Механизм влияния трения твердых поверхностей на зарождение кристаллов в расплавах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ
Школьников, Анатолий Васильевич
АВТОР
|
||||
кандидата физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
Грозный
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
1988
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.07
КОД ВАК РФ
|
||
|
ВВЩЕШЕ.
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Теоретические представления о гетерогенном зарождении кристаллов в расплавах. И
1.2. Методы экспериментального исследования гетерогенного зарождения кристаллов в расплавах.
1.3. Влияние механических примесей /подложки/ на зарождение кристаллов.
1.4. Влияние растворимых примесей на переохлаждение расплавов
1.5. Влияние предыстории /перегрева, скорости охлаждения/ расплава на его переохлаждение
1.6. Влияние внешних воздействий на переохлаждение расплавов ♦
1.7. Экспериментальные исследования роста кристаллов из расплавов в капиллярах.
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ.4j
2.1. Экспериментальная установка для исследования влияния величины силы трения твердых поверхностей на переохлаждение расплавов
2.2. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния света /КРС/ для исследования структуры переохлажденных расплавов.
2.3. Методика определения фактора Джексона с помощью дифференциального термического анализа /ДТА/.
2.4. Капиллярный метод исследования роста кристаллов
2.5. Методика определения краевого угла смачивания и переохлаждения капель висмута на поверхности кремния.
§
2.6. Исследование поверхности кремния методом рентгено-фото-электронной спектроскопии
§
Глава 3. МЕХАНИЗМ ВЛИЯНИЯ ТРЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ НА
ЗАРОЖДЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ В РАСПЛАВАХ
3.1. Зависимость переохлаждения расплава от величины силы трения и природы трущихся поверхностей
3.2. Эксперименты, доказывающие, что обнажение свежих поверхностей в расплаве не влияет на переохлаждение расплавов.
3.3. Механизм образования центров кристаллизации в переохлажденном расплаве
3.4. Переохлаждение расплавов с различными значениями фактора Джексона в условиях трения твердых поверхностей. 7j
3.5. Влияние адсорбированных слоев на поверхности кремния на переохлаждение капель висмута.
Глава 4. ОСОБЕННОСТИ РОСТА КРИСТАЛЛА МАЛЫХ РАЗМЕРОВ
4.1. Зависимость скорости роста кристаллов в капиллярах от их диаметра и переохлаждения раеплава
4.2. Взаимосвязь между скоростью роста кристалла в капилляре и морфологией межфазной границы qi
4.3. Влияние нерастворимых примесей на скорость перемещения кристаллического фронта в капилляре
Глава 5. КРИСТАЛЛИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ, ВЫЗВАННЫЕ МАЛЫШ
ПРИМЕСЯМИ ВОДЫ В ОРГАНИЧЕСКИХ РАСПЛАВАХ
5.1. Влияние малых примесей воды иа скорость перемещения кристаллического фронта органических веществ в капиллярах
5.2. Зависимость переохлаждения органических расплавов от температуры и продолжительности перегрева, вызванная наличием малых примесей воды
5.3. Механизм влияния механических примесей на переохлаждение органических расплавов.содержащих добавки воды
5.4. Определяющая роль примесей воды в исследованиях зарождения кристаллов методом "проявления" Таммана.
5.5. Теоретические аспекты механизма влияния растворимых примесей на зарождение кристаллов в расплавах . j ю
5.6. Влияние диффузионных процессов молекул примесей на переохлаждение расплавов
5.7. Совместное действие растворимых и нерастворимых модификаторов на структуру алюминиевых слитков
Актуальность темы. Кинетика гетерогенного зарождения кристаллов определяет качество кристаллического продукта и характеризует физику процессов, протекающих на межфазной границе подложка-расплав.
Прикладным аспектам этой проблемы посвящено много исследований, так как масштабы производства кристаллического вещества огромны. Однако вклад этих работ в выяснение механизма формирования кристаллических зародышей оказался небольшим. Анализируя состояние этой проблемы полвека назад Н.Фукс отмечал, "что ни в одной области физической химии не было, пожалуй, затрачено столько труда с такими скромными результатами" [151] . Последующие работы Д.Тарнбалла, Флетчера, В.И.Данилова, Д.К.Овсиенко и других исследователей, посвященные кинетике гетерогенного зарождения кристаллов, раскрыли экспериментально и теоретически ряд новых закономерностей. Однако механизм зарождения кристаллов не выяснен и количественная теория этого процесса не еоздана. Поэтому и в литературе наших дней указывается: "О деталях образования зародышей известного удивительно мало**. [104].
Изучение гетерогенного зарождения кристаллов затруднено из-за влияния на этот процесс большого количества различных факторов, часть из которых не поддается надежному контролю. Выводы, сделанные ранее о том, что при внесении примесей переохлаждение расплава следует изменению поверхностного натяжения [55,58] в после дующем [69] не подтвердились. Аналогично, оказалось, что твердая подложка не всегда активна, при совпадении параметров сопрягающихся решеток [117,121,144,145,202-204 ] .
Анализ литературных данных показывает, что из всех внешних динамических воздействий наиболее эффективным является трение твердых поверхностей, опущенных в расплав, то есть трение вызывает зарождение кристаллов при меньшем переохлаждении. Эта особенность трения поверхностей, очевидно, может дать новые сведения, полезные для выяснения механизма гетерогенного зарождения кристаллов. Однако в литературе по этому вопросу имеются лишь работы, выполненные в начале века в связи с обсуждением мета-стабильного состояния растворов [209-211].
Поэтому актуальной является задача исследования влияния динамических действий на гетерогенное зарождение кристаллов.
Целью работы являлось выяснение механизма влияния трения твердых поверхностей на переохлаждение расплавов.
Эти проблемы решались с использованием специальной установки, реализующей трение в расплаве различных поверхностей, дифференциально-термического анализа /ДТА/, комбинационного рассеяния света /КРС/, рентгено-фото-электронной спектроскопии /РФЭС/, капиллярной методики исследования скорости роста кристаллов.
Испытаны легкоплавкие вещества: салол, тимол, дифениламин, бетол, азобензол, циклогексанол, а также висмут, цинк, индий, свинец, олово, алюминий и другие.
Как показано на схеме 1 наш изучены закономерности зарождения кристаллов в условиях трения твердых поверхностей в испытуемом образце. Доказана несостоятельность существующих гипотез и выдвинута новая гипотеза, из котррой вытекают три следствия, указанные в схеме 1. Они подвергнуты экспериментальной проверке и подтвердились.
Полученные результаты позволили уточнить существующие трактовки роли трения, растворимых и нерастворимых примесей в гетерогенном зарождении кристаллов.
Научная новизна -работы состоит в следующем.
1. При трении в расплавах твердых поверхностей дюралюминия, меди, стали, изготовленных в атмосфере воздуха, получены практи
Схема I. Исследование механизма влияния трения твердых поверхностей на зарождение кристаллов в расплавах. чески одинаковые значения переохлаждения, независимо от степени чистоты их обработки»
2. Используя комбинационное рассеяние света и представления о явлении гистерезиса при адсорбции, получены сведения, указывающие на наличие кристаллических зародышей при переохлаждениях меньших, чем переохлаждения спонтанной кристаллизации.
3. Трение твердых поверхностей в различных расплавах показало, что эффективность его действия на переохлаждение зависит от фактора Джексона, определяющего механизм роста кристалла.
4. Получено, что при прочих одинаковых условиях, скорость перемещения кристаллического фронта начинает резко уменьшаться, если диаметр капилляра меньше некоторой величины.
5. Показано, что органические вещества /салол,бетол, дифениламин и другие/, широко использованные ранее для исследования зарождения кристаллов в различных условиях, дают переохлаждение и число центров кристаллизации, определяемые микропримесью воды, которая может быть поглощена ими из атмосферы. После этого они приобретают также зависимость переохлаждения от числа повторных испыташй, температуры и продолжительности перегрева.
6. Установлено, что одни и те же нерастворимые примеси /цеолиты/, внесенные в органические вещества, повышают переохлаждение образца, если осушены и не влияют на зарождение если осушке не подвергались, то есть активность твердой поверхности определяется не только структурой сопрягающихся решеток, но и ее адсорбционной способностью.
7. На основе полученных результатов предлагается следующая гипотеза: в реальных условиях кристаллические зародыши формируются на активных центрах, которые образовались на твердой поверхности вследствие адсорбции различных химических примесей. Для веществ имеющих послойный механизм роста, скорость роста зародышей мала, из-за отсутствия достаточного числа источников слоев. Они могут быть созданы трением. Поэтому оно эффективно понижает переохлаждение.
Практическая значимость. Результаты работы, в которых показано совместное действие растворимых и нерастворимых примесей планируется использовать в заводских условиях для повышения эффективности действия модификаторов /см.приложение/, применяемых с целью улучшения кристаллической структуры алюминиевых слитков. Трение твердых поверхностей может быть использовано для генерирования зародышей с целью управления размером кристаллов растущих послойно. Выполненная работа может быть полезной при рассмотрении вопросов фазового перехода вещества из жидкого состояния в твердое.
Апробапия -работы. Исследования проводились в течении 6 лет в лаборатории физики кристаллизации Грозненского нефтяного института и частично в институте физики твердого тела АН СССР. Материалы работы изложены в И работах. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Всесоюзных конференциях: 6 конференций по росту кристаллов, /Цахкадзор, 1985/, "Новые высокопроизводительные технологические процессы, высококачественные сплавы и оборудование в литейном производстве" /Каунас, 1986/, на чтениях по физике Северо-Кавказского научного центра высшей школы, на научном семинаре руководимом акад. АН БССР Н.Н.Сиротой, на семинаре МГУ "Теория и практика кристаллизационных процессов", на республиканских научно-технических конференциях /ГНИ, Грозный, 1982-1987 г./.
Объем и структура работы. Основное содержание работы излагается в пяти главах на 154 страницах / 38 графиков, 9 таблиц/. В первой главе дан литературный обзор теории гетерогенного за-родышеобразования в переохлажденных расплавах, а также влияния различных факторов на переохлаждение органических и металлических расплавов. Во второй главе описаны методики и приборы, которые использовались для экспериментальных исследований. В третьей, четвертой и пятой главах приведены результаты экспериментальных исследований и их обсуждение.
Настоящая диссертация является частью плановых научно-исследовательских работ, проводимых в Грозненском нефтяном институте, включенных в Координационный план научно-исследовательских работ АН СССР но направлению 2.26 "Физико-химические основы металлургических процессов" на 1981-1985 г. и направлению 2.25 "Разработка теоретических оенов управления процессом формирования отливок с применением внешних воздействий" на 1981-1990 г.
В диссертации защищаются:
1. Экспериментальные результаты показывающие, что эффективность влияния трения твердых поверхностей на переохлаждение расплава определяется величиной фактора Джексона;
2. Обнаруженная экспериментально зависимость скорости перемещения кристаллического фронта в капиллярах от их диаметра;
3. Результаты экспериментов доказывающие, что одни и те же нерастворимые механические примеси (Carf). внесенные в расплав, изменяют переохлаждение в зависимости от наличия адсорбированной на них растворимой примеси /воды/;
4. Экспериментальные результаты, доказывающие, что активность твердой поверхности кремния зависит от свойств адсорбированной на ней химической примеси ScO^ ; ,
5. Доказательство того, что в таммановской методике "проявления" зародышей, определяющая роль принадлежит примеси воды;
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Отсутствие достаточно полного представления о механизме гетерогенного зарождения кристаллов в расплавах затрудняет соз-. даете количественной теории этого процесса, а также управление технологией цроизводства кристаллических веществ.
В настоящей работе изложены резулжтаты исследования влияния трения, растворимых и нерастворимых примесей на гетерогенное зарождение кристаллов и скорость их роста.
Результаты диссертационной работы следующие:
1# Доказано, что трение твердых поверхностей в расплаве вызывает зарождение кристаллов при меньшем переохлаждении не вследствие обнажения свежей, более активной поверхности, как это принято в литературе, а ввиду того, что при этом создаются источники слоев роста* Поэтому трение понижает переохлаждение расплавов, если фактор Джексона больше четырех и рост кристаллов происходит послойно. Трение не оказывает влияние на переохлаждение металлов, кристаллы которых растут по нормальному механизму и фактор Джексона меньше двух.
2. Установлено, что величина переохлаждения ряда органических веществ в условиях треиия твердых поверхностей практически не зависит от материала трущихся поверхностей, так как, видимо, вследствие адсорбции веществ из атмосферы они приобретают одинаковую активность.
3. В спектре комбинационного рассеяния переохлажденного бе-тола обнаружена полоса с волновым числом, характерным для его твердой фазы, указывающая жа наличие в переохлажденном расплаве кристаллических зародышей. Об этом же свидетельствует обнаруженное нами явление гистерезиса при повторном переохлаждении расплава.
4. Доказано, что при прочих равных условиях скорость перемещения кристаллического фронта в капилляре для органических веществ с фактором Джексона больше 4 начинает резко уменьшаться» если диаметр меньше определенной величины. Это вызвано уменьшением количества источников слоев роста»
5. На основании выводов 1-4 сделано заключение о том, что кристаллические зародыши формируются на твердых поверхностях при переохлаждениях значительно меньших, чем переохлаждения спонтанной кристаллизации, однако они растут с малой скоростью, если фактор Джексона больше 4, Треше создает на зародышах источники слоев роста и поэтому оно эффективно уменьшает переохлаждение органических расплавов и не изменяет его для металлов.
6. Установлено, что зависимость переохлаждения от температуры и продолжительность перегрева, числа повторных испытаний и фильтрования органические вещества приобретают при наличии малой примеси воды, которая может быть поглощена из атмосферы.
7. Доказано, что одни и те же нерастворимые механические примеси, внесенные в расплав, изменяют переохлаждение в зависимости от наличия адсорбированной на них растворимой примеси. Эффективность модифицирования, на основе этого вывода, подтверждена испытанием алюминиевых слитков, что рекомендовано для внедрения в промышленном производстве.
8. Доказано, что подсчет центров кристаллизации по методике "проявления" Таммана дает результаты, определяемые содержанием микропримеси воды, которая может быть поглощена из атмосферы.
9. На основании выводов 6-8 сделано предположение,что гетерогенное зарождение кристаллов в расплавах определяется природой и количеством растворенных микропримесей, которые адсорбируясь на твердой поверхности, уменьшают работу образования кристаллического зародыша.
132
1. Абдуллаев Г.Б., Мамедов К.П., Одобеску А.И. О влиянии электростатического поля на кристаллизацию аморфного селена //Докл. АН Азерб. ССР. Физика. - 1967. - Т. 23. - № 9. - С.10-13.
2. Абдуллаев Г.Б., Одобеску А.И., Кон А.Ю. Влияние электростатического поля на кинетику кристаллизации селена из газовой фазы //Кристаллография. 1969. - Т. 14. - № 6. - С.II08- ШО.
3. Абдуллаев Г.Б., Ланге В.Н., Одобеску А.И. Влияние электрического поля и предыстории на процесс кристаллизации селена //Изв. ВУЗов СССР. Физика. 1970. - № 10. - С.117-120.
4. Абрамов О.В., Теумин И.И. Роль нерастворимых примесей при кристаллизации металлов в ультразвуковом поле //Физика металлов и металловедение. 1963. - Т. 15. - № 5. - С.710-716.
5. Абрамов О.В., Неймарк В.Е., Теумин И.И* 0 механизме воздействия ультразвука на процесс кристаллизации металлов и сплавов // Физика металлов и металловедение. 1967. - Т. 15. -В 6. - С.875-879.
6. Абрамов О.В., Теумин И.И. Кристаллизация металлов // Физика и техника мощного ультразвука. Физические основы ультразвуковой технологии М.: Наука, 1970. С.427-514.
7. Абрамов О.В. Кристаллизация металлов в ультразвуковом поле.- М.: Металлургия, 1972. 256 с.
8. Айзенберг И.А., Чернов А.А. Образование кристаллических зародышей из паров на микрокристаллах. I. Методика. Вероятностный характер зарождения //Кристаллография. 1980. - Т. 25.- № 2. С.349-356.
9. Айзенберг И.А., Чернов А.А. Образование кристаллических зародышей из паров на микрокристаллах. 2. Механизм зарождениякристаллография. 1980. - Т. 25.3. - С.574-581.
10. Акаев А. А. Механизм действия ультразвука на первичное зарождение кристаллов в расплавах: Автореферат дисс. . канд. хим. наук. Киев, 1982. - 21 с.
11. Алфинцев Г.А., Овсиенко Д.Е. Исследование механизма роста кристаллов галлия из расплава // Рост кристаллов. М.: Наука. 1965. - Т. 5. - С.237-241.
12. Амелин А.Г., Яшке В.В., Кургин Ю.С. // Коллоидный журнал. -196I. Т. 23. - В 6. - С.652-657.
13. Амелин А.Г. Теоретические основы образования тумана при конденсации пара. М.: Химия, 1972. - 304с.
14. Анкудинов Д.Т., Мамаев К.Н. Малобазные тензодатчики сопротивления. М.: Машиностроение. - 1968. - 188 с.
15. А.С. 996916 ССОР, МКИ3 ^0I/VI3/00 "Способ определения коэффициента диффузии в жидких средах /В.Х.Межидов, С.Х.Межидов. (СССР). Jt 3324991/18-25. Заявлено 05.08.81; Опубл. 15.02.83. Бюл. №6. - 3 с.
16. А.С. 1073657 СССР, МКИ3 ^0I/J/25/02. Способ определения концентрации раствора /Межидов В.Х., Межидов С.Х., Краенобры-жев В.Г. (СССР). 3513044/18-25. Заявлено 04.10.82; Опубл. 15.02.84. Бюл. Jt 6. - 3 с.
17. Ахмадов У.С., Школьников А.В. Исследование концентрации механических примесей в расплавах // Тез. докл. Респ. науч.-тех. конф.: Вклад молодых ученых и специалистов в науч.-тех. прогресс республики. Грозный, 1985. - С.100.
18. Багдасаров Х.С., Капустин А.П. Получение фигур травления с помощью ультразвуковых колебаний // Кристаллография. 1956. - Т. I. - Ш I. - С.139-140.
19. Базилевич М. О влиянии электрического поля на кристаллизацию переохлажденных жидкостей //Записки Одесского физ. инст.
20. Одесса, 1928. Вып. I. - С. 19-25.
21. Баяли Г. Рост кристаллов. М.: Издатинлит, 1954. - 407с.
22. Баландин Г.Ф. формирование кристаллического строения отливок. М.: Машиностроение. 1973. - 287 с.
23. Белюстин А.В., Левина И.М. Рост кристаллической грани в присутствии макроскопического выступа // Кристаллография.1965. Т. 10. - № 4. - С. 531-533.
24. Берг Л.Г. Введение в термографию. М.: АН СССР,1961. -368с.
25. Берлага Р.Я. Влияние магнитного поля на кристаллизацию переохлажденных жидкостей // Записки Одесского физ. ин-та. -Одесса, 1930. Т. I. - № 4. - С. 15.
26. Берлага Р.Я. Влияние ультразвукового поля на кристаллизацию переохлажденных жидкостей // 1ЭТФ. 1939. - Т. 9. - Л» II.- C.I397-I398.
27. Боонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния. -М.; Мир, 1970. 176 с.
28. Борисов В.Т., Духин А.И. Влияние теплового режима на структуру фронта кристаллизации в однокомпонантных системах // Кристаллография. 1962. - Т. 7. - № 2. - С.281-285.
29. Болотов И.Е., фшюлвва С.Б., Швалев В.О. Изучение влияния контактирующей поверхности на кристаллизацию аморфных пленок селена // ЖФХ. 1984. - Т. 58. - » 6. - С.1541-1542.
30. Брег Д. Цеолитовые молекулярные сита. М.: Мир, 1976. -781 с.
31. Бретшнайдер С. Свойства газов и жидкостей. М.-Д.: Химия,1966. 535 с.
32. Вайнград У. Введение в физику кристаллизации металлов. -М.: Мир, 1967. 159 с.
33. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем.- М.: Физматгиз, 1962, Т. 2, С.143.
34. Геллер И.Х., Коломиец Б.Т., Попов А.И. Механизм влияния электрического поля на кристаллизацию <Я?//Неорганические материалы. 1975. - Т. II. - № II. - C.I936-I939.
35. Гельперин Н.И., Носов Г.В. Основы техники кристаллизации расплавов. М.: Химия, 1975. - 351 с.
36. Герцберг Г. Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул. М.: Издатинлит, 1949. - 648 с.
37. Гиббс Дж. Термодинамические работы. М.-Л.: Гостехиздат, 1950. - 492 с.
38. Глазов В.М. Влияние скорости охлаждения и температуры перегрева на степень переохлаждения расплава антимонида индия // Неорганические материалы. 1970. - Т. 6. -'Jfc 10. -C.I775-I778.
39. Говорков В«М., Шебалин К.Н. Влияние вибрации на кристаллизацию металлов // ЖТФ. 1954. - Т. 24. - № I. - С.41-49.
40. Горский Ф.К., Михневич Г.Л. Изменение хода температурной кривой числа центров кристаллизации переохлажденного пиперина под действием постоянного электрического поля // ЖЭТФ.- 1932. Т. 2. - Л 4. - С.264-269.
41. Горский Ф.К. Температурный ход числа центров кристаллизации // ЖЭТФ. 1934. - Т. 4. - » 5. - 0.522-526.
42. Горский Ф.К. Влияние различных физических факторов на кристаллизационные параметры вещества // Сб. науч. работ Минского мединститута» Минск: Госиздательство БССР, 1955. Т.15.-С.308-326.
43. Грассели Дж., Снейвилли М., Балкин Б. Применение спектроскопии КР в химии. М.: Мир, 1984. - 216 с.
44. Грдина Ю.В., Бондарь Л.А. О кинетике зарождения центров крио таллизации // Изв. ВУЗов. Сер. Черная металлургия. 1959.- В 4. С.73-78.
45. Гудмен Т. Применение интегральных методов в нелинейных задачах нестационарного теплообмена //Проблемы теплообмена. -M.s Атомиздат, 1967, С.41-96.
46. Данилов В.И., Плужник Е.Е., Теверовский Б.М. Кристаллизация пиперина в ультразвуковом поле //1ЭТФ. 1939. - Т.9.1. I. С.66-71.
47. Данилов В.И., Неймарк В.Е. О влиянии нерастворимых примесей на кристаллизацию переохлажденных жидких металлов //ЖЭТФ. -1940. № 8. - С. 942-949.
48. Данилов В.И., Плужник Е.Е., Теверовский Б.М. Кристаллизация органических веществ в ультразвуковом пол© //ЖЭТ#. 1940. - Т.10. - К II. - C.I305-I3I0.
49. Данилов В.И., Ковачковский О.Д. Кристаллизация переохлажденного салола /ДЭТФ. 1941. - № 3. - С.346-349.
50. Данков П.Д. Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными частицами //MX. ~ 1946. Т. 20. - С.853-867.
51. Данилов В.И. О роли нерастворимых примесей при кристаллизации жидкостей // Сб. науч. работ Лаб. металлофизики АН
52. УССР. Киев, АН УССР, 1948. - С.95-124.
53. Данилов В.И. Некоторые вопросы кинетики кристаллизации жидкостей // Проблемы металловедения и физики металлов. М.: Металлургиздат, 1949. - С.7-45.
54. Данилов В.И., Лесник А.Г. Исследование кристаллизации J$ -модификации салола на частичках каменной соли // ЖЭТФ. -1949. № Ю. - С. 912-915.
55. Данилов В.И,, Лесник А.Г., Шнайден Б.Я. Возникновение центров кристаллизации -салола на частицах каменной соли
56. ЖЭТФ. 1949. - Ш 10. - С.908-912.
57. Данилов В.И., Каменецкая Д.С. Влияние малых добавок калия на зарождение центров кристаллизации в переохлажденной ртути // ДАН СССР. 1949. - Т.68. - I 4. - С.677-681.
58. Данилов В.И., Каменецкая Д.С. Влияние растворимых примесей на зарождение центров кристаллизации в переохлажденных жидкостях // Проблемы металловедения и физики металлов. М.: 195I. № 2. - С.3-18.
59. Данилов В.И., Чеджемов Г.Х. Влияние ультразвука на кристаллизацию переохлажденных жидкостей и формирование структуры первичной кристаллизации // Проблемы металловедения и физики металлов. М.: Металлургиздат, 1955. - Т. 4. - С.34-39.
60. Данилов В.И. Основные физические факторы кристаллизации // Сталь. 1955. - № 10. - С.909-913»
61. Данилов В.И. Строение и кристаллизация жидкостей. Киев: Наукова думка, 1956. - 568 с.
62. Данилов В.И., Овсиенко Д.В. Кинетика зарождения центров кристаллизации гидрохинона на поверхности кристаллов кальцита // Строение и кристаллизация жидкостей. Киев: Наукова думка, 1956. - С.439-453.
63. Джексон К. Основные представления о росте кристаллов //Проблемы роста кристаллов. М.: Мир, 1968. - С.13-26.
64. Джексон К., Ульманн Д., Хант Дж. О механизме роста кристаллов из расплава // Проблемы роста кристаллов. М.: Мир, 1968. - С.27-86.
65. Дистлер Г.И. Реальная структура кристаллов как фактор, определяющий процессы зародышеобразования и роста // Рост кристаллов. М.: Наука, 1972. Т. 9. С.201-209.
66. Дистлер Г.И., Суворова Е.И., Охрименко Т.М., Беликова Г.С. О механизме и кинетике роста кристаллов, выращиваемых изводных растворов // Изв. АН СССР, сер. физ. 1984. - Т. 48.- J* 9. С. 1703-1707.
67. Дохов М.П. Расчет межфазной энергии некоторых органических соединений на границе раздела монокристалл-расплав // ЖФХ.-1981. Т. 55. - & 5. - С.I324-1327.
68. Драго Р. Физические методы в неорганической химии. М.: Мир, 1967. - 464с.
69. Дудовцев П.А. Периодичность свойств в стальном слитке. М.: Металлургиздат, 1949. - 68 с.
70. Жижин Г.Н., Маврин Б.Н., Шабанов В.Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов. М.: Наука, 1984. - 232 с.
71. Иванцов Г.П. Тепловые и диффузионные процессы при росте кристаллов // Рост кристаллов. М.: АН СССР» 196I. - Т. 3.1. С.75-84.
72. Инденбом В.Л. К теории образования напряжений и дислокацийпри росте кристаллов // Кристаллография. 1964. - Т. 9. -Л I. - С.74-83.
73. Каменецкая Д.С. О влиянии примесей на зарождение центров кристаллизации в переохлажденной жидкости // Рост кристаллов. М.: Наука, 1956. - С.39-47.
74. Кан Дж., Хиллинг У., Сире Дж. Молекулярный механизм кристаллизации // Успехи физических наук. 1967. - Т. 91. - № 4.- С.691-719.
75. Капустин А.П. Влияние ультразвука на кинетику кристаллизации. М.: АН СССР, 1962. - 106 с.
76. Капустин А.П. Экспериментальное исследование влияния ультразвука на кинетику кристаллизации // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1950. Т. 14 - Л 3. - С. 357-365.
77. Касумзаде Н.Г. Изменение структуры и свойств стали под влиянием физико-химических факторов, действующих при разливке.- Баку; Азнефтеиздат, 1957. 364 с.
78. Карлсон Т.А. фотоэлектронная и ОЖб-спектроскопия. Д.: Машиностроение, 1981. - 431 с.
79. Катализаторы крекинга микросферические и молотые. Методы испытаний. М.: Миннефтехимпром СССР, 1978. - 50 с.
80. Качурин JI.T. Физические основы воздействия на атмосферные процессы. Л.; Гидрометиздат, 1973* - 366 с.
81. Кобзарева С.А. Ориентированное зарождение антрахинона на слюде. // Физика кристаллизации. Калинин, КГУ, 1984. -С.60-66.
82. Козачковский О.Д. О влиянии рельефа поверхности механических примесей на кристаллизацию жидкостей // Сб. науч. работ Лаборатории металлофизики АН СССР. Киев, АН УССР, 1948.- С.76-94.
83. Кондогури В.В. Влияние электрического и магнитного поля на кристаллизацию переохлажденных жидкостей // Зап. Одесского физ. ин-та. Одесса, 1928, вып. I. С.5-16.
84. Кондогури В.В. Влияние толщины слоя переохлажденной жидкости на кристаллизацию под действием лучей радия // Журнал русского физ.-хим. об-ва, часть физ. 1930. - Т. 62. - № 5.1. С. 451-461.
85. Костюченко В.П., Овсиенко Д.Е. Влияние материала тигля и чистоты исходного металла на переохлаждение железа // Механизми кинетика кристаллизации. Минск: Наука и техника, 1964. -С.130-137.
86. Клубович В.В., Кашевич И.Ф., Михневич В.В., Толочко Н.К. Исследование влияния низкочастотных вибраций на процесс роста кристаллов сегнетовой соли // Кристаллография. 1984. -Т. 29. - № 4. - 0.822-823.
87. Кротова И.В. Кристаллизация тонких слоев салола и бензофено-на // Изв. АН СССР, отд. мат. и естеств. наук. 1932.1. С.817-827.
88. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация. М.: Техтеоретиздат, 1953. 411 с.
89. Лейчикс Д.Л. Об устойчивости зародышей кристаллов при температурах, превышающих точку плавления // Литейные свойства сплавов. Киев: ИПЛ АН УССР, 1972. C.9-II.
90. Леонтьев Ю.А., Гаврилин И.В., Кальнов В.П. О влиянии! статического электричества на кристаллизацию металлов // Металлы. 1976. - & 3. - С.70-76.
91. Ли Зон Хо, Любалин М.Д. Исследование свободного роста из расплавов плоскогранных кристаллов галлия /Ленинградский горный институт. Ленинград, 1984. - 20 с. - Деп. в ВИНИТИ 07.08.84, * 5712-84.
92. Линник Ю.В. Метод наименьших квадратов и основы математико-статистической теории обработки наблюдений, М,: Физматгиз, 1962. - 349 с.
93. Любалин М.Д., Ли Зон Хо. Влияние примесей на рост в расплаве кристаллов галлия //Тез. докл. 6 Всесоюз. конф. по росту кристаллов. Ереван, АН Арм. ССР, 1985. - T.I. - С. 234-235.
94. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. - С.74-79.
95. Матусевич Л.Н. Кристаллизация из растворов в химической промышленности. « М.: Химия, 1968. 304 с.
96. Межидов В.Х,f Абрамов О.В., Акаев А.А. Механизм действияультразвука на первичное зарождение кристаллов // Металлофизика. 1981. - Т. 3. - № 3. - С.51-56.
97. Межидов В.Х. Исследование массовой кристаллизации растворов на основе кинетики кристаллизации их капель // ЖФХ. 1981.- Т. 55. № 2. - С. 378-382.
98. Межидов В.Х. Механизм формирования кристаллического агрегата в капилляре с переохлажденным расплавом // ЖФХ. 1982.- Т. 56. № 10. - С.2585-2587.
99. Межидов В.Х., Донченко Г.М., Школьников А.В., Мусаев У.О. Влияние механических воздействий на зарождение кристаллов в растворах и расплавах // Физика межфазных явлений. Нальчик: КБГУ, 1984. 186 с.
100. Межидов В.Х., Эльдарханов А.С., Мусаев У.О. Образование периодических кристаллических структур при действии вибрации в процессе затвердевания // Физика межфазных явлений. Нальчик: КБУ, 1984. 186 с.
101. Межидов В.Х., Школьников А.В. Макр шероховат ость кристаллического фронта в капиллярах при различных переохлаждениях расплава // Тезисы докл. 6 Всесоюзн. конф. по росту кристаллов. Ереван, АН Арм. CGP, 1985» T.I. - С.237-238.
102. Межидов В.Х., Школьников А.В. Механизм влияния трения на зарождение кристаллов в расплавах. /Грозненский нефтяной институт. Грозный, 1985. - 15 с. - Деп. в ВИНИТИ 04.10.85,7086-В.
103. Межидов В.Х., Школьников А. В., Межидов С.Х. Зависим ость скорости кристаллического фронта переохлажденного расплава от диаметра капилляра // ЖФХ. 1985. - Т, 59. - № 7. -C.I692-I695.
104. Мейтис Д. Введение в курс химического равновесия и кинетики. М.: Мир, 1984. - 480 с.
105. Мелешко Л.О. Исследование зависимости линейной скорости кристаллизации от толщины слоя // ЖФХ. I960. Т. 34. -Л I. - С.39-42.
106. Мелешко Л.О. К методике определения температурной зависимости числа центров кристаллизации // Механизм и кинетика кристаллизации. Минск: Наука и техника, 1964. C.I2I-I29.
107. Михневич Г.Л. Кристаллизация переохлажденных органических жидкостей на частицах примесей при различных температурах // Коллоидный журнал. 1959. - Т.21. - № 4. - С.449-457.
108. Михневич Г.Л., Заремба В.Г., Ефимова В.П. Действие магнитного поля на кинетику зародышаобразования в тонких слоях переохлажденного бетола // Коллоидный журнал. 1962.1. Т.24. 4. - С. 488-489.
109. Мондольфо Л.ф. Структура и свойства алюминиевых сплавов.- М.: Металлургия, 1979. 640 с.
110. Мотт Б.В. Испытание на твердость микровдавливанием. М.: Металлургиздат, I960. - 338 с.
111. Неймарк В.Е., Теумин И.И., Фишкис М.Я. Влияние модификаторов и нерастворимых примесей на кристаллизацию висмута и цинка в поле упругих колебаний // Литейное производство.- 1962. № 9. - С. 31-32.
112. Овсиенко Д.Е., Костюченко В.П. О переохлаждении хрома // Вопросы физики металлов и металловедения. Киев. АН УССР, 1961. Ш 13. - С. 167-169.
113. ИЗ. Овсиенко Д.Е., Алфинцев Г.А. Влияние малых добавок серебра на рост кристаллов галлия из расплава // Физика металлов и металловедение. 1965. - Т. 20. - 3. - С.402-406.
114. Овсиенко Д.Е., Алфинцев Г.А., Маслов В.В. Влияние кремнияи марганца на переохлаждение железа // Металлофизика. Киев: Наукова думка, 1972, выпуск 39. С.202-105.
115. Овсиенко Д.Е., Маслов В.В., Алфинцев Г.А. Влияние некоторых растворимых примесей на зарождение и рост кристаллов олова. Киев: ИМФ АН УССР, 1976. - 22 с.
116. Овсиенко Д.Е., Федоров О.П. Влияние малых добавок воды на рост из расплава кристаллов циклогексанола // Кристаллография. 1982. - Т. 27. - В 6. - C.II77-II83.
117. Овсиенко Д.Е. Влияние ^-облучения на переохлаждение пара-дихлорбензола // Кристаллография. I960. - Т. 5. - I 5. -С.779-782.
118. Овсиенко Д.Е., Алфинцев Г.А., Чемеринский Г.П. Рост кристаллов сукцинонитрила из расплава при наличии посторонних частиц // Укр. физ. журнал. 1984. - Т. 29. - № I. -С.96-100.
119. Овсиенко Д.Е. О механизме влияния растворимых и нерастворимых добавок на кристаллизацию металлов из расплавов // Тез. докл. 6 Всесоюзн. конф. по росту кристаллов. Ереван, АН Арм. ССР, 1985. T.I. - С.35-36.
120. Пак В.Н., Вентов Н.Г. О возникновении электрического поля при адсорбции воды на поверхности чистого и модифицированного кварцевого стекла // ЖФХ. 1982. - Т. 56. - № 10. -0.2573-2574.
121. Па латник Л.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. М.: Энергия, 1978. - 280 с.
122. Панкин Г.Н., Рябинкин A.M., Коршунов И.П. Повышение устойчивости метастабильного состояния расплава во внешнем магнитном поле // Тез. докл. 6 Всесоюзн. конф. по росту кристаллов. Ереван, АН Арм. ССР, 1986. - Т. I. - С.251-252.
123. Петров А.С., Шериф Г., Яськов Д.А. Кинетика зародышеобразования фосфида галлия в объеме расплава // Неорганические материалы. 1984 - Т. 20. - В 2. - С.340-341.
124. Плавка и литье алюминиевых сплавов: Справ, изд. /Альтман М.Б., Андреев А.Д., Балахонцев Г.А. и другие. М.: Металлургия, 1983. - 352 с.
125. Применение спектров комбинационного рассеяния. /Под ред. А.Андерсона. М.: Мир, 1977. - 586 с.
126. Проблемы современной кристаллографии. М.: Наука, 1975. -- 407 с.
127. Псарев В.И., Андроников В.А., Иванов АЛ. Кристаллизация расплавов в системах Cd-S£ и Г& //Неорганические материалы. - 1984. - Т. 20. - № 9. - С.1449-1453.
128. Савин Б.С. Основы техники сушки. М.: Химия, 1984. - 320с.
129. Сверхмелкое зерно в металлах. М.: Металлургия, 1973. --С. 41-82.
130. Сирота Н.Н. Влияние включений на процесс кристаллизации (влияние модификаторов, роль кристаллического сродства) // Кристаллизация и фазовые переходы. Минск: АН БССР, 1962.- С.82-106.
131. Скрипов В.П., Коверда В.П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных жидкостей. М.: Наука, 1984. - 232 с.
132. Современная кристаллография / А.А.Чернов, В.И.Гиваргизов, Х.С.Багдасаров и др. М.: Наука, 1980. - Т. 3. - 407 с.
133. Странский И.Н., Каишев Р. К теории роста кристаллов и образования кристаллических зародышей // Успехи физических наук. 1939. - Т. 21. - № 4. - С. 408-465.
134. Стрикленд-Констэбл Р.Ф. Кинетика и механизм кристаллизации.- Л.: Недра, 197I. 310 с.
135. Стойчев Н.В., Алфинцев Г.А., Овсиенко Д.В. Влияние малых добавок индия на рост кристаллов галлия из расплава // Кристаллография. 1975. -.Т. 20. - № 4. - С.823-828.
136. Сутырин Г.В. 0 влиянии вибрации низкой частоты на скорость зарождения центров кристаллизации // Изв. АН СССР. Металлы.- 1977. & 4. - C.I08-II0.
137. Таблицы физических величин. Справочник под ред. Кикоина И.К. - М.: Атомиздат, 1976. - 1005 с.
138. Тамман Г. Стеклообразное состояние. М.-Л.: 0НТИ, 1935. -136 с.
139. Тензометрия в машиностроении. Справочное пособие. /Под ред. Р.А.Макарова. М.: Машиностроение, 1975. - 288 с.
140. Теумин И.И. К теории и расчету введения упругих колебаний в расплавленный металл // Проблемы металловедения и физики металлов. М.: Металлургиздат. - 1962. - № 7. - С.376-416.
141. Товбин М.В., Товбина З.М. 0 температурном пороге гетерогенной кристаллизации переохлажденных жидкостей // Укр. хим.журнал. 1976. - Т.42. - » 7. С.696-698.
142. Товбин М.В., Чеша И.И., Гельман Л.А. Влияние адсорбционного модифицирования поверхности кристаллических веществ на ихльдообразующую активность // Коллоидный журнал. 1977. -Т. 39. - № I. - С. 213.
143. Туницкий Н. О конденсации, пересыщенных паров /Дурнал физической химии. 194I. - Т.15. - 10. - С.I06I-I07X.
144. Уэндландт У. Термические методы анализа. М.• Мир, 1978.-526с.
145. Физический энциклопедический словарь /Под ред. А.М.Прохорова. М.: Советская энциклопедия, 1983. - С.147.
146. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкости. -Д.: Наука, 1975. 592 с.
147. Фридляндер И.Н., Филиппова З.Г., Модель М.С. 0 зависимости температуры на фронте кристаллизации от степени переохлаждения расплава //Изв. сект. физ.-хим. анализа. 1953. -Т.22. - С.71-82.
148. Фукс Н. О зарождении кристаллов // Успехи физических наук.- 1935. Т. 15. - № 4. - С.497-521.
149. Фукс Н.А. Испарение и рост капель в газовой среде. М.: АН СССР, 1958. - 90 с.
150. Хоконов Х.Б., Задумкин С.Н. К вопросу гомогенного образования новой фазы // Физика облаков и активных воздействий.- Л.: Гидрометеоиздат, 1969, вып.14. С.93.
151. Холломон Д.Н., Д.Тарнбалл. Образование зародышей при фазовых превращениях //Успехи физики металлов. М.: 1956.1. С.304-367.
152. Хорн Р. Атлас структур сварных соединений. М.: Металлургия, 1977. - С. 75-76.
153. Цинсмайстер Г.Д. Современное состояние теории гетерогенного зародышеобразования //Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. 4.1. Новосибирск: Наука, 1975. - C.II-I6.
154. Чармерс В. Теория затвердевания. М.; Металлургия, 1968.-288с.
155. Чернов А,А. Слоисто-спиральный рост кристаллов //Успехи физических наук. 1961. - Т.73. - № 2. - С.277-331.
156. Школьников А.В., Махмудова Л.Ш., Мишина С.А. Роль диффузионных процессов при зарождении кристаллов в органических расплавах //Тез. докл. Респ. науч.-тех. конф.: Физ.-хим. и теп-лофиз. св-ва углеводородных систем. Грозный, 1986. -С.4-5.
157. Школьников А.В., Ткаченко Ю.Е. Установка для экспериментального исследования влияния трения на зарождение кристаллов // Тез. докл. Респ. науч.-тех. конф.: Молодые ученые Чечено-Ингушетии юбилею республики. - Грозный, 1982. - С.81-82.
158. Штернберг А.А, Морфология, кинетика и механизм роста кристаллов //Рост кристаллов. М.:Наука, 1972. - Т.9. - С.34-40.
159. Щукин Е.Д., Печцов А.В., Амелина Е.А. Коллоидная химия. -М.: МГУ, 1982. 352 с.
160. Эмануэль Н.М., Кнорре Д.Г. Курс химической кинетики. М.: Высшая школа, 1974. - 400 с.
161. Энглин В.А. Применение жидких топлив при низких температурах. M.s Химия, 1980. - 207 с.
162. Энкашев М.М. Решение однофазной объединенной задачи теплопроводности для горной выработки методом интегральных соотношений //Физические процессы горного производства. Л.: ЛГИ, 1978. - & 5. - С.76-82.
163. Эскин Г.И. Ультразвук шагнул в металлургию. М.: Металлургия, 1975. - 215 с.1£>9. AlboM Ц. тЬе origin of Dislocations during crystal Growth// philosophical magazine. 1963,- v-8.- H92.- p.1335-1341.
164. Gutzov I., Razpopov д., paacheva s.» Kaisehew r. oh the MQChaaisu of costal from uadercooled melts// Kristall UBd 2?eeh2iik,-19?2.- ¥.?.- U7.- P.769-777.
165. Kirtisinghe £)., Strickland-constable н.P.Growth, of crystals frpm the melt in Glass Tubes// uature.-1964-.-V.204.-H 4957.-P. 463-466.
166. Kirtisinghe .)., Morris p.j. Strickland-constable. Retardation of the rate of Growth of salol crystals in capillary tubes// journal of crystal Growth.-1968.-v.2.-N 3/4,1. P. 771-775.
167. Kobayashi K.P. Kumikawa M.-I., Shingu p.H. Growth rate of Crystals of pure metals nucleated from the undercooled melt// journal of crystal Growth.-1984.-v.Ь7.-N 1.-p.85-90.
168. Korudorffer д.» Rahbek H., Sultan p.S. The Effect of mechanical Deformation ом the Growth of cadmium jodide crystals from solution // philosophical uagaziJae.-1952.-Y. 43.--H 347.-P.1301-1306.
169. Кusiar D.N. Effects of x-rays on the Growth of KCl// Natur-wiss.-1961.-v.48.-N 2.-p.47.184. кшваг D.N. Effects of gamma Rays он the Growth of KCl// Haturwiss.-1964.-V.51.-N 12.-p.286.
170. Markov I., Ksshchiev d. The Role of active centres in the
171. Kinetics of new phase Formation// journal of crystal growth.-1972.-N 13/14.-p.131-134.186. щвувх i. und pfaff w. Zur Keniitais der Kristallisatioia von Schmelzen// zeitschrift ftlr anorganische und allgemeinechemie.-1934.-Bd. 217.-s.'257-271.
172. Miloshev G« S^r la formation de G©rmes de cristaux sur des noyaux isomorphes// coptes rendus de l'Acadftmie Bulgare des sciences.-1963.-Y. 16.-N 5.-p.505-507.
173. Mollis p. j., Kirtisiagh© d., stricklaad-coMStable R.F. Re tardatioa of the Growth, of SAlol crystals from the Meltiu capillary Tubes// journal of crystal Growth.-1968.
174. Mossop S.C. The Freezing of supercooled water// proceedings of the phusical society.-1933.-V.b8.-p.193-208.
175. Heumaa K. t?ber die sogeaaaate Koastaate maximal® Kristal-lisatioasgeschwiadigKteit unterkUhlter salolachmelzea. 1. // journal of crystal Growth.-1971.V.11.-H 3.-S.313-322.
176. Richards w.T. The persisteac© aad Developmeat of crystal nuclei above the melting Temperature// The jouraal of the Americas chemical society .-1932.-V» 34.-IT 2,-P. 479-493.
177. Samuracas V.D. Die Eatstehusg, das sichtbarwerdea u®d das Wachatum von Kristallkeimea// zeitschrift fur Kristal-lographie.-1933.-Bd. 83.-ц 3-6.-s.474-476.
178. Turiabull D.» Fisher т.е. Rate of Hucleatios in coiadeEced Systems// The journal of chemical physics.-1949.-V.17,-H 1.-P.71-73.
179. Turabull D. Formatioa of crystal nuclei i® liquid jjetals// jousal of Applied physics,-1950,-v.21,-ц 10.-p.1022-1028,
180. Turabull d.j voaaegut в. Iiucleatioa catalysis// induatri-al aad EBgiaeering chemistry.-1952.-v.44.-Ц 6,-p.1292-1298,
181. Ciaemie.-1929.-Bc3.142.-U 1.-6.97-112.
182. Volmer щ. Ki^etek der phaseabilduiig. D^esdeia-Leizig: SteiMlpf, 1939. - 220 a,
183. Webster W.L. Рйевогаена occurring Is the ^eltiag of petals // proceedings of the royal society.-1933.-series a,-v. 140, -N 840. P.D>3-od0.
184. Youag S»W. t C*oes H.J. The .mechanical stimulus to c^stsl-lizatiou II// The journal of the Americas chemical society .-1911. -V. 33. -P. 137 3-1388.
185. Yokiko Mizuao aad go^ow wakahama. structure and orientation of frozen Droplets 023 ice Surfaces// journal of Chemical physics.-1983.-V.87.-н 21.-P.4161-4167.