Ядерный магнитный резонанс в высокотемпературных сверхпроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

6 04

РОССИЙСКАЯ АКАДЕИИ НАУК УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЗИЕ ОРДРЯА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МЕТАЛЛОВ

На правах рукописи

ЖДАНОВ Оря* Иванович ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС

в вьтаптаператупах сверхшшщщах

0t.04.OT - физика твердого тала

к в т о р в фер а т

диссертации яо соискания учвиой степени кандидата физико-математических наук

i

Екатеринбург 1993

Робота выполнена в лаборатории кинетических явлений Ордена '1'рудоього Красного Внааани Института физики металлов УрО РАН.

Научные руководители -.кандидат физ.-мат. наук, А.И Степанов, кандидат физ.-дот. ваук С.В.Верховский

Официальные оппоненты: доктор физ.-мат. наук М.И.Куриин доктор химических наук Р.Н.Пл&тнав

Ведущее предприятие Казанский государственный университет ( г.Казань )

Защита состоится " С » - ОкТ^Я^Л 1993 г. В часов на ¡заседании споциаакгчфованвого

К CX32.03.01_ в Института физики металлов УрО РАН по 620219, Екатеринбург, ГСГИ70, ул. С.Ковалевской, 18.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института фйзихн металлов УрО РАН.

Автореферат разослав " 1Ъ ," Ш-ьТЛ 1993 г.

Унвдый секретарь специализированного совета кандидат физ мат. наук

совета адресу:

В.Р.Галахав

огаля ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Явление высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) привлекает большое число исследователей как своими возможными практическими применениями, так и новизной я многообразием особенностей, свойственных коррелированным электронным системам. Выяснение природы сверхпроводящего состояния в оксидах требует надежных экспериментальных данных об электронных и решеточных свойствах, их общности и различии в широким классе ВТСП соединений. Особое значение приобретают локально чувствительна методы такие, как ядерный магнитный резонанс (ЯМР), который . является одним из наиболее информативных при исследования низкочастотной спиновой динамки и распределении спиновой плотности в кристалла.

Цель работы - изучить изменение спиновой восприимчивости Хз при переходе ВТСП с эдинения в несверхпроводящее металлическое состояние л при структурном разупорядочении.

Научная новизна исследований заключается в следующем:

1. Впервые проведен совместный анализ спектров ядерного квадрупольного регюнанса (ЯКР) я ЯМР "Си я получены оценки однородной спиновой восприимчивости х0 слоев СиОг .для Т1гВа2СапСип<10в4гП (п«0,1,2) с различным числом указанных слоев, приходящихся на эльиентарвуп ячейку.

2. Систематически исследованы изменения 10 я интенсивности антиферромагштпшх (АФ) флуктуаций для система Т1^ВааСиОа4£ с различным содержанием кислорода.

3. Впервые обнаружены межплоскостныв АФ корреляция спиновых флуктуаций в Т1о вРЬо в5гаСао в¥о аСиэ0т.

4. Впервые методами ЯМР изучено уменьшение Х0, происходящее при облучения *Ва2Сиэ07 быстрыми нейтронами. Показано, что при этом происходят андерсоновский переход металл-изолятор с образованием "псевдощели" на уровне Ферми.

5. Впервые продемонстрировано, что при разупорядочении УВа2Си30т быстрыми нейтронами происходят образовало магнитных моментов на атомах меди в плоскостях, СиОг с образованием антиферромагнитного ближнего порядка в диэлектрической фазе.

Научная и практическая ценность. Изучение методами ЯМР сверхпроводящих оксидов позволило получить сведения ■ об особенностях электронных спиновых возбуждений в плоскостях

3

Си02. Подученные результаты механизмов, приводящих сверхпроводимости.

могут быть использованы при анализе к явлению высокотемпературной

На защиту выносятся:

1. Результаты экспериментальных исследований спектральных и релаксационных характеристик ядер 6ЭСи и 20 Т1 в сериях Образцов Т1. Ва2СапСип.,°612П с различным числом слоев Си02, приходящихся на элементарную ячейку и Т12Ва2СиОб+г) с различным содержанием кислорода.

2. Результаты исследования мелшлоскостных АФ корреляций спиновых флуктуаций для системы Т1 РЬ Бг Са„ У„ Си О по

С1.6 О . 5 2 0.8 0.2 2 7

данным скорости снин-решеточной релаксации (Г^М Си и Т1.

3. Результаты исследования спектров ЯКР и ЯМР взСи и РМР 8ВУ, скорости сшш-решеточной релаксации 6ЭСи и В9У з образцах УВагСиз°б ав' подвергнутых разупорядочению быстрыми нейтронами.

4. Доказательство образования магнитных моментов на атомах меди в плоскостях СиОг в УВа2Сиз0? при облучении быстрыми нейтронами с образованием антиферромагнитного ближнего порядка ь диэлектрической фазе.

Достоверность полученных результатов обеспечивается физической корректность. -постановки задачи, падежной аттестацией образцов, корректной обработкой экспериментальных дапша. Выводы, сделанные в диссертации, логически следуют из данных эксперимента. Имеется согласие ряда результатов работы с данными, полученными другими методами.

Апробзццд-работы. Результаты работы были доложены на 26-ом конгрессе ШШРЕ (Гоеция 1992),на XXV Всесоюзном сог.ащашш по физике низких тешоратур (Ленинград, 1968), на XXVI Всесоюзном совещании по физике низких температур (Донецк, 1990), на XII Всесоюзной щколо-сишозиуме по магнитному резонансу (Кунгур 1991), на 1-111 Всесоюзных совещаниях по высокотемпературной сверхпрозодимости (19С9-1991), II, III и V Гермацо - Российском семинаре по высокотемпературной сверхпроводимости (Таллинн 19Й9, Карлсруе 1990, Клостер-Бшщ 1992).

Публика.,^. Основное содержание .работы опубликовано в статьях [1-9].

Структура и объем работы. Диссертации состоит из введения,

4

четырех глав п заключения. В ее объем входят 139 стрзниц машинописного текста, 34 рисунка, б таблиц и список литературы, включающий 85 наичевонапий.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТУ

Во введения обоснована актуальность теми диссертации, сформулированы ее цели и задачи, приведепы внпосимые на защиту положения и дается крчткая аннотация работы по главам.

В первой главе кратко рассмотрен« особенности кристаллической структуры высокотемпературных сверхпроводников УВа Си 0 , Т1 Ва СиО (Т12201), Т1 Ва СаСи О (Т12212) в

2 3 7 2 2 6 22 28

Т12ВагСа2Сизи)о (Т12223), исследование которых проводится в данной работе. Рассмотрена свяпь спектральных и релаксационных параметров ЯМР с динамической спиновой восприимчивостью хкд.и). Приведен обзор феноменологической модели Миллиса, Моньена, Пайнса (ММП) однокомпонентной анткфорромалштно коррелированной Ферми жидкости, на основании которой проводится анализ спиновой восприимчивости. Завершается глава постановкой задачи исследования.

Во второй главе описаны методики приготовления образцов, аппаратура, применявшаяся в исйледованиях, экспериментальные методики получения спектров ЯМР, измерения времен сшга-{Ьешеточной и спин-спиновой релаксации и программное обеспечение, соэдашюэ автором, для симуляции ЯМР спектров порошков.

В третьей главе подставлены результаты ЯМР исследований таллиевнх высокотемпературных сверхпроводников.

В начале главы больше внимание уделено анализу спектров ЯМР Т1 и Си в нормальном и сверхпроводящем состояниях с целью получения наиболее точной оценки Найтовского вклада в сдвиг линии ЯМР

Лилия ЯМР го5Т1 для Т12Ва2СиОв при комнатной температуре имеет положительный сдвиг (0.33%) и а^симетричную' форму. Для кальцийсодержащих соединений появляется дополнительная .линия, характеризуемая отрицательным сдвигом {—0.272) и примерно в три раза большим временем спин-спиновой' релаксации . (Г2). Дополнительная линия обусловлена атомами Т1, являпцимися дефектами замещепия в слоях Са.

Для выделения найтовского вклада 6 .двиГ линия ямр

5

го*Т1 была определена половая завдсииость изменения сдвига ори переходе в сверхпроводящее состояние. Основная позиция имеет сдвиг Найта ~0.06Х, в то время как "дефектная" 0.3*0.4*. Поэтому обнаружение температурной зависимости 1а по дэнным Кх (Т11) в области нормального состояния представляет большие экспериментальные сложности. Более точные данные о поведении *8<Т) могут быть получены из анализа сдвигов К3(Т12).

Независимое определение однородной спиновой восприимчивости было проведено по данным сдвига Найта на атомах меди. Для этого анализировались спектры ЯМР езСи. Линия перехода (и=-1/2«-»1/2) "Си для Т12212 представляет собой классический пример квадрупольш расщепленной линии ЯМР. Поскольку для 112223 имелся две кристаллографически неэквивалентные позиции меди, то и спектр ЯМР есть суперпозиция двух линий с соотношением ннтенсивностей 2:1. Менее интенсивная линия принадлежит атомам меди Си2, расположенным между плоскостами Са. Соответствующая линия ЯКР была обнаружена на частоте 10.5 МЩ. Для соединений Т12201 (2ГС-67К), Т12212 (ГС=112К) в Т12223 (ГС=125К), имепцих максимальное значение Тс для данного числа слоев СиО, в области попмального состояния перпендикулярная составляющая тензора сдвига линии ЯЫР (КА) практически не зависит от температуры. Только вблизи Тс наблюдается небольшое уменьшение КА (рис. 1). При Т<ТС происходит уменьшение

0.0

юо гоо

т, к

Рис.1, Температурная зависимость СиК для Т1221г-#; 'Л2223 Си1-а; Си2-л.

обусловленное уменьшением Найтове кого сдвига, пропорционального Xs- Полагая, что при гелиевых температурах значения определяются лишь орбитальным вкладом, можно считать, что разность Ку(Т*Тс) - КА(Г=4.2К) определяет величину спинового вклада Ksl. Значения определенные из сдвигов, для

кристаллографически эквивалентных плоскостей составляют 2.8(2); 2.4(2); 2.6(2) (эВ-ат.Си-сп)"1 для одно- двух- и трехслойного состава соответственно. Таким образом, при увеличении числа плоскостей Cu02 величина x3(Cu1) п пределах погрешности определения остается неизменной. Если полагать, что х, пропорционально плотности электронных состояний на уровне Форт/л ШЕг), то можно говорить о ее постоянстве в ряду двухслойных Т10 купратов, имеющих для данного п максимальное значение Тс. Обнаружено различие значений спиновой восприимчивости (Хя/2цд=1.6 для Си2) для кристаллографически неэквивалентных позиций Cul и Си2 в Т12223 (рис.1).

В данной главе дян анализ изменения xs при изменении содержания кислорода в Т12201. Ранее было известно, что с увеличением содержания кислорода в Т12201, наряду с падением Тс, происходит трехкратное увеличение константы Холла без каких либо изменений магнитных свойств..Интересно выяснить, как при этом изменяется спиновая восприимчивость:

В рамках модели \чШ7, в соединении Т12201 температурная зависимость T^'iTl) должна иметь тот же вид, что и для атомов меди, в силу отсутствия для позиций атомов таллия элемента симметрии - центра инверсии относительно ближайшего' окружения из атомов Си. Как видно из рис.2, эта пропорщональность действительно имеет место. Изменение угла наклона прямых на рисунке для образцов с различными Тс объясняется уменьшением степени анизотропии тензора спин-рекотопной релаксации для "Си и одновременно ослабеванием вклада магнитных флуктуация.

Температурные зависимости скорости слин-решвточной релаксации в области нормального состояния могут быть

удовлетворительно описаны Кюри-подобной зависимостью. ^

(Г,П- - V-

Соответствующие значения подгоночных параметров /?0, RAF, в приведепы в таблице.

205т-1

11 ,гпз

Рис.2. Нараматрическая зависимость 6ЭТ^ от 20Вт-1 для 112201 ГС-'ГОК-Д; Гс-ч32К-0; Гс<4К-а.

Таблица 1. аначепия подгоночных параметров аппроксимации температурной зависимости г06Г~1 для образцов Т12201, имекцих различные Гс.

5атр1вз Т1,Па СиО. . г г б»о

ТС.(К) <4К 32 •¡ГО

В0,сек",К"1 3.0(5) . . 2.5(5) 0.6(5)

й^.сек*1 1300(150) 1400(150) 2000(400)

в,К 80(20) 130(30) 100(20)

Рост /?о-хо при перехода к несверхпроводящему образцу отражает увеличение однородной спиновой восприимчивости, что находится в согласии с изменением коэффициента Холла в серии Т12201, имеющих различные значения Тс.

В предположении постоянства сверхтонких полей на ядрах

8

атомов меди поведете коэффициента йд|; отражает изменение интенсивности парамагнонного пика в х(д.ь») при (]*{ж/и;л/а), где а - параметр кристаллической решетки. При нер юде к образцу с максимальным значением Тс его интенсивность увенчивается примерно вдвое.

Таким образом, из анализа данных по спин-решеточной релаксации вэСи и 2°5Т1 в "Л 2201 с различными Тс видно изменение низкочастотной спиновой динамики. Можно также сделать 'вывод, что с ростом степени дырочного допирования в Т1?Г 2СиОв^б наблюдается тенденция перехода к состоянию с более выраженным металлическим поведением и одновременным ослаблепием интенсивности спиновых корреляций.

В конце главы рассмотрен вопрос о возможности обнаружение ■методом ЯМР межолоскостных АФ корреляций стшових флуктуаций. Наличие антиферромагнитных корреляций в плоскостях Си02 приводит к линейной зависимости Т~1 на 170. Возет ает вопрос: имеют ли место корреляции между плоскостями Си02 или они существенны только 'внутри плоскости. Ответ можно получить, исследуя температурный ход Т'^' для атомов, расположенных моиду плоскостями меди, например, Т1 в Т1 РЬ Зг Са У Си 0 .

г г О.Б 0.5 2 Ч-в О.2 2 7

Атом Т1 располагается в центре нворсии относительно ближайших атомов меди и, если корреляции отсутствуют, следует ожидать (Т1) ~ Г^'(Си). Если же корреляции имеют место, то будет происходить компенсация флуктуаций сверхтонких полей. Тогда температурная зависимость 1(Т1) будет определяться длинноволновой частью (д~0) спектра спиновых флуктуаций, что приведет к отличию от наблвдаемой для Си зависимости Г"1(Г). На рис.3 приведены температурные зависимости скорости спин-решеточной релаксации для взСи и го5Т1, и можпо предположить, что- антиферромагяитныв корреляции существуют между плоскостями Си02, расположенными достаточно далеко друг от друга.

Подобный вывод нельзя сделать для "дефектного" !Г1, поскольку достаточно наличия внутришюскостных корреляций для подавления влияния антиферромагштшх флуктуаций. Это не позволяет исследовать степень корреляции флуктуаций между плоскостями, разделенными слоями Са.

В четвертой главе приведены результаты исследования соединений УИагСиз0б ^, подвергнутых структурному

9

4.

■H

I

У <D w

Eu

»4 1

H •

0.

Рис.3 Температурная зависимость скорости спин-решеточной релаксации для вэСи-и и 20ВТ1-а в области нормального состояния для соединения Т1 Pb Sr Са Y Си О .

О.S 0.5 2 0.8. О.2 2 7

разупорядочению флюенсом быстрых нейтронов.

В начале главы дап анализ эволюции спектров ЯКР при радиационном разупорядочении. В исходном соединении YBa2Cu30e 9S наблюдаются две линии ЯКР e3Cu на частотах 22.0; 31.4 МГц, которые относятся к сигнала« атомов меди, занимающих соответственно позиции Cut и Си2. Облучопио уже при начальных флж^нсах (ф) .приводит к уширению линий спектра более чем в три раза. При ф=12-10,8см"г на частоте i>=24 МГц появляется сигнал слабой интенсивности (менее 3% от линии на 22МГц)• В кислородно-дефицитных образцах появление этой линии связывается с позициями cul, имеющими в ближайшем 04 окружении одну вакансию. В образцах с î=12-10,bcm"z и больше наблюдается розкое уменьшение интенсивности ЯКР сигнал« Си2 позиций в области 31МГц. Д : образца «=20-10,всм"2 в котором отсутствует сверхпроводящий отклик, линия становится практически ненаблюдаемой.. В то же впемя интенсивность линии вблизи частоты 22МГц изменяется существенно слабее. Кроме того, при раз> ¡юрядочении в температурной зависимости статической магнитной, восприимчивости появляется вклад topi' Вейса,

10

▲

•Ч I-1___I_I__I_

80 180 280

т, к

свидетельствующий об образовании локализованных магнитных моментов. Сохраняя прежней структурную идентификацию частот набдвдаемых сигналов, на основании эволюции спектра ЯКР вэСи можно утверждать, что локализованные _ магнитные моменты образуются преимущественно в позициях Си2.

Для получения оценок спиновой восприимчивости был проведен анализ температурной зависимости сдвига ЯЫР линии Си2. По мерг роста фдюенса происходит уменьшение однородной части спиновой восприимчивости. Поскольку основной вклад в х3(Ч=°) связан с паулиевским парамагнетизмом электронных сост яний вблизи энергии Ферми, можно утвервдать, что при создании беспорядка 8 УВагСиз0в 9 падение критической температуры сопровождается резким уменьшение плотности состояний на уровне Ферми. На настоящий момент трудно указать определяющий фактор наблюдаемого поведения плотности состояний вблизи энергии Ферми при структурном ра упорядочении ¥Ва2Сиз0в э. Скорее всего здесь мы имееь. дело с появлением корреляционной "псевдощели" на уровне Ферми, связанной с проявлением эффектов беспорядка в коррелированном электронном газе. На диэлектричес?сой стороне эта "псевдощель" переходит в кулоновскую щель, обусловленную взаимодействием электронов, находящихся в локализованных состояниях.

Для исследованных сверхпроводящих образцов в области металлического характера проводимости зависимость от температуры скорости спин-решеточной, релаксации в нормальном состоянии В9У удовлетворительно описывается линейной зависимостью с крутизной, возраставшей по мере роста флюенса. В области металлического характера проводимости такая температурная зависимость характеризует корринговскнй механизм релаксации в металлах: <

Т;^орр~Т*8(Ч=0)»Еф=ГхоП/гф.Г*охС,

где тс время корреляции электронного движения, примерно равное времени, затрачиваемому электроном со скоростью Гф для преодоления расстояния а между соседними атомами в кристалле. Нщ - плотность электронна состояний на уровне Ферми. По меро приближения системы к переходу Андерсона, электроны проводимости все более медленно диффундируют в окрестности данного ядерного спина и, следовательно, взаимодействуют с ним

11

в течении все большего времени, что приводит к росту- т и,

ВЭу-1 с

соответственно.

Х0- Этот эффект максимален в

по сравнению о значением, определяемым точке перехода. В дальнейшем, когда электроны остаются локализованными в окрестности ядра меди с размерами порока К1ос, радиус локализации уменьшается с ростом беспорядка, и электрон все менее эффективно взаимодействует с ядром иттрия, что должно приводить к

в9Т-/(Ф) для наблюдается на

уменьшению Т~ . Подобное уменьшение полупроводниковых образцов с Ф>12.10,вст"г эксперименте.

Измерение ширины линии ЯМР 89У является одним из самых чувствительных тестов паличия антиферромагнитного упорядочения в плоскостях Си02. Причиной уширения линии ЯМР иттрия являются

магнитными моментами

статические дипольные поля, создаваемые окружения в разупорчдоченных областях.

На рис.4, приведены

температурные зависимости ширины линии ЯМР У для сильно

облученных образцов УВа2Сиз0в ■ с ф *

20Ю,всм"

300

Т, К

Рис.4. Температурная зависимость ширины линии ЯМР 9У в соединении УВагС-30в э при различных значениях потока быстрых нейтронов: и-$=2СМ01вспГг; Стрелками указана температура начала упорядочения.

о-Ф=50>10,вст"г.

магнитного

Как видно из рисунка, температура, при которой начинается процесс упорядочения, возрастает увеличением флюенса. Следует отметить, что область магнитного перехода сильно растянута, что. по-видимому, обусловлено создание структурном беспорядком. Полностью переход можно считать злвершепныы лишь в образце с максимальным флюенсом при температурах ниже 40К, где ширина линии ЯМР иттрия принимает постоянное значение 6и а 85(5)кГц. Приведешше данные можно считать одпим из прямых свидетельств наличия антиферромагнитного ближнего порядка локализованных магнитных моментов в Си02 плоскостях, возникающих при радиационном разунорядочении таа2СазОб э. Естественно, данное рассмотрение не позволяет судить о характере магнитного упорядочения. Возможно, что в данном длучаа происходит упорядочение типа спинового стекла.

В Заключении перечислены наиболее важные результаты и выводы диссертации.

• ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1.В ряду купратов Т12Ва2СапСиги)0б^п (п=0,1 температура сверхпроводящего перехода которых увеличивается с ростом п, обнаружено примерное постоянство 13(ц=0) для кристаллографически эквивалентных слоев СиОг.

2.Показано, что в Т1гВагСиОб+6 уменьшение температур сверхпроводящего перехода при увеличении концентрации дырочных носителей п^ сопрововдается ростом однородной спиновой восприимчивости и ослаблением антиферромагнитных спиновых флуктуаций, что позволяет предположить существование оптимального зпаченин пь для достижения максимального Тс.

3. Обнаруженное в' Т^В^Са^и^О^ различие спиновой восприимчивости кристаллографа ски неэквивалентных слоев ОиО указывает на ограниченность моделей о двумерном характере электронного движения в медных слоях, ,

4.Впервые показано наличие антиферромагнитних спиновых корреляций атомов меди между дальними соседними плоскостями Си02 в Т1о БГЬо 5ЗггС о вУо 2Си20?, импщим оптимальное для Тц донироиапие дырочными носителями.

5.Установлено, что при радиационном структурном разунорядочении УПа.^Си^ д происходит уменьшение, однородной типовой восприимчивости, завершающееся образованием щели в

13

электронном спектре вблизи энергии Ферми.

6.Впервые методами ЯМР обнаружен переход металл-диэлектрик за счет андерсоновской локализации в УВагСизОв , подвергнутом структурному разупорядочения быстрыми нейтронами. -

7.Впервые обнаружена локализация магнитных моментов в плоскостях СиО радиационно разупорядоченного УВа Си 0 . при

.. 2 Э в »9 г

♦*20-10 см" . При низких температурах происходят упорядочение с образованием антиферромагиитного ближнего порядка. Температура начала упорядочения увеличивается с ростом флюенса.

Основные результаты диссертация опубликованы в работах:

1.Алексашин Б.А., Воронин В.И., Верховский C.B., Гоцицкий Б.Н., Давыдове.А., Жданов D.M., Карькин А.Б., Кожевников В.Л., Мирнелыггейн A.B., Михалев К.Н.Садовский II.В., Сериков В.В., Чешницкий С.Ы. Эффекты локализации в томно- раэупорадоченных высокотемпературных сверхпроводниках. // ЖЭТФ - 1909. Т.95, М2. - 0.678-697.

2.Богданович ¿.II., Михалев К.Н., Жданов Р.И., Пискунов D.B., Верховский С.Г , Лаврентьев В.В., Алексашин Б.А., Акимов А.И., Чернякова А.П. Спиновая восприимчивость плоскостей Си02 6 сверхпроводящих оксидах (11Pb)BaaCa3Cu40tl и ^Ва^а^и^О,^ (п=0,1,2) по данным ЯМР ,эСи. // СФХТ -1993. - Т.6,*М4.*- С.758-766.

3.Жданов D.M., Богданович A.M., Михалев К.Н., Алексашин Б.А., Лаврентьев В.В., Верховский C.B., Акимов А.И., Чернякова A.n. Частот ядерного квадрупольного резонанса кристаллографически неэквивалентных позиций атомов леди TlaBaiCa2Cu3010 // СФХТ -1993. - T.6/ W4. - С.750-757.

4.Жданов D.M., Богданович A.M., Алексашин Б.А., Михалев К.Н., Лаврентьев В.В., Верховский C.B., Сериков В.В., Садовский М.В. Изменения в электронном спектре *ВагСиэ06 в при радиационном разупоряОочении: данные ЯМР eeY, "Си // ЖЗТФ - 1993. - Т.103, H5. - С.1762-1785.

5.Verkhovakii S.V., Zhdanov ïu.I., Mlkhaljov K.N.. Aleksashln B.A., tohogln V.l., Yakubovskli A.Yu., Shustov L.D. Spin-

14

lattice relaxation. VQR "Cu and 206T1, ,70 in ■ri2Bv.2CanCun^0Bi;in (n-0,1,2) //Physlca B - 1990. - V.165&166. - P.1311-1312.

6.Zhdanov Yu.I., Aleksashln B.A., Bogdanovlch A.U., Verkhovskii S.V., Mlkhaljov K.N,, Okulova K.A., Serikov V.V. HQR and spinlattice relaxation of 63Cu in radiation disordered YBa^u^

// Physlca C 1990. V.165. P.475-479.

7.AlRlcaeevakli N.E.; Nikolaov E.G.Mltln A.V., Khlytxw E.P., Zhdanov Yu.I., Aleksa3hln B.A., Ulkhaljov K.N., Verkhovskii S.V., Lavrentjev V.V., Medvedev E.Yu. Spin-lpttice relaxation, VQR S3Cu and VIIR aosTl in Tl^tuO^g // Physlca C 1992. V.192, P.147-153.

8.Zhdanov Yu.I., Aleksashln B.A., Uikhaljov K.N., lavrentjev. V.V., Verkhovskii S.V., Yakubovskll A.Y"., Ozhogln V.I.„ Shustov I..D., Myasoe^ov A.B. Inter layer CuOz ant i ferromagnetic spin correlation in Tl-baaed super conducting Tl,Ba Ca-CiL 0 - and Tl„ Pb SrCa„ Y„ ,Cu 0, oxides:

2 2 11 "n»l S*zn O.B O.S 2 O.B 0.2 t 7

s3Cu and T1 SMR and spin-lattice relaxation data., // Physlca C 1991. V.183, P.247-251.

9.Verkhovskii S.V., Zhdanov Yu.I., Bogdanovlch A.M., Mlkhaljov K.N., Aleksashln B^A., Serikov V.V. lavrentjev V.V., Sadovskll M.V. ffi№ and spin-lattice relaxation of 89Y 63Cu in radiation disordered YBa2Cu30g 9 // Appl. Uagr Reson. 1992. V.3. P.649-663.

Отпечатано на ротапринте ИФМ УрО РАИ тираж 80 аакаа 93 объем 0,7 пач.л. форма* 60x84 Г/16 620219 г.Екатеринбург ГСП-170 ул.С.Еотевоко», 18