Люминесценция и фазовые переходы в кристаллах сложных галогенидов со структурой типа В-K2SO4 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

_ „ ^ л. п

■'у і О ^

/ ^ Г*

*) Й?Щ і"~•■' Міністерство освіти України

і- м>

Львівський державний університет імені Івана Франка

На правах рукопису

ФУРҐАЛА Юрій Михайлович

ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ ТА ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В КРИСТАЛАХ СКЛАДНИХ ГАЛОГЕНІДІВ З СТРУКТУРОЮ ТИПУ Р-К2804

01.04.10 - Фізика напівпровідників та діелектриків

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.

Львів - 1996

Дисертацією є рукопис.

Робота виконана у Львівському державному університеті імені Івана Франка Міністерства освіти України

Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, доцент Болеста Іван Михайлович

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,

Моцний Федір Васильович, доктор фізико-математичних наук,

Волошиновський Анатолій Степанович

Провідна організація: Київський університет імені Тараса Шевченка

Захист відбудеться 7 лютого 1996 року о 15.15 год. на засіданні Спеціалізованої вченої ради Д.04.04.08 при Львівському державному університеті імені Івана Франка за адресою: 290005 мЛьвів вул.Кирила і Мефодія 8.

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці університету. Автореферат розісланий " ______1995 року.

Вчений секретар Спеціалізованої вченої ради,

доктор фізико-математичних наук . Г л Блажиєвський Л.Ф.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ.

Актуальність теми. Проблема вивчення структурних фазових переходів (ФП) в кристалах протягом багатьох років залишається однією з головних фундаментальних та прикладних задач фізики кристалів. Наявність широкого класу сполук, в яких спостерігаються ФП вимагає розробки нових методів дослідження механізмів ФП та розвитку мікроскопічних моделей, які б дозволили пояснити та описати зміну окремих фізичних властивостей кристалів при ФП. При цьому основні експериментальні та теоретичні дослідження проведені, як правило на класичних матеріалах типу КН2РО4, Ш^пСМ з сегнетоелектричними ФП.

Поряд із згаданими модельними об'єктами, в останні роки інтенсивно досліджуються ФП в кристалах складних галогенідів, які ісїіують в системі АХ-ВХ2 (А+.В2+ - іони лужних та лужноземельних металів, X- - галоген). Найбільш відомими та дослідженими сполуками вказаної системи є кристали типу перовскіту АВХз, ельпасоліту АВВ'Х5, кріоліту, А4ВХ6 та інші. Протягом останніх десятиріч інтенсивно досліджується інший клас кристалів, які існують в системі АХ-ВХ2 -кристали типу А2ВХ4. Інтерес до їх досліджень обумовлений, в першу чергу, існуванням в них структурних фазових переходів різної природи, в т.ч. в співмірно та неспівмірно модульовані фази з сегнетоелектричними, сегнетоеластичними та суперіонними властивостями. Вивчення структурних ФП в кристалах А2ВХ4 проводиться з використанням широкого комплексу методів, які дозволяють вивчити механізми ФП на мікроскопічному (ЕПР, ЯКР, КРС) та макроскопічному (дослідження двозаломлення, діелектричної проникності) рівнях. Проте не дивлячись на інтенсивні дослідження проблеми ФП в кристалах, залишаються нерозв’язаними ряд питань, пов’язаних із локальними змінами мікроструктури окремих іонних комплексів в кристалах. В останні роки розпочаті дослідження ФП в цих кристалах методами оптичного

З

поглинання та люмінесценції. Однак на початок виконання роботи систематичні дослідження енергетичної струкутри, оптичних та люмінесцентних властивостей кристалів ірупи А2ВХ4 практично не проводилися.

Дослідження кристалів А2ВХ4 показують також важливу роль ростових та індукованих дефектів у формуванні їх фізичних властивостей. Зокрема, дефекти обумовлюють явище глобального динамічного гістерезису, ефекти термічної памяті та ін., які можуть бути корисними при практичному використанні сполук А2ВХ4 як середовищ запису інформації на нових фізичних принципах. Однак, природа дефектів у сполуках даного типу залишається практично не дослідженою, що обмежує можливості їх практичного використання.

Мета роботи полягає у вивченні механізмів ФП та мікроструктури фаз в кристалах оптико-люмінесдентними методами. Робота передбачає:

• проведення вибору об'єктів, обгрунтування і апробацію методу;

• встановлення природи власних та домішкових центрів свічення і побудови фізичних моделей, що описують зміни їх характеристик при ФП;

• встановлення основних закономірностей змін люмінесцентних параметрів при ФП різної природи та вивчення можливості використання люмінесцентних методів для ідентифікації нових ФП.

Наукова новизна:

• вперше вивчено оптико-люмінесцентні характеристики домішкових

центрів, утворених іонами Мп2+, РЬ2+ і Т1+ в кристалах СвгСсіІц, К.ЬгСсіІ4, К2ССІІ4 і та власних - в кристалах [Ы(СНз)4]2МпС14

і [>ШзС2Н5]2МпСІ4;

• розраховано електронну структуру кристалів СзгСсіІ4 в різних його фазах;

• встановлено особливості проявів ФП в оптико-люмінесцентних

характеристиках вказаних кристалів, за цими даними прогнозовано ФП в кристалах ШзгСсІІ.», КгСсіЦ;

• встановлено природу температурного гістерезису люмінесцентних властивостей кристалів.

Наукова та практична цінність. Дослідження електронної структури та механізму випромінювання локальних центрів свічення, характеру та причин їх зміни при ФП різної природи та в залежності від реальної мікроструктури фаз має самостійне наукове значення для прогнозування ФП та вивчення змін кристалічної структури при ФП, що є однією з основних задач фізики твердого тіла. Поряд з цим результати дисертації суттєво доповнюють знання про природу локальних центрів в кристалах А2ВХ4, їх взаємодію між собою та з граткою, зміну при ФП. Проведена робота сформувала чутливий до локальних структурних змін самостійний метод прогнозування ФП. В процесі виконання роботи розроблено пакет програм розрахунку зонної електронної структури кристалів. Отримані нові кристали типу А2ВХ4 з властивостями, які можуть бути корисними для створення пристроїв збереження та відображення інформармаиїі.

Положення, що виносяться на захист.

1. Центрами власної люмінесценції в кристалах [ІЧ(СНз)4]2МпСІ4 і (ЫНзСгНз^МпСЦ є, відповідно, тетраедрично та октаедрично координовані групи [Мп2+С1б]4' та [Мп2+СІ4р-.

2. Власна люмінесценція кристалів 1Ы(СНз)4]2МпСЦ і [ЫНзС2Н5]2МпС14 ідентифікується як перехід з найнижчого збудженого стану 4Ті(4Р) на основний 6Аі(65) електронної конфігурації Зс15 іону Мп2+ в тетраедричному та октаедричному оточенні відповідно. Люмінесценція дефектів в [К(СНз)4]2МпСІ4 повязана з наявністю мікровияілень фази МпСІг.

3. ФП в кристалах [К(СНз)4]гМпСІ4 при Тг=173К і в [МНзСгВДгМпСЦ при Т=229К пов'язані із деформацією

люмінесцентних центрів [Мп2+Ск]2- та [Мп2+С1бИ-, які є регулярними структурними елементами. Слабі аномалії при інших температурах пов'язані із зміною зовнішньосферового оточення центрів свічення.

4. Іони Мп2+ в кристалах А2ССІІ4 (А=С5,Ш),К) утворюють асоційовані центри типу [Мп2+сиІ4І2- (С-центри) та [Миг+сзУсз]- (Я-центри), які викликають свічення кристалів у зеленій та червоній областях спектру відповідно.

5. Характер температурних залежностй І(Т) та т(Т) в СігСсЩ та КЬгС<ЗІ4 дозволяє встановити асоційований характер О- та И-центрів, що обумовлює наявність резонансної передачі енергії збудження від

до Я-центрів в моноклінній та неспівмірній фазах кристалу. Глобальний динамічний гістерезис люмінесцентних характеристик пов'язаний з різним взаємним положенням О- та И- центрів в гратці при нагріванні та охолодженні кристалу. На основі аналізу температурних залежностей параметрів люмінесценції прогнозується наявність ФП в Ш>2Сс1І4 при Ті=384К, Тс=291К та Ті=216К і в К2ССІІ4 при Т]=272К, Т2=257К, Тз=243К, Т4=203К, Т5=163К та Тб=131К.

6. ФП Сз2СсіІ4-Мп типу р-К2$04 в модифікацію типу 5г2Се$4 супроводжується деформацією тетраедричних в-центрів з відхиленням його структури від правильної. При цьому електронна структура матриці міняється незначно.

Апробація роботи. Результати роботи доповідались та обговорювались на 1 Всесоюзній студентській конференції з фізики твердого тіла (м.Томськ, 1990), 5 Всесоюзній школі-семінарі з фізики сегнетоелектриків (м.Ужгород, 1991), 12 Міжнародній конференції "Дефекти в ізоляторах" ІСОІМ'92 (м.Нордкірхен, Німеччина, 1992), Українсько-французькому симпозіумі "Кондееований стан: наука та індустрія” (м.Львів, 1993), 8 міжнародній конференції з

б

сегнетоелектриків IMF8 (ГайзерОсрг, США, 1993?, Європейській конференції "Дефекти в ізоляторах" EURODIM'94 (м.Ліон, Франція,

1994), Українсько-польській та східноєвропейській школі з сегнетоелектрики та фазових переходів (м.Ужгород, 1994), Міжнародній науковій конференції, присвяченій І.Пулюю, (м.Львів, 1995), 10 Феофіловському симпрозіумі по спектроскопії кристалів, активованих перехідними та рідкоземельними металами, (Санкт-Петербург, Росія,

1995), 8 Європейській конференції з сегнетоелектриків IMF'8 (м.Ніймеген, Голандія, 1995).

Публікації. Основні матеріали дисертації викладені в 10 статтях. Особисто автором проведено оптико-люмінесцентні дослідження ФП в згаданих вище кристалах. Автор приймав участь у проведенні досліджень спектрів ЕПР і дослідженні чистоти та складу зразків для експерименту. Основні положення, які виносяться на захист, та висновки дисертації належать автору.

Структура та об'єм дисертації. Дисертаційна робота складається з вступу, літературного огляду, методичного розділу, трьох оригінальних розділів, висновків та списку цитованої літератури. Загальний об'єм роботи становить 171 сторінку, серел них тексту 107 сторінок, 56 рисунків, II таблиць. Бібліографія складає 109 найменувань.

ОСИОВИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтована актуальність проблеми, визначена мета роботи, відзначена її наукова та практична цінність, подані основні положення, що виносяться на захист.

В першому розділі проведено огляд літературних джерел стосовно зміни структури та фізичних аіастивостей кристалі» групи А2ВХ4, а також електронної структури координаційних сполук.

Встановлено, що на момент виконання даної роботи в літературі

досить повно описані окремі фізичні властивості (та їх зміни при ФП) досліджуваних кристалів - А2МПСІ4 (А=ІЧ(СНз)4, Г^НзСгИз) і А2ССІІ4 (А=К,КЬ,С5), проте серед них оптичні - слабо, а люмінесцентні - зовсім не вивчені.

З аналізу літературних джерел стосовно електронної структури кординаційних сполук - до яких відносяться досліджувані кристали -видно, шо з огляду на високу чутливість енергетичних параметрів локальних центрів до зміни локальної симетрії, дослідження оптичних, зокрема - люмінесцентних - характеристик та їх змін при ФП можуть суттєво доповнити відомості про характер і природу ФП у цих кристалах.

В другому розділі роглянуго питання, пов'язані з методикою експерименту та обробкою отриманих результатів. Обгрунтовано переваги дослідження емісійних характеристик люмінесцентних центрів в порівнянні з їх адсорбційними параметрами. Описана методика отримання монокристалів та визначення їх чистоти (за допомогою лазерного спектроаналізатора ЕЬЕМА), складу (рентгенівський аналізатор САМЕВАХ) та структурної досконалості (рентгенівський дифрактометр ДРОН-2.0). Використана методика оцінки якості досліджуваних кристалів практично виключає можливість неточного встановлення складу та чистоти досліджуваних кристалів.

Подана схема експериментальної установки для дослідження спектрально-кінетичних параметрів люмінесценції кристалів -Інтенсивності свічення (І(Т)), спектрального положення смуг (ІіУтах(Т)), їх півширини (ДН(Т)) та часу післясвічення (т(Т)) та їх температурних змін. Описана методика математичної обробки спектрів люмінесценції та збудження свічення.

В третьому розділі подані результати дослідження люмінесценції кристалів [1Ч(СНз)4]2МпС14 і [МНзС2Н5]2МпСІ4, в яких люмінесцентні центри є власними регулярними структурними елементами. Встановлена природа центрів власної люмінеценції та домішкового свічення. Детально описаний характер температурних залежностей спектрального

положення, півширини і відносної інтенсивності смуг люмінесценції та збудження свічення, а також часу післясвічення кристалів. За цими даними встановлено характер змін локального оточення центрів при ФП. Встановлено харктер ФП в околі Т=229К в кристалі (ЫНзС2Н5]2МпС14.

В кристалах [М(СНз)4]2МпСІ4 власна люмінесценція (Х=530нм) повязана з переходами міх рівнями електронної конфігурації 3<і5 іону Мп2+ в полі тетраедричної симетрії. Свічення домішок в червоній області спектру (Х=660нм), що локалізоване в окремих областях дефектних кристалів розміром до ЗОмкм ідентифікується як люмінесценція мікровиділень фази МпСІ2-

Дослідження змін окремих компонент спектрів збудження власної люмінесценції - інтенсивності свічення, спектрального положення смуг, їх півширини та розрахованих з них параметрів Рака - дозволяє зробити висновок про те, що при ФП в околі Т2=173К відбувається деформація люмінесцентного [МпСІ4]2- центру, яка супроводжується пониження його симетрії та зменшенням віддалі між центральним атомом та лігандами. Відповідні дослідження люмінесцентних параметрів кристалів [>ШзС2Н5]2МпС!4 в околі ФП при Т=229К свідчать про деформацію люмінесцентного октаедричного [МпС1б]4- комплексу, яке супроводжується відхиленням його структури від правильної та зменшенням віддалей Мп-Сіі у ньому. Показано що при дослідженні температурних залежностей інтенсивності свічення слід окремо розрізняти вклад у зміну І(Т) внутрішного (стосовно люмінесцентного центру) та зовнішнього квантових виходів, оскільки на зовнішній квантовий вихід' суттєво впливають процеси розсіяння світла на доменних стінках та інших макронеоднорідностях, що, зокрема, викликає гістерезис інтенсивності свічення кристалів ^(СНз)4]гМпСІ4 в діапазоні температур 173..243К.

Четвертий розділ містить методику та результати розрахунку електронної структури кристалів СзгСсІІ4 і порівняння її з

о

експериментальними результатами.

Розрахунок зонної енергетичної струкутри кристалів Сз2С<ІІ4 для двох різних модифікацій - ромбічної та моноклінної - проведено методом ЛКАО з використанням простого напівемпіричного наближення Харісона. Встановлено, що валентна зона цих кристалів складається 5s і 5р рівнями йоду, а зона провідності 5s і 5р рівнями кадмію та рівнями цезію. Край фундаментального поглинання формується непрямими електронними переходами з 5р рівнів йоду на рівні кадмію. Особливістю електронної структури обох модифікацій є сильна локалізація рівнів кадмію по відношенню до зони провідності. Отримано добре узгодження величини ширини забороненої зони за результатами розрахунків (Е£=3.63еВ) з експериментальними даними, отриманими з спектрів поглинання та фото чутливості кристалів СвгСсіи (Ег=3.59еВ).

Заключний п'ятий розділ присвячений вивченню люмінесценції домішкових центрів, утворених іонами марганцю, свинцю і талію в кристалах А2ССІІ4 (А=К,КЬ,С5). Встановлена природа відповідних центрів свічення, вивчено прояв ФП у відповідних характеристиках люмінесценції кристалів.

Встановлено, що іонн Мп^+ утворюють в кристалах СбзСсіЦ два типи центрів свічення, ловязапих із заміщенням іонів Сй2+ та Сб4 відповідно - центри типу (Мпссі2+І4І2- (О-центри) та [Мпсз24'^^!- (Я-центри), причому Іі-центри формуються в першій координаційній сфері С-центрів. Таке взаємне розміщення центрів внаслідок частково спільного галогенного оточення зумовлює процес безвипромінювальної передачі енергії від в- до К-центріи, ефективність якого змінюється в різних фазах кристалів.

Глобальний динамічний гістерезис 1(Т) та т(Т) люмінесценції С82С<ЗІ4-Мп пов'язаний з різним взаємним положенням О- та Я- центрів в гратці при нагріванні та охолодженні кристалу. Параметри цього гістерезису суттєво залежать від швидкості зміни температури, що

Ю

звязано, в першу чергу, з пінінгом солітонної структури на неоднорідностях кристалічної гратки.

G

5р І $

5s І $

2+

«

• Cs

• І

Рис.1. Електронна та кристалічна структура [Mncd2+l4]2- (G) та

[Mncs2+Vcsl' (R) центрів в кристалах Cs2CdL»-Mn.

Показано, що температурні ФП в Cs2Cdl4 типу P-K2SO4 (Рщсп) не супроводжуються деформацією структурних тетраедричних комплексів (Cd2+l4]2-, а лише їх розворотом та зміщенням іонів Cs+. шо відображається у незалежності від температури спектрального положення смуг збудження свічення та люмінесценції G-центрів та у відповідних змінах люмінесцентних параметрів R-центрів.

Результати досліджень люмінесценції домішок Pb2+ і Т1+ в кристалах Cs2Cdl4 вказує на наявність аномалій люмінесцентних параметрів в точках ФП. Проте встановлення характеру трансформації відповідних центрів свічення є досить проблематичним з огляду впливу на їх характеристики, поряд з трансформацією гратки, інших приблизно рівнозначних факторів - електрон-фононої та спін-орбітальної взаємодій, що є характерним для ртутеподібних центрів. Поряд з цим, відсутність змін спектрального положення смуг люмінесценції центрів [Pbcd2+m2- та подібна до [Mncs2+Vcs]- температурна залежність спектрального положення центрів утворених іонами Tlcs+ свідчить про

п

звязок механізму температурних ФП в кристалах СвгСсЩ із змінами в підгратці іонів Т1+.

ФП в СїгСсЗЦ типу р-Кг504с>Вг20е84 (А^В), що ініціюється вологою повітря, приводить до деформації як в- так і И-центрів. При цьому змінюється характер температурних залежностей люмінесцентних параметрів - відсутність аномалій в залежностях І(Т) та Ьущах(Т) вказує на відсутність температурних ФП в модифікації В кристалу СхгСсІЦ, що узгоджується з літературними даними.

На основі дослідження змін параметрів люмінесценції домішкових марганцевих центрів встановлена послідовність ФП в кристалах ЯЬгСсіи при Ті=384К, Тс—291К та Ті=216К і в КгСсЗЬ» при Ті=272К, Тг=257К, Тз=243К, Тз=203К, Т4=163К та Т5=131К.

Основні результати та висновки.

1. Встановлено, що смуги поглинання та збудження люмінесценції в кристалах [М(СНз)4]гМпСІ4 і [МНзС2Н5І2МпСІ4 пов'язані з переходами між рівнями електронної конфігурації 3<35 іону Мп2+ в тетраедричному та октаедричному оточенні відповідно. Власна люмінесценція цих кристалів ідентифікується як перехід з найнижчого збудженого стану 4Ті(4Р) іону Мп2+ на основний ¿Аі(68). Люмінесценція дефектів в [М(СНз)4]гМпСІ4 пов’язана з наявністю мікровиділень фази МпСІ2.

2. Показано, що перебудова локальної струкугри люмінесцентних центрів при ФП приводить до різкої зміни характеру температурних залежностей спектрального положення (ііУтах(Т)), півширини (ДН(Т)), інтенсивності смуг (І(Т)) та часу затухання люмінесценції (т(Т)). Встановлено, що ФП в кристалах [>І(СНз)4]2МпСІ4 при Т2=173К і в [NHзC2H5]2MпCU при Ті=229К повзані із деформацією люмінесцентних центрів [Мп2+СІ4]2- та ІМп2+СІб]4-, які є регулярними структурними елементами. Слабі аномалії при інших температурах пов’язані із зміною зовнішньосферового оточення

центрів свічення.

3. Встановлено, що іони Мп2+ б кристалах А2ССІІ4 (А^СзДЬ.К) утворюють центри типу !МпС<|2+і4]2- (в-центри) та [Мпс52+Л/с5І-(Я-центри), які викликають свічення кристалів у зеленій та червоній областях спектру відповідно. На основі аналізу температурних залежностей параметрів люмінесценції прогнозується наявність ФП в ЛЬ2СсіІ4 при Ті=384К, Тс=291К та Ті=216К і в К2ССІІ4 при Ті=272К, Тг=257К, Тз=243К, Тз=203К, Т4=163Кта Т5=131К.

4. Дослідження температурних залежносте І(Т) та т(Т) в СзгСсіЦ дозволяє встановити асоційований характер О- та Я-центрів, що обумовлює наявність резонансної передачі енергії збудження від С-до И-центрів в моноклінній та неспівмірній фазах кристалу. Глобальний динамічний гістерезис люмінесцентних характеристик повязаний з різним взаємним положенням О- та Я- центрів в гратці при нагріванні та охолодженні кристалу. Параметри гістерезису суттєво залежать від швидкості зміни температури, що повязується з пінінгом солітонної структури на неоднорідностях кристалічної гратки.

5. Встановлено, що ініційований вологою повітря ФП СхгСсЩ-Мп типу Р-К2504 в модифікацію типу 5ггСе54 супроводжується деформацією тетраедричних С-центрів. При цьому зменшуються віддалі між центральним атомом та лігандами, а його структура відхиляється від правильної. В СягСсЩ-Мп типу 5г2Се54 температурних ФП не спостерігається, про що свідчить відсутність аномалій температурних залежностей відповідних люмінесцентних параметрів.

6. На основі проведених досліджень запропоновано методику прогнозування ФП в кристалах за зміною їх люмінесцентних параметрів.

Основні результати дисертації викладені в наступних статтях:

1. Болеста И.М., Фургала Ю.М., Свелеба С.А. Люминесценция и

фазовые переходы в кристаллах [N(CH3)4)2MnCU. // Ж.прикл. спектроскопии.-1991.-Т.55, N6.-С.1007-1009.

2. Болеста И.М., Фургала Ю.М. Люминесценция Mn-иентров и фазовые переходы в кристаллах Cs2Cdl4 // Физ.тверд.тела.- 1991.-Т.ЗЗ, N7.-С.1962-1965.

3. Болеста I.M., Фургала Ю.М. Люмщесцениш Мп-центр1в та фазов! переходи в кристалах Cs2Cdl4 та Rb2Cdl4- // Укр.ф13.журн.-1991.-Т.36, N 11.-С.1654-1658.

4. Bolesta Iv Furgala Y. Luminescence Study of the Phase Transitions in Mn-Doped Cs2Cdl4 and Rb2Cdl4 Single Crystals. // Ferroelectrics.-1992.-V. 130.-P. 309-314.

5. Болеста И.М., Фургала Ю.М., Свелеба С.А. Оптико-люминесцентные исследования фазовых переходов в кристаллах |N(CH3)4]2MnCl4. // Изв.РАН., Сер.физическая,- 1993.-Т.56, N 10.-С.79-82.

6. Bolesta 1., Furgala Y. Luminescence of Impurity Centres and Phase Transitions in Cs2Cdl4 Rb2Cdl4 and Cs2Hgl4 Single Crystals. // Proceeding of the 12 International Conference on Defects in Insulating materials. Schlob Nordkirchen, Germany. Aug. 16-22, 1992. World Scient. PubLCo. Pte. Ltd.-1993.-V. 1. -P.639-641.

7. l.Bolesta, Y.Furgala. Temperature Dependences of Luminescence Parameters of Cs2Cdl4:Mn Single Crystals. // Phys.Stat.Sol.(a).-1994.-V.142.-P.245-251.

8. l.Bolesta, Y.Furgala, I.Kityk. Effect of phase transitions in luminescence characteristics of [N(CH3)4]2MnCl4 crystals. // Phase transitions.-1995,-V.5.- P.156-166.

9. l.Bolesta, Y.Furgala. Interaction of impurity centres in Cs2Cdl4-Mn Crystals // Radiation effects and Defects in Solids.-1995.-V.133-134.-P.738-740.

10. l.Bolesta, I.Kityk, Y.Furgala, S.Velgosh. Electronic structure of intrinsic and impurity Mn-centres in A2BX4 crystals with ß-K2S04 type structure. // Radiation effects and Defects in Solids.-1995.-V.133-134.-P.562-564.

Furgala Yu.M. Luminescence and phase transitions in complex halide crystals with P-K2SO4 type structure.

Thesis on search of the scientific degree of candidate of physical and mathematical sciences, speciality 01.04.10 - physics of semiconductors and insulators. I.Franko State University, Ministry of Education of Ukraine, Lviv, 1995.

The 10 scientifical papers are being defended presenting the results of study of the phase transitions been displayed in luminescent characteristics of intrinsic centres in А2МПСІ4 (A=N(CH3)4, NH3C2H5) and impurity ones in A2Cdl4 (A=K,Rb,Cs) crystals. The origin of luminescence centres, radiation and energy transfer mechanisms, and character of luminescence centres parameters changes occuring in different phases of crystals and the vicinities of phase transitions points were ascertained. The obtained results allowed to propose a new approach of prognosing and investigation of phase transitions in crystals.

Фургала Ю.М. Люминесценция и фазовые переходы в кристаллах сложных галогенидов со структурой типа P-K2SO4.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физко-

математических наук по специальности 01.04.10 - физика

полупроводников и диэлектриков. Львовский государственный университет имени И. Франко Министерство образования Украины, Львов, 1995. Защищается 10 научных работ, представляющих результаты

исследований проявлений фазовых переходов в люминесцентных характеристиках собственных - в А2МПСІ4 (A=N(CH3)4, NH3C2H5) и примесных центров - в кристаллах A2Cdl4 (A=K,Rb,Cs). Установлены природа центров люминесценции, механизмы излучения и передачи энергии, характер изменения параметров центров люминесценции в разных фазах кристаллов и окрестностях точек фазовых переходов. Полученные результаты дали возможность предложить новый подход для прогнозирования и изучении фазовых переходов в кристаллах.

Ключові слова: люмінесценція, фазові переходи, власні та домішкові центри люмінесценції.