Структурная неустойчивость твердых растворов системы Pb/0.78 Sn/0.22 Te-In тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ. 5,

ГЛАВА. I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТЕЛЛУРИДОВ СВИНЦА И ОЛОВА И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

§1.1. Кристаллохимические свойства.

1.1.1. Классификация структурных типов соединений А В°. Ю

1.1.2. Фазовые диаграммы РЬТе, SnTe и

- Щ-х 5пхТе.

IЛ.3. Кристаллохимические особенности образования твердых растворов замещения Pb^SfyTe

§ 1.2. Электрофизические свойства.

1.2Л. Зонная структура.

1.2.2. Точечные дефекты.

1.2.3. Управление электрофизическими параметрами.

§ 1.3. Влияние индия на электрофизические свойства

РЬТе , SnTe и Pb^SflxTe.

1.3Л. Индий в бинарных соединениях. . 28 1.3.2. Индий в твердых растворах Pb^yiSn^Te

§ 1.4. Низкотемпературные особенности физических свойств системы РЬТе - SnTe и фазовые переходы в ней. 33 1.4Л. Структурная неустойчивость РЬТе и SnTe . зз

1.4.2. Т-Х - диаграмма особенностей физических свойств Pbhx $Пх Тв,.

1.4.3. Сегнетоэлектрические явления в системе

РЬТе-SnTe.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА, АППАРАТУРА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ.

§ 2.1. Гонбметрическая дифрактометрия.

2.1.1. Основные принципы.

2.1.2. Измерения межплоскостных расстояний и интенсивностей дифракционных линий.

§ 2.2. Энергодисперсионная дифрактометрия.

2.2.1. Принцип рентгеновской энергодисперсионной дифрактометрии.

2.2.2. Описание энергодисперсионного дифрактометра.

§ 2.3. Способ рентгеновской энергодисперсионной дифрактометрии с угловым сканированием.

2.3.1. Анализ ошибок измерения

2.3.2. Метод устранения ошибок измерения I^

§ 2.4. Аппаратура низкотемпературных исследований.

§ 2.5. Объекты исследования.

ГЛАВА Ш. СТРУКТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В НЕЛЕГИРОВАННОМ

РЬ0785п0^гТе В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 8-300 К.

§ 3.1. Рентгенография фазовых переходов.

§ 3.2. Температурные зависимости структурных характеристик монокристаллов Pbpjg Stl.

§ 3.3. Симметрия и параметры решеток низкотемпературных фаз РЬ0?&ЗПц22Те.

3.3.1. Расшифровка дифрактограмм методом гомологии.

3.3.2. Симметрия кристаллической решетки в интервале 300-8-78 К.

3.3.3. Симметрия решетки при 8 К. •.•• ЮО

§ 3.4. Обсуждение результатов и выводы. •••••. ЮЗ

-4Стр.

ГЛАВА 1У. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В СИСТЕМЕ

РЬ0,?8 SnO,22Te ~ltl

§ 4.1. Фазовые переходы в монокристаллах Pb0?g

4.1.1. Монокристаллы с Л^ < 0,7 ат.%.НО

4.1.2. Монокристаллы с М1п > 0,8 ат.%.НО

4.1.3. Диаграмма температур фазовых переходов в PbQn Sn02zTe^In> (О^А^ < 2 ат.%).

§ 4.2. Симметрия и параметры решеток поликристаллов

РЬ0{?8$по,2гТе<1п> .не

4.2.1. Поликристаллы с ^/^^О»7 .П

4.2.2. Поликристаллы с >0,8 ат.%.

§ 4.3. Обсуждение результатов и выводы.

ГЛАВА У. КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ РАСТВОРЕНИЯ ИНДИЙ в Pb0/7S Sn0f2Z Те

§ 5.1. Область растворимости индия в РЬр уд ^0,22^

§ 5.2. Структурные характеристики РЬ0^ 5/1 Те <1пУ при 300 К.

§ 5.3. Электронная Оже-спектроскопия монокристаллов

8 $полгТе<1п>.

§ 5.4. Обсуждение результатов.

5.4.1. Механизм растворения индия в

5.4.2. Механизм влияния индия на низкотемпературный полиморфизм Pbg yg SHq ^ 7~в

5.4.3. Механизм стабилизации уровня Ферми в

8Sn0f22Tt<^> 153 ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Полупроводниковые соединения типа А^В^ и твердые растворы на их основе в настоящее время широко используются во многих областях науки и техники. В этой группе материалов наиболее перспективными для изготовления источников когерентного излучения и фотоприемников ИК-диалазона являются твердые растворы РЬ^5пх Те, так как их использование позволяет перекрыть наиболее широкий диапазон длин волн путем плавной перестройки ширины запрещенной зоны с помощью внешних воздействий (изменения температуры, давления, напряженности магнитного поля [i]). Так, например, создана серия инхекционных гетеролазеров на основе многослойных структур типа и-РЬТе ^р-РЬ^х^пДе-^-РЬТе , работающих в области азотных и гелиевых температур [l»2].

Квантовый выход излучения инжекционных гетеролазеров определяется совершенством кристаллической структуры активной области лазера и границ гетерослоев [2-4], Это требует не только тождественности структурного типа сопрягающихся слоев, но и высокого согласования параметров их кристаллических решеток [б j. Именно выполнение этих условий обеспечило в свое время успешное создание гетеролазеров на основе пары арсенид галлия-арсенид аллюминия |б ]. Легко понять, что для стабильной работы любого гетеролазера необходимо выполнение еще одного требования, а именно, соблюдения равенства (или тождественного поведения) коэффициентов теплового расширения гетерослоев в рабочем интервале температур прибора. По этой причине весьма актуальными являются исследования температурных зависимостей структурных свойств используемых в гетерола-зерах материалов. Необходимость проведения подобных экспериментов вызвана также и тем, что согласно данным многочисленных работ (см., например, [7-15]) на температурных зависимостях ряда физических параметров твердых растворов (0,15^ х ^ в интервале температур от комнатной до гелиевой наблюдаются особенности, связываемые авторами со структурными фазовыми переходами. Однако прямые доказательства понижения кубической симметрии исходной кристаллической решетки вблизи критических температур были поджучены лишь для составов с х > 0,4 [9,13]. В частности, в литературе отсутствовали какие-либо данные о температурных зависимостях структурных свойств материала с составом х « 0,22, который нашел широкое применение в современной ИК-спектроскопии [2,1б]. В связи с этим в настоящей работе были выполнены исследования кристаллической структуры Pbgjg 5п0 ^Тб в интервале температур 300*8 К.

Известно, что соединения А^В^, в том числе и твердые растворы теллуридов свинца и олова, в отличие от элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений являются фазами переменного состава с размерами областей существования в твердой фазе (областей гомогенности) от 0,1 до ат.% [Г7]. В материалах такого типа собственные термодинамически равновесные дефекты кристаллической решетки определяют основные полупроводниковые свойства: тип проводимости, концентрацию, подвижность и время жизни свободных носителей заряда, фотопроводимость, квантовый выход люминесценции. Эффективное управление этими свойствами достигается либо путем изменения концентрации собственных дефектов, либо целенаправленным легированием электроактивными примесями (см., например, [18-20]). Процессы легирования не только значительно упрощают технологическую задачу получения полупроводников с необходимыми электрофизическими параметрами, но и в ряде случаев приводят к появлению качественно новых свойств материала. Так, например, в легированном индием твердом растворе РЬ^эд были обнаружены долговременная фотопроводимость [2l], стабилизация уровня Ферми по отношению к легирующему действию примеси [18,19], спонтанная поляризация [20,22]. Эти нетривиальные экспериментальные результаты послужили основанием для изучения в настоящей работе влияния индия на кристаллическую структуру Pbgpg в интервале температур 300+8 К.

Таким образом, цель настоящей работы заключалась в рентгено-дифракционных исследованиях структуры твердых растворов системы

Pb0 7S S/i^22Те в интервале температур от комнатной до 8 К, а также в установлении кристаллохимического механизма растворения индия в этих материалах.

Содержание диссертации изложено во введении, пяти главах и заключении.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе получены следующие основные результаты:

1. Впервые в отечественной научной практике создан рентгеновский энергодисперсионный дифрактометр и для него разработана методика, позволяющая устранять источники ошибок измерения интенсивности дифрагированных рентгеновских дучей и заключающаяся в синхронном сканировании приемной щели детектора в малом (диапазоне углов и изменении коэффициента усиления импульсов по определенному закону.

2. Разработана и сконструирована приставка для низкотемпературных рентгенодифракционных исследований структуры твердого тела в интервале температур от комнатной до гелиевой (8 К).

3. Впервые рентгенодифракционным методом для нелегированного твердого раствора Pf?^ Зис 22^ в интервале температур 300* *8 К установлено существование трех структурных фазовых переходов (при температурах -220, -130 и 60 К), причем в двух из них (-220 и 60 К) происходят изменения симметрии кристаллической решетки от кубической сначала до орторомбической и далее до моноклинной.

4. Установлен характер влияния индия на низкотемпературный полиморфизм Зп02гТе и построена Т-Х - диаграмма кристаллического состояния твердых растворов системы P&^Sf^ 22Те~ —1к в интервале температур Т = 300*8 К и концентраций индия х = = 0*2 ат.%. Показано, что в данной системе существует критическая концентрация индия 0,7*0,8 ат.%, которая разделяет ее на две группы материалов с различными температурными последовательностями изменения симметрии кристаллической решетки.

5. Рассчитаны параметры кристаллических решеток всех низкотемпературных модификаций Р£0^$П02<2Тв <1п> .

6. Впервые установлено, что при критической концентрации индия ~0,7*0,8 ат.% в rb07g при 300 к происходит концентрационный (по индию) изоструктурный фазовый переход I рода, причиной которого является изменение характера химической связи In -Те от преимущественно ионного к преимущественно ко-валентному.

7. Предложена кристаллохимическая модель растворения индия в решетке ЪЪ^щ {Зцд^Те , согласно которой при концентрации меньше критической индий входит в кристаллическую решетку материала по механизму атомов замещения; в концентрации больше критической индий встраивается в решетку ^q^^otiJ^ в составе фрагментов структурных комплексов, образующих зоны Гинье-Престо-на.

8. В рамках предложенной модели:

- дано качественное объяснение влияния индия на картину низкотемпературного полиморфизма P&Q^g Зир^Те <1к> ;

- указаны возможные причины появления сегнетоэлектрических свойств у твердых растворов при концентрации индия меньше критической;

- предложен кристаллохимический механизм стабилизации уровня Ферми по отношению к легирующему действию электроактивных примесей.

1. Богданкевич О.В., Дарзнек А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. - М.: Наука, 1976.

2. Даварашвили О.В., Долгинов Л.М., Засавицкий И.М., ШотовА.П. Многокомпонентные твердые растворы соединений А В . - Квантовая электроника, 1977, т .4 , № 4, с. 904-907.

3. Альфёров Ж.И., Андреев В.М., Каган М.Б., Протасов И.И.,Трофимов В.Г., Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-Al^-Ga^^s-n-oaAs. - ФТП, 1970, T.4j. № 12, с.2378-2379.

4. Багинский В.М., Кикодзе P.O., Лашкарев Г.В., РадченкоМ.В. Магнитная восприимчивость и термо-эдс узкощелевых полупроводников P b ^ ^ n Фе при структурном фазовом переходе. - Препринт Ин-та физики АН УССР, Киев, 1078. -161

6. Elobayashi K*L.I« у Eatayama J», Narita £•, ZomatsubaraE«F« Observation of band structure changes due to structural phase transition in Pb^_^sn Те, - Proc. of the 14th Int, Conf. on the Physics of Semiconductors., Edinburg, sept» 1978, p. 441-444.

7. Насыббулин P.A., Калимуллин P.X., Шапкин В.В., Харионовский Ю.С, Лдумиго A.M., Бурсиан Э.В. Высокотемпературные фазовые переходы в твердых растворах рц sn те. - ФТТ, I98I, Т.23, №. 1, с. 300-302.

9. Antcliffe G., Parker s. Characterletic of tunable^N-x^^x^® junction lasers in the 812 mem region. - j. Appl. Phys. , 1973j v.Mx N 9, p. 4145-4160.

10. Абрикосов H.X., Шалимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений А В . - М.: Наука, 1975, с. 195.

11. Александров О.В., Калюжная Г.А., Киселёва К.В., Строганкова И.И. Исследование твердого раствора РЬ „ sn Те, легированного индием,с низкой концентрацией носителей тока. - Неорган, материалы, 1978, т. 14^ J.^ 7, с. I277-I279.

12. Аверкин А.А., Каиданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. - ФТП, I97I, т. 5^ . № I, с. 91-95.

13. Herrmann К.Н., Ealyuzhnaya G.A., Mollmann Е.-Р., WendtМ. , Photoelectric Behaviour in Ph^ „gSn^ 22Te:ln. -Phys. St. SoL(a), 1982, v.Ha- P.K21-K24.

15. Herrmann К.Н., Mollmann К.-Р. Curie temperature as acritical temperature for dielectric, galvanomagnetic and photoelectric phenomena in strongly doped Pb^^Sn^Ie. - Phys.Stat.sol. (a),1983,v.8fia. P«K101-E104. -163 16. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С. Рентгено-структурныеисследования при высоком давлении, - М.: Наука, 1979, с. II3-I24.

17. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л. Современнаякристаллография. - В 4-х т. Т.2. Структура кристаллов. М.; Наука, 1979.

18. Goldak J., Barett C.S. Structure of Alfa GeTe. - J.Chem. Phys., v.l£^ N 9, p.3323-3325.

19. S^KOBa Т.Б., Заславский A.И. Исследование фазового превращения и структуры di" GeTe . - Кристаллография, 1967, т. 12, % I, с. 37-41.

20. Brebrick R.P. Deviation from stoichiometr:y and electrical properties in SnTe. - J. Ph^s. Chem. Sol., 1963, V.24, N 1, p.27-36.

21. Brebrick R.P., Gubner E. Composition stability limits forPbTe. - J. Chem. Phys., 1962, v.36« If 5, p. 1283-1289.

22. Горина Ю.И., Калюжная Г.A,, Киселева К.В., СентюринаН.Н., Строганкова Н.И., Турьянский А.Г. О природе дефектов в не легированном '^ЬТе , Краткие сообщения по физике тж, 1975, J& II, с. 24-28.

23. Miller Е., Кошагек К., Cadoff I. Stoichiometric leadtelluride. - Trans, Metallurg. Soc. AIME, 1959, v.218, N 6, p. 382-385.

24. Brebrick R.F. 'Composition stability limits for therockaalt-structure case (Pb- „Sn„). ^Te^ from lattice parameter measurments. -J. Phys. Chem. Sol., 1971, V.32, N 3, p. 551-562.

25. Александров O.B., Зайцев B.B., Зеликман И.Н., Калюжная-164Г.А., Киселева К.В., Кожухов В.Г. Влияние импульсного лазерного излучения на эпитаксию халькогенидов свинца и олова. - Краткие сообщения по физике ФИАН, 1984, J«» 2, с. 45-49.

26. Шелимова Л.Е., Абрикосовы.!. Система Sn-Te в областисоединения snie . - ж. неорган, химии, 1964» т.Э^ . № 8, C.I879-I882.

27. Хансен М., Андерко К. Структура дво1аных сплавов. - В2-х т. Т.2. М.: Металлургиздат, 1962, с, 1278.

28. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. - М.: Изд-во IvHy, 1978, с.

29. Каукис A.Aw, Банишкин A.M., Беккер А.А., Несглеянов A.M.,-165Островская Л,М,, Цыпин М,И. Месс^бауэровские спектры сплавов РЬ^^^Зп^Те.-йзв, АН СССР, сер. Неорган, материалы, 1972, т,8,№ 9, с.1667-1668.

31. Козловский В.Ф., Кацнельсон А.А,, Гальков А.М,, Зломанов В,П, Ближний порядок в Sn^Pb. ^ Те . - ДАН СССР, 1980, т. 25I,J^ 5, с. II62-II66.

32. Scanlon V/.W. Recent advances in the optical and electronic properties of PbS, PbSe, PbTe and their alloys. - J. Phys, Chem. Sol., 1959, v.8, p.423-428.

33. Tauber R.N., Machonis A.A., Cadoff I.B. Thermal andoptical energy gaps in PbTe. - J, Appl. Phys., 1966, v.27,p.4855-4860.

34. Cochran W., Cowley R.A., Dolling G,, Elcorabe M.M. Thecrystal dynamics of lead telluride. - Proc, Roy. S Q C (London), 1966, V. A293.H U35, p.433-451.

35. Dimmock J.O., Melngailis I., Straiiss A.J. Band structure and laser action in Pb^ „Sn Те. - Phys. Rev. Lett., 1966, v.l6j. H 26, p.1193r1196.

36. Esaki L., StiJes P.I.Hew type of resistance, in barrier tunneling. - Phys.Rev. Lett., 1966, v.J6,N 6, -166р» 1108-111,

37. Melngailis I, photovoltaic effect in Pb^Sn^^e diodes. - Appl. Phys. Lett., 1966, v^ ,^!! 8, p.304306.

38. Рябова Л.И. Исследование энергетического спектра сплавовРЬ Sn_Te с примесью индия. - Канд. диссерт, М.: Изд. 1€У, 1979,

39. Бублик В.Т. Рентгеновское исследование атомной структурыи термодинамики твердых растворов полупроводников, Автореферат дисс, .,, докт. физ,мат. наук. М.: Изд-во ШСиС, 1979.

40. Parada Ef,J.,Pratt a.W. New model for vacancy states inРЪТе. -Phys. Rev. Lett., 1969, v.^gj. W 5, p. 180-182. 54. parada H.J. Localized defects in pbTe. - Phys. Eev.B., 1971, v.b. W 6, p.2042-2055.

41. Hemstreet L.A.Jr. cluster calculations of the effectsof lattice vacancies of Plffie and SnTe. - Phys. Rev. B12. 1975, К 5, p.1212-1217.

42. Pratt G.w. vacancy and interstitials states in the leadsalts. -J. Nonmetals, 1973» v.1, p. 103-109.

43. Wagner J.V/., WiHardson E.K. Growth and characterization of single crystals of Pble-snle. - Trans. Metallurg. soc. AIEE, 1968, V. ?92.т). 366-373.

44. Калюжная Г.A,, 1у1агледов Т.О., Кх^селева К.В., Бритов А.Д.Свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Pb^^^Sn^a?e, легироваьшых индием. - Изв. АН СССР,сер. Неорг. матер., 1979, т.15, № 2 , с.231-234.

46. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе ,PbSe , PbS . - М.: Наука, 1968.

47. Акимов Б.А,, Брандт Н,Б., Жуков А.А,, Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Особенности зонной структуры сплавов РЬ. „Sn Те < 1п> с высоким содержанием индия. - ФТП, 1.8I, т. 15, Ш II, с.2232-2234.

48. Александров О.В,, Горина Ю.И,, Калюжная Г.А., КиселеваК,В., Прусенков Н., Буй-Тхи-Ньи. Влияние пршлеси серебра на электрические свойства теллурида свинца. Краткие сообщения по физике ФИАН, I98I, В 7^. с.35-41.

49. Драбкин И.А. ,Мошюс Б.Я.Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на пололсительно и отрицательно заряженные состояния.-§111,1981,т.15, М,с.625-648.

50. Rozenberg A.J.j Griereon R,, wolley J.C.» Nicolic P.solid solutions of CdTe and Inle in pbTe and StfDe. - Trans. Me-tallurg. Soc. AIMEi 1964, v. 230. IT 2, p. 342-350.

51. Rozenberg A.J., wald P. Massive heterovalent substitutions in octahedrally coordinated semiconductors. - J. plQrs. chem., Sol., 1965, v.£6i IT 4, p.l079-l082.

52. Кайданов В.И», Мельник Р.Б., Черник И.А. Исследованиетеллурида свинца с примесью индия. - ФТП, 1973, т.7, J^ 4, с.759-762.

53. Андреев Ю.В,, Гейман К.И.^ Драбкин И.А,, Штвеенко А.В.Можаев Е.А.,Мойжес Б.Я. Электрические свойства Pfe^ _^ Snje с примесью индия.Ш1, 1975,т.9, ih I0,c.I873-I878.

54. Драбкин И.А,, Квантов М.А., Компониец В.В., КостиковЮ.П. Зарядовые состояния In в РЬа?е.— ФТП, 1982, T.I6, № 7, C.I276-I277.

55. Dixon J.R., Riedl H.R. Electric susceptibility holemass of lead telluride. - Phys. Rev. A, 1965, v«l38, К 2, P.A873-879. 56. Burkbard H., Bauer G., Lopez-Otero A. Par - infraredreflectivity of PbTe films on Nacl substates. - Sol. St. commun., 1976, v.ljlx И 6, p.773-778. -169

57. Дуркин Л.Д,,Ерасова Н.А.,Кайданов В.И.,Калашникова Т.Н.,Косолапова Э.О. Влияние примеси индия на электрофизические свойства теллурида олова. - ФТП, 1972, т.6, с.2294-2297.

58. Абрикосов Н.Х., Цхадая Р.А, Свойства твердых растворовinTe и ingTe^ в SnTe. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1975, т. II, № 9, с.1702-1703.

59. Рогачева Е.И.,Дзюбенко Н.И,,Лаптев А.,Косевич В.М.,Объедков А.Г. Влияние индия на свойства SnTe с различной степенью отклонения от стехиометрии. - Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1983, т. 19, }Ь 4, с. 573-577.

61. Валацка К., Лидейкис Т., Шилькене И., Дедечкаев Т.Т.,Мошников В.А. Жидкофазная эпитаксия теллурида свинцаолова, легированного индием. -Изв.АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1983, т. 19, J^ I, с.51-54.

62. Новикова СИ., Шелимова Л.Е. Фазовый переход в SnTe.- ФТТ, 1965. т.7,А^ 8, с.2544-2545.

63. Новикова И., Шелимова Л.Е. Низкотемпературный фазовый переход в теллуриде олова. - ФТТ, 1%7, т.9д_№ 5, C.I336-I338.

64. Muldawer L. The low temperature transformation in snle.- Bull. Amer. Phys. Soc, 1971, v.1j6, H 1, p. 84.

68. Ерасова H.A., Лыков C.H., 4epmiK И.= A. 0 механизмесверхпроводимости РЬТе < Ti> и о фазовом переходе в системе PbTe-GeTe, - ФТТ, 1983, Т.25, }Ь I, с.269-271.

69. Акимов Б.А., Брандт А.Б., Рябова Л,И,, Хохлов Д,Р. Кинетика фотопроводашости сплавов рь.^^Зп^Те, легированных in. - Препринт 1€У, }^ 17/1981,

71. Волков Б.А», Панкратов О.А. Теория фазового переходав полупроводниковых А^В и происхождение электронного спектра и кристаллической структуры полуметаллов У группы, - Hpe^ npifflT ФИАЙ, 1976, № III» -172

72. Волков Б.А., Панкратов О.А, Кристаллические структуры исимметршз электронного спектра полупроводников группы - ЖЭТФ, 1978, т. 75,Л 4, с. I362-I370.

76. Suski T«, Katayama s. Phonon induced anomalous resistivity in structural phase transition of Pbsnie. - J. de Physique, 1981, C6, Suppl. 12, v.i^ p.758-760.

77. Koboyashi K.L.T., Kato У., Komatsubara K.P. Crystal,growth and assessment of Sn^b^^^Te mixed crystals. prog, crystal Growth. Charact., 1978, v.lj. p.117-149.

78. Браташевскии lO.A,, Прозоровский В,Д., Харионовскш Ю,С.Фазовый переход в ръ. „Sn^Te. - ФТП, 1975, т,9, 1Ь 8, C.I6I2-I6I3.

82. Eoboyashi K.L.I., Eato T,, Katayama Y., KomatsurbaK.P. Resistance anomaly due to displacive phase transition in snie. - sol. St. Commun,, 1975, v,12» ^ 7, p. 875-878.

83. Хейкер Д.М., Зевин JI.C. Рентгеновская дифрактометрия.- М,: Физматгиз, 1963.

84. Горелик С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгеногграфкческкй и электронко-оптХ'Иеский анализ. - М.: М.: Металлургия, 1970.

85. I^csKOB А.А. Рентгенография металлов . - М.-:Атомиадат, 1977,

86. Uno Е., Ishigaki J, Determination of structure factorsby white X-ray diffraction from a powder sample of Gap, - J , Appl* Cryst., 1975, v , ^ p, 578-582« 87. Александров О.В,, Киселева К.В., Кузнецов Ю.А., Турьянский А.Г. Способ рентгеновской дифрактометрии. Авт. свидетельство № 9II264. 138. stern Е,А« Theory of the extended X-ray. - Absorption fine structure, 1974, v,lQ, IT 8, p. 3027-3037.

88. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика, ч.1.- М.: Наука, 1976.

89. Вонсовский С В . Ферромагнетизм как проблема упорядочения.-Изв АН СССР,сер.физич.,1947,т.П,№5,с.485-496.

90. Кривоглаз М.А, Теория рассеяния рентгеновских лучей итепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука, 1967.

91. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.:Наука, 1978, с.99.

92. Eroega Р.Е,, swenson А. Absolute linear thermalexpansion measurements on copper and aluminum from 5 to 320 K. -J. Appl. Phys., 1977, v.48.H 3, p.853864. •17?

93. ГЛихеев В.И. Гомология кристаллов. Л.: Гостоптехиздат,1.6I.

94. Шхеев В.И. Рентгенометрический определитель минералов,1.: Госгеологиздат, 1957.

95. Шелег А.И., Новиков В.П, Фазовые переходы в тетрагональном CdPg. - ФТТ, 1982, т. 24^. }^ II, с.3508-3510.

96. Насыббулин Р.А. Связь температуры фазового переходав узкощелевых сегнетоэлектриках-полупроводниках Pb^^^Sn^Te с параметрами электронного спектра вблизи инверсшйон.-Автореф.дис.,.канд.физ.-мат.наук. ^ Л.: ЛФТИ, 1983.

97. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Теория фазовых переходовв сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры, не кратной исходному периоду. ФТТ, 1976, т. 18, ^Ь 2, с.423-429.

98. Ji^ eлyдeв И.С, Физика кристаллических диэлектриков.М.: Наука, 1968, с.63-65.

99. Shirane G., HewnhamR., Pepinsky R. Dielectric properties and phase transitions of JJaNbO^ and (lTa,K)HbO,. - Phys. Rev., 1954, v.26x Ю , p.581-588, -178

100. Асланян Т.А., Леванюк А.П. О возможности несоразмерных фаз в сегнетоэлектриках типа ВаТЮ- . - ФТТ, 1978, т,20, № II, с.3636-3640.

101. Медведева З.С. Халькогениды элементов ШБ подгруппы периодической системы.-М.: Наука, 1968, с.124-146.

102. Заславский А,И., Сергеева В.М, О полш.юрфизме in Те .§ТТ, I960, т,2^ В II, с.2872-2880.

103. Дзюбенко Н.И.,Рогачева Е.И., Косевич В.М., Лаптев А.,Аринкин А.В. Влияние индия, галлия, сурьмы и висмута на свойствах теллурида олова. - Изв. АН СССР, сер. Неорган. материалы, 1983, т.19, В 9, с.1457-1461.

104. Тонков Е.Ю., Аптекарь И.Л. Критическая точка на кривойизоморфного превращения SmS , - ФТТ, 1974, т. 16,й 5, C.I507-I508.

105. Jayaraman А., Buoker Е., Dernier P.D., Longinotti

106. D. Temperature-induced explosive first-order electronic phase transition in ad-doped SmS; - Phys. Rev. 1.tters., 1973» y*2li.^ Il) p.700-703."

109. Muitenberg G.E« Handbook of X-ray photoelectronspectroscopy, - Minnesota,1979,

110. Фистуль В.И. Межатомное взаимодействие примесей в сильно легированных полупроводниках. - В сб. "Химическая связь в кристаллах. Минск: изд-во "Наука и техника", 1969, с.

111. Александров О.В., Киселева К.В. Изоструктурный фазовыйпереход в системе РЬд -JQSHQ ^^е - in. - Краткие сообщения по физике ФИАН, 1984, Ш 4, с.13-17.

112. Брус А,, Каули Р. Структурные фазовые переходы. - М.:Мир, 1984, с.394-395.

113. Леванюк А.П., Осипов В.В,, Сигов А.С., Собянин А,А.Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов, - ЖЭТФ, 1979, т,76, ^ I, с.345-368,

114. Александров О.В., Киселева К.В. Низкотемпературная структурная неустойчивость монокристаллов системы ?Ь- „„sn^ ооТе- In. - Краткие сообщения по физике и,/о 0,22 ФИАН, 1984, )k 5, с.6-10.

115. Александров 0,В,, Киселева К,В. Низкотемпературныйполиморфизм в системе РЬ Sn те - in. - Крат0,78 0,22 кие сообщения по физике.ФИАН, 1984, Jfe 8, с.7-10.

116. Александров О.В., Киселева К.В., Кучаев Д. Химическая связь In - Те в решетке РЬ^ ygSnQ ^'^е < in > . - Краткие сообщения по физике ФИАН, 1985, № I , с.60-63.

117. Жузе В.П., Сергеева В.М., Шелых А.И. Электрическиесвойства iHgTe^ - полупроводника с дефектной структурой. - ФГТ, I960, т.2^. № I I , с.2858-2871.