Структурная иерархия нитрида бора и ее связь со свойствами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

од

да №

На правах рукописи

ДЕДКОВ ВЛАДИМИР СТАНИСЛАВОВИЧ

СТРУКТУРНАЯ ИЕРАРХИЯ НИТРИДА БОРА И ЕЕ СВЯЗЬ СО СВОЙСТВАМИ

Специальность 01.04.07.-Физ1; .рдого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

I^

ТОМСК-1996

Работа выполнена в научно-исследовательском институте высоких напряжений при Томском политехническом университете

Научный руководитель -

доктор физико-математических наук, профессор Лопатин В.В.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Козлов Э. В. кандидат физико-математических наук Гришков В.Н.

Ведущая организация ■

Государственный научный центр Российской Федерации Физико-энергетический институт, г. Обнинск

Защита состоится " 1997 г. в _на заседании

диссертационного Совета К 063.53.05 в Томском государственном университете (634050, г. Томск, пр. Ленина, 36)

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ТГУ.

Автореферат разослан

/б" » Э&сай/ия 1996 г.

Ученый секретарь диссертационного Совета К 063.53.05 канд. физ.-мат.

наук, доцент вЛнс&ш**1- И.Н. Анохина

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Работа посвящена разработке универсальной структурной модели материалов на основе нитрида бора, учитывающей особенности реального строения, и феноменологическому описанию протекающих в них процессов.

Актуальность работы. Большинство природных и синтезируемых материалов являются поликристаллическими. Свойства кристаллитов, составляющих поликристаллы, определяются физико-химическими параметрами и зависят от нарушений их решеток дефектами. Свойства поликристаллов, определяемые в основном гвойствами кристаллитов, зависят от формы, размеров, ориентации и пространственном распределении кристаллитов. В реальных поликристаллах (при получении или обработке) дефекты и примеси распределяются неравномерно, что приводит к вариациям фазового состава, формы и размеров кристаллитов по объему материала. В случае свойств, связанных с массо-, тепло- и электропереносом, взаимодействие между кристаллитами нарушает аддитивность функции свойств материала от свойств составляющих их кристаллитов. Поэтому макросвойства поликристаллических материалов могут значительно варьироваться в зависимости от строения раз-ггичных уровней организации - структурной иерархии. Влияние строения на свойства приобретают особую актуальность при исследовании радиационной деградации материалов, используемых в термоядерных реакторах. В наибольшей степени удовлетворить набору требований, предъявляемых к ним способны керамические материалы на основе нитридов, в частности нитрид бора, который в настоящее время проходит испытания в качестве защитного экрана первой стенки токамака ТСП 'г.Троицк).

Получаемый методом химического газофазного осаждения нитрид бора (ПНБ) как высокодисперсный керамический материал обладает развитой структурой различных уровней организации и представляет сложный объект для исследования структуры и свойств. При радиационном воздействии интенсивные процессы де-фектообразования, миграции и аннигиляции дефектов затрагивают все уровни организации: начиная от образования примесно-вакансионных комплексов на атомном уровне до блистеринга и деструкции в макромасштабе. Изменение свойств при этом сопровождается трансформацией структурной иерархии. Для решения такой сложной проблемы целесообразно попытаться построить по возможности простую, но отражающую сущность происходящих в материале процессов, модель, выделив эсновные элементы структуры и определив их параметры.

Целью работы является определение параметров структурной иерархии высс котемпературных материалов на основе нитрида бора и установление связи их диэлектрическими свойствами.

Научная новизна определяется подходом к исследованию структуры керамк ческих материалов и их диэлектрических свойств на основе идеи об взаимосвязан ном влиянии параметров различных уровней структурной иерархии на макрс свойства и заключается в следующем:

¡.Известные данные и результаты структурных исследований взаимодополняк щими методами электронной микроскопии и реттеноструктурного анализа об общены в виде универсальной для исследованных типов ПНБ модели структур ной иерархии.

2. Оценена проводимость гексагонального нитрида бора и межкристаллитных о€ ластей (МКО) двух типов в ПНБ и установлено, что проводимость МКО, такж как и кристаллитов обладает анизотропией.

3. Обнаружено два изоструюурных состояния нитрида бора, отличающихся перис дом решетки и необычное сосуществование двух кристаллических фаз по тип полисинтетического двойника.

4. Определена область термической стабильности и критические размеры квазикр! сталлических образований (КО) с симметрией формы пятого порядка; предложе механизм формирования этих образований.

5. Установлено, что необратимые изменения диэлектрических свойств после обл) чения сопровождаются изменением структурных параметров. Трансформаци структурной иерархии, в свою очередь, служит дополнительным каналом рела! сации радиационных повреждений.

Научная и практическая ценность заключается в следующем:

1. Разработано простое и эффективное устройство для препарирования объекте просвечивающей электронной микроскопии методом ионного травления; выбр; ны оптимальные режимы его работы.

2. Предложена модель структурной иерархии материалов на основе нитрида бора, помощью которой удалось оценить проводимость основных структурных элемех тов.

3. Обнаруженная релаксация радиационных повреждений путем трансформаци структурной иерархии и установленная взаимосвязь параметров ее элементов диэлектрическими свойствами позволяет диагностировать структурные нарупк ния материала по изменению свойств.

На защиту выносятся следующие положения: 1.ПНБ является композицией кристаллической и паракристаллической форм нитрида бора. Кристаллическая компонента представлена только двумя модификациями нитрида бора - BNr и BNP. Паракристаллическая компонента включает пакеты атомных сеток, уложенных в последовательности ADAD, АААА, и с турбо-стратной укладкой.

I. Универсальная для всех типов ПНБ модель структурной иерархии включает три

уровня: кристаллическая решетка, кристаллит и надкристаллитная структура. ?. Проводимость МКО и турбостратных прослоек, так же как и кристаллитов, обладает анизотропией. Соотношение величин их проводимости зависит от механизма электропереноса.

i. Детериорация ПНБ при облучении обусловлена не только образованием устойчивых дефектов, но и трансформацией структурной иерархии, приводящих к необратимым изменениям диэлектрических свойств.

Апробация работы.

Эсновные результаты диссертационной работы докладывались на II Республиканской конференции "Физика твердого тела и новые области ее применения" 'Караганда, 1990); на HI Международной школе-симпозиуме "Физика и химия твердого тела" (Благовещенск, 1991); на Международной конференции-выставке 'Нитрид бора: получение, свойства, применение" (Обнинск, 1993);на VIII Конфе-эенции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 1993); ia VII Международной конференции по материалам реакторов термоядерного син-геза (Обнинск, 1995); на IX международной конференции по радиационной физике и шмии неорганических материалов (Томск, 1996).

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и содержит 133 страницы машинописного текста, 26 рисунков. Список литературы включает 126 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы исследования, формулируются цели и задачи, научная новизна и практическая ценность работы.

В первой главе на конкретных примерах проведен анализ влияния структурных параметров поликристалла на его свойства, который показывает, что свойства эеальных материалов, определяемые свойствами составляющих их элементов, зависят также и от строения различных уровней организации материала - структурной

иерархии. Причем роль одних и тех же структурных элементов в зависимости с строения может существенно различаться. Выбор уровней структурной иерархи базируется на особенностях строения конкретного материала и определяется дом! нирующим вкладом определенных элементов в протекающие процессы. ПНБ ка объект исследований, обладая развитой структурной иерархией, позволяет упро< тить ряд задач по изучению связи параметров структурных элементов с макр( свойствами, благодаря симметрии решетки и текстуры.

Вторая пгава посвящена методическим вопросам рентгенографии высокодок персных поликристаллов со слоистой решеткой и препарированию объектов пр< свечивающей электронной микроскопии.

ПНБ имеет сильно искаженную дифракционную картину. Искажения дифра] ционных линий обусловлены малым коэффициентом линейного поглощения реп геновского излучения, высокой дисперсностью кристаллитов и значительной доле компоненты с турбостратным типом упаковки атомных сеток. Поэтому для каждс задачи рентгеноструктурного анализа выбирались оптимальные излучение, толщж образца и геометрия съемки. Фазовый анализ из-за неуспешных попыток дисперп ровать ПНБ без дополнительных искажений дифракционной картины проводился г компактных образцах. Содержание BN- и BNP оценивалось по табличным значения интенсивностей порошковых рентгенограмм путем интегрирования интенсивносте линий 100г и 101р по всем ориентациям. Доля турбостратной компоненты у опред( лялась по выделенному из линии 112 уширению, обусловленному рассеянием рен-геновского излучения от системы параллельных беспорядочно смещенных othoci тельно друг друга атомных плоскостей.

Измерения текстуры проводились стандартными методами наклона и пов< рота в отраженном и проходящем пучках. Однако, из-за большой ширины линий v интенсивность 1(а) измерялась не при неподвижном счетчике, а путем записи Bcei профиля при каждом угле наклона или поворота а. Результаты измерений (рис. приведены в единицах полюсной плотности Р(а):

Для электронномикроскопических исследований было разработано и изготовлег устройство ионного травления образцов. На основе экспериментальных зависим! стей токов ионного пучка и разряда от скорости подачи газа и величины прикладь ваемого напряжения выбраны оптимальные режимы работы источников ионов, к<

0)

о

беспечивают высокую эффективность устройства (скорость травления со-13-11мкм/ч).

I третьей главе изложены результаты структурных исследований ПНБ, :ного в различных условиях. Для удобства классификации материала был юказатель упорядоченности определенный как логарифм произведения эин рентгеновских линий 004, 110 и рассеяния текстуры. Изменения \у от-трансформацию структурной иерархии в целом. Рассмотрены кристалличе-цификации нитрида бора, варианты упаковки атомных плоскостей и харак-цля них величины межплоскостного расстояния (1оо2- Анализом дифракци-;артин по теории отражения от системы беспорядочно смещенных парал-: плоскостей показано, что ПНБ состоит из двух компонент: кристалли-I турбостратной. Первая компонента представлена только двумя модифика-итрида бора с гексагональной ВМГ (а0=0,2504 нм, с0=0,66612 нм) и ромбоэд-й ВИр (а0=0,2504 нм, с0= 1,004 нм) решетками. Оценка доли турбостратной нты и результаты количественного фазового анализа приведены в табл.1, ые типы ПНБ обозначены по преобладающей фазе: ПНБТ - с преимуще-м содержанием В>1т, ПНБГ - В1ЧГ, и ПНБР - ВЫР. Параметры решетки кри-гских фаз, измеренные по центру тяжести соответствующих линий, (табл.1) ают, что решетка сжата в базисной плоскости и вытянута вдоль оси с. Де-1я решетки снижается с уменьшением доли турбостратной компоненты.

Таблица 1.

Результаты фазового анализа и параметры решеток

Материал У выг, ВКР, а> с,

% % нм нм нм нм

ПНБТ 0,68 32 0 0,2494 ± 0,6864 ± 0,3432 0,348

±0,0006 ± 0,0008 АААА

ПНБГ 0Д7 42 31 0,2502 ± 0,6676 ± 0,3338 0,335

±0,0006 ± 0,0008 АО АО

ПНБр 0,08 8-29 84-63 0,2504 ± 1,0012 ± 0,3337 0,334

±0,0006 ± 0,0008 АВСАВС

I предположении, что весь материал состоит из одинаковых атомных сеток о выражение, связывающее величины межплоскостного расстояния в неис-й решетке с!х, турбостратной компоненте (1Т с измеренной величиной ёэксп. и юрядоченных сеток р3=1-у:

ЙэксП=Рз(с1к^т)+ат (2)

ганные по этой формуле межплоскостные расстояния <1Т в ПНБ с различным

Рис. 1. Распределение полюсной плотности

Рис.2. Участок дифрактограммы ПНБТ с расщепленной линией 004 в СиКа- излучении

[.1) имеют значения, совпадающие с таковыми для гипотетических структур, ющихся способами укладки сеток (АААА - (1=0,348 нм и АБАБ - <1=0,3354 .нализ профилей рентгеновских линий (рис.2) и дифракционных колец на онограммах также показывает, что они являются суперпозицией отражений от ьких систем плоскостей с различными расстояниями между ними (<11=0,171, 59 и (1з=0,167 нм). Поэтому атомные сетки турбостратной компоненты распо-л не случайно относительно друг друга, а объединены в пакеты с закономер-положениями. Пакеты с укладкой сеток АБАБ, АААА и турбостратной ой, по аналогии с упгсеграфитовыми материалами, отнесены к паракристалли-компоненте.

Методами электронной микроскопии с привлечением данных рентгенострук-о анализа выделены основные структурные элементы в различных типах 3 ПНБТ с те<0,5 до 75% объема материала занимают участки "аморфизован-ВЫГ. При лу~0,5 значительная доля (-40 %) представлена структурой в виде шальных ячеек. Средний размер кристаллитов такой структуры составляет нм. Общий интервал размеров кристаллитов в базисной плоскости 5-80 нм и эси с - 5-50 нм. Характерной чертой ПНБТ является слоевая надкристал-структура. Слои, высотой Ь=11-14 нм, состоят из одного-двух рядов кри-тов (с размерами, совпадающими с размерами ОКР Ьа и Ьс) и разделены тур-тными прослойками толщиной 21=8 нм (рис.3). Ширина межкристаллитных ей в плоскости слоев (МКО) 28 составляет 13 нм. С увеличением упорядочи № в надкристаллитной структуре, помимо слоев, формируются столбчатые вания размером 15x80 нм в плоскости осаждения и до 50 нм вдоль оси тек-

¡олее упорядоченные ПНБГ и ПНБР (№=0,7-0,8) являются аксиально текстурными поликристаллами и, в отличие от ПНБТ, в них отсутствуют ячеистая фа и широкие МКО. Однако, они имеют свои особенности надкристаллитной зации (рис.3). Так, в ПНБГ кристаллиты, размером с!=100-200 нм, объединя-агрегаты с незначительной разориентацией в плоскости осаждения (3 (общая ентация достигает 0,3 рад) и размерами 0=1000-2000 нм. Характерна взаим-иентация кристаллитов, расположенных друг над другом относительно на-ния осаждения (Р'). В ПНБР эта корреляция выражается в формировании аллитов" из двух фаз ВМГ и ВИр, организованных по типу полисинтетическо-шика.

Рис.3. Модель надкристаллитной структуры ПНБ

Ранее в ПНБ, облученном нейтронами, были обнаружены включения с кри-таллографически запрещенной осью пятого порядка (квазикристаллические обра-ования (КО)). Однако, такие КО наблюдаются и в необлученном ПНБ, причем их >азмеры и линейная плотность (число включений на единицу длины) зависят от подателя упорядоченности лу. Линейная плотность наиболее высока в ПНБ с низким юказателем №,ав ПНБ с %у>0,5 они отсутствуют. Размеры КО находятся в пределах 1Т 30 до 90 нм. КО с минимальными размерами имеют округлую форму. С увеличе-гием размеров они приобретают сначала форму Пентагона и далее правильной пя-иконечной звезды за счет формирования и роста лучей. Микродифракция от уча-тков, содержащих КО дает целый спектр плоскостей обратной решетки В1\Гг, на соответствующих им темнопольных изображениях выявляются отдельные фрагменты I форме секторов Пентагона или лучей звезды. Фрагменты находятся в двойниковой гриентации с плоскостью двойникования {112} и общим направлением [102]. Таким >бразом КО являются особой формой надкристаллитной организации и представ-:яют собой многократно сдвойникованные частицы ВМГ обладающие запрещенной имметрией лишь с точки зрения морфологии (рис.4).

Облучение нейтронами приводит к увеличению среднего размера КО с 54 нм ;о 70 нм при незначительном возрастании их линейной плотности. Термически КО стойчивы вплоть до 1500 К.

[201]

[201]

Рис.4. Кристалл-геометрическая схема КО

Двойниковые включения образуются из случайно сформировавшихся в газо-ой фазе зародышей из пяти гексагонов ВН. Геометрическая вероятность такой комбинации равна 6,Зх10'3, что близко к доле, покрываемой КО поверхности (7,ЗхЮ'3). 'азвитие таких зародышей приводит к формированию системы из пяти двойников, оторая имеет дефицит угла 1,55° (рис.4). С ростом зародыша дефицит угла по мере

удаления от центра обусловливает увеличение расстояния между секторами. По д стижении диаметра, совпадающего с минимальным критическим размером, ра стояние между секторами превысит длину межатомных связей и они обрываютс При дальнейшем развитии сектора растут автономно, формируя лучи.

В четвертой главе произведена оценка проводимости кристаллитов и МК< Для этого, используя модель структурной иерархии, был введен эффективный кр: сталлит, включающий кристаллическое ядро (с!х(Ъ-21)), МКО (5) и турбостратнь прослойки ($). Проводимость поликристалла ст в направлении приложенного гом Ё связана с проводимостью такого кристаллита ск только текстурной функцш \У(6). В сферических координатах эта связь имеет вид:

\У(6) можно получить путем нормировки распределения полюсной плотности.

При приложении поля Ё вдоль главных осей поликристалла, после преобр зований уравнения (3) получена система уравнений, связывающая главные комп ненты тензоров проводимости поликристалла а», схс и эффективного кристалла <ткаэ ,акс\ Замена элементов эффективного кристаллита эквивалентными им резист рами для случая одномерного протекания тока приводит к системам уравнений:

где ат и стю- проводимость собственно кристаллитов BNr. Совместным решение систем получены величины проводимости МКО стг и турбостратных прослоек а, направлении осей а и с, которые приведены в табл.2. Из полученных данных вида что МКО и прослойкам присуща анизотропия так же как и кристаллитам. Приче величина их проводимости в зависимости от механизма элекгропереноса мож быть как больше, так и меньше проводимости кристаллитов. В области примеснс проводимости (Т=293 К) в направлении оси с проводимость МКО агс выше, a нормальном ей направлении ап ниже остальных элементов структуры. В облас собственной проводимости (Т=1293 К) анизотропия МКО из-за увеличения п

2тс яЯ

Jd<¡> Jw^fo sin(0)d9 (3)

о о

ПНБ т <

вижности носителей заряда в кристаллитах меняется и различия между всеми груктурными элементами уменьшаются.

Таблица 2.

Величины проводимости кристаллитов, МКО и прослоек в ПНБ

Проводимость Ом'-см"1 Температура, К

293 1293

6,2-Ю'16 1,5-10"6

1,2-10"16 5,4.10"6

Ъи 1,7-10"15 1.М0'6

СТкс 3,4-10"17 5,6-10'7

СТГС 6,8-Ю'17 6,6-10"7

2,9-Ю'17 1,7-10"7

В пятой главе представлены результаты исследования структурной иерархии и вязанной с ней деградации диэлектрических свойств ПНБ после воздействия пуч-ом электронов (]=104 А/см2, Е=900 КэВ), у-квантами и протонами (до Ю8Гр), и нейронами (до Ф=1,34-Ю20см'2).

Облучение ПНБ электронами и у-квантами вызывает интенсивное дефектооб-азование на атомном уровне, которое выражается в окрашивании материала и нерачительном ухудшении диэлектрических свойств. Концентрация центров окраски асыщается при дозах (1-4)-105Гр, а изменений энергии связей атомов и структур-ых параметров не происходит во всем диапазоне доз. При нагреве выше 1100 К ефекты полностью отжигаются, оптические и диэлектрические свойства восстана-пиваются.

При облучении протонами происходит перераспределение кристаллитов по зоструктурным состояниям с различными межплоскостными расстояниями с)002-[еизменность других параметров структурной иерархии, практически полное вос-гановление диэлектрических свойств после отжига свидетельствуют об эффектив-ости этого канала релаксации наводимых облучением нарушений структуры.

Наиболее существенные изменения в структуре материала вызывают нейтро-ы, особенно, реакторного спектра. При облучении быстрыми нейтронами (Е>0,5 В) структурные изменения ограничиваются перераспределением кристаллитов по зоструктурным состояниям. В случае нейтронов реакторного спектра при флюенсе > выше 1019см"2 изменения становятся более заметными и затрагивают надкристал-итный уровень организации. Так, при Ф=1,34-Ю20см"2 уменьшается доля ориенти-

рованного материала, увеличивается рассеяние текстуры и разрушаются мелк кристаллиты. Наряду с процессом разупорядочения происходит увеличение доли размеров кристаллитов с трехмерноупорядоченной решеткой.

Нейтроны обоих спектров генерируют набор дефектов (вакансии, межузе; ные атомы, примесно-вакансионные комплексы) с различными энергиями актю ции. Образование и накопление дефектов приводит к ухудшению диэлектрическ свойств материала. Причем быстрые нейтроны вызывают большее снижение уде; ного объемного сопротивления ру, чем нейтроны реакторного спектра. Постоянн снижение ру и увеличение оптической плотности с ростом флюенса свидетельств) о повышении концентрации, наводимых облучением дефектов. Вызванные быстр ми нейтронами изменения в запрещенной зоне отжигаются и диэлектрическ свойства восстанавливаются. В случае нейтронов реакторного спектра процесс I копления дефектов при Ф>1019 см"2 замедляется, а изменения диэлектрическ свойств принимают необратимый характер. Необратимые изменения свойств соп| вождаются трансформацией структурной иерархии и увеличением доли неупоря; ченного материала, из которого формируются МКО. Поэтому, хотя процесс накош ния дефектов замедляется, р„ продолжает снижаться за счет увеличения относите; ной доли МКО, обладающих максимальной по отношению к другим элемент структуры проводимостью.

В заключении кратко перечислены основные результаты, полученные в да сертации.

1. Изготовлено простое эффективное устройство для препарирования объектов п| свечивающей электронной микроскопии методом ионного травления. Высо? эффективность устройства (скорость травления) обеспечивается выбором опт мальных режимов работы источников ионов.

2. ПНБ является композицией из кристаллической и паракристаллической фо нитрида бора. Кристаллическая компонента представлена только двумя моди4 кациями нитрида бора- ВЫГ и ВЫР. Методом количественного фазового анал! оценено их содержание. Доля паракристаллической компоненты, а также соот! шение обеих кристаллических фаз зависят от условий осаждения.

3. Введен показатель упорядоченности, который позволил классифицировать ПЬ осаждаемый в различных условиях. Изменение показателя упорядоченности I ражает перестройки различных уровней организации, которые сопровождают формированием либо вырождением уровней структурной иерархии.

4. По результатам исследований методами рентгеноструктурного анализа и эт тронной микроскопии с количественными оценками параметров структуры р

личных форм организации материала предложена модель структурной иерархии ПНБ. Модель включает три уровня: кристаллическая решетка, кристаллит и над-кристаллитная структура. Каждый из этих уровней в зависимости от типа материала имеет свои особенности.

. В ПНБ две кристаллические фазы BNr и BNp сосуществуют по принципу полисинтетического двойника с тем отличием, что по обе стороны плоскости двойни-кования (001) расположены одинаково ориентированные решетки различных фаз.

. Установлена область термической стабильности и критические размеры квазикристаллических образований, представляющих собой комбинацию кристаллических фрагментов BNr. Составлена кристалл-геометрическая схема этих образований, объясняющая симметрию формы пятого порядка. Предложен механизм их формирования.

, С использованием параметров структурной иерархии ПНБ определена проводимость кристаллитов, МКО и турбостратных прослоек.

. Интенсивные процессы дефектообразования при облучении ПНБ электронами у-квантами и протонами вызывают перестройки отдельных уровней структурной иерархии, которые эффективно компенсируют радиационные повреждения без существенного ухудшения диэлектрических свойств. Наиболее сильную деградацию свойств вызывает облучение нейтронами. Необратимые изменения свойств при этом сопровождаются изменением параметров структурной иерархии.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах: A.c. № 1575682 (СССР). Установка для рентгенографического исследования текстуры / B.C. Дедков, Ю.В. Куликов, В.П. Кузнецов, В.А. Кузьминых. Заявл. 18.03.88.

Дедков B.C., Иванов Ю.Ф., Лопатин В.В. Устройство ионного травления образцов для электронной микроскопии // Заводская лаборатория,- 1992.- Т.58, №11.- С.38-39.

Кузнецов В.П., Дедков B.C. Оценка степени упорядоченности структуры графи-топодобного нитрида бора, полученного различными методами // II Республ. конф. "Физика твердого тела и новые области ее применения": Тезисы,- Караганда. 1990.-С.95.

Особенности строения пиролитического нитрида бора / B.C. Дедков, Ю.Ф. Иванов, В.В. Лопатин, Б.Н. Шарупин // Кристаллография.-1993,- Т.38, №2,- С.217-221.

5. Свойства пиролитического ромбоэдрического нитрида бора / B.C. Дедков, А. Кабышев, Ф.В. Конусов, В.В. Лопатин, Б.Н. Шарупин // Неорганические матер* лы.- 1996,- Т.32, №6.- С.690-695.

6. Иванов Ю.Ф., Лопатин В.В., Дедков B.C. Структурно-дифракционный анализ * некристаллических материалов // Изв. вузов. Физика,- 1994.-Т.37, №1.-С.107-11:

7. Lopatin V.V., Ivanov Yu.F., Dedkov V.S. Structure-Diffractoin Analysis of Nanometi Sized Polycrystals // J. NanoStructured Materials.- 1994,- V.4, №6.- P.669-676.

8. Дедков B.C., Лопатин B.B., Иванов Ю.Ф. Термостабильность квазикристалл ческой фазы в нейтронно-облученном нитриде бора // VIII Конф. по радиац. ф зике и химии неорган, матер.: Тезисы.-Томск,1993.- Т.1.- С.127.

9. Дедков B.C., Иванов Ю.Ф., Лопатин В.В. Надкристаллитные квазикристаллш ские образования в нитриде бора // Физика твердого тела.-1995.- Т.37, №2.- C.2S 304.

Ю.Влияние структурной иерархии ПНБ на диэлектрические свойства / В.В.Лопан B.C. Дедков, Ю.Ф. Иванов, А.В. Кабышев // Межд. конф.- выст. "Нитрид бора: г лучение, свойства, применение", 8-11 июля: Тезисы.- Обнинск, 1993.- С.13.

П.Дедков B.C., Кабышев А.В., Лопатин В.В. Связь диэлектрических свойств структурной иерархией поликристаллов // Изв.вузов. Физика, (приложение) 199 №4.- С. 10-17.

12.Кузнецов В.П., Дедков B.C., Лопатин В.В. Структурные изменения в пиронитр де бора под воздействием излучений // II Республ. конф. "Физика твердого телг новые области ее применения": Тезисы.- Караганда. 1990.- С.94.

13.Нитрид бора - диэлектрик для термоядерных реакторов / B.C. Дедков, А.В. Ь бышев, В.В. Лопатин, Ю.П. Суров // III Межд. школа-симпозиум "Физика и хим твердого тела": Тезисы.- Благовещенск, 1991.- С.35-36.

14.Radiation-Induced Degradation of Structure and Properties of Graphite-Like Boi Nitride / V.M. Chernov, N.I. Khramushin, V.A. Stepanov, V.V. Lopatin, V.S. Dedko\ VII Int. Conf. on Fusion Reactor Materials: Abstracts.- Obninsk, Russia, 1995.- P. 191

15.Дедков B.C., Лопатин В.В. Релаксация радиационных повреждений структури ми перестройками // IX Межд. конф. по радиац. физике и химии неорган, мате Тезисы.-Томск, 1996.-С.130-131.

Заказ № 56. Тираж 100 экз.

Формат 60 x 84/1в Усл.печ.л.0.93

Подписано к печати 7.12.96 г.

Отпечатано на ризографе ИКТ "Пак и К°" 634021, г.Томск, пр.Фрунзе, 118