Композиционные полиядерные ароматические системы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.17 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Композиционные полиядерные ароматические системы - новый класс материалов микроэлектроники.

1.1. Композиционные материалы в изделиях микроэлектроники.

1.2. Термостойкие ароматические полимеры - основа создания композиционных полиядерных систем.

1.3. Перенос заряда в композиционных материалах.

1.4. Общие представления и основные теоретические модели локализованного избыточного электрона в конденсированных средах.;.

1.4.1. Электронные состояния в неупорядоченных средах.

1.4.2. Поляронная теория.

1.4.3. Статистическая теория.

1.4.4. Особенности захвата электрона в органических соединениях

1.4.5. Коллективные свойства автолокализованных электронов.

Глава 2. Аппаратура, методики получения и исследования компонентов, образцов полимерных композиционных систем на их основе.

2.1. Синтез полимеров.

2.1.1. Полиэфирсульфон.

2.1.2. Полиариленсульфоноксид "Udel Polisulfone".

2.1.3. Полидифениленфталид и его Cl-, Br-, CN- замещённые.

2.2. Методика получения образцов полимеров, наполнителей и композиционных материалов для исследований.

2.2.1. Получение тонких плёнок полимеров.

2.2.2. Получение тонких слоев висмута и сульфида висмута BÍ2S

2.2.3. Получение образцов композиционных материалов на основе ароматических полимерных матриц и наноразмерных частиц металлов.

2.2.4. Методика приготовления и исследования образцов адгезионных соединений.

2.3. Диэлькометрия.

2.3.1. Диэлектрические потери и проницаемость.

2.3.2. Удельное объемное сопротивление.

2.3.3. Электрическая прочность.

2.4. Методика изучения влагопоглощения, влагопроницаемости, теплопроводности и термостйкости образцов.

2.5. Методы исследований энергетического электронного спектра полимеров, наполнителей и композиционных материалов на их основе.

2.5.1. Фотоэлектронная спектроскопия.

2.5.2. Оптическая спектрометрия.

2.5.3. Автоэлектронная спектроскопия.

Глава 3. Физико-химические свойства ароматических матриц полиэфирсульфона и полидифениленфталида.

3.1. Электрические свойства.

3.1.1. Диэлектрические потери и проницаемость.

3.1.2. Удельное объемное сопротивление.

3.1.3. Электрическая прочность.

3.1.4. Влияние дипольного момента структурного звена на диэлектрические свойства полидифениленфталида.

3.1.5. Влияние повышенной влажности на электрофизические свойства пленок полиэфирсульфона.

3.2. Хемостойкость полимерных матриц.

3.3. Термо- и теплостойкость.

3.3.1. Термостойкость.

3.3.2. Термомеханические характеристики.

3.3.3. Влияние минеральных наполнителей на термостойкость полиэфирсульфона.

3.4. Выводы.

Глава 4. Энергетическая структура электронного спектра ароматических матриц и наполнителей полиядерных систем в ультрадисперсном состоянии.

4.1. Энергетическая структура электронного спектра ароматических матриц.

4.1.1. Ультрафиолетовые спектры поглощения ароматических матриц.

4.1.2. Определение потенциала ионизации полиэфирсульфона.

4.1.3. Влияние дипольного момента структурного молекулярного звена на структуру энергетического электронного спектра полидифениленфталидов.

4.2. Энергетическая структура электронного спектра наполнителей в ультрадисперсном состоянии.

4.2.1. Электрические и оптические свойства тонких слоев висмута.

4.2.2. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства тонких пленок сульфида висмута.

4.2.3. Эмиссионные свойства плёнок висмута и сульфида висмута

4.3. Выводы.

Глава 5. Электронные процессы в композиционных полиядерных ароматических системах.

5.1. Образование молекулярных комплексов в полиядерных ароматических системах при инжекции в них избыточных электронов.

5.1.1. Влияние избыточных электронов на дисперсионные параметры молекулярных систем.

5.1.2. Расчет энергетических параметров автолокализованных электронных состояний.

5.2. Молекулярные комплексы с переносом заряда в композиционных системах на основе ароматических полимерных матриц и наноразмерных функциональных наполнителей.

5.2.1. Электропроводящие гетерогенные системы на основе полиэфирсульфона.

5.2.2. Система полиэфирсульфон/окислы железа.

5.2.3. Система полиэфирсульфон/медь.

5.2.4. Система полиэфирсульфон/сульфид висмута.

5.2.5. Система полиэфирсульфон/висмут.

5.3. Выводы.

Г лава 6. Создание большеразмерных подложек гибридных интегральных схем и многослойных коммутационных плат, выдерживающих жёсткие условия эксплуатации.

6.1. Большеразмерные подложки гибридных интегральных схем

6.1.1. Адгезионная прочность полиэфирсульфона к металлам.

6.1.2. Создание влагостойкого полимерного пленочного покрытия полисульфона на алюминии и его сплавах.

6.1.3. Теплопроводность плёнок полиэфирсульфона и системы металл-полимер.

6.2. Многослойные коммутационные платы.

6.2.1. Подготовка металлического основания.

6.2.2. Разработка совместимой системы диэлектрической и проводниковой паст для трафаретной печати.

6.2.3. Формирование диэлектрических и проводниковых слоев.

6.2.4. Химическая металлизация проводниковых слоев.

6.3. Выводы.

Выводы

Физика и химия конденсированного состояния вещества уделяют сегодня значительное внимание изучению чрезвычайно интересных и во многих отношениях уникальных по свойствам объектов - неупорядоченных систем, представляющих композиционные материалы на основе полимерных матриц и ультрадисперсных неорганических функциональных наполнителей. Эти исследования поставили ряд проблем, непосредственно смыкающихся с принципиальными проблемами теоретической физики, физической химии и химии твердого тела, а также многих прикладных областей знания. Прежде всего, сюда необходимо отнести круг вопросов, связанных с влиянием структурного разу-порядочения на энергетическое состояние электронных подсистем как компонент, так и в целом на структуру электронного спектра неупорядоченных систем.

Как известно, для количественного описания процессов переноса заряда в твёрдых телах существует несколько теоретических моделей [1]. В частности, теории Друде и Зоммерфельда представляют собой классические модели. В этих моделях электроны проводимости рассматриваются как газ, частицы которого сталкиваются с ионами кристаллической решётки. Траектории электронов подчиняются классическим уравнениям движения. Предполагается, что основным механизмом рассеяния носителей является столкновение электронов с ионами решётки.

В полуклассических моделях учитывается периодический потенциал ионов решётки. В рамках таких моделей траектории электронов не описываются классическими уравнениями. Столкновение электронов и ионов уже не является основным механизмом рассеяния, поскольку при решении уравнения Шре-дингера учитывается влияние решётки. Периодический потенциал в кристаллах, образованный потенциалами неподвижных ионов, не учитывает молекулярные и решёточные колебания. В то же время следует отметить, что взаимодействие электронов с колебаниями решётки и взаимное отталкивание электронов влияет на многие электронные свойства материалов [2-5]. Однако до сих пор в рамках зонной модели не существует количественного описания таких взаимодействий. Ниже будет показано, что параметры электрон-электронного и электрон-фононного взаимодействий легче учесть в теории, которая рассматривает локализованные состояния.

В работах академика А.Ф.Иоффе и его учеников [6] было показано, что зонная модель применима при подвижности носителей более 1 см /(В-с). В этом случае длина свободного пробега электрона больше постоянной решётки кристалла. Свободные электроны не локализуются на одной молекуле, длина волны электрона «захватывает» несколько молекул, образующих кристалл. Однако в молекулярных кристаллах или полимерах подвижность носителей редко достигает значений 1 см2/(В-с). Целый ряд факторов приводит к локализации электронов в определённых местах решётки, а процессы переноса заряда лучше описываются с помощью прыжкового или туннельного механизмов проводимости.

Простая модель Блоха и Вильсона оказалась неприменимой ко многим конденсированным средам, в частности, к молекулярным системам и окислам переходных металлов с валентной Зй^-зоной, которая формируется из орбитальных ¿/-уровней ионов переходных металлов. Исходя из зонной теории, энергетические электронные зоны в таких средах являются узкими, поскольку ионы расположены на расстояниях, значительно превышающих характерные межатомные расстояния в твердых телах, а к таким узким зонам, как впервые отмечено в [7], теория Блоха и Вильсона не может применяться из-за того, что в ней не учитывается электростатическое отталкивание электронов. Условия, при которых кулоновское взаимодействие между носителями заряда в кристаллической решетке может привести к их локализации и исчезновению проводимости, была высказана в 1938 г. Вигнером [7].

Формирование узкозонного энергетического электронного спектра может осуществляться в неупорядоченных средах и за счет локализации электронных состояний. Изучение свойств неупорядоченных сред показало [8], что структурное разупорядочение в них приводит к значительной перестройке энергетического электронного спектра. Важной особенностью электронной структуры таких сред состоит в том, что, несмотря на отсутствие особенностей на кривых плотности состояний, при некоторых энергиях происходит резкое изменение характера волновых функций - в определенных областях спектра они становятся локализованными. Общие теоретические представления о природе электронных состояний в неупорядоченных средах получены при рассмотрении простых одноэлектронных моделей. Наиболее подробно изучалась модель Андерсона [8], иллюстрирующая локализацию электронных состояний при возрастании степени беспорядка в системе. В этой модели рассматривается узкая зона дело-кализованных электронных состояний, возникающая за счет перекрытия электронных волновых функций соседних потенциальных ям. Ее ширина (АЩ определяется интегралом перекрытия (7) волновых функций и равна: где г - координационное число.

Введение беспорядка (случайного разброса уровней энергии потенциальных ям) на величину АУ0 приводит к локализации электронных состояний. Результат исследований, проведенных Андерсеном, состоит в том, что при определенной степени беспорядка, характеризуемой параметром АУ/АУУ, имеет место локализация всех электронных состояний в зоне проводимости. При значениях параметра АУ/АЖ меньше критического, локализованными оказываются не все состояния зоны, а лишь те из них, которые лежат в области энергий, где плотность состояний мала. Вследствие этого, возрастание степени беспорядка приводит к сужению разрешенной зоны. Кинетические явления в таких средах сильно зависит о степени локализации электронных состояний. Локализация носителей тока в конфигурационном пространстве совершенно исключает возможность использовать уравнение Больцмана, описывающее процессы слабого рассеяния плоских волн в пространстве импульсов.

Неясным, хотя и принципиально важным, остается и вопрос о последовательном описании поведения электронов в рассматриваемых средах с учетом как разупорядочения, так и электронных взаимодействий с решеточными колебаниями ионов.

В материалах с сильной электрон-фононной связью может оказаться необходимым принимать во внимание поляронный эффект. По сравнению с кристаллами тенденция к образованию поляронов малого радиуса в неупорядоченных средах усиливается, поскольку характерные скорости электронов здесь ниже, при этом возрастает вероятность того, что за характерные времена электронной релаксации успевает произойти поляризация атомной матрицы. В образующейся при этом потенциальной яме возможен захват электрона и возникновение так называемого полярона малого радиуса, приводящего к перестройке энергетического электронного спектра матрицы. Возникшее взаимодействие между электроном и атомной подсистемой может стать причиной возникновения новых свойств в таких системах. Так, например, результаты теоретических исследований возбужденных состояний в квазиодномерных периодических структурах, описываемых нелинейными уравнениями, учитывающими взаимодействие внутримолекулярных возбуждений и избыточных электронов с локальными нарушениями трансляционной симметрии, указали на возможность переноса без потери энергии избыточных электронов через молекулярные периодические структуры [9].

Поэтому среди основных проблем перед физикой и химией высокомолекулярных соединений встала проблема изучения влияния химического строения на свойства полимеров и целенаправленный синтез полимеров с заданным комплексом свойств. Последнее очень важно в свете возрастающих требований современной техники, для дальнейшего прогресса которой необходимо решать разнообразные задачи по созданию новых материалов, обладающих самыми различными свойствами. В частности, современный уровень развития микроэлектроники и дальнейший её прогресс требует создания полимерных материалов, сочетающих такие свойства, как тепло-, термо-, хемостойкость в сочетании с высокой электронной проводимостью.

Существующие полимеры не удовлетворяют в нужной степени всем вышеперечисленным требованиям. И поскольку создание полимеров, обладающих необходимым комплексом свойств для использования в микроэлектронике, является очень сложной задачей, то большинство исследований в этой области относится к созданию композиционных материалов с использованием полимеров [10, 11, 12]. Соединение компонентов с существенно различающимися свойствами позволяет получить в композите уникальный комплекс свойств, несовместимый в каждом компоненте в отдельности, а также варьировать эти свойства путём изменения концентрации наполнителя.

Интерес к данной проблеме объясняется не только чисто практическим применением полимерных композиционных материалов в электронной промышленности, но также всё большим пониманием единства и взаимосвязи проблем электрофизики полимеров и композиционных материалов с фундаментальными проблемами физики твёрдого тела.

На основании вышеизложенного следует, что изучение физических и химических свойств полимеров и композиционных материалов на их основе дают уникальные возможности для выяснения механизмов процессов захвата избыточных электронов, генерации и переноса носителей заряда между локализованными состояниями, роли обменного взаимодействия между кластерами неорганических наполнителей в процессах электропереноса в полимерных композитах, установления роли химической структуры и геометрии молекулярного звена полимерной цепи в этих процессах.

Целью настоящей работы являлось создание нового класса полимерных композиционных материалов на основе термостойких ароматических полимеров и ультрадисперсных функциональных наполнителей для формирования элементной базы и коммутационных соединений по толстопленочной технологии в микроэлектронике.

Решение поставленной задачи в научном плане обеспечивается комплексным изучением структуры, электрических, оптических, фотоэлектрических и эмиссионных свойств компонент композиции, а также ряда электрических и физико-химических свойств полимерных композиционных материалов на их основе.

В процессе работы решались следующие задачи: синтез термостойких ароматических полимеров классов полиарилен-сульфоноксидов и полиариленфталидов; изучение энергетической электронной структуры вблизи основного края фундаментального поглощения ароматических полимеров и компонент композиции в ультрадисперсном состоянии; изучение протекания электронных процессов в молекулярных ароматических системах и композициях на их основе; эффект межкластерного обмена в матрице полиэфирсульфона; изучение влияния ультрадисперсной фазы металлов и окислов на термоокислительную деструкцию полиариленсульфоноксидов; создание полимерных композиционных материалов на основе полиэфирсульфона; разработка методов металлизации проводящих полимерных композиций с целью формирования коммутационных дорожек и площадок многоуровневых коммутационных плат.

На основе полученных фундаментальных научных результатов осуществлены изыскание и оптимизация основных технологических процессов, необходимых для автоматизированного изготовления микросборок с повышенной степенью интеграции на болыперазмерных подложках многоуровневой электронно-кроссовой коммутации для аппаратуры цифровых многоканальных систем передачи информации.

Научная новизна. Введение избыточных электронов в матрицу полиядерных ароматических систем приводит к образованию молекулярных комплексов с переносом заряда. Образующиеся при этом кластеры представляют собой термически активируемые комплексы, в которых происходит перенос электрона без переноса энергии. Вероятность переноса электрона в активированном комплексе зависит от электронного перекрывания молекулярных орбиталей соседних молекул. При малом перекрывании перенос заряда описывается в рамках модели локализованных состояний, для которой характерен «перескоко-вый» механизм переноса носителей. При большом перекрывании молекулярных орбиталей осуществляется когерентный механизм переноса заряда (узкозонная модель), что представляет интерес для получения материалов с управляемым энергетическим электронным спектром.

На основе полученных фундаментальных результатов разработана базовая концепция получения материалов на основе полиядерных ароматических систем с узкозонным энергетическим электронным спектром, обладающих уникальными свойствами, которые станут основой для создания принципиально новых видов элементов микроэлектроники.

Практическая ценность. Синтезированы новые ароматические полимерные материалы из классов полиариленфталидов и полиариленсульфоноксидов; получены композиционные пасты на их основе, позволяющие осуществлять создание микросборок с повышенной степенью интеграции.

Разработаны базовые технологии производства многоуровневых коммутационных плат поверхностного монтажа электронной аппаратуры на основе разработанных полимерных паст. Проведённые электрофизические исследования многослойных структур после термоциклирования и испытания на длительные воздействия влаги показали, что их параметры не выходят за регламентируемые ГОСТом требования к аппаратуре, эксплуатируемой в нормальных условиях.

Получены результаты по использованию синтезируемых материалов в качестве влагозащитного покрытия для печатного монтажа. Созданная металлическая подложка с диэлектрическим покрытием на основе синтезированных материалов по устойчивости к воздействию климатических факторов не имеет аналогов в стране и за рубежом и может быть использована в аппаратуре специального назначения.

Разработанные композиции полиядерной ароматической системы на основе полиэфирсульфона с ультрадисперсными функциональными наполнителями могут стать основой для создания принципиально новых видов элементов микроэлектроники.

Положения, выносимые на защиту:

1. Явления электропереноса в полиядерных ароматических системах в условиях сильного электрон-фононного взаимодействия.

2. Создание композиционных материалов с узкозонным энергетическим электронным спектром на основе термостойких ароматических полимеров.

3. Разработка базовых технологий создания многоуровневых коммутационных плат поверхностного монтажа электронной аппаратуры на основе разработанных полимерных композиционных паст.

Работа выполнялась по постановлению СМ и ЦК КПСС №603-190 от 28.06.85 и Президиума АН СССР №1005"А"-06 от 17.10.85 на базе лаборатории «Проблем повышения уровня интеграции микросборок» Минпромсвязи СССР при Башкирском государственном университете и лаборатории поликонденсации Института химии УНЦ РАН, а также в соответствии с планами важнейших научно-исследовательских работ в рамках Федеральной целевой программы "Интеграция" (per. № 676 и А0002) Минобразования РФ и АН РБ.

Апробация работы.

Основные результаты работы были доложены на I Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких плёнок (г.Иваново-Франковск, 1981 г.), Межотраслевых научно-технических конференциях по микроэлектронике (г.Уфа, 1989 г.), XI межвузовском семинаре по органическим полупроводникам (г.Горький, 1987 г.), XII межвузовском семинаре по органическим полупроводникам (г.Горький, 1988 г.), XV межвузовском семинаре по органическим полупроводникам (г.Нижний Новгород, 1992 г.), Всесоюзной конференция «Фундаментальные проблемы современной науки о полимерах» (г.Ленинград, 1990 г.),

Всероссийской научной конференции «Актуальные вопросы механики, электроники, физики Земли и нейтронных методов исследований» (г.Стерлитамак, 1997 г.); Республиканской конференции «Современные проблемы естествознания на стыках наук» (г.Уфа, 1998 г.); Международной научной конференции «Химия и химические технологии - настоящее и будущее» (г. Стерлитамак, 1999 г.); Региональной конференции «Резонансные и нелинейные явления в конденсированных средах» (г. Уфа, 1999 г.), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (г. Москва, 2001 г.)

По результатам исследований получено 4 авторских свидетельства на изобретения.

Структура и объём работы.

Первая глава представляет обзор современного состояния проблемы использования композиционных материалов на основе полимерных матриц и функциональных наполнителей в микроэлектронике. Дана общая характеристика одних из наиболее перспективных в этом отношении классов термостойких ароматических полимеров - полигетероарилидов и полиариленсульфон-оксидов. Показано, что наиболее важным вопросом при описании электронных свойств композиционных систем является возможность перестройки их электронного энергетического спектра, в частности, образование автолокализован-ных электронных состояний и молекулярных комплексов с переносом заряда при перераспределении электронной плотности между матрицей и частицами наполнителя.

Во второй главе приведены результаты работы по процессам синтеза термостойких ароматических полимеров - полиэфирсульфона и полидифени-ленфталида, а также модификация полидифениленфталида введением заместителей в молекулярную цепь полимера. Приведены методики получения тонкоплёночных образцов синтезированных полимеров, функциональных наполнителей и композиционных систем на их основе, а также методы исследования их электрофизических свойств.

В третьей главе представлены результаты исследований электрофизических свойств синтезированных ароматических полимерных матриц. Кроме электрических свойств, определены стойкость полимеров к воздействию агрессивных сред, термо- и теплостойкость, влияние неорганических наполнителей на термостойкость матрицы.

Четвёртая глава посвящена структуре электронного энергетического спектра полимерных матриц и функциональных наполнителей. Приведены результаты исследований оптических, фотоэлектрических, эмиссионных и электрических свойств компонентов композиционных систем, которые показывают наличие ряда особенностей, присущих электронной энергетической структуре синтезированных ароматических матриц, в частности, наличие локализованных электронных состояний.

В пятой главе описаны электронные процессы в композиционных полиядерных ароматических средах. Показано влияние избыточных электронов на электрофизические свойства молекулярной ароматической системы и образование молекулярных комплексов с переносом заряда в результате поляронного коллапса в системе. Рассчитана энергетическая структура локализованных электронных состояний в данной системе. Приведены результаты исследований, свидетельствующие об образовании молекулярных комплексов с переносом заряда в композиционных системах на основе ароматического полиэфир-сульфона и наноразмерных кластеров функциональных наполнителей.

В шестой главе изложены результаты по созданию технологии производства болыперазмерных подложек гибридных интегральных схем и многослойных коммутационных плат с использованием разработанной системы диэлектрических и проводниковых композиционных паст на основе полиэфирсульфо-на и функциональных наполнителей. Акты внедрения полученных результатов в производство приведены в приложениях.

Материал диссертации изложен на 327 страницах машинописного текста и состоит из введения, шести глав, выводов, заключения и приложений., включает 96 рисунка и 39 таблиц. Библиографический список содержит 318 ссылок.

Выводы

1. Процесс переноса заряда в молекулярных циклических системах осуществляется по активированным состояниям молекул. Локализация носителей тока в молекулярных системах происходит под влиянием внутримолекулярных колебаний. Характерное время межмолекулярного обменного взаимодействия

15 3 при концентрации избыточных электронов «<10 см" составляет гд~10"6. 10'5 с, а время релаксации г~10"4.10"3 с. С ростом концентрации избыточных электронов времена xsQ и т возрастают, что связано с уменьшением области локализации, обусловленным увеличением их кулоновского взаимодействия. В ацетофеноне при концентрации избыточных электронов

15 3 пе ~ 2,5*10 см" наблюдается фазовый электронный переход, обусловленный поляронным коллапсом в системе локальных поляронов. При этом g-фактор корреляции возрастает на три порядка, время rs& резко уменьшается и составляет 3-10"7 с, а время релаксации среды г возрастает до 5ТО"' с.

2. При концентрации избыточных электронов пе >2,5*1015 см"3 в молекулярных ароматических системах наблюдается явление вигнеровской кристаллизации электронов. Имеет место самопроизвольная конденсация поляронов в многоэлектронную проводящую структуру. Для нее характерен узкозонный механизм переноса заряда по зоне делокализованных состояний (Аг,~2-10" эВ), образованной за счёт перекрытия волновых функций локальных поляронных состояний.

3. Введение заместителей (атомов Cl, Вг, CN-групп) в молекулярное звено полидифениленфталида приводит к изменению дисперсионных параметров матрицы, что связано с перестройкой её электронной структуры. Зависимость дисперсионных параметров от концентрации заместителей в ароматическом ядре объясняется перераспределением плотности заряда в замещаемых дифе-ниленовых фрагментах и появлением эффективного заряда на них. Это приводит к значительному уменьшению е' при малых концентрациях заместителей, связанному с ослаблением дипольно-релаксационных процессов. С увеличением степени замещения дипольный момент структурных звеньев возрастает, что приводит к росту £■', которая достигает максимума при степени замещения 0,6 ат./зв. Край основного поглощения полидифениленфталида в области длин волн 185-1200 нм обусловлен проявлением запрещенных переходов 'А^—»'Вги и 'А^—>'В]и с энергиями максимумов 3,5; 4,6 и 6,2 эВ, соответственно. Введение заместителей вызывает расщепление и сдвиг энергии указанных переходов, что обусловлено поворотом фениленовых групп друг относительно друга, а также влиянием я-электронов СЫ-групп на межмолекулярное взаимодействие в ПДФ, которое растет с увеличением концентрации заместителя.

4. Разработана базовая концепция для получения нового класса композиционных материалов на основе термостойких ароматических полимерных матриц и ультрадисперсных функциональных наполнителей, которые станут основой для создания принципиально новых видов элементов микроэлектроники. Высокие термо- и хемостойкость, электрические и технологические характеристики синтезированных полимеров классов полиариленсульфоноксидов и полиари-ленфталидов позволяют создать широкий класс композиционных материалов с различными функциональными свойствами (электрическими, фотоэлектрическими, магнитными и др.) Использование ультрадисперсного состояния наполнителей позволяет значительно уменьшить их концентрацию в полимерной матрице для достижения функциональных параметров элементов микросхем, созданных на их основе. Установлено, что введение наполнителей в виде нано-размерных частиц приводит к повышению термостойкости полимерной матрицы.

Композиционные материалы на основе ультрадисперсных порошков редкоземельных элементов обладают высокой стабильностью диэлектрических параметров и устойчивостью к климатическим воздействиям.

5. Введение в полиэфирсульфон наноразмерных частиц сульфида висмута или висмута приводит к образованию молекулярных комплексов с переносом заряда по локальным поляронным состояниям, обеспечивающих когерентный

292 механизм переноса заряда (узкозонная модель), что представляет интерес для получения материалов с управляемым энергетическим электронным спектром, которые могут основой создания новой элементной базы микроэлектроники. 6. На основе синтезированных ароматических полимеров созданы системы совместимых композиционных паст, позволяющие изготавливать микросборки с повышенной степенью интеграции. Разработан технологический процесс производства многоуровневых коммутационных плат поверхностного монтажа электронной аппаратуры. Созданная металлическая подложка с диэлектрическим покрытием на основе синтезированных материалов по устойчивости к воздействию климатических факторов не имеет аналогов, в том числе и за рубежом, и может быть использована в аппаратуре специального назначения.

Заключение

В молекулярных системах на основе ароматических полимеров и функциональных наполнителей в виде молекулярных кластеров реализуется класс органических полупроводников с шириной запрещённой зоны Ле«\ эВ, подвижностью носителей ц> 104 см2/(В-с) и собственной концентрацией носителей тока п^2Л0п см'3. Подвижность носителей тока определяется свойствами полимерной матрицы, а не неконтролируемым содержанием химических примесей или дефектов.

Концентрация свободных носителей заряда обусловливается собственной энергетической структурой органического полупроводника и не связана с примесными состояниями. Для таких материалов характерен узкозонный механизм переноса заряда. Ширина разрешённых зон составляет десятки миллиэлектрон-вольт. Такая структура энергетического электронного спектра синтезированных молекулярных систем позволяет надеяться на реализацию на их основе ряда задач по функциональной микроэлектронике.

Применение этого класса материалов для создания многоуровневых плат поверхностного монтажа электронной аппаратуры указало на их перспективность в создании элементной базы микроэлектроники.

В заключение приношу сердечную благодарность моим научным консультантам - доктору физико-математических наук, профессору, академику РАЕН М.Х.Харрасову и доктору химических наук, академику АН РБ К.С.Минскеру за ценные советы и указания, а также постоянное внимание, которое они оказывали мне при выполнении работы.

Считаю своим приятным долгом отметить, что завершением настоящей работы я во многом обязан дружескому участию и поддержке, испытываемыми мною на протяжении всего периода работы, со стороны сотрудников лаборатории поликонденсации Института органической химии УНЦ РАН и научно-исследовательской лаборатории «Проблем повышения уровня интеграции микросборок» при Башгосуниверситете, за что выражаю им свою признательность.

1. Киттель Ч. Введение в физику твёрдого тела: Пер. с англ./ Под общ. ред. А.А.Гусева. М.:Наука, 1978. - 792 с.

2. Филатова Е.С., Ягодкин В.М. Особенности излучательной рекомбинации антимонида индия в магнитном поле // Физика и техника полупроводников.- 1970. -Т.4; №12. С.2391-2393.

3. Кастальский A.A., Рывкин С.М., Филатова Е.С., Ягодкин В.М. Излучение при взаимодействии носителей тока в квантующем магнитном поле // Физика и техника полупроводников. 1970. -Т.4; №12. - С.2393-2394.

4. Саимкулов З.А., Филатова Е.С., Ягодкин В.М. Влияние квантующего магнитного поля на вольтамперную характеристику n-InSb диодов с отрицательным участком // Физика и техника полупроводников. 1970. -Т.4; №12.- С.2396-2397.

5. Кастальский A.A., Рывкин С.М., Филатова Е.С., Ягодкин В.М. Излучатель-ная рекомбинация с «дефицитом» энергии в антимониде индия // Физика и техника полупроводников. 1974. -Т.7; №6. - С.1117-1123.

6. Иоффе А.Ф. Избранные труды. Л.:Наука, 1975. Т.2: Излучение. Электроны. Полупроводники. - 471 с.

7. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: Пер. с англ. / Под ред. Б.Т.Коломийца. М.: Мир, 1982. - 472 с.

8. Бродски М., Карлсон Д. и др. Аморфные полупроводники: Пер. с англ./ Под ред. М.Бродски. М.: Мир,1982. - 419 с.

9. Давыдов A.C. Солитоны в молекулярных системах. Киев:Наук.думка, 1984.-288 с.

10. Трахтенберг Л.И., Герасимов Г.Н., Григорьев Е.И. Нанокластеры металлов и полупроводников в полимерных матрицах: синтез, структура и физикохимические свойства // Журнал физической химии. 1999. - Т.32, №2. -С.264-276.

11. Помогайло А.Д. Полимер-иммобилизованные наноразмерные и кластерные частицы металлов // Успехи химии. 1997. - Т.66, №8. - С.750-787

12. Полимерные композиты 98: Сборник трудов конференции. Гомель: ИММС НАНБ, 1998.- 356 с.

13. Хамер Д., Биггерс Дж. Технология толстоплёночных гибридных интегральных схем: Пер. с англ. / Под ред. д.ф.-м.н., проф. Шермерогора. М.:Мир, 1975.-495 с.

14. Роусон Г. Неорганические стеклообразуюгцие системы: Пер. с англ. -М.:Мир, 1968.-341 с.

15. Balde J.W. VLSI packages: pin grids or chip carriers? // Circuits Manufacturing. 1983.-V.23, N9.-P.70-76.

16. Шац С.Я., Шубарев B.A., Клыков В.Г. Межкомпонентная коммутация в микроэлектронике (многослойные керамические коммутационные платы) // Зарубежная радиоэлектроника. 1986. - №6. - С.20-32.

17. De Coursey D.T., Sommerville D.T. // Circuits Manufacturing. 1983. - V.23, N7. - P.56-59.

18. Ямамото Тацуо, Хирано Такао // Дэнси гидзюцу, Electron. Eng. 1985. -Т.27, №15. - С.15-23.

19. Ноборисата Сенти, Онигата Кадзукару, Тоси Кэнъити // Дэнси гидзюцу, Electron. Eng. 1985. - Т.27, №15. - С.34-38.

20. Асаи Синъитиро и др. "Дэнси гидзюцу, Electron Eng." 1985, 27, №15, p.39-50 (яп.), РЖ РТ, 1986 г. Реф.бЖЗб.

21. Петрова В.З. и др. / Прогрессивные технологические процессы в производстве радиоэлектронной аппаратуры: Материалы краткосрочного семинара. -ЛДНТП.- 1982.

22. Гуськов Г.А., Воженин И.Н., Блинов Г.А. // Электронная техника. Сер. Микроэлектронные устройства. 1977. №6.

23. Kuzel P., Broukal J. // Electrocomponent Sci. and Technol. 1983. - V.10, №2.

24. Tsien W., McCusker J., Thaler B. // RCA Review. 1981. - V.42, №2.

25. Greer R., Sugasawara S. //EPP. 1983. - V.23, N10.

26. Sanders T. Generating PCB patterns by laser scanning // Electron. Prod. (Gr. Brit.) -1983. V.12, N10. - P.54-61.

27. Hiromitsu Y., Koichi N., Kyohei M. // Fujitsu Sci. and Techn. 1980. - V.16, N3.

28. Getti R.R e.a. // Electron Parts and Mater. 1983. - Y.22, N5.

29. Electronikpraxis, 1984, N1, p.96.

30. Schelhorn R.L. // Solid State Technology. 1980. - V.23, N10.

31. Burger W.G. e.a. // IBM J. of Res. and Dev. 1983. - V.27, N1.

32. StephanOhr. //Electron. Des. 1981. - Y.29, N39.

33. Пат. 57-31320 Япония, МКИ H 05 К 3/46.

34. Dixon Т. Multilayer motherboards support more signals // Electron. Packag. and Prod. 1983. - Y.23, N10. -P.71-75.

35. Пат. 2516739 Франция, МКИ H 05 К 3/12.

36. Пат. 4323026 США, МКИ Н 03 К 3/12.

37. Лаймен Дж. Сообщения на конференции по электронным компонентам о достижениях в области материалов // Электроника. 1984. - Т.57, №9. С.42-47.

38. Пономарёв М.Ф. ЭВА. М.: Радио и связь, 1982.-288 с.

39. Сосса Т., Dakesian S. // Solid State Technology. 1978. - V.21, N9.

40. O'Neil T.G. Hybrid circuit substrate review // Electron. Packag. and Prod. 1980. - N9. - P.57-64.

41. Onychkevich L.S., Tsien W.H., Hitch T.T. and Smith P.R. Manufacturing Steps in the Production of Porcelain Enamel PC Boards // RCA Review. - 1981. V.42. - P.145-158.

42. Ямагаси Масакадзу. Металлические подложки с изоляционным слоем и подложки с покрытием из стеклоэмали // Дэнси дзайре, Electron. Parts and Mater. 1980,-V. 19, N5, p.79-83.

43. Haffman H. American Ceram. Soc. Bull. (USA) 1978, v.57, N6, p.79-83.

44. Russman A. and Ward T.J. // RCA Review. 1981. - v.42. - p.178-197.

45. Пат. 58-26198, Япония МКИ H 05 К 3/44. Опубл. 01.06.83.

46. Блинов Г.А., Бутузов С.С., Воженин И.Н. // Электронная промышленность. 1976. Т.53, N5. - С.27-29.

47. Борисов М.Б., Краснов В.А., Белкин Н.Б. и др. // Обмен опытом в радиопромышленности. 1985. -N9. - С.33-35.

48. Щербаков А.В. // Электролитические и химические процессы в производстве печатных плат. ЛДНТП, 1974. - С.70-73.

49. Трубачев С.Г. и др. // Электротехника. 1986. -№12. - С.21-33.

50. Заявка 2080630 Великобритания, МКИ Н 05 К 1/03. Опубл. 03.02.80 РЖ Радиотехника.

51. Fuchs Е. Termoplastics prove advantageous in electronic applications // Electron. Packag. and Prod. 1985. - V.25, N4. P.146-149.

52. Morio G., Satoshi A. // Electron. Packag. and Prod. 1985. - v.25. -N12. - p.30-33.

53. Хори Дзёдзи. Новые изоляционные материалы для подложек: полисульфон и полиарилсульфон // Дэнси гидзюцу. Electron. Eng. 1986. - Т.28, N2. -p.42-48.

54. Smetana W., Wiedermann W, Fashing G.M. // Kunststoffe. 1985. - T.75, N5. -p.304-307.

55. Shueler S.D., Green W.J. //Electri-Onics. 1984. - V.30,N1. - p. 17-21.

56. Love D.L. // Electri-Onics. 1984. - V.30, N1. - p.35-37.

57. Энгельмайер В., Фриш Д.С. Изготовление трёхмерных плат методом ин-жекционного литья // Электроника. 1982. - Т.55, №25. - С.55-60.

58. Нэйгел Т. Усиление интереса к рельефным печатным платам // Электроника. 1986. - Т.59, №8. - С.92-94.

59. Mehler М. // Electron. Bus. 1986, - Т. 12, N6. - р.24-26.

60. Судзуки Тосио. Гибкие печатные платы // Дэнси гидзюцу. Electron. Eng. -1985. Т.27, N13. - p. 193.

61. Keeler R. // Electron. Packag. and Prod. 1985. - v.25, N4. - p.96-101.

62. Русанов А.Л., Стадник Т.А., Мюллен К. Новые поликонденсационные полимеры с низкой диэлектрической проницаемостью // Успехи химии. -1999. Т.68, №8. - С.760-772.

63. Шифрина З.Б., Русанов А.Л. // Успехи химии. 1996. - Т.65, №7. - С.648-657.

64. Пасынков В.В. и др. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1980.

65. Курносов А.И., Брук В.А. Основы полупроводниковой микроэлектроники. -М.: Высшая школа, 1971. С.34-42.

66. Данилин Б.С. Получение тонкоплёночных элементов микросхем. М.: Энергия, 1977.-С.23

67. Коршак B.B. Термостойкие полимеры. M.: Наука, 1969. - 411 с.

68. Поликонденсационные процессы и полимеры / Под ред. д.х.н. А.К.Мики-таева. Нальчик, 1975.

69. Виноградова C.B., Васнев В.А., Выгодский Я.С. Кардовые полигетероари-лиды. Синтез, свойства, своеобразие // Успехи химии. 1995. Т.65, №3. -С.266-289.

70. Химия и технология высокомолекулярных соединений // Итоги науки и техники. 1986. -Т.21. -С.3-34.

71. Новый путь синтеза ароматических полимеров / С.Н.Салазкин, С.Р.Рафиков, Г.А.Толстиков, М.Г.Золотухин // ДАН СССР. 1982. - Т.262. - №2. - С.355-359.

72. Некоторые закономерности синтеза полидифениленфталида поликонденсацией п-(3-хлор-3-фталидил)дифенила / М.Г.Золотухин, В.А.Ковардаков, С.Н.Салазкин, С.Р.Рафиков // ВМС(А). 1984. - Т.26. - С. 1212-1215.

73. Каримов С.Н., Конкин Н.И. Физика полимеров. Электрические свойства. -Душанбе: Тажд. гос. ун-т, 1982. 120 с.

74. Шуваев В.П. Кинетическая теория ионной миграционной поляризации и неомической электропроводности полимерных диэлектриков И ВМС (А). -1989. Т.31,№11. - С.2304-2310.

75. Шуваев В.П., Скурихина B.C. О механизме неомической электропроводности и релаксации тока в полимерных диэлектриках // ВМС (А). 1975. -Т. 17, №5.-С.1058-1062.

76. Крикоров B.C., Колмакова JI.A. Электропроводящие полимерные материалы. М.: Энергоатомиздат, 1984. - 176 с.

77. Григоров Л.Н., Рогачёв Д.Н., Краев A.B. Сверхпроводимость в плёнках некоторых полимеров при комнатной температуре // ВМС(А). 1993. - Т.35, №11. - С.1921-1929.

78. Перепечко И.И. Введение в физику полимеров. М.: Химия. 1978. - 312 с.

79. Соломко В.П. Наполненные кристаллизующиеся полимеры. Киев: На-ук.думка,1980. - 264 с.

80. Исследования структуры наполненных высокодисперсным железом полимеров в рамках теории протекания / У.Абдурахманов, А.Х.Зайнутдинов, Ш.Х.Камилов, М.А.Магрупов // ВМС(А). 1988. - Т.30, №6. - С. 1234-1237.

81. Диэлектрические аномалии в системах полимер металлический наполнитель / А.В.Стафеев, А.Б.Сажина, К.А.Бойцов и др. // ВМС(А). - 1986. - Т.28, №11. - С.2355-2359.

82. Зубарев А.Ю., Найданова С.А. К теории эффективной электропроводности дисперсных систем со сферическими частицами // Коллоидн. журнал. -1987. Т.49, №3. - С.453.

83. Дужин С.С., Шилов В.Н. Диэлектрические явления и двойной слой в дисперсных системах и полиэлектриках. Киев: Наук.думка, 1972. - 204 с.

84. Дульнев Г.Н., Новиков В.В. // Инженерн. физич. журнал. 1981. -Т.41, №1. -С.172.

85. Закраевский В.А., Сударь Н.Т. Инжекция дырок в полимеры из металлических электродов // Физика твёрдого тела. 1992. - Т.34, №10. - С.3228-3231.

86. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир, 1973. -416 с.

87. Kreibig U. IIЪ. Phys. D.-Atoms, Molecules and Clusters. 1986. B.3. S.239.

88. Хайрутдинов Р.Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. 1998. -Т.67. -№2. - С.125-140.

89. Wang Y., Herrón N. // J. Phys. Chem. 1991. V.95. P.525.

90. Трахтенберг Л.И., Герасимов Г.H., Григорьев Е.И. Нанокластеры металлов и полупроводников в полимерных матрицах: синтез, структура и физико-химические свойства // Журнал физической химии. 1999. - Т.32, №2. -С.264-276.

91. Мартюшов К,И. Проблемы резисторного материаловедения. Обзоры по электронной технике. Серия 5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1985. Вып. 2 (-1108 ).

92. Липатов Ю.С. Физико-химические основы наполнения полимеров. • М.: Химия, 1991. 259 с.

93. Мартюшов К.И. Электропроводность композиционных резистивных материалов. Обзоры по электронной технике. Серия 5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1982. Вып. 8 ( 910 )

94. McGhill A.R., McGibbon G., Shurplis A., Stanley E. J.Polymer. 1972. V.10. №2. p. 465.

95. Sessler G.M. Topics. App I. Phys. (Electrets) 1980.

96. Гуль B.E. Электропроводящие полимерные композиции. М.:Химия, 1984. - 240 с.

97. Электрические свойства полимеров /Под общ. ред. Сажина Б.И.-Л:Химия, 1970 376 с.

98. Мыльников B.C. Фотопроводимость полимеров. М.: Химия, 1990. -240 с.

99. Бартенев Г.М., Зеленев Ю.В. Курс физики полимеров. М.:Химия, 1976. -288 с.

100. Чайковский И. А. Гетерогенные толстопленочные резисторы. Микроэлектроника. 1988. Том 17. Выпуск 4.

101. Садовский М.В. // УФН. 1981. - Т.133, №2. - С.233.

102. Яковлев Б.С. Избыточный электрон в неполярных молекулярных жидкостях // Успехи химии. 1979. - Т.48. - №7. - С. 1153-1179.

103. Чуев Г.Н. Статистическая физика сольватированного электрона // УФН. -1999. Т.169. - №2. - С.155-170.

104. Ванников A.B. Сольватированный электрон в полярных органических жидкостях // Успехи химии. 1975,- Т.44. - № 11. - С. 1931 -1941.

105. Ландау Л.Д., Пекар С.И. Эффективная масса полярона // ЖЭТФ. 1948. -Т.18. - №5. - С.419-423.

106. Ландау Л.Д. Собрание трудов. Т.1. М.:Наука, 1969. - 512 с.

107. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов. М:Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1951. -256 с.

108. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. Л.: Физматгиз, 1962.-420 с.

109. Пикаев А.К. Сольватированные электроны в радиационной химии. М.: Наука, 1986.-457 с.

110. Copeland D.A., Kestner N.R., Jortner J. // J. Chem. Phys. 1970. - V.53. -P.1189.

111. Балабаев H.K., Лахно В.Д. Делокализованные состояния избыточных электронов в кластерах // Журнал физической химии. 1995. - Т.69. - №8. -С.1358-1362.

112. Лахно В.Д. Захват электронов полярными молекулами и кластерами в магнитном поле // Изв. АН Сер. физ. 1997. - Т.61. - №9. - СЛ 836-1850.

113. Лахно В.Д. Связанные состояния электронов в кластерах инертных атомов в магнитном поле // Изв. АН Сер. физ. 1996. - Т.60, №9. - С.69-71.

114. Лахно В.Д., Чуев Г.Н. Структура полярона большого радиуса в пределе сильной связи // УФН. 1995. - Т.165. - №3. - С.285-298.

115. Лахно В.Д., Чуев Г.Н. // Журнал химической физики. 1992. - Т. , №11. -С.382-38 .

116. Чуев Г.Н. Эффективный потенциал сольватированного электрона в неупорядоченной среде // Журнал физической химии. 1995. - Т.69. - №8. -С.1375-1378.

117. Чуев Г.Н. Спектр поглощения сольватированного электрона в полярной неупорядоченной среде // ЖЭТФ. 1994. - Т. 105. - №3. - С.626-637.

118. Чуев Г.Н. Кластеризация инертных газов на избыточных электронах // Изв. РАН Сер. Физ. 1996. - Т.60. - №9. с.2-6.

119. Чуев Г.Н. Теория среднего поля для избыточного электрона в поляризуемом плотном газе // Изв. РАН Сер. Физ. 1997. - Т.61. - №9. - С. 1770-1778.

120. Чуев Т.Н. Статистическая теория электрона, сольватированного в электролите // ЖЭТФ. 1999. - Т. 115. - №4. - С. 1463-1477.

121. Лахно В.Д. Адиабатическая теория 2D- и ЗБ-биполяронов. // Журнал физической химии. 1995. - Т.69, №8. - С.1379-1386.

122. Пекар С.И., Томасевич О.Ф. // ЖЭТФ. 1951. -Т.21. - С. 1233.

123. Винецкий B.J1., Гитерман М.Ш. К теории взаимодействия «лишних» зарядов в ионных кристаллах // ЖЭТФ. 1957. - Т.ЗЗ. - №3. - С.730-734.

124. Александров A.C. Биполяроны в узкозонных кристаллах // Журнал физической химии. 1983. - Т.57. - №2. - С.273-284.

125. Каширина Н.И., Моздор Е.В., Пашицкий Э.А., Шека В.И. Теория биполя-рона в узкозонных кристаллах // Изв. АН Сер. физ. 1995. - Т.59. - №8. -С.127-132.

126. Лахно В.Д. Адиабатическая теория биполярона // Изв, АН Сер. физ. -1995. Т.59. - №8. - С.149-159.

127. Чуев Г.Н. Биполяронные состояния в полярной жидкости // Изв. АН Сер. Физ. 1995. - Т.59. - №8. - С.95-100.

128. Лахно В.Д. Биполяронные состояния электронов в кластерах // Изв. АН Сер. физ. 1996. - Т.60. - №9. - С.65-68.

129. Лахно В.Д. Время жизни биполяронных состояний в водном кластере // Изв. АН Сер. физ. 1997. - Т.61. -№9. - С. 1700-1701.

130. Богомолов В.Н., Кудинов Е.К., Фирсов Ю.А. О поляронной теории носителей тока в рутиле (ТЮ2) // ФТТ. 1967. -Т.9. - №11. С.3175-3191.

131. Шикин В.Б. Возбуждение капиллярных волн в гелии вигнеровской решёткой поверхностных электронов // Письма в ЖЭТФ. 1974. - Т. 19. -С.647-650.

132. Монарха Ю.П., Шикин В.Б. К теории двумерного вигнеровского кристалла поверхностных электронов в гелии // ЖЭТФ. 1975. - Т.68. - С.1423-1433.

133. Зайцев В.М., Шлиомис М.Н. Характер неустойчивости поверхности раздела двух жидкостей в постоянном поле // ДАН СССР. 1969. - Т. 188. -С.1261-1262.

134. Шикин В.Б., Монарха Ю.П. Двумерные заряженные системы в гелии. -М.: Наука, 1989.- 156 с.

135. Давыдов A.C. Солитоны в молекулярных системах.- Киев: Наукова думка, 1984.-288 с.

136. Давыдов A.C. Солитоны в квазиодномерных молекулярных структурах // УФН. 1982. - Т.138. - №4. - С.603-643.

137. Аномально низкое электрическое сопротивление тонких плёнок диэлектриков / Н.С.Ениколопян, Ю.А.Берлин, С.И.Бешенко, В.А.Жорин // Письма в ЖЭТФ. 1981. - Т.ЗЗ. - № 10.-С.508-511.

138. Новое высокопроводящее состояние композиций металл-полимер / Н.С.Ениколопян, Ю.А.Берлин, С.И.Бешенко, В.А.Жорин // ДАН СССР. -1981. Т.258. - № 6. - С. 1400-1404.

139. О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких плёнок диэлектриков / Ю.А.Берлин, С.И.Бешенко, В.А.Жорин и др. // ДАН СССР. 1981,-Т.260. №6.-С.1386-1390.

140. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.Н. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении // Письма в ЖЭТФ. -1990. Т.52. - № 2. - С.742-745.

141. Скалдин O.A., Жеребов А.Ю., Лачинов А.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1990. -Т.51.-С.141.

142. Поведение замещённых дифенилфталидов и соответствующих лактамов в условиях высокого давления и напряжения сдвига / А.А.Петров, М.Г.Гоникберг, С.Н.Салазкин и др. // Изв. АН СССР. Сер. хим. 1968. -№2. - С.279-285.

143. Эффект переключения с памятью и проводящие каналы в структурах металл- полимер металл / А.М.Ельяшевич, А.Н.Ионов, М.М.Ривкин, В.М.Тучкевич // Физика твёрдого тела. - 1992. - Т.34. - № 11. - С.3457-3464.

144. Ионов A.M., Тучкевич В.М. К вопросу о сверхвысокой проводимости полипропилена // Письма в ЖТФ. 1990. - Т.16. - № 16. -С.90-93.

145. Измерение электрических свойств сверхтонких полимерных сло-ёв / Н.С.Ениколопян, С.Г.Груздева, Н.М.Галашина и др. // ДАН СССР. -1985. Т.283. - № 6. - С.1404-1408.

146. Зависимость сопротивления сверхтонких слоев полипропилена от их толщины / С.Г.Смирнова, Л.Н.Григоров, Н.М.Галашина, Н.С.Ениколопян // ДАН СССР. 1986.-Т.288. -№ 1. - С.176-181.

147. Смирнова С.Г., Демичева О.В., Григоров Л.Н. Аномальный ферромагнетизм окисленного полипропилена // Письма в ЖЭТФ. 1988. - Т.48. - № 4, - С.212-214.

148. Смирнова С.Г., Шклярова Е.И., Григоров Л.Н. О некоторых особенностях локальной проводимости тонких слоёв полипропилена // ВМС(Б). 1989. -Т.31. - №9. - С.667-670.

149. Высокопроводящее состояние в плёнках окисленного полипропилена / В.М.Архангородский, Е.Г.Гук, А.М.Ельяшевич и др. // ДАН СССР. 1989. -Т.309. - № 3. - С.603-606.

150. Разрушение сверхвысокой проводимости окисленного полипропилена критическим током / О.В.Демичева, Д.Н.Рогачёв, С.Г.Смирнова и др. // Письма в ЖЭТФ. 1990. -Т.51. -№ 4. - С.228-231.

151. Шиховцева Е.С., Пономарев O.A. Устойчивость перехода диэлектрик-металл в кислородосодержащих полимерах // Письма в ЖЭТФ. 1996. -Т.64. - № 7. С.468-472.

152. Григоров JI.H. О физической природе сверхпроводящих каналов в полярных эластомерах // Письма в ЖТФ. 1991. - Т. 17. - № 10. - С.45-50.

153. Андреев В.М., Григоров JI.H. Самопроизвольная генерация квазисвободных электронов в слабополярных каучукоподобных полимерах // ВМС(Б).1988. Т.ЗО. - № 12. - С.885-888.

154. Сверхвысокая проводимость при комнатной температуре в окисленном полипропилене / В.М.Архангородский, А.Н.Ионов, В.М.Тучкевич, И.С.Шлимак // Письма в ЖЭТФ. 1990. - Т.51. - № 1. - С.56-61.

155. Природа электрофизических аномалий тонких плёнок полиуретана / О.В.Демичева, Л.Н.Григоров, В.М.Андреев и др.//ВМС(Б). 1990. -Т.32. -№ 9. С.659-662.

156. Ениколопян Н.С., Григоров Л.Н., Смирнова С.Г. Возможная сверхпроводимость окисленного полипропилена в области 300 К // Письма в ЖЭТФ.1989. Т.49. - № 6. - С.326-330.

157. Григоров Л.Н. О причинах локализации суперполяронов в эластомерной матрице и их конформационной аналогии с макромолекулами // ВМС(А). -1992. -Т.34. -№ 9. С.74-78.

158. Rose J.B. Chem. and Ind., 1968, N15. p.461-469.

159. Сторожук И.П., Валецкий П.M. Химия и технология высокомолекулярных соединений. 1978. - Т. 12. - С. 127-176.

160. Синтез термостойких полимеров и их модификация с целью получения полимерных композиций: Отчёт по х/д №17141/45 от 1.07.1983 / БГУ. -Уфа, 1984. 15 с.

161. Шарло Г. Методы аналитической химии. -М.: Химия, 1969.

162. Москвичев Ю.А., Сапунов Ю.А., Миронов Г.С. // Ж. прикл. химии. -1980. Т.53, №7. - С.1619-1623.

163. Рафиков С.Р., Будтов В.П., Монаков Ю.Б. Введение в физико-химию растворов полимеров. М.: Наука, 1978. - С.200.

164. Кост А.Н. Общий практикум по органической химии. М.: Мир, 1965.

165. Гордон А., Форд Р. Спутник химика. М.: Мир, 1976.

166. Свойства оганических соединений. Справочник. / Под ред. к.х.н.

167. A.А.Потехина. JL: Химия, 1984.

168. Коростелев П.П. Реактивы и растворы в металлургическом анализе. Справ, издание под ред. д.х.н. проф. А.И.Бусева. М.: Металлургия, 1977.

169. Ягодкин В.М., Крайнюченко И.В., Васильев A.B., Нигматуллина Р.Г. Синтез полиариленсульфоноксида на основе дихлордифениленсульфона и его свойства /11-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам. Тезисы докладов. -Горький. -1987. С.37.

170. Григорьев А.П., Федотова А.Я. Лабораторный практикум по технологии пластических масс. М.: Высшая школа, 1977.

171. Повышение уровня интеграции микросборок на основе полимерных многослойных плёночных структур: Отчёт о НИР / БГУ; Руководитель Ягодкин

172. B.М. Х/д №48-83; ГР №01.83.0064378. - Уфа, 1983. - 115 с.

173. Определение параметров модулирующего потенциала периодической структуры (сверхрешётки) на основе гетероперехода висмут сульфид висмута : Отчёт о НИР / БГУ; Руководитель Ягодкин В.М. - тема №64-77; -Уфа, 1978.-55 с.

174. A.C. 774441 СССР. Способ получения резистивного материала для тонкоплёночных металлоокисных резисторов / А.В.Васильев, А.А.Супицкий, В.М.Ягодкин, А.С.Зеленкин. -№2759074; зарег. 27.06.80; Приоритет 27.04.79.

175. Ягодкин В.М., Минскер К.С., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние комплексов переходных металлов на электронную структуру ароматических полиядерных соединений. // Журнал прикладной химии. 2000. - Т.73. - №2. - С.287-290.

176. Михайлов Г.П., Бурштейн Л.Л. Современные теории дипольной поляризации молекулярных конденсированных систем // УФН. 1961. - Т.74, №1.-с.з-зо.

177. Калмыков Ю.П. Дисперсия диэлектрической проницаемости растворов полярных жидкостей // Химическая физика. 1990. - Т.9, №11. - С.1551-1557.

178. Брант A.A. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М.: Радио, 1963.

179. Эме Ф. Диэлектрические измерения. М.: Химия, 1967.

180. Физические методы органической химии / Под. ред. Вайсберга. М.: ИИЛ, 1954. -Т.З.

181. Шестопалов В.П., Яцук К.П. Методы измерения диэлектрической проницаемости вещества на сверхвысоких частотах // УФН. 1961. - Т.74, №4. -С.721.

182. Кобеко П.П., Михайлов Г.П., Новикова З.И. Зависимость диэлектрической постоянной совместных полимеров от температуры // ЖТФ. 1949. -Т. 19, №1.-С. 116-119.

183. Сканави Г.И., Губкин А.Н. //ЖТФ. 1954. -Т.27, №6. -С.742-753.

184. Хиппель А.Р. Диэлектрики и их применение: Пер. с англ. / Под ред. Д.М.Казарновского Л. : Госэнергоатомиздат, 1959.

185. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы. ГЭИ, 1950.

186. Электрические свойства полимеров / Б.И.Сажин, А.М.Лобанов, О.С.Романовская и др.; под ред. Б.И.Сажина 3-е изд., перераб. Л.: Химия, 1986.-224 с.

187. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические плёнки в микроэлектронике. -М.: Энергия, 1977.

188. Поуп П., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах: Пер. с англ. В 2 т. М.:Мир, 1986.

189. Загрубский A.A. Фотоэмиссионное исследование органических полупроводников. Канд. дисс. Л., 1971.

190. Петров В.В. Спектры парциальных сечений фотоэмиссии из тетрацена, 1,2-бензантрацена и тетратиотетрацена. Кандид.дисс. Л. 1984.

191. Кусаков М.М., Шиманко H.A., Шишкина М.В. Ультрафиолетовые спектры поглощения ароматических углеводородов: Атлас. -М.: Изд-во АН СССР, 1963.-270 с.

192. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников.-М., И.Л.,1967.

193. Хевенс О.С. Измерение оптических констант тонких плёнок.-В кн.: Физика тонких пленок. Под ред. Хасса Г. и Туна Р.Э. М., "Мир", т.2, с. 136-182.

194. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., "Наука", 1977

195. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.,"Сов.радио", 1975.

196. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in inteuse electric fields. Proc. Roy, Soc, 1928, v.119, A781, p.173-181.

197. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем. Справочное руководство. М., Физматгиз, 1959, т. 1 и 3.

198. Clark R., King J. Industrial usesflexible printed wiring. Electronic Design, 1970, 7,6,48.

199. Электрические свойства полимеров / Сажин Б.И., Лобанов A.M., Романовская О.С. и др.; под ред. Б.И.Сажина 3-е изд., перераб. Л.: Химия, 1986. -224 с.

200. Влияние химического строения простых и сложных ароматических полиэфиров на релаксационные свойства / Г.А.Клименко, А.П.Молотков, Л.И.Богданов // ВМС. 1975. - Т.17. - №11. - С.2574-2581.

201. Филатов И.С. Климатическая устойчивость полимерных материалов. М.: Наука, 1983. 146 с.

202. Васильев A.B., Корепанова O.E., Ягодкин В.М. Электрофизические свойства плёнок ароматического полифениленсульфоноксида в условиях повышенной влажности / 11-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам. Тезисы докладов. -Горький. -1987. С.39.

203. Вода в полимерах / Под. ред. С.Роуленда. М.: Мир, 1984. - С.429-442.

204. Рейтбург Л.И., Семенкова А.Э., Бычкова В.А. Свойства полисульфона // Пластмассы. 1977. -№11.-С.17.

205. Термодеструкция полиариленфталидов / В.А.Крайкин, С.Н.Салазкин, В.Д.Комиссаров и др. // ВМС(Б). 1986. - Т.28. - С.264-267.

206. Исследование некоторых закономерностей высокотемпературного окисления полисульфона / И.И.Левантовская, М.А.Наркон, О.В.Ершов и др. // ВМС(А). 1985. - Т.27. с.362-368.

207. Данилина Л.И., Телешов Э.Н., Праведников А.П. Термическая деструкция ароматических полисульфонов// ВМС(А). 1974. - Т. 16. - С.581-583.

208. Дашевская С.С., Шляпников Ю.А., Акутин М.С. Высокотемпературное окисление полисульфона//ВМС(Б). 1974. - Т.16, №5. - С.353-356.

209. Наркон А.Л., Левантовская И.И., Силинг М.И. Влияние примесей на термостабильность полисульфона// Пласт, массы. 1983. -№11. - С.20-21.

210. Перепечко И.И., Старцев О.В. Акустические свойства и структура аморфных полимеров //Акустический журнал. 1976. - Т.22, №5. - С.749-754.

211. Ягодкин В.М., Абдрахманов Н.И., Шитиков A.B. Энергетическая структура 71-электронной подсистемы ароматических линейных полимеров / 12-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам: Тезисы докладов. Горький. - 1988. - С.58.

212. Герцборг Г. Электронные спектры и строение многоатомных молекул: Пер. с англ. М.: Мир, 1969. - 772 с.

213. Келдыш JIB. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. // ЖЭТФ. 1958. - Т.34. - №5. -С.1138-1141.

214. Франц В. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца-Келдыша) / Туннельные явления в твердах телах: Пер. с англ. -М.: Мир, 1973. -421 с.

215. Свердлова О.В. Электронные спектры в органической химии. 2 изд., перераб. - Л.: Химия, 1988. - 248 с.

216. Пиментел Г., Сиратли Р. Как квантовая механика объясняет химическую связь: Пер. с англ. М.: Мир, 1973. - 332 с.

217. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Майссела Д., Глэнга Р. Пер. с англ. В 2 т. - T.I. - М.: Сов. радио, 1977.-768 с.

218. Большаков Г.В., Ватаго B.C., Агрест Ф.Т. Ультрафиолетовые спектры ге-тероорганических соединений. Л.:Химия, 1969.-499 с.

219. Поляков С.М., Зимина Т.С. Получение реплик одновременным испарением углерода и оттеняющего вещества // Заводская лаборатория. 1963. -Т.29, №8. - С. 973-974.

220. Федоренко А.И., Палатник В.М., Косевич В.М. Дефекты кристаллического строения конденсированных плёнок висмута // Физика твёрдого тела. -1967. Т.9, №10. - С. 2847-2853.

221. Поляков С.М., Лаверко Е.И., Ягодкин В.М. О двойниковании в эпитакси-альных слоях Bi // Кристаллография. 1976. - Т.21; №4. - С.863-865.

222. Комкин Ю.Ф., Пилипенко В.В. Эпитаксия висмута на слюде // Кристаллография. 1971. - Т. 16. - С.428-431.

223. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких плёнок. -Минск: Наука и техника, 1976. 376 с.

224. Поляков С.М., Лаверко E.H., Лискер И.С., Пукшанский А.Л., Ягодкин

225. B.М. Структура эпитаксиальных слоев висмута на слюде и слоёв Bi2S3, полученных методом вакуумной реактивной диффузии в парах серы // Физика твёрдого тела. 1975. - Т. 17. - С.600-602.

226. Сандомирский В.Б, Квантовый эффект размеров в пленке полуметалла // ЖЭТФ,- 1967. Т.52, №1.-С.158-166.

227. Тавгер Б.А., Демиховский В.Я. Квантовые размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллических плёнках // УФН. 1968. - Т.96, №1.1. C.61-85.

228. Гицу Д.В., Иванов Г.А. Анизотропия гальваномагнитных свойств висмута и его сплавов с теллуром. В кн.: Вопросы физики полупроводников и диэлектриков. - Л.:1961. - С. 13-29.

229. Комник Ю.Ф., Бухштаб Е.И. и др. Особенности температурной зависимости сопротивления тонких пленок висмута и сурьмы: Препринт. Харьков, 1970.

230. Луцкий В.Н. Об особенностях оптического поглощения металлических пленок в области превращения металла в диэлектрик // Письма в ЖЭТФ. -1965. Т.2, №8. С.391-396.

231. Огрин Ю.Ф., Луцкий В.Н., Елинсон М.И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута // Письма в ЖЭТФ. 1966. -Т.З, №3. С.114-121.

232. Луцкий В.Н., Корнеев Д.Н., Елинсон М.И. О наблюдении квантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута методом туннельной спектроскопии // Письма в ЖЭТФ. 1966. - Т.4, №7. - С.267-270.

233. Огрин Ю.Ф и др. Квантовые размерные эффекты в тонких пленках висмута // Радиотехника и электроника. 1967. - Т.12, №4. - С.748-749.

234. Комник Ю.Ф., Бухштаб Е.И. Наблюдение квантового и классического размерных эффектов в поликристаллических тонких пленках висмута // ЖЭТФ. 1968.-Т.54, №1.-С.63-68.

235. Фальковский Л.А. Физические свойства висмута // УФН. 1968. - Т.94, №1. - С.3-41.

236. Кулаковский В.Д., Егоров В.Д. Исследование плазменного отражения в висмуте и сплавах висмут-сурьма // Физика твёрдого тела. 1973. - Т. 15, №7. С.2053-2059.

237. Вавилов B.C., Брицин К.И. Влияние сильного электрического поля на поглощение света кремнием // Физика твёрдого тела. 1960. - Т.2. - С. 19371939.

238. Кастальский A.A., Лискер И.С., Пукшанский А.Л., Ягодкин В.М. Синтез и исследование полупроводниковых плёночных структур / Тезисы докладов

239. V Симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и плёнок. Новосибирск. - 1978. - С. 16.

240. Ягодкин В.М., Кастальский A.A., Лискер И.С., Пукшанский А.Л. Электрические свойства сверхрешётки на основе Bi-Bi2S3 // Физика твёрдого тела. 1977. - Т. 19; №3. - С.861-863.

241. Вульфсон A.B., Коробов А.Д., Ягодкин В.М. Нуль-орган на основе фотокомпенсационного усилителя // ПТЭ. -1973. -№2. С.253.

242. Коноров П.П. Электрические свойства халькогенидов висмута // ЖТФ, 1956. -Т.26, №5. С.1126-1128.

243. Коломиец Б.Т. Фотосопротивления из сернистого висмута // ЖТФ. 1949.- Т. 19, №1. С. 126-131.

244. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.- 302 с.

245. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов // ЖЭТФ. 1958. - Т.34, №5. -С.1138-1141.

246. Франц В. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца-Келдыша) В кн.: Туннельные явления в твердах телах / Под ред. В.И.Переля. - М.: Мир, 1973.

247. Lax М., Burstein Е. Infrared lattice absorbtion in ionic and homopolar crystals // Phys. Rev. 1955. -V.97, N1. - P.39-52.

248. Панков Я. Оптические процессы в полупроводниках: Пер. с англ. / Под ред. Ж.И.Алферова и В.С.Вавилова. М.:Мир, 1973. - 456 с.

249. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973.-400 с.

250. Redfield D. // Phys. Rev. 1963. - V.130. -p. 916.

251. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.:Сов.радио, 1975.

252. Зандберг.Э.Я., Ионов Н.И. Поверхностная ионизация. -М.: Наука, 1969. -432 с.

253. Сокольская И.Л., Милешкина Н.В. Автоэлектронная эмиссия с тонких слоев германия на вольфраме // Физика твёрдого тела. 1961. -Т.З.

254. Добрецов Л.Н. Автоэлектронная эмиссия металла, покрытого слоем ада-томов // Физика твёрдого тела. 1965. - Т.7, №11. - С.3200-3203.

255. Добрецов Л.Н. О мономолекулярных слоях // Физика твёрдого тела. -1967. Т.9, №10. -С.2769-2774.

256. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов: Справочник. Киев: Наукова думка, 1970. - 147 с.

257. Гарифуллин Н.М., Зубенко Ю.В., Ягодкин В.М. Определение работы выхода висмута и сульфида висмута автоэмиссионным методом // Радиотехника и электроника. 1976. - Т.21; №11. - С.2438-2439.

258. Краткий справочник химика. М.: Госхимиздат, 1954.

259. Данчевская М.Н., Панасюк Г.Н., Фигуровская E.H. К вопросу о сотоянии поверхности двуокиси титана в процессе термической обработки в вакууме // Кинетитика и катализ. 1969. - Т.10, №4. - С.930-932.

260. Панасюк Г.П. Дагневская М.Н., Кобазев Н.И. Масс-спектрометрический метод исследования дефектности окиси цинка // Журнал физической химии. 1967. - Т.41, №3. -С.691-695.

261. Тарутина Л.И., Позднякова Ф.О. Спектральный анализ полимеров. -Л.:Химия, 1986.-248 с.

262. Спектры поглощения молекулярных кристаллов /Под ред. В.Броуде, А.О.Прихотько. Киев: Наукова думка, 1972. - 274 с.

263. Справочник по дипольным моментам / Сост. Осипов O.A. М.: Высшая школа, 1971. -416 с.

264. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах: Пер. с англ. -М. Мир, 1973. 416 с.

265. Гросберг А.Ю., Хохлов А.Р. Физика в мире полимеров. М.'Наука, 1982. -208 с.

266. Илленбергер Е., Смирнов Б.М. Прилипание электрона к свободным и связанным молекулам // УФН. 1998. - Т. 168. - №7. - С.731-766.

267. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков: учеб. пособие для вузов. Киев.: Вища школа. Головное изд-во, 1980. - 400 с.

268. Васильев A.B., Ягодкин В.М., Катаманов В.Л., Корепанова O.E. Электрофизические свойства композитов на основе ароматических полисульфо-нов /13-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам: Тезисы докладов. Горький. - 1989. - С.53.

269. Ягодкин В.М., Васильев A.B., Абдрахманов Н.И. Электропроводящие гетерогенные системы на основе ароматических полисульфонов / Всесоюзная конференция «Фундаментальные проблемы современной науки о полимерах»: Тезисы докладов. Ленинград. - 1990. - С.25.

270. Ягодкин В.М., Минскер К.С., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние структурных превращений в ароматических полисульфонах на их свойства // Башкирский химический журнал. 1998. - Т.5. -№5. - С.42-44.

271. Yagodkin V.M., Minsker K.S., Zaikov G.E., Tavlylcaev R.F. Effect of Structural Transformation in Aromatic Polysulfones on Their Properties. // Russian Polymer News. -1999. -V.4, № 4.

272. Ягодкин B.M., Минскер K.C., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние комплексов переходных металлов на электронную структуру ароматических полиядерных соединений // Журнал прикладной химии. 2000. - Т.73, №2. - С.287-290.

273. Yagodkin V.M., Minsker K.S., Tavlykaev R.F. Influense of Transition Metal Complexes on the Electronic Structure of Aromatic Polymers // Russian J. App. Chem. -2000. V.73. N2. P.301-305.

274. Догадкин Б.А., Донцов А.А. Прибор для измерения набухания при повышенных температурах // Коллоидный журнал. 1961. - Т.23. - №3. -С.346-347.

275. Ягодкин В.М., Минскер К.С., Тавлыкаев Р.Ф. Влияние структурных превращений в ароматических полисульфонах на их свойства / Современные проблемы естествознания на стыках наук: Сб. статей: В 2 т.-Уфа: Изд-во УНЦ РАН, 1998. Т.2.- С.83-86.

276. Юодвиршис А.В., Кедавичус В.В., Пипинис П.А. Электронная эмиссия, пироэлектрический эффект и диэлектрические свойства трёхсернистого висмута // Физика твёрдого тела. 1969. - Т.11, №5. - С.1420-1424.

277. А.С. 1147208 СССР. Тонкоплёночный фотоприёмник / В.М.Ягодкин, А.В.Васильев. -№3514676; зарег. 22.11.84; Приоритет 20.08.82.

278. Каганов М.И., Лифшиц И.М. Квазичастицы. Идеи и принципы квантовой физики твердого тела. М.:Наука, 1976.

279. Фирсов Ю.А. Экспериментальное и теоретическое исследование оксидов и халькогенидов переходных металлов и редких земель / Материалы 6 зимней школы ФТИ. 4.II. Л., 1971.

280. Келдыш J1.B. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // ФТТ. 1962. - Т.4, №8. - С.2265-2267.

281. Lebwohs P.A., Tsu R. J. Appl. Phys. 1970. V.41. N 2. P. 664.

282. Гросс П. Свободные электроны в твердых телах: Пер. с нем. М.:Мир, 1982.-270 с.

283. Ягодкин В.М., Васильев A.B. Полимерные композиционные материалы для изделий электронной техники / Физика в Башкортостане: Сб. статей. -Уфа:Гилем, 1996. С. 317-325.

284. Васильев A.B., Ягодкин В.М. Электропроводящие и диэлектрические пасты для трафаретной печати на основе полиариленсульфоноксида / Всероссийский семинар:Тезисы докладов. Уфа. -1990. -С.22.

285. A.C. 1274584 СССР. Подложка для гибридных интегральных схем и способ её изготовления / А.В.Васильев, А.Е.Егоров, С.Н.Салазкин, В.М.Ягодкин. -№3861435; зарег. 1.08.86; Приоритет 10.12.84.

286. A.C. 1440006 СССР. Клеевая композиция для склеивания металлов и способ склеивания металлов / А.В.Васильев, А.Е.Егоров, О.Е.Корепанова, А.Е.Ковардаков, В.М.Ягодкин. -№4062167; зарег. 22.07.88; Приоритет 30.04.86.

287. Создание многослойных коммутационных плат на основе системы металл-полимер методом трафаретной печати: Отчёт о НИР / БГУ; Руководитель Ягодкин В.М. Х/д №48-85; ГР №01.83.0064378. - Уфа, 1986. - 52 с.

288. Создание многослойных коммутационных плат на основе системы металл-полимер методом трафаретной печати: Отчёт о НИР / БГУ; Руководитель Ягодкин В.М. Х/д №48-87; ГР №01.83.0064378. - Уфа,1988. - 127 с.

289. Packham D.E. Adhesion of polymers to metals: the role of surface topography. -Aspects Polym. Coat. Proc. Symp. -Minneapolis, Minn., New York, London, 1015 May, 1981, p.19-44.

290. Юнг JI. Анодные окисные плёнки. Л.: Энергия, 1967.

291. Зиман А.Д. Адгезия плёнок и покрытий. М.: Химия, 1977.

292. Вандерблит Б., Яруцальский Дж. Адгезия термореактивных смол к наполнителям.

293. Carre A., Schultz J. Polymer-Alyminium Adhesion. J.Adhesion., 1983, V.15, P.151-162.

294. Suetara W. Infrsred spectroscopic investigation of polymer coating metal substrate interaction. -Aspects Polym. Coat. Proc. Symp. -Minneapolis, Minn., New York, London, 10-15 May, 1981, p.225-233.

295. Taylor D., Rutler J.E. Amer. Chem. Soc. Div. Paint, Plastics etc., Preprints, 1959, 19(1), p.219.

296. Томашев H.A., Тюкина М.Н., Заливалов Ф.П. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов. М.: Машиностроение, 1968.

297. Седыкин Ф.В., Дмитриев Л.Б. и др. Электрохимическая обработка в технологии производства радиоэлектронной аппаратуры. М.: Энергия, 1980.

298. Федулова А.Л., Котов Е.Л.,Явич Э.Р. Химические процессы в технологии изготовления печатных плат. Под. ред. Котова Е.Л. - М.: Радио и связь, 1981.

299. Шалкаускас И. Химическая металлизация пластмасс. Л.: Знание, 1985.

300. Федулова А.Л., Котов Е.Л., Явич Э.Р. Многослойные печатные платы. -М.: Советское радио, 1977.

301. Хоперия Т.Н. Химическое никелирование неметаллических материалов. -М.: Металлургия, 1982.327

302. Ягодкин В.М., Абдрахманов Н.И., Аминев Х.Ф. Оптические и электрические свойства плёнок полиацетилена / 13-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам: Тезисы докладов. Горький. - 1989. - С. 16.

303. Аминев Х.Ф., Леплянин Г.В., Ягодкин В.М. Исследование влияния де-гидрохлорирования на электрические свойства полимерных проводниковых композитов /11-й межвузовский семинар по органическим полупроводникам. Тезисы докладов. -Горький. -1987. С.38.