Исследование термоэлектрических свойств перовскитоподобных оксидов меди тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.18 ВАК РФ

РГ5 од 18 дек гт

« апзпшзги-ъъьрь иааизьъ ичтшьи

3)h2h4U4Ub <tJSU2nSnHB3ñhbbbPh hbUShSHhS

Ц|1П1Ь1ПШ <пф1|[1 ЧшргциСушй

'Пг[й0[1 ujbpnilulj|iinui[ii5iu[i opufiiTCibph 2bpduitLbljinpiul|uiCi hujinl|rupjnLÜübp|i hbunuqnuiruú

U.04.18 « PjnLpbr\Cibnti $|iqtU|UJ L pjmpbriuiq|imnipjnL&»

i5ujuCiiuq|iinnipjiui5p $|iqhljuj-i5ujpbiJiuinhljLUljUJÜ qhinnLpjniüCibpli pbljüiuóruh q[iiniul|ijuó iuuin|iÓLu[i|i huijgúiuCi luinbCjuifunurupjiuCi

иьаииапп

игшшршЦ 2000

НАЦИОНАЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ АРМЕНИИ ИНСТИТУТ ФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ

ВАРТАНЯН ВИОЛЕТТА ОВИКОВНА

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЕРОВСКИТОПОДОБНЫХ ОКСИДОВ МЕДИ

АВТОРЕФЕРАТ Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.18- « Кристаллофизика и кристаллография »

Аштарак 2000

UmbQui[unurupjuiü phduiti huiuuiiuimlbi t « QUU ifrqh^ujliiuü <biniuqninrupjnLÜDbp|i hDuinfunruinniiS

О^шЦиий qbljuiiluup 'ЧшгшпйшЦшй Dür|r\hi3uj|unuübn

bfiq. йшр. qhin.pbljüujünL U.L.QjruiiudhpjUJÜ 3jfiq.dujp.q|im. qnl|ump

П. U. *4uipquitijuJCi

bfiq. ЧЬ^П- рЫ|йш6ги Ъ.и. ПпррпЦгциЦЬ

ипш2шшшр ЦикцЗшЦЬрицгир^й' b'iK.'njiCiq üuipCSCiJh $hqhljujjh müpfinü 'nu^inuiiuCirupjniüi] Циушйицги t "ß-fyy ^J^'fP 2000P-

cfuiüQ 3>hq№wljujü <bmujqnmnLpjnitiubpp hCiuinhinrumh 052 йшиЬикфтшЦшй |unphpqruü <iuugbü 378410, U2inu]puulj-2, « QUUb<h UmbCim|ununLpjmbQ l|tupbi|i t бшйпршСищ b<h qpiuqiupuiüniiJ Ubqi5uiq|ipQ шпшеЦшб t "oi4 " ^ 2000p.

(Juiuüiuqhiniuljiuü funphpqfi

qhmuiljuiü puipinniqiup s\ ibfiq. diup. qhui.pbljCi.

/ ikySb U.a. fluuuinjuuü

Работа утверждена в Институте Физических исследований HAH Армении

Научный руководитель:

Официальные оппоненты:

Ведущая организация: кафедра Физ: Защита состоится "2t>" QttiCiC?!

кандидат физ.-мат. наук А.Л.Гюламирян

доктор физ.-мат. наук Р.АВарданян кандидат физ.-мат.наук Н.М.Добровольский твердого тела ЕГУ ' 2000г. в " ¡У " часов в

Специализированнном Совете 052 при Институте физических исследований по адресу 378410, Апггарак-2, ИФИ HAH Армениии С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИФИ Автореферат разослан " " ЦОЗО/ЭУ^ 2000г. Ученый секретарь

Специализированного Совета

В 2 Ы6. 03

кандидат физ.-мат. наук А.В.Папоян

BBW./SY-G03

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в классе перовскитоподобных оксидов меди заставило по новому взглянуть на перспективы применения сверхпроводящих устройств в науке и технике. Отсутствие физического механизма формирующего достаточно высокую критическую температуру Тк фазового перехода в сверхпроводящее состояние, наблюдение большой щели в спектре элементарных возбуждений, малой длины когерентности и ряда других особенностей послужило стимулом для развития физических исследований в этой области.

Зависимость результатов от методики изготовления образцов, в сочетании с внутренним многообразием явлений в соединениях на основе ВТСП, создает большие трудности согласования экспериментальных данных, ввиду отсутствия универсальной теории. С другой стороны, очевидна зависимость микроскопического механизма ВТСП от кристаллографической структуры, анизотропии и различных физических свойств перовскитоподобных оксидов меди, присущих уже нормальной фазе этих соединений. Поэтому весьма актуально изучение не только электрических, оптических и термодинамических явлений в сверхпроводящей фазе, но и выявление особенностей поведения всех кинетических явлений заложенных уже в нормальной фазе. Среди широкого класса явлений переноса, особое место занимают термоэлектрические, исследованию которых в перовскитоподобных оксидах меди в нормальной фазе посвящено большое число работ, результаты которых нередко противоречат друг другу. Это объясняется как разбросом свойств исследуемых образцов, так и разнообразием применяемых методик измерения. Поэтому, особую важность приобретает разработка высокочувствительной модуляционной методики измерения термоэдс.

Выраженная анизотропия тепловых и сверхпроводящих свойств этих материалов, приводит к таким интересным проявлениям термоэлектричества, как аномальный пик в температурной зависимости термоэдс вблизи температуры сверхпроводящего перехода, аномально большие значения термоэдс в пленках, ось с которых имеет наклон по отношению к нормали к поверхности пленки (с-наклонные пленки),

исследование которых представляет интерес для физики ВТСП и могут служить основой для разработки детекторов нового типа.

Большое прикладное значение могут иметь исследования по выявлению среди этого класса соединений систем с рекордными значениями термоэлектрических характеристик.

Диссератционная работа посвящена в ряду термоэлектрических свойств перовскитоподобных оксидов меди, изучению термоэдс этих соединений и выполнена в соответствии с планами научно-исследовательских работ Институт в рамках тем 94-796, 98-835.

Целью диссертационной работы являлось исследование термоэлектрических характеристик слоистых анизотропных перовскитоподобных оксидов меди, модуляционной методикой измерения потенциальных откликов, возбуждаемых лазерным излучением в контакте пленка УВа2Си307 - металл, в контакте двух ВТСП, в топологиях на пленках УВа2Си3071 ось с которых имеет наклон по отношению к нормали к поверхности пленки, а также исследование термоэлектрических характеристик системы 1л2хВахСи041 при малых концентрациях Ва.

Научная новизна.

1. Впервые зарегистрирован аномальный пик в температурной зависимости термоэдс в контакте пленка УВа2Си307 — метал вблизи температуры сверхпроводящего перехода. Объяснена природа этого пика и установлены условия его наблюдения.

2. Температурные и частотные зависимости потенциальных откликов впервые исследованы в контакте двух ВТСП при возбуждении тепловых градиентов с использованием лазерного излучения.

3. Исследована впервые термоэдс в топологиях определенного вида, изготовленных на с-наклонных пленках УВа2Си307.

4. Термоэлектрические характеристики системы Ьа^Ва^СиО^ исследованы при малых концентрациях Ва (х<0,02).

Практическая ценность работы

1. Разработана высокочувствительная модуляционная методика исследования термоэлектрических характеристик материалов в температурной области 77 — ЗООК при возбуждении тепловых градиентов лазерным излучением.

2. Разработана методика определения коэффициента Зеебека в направлении оси с в пленочных анизотропных материалах.

3. Показано, что определенная топология на с-наклонной пленке УВа2Си307, может служить чувствительным датчиком изменения температуры.

Основные результаты, выносимые на защиту

1. Регистрация аномального пика в температурной зависимости термоэдс в контакте пленка YBa2Cu307 — металлл вблизи Тк с использованием высокочувствительной модуляционной методики измерений термоэдс при возбуждении тепловых градиентов лазерным излучением.

2. Объяснение природы аномального пика в температурной зависимости термоэдс в контакте пленка YBa2Cu307 — метал. Показано, что пик обусловлен вкладом компоненты термоэдс вдоль направления оси с с учетом анизотропии термоэлектрических и сверхпроводящих свойств исследуемого образца.

3. Методика определения коэффициента Зеебека в направлении оси с в пленочных анизотропных материалах при одновременных абсолютных измерениях термоэдс статическим и модуляционным методом.

4. Выявление высокой термочувствительности ~ 10 мВ/град в топологии длиной 10 мм, изготовленной на с - наклонной пленке YBa2Cu307 толщиной 1мкм, в направлении наклона оси с. Показано, что в топологии из в параллельных линий, в случае когда конец каждой линии соединен с началом следующей, индуцируемый потенциал увеличивается в л раз.

5. Топология в виде прямого угла, изготовленная на с-наклонной пленке YBa2Cu30„ одна сторона которой параллельна, а вторая перпендикулярна наклону оси с, представляет собой идеальный контакт двух ВТСП с различными термоэлектрическими характеристиками.

6. Параметр качества системы La2xBaxCu04, имеет рекордные для этого класса материалов значения при х = 0,015.

Апробация работы Основные результаты диссертационной работы докладывались на международных совещаниях SCESCM-91 (Strongly correlated elektron states in condensed media, Crimea, USSR, 1991), IV International Conference M2S HTSC-IV (Materials and Mechanics of Superconductivity High-Temperature Superconductors, Grenoble, France, 1994) и LT- 22 (Internatinal Conference of Low Temperature

Physics, Helsinki, 1999), на республиканских конференциях "Лазерная физика - 98, 99, 2000" (Аштарак - 98, 99,2000), на II национальной конференции "Полупроводниковая

микроэлектроника" (Дилижан - 1999), а также обсуждались на семинарах ИФИ HAH Армении.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 8 научных работ.

В клал автора. Результаты, изложенные в диссертационной работе, получены лично автором под руководством научного руководителя к.ф.-м.н. А.Л.Гюламиряна Д-р ф.-м.наук А.М.Гулян участвовал в постановке задач на начальной стадии работы. В дальнейшем выбор задач и направлений их решения, обсуждения и интерпретации полученных результатов проводились автором совместно с А.Л.Гюламиряном. Создание экспериментальной установки, все измерения, обработка данных и теоретические оценки выполнены автором лично.

Объем и структура.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Содержание диссертации изложено на 98 страницах печатного текста, включая 27 рисунков, 2 таблицы и 107 библиографических ссылок.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель работы, научная новизна и положения, выносимые на защиту, кратко изложено содержание работы по главам.

В главе I приводится литературный обзор работ по иссследованию термоэлектрических характеристик в традиционных сверхпроводниках и в перовскитоподобных оксидах меди, а также обзор работ по воздействию лазерного излучения на ВТСП пленки.

В главе II приводится описание экспериментальной установки, на которой проводились исследования, и методика измерений.

При модуляционной методике измерений возбуждаемых потенциалов, температурные градиенты создавались освещением

исследуемых образцов излучением Не-№ лазера. Это позволяло создавать разнообразную карту как временных, так и пространственных температурных градиентов. Излучение модулировалось в интервале частот 2 Гц — 2 кГц, а также частотой 0,1 Гц с помощью механического прерывателя. Для регистрации возбуждаемых потенциалов использовалось синхронное детектирование. При этом на сигнальный вход синхронного детектора подавался предварительно усиленный селективным нановольтметром сигнал с образца, а на опорный — с фотодиода. Разработанная методика позволяет уверенно регистрировать сигналы до 3 нВ (отношение сигнал к шуму >10) с температурным разрешением 10 мК.

Для измерений температурных зависимостей возбуждаемых потенциалов образцы помещались в криостатную терморегулируемую установку, позволяющую проводить исследования в интервале температур 77 — 300К.

Частотные характеристики потенциалов измерялись поточечно, при настройке регистрирующей аппаратуры на частоту модуляции возбуждающего излучения.

Исследования временного поведения потенциалов проводились при подаче регистрируемых сигналов с выхода нановольтметра на вход самописца с блоком временной развертки со скоростью 1сек/см.

Экспериментальная установка позволяет выполнять как модуляционные, так и статические измерения.

Глава Ш. В первой части данной главы приводятся результаты исследований температурных зависимостей термопотенциала в контакте пленка — метал вблизи Тк и объяснение наблюдаемых особенностей его поведения. Экспериментально показано, что пик в температурной зависимости термопотеициала вблизи Тк регистрируется только при использовании модуляционной методики измерений в случае, когда контакт пленки с металлом образуется с помощью прижима. При частотах модуляции 2Гц - 2кГц измеряемый термопотенциал II отрицателен и перед сверхпроводящим переходом присутствует пик порядка величины самого сигнала, (рис. 1а) С увеличением частоты модуляции сигнал уменьшается, указывая на инерционность отклика. Измерения на частоте 0,1 Гц показали результат, отличающийся как по знаку, так и по температурному ходу термопотенциала (рис. 16). Температурная зависимость потенциала в прижимном контакте с промежуточным индием, измеренная на частоте 8 Гц, имеет

поведение подобное поведению кривой на рис. 16. Наблюдаемая ниже Тк остаточная термоэдс обусловлена вкладом меди.

Исследования временного хода потенциала в случае прижимного контакта на частоте 0,1 Гц, выполненные для пяти температур вблизи Тк показали, что отклик на резкое изменение освещенности можно представить в виде суммы двух экспонент с разными временами релаксации. При включении (или выключении) освещения вначале наблюдается быстрое изменение сигнала за время меньшее 1 сек. Затем сигнал продолжает меняться, устанавливаясь в течение 7-9 сек.

Рис.1. Температурная зависимость термопотенциала в прижимном контакте (У-Ва-Си-О)-Си а) результаты а.с. измерений для трех частот модуляции; б)результаты измерений для частоты модуляции 0,1 Гц.

Расчет модельного контура в случае прижимного контакта с учетом вклада участка термоэдс вдоль оси с позволил получить выражение термопотенциала как для статических 1/с,

так и для модуляционных измерений и.

и*с ={8а-8Си)М (1)

где Яа, - абсолютная дифференциальная термоэдс пленки в направлении а и меди соответственно, АТ - разность температур. Для частот модуляции со много больших, чем некоторая характерная частота 1/т, полученное выражение для и^ можно записать в виде:

(2)

где - абсолютная дифференциальная термоэдс пленки в направлении с. Если учесть, что обычно > Ба и Тк в направлении оси с меньше чем Тк в направлении оси а, то измеряемый потенциал будет отрицателен и при Т < Тк (здесь Тк -критическая температура в направлении оси а) в температурной

зависимости образуется резкий отрицательный пик. Поскольку даже при со~2 Гц регистрируется пик, то т»0,5 сек. Это согласуется с результатами измерений временного отклика. Для медленных измерений са«1/т, превосходящих время выравнивания температур вдоль направления оси с, получено выражение подобное выражению для статических измерений, что и объясняет поведение кривой (рис. 16).

Поведение температурных зависимостей регистрируемого потенциала на частотах модуляции 0,1 Гц и в интервале 2Гц -2кГц, а также исследование временного хода отклика на ступенчатое возмущение и анализ проведенных расчетов для модельного контура показывают, что полученные результаты объясняются влиянием термоэдс вдоль оси с, с учетом анизотропии сверхпроводящих и термоэлектических свойств.

Исчезновение пика в температурной зависимости термопотенциала, при втирании индия в межконтактное пространство, обусловлено устранением при этом градиента температуры в направление оси с, объясняет отсутствие его на некоторых температурных зависимостях, приведенных в диссертации и подтверждает объяснение пика вкладом термоэдс вдоль направления оси с.

Установлено, что для наблюдения пика в температурной зависимости термопотенциала вблизи Тк необходимо одновременное присутствие трех факторов:

1. Анизотропия термоэлектрических и сверхпроводящих свойств исследуемого материала.

2. Определенная морфология поверхности, позволяющая включать в термоэлектрическую цепь участок вдоль направления оси с.

3. Различные времена релаксации в направлении оси а и оси с при нестационарном возбуждении тепловых градиентов.

При одновременных абсолютных измерениях lfc и U™ можно определить абсолютную дифференциальную термоэдс пленки в направлении оси с.

Во второй части данной главы приведены результаты экспериментального исследования термоэлектрических характеристик системы La2 xBaxCu04 при малых концентрациях Ва (х = 0,020, 0,015, 0,010, 0,005). Измерены статическим методом температурные зависимости коэффициента Зеебека S и удельного сопротивления р образцов в области температур 80 — 300К. Показано, что уменьшение концентрации Ва приводит не только

к увеличению коэффициента Зеебека, но и к увеличению удельного сопротивления. Однако, расчет параметра качества, характеризующего перспективы применения материала в термоэлектрических устройствах, Z = S2/kp исследуемых образцов показал, что максимальные значения 1 соответствуют концентрациям Ва при х = 0,015. Значения коэффициента теплопроводности к были взяты из литературы, с учетом того, что в рассматриваемой температурной области они практически не зависят от температуры и концентрации Ва. Показано, что максимальное значение Z= 350-10 61/К достигается при Т=260К и мало изменяется в температурной области 200-г300К. Параметр качества системы Ьа2хВахСи04 при х = 0,015 имеет значение, рекордное для этого класса материалов.

Глава IV. В первой части данной главы приведены результаты экспериментального исследования потенциалов, возбуждаемых лазерным излучением в контакте двух ВТСП: в контакте керамики РЬ0^В^ 68г2Са2Си30 с пленкой УВа2Си30, 5 и двух пленок ¥Ва2Си307.Б. Выточенная в виде иглы керамика прижималась к поверхности тонкой с-ориентированной пленки УВа2Си307_5. Вольтамперная характеристика контакта УВСО -В15ССО имела омический характер. Контакт освещался модулированным в интервале частот 2 Гц 2 кГц излучением лазера. Температурная зависимость потенциала для двух частот модуляции показана на рис.2а. Потенциал, возбуждаемый в контакте пленки с керамикой при температурах выше 110 К, содержит слагаемое, обусловленное разностью термоэдс от двух ВТСП: (^всо - 5|зВСО)Д77 При температурах ниже 110 К коэффициент Зеебека керамики ¿ъщссо зануляется из-за сверхпроводящего перехода, и регистрируемый потенциал резко увеличивается, но при температуре 90 К зануляется и коэффициент Зеебека пленки. Остаточный потенциал,

Рис.2. Температурная зависимость потенциала в контакте двух ВТСП: а) пленка УВа2Си307.5 - керамика РЬ04В116$г2Са2Си3О для часто модуляции 8 Гц и 2 кГц; б) двух пленок УВа2Си307,5 для частоты 8 Гц.

зарегистрированный в контакте УВСО-ВКСО при Т< Тк обусловлен несовершенным контактом.

Исследована также зависимость потенциала от частоты модуляции в диапазоне 2-2000 Гц при разных температурах. При этом для каждой частоты тщательно подбиралась фаза опорного сигнала синхронного детектора для получения максимального значения регистрируемого потенциала. Частотные зависимости подобны частотным зависимостям для тепловых болометров.

Температурная зависимость потенциала при освещении контакта двух с-ориентированных пленок УВа2Си30/5 показана на рис. 26. Сопротивление контакта при этом было того же порядка, что и в случае разных ВТСП. В этом случае, из-за симметрии конфигурации контакта, потенциал и при Т> Тк должен быть равен нулю. Отрицательные значения потенциала, зарегистрированного при Т>ТК, и поведение его температурной зависимости свидетельствуют о том, что наблюдаемый потенциал обусловлен термоэдс вдоль оси с.

Во второй части главы IV приведены результаты исследования потенциалов, возбуждаемых в топологиях, на с -наклонных пленках УВа2Си3Оу при облучении лазером.

Показано, что потенциал в 12,3 мкВ, измеренный статическим методом, в направлении наклона оси с соответствует А7^~103К (для топологии длиной 10 мм, вырезанной из пленки толщиной 1 мкм). В топологии из п параллельных линий, изготовленной на г-наклонной пленке УВа-^СизО/, когда конец каждой линии соединен с началом следующей, индуцируемый потенциал увеличивается в п. Расчеты показали, что при этом можно добиться увеличения индуцируемых потенциалов более чем в 100 раз, что открывает перспективы для создания чувствительных датчиков изменения температуры.

Исследования термопотенциалов, возникающих в топологии, изготовленной на с —наклонной пленке в виде прямого утла, одна сторона которой параллельна наклону оси г, а вторая перпендикулярна, показали возможность создания контакта двух ВТСП с разными термоэлектрическими характеристиками. Показано, что величина индуцируемого потенциала зависит от места попадания излучения. Температурные зависимости термопотенциала в такой топологии, измеренные модуляционным методом на частоте 8 Гц, приведены на рис.3. Исследования температурных зависимостей термопотенттиала при освещении самого утла, т.е. стыка двух

Т(К)

Рис.3. Температурный ход потенциала в топологии на с-наклонной пленке УВа2СиаО, в зависимости от места попадания излучения: излучение попадает на часть топологии, параллельной наклону оси с (1); угол топологии (2); перпендикулярной наклону оси с (3).

сверхпроводников, остаточных потенциалов не обнаружили как в случае контакта двух разных сверхпроводников. Таким образом, онаклонные пленки УВа2Си3Оу являются хорошими объектами для исследований, в которых необходим контакт двух ВТСП с разными термоэлектрическими характеристиками.

В Заключении сформулированы основные результаты, полученные в диссератационнной работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработана модуляционная методика измерений коэффициента Зеебека в температурной области 77 —300К при бесконтактном возбуждении температурных градиентов лазерным излучением.

2. Обнаружен аномальный пик в температурной зависимости термопотенциала пленок состава УВа2Си3Оу вблизи Тк, который объяснен вкладом термоэдс вдоль оси с.

3. Установлено, что при одновременных абсолютсных

измерениях 1/с и можно определить абсолютную

дифференциальную термоэдс в направлении оси с в пленочных анизотропных материалах.

4. Показано, что параметр качества системы Lfi¿ xBaxCu04 имеет рекордное для этого класса материалов значение при х = 0,015

5. Установлено, что частотные зависимости для термоэдс в контакте двух разных ВТСП подобны частотным зависимостям для тепловых болометров.

6. Обнаружен вклад термоэдс вдоль оси с при исследовании потенциалов в контакте двух ВТСП пленок.

7. Показано, что с-наклонные пленки можно использовать для создания идеального контакта двух сверхпроводников с различными термоэлектрическими характеристиками.

8. Топология на с - наклонной пленке YBa¿Cu3Ov может быть рекомендована как чувствительный датчик изменения температур.

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Вартанян В.О. О фотоотклике в контакте пленки Y-Ba-Cu-O с Au// Доклады АН Арм. ССР, 1990, т.91. с. 206-208.

2. Vartanyan V.O. On Superconducting Y-Ba-Cu-O Thin Film Thermopower// Sov.J.Low Temp.Phys., 1991 V.17.pp.563-564.

3. Gulian Л.М., Vartanian V.O. Experimental and Theoretical investigation of photoinduced thermoelectric effect in HTS // Physica C, 1994, 235-240, pp.1415-1417.

4. Вартанян В.О., Гюламирян Л.Л., Кузанян A.C., Гулян Л.М. Исследование фотоотклика при освещении контакта двух ВТСП// Изв.HAH Армении. Физика, 1997, т.32, с.215-220.

5. Вартанян В.О., Гюламирян A.A., Шиндян В.А., Бадалян Г.Р., Гулян А.М. Об измерении термоэдс в пленках ВТСП// Известия HAH Арм., Физика, т.ЗЗ, N3, 1998, с.122-131.

6. Вартанян В.О., Гулян А.М., Гюламирян АЛ., Кузанян A.C., Лрутюнян С.Р. Термоэдс системы La¿ xBaxCu04 при малых концентрациях Ва// Сборник трудов конф. "Лазерная физика - 99", Лштарак, 1999, с.137-140.

7. Vartanyan V.O., Gulian А.М., Gyulamiryan A.L. On Nature of an Anomalous Peak in Thermopower of YBa2Cu307.5 Thin Film// Physica B, 284-288, 2000, pp. 1005-1006.

8. Вартанян B.O., Гюламирян А.Л. Исследование термоэдс в с-наклонных пленках YBa2Cu30, //Препринт ИФИ, 2000, с. 1-11.

UlTOncDUQhP

ЧштшрЦшб t iqqüáp щЬрпфЩилшСиЗшй opufiqCibpfi гЬрйш^Ь^тршЦшй hiuuiljnipjruûûbph nLuruùùiuuppnipjniùCibp:

игшЦЦшб t 2bpúiuti2nih ¿шфйшй piupûp qquynitinipjuiii йпфщшдрпй bqujùiulj: Lijrj. bquiúiulip oqCirupjiuùp qpiuügijiuá t УВагСизОу-йЬшшг! hujuilj гЬрйидлгфЙшйиурй ljuj|utliuáni.pjtuú uiünúuii qbphmrinp^ujjpû ujùgdiuû inpprujpruú 2bpi5iuj|iù

qpiurtfibCimi] iiuqbpiuj|iû ¿umujqujjpúujúp qpqr?bini|: Snijg t трЦиД np 2bpúiutl2nLp гЬрйшитрЙшйифй ^ш|иЦш0шр]шС| Ijnpp Црш luCinúiui ujhMh uinljujjnipjruíiD ujiujúujúuiilnpi|iuá t с-шпшйдрр mqrinipjmúp 2bpúmti2nLh ûbprçpihuùp, npû lupnjruCip t hbmiuqnimjnri CiünL2h 2bpúiutibljinpiuliiuú L qbphmqnpqp¿ hiuinljni.pjni.Dùbp|i ujùfiqnmpnuj|nujfr U 2bpúiujfiú qpiurtfibúinfi n¿ uiniughnùuip qpqmJuiü:

ШшгшрЦЦшд t luûfiqnuipnuj piuqiuüpCjbpruú c-iur?iuCigpfi ruryinipjiudp ЙЬЬрЫф qnpóiuljg|í прпгйшй úbpnrv npp hfiúpniú dúL)uó t úpmdmúuúmljjm hiuumtumniù U йпгущиидрпй pmguipäiulj ¿шфгиС№Ьр|1 l)uiinaipruú[y.

IfiiniluJô t qbp2bpiîmti2nL c-pbpnipjmúp YBa2Cu3Oy piuriuiùpûbph uijq ruririnipjiuúp щштршшпЦшб IjumrugilLuógCibpnLÚ: Ujq ршгцийрйЬрр n qruqiuhbR qôbpfr ифиф ЦишгидЦшбрйЬргий итшдЦшб iqnmbtigpmip úbóiuúniú t n luCiqiuú: Unurçiupljiliuô t 90-500b С 2bpi5uiuinfi¿uiúuij|iCi infipnijpp hiuúiup qqiujniCi 2bpúuJinilp¿ c-pbpiluiórupjujCi УВа2Си3Оу pLuqiuûpùbpii ЦиттдЦшбрйЬрр hpúuiú Црш:

3rujg t трЦшб.пр £>pbg4iuônipjiuû ршгцийрйЬрЬ niqhl iuûIuluCi tnhaih ljujßnLgi[ui6ß[ibpQ, npuibq úp IjnqÚQ qniqiuhhr? t, Ñlj újnLUQ nuyiaihujjiug счшшйдрЬ uqpnjbljgpmjpù, hiuùqbu bù quiifiu npujbu bpljni uiuippbp 2bpüaitibl4uipLuljujíi pCirapiuqpbpniJ puipàp gbpúiuumpáuiúiujhú qbphmqnpiih¿úbpp hujuilj:

<huiiuqniniliuô t La2-xBaxCu04 puHiuirçprupjuJùp ùfimgriLpjniûûbpp 2bpùiutibl|tnpiuljuiû щшрилЗЬтрр 0,005< x< 0,02-p uipdbßiibpfi uihpnijpniú: ''luipq.ilbL t, np 2bpi5ujtibljinpiuljujCinLpjujû щшршйЬтрй niCip uiúbCiiuúhá lupdbp x=0.0115-fi qbujpni.iî: