Сверхпроводимость в квазидвумерных системах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

' ^харьковский государствыпшй ушшерситет

\ 1 мм ^

На правах рукописи

ОБОЛЕНСКИЙ Михаил Александрович

СВЕНШРОВОдаоСТЬ В КВАЗЩЩУМШЖ СИСТЕМАХ 01.04.07 - фдзика твердого тела

Автореферат диссертации на. соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Харьков - 1993

Работа выполнена в Харьковском государственном университете.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Пашицкий Э.А. (ИФ АН Украины," г. Киев)

доктор физико-математических наук, профессор Попков Ю.А. (ХГУ, г. Харьков)

доктор физико-математических наук, старший научный-сотрудник"Фоль В.Д. (ФТЖ1Т• АН Украины, г. Харьков)

Ведущая организация: '• Харьковский физико-технический

институт АН Украины -

Залита состоится " ^ " -1МЩ 1993 г. в ^ часов на заседании специализированного совета Д 053.06.02 в Харьковском государственном университете (310077, г.Харьков-77, ел. Свобода, 4, ауд. имени К.Д.Синельникова).

С диссертацией моано ознакомиться в Центральной научной , библиотеке ХГУ.

Автореферат разослан 1993 г.

Ученый секретарь специализированного совета

В.П.П01ЩА

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Анизотропные и кваэидвумерные сверхпроводники образуют большой класс различных соединений и структур, обладающих уникальными свойствами. К ним относятся в большинстве случаев синтезированные в лабораторных.условиях системы типа: SIS -сверхпроводник -изолятор - сверхпроводник, SMS - сверхпроводник - металл - сверхпроводник, SSS - сверхпроводник - полупроводник -сверхпроводник, получаемые послойным напылением соответствующих элементов, некоторые дихалькогенида переходных металлов и их интеркалированные аналоги, а также открытые в 1986 году Беднорцем и Мюллером высокотемпературные сверхпроводники на основе оксидов меди, имеющие рекордные температуры сверхпроводящего перехода. Температурный диапазон перехода ve сверхпроводящее состояние различных представителей квазидвумерных сверхпроводников простирается от'нескольких десятых до сотни градусов Кельвина. Не менее разнообразии их физические свойства и в нормальном состоянии. Они нашли широкое применение в криоэлектроникэ, криогенной технике, приборостроении! С • высокотемпературной сверхпроводимостью тесно связана проблема энергетики, получение сверхсильных магнитных полей и другие важные отрасли техники. Поэтому изучение природы сверхпроводимости ,в квазидвумерных системах,, установление причинно - следственных соотношений между физическими свойствам! нормального и сверхпроводящего состояний и на этой основе умение управлять ими, является наиболее актуальной проблемой физики твердого тела и, в частности, важного ее направления - физики квазидвумерных систем.

Важным аспектом в установлении природы высокотемпературной сверхпроводимости является экспериментальное выявление сходных и отличительных черт между различными представителями класса квазидвумерных сверхпроводников, что может служить основой для усовершенствования и создания теоретических моделей. Именно такой подход к этой проблеме реализован в настоящей работе.

Целью работы являлось:

- комплексное экспериментальное исследование кинетических и термодинамических характеристик слоистого кристалла 2H-NbSe ■ в нормальном и сверхпроводящем состоянии, и влияния

интеркалированяых донорами /водородом и дейтерием/ й акцептором ./молекулами ТСШ/ на физические свойства, определяющие сверхпроводящее состояние;

- установление механизмов и закономерностей, приводящих к изменению критических параметров слоистых кристаллов при воздействии одноосного . и гидростатического давлений как в исходном кристалле, так и в интерквлированных аналогах; ,,

- выявление причин; приводящих к эволюции сверхпроводящего состояния в гН-ЛЪВе при замене ниобия на элемент другой валентности - рений при условии ' сохранения структуры исходной решетки, т.е. при . постепенной " переходе от слоистого сверхпроводника к слоистому полупроводнику;

- выявление влияния межслойного взаимодействия нв критические параметры слоистых саерхароводников; .

- определение общих и отличительных' особенностей присущих слоистым низкотемпературным й высокотемпературным сверхпроводникам на примере 2Б-КЬ5ея и Йа СизС7_5;

- усовершенствование расплав-растворного метода с целью получения совершенных монокристаллов 1:2:3; как объекта для физических исследований;

- установление закономерностей,■ приводящих к изменению кинетических й термодинамических характеристик монокристаллов 1:2:3 на основе иттрия, как в нормальном, так я в сверзйроводящем состоянии, связанных с вариацией концентрации лабильного кислорода и степенью совершенства кристаллической решетки;

- выдача рекомендаций для практического применения результатов ,настоящих йсследований..

В задачу исследования входило!

- изучение температурных зависимостей электросопротивления, магаетосопротивления й его анизотропии, критических магнитных полей и их температурных й угловых зависимостей, вольт - амперных И вольт - полевых характеристик, микроконтактных спектров в сверхпроводящем состояний для 2Н-№зЗеа, электронной и решеточной теплоемкости для системы №1_][Еех2еа, а также температурной зависимости магнитной восприимчивости;

- исследование ЯМР на протонах в кристаллах 2Н-НЬЗеа(Нк,Юх), сдвига Найта и магнитйой восприимчивости, хроматограмм выделения

водорода и дейтерия из матрицы 2Н-Ш3ез для определения состояния водорода и дейтерия, их влияния на плотность состояний на уровне Ферми, а также для определения температурных интервалов десорбции;

- проведение рентгеноструктурного анализа всех полученных соединений, а для системы Не,^ - рентгеноспектралъного анализа по которому установлено перераспределение электронной и спиновой плотности при замене ниобия на рений, а также уточнение характеристик зонной структура 2Н-№Без;

- изучение влияния одноосного и гидростатического давления в системах Ш5е , НЬБе (Б ,Н ), № Зп Бе на. критическую

с д 1 К К 1 К л

температуру сверхпроводящего перехода я критические магнитные поля. В системе Ре1/зШ52 проведение исследования влияния гидростатического давления на температуру фазового структурного перехода, связанного с положением ионов келеза в матрице МЬЗз;

- проведение синтеза и исследование' кинетических и, термодинамических характеристик • монакрхюгаллов УВазСиа07 д для установления связи между сверхпроводящими параметрами и температурной зависимостью электросопротивления вдоль и перпендикулярно слоям.

В прикладном аспекте ставилась задача создания датчиков давления, температуры, элементов СКВВДов, используя для этого полученные в процессе исследования новые вещества, а также выявленные новые свойства и закономерности.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

- отрабатзнн оптимальные режимы получения монокристаллов гН-ЯЬБе. 2Я-№5 , Ре, !№£о . 1ГО. йе методом

3 2 1/3 2 1-х к 2

газотранспортных реакций;

- получены, ннтеркалированнне соединения ИЬЗе^Н^), ЫЪЗе^В^), т)Ке2(ТСЭД; •

- разработана методика получения совершенных. кристаллов высокотемпературных сверхпроводников системы НВа2Сиз07 д, где (И= У, Но, Пу) на основе метода раствора - расплава путем оптимизации температурных режимов роста;

" - установлен факт гибридизации валентных р~ и й- электронов атомов шобия с а- и р- валентны?,ш состояниями халькогена ' на основашш' исследований. рентгеноелектронных спектров.

рентгеноспектральных экспериментов и температурной зависимости' .магнитной восприимчивости, что свидетельствует об отсутствии гибридизованной щели между указанными состояниями. В тех же экспериментах установлено перераспределение электронной ' и не скомпенсированной спиновой плотности на втомвх ниобия и рения в соединении КЬ5 ^Яе^Зе,^

- проведено сопоставление, положения фононных пиков, оОнару-кенных на кикроконтакгных спектрах с теоретическими моделями для 2Н-Ш3еа. Исходя из экспериментальных данных определены критические параметры сверхпроводящего состояния и характеризуйте его величины для систем №>Еез~ Водород, Ш5е2-дейтерий. Выявлены закономерности влияния этих интеркалянтов на кинетические и термодинамические свойства в нормальном состоянии. Обнаружено перераспределение водорода в матрице 2Н-Ш)5еа при воздействии влектрических и- магнитных полей вблизи гелиевых температур;

- обнаружен и исследован эффект влияния фазового состояния, водорода в матрице 2Н~Ш5е2 на угловые зависимости второго критического шля. Показано, что при определенных концентрациях при низких температурах возможно образование концентрационных сверхрешеток в матрице 2Н-Ш3ег, приводящих к модуляции угловых зависимостей второго критического поля;

- установлена связь между кинетическими и термодинамическими характеристиками системы в нормальном и сверхпроводящем состоянии. Определены концентрационные границы существования сверхпроводимости в атом соединении. Обнаружена качественная корреляция между То и плотностью состояний на уровне Ферми; -

- обнаружено значительное повышение критической температуры (до 9,5 К) в 2Н-ИЬЗе2 под воздействием одноосного давления до 4 кбар вдоль оси перпендикулярной к плоскости слоев. Критическая температура зависит от давления немонотошо. Максимум наблюдается в области 1,4 кбар. Частичная замена ниобия на олово приводит к смещению максимума Г в область более высоких давлкений и к сни-

О

¡кению величины эффекта. В этом случае изменение температурной зависимости второго критического поля с давлением описывается моделью, учитывающей изменение эффекта близости с давлением;

- в системах 2Н-МЬЗеа{Н^,Б^) под воздействием гидростатического давления до 8 кбар обнаружено значительное повышение скорости роста критической температуры по сравнению с таковой в 2Н-НЬ£еа- Установлен факт неэквивалентности влияния одноосного и гидростатического давления на критическую температуру;

• ■ - обнаружен фазовый переход металл - полупроводник в соедияеши 2Н-НЬ5е (ТСШ). Температура возникновения БЗП по сравнению с исходным 2Я-№Зез повышается наряду со снижением Т^ до б К. Определены критические параметры сверхпроводящего состояния, и на основе соотношений, связывающих сверхпроводящие параметры со свойствами в нормальном состоянии, определено изменение средней фермиевской скорости носителей;

■-^обнаружен фазовый переход в соединении ?в}/3№&а по исследованию температурной зависимости электросопротивления при гидростатическом сжатии. Переход характеризуется аномально высоким значением производной (М /<1Р и' строго линейной зависимостью ТН(Р). Он сопровождается скачком сопротивления до 30 ) в. точке перехода. При увеличении давления наблюдается понижение гистерезиса в Т' при нагреве и охлаждении образца;

на основании исследований температурной зависимости электросопротивления в монокристаллах УВа С11д07_дбдоль плоскости слоев СиО и в перпендикулярном направлении установлен факт •изменения типа проводимости вдоль оси С, а также отношения Р /РаЬ Вычислена соответствующие анергии активации движения носителей вдоль оси с и их температурные зависимости;

- показано, что флуктуационная парапроводимость и диамагнитный вклад флуктуацяй в магнитную восприимчивость лучше всего аппроксимируется уравнением Лоуренса - Доньяха /1/. Фазовый переход в области температур 200-240 К,, обнаруживаемый от измеряют температурной зависимости энергии активации, а также по исследованиям коэффициента термического расширения, в большей мере связан о упорядочением В кислородно - вакансионной подсистеме соединения УВа Си

- предложены новые типы терморезиоторов на основе соединения йе N1) Бе , датчики давления со строго линейной шкалой измеряемого параметра от давления, влементи слабой связи на основе монокристаллов 2Н-№Зеа и предложен метод подавления

критического тока в них за счет избирательного введения в слабую связь интеркалянта.

Практическая значимость работы. Исследования сверхпроводимости в слоистых системах, проведенные в настоящей работе, позволяют более глубоко понять причины, обусловливающие изменение сверхпроводящих характеристик под воздействием различных факторов: давления, изменения электронного и фононного спектров, усиления либо ослабления межслойного взаимодействия. Исследование сорбции и десорбции водорода и дейтерия в слоистых структурах выявило наличие двух состояний водорода,_что может послужить основой для создания источников с программируемым их выделением.

Обнаруженный в настоящей работе эффект перераспределения водорода в матрице слоистого сверхпроводника под действием электрического и магнитного поля должен учитываться при конструировании мощных магнитных систем на основе сверхпроводников, содержащих лабильную примесь, в частности, высокотемпературных.

Реализованные в настоящей работе датчики магнитного потока для создания на их основе СКВДЦов обладают рядом специфических свойств, в. частности, сочетание химической стойкости с механической прочностью и с возможностью регулировки критического тока слабой связи' за счет процесса ингеркалирования.

Продемонстрирована возмошость создания микроминиатюрных термометров сопротивления на основе слоистого соединения Не Ш> где путем вариации добавки • ниобия можно изменять,

как рабочий диапазон, так и чувствительность в различных температурных интервалах.

Созданные в настоящей работе датчики давления на основе соединения обладающие высокой чувствительностью по

давлению и линейной шкалой смещения температуры фазового структурного перехода ТН(Р) - лишь один пример далеко не исчерпывающий всех возможностей в этом направлении.-

На зашиту выносятся следующие научные результаты и положения: 1. Результаты исследований ЯМР-сйвктров, температурной зависимости теплоемкости, показывающие, что водород и дейтерий в матрхще слоистого сверхпроводника 2Н-Ш5е является донором.. Увеличение их концентрации приводит к смещению уровня Ферми е

сторону большей энергии и понижению плотности состояний.

2. Результаты исследования микроконтактных спектров в слоистом . сверхпроводнике, показывающие расположение фоношшх особенностей по энергии. Результаты сравнения с теоретическими моделями. Влияние перехода типа волны зарядовой плотности на МК-спектры.

. 3. Образование концентрационных сверхрешеток в 2Н-№Зеа(Нз1) и 2Н-Ш5ез(1)к) при 12 2 ат.), приводящих к появлению аномалий на температурных и угловых зависимостях вторых критических полей.

4. Явление увеличения критической температуры и критического магнитного поля при циклическом разрушении сверхпроводимости магнитным полем в слоистом сверхпроводнике 2Н-№)5е2(Ео ).

5. Экспериментальные результаты . по исследованию системы Ш5е (ТСВД), показывающие наличие фазового переходе металл - полупроводник при Г = 240 - 250 К, связанного с процессами упорядочения интеркалянта в матрице. Повышение- температуры ВЗП-перехода в атом слоистом ■ сверхпроводнике. Угловые зависимости критического поля, укезиввювде на квазидвумерный характер сверхпроводимости.

6. Результаты рентгеноструктурннх исследований слоистого соединения по определению параметров элементарной ячейки и их изменения в зависимости от концентрации. Результаты рентгоноспектрзльных'исследований по определению степени переноса заряда и нескомпенсировааной спиновой плотности на атомах. Изменение критических параметров- сверхпроводящего состояния И их связь с плотность» состояний на уровне Ферми.

7. Фазовый переход в системе Уе1/эШ1>а, связанный с образованием сверхструктуры. Влияние гидростатического давления на температуру перехода.

8. Эф}ект аномального повышения критической температуры слоистых сверхпроводниках ?Н-МЬ5е и ,2Н-№) под действием одноосного 'давления' и его объяснение на основе рассмотрения влияния .межслойного взаимодействия на структуру плотности состояний на уровне Ферми.

9. Методика получения совершенных монокргсталлов УБааС11307 д. Экспериментальные результаты по изучению характере проводимости вдоль оси'с в зависимости от стехиометрии, флуктувциошшх вкладов

в проводимость и магнитную восприимчивость. Фазовый переход При .240 - 250 К.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертации опубликованы в 28 работах. Они доложены и обсуждены на: Всесоюзном совещании по физике низких температур (Москва, 1979); 21 Всесоюзном совещании по физике низких температур (Харьков, 1980)! Всесоюзном симпозиуме "Неоднородные электронные состояния" (Новосибирск, 1984); 23 Всесоюзном совещании по физике низких температур (Таллин, 198 4 ); Школе - семинаре "Физика, и химия интеркалированных и других квазидвумерных, систем" (Харьков, 1985); 3 Всесоюзном семинаре по низкотемпературной физике металлов (Донецк, 1988); Научной сессий отделения общей физики и астрономии АН.СССР (1988); 7 Всесоюзной конференций по <1нзнке низких температур (Ужгород, 1988);9 Всемирной конференции Hydrogen Energy Progresa (Парий, 1992); 26 Всесоюзном совещании по физике низких температур (Донецк, 1990).

Объем и структура работа. Диссертация состоит из введения, девяти глав, заключения, примечания и списка цитированной литературы. Объем работы составляет -317 страниц, включая 127 рисунков, 22 таблицы и список литературы, содержащий 167 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность исследований в области сверхпроводимости квазидвумерных структур; сформулирована цель диссертационной работы; обоснован выбор модельных объектов исследования и выбор интеркалянтов; представлены положения вшоашыё на защиту;' указана научная новизна и практическая значимость работы; изложена структура диссертации.

В первой главе двна характеристика кристаллической структуры слоистых дихалькогенидов переходных металлов, приведены результаты теоретических расчетов зонной структуры и поверхности Ферми, указаны противоречия между теоретическими . расчетами и экспериментом. Описана природа структурного перехода типа волны зарядовой плотности, приводящая к периодической модуляции плотности заряда в матрице дихалькогенидов, проанализировано ее влияние на температурную зависимость электросопротивления, магнитнуо . восприимчивость и температуру ,сверхпроводящего

перехода. Проанализирована применимость теоретических моделей для описания, наблюдаемых на эксперименте, температурных зависимостей второго критического поля параллельного слоям и их угловых зависимостей. Рассмотрены теоретические модели описывающие сверхпроводящие параметры анизотропных и кввзидвумерных систем. Подчеркнуто, что сложившееся мнение о независимости температуры сверхпроводящего перехода от межслойного расстояния в дихалькогенядах является мало обоснованным.

Во рторой главе приводится описание экспериментальных методик, применяемых в настоящей работе,, а именно: метод газотранспортных-реакций для получения монокристаллов Ге Ш)8а, 2Н-Ш5еа, ^е113ез; методами. 'интеркалирования водородом, дейтерием и молекулами ТСИО; методике определения концентрации интеркалянтов; метрика измерения критических параметров сверхпроводящего -состояния,температурной зависимости

электросопротивления, магнетосопротивлешгя, температурной зависимости теплоемкости в интервале 4,2 - 300 К; метод создания одноосного давления при температурах жидкого гелия. Дано краткое описание физических основ метода микроконтактной спектроскопии и рентгеносйектралыюго метода, применяемых в настоящей работе для исследования особенностей фононного спектра 2Н-Щ)£еа и перераспределения зарядовой и нескомпенснроввнной спиновой плотности в Соединении Не^Л^ 5ег. Методика гидростатических давлений при низких температурах, применяемая в настоящей работе, реализована в соответствии с описанной в работе [2] и поэтому не приводится.

В третьей главе. посвященной'исследованию физических характеристик НЬЙеа описаны эксперименты по исследованию температурной зависимости электросопротивления, зависимости критических токов от температуры и величины магнитного поля. , Показано, что наблюдаемые пик-эффекты в зависимостях критического тока от магнитного поля и температуры могут быть непротиворечиво объяснены в рамках модели Кима-Андерсона [3]. Результаты по зависимости электросопротивления от температуры в плоскости слоев обсуждаются в рамквх модели [43. Указано на аномальное поведение магнетосопротивления в широком интервале углов в геометрии Н 1 заключающееся в наблюдаемой линейной зависимости при от « 1.

Отмечено, что NbSea мокно рассматривать как анизотропный слоистый сверхпроводник в чистом пределе, . свойства которого хорошо описываются моделью анизотропных аффективных масс.

Приведены результаты исследования микроконтактных спектров в 2H-NbSea в сверхпроводящем состоянии.. Сопоставлено положение фононных особенностей на МК-спектрах по шкале энергий с расчетными. Обнаружено качественное согласие. Наблюдаемые низкоэнергетические особенности ( <10 мэВ) трактуются, как колебания амплитуды и фазы ВЗП.

В четвертой главе описаны эксперименты по насыщению образцов 2H-NbSea водородом и дейтерием. На основании анализа процесса десорбции и исследования зависимости массы выделяемого водорода от давления насыщения установлена их линейная зависимость при температуре, соответствующей пику выдделения. Это указывает, .что часть водорода ведет себя подобно хемосорбированным молекулам на поверхности. Однако исследования ЯМР на протонах показали, что сигнал ЯМР соответствует протону, находящемуся в слое вблизи атома Hb и диффузия его подавлена. Исследования сдвига Найта и температурной зависимости магнитной восприимчивости выявили уменьшение плотности«электронных состояний на уровне Ферми.

Электросопротивление монокристаллов 2H-NbSea и ¿H-MbSe^ рассматривается в модели двух зон, учитывающей рассеяние S- я d-носителей на фононах, дающих вклад в электросопротивление Ряо и P>d, В области исследованных концентраций водорода и дейтерия (до 3 ат.Ж) переход ВЗП сохраняется, однако на кривых р(Т) наблюдается "провал", связанный с упорядочением водорода в матрице.

Магнетосопротивление 2Н-№5езКк измерено для концентраций ( х = 0,1 вт.)), поскольку для больших оно резко уменьшается. Однако зависимость машетосопротквления от поля для исследованных концентраций отличается от такового для чистого NbSe2 появлением -квадратичной зависимости в полях выше 2,7 Т.

Исследования электронной теплоемкости в образцах, насыщенных • до 0,2 ат.), показывают немонотонную зависимость плотности состояний на уровне Ферми. При малых концентрациях она повышается, а затеи падает. В соответствии о этим аналогично поведение критической температуры, которая находит объяснение

исходя из структуры плотности состояний, положения уровня Ферми по отношению к пику ¿-состояний и с учетом донорннх свойств водорода.

Исследование температурных и угловых зависимостей второго критического поля, а такие р(Т) для г = 0,2 ат.) дает основание для вывода об образовании концентрационных сверхрешеток водорода в Матрице 2й-КЬ5ез. Применив теоретическую модель [51, учитывающую наличие дополнительного периодического потенциала и особенности поведения Н^з(Т) и исходя из экспериментальных результатов определен период сверхрешетки. -

•Для Образцов НЬ5е2(Но 0з), подвергнутых . длительному териоциклированию от гелиевых температур до комнатных и находящихся в пространственно неоднородном сверхпроводящем состоянии при ориентации тока 3 а с (с - ось перпендикулярная слоям кристалла) и при наложении магнитного поля Н 1 3 параллельного слоям, переводящем образец из ' сверхпроводящего в нормально^ состояние, а затем обратно, обнаружено увеличение критической температуры и критического поля после каждого цикла. Аналогичным образом ведет себя и критическая плотность тока.

Предложена модель, объясняющая этот эффект, основанная на том, что в гетерофэзшх образцах во внесшем магнитном поле магнитные силы, действующие на дислокацию превращения,- которая находится на границе раздела двух фаз, могут приводить к перемещению дислокации вдоль нежфазной границы. При этом может происходить увеличение объемной доли сверхпроводящей фазы за счет увлечения подвижной принеси дислокациями и возникновение неравновесного ее распределения. Возникающий упругие напряжения могут приводить к увеличению критических параметров.

Влияние насыщения дейтерием на физические свойства в нормальном и сверхпроводящем состоянии аналогичны водороду, за исключением температурной зависимости электросопротивления ниже Твзц, где наблюдается зависимость рад = ТБ, что может явиться следствием подавления механизма мезсэокных переходов. За счет примесного рассеяния определены параметры характеризующие сверхпроводящее состояние и их концентрационные, угловые и тештературине вависииоста для систем Ш>Беа- водород; Шзва~ дейтерий,.' а также смещение гешературы ВЗП в зависимости от

концентрации. •

В пятой главе изложены экспериментальные результаты по исследованию системы NbSea(TCNQ)o .

Особенностью температурной зависимости электросопротивления является наличие максимума в области температур 240-250 К. При изменении температуры с различной скоростью вблизи мвксимума наблюдается различие в поведении сопротивления со стороны высоких 'температур, что свидетельствует о наличии процесса релаксации с характерным временем т. В области температур 70 - 180 К поведение сопротивления описывается зависимостью рвд * In Т. Особенность, связанная с ВЗП не только не подавляется, а смещается в область более высоких температур и ТЕЗП- 46 К. Зависимость от температуры Рид нише 46 К не удается апроксимировать степенным законом. Показатель степени меняется с температурой от П » 3 при Tß3r[S 46К ■до п = 9 при температурах близких к Т^. Температура сверхпроводящего перехода составляет б К. ¡Величина анизотропии сопротивления Р /р 10э. На температурном ходе сопротивления перпендикулярного слоям отсутствует особенности при 46 К й 250 К.

Фазовый переход при Г = 250 К объясняется акцепторными свойствами интекалянта и с учетом перехода в подсистеме интеркалянта порядок - беспорядок. При этом изменяется степень переноса заряда от слоя к интерквлянту, что и приводит к наблюдаемому эффекту. Увеличение Твзп согласуется с выводами теоретической модели Райса й Скотта [61 из которой следует, что увеличение объема дырочных карманов на поверхности Ферми приближает уровень Ферми к седловым точкам. Наличие квадратичной зависимости РИд м Та при Т)ТВЗП свидетельствует о том, что доменный характер несоизмеримой ВЗП в матрице сохраняется. Анализ экспериментальных данных свидетельствует в пользу модели Райса и -Скотта о природе ВЗП в 2H-NbSe .

Поперечное магнетосспротивление кристаллов 2H-NbSe3(TCNQ)B 0Б для магнитных полей перпендикулярных плоскости слоев сохраняет зависимость Др/р Н, как и в чистом NbSea< Для параллельной ориентации эта зависимость нарушается и Ар/р Н1'Б. Поскольку и для чистого, и для интеркалированного молекулами TCNQ в области исследованных магнитных полей соотношение и ч « 1, а полевая

с

зависимость, различна, можно лишь отметить, что линейная

зависимость магаетосопротивления является специфическим свойством слоистых кристаллов, поскольку особенности топологии Ферми поверхности в этом случае не проявляются.

На температурной зависимости вторых критических полей наблюдается положительная кривизна, как в случае Н - , так и Но3- Анизотропия критических полей'растет, как линейная функция температуры. Длины .когерентности С(Т) и £(Т) вычислены, используя соотношение Гинзбурга - Ландау

Ф0 ' Ф0

н°а1(!Р) = Щй) ' Й°2»(Т) * м^)^) • (1)

а температурные зависимости Е|(Т) и СХ(Т) аппроксимировались выражением . -

г 'р 11/а '

Е(Т) (2)

о

индексы ± и II обозначают направление магнитного поля вдоль и перпендикулярно слоям. Для ниже 6 К наблюдается отклонение

от этого соотношения, в то время как для Ец('Т) имеется хорошее согласие. Экстраполяция лиейной зависимости Н |/Н ^ в .область низких температур дает значения 9 А, что совпадает с

межслойным расстоянием.

Зависимость Н_3(0) для 2Н-Ш5еа(ТСВД не описывается моделью эффективных масс [?]

Н

н (9) = -°а1--(3)

°а э1па(6)+(П1|,/т1)аооза0)1/'а

Наблюдаемые экспериментальные зависимости (0) хорошо описываются формулой Тшгахема [81, справедливой для тонких пленок

Нва(6)81П(6)

з

+

Н „(б)соаб

о а

" И"

озИ

а

« 1 (4)

что свидетельствует о том, что в данном случае слои можно рассматривать как практически не взаимодействующие.

Экстраполированные в область низких температур значения

НоаЛ/Но21 дают величину 9 Я при Т < 5 К. При этом должен наступить размерный кроссовер.

Оценка параметра 0 в модели слоистого кристалла с джозевсоновским взаимодействием слоев (91

8Ф

е =-:---(5)

дает значеше ^ 5.5, что близко к значению, при котором джозефсоновское взаимодействие становится определяющим.

В шестой главе изложены экспериментальные результаты то исследованию физических свойств нормального и сверхпроводящего состояния в слоистом кристалле Re^Nbj^S^ х < 0.5.

Рентгеноструктурше исследования показывают, что все образцы .(за исключением х = 0,1) однофазнн. При х > 0,1 расстворение рения происходит скорее всего по типу замещения. Увеличение содержания рения приводит к уменьшению постоянной решетки в слое и увеличению параметра с мекслойного расстояния. Исходная 2Н-структура сохраняется. Объем элементарной ячейки при этом сохраняется. Так как по мере увеличения х параметр а уменьшается до значений, характерных для диселенида ниобия, можно предположить, что слой является "гофрированным". При одинаковой укладке слоев "гофрирование" долзгао приводить к увеличению параметра с, что и подтверждается рентгеноструктурными исследованиями.

Исследования температурной зависимости магнитной восприимчивости показывают, что ее ыаюга разделить на две части: температуронезависящую

А = №

р u <11 а

(где X - парамагнетизм Паули, %л, - диамагнетизм ионного остова,

р .día

X - поляризационный магнетизм Ван-Флека) и температурозависящуя, которая описывается выражением

Х(Т) =

Проведенное в работе разделение различных вкладов в магнитную восприимчивость показывает немонотонную зависимость их от концентрации рения. Паулевский вклад пропорциональный

неперенормировенной на электрон-фононное взаимодействие плотности состояний на уровне Ферми, с увеличением концентрации рения вначале понижается, затем растёт и снова спадает. Вклвд температурозависящей части имеет аналогичную зависимость.

Результаты исследования электронного строения 2Н-№Зеа методами РЭС И РСП указывают на факт гибридизации валентных р- я (1- электронов атомов ниобия с з~ и р- . валентными состояниями хвлькогена, что свидетельствует об отсутствии гибридизованной щели между указанными состояниями. Показано существенное разрыхление химических связей, осуществляемых р- и (1- валентными электронами ниобия при переходе от металлического ниобия к 2Н-№Зеа- При образовании раствора 'замещения до концентрации х = 0,4 наблюдается перенос электронной" плотности с атомов рения в (1-оболочку таобия й на атомы селена. Выше х - 0.4 возникает обратный перенос электронной плотности. Наблюдается возникновение на атомах ниобия неспаренной спиновой плотности, вариация которой совпадает с изменением общей электронной плотности й- оболочки ниобия. -

Проведенные в работе исследования температурной зависимости теплоемкости, удельного сопротивления, критических параметров позволили установить корреляции между изменениями . плотности состояний АГ(Ер) на уровне Ферми и вариацией ,Тд. Показано, что качественное изменение Т^ коррелирует с изменением в соответствии с формулой Мак-Миллана ПО]

0П г -1.04(1+*) •] ТЛТТ45 етР [ " М1*(1+0.62Я) ]

Показано, что рассматриваемые соединения являются анизотропным сверхпроводником с сильной связью в ""грязном" пределе. Температурная зависимость.второго критического-поля для рядё соединений укладывается в схему Янгнера - Клемма С12] для сверхпроводников второго .рода с учетом анизотропии рассеяния. На основании экспериментальных двдаых определены, параметры, характеризующие сверхпроводящее состояние, и их концентрационные и температурные зависимости.

В седьмой главе изложены и проанализированы эксперименты по влиянию одноосного давления на Т диселенйдэ ниобий И диселенида

С

ниобия с примесью олова в области давлений до 4.5 кбар, а также

влияние гидростатического давления на Т диселенида ниобия интеркалированного дейтерием, Здесь ' же приведены вкспериментальные . результаты цо влиянию гидростатического давления на ¡электросопротивление соединения Рй1/з№3ея.

Приложение ' давления . вдоль оси с приводит к резкому возрастанию температуры сверхпроводящего перехода диселенида ниобия. В максимума она составляет от 9.5 К до 10 К для различных образцов прч давлении 1,4 кбар. При дальнейшем повышении давления ода понижается, и при давлении 4 кбар. составляет 7,2 К,

Ранее в работе 1121 было показано, что при приложении одноосного давления в той не геометрии температура оверхпроврдящегр перехода диселенида -ниобия монотонно падает. Однако дискретность по давлению в этих экспериментах была свыше 5 кбар, и интервал низких давлений не был исследован. Поведение ^ВЗП т®кме не исследовалось. Б ннстчшцих. экспериментах показано, что температура возникновения ВЗП понижается, а поведение То коррелирует 0 поведением остаточного сопротивления.

С целью ■выяснения влияния примеси на эффект одноосного давления аналогичный эксперимент был проведен, на образцах диселенида ниобия' с примесью олова. Закон изменена То с увеличением давления сохранился, однако ранее наблюдаемая корреляция с остаточным сопротивлением нарушается, при этом значение Т в максимуме понижается, в его положение смещается в

О

область более высоких давлений.

Характер поведения Н' .СТ) на образцах №) Бп Бе зависит от

О 4--1» 2 — К к

давления. При повышении давления вначале наблюдается появление положительной кривизны вблизи Т , переходящей затеи в две линейные зависимости с точкой пересечения,' зависящей от давления.

Наблюдаемый эффект немонотонной зависимости Т (Р)

О

рассматривается в модели, учитыващей то, что полная плотность электронных состояний выражается через плотность состояний в слое йЧЕ), одномерную Н(Е), связанную с движением электронов поперек слоев. Учитывая лишь взаимодействие двух ближайших соседей, полная плотность состояний может быть представлена

М(Е) = ^ /дК (Е - е0)а, ■ где I - энергия межслоевого взаимодействия, £ - энергия,

соответствующая пику плотности • состояний. При увеличении интеграла перекрытия слоев, обусловленного давлением и, учитывая то что уровень Ферми 2Н-МЬЗеа смещен по отношению к пику плотности состояний, плотность состояний на уровне Ферми может проходить через максимум, а затем монотонно понижаться. Вместе с через максимум будет проходить и Т , поскольку

" О

То 5! ехрГ -М(ЕГ)Г'

Используя соотношения микроскопической теории

сверхпроводимости, рассчитаны величины длин свободного пробега, длины когерентности и изменения скорости Ферми. ' Влияние гидростатического давления на сверхпроводимость 2Н-Ш5еа, гН-ШЗе Б , 2Н-ЛЬ йп заключается в монотонном росте Т с

3 л х х 3 ' о

увеличением давления. Однако в образцах гН-ГОгёе^ и 2Н-КЬ, 5п .?е„ величина (1Т /с1Р в области малых давлений

1 - * я 3 о

значительно превосходит таковую для 2Н-НЬЗеа. Причем наблюдается две области роста То с различными значениями производной. Переход от одной области к другой коррелирует с максимумом То, наблюдаемым В экспериментах по одноосному давлению.

В монокристаллах нв температурной зависимости

электросопротивления при Наложении гидростатического давления наблюдается скачок сопротивления при Т , имеющий гистерезисный характер по температуре, связанный с наличием фазового перехода 1 рода в области давлений выше 6 кбар. Величина йТн/йР = 16 К/кбар строго линейна с давлением. Объяснение природы наблюдаемого фазового перехода дано в работе [13], где было показано, что он может быть, связан со смещение^ атомов Ре в направлении перпендикулярном слоям и образованием нового- периода в плоскости слоя. Это приводит к рассечению зоны Бриллюэна новыми брэгговскимм плоскостями и, как ' следствие, к уменьшению концентрации носителей в . зоне проводимости, поскольку образованная сверхструктура имеет период больший, чем исходная. В дальнейшем это было подтверждено экспериментально.

В восьмой главе приведены результаты по синтезу и исследованию физических свойств монокристаллов УВазСиэ07_д.

Проблема получения совершенных объектов для исследования природы высокотемпературной сверхпроводимости является одной из

самых значительных, и для ее решения требуется создание совершенной технологии. Задача усложняется тем, что качество кристаллов,, обычно получаемых из расплава,, зависит от многих, факторов, включая материал тигля, состав компонент, скорость кристаллизации и т.д.

Оптимальный метод, при помощи которого удается получать большие серии кристаллов с воспроизводимыми свойствами, предложен и реализован при выполнении настоящей работы. При соблюдении прочих условий, необходимых "для получения монокристаллов высокого качества кристаллизацией иэ расплава, требовалось решить задачу об освобовдении выросших кристаллов от растворителя в процессе синтезе. С другой стороны, материал' тигля не должен 'Вносить примеси в получаемые монокристаллы. В качестве кристаллизатора наш выбрана лодочка из золота длиной * 20 см. в которой осуществляется полный цикл синтеза. Было обнаружено,. что если создать определенный температурный градиент вдоль лодочки, часть расплава движется и район с пониженной температурой. Это приводит к тому, что выросшие кристаллы освобождаются от раствора и, таким образом, поверхность выросших кристаллов имеет идеально чистую поверхность. Размер кристаллов, получаемых таким методом, 5 х 5 х 0,1 мма. Если кристаллизация происходит не в атмосфере кислорода, их необходимо отшгать. Температура сверхпроводящего . перехода таких кристаллов равна 92 - 92 К, а размытие . перехода, определяемое по резистивнш измерениям, ¿Т = 0.13 К на уровне (0,1 - 0,9)11,. Внедрение золота в кристаллическую решетку монокристаллов, растущих вблизи стенок, не сказывается на Т . Разработанная методика позволяет получать крипт ими ооотння ВеВазСиэ0?_е, где Иа = У, Но, Пу. ,

Исследование температурной зависимости электросопротивления осуществлялось по'методу Монтгомери, используемого обычно для анизотропных кристаллов. Показано, что располжение контактов на образце существенным образом влияет на распределение тока и на характер температурных зависимостей електросопрэтивления.

Ряд характеристик, полученных из исследования температурной зависимости электросопротивления.вдоль оси с на кристаллах с различным содержанием лабильного кислорода и различной степенью совершенства представлена в таблице 1, где 1,2,3,4,5,6 - номера

образцов. Скорость кристаллизации 0,5° С/час для образцов 3,4, а для 1,2,5,6 - 4° С/час. Монокристалл 1 не обладает блочной структурой. Как видно из таблицы, температурная зависимость электросопротивления изменяется от линейной до активационной с переменной длиной прыжка.

Вклад сверхпроводящих флуктуаций в проводимость рассмотрен в теоретических работах Асламязова-Ларкина [14] и Лоуренсв Доньяха Ш. Температурная зависимость избыточной проводимости определяется соотношением

е2 е3

А а =-е"1/я, До =-- е-1

20 32Ь£ (0) 30 16ГЙ

О

для трех- и двумерного случаев, где'е = (Т-Т )/Т и (1- толщина слоя.

В предельном случае вблизи Т (когда Г» 1) и вдали от Т

о о а

(когда ? « (1) должен наблюдаться эффект кроссовера, описываемый уравнением

I (Т) = С (0)е'1/а= с1/2

' Ь а

Обычно на эксперименте вклад флуктуаций в проводимость определяется как отклонение от линейной зависимости ниже температуры, где она нарушается

Ла = о-0о^р-ро = р_ (А 4- ВТ)"1

где аир- экспериментально определяемые проводимость и электросопротивление без вклада флуктуаций. Однако оценка £о(0) в существенной мере зависит от выбора То и Ро. Даже если флуктуашонный вклад в проводимость хорошо описывается вышеприведенными уравнениями, вычисленная величина Е=(0) лишена физического смысла (С (0) < 1 А"). С другой стороны возникает

С

вопрос о правомерности такого подхода, поскольку даже монокристаллы . можно отнести к ■ пространственно неоднородным сверхпроводникам, так как известно, что существуют фазовые переходы, связанные с упорядочением вакансий.

Более корректно определить ?ц(0) исходя из измерений вклада флуктуаций в магнитную воспрхшмчивость, хотя возникает вопрос о вкладе двойников. Следуя выражению, описыващему вклад

Таблица 1.

Тип проводимости вдоль оси с для различных монокристаллов

К

Физические характеристики Номер образца

1 2 3 4 ■5 6

р(Т) РоеЛ/кт РоеЛАт АТА/„т ат ВТ'^ехр* ВТ1/2ехр»

х(Т/Т)1'4 *(Т/Т)1У4

А, »V Т>150 К'' 16.2 14-6 16.0 - -

А.швУ !Е< 150 К 19 • 16.4 14.5 ' - -

Р|(290 К) й«а 6,95« 10'4 4,23'10~4 1,4-10'" 1,2-10"* 2«10~э 8,4«10"3

Рц(95 К), 27,74-10"4 15,06« Ю-4 1,68'Ю"4 0.86*10~* ■ - ■ -

Очи

Рх<290 К) 12*10"® 10«10"6 5'10'в 5*10~в 2,3»10~Е 5'10"Е

П'И

Р_!_(95 К), 42«10~6 • 3,5* 10"в- 1,75'10"£ 1,70'10~в ' -

П'Ш

г.. К 91 92 ■ 90 92 60 15

V Т03'К - - - ■ - з,б'107 3,6«107

: - _ : 2,4« ГО7. 9,8«.106 т,1'104 7, МО6

Р,/Р± 57 28 42 , 25 • 87 170

сверхпроводящих флукгуаций в магнитную восприимчивость 1 ГС1ЦГЁ . (0) f ri -.1/2 -t/3

v . ■

где (и /и ь) - отношение масс и для двумерного случая

itk Т

ОД = - —в-

30 ЗФ0

учитывая, что в ориентации Hic вклад флуктуация незначительный, можно определить

¿X = ЬХ0 + ОД1

где ЛХо - Ха.

Проведенные в настоящей работе эксперименты показали, что s 2.2« Ю-7 emn/g, значение (га /ш )1уз= Н^/Н® = 7 ± 1, и

о ab о2 о2

учитывая тот факт, что^ экспериментальные данные хорошо описываются соотношением - - AE~Iya, где А = (1,6 i 0,2)«Ю-7 еш/смэ, получаем

СаЬ(0) = 15.4 +3 1; ео(0) = 2.3 i 0.8 Я,

что удовлетворительно согласуется со значениями, полученными в измерениях Но3(Г).

Наличие фазового перехода в монокристаллах YBaaCu307 q обнаруживается по измерениям коэффициента линейного термического расширения (КЛТР) вдоль и перпендикулярно оси с, термойдс, модуля Юнга. Анализ совокупности экспериментальных результатов и литературных данных позволяет сделать вывод,, что в определяющей мере он связан с упорядочением в кислородно-вакенсионной подсистеме.

В девятой главе приводятся эксперименты по созданию элементов со слабой связью на основе кристалла 2H-NbSea и исследование их вольт-амперных и вольт-полевых характеристик. Показано, что эффективным методом подавления критического тока слабых связей может служить избирательное.интеркалирование водородом , дейтерием. При этом удается уменьшить критический ток более, чем в 100'раз.

Синтезированное соединение ReJibj ^Sea • и терморезисторы на

его основе, • могут бить применимы в микрокалориметрии. Предложенный резистивный датчик давления на кристаллах Ре^^Л^ обладает строго линейной шкалой и высокой чувствительностью по давлению ^ 16 К/кбар.

Приведенные выше методика .и датчики, защищены авторскими свидетельствами на изобретение.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные результаты, полученные в диссертационной работе, заключаются в следумцем:

1. Синтезированы монокристаллы ряда дмалькогенидов 2Н-Ш5ез,

2Н-№й . и их соединений 2Н-Ш Ие Яе , ШБ .

а' а 1-х и а 1/3 а

Отработаны -методики интеркалирования водородом, дейтерием и молекулами ТСВД даселенида ниобия.

2. Разработана методика создания одноосных давлений при гелиевой температуре в магнитном поле.

3. Проведено исследование рентгеноэлектронных спектров и осуществлен рентгеноспектральный анализ образцов 2Н-Ш3е , 2Н-№1 ^Нв^Бе . Уточнена ширина зоны проводимости 2Н-НЬЗеа и показано отсутствие гибридизованной щели между валентными р- и (1- • состояниями электронов атомов ниобия и й- и р-. валентными состояниями халькогена. В соединении №"> Ие йи определено

1-х к з

перераспределение зарядовой и нескомпенсированной стшовой плотности на атомах элементов при замене в соединении ниобия на рений.

4. Проведено сопоставление положения фононных пиков, обнаруженных на микроконтактных спектрах для 2Н-НЬйе , о теоретическими расчетами, имеющимися в литературе. Показано качественное совпадение по анергии наблюдаемых особенностей с расчетными. Обнаруженные низкоэнергетические особенности 10 мэВ соответствуют колебаниям амплитуды и фазы ВЗП.

5. Исследовано магнетосопротивление в монокристаллах 2Н-ЫЪЗе и показано, что в слабых магнитных нолях и ч < 1 оно линейно.

с

Зависимость кр!тического тока в 2Н-НЬ2ьа от температуры и магнитного поля немонотонна и может быть интерпретирование в модели Кима-Андерсона. Исследованы критические параметры, сверхпроводящего состояния

6. Исследованы кинетические и термодинамические характерис-

тики интеркалированных водородом и дейтерием 2Н-1№5еа в цорлальном и сверхпроводящем состоянии. Определены изменения критических параметров в зависимости от концентрации водорода. Обнаружен эффект возрастания критических параметров 2Н-НЪЗеаН0 оа при воздействии магнитного и электрического полей.

7. Показано, что по модуляции углойых зависимостей критического поля, СЕЯзанпой с образованием концентрационных сверхрешеток, можно определить их расположение в матрице и, используя теоретическую модель, определить период.

8. Исследованы критические параметры и зависимость сопротивления от температуры соединения 2Н-№)Зеа(ТСВД)о . Обнаружен переход метвлл-юлупроЕодник при Т = 250 К и повышение температуры ВЗЛ дб 46 К. Исследованы температурные и угловые зависимости критического поля. Показано, что угловые зависимости описываются моделью, применимой для тонких пленок.

- 9. Проведены рентгеноструктурные и рентгеноспектральные исследования Яе N1) 5еа. Определены размеры элементарной ячейки для х 5 0,5; ^установлено перераспределение зарядовой и нескомпенсйрованноЙ спиновой плотности при образовании соединений. Исследованы кинетические и .термодинамические характеристики в нормальном' и сверхпроводящем состоянии. Установлены корреляции между критической температурой и изменениями электронного спектра.

10. Проведены эксперименты по влиянию одноосного и гидростатического давления на критические параметры соединений Ш3еа,

Б , Ш) Зп 5е , Ге „ШЗ . Установлено изменение

а. * • 1-* >« а' 1/э г

критических параметров о давлением. Обнаружен скачок сопротивления, связанный, с фазовым переходом.

11. Усовершенствован метод раствора-расплава для получешм совершенных монокристаллов ВеВааСиа07 д (Ее = У, Но, Пу), позволяющий получать .кристаллы, свободные от наплава растворителя, и извлекать из тигля образцы, не подвергая их деформации.

12. Исследованы температурные зависимости электросопротивления монокристаллов УВА Си 07 д вдоль и перпендикулярно плоскости слоев. Установлен тип проводимсости вдоль оси с в зависимости от стехиометрии и блочности монокристаллов. Определены вклады

сверхпроводящих флуктуация выше То в проводимость и магнитную восприимчивость. Установлено наличие фазового' перехода вблизи 240-250 К.

13. Разработана методика подавления критического тока слабых связей в датчиках магнитного потока на основе 2H-NbSea, созданы терморезисторы на основе соединения Rö^Mb' xSea и датчик давлений на основе монокристаллов ReJJb^Se .

Проведенные исследования показали, что моашо выделить ряд перспективных направлений в физике • квазидвумерных: t систем. Расширение класса слоистых соединений путем замены элементов может привести к создание оригинальных накопителей 'водорода, дейтерия, открытию новых сверхпроводников. Слабая химическая активность дихалькогенидов благоприятствует созданию, на их основе малогабаритных терморезисторов открытого типа, например, для микрокапоршетрии.

Совершенно не исследованы соединения Pt/1M(S, Se, Те) (где Р а Fe, Ni, Со; М = NÖ, Та, V) под гидростатическим давлением.

Не менее интересным и перспективным направлением научных ' исследований являются . интеркалированные слоистые системы, где возможно проявление совершенно новых свойств.

Список цитированной литературы:

1. Lawrence W.E., Denlaeh S. Theory of layer structure superconductors // Proc. 12th Int.Conf. on Low Тешр.РЬуз. / Kyoto, - 1970. - P.361-362.

2. Ицкевич E.C. Бомба высокого давления для работы при низких температурах // ПТЗ.- 1963.- N 4.- С. '148-151.

3. Anderson P.W., К1и Y.B. Hard superconductivity ' theory oi motion oi Abrlkoaov Гlux lines // Rev.Mod.Phys. - 1964. -

36, N4, pt.1. - P. 39-43..

4. Wilson A. The electrical 'conductivity or. the transition metals // Proc.Roy.Soc. - 1936. - ¿167. - p. 580-593.

5. . Минегою E.B., Шехтер P.И., Кулик И.О. ' Критические поля в

сверхпроводящих сверхструктурах // ФНТ. - 1980. - 6, N 5. -С. 586 - 698.

6. Rice Т., Scott G. Hew mechanism for a charge density wave

• Instability // Phyg.Rey.Lett. - 1975. - 32, N 2. - P. 120-123.

7. Кац Е.И. 0 некоторых свойствах слоистых структур // ЖЭТФ.-1969. - 56, N 5. - С. 1675-1684.

8. Тинкхам М. Введение в сверхпроводимость. - Ато»лиздат. - 1980. - 310 о.

9. Булаевский Л.Н. Неоднородное состояние и анизотропия верхнего критического поля в слоистых сверхпроводниках с дкозефсоновским взаимодействием слоев // ЖЭТФ.- 1973.- 65, внп.З. - С. 1279 - 1287.

10. McMillan VJ.L. Transition temperature of strong-coupled superconductors // Phya.Rev.- 1968.- 167, N 2. - P. 331-334.

11. Youngren D.W., Klemm R.J. Theory of the upper critical field in anisotropic superconductors // Phya.rev.- 1980. - В2Э, H 9. • P. 3890-3896.

12. Sambongl T. Effect of uniaxial stress on the superconducting transition temperature of NhSea // J.Low Temp.Phya.-1975.-18, -N 112. - P. 139-146.

13. Кошкин B.M., Забродский Ю.Р,, Запорожский В.Д. и др. Термодинамика структурного фазового перехода в Fe NbSa под давлением // ФНТ.- 1988.- 14. К 8.- С. 850-858. 1 3

14. Асламазов Л.Г., Ларкин А.И. Влияние флуктуации на свойства сверхпроводника при температуре выше критической //

ФТТ.-1968. - 10, if 4. - С. 11.04-1111.

Основные результаты диссертации отражены в работах;

1. Балла Д.Д., Головко Л.С., Колесников В.Н., Оболенский М.А., Чашка Х.Б. Влияние интеркалировакип водородом на температурную зависимость электросопротивления монокристаллов 2H-NbSea // ФНТ. - 1978. - 4, N 5. - С. 617 -621.

2. Балла Д.Д., Мамалуй А.А., Оболенский М.А., Стародуб В.А., Чайка Х.В. Аномальная тешературнвя зависшость электросопротивления монокристаллов 2h-lfbSe 2 интеркалировадаых ■TCNQ // ФНТ. - 1979. - 5, Ц 9. - С. 1080 - 1082.

3. Оболенский М.А., Чэшна Х.Б., Балла Д.Д., Белецкий В.И. Вольт-амперныр характеристики мостиков из NbSea чистых и интеркалированннх водородом // ФНТ. - 1981. - 7. - С. 838 -844.

4. Оболенский М.А., Чашка Х.Б., Белецкий В.И., Стародуб В.А.

Критические параметры монокристаллов 2H-NbSea,: чистых иинте-ркалированных молекула,ни TCNQ //ФНТ. - 1982. - 8, И 2. - С. 174 - 179.

5. Подгорный А.Н., Бастеев A.B., Оболенский М.А., Чашка Х.Б. Аккумулирование водорода диселенидзм ниобия // ДАН УССР. -1983. - Сер. "А", N 12. - С.. 72-74. -

6. Оболенский М.А., Чашка Х.Б., Бастеев A.B., Миненко Е.В. Особенности температурной зависимости электросопротивления и критических параметров сверхпроводящего состояния Н^№3ез // ФНТ. - 1984. - IQ, N б, - С. 590 - 597. *

7. Оболенский М.А., Белецкий В.П., Чашка Х.В., ! Стародуб В.А., Балла Д.Д. Электросопротивление и .мвгнетосопротивление 2Н-NbSe .интеркалированного ТСВД // ФНТ. - 1934. -7, N б. - С.

" 752 - 760.

8. Оболенский М.А., Белецкий В.И., Чашка Х.Б., Бастеев A.B. Усилений сверхпроводящего состояния в системе 2H-NbSea - водород //. ШТ. - 1984. - ¡0, N 7. - С. 74? - 747. •

9. Бобров Н.М., Рыбальченко , ичю-ун В.В., Оболенский М.А. Микроконтактные спектры 2H-MbSe в сверхпроводящем состоянии // ФНТ. - 1985. - И, N 9. -- С.3925 - 936.

10. Оболенский U.к., Чашка Х.Б.', Соколов А.Н. Особенности вольт-амперных и вольт-полевых характеристик монокристаллов 2H-NbSea в интервале температур 5-7,2 К // ФНТ. - 1935. - Ц, N 7. - С.698 - 702.

11. Оболенский М.А., Зо Ен Сик, Белецкий В.И., Чашка Х:Б.,. Гвоздиков В.Н. Сверхпроводнике свойства слооистого .соединения. N1) R9 Se // ФНТ. - 19S5. - П, N 12: - С. 1239 - 1244. '

х 1-х 2 -

12. Балла Д.Д., Вондаренко A.B., .Оболенский М.А., 'Запорожский В.'Д. Магнитный фазовый переход в Fai/;jKbS2 под давлением // ФНТ. - 1985. - И, N 12. - С. 1289 - .1292.

13. Баумер В.Н., So Ен Сик, Оболенский М.А., Чашка Х.Б. Рентгенографические исследования слоистой системы Be](Nb1_)(Se2 // Кристаллография. - 1936. - 31, вып.З. - С. 590 - 591.

14. Оболенский М.А., Белецкий В.И., Чашка Х.Б., Бейлинсон В.Н. Теплоемкость системы NT)Sea - водород // ФНТ.' - 1936. - 12, Н 8. - С. 865 - 869.

15. Скрипов A.B., Степанов А.П., Оболенский М.А. Ядерный магнитный резонанс в системе KbSe - водород // ФНТ. - 198Т.

- 13, N 3. - С. 283 - 287.

16. Оболенский М.А., Белецкий В.И., Чашка Х.Б., Бегиашвили А.Г. Температурная зависимость электросопротивления слоистого полупроводника ReSea // Сб. реф. НИОКР. - 1987. - Сер.РТ, N 47.

17. Оболенский М.А. Сверхпроводимость и энергетические спектры слоистых дихалькогенидов переходных металлов // УФН. - 1988.

- 156, N 2.

18. Оболенский М.А., Чашка Х.Б. Влияние одноосного давления на температуру сверхпроводящщего перехода диселенида ниобия // 7 Всесоюзн. конф. по ФНТ / Ужгород, 1988. - 1с.

19. ; Немошка ленко В.В., Гусева JI.B., Уваров В.Н., Ерещенко A.A., Сенкевйч A.M., Оболенский М.А. Исследование особенностей электронного строения ренийсодержащих слоистых кристаллов, на основе NbSë3 методами рентгеновской и рентгенэлектронной спектроскопии // Металлофизика.- 1989. - П, N 1. - С. 46 -49. ■

20. Оболенский М.А., Бондаренко A.B.» Белецкий В.П., Гвоздиков В.М. Влийние одноосного давления на температуру

. сверхпроводящего перехода диселенида ниобия'// ФНТ. - 198В. -15, N 9. _ С. 984 - 988

21. Оболенский М.А., Бондаренко A.B., Зубарева М.О. Локализация носителей и сверхпроводимость й монокристаллах УВааСиэ07 q // ФНТ.- 1989. - 15, N 11. - С. 1152 - 1159.

22. Obolenskil H.A., Êondarenko- A.V., Beletskli V.l. Carrier iranfer klnéties phase transition and . fluctuation enhaced phenomena in YBaCuO // ФНГ. -'1990. - ¡6, N 5. - C. 574 -577.

23. Оболенский М.А., Белецкий В.И., Попов В.П., Чеботаев H.H., Панфилов A.C., Смирнов A.A., Миронов O.A., Чистяков C.B., Скрнлев И.Ю. Синтез и фиуические свойства монокристаллов YBa Си 0 а // ФНТ. - 1990. - 16, N 9. - С. 1103 - 1127.

а 5 7-0 —'

24. Оболенский М.А., Белецкий В.И., Полторацкий Ю.Б., Чашка Х.Б. Влияние однооосного давления на критические параметры соединений NbSe и- Sn Nb Se // 26 Всесоюзн. совещ. по

2 0,10,92

ФНт'/ Донецк. - 1990.

25. Попов В.П.,' Бондаренко A.B., Оболенский ' М.А. Анизотропия линейного расширения монокристаллов УВазСиз07_§ // 26 Всесоюзн. совещ. по ФНГ / Донецк. - 1990.

26. Забродский Ю.Р., Запорожский В.Д., Прохватилов А.И., Серебрянин Н.Р., Оболенский М.А. Рентгенографическое исследование структурного фазового перехода в FewaNbSea // Укр. физич. журнал. - 1990. - <55, N 3. - С. 422 - 425.

27. Чашка X.Б., Белецкий В.И., Оболенский М.А., Полторацкий Ю.В. Влияние одноосного давления на критические параметры диселенида ниобия с примесью олова // ФНТ. - 1991. - 17, N 4.

28. Бойко B.C., Оболенский М.А., Чашка Х.Б. Увеличение критических параметров гетерофазних сверхпроводников циклической обработкой в магнитном поле // ФНТ. - 1991. - 17, N 4. - С. 532 - 535.

29. Obolensky М.А., Chaslika Kh.B., Beletöky V.l. et.-al. Hydrogen In layer structures // Int.J.Hydrogen Energy.- 1993,- 18,-

N 3.- P.217 - 222. ■