Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Глава I. Обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию аннигиляции позитронов в щелочногалот-идных кристаллах и полупроводниках

1.1. Аннигиляция позитронов и позитрония в веществе и её характеристики

1.2. Аннигиляционные характеристики позитронов в щелочно-галоидных кристаллах и полупроводниках с низкой концентрацией дефектов

1.2.1. Щелочногалоидные кристаллы с низкой концентрацией дефектов • ••.•••••••

1.2.2. Полупроводниковые кристаллы с низкой концентрацией дефектов

1.3. Модели позитронных состояний в идеальных щелочнога-лоидных и полупроводниковых кристаллах

1.3Л. Позитронные состояния в щелочногалоидных кристаллах

1.3.2. Позитронные состояния в полупроводниках

1.4. Аннигиляция позитронов в кристаллах с высокой концентрацией дефектов. Аннигиляционные центры. •

Глава 2. Описание экспериментальной аппаратуры, методики эксперимента и обработки экспериментальных данных

2.1. Установка для измерения углового распределения аннигиляционных фотонов

2.1*1. Механическая часть установки

2.1.2. Электромагнит

2.1.3. Вакуумная аннигиляционная камера

2.1.4. Коллиматоры

2.1.5. Система отработки угла поворота подвижного плеча

2.1.6. Детекторы

2.1.7. Электронно-регистрирующее устройство "Кедр" . . •

2.1.8. Блоки питания •

2.1.9. Погрешность измерений •

2.2. Измерение спектров времени жизни позитронов

2.3. Измерение вероятности 3 )( - аннигиляции позитронов

2.4. Математическая обработка.результатов.экспериментов

2.4.1. Обработка кривых УРАФ

2.4.2. Обработка спектров времени жизни

2.5. Приготовление образцов и источников позитронов . . III

Глава 3. Делокализованные и локализованные позитрониевые состояния в ЩГК

3.1. Обнаружение и исследование "высокотемпературных" делокализованных позитрониевых состояний в кристаллах Natt повышенной чистоты

3.1.1. Обнаружение "высокотемпературного" делокализованного Ps в /\JaCE повышенной чистоты.

3.1.2. Исследование позитрониевых состояний в кристаллах

А/аСе (пвч).

3.2. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристал . лах легированных примесями

3.2.1. Исследование влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах

3.2.2. Аннигиляция позитронов в кристаллах КЬъ , активированных ионами лития

Глава 4. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниках

4.1. Поиск и исследование позитрониевых состояний в полупроводниках

4.1.1. Поиск позитрониевых состояний в кристаллах 5i

Se . GaJs * ColTa

4.1.2. Исследование аннигиляции позитронов в облученных полупроводниковых кристаллах Si П - и jb - типа

4.1.3. Обнаружение позитрониевых.состояний.в кластерных кристаллах Se.

4.2. Наблюдение изменений электронной структуры в кристаллах кремния при возбуждении в них акустических колебаний большой амплитуды

4.3. Исследование влияния малых доз позитронного облучения на дефектность эпитаксиальных структур QqJ/s , подвергнутых двойному легированию ( Si , Sn )

Наиболее широко пюзитронный метод используется в исследованиях металлов и сплавов. В этой области метод, позволяет получать информацию о форме поверхности Ферми, а также об электронной структуре дефектов и их энергетических характеристиках* фазовых переходах, которые, в совокупности, определяют многие используемые в практике свойства металлов и сплавов.

Успехи, достигнутые в решении упомянутых задач позитронным методом, связаны с тем, что в указанных материалах реализуется относительно небольшой набор позитронных состояний. Это облегчает выбор модели аннигиляции позитронов, её теоретическую проверку и уточнение, что обеспечивает однозначность и корректность получаемой информации.

Принципиальная возможность применения метода аннигиляции позитронов для исследования неметаллических материалов, в частности щелочногалоидных кристаллов и полупроводников, в настоящее время сомнений не вызывает. Метод может применяться для исследования дефектов структуры,- с которыми, так или иначе связаны-исполь зуемые в практике.свойства и по лупро.водников,.Однако ^.реализация этих .возможностей .в настоящее время.сдерживается .тем,, что число .и природа, возможных- состояний .позитронов.даже в "бездефектг-ных"указанных кристаллах окончательно не установлены. Это существенно затрудняет корректную "расшифровку" данных, получаемых с помощью позитроного метода, ограничивает ценность получаемой информации и не позволяет правильно оценить круг задач, которые могут решаться с помощью данного метода.

Таким образом, актуальность темы исследования определяется тем, что для научно обоснованного использования позшгроного метода для исследований ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников необходимо знание структуры позитронных состояний в них в зависимости от внешних условий и состояния образца, а также особенностей аннигиляции позитронов из этих состояний в твердых телах*

Особое место в позитронике твердого тела занимает изучение позитрониевых состояний. Уже первые работы, выполненные в этом; направлении, показали, что очень часто свойства этих состояний значительно отличаются от свойств свободного позитрония*

Цель работы. Целью настоящей работы является поиск и комплексное экспериментальное исследование позитрониевых состояний и механизмов их образования в щелочношлоидных кристаллах и полупроводниках, а также определение областей практического использования позитронного метода в физике твердого тела.

Научная новизна. Научная новизна работы заключается в том, что в ходе исследований были обнаружены новые явления и закономерности аннигиляции позитронов в ЩГК и полупроводниках, которые состоят в следующем:

1 ) впервые экспериментально обнаружены стабильные при высокой температуре (^ 500 К) делокализованные позитрониевые состояния в ЩГК (на примере NaCt* высокой чистоты,(содержание основной примеси Сй.^2. 10""^ моль.долей), исследованы их основные харак--теристики и показано, что определяющим: условием для их существования является совершенство кристаллической решетки.

2 ) получены прямые экспериментальные свидетельства того, что в совершенных ЩГК (концентрация вакансионных дефектов Т5 3\ см ), кроме делокализованных, существуют локализованные позитрониевые состояния.

3) в результате проведенных исследований легированных акцепторными примесями ЩГК получены доказательства возможности шпурового механизма образования позитрониевых состояний в них.

4) впервые экспериментально установлено существование локализованных позитрониевых состояний в кластерных кристаллах полупроводников (на примере селена, диспергированного в цеолит

NaA

Практическая ценность. Практическая ценность работы состоит в том, что результаты проведенных в данной работе комплексных исследований ЩГК и полупроводников являются основой для новых приложений метода аннигиляции позитронов для неразрушающего контроля качества названных материалов. Чувствительность метода

15 3 при этом находится на уровне: см нарушений кристаллической решетки (по исследованию условий существования делокализованных позитрониевых ( Ps ) состояний в ЩГК),* 10*® см""^ акцепторных дефектов (по исследованию условий существования локализованных р6 состояний в ЩГК); - Ю^-Ю18 примесно-вакансионных дефектов (по исследованию захвата позитронов вакан-сионными дефектами, в состав которых входит примесь). Метод аннигиляции позитронов позволяет контролировать образование оборванных химических связей, возникающих при деформировании полупроводниковых кристаллов с преимущественно ковалентным её характером путем возбуждения в них ультразвуковых колебаний большой амплитуды. Кроме того, метод позволяет проводить оценки межмолекулярных расстояний в кластерных полупроводниковых кристаллах (по характеристикам локализованного Р$ ), а радиоизотопные источники позитронов могут использоваться для уменьшения дефектности полупроводниковых структур.

Результаты работы позволяют сформулировать следующие положения, выносимые на защиту:

1. В ЩП£ существуют позитрониевые состояния двух видов: де-локализованные и локализованные в матрице кристалла. При этом делокализованные Р$ состояния оказываются чувствительными к степени совершенства кристаллической решетки и проявляются только в кристаллах с концентрацией вакансионных дефектов < Ю15 см"3.

2. Возможныммеханизмом образования позитрониевых состояний в матрице Щ1ТС является шпуровый механизм.

3. В кластерных кристаллах полупроводников существуют состояния позитронов, имеющие позитрониевую природу.

Апробация работы и публикации. Основные результаты работы опубликованы в 12 печатных работах и докладывались на следующих научно-технических конференциях и совещаниях: "Радиационная физика и технология", Тула, 1979 г.; XXXI, XXXII, XXXIII Всесоюзные совещания по прикладной ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра, на Всесоюзных совещаниях "Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения" (21-23 мая 1980 г., г.Новосибирск) и "Исследование арсенида галлия"(21-23 сентября 1982 г., г.Томск). Материалы диссертации докладывались на семинаре лаборатории медленных позитронов Института электроники АН Узб. ССР. Законченная и оформленная диссертация доложена и обсуждена на семинаре лаборатории 13 и 21 НИИ ЯФ при ТЛИ, ПНИЛ ЭДиП ТПИ(г. Томск) кафедры ФТТ-МГПИ им. Ленина (г; Москва), ИХ§ АН СССР (г. Москва), на семинаре отделов ядерной физики, теоретической физики и рентгеновской спектроскопии -НИИ физики при.РГУ (г. Ростов-на-Дону).

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 190 наименований. Содержание диссертации изложено на 149 страницах машинописного текста, содержит 60 рисунков и 24 таблицы. Общий объем диссертации 220 страниц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На основании проведенных исследований и анализа литературных данных в работе установлено, что кроме квазисвободных и локализованных на дефектах состояний позитронов в ЩШ могут реализоваться два вида позитрониевых состояний- делокализован-ные и локализованные в матрице кристалла,

2. Экспериментально исследованы характеристики делокализованного Ps и установлено, что основным фактором, определяющим возможность экспериментального наблюдения делокализованных позитрониевых состояний в Щ1К, является высокая степень совер

Т5 —3 шенства кристаллической решетки; ~IG А см дефектов. Это расширило представления о возможностях метода позитронной аннигиляции, поскольку традиционно считалось, что чувствительность

Tfi 3 указанного метода к дефектности кристаллов составляет см .

3. Полученные экспериментальные данные о характеристиках локализованных позитрониевых состояний подтверждают представления о структуре связанной системы "позитрон-электрон", локализованной на кулоновском центре.

В результате проведенных исследований влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в Щ1К получены данные, указывающие на возможность шпурового механизма образования данных состояний. Эти результаты указывают на существование взаимосвязи между делокализованными и локализованными позитрониевыми состояниями в ЩГК.

5. Результаты проведенных в работе на ряде конкретных примеров комплексных исследований Щ1К и полупроводников являются основой для новых приложений метода аннигиляции позитронов для неразрушающего контроля дефектности названных материалов. Чувствительность метода при этом находится на уровне: см"*3 дефектов кристаллической решетки (по исследованию условий существования делокализованных позитрониевых состояний в ЩГК); ~ см"3акцепторных дефектов (по исследованию влияния электроно-акцепторных дефектов на образование локализован

Т7 TR ных позитрониевых состояний в штрице ЩГК); -10 примес-но-вакансионных дефектов (по исследованию захвата позитронов дефектами, в состав которых входит примесь). б. В работе впервые показано существование локализованных позитрониевых состояний в матрице кластерных кристаллов полупроводников (на примере селена, диспергированного в цеолит Na Я ), аннигиляционные характеристики которых позволяют проводить оценки межмолекулярных расстояний наполнителя в полостях цеолита.

Метод аннигиляции позитронов позволяет контролировать образование оборванных химических связей, возникающих при деформировании путем возбуждения ультразвуковых колебаний большой амплитуды, в^полупроводниках с преимущественно ковалентным характером связи, а позитронные радиоизотопные источники могут использоваться для уменьшения дефектности полупроводниковых эпшгак-сиальных структур (эффект малых доз).

Очевидно, что представляет интерес дальнейшее изучение возможных состояний позитронов в Щ1К и полупроводниках с максимально возможной совершенной кристаллической решеткой. В частности, остается открытым вопрос о природе центра локализации позитрониевого состояния в ЩГК. Было бы заманчиво предположить что локализованные позитрониевые состояния существуют только в области дефектов, а в идеальной кристаллической решетке реализуются только делокализованные позитрониевые состояния и квазисвободные позитроны.

В заключении считаю необходимым выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю С.А.Воробьеву, а также К.ГТ.Арефьеву за постоянное внимание и помощь в работе. Я также благодарен всему коллективу.лаборатории №13 НИИ Я§, в котором выполнена настоящая работа,и коллективу лаборатории ЭДиП ТЛИ за полезные советы, способствовавшие выполнению работы,и плодотворное участие в обсуждении результатов.

Выражаю искреннюю признательность С.В.Свириде и Й.Юлин Кауппила за оказанную помощь в проведении измерений временных распределений аннигиляции позитронов.

С П РА В К А об использовании .материалов диссертационной работы Кузнецова П.В."Делокалкзованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках" в НИР НИИ полупроводниковых приборов (г.Томск)

Интенсивное развитие электронной техники выдвигает высокие требования к качеству материалов, применяемых при изготовлении полупроводниковых приборов. Многие используемые и мешающие использованию в практике свойства полупроводниковых кристаллов итюлупроводниковых структур определяются наличием в них дефектов, в том числе и не поддающихся контролю широко известными используемыми методами. Поэтому развитие новых методов контроля дефектности, а также методов изучения структуры дефектов и их поведения в кристаллах расширяет возможности целенаправленного управления процессами получения материалов с заданными свойствами. Это позволяет успешнее решать вопросы надежности еолупроводниковых приборов при эксплуатации.

Одним из таких сравнительно новых и перспективных методов неразрушающего контроля дефектности и изучения электронной структуры дефектов в полупроводниках является метод аннигиляции позитронов.

Часть диссертационной работы Кузнецова П.В. посвящена исследованию аннигиляции позитронов в полупроводниках. Полученные в работе результаты использованы в НИР НИИ ПП для контроля дефектности эпитаксиальных полупроводниковых структур на основе 001 и для снижения дефектности указанных структур путем малоинтенсивного радиационного облучения.

Результаты диссертационной работы Кузнецова П.В. несомненно важны для развития метода позитронной диагностики структуры твердых тел, а также для практического применения этого метода в полупроводниковом материаловедении.

Гл. инженер НИИ

Начальник лабор к.ф.-м.наук полупроводников

1. Гольданский В.И. Физическая химия позитрона и позитрония.-М.: Наука, 1968,- 174 с.

2. Арифов У.А., Арифов П.У. Физика медленных позитронов.-Ташкент: Фан, 1971, 244 с.

3. Седов В.Л. Аннигиляция позитронов в металлах. УФН, 1968, т.94, Ю, с.417-438.

4. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах.-УФН, 1971,тЛ03, Ш, с.339-354.

5. West R.W. Positron Studies of Condensed Matter.- Adv. in Phys. 1973, v.22, n.3, p.264-383»

6. Воробьев С.А.Прохождение бета-частиц через кристаллы.-М.: Атомиздат, 1975.-I4T с.

7. Берестецкий В.Б.,Лифшиц Е.М.,Питаевский Л.П.Квантовая электродинамика. М.:Наука,1980,с.4II-4I8.

8. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. / Сб. статей под редакцией У.А.Арифова. Ташкент: Фан, 1978.189 с.

9. Halpern 0. Magnetic Quenching of Positronium Decay.- Phys.

10. Rev., 1954, v.94, n.4, p.904-907.

11. Green I., bee J. Positronium Chemistry.- New-York-Londont

12. Akademic Press, 1964, 105 p.

13. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников.- М.: Энергоатомиздат, 1983,- 88 с.

14. Ferrell Е.А. (Theory of Positron Annihilation in Solid. -Eev.Mod.Phys., 1956, v.28, n.3, p.308-337.

15. X3, Dekhtyar I.Та. The Use of Positrons for the Study of Solids.-Phys.Reports, 1974, v.90, n.2, p.243-253.

16. Dupasquier A. Positrons in Ionic Solids.- Im Positronsin Solids /Ed: P.Hauto jarvi.-Heidelberg s Springer,1979.-197p.

17. Атомные системы и аннигиляция позитронов./Под редакцией Арифова У.А., Арифова П.У.- 1&шкент: Фан, 1972,- 268 с.

18. Хб. Bisi A.,Fiorentini A.,Zappa L. Long Lifetime of Positrons in Ionic Crystals.-Phys.Eev.,1963, v;l31,n.3,p.1023-1024.9 * *

19. Bussolatti C.,Dupasquier A.,Zappa L. Positrons Bound States in Alkali Halides.-Nuovo Cimento,1967,v.52B,n.2,p.529-538.

20. Cova S.,Dupasquier A. ,Manfredi II. Positron Annihilation in

21. Copper, Silver, Gold and Thallium Halides.- Nuovo Cimento,» . '1967, v.47, n.2, p,263-269.* ' * *

22. Bertolaccini M.,Bisi A.,Gamharini G.,Zappa L. Positron States in Ionic Media.-J.Phys.,C,1971»"v.4,p.734-735#* s * * » • • • *

23. Hsu F.H.,Mallard W.C.,Fu J.K. Annihilation.in Gamma-Irradiated Pure and Mg doped LiF.-Appl.Phys.,1974,v.4fp.75-82.* *

24. Himinen R.,Hautojarvi P#,Jaucho P. The Effect of Plastic

25. Deformation on Positron Lifetime Spectra in Alkali Halides!t » ' * * * '

26. Appl.Phys., 1974, v.5, n.1, p.41-43*

27. Kirkegaard P. ,Eldrup M. POSITBOHFIT: a Versatile Program for Analysing Positron Lifetime Spectra.-Eoskilde, 1971.t 423 p. (Biso Beportt M-1400).

28. Bisi A.,Fiorentini A.,Zappa L. Positron Annihilation in

29. Alkali Halides.-Phys.Rev.,1964,v. 134 ,n.2,p.A328-A331./ *

30. Bisi A.,Dupasquier A.,Zappa L.Evidence for Positronium-likeж ,

31. States in Alkali Halides.-J«Phys.C,1971,v.4,n.15,p.L311-L31£i ^ ' •

32. Bisi A. ,Dupasquier A., Zappa L.Properties of the Magnetically Quenchable Positron States in Alkali Halides.-J.Phys.4 »o, 1973, v.6, П.7, p.1125-1133.4 »

33. Lang G. ,DeBenedetti S.Angular Correlation of Annihilation in Varians Substances.-Phys.Kev. ,1957,v. 108,p.914-931.

34. Stewart А.Ш. ,Pope N.K. Moment ium Distribution of Photons from Positrons Annihilating in Alkali Halides.-Phys.Bev., 1960, v.120, n.6, p.2033-2041.

35. Арефьев К.П.,Воробьев С.А.,Ъшошников Ю.А. Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле К&Ъ .- ФТТ, 1971, т.13, в.З, с.922-923.

36. Арефьев К.П.,Воробьев С.А. Анизотропия распределения электронной плотности и эффективного заряда в монокристалле.

37. В сб.:Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. -Минск: Наука и техника, 1972, с.68.

38. Herlach D. Ein Positroniumartiger Zustand in KOl.-Helv. Phys.Acta, 1972, v.45, n.6,p.894-896.33e Smedskajer L.,Dannefaer S. Positron Annihilation in Colored KCl.-J.Phys.C, 1974, v.7, p.2603-2613.

39. Арефьев К.П.,Воробьев С.А.,Килеев В.П. Магнитное тушение позитрониевых состояний в дефектных щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1970, т.18, №3, с.669-672.

40. Huodo Т. ,Takakusa Y. Evidence for Positronium-like States In NaP and NaCl.-J.Phys.Soc.Japan,1977,v.12,n.3,p. 1065-1066.

41. Takakusa Y.,Huodo T. On the Existence of Delocalized Posit-ronium in HaP at Boom Temperature.- J.Phys.Soc.Japan, 1978,v. 45, n.1, p. 353-354.

42. Huodo Т., Takakusa У. Direct Observation of Delocalized Po-sitronium in KCl.-J.Phys.Soc.Japan,1978, v.45,n.45,p.795-796.

43. Bisi A.,Bussolatti.,Cova S.,Zappa L. Three-quantum Annihilation of Positron in Ionic Crystals.- Phys.Rev.,1960,v.141, n.1, p.348-351.

44. Fieschi R.,Garnotti A.,Chezzi C.,Manfredi M. Positron Annihilation in Semiconductors.- Phys.Rev.,1968, v.175,n.2,p.383-388.

45. Weisberg H.,Berko S.,Positron Lifetimes in Metals.- Phys. Rev.,1967, v.154, n.2, p.249-257.

46. Sen P.,Sen C. Effect of Doping on Positron Lifetime in Crystals.- J.Phys.CiSolid State Phys.,1974, v.7, n.16, p. 2776-2780.

47. Pabri G.,Poletti G.,Randone G. Decay Features of Positrons in Semiconductors.- Phys.Rev.,1966, v.151,n.1, p.356-358.

48. Cheng Z.,Yeng C. Positron Lifetimes in Proton-irradiated Silicon.- Solid State Commun.,1973> v.12, n.6, p.539-541.

49. Dorikens M.,Dauwe C.,Dorikens-Vaupaet L. Positron Lifetime Measurements in n- and p-type Silicon.- Appl.Phys.,1974, v.4, n.3, p.271-272.

50. Kelli J. J.,Lambrecht R.M. Positron Annihilation in n- and p-type, B- and P-doped Silicon Crystals of (111) and (100) Orientation.- Phys.Lett.,1977, v.60A,n.5, p.475-477.

51. Warren J.,Joues G. The Lifetime of Positrons in Metals.-Can.J.Phys., 1961, v.39, n.11, p.1517-1522.

52. Arefiev K.P.,Yli-Kauppila J. A Positron Study of Heutron-irradiated p-type Silicon.- Otaniemi, 1980.-7 ps-Report TKK-A41.

53. Dannefaer S.,Dean J.W.,Kerr D.P.,Hogg B.J. Influence of Defects and Temperature on the Annihilation of Positrons in Iteutron-irradiated Silicon.-Phys.Rev.B,1976,v.14,p.2709-2714.

54. Erskine J.,McGervey J. Electron Momentum by Distributions in Silicon and Germanium by Positron Annihilation.-Phys. Rev., 1966, v.151, N2, p.615-620.

55. Fujiwara K. Many-body Theory for Hearly Free Electrons and Positrons in a Periodic Field.-J.Phys.Soc.Japan. 1970,v.29, 15, p.1479-1485.

56. Fijiwara K.,Uuodo T.,0hyma J. Enhancement of Annihilation Rate of Electron-Positron Pairs in Periodic Fields.

57. J.Phys.Soc. Japan. 1972, v.33, M, p. 1047-1059.

58. Fujiwara K.,Huodo T. An Experimental of the Angular Correlation of Annihilation Radiation in Silicon Sihgle Crystal.-J.Phys.Soc. Japan, 1973, v.35, N4, p.1133-1135.

59. Shulman M.,Beardsley G.,Berko S. Positron Annihilation in Germanium.-Appl.Phys., 1975, v.5» N4, p.367-374.

60. Colombino P.,Fiscella B.,Trossi L. Angular Distribution of Annihilation Quanta Emerging from Si,Ge and A1 Crystals.

61. Huovo Cimento, 1964, v.31, p.950-955.

62. Арифов П.У.,Арутюнов Н.Ю.,Ильясов А.З.,Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н.,Иванютин JI.A. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях fictJs viGctP . -ФИ1, 1978, т.12, в.5, с.891-894.

63. Mogensen О.Е.,Eldrup М. Positronium Bloch Function and Trapping of Positronium in Vacancies in ICe.-Roskilde, 1977.-72p., (Ris8 Report: 366).

64. Захарянц А.Г.,Малоян А.Г.,Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области fl -И перехода в Si . Изв.АН Арм. ССР. Физика, 1979, т.14, с.414-418.

65. Антуфьев.Ю.П.,Мищенко В.М. ,Иванютин А.А.,Попов А.И.,Прокопьев Е.П.,Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках Gdfc и OqP . УФЖ, 1980, т.25, №8, с. 1396-1398.

66. Гольданский В.И.,Иванова А.В.,Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. ЖЭТФ, 1964, т.47, JS8, с.659-665.

67. Гольданский В.И.,Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах. ФТТ, 1966, т.8, №2, с.515-524.

68. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах. -ФТТ, 1966, т.8, .№2, с.-464-466.

69. Гольданский В.И.,Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах. ФТТ, 1971, т.13, №10, с.2955-2964.

70. S3. Гольданский В.И.,Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1964, т.6, №11, с.3301-3306.

71. Арефьев К.П.,Боев О.В. Расчет квазисвободных состояний позитронов в примесном кристалле Томск, 1977,22 с;-Рукопись представлена редколлегией журнала "Изв.ВУЗов. Физика". Депонирована ВИНИТИ 17 марта 1977, $1013-77 Деп.

72. Meatman S.M.,Verrall ЙД. Positronium in LiH Crystal.-Phys. Rev., 1964, v.134, N5A,. p. 1254-1260. .

73. Бартенев Г.M.,Плетнев М,Н.,Прокопьев Е.П.,Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах. ФТТ, 1970, т.12, №9, с.2733-2735.

74. Бартенев Г.М.,Варисов.А.3.,Иванова А.В.,Плетнев М.Н.,Про-копьев Е.П.,Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решеткой типа Nad . Ш, 1972, т.14, Ю с.715-719.

75. Гольданский В.И.,Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. Письма 13ТФ, 1966, т.4 Ш с.422-425.

76. Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония в ионных кристаллах и полупроводниках. ФТТ, 1977, т.19, $2, с. 472-475.

77. Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щеяочногалоидных кристаллах. Химия высоких энергий., 1978, т.12, $2, с.172-174.

78. Прокопьев Е.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. Оптика и спектроскопия., 1974, т.36, №2,с.361-367.

79. Herlach D. ,Heinric1i P. Positron Annihilation in P-centres in KOI. Phys.Lett., 1970, V.31A, n.1, p.47-48.

80. Боев 0.В.,Арефьев KJU 0 существовании позитрониеподобных состояний в ионных кристаллах. ФЕТ, 1980, т.22, с.953-955.

81. Bo-ev- 6.Y. ,Arefiev K.P. The investigation of the Electron Excitation in Positron Atoms.-Abstracts of Papers 6th Int. Conf. on Atomic Physics.Riga,1978,August,17-22,p.499-500.

82. Bbev O.V.,Arefiev K.P. Localized Positronium-like States in Ionic Crystals.-Phys Stat.Sol. (Тэ), 1981,v. 106, N2,p.481-487.

83. Straud D.S.,Eherenreich H. Assumption-Independent Single Particles Wave Functions for Positrons in Solids:Application to Angular Distributions in A1 and Si.-Phys Rev., 1968, v. 171, IT2, p.399-4Ю.

84. Callway J.Correlation Energy in a Model Semiconductor. -Phys.Rev., 1959, v.116, p.1368-1371.

85. Perm D. Y/ave-Humber-DependenJ Dielectric Inunction of Semi. conductor.-Phys.Rev., 1963, v.128, N5, p.2093-2097.

86. Brandt W.,Reinheimer J. Theory of Semiconductor Response to Charged Particles.-Phys.Rev., 1970, v. 2, 178,p. 3104-3112.

87. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Энергия, 1973. - 655 о.

88. Прокопьев Е.П.,Кузнецов Ю.М.,Хашимов Р. Основы позитро-ники полупроводников. М., 1976. ~ 344 с. Депонировано ВДИИ "Электроника". ДЭ - 2073.

89. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках. Изв. ВУЗов. Физика, 1974, в.4, с.38-40.

90. Варисов А.3.,Кузнецов Ю.Н.,Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни. ДАН СССР, 1978, т.239, №5, с.1082-1085.

91. Воробьев АД.,Воробьев С.А.,Завадовокая Е.К. Центры окраски в кристаллах, как модели атомов позитрония и молекул.химических соединений позитрония и позитрона. Изв.БУЗов.Фи• зика, 1967, №7, с.156*157.

92. Stewart A.T.,Roelig L.О.-Positron AnnihilationrProceed.ofthe ConfDetroit, 1965.-New-York-London: Academic Press, 1967.-438p.

93. Brandt V/. ,Waung H.F. ,Lewy P.W. Positron Annihilation Centres in HaCl.-Phys.Rev.Lett., 1971,v.26,n.'9,p.496-499.

94. Sonder E.,Sibley W.A. Point Defect in Solids/ed.J.H.Crawford and Slifkin Ь.м.-New York-London:Plenum Press, 1972, v.1, chap.4.•

95. Воробьев A.A. Центры окраски в ЩГК. Томск: Изд.Т1У,1968.-390 с.

96. Dupo3quier A. Lifetime of Positrons Trapped by F-Centres in KOI.-Lett.Huovo Cimento, 1970. v.4, И1, p.13-15.

97. Bosi L.,Duposquier A.,Zappa L. Positron Trapping by F-and . F-Centres in KCl.-J.de Phys., 1973,v.C9, p.295-302.

98. Bisi A.,Bosi L.,Duposquier A.,Zappa L. Positronium-like A-Centre in Potassium Halides.-Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.69, N2, p.515-517.

99. Dannefaer S.,Trumpy G.,Gotterill R.M.I. Colour Centre Studies by Positron Annihilation in KC1 Irradiated by

100. Light.-J.Phys.С, 1974, v.7, p.1261-1270.

101. Herlach D.,Heinrich F. Einfang von Positronen in F und

102. F-aggregatzentren in KCl.-IIelv,Phys.Acta,1970,v.43,N5,p.489-.490.

103. Herlach D.,Heinrich F. Magnetische Verstarkung des Posi-troniumeeffektes in F-zentren in KCl.-Helv.Phys Acta, 1972,v.45,N1, p.10-12.

104. Brummer 0.,Brauer G.,Andrejtscheff V. Positronenannihila-tion in Ionenkristalien. 1. Zur Annihilation in F-zentren. -Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.70, N2, p.683-687.

105. Bosi L.,Duposquier A.,Zappa L. Positron Motion and Trapping in Ionic Crystals.-Phys.Rev.В, 1975,v.11,F7,p.2485-2489.

106. Березин А.А. К теории аннигиляции позитронов на F центрах.- ФТТ, 1970, т. 12, №11, с.3315-3317./

107. Прокопьев Е.П. О свойствах -центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи. ФТТ, 1972, т.14, №10, с.2924-2926.

108. Bisi A.,Duposquier A.,Zappa L. Magnetic Quenching of the Long-Living State of the Positron in KC1 Containing F-Cen-tres.-J.Phys.C. 1971, v.4, N2, p.133-136.

109. Berezin A.A,Evarestov R.A. Electron-Positron Colour Center in Alkali Halides.-Phys.Stat.Sol.(b), 1971, v.48, N1,p.133-140.

110. Beresin A.A.Theory of Positron Trapping by P-and P-Colour Centres in Alkali Halides.-Phys.Stat.Sol.(b), 1972, v.50, N1, p.71-75.

111. Sungh 1С. ,Singru R.M. ,Monar M.S.,Rao C.N.R. Positron Annihilation in Defect KCL Crystals.-Phys.Lett., 1970, v.32A, N1, p.10-11.p.

112. Brandt W.,Waung H.P. Positron Annihilation in Ca -Doped KCl.-Phys.Rev.B, 1971, v.3, N10, p.3432-3433.1. P ,

113. Brandt W.,Duposquier A.,Durr G. Annihilation in Ca -Doped KCl-Temperature and Magnetic Field Effects.-Phys.Rev.B, 1972, v6, 18, p.3156-3158.

114. Арефьев К.П., Арефьев В.П., Воробьев G.A., Килеев В.П. По-зитрониевые состояния в области дефектов катионной подре-шетки кристаллов KCt- . ФТТ, 1979, т.21, №4, с.1133-1139.

115. Ramasamy S.,Niagarajan Т.,Jayalakshmi IT. Annihilation of Positrons in A-Centres of Alkali Halides.-Physica, 1980, V.100B, n.2, p.207-214.

116. Popov D.N.,Hancheva M.M,Minev M.R.,Terzjsky K.I. Positron Annihilation in Z-Centres in Additively Coloured KCl(Ca).-Phys.Stat.Sol.(b), 1981, v.108, N1, p.K7-K9.

117. Chinnusamy И.,Nagarajan T. Positron Annihilation in Mn -Doped KC1 Single Crystals.-Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v.112, FI, p. 297-301.

118. Воробьев A.A. Ионные и электронные свойства щелочногало-идных кристаллов. Томск: Изд. ТГУ, 1968. - 306 с.

119. Vorobiev A.A,Yu.M.Annenkov,Arefiev К.P.,Vorobiev S.A. On Positron Annihilation Anomalies in Ionic'Crystals.-Phys. Stat.Sol.(b), 1973, v.57, N1, p.K27-K30.

120. Арефьев К.П., Воробьев C.A. Наблюдение энергетических характеристик экситонных состояний в ионных кристаллах. -$ТТ, 1973, т.15, в.9, с.2824-2826.

121. Нокс Р. Теория экситонов. М.: Мир, 1966. ~ 219 с.

122. Brandt W.,Poulin R. Dynamics of Positive-Ion Vacancies in X-Irradiated NaCl by Positron Annihilation.-Phys Rev.B, 1973, v.8, N9, p.4125-4133.

123. Augullo-Lopez,Lopez P.J.-Role of Cation Impurities as Electron and Hole Traps in Alkali Halides,-Kryst.Latt.Defects,• 1981, v.9, p.131-134.

124. Malard W.C.,Hsu P.H. Role of Positive Ion Vacancies and F-Centres in Positron Annihilation in KC1.-Phys.Lett., 1972, v.38A, N3, p.164-166.

125. TI8. Воробьев A.A., Арефьев К.П., Воробьев C.A. Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах. -1ЭТ$, 1975, т.68, в.4, с.1486-1490.

126. Арефьев В.П., Нурмагамбетов С.Б. Поляризационный эффектпри наблюдении аннигиляции позитронов в ионных кристаллах.§ТТ, 1980, т.22, в.4, с.1072-1078.

127. Brandt W. ,Coussot G.,Poulin R. X-Ray Induced Positron Annihilation Centers in Alkali Halides Crystals.- Phys,Lett., 1971, v.35A, n.3, p,175-176,

128. Hsu F.H,,Mallard W.C.,Hadley J.H. Effect of Vk-Centers on Positron Annihilation in KC1 and Ag-Doped КС1,- Appl,Phys,, 1974, v.4, p.83-86,

129. Арефьев К.П., Воробьев C.A., Килеев В.П., Стародубов В.Г. Аннигиляционная установка для магнитного тушения позитрония в твердых телах. Томск, 1976.- 15 с, - рукопись представлена Томским политехи, ин-том/, Деп. в ВИНИТИ 9 апреля 1976, №1106-76 Деп.

130. Арефьев К.П., Арефьев В.П., Кузнецов П.В,,Степанов В.Ф. Электронное устройство "Кедр" установки по измерению двухбайтовой аннигиляции, Томск, 1979, - 14 с. - Скопись представлена Томским политехи. ин-том,Деп, в ВИНИТИ 3 апреля 1979, №1117-79 Деп.

131. Kirkegaard P.,Mogensen О. PAACFIT: A Program for Analysing Positron Annihilation Angular Correlation Spectra.-Roskilde, 1973,- 28 p.(Rise Report: M 1615).

132. Гольданский В.И., Кузнецов А.В., Подгорецкий M.К. Статистика отсчетов при регистрации ядерных частиц. М*: §из-матгиз, 1959. - 412 с.

133. Ore A,,Powell I.L. Three-Photon Annihilation of ал Electron-Positron Pairs,-Phys.Rev.,1949,v.75,n.11,p.1969-1999.

134. Гиндина P.И., Маароос A.A., Плоом Л.П., Яансон H.A. Разработка методики получения кристаллов HCi И НЬг с содержанием примеси Х(Г®, В сб.: Труды Ин-та физики АН ЭССР.- Тарту, 1979, вып.49, с.45-89,

135. Voszka R. ,Raksarg± K. ,Foldvari P. Preparation and Study of Extremely Pure NaF Single Crystals.- Krist.Technyk, 1973, v.8,n.12, p.1347-1356.

136. Арефьев К.П., Кузнецов П.В., Боев O.B. Наблюдение делокализованных позитрониевых состояний в сверхчистых кристаллах Nad. ФТТ, X98I, т.23, в.б, с.1877-1879.

137. Arefiev K.P.,Boev O.V. ,Vorobiev S.A. ,Kuznetsov P.V. The

138. Determination of the Effective Delocalized Positronium

139. Mass in Crystals.- Solid State Comimm., 1982, v.44, n.7, p.1067-1069.

140. Brandt W. ,Coussot G.,Paulin R. Positron Annihilation and Electronic Lattice Structure in Insulator Crystals.- Phys. Rev.Lett., 1969, v.23, p.522-525.

141. Greenberger A.,Mills A.P.,Thompson A.,Berfco S. Evidence for Positronium-like Bloch States in Quartz Single Crystals.- Phys.Lett., 1970, v.32A, n.2, p.72-73.

142. Ikari H. ,Fu;jivrara K. Positronium in CL -Quartz 1. Observed Temperature Dependence of the Positronium Effective Mass and the Probability of Annihilation from Singlet Positronium State.- J.Phys.Soc.Japan, 1979, v.46, n.1, p.92-96.

143. X35. Coussot G.,Paulin R. Positron as a Probe of Imperfeotion in Quartz Crystals.- Appl.Phys,, 1972, v.43, n.4 p.1325-1330.

144. Page L., Heinberg M, Harrow Components in the Angular Correlation of Annihilation Quanta from Condensed Materials.-Phys.Rev., 1956, v.102, n.6, p.1545-1553.

145. Mogensen 0,,Kvajic G.,Eldrup M.,Milosevic-Kvajic. Angular Correlation of Annihilation Photons.in ICe Single Crystals.-Phys.Rev.B, 1971, v.4, n.1, p.71-73.

146. Takakusa Y.,Huodo T. Study of Positronium Peak in the Angular Correlation Curve of HaF Crystal.-J.Phys.Soc.Japan, 1980, v.79, n.6, p.2243-2247.

147. Fujiwara K. Motion of Positronium in.Some Insulating Crysthtals.-Invated Report on 6 Int.Conf.Positron Annihila- . tion, Texas, April 4-8, 1982.-Arlington:"S.n". 1982.-6 p.

148. Dupasquier A. Positrons in Solids.-Tn: Proc. 83-rd. Int. School of Physics "Enrico Fermi",Yarenna,1981/ed.W.Brandt, A.Dupasquier.-Hew YorkiAcademic, 1982.-118 p.

149. Ikari H. Positronium in CL -Quartz 2.Possible Effect of Damping of Positronium Quasi-particle on the Momentium Distribution.-J.Phys.Soc. Japan, 1979, v.46, n,1, p.97-101.

150. Hadler C.,Rosse J. Measurement and Interpretation of the Ionic Conduction in Alkali Halides.- Phys.Stat.Sol.(a), 1973, v.18, n.2, p.711-722.

151. Hodges,-:C.H.,Mckee B.T.A.,Triftshauser W.,Stewart A.T. Umklapp Annihilation of Positronium in Crystals.-Can. J. Phys., 1972, v.60, p.103-109.

152. Palciglia F,,Laei C.,LoSavio M. ,Turrasi C. Magnetic Quenching of Orthopositronium in ICe.-Lett.Huovo Cimento,1972, v.5, n.3, p.302-304.

153. Влияние радиационных нарушений в решетке монокристалловкремния на характеристические состояния внедренного атома мюония/С.Г.Барсов, А.П.Геталов, В.А.Гордеев и др. -Письма в ЖЭТФ, Х983, т.37, в Л, с.40-43.

154. Шантарович В.П. Позитрон и позитроний в химической физике. Дис. . докт. физ.-мат. наук.- М., 1979.-276 с.

155. Точечные дефекты в твердых телах. В сб.:Новости физики твердого тела/Под ред. Б.И.Болтакса, Т.В.Машовец, А.И.Орлова. - М.: Мир, 1979, в.9, 379 с.

156. Арефьев К.П., Кузнецов П.В., Галанов Ю.И. Влияние электро-но-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1983, в печати.

157. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно - Сибирское книжное.издательство, 1977. - 208 с.

158. Etzel Н.,Schulman J. Silver-Activated Alkali Halides.-J.Chem.Phys., 1954, v.22, n.9, p.1549-1554.

159. Гиндина P.И., Лущик Ч.Б. Влияние радиации на химию дефектов в фосфоре ки г* Jq . В сб.: Труды Йн-та физики АН ЭССР.- Тарту, 1961, вып.15, с.81-101.

160. Галанин М.Д., Чижикова З.А. К вопросу о соотношении между интегралом Кравца и длительностью возбужденного состояния молекул. Изв. АН СССР, сер. физ., 1958, т.22, $9,с.1043-1046.

161. Эвертс А.К. Исследование кинетики внутрицентровой люме-нисценции в кристалле ни Ti - В сб»:Радиационная физика I. Ионные кристаллы.- Рига: Зинате, 1964, с.135-147.

162. Дьяченко Н.Г., Тюрин А.В., Мандель В.Е., Шевелева А.С. Распределение гидроксильных ионов в кристаллаххсг ,легированных кальцием, Укр,физ.журнал, 1976, т.21, №7, с.II79-1182.

163. Rolfe J.,Lipsett F.R.,King W.J. Optical Absorption and. Fluorescence of Oxygen in Alkali Halide Cristals.-Phys. Rev.,1961, v.123, n.2, p.447-454.

164. Fischer F. ,Grundi£ H. ,Hilsch F. Definierter Einbau und optische Absorption von und О -Zentren in KC1-Kristallen.~Zeitschrift fur Physik, 1966, B.189, h.1, s.79-112.

165. Арефьев К.П., Анненков Ю.М., Кузнецов П.В., §рангульян Т.С, Аннигиляция позитронов в кристаллах Hbl ^активированных ионами лития. ФТТ, 1982, т.24, в.5, с.1460-1462.

166. Van Vinsum J.А.,Lee Т.,Den Hortob H.W.,Dekker J. The Shape of the Potential Energy Well of Impurities in KOI: Li+ and KF: M+(M+- Li ,Na, K).- J.Phys and Chem. Solids, 1978, v.39, n.11, p.1217-1223.

167. Арефьев К.П., Кузнецов П.В., Холодкевич С.В. Обнаружение позитрониевых состояний в цеолитах с диспергированными в них неметаллами. В кн.: Тезиоы докладов XXXIII Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра.1. Л.: Наука, 1983, с.526.

168. Положительное решение по заявке на изобретение от 23 декабря 1982 г. № 3411492/25. Способ контроля дефектностиполупроводниковых, и ионных кристаллов/ СД.Воробьев, П.В.Кузнецов, А.Д.Погребняк.V.Заявлено 23 марта 1982.

169. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах. ФТТ, 1967, т.9, в.4, с.1266-1268.

170. Fuhs W.,Hoff D., Halzhaner U. Positronium Formation in Trigonal Selenium Crystals.- Phys.Stat.Sol.(b), 1980,v.98, n.1j p.K55-K58#

171. О механизме аномального прохождения позитронов через кристаллы /И.Я.Дехтяр, В.ТЛдонкин, Э.Т.МадатоЕа и др. -Письма в 1ЭТФ, 1977, т.26, в.4, с.305-309. .

172. Dekhtjar J.Ya. ,Adonkin V,T., Likhtorovich S.P.,Rustamov . Sh.A. Positronium-like States in GaAs at Low Temperature.-Phys.Stat.Sol.(b), 1978, v.88, n.1, p.K55-K58.

173. Brandt W. ,Oremland M. Positron Measurements Selenium Rec-rystallization Rates.-Phys.Lett., 1976, v.57A, n.4,p. 387-389.

174. Alekseeva O.K., Mkhailov V.I.,Chantarovich V.P. Positron Annihilation in Point Defects of the Classy As-Se System.-Phys.Stat.Sol.(a),1978, v.48, n.2, p.K169-K173.

175. Berko S.,Pendleton H.N. Positronium,-Annual Review of Nuclear and Particle Science, 1980, v.^O, p.543-581.

176. Гольданский В.И., Левин Б.М., Шантарович В.П. Влияние физико-химических свойств поверхности на механизмы взаимодействия и аннигиляции позитронов. Поверхность. Физика. Химия. Механика, 1982, № 5, с.1-16.

177. Ii Эффективное образование позитрония в системе диэлектрик-металл/В.И.Гольданский, Б.М.Левин, В.П.Шантарович и др. -Письма в 1ЭТФ, 1974, т.19, в.7, с.448-451.

178. Богомолов В.Й., Луценко ЭЛ., Петрановский В.П., Холодке вич С.В. Спектры поглощения трехмерно упорядоченной системы 12 I частиц. Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, в.9, с.528-530.

179. Брек Д. Цеолитовые молекулярные сита. М.: Мир, 1976.781 с.

180. Эволюция структуры и оптические свойства системы ультрадисперсный металл-цеолит ( А/а Л Хп ) в процеосе упорядочения кластерной подрешетки металла /Ю.А.Алексеев, В.Н.Богомолов, Т.Б.Жукова и др.- Ш, 1982, т.24, в.8, с.2438-2 444.

181. Арефьев К.П., Кузнецов П.В., Погребняк А.Д. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых соединений. В сб.: Радиационная физика и технология. - Тула: Изд.З^льского политехи.' ин-та, 1979, с. 66-74.

182. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в кремнии, облученном электронами.-ФТТ, 1977, т.19, в.8, с.1339-1343.

183. De Zafra R.L.,Joiner W.T. Temperature Effect on Positron Annihilation in Condensed Matter.- Phys.Rev.,1958, v.112, n.1, p.19-29.

184. Brandt W. Positron Dynamics in Solids.- Appl.Phys., 1974, v.5, p.1-23.

185. Физика", Деп. в ВИНИТИ 4 мая 1981, № 2730-81 Деп.

186. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников C.F. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. - 672 с.

187. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных , ^«^/К.ПДрефьев, В.Г.Стародубов, А.А.Цой и др. ФТП, 1980, т. 14, в.П, с.2163-2166.

188. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем ТС- ^е -Те и 7?- 5с -Те /К.П.Арефьев, Е.ПЛрокопьев, В.Г.Стародубов и др. ФШ, 1980, т. 14, в. Ю , с. 1904-1907.

189. Буренков Ю.А., Иванов В.Н., Кардашев Б.К. Автоматическая установка с пьезоэлектрическим возбуждением колебаний для непрерывной регистрации внутреннего трения и модуля упругости твердых тел; ПТЭ, 1979, №5, с.210-212.

190. Ботаки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980. « 208 с.

191. Тяпунина Н.А., Благовещенский В.В., Зиненкова Г.Н.,Ивашкин В.А. Особенности пластической деформации под действием ультразвука. Изв. ВУЗов. Физика, 1982, №6, с.118-128.

192. А.с. 646706 (СССР). Способ обработки полупроводниковых детекторов/К.П.Арефьев, В.П.Арефьев, С.А.Воробьев, А.П.Мамонтов, В.В.Сохорева, И.П.Чернов.- Опубл. в бюллетене ОИПОТЗ, 1980, * 16, c.308g

193. Bldrup М., Mogensen 0.,Trumpy G. Positron Lifetimes in Pure and Doped ICe and in Water.- J.Phys.Chem., 1972, v.57, n.1, p.495-504. . .

194. Черданиев П.А., Чернов И.П., Шмонтов А.П. Цепной процесс аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах. -ФТП, 1982, т.16, в.З, с.480*484.