Стеклообразование в системе кадмий-мышьяк тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

На правах рукопису

ПЕТРУШОВА Ольга Вікторівна

СКЛОУТВ0РІННЯ і СИСТЕМІ К АДМІЙ-МИШ'ЯК

02,00,01 — неорганічна хімія

Автореферат

дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук

Ужгород — 1У94

Ддсертадіею е рукопис.

Робота виконана на кафедрах

хімії твердого тіла та напівпровідників та фізики напівпровідників

' ' Ужгородського державного університету '

/ . '

Наукові керівники: к.х.в., доцент Сеіфад 0.0.;

о 15°° год. в аудиторії * 87 на засіданні спеціалізованої ради £.15.01.02 '• в Ужгородському державному університеті (294000 ы.Ужгород, вуд. Підгірна, 46). ' ’

З диоертаціею можна ознайомитися у бібліотеці Ужгородського

Лауреат Державної премії, доктор

фіз.-ках. я., проф. І йгрянипя 1.Д. (

Офіційні опоненти: д.х.в. Гояовей М.І.

" ' ‘ " д.х.в. Полтавцев Ю.'Г.

Провідна

організація

Волинський державний університет ім. Д.Українки, и.Луцьк '

державного університету (вул. кремлівська, 9).

Вчений секретар /

спеціалізованої рада (М.В.Поторій)

ЯАТАДНїА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

• Актуальність теми. Практичне застосування оксидних, халькоге-нідних та металічних стекол в сучасній техніці постійно отимулге розвиток матеріалознавства некристалі'чних твердих тіл. Були створені склоподібні та аморфні матеріали із своєрідним комплексом фіза-ко-хімічних властивостей,' у ряду' випадків пвревищувчих властивості кристалів. Разом з тш в науковій літературі відсутній єдиний підхід, який описує умови оклоутвор’ення, формування структури, можливості керувати різними характеристиками нвкрдот&дічних твердих тіл. Такі дослідження проводились на різних етапах розвитку дог кожного класу отекол. Ці дані узагальнені в аналітичних оглядах та монографіях. Матеріали, які займають проміжком полохання міх напівпровідниковими халькоге’нідними та металічними стеклами, практично не дослідаувалися. Інформація про фізико-хімічні властивості пях матеріалів дозволила не тільки встановити відмінні особливості кожного класу стекол, але і оформлювати загальні принципи взаємозв'язку "отруктура-вяаотивість" некрясталічних твердих матеріалів*

З цієї точки зору до -гасла цікавих матеріалів відносяться ' сполуки системи А^-В^, зокрема, система вадній-шса’як.

Дослідженню хімічної взаємодії, криоталсіхімічнях особливостей сполук, які утворюються в системі кадмій-миш'як, присвячено немало публікацій. Значний внесок в розробку фізико-хімічних основ матеріалознавства цієї групи речовин внесла школа В.Б.Дазарела. Сполз кл, які утворюються в системі кадмій-миш'як, аналогічно халько-генідам, характеризуються переважно ковалентним типом зв’язку. Поряд з цим, для кристалічних структур характерна тетраедрична координація фрагментів гратки. Середнє координаційне частої * 4 значно перевищує середнє координаційне число хадьяогенідів І - 2,4. За цігз ознако» сплави системи кадмій-миш'як ближча до мет&ліз, віх до халькогеніціа. ' '

Досліджування склоутворення у ковалентних сполуках з високим координаційним числом дозволить заповнити прогалину між халькоге-відними та металічними стекіаліи та виділити групу "перенапружених" напівпровідникових стекол в самостійну. Зміст перенадруяенооті зводиться до того, що замість природньо-вар’іаційного близького порядку, який має місце у хаількогенідах, в-цих стеклах буде формуватися примусово-варіаційний близький порядок з сильною деформацією структурних одиниць різного типу в залежності від окладу та перенапругою хімічного зв'язку.

' Традиційні напівпровідникові стекла часто не є оптимальними за своїми властивостями. Це стосується низьких значень тер;,ю-е.р.с. та складності реалізації п-гипу провідності, та інше. Отримання в аморфному стаіні перенапружених матеріалів з сильном металізадіст зв'язку у випадку сй^ав2 та наявністю аніон-аніонного зв'язку може-сприяти реалізації своєрідного комплексу фізико-хімічнах власти- . востей,-що є великим резервом матеріалів для нової техніка. •

Метою -роботи е проведення комплексу досліджень, напрешгеаого на встановлення облаоті склоутворення, вивчення особливостей формування близького порядку структури, ступеня термічної стійкості сплавів в системі кадмій-шш’як, встановлення взаємозв’язку їх структури та фізіко-хішчнях властивостей.

З врахуванням стану питання і у відповідності з метою дослід-кень в роботі розв'язуються слідуючі задачі:’

- встановити взаємозв'язок структури сполук, особливостей діаграми стабільної та метастабільної рівноваги із склоутворюючою бдіСніотв; побудувати Т-Т-Т-діаграми; визначити критичні швидкості "гарту розплавів для одержання склоподібного стану; розро-' бити ’оптимальні технологічні рениш синтезу стекол;

— визначити параметри близького порядку структури стекол, особливості її гарту та можливості трансформації;

- з -

- дослідити кінетику ізотермічної та ьаізотермічної кристалізації, -

провести кількісний аналіз активаційная: параметрів термічної стійкості стекол; ’ '

- провести аналіз ролі хімічного розупорядкування у крайоаоцу поглинанні, електропровідності, пружних властивостей.

Наукова новизна отриманих результатів полягав В;тому, що в роботі вперше систематично досліджено взаємозв'язок умов отримання стекол, формування близького порядку структури, термічної стійкості та фізико-хімічвих властивостей перенапружених склоподібних надів-’ провідників в системі кадмій-миш'як. '

Найбільш важливими результатами в такі:

- Вперше для .сполук с<і^Аг2, свАз„ та £х оплавів побудовані Т-Т-Т-діаграми, які дозволяють визначити зфитдчні швидкості охо-лодаайня' для отримання склоподібного стану. Визначено області склоутворення для критичних швидкостей охаіодкення 10^ та 10^ К/с.

- Встановлено, що збільшення склоутворшчої здібності'пра переході ВІД Сс^Аа2 ДО Сіікз^ обумовлено спільною діез- таких структурно-хі-мічннх факторів: утворенням глибоких евтеетик, виникненням ивта-стабільних станів, наявність аніонної підгратки з координаційним

числом 2. ’ ’ ’

- Близький'порядок; нерівновахних сллааів моле формуватися як струк-

турними одиницями бінарної сподукн-скяоутворювача, так і "кзазі-евтектичною" мікразеоднорідяою струтуроп, яка містить зі собі ’ структурні одиниці -західних компонентів та бінарних слолух-скдо-утворювачів. ч~- ’__ ’ . ’

- Еизначені величини енергій активації зародкоутвореяня та росту кристалів' дозволяють класифікувати стекла в системі кадмі2-ігз-а*як як термічно стійкі матеріали.

- Перехід від кристата до скла супроаодзз-ігься аиенг?_шш питомого спору, алрини асездозаборсненої зона, 5» погвр-глгьо оіумоазя-

но розмиттям краю дозволених зон та наявністю локалізованого • стану в псевдозабороненій зоні. ■

Наукова та практична цінність. Розроблені фізико-хімічні основи одержаная стекол та аморфних" шарів, дані про близький порядок структури і природу термічної стійкості дозволяють розширити можливості застосування цих матеріалів в ролі датчиків магнетоопору та приймачів для виміру теплового потоку, одержання р- та п-типу провідності в оклах та тонких плівках в різних тонкоплівкових структурах, елементів мінроелвктроніки. ' _ '

Володіюча значною величиною фактора акустооптичної якості (Mg=555 с3кг“^), низькими швидкоотями розповсюдження ультразвуку (v=3393 м/с), прозорістю в широкій області ІЧ-спактра, скла та аморфні шари на основі c<Ue2 є перспективними для використання їх як активних елементів акустооптичних модуляторів та дефлекторів лазерного випромінювання. '

Еа авзшот вввос£ятьоя наступні положення:

- Результати розрахунків діаграм чао-тешература-неретворення

(Т-Т-Т) для сплавів-в системі кедмій-миш’як. Критичні швидкості охолодження сплавів с<^Л?£ складають І03-І04 К/о, а для сплавів CdAsE - ІО2 К/с. Збільшення питомої склоутворюючої здібності ' від 0,085 до 0,148 гірн переході від Cd,Asr до cdAs0 обумовлено сумі сбою дієх таких структурно-хімічши: факторів: створюванням ал і о'н-ан іонної підграткк з координаційним числом 2, наявністю глибоких евгектик, виникненням метастабільного стану, якг.іі супроводиться пониканням температури. .

■ 9

В системі сс1-а$ при швидкостях гарту 10 К/с область скло-

утворвння летить в межах 55-70 мол.&Ае, а границя аморфізації -40-100 мол.% as. .

* .

- Змінюючи хішчішй склад та умови гарту розплавів, моїіша одержати

некриоталітаі матеріали з різним характером близького порядку у вигляді неупорядковаяої сітка, основна структурна одинигя яко: складається з двох взаемопроникливіїх татраедріз (центрованого атомом кадмія з оточенням із 4-х атомів миш’яку та центрованого атомом миш'яка з оточенням ’з двох атомів кадмію та двох атомів миш'яку); а також у вигляді "квазіевтектичної" мікрогетерогенної структури з різним внеском та деформацією структурних одиниць з односортних атомів і бінарних структурних одиниць типу об- і ^-сад-з,. * '

- Кінетика іфисталізації визначається енергіям активації зародко-

утворення та росту кристалів, які залезать з ід складу." НаЛбілья

стійкими є сплави са,,Ав,_, для яких внести активації складає 5? о 7 “

значення 6,12 кЦн/моль. Ізотермічна кристалізація стекол відповідає рівнянню Джоноона-Мейяа-Аврамі з показником а = 2, який овідчать про зародження та одночасовпй ріст кристалів, починаючи

з поверхні. ' . "

- Відмінність оптичних, електричних та термоелектричних властивостей отекол від кристалів, головним чином, обумовлена розмиттям-країв дозволених зон та наязністм локалізованих станіз у забороненій зоні. Особливості на температурних залежностях ироаідзості та т’ермо-а.р.с., зумовлені релаксаційними процесами.

- .Зміна Ср при збільшенні температури зице ?_ супроводжузться

стрибкоподібно^-' , . *

"В даній роботі узагальнені результати досліджень, виконаних азгороы за період з 1985 до 1333 року на кафедрах хіиі; тз-рдсго Тіла та напівпровідників і їізлки надівг.7.іТсрод^:-:сгз девізного університету та з ;х.і2дсгс:-: яастднс-з ге::и нар-ідмо-го^до-дзгсзлого плану України ”гозооЗ::а. та гукдд-'ігЕггльні і-слідг.’:-:.-л

складних -напівпровідників з метою створення нових матеріалів для елементів систем оптичної обробки інформації", Програш ДКНГ СРСР, затвердженої постановою № 291 від 31.12.86,' а також теми "Термодинаміка процеоу склоутворення" - конкурс Мінвузу Уіфаїни, наказ й 78 від '21.03.91.

Апробація роботи. Ооновні результати роботи доповідалися та обговорювалися на конференціях та нарадах: '

Республіканській конференції "Перспективы использования физикохимического анализадля разработки технологических процессов и методов аналитического контроля химического и фармацевтического производств”, Перм, 1985; - . .

Науковій конференції співробітників Інституту загальної та неорганічної хімії Ш СРСР, Москва, 1986; '

Республіканській конференції "Естественные науки - народному хозяйству", Перм, 1988; ■

Міжвузівській конференції "Исследования .молодых ученых в области химии и биологии", Ж Октябрьские чтения, Перм, 1988;

ЗУ Республіканській конференції молодих вчених-хіміків "Закономерности химических реакций с участием твердых тел",’ Минск, 1988; .

- УП науковій конференції молодих вчених-хіміків Сибіру та Уралу "їимая и экология", Иркутск, 1989;

- Республіканській конференції "Физические процессы при регистрации голограмм в регистрируюпдах средах на основа полимерных полупроводников”, Київ, 1987;

УШ науковій конференції ыолодех вчених-хіміків Іркутського університету, Іркутськ, 1990; ’ “ ' '

Науковій конференції молодих вчених Московського дергунівзр-сдтегу іі.і. М.В.Ломоносова, Москва, 1930;

НиуКОЕО-ПраіЛ'ЕЧнГй конференції молодих вчених Кошщького університет, Кошице, ЧРОР, 1930;

Ш науковій конференції молодих вчених-хіміків, Донецьк, 1991; *

ХУШ Міжвузівській конференції молодих вчених "Современные проблемы по физической химии", Ленінград, 1991; .

Всесоюзному семінарі "Структурные превращения я релаксационные вления в некристаллических твердых телах", Тбілісі, 1991;

УШ Всесовзній нараді э фізико-хімічного аналізу ^ Саратов, 1991;.

П Всесоюзній конференції 'з фізики склоподібною твердих тіл, ига, 1991; ‘ ‘ ' ' '

Республіканській конференції з неорганічної хімії, Київ, 1992;

Українській конференції "Физика я технология тонких пленок ложных полупроводников", Ужгород, 1992;

Міжнародній конференції по розчинності, Москва, 1992;

Міжнародній конференції з аморфних металічних матеріалів, зхо-Сяовакія, 1992; . ’ ’ ’ ’

І Українській конференції молодих вчених та спеціалістів “Фізя-і та хімія окладних напівпровідникових матеріалів", Ужгород, 1932;

Міжнародній конференції з фізики та технології тонких плівок", з.-Франківськ,’ 1993; ’ ‘ ‘ '

Щорічних наукових конференціях молодих вченях та професороько-ікладацького складу УдЦУ за період з 1985 до 1993 pp.

Публікації. По матеріалам дисертації опубліковано 18 робіт.

Структура та об’єм робота. Дисертація складається із вступу, " пгирьох розділів, висновків, списку література, додатга’. Днсзрга- ' я викладена на 181 стор. ійиивопасного тексту, иістать 45 іадва-в та 24 таблиці. У списку цитованої література І5Ю найменувань.

згдсг РОБОТИ

7 вступі формулвється та обгрунтовується иета роботи, заукозе практдчнз значення результатів, представлені основні полсаазня, захапаються; викладено короткнй зміст даврїацігної робогя.

В потому розділі дається аналіз літературних даних про характер фізяко-хікічної взаємодії в системі Ссі-аз, описана .іфист&іічна структура сполук, які утворюються, приведені їх фізико-хімічні ’

властивості. Враховуючи той факт, що система сй-аб та сполуки Ссі-Аг

* З

І СйАЯ2 досліджені достатньо широко, головну увагу в огляді' ш звер тали на властивості та особливості, які можуть стати головними в процесі нєкристалічного затвердіваннА . ■

До їх числа відносяться: .

- складність базової діаграми, яка полягає в утворенні декількох сполук,’ поліморфних перетворень в них;

- генетичний зв’язок діаграм стабільної та метастабільної рівноваг.

Діаграма метастабільної рівноваги мене бути добудована продовженням відповідних ліній стабільної рівноваги в метастабільну ‘ область; сполука С<ЗАвг в умовах метастабільної рівновага має -модифікацій; ’ _

- структура та 'властивості сполук Сй^Лаг і с<заэ2 в значній мірі

обумовлені ВІДМІННІСТЮ ХІМІЧНОГО зв’язку’ В НИХ. Сполука Сй5Аб2 -залєнтна. В сполуці ССЛзг утворюється аніон-аніонний зв'язок,* стплдшоючий спотворення ланцажковості в аніонній підіратці. Ріст тетрагонального вшфіівлення в структурі сполук групи А11-^ приводить до зменшення їх стабільності. ,

В другом? розділі показано, що стекла в системі сі-аз, маючи переважно ковалентний тип йв’язку та високе координаційне число (е = 4,0), складають вшшнення в кдасифікаці ї неїотисталічних тіл по Філліпсу і відносяться до груш перенапружених аморфних тіл. Аналізуються структурно-хімічні фактори, які сприяють аморфізації. ЇІигодіа склоугворююча здібність вводиться як величина де

й -5. — середнє головне квантове число, к - число зв’язків,

віднесене до числа атомів в структурній одиниці, £ =2 ~

середній заряд ядра, - атомна,частка хімічного елементу. Дитомг

склоутворюача здібність сполуки Ой^кяг складає величину 0,087 і лежать за межами сполук-склоутворювачів та а аморфному стані моге бути одержана у вигляді плівок. ' ■ .*

Сполука саде відносит'ьоя до числа сполук оклоутворювачіг *

а, - ’ 2 . ' .

(=—£ я 0,148) та в оклоподібному стані одержується при швидкостях

* .

гарту не менше 100 К/с. ' '

Друга група факторів, сприятливих аморфізації,«обумовлена створенням аніонної підгратки у садз, з координаційним числом 2, наявністю глибоких евтектик ССйАа2-Аа) та виникненням метастабільної рівноваги з дальшим пониженням температури ліквідуса на 100 К.

' У другому параграфі приведені результати розрахунків критичних швидкостей охолодження (КШО), визначені границі склоутворення в системі са-Аа» Кінетика утворення окла 'з переохолоджуваних розплавів зв'язана з подавленням процесу кристалізації. КШО оцінювалася по класичній теорії зародження та росту кристалів з гакорястазнлм підходу Ульмана, який полягає у побудові Г-Т-Т-діаграм ( гаЬіхе-ігаз.з£оіїаайіоа) *

Відомо, ідо для частки закристалізованої частини об'єму ж за чао г 'справедливий вираз Дгоноона-Мейаа-Аврааі: .

х - 1% іи^г\ • ' : (І)

де і - швидкість .зародаоу творення, а - пшдкість росту аародахз.

Якщо прап'уотити, що зародок мав сферичну форгау ?а жіаатачааЗг бар’єр їх утворення близький до потенціального бар’ору йізмх то-чії, тоді швидкість флуктуаційного зарадаеивя може заддзагжся виразом: ' ’ ■

і з АЬІаі), (2)

3?Г аЗа 3?.?3 А •*

а стійкість росту для нормального механізчу залггіа?ьсл у гнгяяді;

• = .-Л'гЦічЧ , '

>* * г— и - №*------------)], .3)

• кт> *• -»

де а - кількість атомів в. одиниці об'єму, в. - газова постійна,

о,, - елементарне переміщення поверхні розділу кристал-окло,

&Ед, - ентальпія плавлення, об - константа,’ - температура плавлення, ’ - переохолодження рідини, ц - в’язкість неасо-

ційованої рідини із сферичними частинками діаметру е^.'

' Вивчення кінетики зародкоутворення показало, що максимум його стаціонарної частоти реалізується поблизу температури -склоутворен-ня розплаву. Внаслідок великої в’язкості початковий етап процесу часто характеризується періодом нестаціонарності. Процес нестаціонарного зародкоутворення характеризується частотою і та часом запізнювання ~ . Дм обрахунку часу запізнювання використовується ВЕгоаз

_ _ 27^рвА т2-дт2а5«і а^/3

То ІйГ' ------------------------- (4)

** Ші Ш.

де ь* - кількість атомів в критичному зародку (а* =іГ^т/ї^бГ )б де - об'єм одної молекули. Вихідні дані та результати розрахунків для сполукСй^Авг гасадв2 приведені в таблиці І та на мал. І.

.. Таблиця І

Вихідеі дані та результати розрахунків критичних швидкостей охолодження для" оклування .сплавів системи кадмій-мгш’як

! ! І І ТІ 1 :

Склад ! ! іе. ! дНв, ] А-Ю10, | Сн<с>,

| К , К | еДе^моль мкм і Е/с

Сс3ав2 993 450 74,1 8,7 І0І60

СШг 894 562 35,2 8,7 37,0

По значенням координат екстремуму діаграми Т-Т-Т визначені іфи-тичні швидкості охолодження розплавів по формулі: ’’

0 ® &^тЛг/X- яип* С5)

Результати розрахунків показують, що для одержання окла са^Азг потрібні швидкості Іб3-І0^ К/о, які неможливо реалізувати звичайної

іїіал. І. Т-Т-Т-діаграчи для сплавів системи са-дз у випятгеу

нестаціонарного зародяення: І - Сі^Аз2, 2 - Сі^Ла^-ой&а^,

З - С<1Аа2І, 4 - С«1Аз2-Аз .

технологією одержання стекол в евакуйованих кварцевих аипулах.

Розплав ссШ2 характеризується порівняно низькою пвндкіога гарту, що співпадає з величиною швидкості гарту, оцп.еноз з аналізу структурно-хімічних особливостей цієї'сполука. ‘

В систем’і сй-дя спостерігається метастабільна рівновага. Доцільно перевірити,:як зменшення температури ліквідуса за рахунок кетастабільності впливає на величину критичної инлдкосзі ахолодган1-зя. З цією метою досліджувалися сшгавя сястемл с<і-ад а неззх 40-80 а.т.% Аз- В умовах стабільної рівновага в цій області сшсазіз утворюється сполука с<ідл,і яка конгруентно длавггься при температурі 394 К. Взаємодія сі та сіа.з, иосеть езтзлтачниа га^їкзер

✓ ** з .

при температурі 883 К. В частковій систем: с&хз2-ля утворюється евтектика, яка відповідає складу 67,7 ат.^Аз та 22,2 гт.,»Сі з . температурою плаагззня £93 К. Склад ізетастаЗільноі езтгтгтнзн гг співпадає із складом ні одної із стабільних езтектзн. Аналіз ре-

зультатіь розрахунків критичних швидкостей охолодження з умовах стабільної та :.;ет£стаЗілько: рівноваги показує, що мінімальна швидкість охолонення характерна для складів, близьких до евтектичних (мал.2),

' —А5 ■

Мал. 2. Критичні швидкості охолодження сплавів системи сй-аэ :

а) у випадку стабільної (І) та метастабільної (2) рівноваг;

б) часткова діаграма сй^Ааг~сдлвг : ■ '

1,2 - с&2±вг-сйАв2; ' 3 - метастабільна евтектика;

4 - 5 - Сй^Ав2-Ав; 6 - Сй^Авй.

При цьому величина КШО, ймовірно, обумовлена в основному збільшенням в'язкості за рахунок "глибини" лінії ліквідуса, який утворюється в умовах стабільної рівноваги. В рамках даного наближення роль мета-стабільнооті проявляється тільки в незначному зменшенні КШО, область легко аморфізовалих сплавів практично однакова як у випадку стабільної так і метастабільної рівноваг.

Синтез сплавів системи са-Ав проводили з елементарних компонентів кадмію та мш'яіф. Кадмій попередньо чистили двократною вакуумною сублімацією у контейнерах з молібденового, скла з послідуючою зонною очисткою у кварцевих ампулах. ’

Стекяа потрібних окладів отримували вакуумною плавкої; з кварцевих ампулах вихідних компонентів, взятих у відповідних спіьзідношен-

- ІЗ -

нях. Гартування розплавів проводилося від-температури 500 л в трьох-, режимах: режимі виключеної печі, охолодження на повітрі, охолодження ампули у воді. Застосування цих режимів дозволило реалізувати швидкості закалки 5-Ю, 50 , 200 К/с відповідно. В окремих засад:-ах для гарту розплавів використовувалися спеціальні тонкостінні квар-цаві ампули. Отримані склоподібні взірці. мали металічнЬй блиск та характерний раковистий злом, ііра розглядуванні під мікроскопом у відбитому світлі їх поверхня була оптично однорідна ля у звичайному, так і у поляризованому світлі. '

• 'Для. отримання плівок системи са-Аз застосовували метода дискретного термічного випаровування (-іТВ) та імпульсного лазерного напилення (ІІШ) в вакуумі. для чого впксрастсзувала у становаяякі змонтовані на оснесі вакуумних лостіз ВЛІ-4 та ЗУП-5 зідпозідко. 7 випадку застосування метода Л'ГВ вихідні взірці сйлазіз састемь cj-ab розбиралися у порозок, який калібрувався по розмірам частинок, аяя випаровування відбиралася фракція із середніми розмірами частинок S0-I00 шсм. Подача поронжу у‘танталовий прямонакатьняй випаровувач' проводилась за допомогою вібродозатору. Температура випаровувача ?е Підбиралаоя вкапериментаїьно з умов швидкого вибухоподібного випаровування падаючої крупинка та складав 1973 К для всіх складів. Дая отруктурдих дооліджень напилення плівок, проводилося ва сзіжі скаті: монокрйоталів коі* Температура підкладок зарікззлася з меаах 293+523 X. ; • ' '

У випадку застосування методу ІЛН параметри алпарсзуячого лазерного випромінювання «надала: густина потузкості ^ 5*10' В?/ся^, тривалість ішульса т( о І ис, догггна хвилі А = 1.06 ихл. В сптгч-цому тракті установки ІЛН використовувалася, довгоїскусна лінза та скануючая пристрій. с’хаяування ндяаа ?охус:рсзкз до цлссніг поверхні мішані взірця система cd-лз здіїісньзглося з звгдт.ість - 3 ии/с яри частоті слідування' іипільзіз і = * Г:..

Плівкові взірці змінного складу в частковій системі Ci^ASg-cdASj за допомагав метода ДІВ отримували випаровуванням суміші порошків cdjAs2, CdAs2 у розрахункових співвідношеннях, які дозволяють нашшіти плівки промІЕКовах складів: Сй^Ае^, ’

Сй^^Ав^, Cd11QASg0. Для отримання плівок з вмістом As більш як 67 ат.^ використовувалися синтезовані сплави c'a^s та Cdg^As^^. При отриманні некристалічних матеріалів у досліджуваній системі з швидкіств 200 К/с область склоутворивання лєжть в меках 55-70 'а.т.% що знаходиться з задозільному погодженні з розрахунками ЖО на основі Т-Т-Т-діаграм. " ' ' '

Комплексним дослідженням встановлені основні фізико-хімічні параметри стекол, які показані в таблиці 2. . '

Аналіз концентраційних залежностей "цих параметрів дозволяє оціните роль тетраедричних структурних одиниць та часткового упорядкування В області стехіометричної сполуки CdAOg.

Стекла системи cd-Ac за своїми параметрами близькі до інших _ тетраедричних стекол. Для них характерно виконання празила Каузма-ва, ?„ = 2/3SL- ксгоаляціЕна залежність т від середньої енергії . , атомізації релаксаційна природа розмягчєння. Енергія активації в'язкої течії, яка визначена по залежності ig від швидкості нагріву (у иатоді ДСК) складас 61,62 кД^/моль. Залежність температури іфисталізації від дисперсності свідчить про поверхневий характер стистаяізації та сбмегення застосування правила Грубі для визначеная схильності до кристалізації.

Часто застосовують критерій оцінки стійкості або її величини кристалізаційної здатності (КЗ)’, який запропонований Грубі. Б цьому критерії КЗ характеризується величинами інтервалу температури рози'ягчсння і початку кристалізації Sfc-ig/ а такса ?и-тк: -

ІЗ = г -т / т- т, • Дані про кристалізаційну здатність стекол

ІГ g £1 lZ . . -

система кадмій-мпш'як коливаються в межах 0,23-0,28 в залелнооті .

Основні фізико—хімічні ларакатри стекол у системі Cd-.A3

J1* я/й 1 Сглад 1 м ! 1 і п ,±а,“,/! j кДдД'.оль І V’ I см3/мольj V10"-! Паїк^'і] И T!,.' к‘ I fji ! ш» ! к 1т /Т.! ! s m ! ! К сс-S , І v°-

її 6d45A°55 91,79 210 • ■ 15,17' 313 550 620 873 0,63 0,28 8,72

2. °^40ЛзЬ0 89,91 219 15,06 310 563 625 880 0,64 0,24 8,79

Si С'(130Лзб2 89,16 223 15,01 310 566 626 885 0,64 0,23 8,84

4j %5Ап65 88,04 227 15,04 315 567 629 880 0,64 0,25 8,71

'Л%*ЭАяб6,6 87,29 232 15,15 318 568 628 875 0,65 0,24 8,69

tfi. > 0'%/3Лаб7,7 86,91 233 ■ 15,11 317 568 625 875 0,65 0,23 8,63

я. Cd3OA'a70 86,16 235 t 15,06 315 570 630 875 0,65 0,25 8,66

від окладу. Аналіз цих даних показує, що характер залежності

бід складу приблизно такиїї як і залежність приведеної температури,

Паіібі.тьа стііікіі стекла в системі сі-ав знаходяться в області скла- •

дів бід і-2 до 68 ат.£ двігобГо це сплави, які охальні до оильного перєсхолздкепчя. Такий чином, стабільність аморфних оплавів зале-кпгь від складу та тісно пов’язана ’з особливостями діаграми отану. -Температурна область кристалізації аморфних сплавів розташована вище 0,7 Тп . Б цьому випадку иозна було б чекати переважно гомогенне утворення центрів кристалізації. При дослідженні КЗ оте-кс-л сцоч'Є;.:п сі-аз аилзплося, м положення екзотермічного піку на кривих ^.Сл зсувазться в сторону більл низьких теішератур із збільшення:.! питомої поверхні взірця. . '

' У третьому -розділі приведені результати дослідження близького порядку стекол та аморфних шарів системи с<а-дз. Порівняння кривих інтенсивності розсіюваного рентгенівського випромінювання для ста-' кол та аморфних плівок доказує да певну збіжність у характері та Слизькість полоаень розмитих піків навколо а 1 = г*с,і іГ]

= ЗЙ-5,з та с3 = гД-1 . ' , . ■ .

Розраховані функції радіального розподілу атомів (ФРРА) дозволили визначити значення радіусів координаційних сфер основної структурної одиниці с<іА£9 : г-) = 2,68; _г£ = 4,06; г* = ,94 і.

Зміна умов одер:аання стекол та аморфних- плівок практично на зилизаг: на величину радіусів координаційних сфер. , ,

Для сполук саіАз2 та сад^ величина координаційного числа

5 = 4,0, що свідчить про реалізацію в них тетраедричного оточення бл:ільк:іх сусідів. Асиметрія першого піка £?РА для СиАз0 показує па •лієсок в ііс-о область двох коордииаціііних сфер. •

£ осаюву запропонованої моделі бузького порядку покладено о*сруіс-“урнкі-! Фрагкент, який складається з двох взаемопроншсяивлх • •гсгралдрів, які аналогічним чпно;.: зчленуються з кристалічній грагці

діарсеніда кадаія. Проведені розрахунки показали дойру кореляцію з експериментальною £РРА.

В гой чао не мояна виключити зормі’і-іння аморфної фаз-и з кристалоподібних-фрагментів високотемпературної кодифікації р -саАз0, які можуть ефективно утворюватися г.ри відхиленні складу від стехіометричного с<из2. • ' '

Ці дані підтверджуються результатами досліджень 14- та КР-спек-

трів. У довгохвильових ІЧ-спектрах кристалів с<іАя„ та са,Аз„ домі* 5 2

нуючою смугою, властивою зв’язка;.1 у тетраедрі с<іАз2> є смуга з частотой ~ 60 са-і. Перехід з аморфний стан супроводжується, по-перше, сель ким розмиттям вказаної смуги, яка проявляється у есіх спектрах склоподібних сплавів. Характер' структури загартованих сплавів системи с^-да такий, що крім зв'язків са-Ав з них реалізуються зв'язки де-аз у структурній групіровці АаАзу^. Частота смуги, яка обумовлена валентними коливаннями атомів цієї структурної одиниці,

~ 230 с.м-^. Аналогічна смуга спостерігалась у ІЧ-спектрах стекол системи аэ-б, се-Аэ-з- Із збільшення!.: в складі стекол вмісту мд-ш’яка ця смуга проявляється більш чітко, хоча із зменшенням концентрації миш’яка її інтенсивність падає. ’ і .

Наявність інших структурних угрупувань». особливо при відхиленні від складу стехіометричного салз0, проявляється в більшому розмитті перекриваючих смуг, так цо структура стекол системи Сд-Аз може бути інтерпретована як мікрогетерогенна. ■

А _

’ Ці дані підтверджуються результатами досліджень спектрів комбінаційного розсіювання (КР).

Дія всіх дослідаувандх сплавів КР-спектри відбивання мають явохмодовиіі характер. Смуга, яка характерна для тетраедрів саквг, з частотою<-60 см-^ та смуга, яка відповідає зв'язкам Аэ-аб, з частотою - 230 см-'1. По мірі зміни концентрації шші’яку в стеклах спостерігається закономірний перерозподіл інтенсивної смуги вказа-

них двох мод. При цьому інтенсивність смуги з частотою 230 см-'*' найменша для скла c<Us2, ідо свідчить про часткову структурну упорядкованість.

іііекгронномікроскопічними дослідженнями вивчена доменна структура аморфних плівок системи cd-ju та показано, що характерною особливістю несуцільних конденсатів (товщина d ^ 150-200 2) незалежно від методу осадаення є наявність напівсферичних островків з середніми розмірами z = 100-200 Я.' Взаємодія між островками на стадії ’формування суцільного шару ближче до коагуляційного типу, ніж до коалесценції. Крім того, осгровкові аморфні конденсати чітко декорують м і кр от оиограф ію поверхні сколів монокристалів ксі, що свідчить про порівняно високу рухливість частинок, які конденсуються з пара на поверхні підкладки.

В більш товстих та суцільних плівках С d^ 400-600 Я) на елек-трономіїфоскопічних зображеннях чітко виявляється неоднорідна мікроструктура у вигляді округлих відокремлених макрокластерів-стовпців з поперечними розмірами с~ ІОО-ЗООЙ, які дістали назву

доменів. На стадії утворення суцільної шііеки cd,As., а^о CdAs0 ■ . ■ *■ . - о . “ а>

домени розділені досить широкими (^ 30-50 А) та глибокими жолобками. В більш товстих плівках простір жолобків зменшується в об’ємі, перетворюючись в заховані порожнини та області зниженої густи-, ни матеріалу плівки, які зв'язують стовбчаті домени в єдиний конгломерат.’ ’ ’ .

Відпал зфокусованим електронним пучком мікроскопу та термо-відгіал на підкладці при - 473 К не привів до кристалізації

або зачітної зміни доменної’ мікроструктури аморфних плівок Cd,As„

✓ **

аіоСіілз2* Кристалізаційні процеси в них фіксуються по мікроелек-троішограмам після термовідпалу при Т?-503 К. При цьому характер мікроструктура плівок змінюється слабо, а стовбчаті домени з результаті кристалізації, напевно по всій товщині утворюють зерна

полікристаліЧБої структури. .

Кластерна структура звичайно зв’язується з наявністю міцних направлених зв’язків. При аморфізації атоми речовини прагнуть зберегти координацію, проявляя пра цьому максимальну валентність (ступінь окислення), хоча при цьому моге помітно спотворитися орієнтація зв’язків. Енергія пруяніх деформацій сітки при цьому залежить від координаційного числа та об’єму. Пра досягненні деякого критичного розміру дальше накопичення прузиьої енергії стає невигідним, та неупорядкована сітка розпадається на домекк. Цей процес супроводжується релаксацією механічних напруг. Завдяки цьому ефекту і моне реалізовуватися аморфний стан. „

Якісно суттєзість всіх реакцій кристалізації мокна зрозуміти, якщо використовувати діаграму '"вільна єнерг£я-склад". ’

Труднощі інтерпретації процесів кристалізації з систем і са-ли виникають в зміні характеру фазової рівноваги від стабільної да метастабільної. При цьому стабільна рівновага ва відмів^ від метастабільної відрізняється не тільки величингія т2:лїгратур, але і числом фаз.

У випадку стабільної рівновага рідзгау роль у процесах кристалізації СТЄКОД будуть Грати ’ . -С&^кВг,_Сік.32 та Аз*

ііклоподібному стану відповідає плавна залежність вільної енергії від складу. Сполуки сй5Аз2, салз2 мають менші значення вільних енергій ніж внхідні ког.-поненти. ’

Перехід р'тия у кристалічний стан иске проходити по трьом типам

1. Поліморфна кристалізація. Аналізуючи разову діаграму, полонення

області склоутворення та концентраційну залежність вільних енергій са^А^* Сііазз та від склад?, можна передбачити, ідо найбільша ймовірність для цього типу, кристалізації е у стекол, які близькі за складом до сала.,.- ,

2. Переважна кристалізацій.„Пркі-дьому механізмі спочатку спостері-

гається первинна кристалізація найбільш стабільної сполука, а потім кристалізація аморфної .матриці, цо залишилася. Звичайно ітс" процзс дБостаді:::ш“;. Стійка:* хімічний оклад оплав добував • після црохо^ош'я метастабільного отаку та реіфисталізаційних процесів. У випадку а;.; ораних сплавів системи са-Аа первинно ви-' ділєна:.:;і газами можуть _ бути са^дз., та сіАг2. Враховуючи високо-те'мпєратурніогь разового переходу в сполуці Сйла.2 та проведення кристалізації стекол при кімнатній температурі, логічно перед-бачкті:, що яеревшша кристалізація буде пов'язана з виділенням кристалів сС-^гзи, сорока іигркца, яка задшилаоя, в основному буде пігтлт:: £ -модифікацію.

1‘. -иіідшгї кристалізації двох щаз передбачав евтектичну

кр::с,.,сдізацш і^ляхом перервного розпаду, коли обидва компоненти розділиться по аідповідкии'$азам різного хімічного складу.

У випадку .метастабільної рівноваги основними фазами, що визначають процеси кристалізації,? сй,Аз„ та аз, які утворюють мегаота-

> ^ . • більму евтектику. • ’ . ■ ‘ '

’ 3 можливих трьох типів кристалізації найбільш ймовірний процео

переважної кристалізації са-^дз2, потім сйА82>

' Дослідження монлие’их механізмів кристалізації стекол проводилося рентгенографічно. З порівняння шїрйл-діаграм та кривих ДСК

і.;о;;іг:а зробити висновок, цо найбільш ймовірним процесом, який характеризує кристалізацію стекол,- є лереваяна кристалізація е4 -с<іаз„. Аі/.оріна матриця,’ яка залишилася, шовірно,--побудована структурними групуваннями |> -сідз, . . ■

Враховуючи дані дСК та рентгенівського аналізу, мовна зробите висловок про первинну кристалізацію стекол системи СсЗ-лз у вигляді (Л-ао. -сс.дзо. Це означає, що в процесі структуроутворення перегачу роль гра-з рігповага фаз за типом стабільно:, а не аетаога-оільпої ріьиовагп.

Про процес кристалізації інформацію можна одержати, якщо визначити ступінь кристалізації за зміною густини. При цьому об’смиа частка іфисталічної фази у взірці розраховувалася за формулою:

р - Є

•©о ©

.де рс , р , - густина взірця пра кімнатній тешературі в склопо-

дібному стані в даний момент кристалізації і та в кінці процесу ' кристалізації. ‘

Аналіз кінетики процесу ізотермічної кристалізації проводили з використанням кінетичного рівняння Колмогорова-Азрач’і:

. оС ~ 1 - езв (-ісЬ)п,

де об - частка закристалізованого об’єму, к - узагальнена константа швидкості кристалізації, я. - кінетичний параметр кристалізації, .

який відбиває мірність росту. Залежність Іпіп—— від іпї доззо-

• . . . 1-*£ лила визначити показник ступеня кристалізації Колмог’ороза-Аврамі

п зід часу. З аналізу результатів витікає, що у випадку ізотермічної кристалізації процес добре описується рівнянням Дгонсона-Колмогорова-меііїа-Аврамі з показником п= 2, який свідчить про зародження та одночасний ріст кристалів з поверхні. ’

В четвертому розділі на температурних залежностях теплоємності з області (562 К) проявляється максимум, полонення та форма якого заленать від швидкості нагріву. Анаїіз аномальної поведінки • теплоємності з цій області температур дозволяє зробити висновок про його кінетичну природу.' Величина стрибка С^ вкладається в раніш закономірності зміни теплоємності при силуванні. Використовуючи температурну залежність теплоємності скла салз2, розраховані основні термодинамічні’ функції.

В закличній частині четвертого розділу приведені результати досліднень' напівпровідникових характеристик стекол системи са-Аз : електропровідносгі, оптичних властивостей та термо-е.р. с. Стекла

. • • Таблиця З

Енергії активації кристалізації, які визначені по початку •

' та максимуму піка кристалізації .

--------------------------1----------;-------------1 ;---------------------

. Склад , • ап* ; ам*

_________________;________І_______кдк/моль_________І_____кДж/моль

СІ5о^870 16,80 385,8

С^згЛз^з 11,56 265,4

С(і33леб7 б»12 І40»3

00^855 . 25,35 , 581,4

вказаної системи володіють порівняно високими значеннями електропровідності <Г та характеризуються одною енергією активації електропровідності. В залежності від окладу величина енергії активації змінюється від 140 до 581 кдж/моль. _ ' '

Довгохвильовий край оптичною поглинання також сильно залежить від складу. Ширина псевдозабороненої зони, яка визначена за спектрами оптичного поглинання (на рівні о£ =1000 см-^), лінійно залежить від складу та змінюється в межах від 0,7 до 1,25 еВ. ’ ’

' Враховуючи високий показник заломлення та прозорість в ІЧ-об-ласті спектру, стеюта системи сл-ка являють інтерес для акустоопти-ки. Проведені дослідження активних елементів із стекол са-Аз показа-' ли такі параметри: ' а=3,7; ** =5,76*ІО3 кг/м3; М2=555*І0^ с3/кг-*;

V е^3393 м/с; уд =2026 м/с та величина поглинання ультразвуку у =5-7 дНл/см. Значення швидкостей поширення ультразвуку для поздовжньої та поперечної хвиль дозволили визначити основні пружні модулі, коефіцієнт Грюнайзена. ’

дослідження температурної залежності термо-е.р.с. показали, що стеїиіа га тонкі шари характеризуються р-типом провідності та величина термо-е.р.с. досягала значень^ 500 мВ/К із знаком ’V’.

Осноші результати дисертаційної роботи, які мають наукове га

практичне значення, сформульовані, у вигляді слідуючих висновків:

1. Використовуючи загальне рівняння Колмогорова-Аврамі, побудовані кінетичні діаграми чао-тецпература-перетворення. Визначені критичні швидкості охолодження. Показано, що максимальной здібністю до склоутворення володіють стекла в області глибоких евтектик. При цьому величина КШ, в основному, обумовлена збільшенням в’язкості

. за рахунок глибини лінії ліквідуса, який утворюється в умовах стабільної рівноваги, роль "метастабільносгі - незначна.

2. Встановлена область утворення стекол в системі сй-ав (55-70 аі,%Кв) при швидкостях гарту до 200-250 К/с. З використанням комплексу фізихо-хімічних дослідаень визначені: густина, мікротвердість, температури розмягчення, кристалізації. За властивостями ці иа-

. теріали близькі до других тетраедричних стекол. Для них характерно виконання правила Каузмана, наявність кореляційної залежності від середньої.енергії атомізації та поверхневої кристаліза-' ції. ■ /.

3. Аналіз кривих радіального розподілу атомів дозволив' визначити значення радіусів координаційних ’сфер основної структурної одиниці с<іав2 :(г^=2,68, г2*=4,06, г^=4,9^ Я) , координаційне число

' к’= 4,0 та запропонувати модель структурної одиниці близького

порядку, яка складається з двох взаємнопронішгавих тетраедрів. ' Разом з цим встановлено дзохмодовий характер перебудови коливних спектрів від складу. Експериментально виявлені оптичні коди в 14- та КР-спектрах вказують на присутність в стеклах коливань с<і-аз та ая-аз5 що підтверджує моеливість мікрогетерсгенної будови. ’ ’ -

• . В умовах ізотермічної та неізотермічної кристалізації визначені енергетичні параметри, які характеризують кінетику процесу кристалізації.

' Показано, що процес кристалізації добре описусться рівнянням

%#тоот^£ііяа-Азраиі з параметром, .який .змінюється а залежності від складу (2 < а 3' та енергіями активації’ 6,12^25,35 кЗд/модь.

5. За температурною залежністю теплоємності визначені стандартні

^термодинамічні функції. . • ' . ■ ’ ’

В області температур розм-’ятчення вставовлеао стрибок Ср та махашіум ш кривих ср*£( ї), форма та лалсашянн яких пов'язані £ ралатоатдішши дерзбудоваш з системі, а умовами їх спостере- ’ жоння я дпіввамхрність з характеристиками експерименту ■ в чаоі. •

6. За виміряними величинами 7_>У„ та густини розраховані поужні’

Є д •*■ ■"

• . у л » ■

модулі стекол с~~ає: модуль Юнга ІІ&, модуль зсуву

б =2,35*10^ Па, коефіцієнт Пуассоза ^ а),25, модуль дружності і: =3,4* 10^ ІІа. Зазначені основі: і акустачні параметри стекол Сйда? ; коефіцієнт поглинання ультразвуку ^ =5-7 д£л (область . прозорості 0,’8-25 мкм), коефіцієнт ажустооптичної якості {>>_> =400-5СС с ^ г *,

7. Шарика псевдозабороавної золи, яка визначена за.довгохвильовим

кразі: особистого поглинання, лінійно залежить від складу та змінюється в меїхах 0,7-1,25 е6» Із збільшенням концентрації кадмій щцрина псевдозабороненої зеа$ зменшується, Температурний коефіцієнт зміни ширини псеваоаайерзавиої зони практично ке залежить від складу та складає ззедачаау 0,0002-0,0003 е£. ■

8. Встановлено п-ііш провійіюигі еккоподібних_сплавів та аморфних

парів еа:сдз1 ' яри без додаткового легування або моди-

фікування, Ця особливість провідності відкриває широкі коглавоо-ті для дослідження аморфних ..шарів Са_Аз1 в р-п-структурах, пристроях мікроелектроніки.

. і'.!аколмум на температурній залежності, якій пов'язаний з кунстаяізацієи аморфного шару, проявляється при різних темпера-т:р-..х в ьале:шост і від у поз експерименту, :цо' запропоновано г::-лСрйегозувата д.“ч визначення енергії активації ироцзоу

До матеріалам дисертації опубліковані слідуючі роботи:

1. Петрушова 0.3. Определение критической скорости 'охлаждения Салзг// Тез.докл.ІУ научн.конф.мол.уч.-хи:.іиков, 1968. - Минск.-С. 45. .

2. Марко П.В., Петрушова О.В. Светочувствительные слои в системах А^-В^//Тез.докл.Дня науки "Физические процессы при регистрации ■ голограши в регистрирующих средах на основе полимерных полупроводников, 1987. - Киев. - С.14-15.

3. Петрушова О.В. Характер химической связи и склонность к стеклооб-разовавию некоторых двойных и тройных соедіінєкиіі//Тєз.докл.УІІІ Ок-тяйрьских чтений "Исследования молодых ученых в области хишш и

• биологии", 1988. - Пермь. - С.7.,

I. Мельниченко Т,К., Петруноза 0.3., ".ар:-:о II.3. Получение тойккх'лле-ноксііаз2, с&2ав^і и их свойства в крпстаі^іческо:.: и а\: огоном состояниях//Сб.научн.?р. "Гєр;,:лчєскі:л анализ и '.Т-азовые равновесия, 1989. - Пермь. - С.27-32.

'. Петрушова О.В. Взаимосвязь.диаграмм состояния и областей амортизации в некоторых пкЕктидаых систеыах//Тез.докя.1У каучн.хон$'. • мол.уч., 1989. - Ужгород. - С.30. .

. Петрушова О.В. Коэффициент поверхностного натяжения расплавов Системы кадмий-мниьяк//Гам же. - С.90. . •

. Петрушова О.В. Особенности стеклообразовййия в системах А^-В^// Тез. докл.’УИ научн.коні.мол.уч.-хкшзков, 1990.-Иркутск. - С.2І.

. Петрушова О.В., Еизак И.ІІ. Неизотермическая кристаллизация системы сй-Аа^/Тез.докл.Всесога.семинара "Структурные превращения л релаксационные явления в некристаллических твердых телах, 1991,-Тбилиси. - С.57. .

Петрушова О.В., Мельниченко Т.Н., Мельниченко Д.П Расчет критических скоростей охлаждения для металлических расплавов систем АП-В7//Тез.докл.И научн.конф.мол.уч.-химиков, 1991.-Донецк.-С.127. Петрушова О.В., Ыельвичанко Т.Н. Влияние метгастабдльного равновесия на критически СКО'-'охлаждения при амортизации сплавов

в система кадмии-мышьяк//Е.неорг.химии, 1993. -Г. 28. -Вш. 2.-С.142-147. . ■ .

11. Туряниця И.Д., Петрушова О.В. Особенности фазового равновесия и критерии амортизации в системах А^-В^//ї£.йзв.АН РАН. Неорг.матер., 1992.-Т.28, й 6. - С.І292-І296.-

12. Дукша О.В., Петрушова О.В., Иваницкий Б.П. Структура аморфных

ШІЄНОК, полученных испарением стекол CdASg //Тез.докл.И Всеоооз. KOH.cl.no шизике стеклообразных твердых тел, 1991.-Рига-Лиелу-пе. - С.51. .

13. Турянпца г-.Д., Петрушова О.В., Сеирад Е.Е. Кинетика кристалли-. злілій стеклообразного диарсенида кадмия/Дез.докл.ІЗ Уіф.ковф.

по неорг.хшии*. 1992.-Киев.-С.137.

14. іїетрушова О.В. Особенности кристаллизации стекол системы Cd-As//

. Тез.докл.У Укр.конф. "Физика* и технология тонких пленок сложных

полупроводников", 1992. - Ужгород. - С.219.'

15. зчжіа V., Yurfcio. j., zentko л., Setrushova О., Lukslis О.,

TirolcQ м., rurjonitsa J. Kinetics of ciyatallization sad ' transport of elections of amorphous Cd3tA.s^_;s seiaiaetal-eXloya//. Ini Amorphous nretallic materials. їгааз Tech.. PuKLicationo,

1992. - P.369-374. ' ■

16. Петрушова О.В., Мельниченко Т.Н. Кинетика кристаллизации спла-

ТТ V ТТ У

вов системы А -В , где А - zm, Cd; В - Аз> зъ//В сб.научн. тр. I Укр.конф.мол.уч.и спец. "Физика и химия сложных полупроводниковых материалов", 1992. - Ужгород. - С.47-63. ■

17. Туряниця І.Д., Лукша О.В., Петрушова О.В., Малеш B.I., Міл®я ЇЇ.М Схильність до аморфізації сплавів в деяких бінарних системах, модифікованих Т-С-картою по відношенню до фазової діаграми//Тез. ■доп.ІУ Міжнародної конф.з фізики та технології тонких плівок,

1933. - Ів.-Ьранківоьк. - С.21.

Автор выражает глуОокуи признательность ;і искреннюю благодарность за помощь в работе и моральную пэдлерчху

Ректору УтГУ - Сливке Злаг.;:/.иру Клье;«"у

Ппоректору по ■ '

науке - Висо,;.анско:.у Клиаку І.'.хронсзкчу

Директору СКТБ "Кзант" - Лукг.е Олегу Засилье-ячу

к.ф.-м.н. ка4ед?ы 4”з:1кк полупроводников - і«/кле_

.. Виктору Ивановичу

к.^.-м.н. кафедры 4:'-з»ис: полулрозэлнмоз

Бунде Зактзру Заріолоуєсьйчу к.х.н. ка^елры хи.с!:; твердого тех а и лолупрэзод-н:;:-:ов Секраду Емельяну Ег/ельяноьичу к.ф.-м.н. кафедри физику, полупроводников £ураничу Павлу Павловичу

Автор скорбит в енязи с тяжелой утратой сзоего Учителя

тавд .

Ивава Дмитриевича