Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Обзор литературы по физическим свойствам сульфида и селенида меди.

1.1. Структурное исследование сульфида и селенида меди

1.2. Электрофизические свойства сульфида и селенида меди.

1.3. Оптические свойства сульфида и селенида меди

ГЛАВА П. Получение поли- и монокристаллов Cu2S и Cu^Se и методика измерения.

2.1. Синтез сульфида и селенида меди

2.2. Выращивание монокристаллов сульфида и селенида меди методом медленного охлаждения.

2.3. Методика измерений и принцип действия установки для одноосного сжатия.

2.4. Методика измерений и описание установки для исследования электрических свойств

2.5. Методика измерений оптических свойств

2.6. Изготовление образцов для исследований.

ГЛАВА Ш. Механические свойства сульфида и селенида меди

3.1. Диаграмма растяжение-сжатие.

3.2. Потенциальная энергия деформации.

3.3. Исследование механических свойств поли- и монокристаллических соединений Cu2S в ходе одноосной деформации в температурном интервале (293-773 К)

3.4. Исследование механических свойств поли- и монокристаллических соединений Си23е в ходе одноосной деформации при различных температурах

ГЛАВА 1У. Изучение электрофизических свойств соединении

Cu2S и Cu2Se при одноосном сжатии.

4.1. Влияние деформации на электрофизические параметры полупроводника.

4.2. Влияние одноосного сжатия на проводимости полии монокристаллических соединений Cu2S

4.3. Влияние одноосного сжатия на проводимости полии монокристаллических соединений Cu2Se

4.4. Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры и давления.

ГЛАВА У. Влияние одноосного сжатия на оптические свойства соединений Cu2S и Cu2Se.

5.1. Прямые и непрямые оптические переходы.

5.2. Исследование зависимости коэффициентов отражения и поглощения от давления для соединения Cu^S

5.3. Исследование зависимости коэффициентов отражения и поглощения от давления для соединения CUgSe

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДА.

Актуальность темы. Возрастающий интерес к исследованию свойств сульфида и селенида меди вызван тем, что они обладают особыми фотоэлектрическими и термоэлектрическими свойствами, имеющими большое практическое применение. Так, например, результаты работ [l-З] свидетельствуют о том, что Cu2Se с избытком меди является перспективным термоэлектрическим материалом для положительных ветвей полупроводниковых термоэлементов. А сульфид меди используется в качестве эффективного инжектора дырок в гетеро-структурах, для которых характерна электролюминесценция. Практически важно, что халькогениды меди сохраняют полупроводниковые свойства при температурах, выше температуры плавления. Это делает перспективным их использование в качестве основных сплавов для жидких термоэлементов.

Кроме того, сульфиды и селениды меди находят широкое применение при изготовлении быстродействующих переключателей, датчиков излучения, термодатчиков, пленочных элементов [4].

В некоторых случаях полупроводники и полупроводниковые приборы (сконструированные на основе халькогенидов меди) находятся в специфических условиях, в которых они подвергаются одноосному сжатию и растяжению, в результате чего изменяются их механические, электрические и оптические свойства. Отсутствие данных о механических (предел прочности, модуль Юнга), и электрофизических (термический коэффициент и коэффициент давления, ширина запрещенной зоны, константа деформационного потенциала валентной зоны и зоны проводимости и т.д.) свойствах при одноосном сжатии вызывает ряд трудностей при конструировании полупроводниковых приборов. Кроме того изучение влияния давления на электрофизические и оптические свойства кристаллов дает возможность судить об энергетических зонах, указанных соединений.

Несмотря на то, что электрофизические свойства халькогени-дов меди изучены подробно [5-10], все еще остается почти не исследованным влияние одноосной деформации на их электрофизические и оптические свойства. А имеющиеся несколько работы посвящены только изучению влияния одноосной и всесторонней деформации на электрические свойства халькогенидов меди [11,12].

Не были изучены также и такие параметры как модуль Юнга, предел прочности, электропроводность и оптические свойства при одноосном сжатии, что позволило бы судить о зонной структуре сульфида и селенвда меди. Эти исследования дали бы возможность выявить перспективность данных материалов в качестве тензодатчиков. Поэтому большое значение приобретает экспериментальное изучение физических свойств этих соединений.

Целью настоящей работы является изучение вляиния одноосного сжатия на механические, электрические и оптические свойства поли-и монокристаллических образцов Cu^S и Cu^Se при различных температурах, а также выявление возможности создания тензодатчиков на их основе.

Для достижения указанной цели в работе были поставлены следующие задачи:

- разработать оптимальный режим получения монокристаллов

Cu2S и CujSg.

- исследовать механические свойства (Е , <3ПР ) под действием одноосного сжатия в широком интервале температур.

- изучить влияние одноосного сжатия на электропроводность в широком интервале температур.

- 6

- выяснить влияние одноосного сжатия на оптические свойства кристаллов Cu2S и Cu2Se .

Научная новизна проведенных исследований заключается в следующем:

1. Определены предел прочности (<jn9) и модуль Юнга (Е ) в широком интервале температур для соединений Cu^S и Cu^Se» Уста— новлено, что на температурной зависимости предела прочности и модуля Юнга в области фазового перехода имеется минимум для и максимум для Cu£Se .

2. Выяснен механизм изменения электропроводности кристаллов при одноосном сжатии. Определен для обоих соединений коэффициент давления ширины запрещенной зоны в широком интервале температур. Оценено относительное изменение значения константы деформационных потенциалов.

3. Определены типы переходов, формирующих край фундаментального поглощения в кристаллах сульфида и селенида меди, а также влияние одноосного сжатия на ширину запрещенной зоны, соответствующей указанным переходам.

4. Выяснена возможность получения чувствительных тензодатчи-ков на основе кристаллов CugS , Cu^Sg и определена температурная зависимость коэффициента тензочувствительности.

Практическая ценность данной работы состоит в той, что в ней разработан оптимальный режим технологии получения монокристаллов Cu2S ,CuzSe и определны такие механические параметры, как модуль Юнга и предел прочности, которые необходимы при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности, тензорезисторных элементов на основе CugS и Cu^Se. Полученные данные об изменении деформационных потенциалов и ширины запрещенной зоны могут быть использованы при расчете зонной структуры этих кристаллов.

Показано, что Сц2$ и Cu^Se являются перспективными материалами для изготовления тензодатчиков.

Вносимые на защиту научные положения сводятся к следующему;

1. Наличие максимума для Cu^Se и минимума для Cu2S модуля Юнга и прочности на температурной зависимости связаны со структурным фазовым переходом.

2. Под действием одноосного сжатия электропроводность сульфида и селенида меди растет, что может быть связано с уменьшением эффективных масс и ростом подвижности носителей заряда.

3. Под действием одноосного сжатия происходит уменьшение ширины запрещенной зоны кристаллов Ctl2S и Сцг$£.

4. Край собственного поглощения сульфида меди формируется прямым и непрямым переходами, а селенида меди - прямыми переходами, с различных ветвей валентной зоны в зону проводимости. При одноосном сжатии уменьшается расстояние между уровнями соответствующих переходов.

Апробация. Материалы диссертационной работы докладывались на научной конференции профессорско-преподавательского состава Азгосуниверситета им.С.М.Кирова (г.Баку,1974) и на семинарах кафедр физики полупроводников и строения вещества Азгосуниверситета им.С.М.Кирова.

Публикация. По результатам проведенных исследований опубликовано 8 работ.

Объем и структура. Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных выводов и содержит 134 страниц, 47 рисунков, 5 таблиц и 107 наименований литературы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш., Хакимов К. - Электромеханические свойства поликристаллического сульфида меди. Изв.АН Аз.ССР, сер. физ.-техн. и мат.наук, 1978, М, с.66-70.

2. Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш., Хакимов К,- Механические свойства соединений Cu2S и Cu2Se при различных температурах. ДАН Азерб.ССР, 1979, т.35, №3, с.24-27.

3. Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш., Хакимов К.- Влияние одноосной деформации на электрофизические свойства Cu2S при различных температурах. ДАН Азерб.ССР, 1979, т.35, М, с.23-26.

4. Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш.- Влияние одноосного сжатия на электромеханические свойства Cu2S и Cu^Se при различных температурах. В сб. электромагнитные и оптические явления в твердых телах. Изд. Азгосуниверситета им.С.М.Кирова, Баку, 1981, с.13-20.

5. Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш., Гасанов Р.Г.- Влияние одноосной деформации на электрофизические свойства соединений Cu2xS е при различных температурах. Изв. АН Азерб.ССР, 1981, №5, с.88-91.

6. Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш., Гасанов Р.Г.-Влияние одноосной деформации на электрофизические свойства монокристаллов

Cu,xs (0 < x < 0.27) при различных температурах. ДАН Аз.ССР, 1982, т.38, II, с.28-30.

7# Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш. - Механические свойства монокристаллов Cu2„xS и Cu^xSe при различных температурах в ходе одноосной деформации. ДАН Аз.ССР, 1982, т.38, 15, с. 39-41.

8, Ибрагимов Н.А., Мамедов М.Ш., Чирагов М.И. - Зависимость прочности моно- и поликристаллических образцов Cu2S и Cu2Se от температуры. ДАН Аз.ССР, 1983, т.39, №-5,с.33-36.

1. Сорокин Г.П., Мунтян С,Д. - Сплавы меди с селеном и теллуром. Изв. АН. СССР, Неорган.материалы, 1967, т.З, №10, C.1.05-I8II.

2. Дутчак и др. 0 комплексном измерении кинетических коэффициентов жидких полупроводников. Изв.выс.учебн. заведений.

3. Физика", 1970, №., с.73-77.* *

4. Routie R., Sudres М. J.Conductivite electrique olu beleniure ————— , —;-;- , , t t *de cuivre. J.Chim.Phys.Fhyeicochim.Biol., 1970, v.67, No.5, Ю13-Ю17.1. T YT

5. Горбачев В.В. Полупроводниковые соединения АрВ . 1980, 132с.j **

6. Celustka В., Ogorelec Z. Evaluation of some physicalquantities in the two phase regions in cuprous selenide,, , > ■ '

7. J.Phys. and Ghem.Solids. 1971 , 32, No.7, 1449-1454*

8. Астахов О.П., Лобанков B.B., Сгибнев И.В., Сурков Б.М. Электрофизические свойства легированных Cu2s и Си2Те. "Теплофиз. высоких температур". 1972, 10, Ш, с.654-655.

9. Okaroot Kimihiko, Kawai Shichio Electrical conduction andphase transition of copper sulfides. Jap.J.Appl.Phys., 1973,»12, No.8, 1130-1138.

10. Астахов О.Д. Электрические свойства низкотемпературной модификации Cu2s . Изв. АН СССР, Неорган, материалы. 1975, II,8, с.1506-1507.

11. Идричан Г.З. , Сорокин Г.Д. Халькогениды Си (I) как р - составляющие гетеропереходов. Изв. АН СССР, Неорган.материалы, 197&» II, Ш 9, с.1693-1695»

12. Астахов О.П., Иванова А.Б. Электрические явления переносав селениде меди при низких температурах. Изв. АН. СССР, Неорган.материалы, 1974, 10, * 3, с.540-547.

13. Арсеньева-Гейль А.Н. Тензометрические свойства некоторыхполупроводников. ЖТФ, 1947, т.17, в.8, с.903-907. » >

14. Clark J.B., Eliezer Rapoport Effeot of pressure on solid-solid transitions in some silver and cuprous chalcogenides.t з * » ' з

15. J.Phys.Chem.Sol., 1970, 31, No.2t 247-254»9

16. Alsen N. Veber Krifltallstrukturen von covellin (CuS) undj

17. Kupfergeans (Cu2S). Geoloogiska Foreningene I. Stockholmi i

18. Forhandeingar. 1931, v. 53, 111-120.' > >

19. Buerger M.J, and Buerger N.W. Low ohalcocite and hight ' » > г ,ohalcocites Am.Mineralogist. 1944, v.29, No.1-2, 55-65,

20. Белов H.B., Бутузов B.A. Структура высокотемпературного халькозина Gu^S . ДАН СССР, 1964, т.54, № 8, с.717-720.г

21. Djurle S« An X-ray study on the system Cu-S. Acta chem#i I j i

22. Scand., 1958, v. 12, No.7, 1415-1427.

23. Чижиков Д.М., Счастливый. B.A. Селен и селениды. Изд. "Наука", М., 1964, 320 е.

24. Вильке К.Т. Методы выращивания кристаллов. Изд. "Недра",1. Ленинград, 1968, 423 е.j

25. Ralfs P. Ueber die Kubisohen Hochtempermodisikationen dersulfide, selenide und telluride des silberes und des Oin. » * > >wertingen kupfers. Zs.Phys.Chem., 1936, v.31 , 157-194.1. Л t i »

26. Boettcher A., Haase G., Treupel H.Z. Untersuchungen ueberdie strukturen und die strukturumwandlungen der sulfidett . >) >und selenides kupfers. Z. angev.Phys., 1955, 7, No.10,4478.487.

27. Асадов Ю.Г. ,Ддабрашгова Т.А. ,Насиров В.Й.-Структурные превращения в CugSe . Изв. АН СССР, Неорган.матер., 1972, т.8,6, с.II44-1146.

28. Казинец М. Автореферат канд.диссертации, г.Баку,1969» 12с.1. У , ,

29. Stevels A.L.N., Jellinek F. Phase transition of coppert I t *chalcogenides. The copper-selenium system. "Rec.trav.chon.",«1971, 90, No.3, 273-283.

30. Okamoto Kimihiko Thermoelectric power and phase transition1.t >of Cu2Se. "Jap.J.Appl.Phys.", 1971, Ю, No.4, 508-511.

31. Болтакс Б.Л. Диффузия в полупроводниках, Физматгиз, М., 1961, 460 е.26* Справочник химика, т.1, Гостехиздат, Л., 1962, 381 е.< < '

32. Mujatani S. Point Contact of Pt and X - CiuS. J, of Phys.1. * * * >

33. Soc., Japan. 1956, v. 11, No. 10, Ю59-Ю63.

34. Халькогениды. АН Украинской. ССР, Институт проблем, материаловедения, Киев, 1967, 219 е.

35. Дамаск А., Дине Д. Точечные дефекты в металлах. Изд. "Мир", М., 1966, 282 е.

36. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. "Наука", М., 1978, 790 е.

37. ЗГасанова Н.А. 0 некоторых свойствах - Cu2s. Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ-мат. и техн.наук, 1963, & 3, с.91-93.

38. Регель А»Р. Вопросы теории и исследования полупроводников и процессов полупроводниковой металлургии. Изд. АН СССР, 1955, с.12-27.

39. Хауфф К. Реакция в твердых телах и на их поверхности. М., ИЛ, 1962, ч.1, 415, е.

40. Hirahara Е. The physical properties of ouprous sulfides/ > t i j < ,semiconductionst J.Phys.Soc., Japan. 1947, v.2, 211-213.t ■ ' 4

41. Veda R. X-ray and dermal studies on the phase transfor> > t *mations of cuprous sulfide Cu?S. J.Phys.Soc., Jap., 1949, v.3, 287-292.

42. Чижиков:Д.М., Френц Г.С., Трацевицкая Б.Я. Механизм окисления сульфида меди кислородом. Изв. АН СССР, отд.техн.наук,1953, № 4, с.523-532.i

43. Hirahara Е. The physical properties of cuprous sulfidest 4 * X » , ,semiconductions. J.Phys.Soc.Jap,, 1941, v.6, No.6, 422-427.

44. Yokota I. On the electrical conductivity of cuprous sul-fide: A diffusion theory» J.Phys.Soc.Japan. 1953, No.5* 595-602.

45. Wehefrit V. Untersuchungen cun system Kupfer- Schwefel:it , ■■ г

46. Zeitschrift fur Phys.Chem,, i960, v.26, 339-359.

47. Сорокин Г.П., Параденко А.Д. Электрические свойства cu2S • Изв. Высших учебных заведений, "Физика" Томского университета, 1965, & 5> с.91-95.i • i у J * i , л

48. Brydgman P.W. Proc.Amer.Acad.Arts.Sci,f 1952, 81, 165»44.

49. Jino P. Relations entre la structure cristalline et les proprietes electroniques des combinaisons AggS, AggSe, Cu2Se. Helv.Phys.asta., 1959, v.32, Fasc.6/7, 567-600.

50. Сорокин Г.П. Электрические свойства cu2Se . Изв. ВУЗ "Физика", Изд. Томского университета, 1961, Ш 6, с.158-163.i 4 ? i Ф * 9 i

51. Abdullaev G.B., Aliyarova Z.A., Asadov G.A., Zamanova E.N.

52. Preparation of Cu^Se single crystals and investigation ofc , , . *their electrical properties. Phys.Stat.Sol., 1967» v,21,»1. No.3, 461-464.- 129 * 4

53. Loreng G.M. , Vagner F. Investigations on cuprous selenidei » ) » 9and copper Tellurides. J,Chem.Phys#, 1957,v*26,Ho.6, 1боО-1бо8.

54. Регель A.P. Строение и физические свойства 0u2Se в жидком состоянии. Киев, 1954, 306 е.

55. Цидильковский И.М. Термомагнитные явления в полупроводниках. М. Физматгиз, I960, 396 е.л > > ' ' $ *

56. Okhotln A.S,, Aivazov А«А,, Pysdblcarskii A.S» Temperaturedependence of heat conductivity of copper chalcogenides.9 * 0

57. Phys»Letters, 1968, v#28 A, 6, 448-449*

58. Воробьев В.Г., Соболев В,В., Сорокин Г.П. Спектры отражения халькогенидов меди. Изв. АН СССР, Неорг.материалы, 1967, т.З, В I, с.171-174.

59. Соболев В.В., Попов Ю.В. Спектры отражения халькогенидов меди и серебра. Изв. Ш СССР, Неорган.материалы, 1969, т.5, & 9, C.I5I3-I5I7.

60. Власенко Н.А., Канонец Я.Ф. Оптические и электрические свойства пленок сульфида меди. Украинский физический журнал,1971, T.I6, 12, с.237-243.it

61. Marshall R. Mitra S.S, Optical Propeties of Cuprous————— ^ ^ t ^

62. Sulfide. J. of Appl.Phys., 1965, v.36, No.12, 3882-3883. 55* Горбачев В.В., Линский В.А., Путилин И.М* В кн.: Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Минск, "Наука и техника", 1976, е.196-201.ч

63. Ramoin Mele Mireille, Jean M.M. Pierre Sorrier, Jean -Francois Bretzner et Santo Martinuzzi - Couches Minces Preparation et proprietes optiques de couches de CugS.1 1 . ' •

64. G.R.Aoad.Sc.Paris, 1969, v.268, Ser.B, 1097-1100.

65. Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов, тт Х-П, М., Металлургиздат, 1962, т.1, 608 е., т.П, 1488 е.

66. Хворостенко А.С. Селенида металлов. Сер.физические и химические свойства твердого тела. Изд. ВИНИТИ, М. ,1972, 168 е.г J •

67. Aven М., Cusano Р.A.,- Infection Electroluminescence in ZnSгand InSe. J.Appl.Phys., 1964, v.35, Ко.З, 6o6-611.

68. Дитман A.B., Укис К.A. Электропроводность и термоэде в системе Cu2Te - Cu2Se при высоких температурах. Изв. АН СССР, Неорган, материалы, 1967, т.З, & 3, с.717-720.

69. Сорокин Г.П., Папшев Ю.М,, Оуш П.Т. Фотопроводимость Cu2s ., Cu2Se и CugTe . ФТТ, 1965, т.7, & 7, с.2244-2245.

70. Курдюмова Р.Н. Кристаллография, 1968, т.13, 796 е.

71. Эфендиев Г.А., Бакиров М.Я., Заидова Е.С. Электрические и оптические свойства тонких пленок Cu2xSe . Изв. АН СССР, Неорган.материалы, 1969, т.5, № 8, с.1460-1461.

72. Kur-Benckyekyn J. Light absorption in thin layers of■ t * i • , ч • ■ *

73. Cu1.8Se " "Bful.bodek.Acad.Tech.",1970,v.19,No.1,p.27-37.

74. Malder B.J. Optical Properties and Energy Band Scheme of

75. Cuprous Sulfides with Ordered and Disordered Copper Ions.* i * * в

76. Phys.Stat.Sol., 1973, v.18, No.2, p.633-638.1 > » ' X •6S. Guastavino P., Luguer H., Bouguot J., Savelli M. Inter.Conf.1 —————— —^on Photovelt. Powder Generation, Hamburg, 1974, p.269-274»4

77. Ho wad Т., Evans Jr. The crystal structures of low ohaloo-oite and djurleite. Zeitschrift fur Kristallographio, 1979»г ■ J150, p.299-320.68.

78. Eugene H., Rosebaon Jr. An investigation of the system Cu-S ■ ————— ,and some natural copper sulfides between 25° and 700°C.i i г ».••»

79. Economic Geology. 1966, v.61, No.4, p.661-673. 69. Галаванов B.B., Обухов С.A. Влияние одноосной деформациина проводимость по примесной, зоне в р inSb . ФТП, 1973,т.2, в.2, с.400-402.

80. Коломеец В.В. Влияние одноосной упругой деформации на сопротивление и магнитосопротивление n- Ge . Автореферат кан. две., К., 1971, 14 е.

81. Карпова И.В. Исследования германия и кремния р - типа при одноосном сжатии и низкой температуре. Автореферат кан.дис,, Москва ФИАН СССР, 1969, 16 е.

82. Анищик В.М. Влияние пластической, деформации на структуру и электрические свойства висмута. Автореферат кан.дис., Минск, 1971, 17с.

83. Buerger N.lT, The chaloocite problem, Eoon,Geolog,, 1941,1.' 9 1» ' 9v.36, No.1, p.19-44.0 9

84. Buerger N.W, X-ray evidence of the existence of the mineral digemite, Cu^S^, Mineralogist, 1942, v,27, No,10, p,712-716,. , > .

85. Djurle S. An X-ray study on the system Cu-S. Acta chem./ $ * /

86. Scand,, 1958, v. 12, No,7, p.1415-1427,

87. J.Appl.Phys,, 1953, v.24, No.8, p.988-998.

88. Никаноров С.П., Буренков Ю.А., Степанов А.В. Упругие свойства кремния. ФТТ, 1971, т.13, с.3001-3004.

89. Буренков Ю.А., Никаноров С.Д., Степанов А.В. Измерение упругих постоянных профилированных кристаллов электростатическим методом. Изв.АН СССР, сер. физ.,1971, т.35, с.525-528.

90. Буренков Ю.А., Бурдуков Б.М., Никаноров С.П., Давыдов С.Ю. -Температурная зависимость упругих постоянных Арсенида галлия,- 132 -ФТТ, 1973, т.15, с.1757-1761.

91. Пикус Г.Е., Бир Г.П. Влияние деформации на электрические свойства дырочного германия и кремния. ФТТ, 1959, т.II, 12, с.1828-1841.

92. Пикус Г.Е., Бир Г.П. Влияние деформации на электрический спектр и электрические свойства дырочного германия и кремния, ФТТ, 1959, т.1, с.154-157.

93. Бир Г.П., Пикус Г.Е. Влияние деформации на энергетический: спектр и электрические свойства полупроводников типа inSb . ФТИ, 1961, т.З, & 10, с.3050-3070.

94. Bir G.L., Bloom A.I., Ilisowsley U.V. The effect of uni-axial strain on the transport phenomena in p-Se. "Phys.лsemiconduct.", Paris, 1964, 529-535»

95. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов, М., 1980, 295 е.

96. Бир Г+П., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Москва, "Наука", 1972, 545 е.

97. Hall John J. Large-Strain Dependence of the Acceptor>

98. Binding Energy in Germanium. Physical Review. 1962, v#128fi1. No.1, 68-75.

99. Smith Charles S. Piezoresistance Effect in Germanium andг

100. Silicon. Physical Review. 1954, v. 94, Ho.1, 42-49#- 133

101. Пудзаки Такэё Полупроводниковый преобразователь механических колебаний в электрические. Японпат., кл.99/5/1,2,

102. В 10983, заявл. 13.3.67, опубл. 20.4.70.

103. Ван-Бюрен Дефекты в кристаллах. М., ИЛ, 1962, 583 е.

104. Сорокин Г.Д., Идричан Г.З., Дергач Л.В., Ковтун Е.В., Сорокина З.М. Некоторые свойства Cu2xs е. Изв. АН СССР, Неор-ган.материалы. Изд. "Наука", 1974, т.10, № 6, с.969-974.

105. Сорокин Г.П., Идричан Г.З., Сорокина З.М., Каптарь Л.П.- -Монокристаллы стехиометрического Cu2Se . Изв. АН СССР, Неорган.материалы, Изд. "Наука", 1974, т.Ю, МО, с.1791-1795.

106. Сорокин Г.П. 0 химической связи в соединениях Cu2s , Cu2Se , Cu2Te. - "Эн.физ.химии", 1966, т.40, М, с.838-841.96.* Gattow G., Schneldes А. Enthalpfes of formation in the copper-seleniaro Bystero. Z. anorgan., 1956, B.286t1. Кo.1, S, 296-306.

107. Илинская Л.С., Подмарыков А.Н. Полупроводниковые тензодат-чики. Изд. "Энергия", 1966:, 115 е.

108. Викулин Н.М., Стафеев В.И. Электроника-полупроводниковые датчики. М., 1975, 99 е.

109. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М., ИЛ, 1961, 304 с.

110. Алиев Ф.Ю., Хакимов К., Мамедов М.Ш. Исследование коэффициента изотермического сжатия пленок Cu2s и Cu2Se при 20, 100, 300 К. ДАН Таджикской ССР, 1978, с.94-98.

111. Власенко Н.А., Кононец Ф. Оптические и электрические свойства пленок сульфида меди. Украинский физический журнал, 1971, т.16, № 2, С.237-243.

112. Мамедов М.Ш., Хакимов К. Влияние всестороннего сжатия на электрофизические свойства тонких полупроводниковых пленок

113. Cu2s и CugSe . Депонирован, сб. ВШШ "Випорт", 1976, * I, №3812/76.

114. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. Изд. "Наука", М., 1977, 366 е.1.I >

115. Macfarlane G.G., Roberts V« Infrared Absorption of Silicon near the Lattice Edge* Phys.Rev., 1955, 98, 1865-1866.

116. Воробьев, В.Г., Соболев В.В., Сорокин Г.П. Спектры отражения халькогенидов меди. Изв. АН СССР, Неорган.материалы, 1967, т.З, JЬ I, с.171-174.

117. Соболев В.В., Попов Ю.В. Спектры отражения халькогенидов меди и серебра. Изв. АН СССР, Неорган.материалы, 1969,т.5, & 9, с.1513-1517.it г 1 »

118. Dahl J.P., Switendick А.С. Energy Bands in Cuprous Oxide.r i / * * *

119. J.Phys*Chem.Solids. 1966, v#27, p*931~942.