Вторичная эмиссия частиц и люминесценция сульфида цинка при взаимодействии с атомами и ионами водорода низких энергий тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

стр-.

Введение.

Глава I. Обзор работ по вторичной эмиссии и люминесценции сульфида цинка.

1.1. Некоторые типичные свойства цинксульфидных фосфоров.

1.2. Люминесценция цинксульфидных фосфоров.

1.3. Люминесценция сульфида цинка, активированного Си , Мп

1.4. Радикалорекомбинационная люминесценция ZnS - кристаллофосфоров при вобзуждении атомами водорода.

1.4.1. Механизм РРЛ.

1.4.2. Особенности РРЛ.

1.5. Исследование центров свечения в

Zn S - фосфорах методом РРЛ.

1.6. Радикалорекомбинационная эмиссия сульфида цинка.

1.7. Влияние ионной бомбардировки на люминесценцию сульфида цинка. Ионолюминесценция.

1.8. Постановка задачи.

Глава 2. Экспериментальная аппаратура и методика эксперимента.

2.1. Экспериментальная аппаратура для изучения

2.2. Установка для исследования ионолюминесценции

2.3. Измерение ионной эмиссии.

2.4. Измерение атомной эмиссии.

2.5. Методика исследования влияния радиационных дефектов на РРЛ.

2.6. Исследование энергетического спектра атомов водорода, падающих на образец из ВЧ-разряда. Ы

Глава 3. Исследование эмиссии и люминесценции цинксульфидных люминофоров при радикалорекомбина-ционном возбуждении.

3.1. Ионная эмиссия при рекомбинации радикалов на поверхности кристаллофосфоров.

3.2. Радикалорекомбинационная эмиссия атомов.

3.3. Влияние атомной эмиссии на радикалорекомбина-ционную люминесценцию.

Глава 4. Влияние радиационных дефектов на РРЛ и атомную эмиссию.

4.1. Роль поверхностных дефектов в рекомбинационных процессах.

4.2. Влияние радиационных дефектов на РРЛ.

4.3. Влияние радиационных дефектов на ионную эмиссию.'.

4.4. Исследование атомной эмиссии при РРВ щгк.

Глава 5. Исследование люминесценции, возбуждаемой на поверхности Ztt S низкоэнергетическими атомами и ионами водорода.

5.1. Исследование энергетического спектра атомов водорода, падающих на поверхность из высокочастотного электрического разряда.

5.2. Исследование люминесценции сульфидов цинка, возбуждаемой низкоэнергетическими атомами и ионами водорвда.

5.3. Исследование природы полосы с Amesc = 430 нм

Одной из важнейших проблем физики твердого тела, является взаимодействие излучения с твердыми телами. Все больше приборов и аппаратов работают в условиях ионизирующего облучения (космические исследования, ядерные реакторы, использование плазмы), когда повышаются требования к их надежности и долговечности. Развитие науки и технологии (получение полупроводниковых тонкопленочных материалов, логических элементов для ЭВМ, материалы для космической техники) требует новых материалов с заданными свойствами. Воздействие ионизирующего излучения на вещество приводит к изменению физико-химических свойств материала. Корпускулярное излучение, воздействуя на поверхность, изменяет параметры полупроводниковых элементов, ухудшает их работу и преждевременно выводит из строя. Нарушается однородность поверхности и при целенаправленных процессах получения материалов с заданными свойствами, как, например, в случае ионного легирования. При общем стремлении к миниатюризации существенным становится вклад поверхностных эффектов в характеристики материала или прибора. Требования практики ставят на повестку дня изучение поверхностных свойств полупроводниковых материалов.

Поверхность, являясь границей раздела различных фаз, участвует во всех физических процессах, протекающих между контактирующими веществами. Использование различных физических и химических методов для исследования этих процессов позволило в значительной степени выяснить основные вопросы взаимодействия поверхности твердого тела с окружающей средой и достигнуть некоторых успехов в определении закономерностей протекания электронных процессов на поверхности полупроводников, разработке теории поверхностных явлений и развитии методов стабилизации свойств поверхности.

Важную роль играют процессы.на поверхности твердого тела при адсорбции и катализе. Развитие представлений электронной теории и катализа позволили разработать механизм и теорию ра-дикалорекомбинационной люминесценции, возникающей на поверхности кристаллофосфоров (являющихся полупроводниками) при взаимодействии с атомами (радикалами) активных газов. Взаимодействие атомарных газов (водорода, кислорода, азота) с поверхностью твердых тел приводит к ряду других явлений, таких, как радика-лорекомбинационная эмиссия ионов, атомов и электронов с поверхности полупроводника или металла, радикалорекомбинационный разогрев поверхности, изменение электропроводимости, хемовольта-нические эффекты, радикалостимулированная диффузия и т.д. Эмиссия частиц, с поверхности твердого тела связана с разрушением связей между атомами твердого тела и образованием радиационных дефектов. Поэтому, важным представляется исследование процессов образования радиационных дефектов при низкоэнергетическом облучении полупроводников атомами и ионами.

Цель работы. Анализ имевшихся к началу работы данных по исследованию процессов, протекающих на поверхности кристалло-фосфора, при взаимодействии с атомами активных газов, привел к выводу, что важную роль в явлениях, стимулируемых рекомбинацией радикалов в молекулу, играют поверхностные дефекты. Энергия, выделяющаяся при рекомбинации атомов в молекулу, довольно значительная (4,48 эВ для водорода, 5,12 эВ для кислорода и 9,76 эВ для азота) и сопоставима.с шириной запрещенной зоны полупроводника. Следовательно, протекание реакции на поверхности кристаллофосфора может сопровождаться возбуждением электронной г подсистемы (люминесценция, разогрев, проводимость) и ядерной подсистемы кристалла (разогрев, эмиссия ионов и атомов с поверхности). Это дает возможность предположить, что в процессе рекомбинационных реакций в тонком приповерхностном- слое генерируются радиационные дефекты. Подобные дефекты должны появляться в приповерхностном слое при воздействии на поверхность низкоэнергетического корпускулярного излучения.

Целью настоящей работы явилось экспериментальное исследование вторичной эмиссии частиц и люминесценции при взаимодействии с атомами и ионами водорода низких энергий. Для возбуждения кристаллофосфоров использовался атомарный водород ввилу высокой каталитической активности поверхности цинксульфидов к реакции рекомбинации атомов. А низкоэнергетические ионы водорода, обладая более высокой кинетической энергией, чем тепловые атомы, возбуждают эффективнее электронную подсистему кристалла.

В качестве объекта исследования были выбраны кристалло-фосфоры на основе сульфида цинка. Цинксульфидные люминофоры имеют широкое применение (катодные трубки, сцинтилляторы). Ширина запрещенной зоны кристаллофосфоров сопоставима с энергией рекомбинации атомов водорода. Имеется обширный материал по теоретическому и экспериментальному исследованию люминесценции цинксульфидов.

В результате проведенных экспериментов получены следующие новые данные:

1. Впервые обнаружена и объяснена полоса люминесценции сульфида цинка, связанная с генерацией собственных радиационных дефектов.

2. Впервые обнаружена и исследована периодичность эмиссии атомов решетки кристаллических тел при больших потоках атомов водорода на поверхность.

3. Установлена связь радикалорекомбинационной люминесценции и ионолюминесценции, ионной эмиссии и распыления с концентрацией поверхностных дефектов, генерируемых при рекомбинации радикалов на поверхности.

4. Исследовано энергетическое распределение атомов водорода, падающих из разряда на образец при низких парциальных давлениях газа в камере, образца.

На защиту выносятся следующие положения.

1. В процессе рекомбинации атомов водорода тепловой энергии на поверхности кристаллофосфора генерируются радиационные дефекты с одновременным протеканием вторично-эмиссионных явлений.

2. Полоса люминесценции

ZnS о л m = 430 нм при возбуждении радикалами и ионами водорода обусловлена рекомбинацией электронов из зоны проводимости с дырочными центрами, локализованными вблизи катионных вакансий.

3. При больших: потоках атомов водорода на поверхность кристаллических тел наблюдается периодичность эмиссии атомов решетки в ограниченном интервале температур.

4. Обработка поверхностей твердых тел-в потоке атомарного водорода как способ мягкой очистки поверхности.

Материалы диссертации докладывались на Всесоюзном семинаре "Экспериментальные методы изучения свойств поверхности твердых тел" (Ленинград, 1975 г.); Ш республиканской конференции "Структура и физические свойства тонких пленок" (Львов, 1975г.); I Всесоюзном совещании по хемилюминесценции (Запорожье,1976г.); П Всесоюзном симпозиуме по активной поверхности твердых тел

Тарту, 1977г.); П Всесоюзном совещании-семинаре "Диагностика поверхности ионными пучками" (Донецк, 1980г.); П Всесоюзном семинаре "Гетерогенная хемилюминесценция" (Томск, 1980г.); Республиканском совещании "Диагностика>поверхности ионными пучками" (Запорожье, 1983г.); Ш Всесоюзном семинара "Гетерогенная хемилюминесценция и другие нестационарные процессы на границе газ - твердое тело" (Норильск, 1983г.); Республиканском семинаре "Процессы агрегатизации .дефектов в твердых телах" (Львов, 1984г.); Научных конференциях профессорско-преподавательского состава Донецкого гооуниверситета (Донецк, 1975, 1977, 1979-1983 гг.) и опубликованы в следующих работах:

1. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Эмиссия ионов и люминесценция при взаимодействии атомов водорода с поверхностью сульфида цинка. - Изв. вузов. Физика, 1975, $ 6, с. 129-130.

2. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Ионная эмиссия и распыление при рекомбинации радикалов на поверхности твердого тела. -Журн. физ. химии, 1976, т. 50, В 7, с. 1732-1734.

3. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Кинетика гашения РРЛ при бомбардировке фосфора ионами водорода малых энергий. - В кн.: Хемилюминесценция. Тезисы докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции 22-25 сентября. Запорожье, 1976, с. 130132.

4. Бажин А.И., Брик О.Г., Малиненко Е.М. Тушение возбуждаемой атомарным водородом люминесценции дефектами. - В кн.: Хемилюминесценция. Тез. докл. Всес. совещания по хемилюминесценции 22-25 сентября. Запорожье, 1976, с. 132-134.

5. Бажин А.И., Брик О.Г., Малиненко Е.М. Атомная эмиссия и интенсивность РРЛ. - В кн.: Хемилюминесценция. Тез. докл. Всес. сов. по хемилюминесценции 22-25 сентября. Запорожье,

1976, с. 176-178.

6. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Исследование эмиссии при взаимодействии атомов водорода с поверхностью щелочно-галоид-ных кристаллов. - В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзного симпозиума по активной поверхности твердых тел. Тарту,

1977, е. 102-103.

7. Бажин:А.И., Малиненко Е.М., Ступак В.А. Масс-спектроскопи-ческий анализ радикалорекомбинационной эмиссии. - Физика твердого тела. Киев-Донецк, Вища школа. Головное изд-во,

1978, вып. 8, с. 30-33.

8. Алексеев В.И., Брик О.Г., Малиненко Е.М. Влияние ускоренной атомной компоненты на кинетику РРЛ. - В кг.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тез. докл. совещания-семинара 17-27 сентября, Донецк, 1980, с. 289-290.

9. Бажин А.И., Малиненко Е.М., Кисляков Н.Г. Исследование энергетического спектра нейтральных атомов, получаемых в высокочастотном электрическом разряде в водороде. - ФТТ, Киев-Донецк, Выща школа. Головное изд-во, 1981, вып. II, с. 63-66.

10. Бажин А.И., Брик О.Г., Кисляков Н.Г., Малиненко Е.М. Люминесценция сульфида цинка, возбуждаемая низкоэнергетическими атомами и ионами водорода. - ФТТ, Киев-Донецк, Выща школа. Головное изд-во, 1982, вып. 12, с. 20-24.

11. Малиненко Е.М., Скрипниченко В.В., Милославский А.Г. Зависимость ионолюминесценции 2ftt £ от условий возбуждения.-В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докладов республиканского совещания 12-14 мая. Запорожье, 1983, с. 108-109.

12. Малиненко Е.М., Сунцов Н.В., Кисляков Н.Г. Исследование поверхностных центров свечения Z.n S , генерируемых облучением атомами и ионами водорода низких энергий. - В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тез. докладов республик, совещания 12-14 мая. Запорожье, 1983, с.161-162. 13. Авторское свидетельство № 819857 (СССР). Способ очистки поверхности полупроводников. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Донецкий государственный университет. Заявлено 21.10.77 (2535831/18-21), опубл. 07.04.81. Бюлл. 13.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В первой главе приводится обзор научных работ по вторичной эмиссии и люминесценции цинксульфидных кристаллофосфоров при различных способах возбуждения. Рассмотрены механизмы ра-дикалорекомбинационной эмиссии (РРЭ) и радикалорекомбинационной люминесценции (РРЛ) указанных кристаллофосфоров при возбуждении радикалами водорода, влияния высокоэнергетического облучения протонами на фото- и катодолюминесценцию цинксульфидов. Сделан обзор работ по ионолюминесценции кристаллофосфоров при энергии возбуждающих ионов от 3 до 15 кэВ. Поставлены задачи исследования.

Выводы :

1. Впервые исследован энергетический спектр нейтральных атомов водорода, получаемых в ВЧ-разряде. Он описывается кривой с максимумом 20-60 эВ, положение которого зависит от давт ч ления в диапазоне исследованных р = 10 -10 Па.

2. Впервые в чистом виде выделена элементарная полоса с максимумом 430 нм в спектре, голубой люминесценции сульфида цинка.

3. Предложено объяснение природы центра свечения полосы с максимумом 430" нм. Это есть люминесценция, возбуждаемая при рекомбинации электронов из зоны проводимости с двукратно ионизованными вакансиями цинка

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Проведенные исследования подтвердили первоначальное предположение, что в процессе рекомбинации атомов водорода на' поверхности кристаллофосфора в тонком приповерхностном слое генерируются радиационные дефекты. Эти дефекты, являясь центрами адсорбции и рекомбинации, влияют на процессы радикалоре-комбинационной люминесценции и радикалорекомбинационной эмиссии цинксульфидных кристаллофосфоров. Увеличение концентрации поверхностных радиационных дефектов приводит к ослаблению интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции и усилению радикалорекомбинационной эмиссии атомных частиц.

2. Впервые проведено сравнительное изучение РРЛ и ионо-люминесценции цинксульфидных кристаллофосфоров. Показано, что в спектрах ионолюминесценции помимо активаторных полос, присутствующих и в спектрах РРЛ, наблюдаются дополнительные полосы, связанные с образованием радиационных дефектов. Температурная зависимость активаторных полос зависит от спектра возбуждения.

3. Показано, что эмиссия атомов решетки кристалла, стимулируемая реакцией рекомбинации атомов водорода,на поверхности, является эффективным способом очистки поверхности полупроводника от поверхностных примесей адсорбционного и биографического происхождения.

4. Теоретически и экспериментально исследована периодичность эмиссии атомных частиц при взаимодействии атомов водорода с поверхностью щелочно-галоидных кристаллов. Периодическая эмиссия связана с накоплением кластеров атомов металла в мета-стабильных состояниях. Частота пиков эмиссии и их интенсивность зависят от температуры образца.

5. Обнаружено, что при низких парциальных давлениях атомарного водорода в камере образца решающую роль в возбуждении кристаллофосфора играют быстрые атомы водорода, поступающие на образец из высокочастотного электрического разряда. Измерен энергетический спектр быстрых атомов водорода, падающих на образец.

6. Впервые наблюдена индивидуальная полоса с ХИ)аос=430нм голубой люминесценции сульфида цинка при возбуждении атомами и ионами водорода с энергией 0.5-4 кэВ. Центр свечения этой полосы включает двукратно ионизированную вакансию цинка в приповерхностной области.

Автор приносит глубокую благодарность научному руководителю Бажину А.И. -за всестороннюю помощь в работе и постоянное внимание и выражает глубокую признательность коллективу лаборатории атомных столкновений кафедры рентгенометаллофизики Донецкого государственного университета за активное содействие в проведении этого исследования.

1. Рот В.Л. Кристаллография.-В кн.:Физико-химия соединений АПВУ1.-М.:Мир,1970,с.97-134.

2. Birman I.L. Electronic energy bands in the Zns potential in zincblende and wurtzite.- Phys.Rev., 1958, vol. 109, ИЗ, p. 810-817.

3. Birman I.L. Calculation of electronic energy bands in ZnS.-J.Phys.Chem., 1959, p.35-37, p.50-51.

4. Фок M.B. Ширина запрещенной полосы и эффективный заряд иона в кристаллической решетке Zn S .-ФТТД963,т.5,)£6,с.1489-1492.

5. Кюри Л. Люминесценция кристаллов.-М.:ИЛ,I96I.-200C.

6. Jumpertz Е.А. Uber die Electronendichteverteilung in der

7. Zinkbiende.-Z.Blectrochem,1955,vol.59,U.5,р.421-427,

8. Холстед P.E. Излучательная рекомбинация в области края noil УТлосы поглощения.-В кн.:Физико-химия соединений А В .-М.: Мир,1970,с.296-333.

9. Морозова Н.К., Малов М.М., Веселкова М.М., Курбатов Б.А. Об изменении фазового состояния кислорода в монокристаллах

10. Zn S ПРИ термообработке в парах компонентов.-Изв.вузов. Физика,1975,№5,с.89-94.

11. Влияние температуры формирования ZnS фосфоров на их люминесцентные свойства при разных способах возбуждения./ 1Урвич A.M., Измайлов Ш.Л., Катомина Р.В. и др.-ШС,1981, т.34,ЖЕ,с.105-И0.

12. Разложение на элементарные полосы спектра голубой люминесценции "самоактивированного" Zn £ ./Е.Е.Букке, Т.И.Вознесенская, И.П.Голубева и др.-Журнал прикладной спектроскопии,1970,т.12, Ж5,с.1047-1052.

13. Фок М.В. 0 разложении сложных спектров на индивидуальные полосы.-ЖПС,1969,т.II,№5,с.92 6-927.

14. Раммо И.2., Воолайд Х.Ю. Ж тушение люминесценции и структура центров свечения фосфоров типа Zn & Си .-ЖПС, 1969,т.10,Ж,с.79-83.

15. Калеева З.П., Панасюк Е.И., Троицкая В.Ф., Филина Т.Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированном кристалле 2ft £ .-ЖПС, 1969,т.10,№5,с.819-824.

16. Туницкая В.Ф. О составе голубой полосы излучения Zfr Sfce) фосфоров. -ЖС, 1969, т. 10 ,№6, с. 1004-1007.

17. Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф., Панасюк Е.И., Илюхина З.П. Температурные свойства индивидуальных, голубых полос самоактивированного (с.а.) сульфида цинка и природа соответствующих центров излучения.-ЖПСД971,т. 14,$2,с.239-245.

18. Применение обобщенного метода Аленцева для анализа сине-голубой люминесценции Zn, £ ./Е.Е.Букке, Т.И.Вознесенская, Н.П.Голубева и др.-Труды Физ. ин-та АН СССР,1972, -т.59,с.25-37.

19. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров свечения самоактивированного Zh, а? .-Тр. Физ. ин-та АН СССР, 1972,т.59,с.38-63.

20. W. Van Gool, A.P.Gleiren, H.J.Heijligers. Fluorescence of some activated ZnS phosphors.-Phillips Res.Rep., 1960, v.15, N3, p. 254-274.

21. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.-M.:Мир,1969.-654с.

22. J.S.Prener, P.E.Williams. Self-activation and self-coacti-vation in zinc sulphide phosphors.-J.Chem.Phys., 1956,v. 25, H2, p.361-372.

23. J.S.Prener, P.E.Willams. Some characteristics of large band gap compound semiconductors.-J.Phys.Chem.Solids, 1959,U8,p.461-464, 484-485.

24. J.S.Prener, D.J.Weil. The luminescent center in self-activated ZnS phosphors.~J.Electrochem.Soc., 1959, v.106, И5,p.409-414.

25. Голубева И.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" сульфида цинка.-ЖПС, 1972,J62,с.261-268.

26. Голубева И.П., Фок М.В. О роли кислорода в люминесценции неактивированного 2.П. 5 .-ШС, 1973,т. 19 ,№5,с. 851-857.

27. Голубева И.П., Фок М.В. К вопросу о природе люминесценции "самоактивированного" S .-ЖС,1975,т.23,М,с.638-642.

28. N.Reihl, Н.Ortmann. Chemical structure of luminescence centres on ZnS and ZnO.- J.Phys.Radium, 1956,v. 17,1^8-9, p.620-623.

29. Вознесенская Т.И., Фок М.В. О природе красной люминесценции в фосфорах Хп, S .-Оптика и спектроскопия, 1965, т. 18,164, с. 654-659.

30. Гаврилов Ф.Ф., Путиев И.Т., Оконечников Л.П. Оптические и электрические измерения люминесценции монокристаллов Zn S . -Изв. вузов .Физика, 1969 ,Н0, с. I40-I4I.

31. Кюри Л., Препер Д.С. Люминесценция, связанная с глубокими уровнями.-В кн.: Физико-химия соединений А^В^.-М.:Мир,. 1970,с.334-371.

32. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н., Швецов Ю.В. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственной дефектной дырочной проводимостью.-ЖПС,1981,т.35,№4,с.632-636.

33. Соколов В.А. Кандолюминесценция.-Томск,1967,-98с.

34. Волькенштейн Ф.Ф., Горбань А.Н., Соколов В.А. Радикалоре-комбинационная люминесценция полупроводников.-М.:Наука, 1976.-278с.

35. Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. -М. :Физматиздат,1960.-188с.

36. Соколов В.А., Горбань А.Н. Люминесценция и адсорбция.-М.: Наука,1969.-187с.

37. Стыров В.В. Гетерогенная хемилюминесценция на границе газ-твердое тело и родственные явления.-Дис. доктора физ.-мат.наук.-Томск,1978.-320с.

38. Стыров В.В., Бажин А.И. Температурные свойства радикало-рекомбинационной люминесценции.-Изв.вузов.физика,1967,№12, с.104-109.

39. Стыров В.В., Соколов В.А. Об особенностях спектров радика-лорекомбинационной люминесценции Zn 0 ssZnS .-Изв.вузOB. Физика,1967,с.135-136.

40. Стыров В.В. О каталитической активности некоторых сульфидов и окислов в отношении поверхностной рекомбинации атомарного водорода.-Кинетика и катализ, 1968, т. 9, Ж, с. 124129.

41. Лавренко В.А. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел.-Киев: Наукова ,яумка,1973.-202с.

42. Корнич В.Г. О механизме возбуждения радикалолюминесцен-ции кристаллофосфоров.-Дис.канд.физ.-мат.наук.-Днепропетровск ,1966.-138с.

43. Стыров В.В., Наследников Ю.М., Сивов Ю.А., Брик О.Г. Тем-пературно-временные зависимости радикалорекомбинационной люминесценции.-Изв.вузов.Физика,1968,№9,с.150-152.

44. Наследников Ю.М. Исследование спектрально-кинетических закономерностей радикалорекомбинационной люминесценции, возбуждаемой атомарным водородом.-Дис.канд.физ.-мат. наук.-Томск,1971.-140с.

45. Спектрально-кинетические закономерности радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров, активированных марганцем./Наследников Ю.М., Хоружий В.Д., Стыров В.В. и др.-Изв.вузов.Физика,1971,ЖЕ1,с.16-21.

46. Рохлин Г.Н., Кобина З.Н., Волков Е.Б. Возможности применения люминесценции кристаллофосфоров под действием атомарного водорода для создания эффективного источника света .-Светотехника,1965,т.I,с.8-13.

47. Sancier К.М» Luminescence of solids exited by surface recombination of atoms,-V. Qualitative Dependence of Luminescence Response on Os^&en-and-£itrogen-Atom Densities.-J. Chem. Pliys , , 19 6 5, v, 42, p. 12 40-12 43

48. Стыров В.В., Соколов В.А., Осипенко Ю.П. Квантовый выход радикалорекомбинационной люминесценции фосфоров на основе Za S и ZnO. -Изв. вузов. Физика, 1967, ЛЫ, с. 62-68.

49. Дмитриев Б.П. Радикалолюминесцентное исследование поверхности люминофоров.-Дис.канд.физ.~мат.наук.-Ставрополь, 1979.

50. Хоружий В.Д. Спектры люминесценции поверхностных центров свечения.-В кн.:Тезисы докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции. Запорожье,1976,с.73-74.

51. Хоружий В.Д., Сивов Ю.А. Поверхностная люминесценция гало-фосфатных люминофоров.-В кн.: Тез.докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции, Запорожье,1976,с.124-125.

52. Хоружий В.Д. Исследование люминесценции поверхностных центров свечения кристаллофосфоров.-Автореферат канд.дисс., Томск,1981.

53. Хоружий В.Д., Стыров В.В., Соколов В.А. Превращения центров свечения на поверхности Zll S - фосфоров.-Журн. прикладной спектроскопии,1976,т.24,вып.5,с.845-850.

54. Хоружий В.Д., Стыров В.В., Сивов Ю.А. Люминесценция поверхностных центров свечения в фосфорах Ztt 5 fl(J .-Журнал прикладной спектроскопии,1978,т.29,вып.3,с.462-465.

55. Соколов В.А., Хоружий В.Д., Стыров В.В. Спектры излучения кристаллофосфоров с редкоземельными активаторами при возбуждении атомарным водородом.-В кн.: Спектроскопия кристаллов. -М.:Наука,1875,с.295-297.

56. Ковалев Б.А., Дмитриев Б.П. Поверхностные явления, происходящие при старении цинксульфидных люминофоров.-ЖС,1978, т.29,вып.4,с.705-709.

57. Горбань А.Н., Пинчук В.П., Корнич В.Г. Эмиссия электронов с поверхности фосфора при радикалорекомбинационной люминесценции. -Изв. АН СССР, серфиз.,1974,т.38,^6,c.I34I-I343.

58. Стыров В.В. Эмиссия заряженных частиц с твердой поверхности при протекании на ней химической реакции.-Письма в ЖЭТФ,1972,т.15,вып.5,с.242-245.

59. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. Справочник.-К.:Наукова ;пумка, 1970.-489с.

60. Пинчук В.П. Исследование некоторых эффектов, стимулируемых рекомбинацией атомов водорода на поверхности твердых тел.-Дис.канд.физ.-мат.наук:,Запорожье, 1976.-178с.

61. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Ионная эмиссия и распыление при рекомбинации радикалов на поверхности твердого тела.-ВЖ, 1976, т. 50, №7, с. 1732-1734.

62. Корнич В.Г., Пинчук В.П., Горбань А.Н. Распыление цинксульфидных фосфоров при возбуждении радикалорекомбинационной люминесценции атомарным водородом.-Изв.вузов.Физика,1975, Ш,с.Ю7-П0.

63. Стыров В.В., Харламов В.Ф. Радикалорекомбинационная эмиссия электронов и отрицательных ионов с поверхности твердоготела.-ЖФХ,1975,т.49,М,с.979-982.

64. Харламов В.Ф., Стыров В.В. Эмиссия положительных ионов при взаимодействии диссоциированных газов с щелочно-галоиднымикристаллами.-Изв.вузов.Физика,1975,с.54-60.

65. Путиев И.Т. Исследование радиационной устойчивости кристаллофосфоров типа Zft £ .-Дисс.канд.физ.-мат.наук.-Свердловск ,1968,-П7с.

66. Гаврилов Ф.Ф. Исследование люминесценции и радиационной устойчивости монокристаллов гидрида лития и сульфида цинка. -Дисс. .доктора физ.-мат.наук,Свердловск,1970.

67. Гаврилов Ф.Ф. Автореферат Докт.дисс., Свердловск,1970.

68. Fehsenfeia P., Scharmann J. Измерение глубин проникновения ионов в полученные испарением пленки Li F , Ztг Ci / .-Экспресс-информация. Электроника, 1970,М5',с.1-7.

69. Яковлев К.П. Действие ионов из газового разряда на твердые тела.-ЖПФ,1928,т.5,№2,с.23-31.

70. Вознесенский В.Л., Носенко Б.М., Ягудаев М.Д. Возбуждение кристаллофосфоров ионами.-Доклады АН УзССР,1963,$8,с.17-22.

71. Вознесенский В.Л., Носенко Б.М., Стародубцев С.В. Глубина воздействия ионного пучка на кристалл.-Докл. АН УзССР, 1954 ,№, с. 9-14.

72. Спектральный состав свечения кристаллофосфоров при ионном возбуждении./Под ред. Вознесенского В.Л., Носенко Б.М., Ревзина Л.С. и др.-Докл. АН УзССР,1954,с.11-17.

73. Носенко Б.М., Ягудаев М.Д. Ионолюминесценция и ее применение. -Труды Среднеазиатского ун-та,1955,вып.65,с.19-22.

74. Кузнецов К.Н. Picследование вторичных процессов, происходящих при бомбардировке поверхностей положительными ионами.-Дисс. . .канд.техн.наук.-Москва,1957.-109с.

75. Hanle Т7. ,Rau К.Н. Light' yield and destruction of phosphors by electron and ion bombarcunente-Z,Physic.,, 1952 133, FI-2,p.237-308.

76. Аброян И.А., Еремеев М.А., Петров Н.Н. Возбуждение электронов в твердых телах сравнительно медленными атомарными частицами.УФН,1967,т.92,М,с.105-157.

77. Образование и стабилизация свободных радикалов./Под ред. А.Бааса, А.Бройда.-М.:ИЛ,1962.-622с.

78. Bonhoeffer К.P. Chemilmiineszenzen mit activen Wassers-toff„-Z.Phys.Chem.,1925,v.11 б,p.391-400.

79. Ellias E., Ogryslo Е.Л., Schiff H.I. The study of electrically dischaged Og Ъу means of an isotermal calorimetric detector.-Canad.J.Chem.,1959,v.37,110,p.1680-1689.

80. Tollefson E.E.,Leeoy D.J. The reaction of atomic hydrogen with acetylene.-J.Chem.Phys., 1948,v.16,1111,p. 1057-1062.

81. Таблицы физических величин. Справочник./Под ред. И.К.Кикоина. -М. :Атомиздат,1976.-1006с.

82. Маркин Ю.А., Соколов В.А. Зависимость РРЛ полупроводника от парциального давления атомарного газа.-Электронная техника. Научно-техн.сб-к.Упр.кач. и стандарт.,1970,вып.4,с.77-81.

83. Справочник химика. -Л.-М.: Госхимиздат,1963.-П62с.

84. Богатков А.В., Горбань А.Н., Корнич В.Г. Влияние концентрации активатора на радикалорекомбинационную люминесценцию Zh-S АЦ С2 фосфоров.-ШС, 1971, т. 14, с. 720723.

85. Лущик Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных, дефектов в ионных кристаллах.-Труды ИФ АН ЭССР,1972,Ш9, с.81-89.

86. Зандберг Э.Я., Ионов Н.И. Поверхностная ионизация.-М.: Наука,1969.-432с.

87. Бажин А.И., Малиненко Е.М., Ступак В.А. Масс-спектрометри-ческий анализ радикалорекомбинационной эмиссии.-ФТТ,Киев-Донецк, Вшца школа. Головное изд-во, 1978, вып. 8, с. 3033.

88. Мрркин Ю.А., Соколов В.А., Стыров В.В. К механизму радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров.-Изв. вузов.Физика,1970,№,с.154-156.

89. А.С. .№819857 (СССР). Способ очистки поверхности полупроводников. Бажин А.И., Малиненко Е.М.: Донецкий государственный университет.-Заявл. 21.10.77 (J£253583I/I8-2I); опубл. 07.04.81. бюлл. 13.

90. Маркин Ю.А., Соколов В.А., Стыров В.В. К механизму радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров.-Изв. вузов. Физика,1970,№3,с.154

91. Стыров В.В., Харламов В.Ф. Квантовый выход РРЛ кристалло-фосфоров. -ЗШС, 1974, т. 21 , с. 824-830.

92. Горбань А.Н., Шаровский В.А. 0 положении температурных максимумов интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции (РРЛ).-В кн.:Хемилюминесценция.Тезисы докладов Всес. совещания по хемилюминесценции 22-25 сентября, Запорожье,1976,с.126-128.

93. Горбань А.Н., Шаровский В.А. Переходные процессы в радикалорекомбинационной люминесценции (РРЛ).-В кн.:Хемилюми-несценция. Тез. докл.Всес.совещания по хемилюминесценции, 22-25 сент. 1976: Запорожье,с.128-129.

94. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Эмиссия ионов и люминесценция при взаимодействии атомов водорода с поверхностью сульфида цинка.-Изв.вузов.Физика,1975,$6,с.129-130.

95. Бажин А.И., Брик О.Г., Малиненко Е.М. Атомная эмиссия и интенсивность РРЛ.-В кн.: Хемилюминесценция. Тез.докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции 22-25 сентября, Запорожье,1976,с.176-178.

96. ЮО .Ыагауапа D., Jagdish ,Kesaluvn Y. Chemisorption of hydrogen and ethylene and hydrogenation of ethylene on zinc oaocide.-J.Phys.Chem., 1970,v.£4,II23,p.4150-415!5*

97. Ю1.Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфо-• ров.-М.:Наука,1971.-336.

98. Бажин А.И., Брик О.Г. Влияние радиационных дефектов на радикалорекомбинационную люминесценцию.-УФЖ,1973,т.18, IS,с.793.

99. Бажин А.И., Брик О.Г., Малиненко Е.М. Тушение возбуждаемой атомарным водородом люминесценции.-В кн.: Хемилюминесценция. Тез. докл. Всесоюзного совещания по хемилюминесценции 22-25 сентября,Запорожье,1976,с.132-134.

100. Бажин А.И., Малиненко Е.М. Кинетика гашения РРЛ при бомбардировке фосфора ионами водорода малых энергий.-В кн.: Хемилюминесценция. Тезисы докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции 22-25 сентября,Запорожье,1976,с.130-132.

101. Hughes A.E., Pooley D. High dose proton irradiation of alkali halides.-Phys.C.,Solid State Phys.,1971,v.4, H14,p.1963-1974.

102. Алексеев В.И. Образование р центров и люминесценция в щ.г.к. при бомбардировке протонами с энергией 30-100 кэВ. Дисс.канд.физ.-мат.наук.-Донецк,1974.-197с.

103. Ю7.Горбань А.Н., Соколов В.А. К вопросу о физико-химической природе кандолюминесценции.-Оптика и спектроскопия,1967, 7,с.258-261.

104. Соколов В.А., Горбань А.Н., Назимова Н.А. К вопросу о "селективности" температурного излучения.-Оптика и спектроскопия ,1971,т.II,с.273-274.

105. Crawford J-H. Radiolysis of alkali halides --Adv., PhyS;., 1968, v, 17, IT1, p. 93-151.112. palmbprg P.W.,Rhodin Т.Н. Surface dissociation of potassium chloride by low energy electron bombardment.-J.Phys.

106. Chem.Solids,1968,v.29,H 2.,p.1967-1970.

107. Башш А.И., Малиненко E.M. Исследование эмиссии при взаимодействии: атомов водорода с поверхностью щелочно-галоид-ных кристаллов.-В кн.: Тезисы докладов II Всесоюзного симпозиума по активной поверхности твердых тел, Тарту,1977, с.102-103.

108. Бажин А.И. Исследование механизма радикалорекомбинационной люминесценции.-Дис.канд.физ.-мат.наук,Томск,1968, -150с.

109. Цаль Н.А. Радиолиз монокристаллов и тонких пленок ионных соединений.-Автореферат дис.доктора физ^-мат.наук^а-ласпилс,1980.-39с.

110. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.-УФН,1977,т.122,Ш,с.223-251.

111. Hersh Н.И. Proposed excitonic mechanism of color-center formation in alkali halides.-Phys .Rev.', 1966,v.1 48,p.928-932.

112. Saidoh M.,Iton IT. H-center interations during thermal annealing in KBr.-J.Phys.and Chem.Solids (Л.В.),1975,v.34,F7,p.1165-1171.

113. Келли P. Ионная имплантация в полупроводники и другиематериалы. Новости физики тв. тела, 1980, J6 10, с. 194235.

114. Ueta М. Color centres studies in alkali halides Ъу pulsed electron beam irradiation.-J.PhysaSoc. Japan,1967, v.23,N1,p.1265-1279.

115. Obreijnder H.,Szymonsky M.,Haring A.,de Vries A.E. Electron sputtering of alkali halides. A study of its dependence on the beam energy and target temperature

116. Rad.Eff. 1978,v.38,N1-2,p.21-27.123. Мартыненко Ю.В.

117. В кн.: Лекции I Всесоюзной школы по электронным и атомным столкновениям, Харьков, 1969, т. 3.

118. Langmuir I. A chemically active modification of hydrogen.- J.Amer.Chem.Soc.,1912,v.34,p.1310-1325.

119. Langmuir I., Ivlackey G.M. The dissociation of hydrogen.

120. J.Amer.Chem.Soc.,1914,v.36,p.1708-1722.1. TOC1.iD*Cario G.,Franc J. иБег zerlegung von wasserstoffmolekulendurch angeregte quecksiberatone.-Z.Phys.,1922,v.11, p.161-166.

121. Бонгефер К.Ф. Свойства свободных атомов водорода.-УФН, . 1928, т. 8, с. 61-75.

122. Wood R.W. Atomic hydrogen,and balmer series spectrum.-Phill.mag.,1922,v.44,p.538-546,

123. Wood R.W. Hudrogen spectra from long vacuum tubes.-Phil, mag.,1921,v.42,p.729-743.

124. Langmuir I. Flames of atomic hydrogen.-Electr.Rev.,1926,v.29,p.153-159.

125. Бажин А.И., Малиненко E.M., Кисляков Н.Г. Исследование энергетического спектра нейтральных атомов, получаемыхв высокочастотном электрическом разряде в водороде.-ФТТ, Киев-Донецк- Вища школа. Головное изд-во, 1981, вып.II, с. 63-66.

126. Сена Л.А., Рязанцева О.Л. Тлеющий разряд в неоне присредаих давлениях. Журнал техн. физ., 1978, т.48, JS 8, с. 1643-1646.

127. Алексеев В.И., Брик О.Г., Малиненко Е.М. Влияние ускоренной атомной компоненты на кинетику РРЛ. В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тезисы докладов совещания-семинара 17-27 сентября, Донецк, 1980, с. 289-290.

128. Волькенштейн Ф.Ф., Маркин Ю.А., Сивов Ю.А., Стыров В.В. К теории радикалорекомбинационной люминесценции. Изв. АН СССР, сер. хим., 1971 с. 1664-1672.

129. Бажин А.И., Брик О.Г., Кисляков Н.Г., Малиненко Е.М. Люминесценция сульфида цинка, возбуждаемая низкоэнергетическими атомами и ионами водорода.-ФТТ. Киев-Донецк. Ви-ща школа. Головное изд-во,1982,вып.12,с.20-24.

130. Малиненко; Е.М., Сунцов Н.В., Кисляков Н.Г. Исследование поверхностных центров свечения Zm S » генерируемых облучением атомами и ионами водорода низких энергий.

131. В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками, Запорожье, I983,c.I6I-I62.

132. Малиненко Е.М., Скрипниченко В.В., Милославский А.Г. Зависимость ионолюминесценции Zh~ S от условий возбуждения. В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками. Тез. докл. республиканского совещания 12-14 мая, Запорожье, 1983, с. 108-109.

133. Hor-ris С.Б.,Barnes С.Е, ,Burholdw. Depth resolved cathodo-luminescense in undermaget and ion-implanted GaAS, ZnS,

134. CdS.-Joum.Appl.Physics., 1973,v.44,N7.

135. Фотолюминесценция сульфида цинка с ионноимплантированнойпримесью неона./Ю.В.Бочков, З.П.Илюхина, Л.С.Лепнева,

136. В.Ф.Туницина и др.-ЖПС,1972 ,т.30 ДЕ2,с.263-266.

137. Samelson Н.,Lempicki A. Fluorescence of cubic ZnS-Cl crystals.-Phys.Rev.,1962,v.125,Ю,p.901-$09.

138. Морозова H.K., Никитенко В.А. Термодинамический анализ собственных дефектов монокристаллов Zfl S с отклонениями от стехиометрии.-Изв. АН СССР. Неорганич.материалы,1973,т.9,0.1555-1559.

139. Пекар С.И. Влияние деформации решеток электронами на оптические и электрические свойства кристаллов. УФН,1953, т. 50,162, с. 197-252.