Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Список сокращений.

Введение

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Краткое описание процессов, протекающих в веществе под влиянием радиационного излучения, ультразвука, плазмы.

1.1.1. Воздействие радиационного излучения на кристаллы.

1.1.2. Физические основы активного воздействия ультразвука

1.1.3. Плазмохимические процессы.

1.2. Электрогидравлический удар как интегральный вид экстремального воздействия.

1.2.1. Основные аспекты электрогидравйического удара.

1.2.2. Электрические параметры разряда

1.2.3. Образование ударных волн.

1.2.4. Кавитационные явления.

1.2.5. Плазма разряда, ее свечение.

1.3. Изделия знакосинтезирующей электроники: особенности конструкции и применения.

1.3.1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы.

1.3.2. Жидкокристаллические индикаторы.

1.3.3. Общие конструктивные особенности изделий знакосинтезирующей электроники.

1.4. Выводы к главе 1.

Глава 2. Экспериментальная часть. Оборудование и методы исследования

2.1. Установка электрогидравлического удара.

2.1.1. Моделирование процессов в рабочем контуре установки

2.1.2. Схема и принцип работы установки.

2.2. Установка анализа атмосферы вакуумно-люминесцентных индикаторов.

2.3. Другое исследовательское оборудование, приборы и установки

2.4. Выводы к главе 2.

Глава 3. Экстремальные воздействия на поверхность электродных плат индикаторов и нанесенных полупроводниковых, диэлектрических и токопроводящих слоев.

3.1. Поверхность диэлектрических стеклянных электродных плат индикаторов.

3.1.1. Очистка поверхности стеклянных плат.

3.1.2. Стеклянные электродные платы жидкокристаллических индикаторов.

3.2. Диэлектрические пленки полиимидов.

3.2.1. Плазмохимическое воздействие на диэлектрические пленки полиимидов.

3.2.2. Ультрафиолетовое облучение диэлектрических полиимидных пленок.

3.3. Многокомпонентные пленочные системы «полупроводник -диэлектрик - токопроводящее покрытие».

3.3.1. Адгезионное взаимодействие в системе «ванадий -алюминий - стеклянная подложка».

3.3.2. Кинетическая устойчивость и структура пленок алюминия.

3.3.3. Пленочная система «силикатное стекло — алюминий - серебро».

3.3.4. Пленочная система «силикатное стекло алюминий - монооксид германия - люминофор».

3.3.5. Причина утечек в толстопленочных диэлектрических слоях.

3.4. Воздействие электрогидравлического удара на фоторезист.

3.5. Ультразвуковое воздействие на расплавы в капилляре электродных плат.

3.6. Использование электрогидравлического эффекта для обработки растворителей, применяемых в очистке поверхности компонентов индикатора.

3.7. Выводы к главе 3.

Глава 4. Влияние экстремальных воздействий на порошковые диэлектрические композиции изделий знакосинтезирующей электроники.

4.1. Калибраторы межэлектродных зазоров.

4.2. Порошковые наполнители для герметиков электродных плат индикаторов.

4.2.1. Цементы.

4.2.2. Вяжущие композиты на основе системы Са0-8Ю2-Н20.

4.2.3. Низкоплавкие стеклопорошки паст трафаретного нанесения.

4.3. Выводы к главе 4.

Глава 5. Экстремальные воздействия на активные материалы в вакуумно-люминесцентных индикаторах.

5.1. Некоторые конструктивно-технологические принципы изготовления вакуумно-люминесцентных индикаторов.

5.2. Остаточная атмосфера в вакуумно-люминесцентных индикаторах.

5.3. Анализ остаточной атмосферы в камере магнетронного распыления 1ТО-пленок.

5.4. Влияние экстремальных воздействий на параметры люминофора.

5.5. Влияние экстремальных воздействий на характеристики оксидного катода.

5.5. Выводы к главе 5.

Актуальность темы исследования. Развивающиеся в России рыночные отношения приводят не только к перестройке системы управления промышленностью, но и к поиску новых, часто нетрадиционных путей совершенствования материальной базы и технологии производств различных изделий, в том числе, и для нужд электронной техники.

На рубеже Х1Х-ХХ вв. крупнейшие открытия в области физики и химии, появление принципиально новой экспериментальной техники и исследовательской базы способствовали возникновению нетрадиционных научных направлений, относящихся к радиационной физике, плазмохимии, воздействию на вещество мощных электромагнитных и механических полей, сверхвысоких давлений и температур и т.д.

Как отмечалось в [1], «.если рассматривать все эти типы воздействия с позиции взаимодействия вещества с элементарными частицами или полем (понимая его расширенно как непрерывную среду - носитель какого-либо вида энергии), то все их многообразие можно представить в виде «блоков», объединенных в общем научном направлении под названием «Физика и химия экстремальных воздействий».

Конечно, такое деление по одному макроскопическому свойству достаточно условно, так как «блоки» часто содержат в себе условия воздействия соседних «блоков» (например, ультразвуковые (УЗ) колебания сопровождаются возникновением электромагнитных полей, а высокие давления - сильным механическим сжатием и т.д.). Тем не менее, в экспериментах можно целенаправленно выделить одну или несколько доминирующих составляющих экстремального воздействия, которые могут радикально изменить физико-химические свойства и технические характеристики материала.

Несмотря на различные механизмы передачи энергии молекулам и атомам вещества (соударения частиц вещества со сверхтепловыми скоростями; неупругое взаимодействие с электронами, ионами, нейтронами; поглощение и рассеяние фотонов; взаимодействие с сильными электрическими и магнитными полями, ядерные реакции и т.д.) общим критерием экстремальности воздействия может служить образование промежуточных высокоактивных состояний частиц вещества, что в итоге приводит к качественному изменению микро- и макрохарактеристик обрабатываемого объекта, появлению новых свойств [2].

В вязи с этим целью работы явилось установление механизмов изменений физических и физико-химических свойств полупроводниковых, диэлектрических и токопроводящих материалов и компонентов изделий знакосин-тезирующей электроники под влиянием электрогидравлического удара (ЭГУ) и других экстремальных физических воздействий (плазменная, ультразвуковая, у-обработка).

Учитывая, что внутренняя (внутриламповая) газовая атмосфера оказывает принципиальное воздействие на параметры приборов и может существенно повлиять на обсуждение экспериментальных данных, в работе также уделено внимание вопросам газоотделения.

Поэтому в задачу исследований входило:

1) разработка теоретических аспектов и исследование механизмов воздействия электрогидравлического удара как интегрального эффекта (механическая, ультразвуковая, плазменная, ультрафиолетовая составляющие) на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинте-зирующей электроники;

2) создание высокоэффективного экспериментального оборудования, прежде всего, для реализации эффекта электрогидравлического удара и исследования внутриламповой атмосферы изделий знакосинтезирующей электроники;

3) осуществление комплексных экстремальных воздействий на полупроводниковые, диэлектрические и токопроводящие компоненты индикаторов (монооксид германия, диэлектрические пасты и герметики, люминофоры, покрытие оксидного катода, поверхность стекла электродной платы, диэлектрические ориентирующие полиимидные композиции, диэлектрические калибраторы и т.д.);

4) анализ газовыделения в вакуумно-люминесцентных и жидкокристаллических индикаторах (до и после интенсивной обработки), как основного фактора, влияющего на конечные параметры приборов в целом;

5) внедрение результатов работы в производство изделий знакосинтези-рующей электроники и учебный процесс университета.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1) динамика напряжения [У во внешнем контуре установки электрогидравлического удара определяется состоянием низкотемпературной плазмы в канале электрического разряда в жидкости, что позволяет связать наблюдаемую переменную и с характеристиками электрогидравлического воздействия (давлением на фронте ударной волны, поперечным сечением канала разряда, температурой и концентрацией частиц);

2) экспериментально установленные закономерности изменения физических характеристик и технических параметров (величины адгезии, состояния поверхности, электрических и ориентационных свойств, гранулометрического состава и т.д.) полупроводниковых, диэлектрических и токопроводящих материалов и компонентов изделий знакосинтезирующей электроники под действием электрогидравлического удара согласуются с результатами их обработки плазмой, ультразвуком, ультрафиолетовым, а также у -излучением;

3) в результате механико-эрозионного воздействия кавитирующего расплава металла или диэлектрика на поверхность торцов капилляра (величина зазора сравнима с характерными размерами кавитационных пузырьков - до 40 мкм) электродных плат индикаторов в интенсивном ультразвуковом поле (как составляющей электрогидравлического удара) происходит введение расплава в капилляр с достижением молекулярного контакта между последним и поверхностными слоями электродной платы;

4) в пленочной системе «диэлектрик/полупроводник ОеОЛле - металл А1» наблюдается эффект рекристаллизации а-ве на поверхности пленки алюминия (при температуре ниже эвтектической для системы Al-Ge), обусловленный контактным плавлением в зоне гетерограницы в ходе экзотермической реакции восстановления алюминием германия из его диоксида. Выделяющийся в пленочной системе a -Ge приводит к снижению ее устойчивости, прогрессирующему под действием электрогидравлического удара.

Достоверность полученных результатов достигается использованием современного научно-исследовательского оборудования, применением для расчетов и анализа статистических методов и компьютерной техники, реальными испытаниями изделий в условиях мало- и крупносерийного производства индикаторов и их отдельных узлов, в частности, на ОАО «Рефлектор» и в НИИ «Волга».

Таким образом, научная новизна работы состоит в том, что впервые в прикладной физике полупроводников и диэлектриков применительно к изделиям знакосинтезирующей электроники комплексно рассмотрено влияние эффекта электрогидравлического удара, а также приводятся данные по влиянию других экстремальных физических воздействий (плазменная, ультразвуковая, ультрафиолетовая и у -обработка) на характеристики исследуемых полупроводниковых и диэлектрических материалов и компонентов.

При этом необходимо отметить, что электрогидравлический эффект в данном контексте работы вообще не рассматривался и литературных данных по этому вопросу практически нет. Важным, на наш взгляд, является и то обстоятельство, что в работе приведена разработанная достаточно унифицированная и универсальная установка электрогидравлического удара, создающая предпосылки для проведения дальнейших исследований влияния данного эффекта на физико-химические свойства различных материалов.

Систематизирован имеющийся теоретический и полученный в ходе исследований экспериментальный материал по остаточной внутриламповой атмосфере в индикаторных приборах, поскольку сведения о ее составе и динамике носят фрагментарный характер.

Практическая значимость работы определяется внедрением результатов в производство индикаторов на ОАО «Рефлектор», в НИИ знакосинтези-рующей электроники «Волга», учебный процесс кафедры технической химии Саратовского государственного университета [4, 5], о чем имеются соответствующие акты внедрения.

Личный вклад автора определяется его непосредственным участием в проведении экспериментов, разработкой экспериментального оборудования, математической обработкой и обсуждением полученных данных, написанием соответствующих разделов в коллективной монографии и публикациях выступлениями на конференциях различного уровня.

Говоря об апробации работы, необходимо отметить следующее. Результаты диссертации были доложены на конференциях различного уровня, в ча-th стности, на 4 International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering, Novosibirsk, 1998; II Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии», Саратов, 1999; Международной конференции «Современные технологии в образовании и науке. Высшая школа-99», Саратов, 1999; VIII International Symposium on Advanced Display Technologies, Noviy Svit, Ukraine, 1999.

По представленной диссертации опубликовано: коллективная монография*, 7 статей, 1 депонированная рукопись и 6 тезисов докладов, ссылки на которые приведены в работе.

Объем и структура диссертации: диссертация состоит из введения, литературного обзора, четырех глав основного текста, выводов, изложена на 220 листах машинописного текста, содержит 64 рисунка, 23 таблицы, приложения; список литературы включает 112 наименований.

ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Проведено математическое моделирование процессов в рабочем контуре установки ЭТУ на базе теории образования низкотемпературной плазмы при электрическом разряде в жидкости. Показана высокая степень соответствия результатов численного и натурного экспериментов.

2. Разработана и изготовлена экспериментальная установка электрогидравлического удара типа ТХ-20,0-9, обеспечивающая плавное изменение рабочего напряжение 0.40 кВ, разрядный ток 10.150 кА, частоту следования импульсов 0,1. 10 Гц при длительности 0,3.2 мкс\ снабженная электро- и рентгеновской защитой, сервисным блоком, возможностью подключения различных по конструкции рабочих камер. Особенностью установки является ее компактность и безопасность, основанные на применении оригинальных по конструкции блоков питания и управления.

3. Экспериментально установлено, что обработка карбонатных покрытий оксидного катода УЗ, электрогидравлическим ударом или у-излучением приводит к изменению их гранулометрического состава в сторону уменьшения с одновременным повышением однородности и пористости. На примере вакуумно-люминесцентных индикаторов (с прямонакальными оксидными катодами), изготовленных на люминофорах (марки К-56 и КС-505-3), предварительно подвергнутых указанным выше обработкам, показано, что диаграмма распределения свечения люминофора имеет более «острый» вид и смещается (на 20.30 %) в сторону увеличения интенсивности (яркости) свечения индикатора. При этом использовались следующие интенсивности воздействий: у-излучение с энергией кванта 1,8 МэВ при дозе 1,2-104 Гр; УЗ поле мощностью 100. 110 Вт с частотой 200.250 кГц; ЭГУ с напряжением 17. .20 кВ при 40. .50 импульсах.

4. Методами Оже-спектроскопии и рентгеноструктурного анализа показано, что при прочих равных условиях, величина адгезии в системе «металлическая пленка - ванадий - стеклянная диэлектрическая подложка» определяется не взаимодействием металла со стеклянной матрицей, а пленкой V и его полупроводниковыми и диэлектрическими окислами У203, У2С>5 с механически непрочными продуктами коррозии стекла. Экстремальные (ЭГУ, УЗ, плазменная обработка) воздействия на поверхность стекла электродной платы нарушают устойчивость металлизированных пленок и приводят к частичному или полному их отслоению и разрушению.

5. При воздействии низкотемпературной плазмы на диэлектрические ориентирующие жидкий кристалл полиимидные пленки наблюдается четыре фазы изменения угла преднаклона 60: монотонный участок с 60= О.Ю0 с реализацией «зернистой» текстуры; область разориентации с возникновением гомеотроной фазы ориентации в области существующей гомогенной; участок гомеотропной ориентации с 0О= 90° и область «разрыва сплошности», связанная с физической деструкцией полимера. Механизм определяется взаимодействием фторуглеродных радикалов с полиимидом.

6. Предложен механизм введения расплава металла или диэлектрика в капилляр (величина зазора которого сравнима с характерными размерами ка-витационных пузырьков - до 40 мкм) электродных плат индикаторов в сильном УЗ поле (мощностью до 100 Вт), основанный на: проявлении механико-эрозионного воздействия кавитирующего расплава на поверхность торцов капилляра с разрушением и удалением естественных загрязнений, возникновении принужденной адсорбции расплава к поверхности и улучшении смачиваемости; стимулированном проникновении расплава в объем капилляра за счет акустического течения, ударных волн и образующихся захлопывю-щихся газовых пузырьков (высокоскоростных кумулятивных струй расплава, направленных в капилляр); достижении молекулярного контакта между расплавом диэлектрика или металла с поверхностными слоями за счет самофлюсования, полного удаления загрязнений, различных диэлектрических и других технологических слоев. Процесс имеет граничные условия, связанные с природой расплава и состоянием поверхностей капилляра. При значительных мощностях УЗ поля наблюдается разрушение самого капилляра.

7. Эффект контактного плавления в пленочной системе «диэлектрик/полупроводник - металл» - Ое(М}е-А1 (при температурах ниже эвтектической) объясняется локальным тепловыделением вследствие протекания реакции восстановления алюминием германия из его диоксида на границе контактирующих фаз. При этом рекристаллизация а -ве, возникшего при фазовом распаде веО, на поверхности пленки А1 и в ее объеме имеет разные жидкофазные механизмы. При увеличении времени термообработки и, особенно, при воздействии ЭГУ в системе ОеО-А1 происходят изменения, связанные с: перемещением границы выделений поликристаллического германия по внешней поверхности пленки А1; появлением через 40.60 мин кристаллического ве на внутренней, обращенной к стеклянной подложке электродной платы, стороне пленки алюминия.

8. В акуумно-люминесцентные индикаторы из опытной партии, изготовленной на хром- и алюмофосфатных диэлектрических цементах с применением предварительной ЭГУ обработки, не показали токов утечки в результате их длительных климатических испытаний и ухудшения крепления навесной арматуры из стали.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На примере большого числа полупроводниковых, диэлектрических и токопроводящих материалов и компонентов, используемых в производстве изделий знакосинтезирующей электроники, показана высокая эффективность применения электрогидравлического удара, а также других видов интенсивной обработки (часть из которых могут рассматриваться как составляющие ЭГУ - ультразвук, плазма, ультрафиолет) для направленного изменения физико-химических свойств и технических параметров обрабатываемых объектов (см. табл.).

Учитывая большое влияние внутренней атмосферы вакуумно-люминесцентного индикатора на его характеристики, особое внимание в работе уделяется вопросам газоотделения, в том числе исследованиям динамики внутриламповой атмосферы после интенсивной обработки материалов и компонентов, использованных при создании индикатора.

К сожалению, широкий круг затрагиваемых в работе проблем не позволяет дать исчерпывающую информацию по каждой их них, этим объясняется то, что ряд исследований носит предварительный характер и будет развит в дальнейшем.

Экстремальные воздействия как фактор изменения физико-химических свойств полупроводниковых, диэлектрических и токопроводящих материалов и композитов, применяемых в производстве изделий знакосинтезирующей электроники

Материал (композит) Физико-химические свойства

Экстремальное воздействие у-излучение ЭГУ УЗ Плазма УФ

Оксидный катод Структура, состояние поверхности, электрические параметры, газоотделение

Полиимидный композит Состояние поверхности Ориентирующие свойства Хим.строение

Калибраторы (диэлектрики) Изменение дисперсности Поверхность/ дисперсность Чистота поверхности

Люминофор Структура, газоотделение

Стекло электродн. платы Структура, газоотделение, состояние поверхности

Стекло низкоплавкое Оптимизация технологии варки и помола

Вода (диэлектрик) Физико-химические и технические параметры

Фоторезист Хим. строение Хим. строение

Цементы Структура, отверждение, газоотделение

Монооксид германия Структура, состояние поверхности, хим. состав

Ванадий, оксиды ванадия Структура, химический состав

1. Булычев Б.М., Цоломатов М.Ю. От составителей // Журнал Всесоюзного хим. об-ва. 1990. - Т. 35, № 5. - С. 531.

2. Бугаенко Л.Т. Способы передачи энергии в химии экстремальных воздействий // Журнал Всесоюзного хим. об-ва. 1990. - Т. 35, № 5. - С. 532-533.

3. Наугольных К.А., Рой H.A. Электрические разряды в воде (гидродинамическое описание). -М.: Наука, 1971. 155 с.

4. Севостъянов В.П., Ракитин С.А. Математическое моделирование в курсе «Общей химической технологии» // Межд. конф. «Современные технологии в образовании и науке. Высшая школа-99». Саратов, 14-16 сент. 1999: Сборник докл. Саратов: СГТУ, 1999. - С. 45.

5. Чесноков Б.П. Исследование физико-химических свойств электровакуумных материалов под воздействием гамма-излучения. Дис. . канд. хим. наук. Саратов: СГУ, 1994. 178 с.

6. Абрамов О.В., Хорбенко И.Г., Швегла Ш. Ультразвуковая обработка материалов / Под ред. О.В. Абрамова. М.: Машиностроение, 1984. - 280 с.

7. Крапивина С.А. Плазмохимические технологические процессы. Л.: Химия, 1981.-248 с.

8. Лейпунский О.И., Новожилов Б.В., Сахаров В.Н. Распространение гамма-квантов в веществе. М.: Физматгиз, 1960. - 208 с.

9. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. - 336 с.

10. Бергман Л. Ультразвук и его применение в науке и технике. М.: Иностр. лит., 1957. - 727 с.

11. Физические основы ультразвуковой технологии / Под ред. Л.Д. Ро-зенберга. М.: Наука, 1970. - 687 с.

12. Артамонов А.Г., Володин В.М., Авдеев В.Г. Математическое моделирование и оптимизация плазмохимических процессов. М.: Химия, 1989. -224 с.

13. Юткин Л.А. Электрогидравлический эффект и его применение в промышленности. Л.: Машиностроение, 1986. - 253 с.

14. Юткин Л.А. Новое в электрофизической и электрохимической обработке. М., Л.: Машиностроение, 1966. - С. 249-270.

15. Гулый Г.А. Электрогидравлический эффект и его применение. М.: Машиностроение, 1981.-С. 153.

16. Несветайлов Г.А., Серебряков В.А. Теория и практика электрогидравлического эффекта. Минск: ИНТИП, 1966. - 36 с.

17. Иванов В.В., Швец И.С., Иванов A.B. Подводные искровые разряды. -Киев: Наукова думка, 1982. 190 с.

18. Мержиевский JI.A. Ударные волны в конденсированных средах. -Новосибирск, 1982. 83 с.

19. Севостьянов В.П., Ракитин С.А. Экстремальные физические воздействия в технологии производства изделий знакосинтезирующей электроники. Саратов: Изд-во СГАП, 1999. - 240 с.

20. Маргулис М.А. Звукохимия новая перспективная область химической технологии // Журнал Всесоюзного хим. об-ва. 1990. - Т. 35, № 5. - С. 579-586.

21. Маргулис М.А. Исследование электрических явлений, связанных с кавитацией // Журнал физ. химии. 1985. - Т. 59, № 6. - С. 1497-1503.

22. Импульсное сжатие газов / Под ред. Ю.А. Колбановского. М.: Наука, 1982.-240 с.

23. Зельдович Я.Б., Райзер Ю.П. Физика ударных волн и высокотемпературных гидродинамических явлений. М.: Наука, 1966. - 686 с.

24. Дисплеи / Под ред. Ж. Панкова. М.: Мир, 1982. - 320 с.

25. Горфинкелъ Б.И., Абалдуев Б.В., Медведев P.C. и др. Низковольтные катодолюминесцентные индикаторы. М.: Радио и связь, 1983. - 112 с.

26. Абалдуев Б.В. Низковольтная катодолюминесценция // Электронная техника, сер. 4. 1977. - № 1. - С. 31.

27. Кузьмин Н.Г., Севостьянов В.П. Знакосинтезирующая электроника: материалы, технология, экология. Саратов: Изд-во СГУ, 1991. - 36 с.

28. Севостьянов В.П., Аристов В.Л., Митрохин М.В. Жидкокристаллические дисплеи: электрооптика, управление, конструкция и технология. -Минск: Изд-во «Микровидеосистемы», 1998. 508 с.

29. Севостьянов В.П., Ракитин С.А., Семенов А.Н. и др. Установка электрогидравлического эффекта // ПТЭ. 1999. - В печати.

30. Гидродинамический эффект: электрические схемы установки / Севостьянов В.П., Семенов А.Н., Кузин С.Г. и др.; СГУ. Саратов, 1996. -32 с.-Деп. в ВИНИТИ г. Москва, № 1062-В96.

31. Иоффе А.И. К теории начальной стадии электрического разряда в воде // ПМТФ. 1966. - № 6. - С. 69-72.

32. Абалдуев Б.В., Дмитриенко А. О. Низковольтные катодолюминес-центные экраны // Электронная техника, сер. 4. 1977. - № 8. - С. 12.

33. Соколов В.А., Горбанъ А.И. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука, 1969.- 187 с.

34. Рекопф К. Остаточные газы в приемно-усилительных лампах // Остаточные газы в электронных лампах / Под ред. Г.Д. Глебова. М.: Энергия, 1967.-С. 231-237.

35. Фшкельштейн С.Х., Ракитин С.А., Севостъянов В.П. и др. Установка для анализа атмосферы в вакуумных приборах и методика исследования // ПТЭ.- 1999.-№ 1.-С. 142-144.

36. Семенов А.Н., Ракитин С.А., Коряев E.H. и др. Очистка стеклянных подложек электродных плат магнитогидродинамическим эффектом // Электронная промышленность. 1999. - № 2. - С. 50-55.

37. Федоров Н.Е., Рогов И.А., Корненев И.П. и др. Воздействие импульсных нагрузок на чистые бактериальные культуры // Межвуз. конф. «Новые физические методы обработки пищевых продуктов». Москва, 1967. С. 6667.

38. Аппен A.A. Химия стекла. Л.: Химия, 1970. - С. 15-34.

39. Коряев E.H. Физико-химические основы создания композиционных систем «полимер жидкий кристалл» в индикаторных устройствах. Дис. . канд. техн. наук. Саратов: СГУ, 1997. - 170 с.

40. Севостъянов В.П. Материалы и технология серийного производства индикаторов на жидких кристаллах. Дис. . д-ра техн. наук. Саратов: СГУ, 1987.-471 с.

41. Kurchatkin S.P., Muravyova N.A., Sevostyanov V.P. et al. Characteristics of Liquid Crystal Alignment on Textured Polyimide Films // Mol. Mat. 1996. -V. 6.-P. 137-141.

42. Елъцев A.B. Фотохимические процессы в слоях. Л:. Химия, 1978. -232 с.

43. Рогозинский P.A., Цомбий Е.В., Ершов Ю.А. Влияние активных красителей на образование радикалов в поликапроамиде под действием ультрафиолетового света // ДАН СССР. 1972. - Т. 205, № 1-3. - С. 130-133.

44. Чеботаренко В.Я. Исследование прочности сцепления пленок Cr, Ni, AI, Си с поверхностью стекол // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы. -1974.-Т. 10, №2.-С. 64-69.

45. Технология тонких пленок. Справочник. Т. 2 / Под ред. А. Майселла, Р. Глэнга. М.: Сов. радио, 1977. - 768 с.

46. Белолищева Г.Г., Филипченко В.Я., Финкельштейн С.Х. Метод определения чистоты поверхности стекла // Электронная техника, сер. 4. 1984. -№ 1. - С. 7-9.

47. Chapman B.N./П. Vac. Sei. Technol. 1974. - V. 11, N. 1.-P. 106-113.

48. Ройх KJI., Жаров В. А. Особенности адгезии вакуумно-осажденных слоев окислов после обработки их поверхности в тлеющем разряде // Физ. хим. обработка материалов. 1976. - № 6. - С. 140-145.

49. Финкелыитейн С.Х., Ракитин С.А., Муштакова С.П. и др. Кинетическая устойчивость пленок алюминия // Электронная промышленность. -1999.-№2.-С. 85-93.

50. Розенберг Р., Салливан М., Говард Цж. Влияние взаимодействий в тонких пленках на технологию кремниевых приборов // Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М.: Мир, 1982. - С. 17-58.

51. Эспе В. Технология электровакуумных материалов, Т. 1. М.: Энергия, 1968.-448 с.

52. A.c. СССР № 1042590. Приоритет от 03.12.81 г. Электролюминесцентный индикатор / Власенко H.A., Назаренков Ф.А., Муратова H.H. и др. Зарег. 16.05.83 г.

53. A.c. СССР № 1385917. Приоритет от 22.07.86 г. Способ изготовления люминесцентного экрана вакуумного индикатора / Грачев В. Н., Полякова Р.В., Фшипченко В.Я. и др. Зарег. 01.12.87 г.

54. Поволоцкий Е.Г., Фшипченко В.Я., Финкелъштейн С.Х. Влияние температуры подложки на фазово-структурные состояния в напыленных пленках монооксида германия при термообработках // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1985. - Т. 21. - С. 1377-1385.

55. Поволоцкий Е.Г., Фшипченко В.Я., Финкелъштейн С.Х. О взаимодействии пленок GeO и AI // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1986. - Т. 22.-С. 1212-1214.

56. Ottaviani G., Canali С., Majini G. Some Aspects of Ge Epitaxial Growth by Solid Solution // J. Appl. Phys. 1976. - V. 47, N. 2. - P. 627-630.

57. Юрченко Н.П., Баталин Б.И. Особенности получения слоев германия твердофазным методом зонной рекристаллизации аморфного материала // ДАН УССР, сер. А. 1983. - № 12. - С. 75-77.

58. Палатник Л.С., Федоренко А.И. Твердофазная эпитаксия кремния и германия. Современное состояние и перспективы // Материалы электронной техники, Новосибирск, 1983. С. 102-118.

59. Айтукаев А.Д., Саввин И. С., Эльсункаева ГП.В. К вопросу о механизме доэвтектического контактного плавления // Изв. вузов СССР. Физика. -1983.-№7.-С. 60-63.

60. Горбунов О.Б., Суров Ю.И., Фшипченко В.Я. и др. Влияние термической обработки на структуру и свойства пленок моноокиси германия // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1982. - Т. 18. - № 1. - С. 157-159.

61. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем, Т. 1. — М.: Физматгиз, 1959. С. 215-216.

62. Севостъянов В.П., Финкелъштейн С.Х., Коряев E.H. и др. Жидкокристаллические дисплеи: структура и физическая химия тонких пленок монооксида германия. Минск: Изд-во «Микровидеосистемы», 1998. - 156 с.

63. Акимов И.А., Борчевский B.C. Перспективы и возможности не серебряной фотолитографии. М.: Химия, 1978. - 328 с.

64. Сееостъянов В.П., Решетников Б.К, Мраморное И.В. и др. Знако-синтезирующая электроника: фотолитография. Саратов: Изд-во СГУ, 1993.- 140 с.

65. Шубин В.Н., Кабакчи С.А. Теория и методы радиационной химии воды. М.: Наука, 1969. - 216 с.

66. Актуальные проблемы развития систем теплогазоснабжения и вентиляции // Межвузовский научный сборник / Под ред. P.A. Козина. Саратов: СГТУ, 1998. - С. 42-47.

67. Коряев E.H., Холкина Т.В., Кузнецов М.В. и др. Органические растворители: характеристики, свойства, токсикология. Минск: Изд-во «Микро-видиосистемы», 1998. - С. 91-96.

68. Индикаторные устройства на жидких кристаллах / Под ред. З.Ю. Готры.-М.: Советское радио, 1980.-С. 186-199.

69. Воскресенская Н.В., Соболев И.В., Суханов Н.М. Использование сфе-роидизированных порошков при сборке жидкокристаллических индикаторов // Электронная промышленность. 1982. -№ 5-6.

70. Mently D. Materials Issues for Displays // SID-92 Digest. P. 809-812.

71. Федоров Н.Ф., Кожевникова JI.B., Лунина Н.М. Токопроводящие фосфатные цементы // Неорганические и органические покрытия / Под ред. М.М. Шульца. Л.: Наука, 1975. - С. 390-392.

72. Абрамсон И.Г., Волконский Б.В., Цанюшевский С.И. и др. Получение портландцементного клинкера в пучке ускоренных электронов // ДАН СССР.- 1960. Т. 230, № 6. - С. 1395-1397.

73. Дмитриев A.M., Калинин Ю.С., Лешко Ю.И. и др. Способ производства цемента. А. с. № 608325, СССР, 1976.

74. Чесноков Б.П. Исследование физико-химических свойств электровакуумных материалов под воздействием гамма-излучения. Автореф. дис. . канд. хим. наук. Саратов: СГУ, 1994. 36 с.

75. Грунин B.C., Иоффе В.А., Янчевская Н.С. О модели радиационного центра ЭПР в алюмосиликатах // ФТТ. 1972. - Т. 14, № 7. с. 2134-2136.

76. Сурин С.А., Шуклов А.Д., Шелимов Б.Н. и др. Роль радиационных дефектов в фотохимических и радиационно-химических процессах // Проблемы кинетики и катализа: нестационарные и неравновесные процессы в гетерогенном катализе. М.: Наука, 1978. - С. 80-100.

77. Вернигорова В.Н. Физико-химические основы образования модифицированных гидроксидатов кальция. Автореферат дис. . д-ра хим. наук. Саратов: СГТУ, 1999.-38 с.

78. Ворончев Т.А., Соболев В.Д. Физические основы электровакуумной техники. М.: Высшая школа, 1967. - 180 с.

79. Галкин М.А., Федоров B.B. Применение омегатрона РМО-4С для определения изотопного состава азота, кислорода, углерода, серы // ПТЭ. -1976.-№5.-С. 191.

80. Чмилъ Н.Г. Выбор оптимального режима работы омегатрона для количественных измерений // ПТЭ. 1965. - № 3. - С. 153.

81. Finkelshtein S.Kh., Rakitin S.A., Sorokin V.M. et al. Residual Atmosphere in Vacuum Fluorescent Displays // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 1999. - Vol. 2, No. 4. - P. 55-60.

82. Петерман JI.А. Десорбция газа при электронной бомбардировке // Остаточные газы в электронных лампах / Под ред. Г.Д. Глебова М.: Энергия, 1967.-С. 139-145.

83. Klopfer A., Schmidt W. An Omegatron Mass-Spectrometer and Its Applications // Vacuum. 1960. - V. 10, N. 5. - P. 363-372.

84. Фрост Г. Изменение эмиссии в дежурном режиме // Остаточные газы в электронных лампах / Под ред. Т.Д. Глебова М.: Энергия, 1967. -С. 248-254.

85. Пипко А.И., Плисковский В.Я., Пенчко Е.А. Конструирование и расчет вакуумных систем. М.: Энергия, 1979. - 504 с.

86. Кирилюк А.Г., Шубин Б.С. Газоотделение стекла С87-1 в условиях, близких к режимам баллонов радиоламп // Электронная техника, сер. 5. -1967.-№4.-С. 39-46.

87. Газовыделение в процессе изготовления вакуумно-люминесцентных индикаторов / Ракитин С.А., Финкелыитейн С.Х., Севостъянов В.П. СГУ. -Саратов, 1999. 32 с. - Деп. в ВИНИТИ г. Москва, № 1149-В99.

88. Люминесцентные материалы и особо чистые вещества / Под ред. Л.П. Рыбалкина. Вып. 10. Ставрополь, 1974. - С. 81-87.

89. Севостъянов В.П., Аношкин A.B., Решетников Б.К. и др. Знакосинте-зирующая электроника: методы получения тонких пленок. Саратов: Изд-во СГУ, 1993.- 104 с.

90. Волъкенштейн Ф.Ф. Роль поверхности в явлениях люминесценции и радикалорекомбинационная люминесценция в полупроводниках // Известия АН СССР. Физика. 1937. - Т. 37, № 4. - С. 855.

91. Абалдуев Б.В. Некоторые особенности низковольтных катодолюми-нофоров // Электронная техника, сер. 4. 1972. - № 1. - С. 12-15.

92. Левшин Л.В. Фотолюминесценция жидких и твердых тел. М.: Гос-техиздат, 1951. - С. 502-506.

93. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высшая школа, 1971. 336 с.

94. Rakitin S.A., Dmitrienko А.О., Finkelshtein S.H. AES and Cathodolumi-nescence of ZnO-Zn phosphor in VFD // 4th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering. Novosibirsk, Sep. 23-26, 1998:

95. Proceedings, V. 1 "Selected papers in English". Novosibirsk: NSTU, 1998. - P. 102-103.

96. Bylander E.G. Surface Effects on the Low-Energy Cathodoluminescence of Zinc Oxide // J. Appl. Phys. 1978. - V. 49, N. 3. - P. 1188-1195.

97. Горфинкелъ Б.И., Дмитриенко А. О., Фшипченко В.Я. Факторы, определяющие эффективность низковольтной катодолюминесценции полупроводниковых кристаллофосфоров // Неорганические материалы. 1993. - Т. 29, № 10.-С. 1379-1382.

98. Дмитриенко А. О., Шлаков С.П. Эффективность низковольтной катодолюминесценции модифицированных цинк-оксидных кристаллофосфоров // Неорганические материалы. 1994. - Т. 30, № 4. - С. 572-574.

99. Иванов В.А., Кошев В.М. и др. Воздействие ионизирующего излучение на оксидный катод телевизионных трубок // Электронная техника, сер. 4. 1979.-№ 1.-С. 91-93.

100. Вескер Л.И., Ведехин А.Ф. Влияние режима синтеза ZnOZn-люминофора на его яркость при различных видах излучения // Электронная техника, сер. 4. 1979. - № 1. - С. 75.

101. Шанин Ю.Н., Голованов А.И. и др. II Исследование воздействия гамма-излучения на сухие компоненты оксидного покрытия катодов прием-но-усилительных ламп. Научно-технический сборник. Саратов: Изд-во СПТИ, 1973. - Вып. 62. - С. 38.

102. Абдулин А.Г., Шанин Ю.Н. и др. II Исследование воздействия гамма-излучения на карбонаты щ.з.м. методом парамагнитного резонанса. Научно-технический сборник. Саратов: Изд-во СПТИ, 1973. - Вып. 62. - С. 66.

103. Zaykin Y.A. Radiation Technologies in Powder Metallurgy // International Conference on the Application of Acceleration in Research and Industry. Denton, 1996: Book of Abstracts. Denton, 1996. - P. 45.

104. Зайкин Ю.А., Чесноков Б.П., Алиев Б.А. Радиационные методы обработки мелкодисперсных порошковых материалов // Межд. конф. «Ядерная и радиационная физика». Алма-ата, 1997: Тез. докл. Алма-ата: Изд-во Каз-ГУ, 1997.-С. 46-47.

105. Горфинкелъ Б.И. Знакосинтезирующая электроника: низковольтная катодолюминесценция. Саратов: Изд-во СГУ, 1993. - 44 с.

106. Патент РФ России № 2089002, МПК 6 HOI J 9/04 (RU). Приоритет от 07.12.95 г. Способ изготовления оксидного катода / Чесноков Б.П., Севостъянов В.П., Кирюшатов О.А., Зайкин Ю.А., Вайцулъ А.Н. Действует с 27.08.97 г.

107. Чесноков Б.П., Ракитин С.А., Холкина Т.В. и др. Радиационные методы обработки порошковых материалов: оксидный катод // Электронная промышленность. 1999. - № 2. - С. 91-103.