Магнитосопротивление и теплоёмкость твёрдых растворов замещения Tm1-xYbxB12 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

Азаревич Андрей Николаевич

МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И ТЕПЛОЁМКОСТЬ ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ Тш1.хУЬхВ12

01.04.07 - физика конденсированного состояния

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

1 з НОЯ 2014

Москва-2014

005555061

Работа выполнена в Институте общей физики им. А.М.Прохорова Российской Академии Наук

Научный руководитель:

кандидат физико-математических наук, доцент Случанко Николай Ефимович Официальные оппоненты:

Менушенков Алексей Павлович, доктор физико-математических наук, профессор, Национальный Исследовательский Ядерный Университет «МИФИ», исполняющий обязанности заведующего кафедрой физики твердого тела и наносистем (70)

Горшунов Борис Петрович, доктор физико-математических наук, профессор, Институт общей физики им.А.М.Прохорова РАН, заведующий лабораторией субмиллиметровой диэлектрической спектроскопии отдела субмиллиметровой спектроскопии

Ведущая организация: ФГБУН Физический Институт им. П.Н. Лебедева РАН

Защита состоится 22 декабря 2014 г. в 17 час. 00 мин.

на заседании диссертационного совета Д 002.063.02

Института общей физики им.А.МПрохорова РАН

по адресу: 119991, г. Москва, ул. Вавилова, д.38, корп. 1, конференц-зал.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института общей физики им.А.М.Прохорова РАН и на сайте http://vvww.gpi.ru/compet.php.

Автореферат разослан < > октября 2014 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Макаров

Вячеслав Петрович тел. 8-499-503-8394

I. Общая характеристика работы

Актуальность темы.

Одно из приоритетных направлений в физике конденсированного состояния вещества связано с созданием и изучением материалов со специальными свойствами. При этом среди наиболее востребованных классов веществ в последние десятилетия выделяются соединения редкоземельных элементов, в которых реализуются рекордные значения физических параметров, например, в случае постоянных магнитов (Ыё-Ре-В, 5т-Со), высокотемпературных сверхпроводников (ЬаБгСиО, УВаСиО) и др. Додекабориды редкоземельных элеме1ггов (ЯВи), при сравнительно простой гранецешрированной кубической структуре, демонстрируют большое разнообразие магнитных и транспортных свойств, которые обусловлены конкуренцией различных взаимодействий (сильное электрон-фононное взаимодействие при необычном спектре колебательных состояний и магнитных возбуждений, косвенный обмен через электроны проводимости, эффекты кристаллического электрического поля, гибридизация локализованных 4Г-орбиталей с зонными состояниями и др.), обеспечивая привлекательность для исследователей этих модельных объектов. Поскольку получение высококачественных монокристаллических образцов соединений КВ^ значительно затрудняется вследствие высокой температуры плавления и химической активности расплава, подробные экспериментальные исследования стали доступны лишь сравнительно недавно.

В ряду редкоземельных додекаборидов соединение УЬВ12 является выделенным, поскольку при низких температурах оно представляет собой узкозонный полупроводник, в то время как все другие РЗ додекабориды, которые с точки зрения электронной структуры отличаются лишь степенью заполнения внутре1шей 4Г-оболочки, являются хорошими металлами. Природа диэлекризации спектра электронных состояний при переходе металл-изолятор (ПМИ) с понижением температуры в додекабориде иттербия оказывается тесно связанной с нестабильностью электронной конфигурации иона УЬ и вплоть до настоящего времени является предметом активных дискуссий. В УЬВ^ между близкими по энергии 4[ и 5(1 электронными состояниями иона иттербия происходят быстрые зарядовые и спиновые флуктуации, приводящие к проявлению нецелочисленной валентности (о(УЬ)»2.95), в результате которых подавляется маппттоупорядоченное состояние и формируются зарядовая и спиновая щели. Первоначально диэлектрическое немагнитное состояние в УЬВи, как и в 8тВс„ трактовалось в рамках модели кондо-решетки, вследствие чего эти вещества получили название кондо-изолморов.

Выполненные в последнее десятилетие исследования позволили установить, что природа основного состояния в этих соединениях значительно сложнее, и для его описания необходимо учитывать наличие конкуренции нескольких различных механизмов, определяющих взаимодействие и взаимное влияние между электронной, спиновой и колебательной подсистемами.

В диссертационной работе исследовались твёрдые растворы замещения Тгп1.хУЬхВ|2, в которых при изменении состава от ТтВ|2 к УЬВц оказалось возможным провести детальные измерения магнигосопротивления и теплоемкости и проанализировать на основании полученных результатов характер подавления антиферромагнитного состояния и особенности переходов антиферромагнетик-парамагнетик (АГ-Р) и металл-изолятор. Именно постепенное замещение Тт иттербием при плавном варьировании параметра порядка дает возможность изучения специфики ПМИ и АР-Р, причем по мере увеличения концентрации иттербия х при приближении температуры фазового перехода аитиферромагнетик-парамагнетик к нулю (Тц—>0) позволяет выяснить особенности квантового критического поведения и возникающие при этом аномалии физических характеристик (рост эффективной массы носителей, нефермижидкостное поведение). Принимая во внимание, что вследствие малых значений металлического радиуса Я3+ по сравнению с размерами полостей В24 в подрешетке бора, РЗ ионы в додекаборидах оказываются слабо связанными с жестким ковалентным борным каркасом и, в результате, при понижении температуры наблюдаются значительные их смещения (-0.3А) из положений равновесия гцк структуры [1]. В такой ситуации выбор в работе в качестве экспериментальных методов измерений магнитосопротивления и теплоемкости позволяет реализовать исследование эффектов локального беспорядка и кластеризации различных магнитных РЗ- ионов, определяющих ПМИ, и развитие ангиферромагнитной неустойчивости в РЗ додекаборидах.

Цель работы.

Выяснение природы перехода металл-изолятор в твёрдых растворах замещения Тт].,УЬхВ|2 и механизмов, приводящих к формированию немагнитного диэлектрического состояния в УЬВ12 с помощью детальных исследований транспортных свойств и теплоёмкости данных соединений в широком диапазоне изменения температуры и концентрации х, в сочетании с измерениями реперной немагнитной системы ЬиВп, допированной немагнитными ионами Хт и магнитными ионами Тш и УЬ малой концентрации. Именно исследование резистивных и тепловых свойств матрицы

4

немагнитного металла - додекаборида ЬиВи, дальнейшая их модификация при введении магнитных ионов Тш и УЬ ча счет локальных эффектов и формирования многочастичных состояний и, вслед за этим, изучение конце1прированных твердых растворов Тт^УМЗи с двумя типами магнитных ионов, позволяет выяснить роль локального беспорядка, спиновых флуиуацнй, многочастичных эффектов и кластеризации магнитных ионов в развитии антиферромагнитной неустойчивости и ПМИ.

Научная новизна работы.

1. Детальные исследования теплоёмкости С(Т, Н) ЬиВп с различным изотопическим составом по бору (В - 10, 11, паЦ в диапазоне температур 1.9-300К, в магнитном поле до 9 Тл позволили выделить и проанализировать вклады. Показано, что наряду с электронным и колебательными эйнштейновским (0е ~ 160 - 170 К.) и дебаевским (6п ~ 1110 К) вкладами, при низких температурах в фазе каркасного стекла доминирующей является вакансионная колебательная компонента в С(Т), которая обусловлена нецентросимметричным расположением РЗ ионов в полостях усеченных октаэдров В24, содержащих вакансии бора. Выполненный анализ вакансионных низкотемпературных Шотпси-аномалий позволил определить концентрацию вакансий бора (1-3%), найти высоту барьера в двухъямном потенциале ДЕ=50-70К и связать возникновение беспорядка в фазе каркасного стекла в ЬиВи при Т<Т*~60К с резким уменьшением амплитуды колебаний РЗ ионов при Т«ДЕ~Т* при их смещении из це1ггросимметричных положений. Исследовано влияние высокотемпературного отжига и немагнитной примеси замещения Хг (х = 0.01 и 0.1) на вакансионную и эйнштейновскую компоненты в теплоемкости ЬиВц. Проанализирован также магнитный вклад в теплоемкость ЬиВп, возникающий в ИД-и^Вп в присутствии примеси замещения Тт и УЬ с х(11)=0.01. Найдены g-фaзтозpы, отвечающие основному состоянию Г5(1> и Гй мультиплетов 3НЙ и ионов Тт и УЬ, соответственно.

2. Для твердых растворов замещения Тпп.хУЬхВц, в которых наблюдаются переходы металл-изолятор и антиферромагнетик-парамагнетик исследованы особенности развития АР-неустойчивосги и подавления АР-состояния, как с ростом концентрации УЬ, так и во внешнем магнитном поле до 12 Тл. На высококачественных монокристаллических образцах додекаборидов Тш1.хУЬхВ12 при гелиевых и промежуточных температурах выполнены измерения сопротивления и теплоемкости. По результатам построена магнитная фазовая Н-Т-х диаграмма антиферромапштного состояния для х<0.1. При измерениях поперечного магнитосопротавления обнаружена значительная анизотропия

фазовых границ как для переходов АР-Р, так и для спин-ориентационных переходов АР1-АР2 в антиферромагнитной фазе исследуемых соединений с металлической проводимостью и г цк кристаллической структурой. В АР-состоянии построены трёхмерные диаграммы анизотропии магннтосопротивления в различных магмитоупорядоченных фазах. Установлено, что отрицательное магнитосопротивление в Тт^УКВп определяется спин-поляронным эффектом, причем в формировании магнитной структуры в основном АР-состоянии в исследуемых РЗ додекаборидах наряду с локализованными магнитными моментами 4Г-состояний, связанных непрямым обменом через электроны проводимости (РККИ-механизм), важную роль играет локальная спиновая поляризация 5<1-сосгояний зоны проводимости в непосредственной окрестности 4Г-центров, формирующая волну спиновой плотности. В интервале концентраций х>0.2 при гелиевых температурах 0.5-2К обнаружен переход в миктомагнитное состояние (спиновое стекло), свидетельствующий о формировании магнитных кластеров РЗ ионов.

3. Впервые исследован переход металл-изолятор в твердых растворах замещения Тпп.хУЪхВц с х < 0.81 при измерениях удельного сопротивления р(Т, Н) в интервале температур 1.9-300К в магнитном поле до 12 Тл. Обнаружено, что при низких температурах в используемом интервале концентраций УЪ сопротивление меняется более чем в 100 раз, однако акгивационное поведение р(Т) не наблюдается. В парамагнитной фазе соединений Тт1.хУЬхВп обнаружен эффект отрицательного магнитосопротивления, состоящий из двух независимых вкладов. Анализ кривых Др/р(Н, То) в рамках модели Иосиды [2] приводит к заключению о рассеянии носителей заряда на магнитных кластерах РЗ ионов наноразмера, формирующихся при низких температурах в фазе каркасного стекла в Тш1.хУЬхВп. Определены магнитные моменты кластеров ~ 1.8-3 цв), являющихся областями ближнего порядка с АР-обменом внутри кластеров, изучено изменение ц^я с ростом концентрации иттербия.

4. Для твёрдых растворов замещения Тт^УЬЛп с х < 0.81 впервые исследовано поведение теплоёмкости С(Т, Н) при переходе металл -изолятор в интервале температур 0.04-300к в магнитом поле до 9 Тл. Обнаружена изосбестическая точка при Т*=6К на кривых С(Т, Н=0), установлено, что температурная зависимость теплоёмкости для всего диапазона составов 0.004 < х < 0.81 линейно масштабируется по концентрации УЬ. Показано, что линейное по х уменьшение С(Т) при низких температурах обусловлено формированием щели, приводящим к уменьшению электронной плотности состояний на Ер. В рамках предложенного подхода выделен магнитный вклад в теплоёмкость Тггц. ЛУЬХВ|2, состоящий их четырёх аддитивных компонент. Показано, что для всех составов

6

Тгп1.хУЬхВ12 доминирующим является магнитовибронный вклад в тешгоемкосгь с максимумом вблизи Т*=60К, практически не зависящий от концентрации УЪ. Анализ низкотемпературных вкладов в теплоёмкость позволяет выделить зеемановскую составляющую от ионов Тт с основным состоянием IV'* мультиплета 3Нс, а также найти значения g-фaктopoв 2.5, g2=5) и их изменения в ряду ТтьхУЬхВп. Показано, что вклад в С(Т) с максимумом вблизи Т-10К, не зависящий от магнитного поля, по-видимому, следует отнести засчет эффектов кластеризации ионов УЬ.

Практическая ценность результатов работы.

Полученные в диссертационной работе результаты способствуют дальнейшему развитию представлений о природе эффектов сильных электронных корреляций, определяющих аномалии физических свойств и особенности формирования сложного магнитного/немагнитного основного состояния соединений с тяжелыми фермиоиами. Кроме того, представляется целесообразным практическое применение результатов исследования при разработке и создании новых магшпорезистивных датчиков.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на конференции «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления», (Троицк, Московская область, 2010, 2011, 2012), на 53ей и 54ой Научных конференциях МФТИ (2010, 2011, Долгопрудный, Московская область), на 14ой и 15ой Чехословацких конференциях по магнетизму (СБМАСЮ, СБМАСП, Кошице, Словакия, 2010,2013), на Московском международном симпозиуме по магнетизму (МКМ, Москва 2011), на 2бой Международной конференции по физике низких температур (ЬТ-26, Пекин, Китай, 2011), на Международной конференции по сильно коррелированным электронным системам (ЭСЕЗ'П, Кембридж, Великобритания, 2011, БСЕЗ' 14, Гренобль, Франция, 2014) , на 17оП Международном симпозиуме по бору, боридам и их соединениям (ВВВ'17) (Стамбул, Турция, 2011), на XXXVI Совещатш по физике низких температур (С.-Петербург, 2012) и XIV школе молодых ученых "Актуальные проблемы физики" (Звенигород, 2012).

Публикации. По результатам диссертации опубликовано 37 печатных работ, включая 10 статей и 27 тезисов докладов.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных выводов, заключения и списка цитируемой литературы го 85 наименований. Общий объём работы составляет 126 страниц, включая 62 иллюстрации и 3 таблицы.

II. Содержание работы

Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, изложены основные цели и задачи исследования, а также перечислены основные положения, выносимые на защиту, определяющие научную новизну диссертационной работы.

Первая глава представляет собой литературный обзор результатов исследований свойств редкоземельных додекаборидов. В §1.1 рассматриваются особенности кристаллической структуры додекаборидов, колебаний кристаллической решетки, а также результатов исследований сверхпроводящих соединиений ЬиВп и ХгВц. Подчеркивается важная роль квазилокальной моды колебаний РЗ ионов в полостях жесткого борного каркаса, характеризующейся сильным электрон-фононным взаимодействем. В §1.2 рассмотрены результаты исследований теплоёмкости и рассеяния нейтронов в КВ12, позволивших определить параметры расщепления основного состояния РЗ ионов в КЭП, а также получить информацию о магнитном упорядочении. Сложное магнитное основное состояние ИВп возникает из-за конкуренции нескольких взаимодействий, основные из которых - косвенный обмен 4Г-электронов через электроны проводимости (РККИ) и взаимодействие с КЭП. В §1.3 представлены результаты исследований сопротивления, эффекта Холла и термоэдс РЗ додекаборидов. В §1.4 представлена известная к настоящему времени информация об особенностях свойств УЬВ12 - узкозонного полупроводника с сильными электронными корреляциями, и твёрдых растворов Тш1.хУЪхВ12, исследованию которых посвящена диссертационная работа.

Вторая глава содержит описание экспериментальных установок и методов, используемых в работе, а также особенностей синтеза образцов, их подготовки к экспериментам и аттестации. Монокристаллические образцы редкоземельных (РЗ) додекаборидов Тт^УЬхВи и ЬиВ12 были синтезированы в Институте Проблем Материаловедения им. И.Н.Францевича НАН Украины методом бестигельного вертикального зонного индукционного плавления в атмосфере инертного газа с многократной переплавкой.

Измерение сопротивления проводилось на установке для гальваномагнитных измерений в отделе Низких Температур и Криогенной Техники (НТиКТ) ИОФРАН стандартным четырехконтактным методом с коммутацией направления тока через образец. Установка включает в себя гелиевый криостат со сверхпроводящим магнитом, в канале которого в двустенной вакуумной ампуле находится измерительная ячейка с

8

образцом, датчиками температуры и магнитного поля. Для исследования анизотропии магнигосопротивления использовалась вставка с вращающимся столиком-держателем образца, позволяющая с шагом 1.8° измерять угловые зависимости сопротивления. Диапазон используемых температур составляет 1.9-300К с точностью стабилизации ДТ/Т<Ш3, при максимальном магнитном поле до 8 Тл с точностью стабилизации 0.7*10" 4Тл.

Измерения теплоемкости при постоянном давлении Ср проводились на установке PPMS-9 Quantum Design (США), снабженной специализированным модулем для измерения теплоемкости, реализующим релаксационный метод измерений, в котором ячейка с образцом нагревается импульсом тока через нагреватель, и теплоёмкость вычисляется из аппроксимации измеряемой зависимости температуры образца от времени. В установке применяется алгоритм аппроксимации с использованием модели с двумя временами релаксации, позволяющий учесть неидеальный тепловой контакт образца с калориметром. В PPMS-9 максимальное магнитное поле составляет 9 Тл, температура перестраивается в интервале 1.9-300К, причем использование дополнительной ячейки с Не3 позволяет откачкой паров в камере испарения Не3 достичь сверхнизких температур до 0.4К.

В третьей главе представлены результаты исследований теплоемкости немагнитного реперного соединения LuBi2 с различным изотоп-составом по бору, а также примесями замещения магнитных (Тт и Yb) и немагнитных (Zr) атомов малых концентраций, и влияния высокотемпературного гомогенизирующего отжига. В §3.1 представлены экспериментальные данные измерений теплоёмкости, показано, что примеси, различный изотоп-состав и высокотемпературный отжиг вносят изменения в поведение С(Т) при низких температурах. Анализ полученных данных приводит к разделению теплоемкости на аддитивные вклады от нескольких подсистем. Вклад электронов проводимости Се представлен линейным по температуре членом с коэффициентом Э,ЗмДж/моль*К2, выбранным из анализа литературных данных, вклад колебаний борной подрешетки Cd описан в модели Дебая с 8tf=l 1ЮК. Общая для всех кривых С(Т) особенность при Т-ЗОК обусловлена квазилокальными колебаниями РЗ ионов внутри полостей борного каркаса и описана в модели Эйнштейна с 9е = 157-170К. (Сеш)- Низкотемпературные особенности теплоемкости аппроксимировались двумя Шотпси-аномалиями, происхождение которых связывается со смещениями РЗ ионов из центросимметричного положения в усеченных октаэдрах В24, наблюдающимися в фазе каркасного стекла. Случайное расположение приводит к возникновению двухъямных

9

потенциалов с туннелированием РЗ ионов между локальными минимумами. Полученные в работе концентрации N двухуровневых систем и расстояние между уровнями ДЕ (высота потенциального барьера) представлены в таблице 1.

Таблица 1

Параметры аппроксимации низкотемпературных Шотгки-аномалий

ТЬЭ! 1X82

N1 АЕЬ К N2 АЕ2,К

Еим,В„ 0.006 23.5 0.067 51.5

LuuB12 0.005 26.2 0.048 56.7

а1шв12 0.011 34.3 0.059 70.9

ЕимВп после отжига 0.043 82.8

Lu"Bl2 после отжига 0.056 91.9

LuшBl2 после отжига 0.081 96.4

2го,о^ио,99Ви 0.032 79.1

Zro>lLuo>9B^2 0.057 91.5

Показано, что после высокотемпературного отжига низкотемпературная Шоттки-аномалия с малой концентрацией (N1) не наблюдается, что связано с уменьшением числа ячеек с двумя расположенными рядом вакансиями бора. Для высокотемпературной вакансионной аномалии (1X32) высота потенциального барьера возрастает после отжига. Замещение Ьи на 2л при х<0.1 не вносит существенных изменений в низкотемпературные особенности теплоемкости ЬиВп- Примеры аппроксимации вакансионного вклада в теплоёмкость показаны на рис.1.

В §3.3 анализируется поведение в магнитном поле теплоёмкости ЬиВ,2 с магнитными ионами Тш и УЬ. Предложен подход к выделению магнитного вклада в Tmo.015Luo.985B 12 и Ybo.012Luo.98sB 12 путём вычитания реперной кривой С(Т) ЬиВи с коррекцией параметров эйнштейновского вклада. Полученный магнитный вклад аппроксимировался формулой Шотпси для системы уровней, возникающих при расщеплении основного состояния магнитного иона в магнитном поле. Для Тто.о^ио985В12 концентрация ионов Тш х=0.011±0.002, полученная из аппроксимации магнитной теплоёмкости, оказалась меньше номинального значения, что было объяснено образованием антиферромагнитных димеров Тт-Тт в соседних ячейках.

"к 40-

ф

о Е

Ь

о

20

1_и10В12 исходный образец

/-V ■ /Г и \ " Суас

к 1 ^ ^ Р

"ч ТБ1-1+2

Т1Э1 \ \|а отожженные образцы \ 12

\ А 1и11В 12

1 _ "к О Ы^'В 12

Д Т1_52 \А а

/ 92!

__

т^-"-, , ■ -т-10 ■ . . ■ 1 1 ■ 1 ...... 20 ■ ......|"1|11П 30 40

б

°^О.992ГО.01В12

10

20

30

40

20

Т, К

Рис. 1 Примеры аппроксимации вакансионного вклада Суас^^С-Со-СЕт'Сс в теплоёмкость ЬиВи

а) Г,иВ|2 до и после высокотемпературного отжига

б) адлц^Вц

Для УЬоо12Ьио98йВ|2 бьша использована схема уровней квартета Га, расщепленного в магнитном поле [3], однако полученная нами концентрация ионов УЬ оказалась в четыре раза меньше номинальной, причем сравнение значений эффективных g-фaктopoв с известными из литературы [4] показало, что, по-видимому, основным состоянием иона УЬ является дублет Г«, тогда как уменьшение концентрации изолированных ионов УЬ следует отнести засчет формирования нанокластеров.

Четвертая глава посвящена изучению магнитосопротивления твёрдых растворов Тш|-хУЬхВ12. В §4.1 приводятся экспериментальные зависимости удельного сопротивления от температуры р(Т), на которых при х<0.1 наблюдается особенность при температуре Нееля Ты- Рост удельного сопротивления с концентрацией х сопровождается

уменьшением Ты и соответствует развитию перехода металл-изолятор.

1!

Далее в главе представлены экспериментальные данные магнитосопротивления Др/р(Н, Т0) для антиферромагнитных (§4.2) и парамагнитных (§4.3) составов Тш|.хУЬхВ[2. В антиферромагнитной фазе в малых полях магнитосопротивление ведет себя немонотонно. Показано, что аномалии обусловлены ориентационными фазовыми переходами. Измерения зависимости магнитосопротивления от направления внешнего магнитного поля в кристалле показали наличие сильной анизотропии рассеяния, несмотря на высокосимметричную гцк структуру Ы3]2. На рис. 2 приведен пример зависимостей Ар/р(Н, (р) для х=0,004 в виде ЗО-представления результатов в полярных координатах (а) и полевых кривых Др/р(Н) лдя трёх основных кристаллографических направлений.

40-

го

О)

2 о Х" 20 40 60 80

-0,05 -0,10 3 -0,15 -0,20 -0,25 -0,30

Т=2.1К

г — [110] & —°— [100] \ -^-[111]

1 N и . \

Н„ % 'Ж

6

2 4 6

Рис. 2. Магнитосопротивление Тто.99бУЬо.оо4В12 при Т=2.1К в зависимости от величины и направления магнитного поля: (а) - ЗБ-представление, (б) - полевые зависимости Др/р(Н).

В парамагнитной фазе во всём диапазоне составов 0.004<х<0.81 наблюдается отрицательное магнитосопротивление (ОМС). Амплитуда эффекта ОМС в зависимости от концентрации имеет минимум вблизи х~0.3. Все исследуемые кривые характеризуются квадратичной асимптотикой Др/р(Н)~Н2 в малых полях, при этом для малых значений х(УЬ) магнитосопротивление имеет тенденцию к насыщению в сильных полях, а при больших х наблюдается дополнительный квадратичный по полю ОМС вклад.

Высокая точность измерений позволила численно продифференцировать экспериментальные кривые Др/р(Н). По положению особенностей на производных (1(Др/р(Н))МН полевых зависимостей магнитосопротивления в АФ фазе были построены

330

300 270 240

Т=2,1К 210

о.оо -0,02 -0,04 -0.06 -0,09 -0,11 -0,13 -0,16 -0,18 -0,20 -0,22 ■0,25 -0,27 -0,29 -0,32 -0,34

магнитные фазовые Н-Т диаграммы. На кривых Лр/р(Н) в антиферромагнитной фазе обнаружены области поведения магнитосопротивления, отвечающие сумме отрицательного квадратичного (~ВН2) и положительного линейного (~АН) вкладов, причем линейная компонента, по аналогии с АФ фазой в Сг [5], связывается с рассеянием носителей заряда на волне спиновой плотности.

Для анализа отрицательного квадратичного вклада в магнитосопротивление нами использовалась модель Иосиды [2], согласно которой отрицательное магнитосопротивление (ОМС) пропорционально квадрату локальной намагниченности -Др/р~М1ос2. В парамагнитной фазе при увеличении концентрации иттербия на кривых Др/р(Н) в слабом и сильном поле наблюдаются два квадратичных по полю участка, которые были сопоставлены двум аддитивным ОМС вкладам. Пример разделения вкладов в магнитосопротивление показан на рис.За для х=0.6.

Рис. 3. Пример разделения вкладов в магнитосопротивление Тт0^УЪд.вВи (а), зависимости эффективного магнитного момента от температуры (б) и концентрации (в), найденного из аппроксимации ОМС вклада с насыщением Др/рСхр-В2Н2 квадратом функции Ланжевена.

0 2 4 6 8

0 0,2 0,4 0,6 0,8

ОМС вклад с насыщением аппроксимировался функцией Ланжевена в предположении, что входящий в выражение эффективный магнитный момент соответствует магнитному моменту кластера из нескольких соседних РЗ ионов с антиферромагнитным обменом между ними. Полученная нами зависимость эффективного магнитного момента кластера от температуры (рис. 3 б) и концентрации ионов УЬ (рис. 3 в), демонстрирует компенсацию магнитного момента как с понижением температуры, так и с ростом х(УЬ)в интервале х<0.2 что подтверждает предположение о рассеянии носителей заряда на областях ближнего антиферромагнитного порядка в Тт^УЪ^Вц-

В пятой главе представлены результаты исследований теплоёмкости твёрдых растворов ТШ1.ХУЬХВ12. Приведенные в §5.1 экспериментальные кривые С(Т) в интервале Т > 20К характеризуются особенностями, аналогичным найденным нами для ЬиВ^. Кроме того магнитный вклад в теплоёмкости Тт^УЪхВгг доминирует при низких температурах. Для антиферромагнитных составов (х<0.2) кривые С(Т) имеют особенности при Ты (рис. 4 а), которые позволяют построить магнитную Н-Т-х фазовую диаграмму (рис.4б), причем положение фазовых границ находится в хорошем согласии с данными магнитосопротивления и намагниченности. Для 0.2<х<0.5 на фазовой диаграмме была выделена область ближнего магнитного порядка (спиновое стекло (50), см. вставку на рис.4б), в которой РЗ ионы формируют антиферромагнитные кластеры. В присутствии внешнего магнитого поля упорядоченная Ар-фаза подавляется, низкотемпературный пик на кривых магнитной теплоёмкости, сдвигается в сторону более низких температур.

На основе подхода, описанного в [6], в §5.3 при анализе семейства кривых С(Т, х) в ТгП|.хУЬ,В|2, показано, что в парамагнитной фазе теплоёмкость практически линейно зависит от состава х во всём изучаемом диапазоне концентраций. Точка пересечения кривых С(Т) при Т,ГО5=6К (изобестическая точка, [6]) разделяет область уменьшения теплоёмкости с ростом концентрации УЬ при низких температурах, и роста С(х) - при промежуточных температурах.

В §5.4 выделялся и анализировался магнитный вклад в теплоёмкость в парамагнитной фазе Тт1.хУЬхВп, полученный вычитанием из экспериментальных кривых С.(Т) теплоёмкости немагнитного ЬиВп- Максимум магнитной теплоёмкости См(Т) в окрестности Т-60К оказался практически не зависящим как от концентрации УЬ, так и от магнитного поля, и для всех кривых с хорошей точностью может быть аппроксимирован одной общей Шоттки-зависимосгыо, определяемой суммой вкладов от расщепленных в

кристаллическом электрическом поле основных состояний ионов Тш3+ (3Нб) и У1/+ (21;7д), соответственно, найденной для концентрации х=0.096.

0,0 0,5 1.0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

т, к Т, к

Рис. 4. Фазовые переходы антиферромагнетик-парамагнетик (АР-Р) и спиновое стекло-парамагнетик (БС-Р) на кривых С(Т) Тт^УЪхВп (а), и магнитные фазовые Н-Т (б) и х-Т (на вставке к панели б) диаграммы, построенные по особенностям при Тц и Т50.

Было показано, что такое поведение не может быть объяснено в рамках модели точечных зарядов с используемыми схемами расщепления в КЭП. Используемая для аппроксимации кривая См(Т) для х=0.096 применялась далее как эмпирическая зависимость для выделения низкотемпературных особенностей магнитной теплоёмкости.

Пример анализа низкотемпературных особенностей магнитного вклада показан на рис. 5 для состава с х=0.72. Положение максимума, наблюдавшегося в окрестности Т-10К, амплитуда которого возрастает с увеличением концентрации УЬ, остаётся неизменным во внешнем магнитном поле (см. рис.5а). Другой, «зеемановский» вклад в СМ(Т) смещается вверх по температуре с ростом внешнего поля. Предложенный нами подход к разделению низкотемпературных магнитных вкладов позволяет выполнить анализ указанных компонент и получить значения концентраций и §-факторы (вставка в) на рис. 5) для зеемановской компоненты. Как видно из вставки г) на рис.5, полученная нами концентрация для зеемановского вклада оказалась близкой к концентрации ионов

Тш, что позволяет сделать вывод о том, что зависящий от магнитного поля вклад в теплоёмкость определяется преимущественно ионами Тт. Не меняющийся в поле вклад от ионов УЪ был проанализирован нами качественно на основе подхода, развитого в |6].

Рис. 5. Анализ магнитного вклада в низкотемпературную теплоемкость Тпн.хУЬхВ12. (а) Изменение См(Т) во внешнем магнитном поле, (б) поведение "зеемановской компоненты" в См(Т). На вставках показано изменение с концентрацией §-фактора (в) и амплитуды зеемановского вклада, отвечающей концентрации изолированных магнитных центров (г).

В заключении обобщаются основные результаты диссертации.

В работе выполнено комплексное исследование сопротивления, поперечного магнитосопротивления и теплоемкости при постоянном давлении в каркасных стеклах-додекаборидах 1,и"Ви. различного изотоп-состава по бору (п=10, 11 и па(), в том числе с примесями замещения Тл, Тт и УЪ малой концентрации, и твердых растворах замещения ТтьхУЬхВц в интервале составов х<0.81 в магнитных полях до 12 Тл при низких и сверхнизких температурах в интервале 0.4-300 К. Полученные результаты показывают, что слабосвязанное состояние РЗ-ионов в матрице додекаборидов обуславливает их значительные смещения из цетросимметрячкых положений в гцк структуре типа 11В ц,

приводя в разупорядоченной фазе к возникновению двухуровневых систем (двухямиые потенциалы), к формированию многочастичных спин-поляронных состояний с участием квазилокального колебания и локальных спиновых флуктуации в окрестности изолированных магнитных ионов, а также обусловливая формирование магнитных кластеров наноразмера в растворах замещения Tmi.xYb,Bi2. Показано, что образование кластеров наноразмера из РЗ-ионов является фактором, определяющим характер рассеяния носителей заряда и приводящим к переход}' металл-изолятор с ростом концентрации в Tmi.xYbsBn.

III. Основные выводы

1. Анализ вкладов в теплоёмкость С(Т, Н) каркасных стекол LunB|2 с различным изотопическим составом по бору (п- 10, 11, nat), в том числе с примесью замещения Zr, Tm и Yb, впервые позволил, наряду с эйнштейновским вкладом (8е~ 160-170 К), выделить вакансиош1ый низкотемпературный колебательный вклад, связанный с возникновением двухуровневых систем (двухямный потенциал) при смещении РЗ-ионов из центросимметричных положений в окрестности вакансий бора. Выполненный анализ вакансионных низкотемпературных Шоттки-аномалий позволил определить концентрацию вакансий бора (1-3%), найти высоту барьера в двухъямном потенциале ДЕ=50-70К и связать возникновение беспорядка в фазе каркасного стекла в LuBn при Т<Т*~60К со смещениями РЗ ионов из узлов гцк структуры. Найдено, что высокотемпературный отжиг и введение в LuBn немагнитной примеси замещения Zr (х<0.1) приводят к увеличению высоты барьера ДЕ до значений 80-90К. Показано, что дополнительный магнитный вклад в теплоёмкость LuBu, возникающий в присутствии магнитной примеси замещения Tm и Yb (х~0 01), характеризуется значениями g-факгоров, отвечающими основному состоянию Гз'" и Гй мультиплетов 3Нг, и ионов Tm и Yb, соответственно.

2. Для твёрдых растворов замещения Tmi.NYbxB|2 с х<0.5 на высококачественных монокристаллических образцах при измерениях магнитосопротивления и теплоёмкости впервые построена магнитная фазовая Н-Т-х диаграмма антиферромагнитного состояния. Обнаружена значительная анизотропия фазовых границ как для переходов антиферромагнетик-парамапгетик, так и для спин-ориентационных переходов AF1-AF2, впервые построены трёхмерные диаграммы анизотропии рассеяния носителей в AF-фазе исследуемых соединений с металлической проводимостью и гцк кристаллической

структурой. Установлено, что отрицательное магнитосопротивление в Тт^УЬ^Вп определяется спин-поляронным эффектом, причем в формировании магнитной структуры в ЛР-сосгояпии в исследуемых РЗ додекаборвдах, наряду с 4Г-компонентой, важную роль играет локальная спиновая поляризация 5(1-состояний зоны проводимости в непосредственной окрестности 4Г-центров, формирующая волну спиновой плотности. В интервале концентраций х>0.2 при гелиевых температурах 0.5-2К обнаружен переход в микгомагнитное состояние (спиновое стекло), свидетельствующий о формировании взаимодействующих магнитных кластеров РЗ нонов.

3. В парамагнитной фазе соединений Тш^УЬ^Ви обнаружен эффект отрицательного магнтосопротивления, состоящий из двух независимых вкладов. Анализ кривых Др/р(Н, То) в рамках модели Иосиды приводит к заключению о рассеянии носителей заряда на магнитных кластерах РЗ ионов наноразмера, формирующихся при низких температурах в фазе каркасного стекла в Тт^УЬ^Ви. Определены магнитные моменты кластеров ~ 1.8-3 рв)> являющихся областями ближнего порядка с АР-обменом внутри кластеров, обнаружено немонотонное изменение Цйг с ростом концентрации иттербия.

4. Для твёрдых растворов замещения Тт^УЬхВи с х < 0.81 при исследованиях теплоёмкости в интервале 0.04-300К. впервые обнаружена изобестическая точка при Т*=6К на кривых С(Т, Н=0) с линейным по концентрации УЬ масштабированием для всего диапазона составов 0.004 < х < 0.81. Показано, что линейное уменьшение С(х) при таких температурах связано с формированием щели и уменьшением электронной плотности состояний на Ер. Выполнешшй в работе анализ сложного многокомпонентного магнитного вклада в теплоемкость приводит к заключению о доминирующем для всех составов Тш|-хУЬхВ12 магнитовибронном вкладе с максимумом вблизи температуры стеклования Т*=60К, практически не зависящим от концентрации УЬ. Анализ низкотемпературных компонент в теплоёмкости позволяет выделить зеемановскую составляющую от ионов Тт с основным состоянием Г5(1), а также найти значения g-факторов (§1= 2.5, &~5) и их изменение в ряду Тш^УЬ^Вц. Обнаружен вклад в С(Т) с максимумом вблизи Т~ 10К, не зависящий от магнитного поля, который может быть связан с формированием кластеров ионов УЬ.

Список публикаций автора по теме диссертации.

1. Н.Е.Случанко, А.Н.Азаревич. А.В.Погач, В.В.Глушков, С.В.Демишев, А.В.Кузнецов, К.С.Любшов, В.Б.Филипов, Н.Ю.Шицевалова, Изотоп-эффект в зарядовом транспорте 1лВ12. //ЖЭТФ, т.138, в.2, стр. 335-320 (2010).

18

2. N.E.Sluchanko, A.N.Azarevich. A.V.Bogach, V.V.GIushkov, S.V.Demishev, S.Yu.Gavrilkin, N.Yu.Shitsevalova, V.B.Fillipov, S.Gabani, K. Flachbart, Anomalies of heat capacity and phase transitions in Tmi-xYbxBu. // Acta Phys. Polonica A, v. 118, n.5, pp.929-930 (2010).

3. Н.Е.Случанко, А.Н.Азаревич. А.В.Богач, И.И.Власов, В.В.Глушков, С.В.Демишев, А.А.Макспмов, И.И.Тартаковский, Е.В.Филатов, К.Флахбарт, С.Габани, В.Б.Фплипов, Н.Ю.Шицевалова, В.В.Мощалков, LuBi2: эффекты беспорядка и изотопического замещения в теплоемкости и комбинационном рассеянии света. // ЖЭТФ, т. 140, в.З, стр. 536-552(2011).

4. Sluchanko N.E., Azarevich A.N.. Bogach A.V., Glushkov V.V., Demishev S.V., Levchenko

A.V., Filipov V.B., Shitsevalova N.Yu., Stankewicz J., Moshchalkov V.V., Hall and transverse even effects in the vicinity of a quantum critical point in Tmi.xYb,Bi2. // ЖЭТФ, т. 142, в. 3, стр. 574-593 (2012).

5. H.E. Случанко, А Н. Азаоевич. А.В. Богач, В.В. Глушков, С.В. Демишев, А.В. Левченко,

B.Б. Филипов, Н.Ю. Шицевалова, Особенности магнитосопротивления при переходе антиферромагнетик-парамагнетик в Tmj-xYbxBi2. // ЖЭТФ, т. 143, в. 5, стр. 998-1004 (2013).

6. А.В.Богач, Н.Е.Случанко, В.В.Глушков, С.В.Демишев, А.Н.Азаревич. В.Б.Филипов, НЛО.Шицевалова, А.В.Левченко, Й.Ванакен, В.В.Мощалков, С. Габани, К. Флахбарт, Разделение вкладов в намагниченность твердых растворов Tmi.xYbxBI2 в постоянном и импульсном магнитных полях. // ЖЭТФ, т. 143, в. 5, стр. 965-970 (2013).

7. N. Sluchanko, S. Gavrilkin, К. Mitsen, A. Kuznetsov, I. Sannikov, V. Glushkov, S. Demishev, A. Azarevich. A. Bogach, A. Lyashenko, A. Dukhnenko, V. Filipov, S. Gabani, K. Flachbart, J. Vanacken, Gufei Zhang, V. Moshchalkov, Superconductivity in ZrBi2 and LuBi2 with Various Boron Isotopes. // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, v. 26, issue 5, pp. 1663 -1667(2013).

8. H. E. Случанко, A. H. Азаревич. С. Ю. Гаврилкин, В. В. Глушков, С. В. Демишев, Н. Ю. Шицевалова, В. Б. Филиппов, Комментарий к статье "Особенности локальной структуры редкоземельных додекаборидов RB/2 (R = Но, Er, Tm, Yb, Lu)" (Письма в ЖЭТФ 98(3), 187 (2013)). // Письма в ЖЭТФ, т.98, стр. 648-650 (2013).

9. N.E. Sluchanko, A.N. Azarevich. A.V. Bogach, V.V. Glushkov, S.V. Demishev, S.Ya Gavrilkin, S. Gabani, K. Flachbart, N.Yu. Shitsevalova, V.B. Filipov, J. Vanacken, V.V. Moshchalkov, J. Stankiewicz, Magnetoresistance Anisotropy and Magnetic H-T Phase Diagram ofTm0 99(iYbo.oo4Bi2. //Acta Physica Polonica A, v. 126, pp.332-333 (2014).

10. Н.Е. Случанко, А Н. Азаревич. М.А. Анисимов, A.B. Богач, В.В. Воронов, С.10. Гаврилкин, В.В. Глушков, C.B. Демишев, A.B. Кузнецов, К В. Мицен, В.Б. Филиппов, Н.Ю. Шицев&пова, С. Габани, К. Флахбарт, Особенности формирования магнитных моментов редкоземельных ионов Тт3+ и Yb3+ в каркасном стекле LuB12. // Письма в ЖЭТФ, т. 100, вып. 7, с. 525 - 531 (2014).

11. Н.Е. Случанко, A.B. Богач, В.В. Глушков, C.B. Демишев, А.Н. Азаревич.

A.В.Кузнецов, В.В.Мощалков, J.Vanaken, Gufei Zhang, В.Б.Филипов, Н.Ю. Шицевалова, «Изотоп-эффект» и сверхпроводимость в LuBn. // Тезисы докладов конференции «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления», 17 июня 2010 г., г. Троицк Московской области, с.16-17.

12. А.Н. Азаревич. Н.Е. Случанко, A.B. Богач, В.В. Глушков, C.B. Демишев, Н.Ю. Шицевалова, В.Б.Филипов, С.Ю.Гаврилкин, С.Габани, К.Флахбарт, Аномалии теплоемкости вблизи квантовой критической точки в соединениях Tmi.xYbxBu (х<0.8). // Тезисы докладов конференции «Сильно коррелированные электронные системы и KBaitTüBbie критические явления», 17 июня 2010 г., г. Троицк Московской области, с.22-23.

13. Н.Е. Случанко, В.В. Глушков, A.B. Богач, А.Н. Азаревич. С.Ю. Гаврилкин, Н.Ю. Шицевалова, Аномалии теплоёмкости в соединениях Tmi-xYbsBi2- // Труды 53-й научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук». Часть VIII. Проблемы современной физики, М.: МФТИ, 2010., стр. 66-69.

14. N.E.Sluchanko, A.N.Azarevich. A.V.Bogach, V.V.GIushkov, S.V.Demishev, S.Yu.Gavrilkin, N.Yu.Shitsevalova, V.B.Fillipov, S.Gabani, K. Flachbart, Anomalies of Heat capacity and phase transitions in Tmi.xYbxBi2- H 14th Czech and Slovak Conference on Magnetism CSMAG'10, Programme Abstracts, July 6-9,2010, Kosice, Slovakia, p. 176.

15. Н.Е.Случанко, А.Н.Азаревич. А.В.Богач, В.В.Глушков, С.В.Демишев, А.В.Левченко,

B.Б.Филипов, Н.Ю.Шицевалова, Эффект Холла при переходе металл-изолятор в Tmi_ xYbxBi2- // Тезисы докладов конференции «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления», 9 июня 2011 г., г. Троицк Московской области, ИФВД РАН, 2011, с. 11.

16. Н.Е. Случанко, А.Н. Азаревич. A.B. Богач, В.В. Глушков, C.B. Демишев, В.Б. Филипов,Н.Ю. Шицевалова, С. Габани, К Флахбарт, С.Ю. Гаврилкин, К.В. Мицен. Теплоёмкость в режиме колебательной и антиферромагнитной неустойчивости в Tmi. xYbxBu. // Тезисы докладов конференции «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления», 9 июня 2011 г., г. Троицк Московской области, ИФВД РАН, 2011, с. 11-12.

17. А.В. Богач, А Н. Азаревич. В В. Глушков, С.В. Демишев, Н Е. Случанко, Н.Ю. Шицевалова, В.Б. Филипов, С. Габани, К. Флахбарт, Й. Ванакен, В.В. Мощалков, Объемная и локальная магнитная восприимчивость в Tmi.KYbxBi2 (х<0.85). // Тезисы докладов конференции «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления», 9 июня 2011 г., г. Троицк Московской области, ИФВД РАН, 2011, с. 12.

18. А.Н.Азаревич. А.В.Богач, В.В.Глушков, С.В. Демишев, А. А.Максимов, И.И.Тартаковский, Е.В.Филатов, К.Флахбарт, С.Габшш, В.Б.Фнлипов, Н.Ю.Шицевалова, Н.Е.Случанко Структурная неустойчивость и переход в состояние каркасного стекла в соединении LuBn. // Труды 54-й научной конференции «Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе», часть VIII. Проблемы современной физики. Москва, МФТИ, 2011, стр. 17-18.

19. А.Н.Азаревич. А.В.Богач, Н.Е.Случанко, В.В.Глушков, С.В.Демишев, Н.Ю.Шицевалова, Магнитосопротивление при переходе металл-изолятор в твердых растворах замещения Tmi.xYbxBi2. // Труды 54-й научной конференции «Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе», часть VIII. Проблемы современной физики. Москва, МФТИ, 2011, стр. 52-54.

20. Sluchanko N.E., Azarevich A.N. Bogach A.V., Glushkov V.V., Demishev S.V., Filipov V.B., Shitsevalova N.Yu., Gabani S., Flachbart K., Gavrilkin S.Yu., Mitsen K.V. Vibrational and magnetic contributions in the heat capacity of Tmi.xYbxBi2. // Moscow International Symposium on Magnetism (MISM), 21-25 August 2011, Moscow, 2011, p. 504.

21. Bogach A.V., Sluchanko N.E., Glushkov V.V., Demishev S.V., Azarevich A.N. Filipov V.B.,Shitsevalova N.Yu., Gabani S„ Flachbart K., Vanacken J., Moshchalkov V.V. Bulk and local magnetization of substitutional solid solutions Tmi-xYbJJn. // Moscow International Symposium on Magnetism (MISM), 21-25 August 2011, Moscow, 2011, p. 505.

22. N.Sluchanko, A.Bogach, A.Azarevich. V.Glushkov, M.Anisimov, S.Demishev, V.Filipov, N.Shitsevalova, Vibrational and AF- instabilities and metal-insulator transition in Tm].vYbxBi2. // The 26th International Conference on Low Temperature Physics (LT-26), Beijing, China, 1017 August, 2011, Book of Abstracts, p. 227

23. A.Bogach, N.Sluchanko, V.Glushkov, S.Demishev, A.Azarevich. V.Filipov, N.Shitsevalova, J.Vanacken, V.Moshchalkov, S.Gabani, K.Flachbart, Magnetization of Tmi.xYbxBi2 in pulsed and steady magnetic fields. // The 26th International Conference on Low Temperature Physics (LT-26), Beijing, China, 10-17 August, 2011, Book of Abstracts, p. 229-230

24.N.E. Sluchanko, A.N. Azarevich. A.V. Bogach, V.V. Glushkov, S.V. Demishev, A.V. Levchenko, V.B. Filipov, N.Yu. Shitsevalova, J. Stankiewicz, V.V. Moshchalkov, Intra--gap manybody resonance formation in vicinity of QCP in Tmi..xYbxBi2. // Program Book of the International Conference on Strongly Correlated Electron Systems SCES 2011, Cambridge, UK, August 29 - September 3,2011, p.78

25. N.E.Sluchanko, A.N.Azarevich. A.V.Bogach, V.V.Glushkov, S.V.Demishev, V.B.FilIipov, N.Yu.Shitsevalova, K.Flachbart, A.V.Kuznetsov, A.A.Maksimov, and I.I.Tartakovskii, Vibrational Instability and Cage-Glass State Formation in LuB^. // 17th International Symposium on Boron, Borides and Related Materials (ISBB'17), Istanbul, Turkey, 11-17 September, 2011, Abstract Book, p. 88

26. Н.Е.Случанко, С.Ю.Гаврилкин, К.В.Мицен, А.Н.Азаревич. А.В.Богач, В.В.Глушков, С.В.Демишев, А.В.Духненко, А.Б.Лященко, В.Б.Филипов, НЮ.Шицевалова, Сверхпроводимость в каркасных стеклах ZrBц и LuB[2 с различным шотопическим составом по бору. // Тезисы докладов конференции «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления», 15 июня 2012 г., г. Троицк Московской области, ИФВД РАН, 2012, с. 7-8.

27. А.Н. Азаоевич. А.В. Богач, В.В. Глушков, С.В. Демишев, А.В. Левченко, В.Б. Филипов, Н.Ю. Шицевалова, Н.Е. Случанко, Особенности магнитосопротивления при переходах металл-изолятор и ангиферромагнетик-парамагнетик в Trri].xYbxBi2. // Тезисы докладов XXXVI Совещания по физике низких температур (С.-Петербург, 2-6 июля 2012), ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 2012, с. 197-198.

28. АН. Азаоевич, Н.Е. Случанко, А.В. Богач, В.В. Глушков, С.В. Демишев, В.Б. Филипов, Н.Ю. Шицевалова, С. Габани, К. Флахбарт, С.Ю. Гаврилкин, К.В. Мицен, Низкотемпературные аномалии теплоёмкости в каркасных стёклах Tmi_xYbKBi2. // Тезисы докладов XXXVI Совещания по физике низких температур (С.-Петербург, 2-6 июля 2012), ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 2012, с. 155-156.

29. Н.Е. Случанко, А.Н. Азаревич. А.В. Богач, В.В. Глушков, С.В. Демишев, А.В. Левченко, В.Б. Филипов, Н.Ю. Шицевалова, Эффект Холла в окрестности квантовой критической точки в Tmi.xYbKBn. // Тезисы докладов XXXVI Совещания по физике низких температур (С.-Петербург, 2-6 июля 2012), ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 2012, с. 90-91

30. Н.Е. Случанко, А.Н. Азаревич. А.В. Богач, С.Ю. Гаврилкин, В.В. Глушков, С.В. Демишев, А.В. Духненко, А.В. Кузнецов, А.Б. Лященко, К.В. Мицен, И. Санников, В.Б. Филипов, И. Вапакси, Г.Жанг, В.В. Мощалков, Сверхпроводимость в каркасных стеклах ZrB 12 и LuB,2 при изотопическом замещении 10В-"В. // Тезисы докладов XXXVI

Совещания по физике низких температур (С.-Петербург, 2-6 июля 2012), ФТИ им.

A.Ф.Иоффе, 2012, с. 253-254

31. А.В.Богач, Н.Е.Случанко, В.В.Глушков, С.В.Демишев, А.Н.Азаревич. В.Б.Филипов, Н.Ю.Шицевалога, А.В.Левченко, Й.Ванакен, В.В.Мощалков, С.Габани, К.Флахбарт, Намагниченность твердых растворов замещения Tmi.xYbxBi2 в постоянном и импульсном магнитных полях. // Тезисы докладов XXXVI Совещания по физике низких температур (С.-Петербург, 2-6 июля 2012), ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 2012, с. 143-144

32. А.Н. Азаревич. А.В. Богач, В.В. Глушков, С.В. Демишев, АВ. Левченко, В.Б. Филипов, Н.Ю. Шицевалова, Н.Е. Случанко, Магнитосопротивление твердых растворов замещения Tmi.xYbiBn. // Сборник трудов XIV школы молодых ученых "Актуальные проблемы физики", г.Звенигород, 11-15 ноября 2012г., с.43-44

33. А.В.Богач, А.Н.Азаревич. В.В.Глушков, С.В.Демишев, Н.Е.Случанко, Н.Ю .Шицевалова, В.Б.Фиттов, А.В.Левченко, С. Габани, К. Флахбарт, Й.Ванакен,

B.В.Мощалков, Поведение низкотемпературной намагниченности в постоянном и импульсном магнитных полях при переходе металл-изолятор в Tmi_xYbxBi2. // Сборник трудов XIV школы молодых ученых "Актуальные проблемы физики", г.Звенигород, 11-15 ноября 2012г., с.27-28.

34. AN. Azarevich. N.E. Sluchanko, A.V. Bogach, V.V. Glushfcov, S.V. Demishev, S. Yu. Gavrilkin, S. Gabani, K. Flachbart, N.Yu. Shitsevalova, V.B. Filipov, J. Vanacken, V.V. Moshchalkov, Magnetoresistance anisotropy and H-T-x magnetic phase diagram of Tni|. xYbxBi2. // 15ft Czech and Slovak Conference on Magnetism CSMAG'13, Ко Sice, Slovakia, 17,21. June 2013, Programme Abstracts, p.270

35. A. Bogach, N. Sluchanko, V. Glushkov, S. Demishev, A. Azarevich. N. Shitsevalova, V. Filipov, S. Gabani, K. Flachbart, J. Stankicwicz, J. Vanacken, V. Moshchalkov, Pulsed and steady magnetic field studies of magnetization in Tml-xYbxB12 dodecaborides with metal-insulator transition. // Czech and Slovak Conference on Magnetism CSMAG'13, KoSice, Slovakia, 17.-21. June 2013, Programme Abstracts, p.274

36. N. Sluchanko, A. Azarevich. A. Bogach, V. Glushkov, S. Demishev, S. Gavrilkin, V. Filippov, N. Shitsevalova, S. Gabani, K. Flachbart, Isosbestic point in heat capacity of Tmi-xYbxBi2 system with metal-insulator transition. // The International Conference on Strongly Correlated Electron Systems, Grenoble, France, 7-11 July 2014, Abstract book, p. 452.

37. A. Azarevich. N. Sluchanko, A. Bogach, V. Glushkov, S. Demishev, V. Filippov, N. Shitsevalova, J. Stankiewicz, S. Gabani, K. Flachbart, Transverse magnetoresistance study of Tmi-iYbjBi: with metal-insulator transition. // The International Conference on Strongly Correlated Electron Systems, Grenoble, France, 7-11 July 2014, Abstract book page 453.

23

Цитируемая литература.

1. А. П. Меиушенков, А. А. Ярославцев, И. А. Залужный, А. В. Кузнецов, Р. В. Черников, Н. Ю. Шицевалова, В. Б. Филиппов, Особенности локальной структуры редкоземельных додекаборидов RB/2 (R = Но, Er, Tm, Yb, Lu). II Письма в ЖЭТФ, т. 98, вып. 3, стр. 187-192 (2013).

2. K.Yosida, Anomalous Electrical Resistivity and Magnetoresistance Due to an s-d Interaction in Cu-Mn Alloys. // Phys. Rev., v. 107, p. 396-403 (1957).

3. P. A. Alekseev, K. S. Nemkovski, J.-M. Mignot, E. S. Clementyev, A. S. Ivanov, S. Rois, R. I. Bewley, V. B. Filipov, N. Yu. Shitsevalova, Possible undercompensation effect in the Kondo insulator (Yb,Tm)Bi2. // Phys. Rev. В., v.89, p. 115121 (10 pages) (2014).

4. T. S. Altshuler, Yu. V. Goryunov, M. S. Bresler, F. Jga, T. Takabatake, Ion paire and spontaneous break of symmetry in the valence-fluctuating compound YbBn. // Phys. Rev. B, v. 68, p. 014425 (7 pages) (2003).

5. S. Arajs, G. R. Dunmyre, Electrical Resistivity and Transverse Electrical Magnetoresistivity of Chromium. //J. Appl. Phys., v. 36, pp. 3555-3559 (1965).

6. M. Greger, M. Kollar, D. Vollhardt, Isosbestic points: How a narrow crossing region of curves determines their leading parameter dependence. // Phys. Rev. B, v. 87, p. 195140 (12 pages) (2013).

Подписано в печать:

20.10.2014

Заказ № 10312 Тираж -100 экз. Печать трафаретная. Типография «11-й ФОРМАТ» ИНН 7726330900 115230, Москва, Варшавское ш., 36 (499) 788-78-56 www.autoreferat.ru