Электретный эффект и электрическая релаксация в слюдах и некоторых полимерных пленках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

v n

1 J H 0 iVoCTJiAPCrrßSBKi?' КОЖЕТ РОГОИ^ОЙ-ФЩРАДКИ • ; ПО тешу- ОБРЛЭОВЛШет -

íiíicrrcrjíS; ГОВДРСТЕЕПЩЙ ЭДПЕГСИТЗГ

IÎ0 !"■<'!, . руК0ТП5СТ

1ЮЕ113Ш Гзппптзй. Тйрвллотгич

УЛК 621.039,21

ш/кктрзшй кюек? и-агаптичлсш РШНСАШ

в сжщх и НИГОТОШ ПОЯШЕРННХ донт

Слепи ялыюоть 01.04.07- <?мэякп тт>есло'го тглв

Л 3 ? О Р и -J П? А Т даоссртегои не соасквкйэ учо^ой степета кошшяпхо

фквико-млтзтляти'!». îtrtVK

ИПК7ТСК

Работа выполнена в Иркутском государственном университете Научный руководитель-доктор физико-математических наук,профессор

Мецик -Михаил Степанояич Официальные оппоненты-доктор физико-математических наук.профессор Непомнящих Александр Иосифович кандидат Физико-математических наук,вед.н.сотр. Мухвчев Юрий Сергеевич Ведущая организация -Восточно-Сибирский лНИШТРИ

Вешите состоятся 1{)Я1кЯ1>/лН 1695г. в. час. на заседании

спериализираващюго совета ДОбЗ.ЗЙ.ОЗ при Иркутском государственном университете по адресу 664003.Иркутск.б.Гагарина.80.суд. ^

О диссертецкей можно овнекоматься в научной библиотеке йркутс-кого госуниверсатета. ,

Автореферат разослан ЯбОк^ьМ/иН 18Э5 г. Учений секретер:» спеадалязврозаинаго ^

Совета к.фо-к.н. -7 Б.В.Мангавеев

ОЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.Явление токовой алектпятнотррмияяокоР спектпо-скотши (ТЭТС) может найти широкое применение в области яомкчТт Ьии ионизирующих Рэлучений и ттрт; исследовании ¡электрически пк -5СИВ1ШХ центров захвата носителей заряда в электретох.Ведутся интвясянзине потоки 'способов увеличения напряженности электрических полей электретов'. Вместе о тем сложность кинетики :и мехе НЛЭШВ процессов йоияпгаишп о»'^;^;;;, ^«.„„„шя«-,.-

ТГОЛ.Я'ПХ'.'Ч^--- •¡►¡Ч^ОКОи НТРУКТУЕЯ я ПСИМ4С(»й ЛО СИХ ПОП МР ..

позволила придти к квкиььлибо однозначным пполггп-г^ч'тм.охвп -тнваэдзм -отруктуру и механпзш поляризации п рвдокооцпп п яяок третах.котппми позволили би разработать. ¡элементарную, н.о реалистически . ошснввщуи «чяо» :-я модель тепмос^итдаировтшой лополяпи ^

звшш.в случае дичктаэдрячеехпх и' тгчлип.ооп«м.«г:птптг .......

>« ^¡логппк'рг, ппобдочним оптг.^ гчх" - ••

С!;.ци н иптосог1,* иптапцно/иого ^о^л'Ч'п^ •< ч^оп.^Н!'.': гс1<> > 1 гго октикинх десктоп» Зтсгг «опрос "отет:.потюйгьку,тнкме ".с:;стг.г -'Ш ППЛ.ТВТГП ПОРОПОКТИРШГ.Я' гдатори&ломп » детегстирортши иоппзп -рувишх излучений в согласно прм»гтпадсго,<тм, ррят»й'>>ррм«л в рпботпг ¿.С.Мецикя относятся к типичным пр«тот<">ите.чяп г'зссгяяг.чеоких -голимео9в. •

Другой чпшюй с теоретической и' практической точек зрегош

[роняемой является механизм релаксации электретной поляпияации в рганически^ полимерных пленках полиэтилентерефталвте-ПЭ'ТФ и по-

икарбоната-ПК « я частности.влияние на спектры токо^ термости-

улированной деполяривации-ТСД остаточной .радиационной проводи-

ости.Этя проблема .несмотря на ряд гипотез, я настоящее "реггя еп>^

«,•!• |Ю «ного г-'.пзйгглппл Л (пи штенчи отоП пооблегл '«ви

ч!«л'о>! ъг.&р'м шдельшпс тюедстввлашШ о про «

Циоолх с:!.-•гмкс-г-ч!'с ■■ы.юо.-. п.ого оооч'ояний',!» частности,аы)ю4от -

к1-; ииг;):сг.;чм; ,^"к.-'.-'л.ад'б^нсл; осдаксиш'й

'■'ыхмми ■.:<..". то ,н.-н :,г г-'...'!Т т гЛ;посктамИ! ^ри-

.¡■в 7> Оо^П'ГиО!!!!!'!.! КиИ.? V5."''ММ;.г. !.•.■>«

[;>"-:?.! 11(4 уо',пт*гх*х о угси}'!:' 1 чг;с -

!•::••>; п .тк'О'^кзлсп'ксклх к молиглошл: плбикох ПЭТ?» а ПТ{ гто-'""язпг;!,что »•&то.|Т ?ог.опо?! ччо-ктоетнст ер:.?лчпокой спектроскопии е. сочетании с.тйкима методвми кек иямосенив проводимости в лгонзи ном Нбгоове,иамерение воляриэецни и релаксации алектретной,раз- г~ ногти потенциалов в изотермических уаловиях,анализ гээовиделе. -ния.дпугими полярнзйшюшшш методами-(разработанные и ппботе методом измерения электретно?* разности потенииатов т> условиях нвпг.ег?ипноА полярчаащг.0 является наиболее тпйоомртпвтшк методом для исследования основных параметров электрически активных центров захвата олектоонов в дирок в электретах.

?(длт, я задачи пйботк'.В рсбото бил поставлен ряд задач экспериментального н теоретического плана,целью которых било получение но« сой икйормйции г( роли радибциошгнх дефектов в гоормировонии токо~ кошх аде^оетнотермических спектров в модели ров енио процессов, термостимулпровшшой деполяризации в облученных кристаллах, слада и полимерных пленках. Для решениям поотвадешшх задач необходимо било:

1)провести подбор и паопортизЕщга исследуешх образцов',т.е. с

" ироволшчостп .м!ч'»|!!'ом г о ><•! ■>

"ормн.й тш^ггоятчс! рпмгор™» ^ пеи»ы*>ь™к

Г.'."Л V-:;'Э(".!£.! И , СПОИ!' * иЛ!"']"? и.^ОСКОЧ игч^кч ти < )р'л]пп ('>■:<• г.-г■,гт р, ■••■,■■,>■'1'

.«стс^йт ;; по ааялпЬь гвииннделения исследовать бклпя ппттдикпи _

¡"г: д-Д'октоз в лроцооо аоляриимшч суфчголнн» сшжтсиглгто СОСТОЯНИЯ п рлпппо-

ЯЛ'ОЛГ-ПГВПТТ. ;ч " I ^ С" 1'' ■'ИГ{ Ч?''^' '1'Г --

тагкиг центров »нпводешшх облучглу«-! • л подрегатяе шштгс;- .

лиа Ы1Г'1Ш М¥1ТП1ЖИТ и тттпг»г»гп1т

3)нп основе оригинальных и лито рогу < ЧИХ ДПНЧНХ РПЗПЧЙОТРТЬ потоп модели реляксваии алсктоетно1ч> ччш в облучшпшх крип-тнлпх сладу и полимйрцых пленках ПЭТФ и ПК.

/1).-,-<т понить процессы пп.тгмиттипнногЬ,накопления яппктпнч^ски лкгвв-,1шх центров захвата в кристаллах олята,определить порядок кипятите релаксации,ебсолкпшс ииочения снпогии тегиртти и прото'гного

ё&КТОШ.

новизна реботи опр-лел• : суткг™:! Потсдам ••.••>.'-лсмо аоследсвания природ» элетггретиоП тптшэпцяи п слило из -

лйкервх.5»р0"ш гтокезячо, что облучен:!?» <\шл {101тз:1ру7»ч!и!ч' илп-ч«* •

ямт,т, приводит к по<пигеии» « спектр? ТС/ и-ташч'ошю тфст«:« ■-ТбльногбМйкой!.т1й<соот"^етст^\т1чего ки"лт»1<е первого порядка , обусловленного суиестпошпглсм » сто-'ктуре •■««к К+ ОН" поииоЗ псдрошвтки >1 --д&овкт-ноотьй ди»йкан<!йонного • типа.На основе получен-'" них экспериментальных денных по релаксации электретной поляризации в облучении* кристеллех елгшн и' полимерных плетттссх рпзрг-отппц "0-вые модели релаксации зарядов в облученных диэлектриках,в которых в

отличие от иавеотных,учитывается влияние радиационных дефектов в ионной кристаллической подрешетке слюд,в текла вклад наведенной облучением радиационной проводимости полимерных пленок ПЭТ® и ПК .

Практическая ценность работы определяется тем,что исследование

I

механизмов возникновения выоокотемво-?"пупных. максимумов в опек^рех ТСЛ слюд позволяет использовать токовую вдектретнотермическую ..

к

спектроскопию для целей дозиметрии ионизирующих излучений.Мно-. гократные измерения плектров ТОД .не шзылоют тушение щзноР ин * Формации я пмтяиих аяйктп^тх дозиметрах, что является сушео.т -венным преимуществом определения поглощенной дозы способом токовой электретнотермичеокой спектроскопии.На основе исследуемых, в работе электрически активных центров захвате.носителей в.аряда, «вводимых облучением в ОН^К4" подрешетке слюды,предложены доз и ^ метры гамма-излучения бо®Йои;ноотьм 0-1.0 Моал/чяе в ттяпаяоне 050 Мрад,защищенные авторским .свидетельствами-(АО СССР 173092*? от 21 августа 1990".Новиков Г.К; ,'Меиик Ч.С,,Новикова Л.Н.Способ определения дозы ионизирующего излечения.А^.С0СР. 1В24604 от 26 апселя 1991г.Новиков Г.К.,Мепик М.С..Ноликови Л.Н.Электретный дозиметр ионизм(г/мцо1-о излучения.Л^.ЗССР. 1720400" от II декабря Г9Й9г. Новикон Г.К,.Меник М.С.,Новиковн Я.Н.Способ определения дозы ионизирующего иэлУчен$я.Патент РФ 2008693 от I июля 1991 г.Новиков Г.К. Мелик М.С, .Новикова Л.Н.Электретный дозиметр ионизирующего излучения). '

На основе экспериментально обоснованного в работе способе доаиметрии ионизирующих излучений с помощью полимерных электретов, использумпего вййект смещения пике ТОД облученных' полимерных шш» -

.нок в пнакотемпературную область,предложен новый дозиметр влектрон-

&

ЯП

ного л гам»»~идлучения С«аи ч ттмвпвэоне лоз от 0 до 0,1Мрад,яр -щишонвый авторским свидетельством-(АС СССР 1751310 от 15 августа 1990г.Новиков Г.К.Электпатный лозимето ионизирутогаего .излучения.}.

Предложено моторике боокснтактного ийгвронля в"«стоической-прочкооф и поляризуемости кристаллов плпды и полимерных пленок, котооея использовалась при разработке электретного Фильтра для доочистки топочных газов Т5П-( Попиков Г.К.,Мецлн М.С.,Но"иковп Л.Н.

" Т-1»,и<ч1 и« ж пит |тльтпи..-о»тгп ы-л.^кес -- -».гг.™

Решение ЕППГШЭ о выдаче патента РЗ от II.Об.93. ). Основшзе полояения.вннооимна на звчготу:

1.Существование у кристаллов слюды .м'сколит и (йлогопит и материалов, на их основе короповлектретной поляризации,обусловлено© наличием центров звхвптп элоктронов и дырок в ионной подрететие плпл.

2.Дозиметрические свойства слюд,обусловленные радиационнн'т лоточта-№1 би^акансионного типа К^ОН" в ионной подрешетке кристаллов-(дозиметрические пики Т(т)я440К,Т.1я500К, ¡3 в21(/мин.).

3.Модель ¿шпульно дреМт-юй релпкеании " зшптяя энергетическая диаграмма для облученных кристаллов слюды втеллчаэт уровень о характер™

"ткко?ят:13 «0,75оВ,/г^2,5 103Гп,/(|)а1,б К)^, слабый перезах 'ят и моно-молокулйрнуп рекомбинации.

4.жакс"еллоьсквямолель електретпотермлческой релаксации в облучении: пояимергасс пленках ПЭТФ иПК объясняет дозиметрические свойства пленок

5.Два способа елгктретнстерт-тпческой дозиметрии,осуществляемые с по-мощыз слюдяных (ДвО-ЗОМрад) и полимерных 0Ь=0-0,1Мрпд) дозиметров тс-ИОБаКЫ на изменении амплитуды пика ТСД или смешении пика ТСД на шкале

томперптур(зптитеннне 4 поторскиги свидетельствами и 2 пптоктага РФ 6.Разработан новдй бесконтактный способ определения электричео- • кой прочности твердых диэлектриков в интервале толимн (I? = ' 0-10 мтш).

Апробация работы. .

Основные результаты оаботн доложены им трех Всесопзннх и межреспубликанских научных кпнйеренц' (х по физике диэлектриков/: •." Караганда 1978,Лушян6й 1979,Карагвнль 1990),на У11 Всеспияной конференции по радиационной Физике и химии неорганических материалов (Рига 1989),на Республиканской научно-технической конференции " "Мпдийикпция полиолвдшнлв.их переработке .сппйстт'п и применение". (Баку 1990),на XI Всесоюзном симпозиуме по механохимии и механсь-эмиссии твердых тел (Чернигов 1990),на IX 'Антинародной конгберении и по поверхностным силам (Москва 1990),нм Всвсоианпм совещании "Метрологическое обеспечение диэлектрических измерений (Иркутск 1991),на Межттунаоолной конференции "Электрическая оелвксапчя в высокоомных материалах11 (П.Петербург 1994 ),чв 1У Межпунвродном симпозиуме по проблемам прикладной геохимии,посвященном памяти екад.Л.В.ТяУсона (Иркутск 1994).

Личный вклад автуа.

Научному руководители д.Л-м.ц..чроф.Мецику М.С. принадлежит общая постановка задачи и обсуждений намученных ре^'Л1:тг>Т1"-.,Авто-г ру данной диссертационной работы приндо^жит проведение всех "ке-периментра,0од$ращыхйн в дасоертяциъ.чбгаботка результатов и их обсуждение* '

Публикации.

Основные результата изложены в В статьях.,14 тезисах докладов я згсгавттн 5 авторски»«! свидетельстве«®! и 2 пвтенттли Pi.

^SMIlJLJ^ISS^lJIHiiS^EISISlil •

Диссертация состоит из вр(??т*нйя,гл&а,закявчскпщ я списка иопояьзовнпннх яотстксввРпЗотс :;злоя(?0э ия199 стронкпах включая 149 троттиц м^иисетстгого текста,R8 annvrnmo

СОДЕРЖАНИЕ'РАБОТЫ

. Во введении коротко рассмотрена актуальность проблема,Формулируются иелв и задачи исследования и основное зоипкппмыр но—

3Trvssi¥Hiijj, оТР<те»?ТОЯ ПЛЕННАЯ ИОВПГ»Ш» ft ГГРйЧТПЧО^'ПЯ ИРИНОПТТ. ПО-'I-

ченных" ро.т.'льтпто?,излагается чпйткор roreiwrtwp рпбпть; но т'.'чт'пм повчолятля ппедпнин об ртообмаш паботы и пуйдйкппичх^иполигниах по теме дносестацпи.

В пепло'1 главе представлены и пооянализироманы литро.птуонно денни-е. по* ^onporv токовой олектоетнотормнеской спектроскопии мелочно 1'алоидтгих кристаллов.Рассматриваются сущеотвтошие mottpttt.uuo Т7С'«4>стр"леняп для описания огетто" T0JF, Отмщается, что гидрокс-чт солеожаяич ¡•юлетг.'лдрпн^ центра в 'ДРК влияют на кинетику накопления радиации чых дефектов,обусловливают повышенный выход заряженных состояний электронннх центров.окраски /1,2/,проявляются в процессах термостимулиповенной дипольной релаксации .В спето.ах ТСД. коистялло™ ЩГК почсутст^утот характерные температурные области ре-, лаксации: 300-32„К (I) и при 13=500К (Некоторые связывают с поведением дипольнух единиц,образующихся в кристаллах гаясгегадов щелочных металлов пои введении в них гяттроксильннх примесей.Диполи

представляют собой прпы ион примеси-катионная вакансия /З/.Вместе с тем отмечается,что направление деполяризационного тока в спек-., трах ТСД в ЩГК предполагает существование электронно-дырочной релаксации в процессах термостимулированной деполяризации,например, зя счет дрейфа носителей в собственном поле электретного заряда или за счет собственной проводимости электрете.В этой же главе .. оассматривеются ,сущес?вующие теории релаксации электретного сос~_ • тояния в полимерах'.В конце главы дана характеристике преивдгществ и нерешенных проблем существующих теорий,сформулированы задачи, требующие дальнейшего изучения.

' Делается вывод о невозможности использования только методов токовой алектретнотромической спектроскопии для решения поста»- . .Ленных вадач.Покаяяня целесообразность применения электрофизических методов (например, токов термостимулированной проводимости " измерения алектретной разности потенциалов в условиях непрерывной поляризации).Это определяется,в первую очередь,тем,что неиболъ- .. ший интерес представляют, электрически активные центры захвата.носителей заряда,принимающие участие в процессах электропереноса.

Во второй главе описаны объекты исследования,измерительная аппаратура,используемая при регистрации спектоов токов ТСД,методики измерения температурной зависимости проводимости и электрётной ■ »

разности потенциалов в стационарных условиях и в условиях поляризации коронным разрядом. ^

Для оценки пространственного.распределения объемных-заряя^в в слюде использовалась методика последовательного послойного раскалывания предварительно поляризованных кристаллов при помощи;ди-

у

электрического ножа.Величина и знак заряля нз чновь образованно* . Поверхности определялись при помощи метод» компенсации о вибриоу-

ю

ющим электродом.Для регистрации тока использовались электрометрические усилители У1-2,У5-7,погрешность измерений не тплие 103.При измерении плектрвтной разности потенциалов г>. условиях поляризация импульсы алектрзтиого нвпряаенля измерялись осциллографом С1-18 и региотрирота-лись фотоприствлкой,погрешность измерений не более 1056,разрешение по рремени 3 Облучение обопзцоп осуществлялось Г-излучением на

универсальной - зотопной уствнорке Н-Т20000 п пучком электрсно» от ус-

. ______ 1 1'- V IV!» мчии« и ОЛСЫ! ЛСЛ Л1> 1ЛЛЛ1ИП.

Образин представляли из себя пластинки конденсаторной слпдн толщиной до ЗОмкм и конденсаторнне пленки ПЭТФ и ПК толщиной до Юмкм.

В третьей глане при едены результаты исследоппния релаксации электретной поляризации и проводимости полимерных конденсаторных пло-> нок ПЭТФ и ПК до и после облучения 'ионизирующими излучениями (/Со^, пучёк электронов), электрически;.: газовым бпрьеоннч разрядом и обработки.Исследования нротюдились по трем следтонпм основным методическим направлениям:

1. Оцени паласт, стабильность неравновесных электрических: зпря;;г>н п пленках ввизотормяческих нормальнее комнатных условиях.

2. Нецело рялись спектры токол ТСД.

- 3.Измерялись"температурные затаекмости проподимостп я 'лиисЗнсм нпгрено•

.. ЯоСЯедОЛПНКЯ 2тсй11лыюстя. электретной-разности по'гейцпйлик й спектров ТСГ показали,что процесс релаксации зарядоп б ПЭТФ и ПК предварительно облученных ионизирующими излучениями янячйтел^но окоряется по сравнении с необлученнымп.Время релаксации заряда вычисленное из прнмчх&^'/^/.у'^гаЕзотся 7 верлзпы тлаксимумов ТСД смещаются л область более "чзких температур.Изучение шгияния поглощенной дозы излучения на скорость релаксации 1/э ,нв спектры токот^ ТСЛ неравно- ,,

П

весных зарядов и на пров тамость полимерных пленок позволило' установить корреляционную аналогию между уменьшением времени релаксации «изменением форда спектров ТСД и увеличением радиационной про-. водимости.Выяонено.что дозное влияние оказывается только в интервале доз до 0,1 Мрад.При увеличении поглощенной дозы излучения свыше 0,1 Мрад наблюдается эффект насыщения.Длительное хранение облученных пленок при комнатных условиях или их отжиг при повышенной температу-» ре приводит к тому.что время релаксации ££ увеличивается,максимумы .. ТСД вновь смещаются в высокотемпературную область и уменьшается проводимость пленок .Экспериментальные результаты позеолилп выялвнут^ .. предположение о том.'Что ускорение процессов релаксации зарядов в обт-лученных полимерных пленках обусловлено увеличением их проводимости.., Длительная обработка полимеоннх пленок в барьерном электрическом разряде увеличивает электропроводность и ускоряет процесс релаксации электрических зарядов.Необходимо отметить,что и в этом случае все .. наблюдаемые изменения свойств полимерных пленок носят обратимый характер -

У пленок ПЭТФ и ПК,подвергнутых термостарению при Б30°С в течение 5000 часов не наблюдается существенных изменений проводимости и скорость релаксации неравновесных зврядов в язотеомических условиях .

и в линейном нагреве .до и после теомоствретш не изменяется. • «>

Полученные экспериментальные результаты позволили нам выдвинуть предположение о том,что ускорение процессов оелаксапии зарядов "лученных" плёнках" ПЭТ^Ф и ПК может быть описан оТтбУ/отьп" Максвеллов«1 'стсой модели" деполяризации электретов .Процрсс деполяризации при измерении спектров ТСД с блокирующими электродами может быть провнала-зирован на основе модели трехслойного двухкомпонентного диэлектря-.. ка-со значениями ли электрической проницаемости',"проводимости и толпш-

ны язолируших слоев^, ft, f\{ и внутреннего электретного слоя^ , ¡P. , {¿ с плотностьп поверхностного заряда^ по границе ропдп -ля п па измерительных электродах.

Уравнения деполяризация при блокпровашгых язмерителышх электродах пьгтгаутся в следующем взде: -

(г< h - héií/iihiQ, у¿í

- Í^st-

. С /3 . О

- . ------•---.--------—--^.tr. IT« «R-'A-*/ЛТ F--:' ------------------- - - - - --

' ' " , J " •

где с -время релаксации заряда,Л -поверхпостпея плотность вняектлрованного заряда при с -П.

В работе cono тавл^ются экспериментальные результаты с результатами вычислений с помояью ЭШ "¡reiírpon ТСД и те-ттературной зпви-•ГЯЙОЯТЯ п пягрптоз Цб ОСПОгС- D6C- ''.Hs ím •fsrr..,.s

•.•одели.Coüo-^пто пк^песиг-'онт""b'«ct и рпочетрнх cmwrw» ТСЛ •• шлпоротшшх зааисикосте!1 проводимости показало хорошее • -unjiг расчетных я экспериментальных кривых (dp".I.2).9tit гет'льггт дете.тавт»ует о то.:,что предложенная v работв модель поз".-»|>р»т ксо-рссгмп ons'^oTi. прои?'^ селак?ецаи заек.4«-» пол'лглссткх .•wciüvn?. ПЭТ2 a ПК -■ водгасгиутих . ••оздсйствзя- йскизарт'ю»>их излучений, »лвкч-|-»и-

Í3 четгоргоГ iv:í;'íc при"едены основные результаты экспериментальных исследований распределения объемного заряда,спектров то -коз ТСД, температурный зависимоЬтей проводимости в линейном нагреве для кристаллов слюды мусковит и Флогопит, пред тлвлонн для условий непрерывной поляризации в электрической короне

300 3li0 3S0 Тк

Рис.1.Сопоставление расчетных (1,1;2,2;3,3) и экспериментальных спектров ТСД электретов из облученных и необлученных пленок ПЭТФ Т,1";2,2*'3,3-до облучения;i'.l";i,2*;з'.з'-после облучения излучением f Со60,Д=1 Мрал.

I-• ß

-ih

-/5

{3 14 15 16 Ш>

Т. К

Рис.2.Сопоставление расчетных d', 2', З1) и экспериментальных (1,2,3) зависимостей &jt~J(f) облученных и необЛученпых пле-

■и ш m

нок ТТЭТО:1,1;2,2;3,3-л0 облучения; I, I ;2,?;3,3-после облучения излучением /Со60 Л=1 Мрал.

И

результаты измерения поляризуемости слюды и полимерных пленок ПЭТФ и ПК 73 зависимости о^ толгшин образцов. .Показано,>гго в кристалл ах слюды покорит и Флогопит по мере разрушения ОН-,Купонной подрететки с уменьшением концентрации ОН"*,К* ионов происходит уменьшение концечтоапич ядектрически активных центров захвата носителей заряда,обусловливающих электсетную поляризацию Л1л оис.Д» ; представлены х рактерные кинетические кривые полнойзацмч крнстрл-

ЛОВ ОЛПЯН МУ(!К«|ЦМЧ> инею очпготч» ТТГ™ РаВЧЧУ Г>"ГТ*',!»Т*ДХ тс"гср"Т'.тн.

Видно,что ^"рличекио концентрации ОН" ионов-(определяемой,напри-™ мер из результатов изг°рени<7 газовыделения слюд-пои отжиге5 вызывает плавное увеличение поляризуемости кристаллови одновременно с этим происходит проявление родиационно чувствительного пика термостимулированно:'1 деполяризации']) области БООК,описание которого п па"ках »•••¡юлыгой пюпксрцпи .Дл" контроля за мзме - .

"'."'"''Г !■>-••-; 1" пн"" гр"пп " ргботс тггоко использовались результаты измерения Нчтснсмт'мппти полосы чптечт""Х колебаний РТГ 'ТО сиектпп (Д «ЗбОП-'Г1).

Строение кпиотп.ггло" слюд можно пгед"тп»>чтт> г интте плоских .. пакетов,состоящих из двух тетраэдрических и одного октаэдоическо-го' слоев,между которыми расположены межслоевде катионы (К,!Л п по.).Кое»*нийкт>чооотпшр тетраэдры связаны так,что.каждый соединен с. тремя соседними через поделенный атом кислорода,образуя гекса-.. тональную с< ;ь ковалентно связанных 'атомов,фрагмент" которой изображен на шоЛ1.Четвертые атомы кислорода тэтпподров расположены . в направлении,нормальном к плоскости тетраэдрического елг г и формируют слой октаэдров.В плоскости .образованной этипчи атомами кислорода, находятся гидроксилыше группн.Такое положение гмдроксила делает его очень чувствительно реагирующим но бликзйп'ее окружение и способный менять своп координацию в коиствллическ '• рететае,

M

as

wj w 2 4 ¿,/M/W."

Ряп.З>Вячяние отячга и« 'счет'!';« гта?гяпчяртр»ч ■"'окппптя:

Х-»чходный KDPCTn.'r.iT т'лчо"7»тр;П-т«-т»г ПГ)Т1 TC9R0K, £

15 M»FT.;3-nTwnr гтпт. TpinnOK, t =50

MijCKoSuT vmonur a 2H 2И

О 60

• 35; де

Щ

SSi.fit

о Щ2(ош щтп

о Ш Ы1д о ЬОДОН) Щ2Ш

ь$о ¿s Q¿K Ы

^^.й^тедтшзиппчяннзд rvrnvrr'np r.^jni. / *

под влиянием ионизирующих излучений.Октаэдры " 2:1 слое могут быть" вакантными .В пилу тоебо >яния оле»тронр!!трр.»^ност" ня каждые три пктрэдря может приходиться не более одного впкантного,подобные .... видоизменения кристаллической структуры могут вызываться ионизирующими излучениями.Крайними разновидностям* стоуктурной модификации являются Флогопит,у которого вое октяэдры заняты М^ и "мусковит,у ко.орого д^а' из трех" октаэдров"заняты ЛТ .

фтюченологччо"кр-' модохт, оюяясртя'я гп"оз?тгя в слюдяных коЕОНоэлектрнтих В .целом кристаллы слюды,согласно,?>1 мо^нс опосматоивять как систему преимущественно* ковалентио связанных атомов 5*, АС, Мд ,0 в которую вкраплены редкие ионн К+чежду пакетами и. ОН".13 тетра-эдрическом слое.с расстоянием между ними около 4А " образующее пакетные диполи",овяянрргтие *"п"ту с'бой сосеттие пркеты.Ддя гидро-ксила в слюде существует переменное катиончор окружение,которое изменяя градиент эле»тРт»чр^ког<"> поля ^блузи гидсоксиля способствует Формироваттю анионных вакансий для ионя гидрокоиля ОН- и кя-тионннх в'акеясий для иона К+.При ртом кржднй второй гидроксил в решетке связетг лить слабой "подооотгой связью, котосая'орявнитель-но легко может быть ррзорт>рня.Таким обпрзом в кристаллах слюды

действуют мощнне^коввлентнне силы,цементирующие.пакеты п.слабые ... ____

дипольные сг <н между пакетами.Все это позволяет отнести слюды к .. неорганическим полимерам,для которых характерно наличие, ковалент-ннх сил в молекулах и слабых вторичных взаимодействий меж ту молекулами. Основной характерной особенностью строения- слюд следует считать наличие их структуое ионной гексагональной ОН~,К+подое-"етгп,которяя сравнительно легко может быть разрушена при термической дегидооксилации слюды.Реакция дегидрокейлации пр юхоттт

в твепдом поотоянии и связана с уменьшением числа втоыов,-входящих в структуру.Две контактирующие друг с другомтруппн ОН.взаимо-

2

действуя,образуют молекулу води по схеме 01Г+ ОН---» 0 ц-Н^О с последующим ее выходом из систеш.Ион кислорода мигрирует при этом внутрь октеэдрического слоя.В ппепелах элементарной ячейки реакция может быть веписяна следующим обрааом:

.гш^б1/ зА1)о10(он)2 2Ш2(5г3А1 |о1Суэ +н2о. •.:■;

Близость параметров элементарной ячейки и.обшая пооо^рвнст -венная.группа мусковита п'дегидоокоилатя (таблЛ) приводит к частичному перекрнванию рефлексов на рентгенограммах * '

Таблица I

Параметры элементарной ячейки"мусковите и

его дегидроксилата/3/ .........

——---—" ■ ■" ■ та™.....—■ ■■■■—и—..............■■■ '. и—

. Кристалл ! Я ,п?.т ! $ ,нм .' С. ,нм

0,5201 0,9015 2.00в8 95п54' 0,9358 0,5244 0,9202 2,0333 9^50' 0,9712

В нестояще* црботе подучови иотч»;» •щ;*!г>р,*й1"«я об электратной поляризуемости слюд,которая возникает в результате распределения электронов и дырок в дефектах-(янион-катионных ™аканс"ях) К"'',01Г ионной подрешетки слюда, п™ исследовании спектров ТСД го'оковита п флогопита бипо установлено,что о увеличением скорости линейного нагрева от 2 град/мин до 0 град/мин происходит смешение вершин максимумов тока деполяоизощ'и .соответствующее депоттяризацчонной кинетике первого порядка.причем для энергии активации процесса депо-

Мусковит

Дегидроксилят

№'сковитв

ляоизации справедливо выражение

где-Т^ .Т^-полпж.еччя токпимумот нр <••<>"*№ рятурпр? ^(»х»,, -скорости линейного нагрева пси геполяст'ЗР'Д"*.

отвиовлено.что изменение* тгснпентоэиии 0Н~ ионов не вызывает сме-тения верпин гшков ТСД на температуркой тпкялр. Энергия ркти"атдги, рассчитанная из (I) и по методу начального подъема для вчсокотем-""гсаттсного' !.{аксй!.дт.ш

вой и составляет 0,75 "В,что свидетельствует об одинаковой разновидности и геометрии иошшд подретпеток мусковитовых и Флогопитових слюд и находится в хорошем соответствий с данными оентгеноструктурного анализа /4/.

Вч.-окотешеоатупннй отяиг и облучение кристаллов большими. до-зата ионизирующего излучения ( У -^антемн до доз 1000 Мрад) не., влияют на величину .энергии активен т?и процесса деполяризации элек - .. тоетиого состояния,что свидетельствует об устойчивости спектра энергетических состояний электрически активных Центров захвата в слюде. Только длительный откиг пои Т=100СЯ разомлеет эти центры полностью.

Тпртгстаяленнне экспеоиментальные - результаты по тектепкоЯ иЧ радиационной стойкости спектров ТСД .ли^ературйие данные /5/ поз -ч.'Лили инлччгутт» гипотезу о гилтлю** оаз,,/пор«эточ(?ш»и нвотп'ауние!" ко— •рерентную • фруктуру ионной подрешетки кристалла слюды.Подобные раз-упорядочения могут бнть отнесены к Фазе Сузукн или маотеноитннм ппс-

ТТТ'Д'ЯМ, ""1ЦгЛЧПУ!Ч!Ч*т ^ '•''ПЙ "СТЯГ 0Н~ ИОМН.ЯЯ'""*"! К^Ч Огггс.ттС~о—"

коч'сгетчой структуры данных образований необходиш дополнительные экспериментальные и теоретические исследования.

Гамма-облученчо кристаллов слюды приводит, к образованию ради-, ационно-на^еденных дефектов.проявляющихся в виде высокотемпературных пиков в спектре ТСД.Токовая электретнотермическэя спектроскопия

мусковитспюс и Ллогопитовых слюд показала,что, для них высокотемпературные максимумы деполяризеционного тока заметно различаются по своему расположении на температурной шкале (оио.61) .Для мусковита максимум тока ТСД располагается при более высоко;; температуре Тм= 50СН ,чем лля Флогопита Тг =440К.Этот результат свидетельствует о том,что величина частотного Фактора / ' "для Флогопита оказываетсч существенно выше чем лля мусковита,что хорошо коррелирует с более

I

высокой проводимостью флогопитовых слюд по сравнению с мусковитовыми.

Анализ спектров ТСД слвд методом изотермической оелакса -ции свидетельствует,что в области 400-500К лля Флогопитов и в области 400-600К для мусковитов протекают реекш»» пеопсго ттооялКа.Все электрически активные пентры захватав кристаллах слюды можно разбить на две группы щерься группа обусловлена.собственно? дефектностью .. кристаллической решетки,неоднородностью,наличием расслоений.водно- .. газовых включений для нил релаксационные процессы протекают при тем-перетурех нике-40СЖ,вторая группа-радиационные электоическиактивнке. центры1 захвате,обусловленные накоплением ордчмгюпшх дефектов в К+, О!Г ионной подрешетке. . • .

Полученные экспериментальные данные по токовой электретнотермч-ческой спектроскопии люд свидетельствует о том,что для описания процессов деполяризации електретного состояния.в слюде может быть использована релаксационная модель Дебая-Фрелиха.Согласно предлагаемой модели,токи термостимулировянной деполяоизаи«>>1 « слюдяных элек -третех возникают в результате термического освобождения электронов и дырок из ловушек с вйгюятностъю,опп»№»гярмоР уравнение«* Бо.лытмана

где ^ -частотный Фактор; -частота Деб^.Е^-онеоптя акти^и™.

процесса деполяпиягтггт,К-«псто»г?"р'' Болыгтечр,Т-я^ "итугная тстпссатч-ра.

В спектре ТСД мусковита и Флогопита поп тетературе выше комнатной регистрируется один максимум тока деполяризации,отвечавший., монознергетическому распределению для электрически активных цент ров захвата.Анализ"многочисленных экспериментальных спектров кристаллов слюды,подвергнутых радиационным и термическим воздействиям показал,что для них депеляризациотпшй процесс может быть корректно описан с помощью уравнения Девая

с1Р/си+{тР -о (з)

где Р-поляриг^тия кристалла, -частотный Фактор,как функция

температуры. ■ .... ..

При деполяризации слюдяных электретов возникает деполяризацион-ный ток,плотность которого равна •

] - с1Р/сИ -- -}трш (4)

где Р следует из уравнения •(3) после интегрирования по времени

рш^р0ехр(-1/1'тыа (5)

о

При изменении теоттерятуры по линейному закону плотность тока ТСД может бить представлена в следующем ~иле-

, ут-г/адехрШ/тат] _ .

•То .

где р> --скорость Линейного йаГрев'а-.

В олюпе,электроны могут находиться в зоне проводимости-Спонцен-тгагня- ./2 ),в локализованном состоянии -{концентрация- '[$1 ..

грубом приближении электроны могут бйть Локализованы на ДвУх уровня х-нп мелких уровнях о энергией активации Е^ я. та ббЛбЭ' ГЛУб'ОКЙ* "

уровнях,котопйе заполнена Полностью й йе ойус^сйййтей в йройэё'0$

» ,

расоматВййаеНоЙ ре.ггагсс8цт№ (котЦейтЬйпйА ЬЛувдкй* £бв^1йек- й К •'••

Суяестз^п-т се-'.лчйянэтйоичцо ц^тои, концентрация дырок для котооых-р определяется из vc.itозия элехтоонейтоальноотн

пщ < - рг ") (7)

Сбглаоно /2,6/ тэоаесс деполяризации « ч<уогрч«ч<;п---."х дча^ечточках может быть описан систе'*">й •:ч"етичочпх упаяиттий

(8)

т"' - Д/с частотный Фактор электрически ектавних-центров захвата, /\/с -пл-.тность состояний! в зоне поовотжости, -сече-нае захвата электрически активных центров захвата, -тепловая

скорость электронов в с не проводимости ?■ - {

{' ("//(-П()3 "~11( зез®ата электронов на

центр с энергией Е( ,

I *

£"г : Рг $гУг -^оечя оекпубянании , (£г -се -чение рекомбинации). Система уравнений (8),(9) в общем случае-решается только численно. Однако в приблвяеняи квязяотацчоняонооти,когля

а «Й1 ¿л , с1т

- а£ "аГ

система уравнений (8),(9) преобразуется к виду

(ю) (п)

и '-1 ?■ - 1

Пои постоянном времени оеконбчнатш для мочомо."е""лягного поопессо, гтг)иггс(7/7$/,когзтр^ »л^ } ..

По» рпяг5ом перезахвате,перехоля в системе уравнения (10), (II) от переменной £ к переменной Т (Т=Т + )

ж- . - г ^ ' Р í ? • »• ? 1 , , „ . '

^ "о \ -

При сильном перезахвате ( 1 (. х ),который реализует-

ся для слабо заполненных центров зехввта ( /?/ )

7

ехрф)Щ аз)

Аяаш'з (12), (13) показывает,что в случае мочомолекудясной

рекомбинации спектр ТСД ччеет тел колокодообразно!? чорво»,о мякси-!г/"сг: по;' температуре,определяемой из тойнсценлентного ура^неи"а

(14)

где -эффективный частотный Фактор электоически активных центров

захвата. ---. - ------- ■ ------- .-..-.,..-.. —

*т~ гл'-.й гь"1|еп,чтуоннс зависимости нормированной

потное "":ча прссят^снчне для случая мономллетштярной .пекочбчна-. цни п кристаллах мусковита и Флогопита (Т =500 и Т =440К) ссответст-

м м

венноВидно,что расчетные кривые ТСД хорошо совпадают с эксперимент тельными (омс.'В)^^" "пяволяет сделать "нвод о том,что процесс де- .. поляснзапии электпетного состояния п слюдах может быть описан в г>а"н-ках мололи релаксатора Дебая-Фрелчха в условиях мономолекуляоноЯ ре-чомб"ирцчи "Г с^ябпго|перезахвата носителей. ^нспальзоМтём^зопкой ■энергетической диагрвшм й (Соответствующей схемы электронных переходов.

2.)

J/Oi0/¡

P"е.5.Влияние гпммв-ойпгченяя чя..чг"чне ТOF гмтлы wovo^mt-(1,2,3) и' *лого~",т-(Ï,?.',-<,) ; (I,ï)-.T=T0 m0ojt; 0 Чоатт;

(3.3')-Л=ЗЛ Чпртт. ■

Í.0

0.5 О

чоо . ¿00 тм

Рис.в-.Тешеояттоные зр^оимопт" ноо'"Т"орт,янчо?* плотност" ТOF для модели "ономолекуляоно'' печо^бинягтсч.По"..пяпчетях использовались глвятпие значения пчояметоо«: R =0,75эВ, д/ = то24T~3,J3 =о,тк/о.,(л)и=2,н inV1,^^!,^ m4 о-1.

J.otu.eô.

2к

Модель удовлетворительно объясняет основные зксперзментрлъпие закономерности релаксации гомозаряда в слюдяных коооноэлектгетах:!-отсутствий инверсии знака тот?я ТСД " электвртвой разнос™ гготрннт*р— ттов 10 процессе термост?»мул.чро'п8Ш1оЗ лепоттгт"затт"т:,2-',"с'1Р«г"р г"»ков ока ТСД нгг* пз"Р'!о<,"[' ""опостн тсрейнто нягоева,З-сллсст^о^рч"? ролиационно чувствительных максимумов Т„.=500К и. Т «440К для мг/схо-

— » ттрппалпа <ronsxrnVSnnrirtTVlt imn T=700Ii И

невэзпСпот»ят.?со ебяпепием нстгзко»»^«^ «осле отжиге кри. ялдоч слили при Т=1000К.

Феноменологическая лозная модель-для слюдяных

*

электретных детекторов излучения

Для молельного описания г^зш-'х кхвт-нх слюдяшх дозтшртпгтз вотя-ЗЧПУЮДРГП излучения ВВОДЯТСЯ r^ojrrtyrn тонятв«?pars-

Г) т.-'-т^'ч^пт;!' Т^ОЧТГ?^"^ СТ^ип'тг^ Офье^ЯО ^ЛН— ХкОЛ**—

^о>{цо1гт1сг'"" ояг"яп»оч"нх дефектов в единице объема слюды.

- 3- «опели иоелполягаетоя.что иэненение- кочцен^оедач- -электсячос&г. • . .п"т>1пч1вс центров зяхвртп олехтсонои и jililmk ьсеглн »рошгакоттгитшто -изменения концентрация рариациенних дефектов,везткевалх в результате облучен:,я дозой D .При ^полпенни этого условия выполняется следующее соотношение между величина?;® дД-'о и Э »

д//а (15)

После интегрирования (15) по параметру ( И/яЭ-//а )получееТся вира -некие, цоэволяющее найти соответствие-мезду плстааяьв радвйщгойпого . пика в спектре ТСД слюдяного злектветного дозиметре и поглотанной дезой ионизирующего излучения

AQ^Qnfi-esplim m

Экспериментальные результаты исследования лозной зависимости для площади пико" в опектре ТСД при ТМ=500К (на примере мусковито-вых дозиметров излучения) показали , что выражение (16) '»полученное на основе феноменологической модели вполне удовлетворительно описывает экспоненциальный вид _ дозных экспериментальных кривых . На рис.7 представлена дознэя зависимость £т//£>] для мусковитового детектора ионизирующего излучения, видно,что эта зависимость экспоненциальная. Таким образом, выражение (16) .полученное для предложенной в работе Феноменологической, модели позволяет правильно объяснить экспериментальные лозные кривые для слюдяных электретных дозиметров ионизиругащго излучения.

Электретная поляризация и электрическая прочность кристаллов слюды в полимерных пленок ПЭТО и ПК.

Проведены экспеоиментальные исследования влияния толеины кристаллических слюдяных и пленочный полимерных электретов на ве~ ли'-ину максимального значения электретной разности потенциалов для случая--<когда обра:, да слх>ды и полимеров находились в условиях непрерывной поляризации коронным разрядом.Пр;; испытаниях варьировали величиной поля коронного рэзрядя-ЕдДля чего изменяли потенций;

5.6

1*100 £ X:'

О;,- -

«О

-¿О

I /оЛ

О -О

о >

Г

20 40 Ъпрад.

Рис.7.Дозные зависимости $=/№) для слпдяпнх дозиметров из кристаллов мусковите; 1-Л«20мкм,2-^ «ЗОмкм.

Рис.б.Еиияние толщины на величину Ц>л\ слкшяных и полимерных электретов: 1-м'/окорит , 2-Алого -пит,3-ПЭТФ,4-ПК.

нкп

корзниоулщего злектоотга ч расстояние от корончоушего электоола ло поляризуемого обоязн.я.

Экспериментально установлено,что я интервале толщин от 0 по 10 мчм электретная разности потеникрлов дл„ п.г ст.пноч слили и полимерных пленок ПЭТФ и ПК увеличивается с ростом чх толщины по М-

Т7Г>»«ЛИЛ7 POKOHV (гол С. 8 }

Hirn ' Enpfl (79)

где ^ -толщина образца, Епр -nncrnow"« ти» рдяисящий от условий поляризации: (потенциал коронного разряда,ррсотояние от KODOHnovraiero электрода ко поверхности электрета) коэффициент.Пои увеличении толщины исс>ел"'емых образцов слюды и полимерных пленок свыше 10 мкм в -•стгр наблюдается насыщение.Пя основании этого

мо^но заключить,что объемный заояд в косоноэлектоетлх достигает.предельной глубины.Скалы чип арполяоизо^цных кристрллоя покяяало, что отрицательны* гомозардд ппончкяет в н"х.на глубину более- 2 мкм.Результаты экспериментальных исследований покязали,что «якси -

мяльные значенияЕпр в слюде и пленках ПЭТФ и ПК хорошо совчрдяют

в

с табличным!'! значения?.« чх кооткопре„-,пнчо11 элетстрической прочности /о.4/.

ОСНОВНЫЕ ВЫЕОДЫ • •

1.Впервые исследованы свойства короноэлектретов из кристаллов слэди и показана их более'высокая эффективность в сравнении с традиционными полимерными электретами (по термостойкости у. электретному потевдие лу и др.).

2.Методом токовой.электретнотермической спектроскопии впервые исследованы мусковитовые и флогопитовые слпды,установлена коррелявдя меа-ду величинай«. радиационно чувствительных пиков в спектре TCJI и радиационной дефектностью 0Н~,К+ионной подрешетки кристаллов,мусковита

и флогопита . Разработана методика токовой электретнотер-

Л

мической дозиметрии.которая кроме известных приемов исследования содержит способы, запитенше 5 авторскими свидетельствами и 2 па--тентпми РФ.

3.Разработана но^ая даполт.ио-згос?.г6оча« модель ре^зкегции зведа ■' облученных кристаллах слюды мусковит и Флогопит.В отличие от известных моделей учитывается влияние мочоэиергетического распределения радиационных дефектов и разные значения частотного фактора для мус--—:--'---— — ^----—-----—■ л« Пппяил#пип олиииа ал ТТЫаГ'ПД!.?-.

ма и схема эдектр~ит";- псрсхсдсз при релакеггцкекмыл нрицеи^зл и доз— поя феноменолсгпчесая модель для слюдяных дозиметров.,

4.Впервые экспериментально исследованы спектры ТСД и кривые

в линейном нагреве для обл'/ченных ионизирующими излучениями и газовым разрядом полимерных пленок ПЭТФ и ПК .изучены дозные завиои- , гости я обратимость наблюдаемых изменений спектров ТСД и кривых . ^}(Т) показано,что длительное термостарение не оказы"ает существенного влияния на процессы деполяризации в полимерных пленках ( Т=120°С, { =5 103чпе.).

5.Разработана йено,Фенологическая модель электретпотер'Г'че^кой ре-лакеации ? которой деполяризация' т облученных: полимерных электретах . осуществляется за ..счет радиационной проводимости..

о.ТТГ~Д"0~Г" пен* бйОКО!!Т8КТННЙ ОПОООб ОПрвДвЛвНРЯ ядвктричр.ской

прочности слюдяных и полимертах конденсаторных диэллк'

Разработан электреттшй фильтр для доочистют газопылевых выбросов ТЭЦ.

Цитировяннея литературе: 1,Непомнящих А.И.,Роджвбов.Е.Л.,Егрвнов A.B. Центры окраски и люминесценция КРИС'1 ЯЛ-ЛЭВ UF . -гНовосиби рек: Наука, 1984 .-П2с. г.Гороховатокий Ю.А. .Бордовский Г.А. Теомоект вагонная токовая . спектроскопия высокоошнх полупроволников и диэлектриков.-М ¡Неука,' I99I.-245C. * ' ..

3.Мецик М,С. Термические свойства кристаллов слюгы.-Мо"Уток:Изтт--,о ■ Иркут,ун-та,1989.-184с. - .

4,Мецик М.С. .Физика рясщепленч." слюд.-Ирк»тск,1967.-310с. Н.АлексееП.Д. Водооопосодеот.ате'е центом в мелочно-галоидных кристаллах и «х ро.тт> " радиационном деФектообразовании:Дмс. тг-оя Физ.-мат.нвук-Свердло-^ск,1989.-281с.

6.Вертопрахов В.Н,,Сальман Е.Г. Термостммулчроиаиные токи * неорганических т,епеотв8Х.-Ноноои0ирок:На''кя,1979.-336с.

Основные рез"льтяты диссертации опубликованы л следующих работах:

Х.Мецик М.С..йарионов М.П.,,Новиков Т.К., Гвзо^ыделение промышленных ,слгд различных месторождений /Доследования п области Физики твердого тела. Иркутск, 1973. Вып. 1.194с. ... 2.Борисова М.Э.,Койко" С.Н.,Новиков Г.К.Сопостапление спектров ТСД и температурной зависимости проводимости полимерных пленок.-В cö.v . •Тез.докл.Всес.конй."Физика диэлектриков и новые области их применения" :Секц.диэлектр.и механич.релаксаттия в кристаллах и полимерах.-Караганда,1978,с..24-25. ... • З.Борисова М.Э..Койков С.Н..Новиков Г.К.Изучение спектров ТСД полимерных пленок,подвергнутых действию барьерного разряда.-В сб.:Тез. докл.Воеооюз.конФ."Физика диэлектриков м новые' области их примене-и:'я":Секц.диэлектрич.и механич.релаксация в в кристаллах и'полимерах.

, Каругп'тго, 19*ж, С.2Б-27. -ал

)

4.Борисове М.Э.,Койков ОСН.,Новиков Г.К, .Одинцова М.М.Изучение электризации пленок полиатилентеоеФтвлата-под действием трения //Элек -трети ц их применение.-Л.гИзл-тп ЛГПИ,1978,о.43-46. .

5.Бооиоова М,3.,В6р'вков Г.Л.Дойков С.Н..Новиков Г.К.Исоледовшшо ,. методом термодеполяризовди радиационных изменений.в полиэтилентерс— Дталйтв //Выоокомолек,соединения,1979,т,21(Е)с.334-338.

6.Новиков Г.К..Борисова М.Э.,Койков С.Н.Влияние иониоируюших излучений но токи термоотимулированноЯ деполяризации в полимерных да- .

и п Г! К1!' Г)И К и X (г 1 г-г.ч . т)»./ .1 ¿¿ОЫЮйа* I» ппщп п ю л ПО йипнлпи'шшср* ,

го излучения .на диэлектрические мате риалы, включая полимеры',-Душанбе, 1979,0.164-165.

7.Ноеиков Г,К..Борисова М.Э.Койков С.Н. Исследование стабильности и токов термостимулироввнной деполяризации полимерных тоибоэлектре -тову- //Электрическая релаксация и элвктретный эффект в твердых ' .диэлектриках,-Л.:Изд-во Ш1ИД979,о.43-46.

О.Новиков Г.К. .Борисова М.Э,.Койков С.Н. Изучение спектров ,'ТСД пленок полиатилентерефталота,обработанных в баоьооном оеапяде. //Электрическая релаксанта и электретннй эЗйект в твердых диэлектриках.-Л.:Изд-во ЛГПИ,1980,о.Т8-21.

9.Новиков Г.К.,Мецик М.С, Влияние гамма "-(лучения на свойства коро-ноэлактретоп из кристаллов ашпды.//Тез,докл. УТ1 Всеаоюзн.конФ. по радиационной йпзнке и химии неорганических материалов.-Рига,1939,

с.540. . • .....:

ХО.Новиков Г.К..Мецик М.С. Формирование поверхностных потенциалов в слюдяных электретах в газовом-разряде.//Тез.докл.II Республчквнокой конференции "Уазика.твердого тела п но^ые области, ее применения".~ Кяпвг(знда, 1530, с249.

11.Нов:коя Г.К..Медок М.С. Влияние ночизио^вдего излечения но элек-третные свойства конденсаторных пленок,//Тез.докл. „Республиканской иа,'Ч!!0-те>:н:"'-с;-о? кои*. "Модификация полнолеФ'цюл ,пх переработки, свойства и применение".Баку,1990о31-32,

12.Новиков Г.К..Мэцик М.С..Новикова Л.Н.Контактная электриавпия поверхностен слюды ч лигносудьФоната " воз;гушногл потоке.//Тез.докл. IX Международной конференции по поверхностным силам.-Москва,I9S0, с.62-63. ...

13.Новиков Г.К.,Мецик U.C..Новикова .Т.Н.Метрологическое обеспечение измерений.поляризуемости порошков слюды и лигносульФонета.//Тез. докл.Всесоюзн.совещания."Метрологическое обеспечение диэлектоиче'с-ких измерений".-Иркутск,1991,о.38, . .

14.Новиков Г.К. - М.С. .Новикова Л.Н. Дозиметрия ионизирующих излучений с помощью чувствительных элементов-кристаллов слюды.// Тез.докл.Всесоюзн.совещания "Метрологическое обеспечение диэлектрических измерений".-ИркутскД991,с.43. _

Т^.Новиков Г.К..Мецик М.С. .Новикова Л.Н. Электрётный эффект и электрическая релаксация в кристаллах слюды.//Изв.вузов.Физике.-1991.-JSI0.-с. 99-101. . .._■*.

1С.Новиков Г.К. .Мецчк М.С. .Новикова Л.Н.Электретный эФФект в кристаллах" слюда.//Из в.лН СССР.Не о оган.мат е си влы.-1992.Т.28.17.с.I472-1475. .

17.Новиков Г.К.,Меиик М.С.Темостимудированные.процессы в слюдяных электретах и геологический возраст слюд.//Тез.докл.Междунеродной конференции "Релаксация-94".-С.Петербург,1994,о,62.

18.Новиков Г.К.,Мецик М.С.Процессы поляризации.и релаксации в неорганических и органических .полимерах.//Тез.дога.Международной конференции "Релаксация-94".тС.Петербург,1994,с.ЮГ.

-191Нормков Г.К..Мецик М.С.Электретный эффект и электрическая проч-.

зг •

кость слш и патамбСОВ./Дл1». «wv, 1.Ъ>чн"К"зрогг«оп ".сг'Ъяонт:":* "Релп",-

<-■/. 1.--------n V » г: илликпчп ТГ W '/ог. '.ottnlíí.n-í А ОПГЯ—

"1>«»»»лыт.т-ОЛ" ТТогрг..':''гг..Т534, г..ТПЙ.

и. .¡i»!;«.'.;1 : .

Дсггт^а М.5. .Хойкоп С.П. Ji.-rm И.Й.Сг^о* зсг.гте ; л . А. с.СССР '-7:31С?0.

ЗЗ.Ночпко" Г.К. .MßictK М.С.,Новикова Jl.ïï.Cîrc.coô определения дозн йо-

нпзиругаего излучения.Л.с.СССР ">1720400.

' ?

2'í Л1сг:;::сг:. Г.К. ..Síc'zz::: М.С. .Kor-ttcriS .T.H'.Э»вктпети"1*- дп?1«мето ионизи-

í-'.'j, v,,7,f-.¡'.0. " . с'"' <" ~ri •-

:;6.íyy<^r,n Г.К. /'¡•¡г''". Sí.С. —л .Г.Н.Элг.....nov^v.

" "iV'ij''.'злччр"'.1 л нт '7' У'-РХаУ^ß93.

27. Поко в" Г. Кfeañif С¡ .Новикова '.Т.Н.СпоеоЯ :;г;гпто"тсттгя злектрвт-

::<:.■'/) .¡ ч../.топ.г Г'.:^ uSOffi^G с? Ол.^.^.гг/;.-;:;:';- i'v^:-:: л - ar.v ПНТГЙТИ ri' UT 2i.wG.9M. - ■ , —

28.Новиков Г.К..Мецнк М.С..Новикова Л.Н.Способ определения элекгри-прочности TBepjw дчолектриков,Заявка 93036523 от 27.07.93. .

Peoïctîae BHlíi-ПТ'Э о r-пдпче патента PI' от 05.07.94. ГШ,Новиков Г.К. ,К(?и.лк М.С.,Г»бкик АЛТ.Ппо.-оо полярнопции то-

го дозиметра.Заялха 5G3I009 от 0S.03,22.Решение ШИШ о йыдпчй патента РФ от 10.05.95.