Нанокомпозитные пленки германия и арсенида галлия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Структура, оптические и электрофизические свойства германия и арсенида галлия. Методы получения полупроводников в различном структурном состоянии.

1.1. Кристаллическая и атомная структура германия и арсенида галлия.

1.2. Методы получения германия и арсенида галлия в различном структурном состоянии.

1.2.1. Метод аморфизации монокристалла бомбардировкой ионами инертных газов (ионная имплантация).

1.2.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

1.2.3. Метод распыления порошков или мишени материала.

1.3. Методы анализа атомной структуры германия и арсенида галлия и изучение их электрофизических и фотоэлектрических свойств.

1.3.1. Рассеяние рентгеновских лучей, электронов и нейтронов.

1.3.2. EXAFS-анализ локальной атомной структуры.

1.3.3. Локальная атомная структура Ge и GaAs в кристаллическом и аморфном состояниях по EXAFS-данным, опубликованным в литературе.

1.3.4. Электрофизические и фотоэлектрические свойства германия и арсенида галлия в зависимости от их структурного состояния и методы их исследования.

1.4. Выводы по главе 1, постановка цели и задач.

Глава 2. Экспериментальные методики получения и исследования германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях.

2.1. Получение германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях.

2.2. Исследование макро- и микроструктуры полученных пленок и порошков Ge и GaAs.

2.2.1. Дифракция рентгеновских лучей.

2.2.2. Просвечивающая электронная микроскопия.

2.2.3. Атомная силовая микроскопия.

2.3. Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств пленок германия и арсенида галлия.

2.4. Обобщение результатов и выводы по главе 2.

Глава 3. EXAFS исследования локальной атомной структуры германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях.

3.1. Методика EXAFS эксперимента.

3.2. Предварительная математическая обработка EXAFS-спектров.

3.3. Локальная атомная структура поликристаллических, аморфных и нанокомпозитных пленок и порошков германия.

3.4. Локальная атомная структура арсенида галлия в кристаллическом состоянии и нанокомпозитных пленок.

3.5. Применение метода EXAFS спектроскопии для определения долей кристаллической и аморфной составляющих в негомогенных однокомпонентных полупроводниках на примере германия.

3.6. Обобщение результатов и выводы по главе 3.

Глава 4. Обобщение и обсуждение всех результатов исследований.

В настоящее время интерес к структуре и свойствам полупроводников, особенно неупорядоченных, не ослабевает, и они являются объектами интенсивных исследований [1-3]. К тому же быстрое развитие современной электроники связано, наряду с другими причинами, с уменьшением размеров и увеличением быстродействия изделий, что является толчком для дальнейшего развития технологии получения полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими и оптическими свойствами, при этом повторяемость результатов имеет наивысшее значение.

Наиболее интересным и перспективным направлением развития полупроводниковых приборов являются нанокристаллические тонкопленочные технологии. Развитие этих технологий невозможно без контроля химической чистоты, атомной и электронной структур, электрофизических и оптических свойств, топографии поверхности получаемых пленок на всех стадиях технологического процесса. Эта задача может быть решена только в рамках комплексного развития технологии получения пленок и методов их аналитического контроля.

Монокристаллические германий и арсенид галлия являются традиционными материалами, давно используемыми для производства полупроводниковых приборов. Они входят в изоэлектронный ряд Ge, имеют в среднем 4 валентных электрона на атом и кристаллизуются в решетки типа алмаза (Ge) и цинковой обманки (GaAs), при этом постоянная решетки в этом ряду изменяется менее чем на 1 %. При переходе в изоэлектронном ряду германия от Ge к GaAs и далее к ZnSe меняется тип химической связи от чисто ковалентной для германия до частично ионной [4].

Наряду с традиционным использованием монокристаллов, в течении последних 10 лет, был получен ряд уникальных полупроводниковых устройств на основе нанокристаллических тонкопленочных технологий и технологий получения квантовых точек, квантовых ям [5-7].

В настоящее время получены нанокристаллические (т.е. которые состоят из частиц размером порядка нескольких нанометров) пленки различных полупроводниковых материалов, которые имеют ряд уникальных свойств. Например - фотолюминесценции в видимой области спектра, уникальные тензо- и пьезоэлектрические свойства. У пленок, полученных распылением материала на подложку, расположенную под углом относительно направления пучка вещества, осаждаемого на подложку, наблюдается аномально высокая величина фотопроводимости, что может быть использовано при разработке устройств оптической передачи и хранения информации [8-10].

Традиционным методом получения пленок для изготовления этих полупроводниковых устройств является метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Однако этот метод является чрезвычайно сложным, трудоемким, а кроме всего прочего, еще и дорогим, то есть в смысле промышленных технологических приложений невыгодным [3].

Более простым и технологически распространенным методом получения тонких пленок является метод термического распыления материалов в высоком вакууме или в разряженной среде инертных газов. Этим методом были получены монокристаллические, поликристаллические и аморфные тонкие пленки на различных подложках. Также есть надежда, что этим методом, при соответствующем подборе технологических режимов, удастся получить поликристаллические тонкие пленки с размерами зерна порядка нескольких десятков нанометров[3], а также нанокомпозиты.

Получаемые, зачастую уникальные, электрофизические и оптические свойства полупроводниковых устройств не могут быть объяснены без знания их микроскопических характеристик, а именно, электронной и атомной структуры исследуемых объектов.

Традиционными методами анализа электронной структуры являются всевозможные спектроскопические методы, а микроструктура материалов в виде тонких пленок исследуется дифракцией рентгеновских лучей и электронов, в последнее время для получения количественной информации о локальной атомной структуре все чаще применяется метод EXAFS-спектроскопии. Электрофизические и оптические характеристики, такие как тип носителей заряда, проводимость, эффект Холла и другие, измеряются с помощью традиционных методов [11].

Таким образом, разработка технологий получения нанокристаллических и нанокомпозитных тонких пленок материалов изоэлектронного ряда германия, в частности, германия и арсенида галлия, в совокупности с развитием аналитических методов анализа их микроскопических и макроскопических характеристик является одним из приоритетных направлений в современной физике полупроводников и физике конденсированного состояния.

Целью данной работы является разработка методик получения нанокомпозитных тонких пленок Ge и GaAs методом термического распыления с определением атомной структуры, электрофизических и оптических свойств полученных материалов, а также установление взаимосвязи между изменениями в локальной атомной структуре при переходе от кристаллического к нанокомпозитному и аморфному состояниям и изменениями электрофизических, фотоэлектрических свойств полупроводников.

В соответствии с поставленной целью, в работе решались следующие задачи:

1. Разработка методик получения тонких пленок германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях методом термического испарения материала в вакууме на различных подложках (полиимидная пленка и ситалловая пластина) и при изменении температур последних от 25 до 400°С.

2. Исследование локальной атомной структуры полученных пленок германия и арсенида галлия методом EXAFS-спектроскопии и детальная аттестация их структурного состояния, т. е. проведение комплексных исследований макро- и микроструктуры с использованием рентгеновской дифракции, электронной просвечивающей микроскопии и атомной силовой микроскопии.

3. Развитие методики анализа негомогенных однокомпонентных полупроводников по данным EXAFS-спектроскопии с определением долей различных составляющих на примере германия.

4. Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств полученных пленок методами измерения термо-электродвижущей силы и фотопроводимо сти.

5. Установление взаимосвязи между изменениями локальной атомной структуры Ge и GaAs и изменениями их электрофизических и фотоэлектрических характеристик.

Работа выполнена в Физико-техническом институте Уральского Отделения РАН в соответствии с планами научных работ по теме «Исследование локальной атомной структуры двухкомпонентных систем на основе легких элементов» (№ гос.рег. 01.9.90 002476).

Научная новизна работы. В данной работе на основе метода термического распыления материалов в высоком вакууме разработана технология получения поликристаллических, аморфных и нанокомпозитных тонких пленок Ge, а также, впервые, нанокомпозитных пленок GaAs.

Развита методика анализа локальной атомной структуры и долей кристаллической и некристаллической составляющих однокомпонентных негомогенных нанокристаллических полупроводников из данных EXAFS исследований. Проведенный анализ нанокристаллических пленок Ge показал, что они представляют собой нанокомпозит с размерами зерна 5-10 нм, находящимися в аморфной матрице (доля аморфной составляющей порядка 70%).

Установлена взаимосвязь между изменениями в локальной атомной структуре и аномальным поведением полученных фотоэлектрических свойств нанокомпозитных пленок Ge и GaAs.

Аномально большая величина фото-ЭДС в негомогенных пленках Ge и GaAs может быть объяснена тем, что пленки представляют собой набор микровыпрямительных устройств на основе гетеропереходов аморфный-нанокристаллический полупроводник.

Практическая ценность работы. Методика получения стехиометрических тонких пленок GaAs в нанокристаллическом состоянии может быть использована для получения нанокристаллических пленок других двухкомпонентных полупроводниковых соединений.

Внутрикамерная геттерная очистка остаточной атмосферы в рабочей камере при паромасляных средствах откачки может использоваться в промышленных установках вакуумного напыления.

Обнаруженная в нанокомпозитных пленках Ge и GaAs аномально высокая величина фото-ЭДС может быть использована при разработке устройств преобразования световой энергии, фотодатчиков и других фотоэлектрических устройств.

Предложенная методика определения вкладов различных составляющих в негомогенных однокомпонентных полупроводниках из EXAFS-спектров, представляет интерес как в области физики конденсированного состояния, так и в материаловедении.

Положения, выносимые на защиту:

Разработана лабораторная методика получения полупроводниковых тонких пленок Ge и GaAs методом термического испарения порошка материала в вакууме (~10" Па) и среде инертного газа Аг на подложках из полиимидной пленки и ситалловой пластины и при изменении температур последних от 25 до 300°С. Использование внутрикамерной геттерной очистки остаточной атмосферы в рабочей камере при паромасляных средствах откачки позволило получать чистые полупроводниковые пленки Ge и GaAs, содержание загрязняющих примесей в которых составляет, по данным методов Оже, РФЭС и ВИМС, 0,01 ат.%.

Методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции и атомной силовой микроскопии показано, что пленки Ge, полученные при температурах подложек 25, 150 и 300°С, являются аморфными, негомогенными нанокристаллическими (с размером зерна 5-10 нм) и поликристаллическими (с размером зерна 50-100 нм), соответственно. Пленки GaAs, полученные методом ионно-кластерного распыления при температуре подложки 25°С, являются негомогенными нанокристаллическими (с размером зерна 5-10 нм).

Методом EXAFS-спектроскопии определены параметры локального атомного окружения (радиусы координационных сфер, координационные числа, среднеквадратичные отклонения атомов, параметры асимметрии пиков атомных парных корреляционных функций) кристаллических, нанокомпозитных и аморфных пленок и кристаллических и нанокристаллических (полученных методом механоактивации) порошков Ge. А также нанокомпозитных пленок и кристаллических порошков GaAs.

Разработана методика оценки долей кристаллических и некристаллических составляющих в негомогенных нанокристаллических полупроводниках. Проведенные исследования нанокомпозитных пленок германия показали, что они представляют собой нанокристаллические включения (доля которых 30%) в аморфную матрицу.

В нанокомпозитных пленках Ge и GaAs обнаружен эффект аномально высокой величины фото-ЭДС (в 100 раз выше, по сравнению с кристаллическими пленками). Его появление можно объяснить тем, что нанокомпозитная полупроводниковая пленка может быть представлена набором микровыпрямительных устройств на основе аналогичных барьеру Шоттки гетеропереходов аморфный полупроводник - кристаллический полупроводник, фото-ЭДС которых суммируется.

Личный вклад автора. Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором, и полученные в соавторстве. Автором диссертации совместно с соавторами была разработана технология получения нанокристаллических пленок полупроводниковых материалов методом термического испарения в высоком вакууме и ионно-кластерного распыления порошка материала. Также совместно с соавторами была проведена работа по модификации вакуумной установки, что позволило получать чистые (содержание кислорода и углерода не более 1 ат.%) пленки германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях.

Лично автором была проведена аттестация макро- и микроструктуры полученных образцов, кроме оценок размеров областей когерентного рассеяния, методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и атомной силовой микроскопии.

Автором были получены EXAFS-спектры на К-краю германия в аморфном, кристаллическом и нанокристаллическом состояниях, спектры на К-краях поглощения Ga и As для кристаллического и нанокристаллического арсенида галлия, а также проведена работа по их обработке. Определены параметры локального атомного окружения исследуемых объектов. Диссертантом разработана методика определения вкладов различных составляющих в негомогенных однокомпонентных полупроводниках, показана ее состоятельность на примере нанокристаллических негомогенных пленок и порошков германия. Цель работы и конкретные задачи экспериментальных исследований сформулированы научным руководителем Рацем Ю.В. и Деевым А.Н., научным консультантом Гаем Д.Е. Обсуждение и интерпретация экспериментальных результатов проводилась совместно с научным руководителем и соавторами публикаций. Основные положения и выводы диссертационной работы сформулированы автором.

Апробация работы и публикации. Результаты работы докладывались и обсуждались на:

• IV Российская университетско-академическая научно-практическая конференции, Ижевск, 1999;

• XVIII Школа-семинар "Рентгеновские спектры и химическая связь", Воронеж, 2000;

• II Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", г. Санкт-Петербург, 2000;

• 1-ая Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению, Калуга, 2001;

• III Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ - 2001), Москва, 2001;

• 5th regional workshop "EMAS-2002" on electron probe microanalysis of materials today - practical aspects, Szczyrk, Poland, 2002;

• European Materials Research Society 2002 SPRING MEETING Strasbourg, France, 2002;

• VIII Международная научно-техническая конференция "Высокие технологии в промышленности России", Москва, 2002.

Основное содержание диссертации изложено в 4 статьях, 2 статьях в сборнике трудов конференции и 10 сборниках тезисов докладов (ссылки [8287,90] в списке литературы).

Структура диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы.

Основные результаты и выводы:

1. На базе метода термического распыления разработана лабораторная методика получения тонких пленок германия и арсенида галлия в различных структурных (кристаллическом, аморфном и нанокомпозитном) состояниях на различных подложках (полиимидная пленка и ситалловая пластина) и интервале температур подложек от 25°С до 400°С.

2. Методом термического испарения получены нанокомпозитные пленки германия и впервые, методом ионно-кластерного распыления, нанокомпозитные пленки арсенида галлия. Характерный размер зерна составил порядка 5-20 нм.

3. На полученных нанокристаллических пленках германия и арсенида галлия обнаружено наличие аномально большой величины фото-ЭДС. Для пленок германия обнаружено аномальное поведение зависимостей энергии активации и удельного сопротивления в зависимости от температуры подложек при напылении.

4. Предложена гипотеза формирования аномальных электрофизических и фотоэлектрических свойств этих пленок, основанная на предположении, что нанокристаллические пленки представляют собой нанокристаллиты, внедренные в аморфную матрицу. В этом случае на границах раздела кристаллический полупроводник - аморфный полупроводник происходят процессы, аналогичные процессам, происходящим в гетеропереходах типа металл-полупроводник. Поэтому пленку нанокристаллического материала можно сравнить с большим количеством соединенных друг с другом фотовольтаических элементов.

5. Исследована локальная атомная структура полученных пленок и порошков методом EXAFS-спектроскопии. Получены атомные парные корреляционные функции и определены параметры локального атомного окружения исследуемых объектов. Методом EXAFS-спектроскопии проведены оценки долей кристаллической и аморфной составляющих в нанокомпозитных пленках германия, которые составляют 30% и 70%, соответственно, что подтверждает гипотезу возникновения аномальных электрофизических и фотоэлектрических свойств полученных нанокристаллических пленок.

Заключение

В диссертационной работе проводилась разработка лабораторной методики получения нанокомпозитных тонких пленок Ge и GaAs на основе метода термического распыления, комплексное исследование атомной структуры, электрофизических и оптических свойств полученных материалов, а также установление взаимосвязи между изменениями в атомной структуре кристаллических, нанокристаллических и аморфных полупроводниковых пленок и изменениями их электрофизических, фотоэлектрических свойств.

1. Бордовекий Г. А., Извозчиков В. А. Естественно-неупорядоченныйполупроводниковый кристалл. // СПб.: Образование, 1997, 422 с.

2. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. // Томск: НТЛ, 2000,426 с.

3. Полупроводники // Сб. научных трудов /Отв. ред. Неизвестный И.Г.1. Новосибирск, 1995, 326 с.

4. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп //Пер. с англ. Под ред. Б.И. Болтакса. М.: Мир, 1967. 477 с.

5. Oku Т., Kusunose Т, Hirata Т., Hatakeyama R., Sato N., Niihara К., Suganuma К. Formation and structure of Ag, Ge, SiC nanoparticles encapsulated in boron nitride and carbon nanocapsules. // Diamond and Rel. Mat. 2000. V.9. -P.911-915.

6. Lee Т., Liu J., Chen N.-P., Andres R.P., Janes D.B., Refenberger R. Electronic properties of metallic nanoclasters on semiconductor surfaces: Implications for nanoelectronic device applications. // J. Nanopart. Res. 2000. V.2. - P.345-362.

7. Lee Т., Liu J., Chen N.-P., Andres R.P., Janes D.B., Refenberger R. Electronic properties of metallic nanoclasters on semiconductor surfaces: Implications for nanoelectronic device applications. // J. Nanopart. Res. 2000. V.2. - P.345-362.

8. Д.Н. Горячев, O.M. Сресели. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия. //Физика и техника полупроводников. -1997. -Т.31. -№11. -С. 13831386.

9. Sathya В., Radhakrishnan К., Zheng H.Q., Yuan Q., Ng G.I., Yoon S.F. Electrical and optical characterization of regrown PHEMT layer structures on etched GaAs surfaces. // J. Mat. Sci. 2000, - V.l 1. - P. 379-382.

10. Корсунский М.И. Аномальная фотопроводимость и спектральная памятьв полупроводниковых системах. // М.: Наука, 1978. 268 с.

11. Шалимова К.В. Физика полупроводников // М.: Энергия, 1976. 416 с.

12. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела // М.: Наука, 1978. 792 с.

13. Хандрих К., Кобе С. Аморфные ферро- и ферримагнетики // М.: Мир, 1982.-386 с.

14. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия / Кочубей Д.И., Бабанов Ю.А., Замараев К.И. и др. -Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1988. -306 с.

15. Filipponi A., Di Cicco A., Benfatto М., Natoli C.R. The three-body correlation function in amorphous silicon probed by X-ray absorption spectroscopy. // Europhys. Lett. 1990. - V.13. - №4. - P.319-325.

16. Filipponi A., Di Cicco A. Shot-range order in crystalline, amorphous, liquid, and supercooled germanium probed by X-ray absorption spectroscopy. // Phys. Rev. B. 1995, - V.51. - P.12322-12336.

17. Polk D.E., Boudreaux D.S. Tetrahedrally coordinated random-network structure. // Phys. Rev. Lett. 1973, - V.31. - P.92-95.

18. Kresse G., Hafner J. Ab initio molecular-dynamics simulation of the liquid-metal-amorphous-semiconductor transition in germanium. // Phys. Rev. B. -1994, V.49. - P. 14251-14269.

19. Etherington G., Wright A.C., Wenzel G.T., Dore J.C., Clarke J.H., Sinclair R.N. The structure of evaporated amorphous Ge by X-ray diffraction. // J. Non-Cryst. Solids. 1982, - V.48. - P.265-268.

20. Beardmore K.M., Gronbech N. Direct simulation of ion-beam-indused stressing and amorphization of silicon. // Phys. Rev. B. 1999, - V.60. -P.12610-12616.

21. Gereben О., Puszai L. Structure of amorphous semiconductors: Reverse Monte Carlo studies on a-C, a-Si, and a-Ge. // Phys. Rev. B. 1994, - V.50. -P.14136-14143

22. Peto G., Horvath Zs.F., Gereben O., Puszai L., Hajdu F., Svab E. Implantation indused structural changes in evaporated amorphous Ge. // Phys. Rev. B. -1994,- V.50.- P.539-542.

23. Walters J.K., Newport R.J. Reverse Monte Carlo modeling of amorphous Ge. // Phys. Rev. B. 1996, - V.53. - P.2405-2410

24. Pusztai L., Structural modeling using the reverse Monte Carlo technique: Application to amorphous semiconductors. // J. Non-Cryst. Solids. 1998, -V.227-230. - P.88-95.

25. McGreevy R.L. Reverse Monte Carlo simulation techniques for combining neutron and X-ray diffraction data. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1990. - N.101. -P.41-50.

26. Гаврилов P.А., Скворцов A.M. Основы физики полупроводников. // M.: Машиностроение, 1966. 288 с.

27. Dalba G., Fornasini P., Grazioli M., Rocca F. Local disorder in crystalline and amorphous germanium. // Phys. Rev. B. 1995, - V.52. - P.l 1034-11043.

28. Ridgway M.C., Glover C. J., Foran G.J., Yu K.M. Atomic-level characterisation of the structure of amorphised GaAs utilizing EXAFS measurments. // NIM B. 1999, - V.147. - P.148-154

29. Ridgway M.C., Glover C. J., Yu K.M., Foran G.J., Lee T.W., Moon Y., Yoon E. Structural characterisation of amorphised compound semiconductors. // NIM B. 2001, - V. 175-177. - P.280-285

30. Ridgway M.C., Glover C. J., Desnica-Frankovic I.D., Furic K., Yu K.M., Foran G.J., Clerc C., Hansen J.L., Nylandsted-Larsen A. Implantation-induced disorder in amorphous Ge: production and relaxation. // NIM B. 2001, -V.175-177. - P.21-25

31. Ridgway M.C., Glover С. J., Yu K.M., Foran G.J., Clerc C., Hansen J.L., Nylandsted-Larsen A. Ion-dose dependent microstructure in amorphous Ge. // Phys. Rev. B. -2001, V.61. - P.12586-12589

32. Glover C. J., Yu K.M., Ridgway M.C., Foran G.J. Characterisation of ion-implantation-indused disorder in GaAs by EXAFS. // Jpn. J. Appl. Phys. -1999, V.38. - P.548-551.

33. A.JI. Стерхов, Ю.В. Рац. Оже-электронные спектры поверхности арсенида галлия, облученной ионами аргона низких энергий. // Сборник "Поверхность и новые материалы". Свердловск: издательство УрО АН СССР. 1990, С. 139 - 146.

34. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / под ред. Р. Бериша // М.: Мир, 1984.-Т.1.- 336 с.

35. Chang L.L., Ludeke R. Molecular beam epitaxy. // New York: Academic, 1975, Pt.A. - Chapt. 2.2.

36. Chang L.L. Molecular beam epitaxy. // Amsterdam: North-Holland, 1980, -Chapt. 9.

37. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга и К. Плога // М.: Мир, 1989. 584 с.

38. Jacobi К., Geelhaar L., Marques J., Platen J., Setzer C. The morphology of high index GaAs surfaces. // Appl. Surf. Sc. 2000, - V.166. - P.173-178

39. Kishimoto D., Ogura Т., Yamashiki A., Nishinaga Т., Naritsuka S., Sakaki H. 2-D nucleation on (111)B micro-facet studied by microprobe -RHEED in GaAs MDE for mesa-structure fabrication. // Phys. Rev. B. 1995, - V.52. - P. 1103411043.

40. Evangelisti F., Garozzo M., Conte G. Structure of vapor-deposited Ge films as a function of substate temperature. // J. Appl. Phys. 1982, - V.53. - P.7390-7396

41. Wakadi M., Maeda Y. Structural study of crystallization of a-Ge using extended X-ray absorption fine structure. // Phys. Rev. B. 1994, - V.50. -P. 14090-14095

42. Усманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов A.H., Расторгуев JI.H. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия // М.: Металлургия, 1982. 632 с.

43. Peto G., Horvath Z.F., Gereben О., Pusztai L., Hajdu F., Svab E. Implantation-induced structural changes in evaporated amorphous Ge. // Phys. Rev. B. -1994,-V.50.-P.539-542.

44. Temkin R.J., Paul W., Cornell G.A.N. The structure of amorphous tetrahedrally coordinated semiconductors by X-ray diffraction. // Adv. Phys. -1973,-V.22.-P.581-5584.

45. Wright, A.C., Hulme, R.A., Grimley, D.I., Sinclair, R.N., Martin, S.W., Price, D.L., Galeener, F.L. The structure of some simple amorphous network solids revisited. J. Non- Cryst. Solids. -1991, V.129. P.213-232.

46. Боровский И.Б., Ведринский P.B., Крайзман В.Л., Саченко В.П. EXAFS-спектроскопия новый метод структурных исследований. // УФН. -1986. -Т. 149. - С.275-324.

47. Sayers D., Stern Е., Lytle F. New technique for investigation noncrystalline structures: Fourier analysis of the extended X-ray absorption fine structure. // Phys. Rev. Letters. 1971. V.27. - P. 1204-1207.

48. Stern E.A. Theory of extended X-ray absorption fine structure // Phys. Rev. B. 1974. - V.10. - №8. - P.3027-3037

49. Bunker G. Application of the ratio method of EXAFS analysis to disordered systems //Nucl. Instr. Meth. 1983. - V.207. - №3. - P.437-444

50. Тихонов A.H., Арсенин В.Я. Методы решения некорректно поставленных задач // М.: Наука, 1979. -285 с.

51. Kuzmin A. EDA: EXAFS data analysis software package // Physica B. 1995. - V.208-209.-P.175-176.

52. Eisenberg P., Brown G.S. The study of disordered systems by EXAFS: limitations // Sol. Stat. Comm. 1979. - V.29. - P.481-484

53. Crescenzi M., Balzarotti A., Comin F., Incoccia L., Mobilio S, Motta N. EXAFS measurements on Fe-B metallic glasses: asymetry of radial distribution function // Sol. Stat. Comm. 1981. - V.37. -P.921-923.

54. Teo B.-K., Lee P.A. Ab initio calculations of amplitude and phase functions for extended X-ray absorption fine structure spectroscopy // J. Amer. Chem. Soc. 1979. - V.101. - №11. - P.2815-2832

55. McKale A.G., Veal B.V., Paulicas A.P., Chan S.K., Knapp G.S. Improved ab initio calculations of amplitude and phase functions for extended X-ray absorption fine structure spectroscopy // J. Amer. Chem. Soc. 1988. - V.110. -P.3763-3768

56. Lee P.A., Citrin P.H., Eisenberger P., Kincaid B.M. Extended X-ray absorption fine structure its strengths and limitations as a structure tool // Rev. Mod. Phys. - 1981. - V.53. - №4. - P.769-806

57. Marquardt D.W. An algorithm for Least-squares estimation of non-linear parameters // J. Soc. Industr. Appl. Mathem. 1963. - V.l 1. - P.431.

58. Chen H.S., Teo B.-K., Wang R. EXAFS study of glassy metallic alloys // J. De Phys. 1980. - V.41. - №C8. - P.254-256

59. Rehr J.J., Zabinsky S.I., Albers R.C. High-order multiple scattering calculations of X-ray absorption fine structure // Phys. Rev. Lett. 1992. -V.69. - P.3397

60. Zabinsky S.I., Rehr J.J., Ankudinov A., Albers R.C., Eller M.J. Multiple scattering calculations of X-ray absorption spectra // Phys. Rev. B. 1995. - 52. - P.2995-3009

61. Rehr J.J., Mustre de Leon J., Zabinsky S.I., Albers R.C. Theoretical X-ray absorption fine structure standards // J. Amer. Chem. Soc. -1991. V.113. -P.5135

62. Ершов H.B. Применение регулярных методов решения обратных задач в структурных исследованиях твердых тел: Дисс. . к-та физ.-мат. наук. -Свердловск, 1984. 153 с.

63. Ershov N.V., Babanov Yu.A., Shvetsov V.R., Serikov A.V., Ageev A.L., Vasin V.V. A new method of determining partial radial distribution functions for amorphous alloys. I. The quasibinary problem. // J. Non-cryst. Sol. 1986. -V.79. - P.l-17.

64. Babanov Yu.A., Shvetsov V.R. Bond length determination for multicomponent systems new opportunities in EXAFS data analysis. // J. de Phys. - 1986. - V.47. -№12. - P.C8 37-42.

65. Glover C.J., Ridgway M.C., Byrne A.P., Yu K.M., Foran G.J., Clerc C., Hansen J.L., Nylandsted-Larsen A. Micro- and macro-structure of implantation-induced disorder in Ge. // NIM B. 2000, - V.161-163. - P.1033-1037.

66. Crozier E.D., Seary A.J. EXAFS studies of local atomic structure of amorphous Ge. // Can. J. Phys. 1981, - V.59. - P.876-881.

67. Evangelisti F., Garozzo M., Conte G. Structure of vapor-deposited Ge films as a function of substrate temperature. // J. Appl. Phys. 1982. - V.53. - P.7390-7396.

68. Stern E., Bouldin С., von Roedern В., Azoulay J. Incipient amorphous-to-crystalline transition in Ge. // Phys. Rev. B. 1983. - V.27. №10. - P.6557-6560.

69. Glover C. J., Ridgway M.C., Byrne A. P., Yu K.M., Foran G.J., Clerc C., Hansen J.L., Nylandsted-Larsen A. Micro- and macro-structure of implantation-induced disorder in Ge. // NIM B. 2000, - V.161-163. - P.1033-1037.

70. Udron D., Flank A.-M., Lagarde P., Raoux D., Theye M.-L. Local atomic order in amorphous III-V semiconductors by EXAFS and X-ray anomalous scattering. // J. Noncryst. Sol. -1992. -V.150 P.361-365.

71. Dalba G., Diop D., Fornasini P., Rocca F. An EXAFS study of thermal disorder in GaAs. // J. Phys. Condens. Matter. 1994, - V.6. - P.3599-3608.

72. Полупроводники в науке и технике / под ред. А.Ф. Иоффе // М.: Издательство Академии Наук СССР, 1957. Т.1. - 470 с.

73. Gunai I., Qasrawi A.F. Temperature effects on the properties of Ge thin films. // J. Mat. Sc. 1999, - V.34. - P.5033-5037.

74. Sathya В., Radhakrishnan K., Zheng H.Q., Yuan Q., Ng G.I., Yoon S.F. Electrical and optical characterization of regrown PHEMT layer structures on etched GaAs surfaces. // J. Mat. Sci. 2000, - V.l 1. - P. 379-382.

75. B.B. Бесогонов, В.Ф. Кобзиев, П.Н. Крылов. Синтез нанокристаллических тонких пленок арсенида галлия. // ПТЭ. -2001, -№ 2. -С.269-272.

76. B.C. Зорин, В.Ф. Кобзиев. Ионно-лучевая очистка диэлектрических подложек. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -1995,-№ 2, -С.32-35.

77. Е.И. Контор. Геттерные и ионно-геттерные насосы. // М.: Металлургия, -1977.-265 с.

78. Valeev R.G., Kobziev V.F., Zolotaryova О.А., Deev A.N., Ruts Yu.V., Babanov Yu.A., Kryilov P.N., Lomaeva S.F., Konyigin G.N. The structure and properties of nanocrystalline Ge. // PLDS. 2002. -V. 1/2. -P.315-324.

79. Р.Г. Валеев, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев. Структура и свойства нанокристаллического Ge. // Труды VIII международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». -2002. -С.131-135.

80. А.Н. Деев, Р.Г. Валеев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев, С.Ф. Ломаева. Локальная атомная структура кристаллического и разупорядоченного германия по данным EXAFS-спектроскопии. // Поверхность. -2002. -№9. -С. 87-90.

81. Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов. EXAFS-исследования локальной атомной структуры GaAs в кристаллическом и нанокристаллическом состоянии. //Конденсированные среды и межфазные границы. -2000. -Т.2. -№3. -С. 214-217.

82. Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев, С.Ф. Ломаева. Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований. //Физика и техника полупроводников. -2001. -Т.35. -№4. -С. 655-657.

83. Р.Г. Валеев, П.Н. Крылов, В.Ф. Кобзиев, А.Е. Батохин. Фоточувствительные пленки GaAs. // Труды VIII международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». -2002. -С.62-66.

84. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств. // М.: Радио, 1991. -415 с.

85. Материалы микроэлектронной техники / под ред. В.М. Андреева // М.: Радио и связь, 1989. 465 с.

86. K.B. Гоголинский, B.H. Решетов. Применение сканирующих зондовых микроскопов для анализа с субмикронным и нанометровым разрешениемструктуры и распределения механических свойств материалов. // Заводская лаборатория. 1998. - Т.64. - № 6. - С. 30.

87. А. А. Бухараев, Д.В. Овчинников, А. А. Бухараева. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Заводская лаборатория. 1997. - Т.63. - № 5. - С. 10-27.

88. В.М. Иевлев, Л.И. Трусов, В.А. Холмянский. Структурные превращения в тонких пленках. // М.: Металлургия, 1982. 248 с.

89. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. // Пер. с англ. Под ред. Б.Т. Коломийца. М.: Мир, 1982. т.2. -658 с.

90. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. //Пер. с англ. Под ред. А.А. Веденова. М.: Мир, 1983.-304 с.

91. Шуваев А.Т., Хельмер Б.Ю., Любезнова Т.А. Исследование геометрииближайшего окружения атомов железа в слоистых соединениях графита сжелезом. // Изв. АН СССР. Сер. физ. -1985. -Т.49. -№8. -С.1471-1475.

92. Szczyrbowski J., Czapla A. Optical properties of thin films of InAs. // Thin solid films, -1977. -V.46 -P.127-135.

93. Bagley B.G., Aspnes D.E., Mogab C.J. Optical properties of Si thin films. // Bull. Am. Phys. Soc., -1979. -V.24. -P.363-366.

94. Landauer R. in Electrical transport and optical properties of inhomogeneous media. // American Institute of Physics: New York, 1978, p.2-45.

95. В.Г. Голубев, A.B. Медведев, А.Б. Певцов, A.B. Селькин, H.A. Феоктистов. Фотолюминесценция тонких пленок аморфно-нанокристаллического кремния. //Физика твердого тела. -1999. -Т.41. -№1. -С. 153-158.

96. FOCCUiiCuAH ГОСУДАРСТВ" ЛГ- V' БШШБСШЛЛ;