparticle tunneling in intrinsic junction stacks fabricated on Bi2Sr2CaCu20g+ delta single crystals // Phys. Rev. B, v. 53 , p. 9348,(1996)

82. S. Tanaka et al. // Journ. Phys. Soc. Jap., v. 65 ,p. 2212 , (1996)

83. M. Oda et al.// STM images of a superconducting Cu-0 plane and the corresponding tunneling spectrum in Bi2Sr2CaCu20§+ delta H Phys. Rev. B, v. 53, p. 2253, (1996)

84. Bozovic et al.// Appl. Surf. Science, v. 113/114, p. 189, (1997)

85. Bozovic et al. // Physica C, v. 235-240, p. 178, (1994)

86. R.G. Dynes et al. // Observation of Josephson pair tunneling between a high-Tc cuprate (YBa2Cu307. delta ) and a conventional superconductor (Pb) // Phys. Rev. Lett.,v.72, p.2267, (1994)

87. A.G. Sun, R.C. Dynes et al. // Direction of tunneling in Pb///YBa2Cu307.;r tunneljunctions// Phys. Rev. B, v.54, p.6734, ( 1996)

88. G. Varelogiannis.//Small-q electron-phonon scattering in all crystalline 'unconventional' superconductors // Physica С 317-318 , 238-251, (1999).

89. Ondrej Sipr et al. // J.of Low Temperature, v. 106, № 3/4, p.317, (1997)

90. А. Ф. Андреев // ЖЭТФ, 46, 1823, (1964)

91. M. Klapwijk et al.// Physica 109-110 В, 1657,(1982)

92. P. Devereaux, P. Fulde// Multiple Andreev scattering in superconductor-normal metal-superconductor junctions as a test for anisotropic electron pairing// Phys. Rev. B, v. 47, №21, p. 14638,(1993)

93. U. Zimmerman et al. // Z. Phys. B, 87, 275, (1992)

94. U. Zimmerman et al. // Z. Phys. В, 97, 59-66, (1995)

95. Magnus Hurd et al.// Phys. Rev. В, v. 54, №9, p. 53, (1996)

96. К. E. Gray //Mod. Phys. Lett. B2, 1125 (1988)

97. U. Zimmerman et al.// Condensed Matter 87,275-279(1992)

98. Yurgens, D. Winkler, T. Claeson, N.V. Zavaritsky.// In situ controlled fabrication of stacks of high-Tc intrinsic Josephson junctions// Appl. Phys. Lett., v. 70, p. 1760, (1997)

99. A. Yurgens, D. Winkler, N.V. Zavaritsky, T. Claeson.// Strong temperature dependence of the c-axis gap parameter of Bi2Sr2CaiCu208 intrinsic Josephson junctions // Phys. Rev. B, v. 53, p. R8887, (1996).

100. R. Kleiner, F. Steinmeyer, G. Kunkel, P. Muller. //Intrinsic Josephson effects in Bi2Sr2CaiCu208 single crystals// Phys. Rev. Lett., v. 68, p. 2394 R, (1992).

101. R. Kleiner, P. Muller, H. Kohlstedt, N.F. Pedersen, S. Sakai.// Dynamic behavior of Josephson-coupled layered structures// Phys. Rev. B, v. 50, p. 3942, (1994)

102. А. Бароне, Дж. Патерно. Эффект Джозефсона, "Мир", Москва, (1984).

103. В. Aminov et al. // Quasiparticle current in ballistic constrictions with finite transparencies of interfaces// Phys. Rev. B, v.53, №1 ,p.365, (1996)

104. D. Munzar et al., Journal of Low Temperature Physics, v 117, Nos 5/6, (1999)