Физико-химические закономерности процессов, протекающих в электролюминофорах постоянного тока тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1.0. Электролюминесценция цинксульфидных люминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем

1.1.1. Механизм электролюминесценции индикаторов на основе соединений А2В6.

1.1.2. Механизм процесса формовки электролюминесцентных индикаторов

1.1.3. Явления переноса в электролюминесцентных индикаторах постоянного тока

1.1.4. Некоторые эффекты, приводящие к концентрации электрического поля

1.2.0. Процессы старения электролюминесцентных индикаторов постоянного тока

1.2.1. Роль влаги в процессах старения индикаторов

1.2.2. Поверхностные явления в процессах старения индикаторов постоянного тока

1.2.3. Влияние различных факторов на скорость старения индикаторов

1.3.0. Электролюминесцентные панели и их применение в дисплеях и больших экранах.

1.3.1. Порошковые электролюминесцентные панели переменного тока

1.3.2. Тонкопленочные электролюминесцентные панели переменного

1.3.3. Порошковые электролюминесцентные панели постоянного тока

ГЛАВА II. МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Особенности порошковых электролюминофоров и изделий на их основе, возбуждаемых постоянным напряжением.

2.2. Изготовление ЭЛИ и твердотельных матричных экранов (ТМЭ), возбуждаемых постоянным электрическим полем.

2.3. Температурная обработка ЭЛИ.

2.4. Определение электрофизических и светотехнических характеристик ЭЛИ.

ГЛАВА III. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ "БАРЬЕРА" В ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРАХ ПОСТОЯННОГО ТОКА.

3.1. Физико-химические процессы, определяющие особенности формовки ЭЛИ постоянного тока.

3.2. Роль окружающей атмосферы в процессе формовки электролюминесцентных индикаторов

3.3. Изучение влияния предварительной термообработки на процесс формовки индикаторов

3.4. Модель процесса формовки электролюминесцентных индикаторов.

3.5. Оптимизация методики формовки электролюминесцентных индикаторов, возбуждаемых постоянным электрическим полем

ГЛАВА IV. ИЗУЧЕНИЕ МЕХАНИЗМА И КИНЕТИКИ ПРОЦЕССОВ

СТАРЕНИЯ ИНДИКАТОРОВ ПОСТОЯННОГО ТОКА.

4.1. Экспериментальное изучение процессов старения индикаторов постоянного тока (модель процесса старения)

4.2. Интерпретация нелинейных вольтамперных характеристик (ВАХ) индикаторов постоянного тока

4.3. Влияние гранулометрического состава электролюминофора на светотехнические параметры индикаторов

4.4. Влияние связующего диэлектрика на яркость и стабильность индикаторов

4.5. Роль термообработки и газовой среды в процессах старения индикаторов постоянного тока

ГЛАВА V. ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИНДИКАТОРОВ ПОСТОЯННОГО ТОКА.

5.1. Влияние термического модифицирования на процесс интенсивного старения

5.2. Оптимизация методики получения анизотипного р++ - п - гетероперехода для электролюминофоров

5.3. Роль конституционной влаги олигоорганосилсесквиоксана в процессах старения электролюминесцентных индикаторов

5.4. Разработка технологии получения электролюминесцентных слоев.

5.5. Оптимизация технологии герметизации рабочего слоя при изготовлении индикаторов постоянного тока

5.6. Изучение влияния крутизны вольт-яркостных храктеристик на эксплуатационные параметры индикаторов

ВЫВОДЫ.

Бурное развитие средств обработки информации и тесная связь человека с электронно-вычислительной техникой требует создания принципиально новых приборов визуальной индикации, необходимых для управления сложными автоматизированными комплексами народно-хозяйственного и специального назначения.

С середины 50-х годов ведутся интенсивные исследования и разработки, направленные на создание плоского телевизионного экрана взамен электроннолучевой трубки (ЭЛТ), которые стимулируются большими рынками сбыта ЭЛТ и такими их недостатками как источник высокого напряжения в составе соответствующей схемы управления, плохие массогабаритные показатели, ограниченный с обеих сторон диапазон размеров экрана, а также общие тенденции миниатюризации аппаратуры.

Трудности создания плоских экранов, не имеющих недостатков ЭЛТ и не уступающих им по основным параметрам, оказались настолько велики, что и в настоящее время единственным экраном, применяемым в телевизионных приемниках, остается ЭЛТ.

Тем не менее, многочисленные исследования и разработки в этой области позволяют констатировать, что идея создания плоской панели для отображения информации не утратила своей привлекательности за многие годы ее разработки и в ближайшие годы стоит ожидать появления первых, хотя и не универсальных, серийных телевизионных приемников с плоским экраном. При этом как альтернативные рассматриваются направления разработок панелей нескольких типов: жидкокристаллические, газоразрядные (плазменные), светодиодные, электролюминесцентные и другие.

В то же время ни один из типов индикаторных панелей пока не удается изготовить в виде универсального прибора, пригодного для широкой области применений. Таким достоинствам, используемых в настоящее время индикаторных панелей, как малая толщина и низкая потребляемая мощность, противостоит их высокая стоимость. Но в последнее время ряд фирм достигли заметных успехов в разработке и серийном выпуске жидкокристаллических, электролюминесцентных и газоразрядных индикаторов, не уступающих по информационным параметрам (контрасту, разрешающей способности, полноцветно-сти, информационной емкости) ЭЛТ и при меньших объеме и потребляемой мощности, имеющих лучшие механические показатели.

Кроме того, стоимость порошковых электролюминесцентных индикаторов удалось снизить на 25% по сравнению с тонкопленочными индикаторами на переменном токе при одинаковом сроке службы (1x104 часов). При массовых поставках цена толстопленочных индикаторов, примерно, вдвое ниже цены тонкопленочных индикаторов и сравнима с ценой пассивных индикаторов на жидких кристаллах.

Таким образом, из всех известных приборов оперативной индикации первыми, видимо, заявят о себе приборы, использующие явление электролюминесценции, которые можно с равными возможностями применять в индивидуальных устройствах и больших системах управления.

Исследование электролюминесцентных свойств материалов и создание на их основе приборов различного типа ведется уже много лет. Создана промышленная технология синтеза электролюминесцентных порошков, возбуждаемых переменным электрическим полем (ЭП), и технология изготовления электролюминесцентных приборов на их основе, а также показана перспективность применения электролюминесцентных систем для отображения алфавитно-цифровой, мнемонической, графической и цветовой информации.

Однако, существующим электролюминесцентным индикаторам (ЭЛИ) переменного тока присущи общие недостатки. Это во-первых, ограниченная рабочая яркость (20-100 кД/м при и=100 В) и, следовательно, низкий яркост-ный контраст. Во-вторых, малая величина коэффициента нелинейности напряжение-яркость характеристики (1,5-3,0), что затрудняет создание электролюминесцентных матричных панелей с достаточной начальной яркостью и контрастностью изображения в динамическом режиме работы, а это, как следствие, сужает границы применения электролюминесцентных приборов, возбуждаемых переменным током, в устройствах отображения информации. В-третьих, из-за принципиальных ограничений механизма процесса электролюминесценции, люминофоры, возбуждаемые переменным электрическим полем и индикаторы на их основе не могут обладать требуемыми электрофизическими и светотехническими характеристиками [5-11].

В то же время ЭЛИ на основе порошковых люминофоров типа гп8:Си, Мп-Сих8, возбуждаемые постоянным полем (ЭЛПП), привлекли внимание многих исследователей. Они обладают всем набором свойств: высокая пиковая яркость и коэффициент нелинейности напряжение-яркость характеристик, малая потребляемая мощность, высокая механическая прочность, возможность получения электролюминесцентных панелей больших размеров и т.д.

Но перспективы технического применения электролюминесценции люминофоров постоянного тока и индикаторов на их основе не могут быть должным образом реализованы на практике вследствие существенной нестабильности их основных оптико-электрических характеристик. Необратимое снижение яркости свечения ЭЛИ в процессе эксплуатации, сопровождающееся коррелирующими изменениями практически всех их электрических и оптических характеристик (вольт-амперных, вольт-яркостных, светоотдачи и энергетической эффективности) происходит вследствие необратимых изменений физико-химического строения электролюминофоров в составе изделий под действием сильного электрического поля [8, 12 и др.]. К тому же процессам старения способствует наличие проводящей фазы Сих8 на поверхности зерен люминофора, возбуждаемого постоянным током, в отличие от электролюминофора (ЭЛ) переменного тока. Последнее, в свою очередь, предъявляет особые требования к изготовлению порошкового электролюминесцентного слоя, а также к его защите от воздействия влаги и кислорода воздуха, особенно при действии электрического поля.

Очевидно, что проблема старения является ключевой проблемой электролюминесценции. Тем не менее, именно проблема старения ЭЛ постоянного тока и особенно индикаторов на их основе наименее изучено по сравнению с другими вопросами физики электролюминесценции. В отечественной и зарубежной литературе имеются многочисленные журнальные публикации, содержащие, во многом, противоречивые экспериментальные данные и еще более противоречивые точки зрения авторов на природу процессов старения ЭЛПП и ЭЛИ на их основе.

Анализ разработки и использования толстопленочных (порошковых) индикаторов, возбуждаемых постоянным электрическим полем, позволил выявить общую тенденцию, заключающуюся в том, что развитие традиционных и открытие новых применений индикаторов данного типа связано с увеличением эксплуатационной стойкости самого электролюминофора в составе ЭЛИ. Это, в свою очередь, предъявляет все более жесткие требования как к технологии синтеза электролюминофоров, так и, особенно, к технологии изготовления индикаторов. Кроме того, теоретическое и экспериментальное изучение процессов формовки и старения в реальном объекте, может иметь большое значение для развития теории собственно электролюминесценции.

Таким образом, разработка технологии изготовления ЭЛИ с заданными свойствами не возможна без системного изучения комплекса физических и физико-химических процессов, протекающих в индикаторах, с учетом свойств поверхности и условий на границе раздела фаз 8п02 - ZnS: Мп, Си в сильном электрическом поле как при формовке, так и при их длительной работе; без создания теорий этих процессов, позволяющих указать основные направления решения данной проблемы.

Цель работы.

Для раскрытия сущности явлений, лежащих в основе процессов электрической формовки и старения ЭЛ структур, а также создания научно обоснованной технологии изготовления ЭЛ индикаторов и матричных экранов, обладающих высокой яркостью, эффективностью, контрастностью и стабильностью ЭЛ, целью настоящей работы является: а) развитие теорий процессов электрической формовки и старения ЭЛПП и ЭЛИ на их основе; б) оптимизация режимов и условий формовки и эксплуатации ЭЛИ (ТМЭ); в) создание технологии изготовления ЭЛИ и ТМЭ, возбуждаемых постоянным электрическим полем, для вывода мнемонической, цифровой и графической информации.

Для достижения поставленной цели выполнен комплекс следующих исследований:

1. Изучена физика и химия процессов, протекающих при формовке и до-формоке ЭЛПП и реальных ЭЛИ на их основе; проведены эксперименты по исследованию влияния структуры, гранулометрических и морфометрических показателей поверхностей частиц ЭЛПП, прозрачного электрода (8п02) и второй фазы Сих8 на параметры процесса формовки и доформовки ЭЛ структур; изучены кинетика процессов формовки и доформовки, изменения оптических электрофизических характеристик ЭЛИ при различных величинах амплитуды, режимах и условиях электрического возбуждения (формовки); впервые построены профили зонных энергетических диаграмм рассматриваемых гетерост-руктур и с их помощью изучены механизмы переноса носителей заряда, определена корреляция между механизмами токопрохождения через ЭЛ структуру и параметрами процесса формовки и доформовки ЭЛИ, а также роль влаги и кислорода в процессах токопрохождения и, соответственно, формовки и доформовки ЭЛИ; показаны основные направления оптимизации режима и условий формовки и доформовки ЭЛИ, определены оптимальный режим и условия формовки и доформовки ЭЛ структур; изучено влияние природы и толщины (концентрации) связующего диэлектрика и толщины (концентрации) второй фазы Сих8 на параметры формовки ЭЛПП и ЭЛИ из них.

2. Изучена химия, физика и кинетика процессов, протекающих во время старения ЭЛПП и ЭЛ структур на их основе; проведены эксперименты по исследованию влияния структуры, гранулометрических и морфометрических параметров 8п02 и 2п8:Мп на эксплуатационные характеристики ЭЛПП и реальных ЭЛИ (яркость, эффективность и стабильность ЭЛ) при различных значениях амплитуды, режимах и условиях электрического возбуждения; впервые определена корреляция между механизмами переноса носителей заряда, составом окружающей среды с одной стороны и эксплуатационными характеристиками ЭЛИ с другой; впервые изучены закономерности физических и химических процессов, протекающих на границе раздела фаз анод (8п02) — катод (2п8:Мп) под действием электрических полей автоэмиссионного знака, установлена связь между гранулометрическими морфометрическими показателями указанных фаз, а также составом газовой среды с одной стороны и процессами массопере-носа (полевой эмиссии ионов) на границе их раздела и, соответственно, скоростью процессов старения ЭЛИ с другой; изучены влияние природы и толщины (концентрации) связующего диэлектрика, предварительной термообработки ЭЛС, состава и давления газовой среды на процессы старения ЭЛПП и ЭЛИ из них; теоретически обоснованы и экспериментально подтверждены режимы и условия электрического возбуждения ЭЛИ во время их длительной эксплуатации.

3. Изучены и теоретически обоснованы основные особенности и пути технологии изготовления ЭЛИ с заданными свойствами, выбранные направления изготовления ЭЛИ экспериментально подтверждены; рассмотрены требования, предъявляемые к связующим диэлектрикам, к изготовлению электролюминесцентных слоев (ЭЛС) и его герметизации от воздействия влаги и кислорода воздуха; разработаны методики изготовления ЭЛС с заданными свойствами и его герметизации; изучено влияние различных типов связующих, морфометрических параметров частиц люминофора их предварительной термообработки в контролируемой среде на механические, светотехнические и электрофизические характеристики ЭЛИ, показаны основные направления оптимизации технологии изготовления и герметизации ЭЛС, а также режима и условий его эксплуатации в составе ЭЛИ; разработан метод получения фазы Сих8 с заданными свойствами.

4. Разработан и прошел опытное освоение типовой технологический процесс изготовления ЭЛИ на основе электролюминофоров постоянного тока (ЭЛПП).

5. Разработан и прошел опытное освоение типовой технологический процесс изготовления твердотельных матричных экранов (ТМЭ) для отображения цифровой и графической информации; способы подавления фоновой подсветки и прорезки ЭЛС; определены оптимальные режимы и условия формовки и длительной эксплуатации ТМЭ.

Решение поставленных вопросов было реализовано в соответствии с планом межотраслевой целевой комплексной программы ГКНТ (ОЦ.О.13), планами АН СССР: «Люминесценция и развитие ее применений в народном хозяйстве» на 1985-1990 гг., планами Минобразования РФ и Северо-Кавказского государственного технического университета.

По заказам Минрадиопрома по этой теме выполнены работы на основе хозяйственных договоров (номера госрегистрации 0083620, 0006932, Г53/23).

Автор выносит на защиту следующие вопросы:

1. Теоретические основы технологии изготовления ЭЛИ с заданными свойствами. Экспериментальные исследования влияния на электрические и оптические свойства ЭЛИ: скорости, режимов и условий возбуждения; природы, концентрации диэлектрика и поверхностной фазы Сих8(1); состава и давления окружающей атмосферы; морфометрических показателей 8п02 и фазы Сих8; морфометрических и гранулометрических показателей кристаллов 2п8:Мп; предварительной термообработки частиц ZnS:Mn и ЭЛС из них; промежуточных диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев.

2. Комплекс исследований процессов, протекающих при формовке ЭЛИ.

12

Модель процесса формовки, определяющего эксплуатационные характеристики ЭЛИ (начальная яркость, эффективность и стабильность);

3. Комплекс исследований процессов, протекающих на этапе старения ЭЛИ. Модель процесса старения ЭЛИ.

4. Методика получения ЭЛС и его герметизации от воздействия окружающей среды. Способ получения фазы Сих8 с улучшенными оптическими, электрическими, адгезионными и морфометрическими показателями.

5. Разработка и опытное освоение технологии изготовления ЭЛИ, с высокой начальной яркостью, энергетической эффективностью и стабильностью ЭЛ. Основы оптимизации режимов и условий формовки и эксплуатации ЭЛИ.

6. Разработка и опытное освоение технологии изготовления ТМЭ. Способы ортогональной прорезки ЭЛС и подавления фоновой подсветки (эффекта «креста»). Основы оптимизации режимов и условий формовки и эксплуатации ТМЭ.

360 Выводы

На основании комплекса проведенных исследований и их результатов можно сделать следующие выводы:

1) Развиты представления о механизме последнего этапа изготовления ЭЛИ (формовки), протекающем в начальный момент времени их работы. Показано, что на начальном этапе при наложении на ЭЛИ постоянного электрического поля через него протекает аномально большой ток (результат шунтирования фазой Сих8), вызывающий локальный прианодный разогрев ЭЛС. В определенный момент времени ток через ЭЛИ и, соответственно, температура собственного нагрева быстро падают с появлением и ростом яркости свечения. Предложена теоретическая модель процесса формовки ЭЛИ, основанная на представлениях о перегревной неустойчивости, как основном механизме, во-первых, разрушающего электрического пробоя, характерного для тонких диэлектрических и полупроводниковых пленок с образованием каналов проплавления (КП) и, во-вторых, перехода фазы Сих8 в ионный режим с последующим дрейфом ионов меди под действием конкурирующих процессов термо- и электродиффузии в объем 2п8:Мп в направлении силовых линий внешнего электрического поля, а также частично его локального электрического и теплового пробоя. Установлено, что количество образующихся в ЭЛИ КП под действием поля и локальной температуры (равно как и количество ЭЛ частиц) определяются совокупностью целого ряда различных факторов, таких как, напр.: величина и скорость нарастания напряжения; концентрация (толщина) ПОССО и фазы Сих8; гранулометрические и морфометрические показатели БпОг (анода) и частиц ЭЛПП; наличия дефектов (пор, микротрещин) в слое ПОССО и др. Существенное изменение какого-либо из указанных факторов или нескольких сразу (для реального ЭЛИ) приведет к уменьшению (увеличению) вероятности образования КП и термо- и электродиффузии ионов меди в объем 2п8:Мп, т.е. осуществлению собственно процесса формовки ЭЛИ.

2) Впервые предложена качественная модель физических процессов, протекающих на поверхности фазы Сих8 при электрической формовке ЭЛИ, основные положения которой можно сформулировать следующим образом: а) на начальном этапе, при малом +иа на ЭЛИ (т.е. «+» на 8п02), температура обратносмещенного р++-п+- гетероперехода (дополнительно к Ленца -Джоуля температуре) повышается, преимущественно, в результате трех процессов переноса носителей заряда: 1) ток эмиссии «горячих» электронов из ЗП Сих8 на незанятые уровни в ЗП 8п02 (~ величине исходной концентрации электронов проводимости в фазе Сих8), ответственный за положительный Пельтье эффект и, обусловленный ей нагрев в объеме 8п02; 2) ток туннелирования через барьер (сосредоточенный в 8п02) из ВЗ Сих8 в ЗП 8п02, ответственный за эффект «Ноттингема» и, обусловленный ей нагрев поверхности эмиттера (Сих8) на границе сопряжения с анодом; 3) ток эмиссии горячих дырок из ВЗ 8п02 на занятые состояния в ВЗ Сих8 и их рекомбинации с электронами, ответственный за дополнительный нагрев фазы Сих8. б) на втором этапе, при относительно высоком и на ЭЛИ, определенный (позитивный) вклад в температурную составляющую процесса формовки может вносить туннельно-генерационная компонента обратного тока, сквозь расширенный потенциальный барьер, которая способствует не только повышению скорости и эффективности данного процесса, но и смещению зоны нагрева из объема 8п02 на его поверхность (т.е. в пределы области обеднения) сопряженную с фазой Сих8. в) на третьем этапе, при достижении критической температуры перехода фазы Сих8 в ионный режим (~ 100-105° С) начинается интенсивная термополевая диффузия ионов меди в объем кристаллов 2п8: Мп, на границе с анодом, с последующим расшунтированием фазы Сих8 со стороны анода и, соответствующим, резким ростом сопротивления ЭЛИ; частично это происходит и по причине локального электрического и теплового пробоя фазы Сих8.

3) Изучены физика и химия механизма продвижения высокоомного барьера как по поверхности активных кристаллов (т.е. фазы Сих8), из-за краевых эффектов, так и вглубь ЭЛС ко второму, третьему и т.д. ряду зерен ЭЛПП. Показано, что эти процессы снижают значения яркости, эффективности и светоотдачи ЭЛИ. Установлено, что скорость и абсолютные значения указанных процессов в ЭЛИ зависят (при прочих равных условиях) от целого ряда факторов, таких как: а) амплитуда и режим (импульсный или стационарный) напряжения формовки ЭЛИ; б) толщина (концентрация) диэлектрика и поверхностной фазы CuxS; в) размер зерен ЭЛПП и плотность их упаковки в ЭЛС; г) морфомет-рические и гранулометрические показатели поверхностей Sn02 и частиц ЭЛПП. Показано, что подбором режима формовки, промежуточного слоя (предварительно нанесенного на Sn02), а также знака и плотности поверхностных состояний, можно (при прочих равных условиях) в значительной степени управлять параметрами процесса формовки, доформовки и длительной эксплуатации ЭЛИ. При совокупном оптимальном сочетании указанных условий можно добиться существенного увеличения его начальной яркости, энергетической эффективности и стабильности.

4) Показано, что переход А1 - CuxS, включенный относительно той же полярности напряжения («+» на Sn02) в прямом направлении, охлаждается на величину AQnn (отрицательный Пельтье эффект); изменяя параметры области обеднения в фазе CuxS, посредством изменения знака и плотности поверхностных состояний или подбором материала второго электрода (при прочих равных условиях) можно в определенных пределах добиться уменьшения (увеличения) величины охлаждения второго контакта и, соответственно, уменьшения (увеличения) начальной яркости, светоотдачи и энергетической эффективности структуры ЭЛИ (напр., присутствие кислорода приводит к дополнительному охлаждению II контакта и, соответственно, к росту величины J0 в высокоомный барьер при U = Const, а значит к росту яркости и эффективности ЭЛ и, наоборот, наличие дипольных молекул Н20 приводит к снижению роли отрицательного Пельтье эффекта, т.е. к росту температуры перехода, что, в свою очередь, будет способствовать росту его сопротивления, уменьшению J0 в барьерную область и, соответственно, яркости и эффективности ЭЛ). Впервые на основе данных эксперимента и зонных энергетических диаграмм изучен механизм и предложена качественная модель процессов, протекающих на А1 - Сих8 - гетерострук-туре во время формовки ЭЛИ при смене полярности внешнего напряжения («+» на А1); при быстром изменении - иа на ЭЛИ почти все напряжение оказывается приложенным к нестационарному обедненному слою фазы Сих8, в результате чего развивается лавинный процесс ударной ионизации и возникает большое число «горячих» носителей с энергиями, достаточными для преодоления соответствующих энергетических барьеров.

5) Развиты представления о процессах старения электролюминофоров и ЭЛИ на их основе, возбуждаемых постоянным электрическим полем. Впервые экспериментально обнаружено и данными РФА подтверждено возникновение на границе раздела фаз 8пС>2-2п8:Мп пленки ZnO, а также предложен механизм ее формирования, основанный на явлениях эмиссии носителей заряда под действием локальных полей автоэмиссионного знака. Показано, что промежуточный слой ZnO может играть как позитивную, так и негативную роль во время работы ЭЛИ. На начальном этапе его работы возникновение и рост слоя ZnO с одной стороны приводит к сдвигу зон 2п8:Мп, увеличивая, таким образом, коэффициент инжекции неосновных носителей из ВЗ 8п02 в ВЗ активного кристалла и, как следствие, яркость и эффективность ЭЛ, но с другой стороны, растущий слой ZnO является причиной уменьшения диффузионного потенциала в 2п8:Мп с соответствующим увеличением эффекта Ричардсона на I контакте и скорости старения ЭЛИ. На конечном этапе работы ЭЛИ (при низком уровне ЭЛ) негативная роль пленки ZnO сводится к падению общего электронного тока связанного с туннельным прохождением через образованный им барьер и к оптическому поглощению слабого свечения кристаллов гп8:Мп. Экспериментально обнаружена функциональная связь эмиссионных процессов с составом и давлением окружающей среды, гранулометрическими и морфометрическими показателями кристаллов 2п8:Мп, степенью их легирования (электропроводностью), амплитудой и режимом возбуждения.

6) Впервые на основе построенных зонных энергетических диаграмм, многочисленных данных эксперимента и опытных наблюдений изучен механизм физики и химии, а также предложена качественная модель процессов, протекающих на этапе старения ЭЛПП и ЭЛ структур на их основе, рассматривающая рабочую область ЭЛИ как мультигетероструктуру типа n+(Sn02)-n0CC0-n(ZnS:Mn)-CuxS. Показано, что значительную роль в процессах ста-рения ЭЛИ, особенно на этапе их технического прогона, играют явления, обусловленные полевой эмиссией носителей в области раздела фаз анод (Sn02) - катод (ZnS:Mn). На базе данных эксперимента и опытных наблюдений, а также анализа зонных диаграмм р++- п - п+- гетероструктур впервые показана возможность инжекции неосновных носителей на изотипном гетеропереходе и, как следствие, вероятность (наряду с предпробойным) инжекционного (туннельно-инжекционного) механизма возбуждения свечения, т.е. изотипный n+- п - гетеропереход, с точки зрения инжектирующих свойств, рассматривается как неэффективный случай р-п-перехода, свойствами которого можно (в определенных пределах) управлять, путем изменения условий на границе раздела фаз Sn02 - ZnS:Mn. Впервые на основе развитой теории процессов старения, а также энергетических диаграмм исследуемых гетероструктур сделан полный количественный анализ всей вольт-амперной характеристики ЭЛИ, построенной в координатах Фаулера-Нордгейма и Ричардсона-Шоттки. Показано, что ответственным за участок насыщения тока и его резкого роста на ВАХ является ПЗ эмитированных электронов.

7) Впервые на основе построенной энергетической зонной диаграммы и данных эксперимента изучен механизм физики и химии, а также предложена качественная модель процессов, протекающих в средней части ЭЛС при высоких напряжениях возбуждения, характерных для ЭЛИ постоянного тока. Показано, что при очень высоких U на ЭЛИ (более 150 В) следует ожидать повышения температуры р++ - i - р++ - переходов в средней части рабочего слоя ЭЛИ (в том числе и на р++- п - гетеропереходе активного кристалла), из-за роста избыточной кинетической энергии ДЕК по мере возрастания разности энергий между положениями уровней Ферми; передача избыточной энергии ДЕК решетке Сих8 приведет к росту его сопротивления и, как следствие, к падению плотности тока через буферный слой и 10 через барьер, с последующим снижением начальной яркости и эффективности ЭЛ (наличие неструктурированного диэлектрика стимулирует процессы разрушения Сих8); подбором знака и плотности поверхностных состояний (ПС, при прочих равных условиях) можно в определенных пределах уменьшать (увеличивать) величину нагрева симметричных р++-1 -р++ - переходов в средней части слоя, уменьшая (увеличивая) составляющие 1т неосновных носителей из ЗП и ПС Сих8 сквозь диэлектрик в ЗП идентичной фазы (напр., наличие акцепторных состояний - О2, приведет к снижению 10бш через переходы, преимущественно, за счет снижения вклада указанных выше составляющих тока, а наличие донорных - Н20, наоборот, к повышению 10бШ за счет увеличения их вклада.

8) Развитые представления позволили поставить на научную основу технологии изготовления ЭЛИ и твердотельных матричных экранов (ТМЭ). Разработаны и прошли опытное освоение технологии изготовления ЭЛИ и ТМЭ постоянного тока для вывода мнемонической, цифровой и графической информации. При отработке технологии изготовления были применены теоретически обоснованные и экспериментально подтвержденные способы повышения яркости, эффективности и стабильности ЭЛПП и ЭЛИ на их основе. Интегральная начальная яркость ТМЭ, при возбуждении униполярными импульсами с коэффициентом заполнения до 10 %, составляет не менее 50 кД/м , остаточную ярл кость, через 4500 часов, не менее 15 кД/м и пробойное напряжение более 400 В. Показано, что условия и способы изготовления ЭЛИ и ТМЭ тесно связаны с механизмами физики и, как следствие, химии процессов, протекающих во время их работы в условиях сильного электрического поля и окружающей агрессивной среды. Разработан, защищенный патентом, оригинальный способ изготовления ЭЛС на основе фракционированного ЭЛПП, позволяющий значительно улучшить оптические, электронные, структурные и механические свойства рабочего слоя и ЭЛИ в целом, путем воздействия на подложку с жидкой суспензией (предварительно нагретых до определенной температуры) вертикальных осциллирующих движений в условиях вакуума. Показано, что связующий диэлектрик для ЭЛС должен обладать следующим набором свойств: высокое удельное сопротивление, электрическую, термическую и адгезионную стойкость в условиях действия сильного электрического поля и локальной температуры собственного нагрева; низкий коэффициент влагосодержания и влагопро-ницаемости; химическая индифферентность к поверхности ЭЛПП для предотвращения ухудшения инжектирующих свойств фазы Сих8; донорный механизм адсорбции на поверхности 2п8:Мп, что снижает в общем токе составляющую тока утечки и, как следствие, повышает яркость и эффективность ЭЛИ. Установлено, всем требуемым комплексом свойств обладает связующее марки К-42 (олигометилфенилсилсесквиоксан) из класса ПОССО. Разработан оригинальный способ герметизации ЭЛС от воздействия агрессивных сред (02, НгО), путем наложения в условиях вакуума на несущую подложку, через периферийный слой герметика («Гермесил») покровной подложки и увеличением давления в камере посредством напуска инертного газа. Предложенный способ, из-за непосредственного контакта герметика и покровной подложки с ЭЛС и, соответственно, увеличения коэффициента теплопередачи, позволил уменьшить эффекты теплового удара во время формовки и доформовки ЭЛИ и, как следствие, повысить начальную яркость и стабильность ЭЛ. Изучено влияние на яркость, эффективность и стабильность излучения ЭЛИ, гранулометрических и морфомет-рических показателей частиц ЭЛПП. Показано, что зависимость стабильности ЭЛ от гранулометрии и морфометрии кристаллов 2п8:Мп проходит через точку максимума, что хорошо согласуется с предложенной «полевой» моделью процесса старения ЭЛИ. Предложен целый ряд технологических решений, повышающих яркость, эффективность, контрастность, стабильность ЭЛ и улуч

367 шающих параметры формовки ЭЛИ (ТМЭ): по снижению конституционной влаги диэлектрика, путем его термической поликонденсации в условиях вакуума; по нанесению промежуточных углеродного и полупроводникового слоев на БпОг и 2п8:Мп; по ортогональной прорезке ЭЛС для ТМЭ; по созданию барьера в ЭЛС в межэлектродном пространстве 8п02 для ослабления явления «креста», характерного для ТМЭ.

368

1. Лосев O.B. - Телеграфия и телефония, 1823, т. 18, с. 45 - 62.

2. Destriay G. J. Chem. Phys., 1936, v. 33, p. 620 - 626.

3. Казанкин O.H., Марковский Л.Я., Миронов И.А. и др. Неорганические люминофоры. Л.: Химия, 1975. - 192 с.

4. Хениш Г. Электролюминесценция. Пер с англ., М., "Мир", 1964, 455 с. (Henich H.K. "Electroluminescence", Pergamon Press (1962)).

5. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974.

6. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М. Наука, 1964.-283 с.

7. Георгобиани А.Н. Электролюминесценция кристаллов. Труды ФИАН, 1963, 23, с. 3-63.

8. Синельников Б.М. Электролюминофоры постоянного тока. Ставрополь: "Пресса", 1996, 225 с.

9. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М.: ИЛ, 1961, - 199 с.

10. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. Л.: Наука, 1983, 122 с.

11. Прикладная электролюминесценция / Под ред. М.В. Фока. М.: Советское радио, 1974, с. 416.

12. Болтакс Б.И. Уч. зап. ТГУ, Тарту, 1976, вып. 379, с. 3 - 21.

13. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1971. - 333 с.

14. Власенко H.A. О механизме старения электролюминесцирующих пленок сульфида цинка и путях повышения их долговечности. Уч. зап. Тартус-ский гос. ун - т. Вып. 279. Труды по электролюминесценции, 1976, с. 22 -50.

15. Андреев А.И. Исследование электролюминесценции цинксульфидных люминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. Дис. . к. ф.-м. н., Москва, 1982 г., 156 с.

16. Свечников С.В. Элементы оптоэлектроники. М.: Советское радио, 1971.

17. Destriau G. "Reseaches upon electrophoto luminescence". Trans. Far. Soc. 1947.38, p. 700-739.

18. Matossi F. "Elektrolumineszenz und Elekrophtolumineszenz". Viweq: Braun-schweiq, 1957.

19. Ivey H.F. "Electroluminescence and Related Effects", Asad. Press, N Y, London, 1963.

20. Веревкин Ю.Н. Электролюминесцентные устройства судовой автоматики. JL: Судостроение, 1966.

21. Larach S. "Photoelectronic Materials and Divices", Princeton, N J, Van. Mostrand, 1965.

22. Деркач В.Г., Корсунский B.M. Электролюминесцентные устройства. К.: Наукова думка, 1968.

23. Homer Н.Н., Rulon R.M., Butler К.Н., "Elektroluminescence zink sulfide phosphors". J. Elektrochem. Soc.1953, Vol.100, p. 566 571.

24. Jerome C.W., Gunqle W.C., "Electrical measuriments on electroluminescent lamps with zinc sulfide phosphors". J. Elektrochem. Soc.,1953, Vol.100, p.34 -38.

25. Waymourh J.F. "Optical measurements on electroluminescent zinc sulfide". J.Electrochem. Soc.l953,Vol.l00, p. 81 88.

26. Loebner E.E. "Time dependent spectra of electroluminescent zinc sulfide". Phys. Rew. 1953,Vol.92, p.846.

27. Prener J.S., Williams E.E. "Activator sistems in zinc sulphide phosphors". J.Electrochem. Soc. 1956, Vol.103, p. 342 346.

28. Shionoda S. "Sensitized luminescence of zinc sulphide phosphors aktivated With coppe and manqanese". J. Chem. Phis., 1955, 23, p. 1173, 1174.

29. Zalm P.,Diemer G.,Klasens N.A., "Electroluminescence ZnS Phosphors". Philips Res Repts., 1954, 9, 2, p. 81 108.

30. Bowtell J.N., Bate H.C., "Observations of El Excited by AC and DC Field in

31. Surfase Treated Phosphors". Proc. Inst. Radio Enqrs.l956,44,p.697.

32. Zalm P.,Diemer G.,Klasens N.A., "Electroluminescence ZnS:Li S:Mn compounds". Philips Res Repts, 1955,10, p.205 215.

33. Thornton W.A., "AC DC Electroluminescence". The Physical Review, 1959, Vol.113, p. 1188-1194.

34. Казанкин O.H., Пекерман Ф.М., Петошина JI.M. Электролюминесценция фосфоров ZnS Си - Мп в постоянном поле. - Оптика и спектроскопия, 1959. т. X, 6, с.776 - 779.

35. Фаворин В.Н., Козина Ж.С. Электролюминесценция порошкообразного электролюминофора ZnS Си - Мп в постоянном поле. - Оптика и спектроскопия, 1961, т. X, 1, с.91 - 95.

36. Патент 1.142.032 (ФРГ). Herstellunqsverfaren fur eine insbesonder durch Gleichtran anreqbare elektrolumineszente Leuchtoffschicht. (Voqel M.J,, Jose S.).

37. Thornton W.A. "DC electroluminescence in zinc sulphide films". J.Appl. Phys., 1962,33, 10, p. 3045-3048.

38. Vecht A., Ellis R., "Direct current Electroluminescence in the zinc sulphide (Copper) Manqanese System". Nature, 1966, 210, p. 1251,1252.

39. Лебнер E. Перспективы применения электролюминесцентных твердых материалов в системах индикации. ТИИЭР, 1973, 7, с. 46 - 127.

40. Производство индикаторных устройств в США. Электроника, 1980, 1, с. 45-47.

41. Quin L. Electroluminescence larqe screen display technoloqy and its applications // Y., Physics. 1986,16,4, p. 219 - 222.

42. Lyman J. Cherry finds the way to build thiek film EL panels //Electronics. -1987.-60, 22. p. 58-61.

43. Vecht A. Developments in electroluminescent panels. Jornal of crystal qrowth, 1982, V. 59,1-2, p. 81-97.

44. Alexander P.W., Scherchod C., Stwell M.J. Forminq of powder DC electroluminescent displays. I. Characterisation and effects of qasious enviroment. "J. Phys. D: Appl. Phys", 1988. 21, 11, p. 1627- 1634.

45. Alexander P.W., Scherchod C., Stovell M.J. Forminq of powder DC electroluminescent displays. II. Mechanisms and implications for maintenance. "J.Phys. D: Appl. Phys".,1988. 21, 11, p. 1635 - 1641.

46. Cherry W. L., Glaser D. Electroluminescent displays with interlayer for improved forminq. Пат. 4849674 (США), 12. 03. 1987.

47. Keller P.S., Gelles J.S., Smith W.V., Botler J.W., Gossent C.R. "Positron decay of Cu59 and Cu61 and energy levels in Ni59 and Ni61". Phys. Rev., 1958, 109, №3, p. 860-871.

48. Pappolardo S.R., Dittz K.E. "Absorption spectra of Transition Ions in CdS Crystals". Phys. Rev., 1961, 123, №4, p. 1188 1203.

49. Фок M.B. Теория электролюминесцентных преобразователей изображения. -M.: Советское радио, 1961. 52 с.

50. Морхед Ф.Ф. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир, 1970. - 465 с.

51. Abdalla M.J.,Godinq A.,Noblans J F. DC Electroluminescence mechanisms in ZnS devices, - Journal of Luminescence, 1979, 19 / 19, p. 743 - 748.

52. Vecht A., Werrinq N.J. DC electroluminescence in ZnS. J. Phys. D. Appl., Phys, 1970, V.3, 2, p. 105-120.

53. Alder C.J., Cattell A., Dixson M.,Dexter K.,Kirton J. "Bulk and junction effects in DC electroluminescence ZnS:Cu,Mn powder panels". Electronic letters, 1980, V. 16, 14, p. 5 71 -572.

54. Казанкин O.H., Королев А.Л., Паранин Г.А., Пекерман Ф.М. Электролюминофоры, возбуждаемые постоянным электрическим током. Светотехника, 1976, 12, с. 3,4.

55. Васильченко В.П., Кокин А.К. Электрофизические свойства электролюминофора постоянного тока на базе ZnS:Mn . Уч. зап. (Тартуский ун - т), 1979, вып. 509, с. 44-57.

56. Вергунас Ф.И., Гущин М.Н., Лурье В.И. К теории деградации гетеропереходов CuxS ZnS:Mn. - Микроэлектроника, 1981, Т. 10, Вып. 3, с. 235 -239.

57. Chong Kuochu, Chang Hsingi. Excitation mechanism in D.C. electroluminescence of V203 Eu sintered slice and ZnS Cu Er, CI thin film ageing and forming processes. Journal of Lumminescences, 1979, 18/19, p. 913 - 916.

58. Lawter c., Anand K. Physical Mechanism of Current Condition and liqht Emision in Hiqh Resistivity ZnS:Mn. Jhin Film - Phys.Stat sol(a), 1977, 44, 113, p. 313 - 323.

59. Mc Kay K.G., Phys. Rev., 94, 877 (1954) "Avalanche. Breakdown in Silicon".

60. Miller S.L., Phys. Rev., 99, 1234 (1955) "Avalanche. Breakdown in Her-manium".

61. Shockley W, Sol. State Electron. 2,35 (1961); Czech. J. Phys. 11,81 (1961).

62. Wolff P.A. "Theory of Electron Multiplication in Silicon and Hermanium" (Phys. Rev., v. 95, 6, 1415 1420, 1954).

63. Neumark G. "Effectency of Electroluminescence in ZnS1. Phys. Rev., 116, 1425 (1959).

64. Чуенков B.A. ФТТ сб. 2, 200, 209, 1959.

65. Верещагин И.К. Зависимость средней яркости электролюминесценции от напряжения. Оптика и спектроскопия, 16, 290 - 296, 1964.

66. Vlasenko N.A. Phys. Stat. Sol. "On the Mechanism of D.C. Electroluminescence m pCuxS n ZnS:Mn:Cu, CI. Film Structures" (K - 77 - К - 81).

67. Lee C.A., Logan R.A., Batdorf R.L., Kleimack J.J., Weigmann W.W., Phys. Rev, 134, 761 (1964).

68. Писаренко Н.Л, Изв. АН СССР, сер. физ. 5-6, 631 (1938).

69. Franz W., Handbuch D. Phys. Rev, 17, 190 (1956).

70. Келдыш Л.В, ЖЭТФ 48,1692(1965).

71. Baraff, Phys. Rev, 128, 2507 (1962).

72. Давыдов Б.А, Шмушкевич И.И, ЖЭТФ 10, 1043 (1940).

73. Heller W.R., Phys. Rev, 84, 6 (1961).

74. Hippel A., Zs. f. Phys. 75, 145 (1932); J. Appl. Phys. 8, 815 (1937); Phys. Rev., 54,1096(1938).

75. Frölich H., Proc. Roy. Soc. A-160, 320 (1937), Phys. Rev., 56, 349 (1939).

76. Власенко H.A., Гергель A.H., Phys. Stat. Sol. 26 K-77 (1968).

77. Mochamed J., M. J., Godinq A., Brenac A., Noblans J F. "Electrical conduction mechanism in powder ZnS:Mn,Cu direct current EL devices Proc. El. Dev. IEEE, 1981, 6, p. 689-693.

78. Vecht A. Electroluminescent Displays J. of Vac. Sei. And Technol., 1973, V. 10, 5, p. 789.

79. Alder J., Cattell A., Dexter K., Dixson M., Skolnik M.S. "An investiqation of the Electrical and Optical properties of DC Electroluminescence ZnS:Mn,Cu -powder panels". Proc. El. Dev. IEEE, 1981, 6, p. 680 688.

80. Лурье В.И., Кононенко В.И., Вергунас А.Б. Повышение надежности пленочных электролюминесцентных индикаторов импульсной формовкой. В кн.: 6 Всесоюзная конферениция по электролюминесценции. Днепропетровск, 1977, с. 117,118.

81. Андреев А.И., Васильченко В.П. Формовка порошковых электролюминесцентных конденсаторов постоянного тока. В кн.: 6 Всесоюзная конференция по электролюминесценции. Днепропетровск, 1977.

82. Андреев А.И. Исследование электролюминесценции цинксульфидных люминофоров, возбуждаемых постоянным элетрическим полем. Автореф. дис. канд. физ. мат. наук. - Тарту, 1982.

83. Власенко H.A., Кириленко Б.В., Цыркунов Ю.А. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Киев: Знание, 1981. - с.

84. Власенко Н.А., Гергель А.Н., Школа А.А. и др. Низковольтные электролюминесцентные пленочные структуры постоянного тока. В кн.: Электролюминесценция твердых тел и ее применение. - Киев, 1972, с. 228 -236.

85. Синельников Б.М. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Ровно, 1981. с. 19.

86. Синельников Б.М., Керимбеков А.В., Хубиева З.К. Спектральные проявления модели образования барьера при формовке порошковых электролюминофоров, возбуждаемых постоянным элетрическим полем // Жур. Прикладной спектроскопии, 1987, т. 47, с. 511 513.

87. Elliett schlam. Electroluminescent Phosphors. Proceedinqs of the IEEE, 1973, V. 61,7, p. 894.

88. Vecht A., Werrinq N.J., Ellis R. and Smith P.J. F 1969 J. Phys. D: Appl. Phys. 2.953.

89. P.H.J. Beatty, MSc Thesis, Thamos Polytechnic (1970).

90. P.H.J. Beatyy, 1974. PhD, Thesis Brunei University, London.

91. Синельников Б.М. Деградационные процессы в электролюминофорах, возбуждаемых постоянным электрическим полем. I Поверхнотсные явления // Электронная техника. Серия Материалы, 1985, Вып. 7, с. 50 53.

92. Синельников Б.М. Деградационные процессы в элетролюминофорах, возбуждаемых постоянным электрическим полем. II Влияние электрического поля. // Электронная техника. Серия Материалы, 1985, Вып. 7, с. 64 66.

93. Синельников Б.М., Шикунова С.Т. Изучение механизма деградации яркости и путей повышения стабильности электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. Тезисы докл. на 6 Всесоюзной конф. по электролюминесценции. Днепропетровск, 1977.

94. Синельников Б.М. Механизм "быстрого" старения электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электричеким полем // Электронная техника.

95. Серия Материалы, 1985, Вып. 3, с. 22 25.

96. Vecht A. "Electroluminescence Displays". J. Vac. Sci. Technol., 1973, 10, 5, p. 789-795.

97. Vecht A. "Method of makunq Electroluminescence devices". Пат. 3. 731. 353 (США).

98. Кулькова В.П., Савельева Г.А. Особенности формовки электролюминесцентных пленок ZnS:Cu,Mn. В кн.: Тезисы докладов семинара "Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение". -Ровно, 1981, с. 16-18.

99. Андреев А.И., Верещагин И.К. Характеристики люминесцентных излучателей, работающих на постоянном напряжении. В кн.: Тезисы докладов семинара "Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение". - Ровно, 1981, с. 23.

100. Кантария Р.В., Павелец С.Ю. Энергетическая зонная диаграмма гетеропереходов pCuxS nCdS. - ФТП, 1978, т. 12, Вып. 6, с. 1214 - 1217.

101. Власенко Н.А., Гергель А.Н., Коновец Я.Ф. и др. Исследование механизма старения электролюминесцентных пленочных источников света и способы повышения их долговечности. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1974, Вып. 16, с.48 - 53.

102. Горбачев В.В., Квасков Б.В. Явления переключения в халькогенидах меди. -Изв. ВУЗов. Физика, 1978, 7, с. 135 137.

103. Кантария Р.В., Павелец С.Ю. Электронно-графические исследования сульфида меди и рекомбинационные характеристики фотопреобразователей pCuxS nCdS. - ФТП, 1979, т.13, Вып. 1, с. 2282 - 2284.

104. Перель В.И., Эфрос А.А. Емкость р п - перехода с глубокими примесями.-ФТП, 1967, т.1, Вып. 11, с. 1693- 1701.

105. Кантария Р.В., Павелец С.Ю., Федорус Г.А. Особенности фоточувствительности сульфида меди в системе pCuxS nCdS. - ФТП, 1977, т.11, Вып. 11, с. 2106-2110.

106. Вайнер А.И., Кочарян А.А. Особенности поведения р п перехода в сильных боковых электрических полях. - ФТП, 1980, Вып. 9, с. 1821 -1823.

107. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры. ФТП, 1977, т. 11, Вып. 11, с. 2072-2083.

108. А.С. 312395 (СССР). Способ увеличения долговечности электролюминесцентных элементов (А.А. Вдовиков опубл. в Б.И.).

109. Мыльников B.C., Воронин С.П. Барьерная неустойчивость в кристаллах сульфида цинка. ФТП, 1979, т. 13, 2, с. 370 - 372.

110. Paheva S.V., Kunev S.K. Investiqation of shallon traps in deteriorated ZnS(Cu,Cl) electroluminophores compies reudus de e' Acadimie bulqare des seicnces, 1972, 12.

111. Верещагин И.К. Влияние адсорбции газов на электролюминесценцию. -Оптика и спектроскопия, 1960, т.8, Вып. 3, с.420 421.

112. Овсюк В.Н. Теория дифференциальной проводимости гетероперехода при наличии электроннных состояний на границе раздела. ФТП, 1980, т. 14, Вып. 2, с. 217-225.

113. Горбик П.П., Комащенко В.Н., Федорус Г.А. Некоторые свойства гетеропереходов на основе монокристаллов сульфида цинка. ФТП, 1977, т.11, с. 2212-2214.

114. Rose A., Phys. Rev., 97, 1538 (1955).

115. Henisch Н.К. Rectifying Semiconductor Contacts, Clarendon, Oxford, 1957.

116. Bethe H.A. Theory of Boundary Layer of Crystal Rectifiers, MIT Radioat. Lab. Rep. 43-12 (1942).

117. Crowell C.R., Sze S.M. Quantum Mechanical Reflection of Electrons at Metal-Semiconductor Barriers: Electron Transport in Semiconductor Metal - Semiconductor Structures, J. Appl. Phys., 37, 2685 (1966).

118. Chahg C.Y., Sze S.M. Carrier Transport across Metal Semiconductor Barriers, Solid State Electron., 13, 727 (1970).

119. Stratton R., J. Phys. Chem. Solids, 23, 1177, (1962).

120. Simmons J.G., J. Appl. Phys., 34, 1793 (1963).

121. Simmons J.G., Appl. Phys., 34, 2581 (1963).

122. Sze S.M., Gibbons G. Effects of Junction Carvature on Breakdown Voltage in Semiconductors, Solid State Electron., 9, 831 (1966).

123. Frenkel J. On the Theory of Electric Breakdown of Dielectrics and Electronic Semiconductors, Tech. Phys. USSR, 5, 685 (1938); On Pre-Breakdown Phe-nomen in insulators and Electronic Semiconductors, Phys. Rev., 54, 647 (1938).

124. Schottky W., Physik. Z., 15, 872 (1944).

125. Frenkel J., Tech. Phys., 5, 685 (1938).

126. Frenkel J., Phys. Rev., 54, 647 (1938).

127. O'Dwyer J.J. The Theory of Electrical Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, Clarendon, Oxford, 1973.

128. Klein N. Electrical Breakdown in Solids, Advances in Electronics and Electron Physics, Vol. 26, Academic, N.Y., 1969.

129. Sze S.M. Current Transport and Maximum Dielectric Strehdth of Silicon Nitride Films, J. Appl. Phys., 38, 2951 (1967).

130. Власенко Н.А. Фото и электролюминесценция пленок. Уч. зап. Тартус-ский гос. ун-т. - Тарту, 1973, Вып. 325, с. 3 - 68.

131. Nespurek S., Sworakobgai I., Williams I.О. The "Compensation rule" in sieadly State Spase - charge limited current. - I. of Physics C. Solid State Phisics 1976, 9, №11, p. 2073 - 2080.

132. Валеев Х.С., Квасков В.В. Влияние термообработки на электропроводность и В АХ окиси цинка. Электронная техника, 1973, вып. 4, с. 29 - 32.

133. Peterson G.E. The imperfect Solid dielectric properties, - Ireollise on Solid Stat Chemistry, 1975, №2, p. 183 - 236.

134. Vecht A. Electroluminescent Displays. J. Electroluminescence, 1972, 18 / 19, p. 760.

135. Власенко H.A, Гергель H.H. Влияние температуры на электрические и электролюминесцентные характеристики пленок ZnS Mn Си, С1. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. - Киев, Наукова думка, 1975, с. 177- 182.

136. Волькенштейн Ф.Ф, Физикохимия поверхности полупроводников, М, "Наука", 1973.

137. Девисон С, Левин Дж, Поверхностные таммовские состояния, пер. с англ, М, 1973.

138. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов, "Наука", М. (1965).

139. Nelson J.T, Irvin J.L. Journ. Appl. Phys, 30, 1847 (1959).

140. Сощин Н.П. В кн.: Физико-технологические вопросы кибернетики. Труды семинара. - Киев, 1969, Вып.", с.28.

141. Сощин Н.П. Автореф. Дисс. . кан. х. н. -М.: 1971. -24 с.

142. Коломойцев Ф.И, Пилипенко В.Н, Якушин А.Я. О медленных процессах при электролюминесценции ZnS:Cu фосфора. Изв. АН СССР, 1966, сер. физ, Т.ЗО, 9, с. 1461 - 1462.

143. Пекерман Ф.М, Королев А.Л, Петошина Л.Н. Исследование изменения физических свойств ZnS:Си электролюминофоров в процессе старения и стабилизации. В кн. Электролюминесценция твердых тел и ее применение. - Киев, Наукова думка, 1972, с. 192 - 197.

144. Fischer A.G. "Electroluminescent Lines in ZnS Powder Particles". J. Elec-trochem Soc,l 963, 110, p. 733 748.

145. Заплешко Н.Н., Гугель Б.М., Данилов В.П. Электронно-микроскопическое исследование люминофора на основе ZnS:Cu. В кн.: Люминесцентные материалы и особо чистые вещества: Сб. науч. тр., Ставрополь, 1970, Вып. 4, с. 42 - 47.

146. Заплешко Н.Н., Данилов В.П., Веревкин Ю.Н. Электронно-микроскопическое исследование процессов старения электролюминофоров. В кн.: Электролюминесценция твердых тел и ее применение. -Киев: Наукова думка, 1972, с. 197 - 200.

147. Казниец М.М. О структуре некоторых фаз системы CuxS. Кристаллография, 1969, 4, с. 704 - 707.

148. Головкина Э.Д. Автореф. Дисс. канд. техн. наук, 1967, ЛЭТИ. - 24 с.

149. Вдовенков А.А., Кролевец К.Н., Поканевич А.П. Укр. физ. ж., 1971, 16, 3,-366 с.

150. Вергунас Ф.И., Кононенко В.И., Лурье В.И. Особенности деградации пленочных электролюминесцентных индикаторов. В кн.: Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. - М.: Сов. радио, 1979, Вып. 4, с. 3-302.

151. Roqers L. A. Kinetics of Electroluminescent Deterioration in some ZnS Phosphores. J. Electrochem. Soc., 1964, 111, p. 411-412.

152. Roberts S. "Aqeinq Characteristics of Electroluminescent Phosphors." -J.Appl. Phys. 1957, v. 28, №2, p. 262 265.

153. Thornton W.A. Electroluminescence Maintenance. Electrochem Soc., 1960, 107, 11, p. 895-907.

154. Thornton W.A. Electroluminescence Deterioratin. J. Appl. Phys., 1957, № 28, p. 313-316.

155. Thornton W.A. Oxsyqen asa Factor in Electroluminescence Maintenance Academie Press, tondon New. York, v. 4, part 2, 1960. Solid State Phys.in Electronic and Selecommunications. p. 654 658.

156. Joffe 3.M. "On the Theory of Electroluminescence Deterioration." J. Electrochem Soc., 1961, 108, p. 711,712.

157. Пекерман Ф.М. В кн.: Химия и технология люминофоров. - Л.: Химия, 1969, с. 40.

158. Григорьев Н.Н., Кулюпин Ю.А. Некоторые результаты исследования процесса порчи люминофора при электролюминесценции. Оптика и спекстроскопия, 1961, Т. X., Вып. 6, с. 780 - 786.

159. Lehmann W. Huper Maintenance of Electroluminescence. - J. Electroluminescence. - J. Electrochem. Soc., 1966, 113, p. 40 - 42.

160. Петошина Л.М., Пекерман Ф.М., Казанцева H.H. Зависимость яркости свечения и стабильности работы электролюминесцентных конденсаторов от условий возбуждения. Светотехника, 1964, 12, с. 15 - 18.

161. Веревкин В.Н. Автореф. дисс. Исследование процесса старения в элетро-люминесцентных конденсаторах на основе цинк сульфидных люминофоров. - Канд. физ. - мат. наук. - Л.: 1970, - 25 с.

162. Hahn D., Mitkes J., "Aqeinq mechanism of ZnS:Cu Electroluminescence". -J.Phys. Chem. Solids, 1968, 29, p. 1287- 1292.

163. Верещагин И.К., Селезнев В.А., Токарева Е.Т. О возможности ускоренных испытаний электролюминесцентных источников света на срок службы. В кн.: Труды МИИТ. - М.: 1977, Вып. 522, с. 20-23.

164. Верещагин И.К., Ковалев Б.А. Изменение величин, характеризующих процессы ионизации и рекомбинации при старении электролюминофоров. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. - Киев: Наукова думка, 1975, с. 85-88.

165. Pakeva S.V., Kolentsov К.М., Balchev N.A. Pecularities of ZnS electroluminescence atter liqxt fieed effect, - Comptes rendus de L' Academie Bulqare des Sciens, 1978, t. 31,1, p. 23 -36.

166. Кисилева E.B. Кинетика гетерогенных химических реакций. Часть И. Диффузионные процессы. М.: МХТИ им. Д.И. Менделеева, 19696 - 93 с.

167. Morello V., Onton A. Dependence of Electroluminescence Efficincy and Me-tory Effect on Mn concentration in ZnS:Mn Actel Devices - IEEE - Transactions on Electron Devices, 1988, V.E.D. - 27, 9, p. 1767 - 1770.

168. Pakeva S.V., Kolentson K.M., Yanakiev A.Y., Kanev S.K. Effect of light on the ageing processes of ZnS (Cu, halogen) electroluminescent cells. Bulg. J. of Phys., 1976 (77), 3, №4, p. 415-421.

169. Пекерман Ф.М., Петошина JI.H. Исследование светоотдачи электролюминесцентных конденсаторов. Оптика и спектроскопия, 1974, т. 16, вып. 3, с. 496 - 500.

170. Петошина JI.H., Пекерман Ф.М. Исследование светоотдачи электролюминесцентных конденсаторов. Химия и технология люминофоров. M.-JL: Химия, 1964, вып. 51, с. 66 - 74.

171. Ковалев Б.А., Колесниченко Б.А. Измерения потребляемой мощности и светоотдачи при старении электролюминофоров. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1974, вып. 10, с. 66-71.

172. Белоголовская Т.И., Долгополова JI.H., Петрова Н.Г. и др. Характеристики электролюминесцентных панелей и их изменение в процессе эксплуатации. Светотехника, 1976, № 2, с. 16-17.

173. Верещагин И.К., Ковалев Б.А. Изменение величин, характеризующих процессы ионизации и рекомбинации при старении люминофоров. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. Киев: Наукова Думка, 1975, с. 85-89.

174. Ковалев В.А., Ведехин А.Ф. Об изменении вольт-амперной характеристики электролюминесцентных индикаторов в процессе старения.-Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1970, вып. 3, с. 126

175. Hahn D., Mitkes J. Zur Alterung elektrolumineszenter ZnS:Cu Phosphore. -Zeitangew. Phys., 1966, v. 20, s. 458 - 461.

176. Кыласов B.A., Серобабин M.T., Иванова И.М. Механизм потемнения электролюминесцентного слоя. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1980, вып. 553, с. 42 - 52.

177. Веревкин Ю.Н. Процессы старения в электролюминофорах ZnS:Cu. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1976, вып. 379, с. 53 -85.

178. Ковалев Б.А., Меркулова В.В. Распределение меди в люминофорах до и после старения. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1978, вып. 17, с. 35 — 38.

179. Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос). М.: Наука, 1969, 295 с.

180. Сощин Н.П., Тальвисте Э.К., Таммик А.А. О стабильности порошковых электролюминофоров с защитным электрохимическим покрытием. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1972, вып. 292, с. 13 - 25.

181. Сощин Н.П., Орлов И.Н. Электрохимическая природа старения электролюминофора. В кн.: Электролюминесценция твердых тел. Киев: Науко-ва Думка, 1971, с. 279 - 283.

182. Кыласов В.А., Серобабин М.Т., Корнева Р.В. Эффект потемнения электролюминесцентных слоев. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1979, вып. 509, с. 58 -75.

183. Пекерман Ф.М., Козлова Н.А., Петошина JI.H. и др. Исследование стабильности электролюминофоров. M.-JL: Химия, вып. 1964, вып. 51, с. 40 -52.

184. Кузнецова Р.В. О влиянии обработки поверхности порошковых электролюминофоров на предпробойную электролюминесценцию. (Рукопись дел. в ВИНИТИ, № 3680-76).

185. Arsoba W., Wrzesincka A. The ageing process in electroluminescence of ZnS

186. Си. Acta Phys. Polon., A, 1975, v. 5, №5, p. 573 - 581.

187. Golberg F., Nickerson J.W. J. Appl. Phys., 1966, 34, p. 1601.

188. Дубовицкая И.М., Тальвисте Э.К., Таммик А.А. Влияние защитного компаунда на стабильность ЭЛК. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1971, вып. 271, с. 112 -121.

189. Стауэр Э.В., Балабанова М.П. Влияние адсорбции влаги на фотолюминесценцию и электролюминесценцию электролюминофоров. В сб.: Материалы и приборы радиоэлектроники. Днепропетровск, 1968, с. 42 - 44.

190. Типп Х.Р. Масс-спектрометрическое исследование дегазации порошка ZnS для люминофоров. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1975, вып. 379, с. 155 - 162.

191. Ворушилин А.В., Бублик В.А., Ковалев Б.А. Влияние полиуретановых компаундов на стабильность электролюминесцентных конденсаторов. -Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1975, вып. 13, с. 100-102.

192. Srivastava B.N., Singh S. Posible effects of water vapour on the photoconductivity of ZnS photo-conductors. Indian J. Pure & Appl. Phys., 1970, v. 8, №1, p. 59-60.

193. Nobbs J. The effects of water vapour on the photo-conductivity of Zinc-Oxide. J. Phys. Chem. Solids, 1968, v. 29, p. 439 - 450.

194. Реми Г. Курс неорганической химии. М.: Мир, 1974, т. 2. 775 с.

195. Balazs L., Harsy М., Szabo J. Bemercung zur Abnahme der Leuchtintenstat von Elektrolumineszenzzellen. Acta Phys. Hung., 1962, v. 14, p. 155 - 164.

196. Заботин B.M., Ребане К. C.K., Саморуков В.Е. О некоторых вопросах электролюминесценции и электрофотолюминесценции. - Тр. ИФА АН Эст ССР, 1962, с. 102-106.

197. Пийр К.Ю., Ребане К. С.К., Реало К.В. О влиянии влаги и химического состава на старение сублимат-фосфоров. - Изв. вузов СССР. Физика, №3, с. 125- 127.

198. Вишева Т.П., Красников Н.И., Свечников С.В. и др. Срок службы электролюминесцентных тонких пленок ZnS-Mn. ЖПС, 1970, т. 12, вып. 5, с. 945-947.

199. Ковалев Б.А, Голодко В.И. Влияние влаги на старение цинксульфидных электролюминофоров. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1980, вып. 553, с. 31 -41.

200. Гаврилов В.В, Заплешко Н.Н, Подколзина Т.М. Исследование влаговы-деления порошков сульфида цинка методом масс-спектрометрии. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1974, вып. 10, с. 81-87.

201. Smith J, Potter R, Aven M. Mechanism of Depreciation of Elecrtoluminescent Phosphors. J. Electrochem. Soc., 1960, 107, p. 62 c.

202. Соркин Ф.В, Беляев А.П, Бородин Н.С. Применение электролюминесценции для разработки знаковых индикаторов. Изв. АН СССР. Сер. фи-зич, 1961, т. 25, №4, с. 527 - 529.

203. Антипов Ю.Л, Изумрудов О.А. Электролюминесцентный герметизированный конденсатор. Авт. свид. № 400062, БИ, 1973, №39.

204. Sylvania Electric Prod. Inc Improvements in Electrolum. Lamps. Пат. Англии, № 778363, опубл. 03.07.57.

205. General Electric Company. Impruvements in or relating to EL devices. Пат. Англии, № 756932, опубл. 12.09.56.

206. Walker C.H. Encased Electroluminescent devices. Пат. США, № 2821646, on. 28.01.58.

207. Allinkov S. Coated Electroluminescent Phosphors. Пат. США, №4097776, on. 27.06.78.

208. Ясуити К, Иторо Й., Акахито X. Улучшение влагостойкости неорганических тонких порошков и пленок. -Япон. заявка, № 53-57187, оп. 24.05.78.

209. Дубина Л.Ф., Матизен Л.Д, Сощин Н.П. и др. Повышение стабильности электролюминофоров действием редкоземельных модификаторов. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1973, вып. 315, с. 124 - 130.

210. Сощин Н.П, Тальвисте Э.К, Таммик А.А. Срок службы ЭЛК с поверхностно модифицированными электролюминофорами. В сб.: Тезисы докл. Всесоюзн. Кон. "Применение электролюминесценции в народном хозяйстве". -Черновцы, 1971, с. 92.

211. Пилипенко Б.М., Стауэр Э.В. Влияние влаги на яркость свечения и старение цинксульфидных электролюминофоров. В кн.: Электролюминесценция твердых тел. Киев: Наукова Думка, 1971, с. 290 - 293.

212. Abdalla MJ. Electroluminescent Displays. Display Technology Review, Part 1, Electro /81, New York, 1981, April, p. 1 - 9.

213. Матизен Jl.Д., Тальвисте Э.К., Таммик А. А.А. Усовершенствование некоторых методов исследования деградации ZnS электролюминофоров -Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1978, вып. 466, с. 46 - 52.

214. Матизен Л.Д., Тальвисте Э.К., Таммик А.А. О кинетике старения электролюминофоров. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1974, вып. 346, с. 132 - 140.

215. Ковалев Б.А. Влияние условий эксплуатации на спектры излучения электролюминофоров. Светотехника, 1981, №6, с. 4 - 5.

216. Vecht A. Proc. of the 4 Oxford declure Cousse "Electronic Components", October, 1968, t. 9, 10, p. 1153 1158.

217. Vecht A., Werrinq N.J., Ellis R. and Smith P.J., F 1973, Proc. IEEE 61 902 ("Direct-current Electroluminescence in ZnS. Proc. El. Dev. IEEE, 1973, 61, №7, p. 902 907).

218. Изумрудов О.A., Лукица И.Т. Корреляционная оценка изменения яркости и концентрации ловушек в электролюминесцентных индикаторах. Изв. ЛЭТИ. - Л.: 1977, 211, с. 165 - 170.

219. Tamm I.E. Phys. Z. SU, 1932, 1, 733.

220. Goodvin E.T. Proc. Cambr. Phil. Soc., 1939, 35, 221, 232.

221. Кузнецов B.B., Сандомирский В.Б. Кинетика и катализ, 1962, 3, 724.

222. Ребяне К. С.К. Активная поверхность твердых тел и электролюминесценция. - Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1975, вып. 379, с. 86 - 96.

223. Реало К.В., Тальвисте Э.К., Фок М.В. Влияние обработки поверхности на электролюминесценцию порошковых ZnS-электролюминофоров. В кн.: Электролюминесценция твердых тел. Киев: Наукова Думка, 1971, с. 284 -286.

224. Дубина Л.Ф., Матизен Л.Д., Сощин Н.П. и др. Повышение яркости свечения электронами фосфоров модифицированных редкоземельными элементами. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1976, вып. 379, с. 112 - 121.

225. Сощин Н.П., Тальвисте Э.К., Таммик А.А. Влияние поверхностных модифицированных покрытий на стабильность порошковых электролюминофоров. В сб.: Материалы V Всесоюзного совещания по электролюминесценции. Ставрополь, 1974, с. 42 - 47.

226. Матизен Л.Д., Тальвисте Э.К., Таммик А.А. Влияние адсорбции газов на электролюминесценцию порошковых ZnS люминофоров. В кн. : Вопросы физики электролюминесценции. Киев: Наукова Думка, 1975, с. 158 — 162.

227. Goldberg P. Particle Size Effect and the Distribution of Barriers in Electroluminescent Zinc Sulphide Phosphors. J. Electrochem. Soc., 1959, v. 106, p. 34 -39.

228. Матизен Л.Д., Тальвисте Э.К., Таммик A. А.А. О роли поверхности в старении порошковых электролюминофоров. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. Днепропетровск, 1979, с. 144- 152.

229. Григорьев Н.Н., Кулюпин Ю.А. Некоторые результаты исследования процесса порчи электролюминофоров при электролюминесценции. Оптика и спектроскопия, 1961, т. 10, №6, с. 780 - 786.

230. Матизен Л.Д., Тальвисте Э.К., Таммик А.А. Некоторые характеристикиэлектролюминофоров с повышенной стабильностью. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1976, вып. 379, с. 97-111.

231. Матизен Л.Д., Тальвисте Э.К., Таммик A.A. Усовершенствование некоторых методов исследования деградации ZnS электролюминофоров. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1978, вып. 466, с. 46 - 52.

232. Бородина Т.А., Минакова Т.С., Гугель Б.М. Адсорбция кислорода на активированных образцах сульфида цинка. В сб.: Материалы Совещания "Технология, процессы, аппараты и качество промышленных люминофоров". Ставрополь, 1978, с. 46 - 49.

233. Каламазов Р.У., Коккозов Р. Влияние адсорбции кислорода при гамма-облучении на электропроводность PbS и ZnS. Изв. АН СССР. Сер. физ.-мат. наук, 1974, №3, с. 98 - 99.

234. Быкова Т.Г., Комолов С.А., Лазнева Э.Ф. Влияние адсорбции кислорода и окиси углерода на величину потенциала поверхности CdS. Вестник ЛГУ. Л., 1976, вып. 4, №22, с. 57 - 60.

235. Минакова Т.С., Майдановская Л.Г., Кузнецов П.Н. Исследование характера адсорбции газов на сульфиде цинка методом электронного парамагнитного резонанса. Журн. физич. химии, 1970, т. 44, с. 2343 - 2344.

236. Фок М.В. Проблемы электролюминесценции пленок. В сб.: Электролюминесценция пленки. Тарту, 1972, с. 3 - 6.

237. Титов A.B., Демидов К.Б. Спектроскопия локальных поверхностных состояний в кристаллофосфорах ZnS, Си, С1. Оптика и спектроскопия, 1981, т. 50, вып. 2, с. 400-403.

238. Верещагин А.К. Влияние адсорбции газов на электролюминесценцию. -Оптика и спектроскопия, 1962, т. 12, с. 122-123.

239. Крылова И.В., Данчевская М.Н., Кобозев Н.И. Люминесценция и катализ. Журн. физич. химии, 1955, т. 29, с. 1684 1695.

240. Майдановская Л.Г., Минакова Т.С. Адсорбция газов на люминофоре ZnS-CdS-Cu. Журн. физич. химии, 1967, т. 41, с. 1447 - 1450.

241. Тенякова Н.А., Ратнер И.М. Влияние концентрации меди на адсорбционную способность люминофора ZnS:Cu:Cl в рамках электронной теории хемосорбции. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1971, вып. 5, с. 203 - 206.

242. Соколов В.А., Горбань А.Н. Люминесценция и адсорбция. М., "Наука", 1969.

243. Верещагин И.К. Электролюминесценция и поверхностные свойства кри-сталлофосфоров. Изв. АН СССР. Сер. физич., 1961, т. 25, - 4, с. 518 -520.

244. Нымм У.Х. Хемосорбция и поверхностные свойства соединений А2В6 (CdS). Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1974, вып. 346, с. 14 - 70.

245. Sinelnikov В.М., Koibaeva I.A. "The Effect of Triple Charged Ions in the Processes of Direct Current Electroluminescence". Inorganic and Organic Electroluminescence. Berlin, August 1996, p. 339 341.

246. Петошина Л.Н., Красноперов B.A., Пекерман Ф.М. Изменения физических свойств электролюминофоров в процессе старения. Химия и технология люминофоров. Л.: Химия, 1968, вып. 60, с. 5 - 11.

247. Дворжак Л., Купка 3. Старение люминофоров ZnS-Cu с высокой концентрацией активатора с точки зрения их спектральных характеристик. -Acta Univ. palack. olomuc. Fac. rerum natur., Phys., 1977, v. 53, p. 247 261.

248. Ковалев Б.А., Голодко В.И. Исследование цинксульфидных электролюминофоров с примесью кобальта. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1978, вып. 466, с. 18-25.

249. Ковалев Б.А., Меркулова В.В. Исследование влияния примеси лития на основные характеристики электролюминофоров. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1977, вып. 16, с. 106 - 108.

250. Дихтер М.А., Казанкин О.Н., Кужелев Л.П. и др. Разработка электролюминофоров с различными свойствами для систем индикации. Химия и технология люминофоров. М.-Л.: Химия, 1972, вып. 69, с. 54 - 60.

251. Головихина В.П., Золотарев В.Ф., Кузнецова Р.В. Влияние диэлектрической среды на характеристики предпробойной электролюминесценции. (Рукопись дел. ВИНИТИ, №376-75).

252. Лапин А.П., Леонов Б.А. Влияние различных диэлектрических сред на процесс "старения" электролюминофоров. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1970, вып. 4, с. 48 - 51.

253. Лапин А.П. Особенность старения порошковых электролюминофоров в некоторых фосфорных диэлектриках. Тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, 1971, вып. 5, с. 108 - 113.

254. Федына В.Н. О причинах старения электролюминесцентных приборов. -Светотехника, 1975, №11, с. 7, 8.

255. Пасынков В.В., Савельев Г.А., Лукица И.Г. и др. Влияние основных технологических и эксплуатационных факторов на надежность электролюминесцентных индикаторов. Электронная техника. Сер. 1, вып. 5(83), 1980, с. 34-47.

256. Tanaka J., Berg D. The Effect of Dielectric Constant of the Embedding Media on Electroluminescent Light Intensity. J. Electrochem. Soc., 1963, v. 110, p. 580-582.

257. Дубовицкая И.М., Федина B.H., Ильмоя K.A. К вопросу о герметизации электролюминесцентных индикаторов. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1977, вып. 412, с. 98- 107.

258. Солодкин В.Е., Тальвисте Э.К. О влиянии связующего на яркость свечения порошковых ZnS-фосфоров. Изв. вузов СССР. Физика, 1968, № 1, с. 139- 143.

259. Пекерман Ф.М., Петошина Л.Н., Казанцева H.H. и др. Исследование характеристик электролюминесцентных конденсаторов, приготовленных с различными диэлектриками. Тр. СИПХ. JI, 1974, с. 30 - 34.

260. Roberts S. Field Strangth and Temperature Studies of Electroluminescent Powders in Dielectric Media. JOS A, 1952, 42, p. 850 - 854.

261. Солодкин B.E. Электростарение сверхярких электролюминесцентных конденсаторов. В кн.: Электролюминесценция твердых тел. Киев, Нау-кова Думка, 1971, с. 287 - 290.

262. Пекерман Ф.М, Петошина JT.H, Казанцева Н.Н. Влияние концентрации люминофора в слое диэлектрика на основные характеристики электролюминесцентных конденсаторов. Светотехника, 1965, №7, с. 20 - 22.

263. Коленцов К, Балтов Н. Электролуминесцентни цинковосульфидни слоеве въерху метална подложка. Годишник высш. техн. учебн. завед. Физика, 1973 (1975), т. 10, №2, с. 135 - 142.

264. Петошина JI.H, Пекерман Ф.М, Осипов В.А. и др. Зависимость люминесцентных характеристик некоторых цинксульфидных электролюминофоров от температуры. В кн.: Электролюминесценция твердых тел. Киев, Наукова Думка, 1971, с. 265 - 269.

265. Kawarada H, Ohshima N. "DC EL Materials and Technigues for Flat-Panel TV. Display". Proc. El. Dev. IEEE, 1973, 61, №7, p. 907 915.

266. Hanak J.J, Jocom P.N. "DC-Electroluminescence Flat-Panel Displays". RCA Laboratories, Princeton, New Jersy 08540, TRECOM 0210-10, 1972.

267. Vecht A, "DC electroluminescence in ZnS and Related Compounds". J. of Luminescence, 1973, 7, p. 213 -220.

268. Ranby P.W, Chem Ph. D.C, Smith D.W. Electroluminescent panel devices. -IEEProc, 1980, v. 127, №3, p. 196-201.

269. Верещагин И.К, Селезнев В.А. Влияние напряжения на скорость старения электролюминофоров. ЖПС, 1978, т. 28, вып. 6, с. 1024 - 1027.

270. Верещагин И.К, Ковалев Б.А, Селезнев В.А. Влияние напряжения на скорость старения электролюминофоров. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. Днепропетровск, 1979, с. 19-24.

271. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. и др. Неорганические люминофоры. Д.: Наука, 1975. - 191 с.

272. Веревкин Ю.Н. Процессы старения в электролюминофорах ZnS:Cu. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1976, вып. 379, с. 53 - 85.

273. Веревкин Ю.Н. Процессы старения в электролюминесцентных конденсаторах, возбуждаемых напряжением несинусоидальной формы. В сб.: Материалы V Всесоюзного Совещ. по электролюминесценции. Ставрополь, 1974, с. 47-50.

274. Верещагин И.К., Селезнев В.А., Токарева Е.Б. О возможности ускоренных испытаний электролюминесцентных источников света на срок службы. Тр. МИИТа. М, 1977, вып. 552, с. 20-23.

275. Петошина JI.H., Пекерман Ф.М., Осипов В.А. и др. Влияние температуры на свойства электролюминесцентных конденсаторов. Сб. рефератов по химии и технологии люминофоров за 1969 год. JL, 1969, с. 22.

276. Корсунь В.М., Немченко A.M. Электролюминесценция при диффузии меди в кристаллах ZnS. ФТТ, 1966, т. 8, с. 3718 - 3720.

277. Nelckowski Н., Bollman G. Diffusion von In und Cu in ZnS Ein - Kristallen. - Z. Naturforseh., 1964, v. 24a, S. 1032 - 1035.

278. Glaser D. Electrolumineszenz Anzeiqe phosphoreszierendes Material dafür. Патент 36 21209 (ФРГ), приоритет США, 3.07.1985.

279. Glaser D. Phosphoreszenzmaterial Electrolumineszenzanzeiqen. Патент 37 12004 (ФРГ), приоритет США, 9.04.1986.

280. Glaser D. Phosphorescent material for electroluminescent displays, comprisinq silver sulfide coatinq on phosphor particles and/or elemental sulfur in dielectric binder for phosphor particles. Пат. 4826727 (США), заявлено 14.04.1987.

281. Лосев O.B. У истоков полупроводниковой техники. Избранные труды. -Л.: Наука, Ленинградское отделение, 1971.

282. Лисицин Б.Л. Элементы индикации. М.: Энергия, 1978.

283. Лямичев И .Я. Устройства отображения информации с плоскими экранами. М.: Радио и связь, 1983.

284. Быстров Ю.А., Литвак И.И. и др. Электронные приборы для отображения информации. М.: Радио и связь, 1985.

285. Хамагава К., Окомото Д. Положение в области разработки электролюминесцентных индикаторных панелей. Денси Гидзюцу, 1978, т. 20, №11, с. 39-41.

286. Яблонский Ф.М. Исследования и разработки плоских телевизионных экранов.- Зарубежная радиоэлектроника, 1982, № 1, с. 63-79.

287. Яблонский Ф.М. Электронные индикаторы и их применение в дисплеях и больших экранах. Итоги науки и техники. Сер. электрон. ВИНИТИ, 1988, т. 20, с. 54 85.

288. Chang J.E. Pecert Advances in Display Technologies Procecding the S.J.D., 1980, v. 21/2, p. 45 -54.

289. Судзуки T. Электролюминесцентный дисплей. Денси дзайрс, 1979, №4, с. 83-85.

290. Справочная книга по светотехнике / Под ред. Ю.Б. Айзенберга. М.: Высшая Школа, 1983.

291. Kazan В. Electroluminescent displays. Proc. Soc. Inf. Display, 1976, vol. 17, №1, p. 23-29.

292. Noshiyama M. " Electroluminescent Fiat Panel. Displays Proc., 1970, IEEE. Ant. Computer Group conf. p. 261.

293. Исуи. Электролюминесцентное панельное телевидение. Мицубиси дэн-ки, 1970, т. 44, №11.

294. Судзуки Т. Электролюминесцентный дисплей и пути его разработки. -Дэнси дзайрс. Специальный выпуск: Дисунурей дэбайсу тидзюцу, 1977, ноябрь, с. 25.

295. Alfrey G.F., Taylor N.R. Helv. phys. acta, 30, 206 (1957).

296. Destriau G., I vcy H.F. Proc IRE, 43 1911 (1955).

297. Zalm P. Philips. Res. Repts., 11, 353 (1956).

298. Lehmann W. Phys. Rev., 101, 489 (1956).

299. Разработка эффективных электролюминофоров, возбуждаемых переменным электрическим полем промышленной частоты 50 Гц. // Реф. сб. Сер. Химия и технология люминофоров и чистых неоргинических материалов. Вып. 2. М.: НИИТЭХИМ, 1981. С. 1-3.

300. Ohukubo N., Sato Y., Tonaka H. Nigh brightness plastic electroluminescent lamps //NEC Technol. J. 1981, Vol. 34, №8. p. 71 74.

301. Mutzhas F. Leuchtplatten Flachenformige Electroluminescent Lampen // Elektritats vermert. 1979. Bd. 54, №11. S. 261 - 263.

302. Власенко H.A. Электролюминесцентные пленки как источник света для целей оптоэлектроники // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев, 1973, Вып. 13. с. 93 101.

303. Suzuki Ch., Inoguchi Т., Mito S. Thin Film EL Displays // J. Inform. Display. 1977. Spring. P. 14-19.

304. Takeda Mikio Elektrolumineszenz Flachibildschirme fiir Text und Grafik // Elektronik. 1984. Bd 33. № 10. s. 80 - 84.

305. Тезисы докладов к расширенному заседанию секции электролюминесценции Научного совета по люминесценции. АН СССР (Тарту, 25 27 июля 1985 г.). Тарту: изд. ТГУ, 1985.

306. Fugute К. IEEE. Trans., 1977, v. ED - 24, № 7.

307. Электроника, 1978, т. 51, № 13, с. 117.

308. Un ecran electroluminescent compatible IBM et MS/DOS. // Toufe electron. -1986.-№519.-p. 11.

309. Hideomi О. Новейшие тенденции развития электролюминесцентных приборов. // Эрекутороникусу, Electron. Mag. 1987. - 32, № 2 - p. 31 - 35.

310. Manuel Т. The picture brigtens in flat panel technology. // Electronics. 1987. -60, №22.-p. 55-58.

311. Manuel T. Coming soon from Planar a full color EL display. // Electronics.1987. -60, №22. -p. 63-64.

312. Судзуки Т. Электролюминесцентные индикаторы: Пер с яп. // Эрэкуторо-никусу. 1979. Т. 24, №12. с. 1081 1087.

313. Короленко Б.Н., Семчук А.Ю. Порошковые электролюминофоры и устройства, постоянного тока. Киев: ИФ АН УССР, 1984.

314. Theis D., Venghaus Н. Electrolumineszenz Displays Aufban und Funktion // Elektronik. 1982. Bd. 54, № ll.S. 261-263.

315. Хиробаяси К., Ито У., Като К. Основные факторы, определяющие яркость и срок службы электролюминесцентных конденсаторов // Кэнкю дзуцика хохоку. 1982. Т. 31, №10. с. 1909 1919.

316. Верещагин И.К. Барьеры, учавствующие в возбуждении электролюминесценции ZnS:Cu // Жур. Известия вузов. Физика, №2, 1998, стр. 89 91.

317. Steyer T.R., Goede W.F. Chellenges of advanced display technology development // Proc. of Soc. Photo-Opt. Instrum. Engng. 1979. Vol. 199. p. 48 52.

318. Jacson R. Flat television display the shape things to come. Electronic and Power, 1979, v. 25, № 9, p. 615 - 621.

319. Иосияма. Телеиндикаторное устройство с электролюминесцентной панелью постоянного тока. Таккай гадзохёси иинкайсаи, 1971, т. 17.-е. 670.

320. Йосияма. Об электролюминесцентном телеиндикаторном устройстве постоянного тока. Таккай гадзохёси иинкайсаи, 1972, № 5, вып. 2А.

321. Vecht A. Direct Current Electroluminescence in the zinc Sulphide State of the Cert-Prog. IEEE, 1973, Vol. 61, №7, p. 763.

322. Ellis R., Mears A.L., Parker J., Sarginson R., An alphanumeric DC electroluminescent display, Proc. int Conf., Alphanumeric Syst. Dev., Paris, 1973.

323. Elektron, 1979, №6-7, S. 185.

324. Werring N.J., PhD Thesis Thames Polytechnic, London.

325. Воробьев Г.А., Мухачев B.A. Пробой тонких диэлектрических пленок. -М.: Сов. Радио, 1977. 69 с.

326. Шафизаде Р.Б., Иванова И.В., Казинец М.М. Исследование взаимодействия пленок CuyS (Se) при вакуумном осаждении. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т. 11, №2, с. 353 - 355, 1975.

327. Некрасов Б.Н. Основы общей химии. М.: Химия, т. 3, 1970.

328. Kullerud E.G., Year Book 59,1959 1960 Carnegue Inst., Washington, 1960.

329. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975,218 с.

330. Горбачев В.В. Полупроводниковые соединения А2Вб. М.: Металлургия, 1980, 132 с.

331. Routie R., Mahenc J. "Electrical properties of Crystals of Cuprous Sulphides". J. Chem. Phys. Biol. 1962, 65, № 4, p. 1102 1107.

332. Сорокин Г.П., Идраган Г.З., Сорокина З.М. Некоторые св-ва монокристаллов Си2х Те. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, 11, №8, с. 1357- 1360.

333. Идриган Г.З., Сорокин Г.П. Ширина запрещенной зоны Cu2Se, Cu2Te, Cu2S. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, 11, № 2, с. 351 — 352.

334. Сорокин Г.П., Андронин И.Я., Ковтун Е.В. Оптическое поглошение кристаллов Cu2Se, Cu2Te, Cu2S. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, 11, №12, с. 2129-2132.

335. Nakayama N. "Ceramic CdS Solar Cell". J. Joorn. of Appl. Phys.", 1969, 8, № 4, p. 455.

336. Ishikawa Т., Mijatani S. "Electronic and ionic condactin in Cu2Se, Cu2.x S, Cu2x (Se, S). J. Phys Soc. Japan. 1977, 42, № 1, p. 159 167.

337. Kao Kwan C. New theory of electrical discharge and breakdown in low-mobility condensed insulators // J. Appl. Phys 1984. - v. 55. - № 3. - p. 752 -755.

338. Койбаева И.А. Физико-химические основы технологии синтеза электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. Авт. дисс. канд. хим. наук. Ставрополь, 1994, 24 с.341342343344345346347348,349350351352,353,354355,

339. Крутиков A.M., Горшков А.В., Сидоренко К.С., Камарицкий Б.А. В кн.: Синтетические методы на основе металлоорганических соединений. Пермь: Изд. ПГУ, 1977, с. 92.

340. Левин В.Ю., Андрианов К.А., Слонимский Г.Л. и др. Высокомолек. соед., 1974, т. 16А, с. 1951.

341. Камарицкий Б.А., Липаев С.М., Лякин Ю.И. и др. В кн.: Тезисы докл. I Всесоюзн. конф. по композиционным материалам и их применению в народном хозяйстве. Ташкент, 1980, т. 1, с. 128.

342. Лякин Ю.И., Камарицкий Б.А., Членова Л.Г. В кн.: Труды XII Всесоюзн. совещ. по органическим полупроводникам (Пасанаури, 1982). М.: Изд. ИЭЛ АН СССР, 1983, т. 1, с. 209.

343. Тоныпин A.M. В кн.: Труды XII Всесоюзн. совещ. по органическим полупроводникам (Пасанаури, 1982). М.: Изд. ИЭЛ АН СССР, 1983, т. 1, с. 169.

344. Почтенный А.Е., Ратников Э.В. Докл. АН СССР, 1981, т. 25, с. 225. Спектор В.Н., Камарицкий Б.А., Андреева И.П. Препринт С-22 VIII Конгресса ИМЭКО (Москва, 1979). М.: Изд. ЦНИИТЭИ приборостроения, 1979, с. 13.

345. Ланкин Я.И., Конторович С.И., Амелина Е.А., Щукин Е.Д. Коллоидн. ж., 19080, т. 42, с. 649.

346. Липаев С.М., Камарицкий Б.А., Крашенинников A.M., Михайлов В.М., Тоныпин A.M., Спектор В.Н. В кн.: Труды XII Всесоюзн. совещ. по органическим полупроводникам (Пасанаури, 1982). М.: Изд. ИЭА АН СССР, 1983, т. 1, с. 197.

347. Соколов H.H. Методы синтеза полиорганосилоксанов. М.-Л.: Госэнерго-издат, 1959.

348. Shwarz B.J. J. Electrochem. Soc., 1959, v. 106, p. 871.

349. Андрианов К.A. Методы элементоорганической химии. Кремний. М.: Наука, 1968.

350. Воронков М.Г., Милешкевич В.П., Южелевский Ю.А. Силоксановая связь. Новосибирск: Наука, 1976.

351. Молотова М.А. Промышленное применение кремнийорганических лакокрасочных покрытий. М.: Химия, 1978.красочных покрытий. М.: Химия, 1978.

352. Левин В.Ю, Попков B.C., Андрианов К.А., Слонимский Г.Л, Жданов А.А, Беловцева Е.М, Квачов Ю.П, Макарова Н.Н. В кн.: Тезисы докл. IV Международного симпозиума по химии кремнийорганических соединений. Т.2М, 1975,ч. 2, с. 23.

353. Андрианов К.А. Кремнийорганические полимерные соединения. М.: Гос-энергоиздат, 1946.

354. Андрианов К.А, Спектор В.Н, Камарицкий Б.А. и др. Ж. прикл. химии, 1976, т. 49, с. 2295.

355. Твердохлебова И.И, Ларина Т.А, Рыбкина А.Ю. и др. Высокомолек. со-ед., 1981, т. 23 Б, с. 279.

356. Андрианов К.А, Хананашвили Л.М. Технология элементоорганических мономеров и полимеров. М.: Химия, 1973.

357. М. Aven and D.A. Cusano. J. Appl. Phys. 35, 606 (1964).

358. C.R. Crowell and S.M. Sze, Solid State Electron. 9, 1035 (1966).

359. Вершинин Ю.Н, Зотов Ю.А. Перегревная неустойчивость в кристаллических изоляторах в предпробойном электрическом поле // ФТТ, 1975, т. 17, № 3, с. 826-834.

360. Вершинин Ю.Н, Зотов Ю.А. Влияние акустического рассеяния на механизм нарушения электрической прочности ионных кристаллов // ФТТ, 1975, т. 17, № 12, с. 3487 3494.

361. Osborn С.М, Chon N.J. Hecelerateg dielectric breakdown of silicon dioxide films // J. of Electrochem. Soc, 1973, v. 120, № 10, p. 1377 1384.

362. Галич H.E. Тепловой пробой слоя среды с движущимся объемным источником энергии // ЖТФ, 1985, т. 55, № 11, с. 2106 2114.

363. Chandra Shekar М, Hari Badu V. Electrical breakdown studies with a.c. voltage on Al-CeO-Al thin film capacitors // Mater. Sci. Lett, 1984, v. 3, № 9, p. 795-798.

364. Harari E. Dielectric breakdown in electrically stressed thin film of thermal382383384385386387388389390391.392393,394

365. Si02 // J. Appl. Phys., 1978, v. 49, № 4, p. 2478 2489.

366. Klein N., Lisak Z. Extended temperature range for the maximum dielectricstrength // Proceedings of the IEEE, v. 54, № 7, p. 979 980.

367. Di Stefano Т.Н., Shatzkes M. //J. Vac. Technol, 1975, v. 12, №1, p. 123 131.

368. Weinberg Z.A., Nguyen T.N. The relation on bitween positive charge andbreakdown in metal-oxide-silicon structures // J. Appl. Phys., 1987, v. 61, p.1947-1956.

369. Верещагин Ю.Н. Соотношение скоростей электрического разряда и звукав твердых диэлектриках // ЖТФ, 1989, т. 59, № 2, с. 158 160.

370. Di Maria D.J., Shasiak J.W. Trap creation in silicon dioxide produced by hotelectrons // J. Appl. Phys, 1989, v. 65, № 6, p. 2342 2356.

371. Верещагин Ю.Н., Плещанов A.C. К ассимтотической кинетике тепловогопробоя твердых диэлектриков // Ж. прикл. мех. и техн. физ., 1988, № 4, с.23.28.

372. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир, 1984, Т. 2, 386 с.

373. Kuniyuki Hamano. Breakdown characteristics in thin SiO films // Japanese J. Appl. Phys, 1974, v. 13, № 7, p. 181 193.

374. Jonscher A.K. Dielectric breakdown in Solids // Open Smitches, 1987, N.Y., Lon., p. 257-272.

375. Косцов Э.Г. Влияние особенностей микрорельефа поверхности электродов на характер нарушения электрической прочности диэлектрических пленок // Изв. вузов, физика, 1970, № 7, с. 63 67.

376. Косцов Э.Г. Тепловой пробой диэлектрических пленок. В кн.: вычислительные системы. Новосибирск: ИН СО АН СССР, 1972, с. 64.

377. Krause H. Trap induction and breakdown mechanism in SiO films // Phys. Stat. Sol, 1985, v. 89, № 1, p. 353 363.

378. Zeller H.R. Breakdown and prebreakdown phenomena in solid dielectrics // IEEE Transact. Electr. Insulation, 1987, VEI-22, № 2, p. 115 122.

379. Джапаридзе М.Г, Шилин П.Е. Определение состава и динамики плазмы, выбрасываемой из канала пробоя твердого диэлектрика // Тез. докл. VI Всесоюзн. конференции по физике диэлектриков. Пробой и электрическое старение. Томск, 1988, с. 67.

380. Klein N. Breakdown mechanism of thermally grown silicon dioxide at high electric fields // J. Appl. Phys, 1988, v. 63, № 3, p. 970 972.

381. Janin C, Guyot J. J. Chem. Phys, 1972, v. 69, p. 814.

382. Garret G.G, Brattain W.H. Physical Theory of Semiconductor Surfaces, Phys. Rev, 99, 376 (1955); Kittel C, Kromer H, Thermal Physics, 2nd ed. Freeman W.H. and Co, San Francisco, 1980.

383. R.L. Anderson. Proc. Int. Conf. of the Phys. Chem. of Semicond. Heterojunc-tions (Editor-in-Chief G. Szigeti); Vol. 11, p. 55, Akademiai Kiado, Budapest, 1971.

384. Strutt M. J. O. Semiconductor Devices, Vol. 1, Semiconductor and Semiconductor Diodes, Academic, N.Y, 1966, Chap. 2.

385. Rhoderick E. N. Metal-Semicondutor contacts Clarendon Press-Oxford, 1978, P. 208.

386. Donnelly J. P. and A. G. Milnes, Proc. IEE 113, 1468 (1966).

387. Van Ruyven. L. J. Thesis, Technische Hogeschool, Eindhoven, Nether lands, 1964.

388. Van Ruyven L. J, Papenhuijzen J. M. P. and Verhoven A. C. J. Solid State Electron. 8, 631 (1965).

389. Padovani F. A. and Stratton R. (1966). Solid - St. Electron, v. 9, p.695.

390. Yu A. Y. C. (1970). Solid - St. Electron, v. 13, p. 239.

391. Chang L. L, Stiles P. J, Esaki L. Electron Tunneling beween a Metal and a

392. Semiconductor: Characteristics of A1 А12Оз - SnTe and GeTe Junctions, J. Appl. Phys, 38, 4440 (1967).

393. Kumar V., Dahlke W. E. Characteristics of Cr Si02 - n Si Tunnel Diodes, Solid State Electron., 20, 143 (1977).

394. Nicollian E. H., Brews J. R.MOS Physics and Technology, Wiley, N. Y., 1982.

395. Nicollian E. N., Goetzberger A., Berglund C. N. Avalanche Injection Currents and Charging Phnomena in Thermal Si02, Appl. Phys. Lett., 15 174 (1969).

396. Riben A. R. and Feucht D. L., Solid State Electron. 9, 1055, (1966).

397. Stratton, R. (1962). Phys. Rev., v. 126, p. 2002.

398. Baskin L. M., Lvov О. I., Fursey G. N., Phys. State Solid, B47, 49 (1971).

399. O' Keeffe T. W., Westinqhouse Research Labs, Pittsburqh, Pennsylvania, 1973.

400. Добрецов JI.H., Гомоюнова M. В. Эмиссионная электроника. М., 1966.

401. Занберг Э. Я., Ионов Н. И. Поверхностная ионизация, М., 1969.

402. Бугаев С. П., Воронцов Вильяминов П. Н., Искольдский А. М., Месяц С. А. и др., Явления взрывной электронной эмиссии, в сб.: Открытия в СССР 1976 года, М., 1977.

403. Подволоцкая М. Д. М., Канд. дисс. Моск. технолог, ин т мясной и мо -лочной промышленности, 1970.

404. Гуль В. Е. Структура и прочность полимеров. Изд. 2-е. М., Химия, 1971. 344 с.

405. Борн М., Вольф Э. Основы оптики, пер. с англ, М., 1973.

406. ЛансбергГ.С. Оптика , 5 изд., М., 1976 (Общий курс физики).

407. Дубовицкая И. М., Таммик А. А., Яксман С. П. Влияние герметизирующего компаунда на скорость старения ЭЖ. Уч. зап. ТГУ. Тарту, 1973, вып. 315, с. 124 - 130.

408. В. К. Милославский, Н. А. Коваленко, Опт. И спектр. 5, 614 (1958).

409. Н. В. Хенней (ред.), Полупроводники. ИЛ, 1962.

410. G. Heiland, Е. Mollwo, F. Stockman, Sol. Stat. Phys. 8, 193, (1960).

411. В. А. Соколов, А. Н. Горбань, Люминесценция и адсорбция, "Наука",1969.

412. L. Arker, Е. Taft Phys. Rev., 88, 1037 (1952).

413. J. R. Arthur, Jr. J. Ahll. Phys.,36, 3221, (1965).

414. G. N. Fursey, I. L. Sokolskaya, V. G. Ivanov. Phys. Stat. 22, 39 (1967).

415. И. Л. Сокольская, Г. П. Щербаков. ФТТ,3,167, (1961).

416. И. Л. Сокольская, Г. П. Щербаков. ФТТ, 4, 44 (1962).

417. W. R. Dyke, J. К. Trolan. Phys. Rev., 89, №4, 799 (1953).

418. J. P. Barbour et al. Phys. Rev., 92, №1, 45 (1953).

419. A. M. Ваткин, В. A. Годак, О. И. Львов, Г. Н. Фурсей, Л. Н. Широчин. ЖТФ, №6, 1282 (1972).

420. Shannon, J. M. (1976). Solid. St. Electron, v. 19, p. 537.

421. Andrews, J. M. (1974). J. Vac. Sci. Technol., v. 11, p. 972.

422. Заплешко H. H. Исследование процесса высокотемпературного спекания и морфологии частиц люминофоров на основе сульфидов цинка и кадмия: Автореф. дис. канд. техн. наук. Л., 1979. - 23 с.

423. Саутиев А. Б. Исследование путей повышения эксплуатационных характеристик матричных экранов на основе электролюминофоров постоянного тока: Автореф. дис. канд. техн. наук. С., 1994. - 23 с.

424. Дубовицкая И. М., Таммик А. А., Яксман С. П. Влияние герметизирующего компаунда на скорость старения ЭЛК.- Уч. Зап. ТГУ. Тарту, 1973, вып. 315, с. 124-130.

425. Vecht A. Electroluminescent Displys.- J. Electroluminescence, 1972, 18/19, p. 760.

426. Зи С. M. Физика полупроводниковых приборов: Кн. 2. Пер. с англ.- 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984,- 456 с. ил.

427. Bardeen, J. and Brattain, W. H. (1949). Phys. Rev., v. 75, p. 1208.

428. Clarke, R. A., Green, M. A., and Shewchun, J. (1974). J. Appl. Phys., v. 45, p. 1442.

429. Scharfetter D. L. Minority Carrier Injection and Charge Storage in Epitaxial Schottky Barrier Diodes, Solid. State Electron., 8, 299 (1965).

430. Anderson, L. P., Huder, A. and Berg , S. (1973). Nucl. Insrum. Meth., v. 114, p.l.

431. Jager, H. and Kosak, W. (1973). Solid - St. Electron., v. 16, p. 357.

432. Green, M. A. and Shewchun, J. (1973). Solid- St. Electron., v. 16, p. 1141.

433. Card, H. C. (1973). Solid - St. Electron., v. 16, p. 365.

434. Jager, H. and Kosak, W. (1969). Solid - St. Electron., v. 12, p. 511.

435. Sze S. M., Coleman D. J., Loya A. Current Transport in Metal Semiconductor - Metal (MSM) Structures, Solid State Electron., 14, 1209 (1971).

436. Van Ruyven L. J. Thesis, Technische Hogeschool, Eindhoven, Netherlands, 1964.

437. Newman W. C. Electronic Letters, 1, 265 (1965).

438. Oldcham W. G. and Milnes A. G. Solid State Electron. 7, 153 (1964).

439. Oldcham W. G. and Milnes A. G. Solid State Electron. 6, 121 (1963).

440. Oldcham W. G. and Milnes A. G. Solid State Electron. 8, 132 (1964).

441. Oldcham W. G. Thesis, Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh, 1963.

442. Van Opdorp C. J. M., Thesis, Technische Hogeschool, Eindhoven, Netherlands, 1969.

443. Van Opdorp C. J. M. and Canerva H. K. J., Solid State Electron. 10, 401 (1967).

444. Crowell C. R. and Sze S. M., Solid State Electron. 9, 1035 (1966).

445. Devis M. E., Proc. Int. Conf. on the Phys. Chem. of Semicond. Heterojunctions (Editor in - chief G. Szigeti), vol. II, p. 259, Akademiai Kiado, Budapest, 1971.

446. Vecht A. 1982 J. Cryst. Growth 59 81.

447. Glaser D. and Kupsky G. R. 1987. SID 87 Diqest (New York: Palisades Institute for Research Services) p. 292.

448. Hanak J .J., Jocan P. N., Pellicane J.F. D.C. Electroluminescence Flat - Panel

449. Displays RCA Laboratories Princerton, New - Gersey, 1972, 08540, Jrecom 02 90-11.

450. Хирабаяси К, Ито У, Като. Основные факторы определяющие яркость и срок службы люминесцентных конденсаторов. Кенко дзуцика хококу, 1982,31, 10, с. 1909- 1919.

451. Vecht A. Improvements in or relatinq to electroluminescent devices. Патент1300548 (Англия), опубл. 20.12.1972.

452. Alder C.J, Cattel A. F, Dexter R, Dixon H, Scolnic M. S. Forminq and Failure Mode Studies. In: Bien. Display Res. Conf.,1980, p. 168 173.

453. Роль технологических факторов при создании электролюминесцентных индикаторов, возбуждаемых постоянным током./ Синельников Б. М, Саутиев А. В, Ищенко В. М. Каргин Н. И.// Ж. Неорганические материалы. 1993, Т. 29, № 10. С. 1376-1378.

454. Vecht A, Werring N. J, Ellis R, Smith P. J. Materials control and DCEL in ZnS: Mn, Cu, CI powder phosphors// Br. J. Ahll Phys. (J. Phys. D.), Sep. 2, 1969, №2, p. 953-966.

455. JIoC, ЧжоуЛ. Зарубежные исследования порошковых электролюмино1 ftфоров постоянного тока группы А В // Фагуан юй сяныни. -1983, № 2, с. 70-79.

456. Чжоу Л, Ло С. Электролюминесценция порошка ZnS:Mn,Cu при возбуждении постоянным током // Фагуан юй сяныпи. -1985, Е. 6, № 4, с. 358368.

457. Пат. 1353143 Великобритания ВехтА, ВеррингН.Д, Смит П.Д. Усовершенствование электролюминесцентных устройств.

458. А.С. 1279233 (СССР). Способ обработки электролюминофора на основе сульфида цинка, активированного медью и/или марганцем // Б.М. Синельников, И.А. Койбаева, В.М. Шевцов, Л.П. Еремолина // кл. С 09 К 11 / 54, 1983.

459. Пат. 4826727 США. Glaser D. Phosphorescent material for electroluminescentdisplay, comprising silver sulfide in copper sulfide coating on phosphor particles and/or elemental sulfur in dielectric binder for phosphor particles, 1989.

460. Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970, 265 е.

461. А. с. СССР №385056431-25/017743, кл. 4 HOIL /18, Овчинников А. А., Синельников Б. М. и др. Способ изготовления электролюминесцентных изделий постоянного тока, 1985.

462. Тоныпин А. М., Камарицкий Б. А., Спектор В. Н. Технология строение и свойства кремний органических диэлетриков-полиорганосилсесквиокса-нов//Успехи химии, 1983. Вып. 8. С. 1384-1388.

463. Vecht A., Werrinq N. J., Ellis R., Smith P. J. Materials control and DCEL in ZnS:Mn,Cu,Cl powder phosphors. Brit. J.Appl. Phys./J. Phys.D /sep. 2, 1969, 2, p. 953-966.

464. Воюцкий С.С. Курс коллоидной химии. М.: Химия, 1969. - 286 с.

465. Кыласов В.А. Исследование физических особенностей и оптимальных условий формирования электролюминесцентных порошковых слоев: Авто-реф. канд. Дисс. Тарту, 973. - 23 с.

466. Подволоцкая М. Д. М., Канд. дисс. Моск. Технолог, ин-т мясной и молочной промышленности, 1970.

467. Гуль В. Е. Структура и прочность полимеров. Изд. 2-е. М., Химия, 1971. 344 с.

468. Гуль В. Е., Бахрушина JI. А., Дворекцая H. М. Высокомолекулярные соединения, 1976, Т. 18,1, с. 122-126.

469. Joshiaki F., Jeryhiko H. Effect of costant Powder durinq the Forminq Procese qu the EL. Characteristice of the ZnS, In,Cu. A.C. Powder Japan - 83, 1983, p. 96-99.

470. Vecht A., Werrinq N., Ellis R., Smith P. J., Zinc Sulfide D.C. Electroluminescent Displays-J. 1970, 117, l,p. 134- 137.

471. Сборник технических условий на клеящие материалы, под ред. Д. А. Кардашова, Л, 1975.

472. Петрова А.П. Термостойкие клеи, М, 1977.

473. Григорьев О.И. Электрокинетические явления.-Изд. Ленинградского университета.

474. Пат. 2165683 РФ, 7 Н 05 В 33/10. Способ изготовления электролюминесцентного изделия постоянного тока / Б.М. Синельников, А.Б. Саутиев, Н.И. Каргин. № 99113161 / 15 - 06; Заявлено 15.06.99; Опубл. 20.04.01. Бюл. № 11,Приоритет 15.06.99. - 4 с.

475. Галкина З.Н, Лапин А.П, Леонов Б.Н. Метод изготовления слоя для электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. -Сб. научных трудов ВНИИ Люминофоров «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества», 1975, №13, с.97-99.

476. Ляликов Ю.С. Физико-химические методы анализа. -М.: Химия, 1974. -536 с.

477. Программа для измерения электрооптических характеристик ЭЛИ