Образование зародышей новой фазы на протяженных дефектах в кристаллах, испытывающих структурные фазовые переходы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ГСШ1ЕГ РСФСР ПО ДБШ """"* ;

НАРОДНОГО ОЕРАЗСЗАШН К ВЫСШЕЙ ШХСШ.

РОСТСВСХИЙ }ШШ1ЕРНО-С1ТШГЕ21Ь'ШЙ ЮНПШУ?

СпедкалазпроваЕнаЗ оове*? К С83.52.С6 по фаэико-кагегататескв! шукаы

На правах хулся'-зн

Ш1ШЯН Павел Е^гагсззет ОБРАЗОВАНИЕ ЕАРСЩЖВЯ НСВОЙ «АЗЗ НИ ПРОШЕНИЙ!

дезота! в кристаллах, шшшпы: сшктгрша

ФАЗОЕЫЯ ПЕРЕЩЩ "

01.04.07 - фязаяа газриого тага *

Автореферат двоовртацза па соизнаапэ згсэисЗ стааэап яаадидага ^пзино-гате-таютожпх Еауя

Ростов-ЕЗ-ДОЩГ 1991

Работа выполнена ш кафедре физики Роотовсвого инкенерно-отроигельного института.

Научный руководитель: кандидат физик о-категгатичеоких наук,

старший научный сотрудник НИИ физики РГУ Булъбич А.А.

ОФидиальвве одпоиевты; доктор физико-математических наук Крамаров С.О.

кандидат физик о-катекатических наук Кораеневский А.Я.

Веятиая организация; Политехнический институт, г.Вороне8.

Защита состоятся "_" _1991 г. в_часов

на заседании Специализированного Совета К 063.52.08 в Ростовском гооунивероитете по адресу: 344090, г.Ростоэ-яа-Дону, лр.Стачки, 194, НИИ физики PI7.

С диссертацией мокно ознакомиться в научной библиотеке РГ7: г.Ростов-на-Дону, ул.Пушкинская, 148.

Автореферат разослан "_г_1991 г.

Учений секретарь Специализировааного Совета К 063.52.08, кандидат физик о-«а^гекатичеоких наук, старший научный сотрудник ' iC"/ Павлов А.Н.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Применение в технике материалов, испытывающих фазовые переходы (ФП), связано с использованием аномалий их физических свойств. Ипгарео к таким катерлплам делает актуальным исследование £П в реальных криоталлах, т. с кристаллах, содержащих дейекта, а таякв теоретическое описание экспериментально наблюдаемых в таких кристаллах эффе

Наибольшее влияние на физичеояиз и механические cnoüo: , кристаллов оказыв^от линейные дефекты (дислокации) я плоские дефекту (тонкие двойники, включения, трещины, границ!' зерея, дислокационное и доменные стэнки и т.п.). Упругие поля деформация среды вокруг дефектов, а такн:е неоднородности *пбой природы (например, доменные отэнкл) приводят к локально!,су изменению температура СП в областях их локализации в криог vie, а следовательно, и в локальному изменении симметрии, дао лр -водит к понижению свободной энергии кристалла и возшшююаяэ макроскопических равновесных зародышей (3) новой фазы в довольно широком интервале температур от 0,1 К до 200 1С wie текла pa тури ФП. Эти включения новой фазы cjtis otbg a:f ггм образом меняют рзадцка кристалла на анепяяе воздействия it тем сегрлс .способствуют многообразии Гааичееякх я мзханичзсяпх ооо^отя материалов.

Поэтому представляет г^ерео списание ОП в реальных кристаллах с целью ваяпяеиия особенностей ьародопгаобрагозания ira конкретных дефектах, а так«:® слисашю овязаняях с от:кд процессами физических свойств иаапздус->ш матерчалой.

Целью данной работа является опаоаш»э in п кристаллах, содвряагщх плоские дефекты и дислокация, как о учетом взаимного влияния трансфорлзциошюЭ (т.е. отватогззшюй sa <$ззэейо превращения) а упругой подсистем, так а о учетом вэаглодзйот-вия двзга; трансфорлациотшх подсистем'(образование 3 иа?;о:; фазы па доменной стенко); в1г<г»лошю условий возникаопзякя 2 новой фазы на нротякеничх дейтах при различных ткпад СП: описание сародшзобразоваипя на дефолтах; описопиз влияния поля параметра порядка (ТТЛ) згрод" "а на сами как в отатачеокк.!, гаи я в дияемачеок«! олучаэ.

Научине полоаепкя, выносимые на защиту в диссертации: ■ I. Если в кристаллах, испытывающих базовый переход первого рода, присутствуют узкие йогерентные двойниковые граница, го на фазовой диаграмме вознокно появление области суцесгвова-:иш равновесных зародышей низкосиыиетричной фазы, локализованных вблизи двойниковых границ. Эта область ограничена и распо-локеиа вблизи трикритической точки.

2. Если кристалл, испытывающий фазовый переход, описывающийся шюгономпонентщм параметром порядка, содержит дефект, на котором может возникнуть равновесный зародыш, то на разовой диаграмме кристалла в области существования высокосижет-ричной фазы располокена области существования равновесных зародышей тех фаз, которые реализуются в объеме кристалла. Однако вблизи многофазной точки фазовой диаграммы с необходимостью реализуется область существования равновесных зародышей низкосимметричных фаз, даже если эти фазы не реализуются в объеме кристалла.

3. Существует пороговое значение скорости движения дефекта любой природы, на котором возможно образование равновесного зародыша, такое, что зародыш на двивущемся дефекте существует лри V '< аи не монет существовать при и" >, Осг-.

4. При движении двойниковой граница (доменной стенки) или дислокации с зародышем' за ней образуется след новой фазы ("шлейф"), который в однофазной области фазовой диаграммы приводит к возникновению дополнительной силы "вязкого" трения, а в двухфазной области фазовой диаграммы - силы "сухого" трения, действующей на двойниковую границу или дислокацию со стороны зародыша.

Научная и практическая ценность. Впервые описаны ФП первого рода в кристалле, содеркащем двойниковые граница (ДГ) и дислокационные стенки (ДС), и получена условия зародышеоб-разования при размерах 3, сравнимых с толщиной кекфазной границы в кристаллах, испытывающих ФП первого рода, близкие ко второму роду, и структурные ФП, описывающиеся многокомпонентным параметром порядка. Впервые получены условия образования 3 новой фазы на подвижных ДГ и дислокациях (Д). Описаны явления, возникающие при наложении внешнего поля, сопряженного ПП зародыша на ДГ, а такае влияние 3 на динамику ДГ, ДС и Д.

Полученные качественные закономерности позволит правильно интерпретировать эксперимента по изучение фазовых переходов в реальных кристаллах.

Апробация работы. Материал, изложенный в диссертации, докладывался на следующих семинарах, конференциях и симпозиумах:

- 1У Всесоюзная школа-семинар по физике сегнетоэлаотиков (19-24 сентября 1988 г., г.Днепропетровск);

- ХП Европейская кристаллографическая конференция (20-29 . августа 1989 г.. г.Москва);

- Международный симпозиум по доменной структуре сегнетоэлек- 1 триков и родственных материалов (5-9 сентября 1989 г., г.Волгоград);

- ХП Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков (26-28 сентября 1989 г., г.Ростов-на-Доиу);

- Всесоюзный семинар "Методы механики сплошной среда в теоркл фазовых переходов" (13-18 мая 1990 г., г.Киев);

- Всесоюзная конференция "Современные проблемы статистической-физики" (14-17 мая 1991 г.. г.Харьков);

- I Межведомственный семинар "Физика прочности сегнетоэлектриков и родственных катепгадов" (18-20 мая 1991 г., р.Роо-тов-на-Дон у);

- УП Европейская конференция по физике сегнетоэлектриков (8-12 июля 1991 г., г.Дм Франция).

Публикации и вклад автора. Ооновные результаты диссертации опубликованы в 13 печатных работах (А1-А13). Из них две написаны самостоятельно, остальные - в соавторстве.

В работах, написанных в соавторстве, автор принимал участие в постановке задачи, проведении вычислений и анализе результатов.

Роль соавторов заключалась в следующем: '.А.Бульбич Ш, А2, А4-А9, АП-АГ?'1 участвовал в постановке задачи, проведении вычислений и анализе результатов; В.П.Дмитриев (А1, А8, А9) участвовал в проведении теоретико-групповых расчетов и обсуждении результатов; О.А.Келнова (А1, А6, А8, А9) проводила эксперимент и участвовала в .Осуждении результатов .

1 Объем и структура работн. Диссертация соотоит из введения, 6 глав и заключения, содержит 125 страниц, 15 рисунков, ■ библиографкчеовиЗ cn¡ ок из 65 наименований.

СОДЕРКЛШЕ РАБОТН

Бо вводанпи обооаоваш актуальность темы исследований, сформулирована ноль работы и основные положения, выносшые на защиту, показана научная новизпа а ценнооть результатов, получешшх а работе.

Первая глава носит обзорный характер. В ней рассмотрено современное состояние экспоргкентальиих и теоретических исследований Ш а кристаллах, содержащих точечные, лшшйшс и плоские дефекты. Указаны основные результаты исследований, описаны теоретические модели зародшзобразозсшм, указали трудности, которио при этом возникают, а в::?е:а:::дио задачи.

Во второй глава тассмотреня условия возникновения равновесию: 3 новой фазн на неаодеалнах узких когерентных ДГ. Гляа; узко;? когерентной ДГ в свободную энергию кристалла опи-сгшаетоя S -функциональным слагаемым: при удалении от темпе-3'jrypa разбиения кристалла на двойншш широкая ДГ (широкая дсмонвая отенка Еирнова), дающая вклад в свободную энергию кргл'алла ~ сИ" "(Х/Х#) ширина до;.:енной стешш), становится узкой и хорошо описывается S -функцией, т.к.

В разделе 2.1 рассмотрено зарсдышеобразование на узких ДГ в окрестности тршфигдческой точки ФД. Фазовый переход в aiüoaapa: ;Tpa4o,c:<j.'o фазу вблизи грикригической точки хорошо гг.конпас-тся функционалом свободной энергии с однококповднт-

на:-л ЦП ;

(i)

р •Ü и А - феноменологические пара' ; ^.>«3 , а>о • Л ~ мощность ДГ (определяет взаимодействие Ш]р с ДГ). Появление Б происходит в точке выявления линеаризованного уравнения состояния, соответствующего (I) -d>0~ 0(Т0 - \) * AVa • W® Тр _ температура появления 3 прк û>0 и температура потери устойчивости $азы О при

р>0 и р<0 , Тс - температура ФП в объеме кристалла. . Точное решение, отвечающее минимуму свободной энергии (I), имеет вид: '

_¿43оС_

(|А1«бЛ(2Ж|х1 +р) + 31/М }1/2 (2)

гда

р=£п((-з^ГО4[др»т>»-дСо-1)]^/(т>

На ФД область существования равновесных 3, локализованных на ДГ, располокена при р>0 между линиями Л* 0 и<А=<£,; дри р<0 эта об сть располоаена в окрестности трикритичеокой точки Л = р = 0 и ограничена линией ФП первого рода в объеме кристалла (д4) и линией равенства свободных энергий фаза (2), локализованной на ДГ, и фезы Чис-

ленный анализ последнего уравнения локазнвает, что в интервале р/ [ 0 - 5,5] линия локального ФП на ДГ, аппроксикирувпрйся выражением Ы= <&0 + {Ър7/1&Х )£, где 6» 0,75 при рАЛшИ (0,- 2,2] и б» 0,82 при р/Ш^б.

[-4 -5,5]. Точка Т пересечения линий оС= и оС =

= о&„ + >6 имеет координаты ^.а - 5,5(«60у,и

В разделе 2.2 рассмотрено зародыше образование в криотал-ле, содергащеи узкие ДГ и .юпытывающим ФП, описывающийся двух-компонентнни Ш ,

Ч^-ЛИ?'^)}^ И,

Вдали от трехфазной точки о6| = У ° О на фазовой риаграга» кристалла в области существования высокое тсетричной фазы ?1 = ?а= 0 (!) располокена области существ сег-я равновесных 3 тех фаз, которые реализуются в обьеко кристалла: П

=ЗС*)Ф.0О . *>о й-^МДО

Х<0). где %<*) -

Однако в окрестности точки (А, = аСр, У «о) «Д о необходимостью реализуется область существования ра*овеоных 3 фазы, не реализующейся в объеме кристалла: ^(х)»

). где ¿ = <*4/<*в.

Х^Ь кодифицированная функция Бесоеля, £ - амплитуда. .При £>0 эта область ограничена линией с6»=<£0- (ас^¡с^)-^, а яри %<0 - линией с6д= + + ¿0*

В разделе 2.3 рассмотрен локальный Ш на ДГ, одисываю-пдайся дг~?я раздачными ПП ^ и ^ при Т< ~ГС в окрестности трехфазной точки СД 61=0 :

П-1 аа.У£2 . ОО и ¿а3&г- сг£С на ФД кристалла, содержащего ДГ, в окрестности тройной точки имеется область существования фазы Ф(к) 4 О, локализованной вблизи ДГ и кз реализующейся в объеме кристалла. Эта область ограничена

лилией Й1 I рода О,- ?1г и линиями:

^ • -&&-&

' С 4 ' 1 (1+ 1£Ь)Уа-1

В разделе 2.4 катодом теории возмудакий доказана общая творвтт об образовании разновесного 3 ашогопаракстрктеслой фаза на дефекте любой природы (как упругет, таи и типа доменкой стзшсш б окреотностк наогофазной точки.

Те ом ¡ул. 8 кристалле, содеряацзм макроскс плоские дефекта (как упругш, тая и типа доменной стенки) при «Щ, . ояксышешы кногодс^зоньатншл ПП, если только на дефекта возаошо появление 3 однопараметричеоной фаз::, вблизи кчо-то|эзйой тьчка суцеезддот область рсалюащ^ 3 млогопара-здаричеакой фазы (дакз если она не ^авизуется в обьене аряэтагла).

В урятье^ гуаве рассмотрены фазовые перехода в кряо-талгах, ..одеркгщш: пскшжазе узкке когерентные ДГ.

В разделе ЗЛ рассмотрело образование 3 однопарзмет-ржескоЯ иазы на ДГ, дзкзутеЯоя с постоянной скороотьп сг .

Уравнение двкгення Щ имеет вид:

+ ге? = ^ ~ * 2 а8(*-«*У?

где ?2 32/31,;т ы. . р , у и А -

феноменологические константы. Появление локализовг аой на ДГ фаза происходит при Фв(и)= <з(Т.(и)-Тс) и раопроделенке ПП описывающее 3 новой фаза, имеет вид:

Че-!)?.]'*" "' (5)

£= X -17*. ёе = у/А .Из (5) следует, что существует пороговое значение ¿/V* скорости двикения ДГ, выше которой равновесный 3 ва дГ не образуется. Из (5) таксе оледует, что при двикении ДГ раопределенпе ПП становится несимметричным: _ функция распределения сяата в направлении движения ДГ и растянута в направлении, противополокном двивенав, по сравнению о распределением ПП в окрестности неподвижной ДГ. Размер 3 перед ДГ - £(*><>) = I + <г/(&,) , а за ДГ - Ш<о) -= у/Рс*) , т.е. за ДГ тянется след фазы О -

"шлейф", размер которого зависит от скорости движения и расходится при 1Т -* • Зтот плейф является неравновесным, и его происхоеденпе связало с локальным замедлением релаксации ПП в области, расположенной за ДГ. В случае ФП первого рода существует возмогооетт, перехода шлейфа в метастабильное состояние.

В разделе 3.2 рассчитана сила трения, действующая на двикущуюся ДГ со сторона 3. 'Эта сила обусловлена приращением свободной энергии при перемещении ДГ: Сг = - й олучае

неравновесного шлейфа возникает вязкая сила трения, возникающая за счет диссипации энергии в 3. В случае метастабильного плейфа помимо "вязкой" ксгаюненты существует сузсая компонента .сила трения, равная разности плотности свободных энергий фаз в области существования метастабильного шлейфа а является анергией, когоруп необходимо затратить для отдания единица объема метастабильного лейфа.

В разделе 3.3 рассмотрен локальный фазовый переход на двикущэйоя ДГ в окреотнооти кногофазиой точки и показано, что область существования двухпараиетричеокой локализованной фаза уменьшается о ростсм скорости движен - и исчезает при

и-*

- го -

Оценки основных физических величин дают следующие значения: размер не подвитого зародыша м, пороговое значение скорости движения ДГ, при которой 3 на ДГ не образуется - 1Гс»-~10^ м/с, сила вязкого трения Па, сила сухого трения 6/0~ 10^ Па.

В главе 4 рассмотрена узка- когерентная ДГ с 3 новой £азы ви внешнем периодическом поле.

В'разделе 4.1 описаны механические колебания ДГ, вызван-сае'пульсациями зародыша, локализованного на ДГ, в поле, сопряженном ПП зародыша. Уравнение динамики ПП ^ в поле И = « ехр[Циг{-<}Х)1 в линейном приближении имеет вид: /1 № ту+ +2А&Ю2+е*Р(-{<г*) (б)

Распределение ПП^, отвечавшее (6), состоит из симметричной коды, выпадение которой в конденсат описывает я на неподвик-йой ДГ, и асимметричной коды, списывающей рассеяние волны ПП .по ,ЦГ в положительном и отрицательней направлении оси /X. Нэсикетричные дуль ездил 3 на ДГ в периодическом поле Ь приводят, ввиду наличия взаимодействия ПП с ДГ, к появлении пе-рюдачеояой сила, действующей со сторона 3 на ДГ, которая ери = (оС/тУ/2 имеет вид:

&-?(?-***«!£ е'"" (7)

№ , г. = ( 9 М) Ч* а эеМ,Ъ= П/€0, £.~<}/А .

Сила (7) вызывает, колебания ДГ и преобразует энергии водя Ь в еиергиэ механичеоких колебаний. Оценки для коэффи-яионга дрцоЗразовашк энергии К, сделанные в рамках грубой авоцалл закрепленной мембраны, дают а частоте оТ МГц

К «нг6 -ю™5.

В разделе 4.2 рассмотрены симметричные трансляционные аскабанчя двух параллельных ДГ с 3 в поле, сопряжение« ПП зародыша. Показано, что в стационарном олучае при отсутствии аоля Ь . юзкйкиовзние 3 на двух ДГ приводит к появлению силы (г-Ьи)(Ь - расстояние между ДГ). действующей оо отороны 3 на ДГ и стремящейся их сблизить. Пря наложения малого переменною неоднородного по образцу поля И ■»*)

сопряженного ПП зародыша, при ТХТ» (Т = Тс + <£0/а ~ температура появления 3), на двух ДГ будет дазникать 3 новой фиоы, распределение ПП которого будет линейно по полю Ь -. В этом случае на И* со сторона 3 будет действовать переменная сила Сг, однако основной вклад будут давать пульсации симметричной коды ПП f, приводящие к симметричным трансляционным колебаниям двух ДГ. Оценки для о ила GCO дают значения IO5 f Ю6 Па, что превышает силу зацепления ДГ на стопорах.

В разделе 4.3 рассмотрены механические потери (пик внутреннею трения), обусловленные наличием 3 новой фазы на ДГ! На примере грубой модели закрепленной мембраны показано„что в кристаллах, соде р.-гащих узкие ДГ, дополнительный рост механических потерь при Т-* обусловлен в случае низкочастотного внутреннего трения умапьиепу.ш поверхностной оперши ДГ, а л случае высокочастотного внутреннего трения - как уменьшением поверхностной анергии ДГ, так я увеличением силы вязкого трения, вызванных наличием 3 па ДГ.

В главе 5 рассмотрены Ml в кристалле, содержащем дислокационные стенки двух видов - субграниць или малоугло!.. границы наклона и границы зерен. Для описания 3, локализованного на стенке из краевых дислокаций с вектором Бюргерса в , Б приближении упруго-изотропной среды использовался функционал свободной энергии

U«)^1dV (8)

% - Ш, отасывамциЗ ФП, U вектор смешения а среде, ооз-даваср/ого упругим полек 3; Иц (х,У) - тензор деформаций, создаваемых стенкой дислокаций,Л и ц - коэффициенты Ламе среда, = (Э/Эх.Э/З^ ); $ , и , р , 8 - феноменологические конотанты, Q - стрикционная константа, опиоывавдая взаикодейотвие ПП с упругим полек стенки. В разделе 5.1 рассмотрено заровдоиие новой фазы при .. лльном щ первого рода. В случае £<> У> П (где - размер 3, а Г» - корреляционный радиуо) можно пренебречь градиентным членом в (8) и рассматривать свободную энергию 3 как сумму поверхностной

•и объемной энергий. Полученное условие для температуры появления равновесного 3 на дислокационной стенке аналогично уо-ловию появления 3 на дислокации п ансамбле дислокации и не зависит от расстояния Н мевду дислог -циями. Данное условие для температуры зародышеобразования всегда выполняется для субгран-ц ( Ь/н ~ 10~5 * 10~3) и ..очти не выполняется для границ зерен. ,

В разделах 5.2 и 5.3 рассмотрено зарождение новой фазы на дислокационной стенке при ФП второго рода и ФП первого "ода, близкого ко второму как в градиентном, так и в безгра-диентнсм приближении. Показано, что в обоих приближениях температура образования 3 новой фазы обратно пропорциональна расстоянию мезду дислокациями в стенке.

Б разделе 5.4 рассмотрена устойчивость дислокационной стенки с 3 новой фазы относительно поперечных колебаний. Поскольку свободная энергия 3 зависит от расстояния мевду дислокациями Р = Р (Н ), то при смещении дислокаций в плоскостях скольжения можно говорить о силе С (Н ) = -Зр/йН, действующей со стороны упругого поля 3 на дислокационную стенку (3 не взаимодействуют через поле ПП, т.к. разделены). В случае "сильного" ФП первого рода сила &(Н ) положительна и препятотву ? возвращению .дислокаций в прежнее положение. Оценки для й/Ш дают значения Ю1 * 10^ Па,, "це - длина дислокационной линии. На примере модели осцилятора-релакса-тора раосмотрены затухающие колебания дислокаций в стенке, содержащей 3. Полученные оценки дают возможность утверждать, что в границах зерен дислокации совершают - -бо затухающие колебания, либо релаксационные смещения, а в малоугловых сте)и;ах помимо релаксационных смещений возможен раопад стонки на отдельные дислокации.

В гдане 6 рассмотрен локальный фазовый переход на дви-кущейся дислокации в модели ФП (8).

В ргтеле 6.1 получены условия заровдения новой фазы на дислокации, движущейся о постоянной скоростью. В разделе 6.2 показано, что за дислокацией тянется след новой фазы -шлейф; иопользуя асимптотику для ПП, описана сила вязкого трения, действующая на двикущуюся дислокацию оо стороны

раопадащегосл неустойчивого шлейфа. Ери СИП рода зозмокшо образование кетастабошюго шлейфа, когс^нй приводит к поя' -тению силы трения "сводьяения". В разделе 6.3 показано, что эффективная касса двикущейся дислокации с 3 новой фазы уменьшается. Сделанные оценки сравнима с величинами, наблюдаемыми в энопорш.'енте.

ЗЛКЛШЕНИЗ

Изложенный в настоящей работа материал позволяет сформулировать основные научные результаты и выводы. л

1. Рассмотрены условия возникновения равновесных 3 новой фазы на узких когерентных ДГ при ФП I рода, близкого ко в. _>-рому, и ФП II рода, описывающихся однокогаюкентным, двухкошо-ненишм и двумя взаимодействующими Ш1. Показано, что при ФП

I рода в однопаракетричеокую фазу область существования равновесных 3 на ДГ ограничена к расположена вблизи трикритэте-ской точки ФД. При ОН, описывающихся иш>1 компонентным ПП, на кристалла, оодергащого ДГ, в облаоти существования вы-сокосимкетричной фазы расположена области существования равновесных 3 тех фаз, которые реализуются в объеме криолита. Однако вблизи многофазной точки ФД с необходимостью реализуется область существования равновесных 3 низкое г.жетр'.гшц" фаз, даке если эти фазы не реализуются в обьеме кристалла.

2. Описано образование 3 новой фазы на двикут^ихся с постоянной скоростью ДГ и дислокации. Показано, что пра движении ДГ или дислокации за ней образуется след новей фаз-("шлейф"), который в однофазной области ФД приводит к возникновению дополнительной силы "вязкого" трэния, а в двухфазной облаоти ФД - силы "сухого" трения, действующей на ДГ или Д оо стороны 3. Получены выражения для этих сил и сделана оценки их значений.

3. Показано, что при движении дефекта о 3 (ДГ, дислокация и др.) область существования 3 на ОД сукаетоя. Суягзотву-ет пороговое значение скорое .■:». движения дефекта 17" = (ГСг, выше которой 3 на дефекте не со .ус: я.

Сделаны оценки значений пороговой скорости.

4. Рассмотрена одна ДГ к две ДГ о 3 новой фазы во внешнем периодическом поле, сопряженном Ш зароднша. Показано, что возникающие при этом пульсации 3 могут приводить я механический колебаниям ДГ. Сделаны оцени- возмокнооти преобразования энергии электрического поля в энергии механичеоких колебан- 4 в кристалле, содергаще ДГ о сегнетоэлектрическим 3.

5- В рамках простейших моделей описано низкочастотное и высокочастотное внутреннее трение п кристаллах, содержащих ДГ с 3. Показано, что наличие 3 на ДГ приводит к дополнительным пторяы энергии (пику внутреннего трения вблизи 12 )» визвая-нкх не только укеиыаеииеы упругой энергии ДГ, но и увеличением вязкого трения.

6. Рассмотрено зародишаобразование на дислокационной стенке при размерах 3, сравнимых с толщиной мекфазной границы, м ври размерах 3, больших толщины границы раздела фаз. Показано, что налачи" 3 на дислокационной стенке при Ш I рода приводит к сиикеняп ее устойчивости относительно поперечных колебаний. Сделаны оценки возиогшооги распада стенки на огдель-ше дислокации при поперечных колебаниях.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ (ПУБЛИКОВАНЫ В СЛВДШЙС РАБОТАХ

1. Фазой® диаграммы локальных фазовых переходов на диолока-циа в кристалле / АJ .Бульбич /. - // Сегнетоэластакл / Тезисы докладов 1У Всесоюзной пжоли-семянара/. - Днепропетровск, 1988. - С. 23-24.

2. LecaZ itiuiture mnftlecr^pentni ctdet f*iameiet tunütlan^ ort iurift in ihioty onrf eirpenry- it: /JoaJI>Q5 c^tai^ di-Xict cvic/cnee/A.A.ßt^ic^ , 0.Д « ßiwa /. —//Juri lIth eure.

jcäfecinl aSsWti¡.-Moitm; tf ■'f1'3'03

3. Л/ueCe..iitn ort ■brbtti mal ikl phai.; di-а^иж polntb/A.A.Sn^&ieb /, —//T>o>^ain of-

e&zfric ard u&ctzä mtAzUui-ij a&iiiazi^ eJ-

üivpPUiim/.- Veefiegca dtl9SS . - f>. Z,k

4. Jki г»иг&(.. ati'linj on nattcu! с/с«»л!п игь-Ji at layidetinf

//"Dowol" <Sttuc."t«W 4 otlttt*Ul ard «¡afi/ a iitïaèti

of lnt«*nort!ona? ЦкрсЫил*(, - VcCfCgtB*, f9t9. - p. 26.

5. Локалышй фазовый переход аа двойниковой границе п /А.А.Бульбич, В.П.Дкитриев, О.АЛелиоэа /. - // ХП Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков / Тезасы докладов /. - Ростов-на-Дону, I9B9. - Т. 3. - С. 12.

6. Локальный фазовый переход на движущейся дислокации / А./.. Бульбич / - Кристаллография. - 1990. - Т. 35, И. -

С. 284-288.

7. Зародышеобразование на двойниковых границах в кристаллах, испытывающих структурные фазовые переходы вблизи особых точек фазовых диаграмм. Прямое наблюдение зародыпей низко-оишетричннх фаз в А.А.Бульбич, В.П.Дммриеч, О.А.Еелнова /. - //1Ш. - 1920. - Т. s>8, Ä 3(9). -

' С. II08-III9.

8. л/ис?<ххИап он dc<«ai» ¿va #4 ^г Ht^uSat (¡haie cliagta**c pol ни/,к. A.Bueè;c fc/.-// FenaeJfettici .-t99t>,(pSù.-VM\.-f><<l-n*.

9. Механические потери, обусловленные наличием зародии-зй новой фазы на узких двойниковых границах,- // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. - Роотсв-ня-Дслу, 1991. - С. 25-28.

10. Динамика -такой двойниковой границы о эародыием ноной фазы } А.А.Бульбич Л - // Современные проблемы отаткотгл.окой физики / сборник аннотаций Всесоюзной ковфэрекц:гл /. -Харьков, 3991. - С. 25-27. 31. Механические потери, обусловлешшз наличием зародышей новой фазы на узких когерентных двойниковая границах. -U Современные проблемы статистической физики / сборник аннотаций Всесоюзной конференции. /. - Харьков, 1991. -С. III—112.

12. ¿Арреачллсе с( ¿оса гьД о» <1 с pect ркале, ca**»i ße «сайг«* щЧКе èuft ef-tH î at f A.A-Ruihc^S.-

¡j$eiiv\Ah Рм-г^гхззя en fa 'iPiWi'Utiiij/dßiltaeii/,~

Т>Цоп(РгЛлte)J391.

13. ¿Цплш*Ь л*»* РЬв4с ^хапИИе* роМ

/А А.&ле&сЬ!.— Еичсреа» /Мсгг«и£ оп Ягг«<»-

Заказ ® 1055 , 15,11.91 г. Фориат 60x84 1Д6 Объеи I п.л., тирвк 100 скэ., бесплатно

Ротапринт Ростовский инженерно-строителышЯ инзтнтут г. Ростов нуД, ул. Социалистическая, 162

С"