Синтез, фото-, катодолюминесценция и радиационная устойчивость фосфоров на основе галлата и сульфида цинка тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Фосфоры на основе галлата цинка.

1.2 Фотолиз цинккадмийсульфидных люминофоров.

1.3 Деградация фосфоров под действием электронной бомбардировки.

2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Характеристика исходных веществ.

2.2 Синтез фосфоров с зеленым, синим и красным цветом свечения в системе Zn0-Ga203-Li20.

2.2.1. Фосфор ZnGa204:Mn.

2.2.2. Фосфоры (LixGai-x)yZni-yGa204.

2.2.3. Фосфор ZnGa204:Cr.

2.3. Методы исследования оптико-люминесцентных характеристик.

2.4. Методы исследования характеристик катодолюминесценции.

2.5. Методики определения электропроводности люминофора в реальном вакуумном ВФД.

2.5. Анализ поверхности фосфора KJI-экранов вакуумных флуоресцентных дисплеев.

3. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА НА ФОТО- И КАТОДОЛЮМИНЕС-ЦЕНЦИЮ ФОСФОРОВ В СИСТЕМЕ Zn0-Ga203-Li20.

3.1. Зеленый фосфор ZnGa204:Mn.

3.2. Синий фосфор в системе Zn0-Ga203-Li20.

3.3. Красный фосфор ZnGa204:Cr.

4. ФОТОЛИЗ ЦИНККАДМИЙСУЛЬФИДНЫХ ФОСФОРОВ И ФОСФОРОВ НА ОСНОВЕ ГАЛЛАТА ЦИНКА.

4.1. Фотохимическая деградация фосфоров.

4.2. Механизм фотолиза.

5. ДЕГРАДАЦИЯ ФОСФОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА

И СУЛЬФИДА ЦИНКА.

5.1. Факторы, влияющие на эффективность и долговечность катодолюми-несцентных экранов, возбуждаемых медленными электронами.

5.2. Связь долговечности экранов с плотностью тока и содержанием элек тропроводной добавки.

5.3. Радиационная стойкость экранов на основе оксида и сульфида цинка.

6. ВЫВОДЫ.

Актуальность темы. Кристаллофосфоры на основе оксида цинка, сульфидов цинка и кадмия и их твердых растворов широко используются в настоящее время в качестве излучающих компонентов катодолюминесцентных (КЛ) экранов в вакуумных флуоресцентных дисплеях (ВФД) и дисплеях с полевой эмиссией (ДПЭ).

Принципиальным отличием полноцветных ВФД и ДПЭ от электроннолучевых трубок телевизионного типа является более жесткий режим возбуждения КЛ: очень высокие (до 10 мА/см2) средние плотности тока при низких (10100 эВ) и средних (100-500 эВ) энергиях возбуждающих электронов. Поскольку низкая энергия первичных электронов приводит к тому, что последние проникают лишь на несколько атомных слоев в глубь кристалла, то основные процессы преобразования энергии первичного электронного потока происходят в тонком поверхностном слое. Таким образом, эффект низковольтной катодо-люминесценции (НВКЛ) является ярко выраженным поверхностно-чувствительным эффектом, при котором яркость и эффективность КЛ фосфора будут определяться не только химическим составом и структурой его матрицы, но и состоянием поверхности зерна кристаллофосфора и, следовательно, условиями его синтеза.

Так как в ДПЭ и ВФД плотности тока на три-четыре порядка выше, чем в электронно-лучевых трубках, а глубина проникновения первичных электронов не превышает нескольких нанометров, то в результате в приповерхностном слое зерна фосфора создается очень высокая концентрация неравновесных электронов и дырок, то есть восстановителей и окислителей, стимулирующих химические реакции разложения матрицы фосфора. В связи с этим, возникает проблема долговечности КЛ экранов ДПЭ и ВФД. В настоящее время она является одной из серьезнейших проблем, с которой сталкиваются разработчики этих типов дисплеев.

Несмотря на то, что в низковольтном и средневольтовом диапазоне возбуждения цинккадмийсульфидные фосфоры обладают большей эффективностью КЛ, чем такие оксидные материалы, как галлаты, силикаты и некоторые другие матрицы, последние представляют значительный интерес с точки 6 зрения их высокой стабильности как к фотохимической деградации, так и к бомбардировке медленными электронами при повышенных плотностях тока.

В связи с этим целью настоящей работы является разработка эффективных и стабильных к электронной бомбардировке цинкгаллатных фосфоров и установление механизма фотохимической деградации фосфоров на основе сульфида цинка.

Для достижения этой цели необходимо:

- определить оптимальные условия синтеза цинкгаллатных фосфоров с зеленым и синим свечением: состав матрицы фосфора, концентрацию активатора, атмосферу и температурно-временные режимы синтеза;

- исследовать влияние условий синтеза на интенсивность фотолюминесценции и эффективность катодолюминесценции этих фосфоров;

- провести сравнительное изучение фотохимической деградации (фотолиза) цинкгаллатных фосфоров и фосфоров на основе твердых растворов сульфидов цинка и кадмия;

- изучить влияние условий возбуждения фосфоров в стационарном и импульсном режимах в реальных ВФД на яркость и эффективность КЛ;

- разработать оптимальные методики тестирования, позволяющие исключить влияние конструктивных особенностей дисплея на электрофизические свойства люминесцентных экранов.

Научная новизна: Впервые: синтезирован новый люминофор в системе ЪпО-С&гОъ-^лгО с синим цветом свечения, всесторонне исследована его катодолюминесценция при возбуждении электронами с энергией 50-1500 эВ в стационарном и импульсном режимах в широком интервале плотностей возбуждения; синтезирован новый люминофор 2пОа2С>4:Сг с красным цветом свечения, перспективный для высоковольтных (3-5 кВ) дисплеев; разработана оригинальная методика измерения проводимости люми-нофорного слоя экрана в реальном вакуумном флуоресцентном дисплее; проведено сравнительное исследование фотолиза цинккадмийсульфид-ных фосфоров и фосфоров в системе 2п0-0аг0з-ь120, установлен механизм их деградации при УФ облучении из области фундаментального поглощения. 7

Практическая значимость.

Разработан высокоэффективный кристаллофосфор ZnGa204'.Mn с зеленым свечением, цвет которого соответствует международному телевизионному стандарту (CIE, 1931), определены его оптимальный состав и концентрация активатора (Мп), атмосфера и температурно-временные режимы твердофазного синтеза. Фосфор в настоящее время внедряется в производство опытных партий ВФД и ДПЭ в ОАО "Волга-Свет" (г.Саратов).

Разработана методика синтеза самоактивированного фосфора с синим цветом свечения на основе системы Zn0-Ga203-LÍ20, определен его оптимальный состав, спектральные характеристики и координаты цветности.

Выяснено влияние плотности тока и энергии возбуждающих электронов на радиационную стойкость фосфоров KJT экранов и долговечность их в ВФД и ДПЭ, как в стационарном, так и в импульсном режиме монохромного дисплея 1/4 VGA.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Методика синтеза люминофора ZnGa204:Mn с зеленым цветом свечения и его состав, позволяющий достигнуть максимальную эффективность КЛ при возбуждении медленными (50-1000 эВ) электронами.

2. Методика синтеза и оптимальный состав нового самоактивированного люминофора в системе Zn0-Ga203-LÍ20 с синим цветом свечения.

3. Механизм фотолиза цинккадмийсульфидных фосфоров и результаты исследования фотохимической деградации фосфоров в системе Zn0-Gai03lí2o.

4. Методика измерения электрофизических характеристик и истинной эффективности люминофорного слоя KJI экрана в реальном ВФД.

5. Факторы, определяющие долговечность экранов ВФД и ДПЭ при повышенных плотностях тока возбуждения.

ВЫВОДЫ

1. Разработан средневольтовый катодолюминофор 2пОаг04:Мп с координатами цветности х=0,16, у=0,71, определены его оптимальный состав матрицы и концентрация активатора. Показано, что в стационарном режиме эффективность КЛ в области возбуждающих энергий 200-500 эВ достигает 1,5 лм/Вт, а максимальная яркость составляет 1700-1800 кд/м2.

2. Синтезирован новый самоактивированный средневольтовый катодолюминофор с синим цветом свечения в системе 7п0-0а20з-1л20. Его координаты цветности х=0,21, у=0,23. Максимальная яркость и эффективность в средневольтовом диапазоне достигают 1800-1850 кд/м2 и 0,3 лм/Вт при составе [(Ыо>450ао)55)о,5гпо,5]0а204.

Синтезирован новый фосфор гп0аг04:Сг с красным цветом свечения с координатами цветности х=0,68, у=0,24. Показано, что оптимальная концентрация активатора составляет 1,5-2,0 ат.%.

3. Разработана оригинальная методика тестирования, позволяющая оценивать проводимость люминофорного слоя экрана вакуумного флуоресцентного дисплея, ускоряющее напряжение первичного электронного потока и "истинную" эффективность его катодолюминесценции.

4. Показано, что цинкгаллатные фосфоры более устойчивы к фотохимической деградации по сравнению с цинккадмийсульфидными. Установлено, что основная причина спада интенсивности ФЛ цинккадмийсульфидных фосфоров обусловлена образованием поглощающих пленок цинка и кадмия на поверхности зерна фосфора. Показано, что степень деградации возрастает с увеличением содержания сульфида цинка в твердом растворе.

5. При исследовании вольт-яркостных характеристик, зависимости яркости от плотности тока, разгорания и затухания КЛ в реальных ВФД установлено, что оксидные фосфоры менее склонны к насыщению КЛ и обладают более коротким послесвечением по сравнению с сульфидными фосфорами.

6. Показано, что при непрерывной эксплуатации дисплея до 4000 часов в жестком (1а= 5-10 мА/см2,11а=300-500 13) режиме оксидные фосфоры значительно более устойчивы по сравнению с их сульфидными аналогами. Максимальный спад яркости фосфоров на основе галлата цинка в течение 4000 часов не превышает 10 %. Установлено, что он обусловлен образованием погло

125 щающей металлической пленки цинка и нелюминесцирующего оксида галлия на поверхности зерен фосфора. Для фосфоров на основе сульфида цинка происходит отравление оксидного катода продуктами взаимодействия серы с остаточной атмосферой дисплея - SO2, H2S, COS.

БЛАГОДАРНОСТИ Автор выражает благодарность сотрудникам НИИ знакосинтезирующей электроники "Волга": Михайловой В.В., Алавердян Л.Е., Кушнаревой Л.В. за изготовление катодолюминесцентных экранов и контрольных ВФД, а также Миронову Б.Н. и Якореву С.Н. за снятие Оже-электронных спектров и экранов на их основе.

1. Petersen R.O. Low Voltage (-300 V) Cathodoluminescent Properties of Red, Green and Blue phosphor Materials // Extended Abstracts of the 1-st Int. Conf. on the Scie. and Tech. of Display Phosphors. San Diego, CA, 14-16 Nov. 1995. -P. 11-13.

2. Балодис Ю. H. Катодолюминофоры на основе редкоземельных элементов // В сб.: Неорганические люминофоры прикладного назначения. Вып. 1. -Л.: ГИПХ, -1972. -С. 4-51.

3. Низковольтная катодолюминесценция некоторых кислородосодержащих соединений циркония и галлия / Галактионов С.С., Власьяну Р.Г. и др. // В сб. научн. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь, -1984. -Вып. 27. -С. 65-70.

4. НВКЛ некоторых кислородосодержащих соединений циркония и галлия / Галактионов С.С., Валасьянц Г.Р., Воробьев В.А., Васильев Р.Ф. // В сб.: Химия и технология люминесцентных материалов и особо чистых веществ. Ставрополь. -1984. -С. 65-70.

5. Toli Т., Kataoka Н., Itoh S. ZnGa204:Mn green cathodoluminescent phosphor for VFDs //Japan Display. -1992. -P. 421.

6. Photoluminescence characteristics of ZnGa204:Mn phosphors codoped with Ag,Cu, and A1 / Park Y.K., Han J.I., Ju S.H. et al. // Proc. of IDW'96. -P. 73-76.

7. Дрезин Д.И., Воробьев В.А., Галактионов С.С. Механизм люминесценции галлата цинка, активированного марганцем // В сб.: Химия и технология люминесцентных материалов и особо чистых веществ. Ставрополь. -1984.-С. 61-64.

8. Suh К., Cho К., Lee Y. Photoluminescence characteristics of ZnGa204 phosphors depending on the composition and reducting condition // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sci. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997.-P. 241-244.

9. Oshima H., Toda K. Low-Voltage ZnGa204:Mn Phosphor and its Application to VFDs // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sci. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997. -P. 133-136.

10. Cho S.H., Yoo J.S. Preparation of Spherical Phosphors by Aerosol Pyrolysis // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sei. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997. -P. 307-310.

11. Itoh S., Toki H. Phosphor for Full-Color low-voltage FEDs // Extended abstracts of the third Int. Conf. on the Sei. and Tech. of Display Phosphors. CA, 3-5 Nov. 1997. -P. 275-278.

12. Воробьев B.A., Ведхин А.Ф., Тимофеева T.M., Галактионов С.С. Низковольтная катодолюминесценция ^п.\^)0-люминофоров // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1987. -Вып. 1(116). -С. 3-5.

13. Синтез, оптические свойства и низковольтная катодолюминесценция твердых растворов Zm-xMgxO / Дмитриенко А.О., Шмаков C.JI., Букесов С.А., ГоряиноваТ.И. //Журн. неорг. химии. -1991. -Т. 36. -Вып. 2. -С. 480-484

14. The ZnGa2Ü4 Phosphor for Low Voltage Blue Cathodoluminescence / Itoh S., Toki H., Sato Y. et al. //J. Electrochem. Soc. -1990. -V. 137. -P. 1436.

15. Patent 63-135481 Japan. Phosphor excited by an electron beam / Nakamura Ryodzi, Toki Khitisi, Sato Iositaka. Futaba Corp. 1988.

16. PL Studies on Znx(Lio.5Gao.5)i-x Ga2Ü4 Phosphors / Suh K.S., Cho K.I., Jang S.J. et al. // Technical Digest of IVMC'97. Kyongju, Korea, 1997. -P. 687-691.

17. Ткачев A.B. Спектры возбуждения и затухания люмнесценции некоторых люминофоров красного цвета свечения // IV Всесоюзное совещание "Физика, химия и технология люминофоров". Часть I. Ставрополь, 1989. -С. 129.

18. An XPS and Mossbauer study of electrinic properties os ZnCrxGa2-x04 spinel solid / Battistoni C., Dormann J.L., Fiotani D. et al. // Solid Stat Comnun. -1981, № 4. -P. 581-585.

19. Мацубара Тецухито Ниппон денки к.к.. Япония. Заявка кл. С 09К 11/38. Н 01J 29/20. N55-86868. Заявл. 25.12.78. Опубл. 01.07.80. № 53-161732.

20. Толстой H.A. Бериллиевая шпинель, активированная хромом // Оптика и спектроскопия. -1963. -Т. 14, № 1. -С. 49-56.

21. Mikenda W., Preisinger A. N-lines in the luminescence spectra of Cr3+-doped spinels. II Origins of N-lines //J. Luminescence, -1981. -№ 1-2. -P. 67-83.

22. О некоторых факторах, определяющих уровень и стабильность параметров низковольтных индикаторов / Абалдуев Б.В., Горфинкель Б.И., Гуткина Г.И. и др. // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1974. -Вып. 9. -С. 3-11.

23. Seitz F. Absorption in Zinc Sulphide // Proc. Internat. Conf. Luminescence, 1966. Akademiai Kiado, Budapest, 1968. -P. 75.

24. Коккота Л.А., Шерстнев Л.Г. Экспериментальное исследование стойкости сульфидных катодолюминофоров при облучении фотонами // Тр.Талл. политехнич. ин-та. -1972. -№ 323. -С.133-140.

25. Свиридов В.В. Фотохимия и радационная химия неорганических веществ. -Минск, 1964.- 366 с.

26. Becker Е. Uber die photochemischen Empfmdligkeit des Zinkculfid. -München,-1926.- 186 S.

27. Leverer H.W. Introduction to Luminiscence of colids N.V. -London, 1950. -376 p.

28. Lenard P. Uhber die Lichtwirkung auf Zinksulfid // Annalen der Physik. -1922. -IV Folge. -Bd. 68, № 15/16. -S. 553-573.

29. Job A., Emschwiller G. On the luminescent properties of ZnS phosphors prepared at room temperature // Comptes rendus. -1923. -V. 177. -P. 313.

30. Gordon N.T., Seitz F., Guinband F. Photoluminescence of ZnS powders // J. Chem. Phys. -1938. -V. 7, № 4. -P. 4-11.

31. Seitz F. Electroluminescence and Photoluminescence of Thin Films of ZnS Dopped with Rate-Eartr Metods //J. Appl. Phys. -1942. -V. 13, № 10. -P. 636-642.

32. Gobrecht H., Kunz W. Der Zusammenhang von Schwahrzung und Lumineszenzvermohgen beim Zinksulfid // Zs. Phys. -1953. -Bd. 136. -S. 21-25.

33. Merz W.J. Schwahrzung von ZnS und CdS-Einkristallen durch Licht // Helv. Phys. Acta. -1957. -V. 30. -P. 244-246.

34. Исследование сорбционных процессов на поверхности цинк-сульфидных фосфоров / Гурвич A.M., Шаманов A.A., Бирман Т.М., Ильина М.А. // Изв. АН СССР, сер. физ. -1974. -Т. 38, № 6. -С. 1320-1324.

35. Semiconductor photocatalysis. Photoreductiv hydrogen evolution induced by excitation to the surface forbidded band states of ZnS / Yanagida Shizo Y.,Yosho M., Yoshihide M. et al. // Chem. Express. -1986. -V. 1, № 7. -P. 399-402.129

36. Photogeneration of hydrogen from water overan alumina-supported ZnSCdS catalyst / Junya K., Kenichi K., Hiroshi T. et al. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. -1987. -PT 1. -V. 83, № 5. -P. 1395-1404.

37. Sviszt P. Investigation of the photochemical behaviour of ZnS single crystals // Phys. Stat. Sol. -1964. -V. 4. -P. 631-638.

38. Левшин В.П. Люминесценция как явление и как наука // Изв. АН СССР, сер. физ. -1970. -Т. 34, № 3. -С. 477-483.

39. Букесов С.А. Свойства поверхности и низковольтная катодолюминесценция цинккадмийсульфидных кристаллофосфоров. Дис. . канд. хим. наук. -Саратов: СГУ. 1994. -124 С.

40. Sviszt P. Ultraviolet irradiation of ZnS single crystals kept in the atmosphere of different gases // Чехословацкий физический журнал. Серия В. -1963. -Т. 13. -С.88-90.

41. Sviszt P. On the darkening of ZnS single crystals by light // Acta physica Polonica. -1964. -V. 26, № 3-4. -P. 823-827.

42. Henglein A. Fluorescence, photochemistry and size quantization effects of colloidal semiconductor particles // J. chim. phys. et phys.-chem. biol. -1987. -V. 84, №9.-P. 1043-1047.

43. H.W.Leverenz. Luminescence of Solids; Wiley: New York, 1950.- 284 p.

44. Photochemistry of colloidal semiconductors. 20. Surface modification and stability of strong luminescing CdS particles / Henglein A., Spanhel L., Haase M. et al. //J. Amer. chem. Soc. -1987. -V. 109, № 19. -P. 5649-5655.

45. Samelson H., Lempicki A. Fluorescence of Cubic ZnS:Cl Crystals // Phys. Rev. -1962. -V. 125, № 3. -P. 901-909.

46. Morrison S.R. Electrochemistry at Semiconductor and Oxidised Metal Electrodes; Plenum: New York, 1980.- 484 p.

47. Luminescence and photophysics of cadmium sulphide semiconductor clusters: the nature of the emitting electron state / Chestnoy N., Harris T.D., Hull R., Brus L.E. // J. Phys. Chem. -1986. -V. 90, № 12. -P. 3393-3398.

48. Dunstan D.E. et al. Importance of Surface Reactions in the Photochemistry of ZnS Colloids // J. Phys. Chem. -1990. -V. 94, № 17. -P. 6797-6804.130

49. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Механизмы фотохимических реакций в чистых и легированных кристаллах CdS // Укр. физ. журн. -1973. -Т. 18, № 10. -С. 1678-1683.

50. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных Си / Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В. и др. // В сб.: Физ. процессы в кристаллах с дефектами. Киев. -1972. -С. 15-24.

51. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. О механизме образования локальных центров при фотохимических реакциях в монокристаллах сульфида кадмия // В сб.: Физ. процессы в кристаллах с дефектами. Киев. -1972. -С. 25-46.

52. Meissner D., Bendorf С., Memming R. Photocorrosion of cadmium sulphide: analysis by photoelectron spectroscopy // Appl. Surf. Sei. -1987. -V. 27, № 4. -P. 423-436.

53. Верещагин И.К., Кокин С.М., Мухин C.B. Изучение процессов, приводящих к потемнению сульфида цинка // Журн. физ. химии. -1984. -Т. 58. -Вып. 7. -С. 1798-1799.

54. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982.- 412 с.

55. Platz Н., Schenk P. Die Abnahme der Kathodolumineszenz von ZnS:Ag durch Bestralung mit 16 kV-Electronen // Z. angew. Chem. -1936. -Bd. 49, № 10. -S. 822-834.

56. Gordon N.T., Seitz F. On the nature of Fluorescent Centers and Traps in Zinc Sulfide // J. Chem. Phus. -1939. -№. 7. -P. 4-12.

57. Cawley J. // Chem. news. -1882. -V. 44. -P. 167; -1891. -V. 63. -P. 89; -1892. -V. 15. -P. 1351; -1891. -V. 24. -P. 389.

58. Obrien W. Fluorescence of colloidal ZnS particles // J. Phys. Chem. -1915. -№ 19. -P. 113.

59. Loeb L.B., Schmiedeskamp L. Analysis of stability properties of ZnS:Cu powders // Proc. Nat. Acad. Soc. -1921. -№ 1. -P. 7-12.

60. Itoh H., Tonegawa Т., Morimoto K. Surface Analysis of Zni-xCdxS Phosphors Exposed to UV Light Irradiation // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology -1987. -№ 10. -P. 2628-2631.131

61. Hayes R., Freeman P.A., Mulvaney P., Grieser F., Healy T.W. Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem. -1987. -Bd. 91. -P. 231.

62. Buchler M., Reber J.F., Meier K. Photochemical hydrogen production with cadmium sulphide suspensions // J.Phys. Chem. -1984. -V. 88, № 12. -P. 3261-3268.

63. Hangos I. Beitrage zur Photolyse von ZnS-Phosphoren. // Festkohrperphysik. Berlin, Akad. Verl. -1961. -P. 327-332.

64. Weller H., Koch U., Gutierrez M., Henglein A. Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem.-1984. -Bd. 88.-P. 649.

65. Gerischer H., Willig F. Reaction of excited dye molecules at electrodes // Top. Curr. Chem. -1976. -V. 61. -P. 31-84.

66. Henglein A., Fojtik A., Weller H. Reaction of cadmium sulphide: analysis by photoelectron spectroscopy // Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem., 1987. -V. 91, № 4. -P. 423-436.

67. Ramsden J.J., Grätzel M. Photoluminescence properties of Zinc Sulfide // J.Chem. Soc., Faraday Trans. -1984. -V. 80, № 5. -P. 919-924.

68. Klassen D.B.M., deLeeuw D.M., Welker Т. The use of secondary electron emission to obtain trigger of relay action // J. Lumin. -1987. -V. 37, № 1. -P. 21-24.

69. Degradation of coated and uncoated sulfide-based cathodeluminescent phosphors / Sebastian J.B., Jones S.L., Trottier T.A. et al. // Journal of the SID. -1995. -V. 3,№4. -P. 147.

70. Itoh S., Kmizuka Т., Tonegawa T. Degradation Mechnism for Low Voltage Cathodoluminescence of Sulfide Phosphors // J. Electrochem. Soc. -1989. -V. 136, №6.-P. 1819-1823.

71. Toki H., Kataoka H., Itoh S. ZnGa2Ü4 Phosphor for low-voltage blue cathodoluminescence//J. Electrochem. Soc. -1991. -V. 138, № 5. -P. 1509-1512.

72. Абалдуев Б.В. Низковольтная катодолюминесценция. // Обзоры по электронной технике. Сер. 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. -1977. Вып. 1(457). М., ЦНИИ "Электроника", -32 С.132

73. Борисов B.JI. Определение пробегов электронов в окиси магния // Изв. АН СССР, сер. физ. -1979. -Т. 43, № 12. -С. 2659-2662.

74. Gy.Gerlegy. The cathodoluminescence efficiency of thin microcrystalline layers. Part II. The intrinsic efficiency // Z. phys. Chem. -1959. -№ 5-6. -P. 274-281.

75. Синельников Б.М. и др. // Сб. научн. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь. -1974. -Вып. 10. -С. 125.

76. Дмитриенко А.О., Князев Ю.В. О закономерностях образования твердых растворов в системе сульфид цинка-сульфид кадмия // В сб.: Исследования в области неорганической и аналитической химии. -Саратов: Издат. Саратовского университета, 1975. -С. 7-9.

77. Смирнова В.И. О характеристике объемных дефектов в некоторых окислах в связи с с проблемой концентрации вакансий // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1966. -Т. 2, № 7. с. 1261-1268.

78. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. -М.: Наука, 1970.- 354 с.

79. Гурвич A.M. Исследование физико-химической природы сульфидных рентгено- и фотолюминофоров и процессов их образования. -М.: Химия, 1968.216 с.

80. Clark С.В., Kaisel S.F. //"J. О. S. A." -1954. -V. 44, № 2. -P. 134.

81. Petermann L.A. Gas Desorption Efficiency Under Electron Bombardment // Suppl. ofNuovo Cimemto. -1961. -V. 1. -№2. -P. 601.

82. Hanle W., Rau К.Н. Lichtausbeuten und Zerstohrung von Leuchtstoffen bei Electronen- und Ionenstoss // Zs. Phys. -1952. -Bd. 133, № 1/2. -S. 297-308.

83. Rottgardt K.H.J. Lumineszenzzerstohrung an Leuchtschirmen von Kathodenstrahlrohren durch Electronen // Zs. angew. Phys. -1954. -Bd. 6, № 4. -S. 160-163.

84. Phosphor degradation under electron excitation with varying anode voltage / Bechtel H., Czarnojan W., Haase M., Wadow D. // Jornal of the SID. -1996. -V. 4, №3. -P. 219-222.

85. Berthold W., Rottgard K.H.J. Reversible Leuchtstoffschahdigung durch positive Ionen //Naturwiss. -1955. -Bd. 42, № 15. -S. 436-437.

86. Gilfrich H.P. Anregung und Zerstohrung von Leuchtstoffen durch H+-Io-nen // Zs. Phys. -1956. -Bd. 145, № 2. -S. 241-248.

87. Характеристики экранов с като до люминофорами после облучения их электронами / Ведехин А.Ф., Кастерин С.В., Кузнецов В.Б. и др. // В сб. научн. тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. Ставрополь. -1975. -Вып. 13. -С. 31-37.

88. Pfahnl A. Advances in Electron Tube Techniques. -Pergamon. New York. -1961.-204 p.

89. Bliss W.H., Joung C.J. Characterization of luminescent materials and devices // RCA Rev. -1957. -V. 15. -P. 275-281.

90. Rottgardt K.H.J., Berthold W. Verahnderung von Leuchtschirmeigenschaften unter Elektronenbestrahlung in Kathodenstrahlrohhren // Zs. Naturforsch. -1955. -Bd. 10a, № 9/10. -S. 736-440.

91. Martin W. Beeinflussung der Lumineszenzeigenschaften von Phosphoren durch H2+-Ionen // Zs. Phys. -1957. -Bd. 147, № 12. -S. 582-592.

92. Degradation of zinc sulfide phosphors under electron bombardment / Swart H.C., Sebastian J.S., Trottier T.A. et al. // J. of Vacuum Sei. and Tech. -1996. -V. 34, № 10. -P. 2620-2625.

93. Phosphor depreciation by ion bombardment / Osamu Т., Kukio Т., Toshiaki T. et al. //J. Electrochem. Soc. -1984. -V. 131, №6. -P. 1365-1369.

94. Sinharoy S., Manocha A.S., Ryan F.M. Surface stability studies on some CRT phosphors //J. Electrochem. Soc. -1980. -V. 127, № 3. -P. 101.

95. Гугель Б.М. Люминофоры для электровакуумной промышленности. -М.: Энергия, 1967.-256 с.

96. Гугель Б.М. Эксплуатационная стойкость катодолюминофоров на основе скльфидов цинка-кадмия // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Люминесцентные материалы и особо чистые вещества". -Ставрополь. -1971. -Вып. 5. -С. 52-61.

97. Dégradation of ZnS phosphors / Holloway P.H., Sébastian J., Trottier T., Swart H. // Solid Shate Technol. -1995. august, -P. 47-52.

98. Абалдуев Б.И. Долговечность низковольтных вакуумных катодолюминесцентных индикаторов // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРГГ. -1989. -Вып. 4(127), -С. 19-25.

99. Дмитриенко А. О. Физико-химические основы люминесценции полупроводниковых кристаллофосфоров, возбуждаемой медленными электронами. Диссертация . доктора химических наук. Саратов, 1994.- 262 с.

100. Влияние электронно-стимулированной десорбции на низковольтную катодолюминесценцию полупроводниковых фосфоров / Дмитриенко А.О., Шмаков C.JL, Букесов С.А., Филипченко В.Я. // Поверхность. Физика, химия, механика. -1993. -№ 4. -С. 119-124.

101. Иконникова Л.Ф., Минакова Т.С. Исследование адсорбции паров воды на цинксульфидных люминофорах // В сб.: Физико-химия поверхности. Томск.-1979.-С.79-102.

102. Влияние поверхностной обработки цинк-кадмий-сульфидных люминофоров на адсорбцию паров воды / Шиляев Л.П., Щгнева Т.П., Минакова Т.С., Стародубцева Е.В. // Томский ун-т. Томск, 1983. 10 с. (Деп. в ОНИИТЭхим. г. Черкассы 29 авг. 1983 г. № 845хп-Д83)

103. Исследование адсорбционных и каталитических свойств цинккадмийсульфидных люминофоров с поверхностной пленкой SnO? / Петрова Н.И., Белоусова В.Н., Минакова Т.С., Синещук Т.И. // Журн. физ. химии. -1983. -Т. 57, № 1. -С. 163-165.

104. Адсорбция паров воды на цинк-кадмий-сульфидных люминофорах / Шиляев Л.П., Минакова Т.С., Огнева Т.П., Орлова О-Н. // В сб.: Синтез и реакционная способность вещества. -Томск. -1984. -С. 203-206.

105. Shimio T., Kikuta S. Electron stimulated desorption of ZnS phosphors in vacuum fluorescent display. Дэнки кагаку оби буцури кагаку. -1988, -Т. 56, № 10. -С. 870-873.135

106. Degradation of FED phosphors / Holloway P.H. Trottier T.A., Sebastian J. et al. // Ext. abstr. of 3-d Int. Conf. Sei and Tech. of Display Phosphors. -1997. Nov. 3-5. California. -P. 7-10.

107. Кабакова A.M., Роговец Э.В. Температурная зависимость низковольтной катодолюминесценции // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1978. -Вып. 6. -С. 96-101.

108. Оценка коэффициента теплопроводности люминофорного слоя экрана электронно-лучевой трубки / Ведехин А.Ф. и др. // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1975. -Вып. 4. -С. 27-34

109. Ведехин А.Ф. Причина уменьшения начальной яркости вакуумных люминесцентных индикаторов // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Люминесцентные материалы и особо чистые вещества", -Ставрополь. -1985. -Вып. 29. -С. 38-45.

110. Экспериментальное исследование температурного тушения низковольтной катодолюминесценции / Роговец Э.В. Морозова В.В., Кабакова A.M. и др. // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1988. -Вып. 4(127). -С. 31-34.

111. Ведехин А.Ф., Пивнева С.П., Булгакова К.И. Влияние низких температур на яркость свечения низковольтных катодолюминофоров // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Исследования люминофоров и технология их производства". -Ставрополь -1987. -Вып. 32. -С. 29-34.

112. Ковалев Б.А. Спектры излучения состаренных электролюминофоров // Сб. тр. ВНИИ люминофоров "Методы получения люминофоров и сырья для них". -Ставрополь. -1980. -Вып. 19. -С. 43-47.

113. Карякин Ю.В., Ангелов И.И. Чистые химические вещества. -М.: Химия, 1974.-407 с.

114. Крылов О.В., Киселев В.Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. -М.: Химия, 1981.- 312 с.

115. Пека Г.П. Роль электронных явлений в фотолюминесценции полупроводников //Журн. физич. химии. 1978. -Т.52, № 12. -С. 3087-3089.

116. Ведехин А.Д., Кузнецов В.Б. // Сб тр. ВНИИ люминофоров и особо чистых веществ. -Ставрополь, 1985. -Вып. 28. -С. 109.

117. Дмитриенко А.О., Шмаков C.JL, Букесов С.А., Филипченко В.Я. Влияние электронно-стимулированной десорбции на низковольтную катодо-люминесценцию полупроводниковых кристаллофосфоров // Поверхность. -1993. -№ 4. -С. 119-124.

118. Букесов С.А., Дмитриенко А.О., Шмаков СЛ. Проблема измерения контактной разности потенциалов в вакуумных катодолюминесцентных дисплеях с полупродводникоым экраном // Известия вузов. Физика. -1995. -№ 1. -С. 118-119.

119. A.C. № 549758 с приоритетом от 30 января 1975. Щепетов А.П. Способ определения сопротивления люминофора управляемого вакуумного индикатора.

120. Клейнер Э.Ю. Основы теории электронных ламп. -М.: "Высшая школа", 1974.-562 с.

121. Никишин Н.В., Букесов С.А., Дмитриенко А.О. Методы оценки электропроводности экрана в реальном дисплее // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

122. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.- 568 с.

123. Toli Т., Kataoka Н., Itoh S. ZnGa204:Mn green cathodoluminescent phosphor for VFDs // Japan Display'92. -1992. -P. 421-424.

124. Photoluminescence characteristics of ZnGa204'Mn phosphors codoped with Ag, Cu, and AI / Y.K.Park, J.I.Han, S.H.Ju et al. // Proc. of IDW'96. -1996. -P. 73-76.

125. Дрезин Д.И., Воробьев В. А., Галактионов С.С. Механизм люминесценции галлата цинка, активированного марганцем //В сб.: Химия и технология люминесцентных материалов и особо чистых веществ. -Ставрополь.-1984.-С. 61-64.

126. Фосфор с зеленым цветом свечения ZnGa204:Mn, эффективно возбуждаемый медленными электронами / Дмитриенко В.П., Никишин Н.В.,

127. Дмитриенко А.О., Горфинкель Б.И., Букесов С.А. // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

128. PL Studies on Znx(Lio,5Gao,5)i-x Ga204 Phosphors / Suh K.S., Cho K.I., Jang K.J. et al. //Technical Digest of IVMC'97. Kyongju, Korea. -1997. -P. 687-691.

129. Blue phosphor in the systen Zn0-Ga203-Li20 for FED / Dmitrienko V.P., Nikishin N.V., Dmitrienko A.O., Bukesov S.A. and Kim J.M. // Proc. of the Society for Information Display Conf. -Anaheim, USA, 1998. (SID'98). -P. 581-584.

130. Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Дмитриенко А.О. Фосфор с синим цветом свечения на основе системы Zn0-Ga203-Li20 для дисплеев с полевой эмиссией. // Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии: Тез. докл. Всерос. семинара. -Саратов, 1998. -С. 36.

131. Фосфор с синим цветом свечения на основе системы Zn0-Ga2Û3-Li20 для дисплеев с полевой эмиссией / Дмитриенко А.О., Горфинкель Б.И., Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Букесов С.А. // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

132. Физика и химия соединений AIIBVI / Под. ред. Медведева С.А.// М.: Мир, 1970,-624 с.

133. Катодолюминофоры с зеленым и красным цветом свечения на основе ZnGa2C>4 / Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Дмитриенко А.О. Щепихин C.B. // Сб. научных трудов "Химические науки-99". -Саратов: Изд-во ГосУНЦ "Колледж". -1999. -С. 38-41.

134. Дмитриенко В.П., Никишин Н.В., Дмитриенко А.О., Горфинкель Б.И., Букесов С.А. Фосфор с зеленым цветом свечения ZnGa204.'Mn, эффективно возбуждаемый медленными электронами // Электронная промышленность -1999. -№2. -С. 36-39.

135. Мень А.Н., Черепанов В.П. Энергетический спектр примесных парамагнитрых ионов в идеальной шпинели // Изв. АН СССР, сер. физ. -1964. -T. XXVIII, № 3. -С. 462-468.

136. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Л.: Химия, 1986.- 288 с.

137. Свиридов В.В. Фотохимия и радиационная химия неорганичеких веществ. -Минск: Наука и техника, 1964. -366 с.

138. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -M.: Высшая школа, 1982,- 350 с.

139. Физика и химия соединений AnBVI (под ред. С.А. Медведева). -М.: Мир, 1970.-642 с.

140. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. -М.: Мир, 1983,- 408 с.

141. Ведехин А.Ф. Причина уменьшения начальной яркости вакуумных люминесцентных индикаторов // Сб. научн. тр. "Люминесцентные материалы и особо чистые вещества". Ставрополь. -1985. -Вып.29. -С. 38-45.

142. Низковольтные катодолюминофоры и особенности их исследования / Галактионов С.С., Турецкая З.И., Воробьев А.Н., Ткачев А.В. // Тр. МХТИ им. Д.И.Менделеева. -1981. -№ 120. -С. 64-83.

143. Влияние электронно-стимулированной десорбции на низковольтную катодолюминесценцию полупроводниковых фосфоров / Дмитриенко А.О., Шмаков С.Л., Букесов С.А., Филипченко В.Я. // Поверхность. -1993. -№ 4. -С. 119-124.139

144. Сощин Н.П. Волновые, одноэлектронные и коллективные процессы возбуждения катодолюминесценции // Тез. докл. VII Всесоюзного I международного совещания. Физика, химия, и технология люминофоров. Ставрополь, 29 сентября 1 октября 1992. -С. 137.

145. Абалдуев Б.В. Некоторые особенности тонких прямонакальных оксидных катодов в низковольтных катодолюминесцентных индикаторах // Электронная техника. Сер. 4 "ЭВП и ГРП". -1980. -Вып. 3. -С. 66-68.

146. RGB-phosphors for FED: Surface properties and low-energy cathodoluminescence I Dmitrienko A.O., Gorfmkel B.I., Mikhailova V.V. et. al. // Technical Digest of IVMC'97. 17-21 August 1997. -P. 281-285.

147. Букесов C.A., Никишин H.B., Дмитриенко A.O. Факторы, влияющие на эффективность катодолюминесценции экранов, возбуждаемых медленными электронами. // Электронная промышленность. -1999. -№ 2.

148. Nonlinear effects at extcitation of RGB phosphors by low-energy electrons / S.A.Bukesov, A.O.Dmitrienko, N.V.Nikishin, S.L.Shmakov. // Extended140

149. Abstracts of The Third Internatiunal Conference on the Science and Technology of Display Phosphors. 3-5 November 1997. -P. 245-248.

150. Electrophysical characteristics and low-energy cathodoluminescence of VFD and FED screens / Bukesov S.A. Nikishin N.V. Dmitrienko A.O. et. al. // Technical Digest of IVMC'97. 17-21 August 1997. -P. 663-666.