Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология и свойства пленок PbSe,SnSe,Pb1-xSnxSe тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

На правах рукописи

ТРЕТЬЯКОВА Наталья Александровна

ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ, СОСТАВ, СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК РЬве, впве, РЬ^вп^е

02 00 04 - физическая химия

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Екатеринбург 2006

003067946

Работа выполнена на кафедре физической и коллоидной химии ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет - УПИ»

Научный руководитель

доктор химических наук, профессор Марков Вячеслав Филиппович

Официальные оппоненты

доктор химических наук, старший научный сотрудник Красильников Владимир Николаевич

кандидат физико-математических наук Воронин Владимир Иванович

Ведущая организация Уральский государственный университет им А М Горького

Защита состоится 2007 г в /З'ОО ч на заседании диссертационного

совета Д 004 002 01 в Институте высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук по адресу 620219, г Екатеринбург, ГСП-146, ул С Ковалевской, 22, конференц-зал

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Уральского отделения Российской академии наук

Автореферат разослан « »

2006 г

Ученый секретарь диссертационного совета АнТриногенов А И

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность исследования На инфракрасный диапазон спектра электромагнитных излучений приходится основная доля теплового излучения окружающих нас тел, характеризующая их температуру и состав Вследствие этого материалы, чувствительные к ИК-излучению, позволяют осуществлять дистанционное измерение чемпературы для нужд промышленности, медицины, безопасности жизнедеятельности, а также решать задачи пассивного обнаружения и химической идентификации различных объектов Особенно высокой информативностью для решения многих практических задач обладают средний и дальний диапазоны ИК-изчучения (3 0-12 0 мкм), в которых в настоящее время используются технологически сложные и дорогие материалы (1п8Ь, Сс11^Те и РЬБпТе) Создание новых полупроводниковых структур с запрещенной щелью, близкой к нулю, позволяет значительно расширить круг функциональных материалов для среднего и дальнего ИК-диапазонов спектра Среди фоточувствительных материалов особое место занимают тонкие пленки РЬБе, которые находят широкое применение в оптоэлекгронике Значительную роль в расширении номенклатуры ИК-чувствительных материалов на их основе могут сыграть тройные полупроводниковые соединения, вследствие возможности регулирования их фотоэлектрических свойств путем изменения состава В частности, перспективны твердые растворы замещения РЬ^Бп^е, в которых происходит уменьшение ширины запрещенной зоны при увеличении содержания олова в их составе за счет присущей им способности к инверсии зон

Традиционно для получения пленок РЬ8е, ЗпЭе, РЬ^Зп^е используются различные высокотемпературные методы синтеза, требующие сложного оборудования и значительных материальных затрат Вследствие этого актуальной явчяется разработка условий получения данных материалов методом гидрохимического осаждения, исключающего использование дорогостоящего оборудования, высоких температур, глубокого вакуума и, в то же время, позволяющего получать относительно недорогие слои высокого качества с широким диапазоном физических свойств Использование гидрохимического метода синтеза

1

ъ У

для получения РЬ^п^е позволяет резко расширить применение ИК-техники в различных сферах человеческой деятельности

Цель работы Разработать метод гидрохимического осаждения из цитратно-аммиачной реакционной смеси селеномочевиной пленок РЬЭе, впБе и твердых растворов РЬ^п^е, исследовать их состав, структуру и электрофизические свойства, определить условия термосенсибилизации слоев РЬ^п^е к ИК-излучению

Научная новизна.

1 Впервые проведены комплексные кинетические исследования процессов гидрохимического осаждения селенидов свинца (II) и олова (II) из цитратно-аммиачных растворов с использованием селеномочевины Определены энергии активации процесса, частные порядки реакций по компонентам системы, составлены формально-кинетические уравнения скоростей образования РЬБе и БпБе

2 Химическим осаждением из водных сред селеномочевиной впервые получены пленки 8п8е и твердых растворов РЬ^вп^е (0 0 < х < 0 093)

3 Установлены кристаллическая структура, морфология, фазовый и элементный состав синтезированных пленок РЬБе, Бпве, РЬ^Бг^Бе, изучены их полупроводниковые и электрофизические свойства

4 Термообработкой гидрохимически осажденных пленок РЬ^Зп^е получены слои фоточувствительные в более длинноволновой области спектра по сравнению с индивидуальным РЬБе

Практическая ценность.

1 Определены условия гидрохимического осаждения селенмочевиной пленок индивидуальных селенидов свинца (II) и олова (II), а также их твердых растворов замещения РЬ^Бп^е (00<х<0 093)

2 Получены формально-кинетические уравнения скоростей образования селенидов свинца (II) и олова (II), а также выражение, связывающее состав твердых растворов РЬ^п^е с условиями процесса, что обеспечивает возможность их целенаправленного синтеза

3 Определены условия термосенсибилизации гидрохимически осажденных пленок РЬЭе, РЬ^Бп^е к ИК-излучению

4 Разработан гидрохимический способ осаждения пленок твердых растворов Pbi^Sn^Se (0 0 < х < 0 093), фоточувствительных в спектральном диапазоне 1 0-8 1 мкм

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1 Кинетические закономерности процессов осаждения селенидов свинца (И) и олова (II) из цитратно-аммиачных растворов с использованием селеномочевины

2 Результаты гидрохимического синтеза пленок PbSe, SnSe, а также твердых растворов замещения Pb.^Sn^Se

3 Структура, морфология, фазовый и элементный состав, электрические и полупроводниковые свойства синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se

4 Условия термосенсибилизации пленок PbSe, Pbi^Sn^Se к ИК-излучению

5 Результаты исследования фотоэлектрических и спектральных характеристик гидрохимически осажденных пленок твердых растворов Pbi^Sn.Se (0 0 <х<0 093)

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертации доложены и обсуждены на II Всероссийской научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 2002), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2004» (Екатеринбург, 2004), IV семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), XIV Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2004), II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2004), Всероссийской научно-практической конференции «Энерго- и ресурсосбережение Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии» (Екатеринбург, 2004), XV Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2005), 2-й Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, 2005), I Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 2005), VI Международной научно-практической конференции «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» (Новочеркасск, 2005), V Всероссийской конференции молодых

ученых с международным участием «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Саратов, 2005), V Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования наноматериалов и наносистем (Москва, 2005), научно-практической конференции «Перспективные химические материалы и технологии для различных отраслей народного хозяйства) (Екатеринбург, 2005)

Публикации. По результатам исследования опубликовано 10 статей в отечественных журналах и сборниках трудов, 17 тезисов докладов в материалах российской, национальной и международных конференций

Структура и объем работы Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка Материал изложен на 165 страницах машинописного текста Работа содержит 54 рисунка, 14 таблиц Библиографический список включает 233 источника

Научным консультантом по исследованию состава и структуры полученных пленок является доктор химических наук Маскаева Л Н

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, ее практическое и научное значение, сформулированы основные цели

В первой главе проведен анализ литературных сведений, касающихся применения пленок РЬБе, БпЗе и РЬ^н^е, методов их осаждения и свойств, который показал, что химический синтез слоев селенида олова и твердых растворов РЬ^дЗп^е с использованием в качестве халькогенизатора селеномочевины не был осуществлен ранее

Во второй главе описаны характеристики исходных материалов, методика осаждения и термообработки пленок, а также экспериментальные методы их исследований

Для синтеза пленок селенидов свинца и олова, а также твердого раствора замещения РЬ^Зп^е использовались следующие реактивы ацетат свинца (осч),

дихлорид олова (чда), цитрат натрия (осч), гидроксид аммония (чда), селеномочевина (осч), сульфит натрия (ч\ йодид аммония (чда)

В качестве подложек использовались ситалловые пластины марки СТ-50-1-2 размером 30x24 мм

Осаждение пленок проводилось в реакторах из молибденового стекла Предварительно обработанная ситалловая подложка, закрепленная в специальном фторопластовом держателе под углом 15° рабочей поверхностью вниз, погружалась в приготовленную реакционную смесь Реактор закрывался фторопластовой крышкой и помещался в нагретый до необходимой температуры термостат марки «UltraThermostat U-10», задаваемая температура в котором поддерживалась с точностью ±0 1 К

Перед началом синтеза осуществлялась тщательная подготовка ситалловых подложек Обработка подложек заключалась в механической очистке пастой из гидрокарбоната натрия с последующим погружением на 10 мин в травитель Дэша, состоящий из смеси фтористоводородной, уксусной и азотной кислот в соотношении 18 3 После этого подложки промывались большим количеством дистиллированной воды После окончания синтеза подложки, покрытые пленкой, вынимались из реакционной смеси, тщательно промывались дистиллированной водой, высушивались на воздухе при комнатной температуре и помещались в эксикатор

Для определения остаточных концентраций свинца и олова (II) в растворе при проведении кинетических исследований использовался метод обратного трилонометрического титрования

Термическая обработка синтезированных пленок проводилась на воздухе в печи типа CHOJI 1 6 2 5 1 (СНОЛ 1 6 2 0 0 8) Отжиг пленок осуществлялся при температурах 403-723 К Точность поддержания температуры в зоне термообработки ±2 К

Термообработка полученных слоев осуществлялась в открытом и квазизамкнутом объемах При этом отжиг в квазизамкнутом объеме проходил при различных соотношениях квазизамкнутого рабочего объема (Vp) и площади пленки (Sn,n) Значение Vp/Snl составляло 40 и 95

Измерение толщины полученных слоев PbSe, SnSe, Pb^Sn^Se проводилось оптическим методом путем снятия спектров отражения на инфракрасном спектрофотометре Specord 75 IR в интервале волновых чисел 400-4000 см"'

Определение фазового состава и структуры пленок осуществлялось методом рентгеновской дифракции в СиАГя-излучении на дифрактометре ДРОН-УМ1 Съемка велась в интервале углов 2в от 20 до 75' в режиме пошагового сканирования с шагом 0 02' и временем накопления сигнала в точке 5 с

Доля селенида олова в структуре твердого раствора рассчитывалась при использовании правила Вегарда

Энергодисперсионный элементный микроанализ проводился на микроанализаторе Superzond JSXA-733c (Япония), оснащенном энергодисперсионным спектрометром AN 10/85s (Великобритания) при ускоряющем напряжении 20 кВ и токе зонда 5 Ю-9 А с использованием стандартных эталонов фирмы Link (Англия) Анализируемая площадь образца при каждом замере составляла 200 х 150 мкм

Электронно-микроскопические исследования пленок выполнены с помощью растрового электронного микроскопа Scanning Electron Microscope JEOL JUS-5900 LV при ускоряющем напряжении 20 кВ. Съемка производилась в низковакуумном режиме, который позволяет исследовать образцы без напыления токопроводящего слоя

Для установления температурной зависимости проводимости полученных пленок были выполнены измерения их электропроводности Данные измерения проводились в вакуумном криостате с остаточным давлением Ю-1 Па в интервале температур 220-295 К в токовом режиме с использованием термоэлектрического охладителя Точность поддержания температуры составляла ±0 1 К На образцы пленок 2x5 мм электрохимическим методом с двух сторон наносились никелевые контакты шириной 1 5 мм, к которым с помощью низкотемпературного припоя припаивались золотые проводники

Измерение фотоэлектрических характеристик слоев в ИК-диапазоне спектра проводилось в соответствии с ГОСТ 17782-79 на установке К 54 410 В качестве источника излучения использовалось АЧТ 573 К с облученностью в плоскости

прибора 9 10~5 Вт/см2 Частота модуляции излучения составляла 800 Гц Напряжение смещения устанавливалось в диапазоне 10-100 В

Относительные спектральные характеристики фоточувствительности измерялись на двойном монохроматоре 8РМ-2 на частоте модуляции излучения 400 Гц

В третьей главе осуществлен термодинамический анализ условий образования РЬЭе, БпБе, РЬ^Эп^е путем расчета ионных равновесий, устанавливающихся в системе «соль метала - лиганд - халькогенизатор»

Критерием образования селенида двухвалентного металла является равенство (либо превышение) ионного произведения равновесных концентраций свободных ионов металла и селена произведению растворимости (ПР) соответствующего селенида металла

[Л&ЧСй2-], £ ПРМ^ (1)

Концентрация свободных ионов металла будет равна

[А/е2+]р=«Ме!.СШе, (2)

где Ше2*]Р- концентрация ионов Ме2+, ашг. - доля свободных ионов металла, которая рассчитывается с учетом констант нестойкости всех его комплексных форм, присутствующих в растворе, СШс - суммарная концентрация металла в растворе

Так как анализ проводится в условиях равновесия, то суммарная концентрация металла может быть заменена на равновесную концентрацию его соли С учетом этого, уравнение (2) в логарифмической форме примет вид

р[Мег*]р=рСр + раш1, (3)

Считалось, что гидролиз селеномочевины носит обратимый характер и его продуктами, по мнению большинства исследователей, являются селеноводород и цианамид

(Ш2)2 С5е о Я2&> + Н2СЬ\ (4)

Тогда константу гидролитического разложения селеномочевины можно записать следующим образом

к [Я2^]ДЯ2С/У2]/_ (5)

где [Н23е]р, [Н2СА'2]р, [(Щ^Сй], - равновесные концентрации селеноводородной кислоты, цианамида и сетеномочевины, соответственно, и КН1СЫ1 - константы полной ионизации селеноводородной кислоты и цианамида

Величина равновесной концентрации полностью ионизированной формы цианамида равна

[С^Ч = Г т2 . I ГГЯДТ'. „- = (С. -Ср)

(6)

[*/♦]'+*, + " " рц

где С, - суммарная концентрация цианамида, С„ - начальная концентрация соли металла в реакционной смеси, а Ср — равновесная концентрация комплексной соли металла в системе, К, = 5 25 Ю-11 и К„1СК1= 7 95 1СГ23 - соответственно константы ионизации цианамида по первой ступени и полная

Тогда, используя равенство (6), равновесная концентрация ионов 8е2~, выраженная из уравнения (5), будет равна

= рКс + рКН13е+р[(ЫН2)2С5е]р-р(С„-Ср) + р/Зч-4рНр (7)

Объединение уравнений (3) и (7) позволяет получить выражение характеризующее условия образования твердой фазы МеЭе

р[Мег*]„+р[5е>-]р = рПРМе&= (8)

'С.-С/

= рКс +РКН^ +р[т1)2С8е}р +рРц-4рНр-р

сР

+ Рам

Используя уравнение (8), можно определить условия, при которых возможно образование селенида двухвалентного металла в зависимости от условий процесса На рисунке 1 изображена область совместного образования РЬБе и БпЭе, из которого видно, что совместное осаждение селенидов свинца и олова при использовании в качестве халькогенизатора селеномочевины возможно в диапазоне рН 7-14 При этом при уменьшении начальных концентраций солей свинца и олова расчетная область образования РЬБе и 8п8е сдвигается в более щелочную среду

В четвертой главе рассматриваются вопросы, касающиеся исследования кинетических закономерностей гидрохимического синтеза пленок селенидов свинца и олова, получения слоев РЬ8е, Эпйе, РЬ^^е, а также изучения их свойств

При исследовании кинетики осаждения селенида свинца начальные условия процесса изменялись в следующих пределах [РЬ(СНзСОО)2] - 0 01-0 10 моль/л,

Рисунок 1 - Расчетная область совместного осаждения РЬБе и БпБе (заштрихована) в цитратно-аммиачной

системе при — 0 35 моль/л

№,С,Я50,

о

0 2 4

б

8 10 12 14

1, 2 - линии, соответствующие 1% и 99% степени превращения

РЬ(СН3СОО)2 в РЬБе, 3, 4 - линии, соответствующие 1% и 99% степени превращения 8пС12 в БпЗе

рН

[(ЫН2)2С8е] - 0 02-0 20 моль/л, [Ыа3С6Н507] - 0 15-0 55 моль/л, [Ш4ОН] - 0 25-1 0 моль/л, [Ыа280з] - 0 01-0 05 моль/л, температура - 303-343 К

Построение кинетических кривых процесса осаждения селенида свинца проводилось путем определения остаточного содержания соли свинца в реакционной смеси через определенные промежутки времени вплоть до наступления равновесия в системе

После определения констант скоростей процесса образования РЬБе по результатам варьирования концентраций компонентов системы были рассчитаны частные порядки реакций по всем составляющим реакционной смеси Для этого были построены зависимости в координатах ркА - рСА1 {Сл - концентрация компонента реакционной смеси), по тангенсу угла наклона которых определялся частный порядок реакции по соответствующему компоненту реакционной смеси Энергия активации процесса определялась по температурной зависимости константы скорости реакции с использованием уравнения Аррениуса Тангенс угла наклона прямой в координатах 1п к — \/Т равен величине Е/К, а отрезок, отсекаемый ею на оси ординат, соответствует значению 1п к0

Таким образом, формально-кинетическое уравнение скорости образования селенида свинца в цитратно-аммиачной системе примет вид

При проведении кинетических исследований процесса осаждения селенида олова в цитратно-аммиачной системе начальные условия проведения реакции

РГте=2 29 Ю'ехр -

45100 1^0 86 ,-,-0 15 ,-043 0 3 (1 Я ПАТ (''Чг)!^ ЬНрч «»¡Я))1-/V*

(9)

8 314 Т

и

варьировались в следующих пределах [БпСЩ — 0 01-0 07 моль/л, [МН40Н] - 0 300 85 моль/л, [(Ш2)2С8е] - 0 02-0 15 моль/л, [На3С6Н507] - 0 15-4) 50 моль/л, [Ыа2803] - О 01-0 04 моль/л, температура - 336-368 К

Расчеты констант скоростей реакций, частных порядков по компонентам реакционной смеси, предэкспоненциального множителя в уравнении Аррениуса и энергии активации реакции осаждения селенида олова в цитратно-аммиачной системе проводились по методикам, описанным выше

Формально-кинетическое уравнение процесса образования селенида олова в цитратно-аммиачной системе имеет вид

Ш —1 11 ЛП'лтгА 57500 у.04} „031 68 у-1-0 54 п

(10)

Можно предположить, что состав твердого раствора замещения на основе РЬ8е и БпБе определяется соотношением скоростей образования индивидуальных селенидов металлов при их совместном осаждении в соответствии с выражением

(11)

1-х

где х - содержание в твердом растворе замещающего компонента Биве, ^ и \У2 -скорости образования твердой фазы БпЗе и РЬ8е

Применительно к твердому раствору РЬ^Бп^Бе уравнение (11) после подстановки в него выражений (9) и (10) примет вид

08аупГ 12400 ^.043 _04в „,25 ^.024 [ _х ~ 3 8314Г] Члй,®, £

Использование формально-кинетического уравнения (12) позволяет делать предварительные расчеты состава твердого раствора замещения РЬ^Бп^Бе путем подстановки в него заданных концентраций компонентов реакционной смеси и температуры процесса

На рисунке 2 изображена типичная рентгенодифрактограмма осажденной пленки РЬ8е Проведенный анализ показал, что основные рефлексы соответствуют кристаллической фазе селенида свинца, имеющей гранецентрированную кубическую структуру, характерную для этого соединения В то же время рентгенограмма содержит рефлексы, идентификация которых позволила отнести их к кристаллической фазе сульфита свинца (РЬ80з)

ч 15000

Рисунок 2 - Рентгенограммы химически осажденных пленок селенидов свинца и олова и слоя, полученного при совместном осаждении РЬБе и БпБе из цитратно-аммиачной реакционной смеси

и

Е

° 12000

БпЭе

о=0 6002нм „^взт;^

-___К-/--—~__,___

РЬ5!е -

3000 ■ РЬБе

I

30 40 50 60 70

29, град

Элементный анализ синтезированных пленок селенида свинца показал, что их состав отвечает формуле РЬБеовз, т е наблюдается нестехиометрия по атомам селена, что говорит о возможном присутствии в пленках рентгеноаморфных фаз слаборастворимых гидроксида и цианамида металла

Анализ рентгенодифрактограммы пленки ЭпБе (рисунок 2) позволил заключить, что помимо селенида олова осажденные слои не содержат других кристаллических фаз По данным лазерного микроанализа синтезированных пленок ЗпБе была выявлена нестехиометрия по селену, которая достигает 6 1 ат %

На всех рентгенодифрактограммах совместно осажденных селенидов свинца и олова была зафиксирована только одна кристаллическая фаза, идентифицированная по данным картотеки А8ТМ как кубическая решетка типа ЫаС1, соответствующая селениду свинца Анализ рентгенодифрактограмм показал, что рефлексы материала пленок во всех случаях, когда их осаждение проводилось в присутствии соли олова, смещены относительно индивидуального селенида свинца в область дальних углов Полученные результаты были идентифицированы как образование в процессе совместного гидрохимического осаждения селенидов свинца и олова твердых растворов РЬ^Бп^Бе При их формировании происходит замещение ионов свинца в решетке РЬБе на меньшие по размеру ионы олова, что и приводит к сдвигу рефлексов отражения Расчет постоянной решетки селенида свинца и использование для определения состава твердого раствора правила Вегарда позволили установить в

п

структуре твердого раствора долю 5пЭс, максимальное содержание которою составило 9 32 мол %

Подтверждением образования твердых растворов РЬ^н^е являются и КР-спектры осадков, образующихся при синтезе пленок в системе РЬБе-ЭиЗе (состав осадков в пределах ошибок измерений совпадает с составом соответствующих пленок) На КР-спектре селенида свинца присутствует интенсивный острый пик на частоте V = 139 см"1 На КР-спектрах осадков, полученных из реакционных смесей, содержащих БпС^, происходит смещение данного пика в высокочастотную область до значения 143 см"1, что является следствием частичного замещения атомов свинца в решетке РЬ8е на более легкие атомы олова

На рисунке 3 представлены зависимости содержания селенида олова в пленке РЬ| ^п^е от концентрации хлорида олова при начальных концентрациях ацетаы свинца в реакционных смесях, равных 0 04 и 0 05 моль/л Из данного рисунка видно, что при концентрации РЬ(СНзСОО)г 0 05 моль/л были получены более богатые по впБе пленки При этом, наибольшее содержание БпБе в составе твердого раствора при С'1£11Н10(П =0 05 моль/л, достигающее 9 3 мол %, наблюдается при 0 06 мо1ь/л соли олова в реакторе

Рисунок 3 - Зависимость содержания 8п8е в твердом растворе РЬ^Йп^е от начальной концентрации РЬ(СН3СОО)2 в цитратно-аммиачной реакционной смеси, моль/л 0 04 (1), 0 05 (2)

Электронно-микроскопические исследования показали, что образование твердого раствора РЬ^п^е сопровождается изменением морфологии пленок (рисунок 4) При замещении ионов свинца в решетке РЬЭе ионами олова происходи 1

уменьшение размеров кристаллитов, образующих пленку. Если слой чистого селенида свинца состоит из глобул размером 0.36-0.50 мкм, то размер частиц твердых растворов РЬи.гЗп^Бе уменьшается и составляет 0.21-0.43 мкм при х= 0.02 и 0.29-0.32 при х = 0,08. Кроме того, происходит изменение габитуса формирующих пленку кристаллитов при образовании богатых оловом твердых растворов. Форма зерен слоя РЬо.988по,ог5е практически не изменяется по сравнению с индивидуальным селенидом свинца. Однако пленка Pbo.42S1io.ogSe состоит из кристаллитов, имеющих четкую кубическую огранку.

Рисунок 4 - Микроэлектронные фотографии пленок РЬЭе (й), РЬо.^па 0г5е (5), РЬо ^^ло.иЗе (в) (увеличение 2 0000 раз)

Значения ширины запрещенной зоны пленок Pbi.jSn.tSe, рассчитанные по данным низкотемпературных исследований, являются косвенным подтверждением образования твердых растворов замещения в системе РЬЗе-ЭпЗе, поскольку во всех случаях наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны слоев, осажденных из реакционных смессй содержащих соль олова, по сравнению с шириной запрещенной зоны индивидуального с: лен и да свинца, в ее отсутствии.

В пятой главе изложены результаты термической обработки слоев РЬ^Зп^Зе, проводимой с целью их сенсибилизации к ИК-излучению.

Исследование зависимости фотответа слоев РЬо.етзБполиБе от температуры обработки показало, что наиболее чувствительными являются пленки, сенсибилизированные в температурном интервале 653-700 К. Достижение наибольших значений чувствительности слоев, обработанных в этом температурном

Е5

диапазоне, вероятно, объясняется образованием оптимального количества кислородсодержащих фаз РЬО, РЬБеС^ в этих условиях

Проведенные исследования показали, что для обеспечения наиболее высокого уровня фоточувствительности пленок твердых растворов РЬ^Бп^е необходим нагрев при относительно высокой температуре (653 К) и незначительной длительности (до 60 минут)

Термическая обработка в квазизамкнутом объеме, позволяющая изменять состав атмосферы, проводилась в диапазоне температур 523-653 К Соотношение рабочего объема, в котором осуществлялся нагрев, и площади пленки составляло 40 и 95

Нагрев пленок в квазизамкнутом объеме способствует возникновению экстремальных зависимостей чувствительности от температуры обработки Вольтовая чувствительность пленок РЬ0 9758п0025§е, обработанных при У/5„, равном 95 и 40 достигает максимума при 623 и 653 К соответственно, составляя во втором случае 220 мкВ, что является одним из лучших показателей для исследованных пленок

Важнейшей функциональной характеристикой совместно осажденных пленок селенидов свинца и олова, косвенно подтверждающей образование твердых растворов РЬ1_х8п^8е, является характер их спектральной кривой фотоотклика

На рисунке 5 представлены кривые относительной спектральной чувствительности индивидуального селенида свинца и образцов пленок твердых растворов РЬ0 94з8п00578е, РЬс^ззЭпосбзЗе и РЬс^згБпо обв5е при температуре 300 К Видно, что для всех образцов наблюдается смещение максимума спектральной чувствительности в длинноволновую область до 4 4, 4 7 и 4 6 мкм соответственно против 3 6 мкм для РЬЭе Кроме того, отмечается также значительный сдвиг «красной» границы спектральной чувствительности исследованных пленок соответственно до значений 5 8, 5 9 и 6 1 мкм, в то время как аналогичное значение Хгр для РЬБе составляет 4 7 мкм

На рисунке 6 представлены зависимости относительной спектральной чувствительности пленки твердого раствора РЬо9з2§Пооб8^е от рабочей температуры Снижение температуры до 200 и 80 К значительно расширяет область спектральной чувствительности фотоотклика до 7 0 и 8 2 мкм соответственно

X, мкм

Рисунок 5 - Кривые относительной спектральной чувствительности

химически осажденных пленок РЬйе

(1), РЬ094з8поо57§е (2), РЬ09328пооб88е

(3), РЬо9з85по обгЯе (4) при температуре 300 К

_,_i_,_i_._i_,_i_._i___i_,_i

23456789

X, мкм

Рисунок 6 - Кривые относительной спектральной чувствительности

химически осажденных пленок Pb0 932Sn0 068Se при температуре слоя 300(1), 200(2), 80(3) К

Таким образом, поставленную в работе цель по гидрохимическому осаждению фоточувствительных тенок твердых растворов РЬ^Зп^е можно считать достигнутой

ВЫВОДЫ

1 Рассчитаны области образования РЬБе и ЗпЭе посредством термодинамического анализа ионных равновесий, устанавливающихся в системе «соль металла - цитрат натрия - селеномочевина» Определены условия, обеспечивающие потенциально возможный гидрохимический синтез твердых растворов РЬ^п^е путем соосаждения РЬБе и Бпве

2 Исследованы кинетические закономерности процессов осаждения селенидов свинца и олова в цитратно-аммиачной системе и составлены формально-кинетические уравнения скоростей образования РЬ8е и впЗе Выведено уравнение, дающее возможность проводить целенаправленный синтез пленок Pbi_j.Snj.Se требуемого состава, формируя соответствующую рецептуру реакционной смеси, которое имеет вид

_£_-П'>1мгг/ 12400 ]--0<з „0 46 Г125 л-0 24

8 з <*н1>!сь л»-.»« М"!1®, ^

3 Впервые в цитратно-аммиачной системе с применением селеномочевины осуществлен гидрохимический синтез пленок БпБе и РЬ^Бп^Бе (0 < х < 0 093) Исследованы их структура, фазовый, элементный состав, морфология и полупроводниковые свойства Установлена взаимосвязь свойств полученных пленок и условий осаждения

4 Разработаны условия термообработки химически осажденных пленок РЬ^Бп^е в диапазоне 403-723 К с целью сенсибилизации к ИК-излучению Выявлено, что сенсибилизация в квазизамкнутом объеме позволяет получать более высокие значения вольтовой чувствительности по сравнению с обработкой в открытом объеме

5 Впервые для химически осажденных пленок РЬ^п^е установлен сдвиг «красной» границы спектральной чувствительности в более длинноволновую область спектра по сравнению с индивидуальным селенидом свинца Значение «красной» границы фоточувствительности гидрохимически осажденных слоев твердого раствора РЬ^н^е составляет 6 1 мкм при 300 К и 8 2 мкм при 80 К

Основное содержание диссертации изложено в следующих публикациях*

1 Третьякова НА Формирование пленок селенидов металлов химическим осаждением /НА Третьякова // Научные труды II отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ Сборник тезисов - Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2002 -С 138-139

2 Третьякова Н А Гидрохимический синтез селенида олова с использованием селеномочевины /НА Третьякова, В Ф Марков // Материалы II Всероссийской

научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» -Томск Изд-во ТПУ, 2002 -Т 1 - С 157-158

3 Третьякова Н Л Осаждение пленок селенида олова из водных растворов / Н А Третьякова // Научные труды III отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ Сборник статей -Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2002 -Ч 1 -С 168169

4 Третьякова Н А Анализ условий образования селенида олова /НА Третьякова // Научные труды V отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ Сборник статей -Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2003 -С 168

5 Третьякова НА Вчияние температуры на процесс гидрохимического синтеза селенида свинца /НА Третьякова, Л Д Лошкарева, В Ф Марков // Химия твердого тела и функциональные материалы Сборник тезисов докладов Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы -2004» и IV семинара СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» -Екатеринбург УрО РАН, 2004 - С 408

6 Третьякова Н А Получение твердых растворов замещения в системе свинец-олово-селен / НА Третьякова // Проблемы теоретической и экспериментальной химии Тез докл XIV Рос мол науч конф , посвящ 80-летию со дня рожд проф В Ф Барковского, Екатеринбург, 20-23 апр 2004 г - Екатеринбург Изд-во Урал ун-та, 2004 - С 342-343

7 Марков В Ф Кинетика гидрохимического осаждения SnSe / В Ф Марков, Н А Третьякова, Л Д Лошкарева, Е И Степановских // Вестник УГТУ-УПИ Серия химическая Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004 -№7(37) -С 157-160

8 Третьякова НА Исследование кинетики осаждения селенида олова из водных растворов /НА Третьякова, В Ф Марков // Материалы II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» («ФАГРАН-2004»), Воронеж, 10-15 октября 2004 г - Т 1 -С 315-317

9 Третьякова Н А Рентгенографическое исследование тонких пленок PbSe, полученных гидрохимическим методом / НА Третьякова // Научные труды VII отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ Сборник статей -Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004

10 Третьякова НА Инфракрасные детекторы на основе тонких пленок сульфида и селенида свинца / НА Третьякова, ТА Петухова // Энерго- и ресурсосбережение Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии Сборник материалов Всероссийской студенческой олимпиады, научно-практической конференции и выставки студентов, аспирантов и молодых ученых 7-10 декабря

2004 г - Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004 - С 131-132

11 Петухова ТА Газочувствительные датчики на основе халькогенидов металлов как перспективные материалы в системе обеспечения экологической безопасности / ТА Петухова, НА Третьякова // Энерго- и ресурсосбережение Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии Сборник материалов Всероссийской студенческой олимпиады, научно-практической конференции и выставки студентов, аспирантов и молодых ученых 7-10 декабря 2004 г -Екатеринбург ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2004 - С 258-259

12 Третьякова Н А Изучение кинетики гидрохимического осаждения селенида свинца /НА Третьякова // Проблемы теоретической и экспериментальной химии Тез докл XV Рос мол науч конф, посвящ 85-летию Уральского государственного университета им AM Горького, Екатеринбург, 19-22 апр 2005 г -Екатеринбург Изд-воУрал ун-та, 2005 - С 106

13 Третьякова НА Исследование взаимосвязи свойств пленок селенида свинца и условий их получения при гидрохимическом осаждении /НА Третьякова // Проблемы теоретической и экспериментальной химии Тез докл XV Рос мол науч конф , посвящ 85-летию Уральского государственного университета им AM Горького, Екатеринбург, 19-22 апр 2005 г - Екатеринбург Изд-воУрал ун-та,

2005 -С 110

14 TretyakovaNA Chemical bath deposition of PbSe thin films effect of the bath composition on the film properties / NA Tretyakova, VF Markov // Физика электронных материалов материалы 2-й Международной конференции, Калуга, Россия, 24-27 мая 2005 года - Калуга Издательство КГПУ имени К Э Циолковского, 2005 -Т 2 - С 54-55

15 Марков В Ф Структура и состав гидрохимически осажденных пленок сульфида и селенида олова / В Ф Марков, Н А Третьякова, JI Н Маскаева, Д С Епанешникова // Фундаментальные проблемы современного материаловедения

-Барнаул Издательство Алтайского технического уриверситета, 2005 -№2 -С 5960

16 Петухова Т А Тонкопленочные сенсорные элементы в решении экологических проблем /ТА Петухова, H А Третьякова, В Ф Марков // Сборник трудов I Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности», Санкт-Петербург, Россия, 30 мая -02 июня 2005 г - 2005 - Т 3 -С 81

17 Третьякова НА Приемники инфракрасного излучения на основе тонких пленок сульфида и селенида свинца /НА Третьякова, Т А Петухова, В Ф Марков // Сборник трудов I Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности», Санкт-Петербург, Россия, 30 мая - 02 июня 2005 г - 2005 - Т 3 - С 98

18 Третьякова H А Кинетика гидрохимического осаждения пленок селенида свинца, их состав, структура и свойства /НА Третьякова, В Ф Марков, JI H Маскаева, X H Мухамедзянов // Конденсированные среды и межфазные границы -2005 -Т7-№2-С 189-194

19 Петухова ТА Химические сенсоры на основе тонких шенок халькогенидов металлов в решении экологических проблем /ТА Петухова, H А Третьякова, В Ф Марков // Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики Материалы VI Междунар науч-практ конф, г Новочеркасск, 30 сентября 2005 г - Юж -Росс гос техн ун-т (НПИ) Новочеркасск ЮРГТУ, ООО НПО «Темп», 2005 -С 80-81

20 Третьякова H А Материалы для приемников инфракрасного излучения на основе гидрохимически осажденных пленок сульфида и селенида свинца / H А Третьякова, Т А Петухова, В Ф Марков // Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики Материалы VI Междунар науч -практ конф , г Новочеркасск, 30 сентября 2005 г - Юж -Росс гос техн ун-т (НПИ) Новочеркасск ЮРГТУ, ООО НПО «Темп», 2005 - С 78-80

21 Третьякова НА Исследование пленок селенида свинца, полученных гидрохимическим осаждением /НА Третьякова, В Ф Марков // Тезисы докладов V Всерос конф мол уч с междунар участием «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» Саратов, 2005 - 2005 - С 25-27

22 Третьякова Н А Исследование кинетических закономерностей формирования твердых растворов в системе свинец-олово-селен /НА Третьякова, В Ф Марков // Тезисы докладов V Всерос конф мол уч с междунар участием «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» Саратов, 2005 -2005 -С 18

23 Третьякова Н А Исследование тонких пленок селенида свинца методом рентгеновской дифракции /НА Третьякова, В Ф Марков // Тезисы докладов V Национальной конфере щии по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования наноматериалов и наносистем (РСНЭ НАНО - 2005), Москва, 14-19 ноября 2005г - Москва' ИК РАН, 2005 -С 325

24 Третьякова Н А Гидрохимическое осаждение как перспективный метод синтеза пленок PbSnSe / НА Третьякова, В Ф Марков, Л Н Маскаева // Перспективные химические материалы и технологии для различных отраслей народного хозяйства Сборник докладов научно-практической конференции, Екатеринбург, 23 ноября 2005 г - Екатеринбург 2005 - С 92

25 Марков В Ф Гидрохимический синтез и структура пленок твердых растворов замещения Pb,.xSnxSe / В Ф Марков, Н А Третьякова, X Н Мухамедзянов, ЛН Маскаева//Вестник УГТУ-УПИ Серия химическая -2005 - С 75-77

26 Третьякова НА Гидрохимический синтез, состав, структура и свойства селенида свинца (И) /НА Третьякова, В Ф Марков, Л Н Маскаева, X Н Мухамедзянов // Химия и химическая технология Сб трудов - 2006 - С 97-99

27 Мухамедзянов X Н Низкотемпературные исследования соосажденных пленок селенидов свинца и олова / X Н Мухамедзянов, М П Миронов, Л Н Маскаева, В Ф Марков, Н А Третьякова // Химия и химическая технология Сб трудов - 20Об -С 114-119

Подписано в печать 08 12 06. Формат 60x84 1/16 Бумага для множ аппаратов Печать плоская Уел печ л 1 Уч-изд л 1,5 Тираж 100 экз Заказ №17

Центр оперативной полиграфии «АСМ-электроника» г Екатеринбург, ул Красноармейская, 1

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 ПОЛУЧЕНИЕ, ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДОВ СВИНЦА (II), ОЛОВА (II), ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pbi^Sn^Se (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1 Методы синтеза PbSe, SnSe и Pb^Sn JSe.

1.2 Гидрохимический метод синтеза пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se. ^

1.3 Структура, состав и свойства селенидов свинца (II), олова (II) и твердых растворов замещения на их основе.

1.3.1 Структура, состав и полупроводниковые свойства селенидов свинца

И) и олова (II).

1.3.2 Факторы изоморфной смесимости и оценка возможности образования твердых растворов замещения в системе PbSe-SnSe.

1.3.3 Состав, структура и фотоэлектрические свойства твердых растворов замещения Pbi^Sn^Se.

1.4 Методы и механизм сенсибилизации пленок халькогенидов металлов к ИК-излучению.

1.5 Применение селенидов свинца (II), олова (II) и твердых растворов Pbi^Sn^Se.

Выводы.

Глава 2 МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1 Реактивы и материалы.

2.2 Кинетические исследования осаждения селенидов свинца (II) и олова (II).

2.3 Методика гидрохимического осаждения тонких пленок PbSe, SnSe и твердых растворов Pbi^Sn^Se.

2.4 Методы исследования состава, структуры и морфологии пленок PbSe, SnSe, Pb^Sn^Se.

2.5 Проведение термообработки синтезированных пленок.

2.6 Исследование фотоэлектрических характеристик пленок.

Глава 3 ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ PbSe, SnSe И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pb,,Sn,Se В СИСТЕМЕ Ме2+ - С6Н5073' - NH4OH - (NH2)2CSe (Ме2+ - Pb2+, Sn2+).

3.1 Анализ условий образования селенида, гидроксида и цианамида свинца (II) в цитратно-аммиачной системе.

3.1.1 Анализ условий образования селенида свинца (II).

3.1.2 Анализ возможности образования РЬ(ОН)2.

3.1.3 Анализ возможности образования PbCN2. ^

3.2 Анализ условий образования селенида и гидроксида олова (II) в цитратно-аммиачной системе.

3.2.1 Анализ условий образования селенида олова (II).

3.2.2 Анализ возможности образования Sn(OH)2.

3.3 Определение области формирования твердого раствора Pbi^Sn^Se.

Выводы.

Глава 4 ПЛЕНКИ PbSe, SnSe, Pb,,Sn^Se: КИНЕТИКА

ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ, СОСТАВ, СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.

4.1 Исследование кинетических закономерностей гидрохимического синтеза селенидов свинца (II) и олова (II).

4.1.1 Исследование процесса осаждения селенида свинца (II) в цитратно-аммиачной системе.

4.1.2 Исследование процесса осаждения селенида олова (II) в цитратно-аммиачной системе.

4.1.3 Расчет состава твердого раствора замещения Pb^^Sn^Se по данным кинетических исследований образования PbSe и SnSe в цитратно-аммиачной системе. оч

4.2 Исследование кристаллической структуры, фазового и элементного состава синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pb^Sn^Se.

4.2.1 Исследование структуры, состава и морфологии пленок PbSe и SnSe.

4.2.2 Исследование структуры, состава и морфологии пленок Pb^Sn^Se.

4.2.3 Низкотемпературные исследования пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se.

Выводы.

Глава 5 ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ

ПЛЕНОК Pb,ASe.

5.1 Воздействие температуры обработки на структуру, морфологию и свойства пленок твердых растворов Pbi^Sr^Se.

5.2 Роль добавки в реакционную смесь йодида аммония на свойства пленок Pbi^Sn^Se.

5.3 Влияние времени термообработки на свойства пленок твердых растворов Pbi^SntSe.

5.4 Термообработка пленок Pbi^Sn^Se в квазизамкнутом объеме.

5.5 Исследование спектральной характеристики фотоотклика химически осажденных пленок Pbj^Sn^Se.

Выводы.

Актуальность исследования. На инфракрасный диапазон спектра электромагнитных излучений приходится основная доля теплового излучения окружающих нас тел, характеризующая их температуру и состав. Вследствие этого материалы, чувствительные к ИК-излучению, позволяют осуществлять дистанционное измерение температуры для нужд промышленности, медицины, безопасности жизнедеятельности, а также решать задачи пассивного обнаружения и химической идентификации различных объектов. Особенно высокой информативностью для решения многих практических задач обладают средний и дальний диапазоны ИК-излучения (3.0-12.0 мкм), в которых в настоящее время используются технологически сложные и дорогие материалы (InSb, CdHgTe и PbSnTe). Создание новых полупроводниковых структур с запрещенной щелью, близкой к нулю, позволяет значительно расширить круг функциональных материалов для среднего и дальнего ИК-диапазонов спектра. Среди фоточувствительных материалов особое место занимают тонкие пленки PbSe, которые находят широкое применение в оптоэлектронике. Значительную роль в расширении номенклатуры ИК-чувствительных материалов на их основе могут сыграть тройные полупроводниковые соединения, вследствие возможности регулирования их фотоэлектрических свойств путем изменения состава. В частности, перспективны твердые растворы замещения Pbi^Sn^Se, в которых происходит уменьшение ширины запрещенной зоны при увеличении содержания олова в их составе за счет присущей им способности к инверсии зон.

Традиционно для получения пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se используются различные высокотемпературные методы синтеза, требующие сложного оборудования и значительных материальных затрат. Вследствие этого актуальной является разработка условий получения данных материалов методом гидрохимического осаждения, исключающего использование дорогостоящего оборудования, высоких температур, глубокого вакуума и, в то же время, позволяющего получать относительно недорогие слои высокого качества с широким диапазоном физических свойств. Использование гидрохимического метода синтеза для получения PbixSnxSe позволяет резко расширить применение ИК-техники в различных сферах человеческой деятельности.

Цель работы. Разработать метод гидрохимического осаждения из цитратно-аммиачной реакционной смеси селеномочевиной пленок PbSe, SnSe и твердых растворов Pb^SiitSe, исследовать их состав, структуру и электрофизические свойства, определить условия термосенсибилизации слоев Pb^Sn^Se к ИК-излучению.

Научная новизна.

1. Впервые проведены комплексные кинетические исследования процессов гидрохимического осаждения селенидов свинца (II) и олова (И) из цитратно-аммиачных растворов с использованием селеномочевины. Определены энергии активации процесса, частные порядки реакций по компонентам системы, составлены формально-кинетические уравнения скоростей образования PbSe и SnSe.

2. Химическим осаждением из водных сред селеномочевиной впервые получены пленки SnSe и твердых растворов Pbi^Sn^Se (0.0 < х < 0.093).

3. Установлены кристаллическая структура, морфология, фазовый и элементный состав синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pbi^Sn^Se, изучены их полупроводниковые и электрофизические свойства.

4. Термообработкой гидрохимически осажденных пленок Pbi^Sn^Se получены слои фоточувствительные в более длинноволновой области спектра по сравнению с индивидуальным PbSe.

Практическая ценность.

1. Определены условия гидрохимического осаждения селенмочевиной пленок индивидуальных селенидов свинца (II) и олова (II), а также их твердых растворов замещения Pb^Sn^Se (0.0 < х < 0.093).

2. Получены формально-кинетические уравнения скоростей образования селенидов свинца (II) и олова (II), а также выражение, связывающее состав твердых растворов Pb]^Sn^Se с условиями процесса, что обеспечивает возможность их целенаправленного синтеза.

3. Определены условия термосенсибилизации гидрохимически осажденных пленок PbSe, Pbi^Sn^Se к ИК-излучению.

4. Разработан гидрохимический способ осаждения пленок твердых растворов Pbi^Sn^Se (0.0 < х < 0.093), фоточувствительных в спектральном диапазоне 1.0-8.1 мкм.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Кинетические закономерности процессов осаждения селенидов свинца (II) и олова (II) из цитратно-аммиачных растворов с использованием селеномочевины.

2. Результаты гидрохимического синтеза пленок PbSe, SnSe, а также твердых растворов замещения Pbi^Sn^Se.

3. Структура, морфология, фазовый и элементный состав, электрические и полупроводниковые свойства синтезированных пленок PbSe, SnSe, Pbj^Sn^Se.

4. Условия термосенсибилизации пленок PbSe, Pbi^Sn^Se к ИК-излучению.

5. Результаты исследования фотоэлектрических и спектральных характеристик гидрохимически осажденных пленок твердых растворов Pb^SivSe (0.0 <х< 0.093).

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертации доложены и обсуждены на II Всероссийской научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 2002), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2004» (Екатеринбург, 2004), IV семинаре СО РАН - УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), XIV Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2004), II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2004), Всероссийской научно-практической конференции «Энерго- и ресурсосбережение. Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии» (Екатеринбург, 2004), XV

Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2005), 2-й Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, 2005), I Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 2005), VI Международной научно-практической конференции «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» (Новочеркасск, 2005), V Всероссийской конференции молодых ученых с международным участием «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Саратов, 2005), V Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования наноматериалов и наносистем (Москва, 2005), научно-практической конференции «Перспективные химические материалы и технологии для различных отраслей народного хозяйства) (Екатеринбург, 2005).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 10 статей в отечественных журналах и сборниках трудов, 17 тезисов докладов в материалах российской, национальной и международных конференций.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка. Материал изложен на 165 страницах машинописного текста. Работа содержит 54 рисунка, 14 таблиц, 2 приложения. Библиографический список включает 233 источника.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Рассчитаны области образования PbSe и SnSe посредством термодинамического анализа ионных равновесий, устанавливающихся в системе «соль металла - цитрат натрия - селеномочевина». Определены условия, обеспечивающие потенциально возможный гидрохимический синтез твердых растворов Pbi-jSn^Se путем соосаждения PbSe и SnSe.

2. Исследованы кинетические закономерности процессов осаждения селенидов свинца и олова в цитратно-аммиачной системе и составлены формально-кинетические уравнения скоростей образования PbSe и SnSe. Выведено уравнение, дающее возможность проводить целенаправленный синтез пленок Pbi^Sn^Se требуемого состава, формируя соответствующую рецептуру реакционной смеси, которое имеет вид:

3. Впервые в цитратно-аммиачной системе с применением селеномочевины осуществлен гидрохимический синтез пленок SnSe и PbiASn^Se (О < х < 0.093). Исследованы их структура, фазовый, элементный состав, морфология и полупроводниковые свойства. Установлена взаимосвязь свойств полученных пленок и условий осаждения.

4. Разработаны условия термообработки химически осажденных пленок Pbi-jSnjSe в диапазоне 403-723 К с целью сенсибилизации к ИК-излучению. Выявлено, что сенсибилизация в квазизамкнутом объеме позволяет получать более высокие значения вольтовой чувствительности по сравнению с обработкой в открытом объеме.

5. Впервые установлен сдвиг «красной» границы спектральной чувствительности для химически осажденных пленок Pbi^Sn^Se в более длинноволновую область спектра по сравнению с индивидуальным селенидом свинца. Значение «красной» границы фоточувствительности гидрохимически осажденных слоев твердого раствора Pbi^Sn^Se составляет 6.1 мкм при 300 К и 8.2 мкм при 80 К.

1-х

- П "> 11-vrI ^ 2400 о 43 046 , 25 ,-,-0 24

-U.Ziexp п11лг ^{NH2)1CSe^Na](6lli01^mi0Hl^Na2S0

12400 С С

1. Девяткова Е.Д. Теплопроводность и изменение числа Лоренца в PbSe в зависимости от степени вырождения электронного газа и температуры / Е.Д. Девяткова, И.А. Смирнов // Физика твердого тела. I960 - Т. 2. - № 7. - С. 1984— 1991.

2. Yashina L.V. The application of VLS growth technique to bulk semiconductors / L.V. Yashina, V.I. Shtanov, Z.G. Yanenko // J. Cryst. Growth. 2003. - V. 252. - No. 1-3. -P. 68-78.

3. Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура / А.А. Кудрявцев. -М.: Металлургия, 1968. 339 с.

4. Созина Н.Н. Некоторые особенности внутреннего фотоэффекта в охлажденных слоях селенистого и теллуристого свинца / Н.Н. Созина, Б.П. Козырев // Изв. высш. уч. зав. Сер. физика. 1959. - Т. 2. - С. 120-128.

5. Житенева Г.М. К вопросу окисления селенида свинца / Г.М. Житенева, Ю.В. Румянцев, А.П. Надольский, Э.Я. Огнева // Тр. Иркутского полит, ин-та. Сер. металлургическая. 1963.-Вып. 18.-С. 130-138.

6. Новикова С.И. Исследование теплового расширения халькогенидов свинца / С.И. Новикова, Н.Х. Абрикосов // Физика твердого тела. 1963. - Т. 5. - № 7. - С. 1913-1916.

7. Brodsky М.Н. Surface Transport Phenomena in PbSe Epitaxial Films / M.H. Brodsky, J.N. Zemel//Phys. Rev.- 1967.- V. 18.-P. 1009-1011.

8. Семилетов C.A. Получение, структура и некоторые свойства монокристаллических пленок селенида свинца / С.А. Семилетов, И.П. Воронина // ДАН СССР. 1963.-Т. 152,-№6.-С. 1350-1353.

9. Воронина И.П. Электрические свойства монокристальных (эпитаксиальных) пленок PbSe / И.П. Воронина, С.А. Семилетов // Физика твердого тела. 1964. - Т. 6. - № 5. - С. 1540-1541.

10. Egerton R.F. Epitaxial films of PbTe, PbSe and PbS grown on mica substrates / R.F. Egerton, C.Juhasz//Br. J. Appl. Phys.- 1967. V. 18.-P. 1009-1011.

11. Poh K.J. The structure and growth of epitaxial PbSe films / K.J. Poh, J.C. Anderson // Thin Solid Films. 1969. - V. 3. - No. 2. - P. 139-156.

12. Datta S.K. On the mechanism of photoconductivity in polycrystalline lead selenide films / S.K. Datta, A.K. Chaudhuri // Semicond. Sci. Technol. 1989. - V. 4. -P. 376-381.

13. Rogacheva E.I. Quantum size effects in IV-VI quantum wells / E.I. Rogacheva, O.N. Nashchekina, T.V. Tavrina, M. Us, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin, 0. Rabin // Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures. 2003. - V. 17. - P. 313-315.

14. Kumar S. Studies on thin films of lead chalcogenides / S. Kumar, Z.H. Khan, M.A. Majeed Khan, M. Husain // Current Applied Physics. 2005. - V. 5. - P. 561-566.

15. Rumianowski R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // J. Cryst. Growth. 2003. - V. 252. - P. 230-235.

16. Zogg H. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, T. Hoshino, S. Blunier, A.N. Tiwari // Semicond. Sci. Technol. 1991. - V. 6. - P. C36-C41.

17. SchieBl U.P. 60 °C lead salt laser emission near 5 Jim wavelength / U.P. SchielM, J. Rohr // Infrared Physics and Technology. 1999. - V. 40. - P. 325-328.

18. Suzuki M. Etfect of reduced growth temperature on crystalline qualities and dopant diffusion in Pb^Sn^Se/PbSe layers grown by MBE / M. Suzuki, T. Seki // Thin Solid Films. 1999. - V. 343-344. - P. 317-319.

19. Wu H.Z. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si(l 11) and observation of the PbSe growth interface / H.Z. Wu, X.M. Fang, R. Salas. Jr., D. McAlister, P. J. McCann //J. Vac. Sci. Technol. 1999. - V. 17. - P. 1263-1266.

20. Zogg H. Two-dimensional monolitic lead chalcogenide infrared sensor array on silicon read-out chip / H. Zogg, K. Alchalabi, D. Zimin, K. Kellerman, W. Buttler // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 2003. - V. 512. - P. 440-444.

21. Molin A.N. Electrochemical deposition of PbSe thin films from aqueous solutions / A.N. Molin, A.I. Dikusar // Thin Solid Films. 1995. - V. 265. - P. 3-9.

22. Saloniemi H. Electrodeposition of lead selenide thin films / H. Saloniemi, T. Kanniainen, M. Ritala, M. Leskela, R. Lappalainen // J. Mater. Chem. 1998. - V. 8. -P. 651-654.

23. Beaunier L. Epitaxial electrodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystals / L. Beaunier, H. Cachet, M. Froment // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. - V. 4. - P. 433^136.

24. Ivanou D.K. Electrochemical deposition of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si(100) wafers / D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Mazanik // Thin Solid Films. 2005. - V. 487. - P. 49-53.

25. Vaidyanathan R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta. 2004. - V. 49. - P. 1321-1326.

26. Streltsov E.A. Electrochemical deposition of PbSe films / E.A. Streltsov, N.P. Osipovich, L.S. Ivashkevich, A.S. Lyakhov, V.V. Sviridov // Electrochimica Acta. -1998.-V. 43.-P. 869-873.

27. Миколайчук А.Г. Получение эпитаксиальных слоев халькогенидов олова /

28. A.Г. Миколайчук, Я.И. Дутчак, Д.М. Фрейк // Кристаллография. 1968. - Т. 13. - № 3. - С. 576-580.

29. Миколайчук А.Г. Структура и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок халькогенидов олова / А.Г. Миколайчук, Д.М. Фрейк // Физика твердого тела. 1969. - Т. 11. - № 9. - С. 2520-2525.

30. Косевич В.М Структура границ сопряжения эпитаксиальных кристаллов /

31. B.М. Косевич, JI.C. Палатник, С.Н. Григоров // Физика твердого тела. 1971. - Т. 13. -№ 1.-С. 302-304.

32. Subba Rao Т. Structural characterization of tin selenide thin films / T. Subba Rao, B.K. Samantharay, A.K. Chaudhuri // J. Mater. Sci. Lett. 1985. - V. 4. - P. 743-745.

33. Teghil R. Laser induced ablation and epitaxial growth of SnSe / R. Teghil, A. Giardini-Guidoni, A. Mele, S. Piccirillo, G. Pizzella, V. Marotta // Thin Solid Films. -1994.-V. 241.-No. 1-2.-P. 126-128.

34. Singh J.P. Thermally stimulated currents in epitaxially grown tin selenide films / J.P. Singh, R.K. Bedi // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. - V. 29. - No. 6. - P. L869-L871.

35. Rastogi A.C. A new electrochemical selenization technique for preparation of metal-selenide semiconductor thin films / A.C. Rastogi, K.S. Balakirishnan, A. Garg // J. Electrochem. Soc. 1993. - V. 140. - No. 8. - P. 2373-2375.

36. Engelken R.D. Electrodeposition and analysis of tin selenide films / R.D. Engelken, A.K. Berry, T.P. Doren, J.L. Boone, A. Shahnazary // J. Electrochem. Soc. -1986.-V. 133. No. 3. - P. 581-585.

37. Subramanian B. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films / B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran, M.J. Chockalingam // Thin Solid Films. 1999. - V. 357. - No. 2. - P. 119-124.

38. Qiao Z. Fabrication of Sn-Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy / Z. Qiao, W. Shang, C. Wang // J. Electroanalyt. Chem. 2005. - V. 576. - No. l.-P. 171-175.

39. Zainal Z. Electrodeposition of tin selenide thin film semiconductor: effect of the electrolytes concentration on the film properties / Z. Zainal, A.J. Ali, A. Kassim, M.Z. Hussein // Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2003. - V. 79. - No. 2. - P. 125-132.

40. Subramanian В. Brush plating of tin (II) selenide thin films / B. Subramanian,

41. C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran // J. Cryst. Growth. 2002. - V. 234. - No. 2-3.-P. 421-426.

42. Strauss A.J. Inversion of conduction and valence bands in Pbi^Sn^Se alloys / A.J. Strauss // Phys. Rev. 1967. - V. 157. - No. 3. - P. 608-611.

43. Tao T.F. Epitaxial growth of Pb09i8Sn0082Se films on CaF2 and BaF2 substrates / T.F. Tao, C.C. Wang // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - No. 3. - P. 1313-1316.

44. Hohnke D.K. Epitaxial PbSe and Pbi^Sn^Se: Growth and electrical properties /

45. D.K. Hohnke, S.W. Kaiser // J. Appl. Phys. 1974. - Vol. 45. - No. 2. - P. 892-897.

46. Li C.P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquid-phase epitaxy on (lOO)-oriented silicon / C.P. Li, P.J. McCann, X.M. Fang // J. Cryst. Growth. 2000. - V. 208. - No. 1-4. - P. 423-430.

47. Гавалешко Н.П. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства / Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Киев: Наук, думка, 1984.-288 с.

48. Hoshino Т. Fabrication procedures of photovoltaic lead-chalcogenide-on-silicon infrared sensor arrays for thermal imaging / T. Hoshino, H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier//Microelectronic Engineering. 1991.-V. 15.-No. 1-4.-P. 293-296.

49. Zogg H. Heteroepitaxial IV-VI infrared sensors on Si-substrates with fluoride buffer layers / H. Zogg, W. Vogt, H. Melchior // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 1987. - V. 253. - No. 3. - P. 418^22.

50. John J. IR-sensor array fabrication in Pb^Sn^Se-on-Si heterostructures / J. John, A. Fach, J. Masek, P. MUller, C. Paglino, H. Zogg // Appl. Surf. Sci. 1996. - V. 102. -P. 346-349.

51. Hoshino T. Monolithic Pbi^Sn^Se infrared sensor arrays on Si prepared by low-temperature processes / T. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, J. Masek, S. Blunier, A.N. Tiwari, S. Teodoropol, W.J. Borer // Infrared Physics. 1991. - V. 32. - P. 169-175.

52. Taylor S. E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers / S.E. Taylor // Appl. Phys. A: Materials Science and Processing. 1986. - V. 39. - No. 2. - P. 91-94.

53. Варской Б.Н. Влияние условий получения на структурные и электрофизические свойства монокристаллических пленок Pbo95SnoosSe / Б.Н.

54. Барской, А.Б. Волынцев, С.Ю. Поджаев, Т.В. Пименова, Н.К. Утробина, Н.М. Федорова, А.П. Шотов // Неорг. матер. 1991. - Т. 27. - № 7. - С. 1389-1392.

55. Emerson-Reynoldce J. On the synthesis of galena by means of lead sulpide as a specular film / J. Emerson-Reynoldce // J. Chem. Soc., Trans. 1884. - V. 45. - P. 162— 165.

56. Grozdanov I. A simple and low-cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films /1. Grozdanov // Semicond. Sci. Technol. 1994. - V. 9. - No. 6. -P. 1234-1241.

57. Kainthla R.C. Structural and optical properties of solution grown CdSeixSx films / R.C. Kainthla, D.K. Pandya, K.L. Chopra // J. Electrochem. Soc. 1982. - V. 129. -No. l.-P. 99-102.

58. Pramanik P. Deposition of zinc selenide thin films by solution growth technique / P. Pramanik, S. Biswas //J. Electrochem. Soc. 1986. - V. 133. - No. 2. - P. 350-351.

59. Pramanik P. A chemical method for the deposition of thin films of Bi2S3 / P. Pramanik, R.N. Bhattacharya // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127. - No. 9. - P. 2087.

60. Pramanik P. Chemical methods for the deposition of thin films of Sb2Se3 / P. Pramanik, R.N. Bhattacharya // J. Solid State Chem. 1982. - V. 44. - No. 3. - P. 425.

61. Padam G.K. Composition and structure of chemically deposited CuInSe2 thin films / G.K. Padam // Mater. Res. Bull. 1987. - V. 22. - No. 6. - P. 789-794.

62. Murali K.R. Preparation and characterization of chemically deposited CuInSe2 films / K.R. Murali // Thin Solid Films. 1988. - V. 167. - No. 1-2. - P. L19-L22.

63. Китаев Г.А. Синтез и исследование пленок твердых растворов Cdj^Pb^S различного состава / Г.А. Китаев, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева JI.E. Васюнина, И.В. Шилова // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. - Т. 26. - № 2. - С. 248-250.

64. Маскаева JI.H. Получение твердых растворов замещения Pbj./XSi-s осаждением из водных растворов / J1.H. Маскаева, В.Ф. Марков, П.Н. Иванов // Изв. РАН. Неорган, материалы. 2002. - Т. 38.-№9.-С. 1037-1040.

65. Маскаева JI.H. Гидрохимический синтез и свойства пересыщенных твердых растворов замещения Ag^Pbi^S / JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, Т.В. Виноградова, А.А. Ремпель, А.И. Гусев // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2003. - № 9. - С. 35-42.

66. Маскаева JI.H. Пленки, содержащие пересыщенные по цинку твердые растворы замещения Zn^Pbi^S: синтез, структура и свойства / JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, А.И. Гусев // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2004. - № 2.-С. 100-109.

67. Dobson K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. - V. 80. - No. 3. - P. 283-296.

68. Hankare P.P. Chemical deposition of cubic CdSe and HgSe thin films and their characterization / P.P. Hankare, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Delekar, I.S. Mulla // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - No. 1. - P. 70-75.

69. Hankare P.P. CdHgSe thin films: preparation, characterization and optoelectronic studies / P.P. Hankare, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Delekar, P.R. Bhagat // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - No. 2. - P. 277-284.

70. Mane R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin films / R.S. Mane, C.D. Lokhande//Mat. Chem. Phys.-2000.- V. 65.-No. 1.-P. 1-31.

71. Grozdanov I. A simple solution growth technique for PbSe thin films / I. Grozdanov, M. Najdoski, S.K. Dey // Mater. Lett. 1999. - V. 38. - No. 1. - P. 28-32.

72. Milner C. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts // Nature. 1949. - V. 163. - P. 322-326.

73. Wilman H. The structure of photosensitive lead sulfide and lead selenide deposits and the effect of sensitization by oxygen / H. Wilman // Proc. Phys. Soc. 1948. -V. 60.-No. 2.-P. 117-132.

74. Feroci G. Interaction between selenium derivatives and heavy metal ions: Cu and Pb2+ / G. Feroci, A. Fini, R. Badiello, A. Breccia // Microchemical Journal. 1997. - V. 57. - No. 3. - P. 379-388.

75. Соколова Т.П. Об устойчивости селеномочевины в водных растворах / Т.П. Соколова, Л.И. Рослякова // Рук. деп. в ВИНИТИ 09.09.74, № 2452-74 Деп.

76. Zingaro R.A. Chemical deposition of thin films of lead selenide / R.A. Zingaro, D.O. Skovlin // J. Electrochem. Soc. 1964. - V. 111. - No. 1. - P. 42-47.

77. Рыбникова Г.Г. Получение селенида свинца селеносульфатным способом / Г.Г. Рыбникова, В.А. Поповкин, В.Г. Буткевич, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1964. - Т. 3. - С. 1934-1937.

78. Фофанов Г.М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.М. Фофанов, Г.А. Китаев // Ж. неорг. химии. -1969.-Т. 14.-С. 616-620.

79. Kainthla R.C. Solution growth of CdSe and PbSe films / R.C. Kainthla, D.K. Pandya, K.L. Chopra // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127. - No. 2. - P. 277-283.

80. Kale R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kale, S.D. Sartale, V. Ganesan, C.D. Lokhande, Y.-F. Lin, S.-Y. Lu // Appl. Surf. Sci. 2006. - V. 253. - No. 2. - P. 930-936.

81. Hankare P.P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films / P.P. Hankare, D. Delekar, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Sabane, L.V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. 2003. - V. 82. - P. 505-508.

82. Китаев Г.А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г.А. Китаев, А.Ж. Хворенкова // Ж. прикл. химии. 1999. - Т. 72. - № 9. - С. 1440-1443.

83. Candea R.M. Properties of PbSe films prepared by chemical "anorganic" deposition / R.M. Candea, D. Dadarlat, R. Turcu, E. Indrea // Phys. Stat. Sol. A. 1985. -V. 90.-P. K91-K95.

84. Лундин А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорг. материалы. 1965. - Т. 1.-№ 12.-С. 2102-2106.

85. Китаев Г.А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г.А. Китаев, А.Б. Лундин, С.Г. Мокрушин // Изв. высш. уч. завед. СССР. Химия и химическая технология. 1966. - Т. 9. - № 4. - С. 574-576.

86. Войтович Г.Д. Исследование оптических свойств, структуры и фазового состава слоев сульфида и селенида свинца / Г.Д. Войтович, М.С. Давыдов, А.И. Иванов, Г.П.Тихомиров // Оптико-механ. пром. 1966. - № 12. - С. 9-12.

87. Pramanik P. A chemical method for the deposition of tin (II) selenide thin films / P. Pramanik, S. Bhattacharya // J. Mater. Science Letters. 1988. - V. 7. - P. 1305-1306.

88. Марков В.Ф. Получение твердых растворов замещения в системе свинец-олово-селен соосаждением из водных растворов / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Л.Д. Лошкарева, С.Н. Уймин, Г.А. Китаев // Неорг. матер. 1997. - Т. 33. - № 6. - С. 665668.

89. Оболончик В.А. Селениды и теллуриды редкоземельных металлов / В.А. Оболончик, Г В. Лашкарев. Киев: Наукова думка, 1966. - 162 с.

90. Оболончик В.А. Селениды / В.А. Оболончик. М.: Металлургия, 1972.296 с.

91. Шелимова Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / Л.Е. Шелимова, Н.Н. Томашик, В.И. Грыцив. М.: Наука, 1991. -368 с.

92. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений A1VBVI / Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. М.: Наука, 1975. - 195 с.

93. Goldberg А.Е. Occurrence of natural р-п junctions in lead selenide / A.E. Goldberg, G.R. Mitchell // J. Chem. Phys. 1954. - V. 22. - No. 2. - P. 220-222.

94. Brebrick R.F. PbSe composition stability limits / R.F. Brebrick, E. Gubner // J. Chem. Phys. 1962.-V. 36.-No. l.-P. 170-172.

95. Дорин В.А. О росте слоя селенида свинца / В.А. Дорин, Г.М. Филаретова // Физика мет. и металловедение. 1960. - Т. 9. -№ 5. - С. 718-721.

96. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 6-0354.

97. Lee M.H. Structural and optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, W.J. Chung, S.K. Park, M.S. Kim, H.S. Seo, J.J. Ju // Nanotechnology. 2005. - V. 16. - P. 1148-1152.

98. Yang J. Electron and atomic force microscopic investigations of lead selenide crystals grown under monolayers / J. Yang, J.H. Fendler, T.-C. Jao, T. Laurion // Microscopy Research and Technique. 1994. - V. 27. - No. 5. - P. 402^11.

99. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 14-159.

100. Rau H. High temperature equilibrium of atomic disorder in SnS / H. Rau // J. Phys. Chem. Solids. 1966. - V. 27. - No. 4. - P. 761-769.

101. Девяткова Е.Д. Ширина запрещенной зоны PbSe при высоких температурах / Е.Д. Девяткова, В.А. Саакян // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9. -№ 9. - С.2750—2751.

102. Иоффе А.В. Теплопроводность твердых растворов полупроводников / А.В. Иоффе, А.Ф. Иоффе // Физика твердого тела. 1960. - Т. 2. - № 5. - С. 781-792.

103. Буджак Я.С. Термомагнитные и магнитные свойства селенистого свинца / Я.С. Буджак, К.Д. Товстюк // Изв. АН СССР. Физ. 1964. - Т. 28. - № 8. - С. 1318— 1320.

104. Коломоец Н.В. Исследование термоэлектрических свойств теллуристого и селенистого свинца / Н.В. Коломоец, Т.С. Ставицкая, JI.C. Стильбанс // ЖТФ. -1957. Т. 27. - № 1.-С. 73-81.

105. Ovsyannikov S.V. Thermomagnetic and thermoelectric properties of semiconductors (PbTe, PbSe) at ultrahigh pressures / S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov // Physica B: Condensed Matter. 2004. - V. 344. - P. 190-194.

106. Hens Z. Electrodeposited nanocrystalline PbSe quantum wells: synthesis, electrical and optical properties / Z. Hens, E.S. Kooij, G. Allan, B. Grandidier, D. Vanmaekelbergh // Nanotechnology. 2005. - V. 16. - P. 339-343.

107. Zemel J.N. Electrical and optical properties of epitaxial films of PbS, PbSe, PbTe and SnTe / J.N. Zemel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar // Phys. Rev. 1965. - V. 140. - P. A330-A340.

108. Seetharama Bhat K. Electrical-conductivity changes in PbTe and PbSe films on exposure to the atmosphere / K. Seetharama Bhat, V. Damodara Das // Phys. Rev. B. -1985.-V. 32.-No. 10.-P. 6713-6719.

109. Салий Я.П. Температурные зависимости электрических свойств монокристаллических пленок n-PbSe при облучении а-частицами / Я.П. Салий, Р.Я. Салий // Физика и техника полупроводников. 2000. - Т. 34. - С. 667-669.

110. Agnihotri O.P. Single crystal growth of stannous selenide / O.P. Agnihotri, A.K. Jain, B.K. Gupta // J. Cryst. Growth. 1979. - V. 46. - No. 4. - P. 491-494.

111. Yu J.G. Growth and electronic properties of the SnSe semiconductor / J.G. Yu, A.S. Yue, O.M. Stafsudd //J. Cryst. Growth. 1981. - V. 54. - No. 2. - P. 248-252.

112. Quan D.T. SnSe thin films synthesized by solid state reactions / D.T. Quan // Thin Solid Films. 1987. - V. 149. - No. 2. - P. 197-203.

113. Subba Rao T. Electrical and photoelectronic properties of SnSe thin films / T. Subba Rao, A.K. Chaudhuri // J. Phys. D: Appl. Phys. 1985. - V. 18. - No. 6. - P. L35-L39.

114. Quan D.T. Electrical properties and optical absorption of SnSe evaporated thin films / D.T. Quan // Phys. Stat. Sol. A. 1984. - V. 86. - P. 421-426.

115. Agarwal A. Impact of electrical resistance and ТЕР in layered SnSe crystals under high pressure / A. \garwal, P.H. Triverdi, D. Lakshminarayana // Crystal Research and Technology. 2005. - V. 40. - No. 8. - P. 789-790.

116. Смит P. Полупроводники / P. Смит; пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 560 с. - Перевод изд.: Semiconductors / R.A. Smith. Cambridge, 1978.

117. Baleva М. On the temperature dependence of the energy gap in PbSe and PbTe / M. Baleva, T. Georgiev, G. Lashkarev // Journal of Physics: Condensed Matter. 1990. -V. 2. - P. 2935-2940.

118. Nabi Z. Pressure dependence of band gaps in PbS, PbSe and PbTe / Z. Nabi, B. Abbar, S. Me?abih, A. Khalfi, N. Amrane // Computational Materials Science. 2000. - V. 18.-P. 127-131.

119. Lach-hab M. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2002. - V. 63. - P. 833-841.

120. Смирнов И.А. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце / И.А. Смирнов, Б.Я. Мойжес, Е.Д. Ненсберг // Физика твердого тела. 1960. -Т. 2.-№8.-С. 1992-2005.

121. Товстюк К.Д. О структуре зон носителей тока в PbSe / К.Д. Товстюк, Я.С. Буджак, М.В. Тарнавская // Укр. физ. журнал. 1963. - Т. 8. - № 7. - С. 795-797.

122. Wu H. Experimental determination of deformation potentials and band nonparabolicity parameters for PbSe / H. Wu, N. Dai, P.J. McCann // Phys. Rev. B. 2002. -V. 66.-P. 0453031-0453037.

123. Das R.K. Electronic structure of high density carrier states in PbS, PbSe and PbTe / R.K. Das, S. Sahoo, G.S. Tripathi // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - P. 433-441.

124. Nabi Z. Opto-electronic properties of rutile Sn02 and orthorhombic SnS and SnSe compounds / Z. Nabi, A. Kellou, S. Me?abih, A. Khalfi, N. Benosman // Materials Science and Engineering: B. 2003. - V. 98. - No. 2. - P. 104-115.

125. Terra J. Isomer shifts and chemical bonding in crystalline Sn(II) and Sn(IV) compounds / J. Terra, D. Guenzburger//J. of Physics: Condensed Matter. — 1991. — V. 3. — No. 35.-P. 6763-6774.

126. Delin A. Full-potenial optical calculations of lead chalcogenides / A. Delin, P. Ravindran, O. Eriksson, J.M. Wills // International Journal of Quantum Chemistry. 1998. -V. 69.-P. 349-358.

127. Андреев А.Д. Влияние анизотропии зонной структуры на оптические переходы в сферических квантовых точках на основе сульфида и селенида свинца / А.Д. Андреев, А.А. Липов // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. -Вып. 12.-С. 1450-1455.

128. Dantas N.O. Optical properties of PbSe and PbS quantum dots embedded in oxide glass / N.O. Dantas, R.S. Silva, F. Qu // Phys. Stat. Sol. B. 2002. - V. 232. - P. 177-181.

129. Albanesi E.A. Calculated optical spectra of IV-VI semiconductors PbS, PbSe and PbTe / E.A. Albanesi, E.L. Peltzer у Blanca, A.G. Petukhov // Computational Materials Science. 2005. - V. 32. - P. 85-95.

130. Freik D.M. Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS / D.M. Freik, L.I. Nykyruy, V.M. Shperun // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2002. - V. 5. - No. 4. - P. 362-367.

131. Ma J.X. The geometric and electronic properties of the PbS, PbSe and PbTe (001) surfaces / J.X. Ma, Y. Jia, Y.L. Song, E.J. Liang, L.K. Wu, F. Wang, X.C. Wang, X. Hu // Surface Science. 2004. - V. 551. - P. 91-98.

132. Ovsyannikov S.V. Phase transitions in PbSe under actions of fast neutron bombardment and pressure / S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov, A. E. Kar'kin, B. N. Goshchitskii //J. Phys.: Condens. Matter. -2005. V. 17. - P. S3179-S3183.

133. Giri D. Configuration interaction study of the electronic spectrum of SnSe / D. Giri, K.K. Das // Chemical Physics Letters. 2006. - V. 418. - No. 1-3. - P. 189-195.

134. Timofeev Yu.A. Superconductivity of tin selenide at pressures up to 70 Gpa / Yu.A. Timofeev, B.V. Vinogradov, V.B. Begoulev // Physics of the Solid State. 1997. -V. 39. - No. 2.-P. 207-210.

135. Макаров E.C. Изоморфизм атомов в кристаллах / Е.С. Макаров. М.: Атомиздат, 1973. - 288 с.

136. Урусов B.C. Твердые растворы в мире минералов / B.C. Урусов. -Соросовский образовательный журнал. 1996. — № 11. - С. 54-60.

137. Химия: Справ, изд. / В. Шретер, К.-Х. Лаутеншлегер, X. Бибрак, А. Шнабел; пер. с нем. М.: Химия, 1989. - 648 с. - Перевод изд.: Chemie / W. Schroter, К.-Н. Lautenschlager, Н. Bibrack, A. Schnabel. Leipzig, 1986.

138. Штанов В.И. Исследование системы PbSe-SnSe / В.И. Штанов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1974. - Т. 10. -№ 2. - С. 224-227.

139. Krebs Н. Uber struktur und eigenschaften der halbmetalle. XIV. Mischkristallsysteme zwischen halbleitenden chalkogeniden der vierten hauptgruppe / H. Krebs, K. Grun, D. Kallen // Z. Anorg. und Allg. Chem. 1961. - V. 312. - No. 5-6. - P. 307-313.

140. Strauss A.J. ' A.J. Strauss // Trans. Metallurg Soc. AIME. 1968. - V. 242. -No. 3.-P. 354.

141. Szczerbakow A. Investigation of the composition of vapor-grown Pb^Sn^Se crystals (x<0.4) by means of lattice parameter measurements / A. Szczerbakow, H. Berger // J. Cryst. Growth.- 1994.-V. 139.-No. 1-2.-P. 172-178.

142. Wooley J.C. Phase studies of the Pb!xSnxSe alloys / J.C. Wooley, 0. Berolo // Mater. Res. Bull. 1968. - V. 3. - No. 5. - P. 445-450.

143. Martinez G. Band inversion in Pb^Sn^Se alloys under hydrostatic pressure / G. Martinez // Phys. Rev. 1973. - V. 8. - No. 10. - P. 4686-4692.

144. Кучеренко И.В. Определение параметров зонной структуры полупроводников Pbi-jSn^Se из изменений эффекта Шубникова-де Гааза / И.В. Кучеренко, В.И. Моисеенко, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. -1977.-Т. 11.-Вып. 1.-С. 162-167.

145. Моисеенко В.И. Влияние гидростатического давления на зонную структуру и кинетические явления в полупроводниках Pb^Sn^Se / В.И. Моисеенко, И.В. Кучеренко, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. -Вып. 12.-С. 2332-2337.

146. Dalven R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO / R. Dalven // Infrared Physics. 1969. - V. 9. - No. 4. - P. 141-184.

147. Balkanski M. Band structure and optical properties of small gap semiconductors and alloys / M. Balkanski // J. Luminescence. 1973. - V. 7. - P. 451-476.

148. Зломанов В.П. Исследование влияния облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства Pb^Sn^Se / В.П. Зломанов, Е.А. Ладыгин, Б.П. Пырегов, Е.П. Скипетров // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19. -Вып. 1.-С. 53-57.

149. Прокофьева JI.B. Легирующий эффект олова в твердых растворах Pbi jSn^Se и Pbi-ySfySe / Л.В. Прокофьева, М.Н.Виноградова, С.В. Зарубко // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. - Вып. 11. - С. 2201-2204.

150. Rogalski A. Computer modeling of carrier transport in PbSnSe photodiodes / A. Rogalski, R. Ciupa, h. Zogg // Infrared Physics and Technology. 1994. - V. 35. -No. 7. - P. 837-845.

151. Кайданов В.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа A,VBVI / В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28. - Вып. 3. -С.269-393.

152. Хужанкулов Э.С. Локальная симметрия решетки Pbi^Sn;Se в области бесщелевого состояния / Э.С. Хужанкулов // Физика и техника полупроводников. -2004. Т. 38. - Вып. 7. - С. 775-777.

153. Miiller P. Properties of epitaxial Pbi^Sn^Se on CaF2 covered Si(lll) substrates / P. Miiller, A. Fach, J. John, J. Masek, C. Paglino, H. Zogg // Applied Surface Science.- 1996.-V. 102.-No. 2.-P. 130-133.

154. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films / R.L. Petritz // Phys. Rev. 1956. - V. 104. - No. 6. - P. 1508-1516.

155. Yasuoka Y. Thermally stimulated current of vacuum deposited PbSe films / Y. Yasuoka, M. Wada//Jpn. J. Appl. Phys.- 1974.-V. 13.-No. 11.-P. 1797-1803.

156. Humphrey J.N. Photoconductivity in lead selenide. Experimental / J.N. Humphrey, W.W. Scanlon // Phys. Rev. 1957. - V. 105. - No. 6. - P. 469-476.

157. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. / Р. Бьюб, пер. с англ. М.: ИЛ, 1962.-558 с.

158. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 3 / Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна; пер. с англ. М.: Мир, 1968. - 331 с. - Перевод изд.: Physics of thin films.

159. Палатник Л.С. Эпитаксиальные пленки / Л.С. Палатник, И.И. Паниров. -М.: Наука, 1971.-412 с.

160. Гаськов A.M. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца / A.M. Гаськов, А.А. Гольденвейзер, И.А. Соколов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Доклады АН СССР. 1983. - Т. 269. -№ 3. - С. 607-609.

161. Неустроев Л.Н. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. - № 2. - С. 359-362.

162. Камчатка М.И. Влияние условий окисления на фазовый состав, строение и свойства фоточувствительных слоев сульфида свинца / М.И. Камчатка, Ю.М. Чащинов, Д.Б. Чеснокова // Неорган, матер. 2001. - Т. 37. - № 9. - С. 1074-1079

163. Candea R.M. Effects of thermal annealing in air on VE COD and CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Turcu, G. Borodi, J. Bratu // Phys. Stat. Sol. A. 1987. - V. 100. -No. l.-P. 149-155.

164. Biro L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, Al. Darabont, P. Fitori // Europhys. Lett-1987. V. 4. - No. 6. - P. 691-696.

165. Дегтева Л.В. Влияние термообработки на макроструктуру слоев PbS и PbSe / Л.В. Деггева, Г.П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1971. - Т. 7. - № 7. - С. 1263-1265.

166. Briones F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. 1981. - V. 78. - No. 4. - P. 385-395.

167. Быкова T.T. Исследование масс-спектров продуктов десорбции и фотоэлектрических характеристик химически осажденных слоев селенида свинца /

168. Т.Т. Быкова, А.Н. Данилов, М.С. Давыдов // Уч. записки ЛГУ. 1974. - № 371. - С. 37.

169. Попов В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В.П. Попов, П.А. Тихонов, В.В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. - Т. 29. - № 5. - С. 686-694.

170. Harrison L.G. Influence of dislocations on diffusion kinetics in solids with particular reference to the alkali halides / L.G. Harrison // Trans. Faraday Soc. 1961. - V. 57.-No. 7.-P. 1191-1199.

171. Поповкин Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б.А. Поповкин, Л.М. Ковба, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. 1959. -Т. 129.-№4.-С. 809-812.

172. Зломанов В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, А.В. Новоселова // Журн. неорган, химии. 1961. -Т. 6.-Вып. 12.-С. 2753-2757.

173. Поповкин Б.А. Изучение термического разложения селената и селенита свинца / Б.А. Поповкин, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Ж. неорган, химии. 1960. -Т. 5.-№ 10.-С. 2261-2264.

174. Humphrey J.N. Photoconductivity of lead selenide: Theory of the mechanism of sensitization / J.N. Humphrey, R.L. Petritz // Phys. Rev. 1957. - V. 105. - No. 6. - P. 1736-1740.

175. Martin J.M. Arrays of thermally evaporated photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / J.M. Martin, J.L. Hernandez, L. Adell, A. Rodrigues, F. Lopez // Semicond. Sci. Technol. 1996. - V. 11. - P. 1740-1744.

176. Kwuan S.H. Halogen vapor deposition of chalcogenide crystals: Lead sulfide / S.H. Kwuan, C.G. Fonstad, A. Colozzi, A. Linz // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. - No. 8. -P. 3273-3276.

177. Stober D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.-H. Bachem, M. Binnewies // J. Cryst. Growth. 1992. - V. 121. - No. 4. - P. 656-664.

178. Zainal Z. Effects of annealing on the properties of SnSe films / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M. Z. Hussein, W.M.M. Yunus // Sol. Energy Mater. Sol. Cells.2004. V. 81. - No. 2. - P. 261-268.

179. Pathinettam Padiyan D. Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. Pathinettam Padiyan, A. Marikani, K.R. Murali // Crystal Research and Technology. 2000. - V. 35. - P. 949-957.

180. Ganesan N. The influence of gas adsorption and temperature on the electrical resistivity of SnSe thin films / N. Ganesan, V. Sivaramakrishnan // Semicond. Science and Technol. 1987. - V. 2. - No. 8. - P. 519-523.

181. Буткевич В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. - № 6. - С. 66-112.

182. Гамарц А.Е. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения / А.Е. Гамарц, Ю.М. Канагеева, В.А. Мошников // Физика и техника полупроводников. -2005. Т. 39. - № 6. - С. 667-668.

183. Буткевич В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО "Орион"» и перспективы развития / В.Г. Буткевич, Е.Р. Глобус, Г.А. Казанцев, Ю.П. Бутров, Л.Я. Лебедева // Прикладная физика. 1999. - № 2. (http://www.vimi.ru).

184. Горева Н.З. Малогабаритный тепловизор для гражданских целей / Н.З. Горева, Н.Ф. Кощавцев, В.И. Теплов, С.Ф. Федотова // Прикладная физика. 2002. -№2.-С. 144-147.

185. Хадсон Р.Д. Инфракрасные системы / Р.Д. Хадсон; перевод с англ. Я.Б. Герчикова и др.. М.: Мир, 1972. - 534 с. - Перевод изд.: Infrared system engineering / Richard D. Hudson.

186. Melendez J. Spectrally selective gas cell for electrooptical infrared compact multigas sensor / J. Melendez, A.J. De Castro, F. Lopez, J. Meneses // Sensors and Actuators A: Physical. 1995. - V. 47. - No. 1-3. - P. 417-421.

187. De Frutos J. Electrooptical infrared compact gas sensor / J. de Frutos, J.M. Rodriguez, F. Lopez, A.J. de Castro, J. Melendez, J. Meneses // Sensors and Actuators B: Chemical. 1994. - V. 19. - No. 1-3. - P. 682-686.

188. Zhang W. Room temperature growth of nanocrystalline tin (II) selenide from aqueous solution / W. Zhang, Z. Yang, J. Liu, L. Zhang, Z. Hui, W. Yu, Y. Qian, L. Chen, X. Liu // J. Cryst. Growth. 2000. - V. 217. - No. 1-2. - P. 157-160.

189. Chun D. Polarity-dependent memory switching in devices with SnSe and SnSe2 crystals / D. Chun, R.M. Walser, R.W. Bene, Т.Н. Courtney // Appl. Phys. Lett. -1974.-V. 24.-No. 10.-P. 479-481.

190. Zweibel K. Thin film PV manufacturing: Materials costs and their optimization / K. Zweibel // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2000. - V. 63. - No. 4. - P. 375-386.

191. Nicolics J. Anplication of an infrared sensor for laser soldering process control /J. Nicolics, L. Musiejovsky, D. Schrottmayer// Sensors and Actuators A: Physical. 1994. -V. 42.-No. 1-3.-P. 511-515.

192. Meca F.J.M. Infrared temperature measurement system using photoconductive PbSe sensors without radiation chopping / F.J.M. Meca, M.M. Quintas, F.J.R. Sanchez, P.R. Sainz // Sensors and Actuators A: Physical. 2002. - V. 100. - No. 2-3. - P. 206-213.

193. Новоселова A.B. Проблемы регулирования состава твердых растворов на основе соединений А4Вб / А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, A.M. Гуськов, В.Н.

194. Демин, JI.A. Кузнецова // Журн. неорган, химии. 1986. - Т. 31. - № 11. - С. 2957— 2967.

195. Preier Н. Comparison of the junction resistance of (PbSn)Te and (PbSn)Se infrared detector diodes / H. Preier // Infrared Physics. 1978. - V.l 8. - No. 1. - P. 43-46.

196. Preier H. Physics and applications of IV-VI compound semiconductor lasers / H. Preier // Semicond. Sci. Technol. 1990. - V. 5. - No. 3S. - S12-S20.

197. Lambrecht A, Shadow mask MBE for the fabrication of lead chalcogenide buried heterostructure lasers / A. Lambrecht, R. Kurbel, M. Agne // Materials Science and Engineering B. 1993. - V. 21. - No. 2-3. - P. 217-223.

198. Hohnke D.K. Thin-film (Pb,Sn)Se photodiodes for 8-12-цт operation / D.K. Hohnke, H. Holloway, K.F. Yeung, M. Hurley // Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 29. - No. 2. -P. 98-100.

199. Мейтис Л. Введение в курс химического равновесия и кинетики / Л. Мейтис, пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 480 с. - Перевод изд.: An introduction to chemical equilibrium and kinetics / L. Meites.

200. Шварценбах Г. Комплексонометрическое титрование / Г. Шварценбах, Г. Флашка; пер. с нем. М.: Химия, 1970. - 360 с. - Перевод изд.: Die komplexometrische Titration / G. Schwarzenbach, H. Flaschka.

201. Лурье Ю.Ю. Справочник по аналитической химии: Справ, изд. / Ю.Ю. Лурье. 6-е изд., перераб. и доп. - М.: Химия, 1989. - 448 с.

202. Nelson J.B. An experimental investigation of extrapolation methods in the derivation of accurate unit-cell dimentions of crystals / J.B. Nelson, D.P. Riley // Proc. Phys. Soc. London. 1945. - V. 57. - No. 321. - P. 160-177.

203. Гусев А.И. Рентгеновское исследование наноструктуры распадающихся твердых растворов (ZrC)i^(NbC)x / А.И. Гусев, С.В. Ремпель // Неорган, материалы. -2003. Т.39. - №1. - С. 49-53.

204. Vegard L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome / Vegard L. // Z. Phys. 1921. - Bd. 5. - S. 17.

205. Чичагов А.В. Рентгенометрические параметры твердых растворов. / А.В. Чичагов, JI.B. Сипавина-М.: Наука, 1982.- 171 с.

206. Китаев Г.А. Химическое осаждение тонких пленок селенида цинка / Г.А. Китаев, Т.П. Соколова // Журн. неорган, химии. 1970. - Т. 15. - № 2. - С. 319-323.

207. Островская И.К. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеномочевины в зависимости от температуры / И.К. Островская, Г.А.Китаев, А.А. Великанов // Журн. физ. химии. 1976. - Т. 50. - № 6. - С. 15841587.

208. Соколова Т.П. Гидролиз селеномочевины в водных растворах / Т.П. Соколова // Физико-химия процессов на межфазных границах. Тр. вузов Российской Федерации. Сб. 128. Свердловск. 1976. - С. 35-38.

209. Маскаева JI.H. Роль аниона при гидрохимическом осаждении твердых растворов замещения сульфидов металлов / JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, П.Н. Иванов, Т.А. Петухова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. - С. 59-63.

210. Маскаева JI.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Me^Ph^S (Me Zn, Сd, Си, Ag): дисс. .д-ра хим. наук. /Л.Н. Маскаева. - Екатеринбург, 2004. - 386 с.

211. Китаев Г.А. Растворимость цианамида свинца в кислых и щелочных растворах / Г.А. Китаев, Т.П. Соколова // Журн. неорган, химии. 1975. - Т. 20. - № З.-С. 839-841.

212. Букетов Е.А. О произведении растворимости и энтропии сульфидов, селенидов и теллуридов / Е.А. Букетов, М.З. Угорец, А.С. Пашинкин // Журн. неорган, химии. 1964. - Т. 9. - № 3. - С. 526-529.

213. Спиваковский В.Б. Аналитическая химия олова / В.Б. Спиваковский. -М.: Наука, 1975.-250 с.

214. Макурин Ю.Н. Промежуточный комплекс в химических реакциях / Ю.Н. Макурин, Р.Н. Плетнев, Д.Г. Клещев, Н.А. Желонкин. Свердловск: УрО АН СССР, 1990.- 198 с.

215. Рэмсден Э.Н. Начала современной химии / Э.Н. Рэмсден; пер. с англ. Д.: Химия, 1989.-784 с.

216. Китаев Г.А. Синтез и исследование пленок твердых растворов Cd^Pb^S различного состава / Г.А. Китаев, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. - Т. 26. - № 2. - С. 248-250.

217. Кумок В.Н. Произведения растворимости / В.Н. Кумок, О.М. Кулешова, JI.A. Карабин. Новосибирск. Наука, 1983. - 266 с.

218. Хонигман Б. Рост и форма кристаллов / Б. Хонигман; пер. с нем. М.: ИЛ, 1961. - 212 с. - Перевод изд.: Gleichgewichts und Wachstumsformen von Kristallen / В. Honigmann. Darmstadt, Steinkopff Verl., 1958.

219. Бублик B.T. Методы исследования структуры полупроводников и металлов / В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина. М.: Металлургия, 1978. - 272 с.

220. Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: дисс. . д-ра хим. наук / В.Ф. Марков. Екатеринбург, 1998.-367 с.