Ионная и электронная проводимость AgBCS3 и CuBCS3 (B=Pb, Sn; C=As, Sb) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ ВБ (В=РЬ, 8Ь, 1п; Б^Бе), АСБ2 (А=А& Си; С=БЬ, Аб; Б=8,8е); АОеСБ3 (A=Ag,Cu; С=8Ь,Аз; Б=8,8е), 1лСБ3 (С=Аз,8Ь; Б=8, 8е) И ТВЕРДЫХ ЭЛЕКТРОЛИТОВ НА ОСНОВЕ 1л2804,1л4804 И 1Л40е04.

1.0. Введение.

1.1. Кристаллическая структура и физические свойства соединений ВБ (В=РЬ,8п,; Б^е).

1.2. Кристаллическая структура соединений АСБ2 и их физические свойства.

1.2.1. Кристаллическая структура и физические свойства

§СБ2 (С=Аз,8Ь; Б=8,8е).

1.2.2. Кристаллическая структура и физические свойства СиСБ2 (С-А^Ь; Б=8,8е).

1.3. Кристаллическая структура и некоторые электрофизические свойства четырехкомпонентных халькогенидов серебра и меди типа АВСБз (А=А&Си; ВКте,РЬ,8п; С=8Ь,Аз,Вц Б=8,8е).

1.3.1. Кристаллическая структура АОеСБ3 (А=Си.А£; С^Аб^Ь; Б=8,8е).

1.3.2. Годографы импеданса и адмиттанса AgGeCБз

1.3.3. Элемент постоянной фазы тройных и четверных халькогенидов серебра и меди.

1.3.4. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость АОеСБз (А=А&Си; С=Аз,8Ь; Б=8,8е).

1.3.5. Кристаллическая структура и электрические свойства АВСБз (А^А&Си; В=РЬ,8п, С&; С=1п,В1,А8,8Ь; Б=8,8е,Те)

1.4. Кристаллическая структура и физические свойства твердых электролитов на основе лития.

1.4.1. 1лСБ2 (С=Аз, 8Ь; ЕНЗ^е).

1.4.2. Сульфат лития.

1.4.3. Структура у- Ь13Р04.

1.4.4. Свойства ортосиликата лития.

1.4.5. Свойства ортогерманата лития.

2.1. Импедансная спектроскопия.

2.2. Методика исследования электропроводности при фиксированной частоте переменного тока.

2.3. Методики исследования электрических свойств в постоянном электрическом поле.

2.3.1. Измерение проводимости по методу Вагнера.

2.3.2. Измерение электропроводности на постоянном токе четырехзондовым методом .

2.4. Экспериментальные установки и аппаратура.

2.4.1. Установка для исследования электрических свойств.

2.4.2. Конструкция криотермостата и измерительной ячейки для проведения исследований в диапазоне температур 78К-600К.

2.5. Методика исследования акустических свойств.

2.6. Метод ЯМР.

3. МЕТОДИКА СИНТЕЗА И АТТЕСТАЦИЯ СОЕДИНЕНИЙ.

3.1. Введение.

3.2. Методика синтеза, образцы для исследований.

3.2.1. Методика синтеза.

3.2.2. Образцы для исследований.

3.3. Рентгенографическая аттестация образцов.

3.4. Выводы.

4. ИОННАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ СОЕДИНЕНИЙ

АВСБз (А=Аё,Си; В=РЬ,8пДп; С=Аз,8Ь; Б=8,8е).

4.1. Частотные зависимости полных комплексных сопротивления и проводимости AgPbSbSз, Си8п8Ь83, AgSnAsSз, AgPbSbSeз, А§РЬАз8е3, AgSnSbSeз, AgInAsSз, Си1пАз83.

4.1.0. Введение.

4.1.1. Годографы импеданса и адмиттанса AgPbSbSз.

4.1.2. Годографы импеданса и адмиттанса Си8п8Ь83.

4.1.3. Годограф импеданса AgSnAsS3.

4.1.4. Годографы импеданса и адмиттанса AgPbSbSeз.

4.1.5. Частотная зависимость импеданса А§РЬАз8ез.

4.1.6. Годограф импеданса и адмиттанса AgSnSbSeз.

4.1.7. Годограф импеданса AgInAsSз.

4.1.8. Годографы импеданса Си1пА883.

4.1.9. Эквивалентные схемы, описывающие свойства образцов .

4.1.10.Вывод ы.

4.2. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgSnAsSз, AgPbSbS3, Си8п8Ь8е3,

Си8п8Ь83, А§8п8Ь8е3, AgPbAsSeз, AgPbSbSeз, СиБпАвЗез,

AgInAsSз и ОЯпАбБз.

4.2.0. Введение.

4.2.1. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbSbSз.

4.2.2. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgSnAsSз.

4.2.3. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си8п8Ь83.

4.2.4. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си8п8Ь8е3.

4.2.5. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си1пА883.

4.2.6. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgInAsSз.

4.2.7. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbSbSeз.

4.2.8. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbAsSeз.

4.2.9. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си8пАз8е3.

4.2.10 Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgSnSbSeз.

4.2.11 Определение области температур начала ионного переноса по температурной зависимости проводимости и диэлектрической проницаемости.

4.2.12. Сегнетоэлектрические свойства соединений Си8п8Ь8з,

Си8п8Ь8е3,А§РЬ8Ь8ез,Ав8п8Ь8ез,Си8пА88ез и AgPbAsSeз

4.2.13. Выводы.

4.3. Временные зависимости сопротивления AgPbSbSз, А§8пАз8з,

AgInAsSз и Си1пАз8з.

4.3.0. Введение.

4.3.1. Временная зависимость сопротивления AgInAsSз.

4.3.2. Временная зависимость сопротивления (МпАбЗз.

4.3.3. Временная зависимость сопротивления А§РЬ8Ь83.

4.3.4. Временная зависимость сопротивления AgSnAsSз.

4.3.5. Выводы.

4.4. Ионная и электронная проводимость керамики в системе

1л-8ь0е-А8-8-0.

4.4.1. Частотная зависимость импеданса и адмиттанса.

4.4.2. Температурная зависимость электропроводности и диэлектрической проницаемости LiGeAsSi20S3.xO40.2x.

4.4.3. Зависимость постоянного тока от времени LiGeAsSi20S3.xO40.2x.

4.4.4.Временные зависимости электросопротивления и диэлектрической проницаемости LiGeAsSi20S3.xO40.2x на переменном токе .

4.4.5. Исследование подвижности ядер Li7 методом ЯМР.

4.4.6.Вывод ы.

4.5. Ультразвуковые исследования соединений AgGeAsSз,

СиОеАз8ез и литиевой керамики LiGeAsSi20S3.xO40.2x.

4.5.0. Введение.

4.5.1. Температурная зависимость скорости УЗВ в AgGeAsSз и СиОеАз8е3.

4.5.2. Температурная зависимость скорости УЗВ в LiGeAsSi20S3.xO40.2x.

4.5.3. Определение области температур начала ионного переноса по измерениям температурной зависимости скорости ультразвука.

4.5.4. Выводы.

4.6. Электрические свойства соединений AgPbAsSз и AgSnSbSз.

4.6.1. Годографы импеданса AgPbAsSз и AgSnSbSз. 6

4.6.2. Температурная зависимость электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbAsSз и AgSnSbSз.186

4.6.3. Зависимость тока от времени для А£РЬАз83 и AgSnSbSз.189

4.6.4. Выводы.195

4.7. Выводы по главе 4.196

5. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭПФ.200

5.0. Введение.200

5.1. Фрактальные теории ЭПФ.200

5.2. Скейлинговые свойства адмиттанса, емкости и сопротивления.202

5.3. Фрактальная теория температурной зависимости ЭПФ.204

5.4. О зависимости предчастотного множителя ЭПФ от фрактальной размерности контакта твердый электролит/электрод.207

5.5. О зависимости предчастотного множителя ЭПФ В(аср) от температуры.211

5.6. Экспериментальная проверка фрактальной теории температурной зависимости ЭПФ.212

5.7. Выводы.214

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И НЕКОТОРЫЕ ВЫВОДЫ.215

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.220

ЛИТЕРАТУРА .222 7

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы: Развитие современной криоэлектроники требует создания новых полупроводниковых материалов с низкими температурами начала как электронного, так и ионного переноса электрического заряда. Многокомпонентные халькогениды серебра и меди известны как перспективные материалы для научных и прикладных целей, обладают разнообразными физическими свойствами (оптическими, электрическими, сегнетоэлек-трическими свойствами, ионной проводимостью и т.д.). Некоторые их них имеют низкие температуры начала ионного переноса [1]. Поиск новых соединений для криогенной микроэлектроники в классе до сих пор малоисследованных четырехкомпонентных халькогенидов серебра и меди является интересной и актуальной для физики полупроводников и физики твердого тела задачей.

Исследования электрических свойств четырехкомпонентных халькогенидов серебра и меди, содержащих германий, проведенные в последние годы, свидетельствуют о понижении температуры начала ионного переноса в четырехкомпонентных халькогенидах (типа А§ОеАз8з) по сравнению с трех-компонентными халькогенидами, не содержащими германий (типа А§Аз8г и т.п.) [1-2]. В связи с этим, исследование электрических свойств четырехкомпонентных халькогенидов серебра и меди, содержащих вместо германия другие элементы IV группы периодической системы (в частности, свинец или олово), является одной из актуальных задач, позволяющих выяснить вопрос о возможности существования в классе 4-х компонентных халькогенидов новых соединений, обладающих, кроме ионной проводимости, полезными для научных и прикладных целей физическими свойствами.

Цель и задачи работы: Диссертационная работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств поликристаллических халькогенидов 8

А§РЬ8Ь83, АвЗПАБЗз, Аё1пА883, А§РЬ8Ь8е3, AgPbAsSeз, Ав8п8Ь8е3, СиЬъА^з, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, Си8пАз8е3 и керамики LiGeAsSi20S3.xO40.2x

Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие основные задачи:

1. Синтезировать и рентгенографически аттестовать указанные соединения с общей формулой АВСБз (A=Ag,Cu; В=РЬ, 8п, 1п; С=Аз,8Ь; 8е) и LiGeAsSi20S3.xO40.2x

2. Исследовать температурные зависимости электронной и ионной компонент электропроводности синтезированных соединений в интервале температур 78-500К с электродами блокирующего и обратимого типа.

3. Исследовать частотную зависимость полного комплексного сопротивления полученных соединений с электродами разного типа.

4. Исследовать зависимость электропроводности от времени в области существования ионного переноса.

5. С целью более точного определения температурной области начала ионного переноса в исследуемом классе соединений, кроме импедансной методики, использовать метод ЯМР и провести исследование температурной зависимости скорости распространения ультразвуковых волн.

6. Измерить величину элемента постоянной фазы (ЭПФ) у синтезированных соединений и разработать теорию температурной зависимости пред-частотного множителя в фрактальной теории температурной зависимости ЭПФ.

7. Проанализировать возможность практического применения синтезированных соединений.

Научная новизна:

1. Впервые синтезированы халькогениды AgPbSbSз, А§8пА$8з, А§1пАз83, АвРЬ8Ь8е3, АЕРЬАз8е3, AgSnSbSeз, Си1пА883, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, Си8пАз8е3 и керамика LiGeAsSi20S3.xO40.2x9

2. Проведены систематические исследования импеданса соединений АёРЪ8Ъ83, AgSnAsSз, AgInAsS3, AgPbSbSeз, AgPbAsSeз, AgSnSbSeз, СиЬъЛ^з, Си8п8Ь83 и LiGeAsSi20S3.xO40.2x- Определены области частот, при измерении на которых вкладом от электродных процессов можно пренебречь.

3. Исследованы температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости синтезированных соединений в области температур 78-500К.

4. Экспериментально установлен смешанный характер проводимости (электронно-ионный) и определены области температур начала ионного переноса в халькогенидах AgSnAsSз, AgPbSbSз, AgInAsSз, Си1пАз83 и керамике LiGeAsSi20S3.xO40.2x

5. Обнаружены сегнетоэлектрические свойства соединений Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, AgPbSbSe3, AgSnSbSe3, Си8пАз8е3, AgPbAsSeз. и определены области температур сегнетоэлектрического фазового перехода.

6. Исследована временная зависимость электропроводности при постоянном напряжении на электродах у халькогенидов AgSnAsSз, AgPbSbSз, AgInAsSз, Си1пАз83 и керамики LiGeAsSi20S3.xO40.2xп

7. Исследована температурная зависимость подвижности ядер в новой керамике LiGeAsSi20S3.xO40.2x- Для определения температуры начала ионного переноса в литиевых ионных керамиках, предложен метод ЯМР.

8. Впервые установлена связь области температур аномального поведения температурной зависимости относительной скорости ультразвука с областью температур начала ионного переноса. Ультразвуковая методика рекомендована в качестве дополнительного метода определения температур начала ионного переноса в твердых электролитах в температурных областях, для которых отсутствуют ионные фильтры.

9. Впервые получена теоретическая зависимость предчастотного множителя элемента постоянной фазы от фрактальной размерности и построена

10 теория температурной зависимости предчастотного множителя элемента постоянной фазы, предсказывающая ряд новых типов температурной зависимости.

Практическая ценность работы:

Работа выполнена по темам исследований, проводимых на кафедре физики низких температур Уральского государственного университета в Проблемной лаборатории "Физика экстремальных воздействий на вещество" и совместной учебно-научной лаборатории ИВТЭХ УрО РАН и Уральского университета, в рамках федеральной целевой программы "Интеграция" и исследований, проводимых по теме "Синтез многокомпонентных кристаллов и пленок, теоретическое и экспериментальное исследование твердых тел с целью создания материалов с новыми физическими свойствами", при поддержке РФФИ, грант № 97-02-16212 "Разработка физических принципов и экспериментальных методов получения твердых электролитов для работы при криогенных температурах".

1. Обнаруженная у соединений СиБпЗЬБз, СиЗпБЬБез, Си8пАз8е3, AgPbSbSeз, AgSnSbSeз, А§РЬАз8е3 большая диэлектрическая проницаемость позволяет рекомендовать их для использования в качестве новых полупроводниковых сегнетоэлектрических материалов.

2. Наличие временной зависимости электросопротивления в соединений А§8пАз8з и AgPbSbSз позволяет рекомендовать их в качестве материалов для высокоомных резисторов с зависящим от времени сопротивлением в микроэлектронике и оптоэлектронике.

3. Впервые полученная теоретическая зависимость предчастотного множителя элемента постоянной фазы от фрактальной размерности и температурная зависимость предчастотного множителя предсказывают ряд новых типов температурной зависимости предчастотного множителя и, тем самым, ставят задачу по экспериментальной проверке теоретических предсказаний.

11

4. Установление связи области температур аномального поведения температурной зависимости относительной скорости ультразвука с областью температур начала ионного переноса позволяет рекомендовать ультразвуковую методику в качестве дополнительного метода определения температур начала ионного переноса в твердых электролитах в температурных областях, для которых отсутствуют ионные фильтры.

5.Экспериментальные исследования новых синтезированных материалов являются продолжением исследований группы перспективных для практического применения полупроводниковых материалов с ионной проводимостью или сегнетоэлектрическими свойствами.

На защиту выносятся:

1. Методика синтеза поликристаллических халькогенидов AgSnAsSз, АёРЬ8Ь83, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, АёРЬ8Ь8е3, Аё8п8Ь8е3, О^гъА^ез, AgPbAsSeз, AgInAsSз, СикьА^з и керамики LiGeAsSi20S3.xO40.2x;

2. Результаты систематических экспериментальных исследований импе-дансной методикой годографов и температурных зависимостей электропроводности и диэлектрической проницаемости синтезированных соединений в области температур 78К-500К;

3. Интерпретация температурных и частотных зависимостей электропроводности и диэлектрической проницаемости синтезированных соединений в широкой области температур, включая область ионного переноса;

4. Интерпретация наличия максимумов в температурной зависимости диэлектрической проницаемости у синтезированных селенидов и Си8п8Ь83 как фазовых переходов в сегнетоэлектрическую фазу;

5. Установление смешанного (электронно-ионного) типа проводимости у керамики LiGeAsSi20S3.xO40.2x по литию, у AgSnAsSз, AgPbSbSз и AgInAsSз по серебру, у Си1пАз8з по меди.

6. Экспериментальные зависимости от времени электропроводности

12 измеряемой при постоянном напряжении) для исследованных соединений обладающих ионной проводимостью;

7. Впервые полученная теоретическая зависимость предчастотного множителя элемента постоянной фазы от фрактальной размерности и построенная теория температурной зависимости предчастотного множителя элемента постоянной фазы, предсказывающая ряд новых типов температурной зависимости.

Апробация работы: Материалы диссертации докладывались и представлялись: на конференции "Проблемы фундаментальной физики", 7-12 окт., 1996, Саратов; 10th International Conference on Solid State Ionics,3-8 Dec., 1995, Singapore; 9th International Meeting on Ferroelectri-city, 24-29 Aug., 1997, Seoul, Korea; Joint International Meeting of ECS and ISE, 31 Aug.-5Sept.,1997, Paris, France; Всероссийской научной конференции "Физика конденсированного состояния", Стерлитамак, 22-25 сент.,1997; 11th International Conference on Solid State Ionics, Honolulu, USA, 16-21Nov., 1997; Международной научной конференции "Оксиды. Физико-химические свойства и технология", Екатеринбург, 27-31янв., 1998; Международной конференции "Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах", Махачкала, 8-11сент., 1998.

Результаты исследований, включенные в диссертацию, изложены в 27 научных публикациях, список которых приводится в конце автореферата.

Структура и объем диссертации: Диссертационная работа состоит из введения, 5 глав, обсуждения результатов, заключения, списка цитированной литературы из 171 наименования, содержит 238 страниц текста, включает 82 рисунка и 23 таблицы.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И НЕКОТОРЫЕ ВЫВОДЫ

I. Из проведенных систематических исследований электрических свойств десяти соединений на основе серебра, меди, мышьяка, сурьмы, серы и селена ^ЗпАвБз, А§РЬ8Ь83, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, А§РЬ8Ь8е3, AgSnSbSeз, Си8пАз8е3, А§РЬАз8е3, AgSnSbS3 и А§РЬАз83) и двух составов (AgInAsS3 и Си1пАз83) и полученных в результате исследований результатов вытекают следующие выводы:

1. При замене в соединении AgGeSbS3 германия на РЬ или 8п не происходит снижения температуры начала ионного переноса и, кроме того, наблюдается уменьшение проводимости (для AgPbSbS3 примерно в 1,3 раза, а для AgSnSbS3 в 2 раза).

2.При такой же замене в соединении AgGeAsS3 происходит увеличение температуры начала ионного переноса, удельная проводимость увеличивается в 1,1 раза для замены Ое на 8п и уменьшается в -3000 раз для замены Ое на РЬ).

3. При замене Ое на РЬ или 8п в соединениях AgGeSbSe3 и AgGeAsSe3 в этих соединениях исчезает ионная проводимость (либо электронная проводимость много больше), однако появляются сегнетоэлектрические свойства, что само по себе является важным и интересным результатом проведенной замены. Значение проводимости при замене Ое на 8п в AgGeSbSeз и для соединения AgPbSbSe3 сравнимо по величине с проводимостью AgGeSbSe3. В соединении AgPbAsSe3 происходит увеличение проводимости на 4 порядка.

4. Аналогичные изменения происходят при замене в соединении СиОеАзБэ Ое на Бп и Аб на ЭЬ: появляются сегнетоэлектрические свойства и проводимость возрастает на три порядка. При замене в СиОеАз8е3 Ое на 8п проводимость наоборот уменьшается на три порядка. При замене в СиОеАз8е3 Ое на 8п и Аб на 8Ь проводимость получившегося соединения

216 убывает в 150раз.

5. При замене в соединении AgGeAsSз Ое на 1п происходит смещение области температур начала ионного переноса в сторону более высоких температур и уменьшение проводимости в 100 раз. Такое же смещение происходит при указанной замене в соединении СиОеАзБз, с той разницей, что проводимость уменьшается в 3,4 раза.

6. При замене в соединении А§8п8Ь8з олова на свинец ионная проводимость не исчезает, но происходит смещение области начала ионного переноса в сторону более высоких температур. Проводимость при этом практически не меняется. При замене сурьмы на мышьяк область температур начала ионного переноса совпадает с областью для А§РЬ8Ь8з, а проводимость возрастает в 240 раз.

7.При замене серебра на медь в соединении AgSnSbSз исчезает ионная проводимость и появляются сегнетоэлектрические свойства. То же самое происходит при замене серы на селен. Максимум диэлектрической проницаемости в для AgSnSbSeз меньше, чем для Си8п8Ь83, но вид температурной зависимости е более сложный (существует размытый фазовый переход). Проводимость AgSnSbSeз в 4 раза меньше, чем проводимость Си8п8Ь8з и в 79000 раз больше проводимости AgSnSbSз.

8. При замене в соединении AgPbAsSз свинца на олово или индий происходит смещение области температур начала ионного переноса в сторону более низких температур (особенно для AgInAsSз), проводимость у AgSnAsSз в 230 раз больше, чем у AgPbAsSз, а для составов с индием (однофазных соединений с индием получить не удалось) проводимость сравнима по величине с AgPbAsSз. При замене мышьяка на свинец проводимость меняется незначительно, а область температур начала ионного переноса смещается в область более низких температур.

9. При замене в соединении AgPbAsSeз Аб на 8Ь сегнетоэлектрические свойства остаются, но происходит сильное уменьшение величины мак

217 симума £ и увеличении ширины фазового перехода. Проводимость при такой замене понижается в 5 раз. При замене 8е на Э в соединении исчезают сегне-тоэлектрические свойства и появляется ионная проводимость.

10. При замене в соединении Си8п8Ь8е3 селена на серу или меди на серебро сегнетоэлектрические свойства не исчезают, но величина диэлектрической проницаемости увеличивается, а проводимость практически не меняется для замены селена на серу и увеличивается в 5 раз для замены меди на серебро. В соединении с серебром появляется размытый фазовый переход на температурной зависимости диэлектрической проницаемости е. При замене сурьмы на мышьяк диэлектрическая проницаемость уменьшается, а проводимость при этом падает в 6 раз.

11. При замене в соединении А§РЬ8Ь8е3 свинца на олово происходит увеличение проводимости в 1,36 раз и уменьшение максимума диэлектрической проницаемости со сдвигом области существования максимума г в область высоких температур. При замене селена на серу в новом соединении появляется ионная проводимость, а величина проводимости уменьшается в 76400 раз.

12. При замене в составе AgInAsS3 серебра на медь происходит смещение области температур начала ионного переноса в область более высоких температур, проводимость увеличивается в 2,8 раза. При замене индия на олово область температур начала ионного переноса смещается аналогичным образом, а проводимость возрастает в 110 раз.

II. Приведенные выше экспериментально обнаруженные закономерности, к сожалению, из-за сложности структуры электронного спектра в этих соединениях и из-за отсутствия квантово-механических расчетов электронной структуры в исследованных соединениях и изменений структуры при замене элементов, не находят в настоящее время теоретической интерпретации.

III. Повышение температуры начала ионного переноса при замене германия на свинец или олово указывает желательность синтеза и исследования

218 соединений^ которых германий будет заменен на углерод или кремний. Такие исследования в дальнейшем планируются.

IV. Весьма интересным, на наш взгляд, является обнаружение у ряда синтезированных и исследованных соединений больших (до 55000) значений диэлектрической проницаемости при низких (порядка 120К-170К) температурах. Возникает вопрос: какие замены элементов в четырехкомпонентных халькогенидов следует осуществить, во-первых, для повышения температур сегнетоэлектрического фазового перехода при сохранении больших величин диэлектрической проницаемости и, во-вторых, для уменьшения проводимости и превращения сегнетоэлектрических полупроводников в сегнетоэлек-трики? Исследования^ проводящиеся в настоящее время, возможно, помогут найти путь в нужном направлении.

V. Проведенное в главе 5 впервые, в рамках фрактальной теории температурной зависимости элемента постоянной фазы, теоретическое рассмотрение температурной зависимости предчастотного множителя элемента постоянной фазы позволило подтвердить имеющиеся экспериментальные результаты, получить новые типы температурных зависимостей предчастотного множителя и, тем самым, дать возможность для проведения экспериментов по измерению температурной зависимости предчастотного множителя элемента постоянной фазы и проверки разработанной теории.

VI. Использование методики ультразвуковых исследований для определения области температур начала ионного переноса, предложенное в работе, позволяет уточнять, в связи с отсутствием низкотемпературных ионных фильтров по серебру и меди, результаты определения температурных областей полученные из исследования температурных зависимостей проводимости и диэлектрической проницаемости.

VII. Использование методики ЯМР для изучения подвижности ядер 1л7, как показано в работе, подтверждает результаты определения областей начала ионного переноса, полученные исследованием температурных зависимо

220

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате систематических экспериментальных и теоретических исследований электрических свойств новой группы четырехкомпонентных халькогенидных соединений в области температур 77К- 500К и частот 10105Гц сделаны следующие выводы:

1. Разработана методика синтеза хальогенидов AgPbSbSз, AgSnAsSз, AgInAsS3, AgPbSbSeз, AgPbAsSeз, AgSnSbSeз, Си1пА883, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, Си8пАз8е3 и керамики Ь10еАз812о83.х О4о-2Х

2. На основании анализа результатов проведенных импедансной методикой исследований частотных зависимостей импеданса синтезированных соединений предложены эквивалентные схемы для описания электрических свойств синтезированных соединений. Определены области частот, в которых на измеряемые электрические характеристики электролита свойства границы электролит/электрод влияют незначительно.

3. Систематические исследования электропроводности и диэлектрической проницаемости синтезированных халькогенидов AgPbSbS3, AgSnAsSз, AgInAsS3, AgPbSbSeз, AgPbAsSeз, AgSnSbSeз, Си1пАз83, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8ез, Си8пАз8е3 и керамики ЫОеА8812о8з.х О40.2х в интервале температур 80К-500К, позволили предположить наличие сегнетоэлектрических свойств в соединениях AgPbSbSeз, AgPbAsSeз, AgSnSbSeз, Си8п8Ь83, Си8п8Ь8е3, Си8пАз8е3 и определить температурные границы фазового перехода (сегнетоэлектрического типа) при котором диэлектрическая постоянная резко возрастает.

4. Экспериментально установлен смешанный (электронно-ионный) характер проводимости халькогенидов AgSnAsSз, AgPbSbSз, AgInAsSз (ионы серебра), СиЬъА^з (ионы меди) и керамики LiGeAsSi20S3.xO40.2x (ионы лития) и границы областей температур возникновения заметного ионного переноса в этих соединениях.

5. Обнаруженная у соединений AgPbSbSeз, AgPbAsSeз, AgSnSbSeз,CuSnSbSз,

221

Си8п8Ь8е3, Си8пАз8е3 большая диэлектрическая проницаемость (в>2000 для некоторых соединений) позволяет рекомендовать их в качестве новых низкотемпературных полупроводниковых сегнетоэлектрических материалов.

6.Исследование ультразвуковых свойств AgGeAsSeз, СиОеАз83 и литиевой керамики ЫОеАз812о8з-х04о-2х подтвердило возможность использования для определения температурных областей, в которых ионный перенос становится заметным, областей в которых изменяются энергии активации (контролируемого измерениями с ионными фильтрами). Предложен способ определения температуры возникновения ионного переноса в сложных халь-когенидах и литиевых оксидных керамиках по аномалиям в температурных изменениях относительной скорости ультразвука.

7. Исследование температурной зависимости подвижности ядер 1л7 в керамике LiGeAsSi20S3.xO40.2x методом ЯМР позволило предложить этот метод (совместно с измерениями температурной зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости) для определения температуры начала ионного переноса в литиевых ионных керамиках.

8. Теоретическое рассмотрение температурной зависимости предчастотного множителя элемента постоянной фазы в рамках фрактальной феноменологической теории ЭПФ предсказывает ряд неаррениусовских температурных зависимостей предчастотного множителя, доступных для экспериментальной проверки.

9.Обнаруженное у соединения AgPbSbSз большое электросопротивление, сочетающееся с ионной проводимостью по ионам серебра, позволяет рекомендовать его в качестве высокоомного резистора с зависящим от времени сопротивлением в микроэлектронике и оптоэлектронике.

Ю.Экспериментальные исследования новой группы синтезированных материалов свидетельствуют о перспективности дальнейших исследований этих материалов и материалов^могущих быть полученных на их основе.

222

1. N.M.Ravindra and V.K. Srivastava/ Properties of PbS, PbSe and PbTe// Physica status solidi (a) 58, 1980, p.311-316

2. Р.Смит. Полупроводники. М.:Мир, 1982, 560стр.

3. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. М.: Издательство стандартов, 1973, 208 стр.

4. М.С.Соминский. Полупроводники. JL: Наука, 1967, 340стр.

5. Robert S.Allgaier and Wayne W. Scanlon/ Mobility of electrons and holes in PbS, PbSe and PbTe between room temperature and 4,2K// Physical Review, vol.3, №4, 1958, p. 1029-1037

6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.:Наука, 1978, 339стр.

7. A.Okazaki/ The crystal structure of germanium selenide GeSe// Journal of the physical society of Japan, 1958, vol.13, №10, p. 1151-1155

8. W.Albers, C.Haas, H.Ober, G.R. Schodder and J.D.Wasscher/ Preparation and properties of mixed crystals SnS(ix)Sx// J. Phys. Chem. Solids, 1962, vol.23, №3, p.215-220

9. В.Ю.Сливка, Ю.М.Высочанский, В.А.Стефанович/ Особенности колебательных спектров AgAsS2// ФТТ, 1982, Т.24, вып.2, стр.696-706

10. Graham A.R./ Matildite, aramayorit, miargirit// Amer. Mineralogist., 1951, vol.36, №5-6, p.436-438

11. Ворошилов Ю.В., Головей М.И., Потоцкий М.В./ Рентгеновское исследование соединений AgAsSe2 и Ag3AsSe3// Кристаллография, 1976, Т.21, вып.З, стр.595-956

12. J.H.Wernick, S.Geller, K.E.Benson/ New semiconductors// J. the physic and chemistry of solids, 1958, vol.4, №1, p. 154-155

13. В.А.Базакуца, З.С.Медведева, М.П.Васильева и др./ Исследование некоторых физических свойств соединения AgSbSe2 и твердых растворов на его основе// Изв. Ан СССР. Неорганические материалы, 1974, Т. 10, №3,223стр.432-436

14. С.А.Тарасевич, И.С.Ковалева, З.С.Медведева и др./ О взаимодействии в тройной системе Ag-Sb-Se// ЖНХ, 1971, Т. 16, вып.11, стр.2862-2863

15. Головач И.И., Сливка В.Ю., Матяшовский В.В./ Фотоэмиссионные исследования и спектры отражения кристаллического и аморфного AgAsS2// ФТТ, 1976, Т. 18, вып.11, стр.3313-3317

16. Злоказова Г.М./ Ионная и электронная проводимость смитита AgAsS2: Автореферат. кандидата физ-мат. наук// Уральский университет. Свердловск, 1987, 17стр.

17. Карпачев C.B., Злоказов Г.М., Кобел ев Л.Я., Злоказов В.Б./ Электропроводность и диэлектрические свойства AgAsS2 в кристаллическом и стеклообразном состояниях// ДАН СССР, 1988, Т.ЗОЗ, №2, стр.349-352

18. Злоказов В.Б., Толкачев С.М., Кобелев JI .Я./Ионная и электронная проводимость AgAsS2, AgSbS2, AgAsSe2// Международная конференция "Химия твердого тела", Одесса, 16-20окт., 1990, Тез. докл., стр.103

19. З.У.Борисова, А.В.Богданова, Е.А.Казакова и др./ Электропроводность и природа носителей заряда в тройных стеклообразных и кристаллических соединениях AgAsX2, X-S,Se,Te// Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, №6, стр.683-687

20. З.У.Борисова, Е.А.Бычков, Ю.С.Тверьянович. Взаимодействие металлов с халькогенидными стеклами. JL: Изд. ЛГУ, 1991, 252стр.

21. Валюкенас В.И., Орлюкас A.C./ Электропроводность и ионные термотоки в кристаллах a-AgSbS2// Лит. физ. сборник, 1980, Т.20, №3, стр.117120

22. Н.И.Мельник, В.Ф.Зинченко, О.Н.Мустяца/ Ионно-электронная прово224димость расплавов системы Sb2S3-Ag2S// Расплавы, 1990, №1, стр.105107

23. Geller S., Wernick J.H./ Ternary semiconducting compounds with sodium -chloride like structure: AgSbSe2, AgSbTe2, AgBiS2, AgBiSe2// Acta crystallogr., 1956, vol. 12, №1, p.46-64

24. М.И.Головей, А.В.Богданова, Е.Е.Семрад/ Получение и некоторые свойства монокристаллов синтетического смитита (AgAsS2)// Химия и хим. технология, Т. 16, №6, 1973, стр.832-835

25. Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова А.В/ Исследование системы германий-селен// Вестник МГУ. Химия, 1968, Т.9, №3, стр.96-98

26. М.И.Головей, И.Д.Туряница и др./ Получение и свойства стекол системы Ag-Sb-S// Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, Т.11, №4, стр.745

27. С.А.Тарасевич, И.С.Ковалева, З.С.Медведева и др./ Исследование взаимодействия в системе Ag-Sb-Se// ЖНХ, 1971, Т. 16, вып. 12, стр.3341-3346

28. Головач И.И./ Фотопроводимость кристаллов AgAsS2 и AgSbS2// Редколлегия журнала Известия ВУЗов. Физика, Томск, 1975, 10с., Деп. в ВИНИТИ, №365-75

29. И.И.головач, Н.И.Довгошей, В.Ю.Сливка и др./ Оптическое отражение кристаллов и стекол соединений AgB5S2// Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, T.l 1, м5, стр.956-959

30. Blachnic R., Kurz G./ Compound in the system Cu2Se-As2Se3// J. of solid state chemistry, 1984, vol.55, №2,p.218-224

31. Григас И., Мозгова H.H., Орлюкас А., Самуленсис В./ Фазовый переход в кристаллах CuSbS2// Кристаллография, 1975, Т.20, стр. 1226-1229

32. Крестников А.Н., Мальгасов А.У., Глазов В.М./ Исследование плотности тройных полупроводниковых соединений типа AIBVC2VI// Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1968, Т.4, №1, стр.144-146

33. Liang K.S., Bienestock A., Bâtes C.W./ Structural studies of glassy CuAsSe2225and Cu-As2Se3 alloys// Phys. Rev. B, 1974, vol.4, №10, p.1528-1532

34. М.Ю.Риган, Н.П.Стасюк, В.И.Ткаченко/ Получение, очистка и некоторые свойства соединения CuSbSe2// Высокочистые вещества, 1989, №5, стр.147-152

35. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. JI.: изд. ЛГУ, 1983, стр.230-240

36. Ворошилов Ю.В., Евстигнеева Т.Д., Некрасов И.Я. Кристаллохимиче-ские таблицы тройных халькогенидов. М.:Наука, 1989, 225стр.

37. И.И.Головач, В.С.Герасименко, В.Ю.Сливка и др./ Стеклообразование, оптические и фотоэлектрические свойства AgAsS2, AgSbS2, AgBiS2// Изв. ВУЗов. Физика, 1976, №3, стр.39-45

38. Гаджиев Г.Г., Магомедов Я.Б., Имамов Ш.М./ Теплопроводность слож1. A It^VZ-IVIных полупроводниковых соединении ABC в твердом и жидком состояниях// Теплофизика высоких температур, 1970, Т.1, №1-3, стр.213215

39. Абдулаев Г.Б., Мальгасов А.У., Глазов В.М./ Об изменении характера химической связи при плавлении соединений А!ВУСУ1// Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1968, Т.4, №7-9, стр.1322

40. Антонов В.Б., Нани ЯР.Х., Насиров Я.Н./ Исследование физических свойств тройных полупроводниковых соединений// Изв. АН АзССР, серия физ-мат. и технич. наук, 1961, №5, стр.75-78

41. Дудкин Л.Д., Остраница А.П./ Тройные полупроводниковые соединения АТВУСУ12// ДАН СССР, 1959, Т.124, №1, стр.94-98

42. Хворостенко A.C., Кириленко В.В., Попов Б.И., Дембовский С.А., Никитина В.К., Лужная Н.П./ Диаграмма состояния системы As2Se3-Cu2Se// Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1972, Т.8, №1, стр.73-79

43. Дембовский С.А., Кирилленко В.В., Хворостенко A.C./ Фазовые равновесия и стеклообразование в системах As2Se3-Cu2Se и As2Se3-SnSe (PbSe)// Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1971, Т.7, №10, стр. 1859-1861226

44. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.:Изд. ЛГУ, 1972, стр. 186-244

45. Алимбарашвили H.A., Байдаков Л.А./ Исследование магнитной восприимчивости стекол системы As-Se-Cu// Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1974, Т. 10, №3, стр.446-449

46. Asahara Y., Zumitani I./ Switching phenomena in Cu-AsSe glasses// Japan Journal of AppliedPhys., 1972, vol.ll, №1, p. 109-110

47. Blachnik R., Gather В./ Schmelzenthalpien voneinigen ABX2- Verbindungen (A=Cu, Ag; B=As, Sb, Bi; X=S, Se, Те)// Zeitschrift für naturforschung, 1972, H.l 1, 27b, p.1417-1418

48. В.Б.Лазарев, С.И.Беруль, А.В.Салов. Тройные полупроводниковые соединения в системах А^-ВУ-С41. М.: Наука, 1982, 148с.

49. Электронная и ионная проводимость CuGeAsS3 и CuGeAsSe3/ Мельникова Н.В. //Дисс. канд.физ.-мат.наук.// Ур. госуниверситет. Екатеринбург, 1993,229 с.

50. Мельникова Н.В., Баранова Е.Р., Злоказов В.Б., Перфильев М.В., Кобелев Л.Я./ Электронная и ионная проводимость в соединениях (GeS)ix

51. BAsS2)x (B=Ag,Cu)// Всесоюзная конференция по физической химии и электрохимии ионных расплавов и твердых электролитов. Екатеринбург, 27-29октября, 1992, Т.111, стр.84

52. Мельникова Н.В., Злоказов В.Б., Кобелев Л.Я./ Кристаллическая структура соединений (GeSe)i.x(CuAsSe2)x //Письма в ЖТФ, 1995, Т.21, вып.1, стр.9-14

53. Баранова Е.Р. "Электронная и ионная проводимость AgGeAsS3 и AgGeSbS3" /Дисс. канд. физ. мат. наук. // Ур. госуниверситет. Свердловск. 1990, 239 с.

54. Мельникова Н.В., Кобелев Л.Я., Баранова Е.Р., Злоказов В.Б., Нугаева Л.Л./ Синтез и электрические свойства стеклообразных и кристаллических халькогенидных полупроводников GeSe)ix(AAsSe2)x (A=Ag,Cu)// III227

55. Всесоюзное совещание "Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в оптоэлектронике", Кишенев, 4-9 октября, 1991. Тез. докл., стр.11-12

56. Злоказов В.Б., Мельникова Н.В., Баранова Е.Р., Перфильев М.В., Кобел ев Л.Я./ Электрические свойства твердых электролитов с общей формулой (GeS)1.x(AgAsS2)x//Электрохимия. 1992. вып. 10, с.1523-1530

57. Мельникова Н.В., Кобелев Л.Я., Баранова Е.Р., Злоказов В.Б./ Некоторые электрофизические свойства соединений (GeS)i.x(CuAsS2)x // Редколлегия журнала "Известия ВУЗов. Физика", 1992, -13с., Деп. в ВИНИТИ, 27.10.92, №3907-В92

58. Nyikos L., Pajkossy T. Fracral dimension and fractional power frequency dependent impedance of blocking electrodes// Electrochimica Acta, 1985, vol.30, №11,р.1533-1540

59. Mulder W.H., Sluyters J.H. An explanation of depressed semi-circular arcs in impedance plots for irreversible electrode reactions/ Electrochimica Acta,vol.33,1988, 303-310

60. Wang J.C. Fractal and pore models for electrolyte/electrode interface // SSI, 1988, vol. 28-30, p. 1436-1440

61. Le Mehaute A., Crepy G. Introduction to transfer motion in fractal media: the228geometry of kinetics // SSI, 1983, vol 9/10 p. 17

62. L.Nyikos and T.Pajkossy /Scaling-law analysis to discribe the impedance behaviour of fractal electrode // Phis.Rev,B,vol.42,1990, p.709

63. Ball R., Blunt M. A fractal model for the impedance of a rough electrode// J. Phys. A, 1988, vol. 21, №1, p. 197-204

64. Sapoval B. Fractal electrodes and constant phase angle response: exact examples and countrexamples // SSI, 1987, vol.23, №4, p.253-260

65. L.Nyikos and T.Pajkossy /Diffusion to fracral surface //Electrochimica Acta, vol.34, 1989, 171-186

66. Liu S.H. Fractal model for the ac responce of a rough interface// Phys.Rev Lett, 1985, vol.55, p.529

67. Никоши JI., Пайкоши Г., Мартемьянов С.А. Диффузия на вращающемся дисковом электроде с фрактальной поверхностью// Электрохимия, 1989, т.25, №11, с. 1543

68. Баранова Е.Р.,Злоказов В.Б., Кобелев Л.Я., Перфильев М.В./Ионная и электронная проводимость AgGeSbSe3// // V Уральская конференция по физической химии и электрохимии, Свердловск, 31окт.-2нояб., 1989, Тез. докл., стр.15

69. Баранова Е.Р., Нугаева Л.Л., Перфильев М.В., Злоказов В.Б./ Некоторые электрические свойства AgGeAsS3 в диапазоне температур 78-550КУ/ V Уральская конференция по физической химии и электрохимии, Свердловск, 31окт.-2нояб., 1989, Тез. докл., стр.15

70. Баранова Е.Р.,Злоказов В.Б., Кобелев Л.Я., Перфильев М.В./ Электропроводность и диэлектрические свойства аморфного полупроводника AgGeAsS3// Письма в ЖТФ, 1990, Т. 16, вып. 10, стр.27-29

71. Baranova E.R., Zlokazov V.B., Kobelev L.Ya., Perfiliev M,V./ Acta cristalligraphica, 1990, V.46, Suppl., P.363

72. Баранова E.P., Злоказов В.Б., Нугаева Л.Л., Перфильев М.В./ Электропроводность и диэлектрическая проницаемость AgGeAsS3// Ур. ун-т,229

73. Свердловск, 1989, 24с. Деп. в ВИНИТИ 13.02.90, № 812-В90

74. Баранова Е.Р., Злоказов В.Б., Перфильев М.В/ Электрические свойства AgGeSbSe3// Ур. ун-т, Свердловск, 1989, 9с. Деп. в ВИНИТИ 15.02.90, № 951-В90

75. Баранова Е.Р., Злоказов В.Б., Кобелев Л.Я., Мельникова Н.В., Нугаева Л.Л., Толкачев С.М. /Резистивный материал//А.С. по заявке №4892295(2) (120515) (ДСП)

76. Патент РФ, №1779192, действует с 5.12.95

77. Патент РФ, №1664062, действует с 5.12.95

78. Горин Ю.Ф., Мельникова Н.В., Баранова Е.Р., Кобелева О.Л./ О влиянии ионной проводимости на упругие характеристики четырехкомпо-нентных халькогенидов серебра и меди// Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, вып. 14, стр.35-39

79. Г.Д.Гусейнов, Э.М.Годжаев, Х.Я.Халилов, Ф.М.Сеидов, А.М.Пашаев/ Сложные полупроводниковые халькогениды// Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1972, Т. 8, №9, стр. 1569-1572

80. G.Busch und F.Hulliger/ Mineralien als vorbilider fur neue Halbleiterverbindungen// Helvetica physica acta, 1960, vol.33, №6-7, p.657-666

81. D.P.Spitzer/ lattice thermal conductivity of semiconductors: a chemical bond approach// Phys. chem. Solids, 1970, vol.31, №1, p. 19-40

82. А.Орлюкас, В Калесинскас, В Валюкенас/ Аномалии электрофизических свойств в кристаллах CuPbAsS3// Лит.физ сборник, T.XIX, №4, 1979, стр.575-580

83. E.Nellner und G.Leineweber/ Uber komplex zusammengestzte sulfidische erze// Zeitschrift fur kristallographie, Bdl07, 1956, s.150-154

84. И.Костов, И. Минчева-Стефанова. Сульфидные минералы. Кристаллохимия. Парагенезис, систематика. Пер. с англ. М.: Мир, 1984, 281стр.

85. Довгошей Н.И., Николюк В.И., Семрад Е.Е., Чепур Д.В., Головей М.И./ Некоторые электрофизические свойства метаселеноарсенитов щелочных металлов// Изв. ВУЗов. Физика, 1970, №3-4, стр.138-139

86. В.А.Базакуца, В.Б.Лазарев, Н.И.Гнидаш, А.В.Салов, Н.А.Мощалкова, Л.П.Зозуля, Л.Н.Сухорукова/ Исследование физических свойств селено-антимонитов щелочных металлов A*SbSe2 (A1 -Li, Na, К, Rb, Cs)// ЖНХ, Т.25, 1980, вып.1, с.122-123

87. B.H.W.S. de Jong, D.Ellerbroek and A.L.Spek/ Low temperature structure of lithium nesosilicate, LÍ4SO4, and its Li.s and Ois X-ray Photoelectron spectrum// Acta Crystallographica, Section B, vol.B50, part 5,1994, p.511-518

88. S.Pizzini/ Ionic conductivity in lithium compounds// Journal of Applied Electrochemistry, vol.1, №3,1971, p. 153-161

89. С.И.Беруль, В.Б.Лазарев, А.В.Салов/ Термографическое изучение диаграмм состояния Me2X-Sb2X3// ЖНХ, T. XVI, 1971, вып.12, стр.3363

90. В.А.Базакуца, Н.Н.Гнидаш, В.Б.Лазарев, Е.И.Рогачева, А.В.Салов, Л.Н.Сухорукова, М.П.Васильева, С.И.Беруль/ Исследование тройных халькогенидных соединений Me'SbX2A0KHX, 1973, T.XVIII, вып.12, стр.3234-3239

91. М.И.Головей, Е.Е.Семрад. Н.П.Лужная/ Получение и некоторые свойства метаселеноарсенитов щелочных металлов// ЖНХ, 1969, T.XIV,вып.11, стр.2932-3936

92. Бурмакин Е.И./ Твердые электролиты с проводимостью по катионам щелочных металлов. Москва. Наука, 1992, 263стр.231

93. Forland Т., Krogh-Moe J./ The structure of the high temperature modification of lithium sulphate// Acta chem. Scand., 1957, vol.11, №3, p. 565-567

94. Полищук А.Ф./ О высокопроводящих модификациях твердых электролитов// Физическая химия и электрохимия расплавленных солей и шлаков. Киев: Наукова думка, 1969, 4.1, стр. 18-27

95. Kale B.G., Bichile G.K./ Electrical transport properties of solid electrolyte -Li2SCy/ Indian J. Pure and Applied Phys., vol.28, 1990, №10, p.610-612

96. Иванов В.В., Скалозубов Д.М./ Прогноз состава литий проводящих сложных халькогенидов d -элементов типа Li3MeX4// Ионные расплавы и твердые жэлектролиты, 1990, вып. 5, стр.85-87

97. Zemann J./ Die kristallstruktur von lithiumphosphat, Li3P04// Acta Cristallogr., 1960, vol.13, №4, p.863-867

98. Бурмакин Е.И./ Транспортные свойства и структура твердых электролитов на основе ортосиликата лития// Влияние нестехиометрии на свойства соединений переходных металлов. Свердловск: УНЦ АН СССР, 1986, стр.55-70

99. A.R.Roder, J.Kuwano, A.R.West/ Li+ ion conducting y-solid solution in the system Li4X04-Li3Y04: X=Si,Ge,Ti; Y=P,As,V; Li4X04-LiZ02: Z=Al,Ca,Cr and Li4Ge04-Li2CaGe04

100. Dissanayake M.A., Anthony K./ Structure and conductivity of an Li4Si04-Li2S04 solid solution phase// J. Mater. Chem., vol.1, 1991, № 6, p.1023-1025

101. Shannon R.D., Taylor B.E., English A.D., Berzing Т./ New Li solid electrolytes// Electrochem. Acta, 1977, vol. 22, №7 p.783-796

102. Hong H.Y.-P./Crystal structure and ionic conductivity of Li14Zn(Ge04)4 and other new Li+- superionic conductors// Mater. Res. Bull., 1978, vol.13, №2, p.117-124

103. Бурмакин Е.И., Черей А.А., Степанов Т.К./ Твердые электролиты на основе ортогерманата лития// ДАН СССР, 1981, Т.256, №1, стр.105-109232

104. Бурмакин Е.И., Аликин В.Н./ Твердые электролиты в системе Li4Ge04-LÍ2SO4// Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1986, Т.22, №9, стр. 1525-1529

105. Укше Е.А., Букун Н.Г. Твердые электролиты. М.:Наука, 1977, 175с.

106. Графов Б.М., Укше Е.А. Электрохимические цепи переменного тока. М.:Наука, 1973, 128с.

107. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.:Мир., 1969, 654с.

108. Чеботин В.Н., Перфильев В.М. Электрохимия твердых электролитов М.-.Химия, 1978,312с.

109. Укше Е.А./Объемное и поляризационное сопротивление твердых электролитов// Редколлегия журнала "Электрохимия" АН СССР, Деп. в ВИНИТИ, №3014-77

110. Укше Е.А., Букун Н.Г. /К вопросу об импедансе границы металл/ твердый электролит// Электрохимия, 1980, Т.16, вып.З, стр.313-319

111. Соловьева JI.M./Аналитическое построение годографов комплексного сопротивления и проводимости электрохимических эквивалентных схем// Электродные процессы в галогенидных и оксидных электролитах. Свердловск, 1981, стр. 68-82

112. Герасимов С.Б., Никольский В.А., Иохин Б.С./Определение электронной и дырочной проводимости по методу Вагнера// Журнал физической химии, 1980, Т.54, вып.2, стр.403-405

113. Дамаскин В.В., Петрит O.A./ Введение в электрохимическую кинетику. М.:Высшая школа, 1975, 416с.

114. Физика электролитов:процессы переноса в твердых электролитах и раст-ворах/ Под ред. Дж.Хладика. М.:Мир. Высшая школа, 1977, 400с.

115. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.-Л.: Го-суд. издательство технико-теоретической литературы, 1949, 500с.

116. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.:Мир. Высшая школа, 1977, 400с.

117. Macdonald LR. Interpretation of ас impedance measurements in solids. In. Superionic conductors: Proc. conf.//Schemectady, N.-Y., 10-12 May, 1976, p. 81-97

118. Перфильев М.В./ Импеданс ячеек с твердым оксидным электролитом в широком интервале температур// Электрохимия, Т.VII, вып.6., 1971, стр.792-796

119. Wagner G./ Galvaniscthen zellen mit festen electrolyten mit gemischten Stromleitung //Z.Electrochem., 1956, B60, №1, s.4-7

120. Wagner T. Brucel. Polarisation studies on solid state electrolytes// Electrode processes in SSI: Proc. NATO Adv. study inst./Ajccio (corsica) a, 1975, p.l85-217

121. Поляков H.H., Пашун A.H., Измерение электропроводности и коэфициента Холла анизотропных полупроводниковых материалов// Приборы и техника эксперимента, 1990, №2, стр. 190-193

122. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.:Наука, 1987, 240с.

123. Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников, 41, зарубежная радиоэлектроника, 1981, №1, стр.3-50; 42, №2, стр.3-49

124. B.A.Boukamp //Solid State Ionics, v.18-19 (1986), pp.136-140

125. B.A.Boukamp //Solid State Ionics, v.20 (1986), pp.31-44

126. Физическая аккустика/ под редакцией У.Мезона, Т.З. Ч.Б. Динамика решетки. М.: Мир, 1968,- 391с.

127. Hill R.W., Proc. Phys. Soc. (London), A65, 349 (1952)

128. Горин Ю.Ф. Гистерезис электрических и упругих характеритик прустита в области низких температур/ Дисс. канд. физ. мат. наук. // Ур. госуниверситет. Свердловск. 1985,186 с

129. Труэлл Р., Эльбиум У., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твердого тела. -М.:Мир, 1977, 307с.

130. Вильке К.-В. Быращивание кристаллов. Л.: Недра, 1977, - 600с.

131. E.Hellner/ Uber komplex zusammengesetzte sulfidische Erze. II. Zur Struktur des Freieslebenits, PbAgSbS3// Zeitschrift fur Kristallographie, Bd. 109, S.284-295(1957)

132. B.J.Wuensch, W.Nowacki/ The crystal structure of marrite, PbAgAsS3// Zeitschrift fur Kristallographie, Bd. 125, S.459-488 (1967)

133. E.R.Baranova, V.L.Kobelev, O.L.Kobeleva, L.L.Nugaeva, V.B. Zlokazov, L.Ya.Kobelev, M.V.Perfiliev. Electric properties of solid electrolytes (AS)ix (AgSbS2)x (A=Ge,Sn,Pb) // Тез. 10 Int. Conf. on Solid State Ionics, Singapore, 3-8 Dec. 1995, p. 21234

134. Кобелев В.Л., Злоказов В.Б., Кобелева О.Л. Сегнетоэлектрические свойства AgPbAsSe3. // Всероссийская научная конференция "Физика конденсированного состояния", Стерлитамак, 22-25 сентября 1997г, Сборник научных трудов. стр. 107-108

135. Кобелева О.Л., Злоказов В.Б., Кобелев Я.Л. Электрическая проводимость AgSnAsS3. // Всероссийская научная конференция "Физика конденсированного состояния", Стерлитамак, 22-25 сентября 1997г, Сборник научных трудов. 105-106

136. Kobeleva O.L., Kobelev V.L., Kobelev Ya.L., Zlokazov V.B. Ferroelectric phase transition in CuSnSbSe3. // Tez. 9th Int. Meet, on Ferroelectricity, 2429 August, 1997, Seoul, Korea, p. 106

137. Kobelev V.L., Kobeleva O.L., Kobelev Ya.L., Zlokazov V.B. Temperature dependence of AgPbSbSe3 dielectric permittivity. // Tez. 9th Int. Meet, on Ferroelectricity, 24-29 August, 1997, Seoul, Korea, p. 11 сент.1998, стр. 92-93

138. М.Лайнс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981,734с.

139. Гуревич В.М. Электропроводность сегнетоэлектриков. М.: Издательство стандартов, 1969, 383с.

140. Горин Ю.Ф., Мельникова Н.В., Баранова Е.Р., Кобелева О.Л. О влиянии ионной проводимости на упругие характеристики четырехкомпонент-ных халькогенидов серебра и меди. // Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, вып. 14, стр.35-39

141. Кобелев В.Л., Мельникова Н.В., Кобелев Я.Л., Кобелев Л.Я., Цыганов236

142. О.С., Кобелева O.JI., Горин Ю.Ф. Ультразвуковые исследования оксидной керамики в системе Li-Si-Ge-As-S-O // Оксиды. Физико-химические свойства и технология", Екатеринбург, 1998, Тез.конф., стр.175

143. Кобелев В.Л. /Влияние фрактальности поверхности на электрические свойства поликристаллов: Автореферат.кандидата физ-мат. наук// ИФМ УрО РАН. Екатеринбург, 1999, 225с.

144. Кобелева О.Л., Кобелев В.Л., Кобелев Я.Л., Кобелев Л.Я. О диффузии через фрактальную поверхность.// ДАН РФ, 1997, т.355, №3, с.326-327

145. Кобелева О.Л., Кобелев В.Л., Кобелев Я.Л., Кобелев Л.Я. О диффузии через две фрактальные поверхности. // Деп. в ВИНИТИ, 05.02.97, № 332-В-97

146. Кобелев Л.Я., Кобелев Я.Л., Кобелев В.Л., Кобелева О.Л. Температурная зависимость элемента постоянной фазы импеданса твердых электролитов в фрактальной теории//Деп. в ВИНИТИ 6.03.1996 № 719-В-96

147. Кобелев Я.Л., Кобелев В.Л., Кобелев Л.Я., Кобелева О.Л. Температурная зависимость элемента постоянной фазы в теориях Лиу, Никоша-Пайкоши // Деп. в ВИНИТИ 11.10.96№ 2994-В-96

148. Кобелев В.Л., Кобелева О.Л., Кобелев Я.Л., Кобелев Л.Я. О температурной зависимости элемента постоянной фазы твердых электролитов от фрактальных характеристик//Электрохимия, 35,вып.3, 1999, с.320 328

149. Chen W.H. Linear network design and synthesis. Mc-Grow Hill, New-York, 1964

150. Шкерин C.H. Явление "постоянный фазовый угол" в системе 02,Pt/02"// Электрохимия, 1994, т.30, №9, с. 1086-1089

151. Бронин Д.И., Кузин Б.Л. Поведение элемента с постоянным фазовым углом в электродной системе 02,Pt/02"// Труды Всесоюз. школы по