Сенсибилизация фототермографических материалов тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

На правах рукописи

ГОРЯЕВ Михаил Александрович

СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ФОТОТЕРМОГРАФИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

Специальность 02.00.04 - физическая химия

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

Кемерово - 2000

Диссертация выполнена в ВНЦ "ГОИ им. С.И.Вавилова" и ЦКБ Машиностроения

►фнцнальные оппоненты:

доктор химических наук, профессор Лисецкий Владимир Николаевич доктор технических наук, профессор Москинов Виталий Алексеевич доктор физико-математических наук, профессрр Суханов Виталий Иванович

¡едущая организация: Санкт-Петербургский государственный

университет кино и телевидения, г.Санкт-Петербург

Защита состоится 1С июня 2000 года, в 1£-00 час. на заседании иссертационного Совета Д 064.17.01 в Кемеровском государственном ниверситете. (650043, г.Кемерово, ул.Красная, 6)

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке КемГУ.

Автореферат разослан $ мая 2000 года.

'ченый секретарь Совета Д 064.17.01, ¡.х.н., профессор

Сечкарев Б. А.

1 .ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

1.1. Актуальность работы. Изучение фотофизическнх и фотохимических процессов в твердых телах актуально для решения таких южнейших научных и технических проблем, как фотосинтез, фотокатализ, 1ветное зрение, создание фотоприемников, материалов для записи шформации, новых лазерных сред. Наибольшее распространение и фактическое применение фотохимически чувствительные твердые тела юлучили в фотографии и по сей день основными материалами для )егистрации изображений являются галоидосеребряные эмульсии. Но даже щя классических галоидосеребряных фотографических систем нет полной [шзической картины фотохимического процесса, что обусловлено шожностью реально применяемых в фотографии композиций и трудностью шделения различных фотопроцессов, происходящих в фотоматериалах при юглощении света.

В соответствии с требованиями современных систем регистрации шформации широкое развитие имеют различные бессеребряные и геобычные фотографические процессы, выступающие конкурентом радиционных галоидосеребряных фотоматериалов прежде всего для шеративной записи изображений. К началу данной работы наиболее 1ерспективными для экспрессной регистрации полутоновых изображений [редставлялись фототермографические материалы (ФТМ), которые давали озможность получить качественное изображение в течение нескольких екунд с использованием быстрого, простого и экологически чистого роцесса проявления путем нагрева до 370-420 К. Одной из самых ктуальных проблем при создании конкурентноспособных ФТМ является овышение их чувствительности, для решения которой необходимо создание аучных основ формирования фотографических свойств таких материалов.

1.2.Цель работы. Целью данной работы является изучение ютофизических и фотохимических процессов в термопроявляемых системах а основе гидрида алюминия и солей серебра для выявления путей создания ютоматериалов с требуемой чувствительностью. Для этого было еобходимо:

провести комплексное изучение электрон-ионных процессов формирования изображения в модельных фототермографических системах на основе гидрида алюминия с использованием известных и разработкой новых методов исследования свойств твердого тела, фотофизических и фотохимических процессов;

на основании полученных результатов предложить пути регулирования чувствительности систем на основе гидрида алюминия и новые применения таких материалов;

- с использованием современных представлений фотохимии твердого телг исследовать факторы, определяющие фотографические свойства, ^ разработать технологию синтеза термопроявляемых композиций (ТПК) н< основе солей серебра с необходимым уровнем чувствительности.

Исследования, выполненные в рамках настоящей работы, проводилиа в соответствии с Координационными планами АН СССР и ГКНТ при СГу СССР НИР и ОКР по направлению 2.5 "Фотографические процессь регистрации информации" на 1976-80 г.г., 1981-85 г.г. и 1986-90 г.г.

1.3. Научная новизна. Впервые исследованы энергетическая структур; локальных электронных состояний по всей ширине запрещенной зоны ] изменения основных электрофизических свойств гидрида алюминия ] процессе формирования изображения.

Выявлено влияние внешнего электрического поля на темновые ] фотохимические процессы в гидриде алюминия, обнаружено разложени гидрида алюминия в электрических полях большой напряженности, показан возможность управления чувствительностью гидрида алюминия путе! действия внешнего электрического поля.

Обнаружены фазовые переходы в исходном гидриде алюмини; сопровождающиеся пироэлектрическим эффектом, аномалие: электропроводности и диэлектрических свойств, и изменение фазовы превращений на определенных стадиях формирования изображения.

На основе термодинамической модели фотохимического процесса з счет образования собственных дефектов в твердом теле интерпретирован! экспериментальные результаты наносекундного лазерного фотолиз монокристаллов галогенидов серебра и предложен вакансионный механиз] фотолиза гидрида алюминия.

Предложен оригинальный метод определения истинных квантовы выходов и спектров люминесценции светорассеивающих объектов путе: разбавления порошком белого стандарта и показана возможность ег применения для измерения количественных параметров порошкообразны неорганических люминофоров и адсорбированных органических красителей.

Обнаружена люминесценция адсорбированных на поверхности гидрил алюминия красителей и установлена связь количественных спектральш люминесцентных характеристик адсорбированных красителей энергетической структурой электронных состояний полупроводника.

На основании анализа фотохимически наведенного поглощена показано, что окраска в ближней УФ и видимой областях спект]: определяется как твердыми продуктами фотолиза, так и вакансионным микропустотами. Обнаружено фотохимическое усиление изображения

идриде алюминия в результате вторичных процессов на первичных центрах 'азложения.

Впервые исследована фотопроводимость гидрида алюминия с дсорбированным красителем, показано отсутствие сенсибилизированного ютоэффекта и обнаружена сенсибилизация красителями фотохимического силения изображения в гидриде алюминия.

Осуществлена спектральная сенсибилизация ФТМ на основе солей еребра в ближней инфракрасной области спектра. Показано, что птимальные концентрации красителей превышают эти величины для радиционных фотоматериалов вследствие участия в сенсибилизации дсорбированных на несветочувствительной соли серебра красителей.

Предложен световодный механизм спектральной сенсибилизации расителями фотопроцессов в системе диэлектрик - полупроводник.

Впервые исследована невзаимозаместимость в ФТМ, установлена связь тклонений от взаимозаместимости с дисперсностью и технологическими акторами синтеза светочувствительной компоненты.

1.4. Практическая ценность. В разработках ВНЦ "ГОИ им. I.И.Вавилова" по созданию ФТМ использовались теоретические и рактические результаты по управляемому синтезу ТПК на основе солей еребра.

Полученные в работе результаты по влиянию внешнего электрического оля на светочувствительность и спектральная сенсибилизация гидрида чюминия открывают новые возможности в улучшении свойств азрабатываемых гидридоалюминиевых фотослоев.

Предложенные электрочувствительный материал и способ изуализации электрических полей расширяют области применения гидрида тюминия в качестве регистрирующей среды.

Метод определения спектрально-люминесцетных характеристик орошкообразных систем позволяет определить истинные квантовые выходы спектры люминесценции объектов с центрами свечения в том состоянии, в этором они используются на практике.

1.5. Внедрение результатов работы. Основы синтеза ТПК на солях ¡ребра внедрены в технологический регламент на изготовление ¡рмопроявляемой фотопленки на Переславском заводе информационных ¡хнологий "ЛИТ".

Метод определения спектрально-люминесцентных характеристик эрошкообразных объектов внедрен в ЦКБ Красногорского механического 1В0да для измерения квантовых выходов и спектров люминесценции :пользуемых в изделиях КМЗ люминофоров.

1.6. Апробация работы. Основные результаты исследований вошедших в диссертацию, были представлены и обсуждены на 3 Всесоюзно» семинаре "Применение оптической спектроскопии в адсорбции и катализе (Ташкент, 1974 г.), 10 и 11 Научно-технических конференциях молоды: специалистов ГОИ (Ленинград, 1974 и 1976 г.г.), 2, 3 и 4 Всесоюзны: конференциях "Бессеребряные и необычные фотографические процессы (Кишинев, 1975 г., Вильнюс, 1980 г., Суздаль, 1984 г.), 3 и 4 Всесоюзны: совещаниях по фотохимии (Ростов-на-Дону, 1977 г., Ленинград, 1981 г.), Всесоюзной школе по научной фотографии (Черноголовка, 1977 г.), 26 и 2 Всесоюзных совещаниях по люминесценции (Самарканд, 1979 г., Ленинграх 1981 г.), 2, 3 и 4 Всесоюзных совещаниях и 6 Международной конференци "Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы (Кемерово, 1979, 1982 и 1995 г.г., Междуреченск, 1986 г.), Всесоюзно конференции "Процессы усиления в фотографических системах регистраци информации" (Минск, 1981 г.), Всесоюзном совещании по кинетике механизму реакций в твердом теле (Кемерово, 1981 г.), Всесоюзно конференции "Фотографические процессы на основе галогенидов серебра (Черноголовка, 1983 г.), 4 Всесоюзном и 6 симпозиумах "Физика и хими полиметиновых красителей" (Звенигород, 1985 г., Москва, 1996 г. Всесоюзной конференции "Физические процессы в светочувствительны системах на основе солей серебра" (Междуреченск, 1986 г.), Международны конгрессах по фотографической науке (Кельн, 1986 г., Рочестер, 1994 г Антверпен, 1998 г.), Всесоюзной конференции по проблеме создани современных цветных кинофотоматериалов (Черноголовка, 1987 г. Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы фотографически процессов регистрации информации" (Москва, 1989 г.), 2 Всесоюзно конференции "Оптическое изображение и регистрирующие среды" Ленинград, 1990 г.), Всесоюзном симпозиуме "Фотохимические фотофизические процессы в галогенидах серебра" (Черноголовка, 1991 г.), 4 и 52 конференциях по проблемам регистрации изображений (Миннеаполи< 1996 г., Джорджия, 1999 г.), Международном симпозиуме по фотохимии фотофизике молекул и ионов (С.-Петербург, 1996 г.), Международно симпозиуме по галогенидам серебра (Виктория, 1997 г.), Международно конференции "Физико-химические процессы в неорганически материалах"(Кемерово, 1998 г.).

1.7. Положения, выносимые на защиту. Созданы научные основ технологии синтеза светочувствительной композиции ФТМ на солях серебр с регулируемой чувствительностью, включающие в себя:

- способ водного синтеза галогенида на поверхности органической сол серебра позволяет получать микрокристаллы галогенида серебра размеро до 0,1 мкм, что обеспечивает условия для регулирования чувствительное!

с применением традиционных методов модификации светочувствительной компоненты;

оптимальные концентрации сенсибилизирующих красителей в композициях существенно выше, чем в классических галоидосеребряных фотоматериалах, за счет участия в процессе сенсибилизации красителей, адсорбированных как на галогениде, так и на поверхности диэлектрика -несветочувствительной соли серебра;

для эффективного применения галогенакцепторных соединений необходима химическая сенсибилизация поверхности галогенида серебра; объемное и поверхностное легирование дает возможность регулировать отклонения от взаимозаместимости в ФТМ.

Фотохимические процессы в соответствии с моделью статистического оаимодействия электронов и дефектов в твердом теле определяются 'нергетикой собственных дефектов в широкозонном полупроводнике, а [менно:

первичные продукты наносекундного лазерного фотолиза галогенидов серебра обусловлены повышенной концентрацией межузельных ионов серебра;

фотолиз гидрида алюминия идет за счет генерации и агрегации вакансий водорода.

Развитие фотопроцессов в гидриде алюминия с адсорбированным расителем зависит от его полупроводниковых свойств: адсорбированные на неэкспонированном образце красители с полосой свечения в области 500-700 нм люминесцируют с квантовым выходом в десятки процентов из-за отсутствия условий для переноса энергии на локальные состояния полупроводника;

при экспонировании А1Нз актиничным светом люминесценция красителей тушится вследствие безызлучательного переноса энергии фотовозбуждения на появляющиеся локальные состояния;

тушение люминесценции адсорбированного красителя не сопровождается появлением сенсибилизированного фототока в гидриде алюминия из-за самокомпенсации фотопроводимости в результате образования собственных дефектов при вторичных фотохимических процессах, обусловливающих сенсибилизированный фототермографический эффект. Эффективность спектральной сенсибилизации ФТМ может быть до-юлнительно повышена за счет обнаруженной сенсибилизации красителями ютохимического усиления изображения и предложенного световодного [еханизма сенсибилизации в системе диэлектрик - полупроводник.

Разработанный метод определения спектрально-люминесцентных арактеристик порошкообразных объектов путем разбавления белым тандартом позволяет:

измерять истинные квантовые выходы люминесценции за счет устранения влияния светорассеяния;

- измерять неискаженные спектры люминесценции за счет устранена реабсорбции;

изучать специфические спектрально-люминесцентные проявлена адсорбции красителей на различных адсорбентах.

1.8. Публикации. По материалам диссертации опубликовано 90 работ из них 42 статьи в центральных журналах и сборниках научных трудов, 4: работы в материалах международных и всесоюзных конгрессе! симпозиумов, конференций, совещаний и семинаров. Новизна 1 оригинальность технических решений защищена 6 авторским! свидетельствами и патентами.

1.9. Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит и введения, пяти глав, выводов, списка литературы и приложений. Работ содержит 247 страниц, включая 206 страниц текста, 6 таблиц, 70 рисунков и страниц приложений. Список литературы включает 404 наименования.

2. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении показана актуальность выбранного направлени исследования, обусловленная необходимостью повышения чувствительност широко применяемых в системах экспрессной регистрации информации ФТТ типа "сухое серебро", в котором светочувствительной компонентой являете галогенид серебра, где при экспонировании формируется скрытс изображение, усиливаемое при нагреве за счет каталитическог восстановления органических солей серебра. Наряду с решением проблем: совершенствования технологии таких фотоматериалов важным являете поиск перспективных несеребряных термопроявляемых систем. К числ последних относятся системы на основе гидрида алюминия, в которо В.В.Болдыревым с сотрудниками была обнаружена фотохимичеекг чувствительность и возможность усиления изображения путем нагревани: Сформулированы основные задачи по исследованию электрофизически свойств фотохимически чувствительных твердых тел, изучению механизм фотохимических процессов в твердых телах, фотофизических фотохимических процессов в системах с адсорбированным красителем проведению работ по созданию ФТМ с необходимым уровне чувствительности. Дана краткая аннотация внесенного автором вклада исследование проблемы и сформулированы выносимые на защит положения.

2.1. Методика эксперимента

В первой главе описаны использованные в работе методы и установк для экспериментальных исследований процессов формирования изображен в ФТМ. В соответствии с поставленной задачей исследован!

олупроводниковых свойств систем на основе гидрида алюминия роводились на порошкообразных образцах. В связи с этим были созданы ригинальные установки и разработаны новые методы измерения лектрофизических и оптических характеристик таких систем.

Для изучения вольтамперных характеристик (ВАХ), кинетики и емпературных зависимостей электропроводности высокоомных оликристаллических твердых тел нами создана экспериментальная становка с использованием специальных ячеек для исследования лектрофизических свойств порошкообразных полупроводников. В работе рименялись ячейки поверхностного типа и так называемые "сэндвнч-чейки". Конструкция ячеек позволяла проводить освещение образцов во ремя эксперимента, а также менять температуру в интервале от 150 К до 50 К. Чувствительность установки для измерения проводимости составляла О-14 А.

Для стабилизации температуры образца во время измерений пектрофизических свойств нами был разработан электронный ерморегулятор с применением азотного испарителя и нагревательного пемента измерительных ячеек установки. Терморегулятор обеспечивал габилизацию температур в диапазоне 150-450 К с точностью 0,1 К.

Исследование диэлектрических свойств проводилось на установке для змерения емкости с мостом переменного тока Р568. Чувствительность становки для измерения емкости составляла 10-13 Ф.

Созданные установки позволяли исследовать термостимулированные роводимость и емкость (ТСП и ТСЕ) высокоомных поликристаллических бразцов с целью определения параметров локальных состояний в трещенной зоне полупроводников. Выбор соответствующего режима аботы терморегулятора давал возможность изучать термостимулированные роцессы при скоростях нагрева в широких пределах от 0,01 до 0,5 К/с. Для пределения глубины залегания локальных уровней Е, в верхней части трещенной зоны полупроводника был использован метод Гарлика-Гибсона, :нованный на экспоненциальной зависимости начального подъема кривой СП от температуры:

п = п0 - т- NCS• v - ехр(-Е,/кТ), (1)

ie п и п0 - концентрации электронов соостветственно в зоне проводимости и а локальных уровнях, г - время жизни, Nc - плотность состояний в зоне роводимости, 5 - сечение захвата, v - тепловая скорость электрона, погрешность определения Е, составляла 25 %.

Для определения энергетического распределения заполненных экальных состояний в запрещенной зоне использовался метод,

разработанный ИЛ.Акимовым с сотрудниками на основе измерения спектр, фоторазрядки нанесенного на поверхность электростатического заряда.

Спектры поглощения исследуемых порошкообразных образцов 1 области 300-900 нм измерялись в диффузно отраженном свете н: спектрофотометре "Вескшап" или с помощью установки на основ« монохроматора спектрофотометра СФ-4 и приставки диффузного отражена ПДО-1, позволяющей надежно измерять отражение с точностью 0,1 %.

Для определения истинных количественных спектрально люминесцентных характеристик порошкообразных объектов нами бьи разработан оригинальный способ измерения квантового выхода и спектро: люминесценции светорассеивающих систем, имеющих различные центрь свечения. С целью уменьшения влияния светорассеяния и перепоглощения I слое применен метод разбавления исследуемых порошков белым стандартом.

Описана установка для определения абсолютного квантового выход порошкообразных образцов на основе монохроматора спектрофотометра СФ 4 и приставки диффузного отражения ПДО-1. Спектры люминесценци! измерялись на спектрометре СДЛ-1 с последующим пересчетом н спектральную чувствительность установки. Квантовый выхо, люминесценции определяется по формуле:

<7 = —^--" 1 , (2

где и/1т - сигнал на ФЭУ в области люминесценции, Vишт - сигнал на ФЭ^ в области возбуждения соответственно от эталона и образца, тех, и г^ ^ пропускание светофильтра и спектральная чувствительность ФЭ'! соответственно на длине волны возбуждения и люминесценции, интенсивность люминесценции.

Путем сравнения соответствующих величин для порошкообразного монолитного образцов кварцевого стекла, активированного самариел-доказано, что с помощью предложенной методики измеряется истинно значение абсолютного квантового выхода. Также показана возможност устранения с помощью предложенного метода влияния перепоглощения н квантовый выход и спектры люминесценции в случае значительног перекрытия спектров поглощения и люминесценции исследуемых объектов.

Указаны ограничения применимости метода измерения квантовог выхода и спектров люминесценции путем разбавления белым стандартом дл исследования порошкообразных органических люмогенов из-за адсорбци последних на эталонный порошок разбавителя.

Исследование люминесценции красителей, адсорбированных ь различных объектах, показало сохранение специфики спектральж люминесцентных проявлений взаимодействия красителя с данны

ясорбентом при разбавлении образцов порошком белого стандарта и юзможность определения истинных количественных характеристик :расителей, адсорбированных на гидриде алюминия.

Изучение зависимости измеряемых квантовых выходов люминесценции :расителей в адсорбированном состоянии на порошкообразных объектах от шины волны возбуждающего света показало, что при достаточном >азбавлении окрашенных образцов порошком белого стандарта, когда смеряются истинные спектрально-люминесцентные характеристики «сорбированных красителей, величина квантового выхода люминесценции юстоянна в пределах полосы поглощения при условии коррекции юглощения в рамках теории Гуревича-Кубелки-Мунка.

Предложенный метод определения квантового выхода обеспечивает ■очность измерения абсолютного квантового выхода в пределах 10-15 %. 'азработанный метод позволяет корректно измерять относительные :вантовые выходы люминесценции порошкообразных объектов, что дает финципиальную возможность уменьшить погрешность. Удобными (талонами для таких измерений являются разбавленные белым стандартом «органические кристаллофосфоры, измерены квантовые выходы ряда таких збразцов в интервале 0,3-1,0.

Исследование фотографических свойств ФТМ проводилось в :оответствии со стандартными методами испытаний с использованием :енситометра ФСР-41, денситометра ДП-1, резольвометра РП-2, :пектросенситометра ИСП-73. Изучение невзаимозаместимости проводилось ю сенситограммам при экспонировании на сенситометре СР-16 в широком штервале выдержек от 10"4 до 102 с.

Для определения энергетической чувствительности образцов фотопленок и оценки чувствительности на временах экспонирования Ю-3 и Ю-6 с использовались специальные источники: лазеры с излучением на цшнах волн 488, 633 и 695 нм, а также импульсная лампа-вспышка и >днострочная электронно-лучевая трубка с люминофором типа А.

Обработка образцов ФТМ проводилась на макете проявочного устройства барабанного типа, который позволял регулировать температуру появления в пределах 375-425 К с шагом 1 К и обеспечивать стабилизацию температуры во времени и по поверхности обработки с точностью 0,5 К. Зремя нахождения фотоматериала в зоне проявления контролировалось в 1ределах от 2 до 50 с с точностью 0,5 с. При использовании данного устройства погрешность результатов сенситометрических измерений лежала в пределах 10 %.

2.2. Фотохимические процессы в галогенидах серебра

На основе краткого анализа литературных данных по вoпpoca^ формирования светочувствительности в неорганических фотографически; материалах рассмотрены электронные и ионные процессы при образованш центров скрытого изображения (ЦСИ), а также способы регулировани! чувствительности современных галоидосеребряных фотоматериалов путеи химической сенсибилизации и действия внешнего электрического поля Показано определяющее влияние основных полупроводниковых свойств Н! фотохимические процессы в неорганических твердых телах.

Большинство современных концепций формирования изображения 1 галогенидах серебра базируется на принципе Герни-Мотта, согласи! которому фотолитическое серебро образуется в результате последовательт чередующейся миграции возбуждаемых светом свободных носителей 1 межузельных ионов серебра к так называемым центрам чувствительност! кристалла. Эти центры, обусловленные дефектами биографическоп происхождения, играют важную роль в теории фотографического процесса 1 основные пути управления свойствами галоидосеребряных фотоматериале связываются с регулированием при синтезе эмульсий состава и концентраци! таких дефектов.

Вместе с тем фотолиз наблюдается и в совершенных кристаллах. Дл описания процессов в таких условиях применена термодинамическая модел фотохимического процесса на основе теории статистического взаимодействи электронов и дефектов в полупроводниках. В соответствии с этой модельк разложение широкощелевого кристалла происходит за счет дополнительноп образования собственных дефектов в регулярных областях твердого тела пр] диссипации фотовозбуждения.

Условия такого дефектообразования находятся путем минимизаци; свободной энергии кристалла. За счет увеличения энтропии при отличных о нуля температурах в результате появления дополнительного электрон становится термодинамически более выгодным образование собственног дефекта решетки, на котором локализуется электрон, а не существовани электрона на дне зоны проводимости или полярона. Температурный поро дополнительного дефектообразования определяется соотношением:

к\п{ИгУ!Ыс)

где IV - энергия образования собственного дефекта; Ер - энергия поляронног состояния; Е<1 - глубина уровня локализации электрона; N - плотность узло решетки; Л^ - плотность состояний в зоне проводимости, V- объем кристалла

С использованием известных параметров проведена оценк возможности реализации образования межузельных ионов серебра пр фотовозбуждении галогенидов серебра. Получены величины Ттт - 39 К дл

г >-_'_' ' -п

тт * , , / Л;2гг / «г ч ' ^

и ТтЫ = 105 К для А§С1, т.е. дефектообразование с участием фотоэлектронов начинается при достаточно низких пороговых температурах.

Вследствие повышения вероятности теплового образования дефектов с участием избыточных электронов, возбуждаемых в зону проводимости :ветом, происходит существенное увеличение концентрации собственных дефектов:

где Хе<р - концентрация электронов в зоне проводимости при поглощении ср квантов света при квантовом выходе фотоэффекта Ае, - скорость рекомбинации свободных электронов на дефекте.

Для значений Хс<р = 1018 см-3 концентрации появляющихся при комнатной температуре межузсльных ионов серебра лежат в пределах 10181020 см-3 для АзВг и 1016-10>8 см-3 для А§С1. Рассчитанные по данной модели значения хорошо согласуются с результатами С.С.Тибилова по наносекундному лазерному фотолизу номинально чистых монокристаллов А§Вг и AgCl, по которым для обеспечения экспериментально наблюдаемых оптических плотностей наведенного поглощения необходимы концентрации дефектов 10|7-1018 см-3.

Рассмотрена роль предложенного статистического механизма фотохимического процесса в галогенидах серебра в фотографических процессах на реальных галоидосеребряных материалах путем сравнения вероятности двух альтернативных возможностей релаксации электронного фотовозбуждения в системе. Вероятность захвата электронов на центры чувствительности биографического происхождения определяется как:

где - концентрация ловушек биографического происхождения, у - тепловая :корость электрона, - сечение захвата ловушек. А вероятность :татистического образования собственных дефектов при диссипации электронного возбуждения определяется формулой:

где а - параметр решетки, и0 - частота перескока дефекта между соседними точками, £-энергия активации движения дефекта.

Отмечается, что концентрация дополнительных собственных дефектов N¿1 в соответствии с (4) зависит от интенсивности света, поэтому роль статистического дефектообразования возрастает при малой концентрации дефектов биографического происхождения и при высоких интеснвностях экспонирующего света. В примитивных фотографических эмульсиях, в которых количество центров чувствительности невелико, при высоких

77, =

(5)

(6)

освещенностях эффективно начинает работать статистический механизм образования межузельных ионов серебра. Проведенные оценки дакг величины % = Ю8 с"' Для AgCl и % = 1013 с*1 для AgBr. Такая больша* разница в эффективности дефектообразования объясняет наблюдающую^ нсвзаимозаместимость при высоких уровнях освещенности в примитивны) хлоросеребряных эмульсиях.

2.3. Электронные и ионные процессы при фотолизе гидрида алюмнния

Рассмотрены литературные данные, характеризующие осповньи физико-химические свойства гидрида алюминия. Отмечается, чте полупроводниковые свойства гидрида алюминия до начала настоящей работь были практически не описаны в научно-технической литературе.

Исследование электропроводности гидрида алюминия при комнатно! температуре выявило переход ВАХ при увеличении напряженности выше 10 В/см от линейной к сильно выраженной сверхлинейной зависимости тока о-напряжения. Кинетика установления проводимости при малы: напряженностях внешнего электрического поля носит монотонно убывающш характер из-за поляризационных токов. В полях большой напряженное™ после убывания тока через образец происходит рост тока с бессистемно! модуляцией проводимости, причем установившийся уровень превышает на 2 3 порядка исходный. Такое поведение проводимости гидрида алюмини: объясняется изменением соотношения между электронной и ионно! составляющими: в полях напряженностью больше 104 В/см происходи-резкое увеличение ионной компоненты проводимости.

Изучена температурная зависимость проводимости гидрида алюминия i интервале 220-330 К. В области от 250 до 285 К наблюдается аномально! поведение электропроводности: сначала происходит резкий рост, а затеи уменьшение проводимости с повышением температуры и наблюдаете) температурный гистерезис проводимости. При температурах ниже и вьши указанного интервала энергии активации проводимости составляют 0,2 и 0,: эВ соответственно. Аномалия температурной зависимоеп электропроводности гидрида алюминия объясняется двумя причинами "размораживанием" ионной проводимости и наличием фазовых переходов которые были обнаружены нами в А1Н3.

На кривых токов термостимулированной деполяризации на фон широких максимумов, соответствующих электретным состояниям AIH наблюдаются два узких пика в области 250 и 295 К, которые регистрируютс: при нагревании, даже если образец перед разогревом не заполяризовывался Таким образом, гидрид алюминия обладает пироэлектрическими свойствами причем в области фазовых переходов проявляется аномальное изменены диэлектрических свойств А1Н3, заключающееся в резком увеличени]

14

диэлектрической постоянной на звуковых частотах при повышении температуры от 250 до 290 К и гистерезисе ее температурной зависимости. Впервые проведено измерение диэлектрической проницаемости гидрида алюминия, величина которой при температурах выше 290 К составляет около 4,0.

В результате необратимых превращений при фотолизе и термолизе электрофизические свойства гидрида алюминия существенно меняются. При УФ облучении уровень проводимости заметно возрастает, в температурной зависимости электропроводности нет аномальных проявлений фазовых переходов, в пироэлектрических токах исчезает максимум при температуре 250 К. При фотохимическом разложении исходная структура А1Н3 разрушается, что приводит к почти полному исчезновению пика пиротоков при 250 К. Однако при дальнейшем разрушении гидрида алюминия в результате термолиза центры изображения растут, появляются зародыши новай фазы - металлического алюминия и в таком неоднородном кристалле появляется новый пик фазового перехода при 265 К. Интенсивность и ширина этого максимума пиротока растут до определенного предела по мере увеличения зародышей новой фазы. Кристаллическая подрешетка AI в решетке гексагонального А1Н3 отличается от структуры металлического алюминия (ГЦК), что приводит к деформации решетки на границе раздела двух фаз и обусловливает нестабильность решетки в пограничном слое и появление фазового пироэлектрического перехода в неоднородной системе гидрид алюминия - квазиметаллический центр. На глубоких стадиях разложения (образование металлических частиц А1) образец полностью теряет пироэлектрические свойства.

После облучения УФ светом ВАХ гидрида алюминия имеют аналогичный вид, только общий уровень проводимости повышается и переход к сверхлинейному участку происходит в полях меньшей напряженности. К подобным же изменениям приводит и выдерживание образца в электрическом поле большой напряженности, что говорит о схожести процессов, происходящих при облучении и в сильных электрических полях. По электрон-ионному механизму образования изображения в фотографических системах несущественен источник происхождения электронов и ионов, а необходима лишь их избыточная концентрация. При разложении гидрида алюминия в электрическом поле создается такая благоприятная ситуация. Действительно, термическое проявление образца после действия поля напряженностью больше 104 В/см позволяет получить изображение межэлектродной области, т.е. центры изображения в гидриде алюминия можно генерировать электрохимически. На основании этих результатов предложен новый электрочувствительный

регистрирующий материал со следующими характеристиками: толщина электрочувствительного слоя 10 мкм; электро-чувствительность при содержании гидрида алюминия в пределах 30-70 весовых % составляет 10 В: Отах - 1,2-1,4; 0„„„ не превышает 0,1.

В гидриде алюминия нами обнаружены и исследованы локальные электронные состояния по всей ширине запрещенной зоны. Энергетическая структура локальных уровней в верхней части запрещенной зоны А1Н; изучена с помощью методов ТСЕ и ТСП. В исходном гидриде алюминия существуют две группы уровней прилипания с примерно одинаковыми поверхностными концентрациями около 10<; см'2, чему соответствуют две максимума на кривых ТСЕ и ТСП. Эти уровни расположены на глубине 0,20,3 и 0,7-1,2 эВ ниже дна зоны проводимости.

Методом фоторазрядки нанесенного на поверхносп электростатического заряда исследованы локальные состояния, занимающие положение ниже уровня Ферми. Энергетическое распределение плотное™ локальных поверхностных состояний имеет максимум около 2,6 эВ от днг зоны проводимости и интегральную плотность порядка 109 см-2 Проводимость л-типа беспримесных образцов гидрида алюминш определяется незначительной плотностью состояний, лежащих в интервале энергий от уровня Ферми до середины запрещенной зоны (Е/г = 1,2-1,3 эВ Ех = 3,6 эВ).

После облучения образца УФ светом на кривых ТСП появляется новы? максимум. Следовательно, при фотолизе А1Нз в решетке образуются новые дефекты с появлением соответствующих локальных уровней в запрещение? зоне полупроводника, глубина которых составляет 0,4-0,6 эВ. Пр1: термическом проявлении наблюдается смещение максимума соответствующего созданным фотохимически локальным центрам, в обласп более высоких температур. На начальных стадиях термолиза глубина уровне? увеличивается до 0,5-0,8 эВ, и при дальнейшем разложении гидридг алюминия эти уровни опускаются еще глубже. Такая тенденция указывает нг то, что локальные центры становятся более крупными, более устойчивыми.

При вуалеобразовании, т.е. термическом разложении необлученногс гидрида алюминия, кривые ТСП имеют сложную структуру без явне выраженных максимумов, свидетельствующую об образовании при термолизе в запрещенной зоне А1Н3 квазинепрерывного спектра локальных уровней Следовательно, при термическом разложении исходного гидрида алюминш образуются дефекты, зародыши новой фазы, диапазон размеров которы> достаточно широк. Это согласуется с появлением неселективного во все? видимой области (в отличие от облученного А1Н3) поглощенш термолизованного гидрида алюминия.

Следуя классификаций Крегера, по результатам исследования локальных уровней в запрещенной зоне определено энергетическое положение состояний собственных дефектов в беспримесном гидриде алюминия. Вакансии водорода с нулевым эффективным зарядом соответствует уровень прилипания с £ = 0,95 эВ, а вакансии с положительным зарядом - акцепторный уровень с £ = 2,6 эВ ниже дна зоны проводимости. Алюминиевые центры различного размера имеют энергию в диапазоне 0,2-1,2

Термодинамическая модель дополнительного образования собственных дефектов в твердом теле применена для фотолиза А1Н3. Дефектообразование в гидриде алюминия происходит за счет разупорядочения по Шоттки и основным видом собственных дефектов являются анионные вакансии. Пороговая температура образования вакансий водорода на поверхности кристалла равна 99 К.

Повышенная концентрация вакансий водорода приводит к их агрегации, в результате чего при разложении А1Н3 в приповерхностной области появялются микропустоты. Рассмотрен процесс ассоциации вакансий с образованием пор, который описывается диффузионными уравнениями с учетом роста радиуса пор. Необходимым условием установления квазистационарного профиля пор является:

где 8 - толщина приповерхностного слоя образования вакансий, Л^ -неравновесная концентрация вакансий, N - концентрация пор, Л^. -концентрация вакансий в поре.

Проведенные оценки показали, что для образования пор необходима избыточная концентрация вакансий 1018 см-3, которая лежит в пределах полученных по формуле (4) значений для фотолиза гидрида алюминия при реальных засветках Хе<р= 1020-1022 см-3. Также оценен радиус образующихся в данных условиях пор:

где цтса - безразмерный квадрат радиуса пор, который определяется интегральными уравнениями. Их численное решение для важного случая условия (7) при Л = 1 дает величину дтах = 0,32. При этом поры образуются на глубине 0,88<? от поверхности кристалла и их радиус составляет ~10"5 см. Это значение хорошо согласуется со спектрами фотохимически наведенного поглощения и результатами электронно-микроскопических исследований А1Н3, которые показали в процессе разложения появление под поверхностью кристалла микропустот диаметром от 0,2 мкм.

эВ.

(8)

В результате конденсации и дальнейшего выхода вакансий на поверхность кристалла образуются избыточные алюминиевые центры в виде квазиметаллических частиц, которые образуются из атомов решеточного алюминия. Такая эволюция системы подтверждается описанным выше изменением пироэлектрических свойств.

Участие заряженных частиц в формировании изображения в гидриде алюминия позволяет управлять этими процессами с помощью внешнего электрического поля. Нами было обнаружено влияние электрического поля на различные стадии образования изображения в А1Н3.

Предварительное выдерживание гидрида алюминия в постоянном электрическом поле напряженностью, не превышающей 104 В/см, заметно уменьшает интенсивность вуалеобразования: при температурах выше 430 К образец начинает эффективно разлагаться за исключением участков, подвергнутых электрообработке. Таким образом, скорость термолиза выдержанного в электрическом поле гидрида алюминия понижается в результате "вычистки" образца от заряженных дефектов биографического происхождения. Поскольку значительных изменений фотохимической чувствительности гидрида алюминия после обработки в электрическом поле не происходило, то уменьшение вуалеобразования эквивалентно косвенному увеличению фоточувствительности А1Нз.

Нами было также обнаружено непосредственное влияние предварительного воздействия электрического поля на фоточувствительность гидрида алюминия: чувствительность слоя под положительным электродом больше, а под отрицательным меньше, чем исходного А1Н3. Это обусловлено перераспределением заряда в результате захвата электронов относительно глубокими локальными состояниями, которые заполняются в большей степени под положительным электродом, так что концентрация электронов на этих уровнях превышает равновесную при данной температуре. В силу того, что релаксация поляризационных полей в гидриде алюминия продолжается в темноте несколько часов, это неравновесное распределение локализованных носителей в образце сохраняется и после отключения электрического поля. При облучении таких обработанных внешним полем образцов происходит освобождение локализованных на поверхностных состояниях электронов, а их избыточная или недостаточная концентрация определяет увеличение или уменьшение плотности изображения.

Действие постоянного электрического поля во время и после экспонирования приводит к переносу изображения в гидриде алюминия. При экспонировании и в первые моменты после облучения наблюдается перенос изображения к отрицательному электроду. Если же после экспонирования А1Н3 поместить в электрическое поле на 10 и более минут, то наряду с

указанным выше переносом происходит ярко выраженное смещение изображения к положительному электроду. Подвижность положительных частиц, обусловливающих "быстрый" перенос, составляет около 10-7 см2/Вс, а "медленный" перенос изображения осуществляется дефектами кристалла с эффективным отрицательным зарядом и подвижностью около Ю-9 см2/В-с. Такая разница в подвижности, а также возможное различие времен жизни этих двух дефектов позволяет раздельно наблюдать их лрейф. Анализ структурных особенностей гидрида алюминия и учет того факта, что перенос ЦСИ в А1Н3 осуществляется не в пределах одного микрокристалла, а сразу через несколько, дают основание говорить, что в процессе участвует вакансия водорода с локализованным электроном и без него.

Скорость и эффективность переноса изображения в гидриде алюминия определяется величиной напряженности электрического поля, что позволило предложить новый способ визуализации электрических полей произвольной конфигурации с применением гидридоалюминиевых фотографических слоев.

2.4. Фотопроцессы в гидриде алюминия с адсорбированным красителем

В начале четвертой главы проведен краткий обзор литературных данных по исследованию фотофизических и фотохимических процессов, происходящих под действием света на краситель в адсорбированном состоянии на твердом теле. Основное внимание обращается на вопросы выделения путей превращения поглощенной красителем энергии в системе и возможности регулирования процессов спектральной сенсибилизации красителями фотохимической чувствительности твердых тел.

Исследование фотофизических и фотохимических процессов в гидриде алюминия с адсорбированным красителем позволило проследить судьбу поглощаемой красителем энергии. Адсорбированные на поверхности гидрида алюминия красители не сенсибилизируют фотопроводимость и фотолиз исходного полупроводника, а при возбуждении окрашенного образца в полосе поглощения красителя нами обнаружена интенсивная люминесценция адсорбированных красителей. Это обусловлено тем, что в беспримесном гидриде алюминия заполненные локальные состояния, являющиеся акцепторами энергии фотовозбуждения, расположены в основном ниже дна зоны проводимости на 2,6 эВ, и для доноров, люминесцирующих в области меньших энергий, практически нет условий для резонансного переноса энергии от возбужденного красителя в полупроводник, константа К„ которого зависит от интеграла перекрытия спектров излучения донора /¿(у) и поглощения акцептора £а( V) по частоте v:

В примесном образце гидрида алюминия концентрация и энергетическое распределение локальных состояний меняются, и это приводит к заметному тушению люминесценции красителей. Квантовые выходы люминесценции родамина 6Ж на чистом и примесном А1Н3 составляют соответственно 0,20 и 0,15, а родамина Б - 0,28 и 0,14. Однако, концентрация локальных заполненных электронами приповерхностных состояний, способных акцептировать энергию от красителя, отличается в чистом и примесном гидриде алюминия на два порядка и превышает 109 см-2, поэтому такая разница в величинах квантового выхода люминесценции адсорбированных красителей мала. Этот факт может быть обусловлен тем, что ширина зоны проводимости гидрида алюминия не превышает 0,8 эВ.

При фотолизе гидрида алюминия происходит изменение положения и концентрации локальных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Это приводит к эффективному тушению люминесценции адсорбированных красителей по мере разложения гидрида алюминия: осуществляется передача энергии от возбужденного красителя на созданные светом первичные центры изображения в адсорбенте.

Необходимо отметить результаты исследования изменения спектров излучения и поглощения адсорбированного родамина Б при фотолизе гидрида алюминия. Здесь наряду с тушением люминесценции в длинноволновой части спектра наблюдается возрастание интенсивности в коротковолновой части полосы люминесценции. Этот результат может являться следствием перехода адсорбированного красителя при разложении А1Н3 из кислой в основную форму, когда спектр излучения родамина Б смещается в коротковолновую область с одновременным увеличением квантового выхода люминесценции и коэффициента экстинкции, что было также обнаружено нами при фотолизе А1Н3 с адсорбированным красителем.

Для выяснения судьбы поглощенной появляющимися при фотолизе дефектами или переданной от красителя на эти дефекты энергии были проведены исследования вторичных фотохимических процессов в гидриде алюминия. Нами было обнаружено фотохимическое усиление изображения в гидриде алюминия: при термическом проявлении в одинаковых условиях засвеченного только УФ светом образца и образца, дополнительно облученного видимым светом, наблюдается значительно большая плотность почернения последнего.

Проведен детальный анализ фотохимически индуцированного поглощения в гидриде алюминия в области 300-900 нм с помощью формулы Гуревича-Кубелки-Мунка:

Ш = (1 - Я)У2Я, (10)

где к и ■!> - константы поглощения и рассеяния слоя, Л - коэффициент отражения. Использование фотохимического усиления позволило выделить ряд полос, определяемых продуктами фотолиза: широкая полоса, монотонно спадающая из УФ в длинноволновую область и обусловленная рассеянием на описанных зыше вакансионных микропустотах, и колоколообразные полосы твердых продуктов разложения в области 600 и 800 нм.

Полоса поглощения в области 800 нм меняется при разложении гидрида алюминия меньше и усиление изображения при облучении образца в этой полосе заметно слабее, чем в полосе 600 нм. По-видимому, она определяется частицами достаточно крупных размеров, например, целыми микрокристаллами гидрида алюминия, покрытыми поверхностными кластерами алюминия. Основными объемными центрами разложения являются квазиметаллические частицы алюминия, обусловливающие полосу в районе 600 нм и растущие по мере разложения образца. Полоса поглощения, определяемая такими центрами, присутствует и в облученном только.УФ светом гидриде алюминия, но маскируется интенсивной окраской, обусловленной вакансионными порами.

При фотохимическом усилении энергия, поглощенная твердыми продуктами первичного фотохимического процесса - квазиметаллическими частицами алюминия, быстро дисспирует в системе. В соответствии с предложенным вакансионным механизмом фотолиза А1Н3 диссипация энергии приводит к росту первичного дефекта в результате разложения твердого тела в непосредственном окружении данного центра, усилению первичного изображения. Фотохимическое усиление обеспечивает селективное разложение только на засвеченных участках, т.е. в этом случае имеет место большая автолокализация процесса проявления и это обстоятельство позволяет улучшать такие характеристики светочувствительного материала, как контрастность и разрешающая способность.

Изучение фотопроводимости гидрида алюминия выявило слабый фототок в примесной области, причем адсорбированный краситель оказывает фильтрующее действие на спектр фотоэффекта в А1Н3. Поглощенная красителем энергия частично излучается в виде кванта люминесценции или конвертирует внутри молекулы, часть падающего на образец света не доходит до полупроводника и в спектре фотопроводимости наблюдается провал в полосе поглощения красителя.

При фотолизе гидрида алюминия наблюдается значительное тушение люминесценции адсорбированного красителя за счет появления новых дефектов, акцептирующих энергию, а примесная фотопроводимость сильно возрастает. Однако, тушение люминесценции красителя не сопровождается

появлением сенсибилизированного фототока в полупроводнике и в засвеченном гидриде алюминия также наблюдается фильтрующее действие адсорбированного красителя, т.е. при этом в зоне проводимости не появляются свободные носители, а переданная полупроводнику энергия быстро диссипирует в системе в соответствии с рассмотренным выше вакансионным механизмом, приводя к самокомпенсации фотопроводимости. С другой стороны, при фотохимическом усилении изображения происходят аналогичные процессы и в окрашенном образце должно наблюдаться усиление светового проявления за счет вторичных фотохимических реакций, поскольку поглощение такого гидрида алюминия в видимой области намного больше. Проведенные исследования спектров диффузного отражения полностью подтвердили это, и таким образом была обнаружена эффективная сенсибилизация красителями фотохимического усиления ЦСИ в А1Н3 за счет передачи энергии фотовозбуждения.

По результатам проведенных исследований фотофизических и фотохимических процессов в гидриде алюминия с адсорбированным красителем предложена схема электронных переходов в гетерогенной системе широкозонный полупроводник - адсорбированный краситель, являющейся базисом для формирования светочувствительности большинства фотографических материалов. При этом рассмотрены основные процессы, определяющие судьбу поглощенной красителем энергии в такой системе: люминесценция красителя, деградация внутри молекулы, передача полупроводнику, электронные переходы в различных областях полупроводника с образованием свободных носителей и процессами их рекомбинации. Показана важность учета всей совокупности электронных процессов при решении задач повышения чувствительности фотографических материалов. Дополнительные возможности для спектральной сенсибилизации ФТМ открываются за счет сенсибилизации вторичных фотохимических реакций.

2.5. Сенсибилизация фототсрмографнческнх материалов на солях

серебра

Проведен краткий анализ научно-технической и патентной литературы по вопросам формирования фотохимической чувствительности фототермографических материалов.

При разработке технологии получения ФТМ на солях серебра для обеспечения хорошего каталитического контакта в гетерогенной системе галогенид серебра - органическая соль серебра выбран метод синтеза галогенида серебра непосредственно на поверхности органической соли. В качестве исходной ТПК был взят модельный состав ФТМ, предложенный в ИХТТиМС СО АН СССР и содержащий бромид серебра на поверхности

22

стеарата серебра, восстановитель, стеариновую кислоту, фталимид и поливинилбутираль в качестве связующего. При этом синтез бромида серебра проводился путем галогенирования стеарата серебра в органическом растворителе.

Сенситометрические испытания изготовленных на основе исходной ТПК образцов показали низкий уровень светочувствительности фотопленок. Т.Б.Колесовой с сотрудниками было проведено совершенствование технологии получения композиции, в чего были получены образцы ФТМ с высоким (более 300 мм*1) разрешением, имеющие светочувствительность в сине-зеленой и красной областях спектра. Сделанные нами оценки энергетической чувствительности таких образцов дали величину = 0,7-1,0 Дж/м2, что недостаточно для использования в современных регистрирующих устройствах.

Рассмотрены особенности химической сенсибилизации ФТМ. Традиционно применяемая в фотографии сернистая сенсибилизация создает настолько активные центры, что при высоких температурах проявления ФТМ в результате интенсивных окислительно-восстановительных процессов образуется сильная вуаль. Сенсибилизация солями золота, которая в классической эмульсионной технологии сама по себе не является эффективной, в ФТМ приводит к увеличению чувствительности более, чем в два раза. Это обусловлено тем, что образующиеся при золотой сенсибилизации дефекты, являясь акцепторами дырок, уменьшают вероятность рекомбинации носителей, и в мелкодисперсном бромиде серебра ФТМ, где доля поверхности и роль рекомбинационных процессов велика, это приводит к увеличению эффективности образования ЦСИ.

В соответствии с развиваемыми представлениями формирование ЦСИ в материале связано с полупроводниковыми свойствами светочувствительной компоненты. При получении галогенида серебра в ТПК непосредственным гапогенированием органической соли серебра бромидами щелочных металлов в органическом растворителе размер частиц галогенида лежит в пределах 5 нм. При таких размерах трудно говорить о кристаллической фазе AgBr, о его полупроводниковых свойствах. Методы модификации галогенидов серебра, которые позволили бы регулировать их полупроводниковые свойства и. тем самым управлять фотохимическими процессами в материале, в большинстве случаев предполагают использование при синтезе для легирования полупроводника водорастворимых соединений.

Для преодоления вышеуказанных препятствий и создания условий для регулирования полупроводниковых свойств светочувствительной компоненты нами предложена технология синтеза ТПК путем получения галогенида на поверхности стеарата серебра в водной среде.- Синтез

галогенида ведут путем попеременного введения в суспензию водных растворов нитрата серебра и бромида щелочного металла.

При оптимальном (2-5) числе циклов попеременного введения растворов нитрата серебра и бромида лития предложенный способ синтеза ТПК позволяет повысить светочувствительность в 7-8 раз. По данным электронно-микроскопических исследований на поверхности стеарата серебра при данной технологии образуются кристаллы АцВг кубической формы размером около 0,1 мкм. При таком увеличении размеров галогенида серебра возрастает роль коллективных электронных процессов, в большей степени проявляются именно полупроводниковые свойства твердого тела, обеспечивающие автолокализацию и автокатализ фотохимического процесса и соответственно повышение светочувствительности материала. Оценки энергетической чувствительности полученных образцов фотопленок дали величину = 0,1-0,15 Дж/м2 для образцов, сенсибилизированных как в сине-зеленой, так и в красной области спектра.

Предложенный метод водного синтеза ТПК позволяет применять многие способы модификации гапогенидов серебра, хорошо развитые в традиционной эмульсионной технологии. Использование аммиака в качестве модификатора роста микрокристаллов галогенида серебра позволило дополнительно повысить чувствительность за счет увеличения размеров частиц при вполне допустимом в регистрирующих устройствах получения твердых копий для визуального восприятия уменьшении разрешающей способности до 30 мм-1. При этом получены образцы ФТМ со следующими показателями: 5/1 = 0,03 - 0,05 Дж/м2; йтах = 2,3; От/п не более 0,1.

Проведены исследования выполнения закона взаимозаместимости для ФТМ. В высокоразрешающих образцах фотопленки, в которых галогенид получался путем прямого галогенирования стеарата серебра в органическом растворителе, наблюдаются сильные отклонения от взаимозаместимости: чувствительность падает почти на порядок как при увеличении выдержки от секунды до 100 с, так и при уменьшении до 10*2 с, что определяется прежде всего мелкодисперсной фазой А£Вг в образцах.

Применение технологии водного синтеза галогенида на поверхности стеарата серебра позволяет увеличить размеры микрокристаллов AgBr и практически устраняет отклонения от взаимозаместимости при выдержках в пределах Ю-3 - 102 с. Однако, на временах экспонирования Ю*6 с, характерных для современных регистрирующих устройств, влияние невзаимозаместимости остается значительным.

Предложенные нами методы синтеза галогенида серебра открывают возможности изменять его собственно полупроводниковые свойства, позволяя тем самым управлять электронными и ионными процессами

формирования ЦСИ. Путем введения примесных ионов Сс)2"1" в решетку бромида серебра удалось создать эффективные объемные центры формирования ЦСИ при высоких уровнях освещенности и таким образом обеспечить необходимый прирост светочувствительности на временах экспонирования Ю-6 с. Как отмечалось выше, при высоких интенснвностях света в фотографическом процессе возрастает роль статистического механизма дефектообразования. Проведенные по формулам (5) и (6) оценки показали, что для обеспечения достаточной эффективности уровней Сс!2"4" их концентрация должна быть не менее 1020 см*3. Это совпадает с тем, что оптимальным количеством вводимого в композицию бромида кадмия является 0,5-2,0 моль%.

Применение в качестве поверхностной добавки в галогенид серебра тиацианата калия, а также одновременное введение бромакцепторного соединения - (И,К - дифенилгуанидина) позволило повысить чувствительность ФТМ при коротковременных экспозициях за счет дополнительных приповерхностных электронных состояний и перераспределения функций локальных центров.

Исследованы особенности спектральной сенсибилизации ФТМ на солях серебра. Применением трикарбоцианиновых красителей и суперсенсибилизаторов нам удалось решить актуальную задачу сенсибилизации ФТМ в ближней инфракрасной области (Лтах = 800-840 нм).

Необходимо отметить, что оптимальные концентрации вводимых красителей как для инфракрасной, так и для видимой области спектра почти на два порядка выше, чем для традиционных галоидосеребряных эмульсий. Это может быть обусловлено тем, что сенсибилизирующее действие оказывает краситель, адсорбированный не только непосредственно на галогениде серебра, но и на диэлектрике - стеарате серебра. Проведенные оценки площади поверхности галогенида и стеарата серебра хорошо согласуются с наблюдаемыми концентрациями красителей. Предложен новый с вето водный механизм сенсибилизации красителями фотопроцессов в системе. Рассмотрены пути и условия осуществления диэлектриком эффективного концентрирования энергии от красителя на центры чувствительности. По результатам исследований спектральной чувствительности фотослоев и спектров поглощения красителей установлено, что вклады красителей, адсорбированных на галогениде серебра, и красителей, адсорбированных на стеарате серебра, примерно одинаковы.

В повышении эффективности сенсибилизации ФТМ играют свою роль и вторичные фотохимические процессы. В серебряных ФТМ также, как и в гидриде алюминия, происходит фотохимическое усиление изображения и, как показали наши модельные исследования на гидриде алюминия, эти

вторичные фотохимические процессы эффективно сенсибилизируются красителями.

В заключении отмечается, что совокупность проведенных в работе электрофизических, спектральных, люминесцентных и фотографических исследований фотохимически чувствительных систем на основе гидрида алюминия и солей серебра позволила получить ряд новых результатов, имеющих важное значение как в развитии фундаментальных вопросов фотохимии твердого тела, так и в прикладном аспекте при создании регистрирующих сред. Термодинамическая модель образования собственных дефектов в твердом теле на базе статистического взаимодействия электронов и дефектов в полупроводнике дала возможность интерпретировать первичные фотопроцессы в галогениде серебра при наносекундном лазерном фотолизе и предложить вакансионный механизм фотолиза гидрида алюминия, хорошо описывающий экспериментальные результаты.

Исследование систем с адсорбированным красителем позволило проследить судьбу поглощаемой красителем энергии, выделить основные элементарные фотофизические и фотохимические процессы в гетерогенной системе краситель - твердое тело и в результате анализа последних найти дополнительные пути повышения эффективности спектральной сенсибилизации.

Результирующая эффективность спектральной сенсибилизации красителями фототермографического процесса будет определяться:

где С| и с, - концентрации красителей, адсорбированных соответственно на светочувствительной и несветочувствительной компонентах фотослоя; к\, кг, ¿з - соответственно константы скоростей передачи энергии фотовозбуждения адсорбированного на светочувствительной компоненте красителя твердому телу, люминесценции и безызлучательной рекомбинации; к2' и к}' -аналогичные константы для красителей, адсорбированных на несветочувствительной компоненте; к4 - константа скорости образования первичных фотохимических продуктов в твердом теле; к5 и к6 - константы соответственно безызлучательной и излучательной рекомбинации носителей в твердом теле; д2 и • соответственно эффективности концентрирования света люминесценции адсорбированных красителей и фотохимического усиления изображения.

При совершенствовании существующих и создании новых фотоматериалов необходимо принимать во внимание предложенные возможности повышения эффективности спектральной сенсибилизации за счег использования световодного механизма и фотохимического усиления

(П)

изображения путем регулирования констант скоростей соответствующих процессов.

Практическое значение проведенных в работе исследований определяется тем, что метод определения спектрально-люминесцентных характеристик порошкообразных объектов внедрен на Красногорском механическом заводе, предложены новые применения гидрида алюминия в качестве регистрирующей среды. Разработанная технология синтеза ТПК с использованием объемного и поверхностного легирования галогенида серебра позволила изготовить лабораторные образцы термопроявляемых фотопленок, которые при испытании в НИИТочПрибор на макете фоторегистрирующего устройства с электронно-лучевой трубкой дали возможность получить изображение удовлетворительного качества.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана технология синтеза термопроявляемых композиций с повышенной чувствительностью путем получения галогенида на поверхности стеарата серебра в водной среде, позволяющая регулировать ее фотографические свойства применением традиционных эмульсионных методов модификации светочувствительной компоненты. Технология внедрена на Переславском заводе информационных технологий "ЛИТ".

2. Установлена связь отклонений от взаимозаместимости с технологическими параметрами синтеза термопроявляемой композиции. Показано, что увеличение размеров частиц галогенида серебра позволяет устранить невзаимозаместимость при временах экспонирования 10*3-102 с. Предложены способы регулирования отклонений от взаимозаместимости путем объемного и поверхностного легирования галогенида серебра.

3. Применение статистической модели фотохимического процесса в твердом теле с образованием собственных дефектов дает хорошее согласие с экспериментальными результатами по наносекундному лазерному фотолизу галогенидов серебра. На основе развитых представлений создана вакансионная модель фотолиза гидрида алюминия, хорошо описывающая первичные и вторичные фотохимические процессы в А1Н3.

4. Определен полный спектр локальных электронных состояний, связанных с собственными дефектами, по всей ширине запрещенной зоны гидрида алюминия. Прослежена динамика изменения этих уровней, и основных электрофизических свойств в процессе фотолиза и термолиза А1Н3.

5. Предложены новые применения гидрида алюминия в качестве электрочувствительного регистрирующего материала и для визуализации электрических полей произвольной конфигурации. Показана возможность управления вуалеобразованием и фотохимической чувствительностью А1Н3 с помощью внешнего электрического поля.

6. Впервые изучены фотопроцессы в гидриде алюминия с адсорбированным красителем. Обнаружена люминесценция красителей и установлена ее связь с энергетической диаграммой локальных электронных состояний в адсорбенте в рамках механизма резонансного переноса энергии.

7. Путем анализа появляющейся при фотолизе гидрида алюминия окраски в ближней ультрафиолетовой и видимой областях спектра показано, что она определяется как поглощением света квазиметаллическими центрами изображения, так и рассеянием света на микропустотах в кристалле. Обнаружено фотохимическое усиление изображения в А1Н3 при поглощении света твердыми продуктами фотолиза.

8. Показано, что тушение люминесценции адсорбированного красителя не сопровождается сенсибилизированным фотоэффектом, но происходит сенсибилизация фотохимического усиления изображения за счет дополнительной генерации собственных дефектов в А1Н3. Обнаруженная спектральная сенсибилизация расширяет перспективы применения разрабатываемых регистрирующих материалов на основе гидрида алюминия.

9. Предложен световодный механизм спектральной сенсибилизации красителями, адсорбированными на несветочувствительной соли серебра, который наряду с сенсибилизацией фотохимического усиления позволяет использовать дополнительные пути повышения эффективности спектральной сенсибилизации фототермографических материалов красителями.

10. Разработан метод определения спектрально-люминесцентных характеристик порошкообразных объектов. Показано, что разбавление порошком белого стандарта позволяет устранить влияние светорассеяния и перепоглощения и измерять истинные квантовые выходы и -спектры люминесценции образцов различной степени дисперсности как с объемными, так и с поверхностными центрами свечения. Метод внедрен на Красногорском механическом заводе.

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах:

1. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Действие электрического поля на фотохимические процессы в гидриде алюминия.-Опт.-мех.пром.,1975, № 9, с.50-54.

2. Пименов Ю.Д., Горяев М.А. О масштабах возмущения, испытываемого адсорбентом-полупроводником при адсорбции молекул донорно-акцепторного типа.-Кинет.и катал.,1976, т. 17, № 4, с.1035-1039.

3. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Электропроводность гидрида алюминия.-Ж.научн.и прикл.фотогр.и кинематогр.,1977, т.22, № 1, с.14-16.

4. А.с. № 553128 (СССР). Композиция для получения электрочувствительного материала /И.А.Акимов, М.А.Горяев, Ю.Д.Пименов.-Опубл.в Б.И., 1977, № 13.

5. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Энергетический спектр локальных :остояний и его изменение при фотолизе и термолизе гидрида алюминия.-Эпт.и спектр., 1977, т.42, № 6, с. 1102-1105.

6. A.c. № 573792 (СССР). Способ визуализации электрического поля 1роизвольной конфигурации /М.А.Горяев, Ю.Д.Пименов.-Опубл.в Б.И., 1977, Ч°35.

7. Пименов Ю.Д., Горяев М.А. Фото- и термохимические процессы в 'идриде алюминия.-В кн.: Спектроскопия фотопревращенин в молекулах!-/!.: Чаука, 1977.-С.284-305.

8. Pimenov Yu.D., Goryaev М.А. Aluminium Hydride as a Model System for ;he Investigation of Photographic Processes.-J.Signal AM, 1978, B.6, № 2, S.l 11118.

9. Демидов К.Б., Горяев М.А. Полный спектр локальных состояний и }>оточувствительность гидрида алюминия.-Опт.и спектр., 1978, т.45, № 5, =.1012-1013.

10. Горяев М.А., Акимов И. А. Люминесценция красителей, адсорбированных на гидриде алюминия, и ее изменения при фотолизе адсорбента.-Опт.и спектр., 1979, т.47, № 2, с.409-411.

11. Горяев М.А., Тазитдинов В. А. Простой электронный герморегулятор.-Опт.-мех.пром.,1979, № 10, с.61-62.

12. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Управление процессами формирования изображения в неорганических светочувствительных материалах.-Усп.научн.фотогр.,1980, т.20, с.96-105.

13. Горяев М.А. Метод определения спектрально-люминесцентных характеристик порошкообразных систем.- Письма в Ж.техн.физ.,1980, т.6, № 18, с.1132-1135.

14. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Фазовые переходы и формирование изображения в гидриде алюминия.-Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т. 16, № 11, с. 1936-1940.

15. Горяев М.А. Фотопроцессы в гидриде алюминия с адсорбированным красителем.-Опт.и спектр., 1980, т.49, № 6, с.1142-1146.

16. Горяев М.А. Сенсибилизация гидрида алюминия красителями.-Ж. чаучн.и прикл.фотогр.и кинематогр.,1981, т.26, № 4, с.283-286.

17. Горяев М.А. Квантовый выход и спектры люминесценции красителей в адсорбированном состоянии.-Опт.и спектр.,1981, т.51, № 6, =.1016-1020.

18. Горяев М.А. Определение квантового выхода люминесценции :веторассеивающих объектов.-Ж.прикл.спектр.,1982,т.36, № 2,с.245-249.

19. Горяев М.А. Спектральные исследования реакций разложения н твердом теле.-В кн.: Кинет.и механизм реакций в тв.фазе: Сб.научн.тр. КемГУ, Кемерово, 1982, с.57-65.

20. Горяев М.А. О природе центров фотохимически индуцированного поглощения в А1Нз.-Опт.и спектр.,1982, т.53, № 5, с.848-850.

21. Акимов И.А., Горяев М.А. Фотопроцессы в полупроводниках с адсорбированным красителем.-Ж.физ.хим.,1984, т.58, № 5, с.1104-И 07.

22. Горяев М.А. О границах применения метода разбавления белым стандартом для определения спектрально-люминесцентных характеристт светорассеивающих объектов.-Ж.прикл.спектр.,1985, т.42, № 1, с.136-139.

23. Горяев М.А. Полупроводниковые свойства фотографических материалов.-Усп.научн.фотогр.,1986, т.24, с.109-119.

24. Demidov К.В., Goryaev М.А. Effect of the Energy Structure anc Properties of Defect States in Photoconductors on the Efficiency of Spectra Sensitization.-Abstracts ofICPS-86, Cologne, p.l51.

25. Горяев M.A., Тибилов C.C. Кинетика первичных процессо! фотолиза галогенидов серебра.-В кн.: Физич.проц.в светочувст.сист.на основ« солей серебра: Матер, конф.,Кемерово, 1986, с. 12-22.

26. Ахмеров А.Ю., Берлин Г.В., Горяев М.А., Жуков С.А Люминесцентные исследования гетерогенных процессов в эмульсионны> микрокристаллах.-Ж.научн.и прикл.фотогр.и кинематогр., 1989, т.34, № 2 с. 139-142.

27. Горяев М.А., Дудников Ю.А. Электронные и гибридные системь получения изображений.-Ж.научн.и прикл.фотогр.и кинематогр., 1990, т.35, К; 5, с.386-394.

28. Патент № 2054705 (РФ). Способ изготовления композита регистрирующего слоя термопроявляемого фотоматериала /Т.Б.Колесова А.Л.Говорков, М.А.Горяев и др.-Опубл.в Б.И.,1996, № 5.

29. Горяев М.А. Термопроявляемые фотоматериалы на основе неорганических систем.-Ж.научн.и прикл.фотогр.и кинематогр., 1991, т.36, № 5, с.421-430.

30. Большаков В.Н., Горяев М.А. Устройства и регистрирующие средь: для экспрессного вывода из ЭВМ полутоновых изображений.-Опт.-мех.пром.,1991, № 11,с.б8-73.

31. Патент № 2041483 (РФ). Способ изготовления композиции регистрирующего слоя термопроявляемого фотоматериала /М.А.Горяев Т.Б.Колесова и др.-Опубл.в Б.И.,1995, № 22.

32. Горяев М.А., Колесова Т.Б. и др. Формирование фотографическт свойств термически проявляемых материалов на основе солей серебра.-В кн.

Технология и свойства материалов для записи информации: C6.Hay41f.Tp. НИИХИМФОТОПРОЕКТ, М.,1992, с.67-77.

33. Горяев М.А., Колесова Т.Б. Формирование чувствительности фотослоев типа "сухое серебро" при коротковременных экспозициях.-Ж. научн.и прикл.фотогр.,1993, т.38, № 2, с. 17-21.

34. Патент № 2049342 (РФ). Способ изготовления композиции регистрирующего слоя термопроявляемого фотоматериала /М.А.Г'оряев, Т.Б.Колесова и др.-Опубл.в Б.И.,1995, № 33.

35. Горяев М.А. Регистрирующие процессы на несеребряных фотохимически чувствительных материалах.-Ж.научн.и прикл.фотогр.,1994, г.39, № 3, с.55-66.

36. Geryaev М.А. Photochemical Sensitivity Formation of Thermally Processed Silver Systems.-In: Papers from ICPS'94, Rochester, 1994, v.I, p.360-361.

37. Горяев М.А. Световодныи механизм спектральной сенсибилизации красителями фотопроцессов в системе диэлектрик-полупроводник.- Письма в Ж.техн.физ.,1994, т.20, № 21, с.40-43.

38. Горяев М.А. Управление фотохимической чувствительностью термически проявляемых серебряных материалов.-Ж.прикл.хим.,1994, т.67, № 6, с.963-966.

39. Горяев М.А. О светостойкости изображения на серебряных гермопроявляемых фотослоях.- Ж. научн. и прикл. фотогр., 1995, т.40, № 4, с.32-34.

40. Горяев М.А. Диэлектрические свойства гидрида алюминия.-Неорг. матер.,1995, т.31, № 11, с.1411-1413.

41. Горяев М.А. О механизме спектральной сенсибилизации материалов типа "сухое серебро".- Ж.научн.и прикл.фотогр.,1996, т.41, № 1, с.40-42.

42. Goryaev М.А. Mechanisms of Spectral Sensitization of Thermally Processed Systems.-In: Papers from 1ST 49th Annual Conference, Minneapolis, 1996, p.125-126.

43. Горяев M.A., Шапиро Б.И. Сенсибилизация серебряных гермопроявляемых фотоматериалов в ближней инфракрасной области.-Ж.научн.и прикл.фотогр.,1997, т.42, № 2, с.65-67.

44. Горяев М.А. Спектральная зависимость квантового выхода гпоминесценции адсорбированных красителей.-Опт.и спектр., 1997, т.82, № 5, =.781-783.

45. Goryaev М.А. Additional Opportunities in Spectral Sensitization of Photothermographic Systems.-In: Proc. Intern. Symp. Silver Halide Imaging, Victoria, 1997, p.82-84.

46. Goryaev M.A. Primary Photochemical Processes in Silver Halide.-In: Proc Intern. Symp. Silver Halide Imaging, Victoria, 1997, p. 148-149.

47. Горяев M.A. Дополнительные пути повышения эффективности спектральной сенсибилизации фототермографических систем .-Ж.научн.1 прикл.фотогр.,1998, т.43, № 3, с.1-8.

48. Горяев М.А. Статистическая модель первичных фотохимически» процессов в галогенидах серебра.-Ж.научн.и прикл.фотогр.,1998, т.43, № 3

49. Горяев М.А. Энергетика собственных дефектов и механизм вторичных фотохимических процессов в А1Н3,- Опт. и спектр., 1998, т.84, № 6

50. Goryaev М.А. The Efficiency of a Lightguide Mechanism in the Spectra Sensitization of Photothermographic Media.-In: Proc. ICSP'98, Antwerp, 1998, v.l p.73-74.

51. Goryaev M.A. The Role of a Statistical Defect Formation in Photographic Processes.-In: Proc. ICSP'98, Antwerp, 1998, v.l, p.371-372.

52. Goryaev M.A. Two Models of the Latent Image Formation. - In: Proc PICS'99, Savannah, Georgia, 1999, p.21-23.

53. Горяев M.A. Вклад статистических процессов образовать собственных дефектов галогенидов серебра в формирование скрытой изображения.-Ж.научн.и прикл.фотогр.,1999, т.44, № 6, с.34-38.

54. Горяев М.А. Вакансионный механизм фотолиза гидрида алюминия.' Опт.и спектр.,2000, т.88, № 1, с.49-52.

Примечание к списку опубликованных по теме диссертации работ:

В работах 1-11, 14, 21, 24-28, 30-34, 43 автор принимал участие I постановке задачи, выборе объектов исследования, проведенш эксперимента, обсуждении и обобщении результатов.

Работы 12, 23, 27, 29 и 35 представляют собой обзоры по основным направлениям диссертационной работы, подготовленные автором и £ соавторстве.

с.9-13.

с.960-962.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана технология синтеза термопроявляемых композиций с повышенной чувствительностью путем получения галогенида на поверхности стеарата серебра в водной среде, позволяющая регулировать ее фотографические свойства применением традиционных эмульсионных методов модификации светочувствительной компоненты. Технология внедрена на Переславском заводе информационных технологий "ЛИТ".

2. Установлена связь отклонений от взаимозаместимости с технологическими параметрами синтеза термопроявляемой композиции. Показано, что увеличение размеров частиц галогенида серебра позволяет устранить невзаимозаместимость при временах экспонирования 10~3-102 с. Предложены способы регулирования отклонений от взаимозаместимости путем объемного и поверхностного легирования галогенида серебра.

3. Применение статистической модели фотохимического процесса в твердом теле с образованием собственных дефектов дает хорошее согласие с экспериментальными результатами по наносекундному лазерному фотолизу галогенидов серебра. На основе развитых представлений создана вакансионная модель фотолиза гидрида алюминия, хорошо описывающая первичные и вторичные фотохимические процессы в А1Н3.

4. Определен полный спектр локальных электронных состояний, связанных с собственными дефектами, по всей ширине запрещенной зоны гидрида алюминия. Прослежена динамика изменения этих уровней и основных электрофизических свойств в процессе фотолиза и термолиза А1Н3.

5. Предложены новые применения гидрида алюминия в качестве электрочувствительного регистрирующего материала и для визуализации электрических полей произвольной конфигурации. Показана возможность управления вуалеобразованием и фотохимической чувствительностью АШ3 с помощью внешнего электрического поля.

6. Впервые изучены фотопроцессы в гидриде алюминия с адсорбированным красителем. Обнаружена люминесценция красителей и установлена ее связь с энергетической диаграммой локальных электронных состояний в адсорбенте в рамках механизма резонансного переноса энергии.

7. Путем анализа появляющегося при фотолизе гидрида алюминия окраски в ближней ультрафиолетовой и видимой областях спектра показано, что она определяется как поглощением света квазиметаллическими центрами изображения, так и рассеянием света на микропустотах в кристалле. Обнаружено фотохимическое усиление изображения в А1Н3 при поглощении света твердыми продуктами фотолиза.

8. Показано, что тушение люминесценции адсорбированного красителя не сопровождается сенсибилизированным фотоэффектом, но происходит сенсибилизация фотохимического усиления изображения за счет дополнительной генерации собственных дефектов в А1Н3. Обнаруженная спектральная сенсибилизация расширяет перспективы применения разрабатываемых регистрирующих материалов на основе гидрида алюминия.

9. Предложен световодный механизм спектральной сенсибилизации красителями, адсорбированными на несветочувствительной соли серебра, который наряду с сенсибилизацией фотохимического усиления позволяет использовать дополнительные пути повышения эффективности спектральной сенсибилизации фототермографических материалов красителями.

10. Разработан метод определения спектрально-люминесцентных характеристик порошкообразных объектов. Показано, что разбавление порошком белого стандарта позволяет устранить влияние светорассеяния и перепоглощения и измерять истинные квантовые выходы и спектры люминесценции образцов различной степени дисперсности как с объемными, так и с поверхностными центрами свечения. Метод внедрен на Красногорском механическом заводе.

1. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса.-Л.:Химия,1973,-572 с.

2. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса.-Л.:Химия,1980.-672 с.

3. Терении А.Н. Фотоиика молекул красителей и родственных соединений.- Л.:Наука, 1967.-616 с.

4. Акимов И.А., Черкасов Ю.А., Черкашин М.И. Сенсибилизированный фотоэффект.-М.гНаука,1980.-384 с.

5. Горяев М.А. Регистрирующие процессы на несеребряных фотохимически чувствительных материалах.-ЖНиПФ, 1994,т.39, № 3,с.55-66.

6. Андреев В.М., Фокин Е.П., Михайлов Ю.И., Болдырев В.В. Фотографический процесс на солях серебра с термическим проявлением.-ЖНиПФиК, 1979,т.24, № 4,с.311-316.

7. Sheppard J.W. Early dry silver technology at 3M.-J.Appl.Phot.Eng.,1982, v.8, № 5,p.210-212.

8. Morgan D.A. New capability with dry silver recording materials.-J.Imag. Techn.,1987,v. 13, № l,p.4-7.

9. Willems J.F., Brinckman E., Delzenne G., Poot A. Aufzeichnung von Informationen obne si.berhalogenid.-Ber.Bunsenges.Phys.Chem.,1976, B.80, № 11, S.1196-1209.

10. Михайлов Ю.И., Галицин Ю.Г., Болдырев B.B., Пименов Ю.Д. Оптические спектры поглощения и их поведение при фотолизе и термолизе гидрида алюминия.-Опт.и спектр.,1975,т.39, № 6,с.1136-1139.

11. Михайлов Ю.И., Галицин Ю.Г., Болдырев В.В. Влияние предварительного УФ облучения на термолиз гидрида алюминия.-Кин.и кат.,1976, т.17, № 3,с.608-611.

12. Свиридов В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ.-МинскгВысшая школа,1964.-392 с.

13. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.-М.:Мир,1969.- 656 с.

14. Повхан Т.И., Демидов К.Б., Акимов И.А. Ячейки для исследования электрофизических свойств порошкообразных полупроводников.-ПТЭ, 1974, № 3,с.217-218.

15. Горяев М.А., Тазитдинов В.А. Простой электронный терморегулятор.-ОМП, 1979, № 10,с.61-62.

16. Паршин А.В., Скляренко B.C. Азотно-паровой термостат с электронным управлением.-ПТЭ, 1974, № 2,с.254-256.

17. Garlick G.E., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence insulphide and silicate phosphors.-Proc.Roy.Soc.,1948,v.60,p.574-590.

18. Оксман Я.А. Фотодиэлектрический эффект в полупроводниках. Авто-реф.Дисс.докт.физ.-мат.наук.-Л.,1971 .-32 с.

19. Демидов К.Б., Акимов И.А. Энергетический спектр заполненных локальных состояний в микрокристаллах окиси цинка электрофотографического слоя.-ЖНиПФиК, 1977,т.22, № 1,с.66-67.

20. Титов А.В. Исследование электронных локальных центров в цинк-сульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом.; Дис.канд.физ.-мат.наук.-Одесса,1984.-204 с.

21. Williams R., Willis A. Electron multiplication and surface charge on zincoxide single crystals.-J.Appl.Phys.,l 968,v.39, № 10,p.3731-3736.

22. Гренишин С.Г.Электрофотографический процесс.-М.:Наука,1970.-375 с.

23. Иванов А.П. Оптика рассеивающих сред.-Минск:Наука и техника,1969.592 с.

24. Standardization in Spectrophotometry and Luminescence Measurements. Ed.by K.D.Mielens et al.-Washington:NBS, 1977.-151 p.

25. Головина А.П., Левшин Л.В. Химический люминесцентный анализ , неорганических веществ.-М.:Химия, 1978.-248 с.

26. Иванов А.П., Предаю К.Г. Оптика люминеецирующего экрана.-Минск: Наука и техника,1984.-271 с.

27. Горяев М.А. Метод определения спектрально-люминесцентных характеристик порошкообразных систем.-Письма ЖТФ, 1980,т.6, № 18, с.1132-1135.

28. Горяев М.А. Квантовый выход и спектры люминесценции красителей вадсорбированном состоянии.-Опт.и спектр.Д 981,т.51,№ б,с.101б-1020.

29. Горяев М.А. Определение квантового выхода люминесценции светорассеивающих объектов.-ЖПС, 1982,т.36, № 2,с.245-249.

30. Горяев М.А. О границах применимости метода разбавления белым стандартом для определения спектрально-люминесцентных характеристик светорассеивающих объектов.-ЖПС, 1985,т.42, № 1 ,с. 136-139.

31. Кортюм Г., Браун В., Герцог Г. Принцип и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения.-Успехи физ.наук,1965,т,85, № 2, с.365-380.

32. Бурмистров И.Ф., Жмырева И.А., Каленов A.A. и др. Люминесценция кварцевого стекла, активированного самарием.-ЖПС, 1969,т.10, № 1, с.73-78.

33. Горяев М.А. Спектральная зависимость квантового выхода люминесценции адсорбированных молекул.-Опт.и спектр.,1997,т.82,№ 5,с.781-783.

34. Pike J.N. Fluorescence of mixed powder samples: a six-flux theory.-Appl.Optics, 1981,v.20, № 7,p.l 167-1173.

35. Основы технологии светочувствительных фотоматериалов. Под ред. В.И.Шеберстова.-М.:Химия,1977.-504 с.

36. Зернов В.А.Фотографическая сенситометрия.-М.:ИскусствоД980.-351 с.

37. Горяев М.А. Термопроявляемые фотоматериалы на основе неорганических систем.-ЖНиПФиК, 1991,т.Зб, № 5,с.421-430.

38. Microfilm Products Division ЗМ Company.-1978, 22р.

39. ГОСТ 10691.0-84. Материалы фотографические черно-белые на прозрачной подложке. Метод общесенситометрического испытания.-М.: Изд.стандартовД984.

40. ГОСТ 2818-83. Материалы фотографические. Метод спектросенси-тометрического испытания.гМ.:Изд.стандартов,1983.

41. ГОСТ 2818-84. Материалы фотографические на прозрачной подложке. Метод резольвометрического испытания.-М. :Изд.стандартов,1984.

42. Sirij B.W. Air-lubricated thermal processer for dry silver film.-Proc.Soc.Photo-opt.Instrum.Eng. ,1980,v.222,p.39-45.

43. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения.-М.гНаукаД 972.-400 с.

44. Tani Т. Analysis of factors influencing photographic sensitivity.-J.Imag. Sci.,1985,v.29, № 3,p.93-99.

45. Чибисов K.B. Природа фотографической чувствитёльности.-М.гНаука, 1980.-404 с.

46. Галашин Е.А., Чибисов К.В. О природе фотографической чувстви-телыюсти.-ДАН СССР, 1968,т.178, № 3,с.627-630.

47. Platikanova V., Starbova К. Model formation of latent image centers.-Phot.Sci.Eng.,1978,v.22, № l,p.6-10.

48. Moisar E., Granzer F. Formation, nature and action of sensitivity centers and latent image specks.-Phot.Sci.Eng.,1982,v.26, № l,p.l-14.

49. Moisar E. Model calculation on dispersity effects on sensitivity centers.-J.Inf.Rec.Mater.,1990,v.18, № 5,p.353-368.

50. Zhelev V., Astrov Yu. Redistribution of development centers after sulfur sensitization.-Phot.Sci.Eng.,l983,v.27, № 4,p.l 60-170.

51. Астров Ю.А., Желев В. Агрегация фотолитического серебра в AgBr какпоследовательность твердофазных химических реакций.-Успехи научн. фотогр.,1986,т.24,с. 120-142.

52. Gurney R.W., Mott N.F. The theory of the photolysis of silver bromide andthe photographic latent image.-Proc.Roy.Soc.(A), 1938,v.l64, № A917, p.l 51-167.

53. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах.-М.:ИЛ,1950.-304 с.

54. Haynes J.R., Shockley W. The mobility of electron in silver chloride.-Phys.Rev.,1951,v.82, № 6,p.935-943.

55. Sahyun M.R.V. Towards a quantum chemical model of the photographic process.-In:Papers ICSP-78, Rochester,p.91-94.

56. Hamilton J.F., Baetzold R.C. The paradox of Ag Center on AgBr: reduction sensitization vs. photolysis.-Phot.Sci.Eng. ,1981 ,v.25, № 5,p.l81-197.

57. Hamilton J.F. Towards a quantitative latent-image theory.-Phot.Sci.Eng., 1982,v.26, № 6,p.263-269.

58. Sahyun M.R.V. Application of single electron transfer theory to study of problems in photographic technology.-J.Phot.SciMl 983,v.31,p.243-249.

59. Webb J.H., Evans C.H. An experimental study of latent-image formation by means of interruped and Herschel exposure at low temperature.-J.Opt.Soc.Amer.,1938,v.28, № 7,p.249-263.

60. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.-М.:Мир,1966.-192 с.

61. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников,1. М.:Наука, 1971.-480 с.

62. Бенкен А. А., Михайлов В.Н., Стаселько Д.И. О разрушении интенсивным длинноволновым излучением центров скрытого изображения на электронной стадии их образования.-Письма ЖГФ, 1984,т.Ю, № 9,с.569-572.

63. Михайлов В.Н., Стаселько Д.И. Освобождение и захват носителей зарядов при возбуждении микрокристаллов галоидосеребряных эмульсий импульсами актиничного и неактиничного излучений.-Опт.и спектр.,1993,т.75, № 5,с.1001-1008.

64. Mitchell J.W. The trapping of electron in crystals of silver halides.-Phot.Sci.Eng.,1983,v.27, № 3,p.96-102.

65. Mitchell J.W. The statistics of electron trapping processes in microcrystalsof silver halides.-J.Phot.Sci.,1983,v.31, № 6,p.227-234.

66. Набейкин Ю.В., Огурцова Л.А., Пышкии O.C., Цехомекий В.А. Исследование процессов потемнения галоидносеребряных фотохромных стекол при облучении их короткими световыми импульсами.-Опт.и спектр. ,1983,т.54, № 6,с.1049-1053.

67. Бенкен А.А., Михайлов В.Н., Стаселько Д.И., Шапиро Б.И. Исследование образования скрытого изображения в галогенсеребряных эмульсиях при освещении моноимульсами актиничного и неакти-ничного лазерного излучения.-ЖНиПФиК, 1985,т.30, № 6,с.450-454.

68. Гренишин С.Г.,Тимохин А.А.,Тибилов С.С. Спектроскопия первичных стадий фотолиза галогенидов серебра.-Опт.и спектр.,1986,т.61, № 6, с Л153-1155.

69. Schreiber Е., Stolz Н., von der Osten W. Picosecond resonance flurescenceand energy transfer of localized electron states in silver halides.-J.Luminescence, 1987,v.38, № 1-6,р.173-175.

70. Hada H., Kawasaki M., Fukuya T. The measurement of the time of flashlight induced latent image formation.-J.Phot.Sci.,1985,v.33, № 2,p.45-48.

71. Демидов К.Б., Акимов И.А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев Agl и ZnO, сенсибилизированных красителями.-ФТП, 1968,т.2, № 2,с.210-215.

72. Van Hulle М.Е. Space charge region in thin AgBr films.-Surf.Sci.,1976, v.58, № 2,p.605-608.

73. Singh M., Khandelwal D.P. Variation of electrical properties of silver bromide ionic crystals with temperature.-Indian J.Pure and Appl.Phys., 1982,v.20, № 2,p.lll-114.

74. Демидов К.Б., Акимов И.А. Влияние локальных внутренних полей насветочувствительность электрофотографической окиси цинка.-ЖНиПФиК, 1978,т.23,с.126-128.

75. Szucs M. Die rolle der gelatine wahrend der fallung und des wachstrums von silberhalagenid kristallen.-J.Signal AM, 1983,v.ll, № 4, p.259-271.

76. Дьяконов A.H., Завлин П.М. Полимеры в кинофотоматериалах.-Л.: Химия, 1991.-240 с.

77. Белоус В.М. Люминесцентные исследования процессов, происходящих при химической сенсибилизации галогенсеребряных фотографических эмульсий.-Успехи научн.фотогр.,1989,т.25,с.5-42.

78. Tani Т. Studies on properties and interaction of stabilizers and antifoggantswith silver bromide in relation to their sensitizing effects.-Phot.Sci.Eng., 1981,v.25, № 6,p.230-239.

79. Ляндо B.A., Хисматулина P.C. О механизме сенсибилизирующего действия полиэтиленгликолей.-ЖНиПФиК, 1991,т.Зб, № 4,с.273-277.

80. Breslav Y.A., Kolesnikov L.V. Surface properties of practical silver halide emulsion crystals.-J.Phot.Sci.,1991,v.39, № l,p.2-10.

81. Милешин И.В., Колесников Л.В., Федоров Г.М. Энергетические характеристики гетероконтактов на основе галогенидов серебра.-ЖФХ, 1991 ,т.65,с.1498-1503.

82. Колесников Л.В., Гузенко А.Ф., Звиденцова Н.С. и др. Исследование поверхности эмульсионных кристаллов.-ЖНиПФиК, 1991 ,т.3б, № 5, с.360-366.

83. Картужанский АЛ. Элементарные фотографические процессы в электрическом поле.-Успехи физ.наук, 1961,т.73, № 3,с.471-502.

84. Михайлов Ю.И., Болдырев В.В. и др. Влияние импульсного электрического поля на образование скрытого изображения в иодиде свинца и оксалате серебра.-ЖНиПФиК, 1971,т.36, № 5,с.360-36б.

85. Уланов В.М. Управление чувствительностью фотографических материалов электрическим полем.-ЖНиПФиК,1986,т.31, № 2,с.114-122.

86. Sounders А.Е. The responce of electrically polarized grains to high intensity exposures.-J.Phot.Sci.,l 973,v.21, № 4,p. 160-165.

87. Кабанов А.А., Зингель Е.М. Влияние электрического поля на термическое разложение твердых веществ.-Успехи химии, 1975, т.44, № 7,с.1194-1214.

88. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А., Иванов Ф.И. Разложение азидов металлов в сильном электрическом поле.-ХВЭ, 1973,т.7, № 3,с.261-268.

89. А.с. № 360599 (СССР). Способ контроля дефектов слоев материалов/ А.Е.Кравцов, М.А.Резников.-Опубл.в Б.И.,1972, № 36.

90. Кравцов А.Е., Резников М.А., Фок М.В. К вопросу о действии электрического поля на фотографические слои.-ЖНиПФиК, 1981,т.26, N? 1,с.68-70.

91. Картужанский А.Л., Уланов В.М. Вуалеобразование в фотографическихслоях при действии сильных электрических полей.-ЖНиПФиК, 1982, т.27, № 2,с.205-207.

92. Rothstein J. Enhancement of photographic speed and sensitivity by electricfields.-Phot.Sci.Eng.,1960,v.4, № 1 ,p.5-l 1.

93. Галашин A.E. Образование скрытого изображения в электрическом поле.-ЖНиПФиК, 19$7,т.32, № 1,с.68-79.

94. Калашникова В.И., Скляров А.А. О влиянии электрического поля на фотографический процесс.-Успехи научн.фотогр.,1989,т.25,с.42-50.

95. Горлин Г.Б., Парицкий Л.Г., Рыбкин С.М., Туланов В.Т. Влияние постоянного электрического поля на эффект Ротштейна.-ЖНиПФиК, 1976,т.21, № 1,с.59-61.

96. Самойлович Д.М.,Ардашев И.В. Разрушение скрытого фотографического изображения в электрическом поле.-ДАН СССР,1968,т.179,№ 1, с.59-60.

97. Акопова А.Б., Картужанский А.Л., Маградзе Н.В. О механизме регресионных эффектов в фотографических слоях под действием импульсного электрического поля.-ЖНиПФиК, 1977,т.22,№ 1,с.47-49.

98. Акопова А.Б., Амбарцумян В.Г., Картужанский АЛ- и др. О механизместирания скрытого фотографического изображения электрическим полем.-ЖНиПФиК, 1979,т.24, № 3,с.19б-198.

99. Горлин Г.Б., Малиновский И., Парицкий Л.Г. и др. О механизме стирания скрытого изображения электрическим полем.-ЖНиПФиК, 1975,т.20, № 5,с.379-382.

100. Диденко АЛ., Лемешко Б.Д., Мороз И.Н. Действие повторных электрических импульсов на эффект повышения светочувствительности фотографических эмульсий.-ЖНиПФиК, 1986,т.31, № 1,с,53-54.

101. Мейкляр П.В. Химическая сенсибилизация фотографических галогенсеребряных эмульсий.-ЖНиПФиК, 1977,т.22, № 4,с.308-31б.

102. Moisar Е. Formation, nature and sensitivity centers and latent image specks.-Phot.Sci.Eng., 1981,v.25, № 2,p.45-56.

103. Vanassche W., Borginon H. et al. Emulsion charecteristics influencing the photographic responce of hole trapping by reduction sensitization centers.-J.Phot.Sci.,1974,v.22, № 3,p.l21-130.

104. Дуглав Л.Н., Митрофанов Ю.Ф., Мейкляр П.В. Исследование фотоэлектродвижущей силы эмульсионных слоев при различной химической сенсибилизации.-ЖНиПФиК, 1981,т.26, № 3,с.185-189.

105. Вепу C.R. Determination of energy levels in AgBr emulsion crystals from optical measurements.-J.Phot.Sci.,1970,v.l8, № 5,p.l69-175.

106. Berry C.R. Electron and hole traps in AgBr.-J.Phot.Sci.,1973,v.21, № 5, p.202-210.

107. Collier S.S. Speed and fog increases from the addition of surface sulfur-plus-gold sensitized 1-jxm AgBr octahedral emulsion.-Phot.Sci.Eng.,1982, v.26, № 2,p.98-99.

108. Кушнир M.A., Латышев A.H., Чибисов K.B., Ефимова M.A. Образование глубоких электронных ловушек при адсорбции серебра наповерхность хлоросеребряных кристаллов.-ДАН СССР,1982,т.263,№ 2, с.364-366.

109. Sahyun M.R.V. Concerning the contribution of coprecipitated sulfur impurities to the photographic sensitivity of silver halide emulsions.--Phot.Sci.Eng.,1982,v.2, № 4,p.l63-169.

110. Hamilton J.F. A Modified proposal for the mechanism of sulfur sensitization in terms of capture cross section!- Phot.Sci.Eng., 1983, v.27, № 6, p.225-230.

111. Bürge G. Gold-contaning surface states on photographic AgBr grains: roles besides photoelectron-trapping.- J.Electrochem.Soc.,1982,v.l29, № 3, p.591-595.

112. Marchetti A.P., Collier S.S., Crews N.P. Surface dependence of sulfur, gold and sulfur-plus-gold chemical sensitization.-Phot.Sci.Eng.,1984,v.28, № 4,p.l46-149.

113. Ляндо B.A., Митрофанов Ю.Ф., Мейкляр П.В. Влияние вторичного иодида и полиэтиленгликолей на фотоэлектродвижущую силу эмульсионных слоев.-ЖНиПФиК, 1983,т.28, № 1,с.56-58.

114. Rippon С., Levy В. Kinetics of silver cluster formation and trapped hole neutralization in silver halide emulsion grains digested with cadmium salts.-Phot.Sci.Eng.,1983,v.27, № 2,p.67-74.

115. Malinowski J. Participation of addenda in the photographic process.-Phot.Sci.Eng.,1973,v.17, № l,p.86-93.

116. Platikanova V. Model experiments on chemical sensitization.-J.Signal AM, 1986,v.14, № 6,p.405-406.

117. Leubner I.H. Iridium doping and photographic process in silver halide. A spectral sensitization study.-J.Phot.Sci.,1983,v.31, № 3,p.93-101.

118. Carroli B.H. Iridium sensitization. A literature review.-Phot.Sci.Eng., 1980, v.24, № 6,p.265-267.

119. Deri R.J., Spoonhower J.P. Cross section for photoelectron capture by IrBr63- in AgBr.-Appl.Phys.Lett.,1983,v.43, № l,p.65-67.

120. Costa L.F., Gilman P.B. Comparison of the luminescence and the photographic properties of an AgBrI photographic emulsion internally sensitized with iridium.-In:Papers ICPS-82, Cambridge,1982,p.179-183.

121. Weiss V., Wyberg D., Zobrist M. Reciprocity characteristics of Rh-doped emulsions: experiments and model calculations.-Phot.Sci.Eng.,1983, v.27, № l,p.40-46.

122. Eachus R.S., Graves R.E., Olm M.T. Photochemical studies of palladium(II)-doped AgBr by ESR spectroscopy.-Phys.stat,sol.(a),1980, v.57,p.427-437.

123. Friese M., Roewer G. et al. Beitrage zum warle-mechanismus von K2PdCl4 bei der chemischen sensibilisierung von silberbromidemulsionen mit und ohne gold.-J.Inf.Rec.Mater.,1987,v.l5, № 3,p.l55-162.

124. Dong Yin, Juan Yue et al. A study of Ce3+-doped on silver halide emulsion microcrystals.-J.Phot.Sci.,1991,v.39, № l,p.l 1-15.

125. Yue J., Yan Т. Фотографический эффект легирования бромоиодо-серебряных эмульсий ионами олова (II).-Guanguang Kexue Yu Kuang Huaxue, 1984, № 3,p.59-63.

126. Mitchell J.W. Elementary processes in latent image formation involving polyvalent cations.-J.Imag.Sci.,1987,V;31, № 6,p.239-243.

127. Акимов И.А. Создание условий для спектральной сенсибилизации фотопроцессов в твердых телах красителями.-ДАН СССР, 1980,т.251, № 1,с.135-138.

128. Демидов К.Б., Титов А.В., Акимов И.А. Полные спектры локальных электронных уровней в несенсибилизируемом и сенсибилизируемом красителями фотопроводнике.-ЖНиПФиК, 1981,т.26,№ 5,с.375-377.

129. Костров В.А., Уварова Н.В. Эффективность химической сенсибилизации микрокристаллов бромида серебра в зависимости от их формы.- Вкн.: Пробл.созд.цветн.и черно-бел.фотогр.мат.:Сб,научн.тр. Гоениихим-фотопроект.-М.,1989,с.65-74.

130. Gahler S., Roewer G. Characterization of doped photographic sHverhalide emulsions.-J.Inf.Rec.Mater.,1990,v.l8, № 4,p.285-296.

131. Fattori V., Geri A. et al. Short time exposure on photographic sensitive materials.-J.Phot.Sci. ,1981,v.29, № 5,p.206-210.

132. Голованов Б.И., Новиков Г.Ф., Алфимов M.B. Экспериментальное наблюдение рекомбинации свободных электронов и дырок в порошкообразном бромиде серебра.-ЖНиПФиК, 1991,т.Зб, № 4,с.335-337.

133. Faelens P. Some aspects of the reciprocity law in silver chloride emulsions.-Phot.Sci.Eng.,1982,v.26, № 2,p.100-105.

134. Faelens P. Latent image formation at high intensity exposure in photographic emulsions.-J.Phot.Sci.,1985,v.33, № 3,p.86-93.

135. Фаленс П. Образование скрытого изображения в фотографических эмульсиях при высоких интенсивностях экспозиции.-ЖНиПФиК, 1986, т.31, № 3,с.230-239.

136. Садькова А,А., Степанов АЛ., Мейкляр П.В. Отклонения от закона взаимозаместимости при низких освещенностях на спектрально-сенсибилизированных эмульсиях типа ядро-оболочка.-ЖНиПФиК, 1991, т.36, № 5,с.378-383.

137. Мейкляр П.В. Фотовосстановление поверхностных ионов серебра в микрокристаллах фотографического слоя.-ЖНиПФиК, 1992,т.37, № 4, с.329-334.

138. Bonoli F., Braccesi A., Fusi Pecci F. Effect of juis pre-exposure on latent image formation in 103, 103a and 1-N Kodak spectroscopic plates: results and Hmits.-J.Phot.Sci.,1981,v.29, № 3,p.l20-122.

139. Hailstone R.K., Hamilton J.F. On detecting the latent subimage with light latensification.-J.Imag.Sci.,1986,v.34, № 5-6,p.2-8.

140. Картужанский A.JI., Потина Г.В., Утехин А.Н. и др. Способность к латенсификацни и невзаимозаместимость при действии кратковременных засветок.-ЖНиПФиК, 1991,т.3б, № 5,с.418-420.

141. Hamilton J.F. The silver halide photographic process.-Adv.in Phys.,1988, v.37, № 4,p.359-441.

142. Mitchell J.W. The basic concepts of the photoaggregation theory.-J.Imag.Sci.Tcchn.,1995,v.39, № 3,p.l93-204.

143. Вннецкий В.JI., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках.-КиевгНаукова думка,1969.-188 с.

144. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад шектр'онных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах.-М.:Иаука, 1989.-264 с.

145. Винецкий ВЛ., Калнинь Ю.К., Котомин Е.А., Овчинников А.А. Радиационно-стимулированная агрегация дефектов Френкеля в твердых телах.-Успехи физ.наук,1990,т.160, № 10,с.1-33.

146. Горяев М.А., Тибилов С.С. Кинетика первичных процессов фотолиза галогенидов серебра.-В кн.¡Физические процессы в светочувств.сист.на основе солей серебра:Матер.конф.,Кемерово, КемГУ, 1986,с.12-22.

147. Miller A., Miller D.A.B., Smith S.D. Dynamic non-linear optical processes in semiconductors.-Adv.in Phys.,1981,v.30, № 6,p.698-800.

148. Кехва Т.Э., Кавецкий А.Г., Киселев А.П., Плаченов Б.Т. Электронные возбуждения и релаксационные процессы в кристаллах галогенидов серебра.-В кн.:Физические процессы в светочувств.сист.на основе солей серебра:Матер.конф.,Кемерово, КемГУ, 1986,с.29-44.

149. Corish J. Calculated and experimental defect parameters for silver halides.-J.Chem.Soc.JFar.Trans.II, 1989,v.85, № 5,p.437-456.

150. Плаченов Б.Т., Соколов A.P., Эварестов P.A. Электронная структура собственных межузельных дефектов в хлориде серебра.-ФТТ, 1986, т.28, № 3,с.867-872.

151. Gory aev M.A. Primary photochemical processes in silver halides.-Proc. Intern.Symp.Silver Halide Imaging,1997, Victoria,p. 148-149.

152. Горяев M.A. Статистическая модель первичных фотохимических процессов в галогенидах серебра.-ЖНиПФ, 1998,т.43, № 3,с.9-13.

153. Moisar Е. Model calculations on dispersity of sensitivity centers.-J.Inf. Rec.Mater.,1990,v.l8, № 5,p.353-368.

154. Горяев M.A. Полупроводниковые свойства фотографических матери-алов.-Успехи научн.фотогр.,198б,т.24,с.109-119.

155. Moisar Е., Granzer F. Formation,nature,and action of sensitivity centers and latent image specks.-J.Inf.Rec.Mater.,1990,v.l8, № 5,p.353-368.

156. Panov A., Malinowski J. Concentration of silver atoms into developable specks,-J.Phot.Sci.,1985,v.33, № 2,p.75-77.

157. Zhelev V., Malinowski J. Transfer of latent image centers.-J.Imag.ScL, 1987,v.31, N? 1,p.47-49.

158. Галашин E.A. Физико-химическое единство основных стадий фотографического процесса.-ЖНиПФиК, 1987, № 1, с.81-86.

159. Картужанский A.JI., Кехва Т.Э., Плаченов Б.Т. и др. Термодинамическое равновесие дефектов и запись оптической информации в галогенидах серебра.-Изв.СО АН СССР,хим.,1982, № 14,в.6,с.22-28.

160. Кавецкий А.Г., Кехва Т.Э., Окунева Н.М. и др. Роль френкелевских дефектов в термо- и радиационно-стимулированных процессах в бромиде серебра.-ФТТ, 1983,т.25, № 12,с.3698-3700.

161. Malinowski N., Malinowski J. Physical parameters govering latent image formation.-J.Imag.Sci.,1985,v.29, № 3,p.l05-112.

162. Гранзер Ф. Физические свойства галогенидов серебра в фотографических светочувствительных материалах.-ЖНиПФиК, 1986,т.31, № 2, с.146-156.

163. Gory aev M.A. The role of a statistical defect formation in photographic processes.-Proc.ICSF98, Antwerp,!998,v. 1 ,p.371 -372.

164. Stecher О., Wiberg E. Uber einen nicht fluchtigen, polimeren aluminiumwasserstoff (A1H3)X und einige fluchtige Verbindungen des monomeren A1H3.-Berichte, 1942, B.75, № 12, S.2003-2012.

165. Finholt A.E., Bond A.C., Schlesinger HJ. Lithium aluminum hydride, aluminum hydride and lithium gallium hydride, and some of their applications in organic and inorganic chemistry.-J.Am.Chem.Soc.,1947,v.69, № 5, p.l 199-1203.

166. Chizinsky G., Evans G.G. et al. Non-solvated aluminum hydride.-J.Am.Chem.Soc.,1955,v.77, № ll,p.3164-3165.

167. Wiberg E., Graf H., Uson R. Uber monomeren aluminium-wasserstoff AlH3.-Zs.anorg.allg.Chem.,1953, B.272, № 1-4, S.221-232.

168. Ruff J.K., Hawthrone M.F. The amine complexes of luminum hydride.-J.Am.Chem.Soc.,1960,v.82, № 9,p.2141-2144.

169. Heitsch C.W., Nordman C.E., Parry R.W. The complexes of aluminum hydride.-Inorg.Chem.,1963,v.2, № 3,p.508-511.

170. Zeeman P.B., Pitter G.J. New measurements on the А1П<->Х1Е band• -.v system of AlH.-CanJ.Phys.,1953,v.32, № 8,p.555-561.

171. Breisacher P., Siegel В. Gaseous alane and dialane.-J.Am.Chem.Soc.,1964, v.86, № 20,p.5053-5054.

172. Appel M., Frankel J.P. Production of aluminum hydride by hydrogen-ion bombardment.-J.Chem.Phys.,1965,v.42, № ll,p.3984-3990.

173. Sinke G.S., Walker L.S. et al. Thermodynamic properties of aluminum hydride.-J.Chem.Phys.,1967,v.47, № 8,p.2759-2761.

174. Turley J.W., Rinn H.W. The crystal structure of aluminum hydride.-Inoi-g.Chem.,1969,v.8, №. 1,р.18-22.

175. Brower F.M., Matzek N.E. et al. Preparation and properties of aluminum hydride.-J.Am.Chem.Soc.,1976,v.98, № 9,p.2450-2453.

176. Кирпичев Е.П., Рубцов Ю.И., Манелис Г.Б. Стандартная энтальпия образования гадрида алюминия.-ЖФХ, 1971,т.45, № 6,с. 1526-1527.

177. Wiberg E., Amberger E. Hydrides of elements of main groups I-IY.-Amst.-L.-N.Y.:Els.Publ.Comp.,1971.-785 p.

178. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия.-М.: Мир, 1969.-4.2,494 с.

179. Kato Н., Yamaguchi К. et al. The electronic structure of some hydrides, halides and alkil compound of boron and aluminum.-Bull.Chem.Soc.Jap., 1965,v.38, № 12,p.2144-2149.

180. Болотин А.Б., Ляш A.B., Лигинский A.O, Электронная структура гидрида алюминия.-Лит.физ.сб.,1972,т.12, № 2,с.253-257.

181. Пименов Ю.Д. Внутренний фотоэффект в гидриде алюминия.-ЖНиПФиК, 1977,т.22, № 2,с.81-84.

182. Михайлов Ю.И., Галицин Ю.Г., Болдырев В.В. Фотопроводимость и тип носителей в А1Н3.-Изв.АН СССР, Неорг.матер.Д977,т.13, № 5, с.830-832.

183. Бобровский А.П., Пименов Ю.Д. Фотоиндуцированные сигналы ЭПР в гидриде алюминия.-Опт.и спектр.,1975,т.39, № 5,с.989-990.

184. Херд Д. Введение в химию гидридов.-М.:ИЛ, 1956.-292 с.

185. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Электронные и ионные процессы в гидриде алюминия.-В кн.:Бессер.и необьган.фотогр.проц.:Тез.докл.П Всес.конф.,Кишинев, 1975,секц.Ш,с.81-82.

186. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Электропроводность гидрида алюминия.-ЖНиПФиК, 1977,т.22, № 1,с.14-16.

187. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Действие электрического поля на фотохимические процессы в гидриде алюминия.-ОМП, 1975, № 9,с.50-54.

188. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.-М.:ИЛ, 1962.-560 с.

189. Рябинкин Ю.С. Влияние напряженности электрического поля на ток, ограниченный пространственным зарядом в диэлектриках и полупроводниках.-ФТТ, 1964,т.6, № 10,с.2989-2997.

190. Бережной В.Н.,Гриценко Н.И.Переходные процессы в пленках некоторых органических полупроводников.-ФТПД970,т.4,№ 11,с.2032-2035.

191. Бережной В.И., Гриценко Н.И., Курик М.В. Изменение состояния проводимости некоторых органических полупроводников под действием электрического пош.-Микроэлектр.,1973,т.2, № 4,с.367-369.

192. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов.-М.: ИЛ, 1962.- 222 с.

193. Hoshino И., Shimoji М. Electrical properties of silver iodide.-J.Phys. Chem.Sol.,1974,v.35, № 3,p.321-326.

194. Tubandt C. Leitfähigkeit und uberfuhmngszahlen in festen electroliten.-Handbuch der Experimentalphysik, 1932, B.12, № 1, S.383-469.

195. Картужанский АЛ., Уланов B.M. Влияние промежуточного захвата электронов в микрокристаллах AgBr на эффект электрического поля в фотографических слоях.-ФТП, 1981,т.15, № 5,с.1000-1002.

196. Картужанский А.Л., Уланов В.М. Эффекты в фотоэмульсионных микрокристаллах, обусловленные размножением носителей в сильных электрических полях.-ФТП, 1982,т.16, № 2,с.337-339.

197. Диденко А.Я., Лемешко Б.Д., Островский В.А. Электроиндуцирован-ная сенсибилизация галогенсеребряных эмульсий.-ЖНиПФиК, 1985, т.30, № 5,с.376-379.

198. Пименов Ю.Д., Горяев М.А. Фото- и термохимические процессы в гидриде алюминия.-В кн. :Спектроскопия фотопревращений в молекулах: Л.:Наука, 1977.-С.284-305.

199. Горяев М.А. Элементарные электронные и ионные процессы при формировании изображения в гидриде алюминия.-В кн.:Х1 научно-техн.конф.мол.спец.ГОИ: 1976,с .146-147.

200. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Фазовые переходы и формирование изображения в гидриде алюминия.-Изв.АН CGCP, Неорг.матер.,1980, т.16, № 11,с.1936-1940.

201. Pimenov Yu.D., Goiyaev M.A. Aluminium hydride as a model system for the investigation of photographic processes.-J.Signal AM, 1978, B.6, № 2, S.lll-118.

202. Горяев M.A., Пименов Ю.Д. Управление процессами формирования изображения в неорганических свточувствительных материалах.-Успехи научн.фотогр., 1980,т.20,с.96-105.

203. Галицин Ю.Г., Михайлов Ю.И., Пошевнев В.И., Болдырев В.В. Фотопроводимость поликристаллического гидрида алюминия.-Изв.АН СССР, Неорг.матер.,1979,т.15, № 1 ,c.68-71.

204. Михайлов Ю.И., Галицин Ю.Г., Хайретдинов Э.Ф. и др. Темновая электропроводность гидрида алюминия.-Изв.АН СССР, Неорг.матер., 1979,т.15, № 1,с.72-75.

205. Михайлов Ю.И., Галицин Ю.Г., Болдырев В.В. Термо-Э.Д.С. гидрида алюминия.-Изв.АН СССР, Неорг.матер.,1979,т. 15, № 1,с.161-162.

206. Suptitz P., Teltow J. Transport of matter in simple ionic crystals.-Phys.stat.sol.,1967,v.23, № l,p.9-56.

207. Кочершн С.Б., Власов Ю.Г., Мурин И.В. Электропроводность твердых растворов AgI-Ag2S.-B кн. :Физ.химия ионных расплавов и твердых электролитов:Тез.докл.У1 Всес.конф., Киев,1976,ч.2, с.110-111.

208. Власов Ю.Г., Мурин И.В., Кочершн С.Б. Электропроводность твердых электролитов y-Agl и p-AgI.-Деп.ВИНИТИ, 1976,№ 1555-76 Деп,6 с.

209. Фридкин В.М. Физические основы электрофотографическош процесса.-М.-Л.:Энергия, 1966.-380 с.

210. Kessler A. On some thennally stimulated depolarization maxima in NH4CI due to spontaneous polarization.-J.Electrochem.Soc.,1976,v.l23, № 8, p.l 239-1242.

211. Михайлов Ю.И., Галицин Ю.Г., Болдырев В.В. Масс-спектромет-рическое исследование фотолиза гидрида алюминия.- Кин.и кат., 1979,Т.20, № 2,с.330-333.

212. Скворцова Т.Н., Кедров В.В., Ничипоренко Т.Н. Кинетика выделения водорода при фотолизе несольватированного гидрида алюминия ультрафиолетовым светом.-Хим.физ.,1984,т.З, № 10,с.1409-1415.

213. Барфут Дж. Введение в физику сегнетоалектрических явлений.-М,: Мир, 1970.-352 с.

214. Желудев И.С. Электрические кристаллы.-М.:Наука, 1969.-216 с.

215. Смоленский Г.А., Боков B.A., Исупов В.А. и др. Сегнетолектрики и антисегнетоэлектрики.-JI.:Наука, 1971 .-476 с.

216. Булычев Б.М., Вербицкий В.Н., Семененко К.Н. Исследование фазовых превращений алюмошдридов лития и натрия.-ЖНХ, 1977, т.22, № 11,с.2961-2965.

217. Крапивин В.Ф., Ченский Е.В. Токи, ограниченные пространственным зарядом, в системе металл-сегаетоэлектрик-металл.-ФТТ, 1970,т.12, с.597-604.

218. Губанов А.И., Шур М.С. Аномалия электропроводности сегнетоалект-риков-полупроводников вблизи точки Кюри.-ФТТ, 1970,т.12, № 2, с.664-666.

219. Фридкин В.М. Сешетоэлектрики-полупроводники.-М.: Наука, 1976.408 с.

220. Комаров В.Д., Турик A.B., Молчанова P.A. Электрические свойства системы сегнетоэлектрик-несешетоалектрик.-Изв.АН СССР, Неорг. матер.,1976,т. 12, № 11 ,с.2020-2022.

221. Горяев М.А. Изменения диэлектрических свойств гидрида алюминия при фотолизе и термолизе.-В кн.:Возд.ионизир.излуч.на гетерог.сист.: Тез.докл.П Всес.конф.,Кемерово, 1979,с.136-137.

222. Горяев М.А. Диэлектрические свойства гидрида алюминия.-Неорг. матер.,1995,т.31, № 11,с.1279-1281.

223. Оделевский В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем.-ЖТФ, 1951,т.21, № 6,с.667-677.

224. Резников М.А., Фок М.В. Устойчивость серебряных кластеров на поверхности галогенидов серебра.-Успехи научн.фотогр.,1986,т.24, с.143-157.

225. А.с. № 553128 (СССР). Композиция для получения электрочувствительного материала /И.А.Акимов, М.А.Горяев, Ю.Д.Пименов.-Опубл. в Б.И.,1977, № 13.

226. Патент № 3138547 (США). Электрочувствительный регистрирующий лист.-Опубл.Изобр.за рубежом, 1965, № 10.

227. Патент № 1337427 (Англия). Композиция для электрочувствительного регистрирующего материала.~Опубл.Изобр.за рубежом,1973, № 24.

228. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Энергетический спектр локальных состояний и его изменение при фотолизе и термолизе гидрида алюминия.-Опт.и спектр.,1977,т.42, № б,с.1102-1105.

229. Демидов К.Б., Горяев М.А. Полный спектр локальных состояний и фотбчувствительность гидрида алюминия. Опт. и спектр., 1978, т.45, N? 5, с.1012-1013.

230. TrautAveiler F. Implications of quantum model of the latent image.-Phot.Sci.Eng.,1968,v.12, № 3,p.l38-142.

231. Блистанов A.A., Гераськин B.B., Козлова И.С., Седов В.В. Влияние длинноволнового излучения на кинетику фотолиза в монокристаллах хлорида серебра.-ЖНиПФиК, 1984,т.29, № 1,с.27-30.

232. Catton R.C., Symons M.C.R. Unstable intermediates.-J.Chem.Soc.A, 1969, № 13,p.2001-2005.

233. Claxton T.A., Smith N. A. Small gaussian sets for second-row atoms.-Theor.chim.acta, 1971 ,v.22, № 4,p.378-386.

234. Горяев M.A. Энергетика собственных дефектов и механизм вторичных фотохимических процессов в А1Н3.-Опт.и спектр.,1998,т.84, № 6, с.960-962.

235. Пошевнев В.И., Булгаков H.H., Михайлов Ю.И. О возможных причинах локализации при термолизе шдрида алюмишм.-Изв.СО АН СССР, хим.,1981, № 2,в.16,с.9-15.

236. Булярский C.B., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках.-М.:Наука,1997.-352 с.

237. Горяев М.А. О природе центров фотохимически индуцированного поглощения в А1Н3.-Опт.и спектр.,1982,т.53, № 5,с.848-850.

238. Фистуль В.И., Синдер М.И. Вакансионная пористость в приповерхностной области полупроводника.-ФТП, 1981,т.15, № б,с.1182-1186.

239. Herley P.J,, Christofferson О., Todd J. Microscopic observation on the thermal decomposition of p-aluminum hydride.-J.Sol.St.Chem.,1980, v.35, № 3,p.391-401.

240. Павинский П.П., Зимкина T.M., Фомичев B.A. О форме отрицательного иона в некоторых ионных кристаллах.-Вестник ЛГУ, 1976, № 10,с.27-32.

241. Болдырев В.В., Татаринцева М.И., Самсонова Т.Н., Бохонов Б.Б. Образование зародышей при термическом и фотохимическом разложении шдрида алюминия.-ДАН СССР, 1981 ,т.260,№ 1 ,с. 122-124.

242. Болдырев В.В., Мазалов Л.Н., Бауск Н.В., Пошевнев В.И. Рентгеноскопическое исследование процесса термолиза гидрида алюминия.-ДАН СССР, 1984,т.277, № 3,с.612-б14.

243. Берг В. Образование скрытого изображения в фотографических желатиновых эмульсиях галоидных солей серебра.-В кн. :Химия фотографических процессов.Скрытое изображение.-М.:ИЛ, 1951,-с.77-142.

244. Белоус В.М. Фотоэмиссия с серебряных центров и явление вспышки люминесценции хлорида серебра.-ЖНиПФиК,1964,т.9,№ 5,с.363-368.

245. Болдырев В.В. Реакционная способность твердых веществ(на примере реакции термического разложения).-Новосибирск:СО РАН,1997.-304 с.

246. Болдырев В.В. Топохимия термического разложения твердых веществ. -Успехи химии, 1973,т.42, № 7,с.1161-1183.

247. Жигач А.Ф., Стасиневич Д.С. Химия гидридов.-Л.:Химия,1969.-676 с.

248. А.с. № 573792 (СССР). Способ визуализации электрического поля произвольной конфигурации /М.А.Горяев, Ю.Д.Пименов.-Опубл.в Б.И., 1977, № 35.

249. Акимов И.А. О люминесценции красителей, адсорбированных на некоторых полупроводниках.-ЖНиПФиК, 1959,т.4, № 1,с.64-бб.

250. Lendvay Е. Photolumenescence of adsorbed dyes.-J.Phys.Chem.,1965, v.69, N° 3,p.738-744.

251. Kemnitz K.,Yoshihara K. Free-volume effect of organic dye monomers in the adsorbed state.-J.Phys.Chem.,1990,v.94, № 25,p.8805-8811.

252. Rumbles G., Brown A.J. et al. Surface-induced chromism and enhanced fluorescence.-J.Chem.Soc.,Farad.Trans.,1992,v.88, № 22,p.3313-3318.

253. Литке C.B., Лялин Т.Н. Замедленная флуоресценция адсорбированных флавинов.-Опт.и спектр.,1985,т.59, № 3,с.670-673.

254. Лялин Г.Н., Михалевский А.Б., Моисеенко Е.Б. Спектроскопия ксантона, адсорбированного на окислах металлов.-Хим.физ.Д98б, т.5, № 9,с.1177-1183.

255. Ничитайлов П.Б., Тищенко А.А., Шека Е.Ф. Спектроскопия молекул на поверхности.-Поверхн.,1990, № 4,с.5-25.

256. Беспалов В.А., Зайцев В.Б., Левшин Л.В. и др. Влияние подложки на спектральные характеристики флуоресценции адсорбированных молекул красителей.-Ж.прикл.спектр.,1992,т.56, № 5-6,с.787-792.

257. Земский В.И., Мешковский И.К., Сечкарев А.В. Спектрально-люминесцентные исследования поведения органических молекул в мелкопористой матрице.-ДАН СССР, 1982,т.267,№ 6,с.1357-1360.

258. Бегер В.Н., Земский В.И. и др. Спектры молекул при адсорбции в пористых стеклах.-Опт.и спектр.,1988,т.65, № 5,с.1078-1081; 1989,т.бб, № 1,с.120-125.

259. Смирнов B.C., Земский В.И., Ярцев А.И. Исследование некоторых характеристик генерации света сухим пористым стеклом, активированным родамином бЖ.-Опт.и спектр.,1990,Т.68, № 4,с.9б0-962.

260. Сечкарев A.B., Земсю!й В.И. и др. Спектральные проявления фрактального распределения адсорбированных в порах молекул в условиях неоднородности межмолекулярных взаимодействий.-ЖФХ, 1992, т.66, № 2,с.329-334.

261. Бегер В.Н., Колесников Ю.Л., Сечкарев A.B. Особенности концентрационного тушения флуоресценции молекул красителей, адсорбированных неоднородной поверхностью диоксида кремния.-Опт.и спектр.,1995,T.78, № 2,с.249-253.

262. Сечкарев A.B., Бегер В.Н. Спектрально-люминесцентное исследование ориентационных состояний молекул красителей, адсорбированных на неоднородной поверхности.-Изв.РАН, хим.,1995, № 7,с.1284-1288.

263. Левшин Л.В., Салецкий А. М. Перенос энергии электронного возбуждения между адсорбированными молекулами красителя.-Ж.прикл.спектр.,1987,т.46, № 6,с.1011-1014.

264. Винценц C.B., Кашкаров П.К. и др. Люминесценция адсорбированных органических молекул на поверхности германия и кремния.-ДАН СССР, 1983,т.2б8, № 2,с.373-377.

265. Bespalov V.A., Kiselev V.F. et al. Fluorescence decay of adsorbed dye molecules on solid surfaces.-Phys.st.sol.(a),1984,v.85, № l,p.K73-76.

266. Беспалов В.А., Киселев В.Ф., Плотников В.Г. Исследование медленной релаксации заряда в структурах диэлектрик-полупроводник с помощью флуоресценции адсорбированных молекул.-Поверхн.,1986, № 1,с.138-140.

267. Киселев В.Ф., Плотников В.Г., Фомин ЮЛ. О возможности диагностики перезаряжающихся кислотных центров на поверхности полупроводника с помощью адсорбированных молекул.-ДАН СССР, 1987,т.297, № 2,с.407-410.

268. Зайцев В.Б., Левшин Л.В. и др. Изучение взаимодействия фотовозбужденных адсорбированных молекул с локальными заряженными центрами.-Хим.физ.,1988,т.7, № 6,с.731-733.

269. Зайцев В.Б., Жидомирова С.Г., Плотников В.Г. Штарковские сдвиги полосы флуоресценции молекул красителей, адсорбированных на поверхности полупроводника.-Хим.физ.,1990,т.9,№ 4,с.485-492.

270. Зайцев В.Б., Киселев В.Ф. и др. Колебательная дезактивация молекул красителя на поверхности полупроводников в присутствии примесных адсорбированных молекул.-Хим.физ.,1990,т.9, № 9,с.1201-1205.

271. Liang Y., Ponte Goncalves A.M., Negus D.K. Picosecond fluorescence lifetime measurement on dyes adsorbed at semiconductor and insulator surfaces.-J.Phys.Chem.,1983,v.87, № l,p.l-4.

272. Liang Y., Moy P.F. et al. Fluorescence of rhodamine В on semiconductor and insulator surfaces.-J.Phys.Chem.,1984,v.88, № 12,p.2451-2455.

273. Liang Y., Ponte Goncalves A.M. Time-resolved measurements of the fluorescence of rhodamine В on semiconductor and glass surfaces.-J.Phys.Chem.,1985,v.89, № 15,p.3290-3294.

274. Bencking C., Heiland G. Ruorescence of a merocyanine dye adsorbed on ZnO crystals.-J.Lumin.,1989,v.43, № l,p.9-24.

275. Kemnitz K.,Nakashima N.,Yoshihara K. Temperature dependence of fluorescence decays of isolated rhodamine В molecules adsorbed on semiconductor single crystals.-J.Phys.Chem.,1989,v.93, № 18,p.6704-6710.

276. Kietzmann R., Ehret A. et al. Temperature-dependent electron-transfer quanching of dye monomer fluorescence on octaedral AgBr grains.-J.Am.Chem.Soc.,1993,v.l 15, № 5,p.l930-1936.

277. Дубков В.М., Акимов И.А. Люминесценция молекул красителя, адсорбированных на ультрадисперсных частицах серебра в голографических эмульсиях.-Опт.и спектр.,1984,т.56, № 5,с.779-781.

278. Hediger Н., Junod Н., Staiger R. Dye sensitized photoluminescence in silver halide.-J.Luminescence,1981,v.24/25, № II,p.881-884.

279. Акимов И.А. Физические основы явления спектральной сенсибилизации фотоматериалов красителями.-Успехи научн.фотогр.,1980,т.20, с. 131-142.

280. Овсянкин ВВ., Феофилов ПЛ. Кооперативная люминесценция галоидо-серебряных солей и спектральная сенсибилизация фотографических эмульсий.-ДАН СССР, 1967,т.174,№ 4,с.787-790.

281. Oilman Р.В. A review of the limiting factors in the spectral sensitization of silver halide and their correction.-J.Signal AM, 1976,v.4, № l,p.5-23.

282. Nelson R.C. Theory of spectral sensitization.-J.Phot.Sci.,1976,v.24, № 1, p. 13-18.

283. Шапиро Б.И. Окислителыю-востановительные реакции в процессах спектральной сенсибилизации.-ЖНиПФиК,1981,т.26, № 3,с.208-220.

284. Iwasaki Т., Oda S. et al. Determination of transient intermidates of sensitizing dye adsorbed on a semiconductor powder by means of photoacoustic spectroscopy.-J.Phys.Chem.,1980,v.84, № 21 ,p.2800-2802.

285. Nohara H., Nakamura K. Direct detection of electron transferred from excited photographic dyes.-J.Soc.Phot.Sci.Techn.,1987,v.50,№ 4,p.287-293.

286. Zhu Z.-H., Hu Q.-Q. et al. ESR study of some green sensitizing dyes adsorbed to the surfaces of silver iodobromide grains at low and room temperature.-J.Imag.Sci.,1990,v.34, № 2,p.55-57.

287. Ионов Л.Н., Акимов И.А. Исследование СВЧ-методом фотопроводимости окиси цинка, сенсибилизированной красителем через пленку диэлектрика.-ЖНиПФиК, 1975,т.20, № 4,с.289-290.

288. Акимов И.А., Бенца В.М., Спесивых А.А. Исследование связи между эффективностью спектральной сенсибилизации и взаимным расположением электронных энергетических уровней красителя и полупроводника.-ДАН СССР, 1978,т.242, № 5,с.1100-1103.

289. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Плотников Г.С. О стимулировании разрядки глубоких ловушек диэлектрика путем электронного возбуждения адсорбированных молекул.-Письма ЖТФ, 1981,т.7, № 16,с.992-996.

290. Lee S.-T. Experimental energy levels and spectral sensitization of (evaporated dye)(evaporated AgBr) system.-In:Papers ICPS-82,Cambridge, 1982,p.206-208.

291. Чибисов K.B. Природа химической и оптической сенсибилизации и механизм их взаимодействия.-ЖНиПФиК, 1974,т.19, № 1,с.3-15.

292. Hailstone R.K. Effect of dye energy levels on the efficiency and energetics of spectral sensitization.-J.Phot.Sci.,1984,v.32, № l,p.25-36.

293. Steiger R. Spectral sensitization by energy transfer.-Phot. Sci. Eng.,1984, v.28, № 2,p.35-43.

294. Dahne S. Spectral sensitization of silver halides: the last twenty years.-J.Phot.Sci.,1990,v.38, № 3,p.66-69.

295. Vaupel В., Siegel J. et al. Modelluntersuchungen zur spectralen sensibi-lisierung von aufgedamppften AgBr/merocyanin-schichten.-J.Inf.Rec. Mater.,1990,v.l8, № l,p.61-70.

296. Ehrlich S.H. Influence of dye energy levels on the spectral stnsitization of silver bromiodide and the initial optical transient responce of dye breaching: a conversion efficiency study.-Phot.Sci.Eng.,1976,v.20,№ l,p.5-14.

297. Шапиро Б.И. Эффективность спектральной сенсибилизации негативных фотографических материалов.-ЖНиПФиК,1982,т.21 ,с.79-87.

298. Tani Т. Determination of thresholds for electron transfer processes in spectral sensitization and discussion on its mechanism.-J.Imag.Sci.,1989, v.39, № 1,p. 17-20.

299. Dahne G., Fink F. et al. Estimation of the rate constant for spectral sensitization of silver halide by J-aggregates.-J.Signal AM, 1978,v.6, № 2, p. 105-110.

300. Takahashi K.; Gbi K. et al. Picosecond kinetics of spectral sensitization by a J-aggregated dye on AgBr microcrystals.-Chem.Phys.Lett., 1989, v.154, № 3,p.223-227.

301. Чибисов K.B. Длинноволновая примесная светочувствительность эмульсий и ее роль при спектральной сенсибилизации.-ЖНиПФиК, 1978,т.23, № 2,с.81-88.

302. Акимов И.А., Демидов К.Б. Исследование природы связи между спектральной и химической сенсибшшзацией.-Успехи научн.фотогр., 1984,т.22,сЛ 33-141.

303. Шапиро Б.И. Процессы спектральной и химической сенсибилизации в их взаимосвязи.-ЖНиПФиК, 1992,т.37, № 2,с.139-154.

304. Шапиро Б.И. Химическая теория спектральной сенсибилизации галогенидов серебра.-Успехи научн.фотогр.,1986,т.24,с.б9-108.

305. Демидов К.Б., Акимов И.А. Изменение локальных электронных уровней окиси цинка в электрофотографическом слое при адсорбции молекул сенсибилизатора и десенсибилизатора.-ЖИиПФиК, 1980,т.25, № 5,с.379-381.

306. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные процессы в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках.-М.:Наука,1979.-236 с.

307. Lajos Ernst. Photoemission yield spectroscopy of adsorbed molecules.-Surf.Sci.,1982,v.l 16, № 2,p.351-358.

308. Brien D.F. Spectral sensitization of evaporated AgBr by monolayers of cyanine dyes.-Phot.Sci.Eng.,1973,v.l7, № 2,p.226-228.

309. Abe Т., Sukigara M., Honda K. Effect of pH on spectral sensitization of silver chloride.-Chem.Lett.,1977, № 3,p.263-266.

310. Hermans Т., Vrielynck M. Static pressure effects on photographic materials.-J.Phot.Sci.,1984,v.32, № 5,p.l53-157.

311. Шапиро Б.И., Каплун JI.Я., Куркина Л.Г. Исследование эффективности акцептирования фотоэлектронов и дырок в процессах химической и спектральной сенсибилизации особомелкозернистых галоген-серебряных эмульсий.-Успехи научн.фотогр.,1984,т.22,с.142-150.

312. Gilman Р.В. Spectral sensitization of silver halide emulsions internally sensitized with iridium.-J.Phot.Sci.,1983,v.31, № 3,p.l85-191.

313. Акимов И.А. Исследование природы акцептора энергии в процессах спектральной сенсибилизации.-В кн.: Спектроскопия фотопревращений в молекулах*Л.:Наука,1977.-е.239-256.

314. Титов А.В., Демидов К.Б. Спектроскопия локальных поверхностных состояний в кристаллофосфорах ZnS-Cu,Cl.-OnT. и спектр.,1981, т.50, № 2,с.400-403.

315. Акимов И.А. Сенсибилизированный фотоэффект.-Изв.АН Латв.ССР, сер.физ.и техн.наук, 1981, № 5,с.48-54.

316. Ермолаев В.Л., Бодунов Е.Н., Свешникова Е.Б., Шахвердов Т.А. Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения.-Л.: Наука, 1977.-312 с.

317. Акимов И.А., Горяев М.А. Фотопроцессы в полупроводниках с адсорбированным красителем.-ЖФХ, 1984,т.58, № 5,с.1104-1107.

318. Demidov К.В., Goryaev М.А. Effect of energy structure and properties of defect states in photoconductors on the efficiency of spectral sensitization.-In:Abstracts ICPS-86, Cologne,p.l 51.

319. Горяев M.A., Акимов И.А. Люминесценция красителей, адсорбированных на гидриде алюминия, и ее изменения при фотолизе адсорбента.-Опт.и спектр.,1979,т.47, № 2,с.409-411.

320. Sadkowski PJ., Fleming G.R. Photophysics of the acid and base form of Rhodamine B.-Chem.Phys.Lett.,1978,v.57, № 4,p.526-529.

321. Горяев М.А. Сенсибилизация гидрида алюминия красителями.-Ч ЖНиПФиК, 1981,т.26, № 4,с.283-286.

322. Miki Т., Ikeya М. Formation and annihilation of lithium colloids and hydrogen bubbles in irradiated IiH.-J.Phys.C:Sol.St.Phys.,1980,v.13, № 24, p.4439-4447.

323. Савостьянова M.B. Мельчайшие частицы металла внутри кристаллической решетки.-Успехи физ.наук,1939,т.22, № 1,с.1-31.

324. Радченко И.С. Коллоидные центры окраски в кристалле А1203.-ФТТ, 1970,т.12, № 11,с.3261-3265.

325. Горяев М.А. Фотохимическое усиление изображения в термопрояв-ляемых материалах.-В кн.:Процессы усиления в фотогр.сист.регистр. информ.:Тез.докл.Всес.конф.,Минск,1981,с.184-186.

326. Горяев М.А. Спектральные исследования реакций разложения в твердом теле.-В кн.:Кинет.и механизм реакций в тв.фазе:Сб.научн.тр., Кемерово, КемГУ, 1982,с.57-65.

327. Горяев М.А. Фотофизические и фотохимические процессы в системах на основе гидрида алюминия.-В кн.:Бессер.и необычн.фотогр.проц.: Тез.докл.1У Всес.конф.,Суздаль,1984,т.П,с.168-169.

328. Бернвальд С.А., Болдырев В.В., Картужанский А.Л. и др. Некоторые фотографические эффекты, связанные со скрытым изображением, в гидридоалюминиевых фотографических материалах.-ЖНиПФиК, 1990, т.35, № 2,с. 124-128.

329. Горяев М.А. Дополнительные пути повышения эффективности спектральной сенсибилизации фототермографических систем.-ЖНиПФ, 1998,т.43, № 3,с.1-8.

330. Пименов Ю.Д. К вопросу о механизме спектральной сенсибилизации внутреннего фотоэффекта красителями в окиси цинка.-ДАН СССР, 1967,т.17б, № 1,с.135-138.

331. Пименов Ю.Д., Горяев М.А. О масштабах возмущения, испытываемого адсорбентом-полупроводником при адсорбции молекул донорно-акцепторного типа.-Кин.и кат.,1976,т. 17, № 4,с.1035-1039.

332. Ахмеров А.Ю., Берлин Г.В., Горяев М.А., Жуков С.А. Люминесцентные исследования гетерогенных процессов в эмульсионных микрокристаллах.-ЖНиПФиК, 1989,т.34, № 2,с.139-142.

333. Белоус В.М., Толстобров В.И., Шапиро Б.И. Люминесцентные исследования взаимодействия спектральных сенсибилизаторов с примесными центрами галогенсеребряных фотографических эмульсий,-Успехи научн.фотогр.,1984,т.22,с.125-132.

334. Шапиро Б.И. Проблемы суперсенсибилизации фотографических материалов.-ЖНиПФиК, 1986,т.31, № 1 ,с.68-79.

335. Андреев В.М. Исследование реакций термического и фотохимического разложения карбоксилатов серебра и их применение в ({ютоматериалах.-Дис.канд.хим.наук.-Новосибирск,1982.-151 с.

336. Klosterboer D.H. Thennally processed silver systems.-Inrlmaging Processes and Materials. Ed. by J.Struge et al.-N.Y.:Van Norstrand Reinhold, 1989.-Ch.9,p.279-291.

337. Завлин П.М., Дьяконов А.Н., Мнацаканов С.С. и др. Термопрояв-ляемые фотоматериалы на основе органических солей серебра.-Техн.кино и телев.,1990, № 7,с.9-1б.

338. Ekeda М., Iwata Y. The morphology and structure of silver laurate.-Phot.Sci.Eng.,1980,v.24, № 6,p.273-276.

339. Заявка № 58-24774 (Япония). Материал для получения изображения сухим способом.-Опубл.Изобр.стран мира,1984, № 3.

340. Заявка № 2134276 (Англия). Фототермографический галогено-серебряный материал.-Опубл.Изобр.стран мира,1988, № 3.

341. Заявка № 3520054 (ФРГ). Светочувствительный материал, проявляемый под действием тепла.~Опубл.Изобр.стран мира, 1986,. № 9.

342. Заявка № 61-16973 (Япония). Сухой формирующий изображение материал.-Опубл.Изобр.стран мира, 1987, № 1.

343. Заявка № 87/01824 (Международная). ТермоПроявляемый фотографический материал.-Опубл.Изобр.стран мира, 1988, № 1.

344. Заявка № 62-30414 (Япония). Способ получения фототермографической эмульсии.-Опубл.Изобр.стран мира,1988, № 6.

345. Заявка № 59-13014 (Япония). Способ сенсибилизации светочувствительного материала,проявляемого при нагревании.-Опубл.Изобр.стран мира,1984, № 23.

346. Заявка № 61-18734 (Япония). Светочувствительный материал, проявялемый при нагреве.-Опубл.Изобр.стран мира,1987, № 1.

347. Патент № 57-4890 (Япония). Материал для получения изображений.-Олубл. РЖХ, 1983, № 1.

348. Патент № 4332889 (США). Термически активируемый сухой регистрирующий материал.-Опубл.Изобр.стран мира,1988, № 6.

349. Заявка № 62-27374 (Япония). Материал для получения сухого изображения.-Опубл.Изобр.стран мира,1988, № 6.

350. Заявка № 62-27373 (Япония). Термопроявляемый светочувствительный материал.-Опубл.Изобр.стран мира,1988, № 6.

351. Заявка № 62-2302 (Япония). Проявляемый при нагреве материал, формирующий серебряное изображение.-Опубл.Изобр.стран мира,1987,

352. Hayashi Y., Ogawa S., Sanada M., Hiroshi R. Spectral sensitization of thermally processed film by cyanine dyes.-J.Imag.Sci.,1989,v.33, № 4, p. 124-129.

353. Заявка № 3520054 (ФРГ). Светочувствительный материал, проявляемый под действием тепла.-Опубл.Изобр.стран мира,1986, № 13.

354. Заявка № 3520919 (ФРГ). Термопроявялемый светочувствительный материал.-Опубл.Изобр.стран мира,1986, № 14.

355. Патент № 4639414 (США). Термопроявляемый светочувствительный материал.-Опубл.Изобр.стран мира,1987, № 11.

356. Morgan D A. 3M's Diy Silver tecnology- an ideal medium for electronic imagmg.-J.Phot.Sci.,1993,v.41, № l,p. 108-109.

357. Spencer H.E., Hill J.E. Investigation of photothermographic properties of two inorganic oxalates.-Phot.Sci.Eng.,1972,v.l6, № 3,p.234-237.

358. Иванов Е.Ю., Болдырев B.B., Мулина T.B. Кристаллы перхлората аммония как система для записи информации.-Изв.СО АН СССР, хим.,1976, № 12,с.26-29.

359. Мирофанова Р.П., Галицин Ю.Г., Михайлов Ю.И., Болдырев В.В. Фототермографический процесс на гидриде алюминия.-В кн.:Бессер.и необычн.фотогр.процлТез.докл.Ш Всес.конф.,Вильнюс, 1980, секц.Ш, с.155-156.

360. Mikhailov Yu.I., Boldyrev V.V., Galitsyn Yu.G. Aluminum hydride photographic process.-Phot.Sci.Eng.,1984,v.28, № l,p.28-34.

361. A.c. № 938238(CCGP). Состав для получения термопроявляемого фотографического материала/Ю.И.Михайлов, А.Б.Бросалин, О.ИЛо-мовский и др.-Опубл.в Б.И.,1982, № 23.

362. Митрофанова Р.П.,Бернвальд С.А., Михайлов Ю.И. Сенсибилизация А1Н3-фотографических слоев.-В кн.:Бессер.и необычн.фотогр.проц.: Тез.докл.Ш Всес.конф.,Суздаль, 1988, т.Ш,с.38.

363. Михайлов Ю.И., Митрофанова Р.П., Бернвальд С.А., Болдырев В.В. Фотографические характеристики А1Н3-слоев.-ЖНиПФиК, 1990, т.35, № 3,с.172-176.

364. Усанов Ю.Е., Колесова Т.Б. и др. Изыскание путей создания черно-белой фотопленки с термопроявленйем для лазерной фоторегистрации.-Отчет ГОИ, 1988.-57 с.

365. Колесова Т.Б., Горяев М.А., Усанов Ю.Е. и др. Термопроявляемые фотоматериалы на основе солей серебра.-В кн.Юпт.изобр.и регистр. среды:Тез.докл.П Всес.конф.Д1-Д990,т.2,с. 110-111.

366. Горяев М.А., Колесова Т.Б., Тимохина М.Н., Гулькова И.М. Формирование фотографических свойств термопроявляемых фотоматериалов на основе солей серебра.-В кн. ¡Технология и свойства матер, для записи информ.:Сб.научн.тр.Ниихимфотопроект,М.,1992,с.67-77.

367. Патент № 4459350 (США). Термически проявляемый светочувствительный материал.-Опубл.Изобр.стран мира,1984, № 20.

368. Толмачева В.А., Горяев М.А., Тибилов С.С. Связь режима проявления и качества изображения на термопроявляемых фотобумагах.-В кн.:Опт. изобр.и регистр. среды:Тез.докл.П Всес.конф.Д1.,1990,т.2,с.118-119.

369. Андреев И.М., Князева Э.Б., Потаповнч С.И., Юрченко А.Ф. О стабильности термически проявляемых слоев "Драй сильвер" и изображения на них.-ЖНиПФиК, 1988,т.ЗЗ, № 5,с.365-368.

370. Большаков В.Н., Горяев М.А. Устройства и регистрирующие среды для экспрессного вывода из ЭВМ полутоновых изображений.-ОМП, 1991, № 11,с.б8-73.

371. Патент № 2054705 (РФ). Способ изготовления композиции регистрирующего слоя термопроявляемого фотоматериала /Т.Б.Колесова, АЛ.Говорков, М.А.Горяев и др.-Опубл.Б.И.,1996, № 5.

372. Goiyaev М.А. Photocllemical sensitivity formation of thermally processed silver systems.-In:Papers ICPS-94, Rochester,v.l,p.360-361.

373. Горяев М.А. Управление фотохимической чувствительностью термически проявляемых серебряных материалов.-Ж.прикл.химии, 1994,т.67, № 6,с.963-966.

374. Усанов Ю.Е., Колесова Т.Б. и др. Термопроявляемый фотоматериал: исследование стадии галогенирования стеарата серебра в водной среде.- В кн.: Радиац. гетерог. проц.: Тез. докл. 6 междунар. конф., Кемерово, 1995, чЛ, с.212.

375. Usanov Yu.E., Kolesova Т.В. Investigation of the reactions involved in formation of the light-sensitive phases in thermally developed photo-materials.-J.Imag.Sci.Technol.,1996,v.40, № 2,p.l04-110.

376. A.c. № 1319723 (СССР). Способ изготовления бромиодосеребряной фотографической эмульсии для радиографической фотобумаги /К.В.Каплина, И.МЛинчевская, Л.В.Красный-Адмони, З.ИЛюбимова, С.И.Гафт, А.Е.Шилин, М.А.Горяев и др.- 1987 г.

377. Горяев М.А., Дудников Ю.А. Электронные и шбридные системы получения изображений.-ЖНиПФиК, 1990,т.35, № 5,с.38б-394.

378. Горяев М.А., Толмачева В.А., Макушенко А.М. и др. Связь невзаимозаместимости и разрешающей способности термопроявляемыхфотоматериапов.-В кн.:Фотохим.и фотофиз.проц.в галог.серебра:Тез. докл.Всес.симп.,Черноголовка,! 991,с.9б.

379. Патент № 2049342(РФ). Способ изготовления композиции регистрирующего слоя термопроявляемого фотоматериала /М.А.Горяев, Т.Б.Колесова и др.-Опубл.Б.И.,1995, № 33.

380. Горяев М.А., Колесова Т.Б. Формирование чувствительности фотослоев типа сухое серебро при коротковременных экспозициях.-ЖНиФП, 1993,т.38, № 2,с.17-21.

381. Zou С., Sahyun M.R.V. et al. Mechanisms of latent image formation in photothennographic silver imaging media.-J.Imag.Sci.Technol.,1996,v.40, № 2,p.94-103.

382. Вомпе А.Ф. Синтез поликарбоцианинов и их применение.-Успехи научн.фотогр.,1984,т.22,с.5-12.

383. Патент № 2041483 (РФ). Способ изготовления композиции регистрирующего слоя термопроявляемого фотоматериала /М.А.Горяев, Т.Б.Колесова и др.-Опубл.Б.И.,1995, № 22.

384. Горяев М.А., Шапиро Б.И. Сенсибилизация серебряных термопроявляемых фотоматериалов в ближней инфракрасной области.-ЖНиПФ, 1997,т.42, № 2,с.65-67.

385. Шапиро Б.И. Современное состояние теории суперсенсибилизации негативных галогенсеребряных фотографических материалов.-ЖНиПФиК, 1980,т.25, № 1,с.64-75.

386. Шапиро Б.И., Климзо Э.Ф. и др. Механизм суперсенсибилизации инфрахроматических фотографических материалов.-Успехи научн.фотогр.,1989,т.25,с.66-69.

387. Горяев М.А. Световодный механизм спектральной сенсибилизации красителями фотопроцессов в системе диалектрик-полупроводник.-Письма ЖТФ, 1994,т.20, № 21 ,с.40-43.

388. Vand V., Aitken A., Campbell R.K. Crystal structure of silver salts of fatty acids.-Acta cryst.,1949,v.2, № 6,p.398-403.

389. Walter R. Uber krystallinisch-flusige thallosalze organischer sauren.-Chem.Berichte, 1926, B.59, S.962-972.

390. Pathak K.D., Bhide B.V. Molecular polarisation in solids.-J.Indian Chem. Soc.,1953,v.30, № l,p.47-51.

391. Энциклопедия полимеров.-М.:Сов.энцикл.,1974.-т.2,с.781.

392. White J.J. Optical properties of silver bromide.- J.Opt.Soc.Amer., 1972, v.62, № 2,p.212-218.

393. Борн М., Вольф Э. Основы оптики.-М.:Наука, 1973.-720 с.

394. Goryaev М.А. The efficiency of a lightguide mechanism in the spectral sensitization of silver photothermographic media.-Proc.IGPS'98, Antweip, 1998,v.l,p.73-74.

395. Горяев М.А. О светостойкости изображения на серебряных термопроявляемых фотослоях.-ЖИиПФ, 1995,т.40, № 4,с.60-62.

396. Горяев М.А. Фотопроцессы в твердых телах с адсорбированным красителем.-В кн.:Фотохимия и фотофизика молекул и ионов:Тез. докл.междунар.симп.,С-Пб, 1996,т.1 ,с.47.

397. Goryaev М.А. Additional opportunities in spectral sensitization of photothermographic systems.-Proc.Intern.Symp.Silver Halide Imaging, 1997, Victoria,p.82-84.

398. Tani T. New aspects of the electron transfer mechanism for spectral sensitization and supersensitization.-J.Imag.Sci.,1990,v.34, № 1,р.143-148.