Исследование трехслойных полупроводниковых структур и сверхрешеток методом рентгеновской интерференционной топографии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ В РАЗЛИЧНЫХ СРЕДАХ.

1.1. Интерференционные явления в однородной некристаллической среде.

1.1.2 Длина когерентности рентгеновских лучей.

1.1.3 Показатель преломления и оптическая длина пути.

1.1.4 Зоны Френеля и наблюдение интерференции рентгеновских лучей.

1.2. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах.

1.2.1 Кинематическая дифракция.

1.2.2 Динамическая дифракция.

§1. Коэффициенты отражения и прохождения и маятниковые решения при дифракции в геометрии Лауэ.

§2. Дифракция в тонкой пластине в геометрии Брэгга.

§3. Использование интерференционных эффектов маятникового решения,

1.3 Рентгеновские интерферометры.

1.3.1 Дифракционный муар.

1.3.2 Наблюдение рентгеновского дифракционного муара.

1.3.3 Пленочные двухкристальные интерферометры.

§1 Отражение по Лауэ.

§2 Отрижение по Брэггу.

1.3.4 Применение рентгеновской интерферометрии для исследования объектов современной микроэлектроники.

§1 Рентгеновский интерферометр Майкельсона.

§2 Структуры Si/SiOi/подложка Si.

§3 Структуры с квантовыми ямами.

Развитие современных электронных и оптических устройств базируется с одной стороны на расширении спектра используемых материалов, с другой - на применении многослойных гетероструктур, среди которых достойное место принадлежит полупроводниковым сверхрешеткам. При этом как к структуре гетеросистемы, так и к составу и толщинам отдельных слоев предъявляются очень жесткие требования. Широко применяемыми методами исследования реальной структуры кристаллов и гетеросистем являются рентгеновская дифрактометрия и топография. Использование традиционных рентгеновских методов характеризации современных полупроводниковых структур осложняется, а в ряде случаев даже невозможно из-за присутствия очень тонких слоев толщиной до долей нанометров. В этом случае интенсивность рентгеновского излучения, отраженного от таких слоев, ничтожно мала и не может быть зарегистрирована современными устройствами. Поэтому совершенствование методов диагностики реальных гетероструктур является одной из актуальных задач физики твердого тела. Перспективными являются интерференционные методы. Пространственная структура волнового ноля в кристалле имеет характерный размер, по порядку величины равный параметру решетки исследуемого кристалла. Поэтому наличие неоднородностей в кристалле, таких как слой другого состава, приводит к заметному фазовому сдвигу интерферирующих волн и значительному изменению интенсивности дифрагированного излучения даже в том случае, если толщина слоя на уровне межатомных расстояний кристаллической решетки. Это позволяет характеризовать тонкие слои, вклад которых в суммарную интенсивность пренебрежительно мал.

Кроме того, в сложных гетероструктурах при толщинах слоев, составляющих десятки нанометров, реальная структура кристаллов представляет собой скорее систему атомных поверхностей, а не атомных плоскостей. В настоящее время единственным методом, позволяющим изучать форму данных поверхностей, является рентгеновская интерферометрия. Существенным преимуществом данного метода перед другими, например электронной микроскопией, обладающими сравнимой разрешающей способностью, является значительно большее (несколько квадратных сантиметров) поле изображения. На такой площади можно регистрировать прогиб атомных плоскостей эпитаксиальной пленки с чувствительностью около 1 ангстрема.

Объемная и пленочная рентгеновская интерферометрия возникли практически одновременно в середине 1960-х годов. Заметный прогресс первого метода в значительной мере обеспечил развитие технологии получения объемных кристаллов Si. Была показана возможность регистрации концентрации точечных дефектов на уровне 10 см" для сегрегационных полос высокосовершенного слиточного кремния. Однако потенциальные возможности пленочного рентгеновского интерферометра реализованы очень слабо. Такой интерферометр представляет собой слоистую систему типа А/В/А, где А - совершенные кристаллы, а В - разделительный слой. В исследованных в диссертации структурах кристаллами А являются кремниевая эпитаксиальная пленка и подложка с ориентацией поверхности (001), а функцию разделительного промежутка выполняет либо слой пористого кремния, либо слой твердого раствора GeSi. В ранее известных работах верхний кристалл А формировался в результате модификации, вызванной ионной имплантацией, приповерхностной области подложки, а функцию разделительного слоя выполнял аморфный кремний или оксид кремния, сформированные в результате указанной имплантации. Во всех этих случаях изучались слои верхнего кристалла А толщиной несколько мкм. Однако часто толщина эпитаксиальных слоев не превышает долей микрона, что существенно меньше экстинкционной длины для большинства используемых материалов, и не позволяет получить достаточный уровень сигнала. Ярким примером является работа, где продемонстрировано усиление интерференционного контраста по мере увеличения толщины пленки.

Основная научная ценность диссертации состоит в изучении природы контраста, который регистрируется на топограммах, полученных от трехслойных гетеросистем типа А/В/А, с разделительным недифрагирующим слоем В и высокосовершенными эпитаксиальными слоями. Установлено, что наблюдаемое изображение не является комбинацией параллельного и поворотного муара, а определяется трансляционным муаром.

В диссертации впервые получены следующие результаты.

Для гетеросистемы, полностью приготовленной в рамках эпитаксиальной технологии, экспериментально обнаружено смещение интерференционных полос на топограммах. Оно наблюдается при повороте кристалла вокруг Брэгговской оси и ранее было теоретически предсказано в литературе. На основе данного явления разработаны методические приемы интерференционной топографии на отражение, что позволило на порядок величины уменьшить требуемую толщину верхнего кристалла А.

Зарегистрированы рентгеновские топограммы в пике пористого кремния, демонстрирующие качество его структуры. Наблюдаемые дифракционные изображения соответствуют интерференционным картинам на топограммах от системы Si/пористый кремний/Si (001). Установлена связь между присутствием сегрегационных полос в исходном кремнии и структурным состоянием пористого кремния. С помощью интерференционной топографии получены количественные данные по изменению параметра кристаллической решетки пористого кремния в результате изменения окружающей среды (переход от вакуума к газовой среде окружающего воздуха и последующее помещение образца в органические растворители).

Разработана рентгеновская топография полупроводниковых сверхрешеток в сателлитных рефлексах с использованием синхротронного излучения. В предлагаемом методе наиболее дефектные участки можно выявлять сразу на качественном уровне изучения топограммы, что облегчает проведение дальнейших количественных исследований. Данный неразрушающий метод контроля искажений сверхрешетки по площади структуры является перспективным как для задач экспериментального характера, так и при решении технологических проблем. На защиту выносятся следующие положения.

1. Интерференционные картины, зарегистрированные на рентгеновских топограммах от исследованных высокосовершенных эпитаксиальных систем с разделительным слоем, являются картинами трансляционного муара.

2. В гетеросистемах со свойствами рентгеновского интерферометра, которые содержат в качестве разделительного слоя пористый кремний, трансляционная ошибка может возникать как за счет изменения объема слоя пористого кремния, так и за счет шероховатости границы раздела. Во втором случае к появлению дополнительной интерференционной полосы на топограмме приводит в (а/да) раз

ВЫВОДЫ по диссертации

1. На топограммах от полупроводниковой гетеросистемы эпитаксиальный Si.7 GeSi7 подложка Si обнаружен интерференционный контраст, который обусловлен фазовым сдвигом, вносимым слоем твердого раствора GeSi. Благодаря высокому структурному качеству эпитаксиального слоя кремния данный контраст был дифференцирован от муарового контраста, наблюдаемого для объектов с нарушенными кристаллическими слоями и являющегося суперпозицией параллельного и поворотного муаров.

2. Установлено, что упомянутый фазовый сдвиг обусловлен трансляционной ошибкой в расположении кристаллографических плоскостей подложки и эпитаксиальной пленки Si. Неоднородная по площади структуры ошибка трансляции приводит к возникновению прогиба атомных плоскостей пленки и формированию картин трансляционного муара. Величина прогиба Стт, требуемая для возникновения одной интерференционной полосы определяется по формуле Cmj„ =dhki/co5,(p и имеет значения равные 1.8, 1.4 и 1.4 ангстрем для отражений (113), (224) и (004), соответственно. Здесь Ф есть угол между поверхностью образца и плоскостью (hkl). Указанные значения относятся как 4:3:3 в согласии с теоретическим анализом.

3. Показано, что в случае кристаллического разделительного слоя возникновение картины трансляционного муара определяется изменением толщины разделительного слоя и величиной рассогласования параметров кристаллической решетки данного слоя и эпитаксиальной пленки За/а. Для появления дополнительной интерференционной полосы на топограмме требуется изменение толщины кристаллического разделительного слоя, равное (a/Sd)&.mlcos<$.

4. Экспериментально зарегистрировано предсказанное в литературе смещение интерференционных полос при изменении углового положения исследуемого образца вблизи кинематического угла Брэгга. Применение данного явления позволило разработать методические приемы интерференционной топографии на отражение. Главным требованием является использование (п, -п) бездисперсионной геометрии съемки. При этом не происходит размытие интерференционного контраста из-за смещения полос, указанного в предыдущем выводе.

5. На примере гетеросистемы Si/пористый кремний /Si(OOl) установлен новый класс объектов, для которых наблюдается рентгеновский трансляционный муар. Отличительной особенностью данного класса является сочетание кристаллической структуры разделительного слоя с возможностью управляемо изменять объем данного слоя в локальной области. В данных объектах трансляционная ошибка может возникать как за счет изменения объема слоя ПК, так и за счет шероховатости границ раздела.

6. Посредством регистрации изменения интерференционного контраста на топограммах установлено, что на состояние пористого кремния влияет термический отжиг в вакууме и воздействия окружающей среды. Отжиг приводит к изменению несоответствия параметра кристаллической решети ПК по отношению к параметру подложки от +0.28% до -0.24%. Выдержка в органических растворителях изменяет параметр решетки ПК на величину 0.05 %, что сопровождается возникновением 8 интерференционных контуров на топограмме, полученной в отражении 113. Продемонстрирована возможность обнаружения изменения толщины пористого слоя с

- 152 чувствительностью порядка 1 ангстрема при общей толщине около 2 мкм на площади около 1 см .

7. Предложена неразрушающая методика характеризации сверхрешеток, использующая топографические исследования в сателлитных пиках. Данная методика реализована на основе системы AlAs/Alo^Gao.sAs. В простом варианте данная методика позволяет определять величину и направление градиента неоднородности периода сверхрешетки. Более полный анализ позволяет получать количественную информацию об однородности состава и периода сверхрешетки и ее ориентационных искажениях.

Личный вклад автора и благодарности

Личный вклад автора в диссертационную работу определяется участием в общей формулировке и обосновании цели и задач исследований, выбором методов их решения, получении и трактовке экспериментальных результатов. Совокупность научных результатов, представленных в диссертации, получена под руководством д.ф.-м.н. Е.М. Труханова.

Лично автором получены следующее основные результаты.

1) Система эпитаксиапьный Si / слой GeSi/ подложка Si (001) предложена в качестве модельной для изучения интерференционных эффектов в трехслойных гетероструктурах с высокосовершенными слоями. Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках различных теоретических моделей, и показано, что причиной возникновения контраста на топограммах для исследованных высокосовершенных систем является трансляционный муар. Данные результаты были положены в основу второй главы.

2) Выполнена съемка рентгеновских топограмм в рефлексе пористого кремния. Экспериментально обнаружен интерференционный контраст на топограммах, полученных для гетеросистемы эпитаксиапьный Si / слой пористого Si / подложка Si (001). Предложено описание наблюдаемых интерференционных картин в рамках модели трансляционного муара. Данные результаты исследований явились основой главы 3 диссертации.

3) Предложен и реализован способ определения направления градиента изменения периода сверхрешетки. Он основан на анализе поведения отражающих контуров на топограммах, полученных в сателлитных рефлексах с большими номерами. На данном способе основана представленная в главе 4 методика разделения вкладов от различных искажений CP и выявления на качественном уровне наиболее искаженных участков структуры.

Некоторые публикации по теме диссертации были написаны лично автором с последующим уточнением текста в результате дискуссий с соавторами, большинство публикаций подготовлено при его непосредственном участии.

Гетероструктуры эпитаксиальный Si / слой пористого Si / подложка Si (001) были созданы в результате сотрудничества коллективов лабораторий №24 (группа С.И. Романова) и №16. Электронно-микроскопическое изображение таких структур получено А.К. Гутаковским. Рентгендифракционные измерения, представленные в диссертации, выполнены М.А. Ревенко. Гетероструктура эпитаксиальный Si / слой GeSi/ подложка Si (001) была выращена автором совместно с Е.М. Трухановым и А.И. Никифоровым. Сверхрешетка AlAs/Alo.2Gao.8As была предоставлена А.И. Тороповым.

Свою искреннюю признательность автор выражает Е.М. Труханову без помощи, поддержки, инициативы и настойчивости которого диссертация вряд ли была написана и доведена до финишного состояния.

Автору приятно выразить признательность моим соавторам, без взаимодействия с которыми отсутствовало бы большинство результатов. Автор выражает признательность А.П. Василенко, Е.М. Труханову, А.В. Колесникову, JI.B. Соколову, О.П. Пчелякову, М.А. Ревенко, А.И. Никифорову, P.M. Амиржанову., А.К. Гутаковскому, В.В. Кириенко, С.И. Романову, С.Г. Никитенко.

За помощь в подготовке рукописи автор благодарит Труханова Е.М. и Василенко А.П.

Автор выражает благодарность всему коллективу отдела № 1 за поддержку и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Материалы диссертации были представлены на 19 Российских и Международных конференциях. Эти материалы опубликованы в следующих сборниках тезисов и трудов конференций [132 - 150].

1. Bonze U. and Hart M. An X-ray interferometer.// Appl. Phys. Lett., 1965, v.6, N8, p. 155-156

2. Bonze U. and Hart M. An X-ray interferometer with long separated interfering beam paths.//Appl. Phys. Lett. 1965, v.7, N4, p. 99-100

3. Bonze U. and Hart M. Moire patterns of atomic planes obtained by X-ray interferometry.// Zeitschrift fur Physik, 1966, v.190, p. 455-467

4. Комптон А., Алисон С. Рентгеновские лучи. Перев. под ред. Д.Д.Гогоберидзе.// М.-Л., Гостехиздат,1941

5. Brogren G. A note on the widths of x-ray emission lines.// Arkiv. Fysik, 1954, v.8, N4, p.391-400.

6. Paratt G. Resolving power of the two- crystal x-ray spectrometer.// Rev. Scien. Instr., 1933. v.6, N7. p.387-399.

7. Джеймс P. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. Перев. с англ.// М.: ИЛ, 1950,- 572с.

8. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. Перев с англ.// М.: Наука, 1970.- 856с.

9. Шаскольская М.П. Кристаллография.// М.: Наука, 1979

10. Laue М. Eine quantitative Prufung der Theorie fur die Interferenz- Erscheinungen bei Rontgenstrahlen. Naturwiss., 1952, v. 16, p.368

11. Darvin C.G. The theory of X-ray reflection.// Phil. Mag., 1914, v.27, p.315-333, 675690

12. Ewald P.P. Zur Begrundung der Kristal loptik; III: Die Kristalloptik der Rontgenstrahlen.// Ann. Phys.(Lpz), 1917, v.54, p.519-597.

13. Laue M. Die dynamische Theorie der Rontgenstrahlinterferenzen in neuer Form.// Ergebn. ex. Naturwiss., 1931, v.10, N1, p.133-158.

14. Laue v.M. Rontgenstrahlinterferenzen.- Frankfurt an Main, Akademische Verlag., I960,- 476p.

15. Zachariasen W.H. Theory of x-rays diffraction in crystals.// New York: J. Wiley, Sons, 1945.

16. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей.// М.: Изд. Московского ун-та, 1972.- 246с.

17. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика.// М.: Наука, 1982,- 392с.

18. Kato N., Lang A.R. A study of pendellosung fringes in X-ray diffraction.// Acta Cryst. , 1959, v.12, N4, p.787-794.

19. Tapfer L. and Ploog K.H. Improved assessment of structural properties of AlxGai xAs/GaAs heterostructures and superlattices by double- crystal x-ray diffraction.// Phys. Rev. В, 1986, v.33, N8, p. 5565-5574.

20. Mac Gillavry C.H. Zur Prufung der dynamischen Theorie der Elektronenbeugung am Kristallgitter.// Physica, 1940, v.7, p.329-343.

21. Bethe H. Theorie der Beugung von Elektronen an Kristallen.// Ann. Physik, 1928, v.87, p.55-129.

22. Kato N. A theoretical study of pendellosung fringes. Part I. General consideration.// Acta Cryst., 1961, v. 14, N5, p.526-533.

23. Kato N. A theoretical study of pendellosung fringes. Part II. Detailed discussion based upon a spherical wave theory.//Acta Cryst., 1961, v. 14, N6, p.627-636.

24. Kato N. Spherical- wave theory of dynamical x-ray diffraction for absorbing perfect crystals. Part I. The crystal wave- fields.//J. Appl. Phys., 1968, v.39, N5, p.2225-2230.

25. Kato N. Spherical- wave theory of dynamical x-ray diffraction for absorbing perfect crystals. Part II. Integrated reflection power.// J. Appl. Phys. 1968, v.39, N5, p.2231-2237.

26. Batterman B.W.and Hildebrandt G. X-ray pendellosung fringes in Darwin reflection.// Acta Cryst., 1968,. V.A24, p. 150-157

27. Renninger von M. Messungen zur Rontgenstrahl-Optik des Idealkristalls. II. Diffraction pattern mit "Pendellosung" gleicher Neigung.// Acta Cryst., 1968,v.A24, p. 143-149

28. Lefeld-Sosnowska M., Malgrange C. Experimental evidence of plane wave rocking curve oscillation.// Phys.Stat.Sol., 1969, v.34, N2, p, 635-647

29. Kikuta S., Kohra K. X-ray interference fringes from a wedge- shaped silicon single crystal obtained by an incident plane wave.// J. Phys. Soc. Japan, 1968, v.25, N3, p.923-924

30. Kikuta S., Kohra K.Variation with thickness in the profile of Laue -case diffraction curve of X-rays from a thin Si crystal.// J. Phys. Soc. Japan, 1968, v.25, N3, p.924

31. Nakayama K., Hashizume H., Kohra K. Equal- thickness interference fringes in the Bragg-case diffraction of x-rays.// J. Phys. Soc. Japan, 1970, v.30, N3, p. 893

32. Petroff J.F., Sauvage M., Riglet P. and Hashizume H. Synchrotron- radiation plane-wave topography I. Application to misfit dislocation imaging in III-V heterojunctions .// Philosophical magazine A, 1980, v.42, N3, p. 319-338

33. Kato N. Pendellosung fringes and dispersion surface. //J. Phys. Soc. Japan, 1966, v.21.p,1772

34. Kato N., Tanemura S. Absolute measurement of structure factors with high precision.// Phys. Rev. Lett., 1967, vol.19, Nol, p.22-24.

35. Kato N. Determination of structure factors by means of pendellosung fringes.// Acta Cryst., 1969, vol.A25,Nol, p.l 19-128.

36. Tanemura S., Kato N. Absolute measurement of structure factors of Si by using x-raypendellosung and interferometry fringes.// Acta Cryst., 1972, vol.A28, Nol, p.69-80.

37. Hart M., Milne A.D. Direct observation of plane wave and spherical wave pendellosung fringes.// Phys. Stat. Sol., 1968, vol.26, Nol, p.l 85-189.

38. Authier A., Milne A.D. and Sauvage M. X-ray dynamical contrast of a planar defect.// Phys . Stat. Sol.,1968, v.26,No2, p.469-484

39. Kato N., Usami K., Katagava T. The X-ray diffraction image of stacking fault.// Advan. X-ray Anal., 1967, vol.10, p.46-66

40. Authier A., Sauvage M, Dislocation de Made dans la calcite interfences d'un lamelle de Made.// J. de Phys., 1966, vol.27, NoC3, p.l37-150

41. Authier A. Contrast of a stacking fault on X-ray topographs.// Phys. Stat. Sol., 1968, vol.27, Nol, p.77-93.

42. Authier A., Simon D. Application de la theorie dynamique de S. Takagi au contraste d'un defaut plan en topographie par rayons X. I. Faute d'empilement.// Acta Cryst., 1968, v. A24,p. 517-526

43. Simon D., Authier A. Application de la theorie dynamique de S. Takagi au contraste d'un defaut plan en topographie par rayons X. II. Franges de moire.// Acta Cryst., 1968, v. A24,p. 527-534

44. Bonze U. and Hart M. An X-ray interferometer with Bragg case beam splitting and recombination.// Z. Physik, 1966, v. 194, p. 1-17

45. Bonze U. and Hart M. Combined Laue- and Bragg- case X-ray interferometers.// Acta Cryst., 1968, v. A24, p. 240-245

46. Bonze U. and Hart M. Principles and design of Laue-case X-ray interferometers.// Z. Physik, 1965, v. 188, p. 154-164

47. Hashimoto H., Theory of Moire effect in electron diffraction. // Phil.Trans. R. Soc. London,1961, vol.253, рр.490-516

48. Yoshimura J. A detailed observation of the nonprojectiveness of X-ray Moire- fringed diffraction images.// Acta Cryst., 1996, v. A52, p. 312-325

49. Ohler M., Hartwig J. and Prieur E. Moire fringes and/or translation-fault fringes?// Acta Cryst., 1997, v. A53, p. 199-201

50. Пинскер З.Г. В сб. : Проблемы современной кристаллографии: Современные представления о природе дифракционного муара.//М.: Наука, 1975, стр. 186-197.

51. Миусков В.Ф. В сб. : Проблемы современной кристаллографии: Рентгеновский муар кристаллических решеток.//М.: Наука, 1975, стр. 186-197.

52. Lang A.R., Miuscov Y.F. A-scale displacement revealed by X-ray moire topographs.// Appl. Phys. Lett., 1965, v. 7,N 8, p.214-216

53. Bradler J., Lang A.R. Use of the Ewald sphere in aligning crystal pairs to produce X-ray moire fringes.// Acta Cryst., 1968, v. A24, 246-247

54. Chikawa J. X-ray observation of moire patterns with superposed CdS crystals.// Appl. Phys. Lett., 1965, v. 7 №7, p. 193-195

55. Bonse U. Hart M. X-ray diffraction by a crystal containing a translation fault.// Phys. Stat. Sol., 1969, v. 33, p. 351-359

56. Bonse U., Hart M., Schwuttke G.H. X-ray investigation of lattice deformation in silicon induced through high-energy ion implantation.// Phys. Stat. Sol., 1969, v. 33, p. 361-374

57. Deslattes R.D. Optical and X-ray interferometry of a silicon lattice spacing.// Appl. Phys. Lett., 1969, vol.15, Nol 1, p. 386-388.

58. Hart M., Bonse U. X-ray interferometry.// Phys. Today, 1970, vol.23, Nol, p. 26-30.

59. Hart M. Bragg reflection x-ray optics.// Rep. Progr. Phys., 1971, vol.34, No5, p. 435490.

60. Hart M. Review lecture Ten years of x-ray interferometry.// Proc. R. Soc. Lond. A, 1975, vol.346, NolO, p. 1-22.

61. Wieteska K. X-ray diffraction investigations of high-energy a-particle damage in silicon.//Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 68, p. 179-185

62. Wieteska K., Wierzchowski W.K. The Bragg-case diffraction patterns of silicon implanted with high energy a-particles.// Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 147, p. 55-66

63. Kyutt R.N., Petrashen Р.У. and Sorokin L.M. Strain profiles in ion- doped silicon obtained from X-ray rocking curves.//Phys. Stat. Sol. (a), 1980, vol.60, pp. 381-389

64. Milita S. And Servidori M. Damage in ion implanted silicon measured by x-ray diffraction.// J. Appl. Phys., 1996, vol.79, N 11, pp. 8278-8284

65. Milita S. and Servidori M. X- ray rocking curve analysis of crystal with buried amorphous layers case of ion- implanted silicon.// J. Appl. Crystallog., 1995, vol. 28, pp. 666- 672

66. Ohler M., Kohler S. and Hartwig J. X-ray diffraction moire topography as a means to reconstruct relative displacement fields in weakly deformed bicrystals.// Acta Cryst., 1999, v.A55, p. 423-432

67. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystal with any kind of small distortion.// Acta Cryst., 1962, vol.15, No 12, p.1311-1312

68. Taupin D. Theorie dynamique de la diffraction des rayons X par les cristaux deformes.// Bull.Soc.Franc.Miner.Crist., 1964, vol.87, No2, p.469-511.

69. Appel A., Bonse U. Michelson interferometer for X rays and thermal neutrons.// Phys. Rev. Lett., 1991, v.67, № 13, p. 1673-1676

70. Bartscher M., Bonse U. X-ray-interferometric determination of A-scale lattice shifts at the surface of silicon crystals the analogue to light-optical interference microscopy.//

71. Cryst. Res. Technol. 1998, v.33,№4, p. 535-541

72. Jiang B.L., Shimura F., and Rozgonyi G.A. X-ray moire pattern in dislocation-free silicon- on-insulator wafers prepared by oxygen ion implantation.// Appl. Phys. Lett., 1990, v.56. N4, p. 352-354

73. Ohler M. Prieur E. and Hartwig J. X-ray moire topography on S1MOX structures.// J. Appl. Cryst., 1996, v.29, p.568-573

74. Tapfer L. and Ploog K.H. X-ray interference in ultrathin epitaxial layers: A versatile method for the structural analysis of single quantum wells and heterointerfaces.// Phys. Rev. B. 1989. v.40, N14, p. 9802-9810.

75. Bocchi C. and Ferrari C. A study of thin buried layers in Ш-V compound heterostructures by high- resolution x-ray diffraction.// J. Phys. D: Appl.Phys., 1995, v.28, p. A164-A168

76. Chu X., Tanner B.K. Interference peaks in double-crystal x-ray rocking curves of laser structures.// Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, N26, p. 1773-1775

77. Jeong J., Schlesinger Т.Е. and Milnes A.G. X-ray characterization of InGaAs/GaAs quantum wells.// J. Crys. Growth, 1988, vol.87, p. 265-275

78. Wie C.R. X-ray interference in quantum-well laser structures.// J. Appl. Phys., 1989, vol.65, N3, pp. 1036-1038

79. Holloway H. X-ray interferometry and its application to determination of layer thickness and strain in quantum-well structures.// J. Appl. Phys., 1990, v.67, N10, p. 62296236

80. Tanner В.К. X-ray scattering from multiple- layer structures forming Bragg- case interferometers.// J. Phys. D: Appl. Phys., 1993, v.26, p. A151-A155

81. Parisini A., Milita S. and Servidori M. Bragg case X-ray interference in multilayered structures comparison between kinematical and dynamical treatment.// Acta Cryst., 1996, vol. A52, pp. 302-311

82. Krost A., Heinrichsdorff F., Bimberg D., Darhuber A. and Bauer G. High- resolution X-ray diffraction of self- organized InGaAs/GaAs quantum dot structures.// Appl. Phys. Lett. Vol., 1996, v. 68, N 6 , pp.785-787

83. Имамов P.M., Ломов А.А., Пашаев Э.М., Афанасьев A.M. и Чуев M.A. Достижения высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в характеризации многослойных гетероструктур.// Поверхность, 1999, №12, стр. 11-20

84. Афанасьев A.M., Чуев М.А., Имамов P.M., Пашаев Э.М., Якунин С.Н. и Хорват Дж. Двухкристальная рентгеновской дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн.// Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 74, в.9-10,с. 560-564.

85. Yoshimura J. Oscillation in X-Ray rocking curves of gapped crystals due to a new type interference between transmitted and Bragg reflected waves.// phys. stat. sol. (a), 1991, v. 125, p. 429-440

86. Kolesnikov A.V., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Sokolov L.V, Fedorov A.A., Pchelyakov O.P., Romanov S.I. Investigation of the atomic crystal plane relief by x-ray epitaxial film interferometer.//Applied Surface Science, 2000, v. 166/1-4, p. 82-86.

87. Василенко А.П., Колесников А.В., Никитенко С.Г., Ревенко М.А., Соколов Л.В., Федоров А.А., Труханов Е.М. Исследование искажений кристаллической решетки в эпитаксиальных наноструктурах.// Поверхность, 2000, №9, с.64-68.

88. Vasilenko А.P., Kolesnikov A.V., Nikitenko S.G., Fedorov A.A., Sokolov L.V.,

89. Nikiforov A.I., Trukhanov E.M. X-ray film interfererometr as an instrument for semiconductor heterostructure investigation.// Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 2001, v. A470, p. 110-113.

90. Арутюнян B.C. Рентгенодифракционное изображение недифрагирующей зоны с переменной шириной.// Кристаллография, 1996, т.41, №6, с. 965-970.

91. Wieteska K.,.Wierzchowski W., Graeff W. Interference effects in Bragg- case synchrotron section topography of elastically bent silicon implanted crystals.// Nuovo Cimento, 1997, v. 19D,N2-4, p.233

92. Wieteska K.,.Wierzchowski W., Graeff W. and Turos A. Applicaton of Bragg- case synchrotron section topography for strain profile determination in A3B5 implanted semiconductors.// J. Phys. D: Appl. Phys., 2001, v. 34, N10A, p. A122- A127.

93. Sedrakyan A.G., Haroutyunyan V.S., Bezirganyan P.H., Subotowicz M. and Trouni K.G. X-ray diffraction investigations of structural distortions of ion- implanted semiconductor single crystals.// Phys. Stat. Sol. (a), 1991, v. 123, p. 83-99.

94. Haroutyunyan Y.S. and Sedrakyan A.G. X-ray diffraction structural investigations of a bicrystalline system by section topography under conditions of anomalous Borrmann absorption.// Acta Cryst., 1997, v. A53, p.410-414.

95. Trukhanov E.M. and Kolesnikov A.Y. Film Quality Effects Associated with

96. Formation of Misfit Dislocations at Semiconductor Interfaces.// Applied Surface Science, 1998, v. 123/124, p. 669-673.

97. Kolesnikov A.V., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Gutakovsky A.K. Investigation of misfit stresses releasing in semiconductor heterostructures.// Applied Surface Science, 2000, v. 166/1-4, p. 57-60.

98. Труханов E.M., Колесников А.В., Василенко А.П., Гутаковский A.K. Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых гетероструктурах.// ФТП, 2002, т. 36, вып. 3, с. 309-316.

99. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. Кремний- германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур.// Успехи физических наук, 2001, т. 171, № 7, с.689-715.

100. Ohler M.and Hartwig J. Theory of Moire fringes on X-ray diffraction topographs of bicrystals.// Acta Cryst., 1999, v. A55, p. 413-422.

101. Lin T.L., Wang K.L. New silicon- on- insulator technology using a two step oxidation technique.// Appl. Phys. Lett., 1986, v. 49, N17, p.l 104-1106.

102. Konaka S., Tabe M., Sakai T. A new silicon- on insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon.// Appl. Phys. Lett., 1982,v. 41, N1, p.86-89.

103. Ito Т., Yasumatsu Т., Hiraki A. Homoepitaxial growth of silicon on anodized porous silicon.//Appl. Surf. Sci., 1990, v. 44, p. 97-102.

104. Yasumatsu Т., Ito Т., Nishizawa H., Hiraki A. Ultrathin Si films grown on porous silicon.// Appl. Surf. Sci., 1991, v. 48/49, p. 414-418.

105. Baumgart H., Phillipp F., Celler G.K. Defect structure of epitaxial films grown on porous silicon.// Inst. Phys. Conf. Ser., 1983, N67, Sect. 4, p.223-228.

106. Takai H., Itoh T. Isolation of silicon film grown on porous silicon layer.// J. Electron. Mater., 1983, v. 12, N6, p. 973-982.

107. Bomchil G., Halimaoui A, Herino R. Porous silicon: the mateial and applications in silicon- on- insulator technologies.//Appl. Surf. Sci., 1989, v. 41/42, p. 604-613.

108. Xie Y.H. and Bean J.C. From porous Si to patterned substrate.// J. Vac. Sci. Technol., 1990, v. B98, N2, p. 226-231.

109. Barla K., Herino R., Bomchii G., Pfister J.C., Freund A. Determination of lattice parameter and elastic properties of porous silicon by X-ray diffraction.// J. Crystal Growth, 1984, v. 68, N3, p. 727-32.

110. Sugiyama H., Nittono O. Anneling effect on lattice parameter distortion in anodized porous silicon layers.// Japan. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, N 11, p. L2013-L2016.

111. Kun Ho Kim, Bai G., Nicolet M.-A., Venezia A. Strain in porous Si with and without capping layer.//J. Appl. Phys., 1991, v. 69, N 15, p.2201-2205.

112. Горохов Е.Б., Покровская С.В. Влияние сульфидной очистки поверхности Ge на свойства границы раздела германий-диэлектрик.// Электронная Техника. Сер. 6: Материалы, 1982, №4, с.20

113. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки.// М.: Мир, 1989, 164с.

114. Номероцкий Н.В., Труханов Е.М., Амиржанов P.M. Наблюдение и количественный анализ неоднородностей сверхрешеток методом рентгеновской топографии.// Поверхность ,1994,.N 7, с.65-69.

115. Kikuta S., Kohra К., Sugita Y. Measurements on local variations in spacing and orientation of the lattice plane of Si single crystals by X-ray double-crystal topography.// Jap. J. Appl. Phys., 1966, v. 5, p. 1047-1055.

116. Tanner B.K. X-ray diffraction topography.// Oxford: Pergamon Press, 1976,174р. (International Series in the Science of the Solid State, v. 10).

117. Trukhanov E.M., Vassilev I.S. Botev P.A., Lyakh N.V., Sidorov Yu.G., Stenin S.I. X-ray double crystal topographic measurements of distorted crystals.// Crys. Res. Technol., 1989, v.24, N12, p. 1253-1258.

118. Труханов E.M., Амиржанов P.M., Федоров A.A. Определение градиента поля искажений периода сверхрешеток с помощью синхротронной дифракционной топографии.//Поверхность, 1996, №9, с. 64-68.

119. Trukhanov Е.М., Amirzhanov R.M., Fyodorov A.A. Determination of the gradient of the field of superlattice period distortions using synchrotron diffraction topography.// Surface Invest., 1997, v. 12, N5, p. 1065-1070.

120. Drobyazko I.B., Emelyanenkov D.G., Litvinov Y.M., Rogalev A.L., Fedorov V.K. Polarized Fluorescence EXAFS-Studies of HTSC Thin-Films.// Nuclear Instruments &

121. Methods in Physics Research Section A-Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment, 1991, v. 308, N 1-2, p. 243-245.

122. Шульпина И.JI. Рентгеновская дифракционная топография. Этапы и тенденции развития.// Поверхность, 2000, №4,с.З-18.

123. Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1989,152 с.

124. Vasilenko A.P., Kolesnikov A.V., Trukhanov E.M., Sokolov L.V., Fedorov A.A.,

125. Pchelyakov О.P., Romanov S.I. Precise structure investigations of heterosystem epitaxial Si/ porous Si /substrate Si.// Workbook of 26th International Symposium on Compound Semiconductors, Berlin, Germany (ISCS 1999, 22-26 August 1999), 1999, p.MOP-2.