Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования и при внешних воздействиях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Особенности рельефа поверхностей тонких пленок и способы его описания.

1.1. Общие закономерности роста тонких пленок.

1.2. Факторы, влияющие на морфологию поверхностей тонких пленок в процессе роста.

1.2.1. Температура подложки.

1.2.2. Скорость осаждения.

1.2.3. Структура подложки.

1.2.4. Поверхностно-активные вещества.

1.2.5. Внутренние напряжения в пленке и на границе раздела пленка-подложка.

1.3. Влияние внешних воздействий на рельеф поверхностей тонких пленок.

1.3.1. Эволюция поверхностей тонких пленок в процессе термообработки.

1.3.2. Изменение морфологии поверхностей металлических пленок при пропускании электрического тока.

1.4. Способы описания рельефа поверхностей тонких пленок.

1.4.1. Концепция динамического скейлинга.

1.4.2. Фрактальный подход к оценке шероховатости поверхностей тонких пленок.

1.4.2.1.Понятие фрактала и фрактальной размерности.

1.4.2.2.Самоподобие и самоаффинность.

1.4.2.3.Локальная и глобальная фрактальные размерности.

1.4.2.4.Методы вычисления фрактальной размерности.

1.4.2.4.1. Фрактальный анализ контура поверхности.

1.4.2.4.2. Фрактальный анализ профиля поверхности.

1.4.2.4.3. Фрактальный анализ поверхности.

1.4.2.5. Применение фрактального анализа для исследования поверхностей тонких пленок.

1.5. Выводы и постановка задачи.

Глава 2. Фрактальный анализ поверхностей тонких пленок.

2.1. Технология изготовления тонких пленок.

2.2. Методика измерений.

2.3. Выбор оптимального метода вычисления фрактальной размерности.

2.4. Особенности применения фрактального описания для анализа изображений в сканирующей зондовой микроскопии.

2.5. Определение диапазона фрактальности поверхностей тонких пленок.

2.6. Влияние размеров изображения на величину фрактальной размерности.

2.7. Выводы.

Глава 3. Эволюция рельефа поверхностей тонких диэлектрических пленок в процессе их формирования.

3.1. Влияние температуры подложки на рельеф тонких диэлектрических пленок.

3.2. Зависимость шероховатости поверхностей тонких диэлектрических пленок от их толщины.

3.3. Влияние легирующих примесей на морфологию поверхностей тонких диэлектрических пленок.

3.4. Обсуждение результатов эксперимента.

3.5. Выводы.

Глава 4. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок при термическом отжиге.

4.1. Термообработка диэлектрических пленок.

4.2. Термообработка пленок Au.

4.3. Термический отжиг тонких пленок в вакууме.

4.4. Обсуждение экспериментальных данных.

4.5. Выводы.

Глава 5. Деградация пленок Аи при пропускании электрического тока высокой плотности.

5.1. Влияние промежуточного диэлектрического подслоя на деградацию

Аи проводников.

5.2. Влияние плотности тока на процессы электромиграции в тонких пленках Аи.

5.3. Обсуждение результатов.

5.4. Выводы.

Уменьшение размеров полупроводниковых приборов выдвигает все более высокие требования к диэлектрическим и металлическим пленкам, служащим конструктивными элементами интегральных схем. Диэлектрические материалы, выполняющие функции маскирующих, изолирующих или пассивирующих слоев, должны иметь минимальную шероховатость поверхности, обладать хорошей адгезией к подложке, обеспечивать надежную электрическую изоляцию при минимальной толщине пленки и не создавать в приповерхностном слое полупроводниковой подложки больших механических напряжений. Металлические пленки, использующиеся в качестве внутрисхемных соединений, должны г с -л выдерживать большие плотности тока (10 -10 А/см ), высокотемпературное воздействие, быть стойкими к коррозии и не окисляться.

Основной причиной деградации тонкопленочных многослойных структур при эксплуатации интегральных схем является высокий уровень внутренних напряжений, развивающихся в тонких диэлектрических и металлических пленках в процессе их нанесения, а также при пропускании электрического тока высокой плотности. Возникновение внутренних напряжений в процессе синтеза пленок обусловлено различием постоянных решетки и коэффициентов термического расширения пленки и подложки, неравновесными условиями осаждения пленок, а также химическими и структурными изменениями в процессе роста. Напряжения, развивающиеся в многослойных структурах при пропускании электрического тока, вызваны нагревом проводящих пленок в случае недостаточного отвода тепла через подложку, а также перераспределением плотности материала в образце за счет процессов электромиграции. Растягивающие напряжения могут приводить к образованию и росту пор а, в конечном счете, к потере проводимости металлической пленки. Сжимающие напряжения вызывают разрушение изолирующих слоев с последующей экструзиеи металла и коротким замыканием внутрисхемных соединений.

До недавнего времени изучение морфологии поверхностей тонких плёнок оставалось в значительной степени описательным вследствие ограниченных возможностей используемых инструментов. С развитием методов сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии появилась возможность получать изображения поверхности при увеличениях до х 5 ООО ООО. Однако, при количественном описании и сравнении рельефа тонких пленок возникают значительные трудности, так как большинство методов, применяемых для численной оценки шероховатости поверхности, зависят от масштаба проводимых измерений, т.е. от разрешения микроскопа и шага сканирования.

Фрактальный анализ позволяет количественно оценить изменения рельефа поверхности материала, развивающегося в процессе роста и при различных внешних воздействиях. В сочетании с использованием сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, применение фрактального анализа для оценки рельефа тонких пленок может явиться оптимальным методом контроля состояния их поверхности на мезомасштабном уровне.

Целью настоящей работы явилось исследование эволюции рельефа поверхностей тонких пленок на мезомасштабном уровне в процессе их роста, при термическом воздействии и при пропускании электрического тока высокой плотности.

В соответствии с целью работы были поставлены следующие задачи: 1. Разработать методику аттестации шероховатости поверхностей тонких пленок, основанную на вычислении фрактальной размерности изображений, получаемых с помощью сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии.

2. Выявить закономерности формирования рельефа поверхностей тонких диэлектрических пленок в процессе их роста.

3. Исследовать влияние термического отжига на воздухе и в вакууме на морфологию поверхностей диэлектрических и металлических пленок в зависимости от температуры их синтеза.

4. Изучить основные факторы, обусловливающие деградацию тонких металлических пленок при пропускании электрического тока высокой плотности.

Научная новизна. В работе впервые:

- определены условия корректного измерения фрактальной размерности поверхностей исследуемых тонких пленок с использованием сканирующего туннельного и атомно-силового микроскопов;

- установлено, что поверхности тонких диэлектрических пленок, нанесенных при температуре выше 300 °С, можно описывать как самоаффинные фракталы. В процессе термического отжига шероховатость поверхностей тонких диэлектрических и металлических пленок теряет свойство масштабной инвариантности и не может быть адекватно описана с помощью фрактальной размерности в широком диапазоне увеличений;

- показано, что введение атомов серы и селена на границу раздела 8Юо-ваАБ приводит к сглаживанию поверхностей тонких диэлектрических пленок и снижению величины фрактальной размерности;

- показано, что на ранних стадиях деградации Аи проводников при пропускании постоянного электрического тока величина фрактальной размерности их поверхностей непрерывно возрастает и достигает своего максимального значения перед началом потери проводимости образца и его локального разрушения.

Практическая ценность работы.

Показано, что введение атомов специальной примеси на границу раздела пленка-подложка в процессе роста тонких диэлектрических пленок позволяет добиться минимальной шероховатости их поверхностей.

Установлено, что наличие промежуточных слоев аморфного диэлектрика ускоряет деградацию тонкопленочных многослойных структур при пропускании электрического тока высокой плотности.

Предложено использовать критическую величину фрактальной размерности для диагностики предразрушения тонкопленочных Au проводников при пропускании постоянного электрического тока высокой плотности.

Использование результатов. Работа выполнялась в рамках Интеграционного проекта СО РАН 1998-2000 гг. и проекта РФФИ № 98-01-01136

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на всероссийских конференциях молодых ученых "Физическая мезомеханика материалов" (г. Томск, 1998 г., 1999 г., 2000 г.), 16 Межреспубликанской конференции по численным методам решения задач теории упругости и пластичности (г. Новосибирск, 1999 г.), междисциплинарном семинаре "Фракталы и прикладная синергетика" (г. Москва, 1999 г.), седьмой российской конференции "Арсенид галлия" (г. Томск, 1999 г.), V Russian - Chinese International Symposium "Advanced Materials and Processes" (Baikalsk, July 27 - August 1, 1999), Third International Conference for Mesomechanics "Role of Mechanics for Development of Science and Technology" (Xi'an, China, June 13-16, 2000), The 4th Korea-Russia International Symposium of Science and Technology (Ulsan, Korea, June 27-July 1, 2000), EUROMECH Colloquium 418 (Moscow, 25-29 September, 2000).

По материалам диссертации опубликовано 16 работ.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

15.Основные результаты второй главы опубликованы в работах [94,96], третьей главы - в работах [95, 97, 98, 100-102, 104, 106], четвертой главы -в работах [99, 107], пятой главы - в работах [103, 105, 108, 109].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе изучены закономерности изменения морфологии поверхностей тонких пленок при различных условиях роста, при термическом отжиге и при пропускании электрического тока высокой плотности. Исследовали пленки анодного оксида ОаАэ, ванадиево-фосфатного стекла, диоксида кремния (8Ю2), оксинитрида кремния (8УЧу02), нитрида бора (В1Ч), а также двойные слои (ВЫ+Б^ЫуОг, ВИ+БЮг, 8Ю2+81ХМУ02). В качестве проводящих пленок использовали слои Аи. Для количественной оценки шероховатости поверхностей тонких пленок на мезомасштабном уровне применен фрактальный анализ. Получены следующие результаты:

1. Соотношение между энергетическим и кинетическим факторами роста играет определяющую роль в формировании рельефа поверхностей тонких диэлектрических пленок. Напыление тонких диэлектрических пленок при температурах, не превышающих 200°С, приводит к образованию аморфных конденсатов. Вследствие кинетических ограничений такие пленки не обладают развитым рельефом поверхности. С повышением температуры синтеза до 300°С и выше совокупное действие энергетического и кинетического факторов роста обусловливает формирование поликристаллических пленок с островковым рельефом поверхности.

Введение атомов серы и селена на границу раздела пленка-подложка приводит к уменьшению вклада кинетического фактора за счет снижения диффузионной подвижности адатомов и сглаживанию шероховатости поверхностей диэлектрических слоев.

2. Среднеквадратичная шероховатость и перепад высоты изображений, полученных с помощью сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, зависят от толщины пленки и от размеров отдельных деталей участка поверхности, что не позволяет использовать их для универсального описания и сравнения шероховатости различных пленок.

Не удается выделить диапазон увеличений, в котором среднеквадратичная шероховатость и перепад высоты имели бы постоянные значения.

3. Фрактальная размерность позволяет количественно оценить шероховатость поверхностей тонких пленок на мезомасштабном уровне. Величина фрактальной размерности не зависит от толщины нанесенного слоя и определяется условиями роста пленки.

4. Для получения достоверного значения фрактальной размерности изображений, полученных с помощью сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, необходимо производить изменение масштаба так, чтобы размер СТМ-изображения вдоль оси ъ был сравним с его размерами в плоскости поверхности.

Величина фрактальной размерности зависит от количества точек в изображении. Стабильные значения фрактальной размерности получаются при анализе СТМ-изображений размером свыше 200 х 200 точек. Уменьшение числа точек ниже данного предела приводит к росту величины ФР.

5. При проведении фрактального анализа необходимо определить границы диапазона увеличений, в котором поверхность пленки характеризуется близкими значениями фрактальной размерности и сравнивать значения полученные только в пределах данного диапазона. Для пленок оксида кремния существуют два диапазона фрактальности с различными значениями фрактальной размерности. Первый диапазон с ~ 2,5 соответствует случаю, когда размер изображения значительно превышает средний размер островков на поверхности пленки, а второй с Б^2,3 -когда размер изображения становится сравним со средним размером островков.

6. Тонкие диэлектрические пленки, нанесенные при комнатной температуре, не являются фракталами. Фрактальная размерность поверхностей пленок, выращенных при температуре 200 °С, равна ~ 2,25 и постоянна в диапазоне увеличений х8 000 - х32 000. Поверхности диэлектрических пленок, нанесенных при 300-500 °С, характеризуются значением Df ~ 2,50 в диапазоне увеличений от х2 ООО до х64 000.

7. Изменения рельефа поверхностей тонких пленок при термическом отжиге обусловлены напряжениями, возникающими за счет различия КТР пленки и подложки, а также ростом диффузионной подвижности атомов конденсата при повышении температуры. Результат термического воздействия зависит от соотношения между температурой отжига и температурой синтеза тонких пленок.

8. Морфология поверхностей исследованных диэлектрических пленок существенно не изменяется при отжиге с температурой вплоть до 400 °С. При повышении температуры отжига до 600 °С на поверхностях пленок 8Ю2 и 81хЫуОг-ВК возникают локальные образования в виде холмиков и ямок.

9. Отжиг пленок Аи вызывает огрубление их поверхностей за счет роста размеров кристаллитов. Наличие промежуточного слоя ванадиево-фосфатного стекла не влияет на изменения рельефа тонких пленок Аи при термическом отжиге.

10.Перестройка поверхностей тонких пленок в процессе термического отжига приводит к потере их масштабной инвариантности и не позволяет адекватно описывать шероховатость поверхностей с помощью фрактальной размерности в широком диапазоне увеличений.

И.Суммарное действие напряжений, возникающих как в процессе нанесения пленки, так и при перераспределении плотности материала в образце вследствие электромиграции, приводит к деградации тонкопленочных Аи проводников при пропускании постоянного электрического тока высокой плотности.

12.Потеря проводимости пленок Аи с промежуточным подслоем ванадиево-фосфатного стекла вызвана макроскопическим отслаиванием проводящей пленки вместе с диэлектриком. В случае Аи проводников, нанесенных непосредственно на ситалловые подложки, рост сопротивления обусловлен образованием полостей вблизи катода за счет роста отдельных микропор.

13.Перепад высоты и среднеквадратичная шероховатость не отражают изменения рельефа тонкопленочных Аи проводников на ранних стадиях деградации. Единственной характеристикой, позволяющей количественно описать деградацию пленок Аи при пропускании электрического тока, является фрактальная размерность.

14. Фрактальная размерность поверхностей тонких пленок Аи при пропускании электрического тока высокой плотности непрерывно возрастает и достигает своего максимального значения перед началом разрушения образца. Критическая величина фрактальной размерности может служить эффективным критерием для оценки состояния поверхности тонкопленочных проводников на стадии предразрушения.

1. Комник Ю.Ф. Физика металлических плёнок (размерные и структурные эффекты). М.: Атомиздат. - 1979. - 263 с.

2. Family F., Amar J.G. Kinetics of epitaxial growth and roughening // Mater. Sci. Eng. B. 1995. - V.30. - No.2-3. - P. 149-166.

3. Тонкие пленки взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М:. Мир. - 1982. - 576 с.

4. Douketis С., Wang Z., Haslett T.L., Moskovits М. Fractal character of cold-deposited silver films determined by low-temperature scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 1995. - V.51. - No. 16. - P. 11022-11031.

5. Cao Martin В., Tracy С .J., Mayer J.W., Hendrickson L.E. A comparative study of hillock formation in aluminum films // Thin Solid Films. 1995. - V.271. -P.64-68.

6. Ebothe J., Roca i Cabarrocas P., Godet G., Equer B. Deposition parameters and surface topography of a-Si:H thin films obtained by RF glow discharge process // Mater. Sci. Eng. B. 1996. - V.42. - No. 1-3. -P.105-109.

7. Orme C., Johnson M.D., Leung K.T., Orr B.G. AFM and STM studies of large-scale growth formed during GaAs (001) homoepitaxy // Mater. Sci. Eng. B. -1995. V.30. -No.2-3. - P. 143-148.

8. Madhukor A., Xie Q., Chen P., Konkar A. Nature of strained InAs three-dimensional island formation and distribution on GaAs (100) // Appl. Phys. Lett 1994. - V.64. -No.20. - P.2727-2729.

9. Gotta M.A., Hamm R.A., Chu S.N.G., Hull R., Harriot L.R., Temkin H. Kinetic roughness in epitaxy (experimental) // Mater. Sci. Eng. B. 1995. -V.30. - No.2-3. - P. 137-142.

10. Boguslawski R, Zhang Q.-M., Zhang Z., Roland C., Bernholc J. Ab initio studies of single-height Si(001) steps // Mater. Sci. Eng. B. 1995. - V.30. -No.2-3.-P. 167-173.

11. Casanove M.-J., Alimoussa A., Schwerdtfeger M., Gaubert S., Moriceau H., Villegier J.-C. TEM/AFM study of the growth of La2.xSrxCu04 thin films laser deposited on (100) SrTi03 substrates // Mater. Sci. Eng. B. 1995. - V.33. -No.2-3. - P. 162-167.

12. Grandjean N., Massies J., Leroux M., Leymarie J., Vasson A., Vasson A.M. Improved GalnAs/GaAs heterostructures by high growth rate molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1994. - V.64. - No.20. - P.2664-2666.

13. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур // ФТП. 2001. (в печати).

14. Афанасьев В.П., Богачёв С.В., Казак-Казакевич А.З. Структура и морфология поверхности платиновых плёнок на диэлектрических подложках при различных условиях формирования // Письма в ЖТФ.1995. -Т.21. -№16. С.1-7.

15. Antonucci P.L., Barberi R., Arico A.S., Amoddeo A., Antonucci A. Fractal surface characterization of chalcogenide electrodeposits // Mater. Sci. Eng. B.1996. V.38. - No. 1-2. - P.9-15.

16. Yamamoto S., Kawaguchi A., Oda S. Preparation of thin films of YBa2Cu3Ox with a smooth surface by atomic layer MOCVD // Mater. Sci. Eng. B. 1996. - V.41. -No.l. -P.87-92.

17. Meng Q., Moerman R., Sonnenberg A.H., Gerritsma G.J. AFM studies of surface morphologies of sputtered SrTi03 films and annealed MgO subatrates // Appl. Phys. A. 1999. - V.68. -No.2. -P.239-246.

18. Copel M., Reuter M.C., Kaxiras E., Tromp R.M. Surfactants in epitaxial growth // Phys. Rev. Lett. 1989. - V.63. -No.6. - P.632-635.

19. Copel M., Reuter M.C., Horn-von Hoegen M., Tromp R.M. Influence of surfactants in Ge and Si epitaxy on Si(001) // Phys. Rev. B. 1990. - V.42. -No.18.-P-l 1682-11689.

20. Horn-von Hoegen M., LeGoues F.K., Copel M., Reuter M.C., Tromp R.M. Defect self-annihilation in surfactant-mediated epitaxial growth // Phys. Rev. Lett. 1991. - V.67. - No.9. - P. 1130-1133.

21. Horn-von Hoegen M., Müller B.H., Al-Falou A., Henzler M. Surfactant induced reversible changes of surface morphology // Phys. Rev. Lett. 1993. -V.71. - No. 19. -P.3170-3173.

22. Kaxiras E. Atomic structure of surfactant monolayers and its role in epitaxial growth // Mater. Sei. Eng. B. 1995. - V.30. -No.2-3. - P. 175-186.

23. Eaglesham D.J., Hull R. Island formation in Ge/Si epitaxy // Mater. Sei. Eng. B. 1995. - V.30. - No.2-3. - P. 197-200.

24. Sakai A., Tatsumi Т., Ishida K. Prevention of crystallization by surfactants during Si molecular-beam deposition on amorphous-Si films // Phys. Rev. B. -1993. V.47. - No. 11.- P.6803-6806.

25. Rouhani M.D., Gue A.M., Malek R., Bouyssou G., Esteve D. Surface morphology due to enhanced migration in heteroepitaxial growth of compound semiconductors // Mater. Sei. Eng. B. 1996. - V.37. - No. 1-3. - P.25-29.

26. Schowalter L.J., Li W. Residual strains in epitaxial fluorides on Si (111) substrates // Appl. Phys. Lett. 1993. - V.62. -No.7. - P.696-698.

27. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.:Наука. - 1990. - 216 с.

28. Алешкин В.Я., Бекин H.A., Калугин H.A. и др. Самоорганизующиеся наноостровки германия в кремнии, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. // Письма в ЖЭТФ. Т. 67. - Вып.1. - С.46-50.

29. Adams D.P., Parfitt L.J., Biello J.C., Yalisove S.M., Rek Z.U. Microstructure and residual stress of very thin Mo films // Thin Solid Films. 1995. - V.266. -P.52-57.

30. Cherepanov G.P. On the theory of thermal stresses in a thin film on a ceramic substrate // J. Appl. Phys. 1994. - V.75. - No.2. - P.844-849.

31. Branger V., Pelosin V., Badawi K.F., Goudeau Ph. Study of the mechanical and microstructural state of platinum thin films // Thin Solid Films. 1996. -V.275. - No. 1-2. -P.22-24.

32. Flinn P.A. Mechanical stresses in VLSI interconnections: origins, effects, measurement, and modeling // MRS Bulletin. 1995. - V.20. - No.ll. -P.70-73.

33. Glikman E.E. Grain boundary electromigration in miniaturized interconnects: interface reaction and segregation effects // Phys. Low-Dimens. Struct. 1998. - No.5-6. - P.53-71.

34. Klinger L., Glickman E., Katsman A., Levin L. Time dependence of stress and hillock distributions during electromigration in thin metal film interconnections // Mater. Sci. Eng. B. 1994. - V.23. - No. 1. - P. 15-18.

35. Wang P.-C., Cargill III G.S., Noyan I.C., Hu C.-K. Electromigration-induced stress in aluminum conductor lines measured by x-ray microdiffraction // Appl. Phys. Lett. 1998. - V.72. -No.l 1. - P. 1296-1298.

36. Gungor M.R., Maroudas D., Gray L.J. Effects of mechanical stress on electromigration-driven transgranular void dynamics in passivated metallic thin films //Appl. Phys. Lett. 1998. - V.73. -No.26. -P.3848-3850.

37. Smith U., Kirstensen N., Ericson F., Schweitz J.-A. Local stress relaxation phenomena in thin aluminum films // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. - V.9. -No.4. - P.2527-2535.

38. Sasagava K., Naito K., Kimura H., Saka M., Abe H. Experimental verification of prediction method for electromigration failure of polycrystalline lines // J. Appl. Phys. 2000. - V.87. - No.6. - P.2785-2791.

39. Solak H.H., Lorusso G.F., Singh-Gasson S., Cerrina F. An x-ray spectromicroscopic study of electromigration in patterned Al(Cu) lines // Appl. Phys. Lett. 1999. - V.74. - No. 1. - P.22-24.

40. Srikar V.T., Thompson C.V. Diffusion and electromigration of copper in SiC>2-passivated single-crystal aluminum interconnects // Appl. Phys. Lett. 1999. -V.74. -No.l. - P.37-39.

41. Prybyla J.A., Riege S.P., Grabowski S.P., Hunt A.W. Temperature dependence of electromigration dynamics in A1 interconnects by real-time microscopy // Appl. Phys. Lett. 1998. - V.73. - No.8. - P.1083-1085.

42. Aguilar M., Oliva A.I., Quintana P., Pena J.L. Electromigration in gold thin films // Thin Solid Films. 1998. -V.317. - No. 1-2. - P. 189-192.

43. Family F., Vicsek T. Dynamics of Fractal Surfaces. World Scientific: Singapore. - 1991. - 376 p.

44. Family F., Vicsek T. Scaling of the active zone in the Eden process on percolation networks and the ballistic deposition model.// J. Phys. A. 1985. -V.18. -No.2. -P.L75-L81.

45. You H., Chiarello R.P., Kim H.K., Vandervoort K.G. X-ray reflectivity and scanning-tunneling-microscope study of kinetic roughening of sputter-deposited gold films during growth // Phys. Rev. Lett. 1993. - V.70. - No. 19. - P.2900-2903.

46. Vazquez L., Salvarezza R.C., Herrasti P., Ocon P., Vara J.M., Arvia A.J. Scale-dependent roughening kinetics in vapor deposited gold // Surf. Sci. 1996. -V.345. - P. 17-26.

47. Vazquez L., Salvarezza R.C., Ocon P., Herrasti P., Vara J.M., Arvia A.J. Self-affine fractal electrodeposited gold surfaces: characterization by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. E. 1994. - V.49. - No.2. - P. 1507-1511.

48. Meakin P., Ramanlal P., Sander L.M., Ball R.C. Ballistic deposition on surfaces. //Phys.Rev. A. 1986. -V.34. -No.6. -P.5091-5103.

49. Kardar M., Parisi G., Zhang Y. Dynamic scaling of growing interfaces // Phys. Rev, Lett. 1986. - V.56. - No.9. - P.889-892.

50. Lai Z.V., Das Sarma S. Kinetic growth with surface relaxation: Continuum versus atomistic models // Phys. Rev. Lett. 1991. - V.66. - No. 18. -P.2348-2351.

51. Siegert M., Plishke M. Slope selection and coarsening in molecular beam epitaxy//Phys. Rev. Lett. 1994. - V.73. -No.l 1. - P. 1517-1520.

52. Herrasti P., Ocon P., Vazquez L., Salvarezza R.C., Vara J.M., Arvia A.J. Scanning-tunneling-microscopy study on the growth mode of vapor-deposited gold films // Phys. Rev. A. 1992. - V.45. - No.10. - P.7440-7447.

53. Thompson C., Palasantzas G., Feng Y.P., Sinha S.K., Krim J. X-ray-reflectivity study of the growth kinetics of vapor-deposited silver films // Phys. Rev. B. -1994. V.49. - No.7. - P.4902-4907.

54. Pfeifer P., Wu Y.J., Cole M.W., Krim J. Multilayer adsorption on a fractally rough surface // Phys. Rev. Lett. 1989. - V.62. - No. 17. - P. 1997-2000.

55. Rao M.V., Mathur B.K., Chopra K.L. Evaluation of the scaling exponent of self-affme fractal surface from a single scanning probe microscope image // Appl. Phys. Lett. 1994. - V.65. - No.l. - P. 124-126.

56. Chiarello R., Panella V., Krim J., Thompson C. X-ray reflectivity and adsorption isotherm study of fractal scaling in vapor-deposited films // Phys. Rev. Lett. 1991. - V.67. - No.24. - P.3408-3411.

57. He Y.L., Yang H.N., Lu T.M., Wang G.-C. Measurements of dynamic scaling from epitaxial growth front: Fe film on Fe(001) // Phys. Rev. Lett. 1992. -V.69. -No.26. - P.3770-3773.

58. Ernst H.J., Fabre F., Folkerts R., Lapujoulade J. Observation of a growth instability during low temperature molecular beam epitaxy // Phys. Rev. Lett. -1994. V.72. - No. 1. - P. 112-115.

59. Naohisa H., Makoto F., Masao I., Kenji H. Atomic force microscopy study of self-affme fractal roughness of porous silicon surfaces // Jap. J. Appl. Phys. Pt.l. 1998. - V.37. -No.7. - P.3951-3953.

60. Krim J., Heyvaert I., Van Haesendonck C., Bruynseraede Y. Scanning tunneling microscopy observation of self-afflne fractal roughness in ion-bombarded film surfaces // Phys. Rev. Lett. 1993. -V.70. -No.l. - P.57-60.

61. Almqvist N. Fractal analysis of scanning probe microscopy images // Surf. Sci. 1996. - V.355. - P.221-228.

62. Mandelbrot B.B. The fractal geometry of nature. N.Y.:Freeman. - 1983. -480 p.

63. Федер E. Фракталы. M.: Мир. - 1991.-254 с.

64. Панин B.E., Кузнецов П.В., Дерюгин Е.Е. и др. Фрактальная размерность мезоструктуры поверхности пластически деформированных поликристаллов // ФММ. 1997. - Т.84. - №2. - С. 118-122.

65. Pande C.S., Richards L.E., Louat N., Dempsey B.D., Schwoeble A.J. Fractal characterization of fractured surfaces // Act. Met. 1987. - V.35. - No.7. -P.1633-1637.

66. Dauskardt R.H., Haubensak F., Ritchie R.O. On the interpretation of the fractal character of fracture surfaces // Acta Metall. Mater. 1990. - V.38. - No.2. -P.143-159.

67. Shi D.W., Jiang J., Lung C.W. Correlation between the scale-dependent fractal dimension of fracture surfaces and the fracture toughness // Phys. Rev. B. -1996. Y.54. -No.24. - P.17355-17358.

68. Provata A., Falaras P., Xagas A. Fractal features of titanium oxide surfaces // Chem. Phys. Lett. 1998. - V.297. -No.5-6. -P.484-490.

69. Talibuddin S., Runt J.P. Reliability test of popular fractal techniques applied to small two-dimensional self-affme data sets // J. Appl. Phys. 1994. - V.76. -No.9. - P.5070-5078.

70. Mandelbrot B.B., Passoja D.E., Paullay A.J. Fractal character of fracture surfaces of metals // Nature. 1984. - V.308. - P.721-722.

71. Chiarello R., Panella V., Krim J., Thompson C. X-ray reflectivity and adsorption isotherm study of fractal scaling in vapor-deposited films // Phys. Rev. Lett.- 1991. V.67.-No.24.-P.3408-3411.

72. Панин B.E. Синергетические принципы физической мезомеханики // Физическая мезомеханика. 2000. - Т.З. - №6. -С.5-36.

73. Физическая мезомеханика и компьютерное конструирование материалов: В 2 т. / Под ред. В.Е.Панина. Новосибирск: Наука. - 1995. - Т.1. - 298 е., Т.2 -320 с.

74. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир. - 1988. - 555 с.

75. Храмова JI.B., Смирнова Т.П., Еремина Е.Г. Синтез слоев оксинитрида кремния из гексаметилдисилазана и закиси азота // Неорган. Материалы. -1992. Т.28. - №8. - С.1662-1666.

76. Смирнова Т.П., Храмова JT.B., Яшкин И.Л. и др. Получение слоев BN при непрямой ВЧ-активации боразола // Неорган. Материалы. 1992. - Т.28. -№7. - С.1414-1419.

77. Смирнова Т.П., Храмова Л.В., Яшкин И.Л. и др. Получение слоев нитрида бора из боразола // Неорган. Материалы. 1991. - Т.27. - №9. -С. 1826-1831.

78. Ряннель Э.Ф., Гаман В.И., Калыгина В.М. Оптическое поглощение в пленках V2O5 и ванадиево-фосфатных стекол // Изв. вузов. Физика. -1976.-№2.-С. 102-106.

79. Dubuc В., Quiniou J.F., Roques-Garnies С., Tricot С., Zucker S.W. Evaluation the fractal dimension of profiles // Phys. Rev. A. 1989. - V.39. -P.1500-1512.

80. Tricot C., Ferland P., Baran G. Fractal analysis of worn surfaces // Wear. -1994. V.172. - P.127-133.

81. Grandjean N., Massies J. Kinetics of surfactant-mediated epitaxy of III-V semiconductors//Phys. Rev. B. 1996. -V.53. -No.20. - P. 13231-13234.

82. Gallas В., Berbezier I., Chevrier J., Derrien J. Gallium-mediated homoepitaxial growth of silicon at low temperatures // Phys. Rev. B. 1996. - V.54. - No.7. -P.4919-4925.

83. Химическая энциклопедия. В 5 т. / Редкол.: Кнунянц И.Л. (гл. ред.) и др. -М.: Сов. Энцикл. 1988. - Т.1 - 623с, Т.2 - 671 с, Т.4 - 639 с.

84. Лидин P.A., Андреева Л.Л, Молочко В.А. Справочник по неорганической химии. Константы неорганических веществ. М.: Химия. 1987. - 320 с.

85. Osten H.J, Klatt J, Lippert G, Bugiel E, Higuchi S. Surfactant-mediated growth of germanium on silicon (001) with submonolayer of Sb and Те. // J. Appl. Phys. 1993. - V.74. -No.4. - P.2507-2511.

86. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия. - 1978. - 472 с.

87. Материалы в приборостроении и автоматике: Справочник / Под ред. Ю. М. Пятина. -М.: Машиностроение. 1982. - 528 с.

88. Энциклопедия неорганических материалов. В 2 т. / Редкол.: Федорченко И.М. (отв. ред.) и др. Киев.: Гл. Ред. Укр. Сов. Энцикл. - 1977 - Т.1 -840 с.

89. Палатник Л.С, Фукс М.Я, Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука. - 1972. - 320 с.

90. Самсонов Г.В, Виницкий И.М. Тугоплавкие соединения (справочник). -М.: Металлургия. 1976. - 560 с.

91. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М.: Металлургия. - 1978. - 248 с.

92. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энегоатомиздат. 1991. - 1232 с.

93. Липницкий А.Г. Многослойная релаксация, поверхностная энергия и фононы на вицинальных поверхностях переходных металлов. Дисс. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1999. - 140 с.

94. Шугуров А.Р, Панин A.B., Абрамовская Н.Л. Фрактальный характер тонких диэлектрических пленок // Тез. докл. конф. молодых ученых

95. Физическая мезомеханика материалов". Томск: ИФПМ СО РАН.1998. С.31-32.

96. Панин A.B., Шугуров A.P. Фрактальный анализ поверхностей тонких пленок // Тезисы докладов первого междисциплинарного семинара "Фракталы и прикладная синергетика".- Москва. 1999. - С. 155-156.

97. Панин А.В., Шугуров А.Р. Влияние пассивации GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев // Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99".- Томск. 1999. - С. 31-33.

98. Шугуров А.Р., Панин А.В. Влияние термообработки на рельеф тонких пленок // Прогр. и тез. докл. II Всерос. Конф молодых ученых "Физическая мезомеханика материалов". Томск: ИФПМ СО РАН.1999. С.66-67.

99. Panin А.V., Shugurov A.R. Atomic force microscopy of dopant induced changes of thin dielectric film surface morphology // Proc. of Int. Conf. / Ed. by G.S. Sih. Beijing: Tsinghua University Press, 2000. - V. 1. - P.533-540.

100. Panin A. V., Shugurov A.R. Smoothening of thin film surfaces // Korus 2000. Proceedings of the 4th Korea-Russia International Symposium of Science and Technology, Ulsan, Korea. P.209-214.

101. Панин А.В., Шугуров А.Р., Пучкарева JI.H. О природе шероховатости поверхности тонких диэлектрических пленок // Физическая мезомеханика. 2000. - Т.З. - № 3. - С.53-60.

102. Panin А.V., Shugurov A.R., Borisov А.В. Mesomechanics of fracture of metal stripes under flowing electric current // Abstracts of Euromech Colloquium 418 "Fracture Aspects in Manufacturing", 25-29 September 2000, Moscow. P.44-45.

103. Panin A.V., Shugurov A.R. Nature of local fracture of thin films during deposition // Abstracts of Euromech Colloquium 418 "Fracture Aspects in Manufacturing", 25-29 September 2000, Moscow. P.43-44.

104. Панин A.B., Шугуров A.P. Деградация тонкопленочных Au проводников при пропускании электрического тока высокой плотности // Физическая мезомеханика. 2000. - Т.З. - № 5. - С. 101-108.

105. Панин А.В., Шугуров А.Р., Калыгина В.М. Влияние серы и селена на рельеф поверхности диэлектрических пленок и электрические характеристики структур металл-диэлектрик-р-GaAs // ФТП. 2001. -Т.З5. -Вып.1. - С.78-83.

106. Шугуров А.Р., Панин А.В. Релаксация термических напряжений в тонких диэлектрических пленках // Прогр. и тез. докл. III Всерос. Конф. молодых ученых "Физическая мезомеханика материалов". Томск: ИФПМ СО РАН. - 2000. - С.63-64.

107. Панин А.В., Шугуров А.Р. Влияние промежуточных диэлектрических слоев на деградацию тонких Au пленок // Прогр. и тез. докл. III Всерос. Конф молодых ученых "Физическая мезомеханика материалов". Томск: ИФПМ СО РАН. - 2000. - С.49-50.

108. Борисов А.Б., Шугуров А.Р., Панин А.В. Моделирование потоков дефектов на поверхности тонких проводящих пленок // Прогр. и тез. докл. III Всерос. Конф молодых ученых "Физическая мезомеханика материалов". Томск: ИФПМ СО РАН. - 2000. - С. 69.