Влияние полевого смещения ионов на электрические характеристики пленок сульфида кадмия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

М1Н1СТЕРСТВ0 0СВ1ТИ УКРА1НИ • рО^КЬК^ДьРЖАВНЙЙ УНИВЕРСИТЕТ 1м. I. I.МЕЧНИКОВА

1 2 СЕН 189';

На правах рукопису ПРОН1ЧК1Н ЗАЛЕР1Й ДМ1ТР1ЙОВИЧ

ВПЛИВ ПОЛЬОВбГО ЗМ1ЩЕННЯ 7 он 1В НА ЕЛЕКТРИЧНI ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛ1ВОК СУЛБФ1ДУ КАДМ1Ю

01.04.10 - ф!зика нал 1 впроводник1в та дивлептр1к1п

АВТОРЕФЕРАТ дисертац13 на здоОуття вчвного отупеню кандидата ф1зико-матвматичних наук

Одвса - 1994

ЛисертаШею е рукопис

Роботу виконано в одеському-державному ;н1вбрситет!

Пауков! кер1вники: доктор ф!зико математичних наук професор Сэрдкж В1ктор Васильевич; кандидэт Ф1зико.-математичних наук , доцент 1гнатов Олексзндр Васильевич

Оф1ц1М опоненти: доктор ф1гико - математичних наук професор Рсйз1н Яков Овсеевич (ОДУ); кандид-.т ф1зико - математичних наук 51нославс»кий Михай.".о Миколайович (1н - т ф1зики Нац!онально1 АН УкраШи)

Пров1днз установа: науково досл1дний технолоПчкий 1нститут "ТЕМП" м1н1стерс:ва машинобудування, конверсИ та Ыйськсво - промислового комплексу УкраШи, м. Одеса'

' Захает дисертацИ в!дбудеться 1Э94р .

години на зас1данн1 спеа1ал1зовано! ради К 066.24.05 'з фйико - математичних наук (ф1зика) в .Одеському' державному ун!ьерситет1 (270100. Одеса; Пзстера.27, Велика фЫчна аудитория). , . , .

, 3 дисертац1ею можна ознайомитися у науковШ б!бл1отец1 Одеського державного ун1верситету 1м. М.Мечникова

Автореферат роз1слано -15040,

Вчений секретар спец1ал1зовано1 ради

кандидат ф1зико - математичних наук

• Л

Доцент ' — О.П.Федчук

• загальна характеристика рос.оти

Ак.туу|ьн1с':ь теми.' .

Нап!впров!дн'лков! -полуки групи А2В6 1 а дзьому Еиг-.дку сульФ1д кадм'.ю. пригортають увагу досл!дник!в перспективного практичного зэстосуеэння , зумееленсо високои ЫдчутливЮтю ■ до зоен1шн!х эллиЫв. Наприклад, висока фотоЕ1дчутлив1сть сульф(ду кадм1я в сидимш облзсп спектру 1 велика ширина забсронено1 зони дозволяе ствсрювати токкспл1вкове скануиче Ьблзднзння, датчики концентрат! кисню. польое1 транзистора з 1зольсваким затвором 1 ряд 1нши;< придал!в.

Од"зк. практичне . застосувакня сголук А" В у приладах м 1 к р с е л ек тр с нI к и отмежуется <ерез нестзб!льи!сть електричних характеристик п^п1впров1дник1в. Однт з ф?сор1&. сприпишчих гм!ни елг/тричних характеристик, являються !онн!' процеси, а саме польоее змщення юн!в у нгп!ьпрсв1Дниках. Незважаючи на ввлкку к!льк!сть рсб!т. приев'ячених дослидженнв впливу ^дрейфу . исн!в на електричн1 влзстивост! тонких ■ пл!вок сполук А2Ве,в що ряд пит&чь. як! недостатньо Еиачен!.

По-стэрсму зктузльею задачею е . досл!дження впливу дрейфу :он1ь . на характер !зотерм1чно! релаксацИ 1 темттературно! залеяшеетс струму у пл!вкгх сульф!ду кадм!ю. •Потребуют» свого надзльшого розгляду 1онн1 процеси, яи приводить до виникнекня електричних _ неоднорЦностей у н-:1впров{днжах. вирошених у зоайашьому електричнему поЛ1. Досл1дження польевоге зм!тення <сн1в у нап1Епрсв1дниках важлив1 для погл'.Скення' уявлень про причини зм1н вих1дних характеристик 'гонкопл1вкових прилад!в.

Мета робота. Основною метою робота е досл!дження впливу дрейфу 1"!1ь на електричн! характеристики пл;-ок сульфиду к.адм1ю 1 вих!дн1 параметри тонкопл1вкових прилад!&, виготовлених на 1х основ!. Для зд!йснення ц!е! мети Сули

синтезовзн! пл'вки сульф!ду кздм1ю у зо£н1шньому електричному . пол*, а також- шарк, п!двержен1 високовакуумн!й польов!й термообробц!. Визнзчена структура ; фазовий склад. досл1джуваних плЬок. га допомогою електронноГ Оже-спектроскоШ!, та рентген!ьськ.о! дифрак.цИ. Бим1рян1 слёктри фотопров1дност1, фотолюмМесцетШ 1 термостимульсвано! лров1дност1 дали змогу уточнити механ!зм зм1ки електричних влзстиеостей нап1впров:..:-1ик.1в в результат! дрейфу 1он1в.

Для досягнення поставлен^ мети булк сформульован! ' основн! задач!.-

1. Розробити спос1б синтезу пл!аок, як. 'Я дае змо'гу формувати в шарах сив електричн! неоднор!дност1 розм!ром, достатн!м для проведения ренгено- 1 електронограф!чних дослЦжень. фотолюм!несценц11 1 електронно! Оже-спектроскопП.

2 Провести комплексн! експериментальн! досл1дясення впливу' польоаого зм!щення 1он1в на утворення дефект1в у шарах саз. •

3. Дослидити к!нетичн! явища, зумоьлен! дрейфом ■ 1он1в у пл1ыш сполук. а2В6. • . ,

4. Розробити методики визначення. ьелиик..и рухомост! 1он1в. в1дпов!дальних за формування електричних неоднорЦностей у

' Кл1вках сйз. ' "

•. . 5. Розглянути питэння.пов'язан! зШдьишенням стаб1льност1 1 над1йностм робота тонкоплЬкових'прилад1в.ьиготовлених на основ! шйвок сПолук

Наукова новизна•.

1. Уперше досл!даено» динамку синтезу- пл1ьок сульфЦу ■ кадмШ у зовн1шньому електричному пол!/ напр^леному вздоьяс поьерхн! Шдкладки, при эм1ни термодинам!чнкх умов напилення у каазизамкнемому о<5'ем1.

2.' "перше дослджено •* вплиь . утворення . високосмно! елзктричнсч неоднор1дност1 у шарах сполук на вих!дй1 .

характеристики датчик1в •концентрацИ кисню 1 т<}нкопл1вков1 польов! тр ' нзие.ори (ТПТ) з 1зольсганкм затвором.

3. Уперше рсзглянено явища ¿зст^мгао! релаксацИ струму, обмеженего престоровим зарядом, { аномально! температу, .л залр^носП темяового струму. зумовлен1 дрейфом 1сн1в у шарах сульф!д,у кадм1ю.

4. Рсзроб »но та апребсвэН'. методики, що дозволяють знзходити величину рухомсст! !он(в у тл!*ках Сй5 в д!апазон1 температур 150-600 К.

Поактичне значения ро!оти. .

1. Рсзроблено спос!б синтезу пЛ1вок сульф1ду кадм.' як! дають умогу одерясзтк зразки з неднор!дними електричними властивостями вздоеж 1х ло?ерхн1. Патентна чистота .пособа синтезу ШдТвер ена эвторським поев! я.ченням /12/.

2. Ргзроблено спос1б з^льшення в1дчу;ливост1 дэтчикЛь коиентрацИ кисню, захищений зторським посвЦченням /9/.

3. Знайдено шлях л1двищення стэ<51льн г1 1 над!йност1 роботи нап1впров1дникоаих прилад1в, .виготовлених на основ1 шйвок -лолук

4. Результата дисертац1йно1 робота, що одержано, можуть використовуватиея для вир1ш«ння практичних задач створення • тенкопл1вкових прилад!в з покращеними метролоПчними .характеристиками.

Науков{ положения, що ¿х винесено на з¿xиcт.^ ^

1. В процес! дрейфу 1сн!в кадм!ю ,С1рки 1 прим1сних атом!в

у напрямку зозн1'инього електричного поля, формуеться неоднорЦний рсзпод1л дефекта а с<33. як1 зумовлюють електричн!.. фотоелектричн! { люм1кесцентн1 властивост! нап1впров!дник1в.

2. Утворення висскоомно! електрич неоднср!нсст1 поблизу одного з електрод!в в результат! дрейфа 1сн1в у пл!вках сполук А~В6 - приводить до змекшення

- б -

здсорбШйно-десорбцШно! в!дчутливост! датчиков концентрац11 кисню та зм1н1 вих!дних характерисиг ТПТ с 1зольованим затворсм.

5. 1зотерм1чна релзксац!я струму, обмеженого простсровим зарядом.! аномальна темперзтурка залежн'сть темнового струму зумовлен! зм1ною розм!р!в ьисоксомно! ел^ктрично! неоднор!дност1 в процес! польового зм1щекня 1он1в у пл1вках сульф!ду кадм!с. .

Апробац!я результата роботи Головн1 результати работа допоЫдэлися 1 обговорювалися на.-

1. 6-ому 1 7-ому всесоюзних сем!нзрах з олтичних 1 електрооптачних метод!в та засоб!в передачи, перетворення 1 збереження 1нформац11 (Москва, 1976,1960).

2. 1-Ш всесоюзна науково-техн!чк1й кондеренц1ГОдержання

1 властивост1 нап1впров1дн1кових сполук т.шу А~Ь6 1 А456 та. тве; ,их розчин1в на 1х основ1 (Москва. 1977). . 'з. РеспубИканськ!й науково-техн!ч!11й . кснференцП "Стан 1 перспектив« розвитку систем 1 прилад!в анал!зу складу речовини (Ужгород, 1977,1976).

■ 4. Республ1канському сем1нар1 "Нов1 ф!зичн1 принципи ь ■^анал1тичному. приладобудуаанн! (Ки1в, 1960). . '..' 5. 12-1Й рад! з теорП нап1пров!дник.!& (Ташкент, 1965).

6. . Всесоюзна • нэукоао-техн1чн1й конференцП "Конструк.ивно-технологГ не ззбезпечення якост1 м!кро- I радЮлектронно! апаратури при проектуванн!. 1 у виробництв1 фкеьськ, 1983).

Публ1каиК. . "

Головн1 результата дисертацЦ викладено у 16 роботах, як! приведен: в к!нц! автореферата.

Структура 1 об'ем роботи.

ДисертаШя складаеться з вступу, чотирьох роздШв.'

BKCHOBKie i списку цитсвано! л!тератури, -що мае' 175 назв. "*агадьний об'ем складае 169 стор1нок.

3MICT РОБОТИ.

У вступ! обгрунтовзно актуальн1стц теми дисертацП, Ii новизна, прак.лчна ц!нн1сть 1 основн! положения, що 1х винесено на захист.

У пер.': "му розд!л! зрсблено огляд л1тератури, приев-ченоГ сучасному станов1 досл!джень впливу дрейфа 1он1в на електричн! характеристики нап1впрсвикик:в. Основну увагу було при М.таю роботам, в яких • досл!джувались механ!-м кснАенсзцП нап1вп{. в!дник!в в електр!чному пол! 1 релаксаЩя прев!дност1. зумовлена дрейфом' ioHie у нзл1впров1днкках.

, На основ! ..регеденого анал!зу .Итератои сформульован! ссноен! --^дач!, вир1и:ення якк.. дало змогу досягнути мети, що поставлена у дисертзц!йн1й рсоот'!.

У ."ругому роздШ описано cnoclö синтезу пл!вок cdS в зовн!шньому електричному пол!, нзправленому вздовгж поверхн! п!дкла;, .и.- Розглянено дкнзм!ку синтезу пл!ьок сульф!ду кадмГю у кваз!ззмкненому об-ем! при випаровуванн1 порошка CdS. в вакуум! у зовн1щ.чьому електричному пол! середньсю напружен!стю МО1* В/м в д'алззен! температур Шдкладки Tn-2Ö0-6V0 К. 'Тоещинз плавок CdS складалэ 5-10~'-1-10~6 м.

При кснденсацИ CdS в електричному пол! 1 посл!дуючому о..-\лоджен! зсазк!з до температури 300 К. ( ь тому об'еми де провод/вся синтез) в в1дсутност! зовю'шнього поля, поблизу анода^ утворкег "м • високоомна обл'эсть розм!ром близько 2- э величина опору |1л!вки R^ вздовж поверхн!-

монотонно 'змешуеться в!д анод; до кзтода.

Анал!з Оже-спектр!в таких неоднор!дних пл!вок показав, що у сульф1д1 кадм 1 поблизу катода зр^тзе, а поб-из> анода-змеишуеться концентрац!я атом!в кадм1ю. Концэнтрац1я атом!в с!рки максимальна на поеерхн! пл!вки поблизу анода.

- а -

"ослизу поверхн! у катода пл!вкэ склад зеться з сульфиду кадм!ю гексагонально! фази... 1. незначно1 к!лькост1 куб1чно! . фази, а поблизу анода гексагонально! фази CdS и значно1 . к1лькост1 с!рки.

Польове зм!щення атом1ь кадм1ю 1 с1рки приводить до неоднородного розпод1лу дефект!в в CdS. Б результат: чого поблизу катода розгоряеться О-полоса фотолюм1'несценц11 (^-0.609 мкм), яка зумоьлена випром!. .вальними переходами електрон1в на центри типу (Cdj-A-)0, в склад я. .ix входят м1жьузлев! атоми С^.Де А-акцепторний.центр. Зростання 1нтенсивност1 фотолвм1несценц11 (к^-0,720 мкм) поблизу анода . са1дчить про зб1льа:ення ^ ц!й частей! зразка взкансш кадм!и (vCd). що входять у склад центра ivCd2~~vs2+)°'

У випадку, коли кснденсац'я CdS 1 охолодження пл!вок проводилась в зовнШшьому електричному пол1, то на залежност! R^ з'являеться м!н1мум-нт^. який зм1щуеться до катоду' в проце^* синтезу пл!вок. ¿раховуючй, що швидкЮть зм!щення1 sm(x)'мзначаеться шв/дк!стю дрейфа 1он1в в електричному пол!, була визначенз рухом1сть !он1в у CdS при температур1 300 К. яка склада значения 2 10"11 м2/В»с.

Якщо газоп'од!бн1 атоми кадм!ю- 1он!зувэти ¿лектронним ударом в SokI ксндонсацИ, то onlp пл1вок сйз, синтезовашХ в електричному пол!, зростае по вс1й довжинГ вздовж поверхт, в результат! зменьшення1 концентрац11 м!жвузлових атом!в кадм!ю. -' Визначе :о напрямок дрейфа атоМ!в м!д( 1 1нд1ю у шарах п1д час ix синтезу в електричному пол!." Показано, що !они м1д1 дрейфують' в CdS до анода, утворюючи у щ'й частанГ зрас5к1ь дефекта типу (cu^-v^) з глибиною залягання O.ö аВ в!д дна зони пров!дност1. Атоми 1ндЬо зм!здуються в CdS у напрямку до. катода, у вигляд1 позитивно заряджених 1он1ь.

У треть ому роздМ досл!джено вплив польоьо! термообробки на електричн! ьластивост1 пл1вок сульф1ду кадм1ю. У процес! польове термообробки однорЦний ло опору шар CdS Ы,дпалюеть.я ■ у вакуум! при 1-400 К , 1 Напруз! V-100-200 В на протябГ-

дек!лькох дг ":ятк1в хвилин. а пот!м охолождуеться при т!й сзм1й напруз1 до к1мнатно! температури.

Шсля польово! грмообробки в eis 61л- анода ^ормуеться висок.оомна електрична н1однор1днГрть розм1рсм з 5-Ю"" м, яка ' у-ворюеться в результат! дрейфа IohIb кадм!ю в CdS. Про це св!дчать результати * анал!зу спектр!в термостимульовано! провЦност! пл!вок Cds. Так. теля польово! термооб робки поблизу катода зрсстае 1нтенсивн1сть п!ку ТСП, що в1дпоыдае р!внев! 0,45 Riß дна зони прив1дност1, що пов'язаний з дефегтом (Cd^-v*). в склад яки;: входять м1жвузлов; зтом1 кадм1ю.

. "м1на ширини високоомно1 облэст! L в процес! дрейфа ioHift у Cd 5 приводить до 1готорм1чно1 релаксацП струму. J^. обмеженого простор'. зарядом.-

AV

С L

де А - -t"е-е0 в'ИдЛ

t

9-фактор пг'*липаиня; y^-pyxoMicrb електрон1в,- Vj-слад напруги в високоомь: i д!лянц1; Е(1)-оередня напружен1сть електричного .поля,- ц5он-рухом1СТь 1он1в у . нап.епров1днику. и^-швидк1сть IohIb; i-час; . е~д1електрична прониклишеть нап!впро1дника; е0- електрична етьла.

По тангенсу кут*. залежнссп лсбудовано! ь координатах

AL - (( - t j V

визначена. дрейфова рухом1сть IohIb ь Ods. яка г-ри 1-300 -К

- 10 - ' -виявилась р!вною МО"12 м2/Вс.

Розглянено модель аномалько1 температурно1 залежност! темнового струму. зПдно до яко! спад струму при тдвищ?нн1 темперг ури виниказ в результат1 перерозпод1лу позитивно ' заряджених 1он;в в електричному пол1. Температура максимума . аномальна температурное залежност! (*т3) струму у цьому ' випадк.у запежить в1д величини прикладено! напруги V так.-

т- - Т„- ♦ —- (--2-)1/2 •

т <ЦЙ> М)"

де Т0-початкова температура вим!рювання. ¡3-швидк1сть нагревания нап1впров!дника, 1-довжина шару саз, <цй>-середня рухом!сть 1он1в в с¿5. е-ззряд ел.лтрсна, ы-лонцентраШя електротв. локал!зовани на глубоких центрах; е; е0- „илектрична пронкгЛив1сть. нап1впров1дника . . електрлчна стзлэ, в1дпов1дно. . • '

Зм1на розм!р1ь високоомно! електрично! неоднор1дност1 в процес! .дрейфа 1он1в приводить до АТЗ темнсвсго струму у плевках Сс!5. 3 залежност! Тт—^-1/(У)1/2 визначе; ла се,, .дня величина рухомост! !он!в у саз в област1 'емператур 150-200 К, яка склала значения 1 - Ю-12 м2/ 3 -е.

У четвертому роздШ розглянуто явища зумовлен! дрейфом !ок.з у шарах сполук А2В®. Досл1джено • механ!зм винекнення мгькочэстотних осциляц! струму у Сй5 1 СйЭ-Си. Дрейф Сй1 1 мШ приводить до згину енергетичниг зон саэ у анода, в результат! чого частица глибоких донорних р!вн!в перетинае р!вень Ферм!, 1 при наявност! сильного поля 01ля анода ц! р1вн! !он!зуються за схемою —> + е. Де е-електрон пров1дност1, який /тьорюется п1д час польово1 1онИац11 глибоких донор1в. При цьому спостер^гаеться зр1ст струму. Зростання електрспров!дности саг б!ля анода супроводжусться зменьшеням напруженост! поля у ц!й д!лянц1 1 зростанням

1нтенсивност1 захвату нер1ЕНоважких електпоЛв глибокими центрами. Цей процес приводить до пов1льного спаду струму.

Дослужено ВПЛ..В польового зм ...ення а м!в кадм!ю у шарах Сйб 1 сазч на зменшення адсорбцГйно-десорбц1йиэ1 в1дчутливост1 датчинЛв конаентрзцП кисню. Показано, що легувзння нап!вп4ров1дник1в 1нд1ем концентра^ею Ю^-Ю1® м-2 зб!льпуе в!дчутливисть дзтчикЛв концентрацН кисню.

Перерос под1л зряджених дефект1в у шарах смэ приводить до зм!ни вих1дних хзра; .ерис-ик тонкопл!вкових польоеих транз1стор!в (ТПТ) з Ьольованим затвором. У рамках однсм!р..с1 модел! чатьлрсг1дника одержана вольтамперна характеристика (ВАХ) ТРТ при наявносП високоемно! електрично! несднор1дност1 поблизу

стока нап1епров1дни.-.ового канала,-

, »/о

^ - 7й - < V -1—— + Ф •

ь 2 5 м- е е

до 7Й""НЭПР. а на стош 1 затвср], в!длов1дно; г.-тсешинэ д1електрикз ззтвсра, л-струм, якиЯ прот!кае • через нап1впроб1дникову пл1гку: 1-е1д:тзиь м!ж електрсдэм!; (1-рухсм!сть електрон1в у сульфШ кэдм!с; £,,е0-д!електрична прониклив1еть д1електрика '-'т&орз ' е.пектрична .стала; в1дпов1дно. Ко^фцьнт С залежить вЦ значеяь «^Ц.У,, 1 визначзеться чисельним розрахунком.

Анэл1з р'^рэхунковмх ЗаХ ТПТ показав, що дрейф. 1он1ь у нап!впров!дниковсму канал! тр^нзЮТора буде пркводчти до з!,:еншення крутост! управляй" приладу 1 ю зростзння напрут на сТ'.ц!, коли починае р!зко зростзги струм, ^озрахунков! В А У узгоджу.стьсь з ВАХ ТПТ, зиготовлених на ссь.е! пл1вох саз.Показано. що "кщо у рол! стока вик росту^^.л 1нд!й, ход!

Шдвищуеться стаб!льн!сть 1 над!йн1сть роботи тонкопл!вкових прилад!в,

У випадк!в при сум!оному нзпил^еанн! дьох 'сполук CdSfCdr?) 1 ZnSe в. електричному пол!. високоомнэ • неоднор1дн1сть утворюеться б!ля катода. При цьому в Шй частив зразка зростае. к1льк1стъ фази ZnSe. яка яьляеться • б1льш. високоомноюч н!ж CdS ч! CdSe. Це е насл!дком дрейфа 1он1в цинку в електричному пол1 до катоду.

У шарах, одержзних при сум1сному напиляеанн! CdSe 1 ZnSe фермуеться неупсрядкоеана с!ткз високоомних канал!в пр>. дрейф! до аноду через nflieny ярко свпних "точок". Припускаггься, • що висв!чена форма трека св!тно! "точки" е фракталом.

ЭАГАЛЬНТ ВИСНОВКИ

У робот» розглянено 1 1нтерпретовано з едино точки :ору змШи.як! проходять в саз в проце.-' польового зм1щенн1 1сн1б. Запропоновано способи покращення метролоПчних характеристик. нап1впров!дникових прилад!в, як! виготовляютъся на основ! пл!вск сполук А2В6. .

3 ВИСНОВК1В в робот! сл!д в!дм!тити "эк!:

1. Зм1ни електричних йласгчвостей пл1вок CdS' зумовлен! дрейфом IohIb кадм!ю,с!рки 1 дом!шк1е ъ напрямку поля як в пр цес! синтезу нап!впров1дник1ь в електричному пол1. так 1 при польоЫй термообро^'

2. Дрейф !он!в приводить до утворення неоднор!дного розпод!лу дефект1в в CdS, що зумовлюють електричн1, фотоелектричн! I лш!несцентн1 властивост! нап!впров!дник!в

3. Утворення йисокоомно! електрично! неоднор1дност1 поблизу анода в п"оцес1 дрейфа 1он!в кадм!ю приводить до зменшення адсорбц!йно-десорбц!йно1 в!дчутливост! датчик1в концентрацИ кисню i зменшення крутост! управ!ння ТПТ з 1зольованим затвором.

4. гГк'КЗ'-що.що легування нап1впров1дшш&'1нд1ем зб1лыиуе стаб1льн!сть 1 нэдШн1сть робота тонкопл^.оеих прилэд!в. Дрейф IohIb ми' до аноду сприяе ут-оренню електричнм неоднор1дност1 i винихненно несИйкост! струму у CdS.

5. Зм!на рсзм!р!ь bucokoomhoi област1 поблизу одного з електрод!в приводить до 1зотерм1чно1 релаксацп струму, обмеженсго просторовим зарядом. 1 АТЗ темнового струму.

5. При 0"м1снсму налиленн! двох'сполук WS(3ej 1 ZnSe в електричному 'Ol, мгсокоомна неоднор1Дн1сть формуеться б!ля катета в процес! дрейфа 1он!в цинку.

Головн! результата дисестацп опубликовано в роботах.-

1. Смынтына В.А..Сердюк. • В.В..Проничкин Б.Д.,Вашпанов ■ Ю.А.,Корнеза H.H. .Прокспов'/ч Л.П. Изменение удельного сопротивления с.тев .еленида кадмия в процессе их ростз.-Тезисы' доклада в сб.: Структура и физические свойства тонких пленок . Ужгород ,1977. -С. 153-159.

1 ' 2. Смынтына В.А., Сердюк В.&., Проничпн Б.Д.. Корке&а H.H., Цеяляева Г.А. Влияние собственных и примесных дефектов на фоточувст&ительнссть мишеней видиконов. - Тезисы докладов 1-ой всесоюзной научно-технической конференции "Получение и свойства полупровод иковых соединений типа А^ВйиА4а0 и твердых растворов на их основе", Москва, ч.2. : 77. - C.1Ö5.

3. Смынтына В.А., Сердюк, В.В., Прони"киг В.Д., Корнева H.H. О роли атомов кислорода и меди в. процессах очувствления слоев селенила кадмия.- Тезисы докладов республиканской конференции "Структура и физические свойства тонких пленок", У «город, 1977. - С.156-157.

• 4. Баранов О.Н., Корнеьа H.H., Пр ничкин Ь.Д., Сердюк В.В., .Смынтына В.А. Элементарные .пре^рагователи оптических . сигнгюа'в электрические на основе тонких слоев селенита кадмия. - Тезисы докладов 6-го всесоюзного еминара по 'оптическим, элег.трооптическим методам , и- средствам

~ 14 _ . . о

передачи.преобразования, переработки и" хранеичя информации. ' Москва, 197Ô. - С.70-71.

5. Архипович В.А., Кор^бко Г.С., СМЫНТЫЫ Б.А.. i.f-ОНИЧКИН

В.Д. Псл"проводниково-адсорбционный анализатор кислорода.. - • Тезисы докладов•республиканской научно-технической конкуренции "Сбстояние и перспективы развития систем и приборов анализа состава вещества" Ужгород. 197Ô.. - С.76.

6. Смынтына В. А.. Проничкин В.Л , Вашпанов ¡O.A., Коробко Г.С. Повышение и стабилизация адсорбционной способности пленок селэнида кадмия. - Тезисы докладов в сб.: Новые физ. ;еские принципы в аналитическом приборостроении. Киев. 1960.

7. Смынтына В.А.. Проничкин В.Д., Вашпаноь Ю.А., Богуненко В.Л., Сморчков Ь.И., Коляда В.У!.. • Мал;-ое Е.В. Полупроводниковые первичные преобразователи концентрации кислорода в электрический сигнал на .ноее пленок селенида кадмия. Тезисы докладов сб..-7-ой всесоюзный семинар по опт., геским. электрооптическим методам ср< Лггвам передачи,преобразования, переработк ¡л хранения информации, Москва, 19Ö0. - С.100.

6. Смынтына В.А., Проничкин В.Д.. Коробко Г.С., Разин В.И. Чувствительность тонких пленок селенида кадмия к сюлррс^у. -Деп. Известия вузов СССР, Физика, № 156 . 61, 19Ô1.- 14 с.

9.Вашпанов Ю.А., Проничкин °>.Д., Смынтына S.A., Сердюк В.В. Чувствительный элемент газоанализатора, Авторское сви гтельство № 1061503. Заявка № 3270430 от 15.0Ô.Ô3.

10. Игнзтое. А.?., Буг "ак A.B.. Проничкин -В.Д., Сердюк В.В. Аномальная температурная зависимость темнового тока в сульфиде кадмия, обусловленная полевым смещением ионов // ФТП.-1905. - Т. 19, № 11. -С.2067 - 2069.

11. Бурлак A.B., Проничкин 5.Д., Игнатов A.B. Влияние поверхностного дреР<ра ионов на температурную зависимость темнового токэ тонких слоев cas. 12-œ совещание по теории полупроводников. Ташкент, тезисы докладов, Киев, 1955, ч. 1. -

С 432 - 133.

- 15 - - '

12. Проничкин Б.Д., Игнатов A.B. Спосс получения слоев. Авторское свидетельство № 1?ч1919. " Заявка ' И 37777976. Зарегестрировано 15.01.06.

13. Проничкин Б.Д., Полищук В.Е., Игнатов A.B. Влияние электрического поля нэ кристаллизацию и электрические свойства ■ •тонких пленок .сульфида кадмия // Поверхность. Физика, химия, механика. - 19Ö7. - »1, - С.142 - 144.

14. Проничкин В.Д., Игнатов A.B., Сердюк В.В. Влияние-попевогос мещыия . ионов . на злектричесие ' свойства п^ликристаллических слоев CdS // Изв. вузов. Физика.- I9û7. -№ 05. -,С.И6 - llô.

15. Проничк.и" -.Д.. Игнатов A.B., Сердюк B.B. Деградация электрических характеристик тонкопленочных полевых транзисторов на основе сульфида кадмия. - Тезисы докл?"ов всесоюзной ^чно-технической конференции "Конструктивно-технологическое обеспечение качества микро-радиоэлектронной аппаратуры <при проектировании и в

I производстве", Ижевск, 19ÔÔ. С.206 - 20?.

16. Проничкин В.Д., Игнатов A.B., Сердюк В.В. Динамика синтеза пленок сульфида кадмия в электрическом поле // Поверхность. Физика,химий, механика. 19Ô9.-W4.-C.79 - 63.

17. Пронички1' В.Д., Игнатов A.B., Сердюк В.В. Фотолюминесценция и Оже-спектроскопия пленок cas с неоднородным концентрационным профилем приводных элементов // ,УФЖ. 19Ô9. -T.34.Mi 9.-C.13Ö1 - 13Ô3.

• tö. Проничк-ч В.Д.,. Герасимов J.H.. Игнатов A.B. Образование неупорядоченной сетки высокоомных каналов в полупроводниковых пленках CdSeîZn // ФТТ.-19£9. -T.3i.tt 12. С.159 -1Ô0.

JL..