Кинетика формирования наноструктур при вакуумной конденсации металлов на поверхность с развитой морфологией тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

484959»

ОМОРОКОВ Дмитрий Борисович

КИНЕТИКА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР ПРИ ВАКУУМНОЙ КОНДЕНСАЦИИ МЕТАЛЛОВ НА ПОВЕРХНОСТЬ С РАЗВИТОЙ МОРФОЛОГИЕЙ

Специальность: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

5 НЮН 2011

Воронеж-2011

4849599

Работа выполнена в ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет»

Научный руководитель доктор физико-математических

наук, профессор Шведов Евгений Васильевич

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических

наук, профессор

Безрядин Николай Николаевич;

доктор физико-математических

наук, профессор

Нечаев Владимир Николаевич

Ведущая организация ГОУВПО «Воронежский государ-

ственный университет»

Защита состоится «21» июня 2011 г. в 1400 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д 212.037.06 ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» по адресу: 394026, г. Воронеж, Московский просп., 14.

С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет».

Автореферат разослан «20» мая 2011 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Понижение размерности может приводить к существенному изменению свойств материалов. Достаточно давно известно, что свойства малых частиц вещества в значительной степени отличаются от свойств массивного материала. С другой стороны, макроскопический объемный материал, имеющий нанокристаллическую структуру, приобретает целый ряд свойств, которые невозможно получить в материалах других (поликристаллической и даже монокристаллической) структур. Магнитные, сверхпроводящие, полупроводниковые, механические и другие свойства для материалов, находящихся в макроскопическом объеме, достигли своих максимальных значений, и очень трудно добиться улучшения каких-то характеристик за счет более совершенной технологии или изменения концентрации составляющих элементов. Дальнейший прогресс в получении материалов с новыми свойствами связан с такими изменениями в структуре, которые оказывают влияние на свойства, характерные для макроскопических объектов. В настоящее время первостепенное значение имеют фундаментальные исследования, направленные на создание принципиально новых технологических процессов и продуктов. Поэтому нано-технология (т.е. технология объектов нанометрового масштаба) стала приоритетным направлением исследований. Возможно, нанотехнология сможет усовершенствовать некоторую часть морально устаревших и неэффективных процессов производства, но все-таки ее главное место - в новых областях, в которых традиционными методами невозможно достигнуть требуемых результатов.

Образование периодически упорядоченных структур на поверхности и в эпитаксиальных пленках металлов и полупроводников охватывает широкий круг явлений в физико-химии твердого тела. Актуальность исследований в данной области обусловлена необходимостью получения наноструктур с характерными размерами 1-100 нм.

Наноструктуры представляют самостоятельный фундаментальный научный интерес как объекты для изучения размерной зависимости структуры и свойств материалов. В то же время современные технологии позволяют реализовать размерный эффект свойств в конструкционных материалах субструктурного дизайна, что, в свою очередь, требует знания закономерностей формирования компактных наноструктур.

Исходя из вышеизложенного формулировали цель и ставили задачи данной работы. Работа выполнена в региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг. (гос. контракт № 02.740.11.0126), поддержана грантом Президента РФ по поддерж-

ке ведущих научных школ № НШ-3898.2008.3 и грантом РФФИ 08-08-00214-а: «Закономерности формирования, структура и водородная проницаемость пленок Pd и сплавов на его основе».

■ Цель работы: выявление закономерностей кинетики образования нанокристаллов на поверхности с развитой морфологией при вакуумной конденсации металлов.

В соответствии с целью в работе решались следующие задачи:

расчет режимов конденсации, необходимых для формирования на-нопроволок на ступенях кристаллической подложки;

исследование методом молекулярной динамики кинетики образования и ориентации кластеров металлов на поверхности кристалла, содержащей активные центры зарождения;

исследование зависимости плотности островков на поверхности с открытой пористостью и глубины заполнения пор от параметров вакуумной конденсации и рельефа поверхности методом численного решения уравнений диффузии и кинетики зародышеобразования.

Для выполнения поставленных задач в рамках предложенных моделей решались уравнения диффузии (аналитически и численно), а также проводилось моделирование методом молекулярной динамики зарождения и роста металлического кластера на анионной вакансии и на обычных узлах адсорбции.

Объекты исследования: островковые пленки Аи на ионных кристаллах; пленки Pd на поверхности с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь XI8Н10Т).

Научная новизна.

1. Впервые определены условия, необходимые для образования на-нопроволок на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации металлов из пара. Рассчитано время формирования нанопроволок при разных значениях температуры подложки и скорости конденсации. Получен патент РФ на изобретение «Способ формирования проводящего элемента наномеггрового размера».

2. Методом молекулярной динамики исследовано влияние анионной вакансии ЩГК на ориентацию малоатомного кластера Аи в процессе его зарождения и роста. Установлено, что ориентация кластера определяется геометрией потенциального рельефа в окрестности вакансии и соотношением глубин потенциалов взаимодействия атомов конденсата с различными (металл, галоген) атомами подложки.

3. Получены данные о кинетике формирования нанокристаллической структуры на поверхности с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при вакуумной конденсации Pd.

4. Впервые рассчитана глубина пор, которые может заполнить конденсируемый материал (Р<1) при разных параметрах конденсации и разном рельефе поверхности с открытой пористостью.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Определены условия формирования нанопроволок на ступенях поверхности ионных кристаллов при разных параметрах конденсации Аи (скорости конденсации и температуры подложки).

2. Методом молекулярной динамики показано, что анионная вакансия на поверхности кристалла №С1 оказывает ориентирующее влияние на кластер Аи.

3. На начальном этапе вакуумной конденсации Р<1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) степень заполнения подложки зависит от угла между нормалью к поверхности и направлением потока конденсируемых атомов.

4. Глубина заполнения пор при вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при определенных параметрах конденсации и радиусе поры может достигать 28 мкм.

Практическая значимость работы.

Предложен новый способ формирования проводящего элемента на-нометрового размера. Практическим результатом изобретения является создание простой и эффективной технологии формирования твердотельных одномерных проводящих наноструктур (патент РФ № 2401246).

Результаты моделирования роста методом молекулярной динамики металлического кластера на ЩГК раскрывают механизм ориентирующего влияния анионных вакансий и могут быть использованы для прогноза плотности и ориентации наночастиц на поверхности монокристаллов.

Расчет кинетики формирования нанокристаллической структуры на поверхности ТЮ2 при вакуумной конденсации Р<1 может быть использован при выборе оптимальных условий конденсации для создания композиционных мембран, обладающих большой эффективной проницаемостью водорода.

Диффузионные уравнения и их решения могут быть использованы в учебном процессе при подготовке студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», специализирующихся в области физического материаловедения, как примеры различных диффузионно-контролируемых процессов при росте нанокристашюв.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на IV Международной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаплизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), VI Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и

проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2007).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 8 научных работах, в том числе 3 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 1 патент РФ на изобретение.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1,2,7,8] - расчет режимов роста нанопроволок на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации Аи; [4] - разработка нового способа получения нанопроволок; [3, 5, 6] - исследование роста островковой пленки Аи на поверхности кристалла NaCl.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 172 наименований и приложения. Основная часть работы изложена на 97 страницах, содержит 34 рисунка и 4 таблицы.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цели и задачи исследования, перечислены основные положения, выносимые на защиту, показана научная новизна полученных результатов и их практическая значимость, приведены сведения об апробации результатов работы, публикациях, структуре и объеме работы.

В первой главе сделан краткий литературный обзор по теме диссертации. Приведены результаты экспериментов in situ, в которых испарение и конденсация металла производились непосредственно в колонне электронного микроскопа, что позволяло следить за последовательными стадиями образования конденсата на одном и том же участке подложки, находящемся в поле зрения микроскопа. Эти эксперименты дали детальную картину динамики морфологических преобразований структуры островковых пленок при конденсации на нейтральные и кристаллические подложки. В рамках метода кинетических уравнений рассмотрено количественное описание кинетики формирования конденсата: роста свободных островков и островков в ансамбле.

Изучено понятие критической толщины тонкой пленки, отвечающей переходу от практически не проводящего состояния конденсата, находящегося на диэлектрической подложке, к электрически сплошному слою. Критическая толщина тесно связана со структурными характеристиками пленки. Она определяется поверхностной плотностью частиц, их формой, функцией распределения частиц по размерам. В районе критической толщины сопротивление резко уменьшается на несколько порядков, и проводимость приобретает нормальную температурную зависимость («металли-

ческого» типа). Показана зависимость критической толщины тонкой пленки от температуры подложки и скорости конденсации.

Дан обзор экспериментальных данных по зарождению островков на гранях ионных кристаллов, который показывает, что решающее влияние на зарождение нанокристаллов оказывает дефектная структура кристалла-подложки. В случае выращивания пленок на ионных кристаллах зарождение происходит преимущественно на точечных дефектах, имеющих заряд, или их скоплениях. Этот факт имеет первостепенное значение для разработки способов улучшения условий эпитаксиального роста, которые основаны на том, что путем различных физических воздействий регулируется дефектная структура кристалла-подложки. К числу таких воздействий относятся: облучение подложки рентгеновскими лучами, электронами, гамма-облучение, насыщение подложки примесями и т.п. Отмечено, что при анализе роста конденсированных пленок роль дефектов оценивается по суммарному (интегральному) их влиянию на ориентацию островков. Литература по исследованию влияния отдельных анионных вакансий на рост и ориентацию островков практически отсутствует.

Остается актуальной проблема зарождения и роста островков на поверхности с открытой пористостью. Нет данных о глубине заполнения пор и зависимости результирующей толщины пленки от числа конденсированных монослоев или времени конденсации.

Во второй главе рассчитаны условия, необходимые для формирования нанопроволоки в процессе вакуумной конденсации Аи на поверхность ионного кристалла (скорость конденсации, время, температура подложки). На сегодняшний день экспериментально установлено, что различного рода дефекты, естественные или создаваемые искусственно, оказывают решающее влияние на плотность насыщения островков. Линейная плотность островков на ступенях скола на порядок больше, чем на остальной части подложки, что может приводить к образованию сплошной нанопроволоки на ступенях раньше, чем на бездефектной подложке наступит порог коалес-ценции. В этом случае нанопроволоку вдоль ступеней можно использовать как проводник электрического тока.

Рассматриваемая модельная система представляет собой кристаллическую подложку из диэлектрика (ионный кристалл), содержащую ступени и активные центры зарождения (вакансии в поверхностном слое), на которую конденсируется поток металлических атомов Л (см"2с''). Ступени и активные центры рассматриваются в качестве стоков для диффундирующих к ним адсорбированных атомов (адатомов). Время формирования нанопроволоки принимается равным времени роста островков на ступени до их коалесценции.

Электропроводность островковых пленок зарегистрирована при характерном расстоянии между островками 100 А, поэтому для получения

нанопроволоки, проводящей электрический ток, нет необходимости достигать полной коалесценции островков вдоль ступени. Проведенный нами расчет позволяет подобрать режим, при котором на ступенях произошла коалесценция островков и сформировалась сплошная нанопроволока, а степень заполнения между ступенями в этот момент времени остается ниже уровня, необходимого для протекания электрического тока.

Степень заполнения подложки между ступенями Z определяют отношением числа мест адсорбции о, занятых всеми островками (с учетом зоны захвата вокруг каждого островка в несколько межатомных расстояний) к общему числу мест адсорбции на единице площади подложки.

Время формирования нанопроволоки Ц рассчитывают как время образования полусферических островков на ступени до начала их коалесценции.

На диаграмме 1 а в координатах lg R -1 определена область формирования нанопроволоки. Кривая 1 соответствует пороговому значению времени, по достижении которого на подложке образуется нанопроволока; кривая 2 отвечает моменту времени, когда возникает электрическая проводимость между ступенями. На диаграмме можно выделить три области: I -нанопроволоки на ступенях отсутствуют; II - вдоль ступеней образовались нанопроволоки; III - короткое замыкание нанопроволок через островковую пленку.

Рис. 1. Диаграммы, иллюстрирующие область формирования нанопроволоки (II) в системе Аи-ЫаС1: а) при разных значениях скорости конденсации, Т = 473 К, о = 500; б) при разных значениях температуры подложки, Я = 1017 см"2с"', о = 500

Z,%Abp,c

0 10 20 30 40 50 tc

а)

290 340 390 440 490 540 590 640 Т, К

б)

Области формирования нанопроволоки при разных значениях температуры иллюстрирует диаграмма, изображенная на рис. 1 б. Кривая 1 соответствует ц, кривая 2 - заполнению подложки между ступенями в момент ^ В области I существует электрический контакт островков как на ступенях, так и между ними, поскольку заполнение подложки превышает допустимый уровень. При таких условиях конденсации нанопроволоку получить невозможно. В области II между ступенями островки располагаются на расстоянии, большем 100 А, электрический контакт отсутствует, а на ступенях образуются нанопроволоки.

Системы, в которых возможно формирование нанопроволоки при разных температурах подложки, отображает табл. 1. Каждой системе конденсат-подложка соответствует свое значение энергии активации поверхностной диффузии В таблице условия, необходимые для получения нанопроволоки, обозначены знаком «+», а недостаточные - знаком «-».

Таблица 1

Области формирования нанопроволоки для различных систем при разных значениях температуры подложки_

Температура, К Энергия активации диффузии адатомов, эВ

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5

293 + + + + + + +

343 + + + + + + + +

393 + + + + + + + + +

443 + + + + + + + + + + + - - -

493 + + + + + + + + + + + + - -

543 + + + + + + + + + + + + + -

593 + + + + + + + + + + + + + + +

643 + + + + + + + + + + + + + + +

На рис. 2 приведена микрофотография нанопроволок, полученных в сверхвысоком вакууме (210"6 мм. рт. ст.) по предлагаемому способу. Режим конденсации находится в пределах области II диаграмм, представленных на рис. 1.

Таким образом, при определенных соотношениях параметров конденсации возможно формирование нанопроволок на ступенях кристаллической поверхности. При этом островковая пленка между ступенями остается непроводящей.

В третьей главе представлены результаты моделирования методом молекулярной динамики (МД) роста и ориентации дискретных наноструктур на поверхности ионных кристаллов.

Для оценки влияния анионных вакансий на ориентацию малоатомных кластеров было использовано моделирование методом МД процесса

зарождения и роста металлического кластера на анионной вакансии и, для сравнения, на обычных узлах адсорбции.

Рис. 2. Микрофотография островков золота на подложке NaCI, содержащей ступени. Увеличение 60 тыс. раз1

Моделирование проводилось при различных соотношениях глубин потенциалов взаимодействия конденсированных атомов между собой и с атомами подложки. Глубину потенциала взаимодействия между атомами кластера принимали равной 1. Глубину потенциала взаимодействия между атомами кластера и атомами подложки варьировали в диапазоне от 0,1 до 0,9. Атомы подложки фиксировались в пространстве.

При моделировании роста кластера поддерживали температуру, равную 700 К, т.е. скорости атомов масштабировались в соответствии с этой температурой. После статической релаксации атомы располагались в локальных минимумах энергии на поверхности подложки. Затем следовал цикл молекулярной динамики, в течение которого атомы совершали 50 колебаний и могли занять новые места на подложке или в кластере. Далее к кластеру в случайном месте добавлялся новый атом, и описанные действия повторялись.

В островковых пленках золота, полученных конденсацией в вакууме на свежие сколы по плоскости (001) кристаллов NaCI и KCl, наблюдаются две основные кристаллографические ориентации островков:

Микрофотография получена ВЛ. Аммером

(100) <110> Аи II (001) <110>ЫаС1 или КС1 (111) <110> Аи || (001) <110> №С1 или КС1

(1)

(2)

Доля островков в эпитаксиальной ориентации (1) возрастает при увеличении плотности точечных дефектов или при повышении температуры подложки.

Установлено, что ориентация малоатомного кластера на идеальной подложке определяется соотношением глубин потенциалов взаимодействия атомов Аи-Аи и Аи-атомы подложки. Кластер растет в эпитаксиальной ориентации (1) при значениях глубины потенциала межатомного взаимодействия золото-подложка больше или равных 0,5 (рис. 3 а). При меньших значениях глубин потенциала кластер растет в ориентации (2) (рис. 3 б).

Рис. 3. Малоатомные кластеры золота (первый слой) на идеальной плоскости (001) ЫаС1: а) глубина потенциала больше или равна 0,5; б) глубина потенциала меньше 0,5

Результат моделирования роста кластеров золота на анионных вакансиях для одинаковых значений глубины потенциала взаимодействия атомов конденсата с атомами как металла (Ме), так и галогена (С1) подложки представлен в табл. 2 (диагональные ячейки). Как и при росте на идеальной плоскости (001) №01 или КС1, ориентация кластера зависит от глубины потенциала, но переход к эпитаксиальной ориентации (1) происходит при достижении большего значения глубины потенциалов взаимодействия конденсат-подложка, чем это было в случае идеальной поверхности.

Ориентация кластеров определяется не только геометрией потенциального рельефа в окрестности вакансии, но и соотношением глубин потенциалов взаимодействия атомов конденсата с различными (металл, галоген) атомами подложки. Для проверки этого предположения был проведен ряд компьютерных экспериментов, в которых относительные значения глубин потенциала взаимодействия атомов золота с атомами металла и галогена варьировались от 0,1 до 0,9. Результат такой серии экспериментов пред-

ставлен в табл. 2, где для наглядности ориентация (1) обозначена как (001), а ориентация (2) - (111).

Таблица 2

Ориентация кластеров золота на анионных вакансиях ЫаС1 и КС1 в зависимости от соотношения глубин потенциала межатомного взаимодей-

ствия конденсат-подложка

Глубина потенциала взаимодействия атомов Аи с атомами С1 Глубина потенциала взаимодействия атомов Аи с атомами металла

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

Ориентация металлического кластера

0,1 (111) (111) (111) (111) (111) (111) (111) (001) (001)

0,2 (111) (Ш) (111) (111) ОН) (111) (001) (001) (001)

0,3 (111) (Ш) (111) (111) (111) (001) (001) (001) (001)

0,4 (111) (111) (111) (111) (001) (001) (001) (001) (001)

0,5 (111) (111) (111) (111) (111) (001) (001) (001) (001)

0,6 (111) (111) (111) (111) (111) (111) (001) (001) (001)

0,7 (111) (111) (111) (111) (111) (111) (001) (001) (001)

0,8 (111) (111) (111) (111) (111) (111) (001) (001) (001)

0,9 (111) (111) (111) (1П) (111) (111) (001) (001) (001)

Результаты моделирования, приведенные в табл. 2, показывают, что при предполагаемой более сильной связи золото-хлор по сравнению со связью золото-металл малоатомный кластер золота имеет ориентацию (2) относительно подложки. В случае большей энергии связи золото-металл кластер растет в эпитаксиапьной ориентации (1).

В ходе компьютерного эксперимента установлено, что если глубина потенциала взаимодействия золото-металл мало превышает глубину потенциала взаимодействия золото-галоген, то анионная вакансия оказывает ориентирующее влияние только на малоатомные комплексы, расположенные близко к ней (рис. 4).

На расстоянии, превышающем несколько периодов решетки, воздействие анионной вакансии уже не сказывается, и происходит перестройка решетки растущего островка. Если поверхность подложки содержит большое число анионных вакансий, то их суммарное влияние распространяется на всю поверхность.

Поскольку ориентация островков во многом предопределяет субструктуру сплошных пленок, то при дальнейшей вакуумной конденсации

продолжается ориентированная кристаллизация. Эта особенность позволяет объяснить наблюдающийся экспериментально эпитаксиальный рост пленки при увеличении точечных дефектов (вакансий) в приповерхностном слое подложки.

Рис. 4. Малоатомный кластер золота на анионной вакансии (первый слой) при небольшом превышении энергии связи золото-натрий над энергией связи золото-хлор

В четвертой главе проведен расчет кинетики заполнения поверхности с открытой пористостью (Ti02, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при вакуумной конденсации Pd, получены численные значения прогнозируемой глубины заполнения пор, которые согласуются с экспериментальными данными.

В расчетах плотности островков на поверхности ТЮ2 от величины потока атомов Pd из пара использовали модель подложки в виде плотно упакованных сфер радиусом rs, где каждая сфера является частицей порошка. В такой модели рельеф поверхности представляет собой чередование вершин и впадин вдоль любого направления. Заполнение пор происходит в основном благодаря диффузии адатомов к порам в результате свободных блужданий по подложке.

Результаты численного расчета профиля концентрации адатомов на поверхности с открытой пористостью показывают, что стационарное состояние, при котором концентрация свободных адатомов принимает максимальное значение и больше не изменяется, возникает в течение малого промежутка времени, который зависит от параметров системы (скорости конденсации, температуры подложки, энергии активации поверхностной диффузии). На рис. 5 а показано изменение плотности свободных адатомов при движении от вершины поверхности к соседней поре. Кривые I, 2 и 3 соответствуют моментам времени, в течение которых плотность адатомов продолжает увеличиваться, кривая 4 иллюстрирует стационарное состояние. Равновесная концентрация адатомов уменьшается с ростом Т, возрас-

тает с увеличением скорости конденсации и энергии активации поверхностной диффузии в системе. Значение потока атомов из паровой фазы Я в каждой точке поверхности с открытой пористостью различно и определяется углом 6 между нормалью к этой поверхности в каждой ее точке и направлением потока, поэтому плотность адатомов на вершинах поверхности, зависящая от Я, значительно больше, чем у края поры. Возникает градиент концентрации адатомов на поверхности подложки и, следовательно, их направленный поток к порам.

На рис. 3 б изображена зависимость степени заполнения подложки (в процентах) от угла 8. Несмотря на то, что плотность дефектов на всей поверхности подложки принята одинаковой, из-за значительной разницы потока атомов на отдельные участки этой поверхности степень заполнения Z максимальна на вершинах (9 = 0) и стремится к нулю при 0 = 90°. Кривые / и 2 иллюстрируют степень заполнения подложки при разных Я. Увеличение этого параметра приводит к росту Ъ. Зависимость Ъ при 0 = 0 от скорости конденсации нелинейна. Вершины поверхности с открытой пористостью оказываются заполненными адатомами на 100% при конденсации -40 МЬ. Это связано с диффузионным оттоком адатомов к порам подложки и полусферической формой островков.

а) б)

Рис. 5. а) Концентрационный профиль адатомов для разных моментов времени: Ей = 0,25 эВ, Т = 800 К, Я = 1015 см~2сч, ст = 5104; 1 -1 = 0,2 с, 2 - X = 0,4 с, 3 -1 = 0,6 с, 4 -1 = 0,8 с, г5 = 5 мкм; б) зависимость степени заполнения подложки от угла между нормалью к поверхности и направлением потока атомов: Т = 800 К, I = 1,5 с, 1 - Я = 1016 см"гс"'; 2-11= 10" см V1

Установлено, что глубина заполнения поры Н при вакуумной конденсации зависит, прежде всего, от ее радиуса гр. Из рис. 6 а видно, что Н находится в обратной зависимости от гр. Эта зависимость нелинейна

(рис. 6 б) и более выражена при небольшом радиусе пор (менее 5-10"5). Величина Н практически линейно зависит от времени конденсации (числа конденсированных монослоев МЬ). Увеличение температуры подложки приводит к увеличению Н.

Приведем численные значения прогнозируемой глубины заполнения пор для режима конденсации Т = 800 К; Я = 2,5-Ю15 см'2с"', Еа = 1,5 эВ,-табл.3.

Рис. 6. а) Зависимость глубины заполнения поры от времени конденсации: Ed = 0,25 эВ, Т = 800 К; R = 1017 cm'V1; 1 - гр = 5- Ю"5 см, 2 - гр = НО"5 см, 3 - гр = 5-Ю"4 см; б) зависимость глубины заполнения поры от радиуса поры: Ed = 0,6 эВ, Т = 800 К, R = 1017 cm'V; ML = 150

Таблица 3

Прогнозируемая глубина заполнения поры адатомами при вакуумной конденсации___

Радиус поры г„ см 5-10"5 ю-4 5-10"4 10° Число ML

Глубина заполнения поры Н, см 1,272-10"5 4,283-10"6 1,584-Ю"6 1,5-10"6 76

3,81610"5 1,285 105 4,752-10"" 4,499-10"6 227

6,359-105 2,142-Ю"5 7,92-10"6 7,499-10"6 378

1,272-10"4 4,283-10"5 1,584-10"1 1,5-10"5 757

5,087-10"4 1,713-Ю"5 6,336-Ю"5 5,999-10"5 З-Ю3

8,903-10"4 2,998-10"4 1,109-Ю"4 1,05-10"4 5,3-103

1,272-10"3 4,283 10"4 1,584-Ю"4 1,5-10"4 7,6-103

1,653-10"3 5,568-10"* 2,059- Ю"4 1,95-10"4 9,8-Ю3

2,035-10' 6,853-Ю"4 2,535-Ю"4 2,4-Ю"4 1,2-10"

2,416-10"3 8,138-Ю"4 3,01-Ю"4 2,849-10"4 1,4-Ю4

2,798-10° 9,423-Ю"4 3,485 10-* 3,299-Ю"4 1,7-104

На рис. 7 приведены профильные РЭМ изображения слоев Рё- ат. 8% У, полученных методом магнетронного распыления сплавной мишени на поверхностях с разной шероховатостью и пористостью.

Подложки из ТЮ2 и нержавеющей стали Х18Н10Т являются композитами, образованными прессованием высокодисперсного порошка, и содержат большое количество микропор. В отличие от них подложка на рис. 7 а представляет собой монокристалл 81, покрытый аморфным слоем БЮ2; в ней поры отсутствуют.

Рис. 7. РЭМ изображения профиля слоя ионноплазменного конденсата Рс1 - ат. 8%У на поверхности окисленного монокристалла кремния (а), пористой фольги ТЮ2 (б) и стали Х18Н10Т (в) при Т = 800 К 1

Разная результирующая толщина слоя Р<1-У (соответственно 6, 3,5 и 2 мкм) объясняется конденсационно-стимулированной поверхностной диффузией атомов конденсата в пористые подложки ТЮ-, и нержавеющей стали. Рис. 7 а иллюстрирует толщину пленки, которая образуется при отсутствии эффекта проникновения адатомов в подложку. В композитах из ТЮ2 и нержавеющей стали диаметры пор составляют 0,5 и 2 мкм соответственно. Заполнение пор и насыщение приповерхностного слоя пористой подложки конденсируемым материалом при вакуумной конденсации ~ 1,7-104 МЬ происходит на глубину в несколько микрометров, что соответствует расчетам, представленным в табл. 3 (выделенные ячейки). Происходит модификация поверхностного слоя - пористая матрица подложки насыщается материалом конденсата.

Данные проведенных расчетов позволяют прогнозировать глубину заполнения пор в результате проникновения Рс1 в поры подложки и подби-

' Фотография получена Е.К. Белоноговым

Рй-У

Сталь Х18Н10Т

рать необходимые режимы конденсации (скорость конденсации, температуру) для получения желаемых свойств водородных мембран.

В приложении приведен патент РФ «Способ формирования проводящего элемента нанометрового размера», полученный соискателем в соавторстве.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Рассчитаны режимы конденсации, необходимые для формирования нанопроволок на ступенях поверхности ионных кристаллов при вакуумной конденсаци Аи. Предложен новый способ формирования нанопро-волоки, отличающийся простой и эффективной технологией формирования твердотельных одномерных проводящих электрический ток наноструктур.

2. Методом молекулярной динамики исследовано влияние анионной вакансии ЩПС на ориентацию кластера при вакуумной конденсации золота. Кластер, растущий на анионной вакансии, имеет эпитаксиальную ориентацию при значительном превышении глубины потенциала взаимодействия золото-металл по сравнению с глубиной потенциала взаимодействия золото-галоген.

3. Установлено, что на начальных этапах вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮг, нержавеющая сталь Х18Н10Т) степень заполнения подложки нанокристаллами зависит от угла между нормалью к поверхности и направлением потока конденсируемых атомов. Зависимость степени заполнения подложки от скорости конденсации нелинейная, особенно на начальных этапах конденсации.

4. Рассчитана глубина заполнения поры при вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т). При определенных параметрах конденсации и радиусе поры

глубина заполнения может достигать 28 мкм.

***

Считаю необходимым выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю д-ру физ.-мат. наук, профессору Евгению Васильевичу Шведову. Появлению данной диссертации во многом способствовала работа автора в коллективе научной школы д-ра физ.-мат. наук, профессора, академика РАН Валентина Михайловича Иевлева. В проведении физических экспериментов принимали участие сотрудники региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии д-р физ.-мат. наук Сергей Борисович Кущев, канд. физ.-мат. наук Владимир Алексеевич Ам-мер, канд. физ.-мат. наук Евгений Константинович Белоногов, канд. физ.-мат. наук Сергей Анатольевич Солдатенко, инженер Светлана Александровна Показаньева, за что автор диссертации им глубоко признателен.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах: Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

1. Кинетика формирования нанопроволоки в процессе вакуумной конденсации металлов на поверхность кристаллов / В.М. Иевлев, Д.Б. Омо-роков, О.С. Хабарова, Е.В. Шведов // ФТТ. - 2009. - Т.51. - №11. - С. 22332236.

2. Омороков Д.Б. Исследование процесса формирования нанопроволоки и ее применение в элементной базе радиотехники / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Теория и техника радиосвязи. - 2009. - № 1. -С. 96-100.

3. Омороков Д.Б. Определение кинетики роста и ориентации ионных кристаллов методом компьютерного моделирования / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов II Теория и техника радиосвязи. - 2009. - № 2. - С. 91-95.

Патент на изобретение

4. Пат. 2401246 Российская Федерация, МПК В82В 3/00 (2006.01). Способ формирования проводящего элемента нанометрового размера / Д.Б. Омороков, Н.И. Козленко, Е.В. Шведов. - №2009132428/28; Бюл. № 28. -513 е.: ил.

Статьи и материалы конференций

5. Шведов Е.В. Влияние анионных вакансий на ориентацию кластеров Au на поверхности кристаллов NaCl и KCl / Е.В. Шведов, Д.В. Москалев, Д.Б. Омороков // Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристал-лизация. Биокристаллизация: тез. докл. IV Междунар. конф. - Иваново. -2006.-С. 104.

6. Омороков Д.Б. Молекулярно-динамическое моделирование роста и ориентации металлических кластеров на поверхности ионных кристаллов / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Сборник трудов победителей конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов, посвященный 50-летаю ВГТУ. Воронеж: ВГТУ, 2006. - С. 129 - 130.

7. Омороков Д.Б. Кинетика формирования нанопроволоки в процессе вакуумной конденсации металлов на поверхность твердого тела / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении: материалы VI Всерос. школы-конф. - Воронеж: Научная книга, 2007. - С. 166 - 168.

8. Омороков Д.Б. Получение нанопроволоки и ее применение в электронике / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Сборник трудов победителей конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов ВГТУ. Воронеж: ВГТУ, 2009.-С. 141 - 142.

Омф 16

Подписано в печать 19.05.2011. Формат 60x84/16. Бумага для множительных аппаратов. Усл. печ. л. 1,0. Тираж 90 экз. Заказ №

ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» 394026 Воронеж, Московский просп., 14

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 11КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯИ ОРИЕНТАЦИЯ;

ТОНКИХПЛЩОК (ЛИТЕРАТУРНО

1.1 Электронно-микроскопическое исследование начальной стадии образования тонких пленок

1.2 Количественное описание кинетики.формирования . конденсата: Метод кинетических уравнений,

1.3 Кинетика роста свободных островков 14 1.3;1 Рост изолированного островка 15 1.3.2 Рост островков в ансамбле

1.4 Критическая толщина тонкой пленки

1.5 Процессы, зарождения островков на гранях ионных кристаллов

1.6 Механизм ориентированного роста и дефекты кристаллического строения

1.7 Особенности эпитаксиального роста, . ч определяемые точечными дефектами 28*

2.1 Методика расчета кинетики диффузионных процессов 33

2.2 Результаты расчетов 37

2.3 Вывод к главе 2 43' ГЛАВА 3 МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ

ДИНАМИКИ ОРИЕНТАЦИИ ДИСКРЕТНЫХ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 44

Введение 44

3.1 Методика компьютерного эксперимента 46

3.2 Результаты и обсуждение 49

3.3 Выводы к главе 3 53 ГЛАВА 4 КИНЕТИКА ЗАПОЛНЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗОЙ ПОВЕРХНОСТИ

С ОТКРЫТОЙ ПОРИСТОСТЬЮ 54

Введение 54

4.1 Кинетика диффузионных процессов 54

4.2 Результаты расчетов 63

4.3 Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными 70

4.4 Выводы к главе 4 71 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 73 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 74 ПРИЛОЖЕНИЕ 89

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Понижение размерности может приводить к существенному изменению свойств материалов. Достаточно давно известно, что свойства малых частиц вещества в значительной степени отличаются от свойств массивного материала. С другой стороны, макроскопический объемный материал, имеющий нанокристаллическую структуру, приобретает целый ряд свойств, которые невозможно получить в материалах других (поликристаллической и даже монокристаллической) структур. Магнитные, сверхпроводящие, полупроводниковые, механические и другие свойства для материалов, находящихся в макроскопическом объеме, достигли своих максимальных значений, и очень трудно добиться улучшения каких-то характеристик за счет более совершенной технологии или изменения концентрации составляющих элементов. Дальнейший прогресс в получении материалов с новыми свойствами связан с такими изменениями в структуре, которые оказывают влияние на свойства, характерные для макроскопических объектов. В настоящее время первостепенное значение имеют фундаментальные исследования, направленные на создание принципиально новых технологических процессов и продуктов. Поэтому нанотехнология (т.е. технология объектов нанометрового масштаба) стала приоритетным направлением исследований. Возможно, нанотехнология сможет усовершенствовать некоторую часть морально устаревших и неэффективных процессов производства, но все-таки ее главное место - в новых областях, в которых традиционными методами невозможно достигнуть требуемых результатов.

Образование периодически упорядоченных структур на поверхности и в эпитаксиальных пленках металлов и полупроводников охватывает широкий круг явлений в физико-химии твердого тела. Актуальность исследований в данной области обусловлена необходимостью получения наноструктур с характерными размерами 1-100 нм.

Наноструктуры представляют самостоятельный фундаментальный научный интерес как объекты для изучения размерной зависимости структуры и свойств материалов. В то же время современные технологии позволяют реализовать размерный эффект свойств в конструкционных материалах субструктурного дизайна, что, в свою очередь, требует знания закономерностей формирования компактных наноструктур.

Исходя из вышеизложенного формулировали цель и ставили задачи данной работы. Работа выполнена в региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» в, рамках ФЦП- «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 гг. (гос. контракт № 02.740.11.0126), поддержана грантом Президента РФ по поддержке ведущих научных школ № НШ-3898.2008.3 и грантом РФФИ' 08-08-00214-а: «Закономерности формирования; структура и водородная проницаемость пленок Pd и сплавов на его основе».

Цель работы: выявление закономерностей кинетики образования на-нокристаллов на поверхности с развитой морфологией при вакуумной конденсации металлов. ' >;

В соответствии с целью в работе решались следующие задачи:-расчет режимов конденсации, необходимых для формирования нано-проволок на ступенях кристаллической подложки; исследование методом молекулярной динамики кинетики образования и ориентации кластеров металлов на поверхности кристалла, содержащей активные центры зарождения; исследование зависимости плотности островков на поверхности с открытой пористостью и глубины заполнения пор от параметров вакуумной конденсации и рельефа поверхности методом численного решения уравнений диффузии и кинетики зародышеобразования.

Для выполнения поставленных задач в рамках предложенных моделей решались уравнения диффузии (аналитически и численно), а также проводилось моделирование методом молекулярной динамики зарождения- и роста металлического кластера на анионной вакансии и на обычных узлах адсорбции.

Объекты исследования: островковые пленки Аи на ионных кристаллах; пленки Pd на поверхности с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь XI8Н1 ОТ).

Научная новизна.

1. Впервые определены условия, необходимые для образования нано-проволок на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации металлов из пара. Рассчитано время формирования нано-проволок при разных значениях температуры подложки и скорости конденсации. Получен патент РФ на изобретение «Способ формирования проводящего элемента нанометрового размера».

2. Методом молекулярной динамики исследовано влияние анионной вакансии ЩГК на ориентацию малоатомного кластера Аи в процессе его зарождения* и роста. Установлено, что ориентация! кластера, определяется геометрией потенциального рельефа, в окрестности вакансии и соотношением глубин потенциалов взаимодействия атомов конденсата с различными (металл,, галоген) атомами подложки.

3; Получены данные о кинетике формирования нанокристаллической структуры на поверхности с открытой^ пористостью* (TiOa, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при вакуумной конденсации Pd.

4. Впервые рассчитана глубина пор, которые может заполнить, конденсируемый материал (Pd) при разных параметрах конденсации и разном рельефе поверхности с открытой пористостью.

Основные положениям результаты, выносимые на защиту.

1. Определены, условия формирования нанопроволок на ступенях поверхности ионных кристаллов при разных параметрах конденсации Аи (скорости конденсации и температуры подложки).

2. Методом молекулярной; динамики показано, что анионная вакансия на поверхности кристалла NaCl оказывает ориентирующее влияние на кластер Аи.

3. На начальном этапе вакуумной конденсации Pd на поверхность с открытой пористостью (Ti02, нержавеющая сталь XI8Н1 ОТ) степень заполнения подложки зависит от угла между нормалью к поверхности и направлением потока конденсируемых атомов.

4. Глубина заполнения пор при вакуумной конденсации Pd на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при определенных параметрах конденсации и радиусе поры может достигать 28 мкм.

Практическая значимость работы.

Предложен новый способ формирования проводящего элемента нанометрового размера. Практическим результатом изобретения является создание простой и эффективной технологии формирования твердотельных одномерных проводящих наноструктур (патент РФ № 2401246).

Результаты моделирования роста методом молекулярной динамики металлического кластера на ЩГК раскрывают механизм ориентирующего влияния анионных вакансий и могут быть использованы для прогноза плотности и ориентации наночастиц на-поверхности монокристаллов.

Расчет кинетики формирования нанокристаллической структуры на поверхности ТЮ2 при вакуумной конденсации Рс1 может быть использован при выборе оптимальных условий конденсации для« создания композиционных мембран, обладающих большой эффективной проницаемостью водорода.

Диффузионные уравнения и их решения могут быть использованы в учебном процессе при подготовке студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», специализирующихся в области физического материаловедения, как примеры различных диффузионно-контролируемых процессов при росте нанокристаллов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на IV Международной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), VI Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2007).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 8 научных работах,' в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 1 патент РФ на изобретение.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [132, 137-139] — расчет режимов роста нанопроволок на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации Аи; [140] - разработка нового способа получения нанопроволок; [147-149] - исследование роста островковой пленки Аи на поверхности кристалла №С1.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 172 наименований и приложения. Основная часть работы изложена на 97 страницах, содержит 34 рисунка и 4 таблицы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Рассчитаны режимы конденсации, необходимые для формирования нанопроволок на ступенях поверхности ионных кристаллов при вакуумной конденсаци Аи. Предложен новый способ формирования нанопроволоки, отличающийся- простой и эффективной технологией формирования- твердотельных одномерных проводящих электрический ток наноструктур.

2. Методом молекулярной динамики исследовано влияние анионной вакансии ЩГК на ориентацию кластера при вакуумной конденсации золота. Кластер, растущий на анионной вакансии, имеет эпитаксиальную ориентацию при значительном превышении глубины потенциала взаимодействия золото-металл по сравнению с глубиной потенциала взаимодействия золото-галоген.

3. Установлено, что на начальных этапах вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) степень'заполнения подложки нанокристаллами зависит от угла между нормалью к поверхности и направлением потока конденсируемых атомов. Зависимость степени заполнения подложки от скорости конденсации нелинейная, особенно на начальных этапах конденсации.

4. Рассчитана глубина заполнения поры при вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮг, нержавеющая сталь Х18Н10Т). При определенных параметрах конденсации и радиусе поры глубина заполнения может достигать 28 мкм.

1. Иевлев В.М. Структура пленок: учеб. пособие / В.М. Иевлев. Воронеж: ВПИ, 1983.-87 с.

2. Иевлев В.М. Тонкие пленки неорганических материалов: механические свойства и структура : учеб. пособие / В.М. Иевлев. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2008.-496 с.

3. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок / Ю.Ф. Комник. М.: Атомиздат, 1979.-263 с.

4. Levinstein H. The growth and structure of thin metallic films / H. Levinstein // Journal of Applied Physics. 1949. - Vol. 20. - P. 306 -315.

5. McLauchlan T.A Continuous observations with the electron microscope on the formation of evaporated films of silver, gold and tin / T.A. McLauchlan, R.S. Sennet, G.D. Scott // Canadian Journal of Research, sec. A. 1950. - Vol. 28. -P. 530.

6. Sennet R.S. Electron microscope studies of evaporated cadmium and zinc / R.S. Sennet, T.A. McLauchan, G.D. Scott // Canadian Journal of Physics. 1952. -Vol. 30.-P. 370.I

7. Basset G.A. A new technique for decoration of cleavage and slip steps on ionic crystal surfaces / G.A. Basset // Philosophical. Magazine. — 1958. Vol. 3. -№33.-P. 1042 1045.

8. Basset G.A. Moiré patterns on electron micrographs and their application to the study of dislocations in metals / Basset G.A., Menter J.W., Pashley D.W. // Proceedings of the Royal Society. 1959. - Vol. A246. - P. 345 368.

9. Chopra K.L. Growth of sputtered vs evaporated metal films / K.L. Chopra // Journal of Applied Physics. 1966. - Vol. 37. - P. 3405 - 3410.

10. Pashley D.W. The nucleation, growth, structure and epitaxy of thin surface films / D.W. Pashley // Advanced Physics. 1965. - Vol. 14. - № 55. - P. 327 -416.

11. Pashley D:W. The growth and structure of gold and silver deposits formed by evaporation inside an electron microscope / D.W. Pashley, M.J. Stow-ell,M;H; Jacobs, T.J; baw//- Philosophical. Magazine. 1964.-V. 10.-PM53;

12. Poppa Hi Progress in the; continuous observation of thin-film nucleation and growth processes by electron microscopy / Hl Poppa // Journal of Vacuum Science and Technology. — 1965; — Volt 21 — №• V. Pf 42 — 48;

13. Poppa: Hi Heterogeneous nucleation" of Bi and« Ag on amorphous substrates (in situ electron microscopy studies) / H. Poppa // Journal of Applied Physics. 1967. - Vol. 38. - P. 3883 3894.• t

14. Палатаик Л. С. Механизм образования; и субструктура- конденсированных пленок / Л.С. Палатник, М1Я1 Фукс,,В;М; Косевич; М;: Наука; 1972! -319 с.

15. Трусов Л.И.Островковые металлические пленки / Л.И. Трусов, В- А. Холмянский. — М;: Металлургия, 1973:. 321 с.

16. ЖдановгГ.С. Исследование кинетики ростам^^тонких.слоев непосредственно в электронноммикроскопе / Г.С. Жданов // Изв. Акад. Наук CGGP. Сер. фйз. 1972. - Т. 26.-G. 1361.

17. Жданов Г.С. Наблюдение процесса рекристаллизации тонких пленок золота в электронном микроскопе / Г.С. Жданов, В.Н. Верцнер // Кристаллография. 1967. - Т. 12.-С. 949-951.

18. Adamsky R.E. Nucleation and initial growth of single-crystal films / R.F. Adamsky, R:E. be Blanc // Journal of Vacuum Science and Technology. 1965; — Vol. 2.-P. 79.

19. Masson A; Migration of crystallites on surface and relation to epitaxy. 1. Experimental part / A.Masson// Surface Science. 1971. - Vol. 27. - № 3. - P. 463.

20. Технология тонких пленок / Под ред. Л; Майселла, Р. Гленга. — Т. 2. М.: Советское радио; 1977. - 768 с.

21. Иевлев В.М. Рост и субструктура конденсированных пленок: учеб. пособие / В.М. Иевлев, А.В. Бугаков, В.И. Трофимов. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. — 386 с.

22. Комник Ю.Ф. Критическая:толщина тонких пленок висмута и олова / Ю.Ф. Комник. ФММ. - 1968. - Т. 25. - № 5. - С. 817 - 820.

23. Комник Ю.Ф; Сверхпроводимость сетчатых пленок индия / Ю.Ф. Комник, Л.А. Яцук, В;В: Андриевский и др. // ФТТ. 1971. - Т. 13. - С. 1779.

24. Appleyard E.T.S., Bristow J R. The electrical, conductivity of thin films of mercury / E.T.S. Appleyard' Bristow JR. // Proceedings of the Royal Society. — 1939. Vol. A172. - P. 530-539.

25. Eearn A.J. Behaviour of film conductance during vacuum deposition? / AJi Learn; R;S: Spriggs //JoumaFof AppliedPhysics; 1963: - VoL 34; -P! 3012: -3021.

26. Маньковкий K.K. Критическая температура сверхпроводящего neper хода.тонких пленок олова / К.К. Маньковский, B-BL Пйлипенко, 1©|Ф. Ком-ник и др.// ЖЭТФ. 1970. - Т. 59; G. 740.

27. Chopra K.L. Influence of deposition parameters on the coalescence stage of growth of metal films / K.L. Chopra; M.R. Randlett // Journal of Applied Physics. 1968. - Vol. 39. - P. 1874 - 1881.

28. Campbell D.S. A study of the structure of evaporated lithium fluoride / D.S. Campbell, D.J. Stirland, H. Blackburn // Philosophical. Magazine. 1962. -Vol. 7. - № .79 - P. 1099 - 1116.

29. Corbett J.Ml Experimbntal? investigation of the nucleation^ of silver om molybdenite / J.M. Corbett, F. W. Boswell // Journal of Applied Physics. 1969. -Vol. 40.-P. 2663-2669.

30. Basset G.A. Electron optical studies of imperfect crystals and their surfaces / G. A Basset, J;W Menter, D:W Pashley // Discussions of the Faraday Society. -1959. -Vol. 28. -P; 7- 15:

31. Селла К. Новые исследования роста и структуры тонких пленок / К. Села, Ж.Ж. Трийа // В сборнике «Монокристаллические пленки». Иод ред. Пинскера. Mi: Мир, 1966. - С. 242 - 261.

32. Дистлер Г.И. Электронно-микроскопическое исследование образования* слоев сернистого свинца / Г.И. Дистлер, С.А. Дарюсина // Кристаллография. 1962. - Т. 7: - № 1. - С. 107 - 111.

33. Дистлер F.H. Новый метод декорирования кристаллической, поверхности / Г.И. Дистлер, С.А. Дарюсина // Кристаллография; — 1962. — Т. 7. -№ 2. -С. 266-270;

34. Дистлер Г.И. Прямое наблюдение активных центров поверхностей полупроводниковых кристаллов / Г.И. Дистлер, С. А. Кобзарева // ФТТ. — 1965. Т. 7. - № 8. - С. 2450 - 2454.

35. Stirland DJ. An investigation of matched cleavage faces of sodium chloride crystals / D.J. Stirland // Philosophical. Magazine. 1966. - Vol. 13, № 126. -P. 1181-1190.

36. Stirland D J. Electron-bombardment changes in the growth and epitaxy of evaporated gold films / DJ. Stirland // Applied Physics Letters. 1966. - Vol-. 8. -P. 326-328.

37. Косевич B.M. Центры зарождения конденсированной фазы.на ион-,ных кристаллах / BtM. Косевич, Л.С. Палатник, А.А. Сокол и др. Доклады. Акад. Наук СССР. 1968.-Т. 180. -№ 3. С. 586 - 588.

38. Трофимов'В.И. 0 центрах зародышеобразования< золота,на кристаллах NaCl / В.И: Трофимов; В.М: Лукъянович // ФТТ. 1968. - Т.10. - № 6.- С. 1889-1891.

39. Shvedov E.V. Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. I. Saturation Density / E.V. Shvedov, V.S. Postnikov, V.M. Ievlev // Physica. Status Solidi (a). 1977. - V. 44. - P. 423 -427.

40. Shvedov E.V. Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. IL Oriented Growth of Islands / E.V. Shvedov, V.S. Postnikov, V.M; Ievlev //. Physica. Status Solidi (a). - 1978. -V. 48.-P. 603-608.

41. Дистлер Г.И. Исследование центров окраски щелочно-галоидных кристаллов на электронно-микроскопическом* уровне / Г.И. Дистлер, В.Н. Лебедева, В.В. Москвин // Кристаллография. Т. 14. - № 4. - 1969. - С. 664 — 671.

42. Дистлер Г.И. Ранние стадии кристаллизации как метод устранения неоднородности кристаллических поверхностей / Г.И. Дистлер; G.A. Дарю-сина, Ю.М. Герасимов // Доклады АН СССР. 1964. - Т. 154. - № 6. - С. 1328 -1331.

43. Дистлер Г.И. Декорирование поверхности твердых тел / Г.И. Дистлер, В.П. Власов, Ю.М. Герасимов и др. М.: Наука, 1976. - 111 с.

44. Дистлер Г.И. Визуализация центров окраски щелочно-галоидных кристаллов / Г.И. Дистлер, В. Н. Лебедева, В.Н. Москвин // ФТТ. 1968. - Т. 10. - № И.-С. 3489-3491.

45. Krohn М. Some problems in nucleation phenomena / M. Krohn, H. Beth-ge // Thin solid films. 1979. - Vol. 57. - № 2. - P. 227 - 230.

46. Krohn M. Fundamentals and present state of surface decoration / M. Krohn // Vacuum. 1987. - Vol. 37. - № 1/2. - P. 67 - 74.

47. Дистлер Г.И. Исследование структуры и свойств твердых тел методами декорирования / Г.И. Дистлер // Изв. АН СССР, сер. физ. 1972. - Т. 36. - № 9.-С. 1846-1859.

48. Robinson V.N. Nucleation kinetics of gold deposited onto UHV cleaved surfaces of NaCl and KBr / V.N. Robinson, I.L. Robins // Thin Solid Film. 1974. -V. 20.-№ l.-P. 155-175:

49. Bethge H. Oberflachenstructuren und kristallbaufehler im electronenmik-roscopischen solidi / H. Bethge // Physica Status Solidi. — 1962. Vol. 2. - № 7. -P. 775 - 820:

50. Родин Т.Н. Образование зародышей в ориентированных пленках. В кн. «Монокристаллические пленки». Под ред. З.Г. Пинскера / Т.Н. Родин, Д. Уолтон. М.: Мир, 1966. - С. 44 - 57.

51. Власов В.П. Электрический рельеф в процессах зародышеобразова-ния и роста / В.П. Власов, Ю.М. Герасимов, Г.И. Дистлер // Кристаллография. 1970. - Т. 16. - № 2. - С. 346 - 352.

52. Distler G.I. Crystallography-Transmission of structural information / G.I. Distler, V.G. Oboronov // Nature Physical Science. Vol. - 229. - P. 242.

53. Distler G.I. Role of electrical relief of surfaces of crystalline substrates in nucleation and growth of thin films / G.I. Distler, V.P: Vlasov // Thin Solid Films. Vol. 3. - № 5. - 1969. - P. 333 - 339.

54. Грицаенко Г.С. Метод декорирования и его применение к изучению минералов / Г.С. Грицаенко, Н.Д. Самотоин. В кн. «Методы электронной микроскопии минералов». - М.: Наука, 1969. - С. 157 - 206.

55. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок / Э.И. Точицкий. Минск: Наука и техника, 1976. - 311 с.

56. Северденко В.П. Декорирование поверхности хлористого натрия и аморфных углеродных пленок / В.П. Северденко, Э.И. Точицкий, В.Е. Обухов // Вест. Акад. Наук Белорусской ССР. 1972. - № 1. - С. 30 - 34.

57. Палатник JI.C. Ориентированная кристаллизация / JI.C. Палатник, И.И. Папиров. М.: Металлургия, 1964. - 407 с.

58. Сокол А.А. Влияние примесей в ионных кристаллах на эпитаксию золота / А.А. Сокол, В.М. Косевич // Кристаллография. 1969. - Т. 14. — С. 527-528.

59. Иевлев В.М. Методы электронной микроскопии твердых тел: учеб. пособие / В.М. Иевлев. Воронеж: ВПИ, 1979. - 66 с.

60. Bethge Н. Electron microscopic studies of surface structures and some relations to surface phenomena / H. Bethge // Surface science. — 1964. — № 3. — P. 33-41.

61. Постников B.C. Влияние гамма- и электронного облучения ЩГК-подложек на зарождение и структуру пленок вакуумной конденсации / B.C.

62. Постников, В.М. Иевлев, В.А. Аммер, Е.В. Шведов // В» сборнике «Ядерно-радиационная физика и технология». — Тула. — 1976. — С. 69-74.

63. Трофимов В.И. Декорирование закаленных кристаллов / В;И. Трофимов, В;Н. Черенков, В.М. Лукьянович // ФТТ. 1969. - Т. 11. - № 12. - С. 3655 - 3657.

64. Косевич ВГ.М. Структуры, создаваемые, в кристаллах точечными дефектами / ВМ: Косевич, А.А. Сокол // ФТТ. 1969. - Т. 11. - С. 810.

65. Кукушкин С.А-. Процессы конденсации- тонких« пленок / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // У ФИ. 1998. - Т. 168. - № 10. - С. 1083 - 1116.

66. Дистлер Г.И. Реальное строение, активность и дальнодействие кристаллических поверхностей. В кн. «Рост кристаллов» / Г.И. Дистлер. — Т. 8. -М.: Наука, 1968. С. 108 - 123.

67. Иевлев В.М. Ориентированная- кристаллизация пленок: учеб. пособие / В.М. Иевлев, А.В. Бугаков. Воронеж: ВГТУ, 1998. - 216 с.

68. Gottsche Н. Uber die orientierung dunner aufdumpfschichten von metallen zeit / H. Gottsche // Naturforschung. 1956. - Vol. 1 la. - P. 55 - 68.

69. Ino S. Epitaxial growth of metals on rocksalt faces cleaved in vacuum / S. Ino, D. Watanabe, S. Ogawa // Journal of the physical society of Japan. 1964. -Vol. 19.-P. 881,-891.

70. Henning C.A. On the growth of gold films on KCL in high vacuum / C.A. Henning // Surface Science. 1968. - Vol. 12. - № 2. - P. 308 - 316.

71. Matthews J.W. Growth of face-centered-cubic metals on sodiumchloride substrates / J.W. Matthews. Journal of Vacuum Science and Technology. -Vol. 3. - № 3. - P. 133- 145.

72. Физика тонких пленок / Под ред. В.Б. Сандомирского, А.Г. Ждана. -М.: Мир, 1970. Т. 4. - 440 с.

73. Pashley D.W. The study of epitaxy in thin surface films / D.W. Pashley // Advanced in Physics. Vol. 5. - P.l 73 - 240.

74. Matthews J.W. A mechanism for the formation of twins in evaporated face-centred cubic metal films I J.W. Matthews, D.L. Allinson // Philosophical Magazine. Vol. - 8. - № 92. - P. 1283 - 1303.

75. Pashley D:W. The growth and structure of gold and silver deposits formed by evaporation inside an electron microscope / D:W. Pashley, MlJ. Stow-ell, M.H. Jacobs, T.J. Law // Philosophical magazine. 1964. - Vol. 10. - № 103. -P. 127-158.

76. Jesser W.A. Evidence for elastic Strain* in epitaxially grown nuclei' on single-crystal substrates / W.A. Jesser, J.W. Matthews, D: Kuhlmann-Wilsdorf // Applied Physics Letters. 1961. - Vol. 9. - P. 176 - 178.

77. Matthews J. W. Growth of face-centered'cubic metals on sodium1 chloride substrates / J.W. Matthews // Journal of Vacuum Science Technology. 1966. - Vol 3 - P. 133-145.

78. Метьюз Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме. В кн. «Физика тонких пленок». Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна / Дж. У. Метьюз. — Т. 4. — М.: Мир, 1970. С. 167-227.

79. Дамаск А. Точечные дефекты в кристаллах / А. Дамаск, Дж. Дине. — М.: Мир, 1966.-291 с.

80. Кривоглаз М.А. Теория упорядочивающихся сплавов / М.А. Кривоглаз, А.А. Смирнов. — М.: Физматгиз, 1958. — 388 с.

81. Mattera A.M. Leed of the (100) face of Au, Ag and Pd / A.M. Matera, R.M. Goodman, G.A. Somorjai // Surface Science. 1967. - Vol. 7. - P. 26 - 40.

82. Palmberg P.W. Structure of of clean Au (100) and Ag (100) Surfaces / P.W. Palmberg, T.N. Rhodin //Physical Review. Vol. 161. - № 3. - P. 586 - 588.

83. Инденбом B.JI. Дислокационное описание простейших явлений пластической деформации. В кн. Некоторые вопросы физики пластичности кристаллов. Итоги науки. Физико-математические науки / B.JI. Инденбом. — М.: Изд-во АН СССР, 1960: С. 117 - 158.

84. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция кубических кристаллов / П.П. Феофилов // УФН. 1956. - Т. 58. - № 1. - С. 69 - 84.

85. Феофилов П.П, Поляризованная люминесценция F — центров в кристаллах CaF2 // Доклады АН СССР. 1953. - Т. 92. - № 3. - С. 545 - 578.

86. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция F-центров в кристаллах щелочно-галоидных солей // Доклады АН СССР. — 1953. — Т. 92. -№ 4.-С. 743 746.

87. Иевлев В.М. Плотность насыщения и ориентация дискретных наноструктур на поверхности ионных кристаллов / В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.В. Москалев // Физика и химия стекла. 2005. - Т. 31. - № 3. - С. 402-409.

88. Жиляков Д.Г. Компьютерное моделирование эпитаксиальной гете-роструктуры Pd/Ni/Pd(001) / Д.Г. Жиляков, A.B. Евтеев, В.М. Иевлев и др: // Тез. докл. III Международной научной конференции. Иваново. - 2004. - С. .191.

89. Евтеев A.B. Ориентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / A.B. Евтеев, В.М. Иевлев, А.Т. Косилов, A.C. и др. // ФММ. 2006. - Т.101- № 6. - С. 630-637.

90. Евтеев А.В1 Молекулярно-динамическое моделирование ориентированного роста Ni на (001)Pd / A.B. Евтеев, В.М. Иевлев, А.Т. Косилов и др. // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та. Сер. Материаловедение. 2004. -Вып. 1.16. - С. 78-81.

91. Евтеев A.B. Ориентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / A.B. Евтеев, В.М. Иевлев, А.Т. Косилов и др. // Фракталы и прикладная^ синергетика 2005: Сборник статей. М.: Интерконтакт-Наука, 2005. - С. 52-53.

92. Gleiter H. Materials with ultrafine microstructures: retrospective and perspectives / H. Gleiter // Nanostructured Materials. 1992. - Vol. 1. - № 5. -P: 1 - 19:

93. Siegel R.W. Nanophase materials assembled from atom'clusters / R.W. Siegel // Materials Science and Engineering. 1993. - Vol. 19. - № 1-2. - P. 3743.

94. Siegel W. What do we really know about the atomic-scale structures of nanophase materials? / W. Siegel // Journal of Physics and Chemistry of Solids . -1994. Vol. 55. - № 10. - P. 1097 - 1106.

95. Морохов И.Д. Ультрадисперсные металлические среды / И.Д. Мо-рохов, Л.И.Трусов, С.П. Чижик. -М: Атомиздат, 1977. -264 с.

96. Морохов И.Д. Структура и свойства малых металлических частиц / И.Д. Морохов, В.И. Петинов, Л.И. Трусов и др. // УФН. 1981. - № 133. - С. 653 - 692.

97. Морохов И.Д. Физические явления в ультрадисперсных средах / И.Д. Морохов, Л.И. Трусов, В.Н. Лаповок. М.: Энергоатомиздат, 1984. -482 с.

98. Петров Ю.И. Физика малых частиц / Ю.И. Петров. М.: Наука, 1982.-358 с.

99. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы / Ю.И. Петров. М.: Наука, 1986.-368 с.

100. Лариков Л.Н. Нанокристаллические соединения материалов / Л.Н. Лариков // Металлофизика и новейшие технологии. 1994. - Т. 17. - № 9. -С. 56-68.

101. Лариков Л.Н. Диффузионные процессы в нанокристаллических материалах / Л.Н. Лариков // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. -Т. 17. - № 1. — С. 3 -29.

102. Андриевский Р.А. Получение и свойства нанокристаллических тугоплавких соединений / Р.А. Андриевский // Успехи химии. 1994. - Т. 63. -№5.-С. 431-448.

103. Алешин А.Н. Квазиодномерный транспорт в проводящих полимерных нанопроводах / А.Н. Алешин // ФТТ. 2007. - Т. 49. - №11. - С. 1921 -1940.

104. Новиков В.П. Формирование упорядоченных композиционных структур типа «нанопроволока металла/неорганическая соль» / В.П. Новиков,

105. А.Н. Стецик, С.Р. Недень // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 33. - № 10. - С. 64 -69.

106. Колодов В.И. Проблемы и перспективы развития химии в наноре-акторах полимерных матриц / В.И. Колодов, Н.В. Хохряков, А.П. Кузнецов и др. // Химическая физика и мезоскопия. 2001. — Т. 3. - № 2. — С. 161-162.

107. Жачук Р:А. Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si (557) / P.A. Жачук, С.А. Тийс, Б.З. Олыпанецкий // Письма в ЖТФ. 2004. - Т. 79. - № 8. - С. 467 -469:

108. Тийс С.А. Формирование наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111) до образования смачивающего слоя / С.А. Тийс, А.Б. Талочкин, К.Н. Романюк и др. // ФТТ. 2004. -Т. 46. - № 1. - С. 83-87.

109. Зотов A.B. Самосборка наноструктур из атомов адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов / A.B. Зотов, A.A. Саранин // Российские нанотехнологии. 2007. - Т. 2, № 3. - С. 28-43.

110. Котляр ВТ. Низкоразмерные структуры металлов на поверхности кремния / В.Г. Котляр, A.A. Саранин, A.B. Зотов и др. // Вестник ДВО РАН. -2005. -№ 1.-С. 103-115.

111. Гиваргизов Е.И. Кристаллические вискеры и наноострия / Е.И. Ги-варгизов // Природа. 2003. - № 11 - С. 20-25.

112. Ren Z.F. Growth of a single freestandin multiwall carbon nanotube on each nanonickel dot / Z.F. Ren, Z.P: Huang, D.Z. Wang en al. // Applied Physics Letters. 1999. -V. 75. - № 8. - P. 1086 - 1088.

113. Мир материалов и технологий. Наноструктурные материалы / Под ред. Н.И. Бауровой: М.: Техносфера. - 2009. - 487 с.

114. Дистлер Г.И. Реальная структура, реакционная способность и дальнодействие кристаллических поверхностей / Г.И. Дистлер // Изв. Акад. Наук СССР. 1968. - Т. 32. - № 6. - С. 1044 - 1055.

115. Хирс Дж. П. Теория образования зародышей при осаждении на подложках В кн. «Монокристаллические пленки». Под ред. З.Г. Пинскера / Дж.П. Хирс, С.Дж. Хруска, Г.М. Паунд. М.: Мир, 1966. - С.15 - 43.

116. Stowell M.J. Captur numbers in thin film nucleation theories / M J. Stowell // Philosophical. Magazine. 1972. - V. 26. - P.349-360.

117. Жданов Г.С. Зоны захвата адатомов в тонких пленках меди на углероде / Г.С. Жданов // ФТТ. 1973. - Т. 15. - С. 3692 - 3695.

118. Gert Ehrlich. Atomic events at lattice steps and* clusters : a direct view of crystal growth processes / Ehrlich Gert // Surface Science: 1995. - V. 331— 333.-Pp. 865-877.

119. Борзяк П.Г. Электронные процессы в островковых металлических пленках / П.Г. Борзяк, Ю.А. Кулюпин. Киев: Наукова Думка, 1980. - 239 с.

120. Кошляков Н.С. Уравнения в частных производных математической физики / Н.С. Кошляков, Э.Б. Глинер, М.М. Смирнов. М.: Высшая* школа, 1970.-712 с.

121. Омороков Д.Б. Исследование процесса формирования нанопрово-локи и ее применение в элементной базе радиотехники / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Теория и техника радиосвязи. 2009. - № 1. — С. 96-100.

122. Омороков Д.Б. Получение нанопроволоки и ее применение в электронике / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Сборник трудов победителей конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов, ВГТУ. Воронеж: ВГТУ, 2009. С. 141-142.

123. Пат. 2401246 Российская Федерация, МПК В82В 3/00 (2006.01). Способ формирования проводящего элемента нанометрового размера / Д.Б. Омороков, Н.И Козленко, Е.В. Шведов. №2009132428/28; Бюл. № 28. -513 е.: ил.

124. Лагарьков А.Н. Метод молекулярной динамики в статической физике / А.Н. Лагарьков, В.М. Сергеев // УФН. 1978. - Т.125. - №3. - С. 409448.

125. Полухин В.А. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов / В.Ф. Ухов, М.М. Дзугутов. М.: Наука, 1981. - 323с.

126. Полухин В. А. Моделирование аморфных металлов / В.А. Полухин, Н.А. Ватолин.'- М.: Наука, 1985. 288с.

127. Белащенко Д.К. Структура жидких и аморфных металлов / Д.К. Бе-лащенко. М.: Металлургия, 1985. - 192с.

128. Химмельблау Д. Методы нелинейной оптимизации / Д. Химмельб1 лау. М.: Мир; 1975. - 432с.

129. Шведов Е.В. 50200401486 Кластер. Программа / Е.В". Шведов, Д.В. Москалев // Информационный бюл. Алгоритмь1 и программы. 2005. -N° 4. 29.29 Физика атома и молекулы.

130. Омороков Д.Б. Определение кинетики роста и ориентации ионных кристаллов методом компьютерного моделирования / Д.Б. Омороков, Е.В. Шведов // Теория и техника радиосвязи. 2009. - № 2. - С. 91-95.

131. Латышев В.В. Металлические диффузионные мембраны и процессы фильтрации изотопов водорода (обзор) / В.В.Латышев // Атомная энергия.- 1990. Т. 68. - № 1. - С. 38-44.

132. Латышев В.В. Разделение изотопов водорода на металлических мембранах / В.В. Латышев, В. А. Гольцов, С. А Федоров // Атомная энергия.- 1982. Т. 53. - № 1, с. 32-35.

133. Гольцов В.А. Водород в металлах. В кн.: Вопросы атомной науки и техники, Сер. атомно-водородная энергетика и технология / В.А. Гольцов — М.: Атомиздат. 1978. - вып. 1, С. 193 - 230.

134. Грязнов В.М. Сплавы палладий рутений как мембранные катализаторы / В. М. Грязнов, А. П. Мищенко, В. П. Полякова и др.- Докл. Акад. Наук СССР. - 1973. - Т. 211. - № 3, С. 624-627.

135. Грязнов В.М. Палладий и его сплавы как мембранные катализаторы / В.М. Грязнов // Кинетика и катализ. 1982. - Т. 23. - С. 1306-13010.

136. Иевлев В.М. Синтез и субструктура пленок упорядоченного твердого раствора палладий медь / В.М. Иевлев, Е. К. Белоногов, A.A. Максименко и др. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. - 2005. - Вып. 1.17. - С. 9-18.

137. В.М. Иевлев Субструктура и прочность конденсированных пленок палладия / BiM. Иевлев, Е.К. Белоногов, A.A. Максименко и др. // Деформация и разрушение материалов. 2006. - Т.1. - С. 468-471.

138. Физическая^ кинетика и> процессы переноса при фазовых превращениях / Под ред. С.И. Анисимова. Минск: Наука и техника, 1980. - 208 с.

139. Пискунов Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисления / Н.С. Пискунов. -М.: Наука, 1972. С. 307.

140. Пат. 2270164 Российская Федерация, МПК В82В 3/00 (2006.01). Способ изготовления нановолокон / A.B. Принц, В.Я. Принц. -№2003129901/28; Бюл. № 5.: ил.

141. Пат. 2194334 Российская Федерация, МКИ7 Н01 L21/28. Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров / В.М. Мордвинов, С.Е. Кудрявцев, B.JI. Левин. №2001106446/28.

142. Универсальный вакуумный пост ВН 2000. Электрон, дан. — Режим доступа: http:/www.ukrrospribor.com. (13.08.09).

143. Аксессуары к универсальному вакуумному посту ВН 2000. Прибор травления ИЛТ-50. Электрон. дан. - Режим доступа: http:/www.ukrrospribor.com. (13.08.09).

144. ЗАО "ТАУ" реле времени серии «РВВ». — Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.tau-spb.ru. (13.08.09).

145. Воронежский государственный технический университет. Электрон. дан. - Режим доступа: http://www.vorstu.ru/region/2065/. (13.08.09).

146. РТС нагревательный элемент. Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.scat-technology.ru (13.08.09).