Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика низких температур

Код ВАК 01.04.09
Тема работы Автор Год
Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца

Существование глубоких примесных уровней позволяет удовлетворительно объяснить возникновение целого ряда необычных свойств легированных полупроводников. В частности, увеличение содержания примеси вызывает изменение концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми, но лишь до некоторых предельных значений. Предельное положение уровня Ферми не…

Чернова, Наталья Александровна 2001
Транспортные свойства носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs

Транспорт в слоях квантовых точек представляет большой интерес с точки зрения фундаментальной физики, прежде всего с точки зрения теории локализации носителей тока - квантовые точки можно рассматривать как искусственно созданные локализационные центры. Поскольку квантовые точки обладают определенной шириной распределения геометрических параметров…

Голиков, Артем Викторович 2001
Туннельная, андреевская и джозефсоновская спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников Bi2 Sr2 CuO6+ δ , Bi2 Sr2 CaCu2 O8+ δ и MgB2

Из теоретических расчетов следует, что присутствие некогерентных куперовских пар при Т > Тс в купратном сверхпроводнике с магнонным спариванием должно приводить к эффекту андреевского отражения в интерфейсе нормальный металл-купратный сверхпроводник [14]. Экспериментальная проверка этого предсказания на N-8 микроконтактах (золото-УВСО) дала…

Ким Ки Ук 2001
Ядерный резонанс в низкоразмерных металлооксидных системах на основе меди

Кроме того, важным и интересным вопросом, которому в последнее время уделяется большое внимание, является вопрос об особенностях смешанного состояния высокотемпературных сверхпроводников и наличии различных режимов движения вихревой решётки. Однако следует отметить, что многочисленные теоретические и экспериментальные исследования этого аспекта не…

Гиппиус, Андрей Андреевич 2001
Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца

Во-вторых, эти полупроводники относятся к классу узкощелевых материалов и обладают малой шириной запрещенной зоны, малыми эффективными массами носителей заряда и высокими значениями диэлектрической проницаемости. Поэтому мелкие водородоподобные уровни дефектов в этих материалах вообще не наблюдаются, а глубокие уровни радиационных дефектов и…

Зверева, Елена Алексеевна 2000
Криосорбция изотопов гелия

Рис. 1.1 — вакуумируемый объём; 2 — газовая смесь; 3 — источник газа; 4 — защитный экран; 5 — источник газа сорбента; 6 — сорбент; 7 — криопанель; 8 — криоохладитель данной работе понимаются изотопы гелия (4Не и 3Не) и изотопы водорода…

Нестеров, Сергей Борисович 2000
Магнитные дефекты в квазиодномерных антиферромагнетиках

По этой причине низкоразмерные >антиферромагнитные системы представляют собой уникальный объект для исследований, ставший чрезвычайно популярным в последние два десятилетия. Особый интерес к этой проблеме возник после опубликования Халдейном гипотезы о существенном различии влияния нулевых колебаний на одномерные цепочки с целым и полуцелым спином…

Сосин, Сергей Сергеевич 2000
Отражательная инфракрасная спектроскопия монооксидов меди и висмута

Открытие в 1986 году Беднорцем и Мюллером в дотированных лантановых купратах, а затем рядом их последователей в других сложных оксидах меди и висмута сверхпроводимости с удивительно высокой недостижимой ранее температурой перехода Тс стимулировало дополнительный интерес к простым по составу оксидам, являющимся их компонентами. По выражению…

Кузьменко, Алексей Борисович 2000
Структура и динамика молекулярного комплекса He x|-2 (a3 Σ + u ) в конденсированных фазах гелия

Структура пузырьков, образуемых свободными электронами и возбужденными атомами гелия, довольно подробно изучена как теоретически, так и экспериментально [3, 4, 5, 6]. Расчеты, выполненные в рамках пузырьковой модели, дают удовлетворительное описание наблюдаемых спектральных характеристик и динамических свойств данных систем. Подобных расчетов для…

Тодощенко, Игорь Анатольевич 2000
Фазовые равновесия жидкость-твёрдое тело в многокомпонентных рабочих телах для ДРС на температурный уровень 70-120 К

В последние годы вырос интерес к дроссельным регенеративным системам в связи с применением многокомпонентных рабочих тел. Многокомпонентные рабочие тела позволяют создавать эффективные дроссельно-регенеративные системы охлаждения с большим ресурсом работы…

Хайбо, Жан 2000
Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI

Значение эффективной массы носителей заряда определяется величиной энергетической щели между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости. Создание твердых растворов бинарных соединений в пределах указанных семейств позволяет варьировать параметры энергетического спектра и тем самым изменять характеристики создаваемых полупроводниковых…

Волошок, Татьяна Николаевна 2000
Энергетический спектр, транспортные свойства и локализация носителей тока в соединениях внедрения в графит акцепторного типа

В настоящее время синтезировано большое число соединений внедрения в графит, которые интенсивно исследуются, во-первых, потому, что своеобразие физических и химических свойств этих веществ позволяет найти им широкое практическое применение; во-вторых, СВГ представляют собой весьма интересный объект для исследования физических и химических…

Лапин, Сергей Анатольевич 2000
Ядерный резонанс в металлооксидных системах HgBa2 CuO4 F и CuGeO3

Помимо ВТСП-систем в работе исследовался неорганический спин-пайерлсовский магнетик СиОеОз. В 1993 году было обнаружено падение восприимчивости, характерное для спин-пайерлсовского перехода, в неорганическом веществе CuGeC>3. Проведённые исследования по неупругому рассеянию нейтронов непосредственно показали удвоения периода и открытие…

Морозова, Елена Николаевна 2000
ЯМР-исследования мод спиновой прецессии с неравновесной величиной намагниченности в сверхтекучем 3 Не-В

ВВЕДЕНИЕ 6 подтверждено ранними экспериментами по ЯМР [6], [7], в которых обнаружилось неплохое согласие с теорией. Тем не менее, в экспериментах, связанных с нелинейным ЯМР, неоднократно наблюдались эффекты, требовавшие дополнительного теоретического анализа…

Понарин, Дмитрий Викторович 2000
Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии

Интерес к полупроводниковым сверхрешеткам возник в семидесятых годах в связи с выдвинутой Есаки и Цу [1] идеей реализации способа создания в кристалле одномерного периодического потенциала с периодом, меньшим длины свободного пробега электрона, путем изменения легирования или состава твердого раствора. Первая полупроводниковая сверхрешетка была…

Колоколов, Константин Игоревич 1999
Исследование процессов в аккумуляторах холода с теплопроводящей насадкой и разработка расчетных методов их оптимизации

Работоспособность современных чувствительных электронно-оптических приборов может быть обеспечена криостатированием их элементов при помощи низкотемпературных систем с использованием аккумуляторов холода. Таковы, например, приемники инфракрасного излучения, кристаллы оптических преобразователей, катоды фотоэлектронных умножителей, лазерные диоды и…

Лесюк, Елена Анатольевна 1999
Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/(Al)GaAs при одноосном сжатии

ЗЛ.б.Поведение полной концентрации и подвижности 2Б дырок в процессе релаксаций пьезосопротивления..........................................................99…

Кравченко, Василий Николаевич 1999
Оптические исследования кристаллов гелия при сверхнизких температурах

Поверхность раздела твердой и жидкой фаз гелия представляет собой пример физической системы, в которой многие фундаментальные свойства твердых тел могут быть прослежены в наиболее чистом виде. Ответственные за рост или плавление кристалла транспортные процессы в гелии происходят когерентно и практически бездиссипативно. Важным обстоятельством…

Бабкин, Алексей Владимирович 1999
Системы охлаждения с редкоземельными материалами для аэрокосмических применений

Тенденции последних лет показывают, что к орбитальным космическим аппаратам (КА) стали предъявляться повышенные требования по времени активного существования (до 5.10 лет) и по насыщенности оптико-электронной аппаратурой, что накладывает серьезные ограничения на ее энергопотребление и массогабаритные характеристики [102, 14 9, 164, 166…

Карагусов, Владимир Иванович 1999
Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlGa As структур

В дельта-легированных структурах с высокой концентрацией примеси электронами заполнено несколько подзон размерного квантования. Поведение двумерных электронов в таких системах значительно более сложно по сравнению со структурами с одной заполненной подзоной. Существенным является межподзонное рассеяние электронов, их подвижности в каждой подзоне…

Лунин, Роман Анатольевич 1999