Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение. •

I» Теплопроводность полупроводников. Полупроводниковые свойства халькогенидов' свинца РВТё , РбВе , Р88 и твердых растворов на их основе. 1X

1.1. Теплопроводность идеальной кристаллической решетки

Теплопроводность неидеальных кристаллов

1.3. Теплопроводность полупроводников.

1.4. Полупроводниковые свойства халькогенидов свинца и твердых растворов на основе

§Те.

1.5. Постановка задачи исследования* • • •

2» Технология приготовления образцов» Методики измерения теплопроводности . . ••••••

2.1» Физико-химические свойства сплавов.

2.2» Технология приготовления сплавов.

2.3. Приготовление образцов для измерений электро*фи~ зических и тепловых параметров. . •

2*4. Методики измерения теплопроводности • • »

3. Исследование теплопроводности халькогенидов свинца

Р&Те » и РВ8 в интервале температур 80 ~ 850 К 99 3*1* Экспериментальные результаты*

3.2, Анализ роли оптических фононов в переносе тепла

4, Исследование теплопроводности псевдобинарных твердых растворов на основе П-Р81ё.

4,1. Исследование числа Лоренца псевдобинарных твердых растворов на основе Р№ приТ~ 85 К.

4,2. Исследование теплопроводности твердых растворов в интервале температур 80 - 400 К. Экспериментальные результаты. Анализ экспериментальных результатов на основе модели Амбегаокара-Клемен-са. Анализ экспериментальных результатов на основе теории "цепочечной решетки".

5. Исследование теплопроводности поевдотройных твердых растворов на основе П-РёТё в интервале температур

80 - Ш К.

5.1 • Экспериментальные результаты.

5.2. Анализ экспериментальных результатов.

Теплопроводность является одним из важнейших свойств твердого тела. Она уже в течение почти двух веков привлекает к себе пристальное внимание исследователей.

В последние годы вопросом возрастающей важности с научной и практической точки зрения стало изучение тепловых свойотв полупроводников.

Полупроводники представляют собой вещества, в которых отчетливо проявляются все механизмы фононной и электронной теплопроводности. Изучение теплопроводности полупроводников позволяет получить сведения о механизмах рассеяния и переноса тепла, о характере рассеяния фононов на дефектах, о механизмах рассеяния носи« телей тока и т.д.

С другой стороны, интерес к тепловым свойствам полупроводников обусловлен их широким практическим применением и, в частнос-* ти, в термоэлектрических преобразователях энергии. Одним из наиболее важных применений таких устройств, наряду с охлаждением и термостатированием является генерирование электроэнергии.

Первые практически важные результаты были получены при использовании термоэлектрических генераторов (ТЭГ) для питания ра«* диоаппаратуры. В настоящее время преимущественная область применения термоэлектрического преобразования энергии - автономные источники электроэнергии небольшой мощности Сот микроватт до сотен ватт) чрезвычайно надежные с очень большим сроком непрерывной работы. Они позволяют осуществлять длительное электропитание косми** ческих аппаратов, удаленных и необслуживаемых буев, радиомаяков, линий радиосвязи, метеостанций в труднодоступных районах, в океане, Арктике и Антарктике, применяются для питания аппаратов "ис** кусственное сердце" • в медицине. Они широко используются для катодной защиты магистральных газопроводов [бЗ.

3 соответствии с теорией энергетического применения полупроводников А.Ф.Иоффе [54] коэффициент полезного действия термоэлектрического преобразователя связан непосредственно с величиной термоэлектрической эффективности И материала, используемого при его конструировании■2 - ^а)где ск термоэдс, О* - электропроводность, 9£0 - общая теплопроводность. В цростейшем случае ( один знак носителей тока, малая электронная составляющая теплопроводности ) величина общей теплопроводности практически определяется ее решеточной составляющей Поэтому теплопроводность решетки является одним из основных факторов, определяющих термоэлектрическую эффективность материалов. Определение величины теплопроводности решетки таких веществ, возможность предсказания ее зависимости от температуры и изучение способов ее снижения требуется для успешного решения проблемы прямого преобразования тепловой энергии в электрическую.

Для более широкого применения термоэлектрических устройств необходимо улучшение характеристик термоэлектрических материалов. Одним из наиболее распространенных методов повышения эффективное» ти таких материалов является метод твердых растворов 156]. Он основан на введении в материал примесей, которые более эффективно рассеивают фононы, чем электроны, вследствие чего теплопровод« ность решетки твердых растворов уменьшается сильнее, чем электро-проводиость. Этот эффект в сочетании с другими благоприятными факторами может привести к заметному увеличению термоэлектрической эффективности материала.

К началу настоящей работы халькогениды свинца и твердые растворы на основе Р&Т& были достаточно подробно исследованы с точки зрения зонной структуры, накоплен большой экспериментальный материал о механизмах рассеяния носителей тока.

Тепловые свойства этого класса материалов изучены меньше. Недостаточно полно исследована теплопроводность сульфида свинца в широкой области температур. Имеются экспериментальные результат ты поЗСр РВТе * легированного галогенами. Влияние нейтральных примесей на тепловые свойства теллурида свинца систематически изучено только в одной системе РВТе^Р8Бс * для других систем имеются отдельные результаты при 300 К. Анализ экспериментальных результатов, проведенный на основе существующих теоретических представлений, носит в основном качественный характер, количеств венные же расчеты, проведенные на основе модели Амбегаокара^Кле-менса, дают противоречивые результаты.

Таким образом, экспериментальные результаты по тепловым свой« ствам халькогенидов свинца и твердых растворов на их основе и об-»работка их в рамках существующих теоретических моделей недостаточны для понимания и количественных оценок участия различных групп фононов в переносе тепла в материалах этой группы и для разработки единого подхода к проблеме примесного рассеяния в твердых растворах.

Установление таких закономерностей позволило бы прогнозировать поведение теплопроводности решетки в широком интервале температур и перейти от эмпирического подбора состава твердого раствора к сознательному выбору типа и количества примеси.

Эти обстоятельства определили актуальность изучения тепловых свойств халькогенидов свинца и широкого круга твердых растворов на основе PSTß и позволили наметить ряд конкретных задач, решению которых и посвящена настоящая работа.

Целью работы является исследование особенностей переноса тепла в халькогенидах свинца, примесного рассеяния фононов в твердых растворах на основе РВТе и разработка единого подхода для целенаправленного изменения тепловых свойств материала за счет подбора типа и количества примесей на основе их физико-химических свойств.

Исследования в работе проводились по двум основным направлениям:1. Исследование теплопроводности решетки халькогенидов свинца Р&Те PßSe и в интервале температур 80 - 850 К (PßTe -до 400 К ). Это позволило получить данные по Обр этих материалов в интервале температур, включающем область их практического использования и оценить относительный вклад акустических и оптических фононов в теплоперенос в этих материалах.

2. Исследование большой группы твердых растворов на основе R-PßTe при введении в него изоморфных примесей типа Ац&(РВ8е I Р&Б » БпТс » беТе и сочетаний ). Изучение теплопроводности решетки проведено в области температур 80 - 400 К. При этих температурах все процессы, обусловленные цримесным рассеянием, являются существенными или преобладающими и выявляются наиболее четко. Это позволило установить корреляцию между дополнительным тепловым сопротивлением твердых растворов и составом материала и оценить температурные пределы, в которых примесное рассеяние оказывает существенное влияние на процессы теплопереноса в этих твердых растворах.

На защиту выносятся следующие основные результаты:1. Результаты экспериментального исследования теплопроводности халькогенидов свинца Р8&£ и РВ£ в интервале температур 80 - 850 К. Анализ полученных экспериментальных данных на основе решения кинетического уравнения для оптических фононов в приближении времени релаксации для объяснения обнаруженного нарушения закона Дебая-Пайерлса.

2. Результаты систематического экспериментального исследования теплопроводности решетки твердых растворов систем Р£Тё-РВ2 Р&Те-^пГе. Р8Те-9еТе Же-РбБе-Р8& вВе-2пТе.

Р№ — РВ2 — б^Те в интервале температур 80 - 400 К.

3. Результаты исследования теплопроводности твердых растворов №Ге-Р8Бе РВТе-РВБ. Р8Т(?-9еГе при Т^85 К в сильном магнитном поле.

4. Установление единой для всех исследованных псевдобинарных твердых растворов зависимости дополнительного теплового сопротивления от параметра неупорядоченности, включающего в себя локальное изменение плотности и упругих свойств среды.

5» Экспериментально установленные эффекты температурной зависимости и неаддитивности дополнительного теплового сопротивления и анализ этих результатов на основе модели "цепочечной решетки" кристалла.

6. Результаты оценки примесного фононного рассеяния в твердых растворах исследованной группы в области температур их практического использования на основе экспериментальных данных по теплопроводности в интервале 80 - 400 К.

ВЫВОДЫ

1. Проведено детальное исследование теплопроводности халькогенидов свинца PßSe и P6S в интервале температур 80 -850 К. Обнаружено нарушение закона Дебая-Пайерлса для температурной зависимости теплопроводности решетки в широком интервале температур. Оценен относительный вклад оптических фононов в теп-лоперенос в этих материалах.

2. Проведено измерение теплопроводности твердых растворов №Те- РВбе , PEle- PßS иР(?Те-&б1рв сильном магнитном поле при Т 85 К. Получены значения числа Лоренца ( L ) для этих материалов. Наблюдаемое отличие L от Lo удовлетворительно объясняется неупругостью рассеяния носителей тока, связанной с рассеянием электронов электронами и оптическими фононами.

3. Впервые получены систематические экспериментальные данные по теплопроводности твердых растворов псевдобинарного и псевдотройного типов на основе П-РВТс в системах: P&Tp-PßS »

РёГе- SnTe , РбТе- 6-еТе , PgTe-PBSe-SnTe, PgTe-PßSe- PßS ,

PBTe- PßS- GeTs в интервале температур 80 - 400 К. Во всех твердых растворах установлена зависимость теплопроводности решетки от типа и количества вводимой примеси.

4. Получена единая для всех исследованных псевдобинарных твердых растворов зависимость дополнительного теплового сопротивления от параметра неупорядоченности, учитывающего и локальное изменение плотности и локальное изменение упругих свойств среды при Т=300 К. Показано, что вклад локального изменения упругих свойств среды в рассеяние фононов существенен.

Получение такой зависимости позволяет прогнозировать тепловые свойства твердых растворов при Т=300 К при введении адной примеси и может быть использовано для предсказания предельных значений теплопроводности при составлении композиций твердых растворов на основе РбТе с любой комбинацией примесей(3е;2п.,£е,$).

5, Дана оценка локального изменения силовой постоянной, вызываемого введением в Р8Те примесей &е , , 8 и Объяснена экспериментально наблюдаемая температурная зависимость дополнительного теплового сопротивления ( Думеньшается с ростом температуры ) в системах Р&Те-РВБ и Р&Те- 9-еТ«. . Она связывается с выходом примеси в нецентральное положение при понижении температуры.

6, Впервые экспериментально установлен факт неаддитивности дополнительного теплового сопротивления в псевдотройных твердых растворах на основе РВТ(2 , проявляющийся во всем температурном интервале ( 80 -400 К ) в системе Р&Те- Р£9е-$пТе • Этот эффект связывается с наличием селективности ( по частотам ) в рассеянии примесями различных групп фононов.

Для практического.использования эффекта неаддитивности теплового сопротивления с целью снижения теплопроводности решетки, необходимо при составлении сложных твердых растворов учитывать соотношение основных факторов, ответственных за рассеяние фононов ( дефекта массы и дефекта связи ближайших атомов ).

7, Показана недостаточность теории Амбегаокара-Клеменса, основанной на длинноволновом приближении, для объяснения экспериментально наблюдаемых особенностей поведения дополнительного теплового сопротивления исследованной группы твердых растворов. Объяснение температурной зависимости и эффекта неаддитивности дополнительного теплового сопротивления возможно только с привлечением теорий, включающих в рассмотрение весь фононный спектр и описывающих дефект в коротковолновом приближении, С этой точки зрения показана целесообразность использования модели "цепочеч-.ной решетки" кристалла для анализа тепловых свойств твердых растворов на основе РВТе .

8. Показано, что на основании полученных экспериментальных данных по теплопроводности решетки твердых растворов на основе р£7ё в интервале температур 80 - 400 К можно количественно предсказать вклад примесного фононного рассеяния в более широком интервале температур ( до 900 К ), включающем в себя всю область практического использования этих материалов.

1. Абрикосов Н.Х., Гончарова Л.С., Гурова И.И. Диаграмма состояния системы PBTe-SnSe . Изв. АН СССР, Неорг. мат. 1973, т.9, в. 7, с. 1.46-1149.

2. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы наь соснове соединений А В .- М.: Наука, 1975, с. 96-172.

3. Айрапетянц C.B., Ефимова Б.А., Ставицкая Т.С., Стильбанс Л.С., Сысоева Л.М. О подвижности электронов и дырок в твердых растворах на основе теллурида свинца и висмута. ЖТФ, 1957, т. 27, в. 9, с. 2167-2169.

4. Айрапентянц C.B., Сергеев В.П. Измерение теплопроводности полупроводников. Отчет ИПАН-ВНИИТ, Л., 1963, с. 34-44.5, Алиев С.А., Коренблит Л.Л., Шалыт С.С. Электронная и решеточная теплопроводность селенида ртути. ФТТ, 1966, т. 8, в. 3, с. 705-711.

5. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник. Киев: Наукова Думка, 1979, с. 35L»418.

6. Андреев A.A., Родионов В.Н. О зонной структуре теллурида свинца из измерений эффекта Холла при высоких температурах. ФТП, 1967, т. I, в. 2, с. 183-187.

7. Баранов П.Г., Житников P.A., Мельников Н.И. Матричные сдвиги констант сверхтонкой структуры Мп- и Мп+ -центров в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ, 1971, т. 13, в. 10, с.2841-2848.

8. Берман Р. Теплопроводность твердых тел. М.: Мир, 1979, с. 2737, 58-63, II0-II5, 134-140.

9. Бокий Г.Б. Введение в кристаллохимию. Изд-во МГУ, 1954, с. 120-122.

10. Васильев A.B. Исследование некоторых сплавов для термоэлементов. Кандидатская диссертация. Харьков, 1955, 206 с.

11. Герштейн Э.З., Ставицкая Т.О., Стильбано JI.C. Исследование термоэлектрических свойств теллуристого свинца. ЖТФ, 1957, т. 27, в. II, с. 2472-2483.

12. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В12~11Рз* М.: Наука, 1972, с. 252-262.

13. Гольцман Б.М., Саркисян В.Ш., Стильбано Л.С., Шлыков В.В. Об инверсии знака термоэдс в мелкодисперсном электронном теллуриде свинца. Изв. АН СССР, Неорг. мат., 1968, т. 4, в. 12, с. 1294.

14. Гольцман Б.М., Саркисян В.Ш., Стильбано Л.С., Шлыков В.В. Исследование влияния пор и границ зерен на электропроводность и теплопроводность термоэлектрических материалов. Изв. АН СССР, Неорг. мат., 1969, т. 5, в. 2, с. 283-286.

15. Горгонова H.A., Муждаба В.М., Сергинов М., Шалыт С.С. Электронная и решеточная теплопроводность П.- Cd5fls2 при низких температурах. ФТТ, 1969, т. И, в. 2, с. 280-282.

16. Гуревич ВЛ. Кинетика фононных систем. М.: Наука, 1980, с. 124-142.

17. Гуревич ВЛ. К теории теплопроводности диэлектриков. ФТТ, 1959, т. I, в. 9, с. 1474-1476.

18. Гуриева Е.А. Исследование энергетического спектра и рассеяния электронов в твердых растворах на основе теллурида свинца. Кандидатская диссертация. ЗГИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР, Л., 1974, 194 с.

19. Гуриева Е.А., Дубровская И.Н., Ефимова Б.А. Исследование кинетических эффектов в сплавах (РЕТе)^* (SnTe)y . ФТП, 1970, т. 4, в. 2, с. 245-251.

20. Гуриева Е.А., Ефимова Б.А., Равич Ю.И. Рассеяние носителей тока в полупроводниковых сплавах на основе Р6Тб . ФТП, 1974,т. 8, в. 7, с. 126Ы265.

21. Гуриева Е.А., Заславский А.П., Кутасов В.А., Смирнов И.А. Теплопроводность твердых растворов на основе теллурида висмута. ФТТ, 1965, т. 7, в. 4, с. 1221-1227.

22. Гуриева Е.А., Кутасов В.А., Смирнов И.А. Теплопроводность кристаллической решетки твердых растворов на основе BYTE's • ФТТ, 1964, т. 6, в. 8, с. 2453^2456.

23. Давыдов Б.И., Шмушкевич И.М. Теория электронных полупроводников. УФН, 1940, т. 24, в. I, с. 2.>б7.

24. Девяткова Е.Д., Маслаковец Ю.П., Отильбанс Л.С., Ставицкая Т.С. О температурной зависимости подвижности носителей электри** чества в полупроводниках. ДАН СССР, 1952, т. 84, в. 4,с. 681*682.

25. Девяткова Е.Д., Мойжес Б.Я., Смирнов И.А. Теплопроводность теллура с разной концентрацией примесей в интервале темпера** тур 80 400 К. ФТТ, 1959, т. I, в. 4, с. 6I3-627.

26. Девяткова Е.Д., Петров A.B., Смирнов И.А. О передаче тепла при биполярной диффузии носителей тока в теллуристом и селенистом свинце. ФГТ, 1961, т. 3, в. 5, с. I338-I34I.

27. Девяткова Е.Д., Саакян В.А. Тепловые, электрические свойства и ширина запрещенной зоны РёТё и PE>Se . Изв. АН Арм. ССР, Физика, 1967, т. 2, в. I, с. 14-26.

28. Девяткова Е.Д., Саакян В.А. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов P£lexSe±-x* ФТТ» 1968, т. 10, в. 5, с. 1563^1565.

29. Девяткова Е.Д., Смирнов И.А. Теплопроводность и изменение числа Лренца в PBSe • ФТТ, I960, т. 2, в. 8, с. I984«.I99I.

30. Девяткова Е.Д., Смирнов И.А. Влияние примесей галогенов на теплопроводность теллуристого свинца. ФТТ, 1961, т. 3, в. 8, с. 2298*2309.

31. Девяткова Е.Д., Смирнов И.А. О температурной зависимости теплового сопротивления некоторых кристаллов вблизи температуры Дебая. ФТТ, 1962, т. 4, в. 9, с. 2507-2513.

32. Девяткова Е.Д., Тихонов В.В. Рассеяние фононов и электронов в твердых растворах. ФТТ, 1965, т. 7, в. 6, с. 1770-1776.

33. Драбл Дж., Голдсмит Г. Теплопроводность полупроводников. ИЛ., 1963, с. 10-22, 161-230.

34. Дубровская И.Н. Исследование зонной структуры и механизмов рассеяния в халькогенидах свинца и твердых растворах методом термоэдс в магнитном поле. Кандидатская диссертация. JI., ИПАН СССР, 1970, с. 181*189.

35. Дубровская И.Н., Ефимова Б.А., Ненсберг Е.Д. Исследование не-параболичности зоны проводимости PßSe и P8S • $ТП, 1968,т. 2, в. 4, с. 530-535.

36. Дубровская И.Н., Ефимова Б.А., Равич Ю.И. Рассеяние носителей на примесных центрах и подвижность при 4 К в халькогенидах свинца. ФТП, 1970, т. 4, в. II, с. 2201-2205.

37. Дубровская И.Н., Равич Ю.И. Исследование непараболичности зоны проводимости PßTe методом измерения термоэдс в сильном магнитном поле. ФТТ, 1966, т. 8, в. 5, с. 1455-1460.

38. Дубровская И.Н., Равич Ю.И., Грязнов О.С. О непараболичности зон в халькогенидах свинца. ФТП, 1969, т. 3, в. 12, с.1770«* 1773.

39. Елагина Е.И., Абрикосов Н.Х. Исследование системы PBT8-PBSG . ДАН СССР, 1956, т. III, в. 2, с. 353-354.

40. Ерасова H.A., Кузьмина Е.В. Влияние фазового перехода на электрические свойства твердых растворов Р6±-х fcxTe . Изв. АН СССР, Неорг. мат., 1979, т. 15, в. 8, с. 1370-1374.

41. Ефимова Б.А., Гуриева Е.А., Равич Ю.И., Бузылева JI.B. Исследование кинетических эффектов в сплавах РВТе- PBSe- PßS • ФТП,1971, т. 5, в. 9, о. 1715*1719.

42. Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф. Теплопроводность неизоморфных твердых растворов на основе РВЛё . Изв. АН СССР, Неорг. мат., 1974, т. 10, в. 12, с. 2219-2220,

43. Ефимова Б.А., Иорданишвили Е.К. и др. Исследование термоэлектрических свойств твердых растворов на основе теллурис-того свинца. Отчет ИПАН СССР, 1963, 136 с.

44. Ефимова Б.А., Коломоец Л.А. Термоэлектрические свойства твердых растворов PßTp-SnTe . ФТТ, 1965, т. 7, в. 2, с.424-431.

45. Ефимова Б.А., Лайнер Д.И., Островская Л.М., Самедов Г.К.

46. О рассеянии носителей тока в некоторых твердых растворах на основе теллурида свинца.ФТП, 1968, т. 2, в. II, с. 1689-1690.

47. Ефимова Б.А., Нельсон И.В., Елисеева Ю.Я. Ширина запрещенной зоны некоторых твердых растворов на основе PßTf? . ФТП, 1969, т. 3, в. 7, с. 1060-1062.

48. Ефимова Б.А,, Прокофьева Л.В. и др. Исследование зонной структуры и механизмов рассеяния носителей тока в халькогени-дах свинца и твердых растворах на основе PSTe . Отчет ИПАН СССР-ВНИЙГ, Л., 1969, 109 с.

49. Жданова В.В., Клюев В.П., Леманов В.В., Смирнов И.А., Тихонов В.В. 0 тепловых свойствах кристаллов ниобата лития. ФТТ, 1968, т. 10, в. 6, с. 1725*1728.

50. Житинская М.К., Кайданов В.И., Черник И.А. О непараболичности зоны проводимости теллурида свинца. ФТТ, 1966, т. 8,в. I, .с. 295-297. 5Е. Займан Дж. Электроны и фононы. ИЛ., 1962, с. I39-I4I, 206254, 265-291.

51. Зайцев В.К., Ткаленко З.Н., Никитин E.H. Решеточная теплопроводность в твердых растворахMgaSL-MgaSn . M^ße-MgaSfL , MtJ2Sl-M(j2fe. ФТТ, 1969, т. II, в. 2, с. 274-279.

52. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. Изд. АН СССР, 1956, с. 44-56.

53. Иоффе А.Ф,, Айрапетянц C.B., Иоффе A.B., Коломоец Н.В., Стильбанс Л.С. О повышении эффективности полупроводниковых термопар. ДАН СССР, 1956, т. Юб, в. 6, с. 981-985.

54. Иоффе А.Ф., Иоффе A.B. Теплопроводность полупроводников. Изв. АН СССР С сер. физика ), 1956, т. XX, в. I, с. 65-75.

55. Иоффе А.Ф., Иоффе A.B. Теплопроводность твердых растворов полупроводников. ФТТ, i960, т. 2, в.5, с. 781-792.

56. Кайданов В.И., Немов С.А., Новичков А.И., Нуромский А.Б. Рассеяние дырок и фононов в P8Se на примеси таллия. ФТП, 1977, т. II, в. 6, с. II87-1188.

57. Кайданов В.И., Нуромский А.Б. Теплопроводность P&i-x ЗпхТе . ФТП, 1982, т. 16, в. 3, с. 554-555.

58. Касимов С., Регель А.Р., Субашиев В.К. Оптическая ширина запрещенной зоны в твердых растворах системы P&Tl?~ Р8S . ФТТ, 1967, т. 9, в. 12, с. 3653-3654.

59. Ковальчик Т.Л., Маслаковец Ю.П. Влияние примесей на электрические свойства теллуристого свинца. ИФ, 1956, т. 26, в. II, с. 2417-2431.

60. Коломоец Н.В., Ставицкая Т.С., Стильбанс Л.С. Исследование термоэлектрических свойств теллуристого и селенистого свинца. 1ТФ, 1957, т. 27, в. I, с. 73-81.

61. Коломоец Н.В., Виноградова М.Н.<, Сысоева JI.M. О валентной зоне РВТе . ФТП, 1967, т. I, в. 8, с. 1222-1228.

62. Коломоец Н.В., Лев Е.Я., Сысоева Л.М. К вопросу о природе носителей тока в£еТе. ФТТ, 1963, т. 5, в. Ю, с. 2871-2876.

63. Логачев Ю.А., Васильев Л.Н. Температурная зависимость фонон-ной теплопроводности , SL и A5B5. ФТТ, 1973, т. 15,в. 5, с* 1612-1614,

64. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Теория рассеяния фононов на дефектах в сильно анизотропных кристаллах с решеткой . ФТГ, 1975, т. 17, в. 8, с. 2209-2216.

65. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Фазовый переход в твердом растворе. ФТТ, 1977, т. 19, в. 9, с. 1793-1795.

66. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я., Петров A.B., Цыпкина H.G. Корреляция между теплопроводностью щелочно-галоидных кристалловс решеткой Nüffi и величиной упругой анизотропии. ФТТ, 1974, т. 16, в. 9, с. 2489*2493.

67. Логачев Ю.А., Юрьев М.С. Фонон-фононное рассеяние и решеточная теплопроводность при высоких температурах. ФТГ, 1972,т. 14, в. II, с. 3336-3342»

68. Муждаба В.М., Шалыт С.С. К вопросу о механизме рассеяния носителей тока в РбТе (анализ соотношения Видемана-Франца). ФТТ, 1966, т. 8, в. 12, с. 3727-3729.

69. Новикова С.И., Абрикосов Н.Х. Исследование теплового расширения халькогенидов свинца. ФТТ, 1963, т. 5, в. 7, с. 19131916.

70. Новичков А.И., Нуромский А.Б., Худовец Г.С., Логачев Ю.А. Рассеяние фононов в некоторых твердых растворах. ФТТ, 1974,т. 16, в. 4, с. 1242*1243.75« Оскотский B.C., Смирнов Й.А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Л.: Наука, 1972, с. 8«35, 7.>77.

71. Петров A.B. Исследование термоэлектрических свойств и теплопроводности твердых растворов системы германий-кремний. Кандидатская диссертация. Л., ИПАН СССР, 1966, с. 46*55.

72. Петров A.B., Цыпкина Н.С., Логачев Ю.А. Температурная зависимость теплопроводности щелочно-галоидных солей при повышенных температурах. ФТТ, 1974, т. 16, в. I, с. 65-70.

73. Пикус Г.Е. Термо- и гальваномагнитные эффекты при учете изменения концентрации носителей тока. ЖТФ, 1959, т. 26, в. I» с. 22-35, 36-50,

74. Равич Ю.И., Гуриева Е.А., Дубровская И.Н., Ефимова Б.А. Прокофьева Л.В., Тамарченко В.И. Механизмы рассеяния носителей тока в халькогенидах свинца. ФТТ, 1970, т. 12, в. 3, с.917« 919.

75. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Прокофьева Л.В., Дубровская И.Н. О влиянии полярного рассеяния на подвижность носителей в халькогенидах свинца. ФТП, 1970, т. 4, в. I, с. 230.

76. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PßTg , PBSe , P8S . М.: Наука, 1968, с. 17*47, 182-227, 309*316, 331-342.

77. Равич Ю.Й., Морговский Л.Л, К теории рассеяния носителей на оптических и акустических фононах в полупроводниках типа Р6Те. ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1528-1539.

78. Равич Ю.И., Смирнов И.А., Тихонов В.В. 0 числе Лоренца в tl-PBTe и твердых растворах Pßle-PBSe . ФТП, 1967, т. I, в. 2, с. 206*210.

79. Рейсленд Дж. Физика фононов. М.: Мир, 1975, с. 115*125,241«270.

80. Саакян В.А. Рассеяние фононов точечными дефектами в твердых растворах P8>TexS9!-x и GßxSU-x • ФТТ, 1967, т. 9, в. 8, с. 2411-2413.

81. Саакян В.А., Смирнов И.А. Теплопроводность в полупроводниках с двумя сортами носителей. ФТТ, 1966, т. 8, в. 12,с. 3668-3671.

82. Самойлович А.Г., Гвоздовский И.В. К теории неупругого рассеяния носителей заряда на оптических фононах. У1Ф, 1967, т. 12, в. 10, с. 1668-1676.

83. Смирнов И.А., Алиев С.А. Число Лоренца в HqSe при высоких температурах. §ГТ, 1968, т. 10, в. 9, с. 2643*2646.

84. Смирнов И.А., Виноградова М.Н., Коломоец Н.В., Сысоева Л.М. Теплопроводность сильно легированного p-PBTß • ФТТ, 1967,т. 9, в. 9, с. 2638-2645.

85. Смирнов И.А., Мойжес Б.Я., Ненсберг Е.Д. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце. ФТТ, i960, т. 2,в. 8, с. 1992-2005.

86. Смирнов И.А., Равич Ю.И. Влияние непараболичности зоны проводимости на число Лоренца в ri-PBTe. ФТП, 1967, т. I, в. 6, с. 891*894.

87. Смирнов И.А., Тамарченко В.И. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. Л.: Наука, 1977, с. 7-25, 34-40, 61-66, 100-103.

88. Смит P.A. Полупроводники. М.: ИЛ., 1962, с. 404-405.

89. Ставицкая Т.С. Исследование термоэлектрических свойств электронного теллуристого свинца и некоторых сплавов на его основе. Кандидатская диссертация. Л., ИПАН СССР, 1968, 205 с.

90. Ставицкая Т.С., Прокофьева Л.А., Равич Ю.И., Ефимова Б.А. Влияние непараболичности зоны проводимости на кинетическиекоэффициенты РВТе в интервале температур 100 « 1000 К. ФТП, 1967, т. I, в. 8, с. 1138*1145.

91. Стильбано JI.C. Полупроводники в науке и технике, т. I. Изд. АН СССР, 1957, о. 86-88.

92. Тамарченко В.И., Равич Ю.И., Морговский Л.Я., Дубровская И.Н. О числе Лоренца и других кинетических коэффициентах в вырожденных образцах Р&Те , PBSe , Р88 . ФТТ, 1969, т. II, в. II, о. 3206-3213. .

93. Фритте Р.Ф. В сб.: Термоэлектрические материалы.и преобразо-. ватели.-M.î Мир, 1964, с. 153-173.

94. Хансен М., Андерко К. Структура двойных сплавов. M.¡ Метал-лургиздат, 1962, с. II63-1174.

95. Черник И.А., Кайданов В.И., Виноградова М.Н., Коломоец Н.В. Исследование валентной зоны теллурида свинца с помощью явлений переноса. ФТП, 1968, т. 2, в. 6, с. 773-781.

96. Чудинов А.А. Зависимость скорости ультразвука от температуры в монокристаллах Р№ в интервале 80 640 К. ФТТ, 1962, т. 4, в. 3, с. 755-758.

97. Шалыт С.С., Муждаба В.М., Галецкая А.Д. Решеточная и электронная теплопроводность PÊTe ,P8Se и P&S . ФТТ, 1968,т. ю,- в. 5, с. 1277-1285.

98. Шелимова Л.Е., Абрикосов Н.Х. Система Sn-Tê в области соединения SnTe . ЖНХ, 1964, т. 9, в. 8, с. I879-I882.- .

99. Шелимова Л.Е., Абрикосов Н.Х., Жданова В.В. Системав области соединения &еТе . ЖНХ, 1965, т.Ю, в.5, с.1200-1205.

100. Эфрос А.Л. Приближенный расчет колебательного спектра кристаллов теллуристого и сернистого свинца. ФТТ, 1961, т. 3, в. 7, с. 2065-2070.

101. Эшелби Дж. Континуальная теория дислокаций. М.: ИЛ, 1963, с. 60-65.107« Abeles B. Lattice Thermal Conductivity of Disordered Semiconductor Alloys at High Temperatures» Phys. Rev., 1963, vol.131, N5, p.1906-1911

102. Herman R., Poster E.L., Ziman J.M. Thermal Conduction in Artificial Sapphire Crystals at Low Temperatures*

103. Proc. Roy. Soc. (London) 1955, vol.A23I, N1184,p.130-144112» Berman R., Poster E.L., Ziman J.M. The Thermal Conductivity of Dielectric Crystals: the Effect of Isotopes. Proc. Roy. Soc. (London) 1956, vol.A237, N1210, p.344-359

104. Blackman M. On the Heat Conductivity of Simple Cubical Crystals. Phyl. Mag. 1935, vol.19, N129, p.989-998

105. Bioem I., Kroger P.A. The P-T-X Phase Diagram of the Lead-Sulphur System. Z. Physik, Chem. 1956, Bd.7, N1, S.I-I4

106. Brebrick R.P., Allgaier R.S. Composition Limits of Stability of PbTe. J. Chem. Phys. I960, vol.32, N6, p.1826-1831

107. Calawa A.R., Harman T.C., Pinn M., Youtz P. Crystal Growth, Annealing and Diffusion of Lead-Tin Chalcogenides. Trans, Met, Soc. AJME 1968, vol.242,N3, p,374-383

108. Callaway J. Model for Lattice Thermal Conductivity at Low Temperatures. Phys. Rev. 1959, vol.113, N4, p. IO46

109. Callaway J,, H,C,von Baeyer Effect of Point Imperfections on Lattice Thermal Conductivity» Phys. Rev. I960, vol.120, N4, p. II49-II54

110. Carruthers J,A, Theory of Thermal Conductivity of Solids at Low Temperature. Rev, Mod. Phys. 1961, vol,33» N1, p.92-138

111. Carruthers J,A,, Geball T,H,, Rosenberg B,M,, Simon J.M, The Thermal Conductivity of Germanium and Silicon Between 2 and 300 K, Proc» Roy» Soc. (London) 1957» vol.A238, N1215, p»502-514

112. Cochran W. Crystal Stability and Theory of Ferroelectricity. Adv. Phys. I960, vol.9, N36, p»387-423

113. Cochran W., Cowley R.A., Dolling G., Elcombe M.M, The Crystal Dynamics of Lead Telluride,

114. Proc» Roy, Soc.(London) 1966, vol.A293, N1435, p.433-449

115. Proc. Roy. Soc.(London) 1967, vol*A300, N1461,p.210-217

116. Esaki L,, Stiles P.J* New Type of Negative Resistance in Barrier Tunneling. Phys. Rev. Lett. 1966, vol.16, N24, p«1108-1111

117. Eucken A*, Kühn G* Ergebnisse neuer Messungen der Wärmeleitfähigkeit fester Kristallisierter Stoffe bei 0 und -I90°C. Zeitschr* für Phys. Chem. 1928, Bd*I34, S.I93-219

118. Farag B.S., Smirnov I.A., Xousef i.L. Thermal and Electrical Properties of Natural Monocrystals of Lead Sulphide* Physica 1965, vol*3I, Nil, p.1673-1680

119. Geball T.H., Hull G.W. Isotopic and Other Types of Thermal Resistance in Germanium. Phys. Rev. 1958, vol.110, N3, p.773-775

120. Gibson A.P. The Absorption Spectra of Single Crystals of Lead Sulphide, Selenide and Telluride*

121. Proc. Phys. Soc* 1952, vol.B65, N5, p.378-388

122. Greig G. Thermoelectricity and Thermal Conductivity in the Lead Sulfide Group of Semiconductors. Phys. Rev. I960, vol.120, N2, p.358-365

123. Harman T,C,, HonigM.J, Galvano-Thermomagnetic Effects in Degenerate Semiconductors and Semimetals with Nonparabolic Band Shapes, II* General Theory. Phys. Chem Sol. I962t vol.23,N7, p.913-922

124. Harman T,C., Honig M.J., Tarmy B. Galvano-Thermomagnetic Effects in Semiconductors and Semimetals, III, The Standart and Kane Band Models, J. Phys. Chem. Sol. 1963, vol,24, N7, p,835-850

125. Hohnke D.K., Holloway H., Kaiser S. Phase Relation and Transformations in the System PbTe-GeTe.

126. Phys. Chem. Solids. 1972, vol.33, NU, p.2053-2062

127. Igaki K., Ohsshi N. Controlled Deviation from Stoichio-metry in PbSe. J. Phys. Soc. Japan 1963, vol.18, suppl.II, p.143-147

128. Kanai Y., Nil R. Experimental Studies of the Thermal Conductivity in Semiconductors * J. Phys* Chem. Sol. 1959, vol.8, p.338-339

129. Keyes R.W., High- T.emperature Thermal Conductivity of Insulating Crystals: Relationship to the Melting Point. Phys. Rev. 1959, vol.115, N3, p.564-567

130. Klemens P.G. The Thermal Conductivity of Dielectric, Solids at Low Temperatures. Proc. Roy. Soc.(London) 1951, vol.A208, N1092, p.108-133

131. Klemens P.G. The Scattering of Low-Frequency Lattice Waves by Static Imperfections. Pros. Phys. Soc. 1955, vol.A68, JJI2, P.III3-II28

132. Klemens P.G. Thermal Conductivity and Lattice Vibrational Modes. Sol. St. Phys. 1958, vol.7, Nl, p.1-98

133. Klemens P.G. Thermal Resistance due to Point Defects at High Temperatures. Phys. £ev. I960, vol.119, N2, p,5071. T»509

134. Krebs H., Langer D. Mischkristallsisteme Zwischen Halbleitenden Chalkogeniden der vierten Hauptgruppe.

135. Z. anorg. und allgem. Chem. 1964, Bd.334, N1, S.37-49

136. Krumhansl J.A., Matthew J.A.D. Scattering of Long-Wavelength Ponons by Point Imperfections in Crystals.

137. Phys. Rev. 1965, vol.140, U5A, p.I8I2-l8I7

138. Mazelsky R., Lubell M.S., Kramer W.E. Phase Studies of the Group IY-A Tellurides. J. Chem. Phys. 1962, vol.37, N1, p.45-47

139. Nicolic P.M. Solid Solutions of CdSe and CdTe in PbTe and Their Optical Properties. Brit. J.' Appl. Phys. 1966, vol.17, N3, p.341-344

140. Nicoli£ P.M. Optical Energy Gaps of PbSe-SnTe, PbSe-SnSe, PbTe-SnTe and PbTe-SnSe. Brit. J. Appl. Phys. 1967, vol.18, N7, p.697-903

141. Nicolii P.M. Solid Solution of Lead-Germanium Chalcogenide Alloys and Some of Their Optical Properties. Brit. J. Appl. Phys,(J.Phys.D) 1969, ser2, vol.2, N3, p.383-388

142. Nii R. Measurement of the Thermal Conductivity in Semiconductors. J. Phys. Soc. Japan 1958, vol,I3, N7, p.769-770

143. Parkinson D.H., Quarrington J.E. The Molar Heats of lead Sulphide, Selenide and Telluride in the Temperature Range 20K-260K. Proc. Phys. Soc. 1954, v0i.A67, N7,p.569-579

144. Pawley G.S., Cochran V/., Cowley R.A., Dolling G. Diatomic Perroelectrics. Phys. Rev. Lett. 1966, vol.I7,NI4,p.753-755

145. Peierls R. Zur Kinetischen Theorie der Wärmeleitung in Kristallen. Ann» der Phys. 1929, Bd.3, S.I055-IIOI

146. Scanion W.W. Polar Semiconductors. Sol. Stat. Phys. 1959, vol.9» p.83-137

147. Schubert K., Prich H. Kristallstruktur von GeTe. Z. Naturforschg. 1951, Bd.6a, N12, S.781-782

148. Schubert K., Prick H. Zur Kristallchemie der B-Metall. II. Discussion lind Untersuchung Trigonal verzerrter NaCL

149. Strukturen. Z. Metall. 1953, Bd.44,N9, S.457-461 158» Schwartz J.W., Walker C.T. Thermal Conductivity of Some

150. Alkali Halides Containing Divalent Impurities. II. Precipitate Scattering. Phys. Rev. 1967, vol.155,N3,p.969-979

151. Shand M.L., Burstein E., Brillson L.J. Raman Investigation of Ferroelectricity in Ili-YI Semiconductors. Ferroelectrics 1974, vol.7,N4,p.283-285

152. Short N.R. A Redetermination of the Lattice Parameters of Pb SnT. Te Alloys. Brit. J. Appl. Phys.(J.Phys.D) 1968,x jl^xser2, vol.I,N1,p.129-130

153. Skeard F.W. The Thermal Conductivity of Impure InAs at High Temperatures. Phyl. Mag. I960, vol.5,N57,p.887-898162* Slack G.A* Thermal Conductivity of Potassium Chloride

154. Crystals Containing Calcium. Phys. Rev. 1957, vol.105, N3, p.832-842

155. Steigmeier E.F. Field Effect on Cochran Modes in SrTiO^ and KTa03. Phys. Rev. 1968, vol.168,N2,p.523-536

156. Steigmeier E.F., Kudman J. . Thermal Conductivity of III-V Compounds at High Temperatures. PHYS. Rev. 1963, vol.132, N2, p.508-512

157. Steigmeier E.F., Kudman J. Acoustical-optical Phonon Scat3 ctering in Ge, Si and A^B^ Compounds. Phys. Rev. 1966, vol.141,N2,p.767-774

158. Steigmeier E.F., Merz W.J. Anomaly in Thermal Conductivity of SbSJ. Helv, Phys. acta. 1968, vol.4I,N6/7,p.I206-I2I0

159. Steininger J. Phase Diagram of the PbTe-PbSe Pseudobinary System. Metal. Trans. 1970, vol.I,N10,p.2939-2941

160. Изобретение внедрено в производство в ноябре 1973 года.1. Председатель БРИЗа1. Начальник лаборатории1. ЛО ВНИИТ1. Футрицкий Ю.В. /1. Покорный Е.Г. /1. АКТоб использовании результатов разработки термоэлектрических материалов

161. Работы нашли применение в производстве в 1973-1978 г.г.

162. Начальник отдела ЛО ВНИИТ, ктн1. Председатель БРИЗа1. Футрицкий Ю.В. /1. Покорный Е.Г. /1. Руководитель группы ктн1. Парпаров Р.З. /1. СОДЕРЖАНИЕ :1. Титульный лист I стр.2. Оглавление 2 стр.3. Рисунки 70 стр.4. Таблицы 6 стр.5. Литература 17 стр.

163. Материалы о внедрении 2 стр.7. Текстовая часть 123 стр.