Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Введение

Глава 1 Свойства азида таллия

1.1. Физико-химические свойства, кристаллическая структура и термохимические характеристики азида таллия

1.2. Оптические свойства азида таллия.

1.3 Фотоэлектрические свойства азида таллия

1.4 Фотоэлектрические свойства гетеросистемы "азид таллия -алюминий"

1.5 Энергетическая структура азида таллия.

1.6 Фотохимическое разложение азида таллия.

Глава 2 Методика эксперимента

2.1 Синтез азида таялия.

2.2 Приготовление образцов для исследования

2.3 Методы исследования фотохимического разложения азида таллия и систем на его основе

2.3.1 Масс-спектрометрический метод исследования процесса фотолиза

2.3.2 Методика измерения спектров диффузного отражения

2.3.3 Электрофизические методы исследования

2 .4 Актинометрия источников излучения

Глава 3 Фотолиз азида таллия и гетеросистем "азид таллия -металл (полупроводник)"

3.1 Фотолиз азида таллия

3.1.1 Кинетические закономерности фотохимического разложения ТМз

3.1.2 Спектральные распределения скорости фотолиза, фототока и контактной фото - ЭДС в азиде таллия.

3.1.3 Кинетические закономерности фототока в ТШз

3.2 Влияние металлов на фотохимическое разложение ТШз

3.2.1 Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем " ТШз - металл"

3.2.2 Спектральные распределения скорости фотолиза (Уф), фототока (1ф) и фото-ЭДС (1]ф) для гетеросистем " ТШ3 - металл"

3.2.3 Кинетические закономерности фототока в гетеросистемах "ТШ3 - металл"

3.3 Влияние полупроводников на фотохимическое разложение ТШз

3.3.1 Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем " ТШз - полупроводник"

3.3.2 Спектральные распределения скорости фотолиза (Уф), фототока (.}ф) и контактной фото-ЭДС (Уф) в гетеросистемах "ТШз - полупроводник"

3.3.3 Кинетические закономерности фототока в гетеросистемах "ТШз - полупроводник"

3.4 Исследование темнового пост - газовыделения.

3.5 Количественная проверка основного соотношения для фотогальванического элемента

Глава 4 Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза азида таллия и гетеросистем "азид таллия - металл" и "азид таллия - полупроводник"

4.1 Идентификация твердофазного продукта фоторазложения азида таллия

4.2 Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза ТШз

Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза гетероси- 78 стем "азид таллия - металл"

Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза гетероси- 84 стем "Т1М3 - полупроводник"

Определение лимитирующей стадии процесса роста частиц 89 таллия

Фотопроцессы в гетеросистемах "азид таллия - металл 91 (полупроводник)"

Диаграммы энергетических зон гетероконтактов "азид 91 таллия - металл".

Темновые процессы в гетеросистемах "ТМз - металл".

Диаграммы энергетических зон гетероконтактов "ТМз - 97 СсШ", "ТМ3 - СеГГе", "ТМ3 - Си20".

Темновые процессы в гетеросистемах "азид таллия - полу- 100 проводник"

Фотоэлектрические процессы в гетеросистемах "ТГЫ3 - ме- 104 талл (полупроводник)"

Механизм фотохимического разложения ТШ3 и гетеросистем "ТВД3 - металл (полупроводник)"

Расчёт кинетических параметров процесса фотохимического разложения ТМз и гетеросистем на его основе

В физике и химии твёрдого тела большое внимание уделяется разработке методов направленного регулирования фоточувствительности солей, разлагающихся под действием света. Наиболее перспективным методом регулирования фотохимической и фотоэлектрической чувствительности фотолизирующихся солей является создание гетеросистем "свегочу^ствиюльная соль - металл (полупроводник)". Изучение фотопроцессов, протекающих в необычных гетероеистемах "светочувствительная соль - металл (полупроводник)" является одной из важных задач физико -химических исследований.

Среди большого многообразия фотолизирующихся систем особое место занимают гетеросистем ы, созданные на основе азидов тяжелых металлов (ATM), один из компонентов которых (азид) разлагается под действием света [1-5]. Ранее {6} было установлено, что фотохимическая и фотоэлектрическая чувствительность азидов свинца и серебра изменяется при контактировании их с металлами и полупроводниками. При этом отмечалось изменение фоточувствительности азидов как в облает собственного поглощения, так и в длинноволновой области спектра. Азвд таллия, являясь типичным представителем ATM, и, обладая высокой фотохимической чувствительностью [1-4], представляет собой удобный модельный объект для исследования процессов, протекающих в индивидуальных ATM и в гетероеистемах "азид-металл (полупроводник)".

Однако, к настоящему времени систематических исследований влияния металлов на кинетические закономерности фотолиза и фототока в азиде таллия не проводилось. Также не было выполнено работ по изучению фотохимической и фотоэлектрической чувствительности гетеросистем "ТВДз-полупроводник". Отсутствие названных экспериментальных исследований, а также данных по идентификации конечных продуктов фотохимического разложения T1N3 препятствовало созданию достоверной картины процессов, протекающих в азиде таллия под действием света. Так как фотохимические превращения являются проявлением фотоэлектрических процессов, важная роль отводится неравновесным носителям зарядов. 6

Таким образом, для уточнения механизма фотохимического разложения азида таллия необходимо установить механизм переноса носителей заряда через границу разделов "ТШ3 - металл" и "ТШ3 - полупроводник".

Цель настоящей работы - исследование процесса фотолиза ТШ3 и гетеро-систем "ТМз-металл (А1, Ы, В1, С«)" и '"Ш3-полупроводник (СсК, СеГГе, С«20)" в интервале длин волн фотолизирующего света 365-1500 нм при Т=293К. Задачи работы:

1. определить качественный и количественный состав продуктов фотохимического разложения ТВД3 и гетеросистем на его основе;

2. исследовать кинетические закономерности фотолиза и фототока в ТШз и гетеросистемах на его основе в зависимости от: а) интенсивности падающего светового потока с X = 365 нм; б) предварительного экспонирования образцов светом с к = 365 нм;

3. рассчитать эффективные константы скорости фотолиза ТШ3 и гетеросистем "ТВДз-металл", "ТВД3-полупроводник" при Т=293 К;

4. рассчитать и построить диаграммы энергетических зон контактов "ТМ3-металл" и "ТВД3-полу проводник";

5. выяснить вероятный механизм переноса носителей заряда через границу раздела "ТШ3-металл" и "ТВД3-полупроводник";

6. предложить модель фотолиза гетеросистем "ТШ3- металл", "ТШ3-полупроводник".

Для изучения влияния металлов и полупроводников на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азида таллия были выбраны металлы (А1, Ь, Вз, Си) и полупроводники (С(18, СсГГе, С«20) с отличными от ТШ3 физическими параметрами. Научная новизна работы:

I. впервые проведены систематические исследования кинетических закономерностей фотолиза и фототока в Т1И3 и гетеросистемах "ТВД3-металл (А1,1п, Си)" и "ТВД3-полупроводник (СЖ>, СсГГе, Си20)" в зависимости от: 7 а) интенсивности падающего светового потока с >,=365 нм; б) предварительного экспонирования образцов светом с к= 365 нм.;

2. впервые, используя выводы теории фотоэмиссии, а также в результате сопоставления спектрофотометрических и масс-спектрометрических данных проведена идентификация твердофазного продукта фотохимического разложения ТВДз и гетеросистем "ТВДз-металл (полупроводник)". Установлено, что твердофазным продуктом фоторазложения ТМз и гетеросистем '"ТМ3-металл (полупроводник)" при воздействии светом с к-365 нм являются частицы металлического таллия преимущественно двух размеров: с! « 40-50 А и «100 А;

3. на основании расчёта некоторых параметров (толщины слоя объёмного заряда (е1), величин разрывов в валентной зоне (ДЕу) и зоне проводимости (ДБС), величин изгибов зон в ТШ3 и полупроводниках (У<*)) и результатов исследований контактных фото-ЭДС построены диаграммы энергетических зон контактов "ТЕНз-металл", "ТМз-полупроводник";

4. измерены и рассчитаны темновые вольт - амперные характеристики (ВАХ) и предложен вероятный механизм переноса носителей заряда через контакты "ТВДз-металл", "ТВДз-полупроводник";

5. рассчитаны эффективные константы скорости фотолиза ТМ3 и гетеросистем "ТВДз-металл", "ТШз-полупроводник" по кинетике накопления конечных продуктов (газообразного азота и металлического таллия);

6. предложена экспериментально-обоснованная модель фотохимического разложения Т1Нз и гетеросистем "ТМз-металл", "ТМ3-полупроводник".

Практическая значимость работы заключается в возможности применения ТМз для создания систем с регулируемым уровнем фоточувствительности, а также в качестве средства записи информации. Результаты работы, свидетельствующие о контактной, фотоэлектрической природе фотопроцессов в гетеросистемах "ТМг металл", "ТШз-полупроводник", могут служить для уточнения механизма фотохимического разложения азидов тяжёлых металлов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. результаты исследований кинетических закономерностей фотолиза и фототека в ТВД3 и гетеросистемах "ТВД3 -металл (А1, Ь, В1, С«)" и "ТВЯз-полупроводник

СсПе, СигО)" при экспонировании светом с >1=365 нм, при Т=293 К;

2. идентификация твердофазного продукта фотохимического разложения ТШ3 и гетеросистем "ТМз-металл (полупроводник)";

3. механизм переноса носителей заряда через контакты "ТШз-металл (полупроводник)";

4. оценки эффективных констант скорости фотолиза ТШз и гетеросистем "ТМ3-металл (полупроводник)";

5. возможная модель фотохимического разложения гетеросистем "ТШз-металл (полупроводник)".

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на 6 Международной конференции "Радиационные гетерогенные процессы" (Кемерово, 1995); 4 Международной конференции "Прочность и пластичность материалов в условиях внешних энергетических воздействий" (Новокузнецк, 1995); 1 научно-практической конференции "Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири" (Кемерово, 1995); Всероссийской научной конференции "Молодёжь и химия" (Красноярск, 1997); Всероссийской научной конференции "Молодёжь и химия" (Красноярск, 1998); Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 1998); 1 Всероссийской научной школе молодых учёных "Радиационная физико-химия неорганических материалов" (Томск, 1999).

По результатам выполненных исследований опубликовано 14 работ.

Структура работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Установлено, что продуктами фотохимического разложения азида таллия и гетеросистем "азид таллия - металл (А1,1п, Вз[, Си)", "азид таллия - полупроводник (Сей, (Же, Си20)" являются азот и таллий. Рассчитанные эффективные константы скорости фотолиза по образованию конечных продуктов разложения совпадают.

2. Контактирование металлов и полупроводников с ТВД3 наряду с увеличением фотохимической и фотоэлектрической чувствительности в области собственного поглощения азида таллия приводит к расширению области спектральной чувствительности, длинноволновой порог которой для гетеросистем "ТВД3 - металл" изменяется в интервале 720-1500 нм, для гетеросистем "ТВДз - полупроводник" соответствует спектрам собственного поглощения и фотоэлектрической чувствительности полупроводников. Основными причинами изменения металлами и полупроводниками фоточувствительности ТВД3 является перераспределение неравновесных носителей заряда в контактном поле, обусловленном несоответствием термодинамических работ выхода контактирующих партнёров и наличием поверхностных электронных состояний контакта.

3. На основании измерений В АХ и фото-ЭДС, литературных данных по КРП и внешней фотоэмиссии, а также некоторых рассчитанных параметров построены диаграммы энергетических зон контактов "ТВДз - металл", "ТВДз-полупроводник". Установлено, »по ток в гетеросистемах "ТВДз - металл" и "ТВДз-полупроводник" обусловлен надбарьерным прохождением носителей заряда через гетероконтакт.

118

4. Исследованы закономерности образования твердофазного продукта фотолиза ТШз - металлического таллия. Установлено, что в процессе фотолиза образуются частицы таллия с преимущественными размерами ё да 40-50 Аид «100 А. Показано, что таллий (продукт фотолиза) увеличивает скорость фотолиза и величину фототока в процессе фоторазложения. Лимитирующей стадией фотолиза является диффузия иона таллия к нейтральному центру.

5. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза гетеросистем "ТВДз-металл", "ТМз-полу проводник", включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения неравновесных носителей заряда в контактном поле, образования конечных продуктов фотолиза, формирование микрогетерогенных структур "ТШ3 -11".

119

1. Янг Д. Кинетика разложения твёрдых веществ. - М.: Мир, 1969.-263 с.

2. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твёрдых веществах. М.:ИИЛ,1%2.- 243 с.

3. Walker R.F., Gane N., Bowden P.P. The influence of crystal size and crystallo-graphic orientation on decomposition in the solid state sodium and thallous azides. //Proc. Roy. Soc. A.-1959 V.294.- P.15.

4. Evans B.L., Joffe A D., Gray P. Phisics and chemistry of the inorganic azides. // Chem. Rev.-1959.-V.59, №4.-P.519.

5. Урбан H.A Фотохимическое разложение нитевидных кристаллов азидов тяжёлых металлов: Автореф. диее. канд. хим. наук. Новосибирск, 1989.-22 с.

6. Суровой Э. П. Катализ металлами и полупроводниками фотолиза азидов свинца и серебра: Автореф. дисс. . канд. хим. наук. Минск, 1977.-22 с.

7. Сидорин Ю. Ю. Характер переноса в процессе термического разложения азвдов тяжёлых металлов: Автореф. дисс. . канд. хим. наук.- Кемерово, 1985.-23 с.

8. Fair H.D.,Walker R.E. Energetic Matherials. 1 .Physics and Chemistry of inorganic azides.-New York, London: PlenumPress-1977.-503 p.

9. Gray P., Waddington T.C. Thallous azide: reactivity, structure and therrao-chemistry//Chemistry and Industry.-1955. P. 1555-1566.

10. Krause Brigitte H. Diffraction studies of photochemical decomposition of azides. I. X-ray and UV-induced lattice constant changes in TlN3//J.Chem. Phis.-1963.- V.39,7.-P. 1706.

11. Сидорин Ю.Ю., Пугачев B.M., Диамант Г.М.Структурные исследования азвдов тяжелых металлов//Химия ттела. Кем ГУ. Кемерово. 1985.120

12. Захаров Ю.А., Сидорин Ю.Ю., Кучис Б.В. Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра//Изв.АН СССР. Неорганические материалы. -1979. -Т55,№1.-С. 1397-1401.

13. Сидорин Ю.Ю., Эренбург Б.Г., Захаров Ю.А. Полиморфное превращение в азиде серебра//Ж.физ.химии.-1981 .-№1-С.254-255.

14. Collton R.J. Rabalais J.W. Electronic structure of some inorganic azides from -ray electron spectroscopy//J.Chem.Phis.-1976.- V.64,}fe8.~ P.3481-3486.

15. Evans B.L., Yoffe A.D. Structure and stability of inorganic azides//Proe.Roy.Soc. А.-1957,- V.238.- P.568-580.

16. Gray P., Waddington T.C. Tbeimochemistry and reactivity of the azides. I. Thermochemistry of the inorganic azides/ZProc.Roy.Soc.A. -1956.- V.235.- P. 1200-1202.

17. Gray P., Waddington T.C. Thermochemistry and reactivity of the azides. II Lattice energies of ionic azides, electron affinity and heat of formationof the azide radical and the related properties//Proc.Roy.Soc. A-1956,-V.235.- P. 1203.

18. Krause В. H. The effect of soft X-rays of potassium azide type structu-res//J.Kristallogr.-1961 ,-V.l 15,- P. 413-418.

19. Иванов Ф. И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжёлых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении: Автореф. дисс. д-ра химических наук.-Кемерово, 1997.-43 с.

20. Evans B.L., Yoffe A.D. Structure and stability of inorganic azides. II Some Physical and optical properties and the fast decomposition of solid monovalent inorganic azide//Proc.Roy. Soc.A.- 1959,- V.250.- P.346-366.

21. Evans B.L., Joffe A.D. Absorption spectra and associated photoconductivity of pure and decomposed cri stalls of thallium azide//Nature.-1959.-V. 183.-P. 1241-1244.

22. Deb S.K. Optical absorptionspectra ofazides//Trans. Faradey Soc.-l969,-V.65.-P.3187. 23 .Deb S.K. Ultraviolet absorption spectra of alkali metal azides//J.Chem. Phis.-1961. -V.35,№6.-P.2122.

23. Deb S.K. Optical absorptionspectra of azides/ZTrans. Faradey Soc.-1970.-V.66.-P.571.121

24. Deb S .К., Joife A.D. OpticaJ properties and photochemical décomposition of TIN3, AgN3//Proc. Roy. Soc.A.-1960.-V.256,№1287.- P.514.

25. Захаров Ю.А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических шединешш:Автореф. дисс. д-ра.хим.наук.-Томск,1975,- 44 с.

26. Ляшко А.П., Черников Е.В., Суровой Э.П., Бенедиктова Т.А. Спектр диффузного отражения таблетированного азида таллия с тонким металлическим покрытием. Томск, 1985.-С.48,- Деп. в НИИТЕХИМ, №864хп-Д85.

27. Robillard J.J. Possible use of certain metaffic azides for the development of a field controlied dry photographie process//J .photographie semee, 1971. VI9,№2. -P.25-48.

28. McLaren A.C. The absorption spectra of single crystals of pure and partially decomposed thallous azide//Proc.pliis.soc.-1957.-V.2 P.147.

29. Ляшко А.П., Суровой Э.П., Черников E.B. Фотоэлектрические процессы в азиде таллия, Томск,1985.-С.42-45. Деп. в НИИТЕХИМ, №863хп-Д85.

30. Власов А.П., Суровой Э.П. Фотоэлектрическая чувствительность гетероси-стем "азид таллия-алюминий" в поле излучения//Ж.физ.химии.-1991.-Т65,№6.-С.1465-1469.

31. Колесников Л.В. Спектры электронных состояний и некоторые особенности реакций разложения азидов тяжелых металлов : Автореферат дис. канд. хим. наук.-Минск, 197 8.-21 с.

32. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин А.Е. Энергетика и природа электронных зон азида серебра//Неорганич.материа/гы.-1978.-Т. 14,№7.-С. 1283.

33. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин А.Е., Баклыков С.П. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в РЬ(Ыз)2 //Оптика и спектроскопия. -1978.-Т .4 5 ,№4. -С. 72 5.

34. Захаров Ю.А., Колесников Л.В. Спектры энергетических состояний азидов свинца и таллия//Сборник аннотаций НИР ТПИ,Томск:ТГУ. 1975 .№3 .С .78.122

35. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин А.Е. Структура энергетических зон азида серебра и природа некоторых электронных переходов//М . Л 97?. 14 с -Деп.в ВЙНИ1И 7.01.77, №136-77.

36. Гордиенко А.Б., Журавлев Ю.Н., Поплавной A.C. Энергетическая зонная структура тетрагонального азида таллия//ФТТ.-1994.-Т.36,№9.-С.2777-2779.

37. Гаврищенко Ю.В., Савельев В.Г., Захаров Ю.А. Влияние электрического потенциала поверхности на сенсибилизированный фотолиз азида свинца//Изв. ТПЙ.-1969.-Т.199.-С.112-113.

38. Гаврищенко Ю.В., Савельев В.Г., Захаров Ю.А. Сенсибилизация фотопроводимости и фото-ЭДС азидов тяжелых металлов, окрашенных органических красителей//Изв.ТПИ.-1970.-Т. 185 -С.69.

39. Савельев В.Г., Гаврищенко Ю.В., Захаров Ю.А. Фото-ЭДС в азидах свинца и серебра//Изв.вузов.Сер.Физика.-1 %8.-Х«7.-С.71.

40. Гаврищенко Ю.В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и оптическая сенсибилизация этого процесса органическими красителямигАвтореферат дисс.канд. хим.наук,- Томск,1969. -20 с.

41. Суровой Э.П., Захаров Ю.А. Влияние металлов на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азидов свища и серебра//Томск, 1977.-23 с -Деп. в ВИНИТИ 20.10.77, №4065-77.

42. Суровой Э.П., Захаров Ю.А., Шустов М.А., Кулагин Д.Г. Катализ полупроводниками фотопроцессов в азидах свинца и серебра//Томск,1981.-17 с. -Деп. в НИИТЭХИМ 28.09.81, М>169хп11-Д81.

43. Суровой Э.П., Захаров Ю.А. Исследование методом контактной разности потенциалов состояния поверхности и энергетики электронных уровней в азидах свинца и серебра/ПомскЛ 978.-21 с. -Деп. в ВИНИТИ 21.02.78, №644-78.

44. Суровой Э.П., Черников Е.В., Грибанова Т.И., Белядов А.Ш. Влияние ряда факторов на электронную структуру азида таллия//Томск,1985.-6 с. -Деп. в НИИТЭХИМ 21.05.85, №863хп-85.123

45. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников.М:Наука, 1972.399 с.

46. Суровой Э.П., Грибанова Т.И., Лоскутов B.C., Черников Б.В., Дюсембекова А.К. Влияние металлов на фотолиз азида таллия// Томск,1985.-С.80-85.- Деп. в НИИТЕХЙМ, №863хп-Д85.

47. Захаров Ю.А., Абакумов Е.П., Суровой Э.П. Фотолиз азидов свинца, серебра и некоторых систем на их основе//Изв.ТПИ. -1970.-№251. -С.373-382.

48. Суровой Э.П., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия//Неорг. материалы. -1996,-Т .32,6,- С. 162-164.

49. Суровой Э.П., Черников Е.В., Грибанова Т.И., Савочкина H.A. Фотолиз ге-теросистем на основе азида таллия в электрическом поле//Томск, 1985 .-С.76-79,-Деп. в НЙИТЕХИМ, №863хп-Д85.

50. Овсянкин В.В., Феофилов П.П. Аннотации докладов IX Международной конференции по физике полупроводников. М.,1968.

51. Гаврищенко Ю.В., Савельев Г.Г. Математическое моделирование реакций фотолиза азидов тяжелых металлов//йзв.ТПИ.-1970.-Т.251 -С.255-262.

52. Федоров А.Ф., Суровой Э.П., Радченкова Л.А. Моделирование кинетики процесса фотолиза азида таллия/,Л^омск,1985.-С.86-89.-Деп. в НИИТЕХЙМ, №863хп-Д85.

53. Ермуратский A.B. Комплекс-метод/Яруды МЭИ.-1970.-Вып.76.-94 с.

54. Рябых С М. Химия твердого тела. Учебное пособие. Кемерово,1980. -90 с.

55. Кригер В.Г., Ханефт A.B., Колпаков О.Л. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов//Химия твердого состояния, Кемерово, 1981. -С.56-68.

56. Кучис И.В. Методы исследования эффекта Холла. -М.:Сов.рздио, 1974. -328 с.

57. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. -М :Высшая школа, 1987,- 239 с.124

58. Сидорин Ю.Ю. Электрофизические методы исследования в химии твердого тела, Кемерово, 1989. -103 с.

59. Химическая эшщкшпедия. -М.:Советская энциклопедия, 1988.-T1.-C.I16, 379.

60. Химическая энциклопедия.-М. :Советская энциклопедия,1990.-Т2.-С.443, 551,558.

61. Химическая энциклопедия.-М.:Советская энциклопедия, 1992.-ТЗ.-С.4.

62. Химия. Под ред. Шретер В., Лаутеншлегер К.-Х., Бибрах X. и др. -М.:Мир, 1966.-432 с.

63. Мшшс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полу проводник.-М.: Мир, 1966.-432 с.

64. КиттелъЧ. Введение в физику твердого тега.-М.:Гос.изд.физ.-мат.лиг.,1963.-696 с.

65. Шарма Б.Л., ПурохитР.К. Полупроводниковые гетеропереходы.-М.:Сов.радио, 1979.-232 с.

66. Пипко А. И., Плесковский В. Л., Пенчко Б. П. Конструирование и расчёт вакуумных систем. -М: Энергия, 1979.-504 с.

67. Грибанова Т. И., Суровой Э. П. Определение параметров газообразного потока при фотолизе азидов тяжёлых металлов и систем на их основе/ТМатериалы науч.-технич.конф. по химии и хим. технологии, посвященной 70 летию Октяб-ря:Тез. докл. -Томск, 1987.С .48.

68. Шустов М.А. Определение квантового выхода фотолиза методом полного разложения/ЛГомск, 1982. -10 е.- Деп. в НИЙТЭХИМ №52-83.

69. Шустов М.А., Захаров Ю.А. Определение квантового выхода фотолиза по оптическим данным методом полного разложенияШзв. ВУЗов.Химия и хим. технология. 1979-Т.22,№7.-С.827-830.

70. Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. Определение количественных характеристик газового потока методом полного разложения7,/Кемерово, 1996.-15 с.-Деп. в ВИНИТИ 24.01.96. № 1677-96.

71. Ржанов А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников.-М.: Наука, 1971.-561 с.125

72. Стриха В. И., Бузанёва Б. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки.-М. Советское радио,1974.-610 с.

73. Рыбкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М. :Физмат-газ, 1963.-494 с.

74. Бьюб Р. Фотопроводимость твёрдых тел.-М.:ИИЛ,1962.-558 с.

75. Суровой Э. П., Шурыгина Л. И., Бугерко Л. П. Изучение фотоэлектрических свойств гетероеистем "азид таллия-алюминий (индий)//Кемерово,1996.-21с.-Деп. в ВИНИТИ 04.09.96. № 2766-В96.

76. Суровой Э. П., Шурыгина Л. И., Бугерко Л. П. Фотоэлектрические явления в гетероеиетеме "азид таллия-сульфид кадмия7/Кемерово,1997.-21с.~Деп. в

77. ВИНИТИ 03.12.97. № 3549-В 97.7В. Лысов В. Ф. Практикум по физике пол}чтроводников.-М.:Просвещение, 1976.-208 с.

78. Барщевский Б. У., Гуревич Ю. Я. Связь эффекта Гершеля с электронной фотоэмиссией //Доклады Академии наук СССР,-1970.-Т. 191, №1 .-С. 115-118.

79. Барщевский Б. У., Гуревич Ю. Я. Частицы металла в диэлектриках//Физика твёрдого тела.-1970.-Т. 12.-С.3380-3382.

80. Бродский А. М., Гуревич Ю. Я. Теория электронной эмиссии из металлов,-М.: Наука, 1973.-265 с.

81. Wigand 1>.А. Photoprodaction of disorder in PbN6 and TlN3//Phys.Rev.B.-1974.-V. 10, №4.-P. 1241-1247.

82. Me Laren A.C., Rogers G.T. The optical and electrical properties of silver azide and their relations to its decomposition//Proc.Roy.Soc.A.-1957. -V.240.-P.484-498.

83. Сирик С. M. Фотолиз азида серебра и гетероеистем "азид серебра-металл" и "азид серебра-полутгрошднш":Автореф.дис.канд.хим.наук.-Кемерово,1999 20 с.

84. Мейкляр Г. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения.- М.: Наука, 1972. -399 с.

85. Линч П., Николайдес А Задачи по физической электроштке.-М.:Мир,1975.-264 с.1268?. Рябых С.М. Радиационные процессы в азидах тяжелых метаялов//йзв. АН Латв.ССР. (Серия физика).-1984.- №3.-С.93-101.

86. Шалимова К.В. Физика полупроводников.- М.:Энергия, 1971.- 446 с.

87. Стильбане Л.С. Физика полупроводников. -М.:Сев.радио, 1967. -451 с.

88. Соминский М.С. Полупроводники. -Л.: Наука, 1967,-420 с.

89. Захаров Ю.А., Суровой Э.П., Абакумов Е.П. Закономерности и схемы фотолиза азидов свинца и серебра на глубоких стадиях превращения/ТТомск, 1976.21 с.-Деп. в ВИНИТИ № 61.

90. Захаров Ю.А., Руколеев С.И., Лоскутов B.C. Низкотемпературный фотолиз и люминесценция азидов свинца, серебра и таллия//ХВЭ, 1979.-Т.13,№1.-С.61-65.

91. Кригер В.Г. Анализ механизмов и кинетика реакций твердофазного разложения некоторых соединений со сложным анионом: Автореферат дисс. . канд.физ.-маг. наук.-Кемерово, 1982. -23 с.

92. Розовский А. Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм.-М. :Наука,1980.-264 с.95. . Розовский А. Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и макрокинетика. -М. :Наука, 1980. 323 с.