Метод расчета и моделирования функциональных схем тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Стр.,

ВВЕДЕНИЕ. L

ГЛАВА I. ( ОБЗОР )

§ I.I. Функциональные схемы о объемной связью.

§ 1,2. Зарядовая концепция.

§ 1.3. Метод заряда для расчета статических и динамических характеристик в транзисторе

§ 1.4. Модели компонентов для машинного проектирования функциональных схем.

ГЛАВА П. ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОМЕРНЫХ (ПАССИВНЫХ) ЭЛЕМЕНТОВ.

ВВЕДЕНИЕ.

§ 2.1. Обоснование необходимости модификации метода заряда.

§ 2.2. Анализ диодов с сильно легированными базами.

§ 2,3. Анализ диодов с высокоомной базой.

§ 2.4. Эффект отрицательного дифференциального сопротивления в диоде Шоттки.

§ 2.5. Полупроводниковый прибор - элемент управляемый градиентом заряда.

ГЛАВА Ш. СТАТИСТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДВУМЕРНЫХ (АКТИВНЫХ) ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С ПЛАЗМЕННОЙ' СВЯЗЬЮ.

ВВЕДЕНИЙ.

§ 3.1. Функциональное разбиение и модель функциональных схем с квазидвумерной структурой.

§ 3.2. Элемент считывания на модуляционных транзисторах с плазменной связью.

§ 3.3. Статистические и динамические характе-- ристики квазигоризонтального биполярного транзистора.

§ 3.4. Статистические и динамические характеристики горизонтальных структур с перехватом тока. Ю?

§ 3.5. Приборы с плазменной связью на модуляционных транзисторах. П

ГЛАВА 1У. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С

ПЛАЗМЕННОЙ СВЯЗНО.

ВВЕДЕНИЕ.

§ 4.1. Зарядоуправляемая модель горизонтального транзистора.

§ 4.2. Модель элемента плазменной связи на модуляционных транзисторах.

Развитие современной электроники требует непрерывного и всестороннего совершенствования электронной аппаратуры: расширения ее функций, повышения быстродействия и надежности в условиях воздействия дестабилизирующих факторов, уменьшения габаритов, веса, стоимости, потребляемой мощности.

Основные трудности современной микроэлектроники, возникающие при решении этих проблем, связаны с проблемой "тирании количеств" компонентов интегральных схем, приводящей к уменьшению их надежности и к снижению выхода годных схем. Появление этой проблемы вызвано, с одной стороны, резким усложнением функций, выполняемых электронной аппаратурой, а с другой - традиционным схемотехническим подходом к ее проектированию, когда расширение функциональных возможностей аппаратуры обеспечивается не за счет более полного использования физических явлений в твердом теле, а лишь за счет увеличения числа компонентов, и в первую очередь транзисторов.

Однако в конце 60-х - начале 70-х годов наметилась тенденция более полного использования объема твердого тела, представляющего собой активную среду, для которой характерно наличие и использование для обработки или хранения информации динамических неоднород-ностей. Это привело к переходу от интеграции элементов с сосредоточенными функциям к интеграции эффектов и функций, распределенных в объеме. В качестве примера можно привести известные более 20 лет активные элементы с отрицательным внутренним сопротивлением с S -образной вольтамперной характеристикой, которые, благодаря наличию внутренней положительной обратной связи, являются простейшими функциональными устройствами.

В настоящее время можно уверенно сказать, что в электронике твердого тела, в интегральной электронике появилось новое направление - функциональная электроника (ФЭ), использующая принципы физической интеграции, которые позволяют значительно снизить удельный вес схемотехники и перейти к интеграции элементов с сосредоточенными функциями и интеграции эффектов и функций, распределенных в объеме, динамические неоднородности для выполнения определенных функций. Можно выделить следующие основные направления развития ФЭ: акустоэлектроника, магнитоэлектроника, акустооп-тика, интегральная оптика, приборы с зарядовой связью и плазменной связью (ГОС и ПЕС), криоэлектроника.

Функциональная электроника переходит к разработке "нелинейных" устройств, в которых физические явления, лежащие в основе функционирования, описываются с учетом нелинейностей, возникающих либо при наличии в рабочем теле (кристалле, пленке) нескольких взашлодействующих физических подсистем, либо при увеличении уровня сигнала и возникающей при этом необходимости учета обратного влияния рабочего тела на сигнал.

Нелинейные" устройства содержат многослойные структуры, либо монокристаллы, в которых искусственно созданы нелинейности -распределенная обратная связь, инверсная населенность уровней активных центров и т.д. В случае многослойных структур важное значение имеет нелинейный характер взаимодействия динамических неоднородностей между собой или динамических неоднородностей и носителей зарядов из разных слоев.

Актуальность. Одним из перспективных направлений ФЭ является направление функциональных схем с активной связью по объему между элементами схемы, возможности которого трудно переоценить. Функциональная схема (ФС) отличается от обычной интегральной тем, что она не делима на отдельные компоненты: в ней активную роль играют не только составляющие ее элементы, но и связи между ниш. Взаимодействие по объему позволяет создать многофункциональные активно связанные логические схемы (АСЛ) с высокой функциональной плотностью.

К первой группе ФС с объемной связью южно отнести известные схемы, в которых плазменная связь между ее элементами обеспечивает распространение незатухающего сигнала постоянной формы: горизонтальный биполярный транзистор (ГБТ), коллекторно-управляе-мая схема (КУД), инжекционно-удравляемая логическая схема, интегральные схемы с инжекционным питанием (ЙО, для которых характерны высокая функциональная плотность и динамическая помехозащищенность. Для них характерен двумерный перенос электронно-дырочной плазмы (ЭДП).

Ко второй груше можно отнести наиболее перспективные известные АСЛ-схемы - схемы, в которых плазменная связь позволяет управлять вольтамперной характеристикой. Такие схемы допускают ассоциативную и параллельную обработку информации. К особенностям таких АСЛ-схем следует отнести наличие распределенной памяти и возможность интерференционной обработки информации в объеме полупроводника. Активная (плазменная) связь по объему полупроводника в этих схемах обусловлена распространением в общей базе электронно-дырочной плазмы, являющейся разновидностью динамических неоднородностей в активной среде. К числу элементов, используемых в таких АСЛ-схемах, относятся диодная структура на основе компенсированного полупроводникового материала, модуляционный' транзистор, р-п-р-р - структура с S-образными ВАХ или приборы с плазменной связью. В настоящее время реализованы на S-структурах : нейристоры, сдвиговые регистры, линии задержки, логические устройства и другие функциональные устройства. В этих схемах на квазидвумерный перенос ЭДП оказывает существенное влияние тип механизма связи, определяемый геометрией самой структуры и схемой включения.

Широкое применение функциональных схем данного класса сдерживается своеобразным физическим механизмом работы и нетрадиционной схемотехникой. Процесс проектирования схем включает в себя несколько циклов экспериментальной доводки, каждый из которых связан с корректированием топологии, изготовлением новых фотошаблонов и повторением всех технологических операций. Поэтому одной из важнейших задач на этапе внедрения является разработка аналитических методов расчета статических и динамических характеристик функциональных схем для получения зависимостей от физических и конструктивно-топологических параметров с выделением влияния отдельных параметров на электрические характеристики с целью их оптимизации и получения предельных характеристик, значительного уменьшения времени и стоимости проектирования.

При анализе функциональных схем с объемной связью наряду с двумерностью потока ЭДП в объеме прибора необходимо учитывать различные типы механизмов связи. Последнее обстоятельство представляет наибольшую трудность в изучении свойств данного класса ФС. Отметим, что среди опубликованных работ нет таких, в которых проводился бы анализ характеристик сложных функциональных схем с плазменной связью на основе S -диодов и модуляционных транзисторов.

Двумерность протекающих физических процессов требуют решения двумерной системы диффузионно-дрейфовых уравнений, либо использования двумерных моделей, что сопряжено со значительными математическими трудностями и усложнением анализа. Однако с практической точки зрения, исходя: из принципов и режимов работы приборов в конкретных схемах, целесообразно развивать такие методы,, которые бы обеспечивали удовлетворительный компромисс между точностью получаемых результатов и простотой модели. Такой подход позволит определить целесообразный диапазон изменения параметров прибора. Получение и сохранение высоких характеристик функциональных схем' может быть обеспечено при наличии математических моделей, поддающихся аналитическому расчету, пригодных для оптимизации конструкций функциональных схем путем аналитического расчета, либо расчета на ЭШ по существующим стандартным программам.

Целью диссертационной работы является разработка метода аналитического расчета и моделирования функциональных схем с объемной связью.

Научная новизна. В диссертационной работе впервые получены следующие результаты, которые и выносятся на защиту:

1. Разработан модифицированный метод заряда для расчета характеристик полупроводниковых приборов с квазидвумерной структурой и горизонтальным переносом электронно-дырочной плазмы.

2. Получены аналитические зависимости статических и динамических характеристик функциональных схем с объемной (плазменной) связью.

3. Предложен алгоритм расчета параметров модели элемента связи функциональных схем с плазменной связью на основе $ -приборов.

Практическая ценность результатов состоит в следующем:

I. Разработанный метод расчета на основе полученных аналитических выражений для статических и динамических параметров функциональных схем с плазменной целью позволяет решить как разработчику приборов, так и разработчику схем следующие практические важные задачи:

- определение целесообразного диапазона изменения параметров прибора при проведении их оптимизации на ЭВМ и тем самым сократить число рассчитываемых вариантов;

- проведение оценок предельных характеристик, не прибегая к машинному расчету;

- в явном виде выделение влияния отдельных параметров на электрические характеристики, нахождение среди них определяющих параметров, и затем их оптимизация на ЭШ;

- связывание требований к электрическим характеристикам с конструктивными параметрами структуры;

- качественное и количественное объяснение наблюдаемых экспериментальных зависимостей,

2. Метод моделирования и алгоритм расчета параметров модели элемента связи обеспечивает возможность оптимизации на ЭШ по стандартным распространенным программам моделирования полупроводниковых приборов.

Результаты, полученные в работе, используются на предприятии п/я В-2892 и использованы в отчете данного предприятия.

3 А К Д Ю Ч Е Н И Е

В настоящей диссертационной работе рассмотрена проблема разработки метода расчета и моделирования функциональных схем с плазменной связью по объему полупроводника, среди которых особо следует отметить - приборы с плазменной связью, являющейся актуальной на этапе массового внедрения в промышленное производство с целью получения достаточно дешевых устройств микроэлектроники.

Основу разработанного метода расчета и моделирования составляют зарядовая концепция и функциональное разбиение. Это позволяет рассматривать обобщенную модель, описывающую от простого -квазигоризонтального транзистора до сложного функционального элемента функциональной электроники - нейристора.

Введение интегральной величины - заряда через интегрирование функции распределения носителей заряда, являющаяся решением системы диффузионно-дрейфовых уравнений, позволяет модифицировать широко распространенный метод заряда. Такое введение дает возможность принципиально двумерные процессы, имеющие место в данных схемах, разбивать на независимые одномерные процессы и связующим' звеном мезду этими направлениями является заряд. Таким образом полупроводниковый прибор можно рассматривать как "черный ящик", в котором "внешние" характеристики связаны с "внутренними" параметрами.

Данный метод методологически с единой точки зрения описывает функциональные схемы с плазменной связью, а именно, как. активную среду, в которой хранение и передача информации происходит с помощью динамической неоднородности - электронно-дырочной плазмы: 1БТ, КГБТ, КУ1-схема, ППС на основе 5 -диодов и мэдуляциош-шх транзисторов.

Перспектива метода видится в уточнении модели и учете некоторых других эффектов, влияющих на работу приборов. В то же время это уточнение модели не должно уточнять ее настолько, чтобы терялись основные достоинства метода: простота, наглядность и аналитичность. Данный метод является удобным инженерным методом расчета статических и динамических характеристик функциональных схем с объемной связью, имеющих квазигоризонтальную структуру. Эквивалентные схемы ФС, полученные на основе этого метода, просты и наглядны.

Следует особо отметить, что в дальнейшем своем развитии зарядовой концепции будет более полное использование в расчетах фундаментального свойства интегральной величины заряда - функциональная независимость от координат.

Сформулируем кратко основные результаты диссертации:

1. Модифицирован метод заряда применительно к расчету характеристик функциональных схем с объемной связью, имеющих квазидвумерную структуру и горизонтальный перенос ЭДП.

2. Применительно к биполярным структурам получены аналитические зависимости, учитывающие вертикальную инжекцию и горизонтальный перенос ЭДП, статических и динамических характеристик.

3. Предложен метод расчета коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером для горизонтального транзистора с произвольной структурой.

4. Получены аналитические формулы для диффузионного и дрейфового механизмов связи в ППС на основе МТ. В случае сильной связи напряжение включения управляемого МТ зависит линейно от расстояния, в случае слабой - экспоненциально или линейно. Получено, что время задержки в "перевернутых" нейристорах не зависит от напряжения смещения, разброса параметров модуляционных транзисторов.

Полученные аналитические зависимости обеспечивают требуемое совпадение теоретических и экспериментальных результатов и позволягот оптимизировать конструктивные параметры ФС с объемной связью.

5. Разработана зарядоуправляемая шдель квазигоризонтального транзистора, учитывающая квазидвумерный процесс протекания тока.

6. Предложен алгоритм расчета параметров шдели элемента связи ППС на основе МТ.

Данные шдели повышают эффективность системы автоматического проектирования функциональных схем с плазменной связью ж позволяют проводить оптимизацию параметров на ЭШ по существующим стандартным программам. s пф V

К,a

V,MB

По = COHiS-t

60 2 r\{x)= Пг X oo пф zzn, + iM(j

К =0.99 K= 0.0i

57 <30 4 n, = Knt ax.

I t2- Л-к fQoK i fa к

K=0.99

К=&<и

5? 260 fi = n<e ax

I [expCQg^T j^Q Qo exp^ai)

Q = он Q= iO

57 5?

П2ГП, /" -ax\

-e )

J.C

No л - к 1 -expC-e^

К +

1 - К

-expt-ai) о ii C5

If С?

K^.99 K4WH K=0.99

5-7,4 560 5 ? 2 000 1

1. Стафеев В.И. Некоторые проблемы микроэлектроники. Микроэлектроника. Под ред. Ф.В. Лукина. М.: Сов. радио, 1967, вып. I, с. 5-30.

2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов М.: Сов радио, 1980. 296 с.

3. Стафеев В.И., Комаровских К.Ф., Фурсин Г.И. Нейриоторные и другие функциональные схемы с объемной связью. М.: Сов. радио, Радио и связь, I98I, 112 с.

4. Lindmayer J., Schneider W. Theory of lateral transistors. Solid-state Electronics, 1963, v.lO, N3, 225-234. 5. Lin M.C., Tan В., Chang G.Y., Yander Zeest В., Pormagoni nN. Lateral complementory transistors structure for the simalteneous fabrication of functional blocs.- Proceedings of the IEEE, 1964, V.52, Ж12, 1491-U95. 6. Lin M.C. Integrated Electronics.- Holden Day, San Prancisco.1967.

5. Pulkerson D.E. A two-dimensional model for the calculation of common-emitter current gains of lateral p-n-p transistors Solid-state Electronics, 19б8, v.11, N9, 821-826. 8. Lin M.G. DC Analysis of multiple collector and multiple emitter transistors in integrated structures.- IEEE J. of solid-state circuits, 1969, v.SC-4, N1, 20-24.

6. Chou S. An investigation of lateral transistors dc characteristics,- Solid-state Electronics. 1971, v.14, Ж9, 811-826. lO.Kilpatrick J.A., Ryan W.D. Two-dimensional analisis of lateral base transistors. Electronics Letters, 1971, v.7, N9, 226-227.

7. Muller R. Current Hogging Infection Logic a new logic with high functional density. IEEE J. of Solid-State Circuts. 1975, v.SC-10, N5, 348-351.

8. Векшина E.B., Фурсин Г.И., Щетинин Ю.И. Коллекторно-управляемые логические схемы. Электронная промышленность, 1977, В2, с.68-72.

9. Стафеев В.И, S диодная электроника на полуизоляторах. диодных Радиотехника, I97I, т.26, М О с,5-12.

10. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Федотова Я.А.) М.: Сов. радио, 1973, 336 с. 24.(|ога1.В* The quasilateral transistors. Bull. Acad. pol. sci, Ser, sci. tech., 1982, v.30, N1-2, 57-60.

11. Стафеев В.И., Комаровских К.Ф., Мурыгин В.И., Осипов В.В., Скорик В.А. Полураспределенная нейристорная линия на основе р-п-р-п структуры. Материалы I Всесоюзной конференции по электронной аппаратуре для исследований в области высшей нервной деятельности и нейрофизиологии. М.: Иваново, 1966, с. 191196.

12. Амирханов А.В., Гладков В.Н., Рыбальченко В.И., Скорик В.А., Стафеев В.И., Фурсин Г.И. Интегральные активные передающие линии сигналов на основе функциональных элементов. Функциональ ные микроэлектронные устройства и их элементы. Таганрог: Изд ТРТИ, 1974, вып. 2, с. 10-17.

13. Комаровских К.Ф. Функциональные схемы с активной связью на структурах с отрицательным сопротивлением. Электронная промышленность, 1973, 1з 9, с. 32-35. 1

14. Комаровских К.Ф. Построение функциональных схем на п-р-iструктурах. Электронная промьш1ленность, 1974, 4, с. 58 63.

15. Фурсин Г.И. Модуляционные транзисторы перспективные элементы функциональных схем. электронная промышленность, 1978, 1Ь 3, с. 6-22.

16. Комаровских К.Ф., Осипов В.В. Основные параметры и свойства

17. Скорик В.А., Стафеев В.И., Фурсин Г.И. Некоторые свойства нейристора на п-р-Ь структурах с дрейфовой активной связью. ФТП, 1975, т.9, А 6, C.I205-I208.

18. Фурсин Г.И. Функциональные интегральные схемы с инжекционным питанием и активной связью на биполярных приборах. Микроэлектроника, 1977, т.6, №2, с.108-126.

19. Комаровских К.Ф., Фурсин Г.И. Управляемая п-р-I структура с отрицательным сопротивлением. ФТП, 1972, т.6, В I, с.49-52

20. Комаровских К.Ф. п-р- I— структура новый S-элемент на объемном эффекте для функциональных, схем. Микроэлектроника, 1973, т.2, ]з 4, с. 290-296.

21. Стафеев В.И., Викулин И.М. b -диоды. Полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Я.А.Федотова. М.: Сов. радио, 1974, вып.28, с. 23-56. 37. Боч-Бруевич В.Л., Калашников Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977, 672 с.

22. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982, 560 с.

23. Баннов Н.А., Рыжий В.И., Федирко В.А. Высокочастотные свойства слоистых полупроводниковых структур при квазибаллистическом движении электронов. Письма в ЖТФ, I98I, 7, В 18, с. 118 -122.

24. Баннов Н.А., Р ы ж ш В.И. Высокочастотные пульсации тока в диодах с квазибаллистическом движении электронов. ФТП, 1983, т.17, А 4, с. 704-707.

25. Белова Н.Г., Рыжий В.И., Сигов Ю.С. Численное моделирование

26. Рыжий В.И., Федирко В.А., Хмырова И.И. Особенности высокочас тотных свойств баллистических биполярных гетеротранзисторов. ФТП, 1984, т.18, i 5 с. 845-849.

27. Баннов Н.А., Рыжий В.И. Релаксационные колебания тока в диод v ных полупроводнржовых структурах при |шазибаллистическом движении электронов. Радиотехника и электроника, 1984,т.29 В I, с. 172-174.

28. Васенков А.А., Федотов Я.А. Интегральная электроника статических и динамических неоднородностей. Электроннгзя промышленность, I98I, В 1, с. 21-24.

29. Васенков А.А., Федотов Я.А. Функциональная электроника. Основные направления работ. Электронная промышленность, I98I, В- 8, с. 3-5. 46-. Sparkes J., Beaufoy R. The injection transistor as charge controlled device.- Proc. IRE, 1957, N12, 310-327.

30. Baker A.N., May N.G. Charge analisis of transistor operation including delay effects.- IRE., Trans., I96I, v. EI)-8, N2, 152-155.

31. Nanavatu R.P. Predicting of storage tiore in junction transistors. -IRE Trans, i960, v.ED-7, N1, 9-15.

32. Абдюханов M.A., Берестовский Г.Н., Кузьмин В.А. О расчете процессов в полупроводниковых триодах методом заряда. Радиотехника и электроника, I960, т.5, А 3, с. 450-459.

33. Швейкин В.И. Метод заряда для расчета переходных процессов в бездрейфовых транзисторах. Радиотехника и электроника, 1963, т.8, 6, с.

34. Швейкин В.И. О расчете переходных процессов в дрейфовых транзисторах методом заряда. Радиотехника и электроника, 1963,

35. Недолужко И.Г., Каганов И.Л. Расчет переходных процессов в полупроводниковых триодах методом заряда. Полупроводниковые приборв и их npHTv/ieHeHHe. Под ред. Я.А.Федотова М.: Сов радио, 1965, вьш 13, с. 228-247.

36. Berglimd G.N., Thomber K.K., Jncomplete Transfer in Charge Transfer Devices, IEEE J. of Solid-State Circuits, 1973, v.SC-8, Ж2, 108-116.

37. Berglund G.N., Thomber K.K. Fundamental Comparison of Jncom plete Charge Transfer in Charge Transfer Devices, BSTG, 1973 V.52, N1, 147-182.

38. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1977, 672 с.

39. Берестовский Г.Н. Статические характеристики и переходные процессы в полупроводниковом триоде при большом сигнале. Радиотехника и электроника, I960, В 3.

40. Недолу}1ЖО И.Г. Построение переходных характеристик плоскостного триода при работе на большом сигнале. Известия вузов. Радиотехника, 1963, 6, с. 658-663. l

41. Baker A.N. On the control of saturation in bipolar transistors.- Int. J. Electronics, 1982, v.13, N5, 341-344.

42. Nanavati R.P. Charge control analisis of transistor storage time dependence on input on pulse width.- IEEE Trans,, 1963, v.ED-10, N4. 290-291.

43. Nanavati R.P., Wilfinger E.J. Predictions transistor storage timefor nonstep, quasivoltage inputs. IRE Trans., I962, v.ED-9, N6, 492-499.

44. Бингелис А.Ю., Невераускас A.В. Анализ переходных процессов в транзисторе с учетом параметров переключающего импульса.

45. Ячевский В.И., Соловьев В.В. К расчету переходных процессов при открывании транзистора. Полупроводниковые приборы и их пршленение. (Под ред. Федотова Я.А.) М.: Сов. радио, 1970, вып. 24, с. 76-85.

46. Осипов В.В., Смолке Г.Г. Переходный процесс в насыщенном тран зисторе при активно-емкостной нагрузке. Полупроводниковые приборы и их применение. (Под ред. Федотова Я.А.) М.: Сов. радио, 1966, вып. 16, с. 228-236.

47. Осипов Б.В., Смолко Г.Г. Исследование переходного процесса в схемах с непосредственной связью. Полупроводниковые приборы и их применение. (Под ред. Федотова Я.А.) М.: Сов. радио, 1966, вып. 15, с. 284-307.

48. Молл. Переходная характеристика плоскостных триодов при больших сигналах. Вопросы радиолокационной техники. 1956, 2,

49. Агаханян Т.М. Работа полупроводникового триода при большом сигнале. Известия вузов. Радиотехника, I960, I, с. 87-93.

50. Старостин А.Н. Импульсная техника. Учебное пособие для электро технических специальностей вузов. М.: Высшая школа, 1973,336с

51. Пауль Р. Транзисторы. М.: Сов. радио, 1973, 504 с.

52. Klassen P.M. Device phjrsics of integrated injection logic.1ЕЕБ Trans, on Electron Devices, 1975, v. ED-22, N3, 145-152.

53. Hedrockson Т.Е., Huang Jact S.T. A storage model for estimating 11 gate delay. IEEE J. of Solid-State Circuits, 1977, V.12, U2, 171-176.

54. Носов Ю.Р., Петросянц K.O., Шилин В.A. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Сов. радио, 1976,

55. Ebers J.J,, Moll J,L. Large-signal behavior of lunction transistors.- Proc. IRE, 1954, V.42, N12, 1761-1772.

56. Linvill J. Jumped models of transistors and diodes. Proc. IRE, 1958, V.46, N46, 1141-1152.

57. Агоханян T.M. Основы транзисторной электроники. М.: Энергия 1974, 256 с.

58. Kochler D. The charge-control concept in the form of equivalent circuits representing a link between classic large diode and transistor models.-Bell. Sjrst. Techn. J.m 19675 N3, 523-576.

59. Архангельская И.Т. Модели биполярных транзисторов. В кн. Полупроводниковые приборы и их применение. (Под ред. Федотова Я.А.) М.: Сов. радио, 1972, вып. 26, с. v.46,

60. Linvill J., Gibbons J. Transistors and active circuits. New York, Mc. Graw-Hill Boock, Co., 1961.

61. Джетреу. Моделирование биполярного транзистора. Электроника, 1974, т. 47, В 19, с. 46-54, Ш 22, с. 35-41, 1ЙЗ, с.60-68

62. Векшина Е.В., Фзфсин Г.И., Моделирование и расчет функционально-интегрированных элементов БИС. Зарубежная электронная техника, 1980, 1Ь Ь, с. 3-52.

63. Jensen R. Charge control model for the IBM ECAP IEEE Trans. 1966, v.CT-13, N4, 428-437.

64. Gottin P., Girand J.L,, Delville J.C. Models de transistor diodes pour programme ECAP; quel-ques applications.-"L8 Electrique", I969, v.49, N1, 63-72.

65. Gummel M.K., Poon M.C, An integrated charge control model of bipolar transistors. "Bell. Syst. Techn. J.", 1970, v.49, N5, 827-852.

66. Петросянц K.O. Перспективы применения эвктрических моделей

67. Бекшина Е.В., Скорик Б.А., Фурсин Г.И. Статические характеристики приборов с плазменной связью. Микроэлектроника, 1977, т.6, В 6, с. 542-548.

68. Векшина Е.В., Скорик В.А., Фурсин Г.И. Эквивалентнгзя схема интегрального нейристора на основе тфисторов. Изв. вузов Радиоэлектроника, 1979, т. 22, 1-1, с. 95-97.

69. Векшина Е.В., Фурсин Г.И. Многосекционная модель приборов с плазменной связью. Радистехшжа и электроника, 1979, т.24 J 2 0 416-420. r

70. Шигалов З.Г. Расчет статических характеристик полупроводнике вых диодов модифицированным методом заряда. В кн.: Физ. явления в приборах электр. и лазерной техники. М.: изд. МФТИ, 1983, с. 88-93.

71. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид БАХ диода. ЖТФ, 1958, 8, с. I63I-I64I.

72. Иванов С М Пенин Н.А., Скворцова Н.Е., Соколов Ю.Ф. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов. М.:Сов. радио, 1965, с.191.

73. Комаровских К.Ф., Осипов В.В. Вольт-амперная характеристика р-п-п структуры. ФТП, 1967, т.1, 6, с. 902-910.

74. Рыбальченко В.И., Стафеев В.И., Фурсин Г.И. Боль5-а1лперные характеристики п-р-1- структур. Радиотехника и электроника, 1976, т. 21, 2, с. 303-311.

75. Стриха В.И., Вузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Сов. радио, 1974, с.248

76. Балиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта

77. Векшина Е.В., Фурсин Г.И. Биполярные активные элементы БИС. Электронная промышленность, I98I, 4, с. 4-13.

78. Фурсин Г.И., Шигапов З.Г., Щетинин Ю.И. Формальная модель диода Шоттки при высокой плотности тока. Электронная техника. Сер.

79. Мшсроэлектроника, 1983, А I, с. 20-24.

80. Kroell К.Б. Parasitic SCR between а Skhottky diode and an adjacent transistor. Solid-State Electronics, 1976, v.19, 711-7U.

81. Scharfetter D.L. Minority carrier injection and charge storage in epitaxial Schottky barrier diodes, Solid-State Electronics, 1965, v.8, 229-211.

82. Шигапов З.Г. Метод расчета ИС и ФС с горизонтальной и продольной структурой. В кн.: Физ. явления в приборах электр. и лазерной техники. М., изд. МФТИ, 1984, с. 96-102.

83. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. 2-е., исп. и доп. Киев: Техника, 1975. 360 с.

84. Векшина Е.В., Скорик В.А., Фурсин Г.И. Анализ совмещенных транзисторных структур. Труды МФТИ, сер. Радиотехника и электроника, 1977, с. 195-212.