Люминесцентные явления при растворении окрашенных щелочно-галоидных кристаллов тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ.II

1.1. Дефекты в щелочно-галоидных кристаллах.II

1.1.1. Структурные и примесные дефекты .II

1.1.2. Виды радиационных дефектов.

1.1.3. Механизм образования радиационных дефектов

1.1.4. Распределение радиационных дефектов по объему

1.1.5. Влияние состава и структуры кристаллов на образование радиационных дефектов

1.1.6. Реакции радиационных дефектов в твердых телах.

1.2. Процесс растворения твердых тел.

1.2.1. Особенности границы раздела фаз твердое тело-растворитель

1.2.2. Теоретическое описание процесса растворения и химических реакций.

1.3. Люминесценция при растворении окрашенных щелочно-гало-идных кристаллов

1.3.1. Влияние вида и распределения дефектов

1.3.2. Зависимость лиолюминесценции от состава и структуры кристаллов.

1.3.3. Влияние жидкой фазы

1.3.4. Влияние условий растворения

1.3.5. Спектры люминесценции.

1.3.6. Механизм лиолюминесценции

Глава 2. ЭКСПЕШИТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Объекты исследования.

2.2. Подготовка образцов и облучение

2.3. Спектрофотометрические измерения

2.4. Применение метода растворения для изучения дефектов

2.5. Выбор гидродинамических условий растворения.

2.6. Измерение люминесценции облученных кристаллов.

2.7. Математическая обработка результатов экспериментов

Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

3.1. Влияние вида и распределения дефектов на лиолюминес-ценцшо окрашенных щелочно-галоидных кристаллов

3.1.1. Накопление электронных центров

3.1.2. Накопление электронных центров. Облучение аддитивно окрашенного NaCl

3.1.3. Исследование дырочных дефектов в KCI

3.1.4. Зависимость термостимулированной люминесценции и послесвечения от дозы

3.1.5. Зависимость лиолюминесценции от дозы.

3.1.6. Связь лиолюминесценции с концентрацией дефектов

3.1.7. Изменение квантового выхода лиолюминесценции.

3.1.8. Закономерности послесвечения

3.1.9. Влияние термической обработки облученных кристаллов на лиолюминесценцию

3.2. Зависимость люминесценции от состава и структуры кристаллов.

3.2.1. Влияние примесей Са и ОН" на накопление электронных центров и лиолюминесценцию NaCI.

3.2.2. Влияние дорадиационной термической и механической обработки.

3.2.3. Закономерности лиолюминесценции и термостимулированной люминесценции после всестороннего сжатия KCI и LLP .Ill

3.2.4. Зависимость люминесценции от свойств поверхности

3.3. Влияние жидкой фазы на лиолюминесценцию

3.4. Зависимость лиолюминесценции от скорости растворения

3.5. Нестационарная лиолюминесценция при растворении облученного щ* в H2S

3.5.1. Влияние вида и распределения дефектов

3.5.2. Влияние жидкой фазы.

3.5.3. Зависимость нестационарной лиолюминесценции от гидродинамических условий растворения

3.5.4. Влияние свойств поверхности

Глава 4. МЕХАНИЗМ ШОШШЕСЦШЩ.

4.1. Анализ литературных моделей лиолюминесценции.

4.2. Процесс возникновения лиолюминесценции.

4.2.1. Влияние вида и распределения дефектов

4.2.2. Зависимость жолюминесценции от состава и структуры кристаллов.

4.2.3. Влияние свойств поверхности

4.2.4. Влияние растворителя.

4.2.5. Зависимость лиолюминесценции от скорости растворения

Глава 5. ПРШШЕНИЕ тшНЕСЦВНЦИИ.

5.1. Применение лиолюминесценции в дозиметрии ионизирующего излучения.

5.2. Определение концентрации дефектов по глубине твердого тела.

5.3. Изучение люминесценции литийсодержащих керамических материалов.

5.4. Определение величины давления.

5.5. Изучение растворяющейся системы

ЗАКЛШЕНИЕ.

ВЫВОДЫ.

В последние десятилетия среди методов исследования радиационной стойкости материалов, необходимых в связи с широким применением ядерной энергетики в народном хозяйстве, часто применяются химические методы, основывающиеся на разрушении твердого тела растворением и регистрации сопровождающих растворение эффектов. Наиболее чувствительным при этом является метод, основанный на регистрации люминесценции, возникающей при растворении твердых тел с радиационными дефектами. Среди люминесцентных явлений, сопровождающих процесс растворения, основное место занимает лиолю-минесценция, возникающая в результате реакций рекомбинации радиационных дефектов между собой и их реакций с растворителем. Актуальность изучения лиолюминесценции в последние годы возросла также в связи применением ее в дозиметрии ионизирующего излучения.

В связи с повышением интереса к поверхностным явлениям, которое объясняется успехами развития, в первую очередь, электроники (изготовление интегральных схем) и гетерогенного химического катализа, все большее внимание уделяется физико-химическим процессам на границе раздела фаз. Лиолюминесценция может служить эффективным инструментом исследования процессов на границе раздела фаз твердое тело - растворитель, но для этого необходимо рассмотреть все влияющие на лиолюминесценцшо факторы и раскрыть механизм лиолюминесценции.

Щелочно-галоидные кристаллы, выбранные в данной работе в качестве объектов исследований, широко используются для моделирования радиационно-химических и физических процессов в твердых телах. Щелочно-галоидные кристаллы также представляют собой самостоятельный интерес как лазерные материалы, элементы оптоэлектроники, сцннтилляторы, материалы для инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии.

Лиолюминесценция была открыта в 1895 году немецкими учеными Э.Видеманом и Ф.Шмидтом [I], однако интенсивные исследования ее начались в 60-70-ые годы. Исследования лиолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов велись и ведутся в Швеции (Г.Анстром [2], Т.Вестермарк и Б.Грапенгиессер [З]), в Индии (под руководством Х.Арникара [4-7]), в Великобритании (под руководством Дж. Маллар-да [8-10]), в Греции (Г.Гикас [II, 12]), во Франции (Б.Лелиевр и З.Адлофф [13]), а по лиолюминесценции органических веществ еще в ряде других стран. Первые исследования лиолюминесценции в СССР проводились в Институте физики АН Латвийской ССР (под руководством К.К.Шварца [14]) и в Ленинградском технологическом институте им. Ленсовета (под руководством Г.А.Михальченко [15]). В настоящее время исследования лиолюминесценции окрашенных щелочно-галоидных кристаллов проводятся в Ленинградском технологическом институте им. Ленсовета, в Латвийском государственном университете им. П.Стучки и Рижском медицинском институте.

В присутствии в растворителе люминофоров разных типов можно выделить два вида свечения. Это свечение люминофоров, возбуждающихся в результате передачи энергии электронно-возбужденного состояния люминофору (этот вид люминесценции в литературе отдельно не выделяется, а рассматривается как часть лиолюминесценции), и хемилюминесценция, возникающая в результате прямых реакций радиационных дефектов с хемктоминофором. Растворение облученных твердых тел сопровождается также затухающей после облучения люминесценцией твердого тела - т.н. послесвечением. Взаимосвязь между различными видами люминесценции, сопровождающими процесс растворения окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, согласно литературным данным мало исследована.

На люминесцентные характеристики при растворении окрашенных твердых тел влияют свойства жидкой и твердой фазы, а также условия растворения. К началу наших исследований имелось много данных о влиянии жидкой фазы на лиолюминесценцию как при растворении окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, так и органических соединений [2, 16-20]. Меньше исследовало влияние твердой фазы, и лишь некоторые работы посвящены изучению влияния условий растворения на лиолюминесценцию. Однако основное количество экспериментов проведено без комплексного учета всех известных факторов, влияющих на лиолюмине сценцию. Растворение кристаллов, в основном, проводилось в гидродинамически не контролируемых и не воспроизводимых условиях. Бее это, по-видимому, привело к различиям в объяснении экспериментальных фактов и к различиям в предложенных в литературе механизмах лиолюминесценции [б, 16, 17, 21, 22].

Б последнее десятилетие сотрудниками нашей кафедры была создана методика, позволяющая проводить растворение в гидродинамически контролируемых и воспроизводимых условиях [22, 23], первые экспериментальные результаты применения которой в исследованиях лиолюминесценции обобщены в [18]. Большую помощь в исследованиях лиолюминесценции может оказать обобщенный в [22] математический аппарат, позволяющий описать реакции химически активных частиц во время растворения, а также проведенные некоторые квантово-хими-ческие расчеты свойств дефектов вблизи границы раздела фаз [24].

Следовательно, к началу нашей работы имелись предпосылки для проведения систематических исследований с контролем и учетом всех известных факторов, влияющих на лиолюминесценцию и другие виды люминесценции.

Целью настоящей работы является установление взаимосвязи между лиолюминесценцией, свечением люминофоров и послесвечением и их зависимости от свойств твердой, а также жидкой фазы и условий растворения.

В связи с этим в работе ставились следующие задачи:

1. Установить взаимосвязь люминесцентных явлений, возникающих при растворении и нагревании облученных щелочно-галоидных кристаллов.

2. Изучить влияние вида и распределения дефектов основной матрице на люминесцентные процессы в окрашенных щелочно-галоид-ных кристаллах.

3. Уточнить механизм лиолюминесценции окрашенных щелочно-галоидных кристаллов.

4. Оценить возможность применения лиолюминесценции в дозиметрии ионизирующего излучения, для изучения свойств твердого тела с дефектами, для изучения свойств поверхности раздела фаз.

В работе впервые показано, что люминесценция при растворении окрашенных щелочно-галоидных кристаллов существенно определяется распределением дефектов по объему, которое меняется при изменении дозы облучения (концентрации дефектов), при термической обработке кристаллов как до, так и после облучения, а также введением примесей. Установлено, что изменения в механизме возникновения лиолюминесценции происходит одновременно с образованием в кластерах электронных дефектов ^-центров, а в кластерах дырочных дефектов агрегатов галогена, и появлением высокотемпературных пиков термостимулированной люминесценции. Исследован радиационно-стимулированный распад коллоидального металла при облучении аддитивно окрашенного коллоидальным металлом Nací, приводящий к изменению распределения образовавшихся простых электронных центров и лиолюминесценции по сравнению с неокрашенным кристаллом. Предложен механизм радиационно-стимулированного распада коллоидального металла, основывающийся на реакции дырочной компоненты, созданной радиацией френкелевской пары дефектов, с частицами коллоидального металла. При растворении облученного líe в h2so^ впервые в условиях стационарного растворения обнаружена нестационарная лиолюминесценция, связанная с неравномерным распределением радиационных дефектов в приповерхностном слое кристалла глубиной до 300 мкм.

На основе полученных в работе результатов предложены способы измерения величины дозы ионизирующего излучения и определения концентрации дефектов по глубине твердого тела.

Показана возможность применения лиолюминесценции и термости-мулированной люминесценции для определения величины давления до 8.I09 Па.

Автором на защиту выносятся следующие положения;

1. Зависимость люминесцентных явлений, сопровождающих процесс растворения окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, от изменения распределения дефектов по объему.

2. Закономерность накопления дырочных дефектов в KCl и их связь с лиолюминесценцией и термостимулированной люминесценцией.

3. Механизм возникновения лиолюминесценции при растворении окрашенных щелочно-галоидных кристаллов.

4. Способ определения глубины приповерхностного слоя кристаллов с измененными свойствами радиационных дефектов и глубины слоя, возмущенного растворителем, в котором протекают реакции радиационных дефектов.

5. Способ измерения дозы ионизирующего излучения.

6. Способ определения концентрации дефектов по глубине твердого тела.

ВЫВОДЫ

1. Лиолюминесценция при растворении облученных КС1 и 11аС1 в воде при концентрациях Р-центров, меньших критической (порядка Т7 Я

10 см ), возникает в результате рекомбинации Б1 - и У2-центров, а выше критической - только в результате перестройки структуры р -центра.

2. Лиолюминесценция при растворении в Н^БО^ облученного ЫР с концентрацией Р -центров меньше критической (^4.10^^ см~3) ^ возникает в результате превращения структуры Р -центра, а выше -в результате рекомбинации Р - и дырочных центров.

3. Изменение доминирующего механизма лиолкминесценции сопровождается образованием в кластерах электронных дефектов Рр-цеитров, а дырочных - агрегатов галогена.

4. Предложена гипотеза, что рекомбинация Р - и v2 -центров в возмущенном приповерхностном слое кристалла происходит: I) при размораживании диффузионной подвижности дырочных центров при растворении KCl и UaCi в воде и 2) вследствие туннелирования электрона при достижении резонанса энергетических уровней при растворении Li? в H^so^. Глубина возмущенного слоя в системе Lip/HgSO, достигает 20 мкм.

5. Квантовый выход лиолюминесценции дефектов в приповерхностном слое глубиной 200-600 мкм выше по сравнению с выходом в объеме. Обнаруженная нестационарная лиолюминесценция в системе lip/h2so^ связана с первоначальным распределением дефектов в слое глубиной до 300 мкм.

6. Накопление дырочных дефектов в KCl происходит в три стадии, проявляющихся в спектрах поглощения и люминесценции (послесвечения, термостимулированной люминесценции, лиолюшшесценции). Это: I) образование v2 -центров (^тах= 5,35 эВ), 2) возникновение V3 -центров (Лтах = 5,75 эВ), 3) возникновением агрегатов (Лтах = 6,2-6,3 эВ).

7. Квантовый выход лиолюминесценции на один F -центр зависит от распределения дефектов по объему кристаллов.

8. Показано, что лиолюминесценцию можно применять для определения доз ионизирующего излучения в интервале 10 Гр - 10 МГр, используя систему LiF/H2so^ , для определения распределения дефектов по глубине твердых тел, для оценки плотности кластеров дефектов в твердых телах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе основное внимание уделялось изучению влияния состава и структуры твердой фазы на люминесцентные явления во время растворения окрашенных ЩГК,- при этом контролировались основные известные факторы (ТТ, растворитель, условия растворения), влияющие на люминесценцию.

Исходя из анализа литературных, а также полученных данных, люминесцентные явления, сопровождающие растворение окрашенных ЩГК можно разделить на четыре группы:

1) ЛЛ, возникающая в результате прямых реакций химически активных частиц во время растворения;

2) свечение люминофоров, возникающее вследствие передачи энергии электронно-возбужденного состояния молекуле или иону люминофора;

3) хемилюминесценция, возникающая вследствие реакций химически активных частиц с люминофором;

4) затухающее после облучения послесвечения, возникающее в результате реакций нестабильных при температуре растворения РД в ТТ.

В работе уточнен механизм ЛЛ. Показано, что ЛЛ облученных ЩГК одновременно может быть связана как с реакциями рекомбинации р - и т2 -центров (по-видимому, в приповерхностном слое кристалла) , так и с перестройкой структуры F -центра, определены границы действия данных механизмов ЛЛ. В работе показана общность и различия механизма ЛЛ при растворении облученных KCI и NaCi в водных растворах и LiF в H2so4.

В работе уточнена роль растворителя при возникновении люминесценции. Рассмотрены 3 вида воздействия растворителя:

I) высвобождение РД из ловушек, приводящая к их движению и реакциям;

2) взаимодействие растворителя с РД и электронно возбужденными состояниями, приводящие как к усилению (люминофоры, ионы К*"), так и к тушению люминесценции (акцепторы электронов и дырок);

3) возмущение приповерхностного слоя, приводящее к протеканию реакций между F - и v2 -центрами и образованию электронно-возбужденного состояния F -центра.

Впервые систематически исследовано влияние распределения дефектов по объему на ЛЛ и другие люминесцентные характеристики. Показано, что распределение дефектов, зависящее от характеристик ТТ, определяет механизм ЛЛ. Небольшой и уменьшающейся с уплотнением кластеров вклад реакций рекомбинации Р - и v2 -центров в ЛЛ при растворении KCI и Nací в воде, по-видимому, связан,во первых, с низкими энергиями кристаллических решеток данных кристаллов, приводящих к увеличению расстояния между Р- и v2-центрами при комнатных температурах по мере уплотнения кластеров; во вторых,с слабым возмущением водой приповерхностного слоя. Для Líf энергия кристаллической решетки выше, энергия локализации РД больше, и, следовательно, расстояния между р - и v2-центрами меньше, а возмущающее действие растворителя H2S04 больше, чем для воды, поэтому реакции рекомбинации играют более весомую роль по мере уплотнения кластеров РД (предполагается, что этому способствует также изменение энергетических уровней F - и v2-центров вследствие взаимодействия дефектов в кластерах). Предполагается, что рекомбинация р- и v2-центров в KCI и Nací происходит вследствие размораживания диффузионной подвижности v2-центров, а в líf-в реакциях туннелирования. Показано, что изменение распределения РД термическим отжигом, облучением аддитивно окрашенных электронными центрами кристаллов, введением примесей, и механической и термической обработкой кристаллов приводит к изменению квантовых выходов ЛЛ (введение примесей изменяет процесс кластеризации и подвижность РД).

Важное значение в ЛЛ имеет поверхность и приповерхностный слой кристалла. Предполагается, что впервые обнаруженная нестационарная ЛЛ при растворении облученного líf в h^so^ связана с неравномерным распределением РД в приповерхностном слое глубиной до 300 мкм по сравнению с объемом. Спецификой приповерхностного слоя объясняется уменьшение квантового выхода ЛЛ для KCl и NaCl с увеличением толщины кристаллов до I - 1,5 мм, после чего становится постоянным.

В работе показано, что увеличение скорости растворения приводит не только к увеличению скорости перехода РД в растворитель, но и, по-видимому, к повышению степени возмущения приповерхностного слоя кристалла, и к увеличению эффективности протекания реакций рекомбинации.

В работе найдена корреляция между ЛЛ, ПС, ТСЛ и свечением люминофоров, которая определяется распределением дефектов (плотностью кластеров). Изменение ПС коррелирует с изменением низкотемпературных пиков ТСЛ при 340-350 К, а резкие изменения квантовых выходов ЛЛ и свечения люминофоров коррелируют с образованием высокотемпературных пиков ТСЛ. Предполагается, что существование общих полос в спектрах ЛЛ и ПС для KCl и NaCl связано с участием в обоих явленияхF - и v2 -центров, находящихся на разных взаимных расстояниях, причем эти расстояния больше в случае ЛЛ.

В ходе работы найдено, что метод ЛЛ можно применить для решения ряда практических задач: дозиметрии ионизирующего излучения; определения концентрации РД по глубине TT; определения величин о давления до 8.10 Па; изучения состояния поверхности раздела фаз и процесса растворения.

Хотя и в работе проведено уточнение представлений о механизме

ЛЛ и показано его зависимость от параметров растворяющейся системы, однако гипотетически остаются как вид электронно-возбужденного состояния, ответственного за ЛИ, эмиттера, так и реакции его образования. Для решения данного вопроса необходимо, в первую очередь, достоверная информация о спектральном составе ЛЛ. Совокупность всех известных данных свидетельствует, что свечение люминофоров, возникающее, вероятно, в результате диполь-дипольной и мультипольной передачи энергии люминофору, следует рассматривать как отдельный вид люминесценции, во многом зависящий от природы люминофора. Механизм возникновения свечения люминофоров на данный момент является менее определенным, чем механизм ЛЛ.

Целесообразным, на наш взгляд, является продолжение изучения полученных нами зависимостей ЛЛ от свойств РД на поверхности и в приповерхностном слое ТТ, а также зависимостей от шдродинамичес-ких условий растворения. Проведение систематических исследований в данных направлениях может дать сведения о структуре и свойствах поверхности раздела фаз.

1. Wiedemann Е., Schmidt Р.С. Uber Lumineszenz. Ann. Phys. und Chem., 1895, Bd. 54, S. 604-625.

2. Ahnstrom G. Physical and chemical processes accompanying the dissolution of irradiated substances, studied by means of luminescence measurements. Acta Chem. Scand., 1965, v. 19, N 2, p. 300-312.

3. Westermark Т., Grapengiesser B. Observations of light emitted upon dissolution in luminescent liquids of irradiated NaCl, LiP, KJ and some organic solids. Arkiv Kemi, 1961, v. 17,1. N 11, p. 139-149.

4. Arnikar H.J., Damle P.S., Chaure B.D. Aquoluminescence an alternative mode of release energy stored in ^ -irradiated crystals. - Radiochem. Radioanal. Lett., 1970, v. 5, N 1-2, p. 25-28.

5. Arnikar H.J., Bapat L.B., Pathak T.P.S. Effect of P M phototransforraation on aquoluminescence from ^ -irradiated sodium chloride. J. Chem. Soc. Paraday Trans., 1979, Part 1, v. 75, N 4, p. 844-849.

6. Mittal J.P. Light emission from the dissolution of ^ -irradiated alkali haxides in water. Nature, 1971, v. A230, N 15, p. 160-161.

7. Kalkar C.D., Ramani R. Enhanced aquoluminescence from irradiated HaCl in the presence of activators Cu^+ and Co^+ ions. Radioch. Radioanal. Lett. 1981, v. 47, N 4, p. 203210.

8. Ettinger K.V., Atari N.A., Mallard J.R. On the mechanism of lyoluminescence in alkali halides In: Theses of the Report on the San Paulo Luminescence Dosimetry Conf., Brasil, 1977,p. 40-47.

9. Atari N.A., Ettinger K.V. Lyoluminescence in inorganic solids.- In: Proc. Int. Gonf. Lumin. Dosim.: Edited Ъу ITiewiadomsky Т., Inst. Nucl. Phys. Krakow, Poland, 1974, v. 2, p. 395-415.

10. Atari IT.A., Ettinger K.V. Lyoluminescence of irradiated alkali halides. Rad. Effects, 1975, v. 26, N 1-2, p. 39-41.

11. Gikas G.X. Thermalie stimulated aquoluminescerice of ^ -irradiated alkali halides. Phys. Stat. Sol. (a), 1973, v. 17, N 2, p. 517-520.

12. Gikas G.X. Kinetics of aquoluminescence of -irradiated KC1.- Chem. Phys. Lett., 1974, v. 26, IT 2, p. 292-295.

13. Lelievre В., Adloff Z.P. Etude de la luminescence accompa-gnemant la dissolution du chlorure de sodium irradie par le rayonnement / du cobalt 60. J. Phys., 1964, v. 25, IT 8-9, p. 789-796.

14. Тиликс Ю.Е., Бугаенко Л.Т., Тетерис Я.А., Шварц К.К., Еяков В.М., Кан Р.А. Хемилюминесцентный метод исследования радиационных дефектов в щелочногалоидных соединениях. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1970, № 5, с. 19-24.

15. Черток Ф.М., Михальченко Г.А. Изучение радиационных дефектовв щелочногалоидных кристаллофорах и других материалах химическими методами. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1971, т. 35, № 7, с. I4I0-I4I3.

16. Тетерис Я.А. Хемилгоминесцентный процесс при растворении облученных щелочно-галоидных кристаллов. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, № 3, с. 44-52.

17. Петрик Н.Г. Оптико-химические процессы при растворении щелочно-галоидных кристаллов с радиационными и природными дефектами. : Дис. на соиск. уч. степ. канд. хим. наук. Л., 1980. 212 с.

18. Авотинын Ю.Э. Закономерности и механизм хемилюминесценции прирастворении щелочно-галоидных кристаллов с радиационными дефектами.: Дис. на соиск. уч. степ. канд. хим. наук. Л., 1980. 171 с.

19. Arnikar H.J., Damle P.S., Ghaure B.D. Aquoluminescence from-irradiated crystals.: II Spectral analysis and effect of pH of medium. J. Chem. Phys., 1971, v. 55, p. 3668-3671.

20. Ettinger K.V., Mallard J.R., Srirath S., Anunuso C.I., Halliday J. Development of lyoluminescence dosimetry for high dose range. Tech. Rep. Ser.-I.A.E.A. (High-dose meas. industr. radiat. process.), 1981, v. 205, p. 153-177.

21. Atari N.A. Lyoluminescence mechanism of gamma and additive-ly coloured alkali halides in pure water. J. Luminescence, 1980, v. 21, IT 3, p. 305-316.

22. Дзелме Ю.Р. Физико-химические процессы при растворении окрашенных щелочно-галоидных кристаллов.: Дис. на соиск. уч. степ, канд. хим. наук. Рига, 1979. 197 с.

23. Шшогер АЛ. Электронная структура и туннельная рекомбинация радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.: Авто-реф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. М., 1981. 22 с.

24. Мурин А.Н. Химия несовершенных кристаллов. JI.: Изд. ЛГУ, 1975. 269 с.

25. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа, 1983. 144 с.

26. Шаркези И., Предводителев А.А. Исследование механизма влияниявакансии и примесных диполей на механические свойства кристаллов UaCi . Вест. МГУ. Физ., астрон., 1981, т. 22, № I, с. I0I-I04.

27. Alsem W.H.M., De Hosson J.Th.M., Talmer H., Kanert 0. The orientation dependence of dislication slop in NaCl single crystals. Phil. Mag., 1982, v. A46, N 3, p. 451-468.

28. Appel P., Messerschmidt U., Schmidt V., Klyavin O.V., Nikifo-rov A.V. Slip structures and cross-slip of screw dislocations during the deformation of NaCl single crystals at low temperatures. Mater Sci. a. Eng., 1982, v. 56, N 3, p. 211-218.

29. Grilhe J. Interactions deslocations-dislocations. Disloc. et deform, plast. Ec. été Yrasals., 1979, v. 1, 1980, p. 181184.

30. Qure Y. Properties generales des dislocations. Disloc. et deform, plast. Ec. été Yravals., 1979, S. 1, 1970, p. 17-27.

31. Corish J., Jacobs P.W.M., Radhakrishna S. Point defects in ionic crystals. Surface and Defect Prop. Solids, 1977, v. 6, p. 218-279.

32. Patnaik S.K., Pathak T.P.S. Colour centers in irradiated alkali halide crystals. Prakruti Utkal Univ. J. Sci., 1976(1981), v. 13, N 1-2, p. 1-12.

33. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. M.: Мир, 1978. т. 2, 357 с.

34. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно-сибирское кн. изд-во, 1977. 208 с.

35. Миллере Д.К. ?2 -центры в щелочно-галоидных кристаллах. -В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1976, вып. 5, с. 76-90.

36. Готлиб В.И., Кристапсон Я.Ж., Шварц К.К., Экманис Ю.А.

37. Коллоидальные центры и процесс радиолиза в щелочно-галоидаль-ных кристаллах. В кн.: Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1973, вып. 7, с. 143-196.

38. Калнинь 10.X., Озерский В.Я. Энергия активации процесса термического разрушения Х-центров в щелочно-галоидных кристаллах. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1979, № 2, с. 39-42.

39. Озерский В.Я.,Накопление v и Х-центров в щелочно-галоидных кристаллах при больших дозах облучения. - Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1979, № 6, с. 29-37.

40. Озерский В.Я. Термическое и фототеримическое превращения центров окраски в KCl после высакодозного электронного облучения. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1974, № 4, с. 31-38.

41. Абрамишвили М.Г. Влияние радиации на оптическую стабильность коллоидных частиц Na в кристаллах UaCi. В кн.: Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1975, вып. 8, с. 13-18.

42. Рабша С.Я., Экманис Ю.А. Кинетика процессов радиолиза в кристаллах хлористого натрия при высокотемпературном облучении.- Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1980, № 4, с.19-24.

43. Шварц К.К., Экманис Ю.А., Удод В.В., Люшина А.Ф., Тиликс Ю.Е., Кан P.A. Спектры поглощения и размер колоидальных центров в кристаллах Nací и KCl. Физ. тверд, тела, 1970, т. 12, вып. 3, с. 879-884.

44. Экманис Ю.А., Шлихта Г.А. Особенности распределения колоидальных центров по размерам в облученных щелочно-галоидных кристаллах. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1983, Я 5, с. 10-13.

45. Jain S.C., Jain V.K. Optical and electrical studies of colloidal and P-agregate centers in highly pure KBr crystals, Phys. Rev., 1969, v. 181, N 3, p. 1312-1318.

46. Hughes A.E., Jain S.C Metal colloids in ionic crystals. -Adv. Phys., 1979, v. 28, N 6, p. 717-828.

47. Jain U., Lidiard A.B. The growth of colloidal centers in irradiated alkali halides. Phil. Mag., 1977, v. 35, N 1, p. 245-259.

48. Экманис Ю.А. Радиационно-стимулированные процессы агрегации дефектов в ионных кристаллах.: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. докт. физ.-мат. наук. Тарту, 1984. 42 с.

49. Бутаенко I.T., Тиликс Ю.Е., Шварц К.К. Возможность изучения электронных и дырочных продуктов радиолиза щелочногалоидных кристаллов методом растворения. В кн.: Радиационная физика. Рига, Зинатне, 1973, вып. 7, с. 197-225.

50. Тиликс Ю.Е. Химический подход к исследованию радиационных дефектов в твердых телах. В кн.: 5-ое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов.: Тез. докл. Рига, 1983, ч. 2, с. 414-415.

51. Алукер З.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 251 с.

52. Круминып В.Я., Баумаяис Э.А. Структура Нд-, vk- полосы поглощения и фотохимические реакции в рентгенизованных кристаллах квг- Жа. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионныхкристаллах. Рига, 1975, вып. 4, с. 82-98.

53. Пунг Л.А., Лущик АЛ. Дырочные процессы в кристаллах csBr . -В кн.: Труды ИФ АН ЭстССР. Тарту, 1975, №44, с. 69-86.

54. Chu Y.H., Mieher R.L. ESR of A (111) defect in x-rayed LiP. -Phys. Rev. Lett., 1968, v. 20, И 23, p. 1289-1292.

55. Saidoh M., Itoh N. H-center interactions during thermal annealing in KBr. J. Phys. Chem. Sol., 1973, v. 34, p. 11651171.

56. Agullo-Lopez P., Lope P.J., Jagque P. Role of cation impurities on radiation-induced processes in alkali halides. -Cryst. Lattice Defects and Amorph Mater, (formely Cryst. Lattice Defects), 1982, v. 9, N 4, p. 227-252.

57. Derbecq C.J., Kolopus J.L., Jasaitis E.L., Juster P.H. Correlation of the optical and electron spin-resonance absorptions of the H-centers in KC1. Phys. Rev., 1967,v. 154, N 3, p. 866-871.

58. Алексеев Д.П., Коновалова О.В., Кудрявцева И.Н. К механизму стабилизации Н-центров LiP : ОН", легированных ОН"" группой. -В кн.: 5-ое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов.: Тез. докл. Рига, 1983, ч. 2, с. 232233.

59. Даулетбекова А.К., Нурахметов Т.Н. Стабилизация междоузельных атомов в кристалле KBr-Li , облученном рентгеновскими лучами. В кн.: Вопр. физ. тверд, тела и теория относительности. Алма-Ата, 1980, с. 16-24.

60. Гиндина Р.И., Плоом Л.А., Маароос А.А., Пыллусаар Ю.В. Центры окраски в кристаллах KCI повышенной чистоты. Журн. прикл. спектроскопии, 1977, т. 27, вып. 3, с. 520-523.

61. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Маароос А.А., Плоом Л.А., Лущик АЛ., Пунг Л.А., Пыллусаар Ю.В., Соовик Х.А. Радиационноесоздание катионных дефектов в кристаллах KCl. Физ. тверд, тела, 1977, т. 19, J* 12, с. 3625-3630.

62. Лущик АЛ. Br^-центры в облученных рентгеновской и ВУФ-ра-диацией кристаллах CsBr . В кн.: Тр. ИФ АН ЭстССР. Тарту, 1980, т. 51, с. 39-56.

63. Бунг Л.А., Лущик АЛ. Парамагнитные и непарамагнитные дырочные центры в кристаллах КВг. Физ. тверд, тела, 1976, т. 18, вып. 4, с. II76-II78.

64. Эланго A.A., Нурахметов Т.Н. Создание и разрушение Вг^ -центров в КВг . Физ. тверд, тела, 1976, т. 18, вып. 4,с. II47-II48.

65. Нагорный A.A. Термический отжиг f-, v2-, "^-центров в кристалле KCl. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1979,6, с. 38-44.

66. Раухваргер А.Э., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е. Вероятная модель центра, ответственного за поглощение в v^-полосе спектра облученных кристаллов KCl. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, № 6, с. II5-II7.

67. Раухваргер А.Э.,*Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., Бутаенко Л.Т. Взаимная связь v2- и v^-центров в облученных кристаллах KCl. Изв. АН ЛатвССР. Сер, физ. и техн. наук, 1979, № I, с. 72-82.

68. Георгиев Г.П., Зирап В.Э. Отжиг радиационных дефектов и перенос зарядов в NaCl при температуре выше комнатной. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, Рига, 1980, с. 30-57.

69. Зирап В.Э., Зариня Г.Я., Круминьш В.Я. v2- и v^-центры в ЩГК.- В кн.: Тезисы докладов 4-го Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Саласпилс, 1978, ч. I, с. I2I-I22.

70. НоЪЪв L.W. Point defect stabilization in ionic crystals at high defect concentration. J. Phys., 1976, v. 37,p. (c7-3)-(c7-26).

71. Itoh N. Intestinal and trapped-hole centers in alkali halides. Cryst. Latt. Defects, 1972, v. 3, p. 115-143.

72. Цаль H.A., Караван Ю.В., Дидык Р.И., Драган О.П. Пульсирующий характер выделения галогена и металла из ЩГК в процессе их радиационного облучения. В кн.: Активная поверхность твердых тел. ГЛ., 1976, с. 318-323.

73. Цаль H.A., Дидык Р.И., Романюк H.H. Электронно-микроскопическое наблюдение дефектов, возникающих в радиационном разрушений ЩГК. Докл. АН СССР, 1979, т. 244, вып. 3, с. 574-576.

74. Цаль H.A. Механизм пульсирующего выделения продуктов радиолиза из облучаемых ионных соединений. В кн.: 5-ое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов.: Тез. докл. Рига, 1983, ч. I, с. II6-II7.

75. Нурахметов Т.Н. О существовании в облученных при 80 К кристаллах квг медцоузельных ионов калия, ассоцированных с междо-узельными ионами брома. В кн. : Тр. ИФ АН ЭстССР. Тарту, 1977, т. 47, с. 184-194.

76. Витол И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочио-галоидных кристаллофосфоров. -Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30, с. 564-569.

77. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Экситонный механизм создания ^центров в бездефектных участках ионных кристаллах. -Физ. тверд, тела, 1968, т. 10, вып. 9, с. 2753-2759.

78. Hersh H. Formation of color centers in alkali halides using ionizing radiation. Bull. Amer. Phys. Soc., 1965, ser. 2, v. 10, AF9, p. 582.

79. BO. Hersh H.N. Proposed excitonic mechanism of color-center formation in alkali halides. Phys. Rev., 1966, v. 248, p. 928-932.

80. Pooley D. P-center production in alkali halides by radiat-ionless electron-hole recombination. Solid State Comm., 1965, v. 3, p. 241-243.

81. Pooley D. P-center production in alkali halides by electron-hole recombination and subsequent (110) replacemnet sequence: a discussion of the electron-hole recombination. Proc. Phys. Soc., 1966, v. 87, p. 245-256.

82. Hayes W. Self-trapping of electronic excitations and radio-lysis of ionic solids. Conternp. Phys., 1980, v. 21, N 5, p. 451-461.

83. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides. Adv. Phys., 1982, v. 31, N 5,p. 491-551.

84. Lushchik C. Electronic excitations and defects in ionic crystals. Past present near future. In: Defects in insulating crystals.: Abstr. Intern. Conf. Riga, 1981, p. 709-720.

85. Лущик Ч., Васильченко E., Копп Ю., Лущик А., Лущик Н., Тайиров М. Низкотемпературный распад электронных возбуждений с рождением пар Френкеля в щелочно-галоидных кристаллах.

86. В кн.: 5-ое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов.: Тез. докл. Рига, 1983, ч. I, с. 98-100.

87. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Тайиров М.М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания р -, Н-пар в щелочногалоидных кристаллах. В кн.: Тр. ИФ АН ЭстССР. Тарту, 1983, т. 54, с. 5-37.

88. Миллере Д.К., Тале И.А., Котомин Е.А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов вщелочно-галоидных кристаллах. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1975, № 4, с. 24-72.

89. Васильченко Е.А., Тайиров М.М. Низкотемпературный распад эк-ситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в KCl, KCI-Br и KCI-J. В кн.: Тр. ИФ АН ЭстССР. Тарту,1982, т. 53, с. 172-192.

90. Гайлитис A.A. Зависимость кинетики туннельной люминесценции от взаимного распределения электронных и дырочных центров. -В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1973, вып. I, с. 17-23.

91. Миллере Д.К., Тале И.А. Определение некоторых параметров туннельной рекомбинации. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1974, вып. 2, с. 36-42.

92. Тале И.А., Миллере Д.К., Котомин Е.А. Роль туннельной рекомбинации в низкотемпературном накоплении F -центров. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1974, вып. 2, с. 43-51.

93. Белова Н.С., Мелик-Гайназян И.Я., Шуралева Е.И. Коагуляция У2-центров в кристаллах KCl. Докл. АН СССР, 1978, т. 243, J& 6, с. I47I-I474.

94. Дистлер Г.И. Реальная структура ионных кристаллов как фактор, определяющий механизм радиационных эффектов. В кн.: 5-ое

95. Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Тез. докл. Рига, 1983, ч. I, с. 69-70.

96. Плаченов Б.Т. Зарождение новой фазы при агрегации дефектов в ионных кристаллах. В кн.: 5-ое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Тез. докл. Рига,1983, ч. I, с. I07-110.

97. Воробьев A.A. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. Томск: изд-во Томского политехи, ин-та, 1968. 378 с.

98. Воробьев А.А., Завадовская Е.К., Кузьмина А.В. Запасенная энергия в щелочногалоидных соединениях. Томск: изд-во Томского политехи, ин-та, 1969. 322 с.

99. Воробьев А.А., Воробьев С.А. Механоэлектронные явления в твердых телах. Томск: изд-во Томского политехи, ин-та, 1983. 238 с.

100. Inoue Т., Komatsu Н. Change in dislocation distribution of KC1 single crystals during thermal cyclic annealing. Krist. a. Techn., 1980, v. 15, N 9, p. 1065-1075.

101. Kung A.Y.S., Logowski S., Vail S.M. Moeecular model parameters for the saddle-point configuration of P.j; Рд; P^ and Fjj centers in the alkali halides. Phys. Stat. Sol., 1980, v. B100, N 2, p. 621-629.

102. Paus H., Luty P. Paraday rotation of the Z^ center in KC1. -Phys. Rev. Lett., 1968, v. 20, N 2, p. 57-59.

103. Berc K.-S., Prohlich P. Formation of Z^centers in KC1 crystals doped with alkaline earth ions under x-irradiation. Krist. und Techn., 1978, Bd. 13, N 5, S. 481-489.

104. Narasimha R.K., Rao S.U.Y., Babu H.V. Study of Z-j-centersin ^ -irradiated KCl:Ba2+ crystals. Cryst. Res. a. Technol., 1983, v. 18, IT 11, p. 1401-1405.

105. Георгиев Г., Попов Д., Терзийски К., Златов Б. Образуванена z -центрове в гамаоблъчени кристалл от калиев хлорид с алкало земни примеси. Год. ВУЗ. Техн. физ., 1981, т. 18, № I, с. II9-I28.

106. Терзийски К., Попов Д., Бокалова Н., Терзийски К. z -центры в КС1:Са. В кн.: Годишн. высш. учебники завед. Техн. физ., 1974 (1977), т. II, № 2, с. 1-10.

107. Dakss M.L., Mieher R.L. ENDOR study of the H-center in LiP.- Phys. Rev., 1969, v. 187, N 3, p. 1053-1061.

108. Plant W.J., Mieher R.L. Electron-spin-resonance study of the НД(Ъ+) center in NaP. Phys. Rev. B, 1973, v. 7, N 11, p. 4793-4809.

109. Saidoh M., Hiroshi J., Itoh N. Temperature dependence ofthe dynamic interstitial interactions in potassium bromide. -Solid. Stat. Commun., 1973, v. 13, N 3, p. 431-433.

110. Schoemaker D. Games people play with interstitials (in alkali halides). J. Phys. (Prance), 1976(1978), v. 37, N 12, Colloq N 7, p. 63-71.

111. Watterich A. Gees M., Voszka R. ESR studies of V-centers in NaCl(Ca++) crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 31,p. 571-577.

112. Taurel L., Repka E., Lefrant S. Ramau scattering induced by V centers and their aggregates in alkal halides. Radiat. Effects, 1983, v. 72, N 1-4; Proc. 4 Eur. Top. Gonf. Lattice Defects Ionic Ci-yst. Dublin, 1982, P+A, p. 115-121.

113. Voszka R., Horvath Т., Watterich A. A possible model for V-centers stable at room temperature in x-irradiated KCl(Ca) crystals. Phys. Stat. Sol., 1967, v. 23, p. K71-K73.

114. Гиндина Р.И., Шункеев К.Ш. Механизм создания и структура СГд-центров в кристаллах KGI с катионными примесями Na+,Li+, Sr2+. В кн.: 5-ое Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов.: Тез. докл. Рига, 1983,ч. I, с. 145-146.

115. Щункеев К.Ш., Гиндина Р.И. О структуре (Cipz-центров в облученных кристаллах KCI-Sr . В кн.: Тр. ИФ АН ЭстССР. Тарту, 1983, т. 54, с. 122-135.

116. Alybakov A.A., Bujko V.M., Kidibajev М.М. Thermal destruction of centers due to hydrogen atoms in x-irradiated LP:0H.

117. Cryst. Res. a. Technol., 1983, v. 18, N 11, p. K129-K131.

118. Gra"bovskis V.J., Vitols I.K. Tunneling recombination luminescence in KBr and KC1. J. Luminescence, 1979, v. 20, p. 337-342.

119. Котомин E.A. Роль туннелирования в процессах накопления радиационных дефектов и в теории диффузионно-контролируемых реакций. : Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Рига, 1975. 26 с.

120. Тале И.А., Тале В.Г. Активаторные центры захвата в сильно легированных кристаллах. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1976, вып. 5, с. 142-155.

121. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров. М.: Наука, 1966. 328 с.

122. Здановский А.Б. Кинетика растворения природных солей в условиях вынужденной конвекции. Л.: Госхимиздат, 1956. 219 с.

123. Громов В.В. Влияние ионизирующего излучения на кинетику растворения твердых тел. М.: Атомиздат, 1976. 128 с.

124. Пикаев А.К. Сольватированный электрон в радиационной химии. М.: Наука, 1969. 457 с.

125. Пикаев А.К., Кабакчи С.А. Реакционная способность первичных продуктов радиолиза воды. М.: Энергоиздат, 1982. 200 с.

126. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973. 400 с.

127. Кисилев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978. 256 с.

128. Pastenau R.H.J., Van Veen A., Caspers L.M., Ypraa M.R.

129. On the rate of reactions of point defects very close to a crystal surface. Radiat. Effects, 1982, v. 61, N 3-4, p. 143-149.

130. Громов В.В., Крылов B.C., Шулятьева В.Н. Кинетика растворения поляризованных кристаллов. Журн. физ. хим., 1978,т. 52, № II, с. 2861-2869.

131. Шлюгер А.Л., Тиликс Ю.Е. Расчет характеристик электронныхи дырочных центров в кристалле LiF . Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1981, № 2, с. 24-32.

132. Лойцянский Л.Г. Механизм жидкости и газа.: Изд. 4-е. М.: Наука, 1973. 848 с.

133. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя. М.: Наука, 1974. 712 с.

134. Dzelme Yu.R., Tomasi J. Towards a comprehensive theory of lyoluminescence in alkali halide crystals: some results and some perspectives for future research. Chem. Phys. Lett., 1982, v. 89, И 3, p. 203-206.

135. Матюшков В.В., Юдин И.В., Панасгок С.Л. Исследование механизма хемилюминесценции при растворении облученных углеводов. -Хим. высоких энергий, 1982, т. 16, № 2, с. 135-138.

136. Михальченко Г.А., Матюшков В.В., Юдин И.В., Панасюк С.Л. Исследование механизма хемилюминесценции при растворении облученных углеводов.: Возникновение и хемилюминесценция ди-карбонильных соединений. Хим. высоких энергий, 1981, т. 15, № 4, с. 338-342.

137. Черток Ф.М. Применение хешшошшесцентных реакций в растворах при исследовании дефектов в твердых телах.: Дис. на со-иск. уч. степ. канд. хим. наук. Л., 1975. 150 с.

138. Петрик Н.Г., Михальченко Г.А. Оптико-химические процессы при растворении облученных ионизирующим излучением кристаллов. -Рукопись деп. в ОШИТЭХИМ, Черкассы, гё 3050/79 Деп. 25 с.

139. Тетерис Я.А. Хемилюминесценция облученного и аддитивно окрашенного КВг . Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1976, № 5, с. 26-30.

140. Авотинып Ю.З., Горбовицкая Т.И., Тиликс Ю.Е. Хемилюминесцен-ция при растворении ^-облученного фторида лития. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, JS 2, с. 122-123.

141. Тетерис Я.А. Кинетика рекомбинационного процесса F и V2 -центров в кристаллах КВг . - Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1977, № 2, с. 16-22.

142. Kliedekar A.V., Ramani R., Sardesai S.S., Kalkar C.D. Thermoluminescence decay and émission spectra of some $ -irradiated alkali fluorides. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1981, v. 184, p. 577-582.

143. Авотиньш Ю.Э., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., Бугаенко Л.Т.,

144. Энгельталер Т.Е. Хемилюминесцентный метод исследования центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах. В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции. Запорожье, 1976, с. 197-199.

145. Тетерис Я.А. Хемилюминесценция и природа радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах.: Дис. на соиск. уч. степ, канд. хим. наук. М., 1978. 159 с.

146. Arnikar H.J., Rao B.S.N., Gijare M.A., Sardesai S.S. Decay of thermoluminescence and aquolumineacence and their regeneration under light. J. of University of Poona. Science and Technology, 1974, N 46, p. 115-126.

147. Arnikar H.J., Rao B.S.M., Gijare M.A., Sardesai S.S. Variation of aquoluminescence during the decay and regeneration of thermoluminescence under F-light. J. Chim. Phys., 1975, v. 72, N 5, p. 854-858.

148. Плоом JI.А. Методика получения и радиационные дефекты кристаллов KCI с содержанием примесей.: Дис. на соиск. уч. степ, канд. хим. наук. Тарту, 1978. 214 с.

149. Arnikar H.J., Damle P.S., Chaure B.D., Deo V. Aquolumines-cence from ^-irradiated crystals.: Ill Effects due to thallium ions and water of crystallization. J. of University of Poona. Science and Technology, 1971, N 40, p. 11-21.

150. Авотинып Ю.Э., Лещинский Б.Л., Тиликс Ю.Е. Сенсибилизация2+лиолюминесценции хлорида калия ионами Cd в воде. Изв. АН ЛатвССР. Сер. хим., 1984, В 4, с. 407-409.

151. Arnikar H.J., Khedekar A.V., Banerji A.S. Solvolumines-cence from У-irradiated lithium chloride in non-aquous solvents. J. Chim. Phys., 1977, v. 74, H 1, p. 1922.

152. Авотиныи Ю.Э., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., ^угаенко Л.Т. Зависшость люминесценции от скорости растворения облученного хлорида натрия. Журн. физ. хим., 1981, т. 55, № 8,с. 2I06-2II0.

153. Тетерис Я.А. Хемилюминесцентный процесс при растворении f -облученных щелочногалоидных кристаллов. В кг.: Тезисы докладов Всесоюзного совещания по хемилюминесценции. Запорожье, 1976, с. 204-205.

154. Тетерис Я.А. Спектральный состав хемилюминесценции щелочногалоидных кристаллов с центрами окраски. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1976, № 3, с. 50-53.

155. Arnikar H.J., Kalkar C.D. Spectrum of aquoluminescence from Y^-irradiated sodium chloride in the presence of activators: Fluorescein and eosin. J. of Luminescence, 1977,v. 15, N 2, p. 227-230.

156. Atari N.A. Lyoluminescence mechanism of additively andgamma coloured alkali halides in fluorescent and chemilu-minescent solutions. J. of Luminescence, 1980, v. 21, N 4, p. 387-396.

157. Голубев Б.П. Дозиметрия и защита от ионизирующих излучений. М.: Атомиздат, 1976, 503 с.

158. Штольц В., Бернхардт Р. Дозиметрия ионизирующего излучения. Рига: Зинатне, 1982. 142 с.

159. Dexter D.L. Absorption of light Ъу atoms in solids. -Phys. Rev., 1956, v. 101, p. 48-55.

160. Раухваргер A.3., Тиликс 10.E., Дзелме 10.P., Бугаенко JI.T. Определение полярного коэффициента экстинкции и силы осциллятора у2-центра в облученных кристаллах KCI и NaCi. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, JS 2, с. 39-44.

161. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука, 1973. 832 с.

162. Луке И.Ю. Построение нелинейных многофакторных регресионных моделей и статистическая оценка их адекватности. В кн.: Вычислительные методы решения научных и технических проблем лесного хозяйства. Рига; Зинатне, 1983, с. 33-43.

163. Авотинып Ю.Э., Бриедис В.М., Мозгирс В.Я., Тиликс Ю.Е. Установка для измерения люминесценции при растворении твердых веществ. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1979,2, с. II4-II8.

164. Тиликс Ю.Е., Дзелме Ю.Р., Авотинып Ю.Э., Готлиб В.И., Эртс Д.П. Световое излучение при растворении твердых тел.: Люминесцентный способ и установка.: Информационный листок. Рига: изд-во ЛГУ им. П.Стучки, 1982. I с.

165. Справочник химика.: 2-ое изд. М., Л.: Химия, т. I, т. 3, 1964, 3144 с.

166. Румшиский Л.З. Математическая обработка результатов. М.:1. Наука, 1971. 192 с.

167. Эртс Д.П. Исследование отжига радиационных дефектов в ЫР методом хемилкзминесценции и термостимулированной люминесценции. В кн.: Тез. докл. 9-ой конференции молодых научных работников Института неорганической химии АН ЛатвССР. Рига, 1980, с. 46-47.

168. Эртс Д.П., Горбовицкая Т.И., Дзелме Ю.Р., Авотинын Ю.Э., Тиликс Ю.Е. Исследование отжига радиационных дефектов в ыр методом хемилюминесценции и термостимулированной люминесценции. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1981, $ 2,с. 61-64.

169. Эртс Д.П. Накопление радиационных дефектов и лиолюминесцен-ция У'-облученных ИаС1 и КС1. В кн.: Тез. докл. П-ой конференции молодых научных работников Института неорганической химии АН ЛатвССР. Рига, 1983, с. 25-26.

170. Эртс Д.П., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., Тетерис В.Э. Влияние ионов ^ на лиолюминесценцию аддитивно окрашенного КС1. -Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1983, №5, с. 117118.

171. Эртс Д.П., Дзелме Ю.Р., Авотинып Ю.Э., Тиликс Ю.Е. Люминесценция и точечные дефекты на границе раздела фаз ыр/н^о^ Изв. АН ЛатвССР. Сер. хим., 1984, }£ 4, с. 417-422.

172. Авотиньш Ю.Э., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., Эртс Д.П. Лиолюми-несцентный метод исследования дефектов в твердых телах.

173. В кн.: Тез. докл. III Всесоюзного совещания по химии твердого тела. Свердловск, 1981, ч. 2, с. 3.

174. Avotinsh Yu.E., Dzelme Yu.R., Bugaenko L.T., Tiliks Yu.E., Erts D.P. Hydrodynamic dissolution effects on irradiated lithium fluoride lyolurainescence kinetics. Radiochem. Radioanal. Lett., 1981, v. 49, N 2, p. 129-136.

175. Эртс Д.П. Накопление Р -центров и лиолюшшесценция /f -облученных NaCl и KCI. В кн.: Химия и физика твердого тела.: Труды Х-ой Межвузовский конференции молодых ученых, JI.: Ле-Himrpt ун-т, 1983, ч. I, с. 45-51.

176. Ботаки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980. 208 с.

177. Раухваргер А.Э., Тиликс Ю.Е., Дзелме Ю.Р., Бугаенко Л.Т. Определение силы осциллятора У3-центра в облученных кристаллах KCI. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978,3, с. 56-60.

178. Hobbs L.W., Saidoh М., Orera V.M. Void analogues in irradiated halides. In: International conference on defects in insulating crystals. Gatlinburg, 1977, p. 172-173.

179. Нурахметов Т.Н. Структура и механизм образования центров окраски, возникающих в KBr в результате ассоциации Н-центров.: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Тарту, 1978. 15 с.

180. Zaleskiewiez Т.P., Christy R.W. Optical blazing of V^-centers in KCI. Phys. Rev., 1964, v. 135, К 1A, p. 194-199.

181. Christy R.W., Phelps D.H. Production of Vy-c enters in KCI by x-rays. Phys. Rev., 1961, v. 124, N 4, p. 1054-1060.

182. Григорьева Л.Г., Миллере Д.К. Термостимулированная люминесценция KCI при температурах 300-600 К. В кн.: Электронныеи ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1980, с. 153-167.

183. Ausin N., Alvarez Rivas I.L. Thermoluminescence and annealing of P-centers in KCI irradiated at roam temperature. -J. Phys. C.: Solid State Phys., 1972, v. 5, p. 82-96.

184. Gartia R.K., Ratnam V.V., Mathur B.K. Thermoluminescence studies of trapping centers in KCI. Indian J. Phys.,-1976, v. 50, p. 1009-1017.

185. Григорьева Л.Г., Миллере Д.К. Термически стимулированная рекомбинация радиационных дефектов щелочно-галоидных кристаллов. В кн.: Термоактивационная спектроскопия дефектов в ионных кристаллах. Рига: изд-во Л1У им. П.Стучки, 1983, с. 67-82.

186. Тале И.А., Кортов B.C., Попов В.В. Экзоэлектронная и люминесцентная спектроскопия электронных ловушек при фракционном нагреве. Изв. ВУЗ-ов, 1982, т. 25, № I, с. 89-90.

187. Stoebe T.G., Watanave S. Thermoluminescence and lattice defects in LiF. Phys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 29, N11, p. 11-19.

188. Боярская Ю.С., Житару P.П., Фрелих Ф., Грау П., Кшоге Г. Влияние скорости идентирования на параметры процесса микровдавливания монокристаллов. Изв. АН МолдССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, 1983, № I, с. 60-62.

189. Свенцим К. Физика высоких давлений. М.: Изд. иностр. лит., 1963, с. 163.

190. Глазунов 0.0., Ишаков Д.В. Механоиндуцированная термолюминесценция люминофоров на основе фторида лития. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т. 19, №5, с. 820-822.

191. Ross А.Б. Selected specific rates of reactions of trans-ents from water in aqueous solution.: Hydrated Electron, Supplemental Data. U.S. National Bureau of Standards,1975. 43 p.

192. Kotomin E., Shluger A., Dzelme Yu. Quantum-chemicalcalculations of electronic and holo centers and surface of NaCl crystals (II). Phys. Stat. Sol. (Ъ), 1980, v. 98, p. 427-433.

193. Shluger A., Kotomin E., Dzelme Yu. Quantum-chemical calculations of electronic and hole centers and surface of NaCl crystals (I). Phys. Stat. Sol. (b), 1979, v. 96, p. 91-99.

194. Atari H.A., Ettinger K.V., Premlin J.H. Lyoluminescence as a possible basis of radiation dosimetry. Radiat. Effects, 1973, v. 17, N 1-2, p. 45-48.

195. Chetkarov M.L., Russeva V.G., Milyashev M.M., Anghelov A.G., Spassov V.A. Optical destruction of radiation-induced P-and N-centres in ^ -irradiated NaCl and KCI at room temperature. Докл. Болг. АН, 1982, v. 35, № 5, р. 625-628.

196. Под ред. Широкова Д.В. Фихика микромира. М.: Советская энциклопедия, 1980. 527 с.

197. Хедвиг П.М. Прикладная квантовая химия. М.: Мир, 1977. 597 с.

198. Александров А.Б. Механизм и кинетика радиационно-химических процессов на поверхности ионных кристаллов.: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. хим. наук. Л., 1984. 24 с.

199. Раухваргер А.Э. Физико-химические свойства и образование дырочных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах.: Дис. на соиск. уч. степ. канд. хим. наук. Рига, 1979. 186 с.

200. A.c. 743406 (СССР). Способ определения поглощенной дозы ионизирующего излучения / Авт. изобрет. Авотинып Ю.Э., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., Крейшмане Т.Е., Готлиб В.И., Эртс Д.П. Заявл. 24.01.79., № 2731246; Опубл. в Б.Й., 1982,1. JS 34, с. 303.

201. Авотиныи Ю.Э., Дзелме Ю.Р., Тиликс Ю.Е., Готлиб В.И., Бычев В.Р., Эртс Д.П. Лиолюминесцентная дозиметрия больших доз. -В кн.: Тез. докл. 7-го Всесоюзного совещания по дозиметрии интенсивных потоков ионизирующих излучений. Обнинск, 1983, с. 56.

202. В диссертационной работе Д.П.Эртса "Люминесцентные явления при растворении окрашенных щелочногалоидных кристаллов" наряду с вопросами фундаментального характера, рассматривается вопросы, касающиеся практического применения явления лиолюминесценции.

203. В частности, автором предложена дозиметрическая система / И2 э позволяющая определять поглощенную дозу ионизирующего излучения в интервале 10 -5- 10 Гр.

204. Применение предложенной Д.П.Эртсом лиолюминесцентной методики и системы / позволило получить информацию о дозе, полученной образцом за импульс, о распределении радиационных дефектов по глубине образца, о геометрии пучка электронов.

205. Получение подобной информации другими, как правило, косвенными методами представляет собой значительно более сложную и трудоемкую задачу.1. Э.Д.Алукер С.А.Чернов

206. Старший научный сотрудник, доктор физ.-мат.наук ^'

207. Старший научный сотрудник, кандидат физ. -мат. наукI

208. Типоазя неждуведомственнзя форыз -У^ Р-2 Утвержден,! ЦСУ "СССР 18 08 1976 г. J* 6811. Рижй^ий Мйпмги mim um', огивriBhliflelro. 1ш1 а e/предприятие, оргаинпитания, учреждение

209. AKTS PAR PRIEKSLIKUIÄA PIELIETOSANLt AK Г ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ПРЕДЛОЖЕНИЯ8.января19.