Исследование структурных дефектов монокристаллического арсенида галлия рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 Исследование дефектов структуры монокристаллического арсенида галлия (обзор литературы)

1.1 Основные параметры, физические свойства, получение и применение арсенида.

1.2 Дефекты структуры монокристаллического арсенида галлия.

1.3 Прямые методы обнаружения и исследования дефектов структуры (методы селективного травления, декорирования, электронной просвечивающей микроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновской топографии) в арсениде галлия

1.4 Проблемы теории контраста.

1.5 Выводы и постановка задач диссертационного исследования.

Глава 2 Аппаратура и методики эксперимента.

2.1 Аппаратура и камеры для рентгенотопографического анализа дефектов в GaAs методом АПРЛ.

2.2 Розеточная методика исследования дефектов в GaAs.

2.3 Исследование дефектов структуры арсенида галлия с помощью ИК-микроскопии и металлографических наблюдений.

2.4 Приготовление и контроль качества поверхности образцов.

2.5 Выводы.

Глава 3 Компьютерное моделирование бормановского контраста интенсивности от прямолинейных дислокаций и когерентных включений второй фазы в арсениде галлия.

3.1 Расчет контраста интенсивности от дефектов кристалла с медленно изменяющимися полями деформаций.

3.2 Расчет контраста интенсивности от винтовых дислокаций.

3.3 Расчет контраста интенсивности от краевых дислокаций.

3.4 Расчет контраста интенсивности от когерентных включений

3.5 Выводы.

Глава 4 Исследование рентгенотопографического контраста от индивидуальных дефектов монокристаллического арсенида галлия в условиях эффекта Бормана.

4.1 Контраст интенсивности от краевых дислокаций.

4.2 Контраст интенсивности от дислокаций винтового типа

4.3 Контраст интенсивности от микродефектов.

4.4 Выводы.

Глава 5. Применение рентгенотопографического и оптических методов для исследования дефектов структуры монокристаллов арсенида галлия.

5.1 Исследование дефектов структуры монокристаллов арсенида галлия, легированных индием, хромом и теллуром методом АПРЛ

5.2 Исследование дефектов структуры монокристаллов арсенида галлия методами ИК-микроскопии и металлографических наблюдений.

5.3 Использование результатов рентгенотопографирования для получения некоторых количественных характеристик

В современной твердотельной микроэлектронике значительное место принадлежит арсениду галлия благодаря более высоким показателям электрофизических свойств, чем у элементарных полупроводников Ge и Si. Сравнительная простота получения материала с хорошими изолирующими свойствами, неплохими теплофизическими характеристиками и высокой прозрачностью в инфракрасной области спектра в сочетании с рядом параметров (достаточно большой шириной запрещенной зоны, высокой подвижностью электронов, возможностью прямых межзонных переходов носителей заряда), обеспечивают разнообразное применение этого материала для изготовления широкой гаммы изделий микроэлектроники. Особый интерес вызывает применение арсенида галлия для создания СВЧ-приборов, сверхбыстродействующих интегральных схем (ИС), превосходящих ИС на основе кремния по быстродействию при одновременном снижении энергопотребления. Большинство параметров полупроводниковых материалов являются "структурно-чувствительными", т.е. проявляют зависимость основных электрофизических свойств не только от содержания посторонних примесей, но и от степени совершенства кристаллического строения. Дефекты структуры оказывают существенное влияние на характеристики, а также эксплуатационную надежность полупроводниковых приборов. В связи с этим к совершенству структуры полупроводников предъявляются исключительно высокие требования. Для создания ИС и других приборов на основе арсенида галлия требуются монокристаллы с плотностью дислокаций не превышающей 102-103 см"2. Для ряда применений необходимы бездислокационные монокристаллы больших размеров. Во многих случаях лимитируется содержание собственных точечных дефектов и их скоплений, дефектов упаковки и требуется равномерность распределения остаточных дефектов и стабильность микронеоднородностей в объеме монокристаллов.

Таким образом, исследование и контроль структурных несовершенств монокристаллов арсенида галлия представляет большой научный и практический интерес.

Для исследования дефектов структуры полупроводниковых материалов традиционно применяют методы избирательного травления, декорирования, поляризационно-оптического анализа (фотоупругости), а также просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и рентгеновской топографии (РТ).

Прямые неразрушающие методы фотоупругости и рентгеновской топографии, по-видимому, наиболее перспективны для исследования структурных несовершенств реальных монокристаллов арсенида галлия. Среди методов РТ для исследования арсенида галлия наиболее подходит метод, основанный на использовании эффекта Бормана или метод аномального прохождения рентгеновских лучей (метод АПРЛ).

Применение эффекта Бормана для получения сведений о дефектах в кристаллах различной физико-химической природы долгие годы сдерживалось отсутствием полной теории рентгенодифракционного контраста и требует подтверждения полученных результатов другими независимыми методами. В работах Л.Н. Данильчука описан новый класс дифракционных изображений в кристаллах со структурой алмаза от дефектов с медленно изменяющимися полями деформации - розетки интенсивности. Это расширило возможности метода АПРЛ для обнаружения и идентификации дефектов структуры в кремнии и германии с помощью розеточной методики. Поскольку природа контраста в традиционных РТ методах имеет деформационный характер, следует ожидать, что применение розеточной методики метода АПРЛ к кристаллам со структурой сфалерита будет также высоко эффективным.

Цель работы. Целью данной диссертационной работы является анализ дефектов структуры монокристаллического арсенида галлия с помощью рентгенотопографического метода на основе эффекта Бормана, подтвержденный контрольными методами, сопоставление теоретических и экспериментальных топограмм выявленных дефектов и дальнейшее развитие теории бормановского контраста.

Методы исследования. Использованы следующие методы исследования дефектов структуры арсенида галлия: рентгенотопографи-ческий метод на основе эффекта Бормана (метод АПРЛ), Двухкристаль-ная рентгенотопография в геометрии Лауэ, методы ИК-микроскопии и металлографических наблюдений, компьютерное моделирование контраста интенсивности от дефектов структуры.

Научная новизна. Диссертационная работа характеризуется следующей научной новизной.

1. Впервые выявлен, исследован (теоретически и экспериментально) и систематизирован контраст интенсивности от прямолинейных краевых дислокаций и смешанных дислокаций винтового типа в арсени-де галлия при использовании розеточной методики в условиях эффекта Бормана.

2. Экспериментально показано, что структура дефектов арсенида галлия, легированного индием, содержит ростовые краевые дислокации с осями [001] и векторами Бюргерса Ь = а/2<110> и Ь = а<100>, а также смешанные 30-градусные дислокации с векторами Бюргерса Ь = а/2 < 110 >; результаты идентификации дислокаций подтверждены хорошей корреляцией экспериментальных и теоретических результатов исследований.

3. Экспериментально обнаружено явление снижения уровня контраста на топограммах от краевой дислокации с вектором Бюргерса b = а/2 < 110 > при распространении рентгеновских лучей вдоль ее оси [001] до уровня фона при выполнении условия дифракции gb = Q в СиКа -излучении.

4. Экспериментально показано, что положительные и отрицательные краевые дислокации в GaAs можно различать не только по розеткам 7 интенсивности, но и по контрасту конусообразных изображений на дополнительных рефлексах при использовании широкого пучка в условиях эффекта Бормана и многоволнового рассеяния.

5. Проведена экспериментальная оценка глубины зоны формирования контраста и величины эффективной деформации отражающих плоскостей вокруг дислокации в GaAs в условиях эффекта Бормана.

6. Экспериментально показано, что структура дефектов GaAs, легированного индием, содержит геликоидальные дислокации, имеющие различные геометрические параметры.

7. Экспериментально обнаружен, исследован и систематизирован контраст интенсивности от микродефектов в GaAs, зафиксированных на топограммах методом АПРЛ. Микродефекты идентифицированы как когерентные выделения второй фазы, деформирующие матрицу как по типу внедрения, так и по типу вакансии. На основе компьютерного моделирования контраста реализован метод идентификации типов включений, позволяющий определить знак деформации матрицы и включения и глубину расположения дефекта.

8. Экспериментально показано на примере когерентных выделений в GaAs(ln), деформирующих матрицу по типу вакансии, что методом АПРЛ регистрируются включения, практически не создающие дифракционного увеличения рентгенотопографического изображения дефекта за счет деформации матрицы.

Обоснованность и достоверность полученных результатов и выводов подтверждается применением комплекса рентгеновских методик метода АПРЛ, большим количеством используемых отражений и образцов; применением контрольных и дополнительных методов ИК-микроскопии и металлографических наблюдений; хорошей корреляцией экспериментальных и теоретических результатов исследований; широ8 ким апробированием основных результатов работы на конференциях и семинарах различного ранга, включая международные.

Практическая значимость полученных результатов состоит в следующем:

- показана высокая информативность и достоверность рентгенотопографического метода на основе эффекта Бормана (метода АПРЛ) по выявлению дефектов различной природы в монокристаллическом арсе-ниде галлия;

- развита теория изображений структурных дефектов в арсениде галлия в изотропном приближении в рамках феноменологической теории бор-мановского контраста;

- разработана методика исследования структурных дефектов в монокристаллах арсенида галлия в условиях эффекта Бормана;

- составлены атласы расчетных и экспериментальных рентгенотопогра-фических изображений дефектов при различных условиях дифракции, применение которых значительно упрощает процесс идентификации структурных дефектов, выявляемых методом АПРЛ в условиях научных и производственных лабораторий;

- результаты диссертационной работы представляют практический интерес для материаловедения, конкретных производств изделий микроэлектроники, применяющих материалы, подобные арсениду галлия, используются при проведении НИР в Центре физических исследований НовГУ, при чтении специальных курсов для студентов физических и инженерных специальностей.

Научные положения, выносимые на защиту.

Результаты теоретического и экспериментального исследований дефектов структуры в арсениде галлия в случае эффекта Бормана, под9 твержденные контрольными методами, позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту.

1. Дефекты кристаллической структуры в арсениде галлия с медленно изменяющимися полями деформаций (дислокации, когерентные выделения второй фазы) формируют контраст интенсивности, который оценивается уравнениями Инденбома-Чамрова-Данильчука.

2. Розетки интенсивности от смешанных дислокаций винтового типа в арсениде галлия в условиях эффекта Бормана, как и чисто винтовые дислокации, являются в основном отображением розеток эффективных деформаций отражающих плоскостей вследствие действия релаксационных полей деформации вокруг дислокаций, создающих дополнительные компоненты смещения атомов, параллельных свободной поверхности кристалла.

3. Розетки интенсивности от краевой дислокации, вдоль оси которой распространяются рентгеновские лучи, являются отображением розеток эффективных деформаций отражающих плоскостей вследствие действия как собственного поля смещений атомов вокруг дислокации (полем в объеме кристалла), так и релаксационного поля вблизи выходной поверхности кристалла.

4. Уровень контраста вокруг краевой дислокации определяется величиной вектора Бюргерса дислокации, зависит от длины волны излучения и взаимного положения векторов g и Ь.

Экспериментально установлено, что в случае выполнения критерия gb = 0 уровень контраста от краевой дислокации с вектором Бюргерса Ь = а/2 < 110 > на отражении типа (220) близок к фоновому уровню при использовании характеристического СиКа -излучения.

5. Когерентные выделения второй фазы формируют на топограм-мах розетки интенсивности, контраст и размер которых зависит от типа выделения (вакансии или внедрения), типа рефлекса, глубины располою жения дефекта в кристалле и параметра с, характеризующего упругую деформацию выделения.

Апробация работы. Основные результаты диссертационного исследования докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

1. Международном научном семинаре "Карбид кремния и родственные материалы", г. Новгород, 1997 г.

2. XXXVI Международной студенческой конференции, г. Новосибирск, 1998г.

3. XXXVII Международной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", г. Новосибирск, 1999 г.

4. Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-99, г. Москва, 1999 г.

5. Ill Международном семинаре "Карбид кремния и родственные материалы", г. В. Новгород, 2000 г.

6. Второй всеросийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. С. Петербург, 4 декабря - 8 декабря 2000 г.

7. III Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-2001, г. Москва, 2001 г.

8. Научно-практических конференциях профессорско-преподавательского состава Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого 1997-2000 гг.

Публикации. Научные результаты по теме диссертации опубликованы автором в 11 работах и освещены в отчете по НИР.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка используемой литературы, содержа

Основные результаты диссертационного исследования рассмотрены в следующих работах:

1. Буйлов А.Н., Окунев А.О., Анисимов В.Г. Рентгенотопографическое исследование малодислокационного полуизолирующего арсенида галлия // XXXVI Международная научная студенческая конференция: Тезисы докладов. - Новосибирск, 1998.

2. Буйлов А.Н., Анисимов В.Г., Окунев А.О. Рентгенотопографический контраст интенсивности структурных дефектов в арсениде галлия // XXXVII Международная научная студенческая конференция "Студент и научно-технический прогресс": Тезисы докладов. - Новосибирск, 1999.

3. Буйлов А.Н., Данильчук Л.Н. Изучение индивидуальных дислокаций в малодислокационном полуизолирующем GaAs // Вторая национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-99: Тезисы докладов. - Москва, 1999. - С. 180.

4. Буйлов А.Н., Табулов В.В. Рентгенотопографическое исследование ростовых дислокаций в арсениде галлия // Вторая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докладов. - Санкт-Петербург. 2000. - С. 3.

5. Буйлов А.Н., Табулов В.В. Бормановский контраст интенсивности от квазиточечных дефектов в арсениде галлия // Вторая всероссийская мо

222 лодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докладов. Санкт-Петербург. 2000. - С. 4

6. Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н. Исследование дефектов структуры монокристаллического арсенида галлия рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана. - М., 2000. - 22 с. - Деп.в ВИНИТИ 11.01.2001, №67-В01.

7. Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н., Окунев А.О. Исследование квазиточечных дефектов в GaAs // Карбид кремния и родственные материалы: Тезисы докладов III международного семинара ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого,- Великий Новгород, 2000г. - С. 87.

8. Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н., Окунев А.О. Дислокационная структура полуизолирующего арсенида галлия, выращенного вдоль направления [001] // Карбид кремния и родственные материалы:Тезисы докладов III международного семинара ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого,- Великий Новгород, 2000г. - С. 30.

9. Буйлов А.Н., Табулов В.В. Бормановский контраст от дислокаций винтового типа в арсениде галлия // III национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-2001: Тезисы докладов. - Москва, 2001.-С. 212.

10. Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н., Окунев А.О. Исследование квазиточечных дефектов в GaAs // Карбид кремния и родственные материалы: Сборник докладов / III Междунар. семинар ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. - Великий Новгород, 2000г. - С. 179-187.

11. Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н., Окунев А.О. Дислокационная структура полуизолирующего арсенида галлия, выращенного вдоль направления [001] // Карбид кремния и родственные материалы: Сбоник докладов / III Междунар. семинар ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. - Великий Новгород, 2000г. - С. 75-85.

223

Отчет о научно-исследовательской работе:

Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н. Дефекты структуры полуизолирующего арсенида галлия, легированного индием // Модифицирование и исследование широкозонных полупроводников корпускулярно-лучевыми методами. Отчет о научно-исследовательской работе. Шифр 90ЮЭФ -г.б. № госрегистрации - 01200005294, коды НИР по ГРНТИ - 29.19.31.

Автор выражает благодарность научному руководителю профессору Л.Н. Данильчуку, сотрудникам Центра физических исследований НовГУ за поддержку и помощь в проведении исследований, а также сотрудникам ФТИ им. Иоффе и Санкт-Петербургского электротехнического университета за обсуждение основных результатов работы.

224

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе выполнения диссертационной работы автором были получены следующие основные результаты и выводы.

1. Разработана методика исследования дислокаций и выделений второй фазы в монокристаллах арсенида галлия, легированного хромом, теллуром и индием, ретгенотопографическим методом, основанным на эффекте Бормана. Особое внимание уделено арсениду галлия, легированного индием, с низкой плотностью дислокаций и полуизолирующими свойствами, что важно для производства интегральных схем и СВЧ приборов. В научной литературе отсутствуют данные по дефектам структуры такого материала. Для реализации методики изготовлены образцы с качественно подготовленной поверхностью для проведения исследований методом АПРЛ, под выбранный источник излучения (трубка БСВ-ЮСи) модернизирована установка УРС-50ИМ, сконструирована камера для симметричных и кососимметричных съемок при различных условиях дифракции, определены оптимальные условия съемок.

2. Показана возможность идентификации прямолинейных дислокаций и микродефектов в GaAs на основе розеточной методики в рамках феноменологической теории бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций.

3. Проведено исследование (теоретическое и экспериментальное) дефектов структуры арсенида галлия в случае эффекта Бормана.

4. Составлены атласы теоретических и экспериментальных изображений дефектов. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений дефектов показало их хорошее совпадение.

5. Установлено, что среди ростовых краевых дислокаций в решетке сфалерита существуют дислокации с векторами Бюргерса

Ь1=а/2<110> и Ь2=а<100>. Выявляемость дислокаций с векторами Бюргерса Ь1 = а/2<110> различна для случаев gb = 0 и gb = 4. В кри

220 сталлах со структурой алмаза по литературным данным такая связь не установлена.

6. Впервые в практике рентгенотопографического анализа дефектов в GaAs в методе АПРЛ использованы отражения {440}, Эти отражения более чувствительны к деформациям отражающих плоскостей вокруг дислокаций, чем отражения {220} и удобны для идентификации дислокаций.

7. Предполагается, что обнаруженные микродефекты в GaAs(ln), деформирующие матрицу по типу внедрения или по типу вакансии, обусловлены присутствием химических соединений InAs и BAs, соответственно.

8. Установлено, что в исследованном кристалле GaAs(ln) существуют геликоидальные дислокации, имеющие различные геометрические параметры. Это подтверждает общие закономерности дефектообразва-ния в монокристаллическом арсениде галлия.

9. Экспериментально показано, что положительные и отрицательные краевые дислокации в GaAs можно различать не только по розеткам интенсивности, но и по контрасту конусообразных изображений на дополнительных рефлексах в условиях эффекта Бормана и многоволнового рассеяния.

10. Результаты ренгенотопографического исследования дефектов структуры в GaAs методом АПРЛ использованы для оценки глубины зоны формирования контраста и величины эффективной деформации отражающих плоскостей вокруг дислокации.

11. Показана высокая информативность и достоверность рентгенотопографического метода на основе эффекта Бормана (метода АПРЛ) по выявлению дефектов различной природы в монокристаллическом арсениде галлия.

12. Экспериментально показано, что реальная дислокационная структура монокристаллического арсенида галлия богаче теоретических представлений изложенных в работах Хорнстры и Хольта.

13. Следует считать целесообразным дальнейшее развитие частных методик на основе эффекта Бормана для контроля структурных несовершенств различных полупроводниковых материалов, включая арсе-нид галлия, и их внедрение в сочетании с методами селективного травления и ИК-микроскопии в практику научно-исследовательских и производственных лабораторий.

1. Хилсум К., Роуз Инс А. Полупроводники типа Am Bv / Пер. с англ. Горшковой М.М., Наджипа А.Э.; под ред. Сажина Н.П., Захваткина Г.В. -М.: ИЛ, 1963. -323 с.

2. Полупроводниковые соединения AmBv / Пер. с англ. под ред. Ви-гдоровича В.Н., Нашельского А.Я.; под ред. Виллардсона Р., Геринга X. -М.: Металлургия, 1967. 727 с.

3. Буранков Ю.А., Бурдуков Ю.М., Давыдов С.Ю., Никаноров С.П. Температурная зависимость упругих постоянных арсенида галлия // Физика твердого тела. 1973. - Т. 15, №6. - С. 1745.

4. Pauling L. The Nature of the chemical Bond. 3rd ed., Cornell, Ithaca, 1960.-P. 97.

5. Gatos H.G., Lavin M.C. Etching behaviour of the {110} and {100} surfaces in InSb // Journ. Electrochem. Soc. 1960. - №107. - P. 427.

6. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. - 256 с.

7. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. - 143 с.

8. Лебедев A. A. SiC электроника в новом веке // Карбид кремния и родственные материалы: Сборник докладов / III Междунар. семинар ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2000г. -С.7-11.

9. Хорнстра Дж. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. - С.15-37.

10. Милевский Л.С. Дислокационная структура полупроводников и методы ее исследования // Дислокации и физические свойства полупроводников / Под ред. А.Р. Регеля. Л.: Наука, 1967. - С. 5-29.

11. Милевский Л.С., Хвостикова В.Д. Дислокационная структура кристаллов с решеткой алмаза, выращенных в направлении 100 // Физика твердого тела. 1965. - Т.7, №11. - С. 3326-3330.

12. Данильчук Л.Н., Скороход М.Я., Георгиев А.И. Ростовые дислокации с осью 111 в монокристаллах германия // Выращивание кристаллов и их структура, Т.2 Тбилиси: изд. АН СССР, 1977. - С. 252-253.

13. Хольт Д.В. Дефекты в структуре сфалерита // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. - С.100-118.

14. Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. - 492 с.

15. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках / Пер. с англ. под ред. Медведева С.А. М. : Мир, 1974.-463 с.

16. Дефекты в кристаллах полупроводников / Под ред. С.Н. Горина -М.: Мир, 1969. -С.6.

17. Кузнецов Г.Ф. Количественная рентгенотопография дефектов и дифрактометрия многослойных эпитаксиальных систем полупроводников А3 В5, А2 В6 и твердых растворов на их основе. Дис. на соискание уч. ст. докт. физ.-мат. Наук. - М.: -1990. - 296с.

18. Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Получение совершенных кристаллов // Проблемы современной кристаллографии / Под ред. Вайнштейна Б. К., Чернова А. А. М.: Наука, 1975. - С.79-109.

19. Исследование особенностей получения малодислокационного арсенида галлия методом Чохральского / Григорьев С.С., Освенский В.Б. и др. // Изв. АН СССР. Сер. физич,- 1980,- Т. 44, № 2. - С. 300-303.

20. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико- химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974. - 391с.

21. Инденбом В. П., Освенский В. Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов // Рост кристаллов. М.: Наука,1980, Т.13. - С. 240-251.

22. Вахромеев С.С., Освенский В. Б., Шифрин С.С. Расчет термических напряжений и плотности дислокаций в кристаллах полупроводников при выращивании методом Чохральского // Изв. АН СССР. Сер. физич. - 1980. - Т. 44, № 2. - С. 289-294.

23. Влияние легирования изовалентными примесями на совершенство структуры монокристаллов арсенида галлия / Большева Ю.П., Григорьев Ю.А. и др. // Кристаллография. 1982. - Т. 27, Вып.4, - С.722-728.

24. Инденбом В.П., Каганер В.М., Фролов А.Г. Разделение вклада различных эффектов, определяющих величину и распределение напряжений в кристаллах, выращиваемых из расплава // Изв. АН СССР. Сер. физич. - 1983. - Т.47, № 2. - С. 245-260.

25. Образование дислокаций в совершенных кристаллах под действием напряжений / Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. и др. // ДАН СССР. 1972. -Т. 207, № 5. - С.1109-1111.

26. Освенский В. Б., Шифрин С. С. Закономерности размножения дислокаций в полупроводниках II Физика твердого тела. 1974. - Т. 16, вып.1. - С. 253-255.

27. Освенский В. Б., Шифрин С. С., Мильвидский М. Г. Закономерности размножения дислокаций в полупроводниках при высоких температурах // Изв. АН СССР. Сер. физич. - 1973. - Т. 37, № 11. - С. 23572361.

28. Хирт Д., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972.599с.

29. Освенский В. Б., Холодный Л. П. Подвижность индивидуальных дислокаций в арсениде галлия // Физика твердого тела. 1972. - Т. 14, № 11.-С. 3330-3335.227

30. Steinhardt H., Haasen P. Creep and dislocations velocities in gallium arsenide// Phys. Stat. Sol (a). 1978. -V. A49, № 1. - P. 93-101.

31. Освенский В.Б., Шефрин С.С., Мильвидский М.Г. Легированные полупроводники. М.: Мир, 1975. С.124-129.

32. Освенский В.Б., Шефрин С.С., Мильвидский М.Г. Динамика дислокаций. Киев: Наукова думка, 1975. С. 362-366.

33. Освенский В.Б., Холодный Л.П., Мильвидский М.Г. Влияние легирующих примесей на скорость движения дислокаций в монокристаллах GaAs // Физика твердого тела. 1973. - Т. 15, № 3. - С. 948-951.

34. Влияние легирования на пластическую деформацию монокристаллов арсенида галлия / Сажин Н. П., Мильвидский М. Г. и др. // Физика твердого тела. -1966.-Т.8, № 5. С. 1539-1544.

35. Освенский В. Б., Холодный Л.П., Мильвидский М. Г. О влиянии легирующих примесей на анизотропию пластической деформации монокристаллов в GaAs//ДАН СССР. 1969. - Т. 184, № 5. - С. 1084-1087.

36. Брук А.С., Говорков А.В., Марков А.В. и др. // Тезисы докладов III Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. М.: изд. ИК АН СССР. 1981.-С.167-168.

37. Jordan A. S., Garuso R., Von Neida A. R. // Beii System Technic. Journ.- 1980,-V. 59, P. 593-637.

38. Jordan A. S. Determination of the total emittance of n-type GaAs with aplication to Chochrialski growth // J. Appl.Phys.- 1980,- V. 51, № 4. P. 2218-2227.

39. Василевская B.H., Даценко Л.И., Михайлов Л.Н. Дефекты в эпи-таксиальных пленках, выращенных на сильно легированных подложках GaAs// Украинский физический журнал. 1969, Т. 14, № 5. - С. 867-870.

40. Исследование процессов зарождения, роста и дефектообра-зования при молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs / Гута228ковский А.К., Кантер Ю.О. и др. II Кристаллография. 1989. - Т.34, Вып. 3.-С.706-712.

41. Wagner W.R. Tellurium-induced defects in LPE galium arsenide // Phys. Stat. Sol. (a) 1978. - V.45. - P.65-73.

42. Устинов B.M., Захаров Б.Г., Большаков Г.В. Дислокации в эпи-таксиальных слоях соединений A1" Bv и твердых растворов на их основе // Обзоры по электронной технике, серия 6 "Материалы"; вып.5 (493). -М.: ЦНТИ "Электроника", 1977. 38с.

43. Устинов В.М., Захаров Б.Г. Макронапряжения в эпитаксиаль-ных структурах на основе соединений A'" Bv // Обзоры по электронной технике, серия 6 "Материалы", вып.4 (492). М.: ЦНТИ "Электроника", 1977. -34с.

44. Освенский В.Б., Еремеев В.В. Влияние некоторых факторов на генерацию дислокаций в монокристаллах GaAs под действием термических напряжений // Кристаллография. -1970. -Т. 15, №5. С. 1044-1048.

45. Хирш П., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. - 574 с.

46. Говорков А.В., Колесник Л.И. Микрокатодолюминесцентное исследование влияния дефектов структуры на излучательную рекомбинацию в арсениде галлия // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12, №3.-С.448-452.

47. Осипьян Ю.А., Фудяев Ю.И., Шевченко С.А. Влияние дислокаций на электрические свойства кристаллов антимонида индия // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1968.- Т.54. - С. 1706-1714.

48. ФридельЖ. Дислокации. М.: Мир, 1967. - 626 с.

49. Alexander Н., Haasen P. Dislocations and plastic flow in the diamond structure // Solid State Physics. N.Y., Boston, Academ. Press. 1968. -V.22. -P. 27-158.229

50. Tsivinsky S.V., Maslova L.A. Subgrain structure formation in pure crystals grown from melts // Krist. und Techn. 1980. - Bd.15, № 2. - S.123-148.

51. Наблюдение геликоидальных дислокаций в монокристаллах арсенида галлия / Шифрин С.С., Марков А.В., Мильвидский М.Г. и др. // Изв. АНСССР. Сер. физич. - 1980. - Т. 44, № 10. - С. 2162-2166.

52. Салли И.В., Фалькевич Э.С. Производство полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1970. - 136 с.

53. Бузынин А.Н., Блецкан Н.И., Шефталь Н.Н. Процессы реального кристаллообразования. М.: Наука, 1977. - С.113-130.

54. Лайнер Л.В., Туровский Б.М. Особенности строения и характер расположения дислокационных малоугловых границ в монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского // Физ. и хим. обработ. материалов. 1969. - №4. - С. 63-66.

55. Eidenson А. М., Dashevsky М. Y. Low-angle boundaries in silicon crystals // Krist. und Techn. 1975. - Bd. 10, № 6. - S. 681-693.

56. Освенский В. Б., Холодный Л. П. Подвижность индивидуальных дислокаций в арсениде галлия II Физика твердого тела. 1972. -Т. 14, № 11.-С. 3330-3335.

57. Шифрин С.С., Марков А.В. Геликоидальные дислокации в монокристаллах арсенида галлия // Кристаллография. -1980. -Т.25, Вып.5. -С. 1089-1093.

58. Kamejima Т., Matsui J., Seki Y. Watanabe H. Transmission electron microscopy study of microdefects in dislocation-free GaAs and InP crystals // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, № 5. - P. 3312-3321.

59. Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. "Проекционное" травление как метод исследования дефектов структуры кристаллов полупроводников// Кристаллография. 1982. - Т. 27, вып. 4. - С. 712-721.230

60. Даценко Л.И. Ренгеьнвска дифракцЮна топограф1я як 3aci6 контролю структурно'! досконалост1 натвпровщниковых прилад1в у процеса Тх виробництва. // Вюник АН УРСР 1974. - №8, С.71-77.

61. Кузнецов Г.Ф. Неразрушающий рентгенотопографический контроль ростовых и производственных дефектов подложек монокристаллических материалов А3В5 // Электронная техника, 1978, вып.З (65), -С. 39-65.

62. Kaganer V.M., Mohling W. Characterization of dislocations by double crystal X-ray topography in back reflection // Phys. stat. sol. (a). 1991. -V. 123. - P. 379-392.

63. Augustus P.D., Stirland D.J. Microscopy of semi-insulating gallium arsenide//J. Microscopy. 1980. - V. 118, № 1. - P.111-116.

64. Driscoll C.V.H., Willoughby A.F.W. In: Defect in Semicond., Conf. Ser. L.:Institute of Physics, 1972. P. 377-382.

65. Driscoll C.V.H., Willoughby A.F.W. Study of point defects in gallium arsenide precision lattice parameter measurements // J. Materials Sci. -1974.-V.9, P.1615-1623.

66. Освенский В.Б., Шифрин С.С., Мильвидский М.Г. // Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск: изд. ИФП СО АН СССР, 1973.-С.123-126.

67. Kamejima Т., Matsui J., Seki У., Watanabe Н. Transmission electron microscopy study of microdefects in dislocation-free GaAs and InP crystals // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, № 5. - P. 3312-3321.

68. Hutchinson P. W., Dobson P. S. Interstitial condensation in n+ gallium arsenide//J. Mat. Science. 1975. -V. 10, № 9. - P. 1636-1641.

69. Hutchinson P.W., Dobson P.S. The nature of defects in n+ gallium arsenide // Phil. Mag. -1974. V. 30, № 1. - P. 65-71.

70. Meieran E.S. Transmission electron microscopy study of gallium arsenide // J. Apll. Phys. 1965. - V. 36, № 8. - P. 2544-2549.

71. Электронно-микроскопические исследования монокристаллов арсенида галлия, легированных донорными примесями. / Моргулис Л.М., Мильвидский М.Г., и др. // Изд. АН СССР, Сер. физич. - 1974. - Т. 38, № 7. - С.1447-1451.

72. Verner V.D., Maksimov S.K., Nichugovskii D.K. The nature of defects of crystalline structure in GaAs heavily doped with Те // Phys. Stat. Sol. (a) -1976. v. 33, № 2. - P.755-763.

73. Hughes В., Narayanan G.H. On annealing-induced Prismatic Dislocation Loops and Electrical Chengetus in Heavily Te-Doped // Phys. Stat. Sol. (a) 1978. - V.A46, № 2. - P. 627-635.

74. Petroff P.M. Structural defects in lll-V compound semiconductors // Lattice Defects Semicond., 1974. Int. Conf., Freiburg, 1974. London-Bristol,1975.-P. 73-90.

75. Воронов И.Н., Смирнов B.A., Эйдензон A.M. Анализ условий возникновения малоугловых границ в процессе выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского // Кристаллография. 1979. -Т. 24. - С.1259-1266.

76. Микрокатодолюминесцентный анализ легированных кристаллов арсенида галлия / Антошин М.К., Красавина Е.М. и др. // Оптика рентгеновских лучей и микроанализ. Ленинград: Машиностроение,1976.-С. 84-89.

77. Никитенко В.И., Осипьян Ю.А. Влияние дислокации на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов // Проблемы современной кристаллографии / Под ред. Вайнштейна Б.К., Чернова А.А. -М.: Наука, 1975. С. 239-261.

78. Багдуев Э.Г., Осипьян Ю.А., Шихсаидов М.Ш. Влияние дислокаций на оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия // Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск, СО АН СССР, 1984, 42.-С. 65.

79. Oberg S. Electronic states associated with 60° dislocation in gallium arsenide // Phys. Stat. Sol. (b) -1978,- V. 89, № 2. P. К 127-130.

80. Хольт Д.Б. Дислокации несоответствия в полупроводниках // Дефекты в кристаллах полупроводников. -М.: Мир, 1969. С. 140-163.

81. Schwutke G.H., Rupprecht Н. X-ray analisis of diffusioninduced defect in gallium arsenide//J. Apple. Phys. 1966. -V. 37, № 1. - P. 167-173.

82. Хольт Д.В. Межзеренные границы в структуре сфалерита // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. - С. 119-139.

83. Гатос X., Финн М., Лавин М. // Несовершенства в кристаллах полупроводников. М.: Металлургия,1964. - С.107-111.

84. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах / Под ред. A.M. Елистратова. М.: Мир, 1965. - 351 с.

85. Booyens Н., Basson J.H. The application of elastobirefringence to the study of strain fields and dislocations in lll-V compounds II J. of Appl. Phys. 1980. - V. 51, № 8. - P. 4368-4374.

86. Травление полупроводников / Под редакцией B.C. Хангуловой -М.: Мир, 1965.-382 с.

87. Бублик В. Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978. - 272 с.

88. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. -М.: ИЛ, 1962. 584с.

89. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. -440 с.

90. Nikitenko V.J., Dedukh L.H. Application of the photoelasticity method to the investigation of stresses around individual dislocations and their influence on crystal properties // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. - Bd. 3. - P. 383-392.233

91. Данильчук Л.Н. Бормановская рентгеновская топография дефектов в кристаллах с медленно изменяющимися полями деформации. -Дис. на соискание уч. ст. докт. физ. мат. наук. - К.: ИМФАН Украины, 1992.- 361 с.

92. Инденбом В.Л., Томиловский Г.Е. Макроскопические краевые дислокации в кристалле корунда // Кристаллография. 1957. - Т. 2, № 1. - С.190-194.

93. Данильчук Л.Н., Никитенко В.И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9, № 7. - С. 2027-2034.

94. Шульпина И.Л. Рентгеновская дифракционная топография. Этапы и тенденции развития. Поверхность. Рентгеновские, синхротрон-ные и нейтронные исследования, 2000. - №4. - С. 3-18.

95. Бонзе У. Рентгеновское изображение поля нарушений решетки вокруг отдельных дислокаций // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. - С. 184-204.

96. Шульпина И.Л. Рентгеновская дифракционная плосковолновая топография. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 1999. -Т.66, №2. - С. 25-37.

97. Authier A. Observation des dislocations dans le silicium a I'aide des rayons X dans le cas la transmission anomale // J. Phys. Radium. 1960. - V. 21, № 8/9. - P. 655-661.

98. Lang A.R. The projection topograph: a new method in X-ray diffraction microradiography // Acta Cryst. 1959. -V. 12, № 3. - P. 249-250.

99. Lang A.R. Studies of individual dislocations in crystals by X-ray diffraction microradiography // J. Appl. Physic. 1959. - V. 30, № 11. - P. 1748-1755.

100. Лэнг А. Применение "ограниченных проекционных топограмм" и "топограмм прямого пучка" в дифракционной топографии // Прямыеметоды исследования дефектов в кристаллах / Под ред. A.M. Елистра-това. М.: Мир, 1965. - 351 с.

101. Шульпина И.Л. Контраст дефектов в проекционной топографии сильнопоглощающих кристаллов // Кристаллография. -1994.-Т.39, № 2. С. 270-277.

102. Schwutke G.H. Silicon material problems in semiconductor device technology // Microelectronics and Reliability. Pergamon press, 1970. V.9, P.397- 412.

103. Borrmann G. Uber Exinktion der Rontgenstrahlen von Quarz // Physik Zeit. -1941. Bd. 42, № 9/10. - S. 157-162.

104. Borrmann G. Die Absorption von Rontgenstrahlen im Fall der Interferes // Physik Zeit. 1950. - Bd. 127, № 4. - S. 297-323.

105. Hirsch P.B. The reflexion and transmission of X-rays in perfect absorbing crystals//Acta Crystallographica. 1952. -V. 5, № 3. - P. 176-181.

106. Laue M. Die Energiesstromung bei Rontgenstrahl Interferenzen im Kris-tallen //Acta Crystallographica. - 1952. - Bd. 5, № 8. - S. 619-625.

107. Zachariasen W.H. On the anomalous transparency of thick crystals to X-rays // Proc.N.A.S., USA. 1952. - V. 38, № 4. - P. 378-382.

108. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука, 1982.- 392 с.

109. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: изд. МГУ, 1978. - 277 с.

110. Ефимов О.Н. Влияние различного типа нарушений периодичности на аномальное прохождение рентгеновских лучей в монокристаллах германия. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. - Ленинград, 1964.

111. Даценко Л.И. Исследование дефектов и их взаимодействия в монокристаллах германия методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук . - Киев, 1966.

112. Шульпина И.Л. Исследование дефектов в монокристаллах кремния и германия методами рентгеновской дифракционной топографии. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. - Ленинград, 1968.

113. Borrmann G.,Hildebrandt G., Wagner H. Rontgenstrahl-Facher im Kalkspat // Physik Zeit. 1955. - Bd. 142, № 3. - S. 406-414.

114. Тихонов Л.В. О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметрич-ных съемок//Укр. физ. ж. -1971. Т. 16, № 1. - С. 137-149.

115. Borrmann G., Hartwig W., Jrmler H. Schatten von Ver-setzngslinien im Rontgen-Diagramm // Zeit Naturforsch. 1958. - Bd. 13A, № 5. - S. 423-425.

116. Barth H., Hosemann R. Use of parallel beam transmission method for the X-ray examination of crystal structure // Zeit. Naturforsch. 1958. - V. 13A, №4. -P. 792.

117. Gerold V., Meier F. Der Rontgenographische Nachweis von Ver-setzungen in Germanium // Zeit. Physik. 1959. - Bd. 155, № 4. - S. 387-394.

118. Даценко Л.И., Скороход М.Я. Рентгеновская камера для исследования дефектов структуры полупроводниковых кристаллов. Кристаллография, 1964. - Т.8, №2. С. 284 - 287.

119. Bonse U.K., Hart М., Newkirk J.В. X-ray diffraction topography // Adv. In X-ray Analisis. -1967,-V.10, №1. P. 1-8.

120. Penning P., Polder D. Anomalous transmission of X-rays in elasti-cally deformed crystals // Philips Res. Repts. 1961. - V. 16, № 2. - P. 419440.236

121. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion //Acta Cryst. 1962. - V. 15, № 10. - P. 13111312.

122. Authier A. Contrast of dislocation images in X-ray transmission topography//Adv. in X-ray Analisis. 1967. -V. 10, № 1. - P. 9-31.

123. Taupin D. Prevision de queloques Images de Dislocations par Transmission des Rayons X (Cas de Laue symetrique) // Acta Cryst. 1967. -V. 23, № 1. - P. 25-35.

124. Balibar F., Authier A. Etude theorique et experimentale du con-traste des images de dislocations // Phys. stat. sol. 1967. - V. 21, № 2. - P. 413-422.

125. Sauvage M., Malgrange S. Observation of X-ray stacking fault fringes in the plane wave case // Phys. stat. sol. 1970. - V. 37, № 3. - P. 759-771.

126. Chukhovskii F.N., Stolberg A.A. On the dynamical theory of X-ray images of real crystal // Phys. stat. sol. 1970. - V. 41, № 3. - P. 815-825.

127. Инденбом В.Л., Чуховский Ф.Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике // Украинский физический журнал. 1972. - Т. 107, № 6. - С. 229-265.

128. Tanner В.К. X-ray diffraction topography. New-York: Pergamon Press, 1976. - 176 p.

129. Тихонова E.A. Теория бормановского дислокационного контраста // Украинский физический журнал. 1976. - Т. 21. - С. 709-734.

130. Суворов Э.В., Инденбом В.Л. Рентгеновский дислокационный контраст // 4-я Международная школа специалистов по росту кристаллов. Конспект лекций. Суздаль: АН СССР, 1980. - Ч. 2. - С. 229-249.

131. Dislocation contrast in the case of anomalous X-ray transmission / Suvorov E.V., Jndenbom V.L., и др. // Phys. stat. sol.(a). 1980. - V. 60, № 1. - P. 27-35.237

132. Данильчук Л.Н., Смородина Т.А. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом АПРЛ // Физика твердого тела. 1965. - Т. 7, № 4. - С. 1245-1247.

133. Данильчук Л.Н., Никитенко В.И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9, № 7. - С. 2027-2034.

134. Данильчук Л.Н. Рентгеновское наблюдение полей деформаций вокруг краевых дислокаций в монокристаллах германия // Физика твердого тела. 1969. - Т. 11, №11 - С. 3085-3091.

135. Инденбом В.Л., Чуховский Р.Н. Геометрическая оптика рентгеновых лучей // Кристаллография. -1971. Т. 16, № 6. - С. 1101 -1109.

136. Дислокационный контраст / Суворов Э.В., Мухин К.Ю. и др. // Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград, изд. АН СССР, 1977. - С. 3135.

137. Чуховский Р.Н., Штольберг А.А. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на дислокациях // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1973. - Т. 64, № 3. - С. 1033 - 1041.

138. Kambe К. Theorie der Schattenbildung von Verset-zungenslinien in Rontgen -Durchstrahlungsdagrammen // Zeit. Naturforsch., Ser.A, -1963.-V.18A, №7, S.1010-1011.

139. Шульпина И.Л., Даценко Л.И. Об изображении линейных дефектов в методе АПРЛ // Украинский физический журнал. 1967. - Т. 12, №9.-С. 1474-1482.

140. Инденбом В.Л., Чамров В.А. Однолучевая электронная микроскопия тонких кристаллов // Кристаллография. -1980.- Т.25, №7. С. 465-472.

141. Инденбом В.Л., Чамров В.А. Орельный контраст дислокационных петель// Металлофизика. -1980,- Т.2, №3. С. 3-9.238

142. Окунев А.О. Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. - Новгород, 1999. - 263с.

143. А.Ю. Белов, В.А. Чамров. О влиянии поверхности на упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций // Металлофизика. 1987. - Т.9, №3, - С. 68-78.

144. Швутке Г., Силе В. Рентгеновский анализ структур дефектов упаковки в эпитаксиальном наращенном кремнии // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. - С. 246-258.

145. Patel J.R., Authier A. X-ray topography of defects produced after heat treatment of dislocations free silicon containing oxygen // J. Appl. Physic. - 1975. -V. 46, № 1. - P.118-125.

146. Authier A., Patel J.R. X-ray topographic determination of the intrinsic or extrinsic nature of stacking fault // Phys. stat. sol.(a). 1975. - V. 27, №1,-P. 213-222.

147. Kato N., Usami K., Katagawa T. The X-ray diffraction image a stacking fault//Adv. in X-ray Analisis. 1967. - V.10, №1. - P. 46-66.

148. Authier A. Contrast of the stacking fault on X-ray topographs // Phys. stat. sol. 1968. -V. 27, №1. - P. 77-93.

149. Инденбом В.Л., Чуховский Ф.Н. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла. I // Кристаллография. 1974. - Т. 19, №1. - С. 35-41.

150. Инденбом В.Л., Слободецкий И.Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла. II // Кристаллография. 1974. - Т. 19, № 1. - С. 42-53.

151. Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. -V. 71, №2. - P. 751-756.

152. Суворов Э.В., Мухин К.Ю. Секционное изображение дефекта упаковки. // Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград: АН СССР, 1977. - С. 42-45.

153. Георгиев А.И., Данильчук Л.Н., Смородина Т.А. Сопоставление метода АПРЛ и химического травления поверхности германия при изучении дефектов упаковки // Вопросы радиофизики и спектроскопии. -М.: Сов. радио, 1966. - Вып. 2. - С. 306-310.

154. Георгиев А.И., Данильчук Л.Н. Применение методов АПРЛ и химического травления при изучении дефектов упаковки в эпитаксиаль-ных слоях германия // Ученые записки Новгородского пединститута, 1967. Т. 19. - С. 51-59.

155. Георгиев А.И., Данильчук Л.Н. Изучение дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Изв. АН СССР. Сер. неорг. материалы. - 1968. - Т. 4, № 10. - С. 1627-1632.

156. Indenbom V.L., Kaganer V.M. The formation of X-ray images of microdefects // Phys. stat. sol. (a). 1985. - V. 87, № 1. - P. 253-265.

157. Выявление и исследование микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии / Крылова Н.О., Мелинг В., Шульпина И.Л., Шейхет Э.Г. // Физика твердого тела. 1986. - Т. 28, № 2. - С. 440446.

158. Данильчук Л.Н. Ростовые включения второй фазы в кремнии, выращенном по методу Чохральского: Тез. докл. // 6-я Международная конференция по росту кристаллов. М.: АН СССР, 1980. - Т. 4. - С. 294 -296.

159. Данильчук Л.Н. О природе А-кластеров в бездислокационном кремнии, выращенном по методу Чохральского: Тез. докл. // IV Всесоюз240ное совещание по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск: АН СССР, 1984. - Ч. 1. - С. 28.

160. Данильчук Л.Н. Бормановский контраст интенсивности от когерентных включений второй фазы в монокристаллах полупроводников: Тез. докл. // Второе совещание по Всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген". Ереван: изд. ЕГУ, 1987. - С. 40-41.

161. Л.Н. Данильчук. Исследование дислокационной структуры монокристаллов и пленок с решеткой типа алмаза методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. - Новгород, 1967. -177 с.

162. Отье А. Контраст изображений в рентгеновской топографии // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С. и др. М., 1984. - С. 446-470.

163. Инденбом В.Л., Никитенко В.И., Миусков В.Ф. Напряжения и дислокации в полупроводниках. -М.: изд. АН СССР, 1962.

164. Bedynska Т., Bubakova R. and Sourek Z. Comparison between experimental and theoretical dislocation image for the Bragg case // Phys. stat. sol. (a). 1976. - V. 36, № 2. - P. 509-516.

165. Sourek Z. and Bubakova R. 129—. Sourek Z., Bubakova R. Deformation by stress relaxation at the edge dislocation // Phys. stat. sol. (a). -1982. -V. 70. P. 641-648.

166. Меланхолии H.M. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: Наука, 1970. 156 с.

167. Данильчук Л.Н. Рентгеновская топография дислокаций в кристаллах на основе эффекта Бормана // Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследований. Киев: Наукова думка, 1985.-С. 185-186.

168. Демидов С.П. Теория упругости.: учебник для вузов. М.: Высшая школа, 1979.-С. 15-16.

169. Шульпина И.Л. Применение АПРЛ для обнаружения и исследования дефектов в достаточно совершенных кристаллах // Рост кристаллов. М.: Наука, 1965. - Т. 5. - С. 285-299.

170. Bowen D.K. and Tanner В. К. High resolusion x-ray diffractometry and topography. London< UK,1998. - P. 252.

171. E.H.Joffe. A dislocation at free surface // Phil. Mag. 1961. -V. 6, № 69.-P. 1147-1150.

172. S.J.Shaibani, P.M.Hazzledine. The displacement and stress fields of a general dislocation close to a free surface of an isotropic solid // Phil. Mag.(A). -1981. -V. 44, №3. P. 657-665.

173. Эшби M. Браун Л. Дифракционный контраст, обусловленный сферически симметричными полями деформации // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. - С. 89-108.

174. Милевский Л.С., Хвостикова В.Д. Дислокационная структура кристаллов с решеткой алмаза, выращенных в направлении 100. // Рост и несовершенства металлических кристаллов / Под редакцией Д.Е. Ов-сиенко. Киев: Наукова думка, 1966. - С. 261-265.

175. Шульпина И.Л. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1977. вып. 18.-С. 92-101.

176. Рентгенотопографическое исследование дефектов в кремнии, возникших при изготовлении интегральных схем / Данильчук Л.Н., Бган-цев В.В. и др. // Микроэлектроника, 1976. Т.6, №6. С.529-534.

177. Влияние дислокаций на электрические параметры маломощных транзисторов / Данильчук Л.Н., Смирнов О.А. и др. // Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск, Наука, 1973. - С. 160-162.

178. Nannichi У., Matsui J., Ishida К. Быстрая деградация двойных гетероструктурных лазеров // J. Appl. Physic. 1975. - V. 14, - P.1555-1568.