Радиационно-индуцированные процессы на фазовом переходе в кристаллах галоидов аммония тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ФИЗИК0-ТЕХ1П1ЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НА.' К Я Г ^ 0д РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН

/ А

/ "• Ра правах рукописи

МУХЛИВДРАХГСгОЗ- КАРИПОЛА УЛЛИЕВИЧ

¿ода 535.37 : 538.95В

РАДИАЦШ1НО - ИНЦУВДРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ФАЗОВОМ . ПЕРЕХОДЕ В КРИСТАЛЛАХ ГАЛОИДОВ АММОДОН

01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой стзпвни кандидата физжо-математпчэских наук

Алматн , 1994

Работа выполнена в Карагандинском государственном университете им.Е.А.Букетова

Научный руководитель

доктор физико - математических наук,профессор Кукетаев Т.Д.

Ведущая организация

Омский государственный технический университет

Официальные оппоненты : ' доктор физико - математических

каук.СНС Пивоваров С.П. кандидат физико-математических наук.доцент Нурахмэтов Т.Н. .

Защита состоится " S1994 г. в ^*час'ов. на заседании специализированного совета Д53.08.01 при Физико-техническом институте КАК РК по адресу : 480032.г.Алыаты,82, ФТИ HAH РК. ' .

РК.

О диссертацией козою ознакомиться в библиотеке ФТИ .НАН

.Автореферат разослан " $ 1994 г.

■Ученый секретарь

специализированного совета Д53.08.01 к.ф.-м.н.

Бятенбаев Ы.И.

Обшая характеристика работы

Актуальность темы. Одной из основных задач современной физики твердого тела является исследование процессов,сопровождающих взаймодействие ионизирующих излучении с кристаллами и отклик последних на подобное воздействие. Работы в этом направлении стимулируются требованиями техники и технологий, которым необходимы радиационно-стойкш или рэдиациошю-чувс-твителъные материалы. Кроме того возде""тв:те радиации или введение в кристаллическую решетку прнмз^й позволяет существенным образом варьировать различные физические свойства конструкционных материалов.Для целенаправленного поиска необходимо глубокое понимание радиациогаго-индуцированных процессов. Решение возникающих при этом проблем во многом опре" деляются экспериментальными и теоретическими исследованиями на модельных системах.

В качестве модельных объектов для изучения радиацион-но-индуцированных процессов в диэлектриках рассматриваются простые бинарные ионные (ЩГК) или соединения с ковалентным характером связи ( окиси алюминия или магния ). Однако развитые на них модельные представления не переносятся адекватно на кристаллы с более слс:шым типом химической связи и имеющих подрепгатки из квазимолекулярных образований. О

этой точки зрения АГК представляются исключительно удо^пЛ «

¡.отдельной системой , поскольку с одной стороны они ближййшие аналоги ЩГК, с другой - нмеит сложный катион.На наа взгляд, ошт являются как бы переходным моеттегм ко'чду простейшкга

соединениями и диэлектриками,обладающими сложным кристаллическим базисом.Именно подобные диэлектрики с уникальными 'физическими свойствами ( сегнетоэлектрическими, двойного лучепреломления и т.д.),находят.сегодня широкое применение.

Главной отличительной чертой АГК является наличие полиморфных фазовых переходов.На важность исследования влияния фазового hbjэхода на спектрально-лшятесцентные свойства, миграцию анергии электронных возбуадвний,механизмы дефвкто-тооОразования и рекоыбинационных процессов указывал еще академик «Сд.Клемент {см.Труда ИФА АН ЭССР.-1955,№-с.3-44].,

В 1Э57 г.Л.Я.УИОо обнаружил на фазовом переходе порядок -беспорядок в кристалле !ffl^oi-Tl явлоцие "холодной вспышки". Однако, впоследствии работы по тврмосгамулировашой люминесценции на фазовом перехода в литературе не встречались.

Комплексное изучение данного явления актуально пв только из-за его неизученности. Но и в силу того,что большинство из соединении аммония имеют практическое применение или перспективы такового и для них характерным является нажгчиа полиморс&щх фазовых переходов и дефектов в катионной подре-шв'зке.анологичных а АГК.

Диссертационная работа выполнена в рамках госбюдаетной теми Карагандинского" государствешюго -университета, коор-координируемой планом АН СССР на 1985-1990 гг. по направлению . "Люминесценция и ее применение в народном хозяйстве".

Цель работы . Комплексное исследование радаационно-muiyi ированного свечешя на фазовом переходе порядок -беспорядок л активированных кристаллах галоидов • аммония ; устанок'ннле обидах закономерностей возникновения свече-

кия при введении примесей различного плектронмого с1роетм и зарядового состянля ; установление моханиемч яоз!шк!горения данного свечения.

Научная новизна денных исследований зьключаетсл в следующем:

- Впервые проведено коталексноо исследование радиа-циошю-индуюфовпнного свечения на фаповом пароходе в активированных АГК;

- Установлено , что свечение возтя^эт только в облученных ионизирукщ-эй радиацией галоидах аммония , -имеющих примеси замещения в катионной подроиетке;

- Возникновение свочешт не-зависит от электронной конфигурации и валентности примесей , что придает ему черты универсальности!

- Определена энергия активации реколйинационного процесса при температура фазового перехода и предложены механизмы реализации выше упомянутых рекомбина^гаишх процессов.

Научная и практическая ценность. Приведенные в'диссертации результата могут быть использованы в общем контексте радиационной физики твердого тела, поскольку спи представляют возггогность глубг.э понять вагзшо детали энергетических переходов в 1фисталлах с дефекте;.®. !.'лсгпэ соедгагония, жею-цпо полиморфные фазовые переходы, представляют интерес для оптоэлектроники и паки результата позволяют прогнозировать . их поведошге в радиационных полях. Изученное в работе явление моглт быть использовано для кзчестветгого анализа АГК но наличие примосоЗ.

- Полоненил, наносимые на заидау: .

.- 1. Результата экспериментальных исследовании пика ТШГ при температуре фазового перехода порядок-беспорядок в активированных АГК.

2. Механизмы реализации рекомбинационкых процессов,обуславливающих возникновение свечения при температуре фазового перехода в активированных галоидах аммония.

3. Данные экспериментальных исследований о зависимости запасенной светосуммы от экспозиционной дозы облучения и

от концетрации вводимых примесей в АГК. .

Вклад автора. Основные экспериментальные результаты получены лично автором.Интерпретация полученных результатов проведена автором совместно с научным руководителем.

Аппробация работы. Основные результаты работы обсуждались на I Областной научно - практической конференции (г.Атюбинск,1988), Региональной научно-практической конференции молодых ученных(г.Караганда,1988),Х Всесоюзном совещании по кинетике и механизму химических реакций в твердом толе и на поверхности (г.Черноголовка, 1989),II Республиканской конференции по физике твердого телз" (Ош.1989), VII Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорга-. _ ■ i

шчвских материалов (г.Рига, 1989), II Республиканской конференции "Физика твердого тола и области ее применения" (г.Карагандв.1990), Неквузовской конференции га физике твердого тела <г.Караганда,1992), Международном семинаре "Радиационная стойкоть материалов в условиях космического космического пространства" (г.Обнинск,1993), Международной конференции -"Диэлектрики 93" ir.С.-Петербург,1993). •

• Публпссцяя. По материалам, шзадгим в дапсертг.щга,опуб-

лизсорпко 13 статей и тозтгсов докладов.

Объем работа. Диссертация кзлогэпа на 132 стргякцах мэ-шккопксного текста, содэргэт з тг.блщы, 42 jncymta, список литератур! из га 140 KsirjonoBaicrt и'состой г из введения, пяти глав п заключения.

С0ДЕЕ1АИЕ PAECf* ■

Во ЕВЭД61ГЛ! показана актуальность проводэнгегх исследований , обоснована постановка задачи , приведена положения е!гаоси?ас на загщту.

В первой главе дан обзор по исследованию радиационных дефектов , механизмов рвкомбинйциошшх процессов в 'шстн? и активировавши: АИС, приводятся основные физические свойства лгк.

Показано,что несмотря ив достаточное количество исследований по термостимулирозанкой люминесценции акткшгрсзатшыг,. АПС.в литературе сообщается лпзь об единственном исследовз-нии спектров ТСЛ нэ фазовом перехода в кристалле ш4С1-И + .г в этой связи природа и механизм процессов, ведущих появлению свечения на фазовом переходе,до сид пор не установлен!!. *

Во второй главе списывается мэтодика получения кристаллов и порошкообразных крясталлофэсфэров' кис чистил, так п активированных ионагет рззлгчных металлов, мотодика эксперимента .

Для эксперимента использовались в основном тторогакоаб-

ракше кристаклофосфорц , полученные путом. прокапква-аак солей. амглония с соотвотствующдаш солями активатора в откачанных к огяашшх шгрексоьых сшулах при температуре йОО°& Бия;: исследовани АГК ьктнвяровашшв ртутеподобньши ионаж с пп-&локтрошой кон^игураплэй, ргдаозоггелышцх конами Еиг+ в с í7 и *1<* - &яоктрошюй конфигурацией-,

.ионом 0и+ - элскгронноС коа^ггурацд-эй nd10. Для очистки исходного сырья использовалась кнтекратаен пэрвкристаллиза-ция, спектры поглощения из.-оряАлсь па саоктрофотомзтрс СФ-16, Спектры получ81Е:я i: сэйбуздсшия, кр^аз 5UT комэрялясь ка ycT£aos¡:s, гобришоЛ на база кспохрсматоров 05-16,ЫУМ. Регистрация излучения проводилась СЭУ-.;9А, 23У-8Э к СЗУ-92 в аавис;й,!Осга о? енг.ллзируекой спектральной области. Псточ-возбувдешт схуаиш легяш ДЦС-30, ДД(В)-400. Образец иагрэьплся с цосхошюй скорость» в течение одного измерения, скорость нагрева fi - 0,0/5 - 0,15 К/С.

При исслодовгшш ра»:ациошо-ш1дуцированншс процессов облучони« крцстсллоз использовалась, реитгонозсквя ус-тшкима УРС-553 с трубкой ПОВ-2 антикатодов Ро ,Сц 4-J5 кБ, I « ЮА. Бреил акспорща шбиралось соотьотствошр 10, 20, 40, £0, СО, "0Q, 120 цшу?. Температура во всех случаях контролировалась ¡.¡здь-коистсн'ШюсоИ термопарой.

В тротьой -глава приводятся аксгюримонтслышо данные по радиштошю-индуцироБШЛой .¡ташнесценции на фазовом дароходэ порядок - беспорядок в АГК, шстивяровагашх ртутеподобнымл ионами, иолами благородгшх металлов й редкоземельных элэмен-. гс:. U--)- •

Рассматриваются общие, закономерности протекания реком-

бинационннх процессоп на фазовой переходе а АГК с различной примесью. Пройде всего показано , что шпс Т' Л на фазовом переходе порядок - беспорядок возникает только в активированных и облученных кристаллах.

IIa р;тс.1' приварки спектры ТСЛ для кристаллов ^ШТ^С! с и без акг"т .зторов.Результаты показывают что ши ТСЛ па фазовом переходе такке но зависит как от электронного, так и

зарядового. состояния' примеси.

Определены значения эпету-пш активации (Еа") термкческо-го освобождения носителей заряда вычисленных методом начальных приращений (Тпол.1). Как видно из таблицы,наблюдается некоторый ' разброс в значениях (Еа") для разли'пшх активаторов,ко d целом этот разброс лопгг в пределах погрешности измерений. Таккм образе:?, энэргпя активации пика ТОЛ па ^пэозом пэрехолэ по завис"? от элоктронпого состояния примэсл п составляя? гц= о,з£о,1 эВ.

Зэшгспмостт, агпасеяЕоЯ сввтосуксо! ' о? зкссезкщюиной доен облучения гзпез ТСЛ на Фор.оеом парохода в АГК для всех бвдзз октпраторон , имеет схожий вяд : .рос.л»

. ¿о> Но по 2S0r'y ssi-Рио.1 Спектры ТСЛ крлс

таллов: 1 - ШдС1 ;

2 - Ш. 01-21

+'.

3 - Ш.С1-ЕГ1-' j

Таблица I,

Энергия активации, твр,шеского освобождения зарядов ( Еа) us фазовом переходе (эВ)

КН/С1-Т1+ 4 0,30 0,30 0,39 0,22 0,23 0,23

mi,ci~sn2+ 4 0,27 ■ \ 0,25 0,26 0,26 0,37 0,25

Ш401-ВЦ2+ 0,27 0,25 0,29 0,25 0,27 0,32

Ш14С1-УЬ2+ ■0,38 0,40 0,39 0.27 0,26 0,30

(Ш4С1-Си+ 0,35 0,40 0,32 0.29 ' 0,31 0,28

НН401~Т1+ 0,36 0,35 0,28 0,32 0,24 0,27

Ш4Бг-ЗП2+ о;'4о 0,40 0,37 ' 0,32 0,23 0,34

!í»4Br-Evi2+ 0,39 0,40 0,40 0,34 0,36 0,36

Ш 4 ■ о,эа . 0,36 . 0,29 0,24 0,40 0,30

Ш.Вг-Ои+ 4 . 0.23 • 0,22 0,25 0,20 • 0,24 0,26

резкого подъема идет медленное нарастание, -переходящее в насыщение. В виде примера на рис.2 приведена зависимость запасенной светосуммы от экспозиционной дозы облучения в пике ТСЛ на -фазовом переходе в !РЬ01 и

ШдВг ■ с примесями

Еи2+ И

Таким образом, следуя зависимости запасенной свата-суммы от времени облуче-ченкя , могло выделить два стадам накопления' дефектов, ответственных за появление пика ТСЛ на фазовом переходе - быструю и медленпуы . Нага» ¿о ¿о ~ Уо ¿¡дЧ^яличиэ медленно!! стадии мн связываем о действием канала повторного захвата носителей заряда па более глубоких уровнях.

Нами . исследовасн тегасэ концентрационная зависимость .

запасенной св9Тосу!,;,21 на фазо-*

вом переходе в . АГК с данкнга •£ктнва?ораг.я . На . ряс.З лря-Бгэдв1ш результаты этих, исследований* Для активаторов ?1+ и Бп21" наблюдается практически линейная зависимость запасенной светосуммц от концентрации прзиоси . Это говори? о. том , что обе стадии накопления дефектов - быстрая

Рис.2 Зависимость запасенной свзтосуммц на фазовом переходе от времени рентгеновского облучения 1 • 1-Ш4Ег-Еиг+; 2-Ш4С1-Еи2+5 З-Ш^Вг-УЬ24"; 4-1Ш4С1-УЪ2+.

и медленная - обусловлены дефектами, в состав которых входит примесь Т1+ пли En24". В случае наличия в АГК: примеси Eu2+ , УЬ2+ и 0ц+ , концентрационная зависимость запасенной свотосушы несколько иная , например, для

редкоземельных элементов наблюдается вначале увеличение, а затем спад запасенной све-тосушы. ■ Данный спад объясняется уменьшением интенсивности свечения на фазовом переходе , связанный как с образованием агрегатов, так к с увеличением доли без-ызлучатольной ' рекомбинации.

В данной главе приведены такг;о результата исследований Гп^.з Зависимость запасен- спектрального состава renca ТСЛ v.oí'í сватосумш от концентра- на. фазовом переход с порядок-Ц5Ш примеси в : беспорядок в АГК с "разшии

о) с таллием: 1 -bil^Bi—í • • активатора;,¿I . . Спектральный 2-ГЯдС1-51+; состав ronca ТСЛ для всех б) с оловом: 1-Ш4С1-2п2+; кристаллов'на фазовом ггорехо-2-ш^Вг-бп2+. ■ -де содаркит голосу акткватор-! лого свечения , совпадаю::,эй

с полосой в спектре -фотолюминесценции, и дополнительную полосу, совпадающей с полосой .в спектра реиггеколЕяшас-ценцкн, соответствующей.- центру свечения, а состав которого входит Ш-,0 . . "

В четвертей глвм пр:гпэденн экспэр:а.:энталып-го рззуль-тсти 'Нсслодопотпгй ра !щацпошо-отл.5уя:фозо1шоа лгяпосцопют в Ara с прзмэс'яка 0d2+", и 01" , m даквдх актква-торннх полос поглезэння- в области прозрачности кристаллической основы, споктрн рзнтгеяолп'.епшецепции jíh^Bi—c<i2+

и ml^br-iív

В спектрэ рзнтгеполг^шеецэгщпи • ra^Bi-Cd2"1" каблюдайт-

сл трт; полосы сзачоняя. Длинноволновая полоса с максимумом около 5 со ш бистро • заухсо? с позь'сотпкм температуры и практически па поб-лэдается е;г:з 150 к . Голоса свечения с максимумов 340 гм. п 410 им. наблздшотся п пр::-тегагоратуро фазового перехода.

В спектрах ТСЛ in^Ei^Cd2'"

t„я ХаЬЗг-к" цайлявоотся гпг:

i4

JТСЛ па ф^50Г-см пврэходо. Cmi;;-

-N

.)сос7г.з шпеа ТСЛ гтз

.]фазовом пердходо п 1ШДБ1—Сс1г+

">; солзргги полосу свэчбгп'я

340 ггл Л 410 ( ЕЛО. 4 ),

Гис.4 кривая ?эрм:;чесг.ого слздователыю, рэкемб'лнацкоп-

. ег?сг>-зч!гоегп;»л (-i)« спехтрплъ-• ■ rcft процесс на ' фасовок пера- .

ш)и срстрь пиков тсл крис— хода приводят у. ЕОЗбуаДвПЛЭ

, талла 'n;,Br~cd2+(6) • саг+ - ненов.

Ззачвнио эшртсга активации . для шка ' ТСЛ на . фазовом перехода для . Ш^Вг-Сй2"'' составило 0,34 аЗ ,. что согласуется с точностью * ф эВ со значениями анергии активации для других активаторов (тебл.1).

В спектро рентгенолшинэсцешши кристалла нн4Вг-к+ . наблюдаются две полосы свэчешш с максимумами,соотвэтствэнно, Д= 330 1&; к Д= -400 ш. Показано, что полоса Д= 330 нм, по аналогии с КС1-1Га+ связана с пзлучвтельнам распадом околопрймесного вкзитона 1° ( Еа+ ). Появление полосы 400 ш (дл связываем с влиянием ашлиака Ш^0, дакщэго докальпоо искааэнго рэтаткп. Спектральный состав пика ТСЛ на фазовом переходе содерзшт обе полосы излучения, обнаруженные нш.-л в спзктро раитгеналшинесценцяи.

В отличие от . всех рассмотренных наш вше» примесей £ кристалла! ЕН^Вг-01- евзчэние на фазовом переходе отсутствует, Отсутствие свэчешш на фазовом ' перехода мокэт означить, что рекомбинационные процессы, ведувде к появлению

»л—

свэчешш на фазовое; переходе порядок-беспорядок в ¿ГК.проис-в катионной подрешетке кристаллов.

В пятой главе обсувдаютбя механизмы процессов, приводящих к возникновению радиационно-индуцированного свэчешш на фазовом переходе в АГК.

Показано, что основным механизмом образования дефектов, ответственных за пик ТСЛ на фазовом переходе, является влоктронно-дорочшй. для выяснения вопроса о том,какими процессами обусловлен пик ТСЛ на фазогом переходе, мы использовал! в качество ■ "реперного" пик ТСЛ Ук- центра. Обесцвечивая в полосе поглощения Ук-центра, после

облучения рентгеновскими лучами^ мы пришли к выводу, что пик ТСЛ на фазовом переходе обусловлен, по всей вероятности, электронно - дырочными процессам!. Проанализирована роль электронных центров NHgX -, а также протонов в механизме возникновения свечения на фазовом перехода. Для этой цели использованы квантовохга.тическпе расчеты методом '.ГСЩЦТ/З кластера (Ш^Ш^СХ), моделирующего пн^сх-центр. на основе этих результатов предлагается следуЕ^яй механизм возникновения свечения при наличии примеси возможна стабилизация ориентации NH3+ за счет исканенйя кристаллической решетки и процесс депротоннзецял катиона происходит за счет

переориентации т4+ на фазовом переходе в АГК. Образовавзий-ся при ■депротонзг.ецгш протон мигрирует п. .рекомбнпируег с Ш3°, при этом выделенная энергия передается примесному центру с ее последующим высвечиванием через возбузденное состояние этого центра.

В paintax этой «одели становится понятный появление пика ТСЛ при температуре фазового перехода, постоянство энергии активации,спектральный состав излучения.

При малых дозах облучения, когда концентрация Ш3°- • центра мала, работает второй механизм активации рзкомбинационного процесса ■ - термическая стимуляция центров захвата .sa счет энергии, выделяе?лой па фазовом переходе порядок-беспорядок Е => fflàs. . : .

Осношше результата а выводы .1 .Впервые экспериментально проведено комплексное нзучо-

ние пика ТСЛ на фазовом переходе в хлориде и бромиде аммония» активированных ионами с различными электронными конфигурацию,а;. Наблюдаемое свечение носит рекомбинвционный характер ы его возникновение но зависит от вида примеси в катионяой подрешеткз. При введении примесей в анионную ■ под-решетку термостимулироввнное свечение на фазовом переходе не возникает.

г.Ирэдчожбш два механизма возникновения радиационно-кндуцированного свечения но фазовом пароходе в АГК : первый из ¿шх сзязан с депротонизацкзй иона т^ в облученных и акхшзирозагешх галоидах аммония с последующий передачей энергии рекомбинации протона с Гш^0 центрам люминесценции ; второй - симуляцией ракомбинационного процесса энергией,выделяемой при фазовом переходе. Данные модели основываются на всей совокупности экспериментальных результатов и объясняют обдаю закономерности протекания изучаемого явления.

З.Устеновлэно.что запасенная свзтосуша пика ТСЛ на фазовой переходе при. увеличении времени облучения кристаллов Еспшываэт насщэниэ , величина которого зависит от концентрации вводной привел '. Следовательно, в рекомбинаци-ошюм процессе проявляются два стадии накопления дефектов. При' достаточно больших временах облучения включается канал повторного захвата носителзй заряда, приводякуйН'к явлению "холодная вспыеко" при охлаадокаи возбужденного кристалла.

А. При фотообосцвочиБшсги в полосе поглощения У|{-цептров наблюдается укеныаенио шионсивностп гожо ТСЛ на фазовом переходе. Это указывает на электронно-дырочный характер рокомбинационной лкмьнэсценции.

5. Установлено, что энергия активации рекомбинационного процесса на фазовом переходе не зависит от времени облучении концентрации примесей и их электронной конфигурации, В пре -делах точности эксперимента она постоянна для данного кристалла, Данный результат показывает, что рекомбинационный процесс идет в матрица и не связан с радиационно-наведенными примесными центрами. Введение ионов К* в AIK, являющихся оптически неактивней примесью, подтверждает данный вывод.

По теме диссертации опубликованы следуваие работы;

1. Мурзахметов U.K., Мухакедрахимов К.У. Спектроскопические проявления фазового перехода в активированных кристаллах

H^Br-Tfc. Тез.докл. I Областной научно-практической конференции - Актюбинск, 1988. - С,32-33.

2. Пухамежрахимов К.У. К вопросу о рекоибннациояной ли -шшесценции в АИ // Тез.докл. регион, научно-практ. Конфе -ренции молодых ученых. - Караганда, 1988. - С.85.

3. Юров В.М., Кукетаев Т.А., Мухамедрахимов Д.У. Кссла -доваиис спектров термостимулированной люминесценции з области температуры фазового перехода порядок-беспорядок ампоииВно-галоидных кристаллов¿ активированных ионами различных металлов. // Деп.ШНИИ "Депонирование нау.чные работы", - ¡i.: 1989, 4(210). - С.175-180. - деп.2477,

Ким Л,Ы., Бактыбеков К.С,, Мухамедрахимов К.У. Роль катионной подрешетки в радиациозшо-епшулироэанних реакциях В галоидах аммония // Тез.докл. X Всесоюзного совещания по кинетике и- механизму химических реакций в твердом толе, часть .Л, - Черноголовка, 1989. - С.24.

17

i

5. Мухаиедрахиыов К.У., Кукетаев Т.Д., Юров B.U. Терио-стимулиоованная люминесценция АГК с кахионнозамонящей прииесью И Тез.докл. П Республ, конф, по физике твердого тела, - Оа, 1989. - С.168..

6. Кукетаев Т.А., Кангозин К.Н., Цухамедрахиыов К.У. Исследование радиационных дефектов в ашонийно-галоидных крис -

iаллах, актированных европием // Тез.докл. УП Всесоюзной конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов, -часть I, - Рига, 1989, - C.9G.

7. Кукетаев Т.Д., Юров В.!.!,, Мухаиодрахимов К.У. Радиацион-но-стицулироваинра свечение на фазовой переходе в активиро -вааных кристаллах галоидов вмыошш // Тез.доил УП Всесоюзной конф, по радиационной физике и химии неорганических материалов. - чясхь I, - Рига, 1989. - C.9I-92,

. 8. Юров В,Li.» Кукетаев'Т.Д., Мухамедрахиыов К,У. Термости-гулпровднна.н люнинесцонция АПС с тоикесвю калия п кадиия. // Со.научи.трудов' "Радиационные дефекты в твердых телах". -Караганда, 1969. - СЛ9-24.

lj. Уеерсон Е.Е., Мурзахметова Г.К., Ыухаиедрахпыов К.У. Влшшле рентгеновского облучения на электропроводность крис-таллоз Д/Н^СЕ, с добавкой ТЬ и Си Ц Сб.научных трудов /Радиационные дефекты в твердых телах". - Караганда, 1989. - С,69-72.

10. Мухамедряхшов К.У., Муханедрахпиова Г.й, Радаационно-

I

стимулированная люминесценция на фазовом переходе ь авизированных АГК // Тез.докл.Росп.конф, ФТТ и новые oo':;atur. ос применения". - Караганда, 1990. - С.261.

11. Кукегаав Т.А., Юров B.U., Мухамедрахиыов К.У. О ;:еха -

низмах радиацмоино-индуцированного свечения в области фазового перехода в кристаллах галоидов аииония // Тез.докл. Респ.коиф. "ФТТ и ноЕые области ее применения" - Караганда, 1990. - С.263.

12. Кукетаев Т.А., Кии Л.П., Мухаиедрашшоз К.У. Особенности стабилизации дефектов в галогенидах аиаоиия // Тез.докл. иежвуз. конф. 1,ФТТ и ноше области ее-применения" - Караганда, 1992 - С.36.■

13. Кии Л-.Ц., Кукетрвв Т.А., Ыухаиодрахинов К Л. Особенности рексшбинацконных процессов а сблучешшх активированных галоидах аммония // Тез,докл.научной конф, "Диэлэктрики-93". - С.-Петербург, 1993. - С.132.

Мухамедрахвмов Каряпола Уелиулы Аммоний галоидтары кристаллдаршши фазалык етулвр1н-Д9П радиация аркылы индукцияланган процеостер

Электрондак курылымдары. жэна зарядтык кгйлер! артурл1 кондармен активтенген аммоний галоидтары кристададарышад фазалык етулер!ндег1 радиация аркылы индукцияланган сэулэ шыгарылуынын комплекст! зерттеу! етк1з1лген. Корланган карт? Еинагынын. коспанын концвнтрациясынан - кэне экспозициялык сэул9лечд1ру дозасынан тауелдШг! зврттелген. Фазалик втулорда заряд тасупгаларды кызу аркылы босатуннын активтвнд1ру энергиялары вныкталган.Эртурл! коспалары бар аммоний галоидтары крнсталлдары-¡шн фазалык етулерПщег! шыгарылатын сэулелер1н!н спектрл1 ктрзмы табалган. Эртурл1 коспаларды енНзгенде ашоний галоидтары кристаллдарынын фазалык е>тулер1ндвг1 сауле шыгарудын ¡кзлпылама за: ылыктары аныкталган. Аммоний галоидтары криста \л-дарындага фазалык етулер1ндаг1 сауле шыгаруынын ек! механизм! усынылгая.

Huchamedrachiijiov Karipola tfallewich . Radiation induced processes on the phase transition in ammonium halide crystals

Ccœplex investigation of Induced radiation on the phase transition in KHsonlum halide crystals, activated by ions of different electron structure and charge - state was performed. Dependencies of accumulated lightsum of. radiation doses and addition concentrations неге studied. Ths energy of activation of thermal liberation of charge bringera was determined. Radiation spectral content on phase transition was determined. The common laws of radiation, appearance on phase transition in ammonium halide crystals 'were defined in the case of introduction of different additions. Two mechanisms of appearance of induced radiation on phase transition in аллюпШп halide crystals arc suggested. ..

МГП JlpHHt" ИФВЭ HAH PK, 480082, Алматы Подэдс1яо а игчьть 05.G5.1994 r. . 3«xu 30. Буимч ТЗЯ.Л42 60x84/16 Ткраж J00 Уел n.::. 1,0