Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

КОЖАНОВА Юлия Владимировна

ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ И ДВУХЭЛЕКТРОННЫХ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ МЕТОДОМ ЭМИССИОННОЙ МЕССБАУЭРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 2004

Работа выполнена на кафедре Прикладной физики и оптики твердого тела Радиофизического факультета Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет».

Научный руководитель

доктор физико-математических наук,

профессор Немов Сергей Александрович

Научный консультант

доктор физико-математических наук,

профессор Серегин Павел Павлович

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук,

профессор Семенов Валентин Георгиевич

доктор физико-математических наук Камзин Александр Сергеевич

Ведущая организация

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена

Защита состоится " ^^_2004 г. в " часов на за-

седании Диссертационного Совета К 002.205.01 при Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе, РАН по адресу : 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д.26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-Технического института им. А.Ф. Иоффе , РАН.

Автореферат разослан

2004 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат физ.-мат.наук

_

Ьахолдин С.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность работы

Известно, что при замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуется либо донор-ный, либо акцепторный уровень, способный при изменении положения уровня Ферми отдавать (принимать) один электрон ("одноэлектронные" центры). Однако существуют дефекты, способные при взаимодействии с кристаллической решеткой отдавать (принимать) два электрона ("двухэлектронные центры"). В запрещенной зоне полупроводников в этом случае образуются две полосы локализованных состояний, разделенных на величину корреляционной энергии (энергии Хаббарда)

где - первая и вторая энергии ионизации центра.

Если и < 0, то возникает схема уровней, которой приписан термин "двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией" (или "И центры"). Существенной особенностью И центров является неустойчивость их однократно ионизованного зарядового состояния. Каждой паре однократно ионизованных центров энергетически выгодно распасться на один нейтральный и один двукратно ионизованный центры.

Однако, несмотря на успешное использование указанных представлений для объяснения электрических, оптических и магнитных свойств аморфных материалов, двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией не наблюдались в полупроводниках прямыми экспериментальными методами. Исключение составляют лишь примесные атомы олова в халькогенидах свинца и их твердых растворах, для которых методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п такие центры были идентифицированы в большом числе работ. Эти исследования были выполнены в абсорбционном варианте мессбауэровской спектроскопии. Предельная чувствительность абсорбционной мессбауэровской спектроскопии по концентрации изотопа 1198п в халькогени-дах свинца не превышает 1 ат%, однако, предполагается, что наиболее драматичные изменения в энергетическом спектре примесных атомов олова в халь-когенидах свинца происходят при концентрациях олова < 0.5 ат%. В этом случае предпочтительно использовать эмиссионный вариант мессбауэровской спектроскопии, чувствительность которой может достигать ~ 10-7 ат%.

При использовании эмиссионной мессбауэровской спектроскопии следует иметь в виду, что два обстоятельства. Во-первых, образованию мессбауэров-ского уровня всегда предшествует ядерное превращение материнского изотопа, что может привести к смещению его из нормальных узлов решетки. Во-вторых, предполагается, что тонкая структура мессбауэровских спектров в случае электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами должна зависеть не только от частоты электронного обмена, но и от использованного варианта мессбауэровской спектроскопии.

В настоящей работе выясняются возможности эмиссионной мессбауэров-

и = Е2-Еь

БИБЛИОТЕКА СПете г (I ОЭ КО 1гг I

Ж>

(с материнскими атомами "9тт8п, И98Ь и 119шТе) для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов, образующих одно- и двухэлектронные уровни в запрещенной зоне полупроводников. В качестве объектов исследования были выбраны арсенид галлия ваАз, легированный 57Со (результаты исследований опубликованы в [1]), и халькогениды свинца (PbS, PbSe), легированные и "Те (результаты исследований

опубликованы в [2-4]). Использовались эмиссионный

119пш,5п(П9т5п)) П98Ь(тт8п) и И^^ИЗтд^ 0 а б С О р б Ц И О Н г[П98п]1р И а Н ТЫ

мессбауэровской спектроскопии. Цель работы:

1.Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 119шш3г1(119т5п)) П98Ъ(119т3п) и 119^119™^ провесТИ идентификацию ДВуХ-

электронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией, вводимых в PbS и PbSe методом ядерной трансмутации, а также провести обнаружение процессов электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами олова в частично компенсированном материале (когда уровень химического потенциала стабилизируется в энергетической полосе, образованной примесными атомами).

2. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со(57Тс)

провести идентификацию одноэлектронных центров железа, вводимых в GaAs методом ядерной трансмутации, а также провести исследование процессов электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в частично компенсированном материале.

Положения, выносимые на защиту:

1. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке РЬБ и РЬБе после ядерного распада изотопов 1198Ь и 1не зависих ох положения уровня химического потенциала, тогда как центр олова, образующийся послеядерного распада изотопов 119шт8п, И98Ьи "9тТе в катионной подрешетке РЬБ и РЬБе, представляет собой двухэлек-тронный донорный центр с отрицательной корреляционной энергией (нейтральному состоянию центра [Бп]0 соответствует ион Бп2"1", а двукратно ионизованному состоянию [8п]2+ соответствует ион Бп4*).

2. Для частично компенсированного PbSe частота процесса двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными центрами олова в катионной подрешетке растет с ростом температуры.

3. Примесные атомы железа, возникающие вследствие ядерного распада изотопа 57Со в ваАз, образуют в запрещенной зоне ваАз одноэлектронные акцепторные уровни (нейтральному состоянию центра [Ре]0 соответствует ион Ре а ионизованному состоянию |Ре]* соответствует ион Ре2+).

4. В частично компенсированном GaAs при температуре 295 К протекает процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа через валентную зону.

5. Информация эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для случая примесных атомов в полупроводниках тождественная информации абсорбционной спектроскопии, однако эмиссионный вариант спектроскопии дает возможность реализовать вхождение примесных атомов в необычные (антиструктурные) положения решетки.

Научная новизна:

1. Метод ом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах

"'вЬ и П9тТе идентифицированы нейтральные [Бп]0 (им соответствуют ионы Бп2*) и ионизованные [Бп]2* (им соответствуют ионы Бп4+) состояния примесных атомов олова в катионной подрешетке PbS и PbSe.

2. Показано, что примесные атомы олова в катионной подрешетке PbS и PbSe являются двухэлектронными донорными центрами с отрицательной корреляционной энергией Хаббарда, причем энергетические уровни олова лежат в нижней половине запрещенной зоны в PbS и на фоне валентной зоны в PbSe.

3. Продемонстрирован процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами олова в частично компенсированном PbSe.

4. Зарядовое состояние атомов олова, образующегося в анионной подрешетке PbS и PbSe после ядерного распада изотопов 1198Ь И 119тТе, не зависит от положения уровня химического потенциала, и они образуют электрически неактивные антиструктурные дефекты.

5. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе

"Со

идентифицированы нейтральные [Бе]0 ( им соответствуют ионы Бе3*) и ионизованные (им соответствуют ионы состояния примесных атомов железа в объемной части GaAs. Показано, что указанные примесные атомы железа образуют в запрещенной зоне GaAs одноэлектронные акцепторные уровни.

6. Обнаружен процесс быстрого одноэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в частично компенсированном ваАв (время жизни центров (Ре]0 и [Те]' при температуре 295 К не превышает 10"' с ).

7. Продемонстрировано, что в приповерхностной области ваАв примесные атомы железа, образующиеся после ядерного превращения

"Со, входят в состав электрически активных ассоциатов с вакансиями решетки, причем при температуре 295 К не наблюдается процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа.

Научная и практическая важность работы

Полученные результаты могут иметь важное значение при создании теории двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в полупроводниках, а также для реализации новых технологий получения полупроводниковых материалов с необходимым комплексом свойств.

Апробация работы

Результаты исследований докладывались на XI Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и качество образования и науки» (СПб: ГОУ ВПО «СПбГПУ», 2004 г.), а также на семинарах кафедры Прикладной физики и оптики твердого тела Радиофизического факультета ГОУ ВПО «СПбГПУ»и семинарах лаборатории физико-химических свойств полупроводников ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. Публикации

По теме диссертации опубликовано 4 работы, включая 3 журнальных статьи, список которых приведен в конце автореферата. Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы. Полный объем работы 117 страниц машшгопечатного текста, в том числе 14 рисунков, 3 таблицы. Библиография составляет 149 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается акгуальность выбранной темы диссертации и формулируются цели и задачи исследования.

В первой главе рассмотрены основные параметры мессбауэровских спектров (коэффициент Мессбауэра, ширина спектральной линии, изомерный сдвиг, доплеровский сдвиг второго порядка, квадрупольное расщепление), а также особенности эмиссионной мсссбауэровской спектроскопии и посг-эффекты ядерных превращений. Проведен анализ литературных данных мессбауэровских исследований двухэлектронной примеси олова в халькогенидах свинца и одноэлектронной примеси железа в соединениях А3В5.

Вторая глава посвящена описанию методик экспериментальных исследо-ваиий. В работе использовалась эмиссионная мессбауэровская спектроскопия на изотопах 57Со(57гаРе), П9пто(И9т5п), ш8Ь(И9т8п) и И9тТе(М9т8п). Стандартными поглотителями служил, соответственно,

Мессбауэровские спектры снимались на промышленном спектрометре МС-2101.

Третья глава посвящена исследованию двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца.

Халькогениды свинца (PbS и PbSe), легированные 1191Ш^п, получали сплавлением исходных компонент полупроводниковой чистоты в вакуумиро-ванных кварцевых ампулах с последующим отжигом вначале слитков, а затем спрессованных порошков при 650оС в течение 120 часов. Образцы были однофазными и имели структуру типа №0. В качестве донорной примеси использовался сверхстехиометрический свинец, а в качестве акцепторной примеси -

натрий. Исходная шихта для образцов, содержащих материнские атомы 119тто_

составлялась в предположении, что примесные атомы олова и натрия замещают атомы свинца, так что состав образцов может быть записан в виде РЬ,.х.у119т8пх№у8 и РЬ^'^Бп^ауЗе.

Мессбауэровские источники PbS: '"БЬ и РЬ8с:,19тТе готовили путем

сплавления образцов РЬ8 и РЬ8е с безносительными препаратами и

|19тТе, так что оценочная концентрация примесных атомов сурьмы и теллура не превышала 1017 ат.см"3. Исходные образцы РЬ8 и РЬ8е были электронного (с избытком свинца, п ~ 5.101* см"3]> и дырочного (с избытком серы или селена, р ~ 1018 см"3) типа.

Материнские атомы '''"""вп

Сульфид свинцаPbS

Нейтральное состояние центров олова наблюдалось в электронном образце РЬо.995119гат5по.оо58, содержащем сверхстехиометрический свинец: мессбау-эровские спектры отвечали двухвалентному олову П9ш8п2+ (см. рис.1 и табл.1). Ионизованное состояние центров олова наблюдалось в компенсированном дырочном образце РЬо.98зП,тт8по.о<^ао.о18: мессбауэровские спектры соответствовали четырехвалентному олову 119ш8п4+(см.рис.1 и табл.1).

Таблица 1. Параметры эмиссионных мессбауэровских спектров тттВп("9яБп) в РЬ^пЛаЯ и РЬ,.х£пх№£е при 80 и 295 К

Состав Ион 5 мм/с в мм/с И в,р см"3 5 мм/с С мм/с Я п,р см'3

n-Pbo.99sSno.oosS 3.70 0.80 зло18 3.65 0.79 3.101"

р- pb0.995sno.o05Na0.01s 1.25 0.79 6.10" 1.23 0.80 1.10*'

р- рьо.99$по.ооз^ао.ооз в 3.76 0.81 0.96 6.10" 3.68 0.81 0.90 6.10Ь

в«4* 1.26 0.80 1.32 0.80

n-pbo.995sno.oo.4se 3.65 0.80 2.10" 3.63 0.79 2.10"

Р- РЬо.9в8по.оо5№ао.о158е 1.52 0.81 4.10" 1.50 0.80 4.10й

р- Pbo.99Sno.005Nao.005 ве 3.60 1.34 1.20 4.10" 3.36 1.79 3.00 3.10"

вп4+ 1.56 1.34 2.00 1.79

Примечание: § - изомерный сдвиг относительно СаБпОз, й - ширина спектра на полувысоте , Л - отношение площадей под спектрами Бп2+ и Бп4*, п,р -концентрация носителей тока.

Изменение изомерного сдвига мессбауэровских спектров при переходе от РЬ1.х1|9шт8п,8 к РЬ1 .„.у11 9тт8пхКау8 объясняется тем, что как материнские примесные атомы так и дочерние примесные атомы Бп, образующиеся после радиоактивного распада материнских атомов, замещают атомы свинца в кубической решетке PbS и образуют донорные состояния, энергия ионизации которых соответствует уровню в нижней половине запрещенной зоны. Меняя соотношение концентраций олова и акцептора в PbS можно получить в мес-сбауэровском спектре любое контролируемое соотношение интенсивностей

„ М9тп_2+ 119шг1„<+ / 1\ г 1

линии Ьп и Ьп (см. рис.1), причем, как видно из табл. 1, изомерные 119шс_2+ „ 119тс 4+ г

сдвиги спектров для таких образцов практически совпадают с

изомерными сдвигами рассмотренных выше нейтральных и двукратно ионизованных центров и наблюдается незначительное сближение этих линий при повышении температуры. Это сближение линий связано с медленным электронным обменом между указанными состояниями олова.

Рис. 1. Эмиссионные мессбауэровские спектры РЬо.т"9тт$по.оо5$ (о,Ь), РЬом5"9тт$пом5Мао.о,3 (сЯ) и РЪом"9тт8по^ао.о0!8 при 80 (,а,с,е) и 295 К (Ь,с1$). Показано разложение экспериментальных спектров на компоненты, отвечающие П9т5п°, /,?т5л2+ и 119п8п4*, а также показано положение линии, отвечающих центрам "9т8п2+ и "9т8п4*.

Рис. 2. Эмиссионные мессбауэровские спектры РЬо.99^П9тт 8пцм58е (а,Ь), РЬоп'^поооз^аот^е (с,с1) и РЬо99"9тт8паСо№11.0о£е (е$ при 80 (а,с,е) и 295 К (Ь,с1$. Показано разложение экспериментальных спектров на компоненты, отвечающие И9т8п°, "9т8п2* и "9т8п4+, а также показано положение линий, отвечающих центрам ,,9т8п2* и "9т8п4*.

Селенид свинца РЪБе

Только нейтральное состояние донорных центров олова наблюдалось в электронном образце РЬо.995И9тт8по.ои58е (см. рис.2 и табл.1). Полностью ионизованные центры олова были получены в образцах РЬ].х.у"9тга8пхЫау5е, в которых концентрация натрия существенно превышает удвоенную концентрацию олова (см. рис.2 и табл. 1). Такая ситуация объясняется тем, что для PbSe энергетические уровни олова находится на фоне валентной зоны и в уравнении электронейтральности следует учитывать как концентрацию акцепторов, так и концентрацию дырок. Как видно из рис.2 и табл. 1, с повышением температуры указанные линии в спектре РЬо.9911 """Эпо.и^ао.омБе заметно сближаются и еще более уширяются. Все эти факты объясняются процессами электронного обмена между разновалентными центрами олова.

Как следует из полученных результатов, не наблюдается различия в тонкой структуре эмиссионных и абсорбционных спектров олова в РЬ8е и РЬ8. Материнские атомы119БЪ

Параметры спектров образцов РЬ8:"98Ь и РЬ8е:1198Ь при 80 К приведены

на рис.3 и в табл. 2. Спектр электронных образцов представляет собой наложение двух линий. Более интенсивная линия имеет изомерный сдвиг, характерный для интерметаллических соединений олова, и ее следует приписать центрам '""^П0 в анионной подрешетке РЬв и РЬ8е (в ближайшем окружении этих центров находятся атомы свинца и взаимодействие олова с ними приводит к изомерному сдвигу, типичному для металлических сплавов олова). Очевидно, что атомы 119п18п0 образуются из атомов 119БЬ, находящихся в анионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е.

Рис. 3. Мессбауэровские спектры примесных атомов и9БЬ("9тБп) при 80 К образцов РЬБ (а,Ъ) и РЪБе (с,ф электронные (а, с) и дырочные (Ь,ф. Показано разложение экспериментальных спектров на компоненты, отвечающие "9т8п°, "9т8п2* и "9т3п4* , а также показано положение линий, отвечающих

,,„„т„„ж, П9тг,„7+1 119т~4+ „ 119тг, а

центрам оп ), Ьп и оп .

Рис. 4. Мессбауэровские спектры примесных атомов П9тТе("9тЗп) при 80 К образцов РЬБ (а,Ъ) и РЬБе (с,с!) электронные (а,с) и дырочные (Ь,ф. Показано разложение экспериментальных спектров на компоненты, отвечающие "9а8п°, "9тБп2+ и "9т8п4+, а также показано положение линий, отвечающих центрам Ъп , Ьп и Ьп.

Вторая линия имеет изомерный сдвиг, характерный для нейтральных центров олова в халькогенидах свинца, и ее следует приписать центрам п?т8п2+ в катионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е. Очевидно, что атомы 119ш8п2+ образуются из атомов 119БЬ, находящихся в катионной подрешетке РЬв и РЬ8е.

Спектр дырочных образцов также представляет собой наложение двух линий (рис.3 и табл.2). Одпа из этих линий имеет изомерный сдвиг, близкий к изомерному сдвигу спектра ,19т5п°. Эта линия преобладала в образцах п-типа, однако, ее интенсивность в образцах р-типа существенно уменьшается. Объясняется это тем, что место локализации примесных атомов сурьмы в решетках

PbS и PbSe зависит от характера нарушения стехиометричности материала: в образцах с избытком свинца сурьма локализуется преимущественно в анионной подрешетке, а в образцах с избытком серы - преимущественно в катион-ной подрешетке. Вторая линия имеет изомерный сдвиг, характерный для двукратно ионизованных центров олова в халькогенидах свинца, и ее следует приписать центрам 1|9т5п4+ в катионной подрешетке PbS и PbSe.

Таблица 2. Параметры эмиссионных мессбауэровских спектров тБЬ(119тБп)

, 119т

119т

'Бп) в РЬБ и РЬТе при 80 К

Соединение Спектр Центр 4 мм/с с, мм/с Б, % 5, мм/с с, мм/с Б, %

ШБЬ тТе

п-РЬБ I II Шт8п. П9тБп2+ 2.34 3.73 1.34 1.33 0.78 0.22 2.35 3.72 1.34 1.45 0.85 0.15

п-РЬБе I II ",тБп° 119т5п2+ 2.30 3.61 1.33 1.35 0.70 0.30 2.33 3.61 1.32 1.46 0.87 0.13

р-РЬБ I III ШтБпо 119т8п4+ 2.33 1.23 1.33 1.32 0.21 0.79 2.34 1.25 1.36 1.46 0.87 0.13

р-РЪБе I II Шт^о П9т5п4+ 2.29 1.60 1.34 1.33 0.19 0.81 2.35 1.60 1.33 1.47 0.90 0.10

Погрешности М.01 ±9.02 ±0.02 ±0.01 ±0.02 ±0.02

Примечание: 3 - изомерный сдвиг относительно СаБпОз, <7 - ширина спектра на полувысоте, Б - площадь под спектром.

Следует отметить, что центр 119т8п в анионной подрешетке PbS и PbSe представляет собой антиструктурный дефект и, как следует из независимости

119т о

изомерного сдвига спектра от типа проводимости материала, зарядовое

состояние антиструктурного дефекта не зависит от положения уровня Ферми. Материнские атомы

Из рис.4 и таблицы 2 видно, что экспериментальные спектры образцов п-типа представляют собой наложение двух линий. Интенсивная линия имеет изомерный сдвиг, который отвечает атомам '""Бп0, имеющим в своем окружении атомы свинца. Этот спектр следует приписать центрам олова, образовавшимся после распада материнских атомов ШтТе, находящихся в анионной подрешетке. Менее интенсивная линия имеет изомерный сдвиг, отвечающий нейтральным центрам олова в катионной подрешетке халькогенидах свинца, т.е. дочерним атомам Ьп , возникшим после распада материнских атомов

119пут>

сместившимся за счет энергии отдачи из анионных в катионные узлы решетки.

Эмиссионные спектры образцов р-типа также представляют собой наложение двух линий (рис.4 и таблица 2): наряду с интенсивной линией ш^п°, отвечающей атомам олова в анионной подрешетке, спектр содержит и менее интенсивную линию, изомерный сдвиг которой отвечает двукратно ионизован-

ным центрам олова в катионной подрешетке халькогенидах свинца. •Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (Pb1:lSnI)i-IInITe.

Для твердых растворов (Pb[_xSn,)i-iInzTe сх - 0.8 и z ~ 0.16-0.20 обнаружена сверхпроводимость с необычайно высокой для полупроводников критической температурой (~ 4 К), зависящей от концентрации олова и с целью обнаружения возможных изменений локальной симметрии узлов олова и электронной структуры атомов олова, мы предприняли исследование твердых растворов (Pbi.xSnx)|.zInzTe методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn. Мессбауэровские спектры 119Sn снимались при 295, 195, 78, 4.2 и 2 К, причем температуры источника (Са,19ттЗпОз) была 295 К. Мессбауэровские спектры 119Sn образцов (Pbo.5Sno.s)o.84lno.i6Te, Pbo.5Sno.5Te,

представляли собой

одиночные линии, для которых ширины на полувысоте близки к аппаратурной ширине спектров, причем перевод сплава в сверхпроводящее состояние не приводит к заметному изменению ширины спектра. Поэтому можно сделать вывод о неизменной локальной симметрии катионных узлов решеток твердых растворов (Pbi-xSnJ^blzTe при переводе их в сверхпроводящее состояние. Поскольку при изменении состава твердого раствора ближайшее окружение атомов олова остается неизменным, то не является неожиданным постоянство изомерного сдвига мессбауэровских спектров 119Sn, который для всех составов в пределах погрешности измерений совпадает с изомерным сдвигом спектра соединения SnTe.

В четвертой главе возможности эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Co(37mFe) используются для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов железа в приповерхностной и объемной частях GaAs, а также для наблюдения быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа в объемной части GaAs.

Для идентификации нейтральных и ионизованных центров железа были использованы монокристаллические образцы GaAs п- и р-типов (р = 2.1018 см"3 и n = 2.1018 см"3 при 295 К). На поверхность образца из аммиачного раствора безносителыюго препарата "СоСЬ электролитически осаждался кобальт, и образцы подвергались диффузионному отжигу в вакуумированных кварцевых ампулах в присутствии порошка GaAs (для уменьшения испарения мышьяка) при 1025°С в течение 24 часов. После диффузии образцы обрабатывались в смеси HF и HN03 (для удаления непродиффундировавшего 5 Со) и с поверхности удалялся слой толщиной ~ 20 мкм (концентрация кобальта Nc0 в нем, определенная методом радиоактивных индикаторов, составляла ~ 1018 см"3). Этот слой служил мессбауэровским источником для исследования состояния примесных атомов 57Co(57mFe) в приповерхностном слое (образцы I и II с концентрациями носителей тока, соответственно, р = 1,6.1018 см'3 и п = 1,6.1018 см"3). Затем удалялся второй слой толщиной ~ 150 мкм и оставшийся образец (в нем концентрация кобальта составляла -* 5.1016 см"3) служил мес-

сбауэровским источником для исследования состояния примесных атомов 57Co(57mFe) в объемной части образца (образцы III и IV с концентрациями носителей тока, соответственно, р=1,б.1018 см"3 ип = 1,6.1018 см"3). Тип проводимости образцов после диффузионного отжига не изменялся.

Для исследования процесса быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа в объемной части материала был использован монокристаллический образец GaAs n-типа (n = 5.1016 см"3 при 295 К), в который по описанной выше диффузионной методике вводился Со (время диффузионного отжига составляло 5 минут). С поверхности образца удалялся непродиффундировавший 57Со, удалялся слой толщиной ~ 40 мкм и затем последовательно снимались слои, содержащие концентрации кобальта Neo - 1.5.1017 (образец V), NCo ~ 8.1016 (образец VI) и No, ~ 5.1016 см"3 (образец

VII), которые и служили мессбауэровскими источниками.

С целью обнаружить процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа в приповерхностной области материала был приготовлен мессбауэровский источник на основе монокристаллического GaAs n-типа (n = 3.1017 см'3 при 295 К), в который по описанной выше диффузионной методике вводился (время диффузионного отжига составляло 24 часа). С поверхности образца удалялся непродиффундировавший 57Со, снимался слой толщиной ~ 20 мкм (концентрация кобальта в нем составляла и этот слой служил мессбауэровским источником (образец

VIII).

Идентификация нейтральных и ионизованных центров железа

При анализе экспериментальных результатов учитывалось, что - концентрации в GaAs примесных атомов кобальта и железа), так что положение уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника определяется концентрациями и положением энергетических уровней создаваемых примесными атомами кобальта и фоновой примеси (цинк для дырочных и теллур для электронных образцов). Только нейтральные центры железа должны наблюдаться в спектрах дырочных образцов (когда уровень Ферми находится вблизи потолка валентной зоны), а только ионизованные центры железа - в электронных образцах, когда и уровень Ферми на-

ходится вблизи дна зоны проводимости (здесь - концентрация доноров, в качестве которых использовались примесные атомы теллура).

Как видно из рис.5, тонкая структура мессбауэровских спектров зависит как от типа проводимости исходного образца, так и от местонахождения примесных атомов 57Co(57mFe) (приповерхностная или объемная области).

Мессбауэровский спектр примесных атомов 57Co(57mFe) в приповерхностной области дырочного образца I (рис.5а) представляет собой квадрупольный дублет (5 = 0.45(2) мм/с, квадрупольное расщепление Q.S. = 0.95(3) мм/с, ширина компонент квадрупольного дублета G = 0.55(3) мм/с, спектр I) , тогда как для электронного образца спектр представляет собой одиночную

уширенную линию (5= 0.60(2) мм/с, Q.S. = 0.20(3) мм/с, Q = 0.56(2) мм/с,

спектр II) (рис.5Ь). Параметры спектров I и II слабо зависят от температуры измерения спектров (295 или 78 К).

Наличие в спектре I квадрупольного расщепления свидетельствует об образовании в приповерхностной области ассоциатов типа "кобальт-вакансия", причем дочерние атомы железа i7mFe после радиоактивного р а с п ai?£o с т а -ются в составе таких ассоциатов. Изомерный сдвиг спектра I отвечает'®7тРе3+ с электронной конфигурацией 3d5. Следовательно, материнские атомы кобальта в составе этих ассоциатов находятся в состоянии 57Со3+. Зависимость изомерного сдвига спектров примесных атомов в приповерхностной области от типа проводимости образцов свидетельствует об электрической активности ассо-циатов.

В дырочном образце I ассоциаты находятся в нейтральном состоянии, и в их состав входят ионы 57Со3+ (57mFe3+) с незавершенной системой тетраэдриче-ских связей, что и приводит к большому квадрупольному расщеплению мес-сбауэровского спектра I. В электронном образце II указанные ассоциаты ионизуются, и в их состав входят ионы 57Со2*(5^ЧРе1+) с завершенной системой тет-раэдрических связей. Как следствие, квадрупольное расщепление спектра II значительно меньше, чем квадрупольное расщепление спектра I.

Мессбауэровские спектры примесных атомов S7Co(37mFe) в объемной области дырочного (спектр III) (рис.5с) и электронного образцов (спектр IV) (p^.5d) представляют собой одиночные несколько уширенные линии (G = 0.50(2) мм/с) с различающимися изомерными сдвигами: минимальный

сдвиг наблюдается для дырочного образца (S = 0.38(2) мм/с) и максимальный -для электронного образца (5 = 0.63(2) мм/с). Параметры спектров слабо зависят от температуры измерения спектров. Спектр III следует отнести к изолированным нейтральным акцепторным центрам железа, образовавшихся после радиоактивного распада нейтральных акцепторных центров кобальта (изомерный сдвиг а спектр IV - к изолированным ионизованным акцепторным центрам железа, образовавшихся после радиоактивного распада ионизованных акцепторных центров кобальта (изомерный сдвиг 6,). Величина 5П типична для изомерпых сдвигов мессбауэровских спектров соединений трехвалентного железа с электронной конфигурацией 3d5.

Возрастание изомерного сдвига мессбауэровских спектров î7Co(37mFe) при переходе от нейтральных центров железа к ионизованным центрам железа свидетельствует об уменьшении электронной плотности на ядрах Fe: ионизация нейтрального центра железа сопровождается увеличением заселенности 3d оболочки железа.

Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами

железа

Мессбауэровские спектры примесных атомов

57Co(57mFe) в объемной области частично компенсированных образцов (спектры V, VI и VII на рис.6а^,с) при комнатной температуре представляют собой одиночные несколько уширенные линии (G - 0.50(2) мм/с) с изомерными сдвигами, монотонно изменяющимися по мере возрастания степени компенсации (0.50(2), 0.56(2) 0.63(2) мм/с для спектров V, VI и VII, соответственно). Однако при 78 К изомерные сдвиги спектров этих образцов оказались одинаковыми (0.62-0.63 мм/с) и соответствуют ионизованным центрам железа (см. p^.6d,e,f).

Для объяснения особенностей спектров V, VI и VII следует иметь в виду, что при выполнении условия No, > Ите уровень Ферми привязан к уровшо кобальта Ее»: ц = Eco - kHnPco{(Nco-NTe-p+n]/[NTe+I>-n) (NCo-NTe)/NTe }, где рс<> -фактор вырождения уровня кобальта, n, p - концентрации электронов и дырок. Следовательно, P = N„/N1 = G[Pco/PFe]exp{[EFe-Eco]/kT}, где Nn, N, -концентрации нейтральных и ионизованных центров железа, Рге - фактор вырождения уровня железа. Таким образом, при достаточно близких величинах Efs и Есо> варьируя концентрации кобальта No, и теллура N-re, можно добиться Р ~ 1. Тонкая структура эмиссионных мессбауэровских спектров для последнего случая будет зависеть от соотношения между временем жизни мессбауэровского уровня и временем электронного обмена т между нейтраль-

ными и ионизованными центрами железа:

1 .Если г« т0 , то в мессбауэровском спектре будет наблюдаться одна линия, с изомерным сдвигом отвечающая «усредненному» со-

стоянию железа, возникающего за счет быстрого электронного обмена между центрами железа.

2.Если т » т„, то, при условии электрической активности материнских атомов кобальта, в мессбауэровском спектре будет наблюдаться одна линия, отвечаю-

щая нейтральным центрам железа, тогда как при условии электрической неактивности кобальта, в мессбауэровском спектре будут наблюдаться две линии, отвечающие нейтральным и ионизованным центрам железа.

Таким образом, спектры V, VI и VII демонстрируют картину быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа в объемной части материала, возникающую при нахождении уровня Ферми Ц вблизи энергетического уровня железа Efï. Образцы III, IV и V отвечают условию Р ~ 1: поскольку концентрация теллура во всех образцах была 5.101 см"3, то величина G в них менялась от 2 до 0, а уровень Ферми перемещался от середины запрещенной зоны (при G = 0) до положения на несколько кТ ниже Eco (при G = 2). Полагая ßo/ßFe 1 (поскольку эта величина не может сильно отличаться от единицы), получим

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬ ТА ТЫ

1. Продемонстрирована тождественность информации, получаемой методами эмиссионной и абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на изотопе

для случая медленного электронного обмена между нейтральными и ионизованными двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца (PbS и PbSe), что свидетельствует о принципиальной возможности использования эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для исследования процессов бозе-конденсации куперовских пар в конденсированных средах.

2. Олово в решетках PbS и PbSe играет роль глубокого двухэлектронного донора с отрицательной корреляционной энергией: энергетические уровни центра олова лежат в нижней половине запрещенной зоны PbS и на фоне валентной зоны PbSe; нейтральному состоянию центра олова соответствует ион Sn2+, а двукратно ионизованному состоянию олова соответствует ион Sn4+.

3. Для частично компенсированного PbSe частота процесса двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными центрами олова в катионной подрешетке растет с ростом температуры.

4. Место локализации примесных атомов сурьмы в решетках PbS и PbSe зависит от типа проводимости материала: в электронных образцах сурьма локализуется преимущественно в анионной подрешетке, а в дырочных - преимущественно в катионной подрешетке.

5. Значительная величина энергии отдачи атомов I19Sb после радиоактивного распада материнских атомов ШтТе приводит к появлению заметной доли смещенных атомов 119mSn, однако большая часть атомов u9mSn после распада остается в анионной подрешетке, играя роль антиструктурных дефектов.

6. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного распада атомов

не зависит от положения уровня Ферми, тогда как центр олова в катионной

подрешетке представляет собой двухэлектронный центр с отрицательной корреляционной энергией (в электронный образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра, а в дырочных - двукратно ионизованному состоянию этого центра).

7. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе "'Эп не обнаружено изменений ни локальной симметрии узлов, ни электронной структуры атомов олова в твердых растворах при переводе их в сверхпроводящее состояние.

8. Локальная структура примесных центров железа, образующихся после ядерного превращения различна для приповерхностной и объемной областей кристалла - в приповерхностной области они входят в состав ассо-циатов с вакансиями решетки, тогда как в объемной области - в виде изолированной примеси замещения).

9. Продемонстрирована зависимость зарядового состояния примесных атомов железа в ОаА от положения уровня Ферми в запрещенной зоне, идентифицированы нейтральные и ионизованные акцепторные состояния примесных атомов как в приповерхностной, так и в объемной областях материала (в дырочных материалах железо стабилизируется с электронной конфигурацией 3(15, а в электронных - с электронной конфигурацией Зс16).

10.Для частично компенсированных образцов ОаАз в объемной области материала в области температур 78 - 295 К обнаружен процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными акцепторными центрами железа, осуществляемый дырками через валентную зону.

Список работ, опубликованных по теме диссертации

1. Серегин П.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П.. Мессбауэров-ское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия // ФТП.-

2003.-Т.37.- Вып.8.- С.917- 921.

2. Немов С.А., Кожанова Ю.В., Серегин П.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (РЬ^гОьгВД-С// ФТП.-2003.-Т.37.-Вып.9.С. 1085-1086.

3. Немов С.А., Серегин П.П., Кожанова Ю.В., Серегин Н.П.. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений // ФТП.-2003.-Т.37.- Вып.12.- С.1414-1419.

4. Кожанова Ю.В., Немов С А, Серегин П.П., Январева А.Ю., Тураев Э.Ю., Хужакулов Э.С. Исследование примеси олова в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии // Высокие интеллектуальные технологии и качество образования и науки: Тез. докл.. к XI Международной научно-методической конференции, Санкт-Петербург: ГОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет».

2004.-С.389.

Лицензия ЛР №020593 от 07.08.97.

Подписано в печать-/3. ОЦ. . Объем в п.л. ■/•

Тираж ¿ОО. ЗаказУ^

Отпечатано с готового оригинал-макета, предоставленного автором, в типографии Издательства СПбГПУ 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29.

Отпечатано на ризографе RN-2000 ЕР Поставщик оборудования — фирма "Р-ПРИНТ" Телефон: (812) 110-65-09 Факс: (812) 315-23-04

»11762

ВВЕДЕНИЕ

1. МЕССБАУЭРОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1.1. Мессбауэровская спектроскопия

1.1.1 Параметры мессбауэровских спектров

1.2. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия

1.2.1. Время жизни метастабильных состояний атомов в твердых телах

1.2.2. Формы стабилизации многозарядных атомов в твердых телах

3.2. Расчет атомов отдачи 62

3.3. Объекты исследования 65

3.4. Материнские атомы Штт8п 65

3.4.1. Сульфид свинца РЬЭ 65

3.4.2. Селенид свинца РЬБе 69

3.4.3. Обсуждение результатов 72

3.5. Материнские атомы Ш8Ь 73

3.6. Материнские атомы 119тТе 76

3.7. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (РЬ1х8пх)121п2Те 78

3.8. Выводы 83

4. МЕССБАУЭРОВСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ ЖЕЛЕЗА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ 85

4.1. Введение 85

4.2. Объекты исследования 86

4.3. Идентификация нейтральных и ионизованных центров железа 88

4.3.1. Приповерхностная область 89

4.3.2. Объемная область 92

4.4. Электронный обмен между нейтральными и ионизован- 96 4 ными центрами железа

4.4.1. Объемная область 96

4.4.2. Приповерхностная область 103

4.5. Заключение 105

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 106

Литература 109

Список работ, опубликованных по теме диссертации 116

ВВЕДЕНИЕ

Настоящая работа посвящена исследованию методом эмиссионной мес-сбауэровской спектроскопии на изотопах П9тт8п(119т8п), 1198Ь(1,9т8п) и П9тТе(,|9т8п) двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в РЬ8 и РЬ8е, а также исследованию методом эмиссионной еч с»? мессбауэровской спектроскопии на изотопе Со( Ре) одноэлектронных центров железа в ОаАэ.

В первой главе рассмотрены основные параметры мессбауэровских спектров, особенности эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, и проведен анализ литературных данных по исследованию двухэлектронной примеси олова в халькогенидах свинца и одноэлектронной примеси железа в соединениях А3В5. Вторая глава посвящена описанию методик экспериментальных исследований. Третья глава посвящена исследованию двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца. В четвертой главе возможности эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со(57тРе) используются для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов железа в приповерхностной и объемной частях СаАэ, а также для наблюдения быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа в объемной части СаАБ. Основные результаты диссертационной работы излагаются в последнем разделе. Актуальность работы

Известно, что при замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуется либо до-норный, либо акцепторный уровень, способный при изменении положения уровня Ферми отдавать (принимать) один электрон ("одноэлектронные" центры). Однако существуют дефекты, способные при взаимодействии с кристаллической решеткой отдавать (принимать) два электрона ("двухэлектронные центры"). В запрещенной зоне полупроводников в этом случае образу-V ются две полосы локализованных состояний, разделенных на величину корреляционной энергии (энергии Хаббарда) [1] и = Е2-Еь где Е1 и Е2 - первая и вторая энергии ионизации центра.

Если и < 0, то возникает схема уровней, которой приписан термин "двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией" (или "1Г центры"). Существенной особенностью 1Г центров является неустойчивость их однократно ионизованного зарядового состояния. Каждой паре однократно ионизованных центров энергетически выгодно распасться на один нейтральный и один двукратно ионизованный центры.

Указанные представления были использованы Андерсеном [2] для объяснения свойств аморфных материалов, Адлер с сотр. [3] применили их для описания свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников, Драб кин и Мойжес рассмотрели возможность стабилизации Ц" центров в полупроводниках типа А4В6 [4], а также попытались связать явление сверхпроводимости с появлением таких центров в сверхпроводящем материале [5]. Возможность обнаружения парноэлектронных процессов локализации-делокализации в конденсированных средах рассмотрел Ионов [6]. С ТТ центрами отождествляются также А4В6 резонансные состояния примеси индия [7] и таллия [8,9] в полупроводниках А4В6.

В литературе практически отсутствуют экспериментальные наблюдения двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Исключение составляют лишь примесные атомы олова в халькогенидах свинца и их твердых растворах, для которых методом мессбауэровской спектроско-^ пии на изотопе 1198п такие центры были идентифицированы в большом числе работ [10-23],. предложена модель двухэлектронных донорных центров с отрицательной корреляционной энергией [24] и на ее основе объяснены все И имеющиеся экспериментальные данные по электрическим и оптическим свойствам халькогенидов свинца, легированных оловом [25-39].

Эти исследования были выполнены в абсорбционном варианте мессбау-эровской спектроскопии. Предельная чувствительность абсорбционной мес-сбауэровской спектроскопии по концентрации изотопа 1198п в халькогенидах свинца не превышает 1 ат%, однако, предполагается, что наиболее драматичные изменения в энергетическом спектре примесных атомов олова в халькогенидах свинца происходят при концентрациях олова гораздо меньших 0.5 ат% [25-39]. В этом случае предпочтительно использовать эмиссионный вариант мессбауэровской спектроскопии, чувствительность которой может достигать ~ 10" ат% [41]. Эмиссионный вариант спектроскопии был использован уже в первых работах, посвященных мессбауэровским исследованиям примесных атомов 57Ре в таких классических полупроводниках как Ое [42],

3 5

43], соединениях А В [44,45]. В частности, были сделаны попытки связать параметры мессбауэровских спектров с положением уровня химического потенциала в запрещенной зоне материала. Однако они оказались неудачными, что объясняется недостатками в постановке эксперимента [46,47].

При использовании эмиссионной мессбауэровской спектроскопии следует иметь в виду, что два обстоятельства. Во-первых, образованию мессбау-эровского уровня всегда предшествует ядерное превращение материнского изотопа, что может привести к смещению его из нормальных узлов решетки. Во-вторых, предполагается, что тонкая структура мессбауэровских спектров в случае электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами должна зависеть не только от частоты электронного об-^ мена, но и от использованного варианта мессбауэровской спектроскопии

47].

Настоящая работа посвящена изучению возможностей эмиссионной мес-сбауэровской спектроскопии на изотопах 57тРе (с материнскими атомами 57Со) и 1 19ш8п (с материнскими атомами 119тт8п, П98Ь и 119тТе) для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов, образующих одно- и двухэлектронные уровни в запрещенной зоне полупроводников. В качестве объектов исследования были выбраны арсенид галлия ваАБ, легированный 57Со (результаты исследований опубликованы в [146]), и халькогениды свинца (РЬБ, РЬБе), легированные 119тт8п, 119БЬ и 119тТе (результаты исследований опубликованы в [147-149]). Использовались эмиссионный [57Со(57тРе), 119тт8п(119т8п), 1198Ь(119т8п) и ,19тТе(119т8п)] и абсорбционный [п98п] варианты мессбауэровской спектроскопии.

Цель работы:

1. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на- изотопах * 119тт8п(П9т8п), П98Ь(П9т8п) и П9тТе(,,9т8п) провести идентификацию двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией, вводимых в РЬ8 и РЬ8е методом ядерной трансмутации, а также провести обнаружение процессов электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами олова в частично компенсированном материале (когда уровень химического потенциала стабилизируется в энергетической полосе, образованной примесными атомами).

2. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со(57тРе) провести идентификацию одноэлектронных центров железа, вводимых в ОаАБ методом ядерной трансмутации, а также провести исследование процессов электронного обмена между нейтральными и иониф зованными примесными центрами железа в частично компенсированном материале.

Положения, выносимые на защиту:

1. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке РЬБ и РЬ8е после ядерного распада изотопов П98Ь и 119тТе, не зависит от положения уровня химического потенциала, тогда как центр олова, образующийся после ядерного распада изотопов 119тт8п, 1198Ь и 119тТе в катионной подрешетке РЬ8 и РЬБе, представляет собой двухэлек-тронный донорный центр с отрицательной корреляционной энергией (нейтральному состоянию центра [Бп]0 соответствует ион Бп24", а двукратно ионизованному состоянию [8п]2+ соответствует ион Бп4*).

2. Для частично компенсированного РЬБе частота процесса двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными центрами олова в катионной подрешетке растет с ростом температуры.

3. Примесные атомы железа, возникающие вследствие ядерного распада изотопа 57Со в ваАБ, образуют в запрещенной зоне СаАэ одноэлектронные акцепторные уровни (нейтральному состоянию центра [Те]0 соответствует ион Бе3*, а ионизованному состоянию (Те]" соответствует ион Ре2+).

4. В частично компенсированном ваАэ при температуре 295 К протекает процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа через валентную зону.

5. Информация эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для случая примесных атомов в полупроводниках тождественная информации абсорбционной спектроскопии, однако эмиссионный вариант спектроскопии дает возможность реализовать вхождение примесных атомов в необычные (антиструктурные) положения решетки.

Научная новизна:

1. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах

I 10тт 110 11 От л

Бп, БЬ и Те идентифицированы нейтральные [Бп] (им соответствуют ионы 8п2+) и ионизованные [8п]2+ (им соответствуют ионы 8п4+) состояния примесных атомов олова в катионной подрешетке РЬБ и РЬБе.

2. Показано, что примесные атомы олова в катионной подрешетке РЬБ и РЬБе являются двухэлектронными донорными центрами с отрицательной корреляционной энергией Хаббарда, причем энергетические уровни олова лежат в нижней половине запрещенной зоны в РЬБ и на фоне валентной зоны в РЬБе.

3. Продемонстрирован процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами олова в частично компенсированном РЬБе.

4. Зарядовое состояние атомов олова, образующегося в анионной подрешетке РЬ8 и РЬБе после ядерного распада изотопов Ш8Ь и 119тТе, не зависит от положения уровня химического потенциала, и они образуют электрически неактивные антиструктурные дефекты.

5. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Со идентифицированы нейтральные (Ре]0 ( им соответствуют ионы Ре3+) и иоч I низованные [Те]' (им соответствуют ионы Бе ) состояния примесных атомов железа в объемной части ОаАэ. Показано, что указанные примесные атомы железа образуют в запрещенной зоне ваАБ одноэлектронные акцепторные уровни.

6. Обнаружен процесс быстрого одноэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в частично компенсированном ваАБ (время жизни центров [Ре]° и [Ре]" при температуре 295К не превышает 10"9 с).

7. Продемонстрировано, что в приповерхностной области ваЛв примесные атомы железа, образующиеся после ядерного превращения 57Со, входят в состав электрически активных ассоциатов с вакансиями решетки, причем при температуре 295 К не наблюдается процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа.

Научная и практическая важность работы

Полученные результаты могут иметь важное значение при создании теории двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в полупроводниках, а также для реализации новых технологий получения полупроводниковых материалов с необходимым комплексом свойств. Апробация работы

Результаты исследований докладывались на XI Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и качество образования и науки» (СПб, 2004 г.), а также на семинарах кафедры Прикладной физики и оптики твердого тела Радио-физического факультета СПбГПУ (СПб) и на семинаре лаборатории физико-химических свойств полупроводников ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН. Публикации

По теме диссертации опубликовано 4 работы, включая 3 журнальных статьи [146-148]. Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы. Полный объем работы 117 страниц машинопе-чатного текста, в том числе 14 рисунков, 3 таблицы. Библиография составляет 149 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Продемонстрирована тождественность информации, получаемой методами эмиссионной и абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119ттзп(» 19т3п) для случая медленного электронного обмена между нейтральными и ионизованными двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца (РЬБ и РЬБе), что свидетельствует о принципиальной возможности использования эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для исследования процессов бозе-конденсации куперовских пар в конденсированных средах.

2. Олово в решетках РЬБ и РЬБе играет роль глубокого двухэлектронного донора с отрицательной корреляционной энергией: энергетические уровни центра олова лежат в нижней половине запрещенной зоны РЬБ и на фоне валентной зоны РЬБе; нейтральному состоянию центра [Бп]0 соответствует ион Бп , а двукратно ионизованному состоянию [Бп] соответствует ион 8п4+.

3. Для частично компенсированного РЬБе частота процесса двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными центрами олова в катионной подрешетке растет с ростом температуры.

4. Место локализации примесных атомов сурьмы в решетках РЬ8 и РЬ8е зависит от типа проводимости материала: в электронных образцах сурьма локализуется преимущественно в анионной подрешетке, а в дырочных - преимущественно в катионной подрешетке.

5. Значительная величина энергии отдачи атомов 1198Ь после радиоактивного

1 10т * распада материнских атомов Те приводит к появлению заметной доли смещенных атомов 119ш8п, однако большая часть атомов 119т8п после распада 119шТе -*■ 1198Ь П9т8п остается в анионной подрешетке, играя роль антиструктурных дефектов.

6. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного распада атомов ,19Sb и 119mTe, не зависит от положения уровня Ферми, тогда как центр олова в катионной подрешетке представляет собой двухэлектронный центр с отрицательной корреляционной энергией (в электронный образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра, а в дырочных - двукратно ионизованному состоянию этого центра). f

7. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn не обнаружено изменений ни локальной симметрии узлов, ни электронной структуры атомов олова в твердых растворах (PbixSnx)izInzTe при переводе их в сверхпроводящее состояние.

8. Локальная структура примесных центров железа, образующихся после ядерного превращения Со различна для приповерхностной и объемной областей кристалла - в приповерхностной области они входят в состав ас-, социатов с вакансиями решетки, тогда как в объемной области - в виде изолированной примеси замещения).

9. Продемонстрирована зависимость зарядового состояния примесных атомов железа в GaAs от положения уровня Ферми в запрещенной зоне, идентифицированы нейтральные и ионизованные акцепторные состояния примесных атомов как в приповерхностной, так и в объемной областях материала (в дырочных материалах железо стабилизируется с электронной конфигурацией 3d5, а в электронных - с электронной конфигурацией 3d6).

10.Для частично компенсированных образцов GaAs в объемной области ма-. териала в области температур 78 - 295 К обнаружен процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными акцепторными центрами железа, осуществляемый дырками через валентную зону.

Автор выражает глубокую благодарность своим научным руководителям: доктору физико-математических наук , профессору С.А. Немову и доктору физико-математических наук , профессору П.П. Серегину , по инициативе которых были начаты исследования , ставшие основой настоящей диссертационной работы.

Автор благодарен сотрудникам кафедры Прикладной физики и оптики твердого тела Радиофизического факультета за постоянный интерес к настоящей диссертационной работе , творческие дискуссии с которыми принесли огромную пользу в работе над диссертацией.

Автор благодарен сотрудникам кафедры Информационных машиностроительных технологий Механико-Машиностроительного факультета за постоянный интерес к работе , позволивший преодолеть различные организационные трудности , возникавшие в процессе оформления диссертации .

1. Habbard J. Proc.Roy.Soc. ИМИ.- c.237 (1964).

2. Anderson P.W.//Phys.Rev.Lett.- 34.- c.953 (1976).

3. Adler D., Yoffa E.J.// Phys. Rev. Lett.-237.- c.l 197 (1976).

4. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. //ФТП.- 15.-c.625 (1981).

5. Мойжес Б.Я., Драбкин И.А. //ФТТ. 25.-c.1974 (1983).

6. Ионов С.П.// Известия АН СССР (серия физ.). 49.- 310 (1985).

7. Кайданов В.И., Равич Ю.И.//УФН. 145, 51 (1985).

8. Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. //ФТП. 26, 201 (1992).

9. Немов С.А., Равич Ю.И. // УФН. 168. 817 (1998).

10. Ю.Прокофьева Л.В., Зарубо C.B., Насрединов Ф.С., Серегин П.П. //Письма в ЖЭТФ. 33,14(1981).

11. И.Прокофьева Л.В., Насрединов Ф.С., Никулин Ю.А., Серегин П.П. //ФТТ. 24,1630(1982)

12. Насрединов Ф.С., Прокофьева J1.B., Зарубо C.B., Курмантаев А.Н., Серегин П.П.// Письма в ЖЭТФ. 38.20 (1983).

13. Насрединов Ф.С., Прокофьева Л.В., Серегин П.П. //ЖЭТФ. 87, 951 (1984)

14. Насрединов Ф.С., Прокофьева Л.В., Курмантаев А.Н., Серегин П.П.: //ФТТ. 26.- 862 (1984).

15. Nasredinov F.S., Prokofieva L.V., Seregin P.P., Zarubo S.V., Ermolaev A.V., Kurmantaev A.N.// Phys.stat.sol.(b). 130.- 727 (1985).

16. НасрединовФ.С., Прокофьева Л.В., Ф.П.Кесаманлы, А.А.Агзамов, Уразбаева К.Т., Серегин П.П. //ФТТ. 30.- 1848 (1988).

17. Nasredinov F.S., Turaev E.Yu., Seregin P.P., Rakhmatullaev H.B., Bakhadirkhanov M.K.// Phys.stat.sol.(a). 121.-571 (1990).

18. Мастеров В.Ф., НасрединовФ.С., Немов С.А., Серегин ПЛ. // ФТП, 30. 840(1996).

19. Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П. //ФТП. 30. 884 (1996).

20. Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П., Серегин Н.П. //ФТП. 33. 789 (1999).

21. Немов С.А., Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Серегин П.П. // Термоэлектрики и их применения.-Доклады пятого межгосударственного семинара. СПб. 1997. с.42.

22. Мастеров В.Ф., НасрединовФ.С., Немов С.А., Ермолаев A.B., Иркаев С.М. //ФТП. 31. 381 (1997).

23. Насрединов Ф.С., Немов С.А., Мастеров В.Ф., Серегин П.П. //ФТТ. 41. 1897(1999).

24. Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П. //ФТП.31. 291 (1997).

25. Прокофьева Л.В., М.Н.Виноградова, Зарубо C.B. //ФТП 14,2201 (1980). 26.3арубо C.B., Ю.А.Никулин, Е.А.Гуриева, Прокофьева JI.B., Равич Ю.И.,

26. Виноградова М.Н., Жукова Т.Б.//ФТП. 16,1892(1982).

27. Прокофьева Л.В., Зарубо C.B., Виноградова М.Н., Никулин Ю.А., Гарцман К.Г. //ФТП. 16, 2136 (1982).

28. Вейс А.Н., Гуриева Е.А., Нефедов О.Г., Прокофьева JI.B. //ФТП. 18, 1723 (1984).

29. Гуриева Е.А., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Зарубо C.B., Гарцман К.Г. //ФТП. 19, 1746(1985).

30. Вейс А.Н., Прокофьева Л.В. //ФТП. 20, 160 (1986).

31. Прокофьева Л.В., Вейс А.Н. //ФТП. 20. 941 (1986).

32. Прокофьева Л.В., Жумаксанов Ш.М., Майлина Х.Р. //ФТП. 21,310 (1987).

33. Вейс A.H., Прокофьева Л.В. //ФТП. 21, 743 (1987).

34. Дегтярев Ю.И., Константинов П.П., Майлина Х.Р., Прокофьева Л.В. //ФТП. 23, 1576(1989).

35. Алексеева Г.Т., Земсков Б.Г., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Уразбаева К.Т. //ФТП. 26, 358 (1992).

36. Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Максимова Н.В., Прокофьева Л.В. //ФТП 29. 1388 (1995)

37. Вейс А.Н., Суворова H.A. //ФТП. 29, 278 (1995).

38. Вейс А.Н., Суворова H.A. //ФТП 30, 2089 (1996).

39. Вейс А.Н., Суворова H.A. //ФТП 32, 445 (1998). '

40. Серегин П.П., Тураев Э.Ю. Применение эффекта Мессбауэра в физике аморфных полупроводников.// ФАН. Ташкент. 1989.

41. Нистирюк И.В., Серегин П.П. Применение эмиссионной мессбауэровской спектроскопии в физике полупроводников. // Кишинев. Штиница. 1982.

42. Norem P.C., Wertheim G.K. J.Phys.Chem.Sol.// 23, 1111 (1962).

43. Bemskii G., Fernandes J.C. Phys.Lett.A. //131, 231 (1970).

44. Bemskii G., Fernandes J.C. Phys.Lett.// 6,10 (1963).

45. Белозерский Г.Н., Немилов Ю.А., Томилов С.Б. //ФТТ. 7, 3607 (1965).

46. Нистирюк И.В. Диффузионное распределение примесных атомов в кремнии и германии и некоторые аспекты их миграции под влиянием подпо-рогового облучения.// Канд. диссерт.ф.-м.н. ИПН АН МССР. (1978).

47. Насрединов Ф.С. Исследование электронной структуры примесных атомов железа, олова, золота и платины в кристаллических и аморфных материалах. // Канд. диссерт.ф.-м.н. ЛПИ им. М.И. Калинина. (1980).

48. Бондаревский С.И., Мурин А.Н., Серегин П.П.// Успехи химии. 40, 95 (1971).

49. Seregin P.P., Nasredinov F.S., Vasilev L.N. Phys. Stat. Sol. //A45,11 (1978).

50. Мурин А.Н., Серегин П.П. //Радиохимия. 28, 673 (1986).

51. Wertheim GK.II Phys.Rev. 124,764 (1961).

52. Triftshauser W., Craig P.P.// Phys. Rev. Letters. 16, 1161 (1966).

53. Mullen J, K., Okk H.N.// Phys. Rev.Letters, 17, 287 (1966).

54. Triftshauser W., Craig P.P.// Phys.Rev.162,274 (1967).

55. Мурин A.H., Лурье Б.Г., Серегин П.П. //ФТТ. 10, 1254 (1968).

56. Мурин А.Н., Лурье В .Г., Серегин П.П. //ФТТ. 10, 2624 (1968).

57. Wertheim G.K., Guggenheim H.J.//Chem.Phys. 42, 3873 (1965)

58. Ingalls R., Pasquali G. // Phys.Letters. 15,262 (1965).

59. Ingallls R., Coston C.J., Pasquali G., Driukamer H.G. //J.Chem.Phys. 45, 1057(1966).

60. Micklitz H., Barrett P.H.// Phys. Rev. Letters. 28, 1547 (1972).

61. Bonville P., Garcin C., Gerard A.// Phys. Rev. B23, 4300 (1981).

62. Кох P., Реало Э. //Письма в ЖЭТФ. 30,716 (1979).

63. Ноу G.R., Wintersteiner W. //Phys. Rev. Letters. 28, 877 (1972).

64. Серегин П.П., Регель A.P. //ФТП. 18,1153 (1984).

65. Friedt J.M., Vogl W.// Phys. Stat. Sol.(a). 24, 265 (1974).

66. Llabador Y., Friedt J.M.// J. Inorg. Nucl. Chem. 35, 2351 (1973).

67. Sanchez J.P., Llabador Y., Friedt J.M.// J. Inorg. Nucl. Chem. 35,3557 (1973).'

68. Бондаревский С.И., Тарасов B.A. Радиохимия. 14, 102 (1972).

69. Мурин А.Н., Бондаревский С.И., Джурша В.В., Тарасов В.А.// ХВЭ. 6, 494 (1972).

70. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И.// Радиохимия. 15, 465 (1973).

71. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И. //ЖВЭ. 1975, 9, 174 (1975).

72. Mul len J.G. //Phys.Rev.131,1410 (1963).

73. Мурин А.Н., Лурье В.Г., Серегин П.П. //ФТТ. 9,1424 (1967).

74. Bhide V.G., Shenoy G.K. //Phys.Rev. 143А, 309 (1966).

75. Ando K.J., Kundig W., Constabaris G., Linquist R.H. //J.Phys.Chem.Sol. 28, 2291 (1967).

76. Siegwarth J ХУЛ Phys.Rev. 155, 285 (1967).

77. Bhide V.G., Bhasin H.C. //Phys.Rev. 159, 586 (1967)

78. Mullen J.K. //Phys. Rev. 131,1415 (1963).

79. Hennig K., Meisel W., Schnorr R. //Phys. Stat. Sol. 13, K9 (1966).

80. HennigK., Meisel W., Schnorr H.// Phys. Stat. Sol. 15,199 (1966)

81. Lindley D.H., Debrunner P.Q. //Phys. Rev. 146, 199 (1966).

82. Мурин A.H., Лурье Б.Г., Серегин П.П., Черезов Н.К. //ФТТ. 8, 3291 (1966).

83. Мурин А.Н., Лурье Б.Г., Серегин П.П. //ФТТ. 9, 2428 (1967).

84. Мурин А.Н. Лурье Б.Г., Серегин П.П. //ФТТ. 10, 923 (1968).

85. Hennig К., Kim Yung, Skorchev B.S. //Phys. Stat. Sol. 27, K161 (1968).

86. DeCoster M., Amelinckx S. // Phys. Letters. 1,245 (1962).

87. Bemski G., Fernandes J.C. //Phys. Letters. 6,10 (1963).

88. Белозерский Г.Н., Гусев И.А., Немилов Ю.А., Шведчиков A.B. //ФТТ. 8, 2112(1966).

89. Белозерский Г.Н., Немилов Ю.А., Томилов С.Б., Шведчиков A.B. //ФТТ. 8,604 (1966).

90. Белозерский Г.Н., Немилов Ю.А., Толкачев С.С. //ФТТ. 8,451 (1966).

91. Белозерский Г.Н., Мурин А.Н., Немилов Ю.А. //ФТТ. 7,1254 (1965).

92. Wertheim G.K., Kingston W.R., Herber R.H. // J.Chem.Phys. 37, 687 (1962).

93. Wertheim G.K., Herber R.H. // J.Chem.Phys. 37, 552 (1962).

94. Cruset A., Friedt J.M. // Phys. Stat. Sol. (b). 633 (1971).

95. Cruset A., Friedt J.M. // Phys. Stat. Sol. (b). 42, 655 (1969).

96. Friedt J.M., Shenoy G., Abstreiter G., Poinsot R. // J. Chem. Phys. 59, 3831 (1973).

97. Fenger J., Olsen J. // J.Chem.Soc.Dalton Trans. 31 (1974).

98. Baggio-Zaitovitch E., Friedt J.M., Danon J. // J.Chem.Phys.56,1269 (1972).

99. König E., Gutlich P., Link R. // Chem.Phys.Letters. 15, 302 (1972).

100. Wei-Ho-Hsiang. // J.Chin.Chem.Soc.Scr.2, 20, 227 (1973).

101. Sanchez J.P., Asch L., Friedt J. M. // Chem.Phys.Letters. 18, 250 (1973).

102. Афанасов М.И., Перфильев Ю.Д., Бабешкин A.M. ЖВЭ. 9, 283 (1975).

103. Афанасов М.И., Перфильев Ю.Д., Бабешкин A.M. // Вестник МГУ. Сер: Химия. 16,749(1975).

104. Friedt J.M., De Jesus F.,.Sanchez J.P. // Phys.Stat.Sol. (b). 102, 373 (1980).

105. De Jesus F., Sanchez J.P., Friedt J.M. // Phys.Stat.Sol. (b).102, 545 (1980).

106. Sanchez J.P., Friedt J.M., De Jesus F. // Phys.Stat.Sol.(b). 103, 311 (1981).

107. Ю7.Куликов JI.А., Бугаенко JI.T., Перфильев Ю.Д., Бабешкин A.M. // Вестник МГУ. Сер.Химия. 13, 347 (1972).

108. Ю8.Бондаревский С.И., Тарасов В.А., Щербаков Е.Е. // Радиохимия., 15, 895 (1973).

109. Afanasov M.I., Nagy S., Perfiliev Yu.D. // Radiochem.Radianal.Letters.23, 181 (1975).

110. Perfiliev Yu.D., Kulikov L.A., Bugaenko L.I. // J.Inorg.Nucl.Chem. 38, 2145 (1976).

111. Мильгром Я.М., Перфильев Ю.Д., Бабешкин A.M. // ЖВЭ. 12, 272 (1978).

112. Mulhem J.K., Horvath D., Molnar В., Nagy D. // Nucl.Instrum. Meth.Phys.Res. 199,277 (1982).

113. Бондаревский С.И., Изотов В.И., Озерной A.H. //Радиохимия. 15, 891 (1973).

114. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И. // ХВЭ. 7, 546 (1973).

115. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И. // Радиохимия. 15, 889 (1973).

116. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И. // Радиохимия. 15, 892 (1973).

117. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И., Кирин И.С. // ХВЭ.9, 363 (1975).

118. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И. // ХВЭ. 11, 76 (1977).

119. Аблесимов Н.Е., Бондаревский С.И. // ХВЭ. 11, 285 (1977).

120. Wertheim G.K., Guggenheim H.J., Buchanan D. // J.Chem.Phys. 51, 19311969).

121. Белозерский Г.Н., Гусев Г.Н., Мурин А.Н., Немилов Ю.А.//ФТТ. 7, 4, 1254(1965).

122. Albenese G., Fabri G., Lamborizio C., Musci M., Artalli I. // Nuovo Cimento. 350,146(1967).

123. Басецкий В.Я., Вейц Б.Н., Григалис В.Я., Лисин Ю.Д., Таксар И.М. //ФТТ. 10,2852(1968).

124. Вейц Б.Н., Гуревич Г.Г., Лисин Ю.Н. // Приборы и техника эксперимента. № 2, 56 (1968).

125. Nasledov D.N., Smetannikova Yu.S., Vinogradova K.I., Yarmarkin V.K.J/ Phys. Lett. A. 40,224 (1972).

126. Серегин П.П., Болтакс Б.И., Ефимов А.А., Шипатов B.T. //ФТТ. 12, 20041970).

127. Серегин П.П., Камолов А.К., Блашку А.И. //ФТТ. 16,2017 (1974).

128. Seregin P.P., Nasredinov F.S., Bakhtiyarov A.Sh. // Phys. Stat. Sol. (b). 91, 35 (1979).

129. Исаев-Иванов B.K., Мастеров В.Ф., Наследов Д.Н., Ярмаркин В.К. //ФТТ. 16,2068(1974).

130. Серегин П.П. // Физические основы мессбауэровской спектроскопии. Изд.СПбГТУ. 2002.

131. Shenoy Ed.G.K., Wagner F.E. Mossbauer Isomer Shifts. // North-Holland Publ.Company. Amsterdam-N-Y.-Oxford. 1978.132.1ngalls R. //Phys.Rev.131, 787 (1964).

132. Ambe F., Ambe S. // J.Chem.Phys. 73, 2029 (1980).

133. Ambe F., Ambe S. // J.Chem.Phys. 75, 2463 (1981).

134. Шелимова JI.E., Томашик B.H., Грыцив В.И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. //М., "Наука", 1991.

135. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. // М., Наука. 1968.

136. Parfeniev R.V., Shamshur D.V., Shakhov M.F. // J.Alloys Compd. 219, 313 (1995).

137. Nemov S.A., Parfeniev R.V., Shamshur D.V., Konstantinov P.P., Safonchik M.O., D.I.Popov, Stepien-Damm J., Kaczorowski D. // Physica C. 333, 31 (2000).

138. Колчанова H.M., Наследов Д.Н., Талалакин Г.Н. //ФТП. 4, 134 (1970). НО.Ильменков Г.Б., Миронов И.Ф., Наследов Д.Н., Сметанникова Ю.С., Шустров Б.А., Ярмаркин В.К., //ФТТ 13, 1407 (1971).

139. Блашку А.И. Автореферат кандидатской диссертации. // Кишиневский политехнический инстиут. Кишинев. 1973.

140. Фистуль В.И., Агеев A.M. //ФТТ. 7,3681 (1965).

141. Wit М., Estle T.L. // Phys.Rev. 132,195 (1963).

142. Duff К.Т. // Phys.Rev. 9, 66 (1974).

143. Blomquist J. //J.Chem.Phys. 55, 141(1971).

144. Список работ, опубликованных по теме диссертации

145. Серегин П.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П. Мессбауэровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия // ФТП 2003.-Т.37 - Вып.8.- С.917- 921.

146. Немов С.А., Кожанова Ю.В., Серегин П.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (РЬ^ПхЫпДе // ФТП.-2003.-Т.37.-Вып.9. С.1085-1086.

147. Немов С.А., Серегин П.П., Кожанова Ю.В., Серегин Н.П. Двухэлектрон-ные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений // ФТП.-2003.-Т.37 Вып.12 - С.1414-1419.