Структура, кинетика роста, эпитаксиальная связь и свойства продуктов, образуемых в процессе реакционной диффузии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ТЕРМОДИНАМИКА И КИНЕТИКА ХЕМОЭПИТАКСИАЛЬ

НОГО РОСТА ВЕЩЕСТВА.

1.1. Термодинамический анализ хемоэпитаксиального . зарождения новой фазы в процессе реакционной диффузии

1.1.1. Состояние проблемы.

1.1.2. Зарождение новой фазы

1.1.3. Хемоэпитаксиальное зарождение новой фазы

1.1.4. Температурный интервал хемоэпитаксии

1.1.5. Влияние соотношения коэффициентов диффузии на условия хемоэпитаксиального зарождения

1.2. Кинетика хемоэпитаксиального зарождения новой фазы при реакционной диффузии

1.2.1. Скорость образования зародышей.

1.2.2. Скорость роста зародышей

1.3. Кинетика роста слоя новой фазы при хемоэпитаксии

1.4. Определение эффективного пересыщения

Выгоды.

ГЛАВА П. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОДУКТОВ РЕАКЦИИ

2.1. Выбор двойных систем для исследования .*•

2.2. Выращивание монокристаллов

2.3. Получение пленок цинка и сурьмы

2.4. Подготовка образцов для исследований

2.5. Диффузионное насыщение образцов ••.•••••.

2.6. Кинетические исследования

2.7. Рентгенографирование образцов

2.7.1. Рентгенографирование образцов до и после их. насыщения.

2.7.2. Рентгенографирование образцов в процессе их насыщения . .ИЗ

2.8. Световая микроскопия.Метод ямок травления.

2.9. Электронномикроскопические исследования

2.10.Электронографирование образцов .••.•.

2.11.Электрофизичеыше методы исследования

2.12.Потенциостатические исследования

2.13.Испытания на жаро-,кислото-г,износо- и разгаростойкость

Выводы

ГЛАВА Ш. ШШЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАСТАНИЕ СОЕДИНЕНИЙ

НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ МЕДИ

3.1. Система медь-цинк.

3.1.1. Структура и состав слоя,образованного при насыщении монокристалла меди ларами цинка над -фазой

3.1.2. Продукты реакции на поверхности монокристалла меди при диффузии цинка из ^-латуни

3.1.3. Продукты реакции при насыщении монокристалла меди парами цинка над цинком

3.1.Структура и состав слоя,образованного в результате диффузионного насыщения элек-троосажденной меди парами цинка

3.1.5. Кинетика роста слоя продуктов реакции при • насыщении монокристалла меди цинком

3.1.6. Расчет температурного интервала хемоэпи-таксии для р -латуни .••••.••.

3.2. Системы медь-алюминий и медь-олово.

3.2.1. Структура и состав продуктов реакции: при. насыщении меди алюминием или оловом

3.2.2. Кинетика .роста фаз Cuai2 и cu^Sn на медной подложке

3.2.3. Оценка возможности ориентированного нарастания фаз CuA12 и Gu^Sn

3.3. Системы медь-магний и.медь-индий

3.3.1. Продукты реакции при насыщении.меди парами магния или.индия .••.•.•••••.»

3.3.2. Кинетика роста фаз cu2Mg и cu2in

3.3.3. Оценка возможности ориентированного нарастания фаз cu2Mg и cu2in

3.4. Система медь-сурьма •.••.••.••.•••••••••••

3.4.1. Структура и состав продуктов реакции: щш . насыщении меди парами сурьмы .:.

3.4.2. Кинетика роста новых фаз

3.4.3. Оценка возможности ориентированного нарастания фаз cugsb и cu^sb

3.5. Системы медь-сера,медь-селен и медь-теллур

3.5.1. Нарастание халькогенидов меди, при расыщег нии меди ларами серы,селена или теллура

3.5.2. Кинетика роста халькогенидов меди

3.5.3. Оценка возможности хемоэпитаксиального роста халькогенидов меди .••••.••

3.6. Обсуждение результатов

Выводы

ГЛАВА 1У. ПОЛУЧЕНИЕ ШЮЭПИТАКСЙАЛЬНЫХ СЛОЕВ НА,

СУРЬМЕ,ЦИНКЕ И ХРОМЕ

4.Г. Системы сурыщ-динк,сурьма-индий,сурьма-^кадмий

4.1.1. Структура и состав продуктов твердофазных : реакций при насыщении сурьмы цинком, индием или кадмием

4.1.2. Кинетика роста фаз 2пбъ хпбъ и саэъ

4.1.3. Расчет аТэ для фаз гпэъ , шэъ и ссаэъ

4.2. Системы сурьма-сера,сурьма-селен и сурьма.~ -теллур

4.2.1. Структура и состав слоя при насыщении сурьш серой,селеном или теллуром.«,

4.2.2. Кинетика роста фаз эъ^ и БЪ2те

4.2.3. Расчет дТд для бъ^ и зъ2т,е3фаз

4.3. Системы цинк-сера,цинк-селен и цинк-теллур

4.3.1.л Структура и состав, халькогшидов.цинка при насыщении цинка серой,селеном или теллуром

4.3.2. Кинетика роста халькогенидов, цинка 246 4.3.3.Расчет дТд для халькогенидоа.цинка

4.4,.-Системы сурьма-магний,сурьма-натрий,цинк-магний

4.4.1. Структурные и кинетические исследования * 250 . 4.4.2. Оценка дТэ для фаз м^п2 £ъ2ъщ3 и ш эъ

4.5. Системы, хром-углерод и хром-сера .».•••••.,.

4.5.1. Структурные и кинетические исследования

4.5.2. Оценка дТэ для фазы ^г23с 4.6. Обсуждение результатов

Выводы

ГЛАВА У. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ,

ПОЛУЧЕННЫХ В РЕЗУЛЬТАТЕ РЕАКЦИОННОЙ ДИФФУЗИИ

5.1. Электрофизические свойства продуктов реакции

5.1.1. Соединение БЪгТез

5.1.2. Соединения ZnSb , Zns и znSe

5.1.3. Твердый раствор inSb. в±

I """.Х Ji.

5.2. Потенциостатические исследования продуктов твердофазных реакций.

5.2.1. .Халькогениды сурьмы 5.2.2.,Хальяогениды. цинка 5.2.3* Карбидизированные хромовые электроосадки

5.3.ИзносОт,жарог ü кислотостойкость слоев

5.3.1. Карбидизированные хромовые покрытия

5.3.2. Сульфидированные хромовые покрытия . 304 5'&« Микротвердость карбидизированных и.сульфидированных хромовых, электроосадков

5.5,., Термическая усталость образцов

-Быв оды.

ГЛАВА У1.ХВМ0ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ ОКИСЛОВ,СУЛЬФИДОВ

И КАРБИДОВ

6.1. Хемоэпитаксиальный- рост окислов

6.2. Хемоэпитаксиальный рост сульфидов .••

6.3. Хемоэпитаксиальный рост карбидов

6.4., Обсуждение результатов

6,5. Возможности метода хемоэпитаксиального роста вещества .••••••.•••.•••.••••.•

Выводы,

В основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981-1985 годы и на период до 1990 года, утвержденных ХХУ1 съездом КПСС, предусмотрено развитие исследований с целью создания новых материалов. Успешное решение этой задачи в значительной мере зависит от дальнейшего развития одного из важнейших направлений науки и техники - материаловедения пленок и слоев [1-5] • Важное значение при этом придается получению пленок и слоев с высоким структурным совершенством, обладающих стабильностью физических свойств, чрезвычайно необходимой в различных полупроводниковых устройствах и приборах [з-^-в] • Связано это с тем, что многие параметры полупроводниковых материалов полностью определяются концентрацией и природой примесей и различных дефектов структуры.

С целью создания оптимальной технологии производства моно^ кристаллических структур полупроводниковых приборов интенсивно ведутся экспериментальные и теоретические исследования различных полупроводниковых гетероструктур, используемых в качестве главного активного элемента таких приборов [э-1з] .

Одним из способов получения монокристаллических пленок и слоев является эпитаксиальный рост вещества. Ориентированное нарастание вещества на кристаллической поверхности (эпитаксия) в настоящее время широко применяется в науке и технике, особенно в твердотельной микроэлектронике [ь^] .

Эпитаксиальный рост вещества может быть связан с анизотро^* пией граничной энергии и упругой анизотропией подложки [н] . Проблемой получения эпитаксиальных кристаллов с необходимыми свойствами занимаются многие лаборатории у нас в стране и за рубежом и в этом направлении достигнуты значительные успехи. Общеизвестен вклад в решение данной проблемы ученых Советского

Союза: П.Д.Данкова, В.И.Архарова, Л.С.Палатника , А.А.Чернова, Л.Н.Александрова, В.М.Косевича, Г.И.Дистлера, Ю.Д.Чистякова» С.А.Семилетова, Е.И.Гиваргизова и других и зарубежных ученых: Г.Близнакова, Р.А.Каишева, Д.Х.Ван дер Мерве, Ф.Ч.Франка, Р.А.Лодиза, Д.Майера, Д.В.Метьюза, Р.Керна, Э.Калдиса, Е.Бауэра, Т.Аризуми и других.

Проводимые исследования не ограничивались лишь прикладными задачами, но имели и большое научное значение. Обусловлено это тем, что в эпитаксиальных кристаллах различные физические процессы, например, диффузионные, протекают в условиях наличия неравномерного распределения структурных дефектов, полей упругих напряжений, контактных электрических поле!. Поэтому изучение диффузии, например, в таких условиях позволяет выяснить роль указанных факторов в механизме перемещения примесей и атомов материнской фазы в неоднородных полупроводниковых кристаллах [7 ]. Эпитаксиальные пленки позволяют исследовать влияние тол« щины на намагниченность, анизотропию магнитооптических свойств, структуру магнитных доменов и другие вопросы.

Эффективность, надежность и дальнейший прогресс в получении эпитаксиальных кристаллов зависит от состояния знаний о природе эпитаксии. Эпитаксиальный рост вещества оказался сложным явлением, включающим целый ряд процессов и прежде"всего таких как зарождение и рост дочерней фазы на основе материнской фазы. Видимо, поэтому к настоящему времени предложено множество различных теоретических схем для объяснения этого явления и в тоже время отсутствует общепризнанный подход для интерпретации накопленного экспериментального материала по ориентированному нарастанию различных веществ [1-5, Х5^ . Неудивительно, что до сих пор нет единого мнения относительно роли в эпитаксиальном росте таких факторов, как величина несоответствия сопрягаемых кристаллических решеток и их упругие константы, значение межфазных энергий и величина пересыщения исходной фазы и других. По нашему мнению, общим недостатком предложенных к настоящему времени теорий эпитак-сии является отсутствие учета взаимной связи и влияния основных факторов, определяющих ориентированное нарастание вещества.

Особенно много неясного в более сложном процессе - хемо-эпитаксии ориентированном нарастании продуктов химического взаимодействия вещества, поступающего извне, с веществом подложи ки [2, 1б"] . Такая" эпитаксия наблюдается" при реакционной диффузии, протекающей в поверхностном слое текстурированных или монокристаллических подложек и представляет собой частный случай твердофазной эпитаксии - процесса ориентированного нарастания вещества за счет твердофазных реакций, протекающих в поверхностном слое монокристаллической подложки [з9 "] .

До недавнего времени такой рост вещества исследовался глав^ ным"образом при окислении металлов и сплавов. В этой области широко известны работы Н.А.Шишакова, В.И.Архарова, Ж.Бенара и других. Основные сведения по ориентированному росту окислов приводятся в монографиях Бенара [17"] , Кубашевского и Гопкинса [18"] , Палатника и Папирова [1] и Хауффе [19] .

Исследования" хемоэпитаксиального роста других соединений вплоть до 70~х годов были немногочисленны. В Советском Союзе этими вопросами занимался Чистяков с сотрудниками [20] . Обобщение работ по хемоэпитаксиальному росту различных соединений сделано Палатником и Папировым [I ] , Гехардом [21] и Ударом [22] .При этом"подчеркивается сложность-процесса, связанная с тем, что после образования-первого слоя химического соединения последующий процесс усложняется объемной диффузией, что нередко объемные изменения при- образовании соединений настолько велики, что ориентированный рост наблюдается лишь в тончайших слоях [1] .

Все это затрудняет выработку единого мнения относительно основных факторов, определяющих хемоэпитаксиальный рост вещества. По мнению Чистякова [16, 20 ] , например, определяющим фактором при хемоэпитаксии является скоростьреакционной диффузии. При конденсации атомов вещества внешней среды на поверхности подложки наиболее благоприятные условия для хемоэпитаксиального роста будут в том случае, если скорость конденсации меньше, чем скорость реакционной диффузии. В противном случае процесс хемоэпитаксии быстро закончится и перейдет в хемоэвдотаксию, так как атомы подложки будут диффундировать в слой конденсата, и химическое соединение, богатое атомами конденсата, будет выделяться в твердой фазе. Поскольку сопрягаемые решетки имеют различные фи^ зические свойства, то вероятность ориентированного нарастания при химическом взаимодействии подложки с окружающей внешней средой, по мнению Чистякова, низкая; Палатник также считает [I], что хемоэпитаксия имеет место лишь при некоторых оптимальных экспериментальных условиях и высказывает предположение, что совершенство ориентировки связано со скоростью реакции.

Различны мнения ученых относительно роли размерного фактора и пересыщения в эпитаксии. Одни считают [Г, 23-31] , что величина соответствия решеток - главное в эпитаксии, другие [32, 33^ , наоборот, допускают возможность эпитаксии при любом различии периодов сопрягающихся решеток. По мнению одних ] с увеличением пересыщения предельная величина несоответствия решеток подложки и нарастающего слоя, при которой еще может происходить эпитаксия, растет и, следовательно, увеличивается возможность ориентированного нарастания вещества. По мнению же других [34, Зб] , для эпитаксии необходимы низкие пересыщения или что влияние пересыщения на ориентированный рост имеет- более сложный характер [36. 37] .

Различны также мнения ученых относительно роли температуры в эпитаксии. Большинство исследователей считает, что ориентированное нарастание происходит выше определенной для данной пары "нарастающее вещество * подложка" температуры, получившей название эпитаксиальной. Однако, ряд ученых [l6, 37*] указывают на то, что эпитаксиальный рост вещества осуществляется в некотором температурном интервале'.

Все это свидетельствует о необходимости проведения дальнейших теоретических и экспериментальных исследований процессов ориентированного нарастания различных веществ, в том числе химических соединений на кристаллических подложках.

Важность подобных исследований возрастает в связи с тем, что в последние годы интерес к твердофазной эпитаксии заметно возрос благодаря одной особенности твердофазных реакций - срав^ нительно низкой температуры их протекания [22, 3&*4о] . Эти реакции, как правило, имеют место при температуре ниже точки плавления любого из компонентов или их эвтектик. В некоторых случаях температуры реакций находятся в пределах от 20 до 200° G. Например, между пленкой олова и медной подложкой взаимодействие с образованием интерметаллида происходит при комнатной температуре.

Эта особенность делает метод твердофазной эпитаксии весьма ценным методом технологии полупроводниковых-приборов, так как при пониженных температурах может быть" значительно меньшей ши*» рина переходной области в формируемых эпитаксяальных структурах [8 } , заметно уменьшено диффузионное" размытие р-п-переходов [4I-43] и растворение примесей, устранена такая трудность как автолегирование и изменение профиля легирования, наблюдавшиеся при высокотемпературных процессах [ 39 J , а также снижены термические напряжения, возникающие вследствие различия коэффициентов термического расширения контактируемых веществ [38, 44] . К тому же ^45, 46j , слои образуемых соединений защищают поверхность от поступления загрязнений и делают излишней операцию высокотемпературного нагрева подложки в сверхвысоком вакууме для очистки ее поверхности, так как на образование новой фазы в начале процесса отжига расходуется исходный, наиболее загрязненный ее поверхностный слой;

Другая важная и перспективная область, где находят применение твердофазные реакции - омические контакты и контакты с барьером Шотки ^47 ] . Омические контакты, как известно ^47-49^ , получают в результате операции плавления, при которой на поверхности полупроводника создается тонкая сплавная пленка. При этом под действием поверхностного натяжения эта пленка нередко оказывается стянутой в шарики. К тому же, при плавлении в контактах может наблюдаться миграция атомов, приводящая к деградации их электрических характеристик со временем. Все это делает операцию плавления нежелательной. Для получения--омических" контактов в последнее время стали применять новый метод металлизации, в котором вместо плавления используется спекание, то есть взаимодиффузия в твердой фазе [47j . В этом случае в контакте протекают реакции с образованием соединений, которые могут служить диффузионным барьером для миграции атомов через контакт.

Деградация же диодов Шотки в основном связана с диффузией металла к полупроводниковой подложке через образовавшийся окис-ный слой или дефекты. Ослабить этот эффекг можно путем создания с помощью твердофазных реакций в контактной области соединений, которые бы препятствовали миграции атомов через границу металл -полупроводник. Это может существенно повысить стабильность, долговечность и устойчивость конатктов Шотки к повышенным температурам, а значит значительно повысить надежность электронных устройств, во многих случаях играющая первостепенную роль [47, 50-52 и другие] .

Можно указать и на ряд других преимуществ метода твердофазной эпитаксии. Например, эпитаксиальный рост из твердой фазы полностью допускает применение метода фотолитэграфии [зэ] , Покрытие исходных материалов различными (карбидными, нитридными, боридными и тому подобное) хемоэпитаксиальными слоями может значительно повысить их твердость, износом и коррозионную стойкость [21, 22] .

Вышесказанное свидетельствует об актуальности дальнейших исследований по твердофазной эпитаксии, в том числе по хемоэпи-таксии. В этом направлении интенсивные исследования ведутся в США, Японии и других странах [38, 40-44, 53-63 и другие] . Ряд работ этого плана выполнено в Харькове и Киеве [45, 46, 64, 65] .

Однако, в подавляющем большинстве этих работ твердофазная реакция использовалась для создания транспортной среды по доставь ке данного материала к месту его эпитаксиального нарастания. Исследовалась возможность и кинетика эпитаксиального роста таких полупроводниковых материалов как германий и кремний на монокрио=* таллической подложке путем использования в~ качестве генератора процесса твердофазной эпитаксии напыленных (обычно в аморфном состоянии) кремния, германия, палладия, алюминия и других элементов, а также соединений на основе кремния и германия. Получаемые композиты подвергались двойному отжигу. Сначала система отжигалась при сравнительно невысоких температурах для об^ разования соединений, а затем при температурах несколько более высоких для получения эпитаксиальных пленок. В ряде случаев эпитаксиальный рост из твердой фазн происходил путем рекристаллизации аморфного слоя полупроводника, находящегося в непосредственном контакте с металлической подложкой при температурах, значительно более низких, чем температуры кристаллизации свободных аморфных кремния и германия. Иногда аморфные слои образовывались благодаря введению в исходную подогожку ионов определенной энергии, в которых после обычного отжига или в результате облучения происходил эпитаксиальный рост материала.

В наших исследованиях, проводимых на протяжении около 15 лет, твердофазная реакция использовалась для получения ориентированных слоев различных соединений. Теоретические и экспериментальные работы в этом плане интересны не только с точки зрения теории и практики получения эпитаксиальных структур продуктов реакции, но и в плане более глубокого понимания механизма и кинетики самого процесса реакционной диффузии, лежащего в основе твердофазной элигаксии.

Несмотря на то, что вопросамтеории реакционной диффузии уделялось много внимания рядом зарубежных ученых (Вагнер и Ха-уффе [19 ] , Еубашевский и Гопкинс [18] , Кабрера, Мотт и Бенар [17] ), а также советских ученых (Архаров [66-67] , Френкель [68 ] , Пинес [69] , Горбунова [70*] , Дубинин ¡71] , Гегузин [72"] и другие*), многие стороны механизма и кинетики реакционной дифр фузии до сих пор остаются нераскрытыми. В частности, к нерешенным проблемам реакционной диффузии относятся: механизм зарождения и роста новой фазы, роль энергетического состояния поверхности материала в кинетике процесса твердофазных реакций, степень локализации химической реакции на границе фазы идругие.

Денные сведения о процессе реакционной диффузии могут дать исследования" по хемоэпитаксиальшщу росту вещества, поскольку при эпитаксии кристаллическое совершенство нарастающих фаз яв^ ляется наивысшим-в непосредственной близости от фронта химичек ской реакции и быстро убывает из-за влияния объемных изменений по мере удаления от этого фронта. Это обстоятельство в ряде случаев помогает установить не только характер диффузии и место нахождения фронта реакции (какой из двух взаимодействующих компонентов диффундирует через слой продуктов реакции и на какой границе этого слоя идет реакция), но также изучить условия формирования структуры диффузионной зоны при насыщении материнской фазы элементами извне ] « Исследования по хемоэпитаксиально-му росту должны способствовать более глубокому пониманию механизма и кинетики реакционной диффузии в силу его крайней чувствительности ко многим параметрам процесса ив частности, к таким из них как тип кристаллической решетки подложки, ее кристаллов графическая ориентация и другие [1 ] .

Основной целью данной работы является разработка надежного количественного критерия ориентированного нарастания соединений, образуемых в процессе реакционной диффузии, который бы способствовал более глубокому раскрытию механизма и кинетики процессов хемоэпитаксии, а также позволял бы обобщать экспериментальные результаты по хемоэпитаксиальному росту и проводить прогнозирование возможности такого роста для конкретной бинарной системы. Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи: разработка термодинамико-кинетического подхода к хемоэпи-таксии; экспериментальное и теоретическое исследование возможности хемоэпитаксии при*реакционной диффузии в бинарных системах на основе меди, сурьмы, цинка и хрома; применение разработанного подхода к оценке возможности ориентированного нарастания окислов, сульфидов и карбидов и сравнение с экспериментальными данными; выявление особенностей процесса хемоэпитаксии, а также реакционной диффузии в условиях влияния подложки; определение роли различных факторов в ориентированном нарастании продуктов, образуемых в процессе реакционной диффузии, и их взаимного влияния; изучение корреляции между эпитаксиальной температурой и термодинамическими характеристиками нарастающих фаз; изучение физических свойств и характера физико-химического взаимодействия нарастающих фаз с целью оценки возможности их практического применения.

На защиту выносятся следующие научные положения: I. Представление о том, что при образовании зародышей новой фазы в процессе реакционной диффузии необходимо учитывать энергию химической реакции на границе "подложка - слой адсорбции" в общем изменении потенциала Гиббса. Это приводит к тому, что хемоэпитаксиальный рост вещества определяется не только величиной несоответствия решеток и нарастающей фазы, ее упругими константами, значением межфазных энергий и величиной пересыщения, но и значением термодинамической активности диффундирующего компонента в этой фазе.

2» Термодинамико-кинетйческий подход к хемоэпитаксиальнолцу зарождению и росту новой фазы при реакционной диффузии, исходя из преимущественного образования и роста двумерных зародышей.

3. Установление особенностей хемоэпитаксиального роста вещества и процесса реакционной диффузии в условиях ориентирующего действия подложки.

4* Корреляция между эпитаксиальной температурой, теплотой плавления, стандартной теплотой образования соединений, а также* разностью электроотрицательностей компонентов нарастающих фаз, позволяющая в первом приближении априорно оценивать эпитакси-альную температуру продуктов твердофазных реакций.

Настоящая работа является одной из первых, посвященных разработке нового перспективного направления в физике твердого тела, связанного с ориентированным нарастанием соединений, образующихся в процессе' реакционной диффузии ? которое можно сформулировать тсак физика ориентированного нарастания продуктов реакционной диФФузии.Это направление, учитывающее энергию химической реакции на межфазной границе, позволяет обобщать" накопленный экспериментальный материал по хемоэпитаксиальному росту соединений, а также проводить прогнозирование возможности такого роста и степени структурного совершенства продуктов твердофазных реакций в бинарных системах, содержащих промежуточные фазы^.

Практическая ценность работы состоит в том,"что найден коли-' * чественный критерий хемозпитаксиального роста вепгества , позволяющий осуществлять прогнозирование ориентированного нарастания продуктов, образуемых при реакционной диффузии в конкретной бинарной системе; определены оптимальные условия диффузионного насыщения, при котором на поверхности подложки в результате реакционной диффузии формируется соединение с высоким-структурным совершенством; найден способ трубой оценки - эпитаксиальной температуры по данным стандартной теплоты образования, теплоты плавления или разности электроотрицательностей компонентов•соединений, наращиваемых на подложке в процессе реакционной диффузии; высокое значение коэффициента термго з.д;<П" хемоэпитаксиаль-ных слоев соединений 7п$£ и З^Тс^ позволяет рекомендовать их для изготовления термоэлементов", а твердый раствор 1н 86,,х Во х (0,5% ± 2,5%) в качестве материала инфракрасных приемников и датчиков Холла; высокая износо-,- жаро- коррозионная стойкость хемоэпитакси-альных слоев в "ряде бинарных систем позволяет-рекомендовать их в качестве защитных покрытий.

ОБЩЕ ВЫВОДЫ

1. Разработан температурный критерий ориентированного нарастания промежуточных фаз, образующихся при реакционной диффузии, определяемый значением межфазных энергий, величиной несоответствия сопрягающихся решеток, упругими константами нарастающих фаз, пересыщением материнской фазы диффундирующим компонентом, а также его термодинамической активностью.

2. На основе учета вклада энергии химической реакции на границе "подложка - слой адсорбции" в общем изменении потенциала Гиббоа при образовании зародышей нарастающей фазы разработан термодинамико-кинетический подход к хемоэпитаксиально-му росту соединений на кристаллической подложке, который позволяет не только обобщать накопленный по хемоэпитаксия экспериментальный материал, но и проводить прогнозирование такого роста для конкретной пары веществ.

3. Установлено ряд особенностей хемоэпитаксиального роста вещества, образуемого в процессе реакционной диффузии: хемоэпитаксия наблюдается не только при сравнительно низких температурах, но обычно в определенном температурном интервале; хемоэпитаксия протекает при тем больших пересыщениях, а, следовательно, при тем меньших размерах критических зародышей и работе их образования, чем больше вклад энергии химической реакции на межфазной границе в общее изменение потенциала Гиббса при образовании зародышей новой фазы; хемоэпитаксиальный рост вещества зависит от соотношения коэффициентов диффузии взаимодействующих компонентов, а также от характера кинетики реакционной диффузии при малых пересыщениях; пересыщение, необходимое для хемоэпитаксиального роста, определяется не только разностью энергий образования критических дву- и трехмерных зародышей и разностью свободных энергий контактируемых фаз, но также разностью энергий активации поверхностной и объемной диффузии.

4. Экспериментально обнаружено ряд особенностей протекания реакционной диффузии в условиях ориентирующего действия кристаллической подложки: влияние кристаллографической ориентации подложки на степень ориентированного роста продуктов реакции и на кинетику этого роста; интенсивное протекание процессов двойникования при нарастании химических соединений; образование на границе с подложкой той фазы данной бинарной системы, решетка которой имеет лучшее геометрическое соответствие с кристаллической решеткой подложки; сравнительно высокая стабильность ориентационных связей подложки и нарастающего соединения при отклонении кристаллографической плоскости подложки от ее наружной поверхности.

5. Получено удовлетворительное согласие теории и эксперимента при исследовании возможности хемоэпитаксии в результате реакционной диффузии в свыше 20 бинарных системах на основе меди, сурьмы, цинка и хрома, а также при оценке эпи-таксиальной температуры ряда окислов, сульфидов и карбидов«

6. Установлена корреляция между апитаксиальной температурой и стандартной теплотой образования соединений, а также разностью электроотрицательностей их компонентов, которая позволяет в первом приближении априорно оценивать температуру хемоэпитаксиального роста различных соединений с валентной или ионной связью.

7. На ряде соединений показано, что по своим электрофизическим и электрохимическим свойствам хемоэпитаксиальные слои, полученные в результате реакционной диффузии, могут найти применение в твердотельной микроэлектронике или использованы в качестве жаро- и коррозионное!ойких защитных покрытий.

Заключение

В настоящей работе изложены теоретические и экспериментальные результаты исследований хемоэпитаксиального роста вещества; выполненных автором в Донецком государственном университете по госбюджетной теме "Изучение тонкой структуры зоны реакционной диффузии в реальных твердых телах1}" включенной в Координационный план НИР АН СССР на 1976-1880 гг по проблеме "Физика твердого тела" и по госбюджетной теме "Изучение фазовых превращений в металлах под воздействием концентрированных потоков энергии, физических полей и в результате- реакционной диффузии", одобренной постановлением Президиума АН УССР на период 1981-1985 гг .

По совокупности выполненных исследований и полученных в диссертации результатов настоящая работа составляет новое перспективное направление в физике твердого тела, которое можно сформулировать как ФИЗИКА ОРИЕНТИРОВАННОГО НАРАСТАНИЯ ПРОДУКТОВ РЕАКЦИОННОЙ ДИФФУЗИИ ,и которое позволяет на основе процесса реакционной диффузии получать эпитаксиальные структуры различных химических соединений с определенным структурным совершенством.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность академику АН УССР Архарову В,И. и сотрудникам лаборатории реакционной диффузии Донецкого физико-технического института АН УССР за интерес к работе и полезную дискуссию, а также сотрудникам кафедры рентгенометаллофизики Донецкого государственного универ ситета, способствовавшим выполнению данной работы.

1. Палатник Л.С., Надиров И.И. Ориентированная кристаллизация. - М.: Металлургия, 1964. - 408 с.

2. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. -М.: Металлургия, 1979. 408 с.3* Технология тонких пленок. Справочник, т.Х и 2. Под. ред.~ЛёМайссела, Р.Глэнга. Пер. с англ.-М.; Сов.радио, 1977, т. X 664 е., т.2 - 768 с.

3. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. Под ред. К.Хогарта. Пер; с англ. М.: Мир, 1968. - 349 с,

4. Межд.конф. по росту кристаллов. Распшр. тезисы. Т. 1-4. М.: АН СССР, 1980. 1760 с.

5. Александров Л.Н. .Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978. - 272с.

6. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, ч,2. Под ред. Л.Н.Александрова. Новосибирск: Наука, 1977. - 358 с.

7. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в: эпитаксиальных структурах. Л.: Наука, 1978. - 208 с.

8. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры. Ш1, т. XX, № XX; Х977, с. 2072-2083.

9. ХО. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл -полупроводник. М.: Мир, 1975. - 432 с.1.. Van der Merwe J.H. Equilibrium structure of a tïiin epitaxial film.-J.Appl.Phys.,v.41,1970,p.4225-4731

10. Мйльвядский M.Г., Освенский В.Б. Закономерности де-вектообразования в гетероэпитаксиальных структурах соединений аЧ для оптоэлектроники. Кристаллография, Х977, т. 22, вып. 2, с. 431-444.

11. Мояокристаллические пленки. Под ред. Ф.Н.Франкомбе и Н.Сато. Пер. с англ.-М.: Мир, 1966. « 4ÜÜ с.

12. Инденбом В,Л. Роль упругого взаимодействия в явлении эпитаксии. «В кн.: Рост кристаллов, т.II, Ереван: изд-во Ереванск. ун-та, 1975, с. 62-64.

13. Шефталь Р.Ы. Процессы эпитаксиального роста монокристаллических пленок С обзор). В кн.: Рост кристаллов, т. 10. -М. : Наука, 1974, с. 48-61.

14. Чистяков Ю.Д. Механизм процесса ориентированного нарастания кристаллических веществ (эпитаксия). В сб.: Росткристаллов, т. 8. М.: Наука, 1968, с. 258-263.

15. Окисление металлов, т.Х и 2. Под ред. Бенара Ж. Пер.с франц. М.: Металлургия, т. I, 1968. - 499 е., т. 2, 1964.448 с*

16. Кубашевский О.И., Гопкинс Б. Окисление металлов и сплавов. Пер. с англ. М.: Металлургия, 1965. - 428 с.

17. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. чД и 2. Пер. с нем. М.: ИЛ, ч.1, 1962. - 416 е., ч.2, 1963. - 276 с.

18. Чистяков Ю.Д. Физико-химическое исследование механизма ориентированного нарастания (эпитаксии) металлов и полупроводников. Дисс. .докт. техн.наук. - М.: ШСиС, 1967. -532 с.

19. Gebhardt М. Epitaxy.Cryst.Growth:Introd.-Amsterdam е.a., 11973,p.105-14222.

20. Oudar J. Chemoepitaxial and Chemoendotaxial layer growth on metals,Nucleation and growth during gas-metal reactions.-In: "Adv.Epitaxy and Endotaxy,Select.chem.probl.BudapestsAkad. kiado,1976,p.265-297

21. Данков П.Д. Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными частицами. -ЖДХ, 1946, т. 20, с. 853-867.

22. Данков П.Д. Злектронографические исследования окисных и гидрокисных пленок на металлах. М.: АН CCGP, 1953. - 200с.

23. Близнаков Г.М. Некоторые вопросы теории эпитаксии. В сб.:Рост кристаллов. М.: Наука, т. 5, 1965, с. 64-73.

24. Ван дер Мерве Дж.Х. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками. В кн.: Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966, е.172-201.

25. Клебер В. Эпитаксия и структура поверхности подложки. В сб.: Рост кристаллов, т.5, 1965, с.74-83.

26. Takayanagt lv,,Yagi K# and Honjo G. --Roles of lattice fitting in epitaxy.-Thin Solid Films,1978,v#48,p.137-152

27. Bollmann W. Crystal defects and crystalline interfaces.-Berlin, Springer Verl,,1970.-244 p.

28. Bauer E. Phanomehologische theorie der kristallabs-cheidung an oberflachen.-Z.Kristallogr, , 1958,В» 110,H 5-6,S,» 372-431

29. Sato H. and Shinozaki S, Interfacial energy as a factor in controlling epitaxial behaviour.-Surface sci#,1979,v.22.p.229-252с

30. Хирс Дж., Хруска С., Паунд Г. Теория образования зародышей при осаждении на подложках. В кн.: Монокристаллические пленки. М.: Мир, Х966, с. 15-43.

31. Александров JI.H. Эпи такси ал ьный рост полупроводниковых пленок (термодинамика и кинетика). В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, ч. I. Новосибирск: Наука, Х975, с. 5-И.

32. Семилетов G.A., Тихонова А.А. О зависимости структурного совершенства эпитаксиальных слоев от величины пересыщения. В сб.: Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибир'ск: Наука, 1973, с. X06-I1I.

33. Markov I.,Kaischev R# Influence of supersaturation on the mode of crystallization on crystalline substrates.-Thin Solid Films,v.32,1976,p.163-167

34. Mayer J.,W#,Poate J*M.,Tu Thin films and solidphase reactions.-Science,1975,v.190,U 4211,p.228-234

35. Лау С., Ван дер Вег В. Эпитаксиальный рост из, твердой фазы. В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции.-Под ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982, с.435-483.

36. Твердофазная эпитаксия Ge на (III) si ./Д.Крюгер, И,Ф.Михайлов, Л.С. Палатник, А.И.Федоренко. Доел. АН СССР,1978, т. 243, J,' 6, с. 1148-1450.

37. О кинетике твердофазной гетероэпитаксии в системе Ge /PdpSi / (III) si ./Л.С.Палатник, А.И.Федоренко,v ■ I

38. Б.Д.Крюгер, И.Ф.Михайлов и др. Кристаллография, 1981, т126, вып. 3, с. 587-591.

39. Николлпан Е., Синха А. Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контактов металл-полупроводник. В кн*: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982, с. 484-538.

40. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1971. - 312 с.

41. Влияние условий вплавления на структуру омических контактов к арсениду галлия./Р.И.Барабаш, М.В.Белоус, В.Н.Иванов, Ю.А,Двирко и др. Изв.вузов. Физика, 1075, $ 9, с. 42-46.

42. Van Gurp. G.JaReulcers W.M, Aluniinum-silicide reaction. Il.Schottky-barrier height.-J*Appl.Phys.,1979,v.50,N 11,part 1, p.6923-692651.

43. Uicolet M.-A.,Bartur M. Diffusion barriers in layered contact structures.-J,„ Vac. Sci„and Technol»,1981,v.19,N 3,p# 786-793

44. Canali CU,Fantini F,,Zanoni E. Electrical degradation of n-Si/PtSi/(Ti-V7)/Al Schottky contacts induced by thermal treatments.-Thin Solid Films,1982,v.97,Ж 4,p.325-331

45. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982. - 576.

46. Lau S.S.,Liau Z.L,,Nicolet M.-A# Sol Thin Solid Films, 1977,v»47,N 3,p.313-322

47. The solid phase epitaxial growth of germanium througn palladium germanide layers«/G^Tajni,G#Ferrari,R#Ferrari,C*Canaliet al#-Thin Solid Films,1977,v„44,N 2,рИ93-199j

48. Structural investigation of silicon epitaxial layers grown by solid state reactions (Abstract )./W»Tseng,Z«,L#Lian, S»S*Lau,M*A.lTicolet et al.-Thin Solid Films, 1977,v„45,N 1,p. 148

49. Repetitive growth stages in the solid phase epitaxy of silicon./Z#L.,Liau,Lau S.S. ,M.A»liicolet, J.Y/.Mayer.-Thin Solid Films, 1977,v.44,N 2,p. 149-153

50. Majni G,,Ottaviani G#,Stuck R, Substrate effect in Si--A1 solid phase epitaxial growth»-Thin Solid Films,1978,v.55,1. H 2,p.235-242

51. Majni G*,Ottaviani G# Growth kinetics of (111) Si through an Allayer by solid phase epitaxy*-J.Cryst'»Growth,1979, v„46,H 1,p.119-124

52. Majni G#,Ottaviani G. Solid phase epitaxial growth of Si throught of A1 film,-J.Cryst,Growth,1978,v.45,p.132-137

53. Structure of crystallized layers by laser annealing of (100) and (111) selfimplanted silicon samples#/G#Foti,E.Rimini ,W,. S.Tseng, J. Y/»Mayer.-Appl.Phys, 1978,v. 15,IT 4,p.365-369

54. Твердофазный рост кремния и германия на поверхности (III) кремния. /Н.Г.Находкин, Е.В.Бузанева, Т.В.Родионова, А.И.Шалдерван. В кн.: 6 Межд.конф. по росту кристаллов. Расшир. тезисы, т. 4. М.: АН СССР, 1980, с. 395-397.

55. Архаров В.й. Окисление металлов при высоких температурах. М.: ГОНТИ, 1945. - 171 с.

56. Архаров В,И. Некоторые кристаллографические черты механизма фазовых превращений и химических реакций в твердых с телах. В сб.: Диффузионные покрытия на металлах. Киев: Наукова думка, 1965, с# 18-25.

57. Френкель Я.И., Сергеев М.И. О взаимной диффузии металлов через интерметаллические соединениям- ЖЭТФ, 1939, т.9, В 2, с. 189-198.

58. Пинес Б.Я. Очерки по металлофизике. Харьков: ХГУ, 1961. - 315 с.

59. Горбунов H.G. Диффузионные покрытия .на железе и стали. М.: АН СССР, 1958. - 208 с.

60. Дубинин Г.Н. Диффузионное хромирование сплавов. М.: Машиностроение, 1964. - 451 с.

61. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, Физматгиз, 1979. - 344 с.

62. Архаров В.И. О роли внешней адсорбции в механизме реакционной диффузии. В сб.: Фаз. тв. тела, вып. I» 1970. -Харьков: ХГУ, с. 6-13.

63. Ноrag С.Т.,Vook R.W. Interfacial dislocations in (111) Ag-Gu bilayers.-"Proc»31 st Annu.Meet„Electron Microscop.Soc.Amer, Hew Orleans,la,1973",Baten Rouge,1973,p.112-113

64. Lord D.G.,Prutton M. Electrons and the epitaxial growth of metals on alkali halides.-Thin Solid Films,1974,v.21, H 2,p.341-349

65. Bauer E. Recent advances in epitaxy*1972.International confer#on thin films."Application of Thin Films",confer#program and abstracts,Lausanue,1972,p.68

66. Чистяков Ю.Д. Классификация процессов" ориентированного и произвольного срастания и методов получения эпитакси-альных слоев различных кристаллических веществ. Порошк. металлургия, 1968, В 8, с. 35-47.

67. Чистяков Ю.Д. Роль фазовых равновесий в процессах ориентированного нарастания (эпитаксии). В сб.: Сплавы цветн. мет. М.: Наука, 1972, с. 82-92.

68. Ройтбурд А.Л. Особенности развития фазовых превращений в кристаллах. В кн.: Проблемы современной кристаллографии. - М.: Наука, 1975, с. 345-369.

69. Ж). Van der Merwe J.H* Structure of epitaxial crystal in-terfaces#-Surfасe Sci#,1972,v.31,p.198-227

70. Игнатенко П.И. Термодинамический анализ хемоэпитаксиального зарождения новой фазы в процессе реакционной диффузии. Изв. АН GGGP. Металлы, 1979, JH, с. 54-59.

71. Хобсон Дж. П. Физическая адсорбция. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып. I. М.: Мир, 1977, с. I52-X88.

72. Архаров В.И., Кудимова В.А. и Сазонова В.А. Структурное исследование реакционной диффузии в системе медь-цинк. -Физ.металлов и металловед., 1966, т. 22, вып. 4, с. 580-590.

73. Архаров В.И., Бланкова Е.Е. О структурных характеристиках окалины, используемых при исследовании механизма реакционной диффузии. Физ. металлов и металловед., I960, т. 9, вып.6, с. 878-887.

74. Гиббо Дж. В. Термодинамические работы* М. - Л«: ТТЛ, 1950. - 492 с.

75. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Под ред. Л.Н.Александрова. Новосибирск: Наука, 1972, с. 5-30.

76. Дистлер Г.И. Электронномикроскопическое исследование реальной структуры поверхности кристаллов и ранних стадий кристаллизации. Дис.докт. физ.-мат. наук. М.: Ин-т Кристаллографии АН СССР, 1970. - 523 с.

77. Volmer М.,Weber А. Keimbildung inübersättigten Gebil-den„-Z*Phys.Chem.,1926,В.119,3,277-302

78. Becker R.,Döring W. Kinetische Behandlung der Keimbildung in übersättigten Dampfen„~Ann#Phys.,1935,B„24,S.719-752

79. Странский И.Н., Каишев Р. К теории роста кристаллов и образования кристаллических зародышей. УФН, 1939, т, 21, с. 408-465.

80. Turnbull D.,Fisher IL.C« Rate of nucleation in condensed system.-J#Ghem,Phys.,1949,v„17,p«71-73

81. Робертсон Д., Паунд I'.ivi. Гетерогенное образование зародышей и рост пленок. В кн.: Новое в исследовании поверхIности твердого тела. Вып. I. М.: Мир, 1977, с. 64-128.

82. Овсиенко Д.Е* Зарождение центров кристаллизации в переохлажденных жидких металлах. В кн.: Проблемы современнойкристаллографии. М.: Наука, 1975, с. 127-149.

83. Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах, ч. I. М.: Мир, 1978. - 806 с.95, Уэлш А. Реакций между твердыми телами. В кн.; Химия твердого состояния. Под ред. Гарнера В. М.: ИЛ, I96X, с.390-407.

84. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. Пер. с нем. М.: Металлургия, 1972. - 480 с.

85. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, Х975. - 398 с.

86. Contribution of stress to free energy in thin films»/ G.A»Wallcer,V*C.Marcotte,R.M„Anderson,P»Ficalora,»-Thin Solid Films,1976,v.33,P.43-48

87. Чернов A.A. Процессы кристаллизации. В кн.: Современная кристаллография, т. 3. М.: Наука, 1980, с* 7-232.

88. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния. Пер. с англ. М.: Металлургия, Х968. - 3X6 с., I

89. ХОХ. Хансен М., Андерко К.С. Структуры двойных сплавов, т. X и 2. Перв. с англ. М.: Металлургиздат, Х962. - Х488 с.

90. Структура межкристаллитных и межфазных границ./ В.М.Косевич, В.М.Иевлев, Л.С.Палатник, А.И.Федоренко. М.: Металлургия, 1980. - 256 с.

91. ХОЗ. Кондратенко В.В., Федоренко А.И., Фомин A.B. О роли межфазного взаимодействия для эпитаксии металлов на -щелочно-галлоидных подложках. Кристаллография, Х978, т. 23, вып.З, с. 588-594.

92. Х04. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. М.: Атомиздат, Х979, - 264 с.

93. Игнатенко П.И. О температурном интервале хемоэпитак-сиального зарождения новой фазы в процессе реакционной диффузии. Металлофизика, 1982, т. 4, $ 3, с. 97-99.

94. Holt DmВ* "The growth and structure of epitaxial films and heterojunctions of II-VI compounds.-Thin Solid Films,v.24, Я 24,1974,p.1-53

95. Игнатенко П.И. О влиянии соотношения коэффициентовгетеродинузии и граничных энергий на условия хемоэпитакси-ального зарождения новой фазы. Укр. физич. ж-л, 1981, т.26, lb 12, с. 1990-1994,

96. Игнатенко П.И. Кинетика хемоэпитаксиального зарождения новой фазы при реакционной диффузии. Изв. АН СССР. Металлы, 1982, Я 2, с. 167-171.

97. Кан И.Х. Рост и структура монокристаллических пленок. В кн.: Технология тонких пленок. Справочник, т. 2. Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Пер. с англ. М*: Сов. радио, 1977,с. 97-175.

98. ПО. Родин Т.Н., Уолтон Д. Образование зародышей в ориентированных пленках. В кн.: Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966, с. 44-57.

99. I. Pashley D*V/» The nucleation growth structure and epitaxy of thin surface films»-Advances Phys#,1965,v*24,H 55, p.327-41 б1X2. Иевлев B.M., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. -248 с.

100. Quintana IvUC#,Sacedon J#L. Recrystallization on their substrates of Au (001 )/IIaCl (001) films into Au (111) Ha CI (001). Part#I.Electron microscopy and electron diffraction observations,-Thin Solid Films,1973,v.173,p.311-318

101. Любов Б.Я. Кинетическая теория фазовых превращений. М»: металлургия, 1969. - 243 с.

102. Исаков М.Г., Щербединокий Г.В. Кинетика срастания зародышей новой фазы на поверхности при диффузионном насыщении из газовой фазы. Фяз. металлов и металловед., 1979, т. 47, вып. I, с. II0-II7.'

103. Флеминге м. Процессы затвердевания. М.: Мир, 1977.424 с,

104. Игнатенко П.И. К вопросу о кинетике реакционной диффузии в бинарной системе, содержащей одно химическое соединение. Металлофизика, 1978, вып. 74. - Киев: Наукова думка,с. 80-86.

105. Петропавлов Н.Н. Рост кристаллов в органическом твердом теле. В кн.: 6 Межд. конф. по росту кристаллов. Расшир. тез. т. 4. М.: АН СССР, 1980, с. "401-403. .

106. Kashchiev D. Growth, kinetics of dislocation-free interfaces and growth mode of thin films#-J.Gryst.Growth,1977, v.40,N 1,p.29-46

107. Kashchiev D„,Van der Eerden J«P.,Van Leenwen C. Trans-tion from island to layer growth of thin films;a Monte Carlo simulation«-«.".Cryst. Growth, 1977,v.40,N 1,p.47-58

108. Герцрякен С.Д., Дехтяр И.Я. Диффузия в металлах и сплавах в твердой фазе. М.: Фязматгяз, I960. - 564 с.

109. Архаров В.И. О кинетике реакционной диффузии в системах с несколькими промежуточными фазами. I. Макроскопический расчет для бинарной системы. Фяз. металлов я металловед., 1959, т. 8, вып. 2, с. 193 - 204.

110. Жуховяцкяй А.А., Нечаев Ю.С., Шехтер Л.Н.: Дяффузяя в многофазных сястемах. Изв. АН СССР. Металлы, 1976, $ 2, с. I09-112.

111. Колобов H.A., Самохвалов M.M. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975. - 454 с.

112. Зйринг-Г., Лин С.Г., Лин С.М. Основы химической кинетики. Пер. с англ. foi.: Мир, 1983. - 528 с.

113. Хенней Н. Химия твердого тела. М.: Мир, 1971. -223 с.

114. Лаврентьева Л.Г. Влияние кинетики роста и ориентации на структуру и свойства эпитаксиальных слоев. В сб.: Науч.тр. по пробл. микроэлектрон. Моск. ин-т электрон.техн., 1975,вып 20, с. 61-78.

115. Васильев В.Д., Тихонова Л.А. Исследование дефектов структуры монокристаллических пленок германия. В сб.: Рост кристаллов, 1968, т. 8. М.: Наука, с. 285-295.

116. Booker G*R.»Stickler R# Grystallоgraphic imperfections in epitasially grown silicon.-J.Appl.Phys.,1962,v.33,N 11,p.3281-3290

117. Игнатенко П.И. Влияние эффективного пересыщения на хемоэпитаксиальное нарастание вещества. В сб.: Физ.тв.тела, 1980, вып. 10. Киев-Донецк: Вища школа, с. 83-86.

118. Игнатенко П.И. Определение пересыщения при ориентированной кристаллизации в процессе реакционной диффузии. -Металлофизика,1981, т. 3, tè 4, с. 81-85.

119. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. M.: Мир, 1980. - 488 с.

120. Адамсон А. Физическая химия поверхностей. М.:Мир, 1979. - 568 с.

121. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов, т. X и 2. Перев. с англ. М.: Металлургия, 1970, т.1-4о6с., т. 2-472 с.

122. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. - 542 с.

123. Вейнберг Ф., Джабб Дж.Т. Выращивание кристаллов и приготовление сплавов. В кн.: Приборы и методы физического металловедения. Вып. I. М.: Мир, 1973, с. 132-202.

124. Кубашевский 0, Олкокк С.Б. Металлургическая термохимия. Пер. с англ.-М.: Металлургия, 1982. 392 с.

125. Глэнг Р. Вакуумное испарение. В кн*: Технология тонких пленок. Справочник, т. 2. Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Перев. с англ. М,: Сов. радио, 1977, с. 57-96.

126. Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Справочное руководство. Получение и измерение рентгенограмм. М,: Наука, Х976. - 327 с.

127. Русаков A.A. Рентгенография металлов. М.: Атомиздат, 1977. - 480 с.

128. Горелик С.С., Расторгуев JI.H., Скаков Ю.А. Рентгенографический" и электроннооптический анализ. « М*-: Металлургия, 1970. 368 с.

129. Попилов Л.Я., Зайцева Л.П. Злектрополирование и электротравление металлографических шлифов. М.т Металлург-издат, 1955. - 311 с.

130. Жаке П, Электролитическое и химическое полирование. Перев. с англ. М.: Металлургиздат, 1959. - 139 с.

131. Young F.W,.,Wilson T.R. Acid cutting and acid polishing of copper crystals.-Rev. Sei., Inst. ,1961 ,v. 32, p.559

132. Архаров В.И., Игнатенко П,И. Исследование влияния химико-термической обработки на свойства электролитических осадков. В сб.: Защитные покрытия на металлах, 1971, вып. 4. -Киев: Наукова думка, с. 233-237.

133. Архаров B.I.Дуравлъов М.Л.Дгнатенко П.1. Досл1д-ження продукт1в реакцП на поверхн1 монокристала м1д1 при дифузП цинку з napoBoï фази. В сб.:Ф1з.тв.т1ла, 1973,вип. 3.-Харьк1в:ХДУ ,с.35-39

134. Лайнер В.И. Современная гальванотехника,- M•¡Машиностроение, 1967.- 294 с.

135. Мадер С. Исследование структуры пленок. В кн.^Технология тонких пленок. Справочник, т.2. Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга, Перв, с англ.-М.: Сов,радио,1977, с. 57-96

136. Уманский М.М, ,Шаскольская М.П. Определение предельных толщин материала, создающего дебаеграмму.- ЖТФ, 1946 ,т. 16, с.1283-1290

137. Палатник Л.С.,Фукс М.Я.,Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 320 с.

138. Архаров В.И.,0 радиальной текстуре в поверхностном слое металлических тел цилиндрической формы.-ЖТФ,1936,т.6, вып.10,с Л747-1770

139. Архаров В.И. и Ломакин 1ЧД. О текстуре в окалине ко^ бальта и никеля*-ЖТФ,1944,т.14,Бып.З,с.155-161

140. Игнатенко П.И.Дуравлев Н.С.,Журавлев Н.Л. Дифракто-метрическое исследование продуктов реакции ъ процессе диффузионного насыщения монокристалла меди парами цинка.В сб.:Физ.тв. тела,1976,вып.6.-Киев-Донецк:Вища школа,с.4-2-45

141. Кочергин С.М. Текстура электроосажденных металлов.-М.:ГНТИЛ по черн.и цветн.металлургии,i960.-128 с.

142. Заславский А.И. Приспособление для получения рентге-* нограммы порошка от монокристаллического обломка к камере . РКУ-П4.В сб.:Аппаратура и методы рентгеновского анализа,вып. 8.-Л.¡Машиностроение,1971,с.39-43

143. Испытание материалов.Справочник.Под ред.Х.Блюменауэра. Перев.с нем.-М.:Металлургия,1979.-448 с.

144. Беккерт M.,Клемм X. Справочник по металлографическому, травлению.Перев.с нем.-М.Шеталлургия,1979^-336 с.

145. Регель В.Р.,Урусовская А.А. и Коломийчук В.Н. Выявлетние выходов дислокаций на поверхность кристалла /методом травления.-Кристаллография Д959,т.4,вып.б,с. 937-948

146. Исследование процесса возникновения "вакансионных фигур" на поверхности алюминия при закалке с высоких температура /Ю.Д.Чистяков ,В.ВЛанкратов,0.Г.Епанчинцев,Р.А*Васильева»-йзв. АН СССР.Металлы,19673,c.I46-I5I

147. Jacquet Р.А. Sur la présence de micro-domaines d'attaque privilégiée dans une solution solide polycristalline cuivre-zinc trée faiblement déformée par traction.-Comptes rendus Acad.Sci.,1953,v.237,p.1248-1250

148. Ayres P.S.,Winchell P.G. Dislocation arrangements resulting from the diffusion of Zn into Curelectron microscopy.-J.Appl.Phys.,1972,v.43,N 3,p.816-820

149. Глазов В.M.»Корольков Г.А.,Чистяков Ю.Д< Исследование микротвердости твердого раствора в зависимости от состава.--Изв.АН СССР.0ТН,1955,№ 10,с.143-146

150. Утевский Л.М. Дифракционная электронная микроскопия в, металлсведении.-М.:Металлургия,1973.-583 с*

151. Электронная микроскопия тонких кристаллов./.!.Хиршу А.Хови,Р.Николсон,Д.Пэшли и др.-М.:Мир,1968.-575 с.

152. Смит,Э.Электронная микроскопия.В кн.:Приборы и методы физического металловедения.Вып.2.-М.:Мир,1974,с*9-64

153. Лукьянович В.М. Электронная микроскопия вфизико-хи-мических исследованиях.Методика и применение.-М.: АН СССР,160. -274 с.

154. Кэй Д. Техника электронной микроскопии. М.: Мир, 1965 406 с.

155. Хонджо Г. Электронно-оптическое исследование шштак-сиального роста.В сб.:Монокристаллические пленки. -М.:Мир, 1966,с.229-241

156. Вайнштейн Б.К. Структурная электронография*- М.: АН СССР,1956.- 314 с.

157. Эндрюс К.,Дайсон Д.,Киоун С,. Электронограммы и их интерпретация.-М. :Мир,1971.-256 с.

158. Кунак A.Hv »Свиридов В.В. Анодное окисление металла на двуокиси титана. Электрохимия,1980 ,TiI6 ,вып. I ,а, 104-108

159. Анодное растворение, арсенида индия./Й.Г.£расалимчик, Н.В.Моталева,В.Г.Григорьева,И.П.Старшинов и др.-Электрохимия, 1980,т .16,вып.5,с.1759-1762

160. Фрейман.ЛъИ.»Макаров В.А.,Брыксин Й.Е., Потенциоста-тические методы в коррозионных исследованиях и электрохимической защите^-Л.^Химия,1972.-239 с.

161. Скалли Дж., Основы учения о. коррозии и защите металлов, -М.:Мир,1978 .-224 с.

162. Угай Я.A i Введение в химию полупроводников.- М. : Высшая школа,1975 .- 704 с.

163. Соммер АД. Фотоэмиюионные материалы.Перев.с англ.--М,¡Энергия,1973. 177 с.

164. Коллонг Р. Неетехиометрия.Перев.с франц. -М. : Мир, 1974 . -288 с,.202., Лавес Ф. Факторы,определяющие кристаллическую структуру .В кн.:йнтерметаллические соединения.Под ред.Дж.Х.Вестбру-яа.Перев. с англ.- М.: Металлургия,1970 ,с.139-164

165. Пирсон-У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. ч.1 и 2.Перев.с англ.-М.¡Мир,1977;ч.1-421 с.;ч.2-472 с.

166. Ayres P.S. and Winchell P.G* Dislocation arrangements resulting from the diffusion of Zn into Gu :Etch-pit studies.--J.Appl.Phys.,1968,v»39,N 10,p.4820-4823

167. Young F.M.,Ir. Etch pits at dislocations in copper.--J.Appl.Phys.,1961,v.32,N 2,p.192-201210*. Попкова Е*Г.,Предводителев A.A-.: Избирательное травление на дислокациях в металлах (Си) .-Кристаллография,1972,т.17, № 3,с.612-619

168. Ayres P.S. and Winchell P.G. Dislocation arrangements resulting from the diffusion of Zn into Cu : electron microscopy.-J.Appl.Phys. ,1972,v.433,p.816-820

169. Itо К.,Abe H. Lattice relationships in alpha to beta transformation caused by diffusion in the Gu-Zn system.-Trans. Jap.Inst.Metals,1973,v.14,Ж 2,p.168-169

170. Nucleation kinetics of the massive transformation ini

171. Cu-Zn in presence and absence of special orientation relationships, /M.R.Plichta,J.M.Rigsbee,M.G.Hall,K.C.Russell et al.~ -Scr.Metallurg, 1976,v. 10,К 12,р.10б5-Ю70

172. Ali S.Т.,Wood G.C. The influence of crystallographic orientation in the oxidation of Gu.-Gorros.Sci,,1968,v.8,N 6, p.413-422

173. Конев ВИгнатенко П.И.Дроцан А.Н#. Влияние кристалл лографической ориентации монокристалла на микроструктуру и состав продуктов реакционной диффузии.В сб.:Физ.тв.тела,вып.13.--Киев-Донецк:Вища школа,1983,с.77-80

174. Лариков Л ¿Я., Тышкевич В.Н. Влияние кристаллографической ориентации и субструктуры на кинетику окисления монокристаллов тугоплавких металлов.В кн.¡Структура и свойства монокристаллов тугоплавких металлов.-М.:Наука,1973,0.92-98

175. Kucera J.»Million B*,Plekova J. Diffusion of zinc in Gu and in Gu-Zn solid solutions,-Phys«status solidi (a),1972, v.11,n 1,p»36l-366

176. Azakami Т. and Yazawa A. Activity measurements of liquid copper binary alloys.-Can.Metallurg#Quart.,1976,v#15, Ж 2,p.111-122 •

177. Шульце Г. Металлофизика М»: Мир, 1971 .-503 с.

178. Investigation of diffusion in the Gu-Al thin film system./A»E.Gershinskii,B.I.l?ominn,E.I.Cherepov.-Thin Solid Films,1977,v.42,N 3,p.269-275

179. Фогельсон Р.Л.,Угай Я.А.,Покоев A.B*. Диффузия алкь миния в медь, -г Изв.вузов.Цветн.металлургия.,1973 , № 3 ,с.143-144

180. Зайт В.Диффузия в металлах. Перев*с нем.Под ред. Б.И.Болтакса,-М.:ИЛ,1958.- 381 с.

181. Фогельсон Р.Л*,Угай Я.А.,,Акимова И*А.-, Диффузия олова в меди.-Физ.мет. и металловед.,1974,т.37,№ 5,с.П07-П08

182. Murphy J.B. Interdiffusion in dilute aluminium-copper solid solution,-Acta metallurg.,1961,v#9,p.563-569

183. В.К.Талинский и др.- Физ.мет, и металловед., 1973, т.35 , Ш 4, с.889-892

184. Sen S.K.,Dutt M.B.,Barua А.К* Impurity diffusion in metals.Tin in copper and lead in silver.- Phys.status solidi (a), 1975,v»32,N 1,p.345-350

185. Impurity diffusion of^1^Sn and Sb in copper.

186. G0 Kraut he im, А* Же idhard t, V. Re inho Id, A ¡, Z ehe * Phys.Lett.A,1979, v.72,N 2,p.181-184

187. Kazutomo H.,Yoshiaki I.,Ken~ichi Н» Interdiffusion and kirkendall effect in Gu-Sn alloys»- Trans„Jap.Inst^Metals, 1980,v*21,Ж 10,p»674-682

188. Masaru Y.,Masateru N.,Hiroyasu M. Взаимная ДИффу^-зия в р - и tf -фазах, двойных сплавов системы Си - sn ■« "Ни-X0H кивдзоку гаккайси%- J*Jap.Inst#Metals,1980,v.44^ 9 ,р.1107-1112

189. Moment R.L. Elastic stiffnesses of copper-tin and copper-aluminum alloy single crystals,- J#Appl.Phys*,1972,v.43, N 11,p,4419-4424

190. Eshelman F-R. and Smith J.F. Single-crystal elastic constants of Al2Cu J.Appl.Phys.,1978,v.49, Ж 6, p.3284--3288

191. Sengupta А.К»,Jagannathan K.P.,Ghosh A. Thermodynamic measurements in liquid copper-tin alloys»- Met •Trans,., 1978, B.9,H 1, S# 141-143

192. Subrahmanyam B.,Krishamurty Bh. Elastic studies in polycrystalline brasses ,bronzes»- Indian J»Pure and Appl# Phys,,1964,2,Ж 11,p. 369-370

193. Игнатенко П.И.,Журавлев Н.Л.,Невлер B.Â. СтруктурныеIисследования диффузионных слоев при насыщении монокристалла меди парами магния или индия.В сб.:Физ.тв.тела,вып.7.-Киев-Донецк: Вища школа,1977,с.58-61

194. Диффузия примесей в меди.Ш.Объемная диффузия серебра, кадмия и индия в меди./В.А.Горбачев,С.М.Клоцман,Я.А.Рабовский и др.-Физ.мет.и металловед.,1972,т.34,вып.4,с.879-883

195. Krautheim G. ,ï?eidhardt A, ,Reinhold V. Impurity diffusion of 114In in Си,- Kristall und Techn.,1978,v.13,Ж 11,p,1335-1339

196. Вол A.E.,Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем.т.З.-М .¡Наука ,1976.-816 с.

197. Карапетьянц М.Х.,Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ.-М.: Химия,1968.-472 с,

198. Клибус А.В.,Горшков А.А.,Лепинских Б.М. Термодинамические свойства жидких растворов системы медь-магний.-Тр.йн-та5 ! 1металлургии.Уральский фил.АН СССР,1969,вып.18,с.55-62

199. Взаимосвязь между упругими константами и точками плавления металлов./А.П.Казрагис,П.И.Восилюс,Э.Ф.Суроткевичюс, Я.А.Шештокене.-ЖФХ,1974,т.48,№ 6,с.1386-1390

200. Вагнер К. Термодинамика сплавов.Дерев.с англ.-М.:ГНТЙЛ по черн. и цветн.металлургии,1957.-179 с.

201. Поверхностная энергия твердых металлических фаз./

202. Д.М.Скоров,В.И.Дашковский,В.Н.Маскалец,В.К.Хижный.-М.:Атомиз-дат,1973.-301 с.

203. Mechanical properties of intermetallic compounds.--V/estbrook ed.,Wiley,- N.Y.- L.,1959.- 435 p,

204. Игнатенко П.И.,йваницын Н.П. О структуре и составе диффузионного слоя при насыщении сингулярных граней меди парами сурьмы.-Металлофизика,вып.72.-Киев:Наукова думка,1978,с.93-96

205. Henrnann T.,Meiners H.,Stuer Н. Eestimmung der diffusionskoeffizienten des kupfere in der hochtemperatur j> -phase des systems kupfer-antimon.- Z.Naturforsch.,1970, Bd, 25a,1. S* 1883-1891

206. Miedema A.R. Surface energies of solid metals»- Z. Metallic*, 1978,v.695,p. 287-292

207. Miedema A.R* and den Broeder On the interfacial energy in solid-liquid and solid-solid meta combinations,.- Z„ Metallk, ,1 979,v*70, 1>T 1, p., 14-20

208. Inman MvC^Barr L.W* Diffusion of antimony in copper single crystals.-Acta metallurg.,1960,v.9, N 2,р»112-11б

209. Appl.Phys. , 1964,v. 2, 1\Г 4,p, 130-131

210. Архаров В.И,,Мардешев С. Рентгенографическое исследование реакционной диффузии в системе Си -S .-Физ.мет. и металловедение ,1955,т.12,с.273-280

211. Архаров В.И.,Мардешев С. Рентгенографическое исследование реакционной диффузии в системах медь-селен и медь-теллур. -Физ.мет. и металловед.,1955,т.I,№ 2,с.281-285

212. Morikawa Н. Planur defects of Cu^Seg crystals produced by solid-state reaction.- Jap.J, Appl.Phys.,1976, v.11,Ж 4, p. 431-436

213. Cain O.J.,Vook R.W. The structure of epitaxial overgrowth of CUgS formed on (111) Cu Fourth International Congress on Thin Films,Loughborough,1978.Part 3. "Thin Solid Films", 1-979, v. 58,И 1 ,p, 209-213

214. Игнатенко П.И.,Журавлев H.JI. ,Иваницын Н.П. Формирование структуры тонких слоев при диффузионном насыщении монокристалла меди.В сб.¡Получение и свойства тонких пленок,вып.3.--Киев:Наукова думка,1976,с.125-127

215. Ladet J.,Aufray В.,Моуа F, Sulphur diffusion in silver and copper single crystals.- Metal.Sci.,1978, v»12, N 4, p.195-197

216. Баранский П.И.,Клочков В.П.,Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника.Справочник.-Киев¡Наукова думка,1974.-704 с.

217. Робинсон П.М.,Бивер М.Б. Термодинамические свойства.

218. В кн.Интерметаллические соединения.Под ред.Дж.Х.Вестбрука.Перев. с англ.-М.:Металлургия,1970,с.52-104

219. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник.-М.:Наука,1978.-340 с.

220. Бирылев Б.П.,Цемехман Л.Ш.»Федорова Н.И. Активность серы,селена и теллура в жидкой меди.-ЖФХ,1975,т.49,№ I2,c.3II2--3114

221. Ройтбурд АЛ. Упругие напряжения и рост эпитаксиальных слоев.В кн.:6 Межд.конф.по росту кристаллов.Расшир.тез.,т.I. М.:АН СССР,I980,c.II5-II6

222. Родо М. Полупроводниковые материалы.Перев.с франц.-М.: Металлургия,1971.-270 с.

223. Физика и химия соединений типа aV*.Перев.с англ.Под ред.А.С.Медведева.-М.:Мир,1970.-624 с.

224. Hasledov D.n. ,Shevch.enko V»Ya. Semiconducting A^B^ compounds»^ Phys.status solidi (a),1973,v„ 15,p. 9-38

225. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп.Перев.с англ.-М.:Мир,1967.-477 с.

226. Кристаллохимические,физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ.-М.:Стандартгиз,1973.-208 с.

227. Медведева З.С. Халькогениды металлов ШБ подгруппы периодической системы.-М.:Наука,1968.-363 с.

228. Сирота Н.Н.,Корень Н.Н. Константы реактивной диффузии и основные физические параметры полупроводниковых соединений АПВУТ и АПВУ.-Докл.АН БССР,1963,т.7,№ 3,с.160-162

229. Атомная диффузия в полупроводниках.Под ред.Д.Шоу. Перев.с англ.-М.:Мир,1975.-486 с.

230. Кулиев Э.А.,Абдуллаев Ч.Б. О диффузии некоторых элементов в InU и CdSß .-Докл.АН Азерб.ССР,1959,т.15,№ I, с.9-11

231. Александров JI.H. Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок.В кн.'Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок.I

232. Новосибирск:Наука,1972,с.5-8

233. Вол А.Е.,Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем.т.1У.-М.:Наука,1976.-576 с.

234. Герасимов Я.И.»Крестовников А.Н.,Шахов A.C. Химическая термодинамика в цветной металлургии.т.4.Термодинамика алюминия, сурьмы,магния,никеля,висмута,кадмия и их важнейших соединений. Справочное руководство.-М.¡Металлургия,1966.-427 с.

235. Chatterji D.,Smith J.V. The activity of In in liquid In-Sb alloys.- J.Electrochem.Soc.,1973,v.120, Ж 6,p.770-772

236. Roy P.P. Elastic module of indium antimonide,.-Phys» Rev.,1956,v. 103, Ж 1,p. 47-50

237. Ptak W.,Zabdyr L# Aktywnosci cynku i kadmu w ciek-lych roztworach Cd-Sb i Zn~Sb Arch.hntn„,1975,v.20,lT 3, p.379-387

238. Лантратов М.Ф.,Морачевский А.Г. О термодинамических свойствах жидких сплавов систем цинк-сурьма и цинк-сурьма-свинец.-йзв .вузов.Цветн.металлургия,19602,с.175-178

239. Исследование термодинамических свойств GdSb и znSb . /Г.Н.Даниленко,В.Я.Шевченко,С.Ф.Маренкин,М.Х.Карапетьянц.-йзв. АН СССР.Неорг.материалы,1978,т.14,№ 4,с.627-630

240. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках.-М.:Физматгиз, I961.-462 с.

241. Йгнатенко П.И.,йваницын Н.П.,Корень Н.Н. О роли кинетики реакционной диффузии при ориентированной нарастании продуктов в системе сурьма-цинк.В сб.:Физ.тв.тела,вып.12.-Киев-Донецк: Вища школа,1982,с.68-70

242. Корень Н.Н.,Сирота Н.Н. Исследование образования пленок sb2s^ ,sb2se3 и sb2Te3 на сурьме в процессе реакционной диффузии.-Докл.АН БССР,1963,т.7,№ 10,с.666-668

243. Структурные исследования диффузионной зоны при насыщении монокристалла сурьмы парами теллура./П.И.Йгнатенко,Н.П.Ива-ницын,С.П.Баскаков,Н.В.Ляликова.-Металлофизика,вып.75.-Киев: Наукова думка,1979,с.I2I-I26

244. Йгнатенко П.И.,Иваницын Н.П.,Литвиненко B.C. О струк-турообразовании химического соединения при диффузионном режиме насыщения монокристалла сурьмы теллуром.В сб.:Физ.тв.тела,вып. 8.-Киев-Донецк:Вища школа,1978,с.73-75

245. Davey T.R.A.,Ramachanran V.,White J. Determination of activities from solubility data in binary metallic systems by use of solution models., ,Adv.Extr.Met, ,1 977,Int.Symp.,London, 1977", London,1977,p.207-215

246. Мазур В.А.,Евменъев П.А.,Платонов ll,L. Исследование упругих свойств'термодинамических материалов.В сб.¡Структура и свойства термоэлектрических материалов.-М.,1973,c.II9-I26

247. Сирота Н.Н.,Корень Н.Н. Образование полупроводниковых пленок теллурида цинка на монокристаллах zn в процессе реакционной диффузии.-Докл.АН БССР,1963,т.7,№ 6,с.373-375

248. Hecht G.,Herberger J*,Weissmantel Ch. Tiucleation and epitaxial growth of chemically formed sulphide and oxide films ~J.Vac.Sci and Technol,,1969,v. 6, IT 4,p. 548

249. Игнатенко П*й.,Топинский Н.И.»Байдикова-Л.В. Структура и кинетика роста слоев халькогенидов цинка в процессе реакционной диффузии.-Изв.АН СССР.Неорг.материалы,1983,т.19,№ 7,с. 1070-1073

250. Reynolds R.А.,Stevenson D.A* Self-diffusion of zinc and tellurium in zinc telluride*- J» Phys, and Chem* Solids,1969, v. 30,H 1,p. 139-147329. bee B,.H. Elastic constants of ZnTe and ZnSe between77°-300 K.- J.Appl. Phys.,v, 41, N 7,p. 2984-2987

251. Uolen L,L.,Riter J#R.,Ir. Estimates of isothermal bulk moduli for some II-VI compounds with the zincblende structure,--J.Phys. and Chem. solids,1973,v.34,N 10,p.1751-1752

252. Сильвестрова И.М.,Кобяков И.Б.,Штернберг A.A. Исследование упругих и пьезоэлектрических свойств монокристаллов сфалерита ( zns ),выращенных гидротермальным методом.-ЖТФ,1980 ,т .50 II,с.2441-2454

253. Конев В.H. К вопросу о совместной диффузии углерода и азота в хром.-Физ.мет.и металловед.,1958,т.6,N° 5,с.942-943

254. Архаров В.И. Кристаллография закалки стали.-Свердловск: Металлургиздат,1951.-144 с.

255. Архаров В.И.,Игнатенко П.Й.,Кушнир М.П. Влияние режима сульфидирования на текстуру хромовых электроосадков.В-сб.^Защитные покрытия на металлах,вып.7.-Киев:Наукова думка,1973,с.152-154

256. Алфиндев Г.А.,Овсиенко Д.Е. Особенности.роста из расплава кристаллов веществ с разными энтропиями плавления«-В кн.: Pögt кристаллов,т.13.-М.:Наука,1980,с.I2I-I33

257. Дорфман В.Ф.»Шупегин МЛ. Смещение фазового и химического равновесия при ориентированной кристаллизации.В кн.:6 Межд.конф.по росту криоталлов.Расш.тез.,т.З.-М.:АН СССР,1980, с,378-379

258. Electrical and optical properties of some semiconduc tors,/J.Black,Е.М#Соп\"/е11,Ь. Seigle, C.W. Spencer,~-Phys, and Ghem.Solids, 1957,v. 2, H 3,p.240-251

259. Васенин Ф.И. Термоэлектрические двойства сплавов системы сурьма-теллур.-ЖТФ,1955,т.25,вып.7,с.II90-II93

260. Тюшев В.С.,Шелудько О .В . Исследование некоторых электрических и термоэлектрических свойств пленок теллурнда сурьмы и сернистого кадмия.-йзв.вузов.Физика,I967,№ I,с.46-50

261. Смирнов Й.А.,Андреев A.A.,Кутасов В.А* Влияние слоя-, ной валентной зоны на тепловые и электрические свойстваsb2Te3 . -ФТТ,1968,т.10,вып.6,с.1782-1787

262. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы.^!.-Л.: АН СССР,I960.-188 с.

263. Исследование электрофизических свойств диффузионных. . слоев ,на основе монокристалличнской сурьмы.,/П.И.Игнатенко, H.П.Иваницын, Н.К.Клименко,Г.Н.Лухтура.-Изв.АН СССР.Неорг.материалы ,Т 97 9, т. 15, № I,с.I4-I7

264. Пилат H.Mi,Осипов Э.В. Анизотропия термо э.д.с. монокристаллов znSb .-Физ.и техн. полупроводников,1968,т.2,№6, с.880-881

265. Корень H.H. Термоэлектродвижущая сила .диффузионных слоев ZnSb .-Изв.АН БССР,сер.физ.мат.н.,1970,№ I,с.127-128

266. О растворимости висмута в антимониде индия*,Д.Р.Раух-ман,В.С.Земсков,Ф,Ф.Харахорин,П.К.Бояринцев и др» В кн.¡Свойства легированных полупроводников.-М.¡Наука,1977*с.62-69

267. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений Ш и У групп.Перев.с англ.-М.¡Мир,1976.-477 с.

268. Игнатенко П.И.,Рудской А.И. Электрохимическое поведем : ние эпитаксиальных слоев на основе сурьмы.г-3ащита металлов,1981, т.17,вып.5,с.561-563

269. Томашев Н.Д.,Чернова Г.П. Коррозия.и коррозионностой-кие сплавы.-М.,¡Металлургия,1973.-232 с.

270. Игнатенко.П.И.,Степанченко В.В., Электрохимическое.исследование халькогенидов цинка,полученных в процессе реакционной диффузии.-Защита металлов,1983,вып.19,№ 7,0.541-544

271. De Pauli O.P.,Derosa 0.A.H.»Giordano M.C, Zinc dissolution and passivation in buffered phosphate solutions.Part»I. A comparative study with sodium hydroxide solutions*-J»Electru-anal.Chem.,1978,v. 86,N 2,p»335-348

272. Справочник по электрохимии./Под ред*А.М¿Сухотина.-Л.: Химия, 1981.-488 с.

273. Колотыркин.Я.М.,Княжева В.М. Свойства карбидных, фаз и . коррозионная стойкость нержавеющих сталей.В кн.¡Итоги науки итехники,сер.Коррозия и защита от коррозии.-М.:ВИНИТЙ,1974,т.3, с.5-83

274. Игнатенко ЕйИ*,Коломойцев Г.Н. Электрохимическое поведение карбидизированных хромовых электроосадков на ст.3.-Защита металлов,1980,т.16,вып.4,с.482-483

275. Игнатенко Шй.,Филина Н.М. Структура,твердоствираз-гаростойкость термически обработанных сталей 5ХНМ,ст.45 и ст.З. Тез.9-ой Всес.конф.по физике прочности и пластичности сплавов.--Куйбышев,1979,с.211

276. Clarke F*G#,Czanderna A.W, Theoxidation of (100) singlecrystal films of copper on (100) HaCI »-Thin solid films, 1972,v. 12, II 2,p. 443-446

277. Heinemann K.,Rao B.D» and Douglass D*L. Oxide nuclea-tion on thin films of copper during in situ oxidation in an electron microscope.-Oxide Metals,1975,v.9,N 36,p.379-400

278. Urao R,,Shi"buya Siir Electron diffraction patterns from copper films."йбараки дайгаку когакубу кэнкю сюхо .-J.Faс #Eng.1Ъaraki Univ.2,1980,v.28, p.95-100

279. Holloway P.H*,Hudson J.B. Kinetics of the reaction of oxygen with clean nickel single crystal surfaces.!» Ш. (100) surface.II» Hi (111) surface.- Surface Sci*,1974,v, 43, N 1, p#123-149

280. Unertl W#N# and Blakely J*M» Growth and properties of oxide films on Zn (0001) Surface Sci»,1977,v.69,p*23-52

281. Hart R#K.,Maurin K*J* The nucleation and growth of oxide islands on aluminium Surface Sci*,1970, v, 20, H 2, p. 285-303361» Eldridge J.M.,Dong D.W„ The growth of thin PbO layers on lead films.I* Experiment. Surface Sci„, 1973, v# 40, N 3,р, 512-530

282. Matthews J.W.,Kircher C.J.,Drake R.F, Oxides formedon the (111) surface of lead. I; orthorhombic РЪО or massicot,--Thin Solid Films,1977, v. 42, IT 1,p. 69-80

283. Lee A.E. ,The nucleation of growing oxide films.-" -Surface Sci, ,1975,, v. 47, IT 42,p. 191-194

284. Sewell P.B.»Mitchell D.P.,Cohen M, Early stages of oxidation of Fe (001 ) observed by electron diffraction and X-ray emission,- Surface Sci.,1972,v. 33, il 3, p. 535-552

285. Avery 1T.R, Oxidation of V/ (110) ,11. Leed-Anger study of oxide formation at 650-1100 Surface Sci*,1974, v. 41,1. 2, p, 533-546

286. Зыков Б.M.,Иконников Д.С.,Цхакая B.Ki Взаимодействие кислорода с гранью (НО) монокристалла. ниобия.-ФТТ., 1975,т.17, № 12,0.3562-3567

287. Bakker L. ,01ckerse В» Reactions of the (.111) surface of Та with 02»C0 and CH^ observed with LEED with special regard to facetting, "Delft Progr.Rept." ,1975,v.A1,lT 4,p.97-102

288. Jardin C,et Michel P. Oxydation de la face (111) d'un monocrystal de chrome,-Surface Sci,,1978,v. 713, p. 575-582

289. Kumada K., Shinohara K. ,Kawano К and Seo Т.ддедгрронно--микроскопическое исследование процесса окисления чистого хрома. "Нихон киндзоку гаккайси, J,Jap.Inst,Metals", 1977,v. 41 ,1T 1, p. 71-81

290. Watari F.,Cowley J.M. The study of oxide formation on (001), (011), (111) and (113) surfaces of Cr thin films using

291. STEM-microdiffraction methods,- Surface Sci.,1981, v. 106 , IT 1, p. 240-264371» Peinstein L.G.,Gerstenberg D. Structure and electrical properties of Та films sputtered in Ar-02 • Thin Solid Films, 1972, v* 10, p. 79-89

292. Сергеева Л.А* Механизм зарождения и роста окислов кадмия и цинка на химически активной подложке;В кн.^Роет и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок*ч.2.-Новосибирск: Наука,1977,с.I3I-I34

293. Epitaxial growth of oxycompounds on the surface of single crystalline films and single cr ystals of AIbBVI,/L.A, Sergeyeva,I1»P#Kalinkin,Vs.B.Aleskowsky,A#P.Nechiporenko --Kristall und Techn*,1970, Bd.5 , N 1,S# 61-72

294. Клещев Г.В.,Шейнкман А.й.»Тюменцев В.А.-Коалесценция и фазовое взаимодействие в мелкокристаллической системе ¿В сб*:: Вопр.фи з.тв ерд.тела,вып.5.-Челябинск,1974,с.50-58

295. Heinemann К.,Rao В.D«,Douglass D«L# In situ oxidation studies on (001) copper-nickel alloy thin films»- Oxid. Metals, 1977, v. 11, Ж 6 , p. 321-324

296. Wilmsen C.W. Oxide layers on III-V compound semiconductors»- Thin solid films,1976,v. 39, p# 105-117

297. Физико-химические свойства окислов.Справочник.Чй.: МеталлургияД978.-472 с,

298. Кузнецов О .А. К вопросу об образовании ^.-SiG на поверхности отжигаемых в высоком вакууме кремниевых подложек.В сб.:Процессы роста кристаллов и пленок полупроводн-.еНовосибирск, 1970,с.22б-231

299. Nakai H,,Pukuaumi Т„ The epitaxial growth of S on Fe, single crystals,.- " НИХ0Н КИНДЗОКу ГЭККаЙСИ J» Jap. Inst.Metals,1973, v. 37, N 5, p. 475-482

300. Merle P.,Pernoux E* Mise en évidence d'une croissance orientée du sulfure de nickel ÏTi3S2 sur une face (100) de nickel#~C,r.Acad.Sci,,1975,v, 280, N 25,p. B801-B804

301. Конев В.Н.Друшатина H.A. К вопросу о механизме и кинетике сульфидирования. никеля.В сб;¡Структура и\свойства твер;-дых тел .Уч. записки Уральск.ун-та,№ 96,сер.физич.,вып.6.-Свердловск,1969,с.96-102

302. Leamy H*J, and Mogab CeJ. Epitaxial growth of jJ-SiC on Si: growth morphology and perfection. "Silicon Carbide --1973 Columbia s,a,,1974, p* 64-71

303. Коломиец Л.Д.Дарченко В.К. Ориентированный рост окисной пленки на бериллии.-Физ.мет.и металловед.,1965,т.20, № 6,с.860-863

304. Шмарцев Ю.В. Принципы идеальной зпитаксии.В сб;¡Материалы 7 зимней школы по физике полупроводн.,1975.-Л.¡АН СССР, 1975,0.536-560 .