Явления глобального гистерезиса и влияние электрического поля на фазовые переходы соразмерная - несоразмерная фаза в сегнетоэлектрических кристаллах (NH4)2Be F4. Rb2ZnCl4 и ТМАТС - Zn. тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М. В. ЛОМОНОСОВА

"РГТ

ол

физический факультет

На правах рукописи удк 537. 226. 4

рагула Елена Петровна

явления глобального гистерезиса и влияние электрического поля на фазовые переходы соразмерная - несоразмерная фаза в сегнетоэлектрических кристаллах (гш^ве г4> кь2гпс14и тматс - гп.

01. 04. 07 - физика твердого тела

автореферат Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва - 1994г.

Работа выполнена на кафедре общей физики для естественных факультетов Московского Государственного Университета им. М. В. Ломоносова

Научный руководитель - доктор физико - математических наук,

профессор Б. А. Струков

Официальные оппоненты: доктор физико - математических наук

В. В. Гладкий,

кандидат физико - математических наук Г. В. Белокопытов

Ведущая организация - Институт Общей Физики РАН

Защита состоится '¿0 "С^Т^рЛ 1994г. в \Ь час, на заседании специализированного совета N1 (К 053.05.19) в Московском

Государственном университете по адресу: г.Москва, 119899, Ленинские горы, МГУ, физический факультет, ауд.

кхрд

С диссертацией можно ознакомиться в факультета МГУ им. М. В. Ломоносова.

Автореферат разослан '"{] "С&ниИрР1994г.

Ученый секретарь специализированного Совета N 1

(К 053.05.19) в МГУ им. М. В. Ломоносова доктор физико-математических наук

библиотеке физического

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ. Данная работа посвящена исследованию явления глобального гистерезиса и влияния электрического поля на фазовые переходы соразмерная - несоразмерная фаза в сегнетоэлектрических кристаллах, принадлежащих в симметричной фазе к одному структурному типу А2ВХ4 (симметрия оЦ^Рпат)), но с различной температурной протяженностью несоразмерной фазы: (МН4>2ВеГ4 (Т^ = 183 К, Тс= 177 К), ШСН3)4>22пС14 (Т4= 296 К, Тс= 280 К), КЬ2гпС14 = 303 К, Тс= 192 К).

АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ И ПРАКТИЧЕСКАЯ ПОЛЕЗНОСТЬ. Интерес к изучению физики сегнетоэлектрических фазовых переходов в последнее время значительно возрос из-за широкого применения сегнетоэлектриков в различных областях техники. Аномально высокие значения ряда физических параметров в этих материалах дают возможность использовать их в качестве активных сред в радиотехнике и электронике, нелинейной оптике и автоматике, устройствах памяти. В этом отношении особый интерес представляют сегнетоэлектрические ■ кристаллы с несоразмерной фазой. К началу настоящей работы многие вопросы, связанные со спецификой существования и эволюции относительно устойчивых метастабильных состояний в несоразмерных фазах сегнетоэлектрических кристаллов оставались открытыми.

Непрямые методы контроля степени дефектности образцов (например, по величине внутреннего электрического смещающего поля, разности температуры фазового перехода соразмерная - несоразмерная фаза при охлаждении и нагревании, величине диэлектрической проницаемости в точке этого фазового перехода) позволили выявить некоторые особенности гистерезисных явлений в связи с дефктной структурой кристаллов. Построенная экспериментальная установка может быть использована для исследования диэлектрических свойств кристаллов, находящихся в метастабильных состояниях, различных при их нагревании и охлаждении.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. В диссертационной работе была поставлена задача получения новых эксперимейальных данных по исследованию

явлений глобального гистерезиса в связи со следующими вопросами:

1. Роль различных типов дефектов и их влияние на явление глобального гистерезиса.

2. Влияние электрического поля на фазовые переходы в несоразмерную фазу и величину диэлектрической проницаемости.

3. Проблема равновесного состояния и возможности его реализации в несоразмерной фазе.

4. Вопрос о проявлении гистерезисных явлений во всем температурном интервале существования несоразмерной фазы.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ:

1. Создана автоматизированная установка для исследования температурных и тюлевых зависимостей диэлектрической проницаемости на базе вычислительного комплекса ДЗ-28.

2. Впервые обнаружено, что устойчивые неравновесные состояния, связанные с замедленным установлением равновесного значения периода модулированной структуры, наблюдаются во всей области существования несоразмерной фазы в кристаллах, включая область синусоидальной модуляции.

3. Исследования фазового перехода несоразмерная - соразмерная фаза в кристаллах при постоянном электрическом поле позволили установить "расщепление" этого фазового перехода при охлаждении кристалла. Предложен возможный механизм расщепления, обусловленный неоднородным распределением примесей в кристалле.

4. Показано, что при циклическом изменении электрического поля в области Тс наблюдается характерный гистерезис зависимости диэлектрической проницаемости от температуры, причем установлено, что в кристаллах с несоразмерной фазой наиболее устойчивым состояниям кристалла отвечают состояния на кривой нагревания.

5. В кристаллах (Ш^^Ве^ было обнаружено нерегулярное распределение дефектов, формирующих внутреннее смещающее поле в кристалле. Подтверждено, что "замороженные" дефекты не влияют на величину гистерезиса зависимостей диэлектрической проницаемости от температуры при охлаждении и нагревании, однако оказывают влияние на формирование одинарных, тройных и

четверных петель гистерезиса в зависимости Р(Е). АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ:

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: XI Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству, г. Черновцы, 1986г.; III Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов", г. Москва, 1987г.; XII Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству, г.Ростов-на-Дону, 1989г.; XIII Конференции по

сегнетоэлектрчеству, г.Тверь, 1992г.

ПУБЛИКАЦИИ:

По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ. СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ:

Диссертация состоит из введения, трех глав и выводов, изложена на 149 страницах машинописного текста и содержит 70 рисунков. Список литературных источников включает 148 наименований. Общий объем соствляет 165 страниц.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ:

1. Создание методики исследования температурных и полевых зависимостей диэлектрической проницаемости в сегнетоэлектрических кристаллах с несоразмерной фазой на базе микро ЭВМ ДЗ-28. ^Доказательство существования неравновесных состояний во всей области существования несоразмерной фазы, включая область синусоидальной модуляции.

3. Обнаружение дополнительных аномалий на зависимости е(Т) в постоянном электрическом поле при охлаждении кристалла, указывающих на возможное "расщепление" фазового перехода.

4. Установление и сравнительный анализ зависимости с(Т, Е) в кристаллах с несоразмерной фазой с различной степенью дефектности.

5. Установление зависимости е(Е) в кристаллах RbgZnCl^ в области Т° - Т» и интерпретация данных в связи с возможностью изменения плотности солитонов внешним электрическим полем.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

ВО ВВЕДЕНИИ дана общая характеристика работы. Ставится цель исследования, обосновывается актуальность проблемы, практическая ценность, научная новизна.

В ПЕРВОЙ ГЛАВЕ проведен обзор литературных данных по физическим свойствам сегнетоэлектрических кристаллов с несоразмерной фазой типа А2ВХ4. Проанализирована феноменологическая теория, которая дает описание аномалий равновесных свойств кристаллов в области фазовых переходов в несоразмерную фазу и в самой несоразмерной фазе. Рассмотрена природа специфических гистерезисных явлений сегнетоэлектриков с несоразмерной фазой. Проведен анализ имеющихся экспериментальных данных о влиянии дефектов на глобальный гистерезис. Отмечено, что основные закономерности, связанные со спецификой существования и эволюции относительно устойчивых метастабильных состояний в несоразмерных фазах сегнетоэлектрических кристаллов были установлены. Но многие вопросы, имеющие принципиальный характер, к началу данной работы оставались открытыми; к ним относилось влияние электрического поля и различных типов дефектов на явление глобального гист ерезиса; проблема равновесного состояния и возможности его реализации в несоразмерной фазе, а также возможность проявления гистерезисных явлений во всем температурном интервале существования несоразмерной фазы.

ВО ВТОРОЙ ГЛАВЕ описывается экспериментальная методика исследования диэлектрических свойств кристаллов.

Исследование деталей фазовых превращений в любых системах накладывает определенные требования на конструкции термостатирующих устройств, обеспечивающих необходимые условия поддержания и изменения температуры, контроль температурных градиентов, изменения заданных параметров. Для получения надежных воспроизводимых данных по температурной зависимости диэлектрической проницаемости необходимо обеспечить условия эксперимента, при которых точность поддержания температуры не хуже 10 К, скорость изменения температуры образца при измерениях в режимах охлаждения и нагревания по заданной программе не более 0,1 т 0,01 К/мин. При емкостях кристаллических пластин С~1-3 пФ, необходимая точность измерения диэлектрической проницаемости достигается при точности измерения емкости не хуже С~0,01 пФ. Установка, собранная на базе

Рис. 1

Блок-схема установки.

вычислительного комплекса ДЗ-28, обеспечивает указанные условия при измерениях диэлектрических свойств кристаллов в интервале температур 80 т 300 К (рис.1). Установка состоит из управляющей ЭВМ ДЗ-28, блока сопряжения, криостата, условно показанного на схеме пунктиром, в котором могут находиться одновременно два образца (С^ и Cg), цифрового универсального вольтметра Щ-31 для измерения и кодирования напряжения на платиновом термометре сопротивления R(t) и эталонном сопротивлении R3T, необходимых для расчета температуры в кристалле, а также для измерения подаваемого на кристалл высоковольтным усилителем постоянного или пилообразного напряжения. Значения напряженности электрического поля в кристалле выводятся на вход "X" двухкоординатного самописца. Коммутатор "U" служит для подключения сопротивлений R(t), R3T или образца "С" к вольтметру; коммутатор "I" - для изменения направления тока в цепочке R - R(t) при точном

измерении температуры; коммутатор "С" - для поочередного подключения образцов С^ или Cg. Для измерения емкости использовался автоматизированный мост с цифровым отсчетом Р5079 (точность измерения 0,01 пФ) или прецизионный логарифмический мост С-3030 фирмы "Sullivan" (точность 0,1%), напряжение, пропорциональное с выводилось на вход "Y" двухкоординатного самописца. Температура задавалась и поддерживалась двухуровневым регулятором температуры, платиновый термометр сопротивления R^ и нагреватель RHj входят в схему предварительного задания уровня температуры, нагреватель RH2 и платиновый термометр сопротивления R^ ~ в схему цифрового регулятора температуры, реализующего прецизионную стабилизацию и изменение температуры. Снятие зависимостей е(Т), с(Е) и Р(Е) непосредственно на двухкоординатных самописцах позволило повысить точность и воспроизводимость экспериментальных данных. Для исследований были использованы кристаллы (NH^îgBeF^,(ФБА), Rbg ZnCl^, TMATC-Zn, выращенные из водных растворов химически чистых реактивов методом испарения, а также полученные из расплава. Пластинки размерами 5x5x0,5 мм покрывались электродами из сусального серебра или серебряной пастой. Начальная (при комнатной температуре) емкость кристаллических конденсаторов составляла 1,5 f 3,5 пФ.

ТРЕТЬЯ ГЛАВА посвящена экспериментальным результатам исследования явления глобального гистерезиса и влияния электрического поля на фазовые переходы соразмерная - несоразмерная фаза в сегнетоэлектрических кристаллах.

В § 1 приведены результаты исследования влияния электрического поля на величину и температурную зависимость диэлектрической проницаемости в кристаллах ФБА в области фазового перехода в несоразмерную фазу. При возрастании электрического поля в режиме охлаждения происходит расщепление максимума е^ : появляется второй ("правый") максимум (Т°*Г, смещающийся в область более высоких температур (рис.2). "Расщепление" фазового перехода при охлаждении кристалла, возможно, связано с возникновением новой промежуточной фазы при наличии электрического поля, либо с дефектной структурой образца. Показано, что при циклическом изменении электрического поля в области TQ наблюдается характерный гистерезис зависимости eb (Е), причем значения в конце цикла всегда соответствуют основной кривой

/ А 51 -1/с*

14

у • •

*

я» I, *» « м Г

1

Ч «•

Р«С. Ч

Рис.2. Температурная зависимость

диэлектрической проницаемости кристаллов ФБА при различных значения* напряженности постоянного смещающего поля в режиме охлаждения. Рис.3. Влияние электрического поля на диэлектрическую проницаемость кристалла ФБА вблизи Тс (схематическое изоражение). Рис.4. Зависимости с(Т) кристалла ФБА вблизи точки фазового перехода Т1 симметричная - несоразмерная фаза. На вставке показана температурная зависимость сь(Т) в широком интервале температур.

Т Е7 РцсЗ

еь(Т), снятой в режиме нагревания (рис.3).

В £ 2 дано обсуждение экспериментальных результатов исследования явления глобального гистерезиса в области синусоидальной модуляции несоразмерной фазы кристалла ФБА. Показано, что гистерезис диэлектрической проницаемости в несоразмерной фазе несобственного сегнетоэлектрика ФБА имеет место во всей области существования несоразмерной фазы, т. е. в интервале температур от Тс =174, 3 К до Т| =181,5 К, что свидетельствует о наличии устойчивых неравновесных состояний, связанных с замедленным установлением равновесного значения периода модулированной структуры, которые наблюдаются во всей области существования несоразмерной фазы в кристаллах ФБА.

В § 3 приведены результаты исследования влияния "замороженных"

1Л" : ÁL ^Jty-

Uk : (jAL 1'

Lá¿ .-• Jü, 3 í T

: fTC í 4

. ! ! I /| < I . ' * » f * /»Sí,

yV- —"3 u-

** я» ».«

Рмс-5 рмс.6

Рис. 5. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости для

образцов N 1 - 10 кристалла ФБА. Рис. 6. Зависимости Р(Е) для образцов кристалла ФБА, снятые в С-фазе.

ростовых дефектов и электрического поля на температурную зависимость диэлектрической проницаемости и поляризации кристаллов ФБА. Из бруска кристалла размером 20x10x5 мм с длиной вдоль оси "Ь" была приготовлена серия образцов, большие плоскости которых были перпендикулярны полярной оси "Ь". Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и гистерезисные явления для е(Т) и Р(Е) изучены и сопоставлены для этих образцов (рис.5 и 6). Показано, что концентрация дефектов изменяется вдоль кристалла (рис.7), оказывая определенное воздействие на гистерезисные явления. Приведенные данные свидетельствуют, что "замороженные" дефекты не влияют количественно на величину относительного смещения температурных зависимостей е, полученных при нагревании и

—7- / ('-* -зп

4t345«78l<0

Рцс. 7

Рис.7. Возможная картина распределения концентраций дипольных примесей в исследованном кристалле ФБА.

Рис.8. Зависимости Р(Е) для образца N 8 кристалла ФБА при различных температурах.

Рис. 8

I_I_I

охлаждении кристалла. "Расщепление" фазового перехода в электрическом поле, прикладываемом к образцу, объясняется наличием областей со своим внутренним смещающим полем, обусловленным дефектами кристаллической решетки и его изменением при наложении внешнего поля.

Оказывается, что если в кристалле имеются области с различными концентрациями "замороженных" дефектов и соответствующими им внутренними полями, то каждая область будет давать свой вклад в результирующую зависимость Р(Е) выше Т , зависящий от размеров областей и величин смещающих полей.

В исследованном кристалле ФБА зависимость Р(Е) имеет сложную структуру (рис.8). При температуре, соответствующей первому фазовому переходу Т^=174,541 К образуется двойная петля, лепестки которой при повышении температуры расходятся в стороны. При Т2=174,851 К,

которая соответствует второму максимуму с^, образуется новая двойная петля. Эта петля также с повышением температуры расходится, как бы выталкивая первую. В это время наблюдается четверная петля, две средние петли которой соответствуют второй петле, а две крайние -первой.

В § 4 на основе полученных экспериментальных данных проводится анализ влияния электрического поля на гистерезисные явления в кристаллах КЬ22пС1^, выращенных из раствора и расплава.

Выявлено различие в характере проявлений гистерезисных явлений в относительно чистых (выращенных из раствора) и дефектных (выращенных из расплава) крис таллах Способ получения кристалла в

значительной степени определяет характер его дефектной структуры и свойства в области глобального гистерезиса; резуль татом этого является более чем двухкратное увеличение гистерезиса температуры фазового перехода в кристалле, выращенном из расплава. Как видно из приведенных данных, второй важной особенностью "дефектных" кристаллов является долговременная релаксация несоразмерной структуры к устойчивому состоянию с характерными временами, лежащими в области 1 т 10 мин. Согласно наблюдениям, свойства "чистых" кристаллов Ш^пС^, в большей степени соответствуют свойствам других несобственных сегнетоэлектриков с несоразмерной фазой, метастабильность состояний которых вблизи Тс связывается с пиннингом солитоноподобной волны модуляции на "замороженных" дефектах структуры.

Обращают на себя внимание дополнительные аномалии на зависимостях с(Т, Е), особенно четко выявляющиеся на "дефектных" кристаллах.На кривых охлаждения при наличии электрического поля появляются максимумы, по температуре близкие к температуре таким оразом, под действием поля происходит "расщепление" фазового перехода.

Обнаружено, что при фиксации температуры на кривой охлаждения в крисаллах Ш^ИпС^ приложение и снятие поля приводят к изменению диэлектрической проницаемости, причем для каждой температуры в интервале Т° - Т" существует критическое значение поля, при котором с возрастает до максимального значения.

В § 5 приведены результаты исследования диэлектрических свойств кристаллов ШСН3)4>22пС14 в области фазового перехода соразмерная -несоразмерная фаза. Показано, что фазовьШ переход имеет заметный

температурный гистерезис; наблюдается характерная неоднозначность диэлектрической проницаемости во всей области существования сегнетоэлектрической фазы и в несоразмерной фазе в области от Т° до Т°+2, 5 К.

К

Как при нагревании, так и при охлаждении в несоразмерной фазе диэлектрическая проницаемость подчиняется закону Кюри-Вейсса в форме с-с0=С(Т-Тс)_1(где е0=7, 0; С=3,0 К) в области температур от Т° до Т°+2 К.

А

Каждая кривая с(Т) в отдельности - и в режиме охлаждения и в режиме нагревания - характерна для фазовых переходов 2 рода, тогда как обе зависимости в совокупности дают картину, свойственную фазовым переходам первого рода. При этом величина температурного гистерезиса такого фазового перехода Т"-Т°=0, 45 К.

При наложении электрического поля зависимость с(Т) трансформируется таким образом, что основной максимум практически не смещается по температуре при увеличении поля. При этом на кривой охлаждения в узком температурном интервале возни'ает небольшая дополнительная аномалия, заметно смещающаяся в область более высоких темпертур.

В заключение главы III сформулированы новые закономерности проявления аномальных гистерезисных явлений в кристаллах с несоразмерной фазой (NH^BeF^, RbgZnCl^ и TMATC-Zn. К их числу относится:

обнаружение характерного гистерезиса в зависимости диэлектрической проницаемости от электрического поля при циклическом изменении последнего; показано, что значения с в конце цикла соответствуют зависимости е(Т), снятой в режиме нагревания;

обнаружение существования неравновесных состояний и гистерезисов во всей области существования несоразмерной фазы в кристаллах ФБА, включая область синусоидальной модуляции;

- установление роли внутренних и смещающих полей, обусловленных "замороженными" дефектами в кристаллах ФБА в формировании зависимостей е^(Т> и Р(Е); обнаружен и интерпретирован эффект "расщепления" аномалии в дефектных кристаллах, образование "тройных" петель диэлектричекого гистерезиса; в кристаллах ФБА обнаружены "четверные" петли гистерезиса;

- установлены различия в проявлении гистерезисных явлений в

кристаллах Ш^пС^, выращенных из раствора и из расплава; показано, что устойчивые состояния, соответствующие определенным значениям с, при приложенных внешних электрических полях, реализуются в кристаллах, выращенных из раствора;

- для кристаллов ИЬ2^пС14 была показана возможность реализации последовательности все более устойчивых метастабильных состояний, различающихся периодом модулированной структуры - с помощью кратковременных воздействий электрическим полем различной величины;

впервые обнаружены и исследованы явления глобального гистерезиса в кристаллах тматс-2!п, обладающих последовательностью фазовых переходов;

в кристаллах ФБА, М^пСЛ^, ТМАТС-Ип обнаружен эффект "расщепления" фазового перехода соразмерная - несоразмерная фаза в больших электрических полях.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ:

1. Создана автоматизированная установка для исследования температурных и полевых зависимостей диэлектрической проницаемости на базе вычислительного комплекса ДЗ-28.

2. Проведено детальное исследование фазовых переходов в несоразмерную фазу в кристаллах ФБА, Ш522пС14, {N(СН3)4 > 2^пС14 диэлектрическими методами.

3. Обнаружено, что устойчивые неравновесные состояния, связанные, по-видимому, с замедленным установлением равновесного значения периода модулированной структуры, наблюдаются во всей области существования несоразмерной фазы в кристаллах, включая область синусоидальной модуляции.

4. Исследования фазового перехода несоразмерная - соразмерная фаза в кристаллах в постоянном электрическом поле позволили установить "расщепление" этого фазового перехода при охлаждении кристалла; предложен возможный механизм расщепления, обусловленный неоднородным распределением примесей в кристалле.

5. Показано, что при циклическом изменении электрического поля в области Тс наблюдается характерный гистерезис зависимости с(Т), причем, установлено, что в кристаллах с несоразмерной фазой наиболее устойчивым состояниям кристалла отвечают состояния на кривой нагревания.

6. Обнаружено, что на кривой охлаждения приложение и снятие

электрического поля приводит к изменению диэлектрической проницаемости, причем для каждой температуры в интервале существует критическое значение поля, при котором с возрастает до максимального значения.

7. Проведено экспериментальное исследование диэлектрических свойств кристаллов ФБА с выраженной дефектной структурой в области фазового перехода соразмерная - несоразмерная фаза. Было обнаружено нерегулярное распределение дефектов, формирующих внутреннее смещающее поле в кристалле. Подтверждено, что "замороженные" дефекты не влияют на величину гистерезиса зависимостей е(Т) при охлаждении и нагревании, однако оказывают определяющее влияние на формирование одинарных, тройных и четверных петель гистерезиса в зависимости Р(Е).

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Струков Б. А., Арутюнова В. М., Куруленко Е. П. Влияние электрического поля на фазовый переход несоразмерная соразмерная фаза в кристаллах (М^^ВеГ^/Кристаллография. 1985. Т. 30. N4. С. 726-729.

2. Струков Б. А., Куруленко Е. П. Исследование фазового перехода несоразмерная - соразмерная ' фаза в кристаллах <N(CH3)4)2ZnCl4(TMATC-Zn). //Тезисы XI Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству. Черновцы. 1986. Т. 2. С. 165.

3. Струков Б. А., Куруленко Е. П. Влияние электрического поля на диэлектрическую проницаемость кристаллов (NH4>2BeF4 в области фазового перехода соразмерная - несоразмерная фаза. //ФТТ. 1987. Т. 29. N1. С. 199-201.

4. Струков Б. А., Куруленко Е. П. Диэлектрические свойства кристаллов TMATC-Zn в области фазового перехода соразмерная -несоразмерная фаза. //Вестник Московского Университета. 1988. Т. 29. N1. С. 58-62.

5. Струков Б. А., Рагула Е. П. Гистерезисные явления в области синусоидальной модуляции несоразмерной фазы сегнетоэлектрического кристалла. //ФТТ. 1988. Т. 30. N7. С. 2194-2196.

6. Струков Б. А., Рагула Е. П. Влияние ростовых дефектов на гистерезисные явления в кристаллах (NH^gBeF^ //Тезисы XII Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству. Ростов-на-Дону.

1989. С. 128.

7. Strukov В.A., Ragula Е.Р. Effect of frozen - in defects on the anomalous hysteresis phenomena in the ferroelectric with incommensurate phase.// Ferroelectrizitat. 1989. Martin - Luther Univer. P.203-208.

8. Струков Б. A., Рагула E. П., Горшков С. Н. Об устойчивости метастабильных состояний в кристаллах I^ZnCl^ в интервале Т»-Т°// Тезисы XIII Конференции по сегнетоэлектричеству. Тверь. 1992. С. 32.

9. Струков Б. А., Рагула Е. П., Горшков С. Н. Изменение плотности солитонов внешним электрическим полем в области температурного гистерезиса фазового перехода в кристаллах RbgZnCl^. // ФТТ. 1992. Т. 34. N8. С. 2668-2670.

10. Струков Б. А., Рагула Е. П., Горшков С. Н. Влияние электрического поля на гистерезисные явления в кристаллах RbgZnCljj, выращенных из раствора и расплава.//Вестник Московского Университета. 1993. Т. 34. N3. С. 54-71.