Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Ассоциация точечных дефектов в полупроводниках

1.1. Ассоциация дефектов в полупроводниках. Комплексы, кластеры, преципитаты

1.2. Распад твердых растворов

1.3. Распад твёрдого раствора лития в германии

1.4. Германиево-литиевый детектор

1.5. Выводы к главе

Глава 2. Кинетическая модель роста кластеров

2.1. Кинетические коэффициенты

2.2. Основное кинетическое уравнение кластеризации ограниченной диффузией

2.3. Анализ экспериментальных данных по кинетике роста кластеров лития в германии

2.4. Моделирование кластеризации лития в германии методом Монте-Карло.

2.5. Выводы к главе

Глава 3. Исследование германия, используемого для германиеволитиевых детекторов

3.1. Подготовка плоских образцов германия

3.2. Измерение остаточной концентрации акцепторов в исследуемых образцах р-германия.

3.3. Определение концентрации междоузельного кислорода в кристаллах германия

3.4. Определение плотности дислокаций в кристаллах германия

3.5. Выводы к 3 главе

Глава 4. Экспериментальное исследование кинетики образования кластеров лития в детекторном германии

4.1. Приготовление образцов

4.2. Измерение концентрации лития в образцах германия

4.3. Анализ экспериментальных данных

4.4. Анализ природы центров зарождения

4.5. Выводы к 4 главе

Глава 5. Исследование кинетики разрушения кластеров лития в детекторном германии

5.1. Экспериментальное исследование кинетики разрушения 56 кластеров лития в детекторном германии

5.2. Анализ экспериментальных данных

5.3. Отжиг кластеров лития в диапазоне температур 100-350 °С

5.4. Выводы к 5 главе

Глава 6. Моделирование деградации и восстановления п-слоя германиево-литиевого детектора

6.1. Моделирование .кластеризации лития в детекторном германии

6.2. Моделирование кинетики разрушения кластеров лития в германии

6.3. Моделирование деградации и восстановления п-слоя германиево-литиевого детектора

6.4. Выводы к главе

Глава 7. Деградация и восстановление германиево-литиевых детекторов гамма-излучения типа ДГДК

7.1. Основные параметры германиево-литиевых детекторов ДГДК

7.2. Причины деградации германий-литиевых детекторов ДГДК

7.3. Общая схема восстановления германиево-литиевого детектора

7.4. Восстановление п-слоя р-ьп-структуры детектора

7.5. Восстановление значений поверхностного тока утечки р-ьп-структуры детектора

7.6. Восстановление распределения ионов лития в {-слое р-ьп-структуры

7.7. Выводы к главе 7 85 Выводы к диссертации 86 Список публикаций автора на тему диссертации 87 Список литературы

Актуальность работы

Интерес к поведению лития в германии возник в начале 60-х годов в связи с разработкой технологии производства германиево-литиевых дрейфовых детекторов у-излучения. Германиево-литиевые детекторы получили широкое распространение в экспериментальной технике ядерной физики, а так же в аналитическом и радиационном контроле.

Германиево-литиевые детекторы могут эксплуатироваться и храниться только при охлаждении жидким азотом. При разогреве детектора до комнатной температуры литий активно диффундирует в решётке германия и образует электрически нейтральные комплексы и кластеры, что приводит к деградации спектрометрических характеристик детектора.

Из-за отсутствия в России особо чистого германия и прекращения производства детекторного германия, а, следовательно, и резкого снижения производства германиево-литиевых детекторов, встает актуальная, экономически обоснованная (стоимость одного детектора от 3 до 5 тысяч долларов) задача восстановления вышедших из строя детекторов.

Процессы комплексообразования и кластеризации лития в германии не имеют до сих пор чёткого теоретического описания, а процесс разрушения кластеров не изучался вообще.

Построение адекватной теоретической модели кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии имеет существенное значение для замены длительных и дорогостоящих экспериментов по отработке технологи восстановления германиево-литиевых детекторов компьютерным моделированием.

Таким образом, исследование образования и разрушения кластеров лития в германии представляет большой интерес, как в теоретическом, так и в практическом отношении, и поэтому выбранная тема диссертационной работы является актуальной.

Цель исследований и постановка задачи

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии, а также моделирование деградации и восстановления диффузионного л-слоя германиево-литиевого детектора.

Для достижения поставленной цели в работе решаются следующие задачи: разрабатывается теоретическая модель кластеризации точечных дефектов в кристаллах, которая применяется к анализу кластеризации лития в германии; исследуется германий, применяющийся для производства германиево-литиевых детекторов, на содержание комплексообразующих примесей. экспериментально исследуется кинетика кластеризации лития в детекторном германии, определяются основные параметры процесса. экспериментально исследуется кинетика температурного разрушения кластеров лития в детекторном германии, определяются основные параметры этого процесса.

На основе полученных теоретических моделей образования и разрушения кластеров лития в детекторном германии проводится численное моделирование деградации и восстановления диффузионного я-слоя германиево-литиевого детектора.

Научная новизна

1. Разработана теоретическая модель, позволяющая описать кинетику образования кластеров лития в германии с учётом различной геометрии кластеров, дополняющая известную модель Хэма.

2. Из анализа экспериментальных данных по кинетике кластеризации лития г показано, что кластеры лития характеризуются фрактальной геометрией с размерностью 2,4.

3. Впервые представлена модель температурного разрушения кластеров лития в германии.

Практическая ценность

1. Найдены параметры кластеризации лития (концентрация центров зарождения кластеров лития) в германии, применяемом для изготовления германиево-литиевых детекторов.

2. Найдены параметры разрушения кластеров лития в германии, применяемом для изготовления германиево-литиевых детекторов.

3. Представлена модель деградации и восстановления диффузионного и-слоя германиево-литиевого детектора, позволяющая усовершенствовать технологию восстановления германиево-литиевых детекторов.

Положения, выносимые на защиту г

1. Кинетика кластеризации лития в германии лимитирована диффузией лития.

2. Деградация «-слоя германиево-литиевого детектора определяется кластеризацией лития.

3. Кластеры лития можно разрушить нагревом до температур, при которых равновесная концентрация превосходит концентрацию мономеров лития.

4. Нагрев деградировавшей ^-¿-«-структуры германиево-литиевого детектора до температур 350 - 400 °С приводит к быстрому разрушению кластеров лития и восстановлению концентрационного профиля /г-слоя. Процедура восстановления я-слоя сопровождается диффузионным размыванием профиля концентрации и выходом атомов лития на поверхность.

Апробация работы

Результаты диссертации докладывались и обсуждались на международной конференции «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск,

2000), Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (г. Ульяновск: УлГУ, 2001), а так же на научных семинарах в ФГУП ГНЦ РФ НИИАР и в УлГУ.

Личное участие автора

Основные теоретические положения работы разработаны совместно с профессором Булярским C.B. и докторантом Светухиным В.В. Постановка экспериментов, и численное моделирование выполнены автором самостоятельно.

Публикации

Основное содержание работы изложено в 10 публикациях, приведенных в списке работ автора диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения и семи глав. Материал изложен на 97 страницах, содержит 25 рисунков, 13 таблиц, 95 наименований в списке литературы.

ВЫВОДЫ К ДИССЕРТАЦИИ

1. Разработана теоретическая модель, позволяющая описать кинетику кластеризации лития в германии с учётом различной геометрии кластеров, дополняющая известную модель Хэма.

2. Проведены исследования германия, применявшегося для изготовления германиево-литиевых детекторов, на содержание комплексообразующих дефектов.

3. Проведено экспериментальное исследование кинетики кластеризации лития в детекторном -германии. По результатам сопоставления экспериментально полученных данных и теоретической модели были найдены концентрации центров зарождения в образцах детекторного германия.

4. Проведено экспериментальное исследование кинетики разрушения кластеров лития в детекторном германии. По результатам анализа экспериментально полученных данных был найден кинетический коэффициент разрушения кластеров лития в детекторном германии.

5. Проведено экспериментальное исследование отжига кластеров лития в детекторном германии в диапазоне температур 150-350 °С и из анализа экспериментальных данных получены параметры растворимости лития в германии.

6. На основании полученных теоретических моделей образования и разрушения кластеров лития в детекторном германии получена модель деградации и восстановления диффузионного и-слоя германиево-литиевых детекторов, позволяющая усовершенствовать технологию их восстановления.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА НА ТЕМУ ДИССЕРТАЦИИ

1]Булярский C.B., Светухин Э.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8, стр. 897 - 899.

2] Светухин В.В., Ильин П.А. Исследование кинетики разрушения кластеров лития в германии // Письма в журнал технической физики, 2002, т. 28, №7, стр. 73-77.

3] Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский C.B., Гришин А.Г., Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2000. Вып. 1 (8), стр. 30-34.

4] Светухин В.В., Ильин П.А. Кинетика разрушения литиевых кластеров в германии // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2001. Вып. 2 (11), стр. 45 - 46.

5] Ильин П.А. Комплексообразование и кластеризация в системе Ge-Li как основная причина деградации германиевых литий-дрейфовых детекторов// Сборник рефератов и статей «Новые технологии для энергетики, промышленности и строительства». Димитровград: ГНЦ НИИАР, 2000. Вып. 3, ч. 2, стр. 360-364.

6] Булярский C.B., Светухин J3.B., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. //Труды международной конференции «Оптика полупроводников». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000, стр. 162.

7] Ильин П.А. Кинетика разрушения кластеров лития в германии.// Сборник рефератов и статей «Новые технологии для энергетики, промышленности и строительства». Димитровград: ГНЦ НИИАР, 2001. Вып. 4, ч. 2, с. 370374.

8]Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Фрактальная размерность^ кластеров лития в германии // «Оптика, оптоэлектроника и технологии»: Труды международной конференции. -Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 4.

9]Светухин В.В., Ильин П.А. Кинетика разрушения кластеров лития в германии // «Оптика, оптоэлектроника и технологии»: Труды международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 20.

10] Bulyarskii S.V., Svetukhin V.V., Agafonova O.V., Grishin A.G., Hin P.A. Fractal Lithium Cluster Growth in Germanium // Phys. stat. sol.(b) 231, № 1, 2002, p. 237-242.

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969, -654 с.

2. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968, -314 с.

3. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высшая щкола, 1993, -352 с.

4. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. М: Металлургия, 1995, в 2-х томах.

5. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т.1. Теория. М.: Мир, 1985, -230 с.

6. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М: Наука, 1967, -250 с.

7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984, -349с.

8. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках.- М: Радио и связь, 1981, -248 с.

9. Вавилов B.C., Ухтин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969, -199 с.

10. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977, -240 с.

11. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967,-415 с.

12. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинев, 1978, -230 с.

13. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. -Л. 1978, -240 с .

14. Слезов В.В., Шмельцер Ю. Максимальное число частиц новой фазы, зарождающихся при распаде твердых растворов.// ФТП, 1997, т.39 в. 12, с. 2210-2216.

15. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Кинетика фазовых переходов первого рода на асимптотической стадии. // ЖЭТФ, 1998, 113 (6), стр. 21862208.

16. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок. //УФН, 1998 ,168(10), стр. 1083-1115.

17. Дельмон Б. Кинетика .гетерогенных реакций. М.: Мир, 1972, -556 с.

18. Болдырев В.В. Реакционная способность твердых веществ, Новосибирск, СО РАН, 1997, -304 с.

19. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы. М.: Наука, 1986, -230 с.

20. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика, т. 10, М.: Наука, 1979, -420 с.

21. Успехи физики металлов, т.1, М.: Металлургиздат, 1956, -322 с.

22. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys. Chem. Solids. 1958/V.6. P. 335-350.

23. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J. Appl. Phys. 1959. V.30. №10. P. 1518-1525.

24. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation. // J.Appl.Phys. 1959. V.30. №6. P.915-927.

25. Бриллиантов H.B., Крапивский П.Л. Кинетическая модель кластеризации дефектов в твердых телах. //ФТТ. 1989. Т.31, №2, с. 172181.

26. Волощук В.М. Кинетическая теория коагуляции, Л.: Наука, 1984. -315 с.

27. Эрнст M. Кинетика образования кластеров при необратимой агрегации. / Фракталы в физике, под ред. JI. Пьетронеро и Э.Тозатти, М.: Мир, 1988, с.399-430.

28. Дубровский В.Г. Об одном точном решении управляющих уравнений модели обратимого роста. // ТМФ, т. 108, №2, с.327-335.

29. Черемской П.Г., Слезов В.В., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле. М: Энергоатомиздат, 1990, -390 с.

30. Слезов В., Шмельцер Ю. Начальная стадия диффузионного распада твердых растворов. // ФТП, 1994, т.36 (2), с.З53-362.

31. Слезов В.В. Диффузионная скорость роста макродефектов вансамблях. // ФТТ, т.31, №8, с.20-30.t

32. Клушин Л.И., Скворцов А.М., Горбунов A.A. Точно решаемая модель, демонстрирующая фазовые переходы первого и второго рода. // УФН, т. 168, №7, стр. 719-729.

33. Булярский C.B., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Кинетическая модель распада твердых растворов.//Краткие сообщения по физике ФИАН, 1997, №6, С.73-78.

34. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитации раствора кислорода в кремнии. //Изв.вуз.Электроника, 1997, №5, С. 24-29.

35. Булярский С.В, Светухин В.В. Кинетика образования кластеров различной геометрии. "Ученые записки УлГУ. Серия физическая", 1997.

36. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии // Микроэлектроника, 2000, №3.

37. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование кинетики преципитации кислорода в кремнии //Изв. вузов. Материалы электронной техники, 1999, №3.

38. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.57-61.

39. Светухин В.В., Приходько О.В., Булярский С.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии.// "Ученые записки УлГУ. Серия физическая 1997. С.45-48.

40. Weiser К. Theory of solubility of interstitial impurities in germanium and silicon. // J. Phys. Chem. Solids, v.17 (1-2), p.149-161.

41. Weiser K. Theoretical calculation of distribution coefficients of impurities in germanium and silicon. Heats of solid solution. // J. Phys. Chem. Solids, v.17 (1-2), p.149-161.

42. Винецкий В.JI. Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969, -230 с.

43. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972, -384 с.

44. Булярский С.В., Фистуль В.И. "Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках", М:Наука, 1997, -352 с.

45. Булярский С.В. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации всветоизлучающих приборах. Кишинев: Штиница, 1987, 103 с.t

46. Bulyarskii S.V., Oleinikov V.P. Termodynamical Evaluation of Point Defect Density and Impurity Solubility in Compound Semiconductors.// Phys. stat. sol.(b) 141,1987, p. K7-K10.

47. Bulyarskii S.V., Oleinikov V.P. Termodynamics of Defects Formation and Defect Interaction in Compound Semiconductor. // Phys. stat. sol.(b) 146,1988, p. 439-442.

48. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск.ун-та,1995, -250 с.

49. Булярский C.B., Комлев A.B. Влияние потенциального взаимодействия на процессы растворения примесей Al, Ga, As, Р в кремнии. // Неорганические материалы, 1997, т.ЗЗ (2), с. 134-138.

50. Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М:

51. Металлургия, 1992, -240 с.t

52. Светухин В.В., Булярский C.B. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, №2, С.246-250.

53. Булярский C.B., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП, №4, 2000.

54. Булярский C.B., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования дефектов в полупроводниках. // Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред, -Ульяновск, 1999, с.26-61.

55. Санчищин Д.В., Львов П.Е., Светухин В.В. Определение термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии и германии // Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8), с. 10-12.

56. Булярский C.B., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика процесса растворения примеси с учетом кластеризации и многозарядности дефектов. // Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.62-66.

57. Weltzin R.D., Swalin R.A., Hutchinson J.E. Electron microscopic study of precipitates and defects in germanium and silicon // Acta Met. 1965, v. 13, p. 115-125.

58. Ferman J.W., Swalin 'R.A In: Proc. of 4-th International Conf. On Reactiviti of Solids. Amsterdam, 1961, p. 280-285.

59. Weltzin R.D., Swalin R.A J. Appl. Phys. Japan, 1963, v. 18, Suppl.III, p. 136-143.

60. Carter J, Swalin R.A. J. Appl. Phys.,1960, v. 31, p. 1191-1196.

61. Swalin R.A., Weltzin R.D. Progr. Sol. St. Chem., 1965, v. 2, p. 175-181.

62. Гончаров JI.А., Чавлейшвили Н.Г. О свойствах центров преципитации лития в германии // ФТП, 1973, т. 7, в. 2, с. 308-314.

63. Fuller C.S., Severience J. Phys. Rev., 1954, v. 95, p.21-25.

64. Morin F.J., Reiss HJ. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 3, p 196-202.

65. Гринштейн П.М., Орлова E.B., Фистуль В.И. К вопросу о природе центров осаждения лития в кремнии // ФТП, 1977, т. 11, в. 9, с. 16611664.

66. Гончаров Л.А., Чавлейшвили Н.Г. Влияние кислорода на кинетику преципитации лития в германии // ФТП, 1972, т. 6, в. 11, с. 2243-2245.

67. Быкова Е.М., Гончаров Л.А., Лифшиц Т.М., Сидоров В.И, Холл Р.Н. Германий высокой чистоты. И. Взаимодействие лития с кислородом //

68. ФТП, 1975, т. 9, в. 10, с.1861-1866.t

69. Гаврилов Г.М., Гончаров Л.А., Литовченко П.Г., Петросян Э.Е., Ухрин Я., Чукчиев М.В. Исследование некоторых оптических и рекомбинационных характеристик германия применяемого для изготовления GeLi-детекторов// ФТП, 1974, т. 8, в. 1, с. 154-156.

70. Литовченко П.Г., Гаврилов Г.М., Бородовский Я.А. О центрах рекомбинации в бескислородном германии />-типа // ФТП, 1974, т. 8, в. 5, с. 955-961.

71. Henck R., at. al. Drift rate and precipitation of lithium in germanium.//IEEE Trans, on Nuclear Science 1966. NS-13 N3. P.245-251.

72. Lopes da Silva G., Henck R., Kuchly J.M. Litium driftability in germanium // IEEE Trans on Nuclear Science, 1968. NS-15 , N1. P.448-455

73. Кашерининов Н.Г., Матвеев O.A., Томасов A.A. Образование ассоциации мелкий донор-глубокий акцептор в германии// ФТП, 1974, т. 8, в.4, с. 799-800.

74. Котина И.М., Курятков В.В., Мосина Г.Н., Новиков С.Р., Сорокин Л.М. Образование новой фазы при распаде пересыщенного твёрдого раствора лития в германии// ФТТ, 1984, т. 26, в.2., с. 436-440.

75. Акимов Ю.К., Игнатьев О.В. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. М.: Энергоатомиздат, 1989 г. -325 с.

76. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М.: Мир 1967г. -252 с.

77. Резников P.C., Сельдяков Ю.П. Промышленные полупроводниковые детекторы. М.: Атомиздат 1975г. -278 с.

78. Акимов Ю.Н., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф., Юнгклауссен X. Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение. М.: Атомиздат, 1967. С. 253

79. Гамалий А.Ф., Нестеров Б.В. Технология изготовления германиево-литиевых детекторов гамма-излучения. Препринт ФЭИ-265, Обнинск 1971 г. -15 с.

80. Новиков С.Р., Пустовойт А.К., Седов Н.Я., Шишкина Г.А. Германиевые литий-дрейфовые детекторы с большим чувствительным объемом. Ленинград. АЙСССР ФТИим. Иоффе. 1969г. -120с.

81. Лефтеров Д.П., Моравска Е.Й. Скорость дрейфа ионов лития в германий в зависимости от формы электрического поля // ФТП, 1972, т. 6, в. 9, с. 1811-1813.

82. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Влияние крупномасштабных ловушек на свойства полупроводниковых детекторов ядерных излучений // ФТП, 1975, т. 9, в. 8, с. 1575-1579.t

83. Афанасьев В.Ф., Афанасьева Н.П., Любчик Б.Г. Влияние неоднородности распределения акцепторов на компенсацию в литий-дрейфовых /»-/-«-переходах // ФТП, 1974, т. 8, в. 6, с. 1090-1095.

84. Любчик Б.Г. К теории компенсации полупроводников дрейфомионов лития в присутствии резких локальных неоднородностейраспределения акцепторов // ФТП, 1975, т. 9, в. 5, с. 1039-1040.

85. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8, стр. 897 899.

86. Светухин В.В., Ильин П.А. Исследование кинетики разрушения кластеров лития в германии // Письма в журнал технической физики, 2002, т. 28, №7, стр. 73-77.

87. Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский C.B., Гришин А.Г.,

88. Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии //

89. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2000. Вып. 1 (8), стр. 30 34.

90. Светухин В.В., Ильин П.А. Кинетика разрушения литиевых кластеров в германии // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2001. Вып. 2 (11), стр. 45 46.

91. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. //Труды международной конференции «Оптика полупроводников». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000, стр. 162.

92. Ильин П.А. Кинетика разрушения кластеров лития в германии.// Сборник рефератов и статей «Новые технологии для энергетики, промышленности и строительства». Димитровград: ГНЦ НИИ АР, 2001. Вып. 4, ч. 2, с. 370-374.

93. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Фрактальная размерность кластеров лития в германии // «Оптика, оптоэлектроника и технологии»: Труды международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 4.

94. Светухин В.В., Ильин П.А. Кинетика разрушения кластеров лития в германии // «Оптика, оптоэлектроника и технологии»: Труды международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 20.

95. Bulyarskii S.V., Svetukhin V.V., Agafonova O.V., Grishin A.G., Hin P.A. Fractal Lithium Cluster Growth in Germanium // Phys. stat. sol.(b) 231, № 1, 2002, p. 237-242.

96. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металургия 1970, -429 с.

97. Глазов В.М., Охоти'н A.C., Боровикова Р.П., Пушкарский A.C. Методы исследования термо-электрических свойств полупроводников. М.: Атомиздат 1969, -175 с.

98. Рыбкин С.М., Матвеев O.A., Новиков С.Р., Строкан Н.Б. Полупроводниковые детекторы ядерного излучения // "Полупроводниковые приборы и их применение" сборник статей, Советское радио. 1971. Вып.25 стр.267.