Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Глава1. Литературный обзор.

1.1. Физико-химические свойства ГпБЬ и Сс1Те.

1.1.1.Методы получения 1пБЬ и Сс1Те.

1.1.2. Кристаллохимические свойства 1п8Ь и С(!Те.

1.1.3. Оптические свойства 1п8Ь и Сс1Те.

1.1.4. Электрические свойства.

1.1.5. Влияние нагревания на физические свойства 1п8Ь и Сс1Те.

1.2. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников.

1.2.1. Фундаментальные свойства поверхности полупроводников.

1.2.2. Физико-химическое состояние поверхности.

1.2.3. Адсорбционные и каталитические свойства.

1.3. Влияние у-облучения на поверхностные свойства полупроводников.

1.3.1. Образование радиационных дефектов под воздействием у-облучения.

1.3.2. Стабильность радиационных дефектов в соединениях А3В5.

1.3.3. Возникновение ориентационных эффектов при у-облучении соединений типа А3В5.

1.3.4. Влияние у-облучения на свойства СсПГе.

1.4. Общая характеристика твердых растворов на основе соединений А*В5 и А2В6.

1.5. Характеристика системы 1п8Ь-С(1Те.

1.5.1. Область существания твердых растворов 1п8Ь-С(1Те.

1.5.2. Методы получения твердых растворов (1п8Ь)1х- (Сс1Те)х.

1.6. Физико-химические свойства системы 1п8Ь- Сс1Те.

1.6.1. Кристаллохимические свойства твердых растворов системы 1п8Ь-С(1Те.

1.6.2. Электрические свойства системы 1п8Ь — Сс1Те.

1.6.3. Магнитные свойства твердых растворов 1п8Ь-Сс1Те.

1.6.4. Оптические свойства твердых растворов 1п8Ь-Сс1Те.

1.7. Получение тонких пленок полупроводников типа А3В5,

А2В6 и их твердых растворов.

1.8. Полупроводниковые сенсоры- датчики для газового анализа.

1.9. Каталитическое обезвреживание отходящих газов от оксида азота (IV) и оксида углерода (II).

Глава 2. Экспериментальная часть.

2.1. Исследуемые объекты и способы их получения.

2.1.1. Получение твердых растворов в виде порошков.

2.1.2. Получение тонких пленок.

2.2. Рентгенографическое исследование полученных образцов и установление их структуры.

2.3. Термогравиметрический анализ.

2.4. Определение ширины запрещенной зоны.

2.5. Гамма-облучение образцов.

2.6. Исследование кислотно-основных свойств.

2.6.1. Определение рН- изоэлектрического состояния.

2.6.2. Исследование кислотно-основных свойств методом механохи-мии.

2.6.3. Кондуктометрическое неводное титрование.

2.7. Исследование адсорбционных свойств.

2.8. Исследование каталитической активности

2.8.1. Проточный метод.

2.8.2. Проточно-циркуляционный метод.

2.9. Получение газов.

Глава 3. Результаты эксперимента.

3.1. Идентификация твердых растворов.

3.1.1. Идентификация твердых растворов рентгенографическим методом.

3.1.2. Определение ширины запрещенной зоны.

3.1.3. Термографический анализ.

3.1.4. Удельная электропроводность компонентов системы МЬ-СсГГе.

3.2. ИК-спектроскопическое исследование поверхности компонентов системы 1п8Ь-Сс1Те.

3.3. Кислотно-основные свойства.

3.3.1. Водородный показатель изоэлектрического состояния поверхности.

3.3.2. Механохимические исследования.

3.3.3. Кондуктометрическое титрование.

3.4. Адсорбционные свойства компонентов 1п8Ь-С(1Те.

3.4.1. Адсорбция N02 на Сс1Те и твердых растворов на его основе.

3.4.2. Адсорбция N02, NN3 и их смеси на теллуриде кадмия.

3.4.3. Адсорбция СО, 02 и смеси СО и Огна теллуриде кадмия.

3.5. Каталитические свойства компонентов системы 1п8Ь-Сс1Те.

3.5.1. Каталитические свойства CdTe и (InSb)o,os-(CdTe)o, в реакции окисления СО.

3.5.2. Каталитические свойства компонентов системы по отношению к реакции селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком.

Глава 4. Обсуждение результатов.

4.1.Химическое состояние и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InSb-CdTe.

4.2. Адсорбционные свойства компонентов системы InSb-CdTe по отношению к NO2.

4.3. Исследования каталитических свойств.

4.3.1. Реакция селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком.

4.3.2. Каталитическое окисление оксида углерода (И).

4.4. Основные закономерности изменения кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств от состава системы.

Выводы.

Развитие полупроводниковой техники предъявляет все новые требования к полупроводниковым материалам. Поэтому задачей химии полупроводников является получение новых систем на основе традиционных бинарных соединений, которые, обладая свойствами исходных веществ, давали бы новые качества, возможно, заранее программируемые. К таким системам следует отнести полупроводниковые твердые растворы. При сохранении на твердых растворах основных механизмов и закономерностей адсорбционных и каталитических процессов, типичных для бинарных полупроводников, отмечаются и специфические особенности их поведения [1, 2, 80].

Твердые растворы системы 1п8Ь-СсГГе являются весьма перспективными и в будущем найдут широкое применение в различных областях науки и техники. Ее бинарные компоненты уже сегодня используются в современной технике. 1п8Ь-полупроводниковый материал для оптоэлектроники, фотоприемников ИК-излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрической мощности. СсГГе-полупроводниковый материал для источников и приемников ИК-излучения, термоэлектрических генераторов и детекторов рентгеновского излучения.

Актуальность темы обусловлена как практической неизученностью поверхностных свойств твердых растворов системы 1п8Ь-СёТе, что значительно затрудняет их эффективное использование, так и необходимостью создания новых материалов для экологического контроля и обезвреживания.

Информация о химическом состоянии, кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойствах поверхности выбранной системы, о возможностях их регулирования является необходимой при создании сенсоров-датчиков экологического назначения, а также при поиске новых катализаторов.

Цель работы. Получить и идентифицировать твердые растворы системы

1п8Ь-Сс1Те, изучить важнейшие физико-химические свойства поверхности, установить закономерности их изменения в зависимости от условий и состава, взаимосвязь между закономерностями и сделать заключение о возможности практического применения полученных результатов с точки зрения экологического контроля и обезвреживания.

В соответствии с целью в ходе выполнения диссертационной работы были поставлены следующие задачи:

1. Получить твердые растворы системы 1п8Ь-Сс1Те в виде порошков и тонких пленок и идентифицировать их на основе структурных, термографических, электрофизических и оптических исследований.

2. Исследовать химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и каталитические свойства поверхности полученных образцов.

3. Сделать заключение о природе активных центров и механизме взаимодействия поверхности с N02, СО - токсичными компонентами газовых выбросов и участниками каталитических реакций.

4. Установить закономерности изменения кислотно-основных, адсорбционных, каталитических свойств и взаимосвязь их между ними.

5. Определить возможности использования полученных материалов в качестве первичных преобразователей для газового анализа и обезвреживания указанных токсичных компонентов.

Научная новизна работы

1. Впервые получены твердые растворы системы 1п8Ь-Сс1Те в области растворимости 1пБЬ в Сс1Те в форме порошков и для всего интервала растворимости бинарных компонентов друг в друге в форме тонких пленок.

2. Изучены структурные, оптические и электрофизические свойства полученных образцов. Показано, что порошки и пленки компонентов системы имеют структуру сфалерита.

3. Впервые выполнены исследования физико-химических свойств поверхности компонентов данной системы:

- химический состав и кислотно-основные свойства;

- адсорбционные свойства по отношению к N02, NN3, СО — компонентам технологических газовых выбросов и выбранных каталитических реакций при их индивидуальном и совместном проявлениях;

- каталитические свойства в реакциях окисления СО и селективного восстановления N02 аммиаком.

4. Подтвержден механизм и установлены закономерности адсорбционного взаимодействия в зависимости от условий и от состава системы.

5. Подтвержден механизм изученных каталитических реакций с привлечением исследований индивидуальной и совместной адсорбции соответствующих реагентов.

6. Найдена взаимосвязь между закономерностями в изменении с составом исследуемой системы кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств;

7. На основе полученных диаграмм «свойство-состав» и корреляций между ними показана возможность использования компонентов системы для экологического контроля и обезвреживания, которая реализована в лабораторном практикуме по дисциплине «Экология и катализ».

Защищаемые положения

1. Результаты идентификации и исследования структуры, химического состава, кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств поверхности системы ГпБЬ-СсГГе.

2. Заключение о природе активных центров, в качестве которых выступают координационно-ненасыщенные поверхностные атомы и вакансионные дефекты, изменяющие свои функциональные способности под влиянием координационного окружения в многокомпонентных системах типа «твердые растворы» и о закономерностях изученных поверхностных процессов.

3. Общность и специфичность в поведении твердых растворов по сравнению с бинарными полупроводниками, проявляющаяся во взаимном влиянии компонентов системы и, соответственно, в наличии экстремальных эффектов на диаграммах «свойство - состав». Параллелизм основных опытных зависимостей кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств, что подтверждает единую природу активных центров.

Рекомендации по созданию на основе полученных новых материалов активных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и использования их для экологического контроля и защиты.

Практическая значимость работы Предложены методы синтеза твердых растворов в пленочном и порошкообразном состояниях.

Найдены режимы термовакуумной обработки пленочных бинарных компонентов и твердых растворов, обеспечивающие упорядочение кристаллической структуры.

Показана возможность использования полученных диаграмм «свойство-состав» для выявления активных адсорбентов и соответственно оптимальных первичных преобразователей и активных катализаторов. Найдены твердые растворы с повышенной чувствительностью к N02 ((1п8Ь)о,оз-(С(1Те)о,97) и повышенной каталитической активностью в реакциях селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком ((1п8Ь)о,оз-(Сс1Те)о,97) и окисления СО ((1п8Ь)о,о5-(Сс1Те)о,95). Даны практические рекомендации по их применению как активных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и модельных катализаторов обезвреживания N02 и СО.

Выводы

1. Синтезированы твердые растворы системы 1п8Ь-Сс1Те в пленочном и порошкообразном состояниях. На основе рентгенографических, термографических, оптических и электрофизических исследований установлено образование твердых растворов замещения в исследуемых областях концентраций.

2. На основе измерений рН-изосостояния, механохимических, кондуктомет-рических и ИК-спектроскопических исследований дана оценка кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы 1п8Ь-СсПГе.

- На исходной поверхности присутствует несколько типов кислотных центров: Льюиса (электронно-акцепторные) и Бренстеда (адсорбированные молекулы Н20, С02 и группы ОН").

- В ряду 1пБЬ - (1п8Ь)о,ог(Сс1Те)о,99 - (1п8Ь)о,оз-(Сс1Те)о,97 - (1п8Ь)о,о4-(Сс1Те)о,9б -(1п8Ь)о,о5-(Сс1Те)о,95 - Сс1Те кислотность поверхности нарастает (рН-изо СсГГе = 7,34, рН-изо 1п8Ь = 6,67) через максимум для твердого раствора (1п8Ь)о,оз-(Сс1Те)о,97 (рН-изо = 7,60).

- Под влиянием газов кислотность изменяется неодинаково: в Ы02 растет, в ТчГНз падает. При у-облучении на поверхности накапливаются кислотные центры Льюиса.

3. Установлены температурные области протекания индивидуальной химической адсорбции, которая характеризуется соответствующими теплотами (716 кДж/моль) и энергиями активации (43-80 кДж/моль). При адсорбции смеси С0+02 наибольшую активность проявляет СО; при адсорбции смеси >Ю2 + ЫН3 - Ш2.

По данным исследований индивидуальной и совместной адсорбции газовых компонентов предварительно определены наиболее оптимальные температурные условия протекания каталитических реакций окисления СО и восстановления И02.

4. На основе выполненных исследований и ранее полученных (для СсГГе и подобных соединений) результатов кислотно-основных и адсорбционных свойств сделано заключение о природе активных центров адсорбции. В роли первичных активных центров по отношению к изученным газам преимущественно выступают координационно-ненасыщенные атомы.

5. Прямые каталитические исследования свойств компонентов системы ГпБЬ-СёТе по отношению к реакциям окисления СО и селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком позволили установить:

- температурные области каталитического превращения практически совпадают с температурными областями адсорбционного химического взаимодействия газов, определенных на основе исследований индивидуальной и совместной адсорбции;

- реакции протекают преимущественно по ударному механизму;

- с изменением состава системы каталитическая активность ее компонентов в реакции восстановления N02 изменяется экстремально. Наибольшая степень превращения данного газа - 96 % наблюдается при 300 К на твердом растворе (1п8Ь)0,оз-(Сс1Те)о,97

- при переходе от Сс1Те к твердому раствору (1п8Ь)о,о5-(Сс1Те)о,95 степень превращения СО повышается от 38 до 82 % уже при 383 К.

6. Установлены закономерности в изменении кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств в зависимости от внешних условии и от состава системы, а также найдена параллельная взаимосвязь между этими закономерностями.

7. Показана возможность использования корреляций между диаграммами «свойство-состав» для поиска новых материалов — первичных преобразователей сенсоров датчиков и катализаторов.

8. Твердый раствор состава (1п8Ь)о,оз-(Сс1Те)о,97 рекомендован в качестве материала для изготовления сенсоров-датчиков на N02 и модельного катализатора его обезвреживания. По отношению к СО такую функцию может выполнять твердый раствор (1п8Ь)о,о5-(Сс1Те)о,95 • Рекомендованные новые материалы прошли лабораторные испытания и используются в учебном процессе.

1. Кировская И.А. Истоки, задачи и перспективы исследований поверхности алмазоподобных полупроводников// Омский научный вестник, 1999. Вып. 9. С. 43-44.

2. Кировская И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок // Омский научный вестник, 2001. вып. 14. С. 66-68.

3. Клевков Ю.В., Мартовицкий В.П., Медведев С.А. Особенности дефектной структуры текстурированных слитков нелегированного CdTe, выращенных свободным ростом из газодинамического потока паров // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 2. С. 129-133.

4. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники. — М.: Наука, 1967.-е. 6.

5. Абрикосов Н.Х. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. М.: Наука, 1967. — с. 5.

6. Альберс В. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир, 1970. - 173 с.

7. Медведев С.Н. Введение в технологию полупроводниковых материалов. — М.: Высш. школа, 1970. с. 247-466.

8. Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. — М.: Наука, 1979.-220с.

9. Иванов Ю.М., Чудаков B.C., Каневский В.М. и др. Получение однородных монокристаллов теллурида кадмия // Поверхность, 2001. № 10. с.65-68.

10. Агекян В.Ф., Ильчек Г.А., Рудь Ю.В., Степанов А.Ю. Фотолюминисцен-ция ZnTe и CdTe, выращенных с применением транспортирующих газов, содержащих галогены. // ФТТ, 2002. т. 44. вып. 12. с. 2117-2119.

11. Клименко И.А., Мигаль В.П. Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава. // ФТП, 2002. т. 36. вып. 4. с. 397-400.

12. Шарков А.И., Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Клевков Ю.В. Распостранение неравновесных фононов в высокочистом CdTe. // ФТТ, 2003. т. 45. вып. 1. с. 156-159.

13. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. -320 с.

14. Рытова Н.С., Юрова Е.С., Каратаев В.В. Связь неоднородности электрофизических параметров полупроводников с неоднородностью распределе-распределения примеси. //ФТП, 1980. т. 14. № 10. с. 1979-1984.

15. Юрова Е.С., Аронов А.Ш., Юрьева И.М. и др. Потенциальный однозон-довый метод измерения неоднородности антимонида индия и арсенида индия. // Завод, лаб., 1979. № 45. с 344-347.

16. Раухман М.Р., Миргаловская М.С. Об однородности антимонида индия с эффектом грани. // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1968. т.4. № И. с. 19571961.

17. Юрова Е.С., Ивлева B.C., Селянина В.И. и др. Объемное распределение неоднородности электрических свойств в нелегированном антимониде индия. //Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1981. т. 17. № 9. с. 1545-1549.

18. Громова Т.И., Кеворков М.Н., Попков А.Н. и др. Неоднородность антимонида индия, легированного теллуром, германием, кремнием и кадмием. // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1985. т. 21. № 12. с. 2080-2081.

19. Рытова Н.С., Юрова Е.С., Кеворков М.Н. и др. О природе формирования неоднородности в антимониде индия. // ФТП, 1985. т. 19. № 8. с. 1585-1588.

20. Земсков B.C., Раухман М.Р., Арсентьев И.М., Юрова Е.С. Монокристаллы антимонида индия, выращенные методом Чохральского в магнитных полях. // Неорг. матер., 1994. т. 30. № 4. с. 460-466.

21. Scharma R.C., Ngai T.L., Chang J.A. The In-Sb System // Bull. Alloy Phase Diagrams, 1989. v. 10. № 6. p. 657-664.

22. Hall R.N. Solubility of Column III Liquids //J. Elektrochem. Soc, 1963. v.l 10. № 5. p. 385-388.

23. Горячева В.И., Гейдерих В.А., Герасимов Я.И. Термодинамические свойства сплавов In с InSb // Журнал физ. химии, 1983. т. 57.№ U.c. 2708-2710.

24. De Winter J. С., Pollack M.A. Liquidus Measurement of In Rich InSb Solutions in the 300-525 °C Range // J. Appl. Phys. 1988. v . 63. № 9. p. 4774-4775.

25. Абаева Т. В., Бублик Т.В., Морозов А. Н. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1988. т. 24. № 1. с. 15-18.

26. Глазов В.М., Петров Д.А. О термической устойчивости антимонидов алюминия, галлия и индия в жидком состоянии // Изв. АН СССР. Отделение техн. наук, 1957. № 4. с. 125-129.

27. Ju S.C., Spain J.L., Skelton E.F. Polymorphism and Crystfk Structures of InSb at Elevated Temperature and Pressure // J. Appl. Phys. 1978. v. 49. № 9. p. 47414745.

28. Литвак A.M., Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, Ar, Sb // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1991. т. 27. № 2. с. 225-230.

29. Стрельникова И.А., Шелимова Л.Е., Косяков В.И., Шестаков В.А. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы In — Sb // Неорг. матер., 1994. т. 30. № 4. с. 467-473.

30. Глазов В.М., Павлова Л.М. Оценка степени диссоциации конгруэнтно плавящихся соединений в приближении регулярных растворов с учетом тем-пературно-концентационной зависимости энергии смешения // Журнал физ. химии, 1976. т. 50. № 11. с. 2764-2768.

31. Алексанров В.Д., Раухман М.Р., Боровик В.И. и др. Построение диараммы состояния системы In -Sb по предкристаллизационным охлаждениям // Изв. РАН. Металлы, 1992. № 6. с. 184-195.

32. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. — М.: Высш. школа, 1970.-279 с.

33. Pearson W.B. A Hadbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys. N.Y.: Pergamon Press, 1967. v. 2. 1446 p.

34. Smith P.L., Martin J.E. Structure of the High-Pressure Phase of Indium Antimonide // Nature, 1962. № 24. p. 763.

35. Banus M.D., Lavine M.C. The P T Phase Diagram of InSb at High Temperatures and Pressures//J. Appl. Phys, 1969. v. 20. № 1. p. 409-413.

36. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп / Под ред. Б.И. Болтако. Пер. с англ. М.: Мир, 1967. - 477 с.

37. Jayaraman A., Newton R.C., Kennediy G.C.//Nature, 1961. v. 191. p. 1288.

38. Бродовой A.B., Бродовой B.A., Кнорозок JI.M. Аномальные магнитные свойства твердых растворов (InSb)!.x-(CdTe)x // ФТП, 1997. т. 31. № 9. с. 1052-1054.

39. Аветисов И.Х., Иванов Ю.М., Зорин А.В. Проблема полиморфных переходов в CdTe. // Поверхность, 2001. № 10. с. 82-88.

40. Палатник Л.С., Сорокин В.К., Маричева В.Н. // Изв. АН СССР. Сер. не-орг. матер., 1974. № 10. с. 413.

41. Седельников Н.Г., Иванов Ю.М., Ванюков А.В. // Журнал физ. химии, 1974. т. 48. вып. 8. с. 2103.

42. Daweritz L. //Kristall una Technik, 1971. v. 6. № 1. s. 101.

43. Альфер С.А., Скумс В.Ф. Исследование электропроводности CdSe и CdTe при повышенных температурах и давлениях.//Неорг. матер., 2001. т. 37. № 12. с. 1449-1453.

44. Jing Zhu Ни. F New High Pressure Phase of CdTe // Solid State Commun, 1987. v. 63. №6. p. 471-474.

45. Щенников B.B. Термо-э.д.с. фазы высокого давления халькогенидов цинка и кадмия. // Расплавы, 1988. т. 2. № 2. с. 33-40.

46. Onodera F. High Pressure Transition in Cadmium Tellyride.// Rev. Phys. Jpn., 1969. v. 39. №2. p. 79-92.

47. Reddy R.R., Nazeer Ahmmed Y., Rama Gopal K., Abdul Azeem P. Optikal and magnetical susceptibilities for semiconductor and alkali halides // J. Of Magnetism and Magnetic Materials, 1999. V. 192. P. 516-522.

48. Zanio K.R. In: Semiconductors and semimatals. Vol. 113. Academic press, NY. — San-Francisco, 1978. 235 p.

49. Стрельникова И.А., Ермакова Н.Г., Лаптев A.B., Раухман М.Р. Влияние термообработки на свойства антимонида индия // Ноерг. матер., 1993. Т. 29. №.3.с. 430-431.

50. Падалко А.Г. Зонно-кластерная модель плавления и кристаллизации тонких слоев InSb, GaSb и Ge // Неорг. матер., 1999. Т. 35. № 4. С. 396-401.

51. Van Laar J., Scheer I.I. Influence of volume dope on Fermi level position at gallium arsenide surfaces // Surf. Sci, 1967. Vol. 8. P. 342-356.

52. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R. et al. New and unified model for Schot-tky barrier and III-V- insulator interface states formation // J. Vac. Sci. Technol.-1979. Vol. 16. № 5. P. 1422-1433.

53. Eastman D.E., Freeouf I.L. Relation of Schottky Barriers to Emply Surface states on III-V Semiconductors // Phys. Rev. Lett, 1975. Vol. 36. № 26. P. 16241627.

54. Kreutz E.W., Rickus E., Sotnik N. Barrier height and surface states at cleaned InSb(llO) Surface//Thin Solid Films, 1983. Vol. 101. P. 153-165.

55. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1988. 238 с.

56. Duke С.В., Meyer R., Paton A. et al. Surface atomic geometry of covalent bonded semiconductors: InSb (110) and its comparison with GaAs (110) and ZnTe (110)//J. Vac. Sci. Techno!, 1980. Vol. 17. № LP. 501-505.

57. Williams R.H., Me Lean A.B., Evans D.A., Herrenden-Harker W.C. The interaction of Al, Mn, and Ag with clean and oxidized GaAs and InP (110) surfaces // J. Vac. Sci. Technol. B, 1986. Vol. 4. № 4. P. 966-973.

58. Кировская И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности ал-мазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации // Неорг. матер., 1994. Т. 30. №.2. с. 147-152.

59. Кировская И.А. Химический состав и природа активной поверхности соединений типа А3В5 // Журн. физ. химии, 1998. Т. 72. №.5. с. 912-917.

60. Кировская И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv // Неорг. матер., 1999. Т. 35. №. 5. С. 535-540.

61. Кировская И.А. Физико-химические свойства поверхности теллурида кадмия // Журн. физ. химии, 1997. Т. 71. № 12. С. 2241-2244.

62. Кировская И.А. и др. Кислотно-основные свойства поверхности алмазо-подобных соединений А3В5, А2В6, А'В7 // Деп в ВИНИТИ, 1984. № 367. Вып. 84. С.9.

63. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: ИГУ, 1984. 167с.

64. Кировская И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 // Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер., 1989. Т. 25. № 9. С. 1472-1475.

65. Кировская И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. 174 с.

66. Федяева O.A. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: Дис.канд. хим. наук. Омск, 1998. 170 с.

67. Кировская И.А., Штабнова В.Л., Вотякова И.В. Исследование поверхности электролитически окисленного антимонида индия // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1983. Т. 57. № 6. С. 2065.

68. Кировская И.А., ЖелтоножкоА.А. Магнитные и адсорбционные свойства полупроводников изоэлектрического ряда германия // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1971. Т. 7. №.6. с. 921.

69. Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. — Изд-во ТГУ, 1971. Т. 204. С. 230-235.

70. Даньшина В.В., Кировская И.А. О механизме взаимодействия водорода с поверхностью соединений типа AB// Журнал физ. химии, 1988. Т. 72. С. 1648-1651.

71. Кировская И.А., Лобанова Г.Л., Старовойтенко Л.М. Адсорбция паров воды на арсениде галлия // Журн. Физ. химии, 1971. Т. 45. №. 9. С. 2374.

72. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Влияние адсорбированных газов и паров на электропроводность и работу выхода полупроводников типа цинковой обманки // Глубокий механизм каталитических реакций. М.: Наука, 1967. Т. 12. С. 134-143.

73. Кировская И.А., Сазонова И.С., Майдановская Л.Г. Влияние адсорбции газов и паров на работу выхода полупроводников со структурой цинковой обманки // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Изд-во ТГУ им. В.В. Куйбышева, 1964. С. 380.

74. Кировская И.А., Майдановская Л.Г., Князева Э.И. Адсорбция окиси углерода на арсениде галлия // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1971. Т. 204. С. 386.

75. Кировская И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6//Неорг. матер., 1989. Т. 25. № 9. С. 1472-1476.

76. Лобанова Г.Л., Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Совместная адсорбция водорода и кислорода на арсениде галлия // Журнал физ. химии, 1971. Т. 45. №8. С. 2101

77. Майдановская Л.Г., Кировская И.А., Балаганская В.П. Каталитическая активность полупроводников типа цинковой обманки в реакции разложения муравьиной кислоты // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1965. Т. 185. С. 124

78. Кировская И.А., Филимонова В.М. Каталитическая активность и ЭДС в гальванических элементах С/СгИг/ваАБ // Арсенид галлия. Изд-во ТГУ, 1970. С.229-236.

79. Кировская И.А. Адсорбционные процессы. — Иркутск: Изд-во Ирк. ун-т, 1995.304 с.

80. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Томск, ун-т, 1984. 133 с.

81. Кировская И.А., Зелева Г.М. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников // Журн. физ. химии, 1978. Т. 52. №7. С. 1744-1747.

82. Зелева Г.М. Адсорбционные и некоторые другие свойства системы GaAs-ZnSe: Дис.канд. хим. наук.-Томск, 1973.-е. 65-68.

83. Кировская И.А., Даньшина В.В., Скутин Е.Д. Исследование адсорбции методом пьезокварцевого взвешивания // Матер. I Всесоюз. Семинара по адсорбции и жидкостной хроиатографии эластомеров. М.: Наука, 1985. С.

84. Даньшина В.В. Адсорбционные взаимодействия водорода и оксида углел /рода (II) на поверхности бинарных соединений типа А В . Автореферат дис. Канд. хим. наук. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1986. 16 с.

85. Кировская И.А., Юрьева А.В., Даньшина В.В. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования //Журнал физ. химии, 1982. Т. 56. № 4. С. 911.

86. Кировская И.А. Об адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия // Журнал физ. химии, 1970. Т. 44. № 1. с. 159-164.

87. Кировская И.А., Жукова В.Д. Адсорбция смесей газов СО + 02 на арсени-де галлия // Журнал физ. химии, 1970. Т. 44. № 1. С. 155.

88. Лобанова Г.Л., Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Изменение электропроводности арсенида галлия под влиянием адсорбции смесей газов // Арсе-нид галлия. Изд-во ТГУ, 1970. С.*236.

89. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-т, 1988. 170 с.

90. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Исследование связи между каталитическими и электрофизическими свойствами германия и его изоэлектронных аналогов // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1965. Т. 185. С. 23.

91. Крылов О.В., Фокина Е.А. Каталитические свойства новых полупроводников со структурой цинковой обманки // Журнал физ. химии, 1961. Т. 35. № З.С. 651.

92. Крылов О.В., Рогинский С.З., Фокина Е.А. Катализ на полупроводниках в области собственной проводимости // АН СССР. Физика и физико-химия катализа, 1960. Т. 10. с. 117.

93. Бару В. Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников М.: Наука ,1978. 288 с.

94. Майдановская Л.Г., Мурашкина B.C. Влияние примесей на изоэлектриче-ское состояние окиси цинка // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1963. Т. 157. С. 289-293.

95. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988, 192 с.

96. Бродовой В.А., Вялый Н.Г., Кнорозок JI.M. Оптические свойства кристаллов твердых растворов (InSb)i.x-(CdTe)x Н ФТП, 1988. т. 32. №3. с. 303-306.

97. Оснач JI.A. Автореферат канд. диссертации.- JL, 1965.-18 с.

98. Горюнова H.A., Котович В.А., Франк-Каменецкий В.А. Рентгеновское исследование изоморфизма некоторых соединений галлия и цинка. // ДАН СССР, 1955. 103. №4. С.659-662.

99. Захаров М.А. Квазиравновесные состояния твердых растворов. // ФТТ, 1999. т. 41. № I.e. 60-63.

100. Бокштейн Б.С., Бокштейн С.З., Жуховицкий A.A. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах. М.: Металлургия, 1974. 280 с.

101. Любов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. — М.; Мир, 1981.296 с.

102. Всесоюзное совещание по полупроводниковым соединениям А2В6 и их применению: Тезисы докладов.-Киев: Наукова думка, 1966.

103. Ku S.M., Bodi L.J. Synthesis and properties of ZnSe:GaAs solid solutions // J. Phys. Chem. Sol., 1968. v. 29. № 12. p. 2077-2082.

104. Бурдиян И.И., Королевский Б.П. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та, 1966. вып. 16. с. 127-128.

105. Глазов В.М., Павлова JI.M., Грязева H.JI. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку; Элм, 1975. с. 368-371.

106. Глазов В.М., Павлова JI.M., Грязева H.JI. Фазовое равновесие характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1975. т. 11. № 3. с. 418-423.

107. Войцеховский А.В., Панченко Л.Б. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x-(ZnS).x // Физика тверд, тела. Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. с. 24-26.

108. Войцеховский А.В., Панченко Л.Б. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP-ZnS // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1977. т. 13. № 1.с. 160-161.

109. Ku S.M., Bodi L.J. Synthesis and properties of ZnSe:GaAs solid solutions // J. Phys. Chem. Sol., 1968. v. 29. № 12. p. 2077-2082.

110. Бурдиян И.И., Королевский Б.П. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та, 1966. вып. 16. с. 127-128.

111. Глазов В.М., Павлова Л.М., Грязева Н.Л. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку; Элм, 1975. с. 368-371.

112. Глазов В.М., Павлова Л.М., Грязева Н.Л. Фазовое равновесие характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1975. т. 11. № 3. с. 418-423.

113. Войцеховский А.В., Панченко Л.Б. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x-(ZnS)i.x // Физика тверд, тела. — Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. с. 24-26.

114. Войцеховский А.В., Панченко Л.Б. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP-ZnS // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1977. т. 13. № 1. с. 160-161.

115. Войцеховский А.В., Стеценко Г.П. О получении монокристаллов твердых ратсворов (GaP)x-(ZnSe)i.x методом химических газотранспортных реакций // Исследования по молекулярной физике и физике твердого тела. — Киев: Киев. пед. ин-т, 1976. с. 38-40.

116. Инюткин А., Колосов Е., Оснач JI. и др. Некоторые исследования тверл г л /дых растворов на основе соединений типа А В -А В // Изв. АН СССР. Сер. физическая, 1964. т. 28. № 6. с. 1110-1116.

117. Васильев A.JL, Ермолов А.В., Завьялова А.А. и др. Исследование гетеро-структур соединений A,nBv-AnBVI высокоразрешающими электронно-микроскопическими и рентгендифракционными методами.// Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. № 5. с. 101-105.

118. Войцеховский А.В., Пащун А.Д., Митюрев В.К. О взаимодействии арселнида галлия с соединениями типа А В // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1970. т. 6. №2. с. 379-380.

119. Sonomura H., Uragaki T., Miyauchi T. Synthesis and some properties of solid solutions in the GaP-ZnS and GaP-ZnSe pseudobinary systems // Jap. J. Appl. Phys., 1973. v. 12. № 7. p. 968-973.

120. Лакинков B.M., Мильвидский М.Г., Пелевин O.B. Диаграмма состояния системы GaAs-ZnSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1975. т. 11. № 7. с. 1311-1312.

121. Глазов В.М., Павлова Л.М, Передерий Л.И. Анализ характера межмело-кулярного взаимодействия арсенида галлия с теллуридом цинка и кадмия // Термодинамические свойства металлических сплавов. — Баку: Элм., 1975. с. 372-375.

122. Уфимцева Э.В., Вигдорович В.Н., Пелевин О.В. Фазовое равновесие в системе GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1974. т. 9. № 4. с. 587-591.

123. Пурис Т.Е., Белая А.Д., Замсков B.C., Шварц H.H. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1973. т. 9. № 10. с. 1811-1815.

124. Глазов В.М., Крестовников A.M., Нагиев В.А., Рзаев Ф.Р. Фазовые равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1973. т. 9. № 11. с. 1883-1889.

125. Войцеховский A.B., Дробязько В.П., Митюрев В.К., Василенко В.П. Твердые растворы в системах InAs-CdS и InAs-CdSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1968. т. 4. № 10. с. 1681-1684.

126. АнищенкоВ.А., Войцеховский A.B., Пащун А.Д. Некоторые физико-химические свойства сплавов системы GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1980. т. 16. № 2. с. 759-760.

127. Баженова Г.И., Балагурова Е.А., Рязанцев A.A., Хабаров Э.Н. Твердые растворы в системе InAs-CdTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1974. т. 19. № 10. с. 1770-1773.

128. Баженова Г.И., Балагурова Е.А., Рязанцев A.A., Хабаров Э.Н. Т-х проекция фазовой диаграммы InAs-CdTe // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: Наука, 1975. — Ч. 2. — с. 236-239.

129. Бродовой A.B., Бродовой В.А., Вялый Н.Г. и др. Магнитная восприимчивость кристаллов твердых растворов (InSb)i.x- (CdTe)x// ФТТ, 1996, т.38. №6. С. 1763-1766.

130. Сыноров В.Ф. Электрические свойства тонких слоев AlSb, InSb, GaSb, полученных по методу С.А. Векшинского // Труды первой межвузовской конференции по современной технике диэлектриков. — Л.: 1957. С. 170-177.

131. Марков В.Ф., Маскаева JI.H. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца// Журнал аналит. химии, 2001, т. 56. № 8. с. 846-850.

132. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 682 с.

133. Анищенко В.А., Бродовой В.А., Вялый Н.Г., Влияние комплексообразо-вания на электрические свойства твердых растворов системы InSb-CdTe// Неорг. Материалы. 1993 Т.29. N2. С. 197-199. 18

134. Горюнова Н.А, Аверкин Г.К, Шаравий П.В, Товпенцев Ю.К. Доклады 19 конференции ЛИСИ. Вып. Физика и химия, с. 22, 1961г. 17

135. Скоробогатова JI.A., Хабаров Э.Н., ФТП, 1974, N.8, с.401.24

136. Горюнова H.A., Аверкиева Г.К., Шаравский П.В., Товпенцев Ю.К. Исследование четвертных сплавов на основе сурьмянистого индия и теллури-стого кадмия. В кн. : Физика и химия. - Л.: Ленингр. инж.-строит. ин-т, 1961. с. 10.

137. Горюнова H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1963. 220 с.

138. Рязанцев H.A., Карнаухова E.H., Кузьмина Г.А. Фазовые диаграммы и растворимость компонентов в системах А3В5- CdTe // Журнал неорг. химии, 1980. т. 25. вып. 3. с. 802-805.

139. Бродовой В.А., Вялый Н.Г., Кнорозок Л.М. Особенности изменения постоянной решетки твердых растворов (InSb)l-x(CdTe)x // Неорг. матер., 1997, T.33,N3. С. 303-304.

140. Калашников Е.В., Коржов В.И., Морозов В.Н. и др. Получение материалов твердых растворов A1IIBV-AIIBVI, близких к собственным. — В кн. : Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975. Ч. 2. С. 232-236.

141. Глазов В.М., Павлова Л.М. Термодинамика донорно-акцепторного взаимодействия в полупроводниках. I. Растворимость и донорно-акцепторное взаимодействие при двойном легировании полупроводников // Журн. физ. химии, 1986. Т. 60. Вып. 2. С. 273-285.

142. Семиколенова H.A., Хабаров Э.Н. К вопросу об упорядочении компонентов в системе твердых растворов // Физика полупроводников, 1974. №11. С. 2240.

143. Кировская И.А., Старцева O.A. Влияние у-облучения на некоторые свойства образцов CdTe. / Изв. РАН Неорг. Материалы. 1997, т.ЗЗ, №3, с. 314-316.

144. Войцех1вський О.В., Дробязко В.П. Про тверд1 розчини в систем! InSb-HgTe // Укр. Физ. журнал, 1967. Т. 12. №. 3. С. 460-461.

145. Кировская И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. Докл. — Новосибирск, 2000.-с. 164-165.

146. Войцеховский A.B., Горюнова H.A. Твердые растворы в некоторых четвертных полупроводниковых системах // Физика. — JI.: Ленингр. инж.-строит. ин-т, 1962. С. 12-14.

147. Кировская И.А., Азарова О.П., Шубенкова Е.Г., Дубина О.Н. Рентгенографические исследования твердых растворов систем типа An,Bv-AnBVI // Омский научный вестник, 2001. Вып. 14. С. 69-70.

148. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 450 с.

149. Глазов В.М., Нагиев В.А. Экспериментальное исследование донорно-акцепторного взаимодействия в твердом растворе на основе арсенида индия //ФТП, 1973. Т. 7.№ 11. С. 2212-2215.

150. Глазов В.М., Нагиев В.А., Раиев Ф.Р. О взаимосвязи между растворимостью и концентрацией носителей заряда при легировании фосфида индия элементами донорного и акцепторного типов // ФТП, 1973. Т. 7. №. 2. С. 280285.

151. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 682 с.

152. Григорович В.К. Периодический закон Менделеева и электронное строение металлов. М.: Наука, 1996. С. 145.

153. Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. М.: Наука, 1979. 70. С.

154. ДешманС. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир, 1964. С. 411.

155. Lashkarev G., Migley D., Shevchenko A., Tovstyuk К. // Phys. Stat. Sol., 1974. V. 63. P. 663.

156. Galazka R. Proc. of the Int. Cont. On II VI Semicond and Semimagnet. — Semicond Linz. Fustria, 1994. P. 22.

157. Скоробогатова JI.A., Хабаров Э.Н. Зонные параметры системы твердых растворов (InSb)x-(CdTe)ix// Физика полупроводников, 1974. Вып. 2. С. 401403.

158. Тонкие пленки антимонида индия. Кишинев: Штиница, 1989. 162 с.

159. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6 . JL: Изд-во ЛГУ, 1978. 312 с.

160. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия // Тез. Докл. На Всесоюзном совещании по полупроводниковым соединениям. -Л.: Изд-во АН СССР, 1961. С. 37.

161. Касьян В.А., Кот М.В. Некоторые оптические и электрические свойства тонких слоев антимонида индия // Изв. Вузов. Сер. Физика, 1963. Вып. 5. С. 14-20.

162. Касьян В.А., Кот М.В. О влиянии структуры слоя на величину подвижности носителей тока в пленках антимонида индия // Изв. АН СССР. Сер. Физика, 1964. Т. 28. С. 993-995.

163. Буденная Л.Д., Дубровин И.В., Комащенко В.Н. и др. Физико-химические исследования поликристаллических пленок твердых растворов ZnxCd,.xSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1990. Т. 26. №. 6. С. 11771180.

164. Oswaldowsli M. Effect of evaporation conditions on electrical properties of InSb thin layers // Acta Physica Polonica, 1970. Vol. A37. P. 617-624.

165. Гюнтер К. Испарение и взаимодействие элементов // Полупроводниковые соединения А3В5 / Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга; Пер с англ. — М.: Металлургия, 1967. С. 443-462.

166. Gunther K.G. Aufdampfschichten aus halbleitenden III-V verbindungen // Z. Natuforschung, 1958. Vol. 13A. P. 1081-1089.

167. Hanlein W., Gunther K.G. Advances in vacuum science and technology. N.Y.: Pergamon Press, 1960. Vol. 2. P. 727-733.

168. Gunther K.G., Fleller H. Feigenschaften aufgedempfter InSb und InAs schichten//Z. Natuforschung, 1961. Vol. 16A. P. 279-283.

169. Семилетов C.A., Агаларзаде П.С. Структура и электрические свойства тонких пленок InSb // Кристаллография, 1964. Т. 9. С. 490-497.

170. Семилетов С.А., Агаларзаде П.С. К методике получения пленок антимо-нида индия испарением в вакууме // Кристаллография, 1963. Т. 8. с. 298-299.

171. Касьян В.А., Кетруш П.И., Пасечник Ф.И. и др. Диодные структуры типа кристалл пленка на основе InSb // Микроэлектроника, 1975. Т. 4. Вып. 3. С. 275-277.

172. Гаугаш П.В., Касьян В.А., Кетруш П.И. Гетеропереходы между соединениями А3В5 и А2В6 // Фотоэлектрические свойства гетеропереходов . Кишинев: Штиница, 1980. С. 98-109.

173. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Электропроводность пленок n-InSb в сильных электрических полях // ФТП, 2001. Т. 35. Вып. 2. С. 182-183.

174. Никольский Ю.А. О механизме токопрохождения в пленках n-InSb // ФТП, 2001. Т. 35. Вып. И. С. 1309-1310.

175. Gervenak J., Zivcakova A., Bush J. Structure and electrical properties of InSb thin films prepared by plasmatic sputtering // Czhech. Lourn. Phys. 1970. Vol. B20. P. 84-93.

176. Green J.E., Wickersham C.E. Structural and electrical characteristics of InSb thin films grown by rf sputtering // Journ. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. № 8. P. 3630-3639.

177. Ling C.H., Fisher J.H., Anderson J.C. Cerrier mobility and field effect in indium antimonide films //Thin.-Sol. Films. 1972. Vol.14, p. 267-288.

178. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Начальные стадии образованиял /эпитаксиальных пленок соединений А В в резко неравновесных условиях на подложке их слюды-мусковита // ФТТ, 1997. Т. 39. № 2. С. 382-386.

179. Беляев А.П., Рубец В.П., Кукушкин С.А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования пленок теллурида кадмия из паровой фазы // ФТТ, 2001. Т. 43. Вып. 10. С. 1901-1903.

180. Рубец В.П., Беляев А.П., Калинкин И.П. Рост пленок соединений АПВУ| при резко неравновесных условиях // Неорг. матер., 1999. Т. 35. № 6. С. 657-660.

181. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 641-643.

182. Беляев А.П., Рубец В.П. Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений AnBVI на охлажденной подложке // ФТП, 2001. Т. 35. Вып. 3. С. 294-297.

183. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 435 с.

184. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 671-673.

185. Панчеха П.А., Гнидаш В.И., Любов В.Н. и др. Структура и оптические свойства пленок теллурида кадмия, полученных осаждением из ионно-молекулярного потока // Поверхность. Физика, химия, механика, 1993. № 12. С. 89-97.

186. Ежовский Ю.К., Клюйков А.И. Формирование поверхностных наноструктур халькогенидов кадмия из атомно-молекулярных пучков // Журнал физ. химии, 2000. Т. 74. № 10. С. 1828-1831.

187. Paulson P.D., Dutta V., Singh С. A comparative study of compositional and structural properties of CdTe thin films prepared by different electroplating techniques // Conf. Ree. 24th IEEE Photovolt. Spec. Conf., 1994. C. 331-333.

188. Froment M., Cachet H., Essaaidi H., Maurin G. Metal chalchodenide semiconductors growth from aqueous solutions // IUPAC Congr., Instanbul, 1995. Sec. 1-3.C. 285.

189. Iayakrishnan R., Nair I.P., Kuruvilla B.A. Composition, structure and morphology of dip-cjated rapid thermal annealed CdS and non-aqueous electrodepos-ited CdTe // Semicond. Sci. And Techol., 1996. 11. V. l.C. 116-123.

190. Schulz D.L., Pehnt V., Rose D.H. et al. CdTe thin films from nanoparticle precursors by spray deposition//Chem. Mater., 1997. Vol. 9. № 4. C. 889-890.

191. Кот M.B., Тырзиу В.Г. О методике получения тонких слоев переменного9 f% 9 Лсостава полупроводников типа А В А В // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. - Кишинев, 1970. С. 28-30.

192. Arai К., Zhu Z.Q., SeKiguchi Т., Yasuda Т. et al. Photoluminescence and ca-thodoluminescence studies of ZnSe quantum structures embedded in ZnS // J. Crystal Growth, 1998. 184/185. P. 254-258.

193. Seki H., Koukitu A. Solid composition of alloy semiconductors grown by MOVPE, MBE, VPE and ALE//J. Crystal Growth, 1989. N. 1-2. P. 118-126.

194. Herman I.P. Laser-assisted deposition of thin films from gas-phase and surface-adsorbed molecules // Chem. Rev., 1989. V. 98. № 6. P. 1323-1357.

195. Толстой В.П. Синтез тонкослойных структур методом ионного наслаивания // Успехи химии, 1993. Т. 62. № 3. С. 249-259.

196. Lokhande C.D., Patil P.S., Tribusch Н., Ennaoui A. ZnSe thin films by chemical bath deposition method // Solar Energy Materials and Solar Cells, 1998. V. 55. C. 379-393.

197. Кировская И.А., Азарова О.П., Дубина O.H., Шубенкова Е.Г. Ренгено-графические исследования твердых растворов систем типа1. An,Bv AIIBVI /7

198. Омский научный вестник, 2001. Вып. 14. С. 69-70.

199. Хайрутдинов Р. Ф. Химия полупроводниковых наночастиц// Успехи химии. 1998. Т.67.С. 125-139.

200. Мясоедов Б.Ф., Давыдов А. В. Химические сенсоры: возможности и перспективы //Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 1259-1278.

201. Кировская И.А., Пименова JI.H., Чернышов А.И., Вотякова И.В. Электрофизические исследования поверхности селенида цинка. — Деп. В ВИНИТИ, 1980. №4038. С. 80.

202. Кировская И.А., Скутин Е.Д., Штабнов В.Г. Датчик влажности газов. — Автор, свидетельство № 1798672, Бюл. Изобретений и открытий, № 8, 1993.

203. Патент № 179672. Датчик влажности газов / И.А. Кировская, A.B. Юрьева, Е.Д. Скутин, В.Г. Штабнов. — 1993.

204. Патент № 2125260. Датчик влажности газов / И.А. Кировская. — 1999.

205. Патент № 2141639. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И.А. Кировская, O.A. Федяева. 1999.

206. Патент № 2161794. Полупроводниковый датчик влажности газов / И.А. Кировская. — 2001.

207. Патент № 4829. Электрический детектор для колоночной хроматографии/ И.А. Кировская, O.A. Старцева, A.B. Юрьева. 1995.

208. Вашпанов Ю. Ф., Сердюк В. В., Смынтына В. А.// Журн. физ. химии 1982. Т. 56. Вып. 2. С. 198.

209. Голованов В. В., Гудис Ф. И., Смынтына В. А.// Журн. аналит. химии. 1991. Т. 46. Вып. 12. С. 2374.

210. Гаськов А. М., Румянцева М. Н. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров.//Неорг. матер. 2000. Т.36. №3. С. 369-378.

211. Арутюнян В, М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания твердотельных сенсоров. // Микроэлектроника, 1991, т. 20, N 4, с. 331-355.

212. Родионов И.А., Клушин В.Н., Систер В.Г. Технологические процессы экологической безопасности / Учебник, Калуга. Из-во Н. Бочкарёвой, 2000, 800с.

213. Боресков Г.К. Гетерогенный катализ. М.: Наука, 1986. 304 с.

214. Орлик С.Н. Современные проблемы селективного каталитического восстановления оксидов азота (NOx) // Теоретич. и экспер. химия, 2001. Т. 37. № З.С. 133-157.

215. Патент RU № 1839632. Катализатор для селективного восстановления оксидов азота аммиаком и способ его получения / М.Г. Марценюк-Кухарук, И.Ф. Миронюк, В.А. Остаток, В.В. Шимановская. 1993. Бюл. № 47-48.

216. Fountzoula Ch. et al. //J. Catal., 1997. Vol. 172. № 2. P. 391-405.

217. Патент RU № 2050186. Способ приготовления катализатора для очистки отходящих газов от оксидов азота / JI.A. Соколова, О.В. Невская, Н.М. Попова и др. заявлено 04.09.1992, опубликовано 20.12.1995.

218. Патент RU № 2046653. Способ приготовления катализатора для очистки газовых выбросов автотранспорта и промышленности / Г.М. Льдокова, Н.М. Попова, К.Ж. Кайгалтырова и др. — заявлено 29.04. 1992, опубликовано 27.10.1995.

219. Патент RU № 2054322. Способ получения катализатора окисления оксида углерода / В.М. Мухин, С.Г. Киреев, Н.П. Васильев и др. заявлено 01.03.1993, опубликовано 20.02.1996.

220. Патент RU № 2156164. Катализатор окисления оксида углерода / Л.А. Воропанова, О.Г. Лисицына. заявлено 29.10.1998, опубликовано 20.09.2000.

221. Патент RU № 2171712. Катализатор окисления оксида углерода / В.И. Кононенко, И.А. Чупова, В.Г. Шевченко и др. — заявлено 13.03.2000, опубликовано 10.08.2001.

222. Миркин С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. — М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961.- 863 с.

223. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Ренгенографический и электронооптический анализ. -М.: Металлургия, 1970. 107 с.

224. Майдановская Л.Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов// Каталитические реакции в жидкой среде. — Алма- ата, АН КазССР, 1963. с. - 212- 217.

225. Кировская И.А. Кинетика химических реакций. Омск, 1994. — с. 76-78.

226. Крешков А.П., Казарян H.A. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. — М.: Химия, 1967. 192 с.

227. Кирпатовский И.П. Охрана природы. Справочник. М. Химия, 1980.-376с.

228. Проблемы теории и практики исследований в области катализа / Под ред. В.А. Ройтера. Киев: Наук, думка, 1973. — 364с.

229. Мухленов И.П., Анохин В.Н., Проскуряков В.А. и др. Катализ в кипящем слое. JL, Химия, 1978, 229с.

230. Рапорт Ф.М., Ильинская A.A. Лабораторные методы получения чистых газов. -М.: Госхимиздат, 1963.

231. Кировская И.А., Зелева Г.М., Высоцкий И.В., Липович В.П. Катализатор для дегидрирования изопропилового спирта: A.c. 793642 СССР// Б.И. 1981. №1.

232. Кировская И.А., Зелева Г.М. Катализатор для дегидрирования изопропилового спирта: A.c. 1225616 СССР// Б.И. 1986. № 15.

233. Кировская И.А., Вотякова И.В. Катализатор для гидрирования двуокиси углерода: A.c. 1001993 СССР // Б.И. 1989.

234. Кировская И.А., Зелева Г.М. Катализатор для гидрирования двуокиси углерода: A.c. 1097366 СССР// Б.И. 1984. № 22.

235. Кировская И.А., Зелева Г.М. Катализатор для окисления водорода: A.c. 1197206 СССР//Б.И. 1985.

236. Кировская И.А., Зелева Г.М. Катализатор для окисления водорода: A.c. 11073771 СССР//Б.И. 1984.