Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I.ПРИМЕСИ В АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ обзор литературы)

§1.Введение

§2.Зонные представления для аморфных полупроводников

§3.Особенности поведения примесных атомов в аморфных полупроводниках

§4.Эффект Мессбауэра и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия в исследовании примесных атомов в стеклообразных полупроводниках

Сравнительное исследование примесных атомов олова, введенных в стеклообразный селенид мышьяка при легировании из расплава и методом модифицирования 56

§3.Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка,модифицированного железом бб

§4.Механизм проводимости стеклообразного селенида мышьяка, легированного золотом и платиной из расплава 75

§5.Заключение 85

Глава Ш .ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ ОЛОВА С НЕНАСЫЩЕННЫМИ ХИМИЧЕСКИМИ СВЯЗЯМИ В СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВАХ АШ-Те и А^-Те 87

§1.Введение 87

§2.Структура ближнего порядка стекол А^-Те 90

§3»Электронная структура примесных атомов олова в стеклообразных сплавах АШ~Те и А^-Те 99 .Природа электрической неактивности примесных атомов олова в Хп^Те^ III §5.Заключение Н9 Глава У .ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЙ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ ОЛОВА И

ЖЕЛЕЗА В АМОРФНОМ КРЕМНИИ 121

§1.Введение 121

Структура ближнего порядка аморфного кремния,изученная методами мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии 123 §3,Влияние примесных атомов олова на свойства термически напыленного аморфного кремния 133 Примесные атомы железа в аморфном кремнии 139 Заключение 144

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы«

Аморфные полупроводники образуют большой и в практическом отношении важный класс материалов /I/. Хотя все элементарные полупроводники и большинство полупроводниковых соединений могут быть получены в аморфном состоянии,однако наибольший интерес исследователей вызывают аморфный кремний (a-Si) и халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП). Этот интерес обусловлен двумя основными причинами. Во-первых,указанные полупроводниковые материалы имеют важное прикладное значение: ХСП используются в ИК-спектроскопии,бессеребрянной фотографии,при изготовлении переключателей,ячеек памяти и т.п. /2j\ аморфный кремний весьма перспективен как материал для преобразавателей солнечной энергии /3/. Во-вторых, a-Si и ХСП являются типичными представителями аморфных полупроводников,относительно легко получающихся в виде пленок (a-Si) и массивных образцов (ХСП),и обладающих всеми характерными свойствами неупорядоченных полупроводников: отсутствие дальнего порядка,наличие квазизапрещенной зоны,малой подвижностью носителей тока,малой чувствительностью к легированию и т.п. Относительная простота строения и изученность их кристаллических модификаций позволяет проводить интерпретацию экспериментальных данных в рамках хорошо развитых теоретических моделей и вследствие этого a-Si и ХСП давно стали модельными объектами исследований многих теоретиков и экспериментаторов /4,5/.

- 6

Однако,несмотря на интенсивные исследования последних лет, многие свойства аморфного кремния и XCÍ1 остаются непонятыми, что,естественно,затрудняет широкое использование этих материалов /1,6/. В первую очередь это относится к такому свойству аморфных полупроводников,как их "нелегируемость" - легирование аморфных полупроводников не приводило к появлению примесной проводимости,вследствие чего не удавалось управлять электронным транспортом,как это делается для кристаллических материалов. И несмотря на то,что в последние годы методически оказалось возможным изменять тип проводимости аморфного кремния и ХСП ^появление гидрогенизированного аморфного кремния,a-Si (Н) и "модифицированных11 ХСП /1,6,7/)»проблема нелегируемости аморфных полупроводников остается актуальной.

Объекты и методы исследования.

Считается надежно усатновленным,что легирование ХСП методом сплавления соответствующих компонент О'легирование из расплава") приводит к насыщению примесными атомами в стекле всех химических связей ^модель Губанова-Мотта А-6/) вследствие чего примеси не могут образовывать в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней чсм.»например,/8/). Однако авторы /7/ показали,что высокочастотное распыление стекла и переходного металла на холодную подложку сопровождается образованием материала,свойства которого зависят от концентрации примеси и возможна инверсия знака носителей тока.Такие стеклообразные полупроводники получили название "модифицированные стекла",а указанный метод легирования - "модифицирование". Пока остается неясным механизм проводимости модифицированных стекол,а также причины изменения свойств таких материалов(за-ключаются ли эти причины в методе легирования,или же в химической гфйроде вводимой примеси). Именно поэтому в качестве первого этапа нашего исследования мы провели сопоставление поведения примесных атомов железа ¿типичный переходный металл) и олова (типичный непереходный металл) в стеклообразном селе-ниде мышьяка АБ^е^ (типичный представитель ХСП) .легированном из расплава ("традиционное легирование") и методом высокочастотного распыления АБ^е^ и соответствующего металла ^"модифицирование").

В процессе этого исследования возникла общая проблема -проблема применимости модели Губанова-Мотта к ХСП,легированным из расплава. Оказалось,что даже при легировании из расплава возможна стабилизация примесных атомов в стеклах в состояниях с ненасыщенными химическими связями. Типичными предста

III вителями таких стекол оказались системы типа А А -Те и

ТУ т т т ту

А -Те аххх -алюминий,галлий, А -кремний,германий). Нами было проведено сопоставление эффектов лепфования таких систем с эффектом легирования кристаллических полупроводников со сте-хиометрическими вакансиями египа , для которых также характерна "нелегируемость" в широкой области концентраций примеси,и предложен механизм,объясняющий наблюдаемые эффекты.

Третий этап исследования был посвящен изучению состояния примесных атомов олова и железа в термическом аморфном кремнии и гидрогенизированном аморфном кремнии (a-Si (Н)).

Известно,что для a-Si отсутствуют эффекты легирования,тогда как легирование a-Si(H) в некотврых случаях приводит к заметному изменению электрических и оптических свойств, йредполала-галось,что сопоставление поведения примесных атомов в различных модификациях аморфного кремния даст возможность выяснить роль водорода в определении свойств аморфного кремния.

Для решения поставленных задач в качестве основных методов исследования были выбраны ядерная гамма-резонансная спектроскопия чЯГРС,эффект Мессбауэра) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС).которые позволяют идентифицировать зарядовое состояние примесных атомов,их электронную структуру и химическую природу их локального окружения. Кроме того, в работе широко использовались традиционные методы изучения аморфных полупроводников - измерение температурных зависимостей электропроводности и термоэдс,ЙК-спектроскопия,рентгено-структурный анализ.

Цель работы.

I.Исследование состояния примесных атомов олова и железа в стеклообразном селениде мышьяка,легированном из расплава и высокочастотным распылением в аспекте сопоставления двух методов легирования стекол и для выяснения механизма проводимости модифицированных ХСП.

Исследование состояния примесных атомов олова с ненасыщенными химическими связями в стеклообразных полупроводниковых

III гу сплавах А -Те и А -Те и кристаллических полупроводниках со стехиометрическими'вакансиями (1п^Те^) для выяснения механизма "нелегируемости" таких систем.

3.Исследование состояния примесных атомов олова и железа в аморфном кремнии для выяснения причины "нелегируемости" термического аморфного кремния и роли водорода в гидроге-низированном аморфном кремнии.

Основные положения,выносимые на защиту.

I.Метод модифицирования позволяет стабилизировать в структурной сетке стекла аномально большие концентрации примеси,не достижимые при легировании из расплава. Изменения свойств модифицированного стекла обусловлены химической природой вводимой примеси - только примесь переходного металла чже-лезо) стабилизируется в стекле в состояниях с ненасыщенными химическими связями,что и приводит к появлению примесной проводимости такого стекла. Примесь непереходного металла ^ олово) как при легировании из расплава,так и при модифицировании в стекле насыщает все химические связи и не приводит к примесной проводимости.

При легировании стекол из расплава возможна стабилизация примесных атомов в состояниях с ненасыщенными химическими связями.Отсутствие примесной проводимости для таких ХСГ1 объясняется образованием твердого раствора на основе соединений, образуемых примесными атомами и атомами компонент стекла.

3.Примесные атомы олова в аморфном термическим кремнии образуют заряженные центры и хотя при этом не меняется радикальным образом зонная структура материала,но вблизи валентной зоны образуется полоса локализованных состояний,к которой "привязывается" уровень $ерми. В структуре а-5"|(Н) водород нейтрализует заряженные центры олова.

Научная новизна.

1.Впервые прямым методом идентифировано состояние примесных атомов в ХСП с ненасыщенными химическими связями и показана электрическая активность таких центров ^случай примесных атомов железа в стеклообразном селениде мышьяка).

2.Впервые показано,что распад твердых растворов замещения примесных атомов в стеклах может приводить к стабилизации примесных атомов в состояниях с ненасыщенными химическими связями,не проявляющих себя в электрических свойствах такого материала (случай примесных атомов олова в стеклах ту системы А^ -Те).

3.Впервые показано,что легирование термического аморфного кремния может сопровождаться изменением знаках носителей тока и изучено изменение положения полосы локализованных состояний в запрещенной зоне а-51 в процессе легирования ^случай примесных атомов олова).

Практическая ценность работы.

Результаты,полученные в данной работе,имеют важное значение для разработки методологических основ получения аморфных материалов с заданным комплексом электрических и оптических свойств.

Апробация работы.

Результаты исследований докладывались на международной конференции "Аморфные полупроводники -80" (Кишинев,1980г.), УН Всесоюзной конференции по стеклообразному состоянию чЛенинград,1981г.), Всесоюзной конференции по физико-химическ ким основам легирования полупроводниковых материалов чМосква, 1982г.), а также опубликованы в 5 статьях в журналах АН СССР и трудах конференций.

Объем работы.

Диссертационная работа изложена на165 страницах машинопе-чатного текста,содержит31 рисунков, 10 таблиц и 143 наименований библиографии.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

С использованием мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии,а также измерения электропроводности,термоэдс, МК-спектров,проведено комплексное исследование состояния примесных атомов олова и железа в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (Аз^е^А^-ТеД^-Те) и аморфном кремнии.

1.С целью выяснения природы проводимости модифицированных ХСП проведено сравнение двух методов легирования стекол -легирования из расплава и модифицирования. а)лезависимо от метода легирования примесные атомы олова входят в структуру стеклообразного селенида мышьяка в четырехвалентном состоянии.образуют химические связи с атомами селена,а их локальные координационные числа являются промежуточными между 4 и б. Не обнаружено примесной проводимости для таких стекол,что объясняется в рамках модели Губанова-Мотта. б)Легирование из расплава стеклообразного селенида мышьяка золотом и платиной приводит к стабилизации примесных атомов в максимальной валентности и для таких материалов также не обнаружено эффектов примесной проводимости. в)Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка железом приводит к резкому увеличению проводимости,появлению на ее температурной зависимости участка примесной проводимости,а при повышении концентрации железа наблюдает

- 146ся переход к электронному типу проводимости.Показано, Что железо в As^Se^ образует донорный уровень,причем при малых концентрациях железа все донорные уровни ионизованы.Освобожденные при этом электроны заполняют квази-непрерывно распределенные локальные состояния в запрещенной зоне Ав^бе^.так что уровень Ферми смецается к уровню, образуемому центрами железа, Сделан вывод,что метод модифицирования позволяет изменять электрические свойства ХСП только при использовании в качестве модификатора переходных элементов.

II .С целью выяснения причин отсутствия примесной проводимоссти XQIi,легированных из расплава и включающих атомы с ненасыщенными химическими связями,изучено состояние

III примесных атомов олова в стеклообразных сплавах А -Те и АП~Те. а)Примесные атомы олова стабилизируются в структуре стекол алюминий-теллур и галлий-^геллур как в двухвалентной,так и четырехвалентной форме,причем соотношение Sn*V$n* уменьшается с уменьшением концентрации олова.Для стекол, включающих примесные атомы олова с ненасыщенными химическими связями vSn*^),He обнаружено эффектов примесной проводимости. б)^сходным состоянием примесных атомов олова в стеклах кремний-теллур и германий-теллур является четырехвалентное состояйие - олово замещает атомы 1У группы и образует тетраэдрическую систему химических связей.Однако это состояние является метастабильным и при комнатной температуре наблюдается процесс распада твердого раствора замещения с образованием двухвалентного олова.Стабилизация в структуре стекла Sn^ не приводит к появлению примесной проводимости,что,как и в случае стекол А^-Те, объясняется в рамках модели легированных ХСП как твердых растворов на основе соединений,образуемых примесными атомами и атомами стекла/причем ширина запрещенной зоны такого твердого раствора определяется парциальными величинами запрещнных зон компонент.

III jÖ в)Показано,что для стекол А -Те и А -Те,легированных оло-вом,не реализуется модель "нейтральной примеси". Не реализуется эта модель и для случая примесных атомов олова в кристаллических полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа Хп^Те^ (именно для этих соединений и была впервые предложена модель "нейтральной примеси"). Олово в структуре In^Te^ образует химические связи с атомами теллура и одновременно для сохранения электронейтральности вистемы,появляются ионы Хп*,причем проте +3 кает обменный процесс между Хп^ и 1пч с образованием усредненного состояния индия.

III.ü целью сравнения поведения примесных атомов в стеклообразных полу проводниках и в аморфном кремнии изучено состояние примесных атомов олова и железа в a-Si и a-Si(H). а)Ь термическом аморфном кремнии примесные атомы олова занимают положения замещения,образуя тетраэдрическую систему химических связей,характерную для кристаллического кремния.Сделан вывод и близости локальной структуры a-Si и кристаллического кремния.Обнаружено существование в ül-Sí заряженный центров олова,что приводит к образованию полосы локализованных состояний в запрещенной зоне a-Si и к инверсии знака носителей тока* б)Для гидрогенизированного аморфного кремния обнаружен эффект "залечивания" оборванных связей примесных атомов олова и атомов кремния атомами водорода. в)Примесные атомы железа занимают в a-Si и a-S/\H) положения внедрения,причем возможна стабилизация как изолированных атомов железа,так и атомов железа,связанных в ассоциаты с вакансиями в их локальном окружении.Показана схожесть в состоянии примесных атомов железа в аморфном кремнии и в кремнии,легированном железом методом ионной имплантации.

§5.Заключение

С использованием методов мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии показано,что структура ближнего порядка аморфного кремния близка к таковой для кристаллического кремния -атомы кремния образуют тетраэдрическую систему химических связей,хотя и наблюдается отклонение от правильного тетраэдри-ческого ) угла. Атомы водорода связаны с атомами кремния,"залечивая" оборванные химические связи неупорядоченной сетки аморфного материала.

Отсутствие дальнего порядка приводит к возможности локализации на примесных атомах олова в а орфном кремнии заряда, что,в свою очередь,приводит к образованию в легированном олов вом аморфном кремнии заряженных центров. Именно благодаря этим центрам в запрещенной зоне аморфного кремния образуется полоса локализованных со стояний,к которой оказывается привязанным уровень Ферми,а знак носителей тока в легированном оловом а-51 не совпадает со знаком носителей тока в чистом а- .

Примесные атомы железа в аморфном кремнии локализуются в положениях внедрения,причем возможна стаблизация примесных атомов как в изолированном состоянии,гак и в ассоциатах с вакансиями в ближайшем окружении от примесного атома. Наблюдается хорошое согласие параметров мессбауэровских спектров

37 примесных атомов Ре в аморфном кремнии и в кремнии,легированном методом имплантации.

1..Аморфные полу проводники, под ред.М.Бродски,Мир,М.,1982,495с.

2. Андриеш A.M.,Смирнов В.Л.»Применение халькогенидных полупроводников в интегральной оптике-в сб.Докладов конференции и Аморфные полупроводники-82 Бухарест,1982,с.23-27.

3. Роревси С.,Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) solarcells, in:Proc.of the Int. conf. "Amorphous semicond.-82", Bucharest,1982,p.79-83.

4. Мотт Н.Дэвис 3.,Электронные процессы в некристаллическихвеществах,Мир,M.,1973,397с.

5. Губанов А.П.,Квантово-электронная теория аморфных полупроводников, изд.АН СССР,М-Л.,1963,

6. Мотт Н.Дэвис 3.,Электронные процессы в некристаллических веществах,т.1,11,Мир,М.,1982,664с.

7. Flask Ri,Izu M.,Sapru К.»Andersen T.,Ovshinsky S.R. ,Fritzche H.,Optical and electronic properties of modified amorphous materials,in:Proc. Seventh. Int. Conf. Amorphous and Liquid

8. Semiconductors,Edinburgh,1977,p.524-527.

9. Seregin P.P.,Andreev A.A.,The Llossbauer effect as applied to investigations of glaasy materials,in :book "Frozen chalcogenides solutions"»Budapest,1983,p.II2-I83.

10. Горюнова H.A.Доломиец Б.Т.,Новые стеклообразные полупроводники, Изв.АН СССР,физ.,1956,т.20с.1496-1500.

11. Ю.Губанов А.И.,Спектр электронов в одномерной и трехмерной модели жидкости,ФТТ I952,T.4,të9,c.I5I0-I52I.1..Губанов А.И.,0дноэлектронный расчет произвольной системы атомов,ДАН СССР,1964,т.159,tèl,с.46-51.

12. Kolomiets Б .i.»Vitreous semiconductors,Phys. status solidi 1964,v.7,N2,p.359-372.

13. Цидильковский И. 11.,Зонная структура полупроводников, Наука,M.,1978,328с.

14. Коломиец Б.Т.,Примеси и свойства ХСП,в сб. Электронные явления в некристаллических полупроводниках,Наука,Л., 1976, с. 23-34.

15. Губанов А.И.»Флуктуационные локальные уровни в аморфных полупроводниках,ФТТ 1962,т.4,ÏI0,с.2873-288 5.

16. Губанов А.И.»Плотность флуктуационных уровней в аморфных , полупроводниках,ФТП 1967,т.1,12,с.317-325.

17. Губанов А.И.,О флуктуационных уровнях в аморфных полупроводниках с цепочечной и слоистой структурой,ФТП 1972,т. 6, JÊI0, с. 1378-138 5.

18. Davis E.A.,Mott N.P.,Conduction in non-crystallines systems.V.Conductivity,optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors,Phil.Mag.1970,v.22, N 179,p.903-922.

19. Коломиец Б.Т.Энергетический спектр и механизм переносаносителей тока в аморфных полупроводниках,в Трудах IX международной конф. по физике полупроводников,М.,1968, изд. Наука,, 1968, с .133 5-13 40.

20. Коломиец Б.Т.»Стеклообразные полупроводиики,Вестн.АН СССР, 1969, т.6,И, с. 54-60.

21. Le Comber P.G.,Spear V/.E.,Electronic transport in araorphou silicon films,Phys.Rev.Lett.1970,v.25,N 8,p.509-511.- 151

22. Brodsky М.Н., Tittle R.S.,V/eiser К. ,Pettit G .D., Structural, optical and electrical properties of amorphous silicon films,Phys.Rev.1970, v.j3I,Il6,P.2632-2640.

23. Elliott S.R.,Photo-induced ESR in glassy sulpher,J.Phys. 1981,v.42,RiO (suppl.),p.387-390.

24. Попов П. А., Нова я модель дефектов в ХСП, Письма в 13ТФ 1980 ,т. 31 , с .437 -440.

25. Попов П.А.,Квазимолекулярные дефекты б ХСП,б сб. Структура,физико-химические свойства и применение некристаллических полу проводников »Кишинев, 1980, с .134-157.

26. ЧепелеЕа И.В.Дилинская £.А.,Лазукин В.Н.,Примесныеи собственные парамагнитные центры б халькогенидных стеклах^ сб.Структура,физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников,Кишинев,1980, с.197-200.

27. Коломиец Б.Т.,Назарова Т.Ф.,Стеклообразные полупроводники.К вопросу о роли примеси в проводимости стеклообразных полу проводников,в сб.Физ.твердого тела,т.II,1959, с.22-30.

28. Фишер id,S.,0 примесной проводимости в жидких и аморфных полупро водниках,ФТТ 1959,т Л,M,с.192-195.

29. Губанов А.И. Длуктуационные уровни в аморфных полупроводниках,ФТТ 1962,т.№10,с.2873-2881.

30. Губанов А.И.Д теории примесных уровней в аморфных полупроводниках, #ТТ 1961, т. 3, НО, с. 2336-2342.

31. N.PElectrons in discordered structures,Adv.Phys.•• 1967,v.16,N6,p.49-144.

32. Кошкин З.М./Зайродский iû.P.,Герасименко В.С.,Электронные состояния примесей в полупроводниковых стеклах,ФХС 1980. т.6,№1,с.40-45.

33. Борисова З.У.,Стеклообразование в халькогенидных стеклах и Периодическая система элементов,в сб.Структура и свойст ва некристаллических полу про водников,Наука,Л.,1976,с.6-12.

34. Борисова З.У.,0 взаимодействии металлов с халько енидны-ми стеклами,в сб.Структура»физико-химические свойства и применение некристаллических полу проводников,Кишинев, Х980,с.158-163.

35. Регель А.А.,Серегин П.П.»Исследование халькогенидных стекол »включающих двухвалентное олово,ФХС 1981,т.7,$2,с. 154-158.

36. Серегин П. 11.,Сивков В.Г1. »Васильев Л.Н.,Механизм влияния прим сных атомов олова на электрические и оптические свойства стеклообразных селенидов мышьяка,#ТП 1974,т.8, HI, с. 2270 -2272.

37. Seregin P.P. JTasredinov F.S.,Study of gold and platinum impurity atom state in vitreous arsenic selenide, Phys.status solidi 1982,V.A70,N2,p.769-775.

38. Бычков Е.А.,Власов Ю.Г., Борисова З.У .,Железосодержащиехалькогенидные стекла,ФХС 1978,т.4,Ю,с.335-339.

39. Andreev A.A.,Borisova Z.U.,Bickov E.A.,Vlasov Yu.G., Impurity conductivity in chalcogenide glasses doped with iron in equilibrium wag by cooling from melt,

40. Petrova W.,Stoica T.,Stotzel H.,Vancu A.,Optical constants of modified amorphous GeSe films,в об.Структура,физико-химические свойства и применение некристаллических полу проводников,Кишинев,1980, с.179-182.

41. Stotzel Н. ,'leubner W.,On modification of amorphous chalcogenides, в сб.Структура,физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников, Кишинев,1980,с.143-149.бО.Вертхейм Г.,Эффект Месебауэра,йир,М.,1955,172с.

42. Шпинель В.С.,Резонанс гамма-лучей в кристаллах,Наука, М.,1959,407с.

43. Суздалев vi.Л. Динамические эффекты в гамма-резонансной спектроскопииДтомиздат ,М. ,1979,192с.бЗ.Зигбан К.,Электронная спектроскопия,Мир.М.,1970.

44. Серегин П.П.»Васильев Л.Н.,Влияние перехода стекло-кристалл на локальное окружение атомов теллура в As2Te3 и As2Se3.As2Te3, ФТТ 1971,т. 13,Ю,с.2599-2701.

45. Серегин П.П.,Сагатов М.А.,Насрединов Ф.С.,Крыльников й.В. »Камолов А.,Васильев JI.И., Переход кристалл-стекло и его влияние на локальную структуру полупроводниковыхсо единений, ФТТ 1974 ,т.15,М0,с. 2441-2443.

46. Серегин fl.il.,Сивков B.Ü.»Насрединов Ф.С.,Васильев Л.П., Крыльников ¡Ü.B., Влияние перехода кристалл-стекло на локальное окружение атомов в полупроводниках,в сб.Структура и свойства некристаллических полупроводников,Наука,Л., 1975,с.139-143.

47. Seregin P.P.,Sivkov V.P.,Nasredinov P.S.,Vasilev L.N., Iirylnikov Yu.V.,Kostikov Yu.P.,The influence of the crystal-to-glass transition on uhc local structure of semiconductors ,Phys .status solid! 1977,v.a39 ,172,p .437-444.

48. Серегин П.П.,Насрединов Ф.С.,Серегина Л.Н.,Васильев Л.Н.,

49. Костиков Й.П. »Тураев ЭХ.»Электронные спектры кристаллических и стеклообразных полупроводников/МО 1977,т.3, гё5,с.¿12-5X8.

50. Структура ближнего порядка стеклообразных и кристаллических сплавов кремний-теллур и германий-теллур»изучен- 157 ная методами йГР и электронной спектроскопии, ФХС 1979, т.5,№5,с•559-662.

51. Тураев З.Ю.»Исследование структуры и электрических свойст эвтектических структурно-неупорядоченных полупроводников в системах А^-Те,А"^-Те и Автореферат канд. диссерт.,Л.,1980.

52. Серегин П.П.,Васильев Л.Н»,Исследование методом Мессбауэ-ра влияния перехода стекло-кристалл на локальное окружение примесных атомов олова в As^Te^ и къ^^Лъ^е^,

53. Ш 1972,т.14,№5,с.1540-1542.74eSeregin P.P.,Sagatov М.А.,Masets Т.Р.,Vasilev L.N., The influence of the crystall-glass transition on the state of impurity tin atoms in chalcogenicie semiconductors, Phys.status solidi 1975,v.A28,HI,p.127-132.

54. Серегина Л.Й.,Исследование структуры ближнего порядка ихимической связи аморфных и кристаллических фаз»выделяющихся в процессе закалки расплавов бинарных и тройных соединений и сплавов»Автореферат канд.диссертации,Л.,1981

55. Серегин ii.il.»Васильев Л.И.,Эффект Мессбауэра в стеклах системы мышьяк-селен-германий-олово,Неорг.мат.1972,т.8, .£7, с .1238-1240.

56. Борисова 3.У.,Химия стеклообразных полупроводников,изд.1. ЛГУ,Л.,I972,c.I82-I85.

57. Борисова З.У.»Васильев Л.Н.,Серегин П.П.,Шипатов В.Т., Эффект Мессбауэра в полупроводниковой системе мышьяк-селен-олово ,ФТГ1 1970 ,т Л ,JÉ3, с. 533-536.

58. Васильев Л.Н.,Серегин П. П.,Липатов В.Т.,Эффект Мессбауэра в системе мышьяк-селен-олово,Неорган.мат.1971,т.7, HI, с. 2069-2070.

59. Серегин П.П.»Васильев Л.Н.,Пронкин A.A.,Исследлвание сп ктров ИГР сплавов систем мышьяк-сера-олвво,фосфор-сера-олово,фо сфор-селен-олово,Неорган.мат.1972,т.8, ^2,с.376-377.

60. Яоттон §.,Уилинсон Дж.»Современная неорганическая химия Химия переходных элементов.т.III.Мир,М.,1969,

61. Сивков В.П.,Физико-химическое исследование состояния примесных атомов в стеклообразных полупроводниках,Автореферат канд.диссертации,Л.,1978.

62. Suptitz P.,Lebedev Е.А.,V/illert I.V/.,Diffusion of gold and silver in amorphous ASgSe^,insElectronic Phenomena in lion-crystalline semiconductors ,Leningrad, 1976,p .¿65-268

63. Биктимирова В Д. ,Болтакс Б.й., Борисова З.У.Джафаров

64. ТД.,Образцов А.А.Диффузия и зарядовое состояние примеси золота в стеклообразном селениде мышьяка,ФТП 1974, т*8, HI, с. ¿174-2X80.

65. Аверьянов В Л. .Насрединов Ф.С. ,Нистирюк П.В.,Приходько

66. О.Ю.,Серегин П.П.»Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка оловом,ФХС 1982,т.8,^5,с. 541-54590 .Абрикосов Н,Х.,Шелимова Л.Е.,Нолупроводниковые матери1. ГУ У Талы на основе соединений А В ,М.,1975,195с.

67. Коттон #,,Уилкинсон Дж.»Современная неорганическая химия.Химия непреходных элементов.т.II,Мир,№.,1969,с.306-334.

68. Аверьянов В.Л.Дюбин В.М.,Насрединов Ф.С.,Нистирюк П.В. Серегин П.П.»Механизм проводимости стеклообразного се-ленида мышьяка,модифицированного железом,ФТЛ 1983,т.17, гё 2 ,с.353-355.

69. Aggs.rwal К. ,LIendiratta K.G. ,Mossbauer studies in PeSe ' system,Physica 1977,v.BC90 ,ii2 ,p .269-271.

70. Patseas G.A.,Dormant J.L.,Pruilhe R.,Brosard L.,Gilbart R Test of the "3c" and "4c" Fe^Seg.Okazakis superstructures of Mossbauer effect,physica,1977,v.BC86-88,part2,p.887-881

71. Tsu Т.,Howe A.,Greenwood N.,The Fe-Se system.II.Mossbauer diffusional line-broadening studies of Pe^xSe2,

72. J.Sol.state Chern.1977,v.20,N3,p.287-295.

73. Чижиков Д.М.»Счастливый В.П.,Селен и селениды,Наука М.,1964,с.301.

74. Ю2.Регель А.А.,Исследование халькогенидных стеклообразных полупроводников,включающих атомы с ненасыщенными связям и, Автореферат канд.диссертации,Л.,1983,

75. Прокофьева Л.В.,Зарубо С.В.,Насрединов Ф.С«,Серегин Л. Эффект перезарядки атомов олова в твердых растворах- 161

76. PbI-x5nxS ,Письма в 1ЭТф,1981,т .33,M,c.I4-I5.

77. Прокофьева Л.В.,Насрединов Ф.С.,Никулин Ю.11.,Серегин П. Исследование методом мессбауэровской спектроскопии твердых растворов ,P&j-xSnx$e и Pbj„xSnxTe, ФТТ 1982,т.23,№6,с. 1972-197?.

78. Кошкин В.М.,0вечкина Е.Е.,Романов В.П.,Ядерный гамма-резонанс на нейтральных атомах олова в кристаллической матрице 1п2Те3, ЮТ§ 1975,т.69,j£5,с.2218-2221.

79. Юб.Залюбовский 1/l.k.,Кошкин В.М.,Курагин Н.А.,0вечкина К.К., Подус Л.П.,Рентгеноспектральное исследование электронного состояния примеси олова в полупроводниках типа Хп^Те^ mi 1980,т,14,^1, с.208Х-2085.

80. Anclreev A.A.,Ablova M.S. ,iJasreainov P.S. ,Ser&gj.n P.P., Tur&ev E .Y. ,Eutcctic glassy semiconductors in the

81. A(III)-Те and A(IV)-Te systems,in:Proc.Seventh Int.Conf.-Amorphous and Liquid Semiconductors,Edinburgh,1У77,p.44-47.

82. Cornet J.,The eutectic law for binary Te-basea systems; Correlation between glass formation ana the eutec-cxc composition-B1®' Структура и свойства некристаллических полупроводников »Ленинград, 1976, с. 72-77.

83. ИО.Абрикосов Н.Х.,Банкина В .Ф. ,Порецкая Л.В.,Скуднова £.В.

84. Чижевская С.Н.Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе,М.,1975,220с.

85. Ш.Миргалевская М.С.»Скуднова K.B. »Структура теллурида алюминия,Изв.АН СССР ОГН,металлургия и топливо,1959, с.148-150.

86. Woоley J.,Pampin R.,Some propeties of In2Te^ and Ga^Te^, J.Electrochem.Soc.1961,v.108,Ы9,p.874-879.

87. ИЗ.Серегин ii,П.,Савин 3,11.»Эффект Мессбауэра на примесных• ' JPQ Шатомах в кристаллах типа А^ .Те^, ФТТ 1972,т.14,1. МО, с .1798-1800.

88. П4.Гарьков В.II.»Комиссаров Б.А.,Кузьмин Р.Н.,Заикин П.И., Особенности эффекта Мессбауэра в теллуреДЗТФ 1972, т.52,№3,с.1037-104 2.

89. П5.3асимов В.С.,Кузьмин Р .Н. »Александров А.Ю.»Феров A.la., Ддерная квадрупольная дифракция резонансного излучения в монокристалле теллура,Письма в ЖЭТФ 1972,т.15,№7, с.394-398.

90. Пб.Нистирюк П.В.»Исследование с помощью примесной мессба-уэровской спектроскопии структуры ближнего порядка кристаллических и аморфных полупроводниковДипломная работа,Кишинев,1979.

91. Чижиков Д,.М.»Счастливый В.П.,Теллур и теллуриды,Наука, М.,1967.

92. Серегин П.ц.,Пасрединов ш.С.,Нистирюк П.В.,Регель A.A., Природа электрической неактивности примесных атомов олова в In^Te^, ФТП 198^,т.15,.ч?2,с.

93. Кошкин В.М.,Гальчинский JI.П.,Корин А.Н.Электропроводность сильно легированных полупроводников типа

94. В2. С3У1,ФТГ1 1971,т. 5,НО, с.1983-1985.

95. Жузе В.fi. »Сергеева В.М.Делых А .И . /Электрические свойства In^Te^ полупроводника с дефектной структурой,

96. ФТТ I960,т.2,ill,с.2838-2871.

97. Драбкин й.А.,Мойжес Б.й. »Санфиров й.3.,0б электрической неактивности примесей в полупроводниковых соединениях типа 1п2Те3, ФТП 1979,т.13,И,с.134-137.

98. Micklitz Н.',Barrett Р.Н. ,Hyperfine interactions of Ij-9Sn atoms in rare-gas matrices at 4.2K,Phys.Rev.1972,v.513,1. N2, p. 1704-1707.

99. Серегин Д.П.,Листирюк И.В.,Пасрединов Ф.С.,Олово какизотопная примесь в кремнии и германии,ФТТ 1973,т.17, №, с. 2330 -2334.

100. Нистирюк И.В.,Диффузионное распределение примесных ато-мое в кремнии и германии и некоторые аспекты их миграции под влиянием подпорогового облучения,Автореферат канд.диссертации,Л.,1978.

101. Серегин П.П.,Бахчиева С.Р.,Яекуа М.Г.,Петров А.В., Мессбауэровское исследование примесных атомов олова в кремнии и германии,ШГТ 1979,т.21,Н,с.1236-1239.

102. Bakhchieva S.R.,Kekua K.G.,Seregin P.P.,a study of tin impurity atoms in silicon,germanium and silicon-germanium solid solutions by means of Mossbauer spectroscopy, Phys. status solidi,I9SI,v.A63,liI,p.23-30.

103. Кистирюк И.В.,Серегин II.Л.»Элементарный акт миграции в кремнии под действием подпорогового облучения,ФТТ 1976, т .18, М, с .1170-1172.

104. Norem Р.0.,Wertheim G.K.,Mossbauer effect isomer shift 57of Fe in silicon and germanium, J .Phys .Chem.Sol .1962,v.23,p.IIII-III3.130 57

105. Bemski G.,Gonzalez G.,Peyrre J.J.,The ^'Pe Mossbauerspectra in copper doped silicon,Phys.Lett.1970,v.31, N4,p. 231-232.

106. Болтакс Б.И.,Бахадырханов К.M. .Серегин П.П.,Эффект Мессбауэра на примесных атомах мРе в кремнии, ФГТ I97I,t.I3,Jip9,C.28I0-28I2.

107. Исследование состояний железа в диффузионных слоях кремния методом йГР,Неорган.мат. 1975,т.II,№1,с.158-159

108. Нистирюк П.В.,Болтакс Б./1.,Серегин il.il.Диффузионное распределение и состояние атомов кобальта в кремнии, ФТТ 1975,т.18,№2,с.592-595.

109. Серегин П.П.»Исследование влияния перехода кристалл-стекло на локальную структуру и состояние примесных атомов в полу проводниках,Автореферат докт.диссертации, Л.,1981.57

110. Sawicka B.i). ,Savvicki J.A. ,î,iossbauer absorption by Ре ■ • implanted into silicon,Nukleonik, 1974,v. 19 ,ïT9 ,p .811-816.

111. Sawiclci J.A.,Sawiclm В .D., Evidence of the electric57quadrupole coupling ox ^ Fe implanted in silicon, Piiys.Lett.I977,v.3,p.311-3X2.

112. Sawicki J.A.,Sawicka В .D.,Correlation of ^'Pe isomer ' ' shift,quadrupole coupling and interatomic distance in group-IV elements,Phys. status solidi,1978,V.B86,N2, p.156-161.138

113. Savvicka B.D. ,Sawicki J.A.,Stanek J. ,Tylizczak T.,

114. Kowalski J.,Temperature-dependent conversion electron57

115. Mossbauer rnessurements of ^ Fe implant id in silicon and germanium,Phys. status solidi ,1979 ,v .56,112 ,p .45I-45b.

116. X.Андреев А.А.Серегин П.П.,Иасрединов Ф.С.,Мездрогина

117. М.М.,Листирюк 11.S.,Коньков О.Й. »Структура ближнегопорядка аморфного кремния»изученная методом мессбауэровской спектроскопии,#ТТ 1981, т. 23, i<?7, с. 214 5-2147.

118. Polk D.Е.,Structural model for amorphous siliconand germanium,J.Non-cryst.Sol.1971,v.5,N5,p.365-376.

119. Андреев A.A.,Голикова O.A.,Насрединов Ф.С.»Йистирюк П.,

120. Серегин il.il.»Влияние примесных атомов олова на свойства аморфного кремния,ФТП 1982,т. 16,№б,с.Ш7-Ш9.