Рентгеноспектральный микроанализ тонких пленок на подложках с вариацией угла отбора рентгеновского излучения тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.02 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ДИССЕРТАЦИИ\\

1. АНАЛИЗ ОПУБЛИКОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ ПО ИЗУЧАЕМОМУ ВОПРОСУ

1.1. Рентгеноспектральный микроанализ тонких субмикронных слоев на массивных подложках. №

1.2. Экспериментальные методы определения функции распределения первично генерированного ХРЙ по глубине образца #($>£)

1.3. Теоретические методы расчета функции распределения первично генерированного ХРИ по глубине образца ЩЪ

1.4. Применение вариации утла отбора рентгеновского излучения для определения толщины и состава тонких пленок на подложках.

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Аппаратура.

2.2. Методика измерений

2.3. Исследование воспроизводимости и правильности результатов измерений . 5%

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССВДОВАНИЕ ФУНКЦИЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ

ПЕРВИЧНО ГЕНЕРИРОВАННОГО ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПО ГЛУБИНЕ ОБРАЗЦОВ.

3.1. Постановка задачи

3.2. Численное обращение преобразования Лапласа

3.3. Экспериментальные результаты

3.4. Модель для расчета распределения ХРИ по глубине образцов

3.5. Проверка правильности модели расчета распределения ХРИ по глубине образцов

4. РАЗРАБОТКА СПОСОБА ВАРИАЦИИ УГЛА ОТБОРА

РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ ЕГО ДЛЯ

АНАЛИЗА ТОНКИХ ПЛЁНОК НА ПОДЛОЖКАХ.

4.1. Разработка способа вариации угла отбора рентгеновского излучения и исследование воспроизводимости и правильности результатов анализа

4.2. Анализ полупроводниковых эпитаксиальных слоев твердых растворов АВ-. Б& на подложках БаЗб.

-1-Х х

4.3. Анализ полупроводниковых эпитаксиальных слоев твердых растворов ЗЬХ на подложках

4.4. Анализ сверхпроводящих пленок Мэ-Эьна сапфире

4.5. Анализ магнитных дисков

4.6. Анализ омических контактов на подложках

Бс иСаАв. Мб

4.7. Анализ структур АЫ,(А/1)/ Ре.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ

ЗАКЛШЕНИЕ.\Ъ

Развитие материаловедения и микроэлектроники в последние десятилетия привело к широкому использованию в различных отраслях современной техники разнообразных многослойных структур, в состав которых могут входить металлы, полупроводники, диэлектрики. Одними из наиболее практически важных структур являются субмикронные пленки на массивных подложках. Это, прежде всего, защитные покрытия на поверхности металлов и сплавов, различные полупроводниковые эпитаксиальные гетероструктуры, структуры типа металл-диэлектрик-полупроводник, омические контакты в полупроводниковых приборах и т.д. Достижения и проблемы тонкопленочной технологии определяют актуальность задачи аналитического контроля получаемых слоистых структур.

Для решения этой задачи существует целый ряд физических методов анализа - рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), масс--спектрометрия вторичных ионов (МСВИ), электронная Оже-спектро-скопия (ЭОС), спектроскопия характеристических потерь энергии электронов (СХПЭ), электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА), ядерно-физические методы (методы ядерных реакций и резерфордовского обратного рассеяния) и т.д.

Возможности перечисленных методов анализа определяются их метрологическими характеристиками, важнейшими из которых для решения поставленной задачи являются: локальность (по глубине и по поверхности), воспроизводимость и правильность результатов анализа, предел обнаружения, экспрессность. Кроме того, существенное значение играет избирательность, степень воздействия на исследуемый объект, простота аппаратурной реализации. Универсального метода, пригодного для решения всех возникающих задач в области контроля тонких слоев на поверхности твердых тел в настоящее время не существует. Так, многие методы в большинстве аналитических ситуаций не позволяют получать количественную информацию о составе поверхностных слоев (МСВИ, ЭОС, СХПЭ), не обладают высокой локальностью по поверхности (ЭСХА). Кроме того, такие методы как МСВИ, ОЭС, ЭСХА, обладающие высокой локальностью по глубине (неоколько десятков ангстрем), для получения информации о распределении элементов в слоях толщиной более 10 нм требуют ионного травления, что приводит к разрушению образца. Ядерно-физические методы позволяют получать количественную информацию о распределении элементов по глубине тонких слоев без разрушения образцов, однако, число определяемых элементов и анализируемых основ достаточно ограничено.

Перспективным методом для решения задачи контроля составов и толщин субмикронных слоев на массивных подложках является РСМА. Метод позволяет без разрушения образца плавно изменять размеры области отбора информации в диапазоне от ~ 10 нм до 1-2 микрометров с помощью вариации условий проведения анализа (энергия первичных электронов, угол отбора рентгеновского излучения). Кроме того, РСМА обладает высокой избирательностью и позволяет определять все элементы периодической системы, начиная с бора. Наконец, из перечисленных методов РСМА является одним из наиболее развитых методов как в теоретическом, так и в экспериментальном плане. В мировой литературе опубликовано много работ, в том числе и монографических, по различным аспектам этого метода, например, / / .

-6В последние года проводится активный поиск новых способов

РСМА для контроля составов и толщин субмикронных поверхностных слоев, в том числе и способов контроля неоднородности состава по глубине. В частности, такие работы были выполнены И.Б.Боров-ским;и В.И.Рыдником, Б.Н.Васичевым, С.А.Дицманом и Т.А.Куприяновой, С.Г.Конниковым с сотрудниками, Колби, Рейтером, Яковит-цем и Ныобери и рядом других авторов. В Гиредмете исследования по возможности анализа тонких слоев на массивных подложках проводятся с 1977 г. Основные результаты отражены в диссертационных работах / 8--Н /. Однако, большинство существующих способов требуют построения экспериментальных градуировочных зависимостей. Наиболее универсальный способ вариации энергии первичных электронов, позволяющий устанавливать зависимость содержания определяемого элемента по глубине субмикронных слоев, применим в настоящее время лишь к ограниченному числу систем. Основным ограничением, сдерживающим дальнейшее развитие способов РСМА тонких поверхностных слоев, является отсутствие информации о распределении характеристического рентгеновского излучения (ХРИ) по глубине образцов с произвольной неоднородностью состава. Это связано со значительными экспериментальными сложностями при использовании традиционных методик установления распределения ХРИ по глубине / \Z~ib /. Перспективным направлением экспериментального изучения распределения ХРИ по глубине образцов является вариация угла отбора рентгеновского излучения НЧ5 /.

В связи с этим основными задачами работы явились:

I. Разработка экспериментальной методики установления распределения ХРИ по глубине образцов, основанной на вариации угла отбора рентгеновского излучения.

2. Экспериментальное исследование распределения ХРИ по глубине однородных массивных образцов и структур типа "пленка-подложка".

3. Феноменологическое описание функций распределения ХРИ по глубине образцов, основанное на полученных экспериментальных данных.

4. Разработка способа рентгеноспектрального микроанализа тонких пленок на подложках с вариацией угла отбора рентгеновского излучения.

5. Разработка конкретных методик одновременного определения толщин и содержаний основных компонентов субмикронных пленок на массивных подложках.

Научная новизна исследований, выполненных при решении указанных задач, заключается в следующем:

- проведены расчеты воспроизводимости и правильности результатов измерений зависимости интенсивности ХРИ (I) от угла отбора рентгеновского излучения (0) и разработана экспериментальная методика измерения зависимости 1(0);

- предложен способ установления функций распределения первично генерированного ХРИ по глубине образца ) по экспериментальной зависимости 1(0), основанный на разложении искомой функции ) в степенной ряд и нахождении коэффициентов этого ряда с помощью процедуры линейной регрессии;

- установлены экспериментальные кривые распределения первично генерированного ХРИ In LoC и Si Kci. по глубине структур

InSB/Sl 5

- предложена феноменологическая модель, описывающая рассеяние' электронов в твердом теле, основанная на рассмотрении взаимодействия потоков электронов, рассеянных в прямом и обратном направлениях, с элементарным слоем йЗ£,, расположенным на глубине X ;

- шведены теоретические уравнения для расчета функций распределения первично генерированного ХРИ в образцах с заданным распределением элементов по глубине;

- разработан способ рентгеноспектрального микроанализа тонких пленок на подложках с вариацией угла отбора рентгеновского излучения; на способ получено авторское свидетельство № 1130783;

- разработаны методики одновременного определения толщин и содержаний основных компонентов эпитаксиальных слоев в структурах А6х5В/6аЭ6; Э^бе^/Би

На защиту выносятся:

1. Способ рентгеноспектрального микроанализа тонких пленок на подложках с вариацией угла отбора рентгеновского излучения, позволяющий одновременно определять толщины и содержания основных компонентов пленок.

2. Методика установления распределения первично генерированного ХРИ по глубине образцов, основанная на измерении зависимости интенсивности ХРИ от угла отбора рентгеновского излучения и численном обращении преобразования Лапласа.

3. Экспериментально установленные функции распределения первично генерированного ХРИ 1ПЫ. и Б1Ко(. по глубине структур 1пВв/£1

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Список литературы содержит 122 наименования. Глава I представляет собой обзор опубликованных методик РСМА однородных пленок на массивных подложках и распределений элементов в тонких поверхностных слоях. Рассмотрены экспериментальные методы установления и теоретические модели

Основные результаты работы доложены на ХШ Всесоюзном совещании по рентгеновской и электронной спектроскопии (Львов,

1981 г.), на УШ Всесоюзной конференции по локальным рентгено-спектральным исследованиям и их применению (Черноголовка,

1982 г.), на 1У Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Звенигород, 1984 г.), на Всесоюзной научно-технической конференции "Методы локального анализа и их метрологическое обеспечение" (Свердловск, 1984).

ЗАШЖНЕНИЕ

Дальнейшее развитие исследований, выполненных в настоящей работе, возможно в следующих направлениях:

1. Получение уравнений для расчета распределения ХРИ по глубине при нормальном падении электрона на образец с использованием феноменологической модели рассеяния электронов в твердом теле, предложенной в настоящей работе. Это позволит повысить экспрессность определений и распространить предложенный подход на способ вариации энергии первичных электронов.

2. Развитие безэталонного способа РСМА, основанного на использовании в качестве аналитического сигнала отношения интенсивности ХРИ от анализируемого образца при двух углах отбора рентгеновского излучения. Такой способ представляется перспективным при определении легких элементов.

3. Разработка способа вариации угла отбора рентгеновского излучения для определения произвольных зависимостей содержаний элементов от глубины слоя.

Разработан способ РСМА тонких пленок на подложках с применением вариации угла отбора рентгеновского излучения. На способ получено авторское свидетельство № 1130783. Методики РСМА с вариацией угла отбора рентгеновского излучения внедрены в трех организациях: НИИ "Полюс" и НИИ "Сапфир" Минэлектронпрома СССР, Институте физики АН ЭССР.

Методики РСМА тонких пленок на подложках были использованы в Гиредмете в процессе разработки и усовершенствования технологических режимов получения различных полупроводниковых эпитакси-альных структур. Долевой экономический эффект от использования

-трезультатов РСМА тонких слоев полупроводниковых структур составил в 1978-1984 гг. 52 тыс.рублей. Акты о внедрениях, а также акт об экономическом 'эффекте приведены в приложениях.

Разработанные методики могут быть внедрены на Заводе чистых металлов им. 50-летия СССР и ОХМЗ Гиредмета Минцветмета СССР, в ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР (г.Ленинград).

Исследования по дальнейшему созданию и усовершенствованию рентгеноспектрального контроля тонких слоев твердых тел целесообразно развивать в Гиредмете, ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР и УЖ СО АН СССР.

Автор глубоко признательна профессору Ф.А.Гимельфарбу и кандидату технических наук А.И.Бернеру за предоставление темы диссертации и руководство работой на всех ее стадиях. Благодарна всему коллективу сектора локальных методов анализа за оказанную помощь при выполнении работы и, особенно, Ухорской Т.А., Орлову П.Б., Тарасову В.К., Сиделевой О.П., Сарайкину В.В., Бородиной О.М., Сиденко A.M. Автор признательна сотрудникам Гиредмета Кобзиковой H.A., Емельяновой Т.С., Дружининой Л.В., Пшеничной А.Н. за предоставление образцов для исследований, а также Юговой Т.Г. и Шумскому М.Г. за проведение рентге-ноструктурного анализа исследуемых образцов.

1. Боровский И.Б., Водоватов Ф.Ф., Жуков A.A., Черепин В.Т. Ло-кальше методы анализа материалов. - ГЛ.: Металлургия, 1973.- 296 с.

2. Физические основы рентгеноспектрального локального анализа/ Пер. с англ. под ред. И.Б.Боровского. М.: Наука, 1973. -311 с.

3. Электроннозондовый микроанализ./ Пер. с англ. под ред. И.Б. Боровского. М.: Мир, 1974. - 260 с.

4. Практическая растровая электронная микроскопия./ Пер. с англ. под ред. В.И.Петрова. М.: Мир, 1978, - 656 с.

5. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979. -423 с.

6. Батырев В.А. Рентгеноспектральный электроннозондовый микроанализ. М.: Металлургия, 1982. - 151 с.

7. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроана1984/лиз./ Пер. с англ. под ред. В.И.Петрова. М.: Мир, - книги 1,П, 654 с.

8. Гимельфарб Ф.А. Локальный анализ гетерогенных материалов с помощью электронного и ионного микрозондов. Дисс. докт. техн. наук. - Москва, 1979. - 456 с.

9. Бернер А. И. Электроннозондовый анализ тонких слоев твердых растворов на основе арсенида галлия. Дисс. канд. техн.наук- Москва, 1979. 223 с.

10. Ухорская Т.А. Исследование влияния эффектов флуоресценции на локальность микрорентгеноспектрального анализа гетерогенных материалов на основе GaAs. Дисс. канд. техн. наук. -Москва, 1978. - 126 с.440

11. Тарасов В.К. Применение вариации энергии электронов в рент-геноспектральном микроанализе бинарных полупроводниковых систем. Дисс. канд. техн. наук. - Москва, 1982 - 154 с.

12. Castaing R., Descamps J. On the Physical Bases of point analysis by X-ray spectrography. J.phys et Radium, 1955, v.16 U 3, p.304-317.

13. Schmitz U., Ryder P.L., Pitsch W. An experimental method fordetermining the depth distribution of characteristic X-raysin electron microprobe specimens. In: Proc. of V-th Int.

14. Cong, on X-ray Optics and Microanalysis, Tubingen, 1968.

15. Berlin: springer-Verlag, 1968, p.104-113.depth

16. Shimizu R., Murata K. The distribution of characteristic X-ray in X-ray microanalyzer target. Analysis of angular distribution of characteristic X-ray . Technol. Repts, Osaca Univ., 1967, v.17, IT 748-68, p.13-22.

17. Shimizu R., Murata K. Uncertainty in the determination of depth distribution of characteristic X-ray in EPMA target. -Jap. J. Appl. Phys. 1969, v.8, IT 12, p. 1572-1573.

18. Пиккеринг У.Ф. Современная аналитическая химия. М.: Химия, 1977. - 559 с.

19. Физические методы анализа следов элементов./ Пер. с англ. под ред. И.П.Алимарина. М.: Мир, 1967. - 416 с.

20. JDi Giacomo G. The microprobe method of thickness determination of thin metal films in multilayer structures. Thin solid films, 1975, v.26, N 2, p.311-320.

21. Di Giacomo G. The microprobe technique using ARL for nonde-structively determing the concentration profile of Si in Al/4Cu thin films. In: Proc.9th Ann. Conf. Microbeam Anal. Soc., Ottawa, 1974, P.41A-41L.

22. Рояк А.Я. Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых материалов на основе соединений типа АщБу. -Дисс. канд. хим.наук. Новосибирск, 1982. - 164 с.

23. Дорохов А.Н., Рояк А.Я., Мазалов JT.H., Юделевич Й.Г. Микро-рентгеноспектральный метод исследования профиля распределения основных компонентов в тонких пленках. Известия Сиб. отд.ния АН СССР, сер. хим. наук, 1980, №2, вып.1, с.135-138.

24. Рояк А.Я., Чернявский Л.И., Дорохов А.Н., Мазалов Л.Н. Юделевич И.Г. Микрорентгеноспектральный.послойный анализ пленок. Изв. Сиб.отд-ния АН СССР, сер. хим. наук, 1981, № 7, вып.З, с.118-123.

25. РагоЪек Ь., Brown J.D. The atomic number and absorption correction in electron microprobe analysis at low electron energies. X-ray spectrometry, 1978, v.7, IT 1,.p.26-30. . .

26. Duncamb p., shields P.K. Effect of critical exitation potential on the absorption correction. Ш: The Electrone Microprobe, T.D.McKinley, K.P.J.Heinrich, D.B.Wittry, eds. - IT.-Y* J.Wiley, 1966, part II, p.284-295.

27. Rehme H. Absolutbestimmung der Dicke and Zusammensetzung von Oberflachensichten mit der Microsonde. Uaturwissenschaften, 1966, Bd. 53, h.13, s.329.

28. Burk D.L. Some observation on X-ray emission as a function of accelerating voltage in the microprobe. Adv. in X-ray analysis. - N.-Y.: Plenum Press, 1965, v.8, p.384-399.

29. Hower W.O. Dunnschicht analysen in der Electronen-sonde. -Microchimica Acta, 1977, suppl.VTl, N 8, p.185-196.

30. Andersen C.A. Electron Probe microanalysis of thin layers and small particles with emphasis on light element determination. J.Electrochem. Soc., 1964, v.111, К 8, p.201 c.

31. Krigler R., Schumacher B»W. Thickness measurements on plantings by means of an electron probe. Plating, 1960, v.47, ЕГ 4, p.393-395.

32. Куприянова T.A., Дицман C.A. Электронно-зондовый микроанализ эпитаксиальных слоев и пленок с переменной толщиной. Аппаратура и методы рентгеновского анализа, 1971, выд.1Х, с.233-238.

33. Ухорская Т.А., Бернер А.И., Гимельфарб Ф.А., Куприянова Т.А. О влиянии рассеяния первичных электронов на результаты рент-геноспектрального микроанализа гетероструктур. Зав.лаб. 1978, т.44, В II, с.1027-1331.

34. Куприянова Т.А., Дицман С.А. Использование зависимости интенсивности линий от ускоряющего напряжения для определения концентрации в рентгеновском микроанализе. Зав.лаб. 1970, т.36, В II, с.1340-1342.

35. Куприянова Т.А., Дицман С.А. Использование зависимости интенсивности линий от ускоряющего напряжения для определения концентрации в рентгеновском микроанализе. В кн.: /32/, с. I7I-I79.

36. Wittle D.P., Wood G.C. Film thickness determination by electron probe microanalysis. Corrosion Science, 1966, v.6, H5, p. 397-420.

37. Hantsche H., Koschnick p.zur quantitativen Bestimmung dimner Metallaufdamfschichten mit der Electronenstrahl-Microsonde.-Microchimica Acta, 1974, Suppl.5, ii 1-2, s.73-78.

38. Ichinokawa Т., Yamada Y. Measurements of evaporated films thickness and concentration by electron probe X-ray microa-nalyser. J.Phys.Soc.Japan, 1963, v.18, и 8, p.1223«

39. Di Giacomo G. Microprobe technique for defermination of thickness and phosphorous concentration of gate oxide phosphosili-cate glass in PET devices. In: /37/, Р.74А-74С.

40. Качаякина M.H., Малюков B.A., Хромов А.Д. Рентгеноспектраль-ное определение толщины одноэлементных слоев, нанесенных на массивную подложку. -Зав.лаб., 1981, т.47, № 9, с.60-63.

41. Качалкина М.М., Малюков Б.А., Маркова Т.И. Исследование гра-дуировочяой кривой при рентгеноспектральном микроанализе ненасыщенных слоев. Зав.лаб., 1984, т.50, № 4, с.32-34.

42. Sweney W.E., Seebold R.E., Birks H.S. Electron probe measurements of evaporated metal films. J.Appl. Phys., 1960, v.31, И 6, p.1061-1064.

43. Goclett G.H., Davis C.D. Coating thickness measurement by electronprobe microanalysis. Brit. J.Appl. Phys., 1963, v.14, N 11, р.813-81б.

44. Colby J.W. Quantitative microprobe analysis of thin insulating films. In: Adv. in X-ray analysis. - U.Y.: Plenum Press., 1968, v.11, p.287-305.

45. Oda Y.jUakajama K. Thin films analysis by electron probe microanalyser. J.Jap. Inst. Met., 1973, v.37, H 7, p.673-677.

46. Reuter W. The ionization function and its application to the electronprobe analysis of thin films. In: /37/, Р-34А-34С.

47. Рыдник В.И., Боровский И.Б. Определение толщины и состава тонких пленок с помощью рассеянных электронов и характеристического рентгеновского излучения. Зав.лаб., 1968, т.34,1. В 8, с.960-965.

48. Боровский И.Б., Рыдник В.И. Распределение интенсивности рентгеновского излучения в массивном аноде. Изв. АН СССР, сер. физическая, 1967, т. 31, №6, с. I009-I0I5.

49. Yakowitz Н., Newbury D.E. A simple analytical method for thin film analysis with massive pure element standards. -In: SEM/1976 (part.1), Proc. the 9-th Annual SEM Symposium,

50. TRI, Chicago, 111., 1976, p.151-162.

51. Hutchins G.A. Thickness determination of thin films by electron probe microanalysis. in:26/, p.390-405.

52. Hutchins G.A. Electron probe microanalysis. In: Surface and colloid science, Good R.J., Stromberg A.R. - N.-Y.,L.: Plenum Press, 1979, v.11, p.217-304.

53. Brown J.D., Short J.M., LaPorce R.W. Electron probe microanalysis in inhomogeneous thin films. In: Proc. the 8-th Int. Conf. X-ray Optics and Microanalysis, Boston, 1977, p.150a-150C.

54. Gartzman K.G., Dedegkaev T.T., Efimov A.N. Quantitative Electron-probe Microanalysis of thin layers. Hicrochimica Acta, 1983, Suppl.Ill, N 1-2, s.45-51.

55. Kyser D.P., Murata K. Quantitative electron microprobe analysis of thin films with Monte-Carlo calculation. in: proc. 8-th ETat. Conf. on Electron Probe Analysis, EPASA, Hew Orlean, 1973, p.28A-28D.

56. Murata K. Quantitative electron probe analysis of thin films with Monte-Carlo calculation. In: Proc. 7-th Int.Conf. of X-ray Optics and Microanalysis, Borovsky I., Komijak IT., eds., Leningrad, 1974, p.95-98.

57. Гунько Н.А., Конников С.Г., Попова Т.Е., Тропп Э.А. Применение метода Монте-Карло при решении задач рентгеноспект-рального микроанализа тонких гетероэпитаксиапьных слоев и структур на их основе. Автометрия, 1980, № 6, с.45-53.

58. Попова Т.Б. Электронно-зондовые исследования полупроводниковых гетероструктур на основе твердых растворов Gazinn-XAsyPi-y . Дисс. канд. физ.-мат. наук. - Ленинград 1980, - 233 с.

59. Bishop Н.Б., Pool D.M. A Simple method of thin film analysis in the electron probe. J.Phys. D: J.Appl. Phys., 1973, v.6, N 9, p.1142-1158.

60. Armigliato A., Desalvo A., Rinaldi R., Rosa R. Application of Monte-Carlo technique to the electron probe microanalysis of ternary Si-B-0 films on silicon. J.phys. D.: J. Appl. Phys., 1979, v.12, H 8, p.1299-1308.

61. Armigliato A., Berti M., Desalvo A., Drigo A.V., Garulli А», Rosa R. X-ray and nuclear microanalysis of films containing interfering elements. In: Electron Microsc., 1982, 10-th1.t. Congr., Hamburg, 1982, Frankfurt/M., 1982, v.1, p.699-700.

62. Murata K., Cvikewichs., Kuptsis J.D. A Monte Carlo similation approach to thin film electron microprobe analysis based on the use of Mott Scattering cross-sections. "J.phys."(Fr.),-w1984, v.45, IT 2, p.13-16.

63. Castaing R. Electron probe microanalysis. In: Advances in Electronics and Electron Physics, - N.-Y.,L.:Academic Press, 1960, v.13, p.317-386.

64. Кастен P., Энок Ж. Распределение по глубине характеристического рентгеновского излучения: В кн.: /2/, с.85-91.

65. Vignes A., Dez G. Distribution in depth of primary X-ray emission anticathodes of titanium and lead. Brit. J.Appl. Phys. (J.Phys.D.), 1968, ser.2, v.1, Ж 10, p.1309-1322.

66. Brown J.В., Ph D. Thesis, University of Maryland, 1966, U.S.A.

67. Brovm J.D., Parobek b. The samsrich technique applied to the atomic number effect. Щ: /51/, p.163-167.

68. Brown J.D., Parobek L. X-ray production as a function of depth for low electron energies. X-ray spectrometry, 1976, v.5, IT 1, p.36-40.

69. Brown J.D., Parobek L. A comparison of curves measured on instruments of different geometries. In: /37/, p.5A-5C.

70. Buchner A«R., Pitsch W. A new correction for absorption and for atomic number in quantitative microprobe analysis of metals. Z.Metallkunde, 1971, Bd., 62, h.5, s.392-400.

71. Куприянова T.A. Исследование распределения рентгеновского излучения при электроннозондовогл возбуждении. Дисс. канд. физ'^-мат.наук, Москва, 1970, - 145 с.

72. Gennai П., Murata К., Shimizu R. The j-(ft) ~ curves for FeKoi and AlKot X-ray in inclined EPMA targets. of Fè, Al and Fe-Al alloys. - Jap. J.Appl. Phys., 1971, v.10, N 4, p. 491-495.

73. Everhart Т.Е., Hoff P.H. Determination of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid materials. J.Appl. Phys., 1971, v.42, Ж 13, p.5837-5846.

74. Philibert J. Ъ*analyse quantitative en microanalyse par sonde électronique. Métaux Corrosion-Industries, 1964, v.39, H465, p.157-176; H 466, p.217-240; H 469, p.325-339.

75. Green M. The target absorption correction in X-ray microanalysis. In: /25/, p.361-378.

76. Green M. The angular distribution of characteristic X radiation and its origin within a solid target. Proc. Phys. Soc., 1964, v.83, part.3, Ж 533, p.435-451.

77. Heinrich K.F.J. Common Sources of error in electron probe microanalysis. In* /49/, p.40-55.

78. Heinrich K.F.J. Electron probe microanalysis by specimen current measurement. In: X-ray Optics and Microanalysis, Cas-taing R., Descamps J., Philibert J., eds., Paris-Hermann, 1966, p.159-167.

79. Cosslett V.E., Thomas R.bT. Multiple scattering of 5-30 electrons in evaporated metal films.-Brit. J. Appl. Phys., 1964, v.15, H 8, p.883-907.

80. Рыдник В.И., Боровский И.Б. К методике количественного локального рентгеноспектрального анализа. Зав.лаб., 1967, т. 33, В 8, с.955-961.

81. Махов А.Ф. О проникновении электронов в твердые тела. Физика твердого тела, I960, т.2, & 9, с.2161-2173.

82. Green М., Cosslett V.E. The efficiency of production of characteristic X-radiation in thick targets of a pure element. -Proc.Phys.Soc., 1961, v.78, part 6(1), N 505, p.1206-1214.

83. Blanchard C.H., Fano U. A formula for multiple scattered electrons. Phys. Rev., 1951, v.82, U 5, p.767.95« Dekker A.J. Secondary electron emission. Solid State Physics. - U.Y. and L.: Academic Press Inc., 1958, v.6, p.251-311.

84. Панкратов A.A. Формула расчета функции. В кн.: Тез.доклада 8ой Всесоюзной Конференции по локальным рентгеноспектральным. исследованиям и их применению, Черноголовка, 1982,книга 1,6.757??.

85. Criss J., Birks L«S. Intensity formula1 for computer solution of multicomponent electronprobe speciment. In: /26/, part II, p.217-237.

86. Браун Д. Методы расчета возбуждения рентгеновского излучения электронами.'- В кн.: /2/, с.69-84.

87. Brown D.B., Ogilvie R.E. An electron transport model for the prediction of X-ray production and electron microanalysis. -J.Appl. Phys., 1966, v.37, IT 12, p.4429-4433.

88. Brown D.B., Wittry D.B., Kyser D.F. Prediction of X-ray production and electron scattering in electronprobe analysis using a transport equation. J.Appl. Phys. 1969, v.40, IT 4, p.1627-1636.

89. Bishop H.E. Calculations of electron penetration and X-ray production a solid target.-In: 89 , p.112-119.

90. Bishop H.E. A Monte Carlo calculation on the scattering of electrons in copper. Proc.Phys.Soc., 1965, v.85, part 5, N 547, p.855-866.

91. Shinoda G., Murata K., Shimizu R. Scattering of electron in metallic targets. Quantitative Electron Probe Microanalysis, Heinrich K.P.J., eds., NBS Spec. Publ., 1968, N 298, p.154-157.

92. Nishigory N., Shimizu R., Murata K. Application of Monte Carlo calculation to quantitative microanalysis of alloy systems. J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 9, p.3889-3890.

93. Matsukawa T., Murata K., Shimizu R. Investigation of electron penetration and X-ray production in solid targets. -Phys.Stat.Solidi, 1973, B.55, N 1, p.371-383.

94. Shimizu R., Ikuta T., Nishigori N., Murata K. Calculation of X-ray production in alloy targets by new approach using Monte Carlo method. ¡Jap.J.Appl. Phys., 1970, v.9, N 11, p.1429-1430.

95. Соломонова Л.А., Афонин Б.П. Расчет результатов рентгено-спектрального микроанализа методом Монте-Карло. В кн.: Тез.доклада 7-ой Всес.конф. по локальным рентгеноспект-ральным исследованиям и их применению, Черноголовка, 1979, с.60-61.

96. Соломонова Л.А., Афонин В.П. Способ расчета функций в образцах сложного химического состава. в Кн.: /III/, с, 59-60.

97. ИЗ. Афонин В.П., Лебедь В.И., Парадина Л.Ф. Развитие численных методов моделирования процессов взаимодействия электронного зонда с исследуемым вещзством. 'В кн.: /96/, с. 5-6.

98. Лебедь В.И., Афонин В.П. Исследование методом Монте-Карло поведения электронного пучка в многослойных средах и расчет интенсивности первичного рентгеновского излучения. -В кн.: /96/, с.63-64.

99. Худсон Д. Статистика для физиков. М., Мир, 1970, 266 с.

100. Крылов В.И., Скобля Н.С. Справочная книга по численному обращению преобразования Лапласа. Минск: Наука и техника, 1968, 295 с.

101. KiieenKCtmpf Н., Spu/ra w. EnergievtriziZun§ mcKdiffiuiciier-ier EteKironen. Z. Phys., 4954, ßd. Ш, hA, S. 446-425.

102. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. /Пер. с англ. под ред. Арамановича И.Г. М.: Наука, 1984, 831 с.

103. Хованский Г.С. Основы номографии. -М.: Наука, 1976, 352 с.

104. Основные результаты диссертации опубликованы в следующихработах:

105. Бернер А.И., Костылева О.П., Тарасов В.К., Фатюшина Е.В. Диагностические возможности контроля неоднородности состава поверхностных слоев методами ионного и рентгеноспектрального микроанализа. Электронная промышленность, 1984, № 2,с. 13-17.

106. Гимельфарб Ф.А., Бернер А.И., Костылева О.П., Тарасов В.К., Сиделева О.П. Способ послойного контроля распределений элементов. АС СССР № 1130783, опубл. бей 1 47, 1984.1. Н54

107. Бернер А.И., Костылева О.П., Тарасов В,К. Исследование распределения характеристического рентгеновского излучения по глубине образцов при электронном возбуждении. Изв. АН СССР, сер.физическая, 1984, т.48, J* 12, с.2345-2349.