Влияние высокого гидростатического давления на микротвердость ... и ковалентных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

МІНІСТЕРСТВО ОСБІТІЇ УКРАЇНІ! ДОНЕІШШ ДЕКЇАЕННП УНІВЕРС'/ТЕТ

лЗ ITpâBSX ûj'r'Cu

ТКАЧЕНКО Cd Ut Богиссьич

ВПЛИВ В'ЛСОКСГО ГІИ?ССТАТІг-іг.Оі 0 Т’ІСКУ

ірстееряість існгзк : КОВАЛЕНТНІ нр:іст

01.0¿.0Y - "Фізика тбєидсго тіла"

AST 0 ? ї í і ? А Т

с«ТЭЦ"* 1. ”2 2~COVTrna -ЭУ'-'ОВСГО

:-:2HJsu;aT3 фІз;кс-математички наук

Робота виконана на кафедрі фізики Донбаського інженернс-Оудівельного Інституту

Наукові керівники - доктос фізшсо-мзтематпчниі наук,

' професор . Т0КІІ1 В.З.

кзкшцзт фізикс-математичких наук, стагякй науковий зпізгобітнзпч ' ЗАгБАНЮЗ 3.1.

Сфідійні опоненту. - Доктсо Фізикс-чзтематігчнгсс наук, лрсфессор .ілТЧБНКО О.М.

кандидат фізико-матекатнч:-:::х наук, отарний науковий спізсооітник МЕ-і-лОБ :З.В.

Провідне підпризмстзо - Донецький Державній Технічний

Університет ’

Заяист відбудеться ”<£$" • сог р. о /.5 годині

на засіданні спеціалізованої зченої ради К 06-5.06.01 Донецького державного університету (240055, м.Донецьк, зул.Університетська, 24, ДонДУ, головний корпус). .

З дисертацігя можна ознайомитись у бібліотеці Донецького державного університету.

Автореферат розісланій

"Ж' Г]оЄі.£но?

19940.

Вчений секретар спеціалізованої вченої раді К 063.05.01

кандидат фізико-математичких наук . О.О.Зюбаноа

АКТУАЛЬНІСТЬ ТЕМИ. Еисокий гідростатичний тиск (ЕГТ) є основним робочим параметром багатьох сучасних технологій: пдро-екструзії, волочіння, холодного та гарячого ізостатичного пресування, гідростатичного подрібнення й знаходить все більше застосування у виробництві, особливо у порошкових технологіях. За допомогою ЕГТ обробляться матеріали, які при звичайних умовах важко деформуються, в крихкими - кераміка, іонно-ковалентні напівпровідникові кристали, високотемпературні надпровідники.

Основним способом взаємодії мі я частинками порошку матеріалу, зо обробляється 5 контактна взаємодія (зтиснення) частинок порошку, а модельним методом дослідження такої взаємодії може Г)^7тіг^ м1 ^роінПід

При контактній взаємодії частинок відбувається їх пластична деформація, до протікає знаслідок зародження та руху дислокацій, аж до руйнування частинок внаслідок зародження та поширення тріщин. Тому важливим Д актуальним поряд з мікроіндентуванням уявляється дослідження, як незід' ємних його супутникіз, рухливості дислокацій з умовах ЕГТ та зародження дислокацій при цьому з крис-"Рлах. *

Вивченню впливу ВГТ на Фізпко-механі чні властивості твердих тіл присвячений цілий ряд конференцій та семінарів, що проводять- ’ ся регулярно як у нашій державі, так й за кордоном протягом останніх десятиріч. Де такі конференції, як, наприклад, Міжнародні конференції з фізики та техніки високих тискіз, наукові семінари "Еплив високих тискіз на речовину".

ЦІЛЬ РОБОТИ, ціллю роботи є вивчення з плив у БГТ на мікротвердість юнно-ковалентних кристалів та з’ясування можливих механізмів цього впливу. У зв’язку з цим у роботі були поставлені т^чкі конкретні задач і:

- розробити методику та створити апаратуру длл чжроінден-

тування твердих тіл з умовах ЗГ7;

- експериментально вивчити вплив ВГ? на мікротвердість іонно-ковалентних кристалів;

- провести дослідження рухливості дислокацій у гідростатично стиснених юнно-ковалентних кристалах. ■

НАУКОВА НОВІ SKA.

1. Створено орігінальний пристрій та розроблено експериментальну методику, що дозволяє вивчати вплив ЕГТ до 1,5 ГПа на мікротвердість твердих тіл, за ДОПОМОГОЮ ЯКОЇ одеркіно ряд нових наукових результата.

2. Експериментально виявлено вплив БГТ на мікротвердість усіх досліджених іонно-ковалентних кристалів: іонних - LiF, NaCI, КСІ, КБі'у V^ü та ковалентних напівпровідникових кристалів типу АЗЕ5 - InSb, InAs, GaSb, GaAs. Показано, що тиск чинить істотний вплив на мікротвердість усіх досліджених кристалів: мікротвердість зростає у іонних кристалах й зменшується у ковалентних кристалах із зростанням тиску.

3. Експериментально встановлено зменшення рухливості дислокацій під тиском у лгк (LіF, N'aCl, КСІ, ХЕг) та ковалентних кристалах ІпЗЬ, InAs, ЄгЗЬ, GaAs).

ДОСТОВІРНІСТЬ РЕЗУЛЬТАТ IB забеспечена доброю згодою г результатами дослідженкь, що були виконані при атмосферному тиску, й спеціальних перевірочних експериментів.

ПРАКТИЧНЕ ЗНАЧЕННЯ. Одерлан; у даній роботі результати дозволяють більш глибоко зрозуміти природу процесів, ідо протікають при деформації гідростатично стиснених кристалів. Еони є- важливими для розробки нових технологій, ідо використовують як інструмент вплив ЕГТ на матеріали. Розроблена методика мол= бути використана для дослідження Мікротвердості твердих Тіл, в тому рахунку невеликих зразків нових матеріалів, у середовищі високого гідростатичного тиску.

■ - Б -

СОЕОЕНІ ПОЛОЖЕННЯ, ЩО ВИНЕСЕНІ ДО ЗАХИСТУ:

1.Експериментально встановлено безпосередньо з умовах БГТ збільшення мікротвердості із зростанням тиску у іонних кристалах, зумовлене зменшенням рухливості дислокацій під БГТ.

2.Експериментально виявлено зменшення мікротвердості у ковалентних кристалах із зростанням тиску, зумовлене зпливом високого тиску на процеси зародження дислокацій при індентуванні. цих кристалів.

3. Експериментально встановлено зменшення рухливості дисло-

кацій із зростанням тиску у всіх досліджених іенно-ковалентних кристалах, зумовлене зростанням модулей пружссті при збільшенні тиску. ■ •

АПРОБАЦІЯ РОБОТИ. Основні результати роботи доповідались на таких коеференціях та семінарах:

1. IX Всесоюзна конференція з фізики міцності та пластичності металів та сплавів, м. Куйбишев, 1979 р.

2. VII Мі.чснародна конференція з фізики та техніки високих тискіз, Франція, м. Ле Крезо, 1981 р.

3. II Есесоюзна конференція "Гідростатична обробка матеріалів", м. Донецьк, 1961 р.

4. XIV Науковий семінар "Вплив високого тиску на речовину", м. Бердянськ, 1991 р.

5. І Міжнародний семінар "Еволюція дефектних структур у металах та сплавах”, м. Барнаул, 1992 р.

5. XXIII Мі:*народна конференція "Фізика міцності та пластичності металі з та сплавів”, м. Самара, 1992 р.

7. XXX Мі.жародна конференція з фізики та техніки зисских тискіз, м. Баку, 1992 р.

3. XV Науковий семінар "Вплив високого тиску на речовину", м. Киіз, 1993 р. '

СТРУКТУРА ТА ОБСЯГ РОБОТИ. Дисертація складається з перед-

- б -

мови, чотирьох глав та висновків, викладена на 102 сторінках друкованого тексту, містить в собі б таблиць та 42 малюнка. Список цитованої літератури включає 139 найменувань.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ.

У ПЕРЕДМОВІ дається.обгрунтування вибраної теми, приведено ціль та задачі роботи, новізну та практичну цінність результатів, які в ній одержані, зміст основних положень, що винесені на захист. ■

ПЕРША ГЛАВА є оглядом вітчизняної та закордонної літератури з питань, які пов'язані з темою десертаційноі роботи, а саме з питань руху та розмноження дислокацій, як при атмосферному тиску, так і під БГТ. Розглянуті роботи по зивченню мікротвердості іонно-ковалентних кристалів та зпливу на неї різних факторів.

' Проведено критичний аналіз небагаточисельних експериментальних робіт по дослідженню мікротвердості та рухливості дислокацій в умовах ВГТ, відзначено суперечність їх результатів, основною причиною якої є конструктивні недоліки апаратури, щр використана авторами цих робіт.

На основі проведеного розгляду наприкіньці глави сформульовані задачі цього дослідження.

У ДРУГІЙ ГЛАВІ описано апаратуру для створення високого гідростатичного тиску, два пристрої - для мікроіндентування твердих тіл та для вивчення рухливості дислокацій в умовах ЕГТ, а також характеристики зразків й методику проведення дослідженнь.

Високий тиск створюється у каналі контейнера, зробленого з загартованої берилійової бронзи, при стисненні рідини плунжером, зусилля на який передасться від гідравлічного пресу. Для одержання у каналі контейнера тиску до 1,5ГПа був використаний малогабаритний прес зусиллям 0,75 МН, який було розроблено у ДонФІІ АН України.

Заглушка контейнера високого тиску є одночасово иагнітощю-

водом до якоря навантажуючого пристрою й знаходиться у зоні високого тиску, тому вона виготовлена з загартованої манітом’якоі сталі марки Х-12. Для створення тиску до ІГПа використовувались плунжери з бронзи Бр-Б2, а до 1,5ГПа - з сталі Х-12. Як робоча рідина застосовувався бензин, який має добру гідростатичність у всім діапазоні тисків та температур, шр використовувались у експериментах. Тиск у контейнері вимірювався манганиновим тензодатчиком з точністю +-20МПа. Необхідна температура створювалася загальним нагріванням контейнера за допомогою електропечі, шо надівалась на нього, точність піддержання та виміру температури становила -ь-ІК Ущільнення заглушки та плунжера, які описані у роботі, надійно працювали у всім диапазоні тисків й температур.

Пристрій для мікроіндентування забезпечує навантаження на інденторі від 0,2 до 10 Н у широкому диапазоні часу навантаження зід одиниць до тисяч секунд. Принцип дії пристрою грунтується на електромагнітному способі переміщення зразка та індентора при зміні струму у котушці електромагніту.

Докладно описано механічну частину пристрою для мікроіндентування. Основні його деталі - індентор з алмазною пірамідкою Віккерса, яка закріплена на якорі електромагніту, столик для зразка та оригінальний пристрій для його переміщення, що приводиться у дію іншим якорем електромагніту. ■ .

Пристрій працює таким способом: 1)пропускаємо струм крізь обмотку електромагніта, завдяки чому якір змішується й приводить до дії пристрій переміщення зразка, який змішує зразок на один крок, щр дорівнює приблизно 0,2 мм; 2)плавно збільшуємо струм й опускаємо другий якір до касання індентора поверхні зразка;

3)струм у котушці збільшуємо до робочого значення, яке створює задане зусилля на інденторі; 4)зменьшуємо струм до нуля й пристрій за допомогою пружин вертається у вихідний стан; 5)після нанесення п’яти уколів спеціальний виступ перемішує столик із зраз-

- S -

ком у напрямку перпендикулярному доріжці уколі з Я ми знову можемо нанести на зразок, ряд з п’яти уколів. Продовжуючи цей процес,

на одному зразку можемо нанести до 70 уколіз. типовий розмір зра-я

зка - 1,2x3,5x10 мм.

Приведено схеми стабілізатора струму для живлення електромагніту, реле часу та їх характеристики.

Описано методичні особливості індентування зразків під ВГТ та- методика вимірювання діагоналі відбитків. Відзначається, шр для збереження гідростатичності, швидкість набору та сбросу тиску не повинна перевищувати 0,02 ГПа/хвил.

Приведено опис пристрою для дослідження рухливості дислокацій під високим тиском. Пристрій також грунтується на електромагнітному способі створення зусилля для навантаження зразка. Навантаження зразка проводиться по схемі чотирьохопорного згинання. . •

Докладно описано методику навантаження зразка під ВГТ, а також методика вимірювання довжини пробігу дислокацій. Велику увагу приділено опису методики підготовки зразків для досліджень. Приведено домішковий склад, режими відпаду кристалів, хи- ■ мічний склад травильників та режими травлення для виявлення дислокацій.

У ТРЕТІЙ ГЛАВІ приведені експериментальні результати по до-сльдженню впливу ВГТ на-рухливість дислокацій у іонних кристалах LiF, NaCl, KCl, КВг та ковалентних кристалах InSb, InAs, GaSb, GaAs. Показано, щр из зростанням тиску швидкість дислокацій у всіх досліджених кристалах зменшується. -

На мал. 1 представлені. залежності швидкості дислокацій v від величини прикладеного напруження С' для деяких іонних кристалів при різних тисках. У логарифмічному масштабі по v зони добре ап-роксимуються прямими ЛІНІЯМИ.

З представлених у роботі залежностей випливає, шр величина

ефекту залежить, у першу чергу, від типу кристалу: у чистих кристалах LіF та NaCl при збільшенні тиску до 1,2 ГПа швидкість дислокацій падає, приблизно, на порядок, а у кристалах КС1 та КВг -на 4 порядка (у КЕг виє при тиску 0,6 ГПа). '

У кристалах NaCl вивчався вплив тиску на рухливість крайових v та гвинтових vs дислокацій. Одержано залежність відношення цих швидкостей від тиску. Ця залежність важлива, бо. відношення ve/vs входить у кінетичні рівняння, які описують процес пластичної деформації. Показано, шр відношення цих швидкостей з ростом тиску зменшується. ■

Розглянуто вплив домішок на залежність швидкості зід тиску. Для чистих та домішкових кристалів LiF відношення швидкості дислокацій без тиску до швидкості при тиску Р=і.£ ГПа ЗМІНЮЄТЬСЯ у 1,3 раза, а у кристалах КСІ - на 3 порядка У домішкових кристалах КС1 вивчено вплив стану домішок на величину ефекту. Виявилось, шр це відношення швидкостей у "загартованих” кристалах у порівнянні до "відпалених" кристалів зменшується на порядок при тиску 0,9 ГПа У роботі встановлено, що із зростанням концентрації та ступеню агрегації двовалентних домішок величина ефекту, до спостерігається, зростає. .

З підвищенням температури кристалів спостерігається зменшення зпливу тиску на швидкість дислокацій. Це свідчить про те, шр характер руху дислокацій у цих кристалах є термоактивованим. Одержані заіежності In v - 1\7 добре апрксимуються прямими у інтервалі температур від 290 до 440 К. Тиск зміщує Ці прямі у область більш низьких температур, а крутість їх зростає.

Залі у роботі проведено аналіз таких активаційних параметрів руху дислокацій, як ефективна ентальпія активації К, активаційні об'єми V-та V- , які харакеризують чутливість швидкості

Г ^

дислокацій до зміни напруження й тиску відповідно. Одержані залежності vfP) показують, що для всіх іонних кристалів цей пара- ■

метр із зростанням тиску зменшується, причому для КС1 ця залежність нелінійна Розгляд залежностей Vp(£) показує, що чутливість активаційного об’єму Урдо зміни напруження з підвищенням тиску зменшується. Ефективна ентальпія активації Н із зростанням тиску збільшується.

Проведений аналіз дозволяє зробити висновок про підсилення пружної взаємодії дислокацій з локальними перешкодами.

. Результати дослідженнь впливу тиску на рухливість дислокацій у ковалентних кристалах показані на мал. 2 у вигляді графіка залежності швидкості дислокацій від модуля зсування цих кристалів. Видно, що у всіх кристалах швидкість дислокацій зменшується із зросанням тиску й.залежить від модулів пружності. Однак величина цього ефекту набагато менше, ніж у іонних кристалах: у InSb маємо v(0)/v(P)-2, а у NaCl - v(0)/v(P)=10 при сумірних значеннях тиску. .

. Розрахована зміна енергії активації руху дислокацій із зростанням тиску, виходячи з моделі Пайерлса у наближенні синусоїдної форми потенціального рельєфу. Значення v(0)/v(P), визначені теоретично, добре узгоджуються з даними експеримента Таким чином, зменшення рухливості дислокацій у ковалентних кристалах при зросанні тиску, певно, зв’язано із зростанням модулів пружності ПІД тиском. .

У ЧЕТВЕРТІЙ ГЛАВІ приведено експериментальні результати по впливу ВГТ на мікротвердість. Залежності мікротвердості Н досліджених кристалів від тиску Р представлені на мал. 3. Для всіх досліджених іонних кристалів мікротвердість з підвищенням тиску зростає, причім цей ефект збільшується у ряду від MgO до КВг, тобто залежить від енергії взаємодії атомів у решітці. До тиску приблизно 0,7 ГПа мікротвердість міняється слабко, але, починаючи з цього тиску, зростає лінейно. Швидкість зростання мікротвердості у КС1 та КВг, - приблизно, у 20 разів більша, ніж у MgO.

- 11 - -Користуючись зв'язком мікротвердості з модулем Юнга Й РОЗЛІЧИВШИ зміну модуля ійіга та мікротвердості із зросаннлм тиску, порівняємо одержані теоретичні значення Н(Р) з експериментальними. Одержано непоганий збіг розлічених та експериментальних значень для всіх кристалів окрім КС1 та КВг. Можливо, цей незбіг, як Я аномальна поведінка мікротвердості з тиском у цих кристалах, пов'язані з порізняно низьким тиском поліморфного фазового переходу з них (? - 1,95 та 1,74 ГПа для КС1 та КБг відповідно).

Для пояснення зростання Н з ростом Р притягнуті уявлення про зародження й рух дислокацій у полі зосередженого навантаження навколо індентора, зменшенні рухливості дислокацій під ЗГТ та презансіочоі ролі цього механізму релаксації напруженнь у юнних кристалах при мікроіндентуванні.

Розглянуті кінетичні особливості проникання індентора на прикладі КБг та ЬіГ й показано, що -активаційний об’ ем V , що характеризує швидкість проникання індентора до мікротвердості зменшується у КБг у 7 разів із зросанням тиску до 1,2 ГПа. У інших кристалах зменшення V із зростанням ? ке еііявлєно. Дей результат

якісно узгоджується з поведінкою -активаційного об’єму при

І*

зростанні тиску (див. гл. 3). Виявлено зв'язок пластичних властивостей фази низького тиску з пружними властивостями фази високого тиску. -

З мал. З видно,шр у зсіх досліджених ковалентних кристалах мікротвердість із зростанням тиску зменшується, причім цей ефект яскравіше зсього зират^но у кристачах ІпБЬ, для яких зниження мікротвердості становить 30% при тиску 1,5 ГПа. Оскільки у ковалентних кристалах при мікроіндентуванні не створюється розетка уколу, як це має місце у іонних кристаїах, внаслідок значної зи-соти бар‘єрів Пайерлса, то для пояснення цього ефекту необхідно притягнути уявлення про вплив БГТ на процеси зародження дислокацій у полі зосередженого навантаження індентора Проведена оцінка

показує, що ймовірність поперечного ковзання під БГТ зростає, отже зростає густина дислокацій, які зароджуються по цьому механізму, шр якісно описує поведінку мікротвердості під тиском.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ

1. Розроблена методика та створена апаратура, шр дозволяють проводити мікроіндентування алмазною пірамідкою Зіккерса твердих тіл при зусиллі на інденторі до ІОН, часу дії зусилля від одиниць до тисяч секунд під тиском до 1,5 ГПа.

2. Експериментально встановлено зменшення рухливості дислокацій у іонних кристалах із зростанням гідростатичного тиску. Показано, ідо величина цього ефгкту залежить зід типу кристалу, концентрації та стану двовалентних домішок.

3. Експериментально виявлено, що рухливість J3-дислокацій у ковалентних напівпрвідникових кристалах типу АЗБ5 із зростанням тиску зменшується. Вплив ВГТ на рухливість дислокацій зводиться до зростання бар’єрів Пайерлса внаслідок зростання пружних модулів ПІД тиском.

4. Виконано термоактиваційний аналіз руху дислокацій з умовах ВГТ у іонних кристалах, встановлені закономірності залежності активаційних параметрів від тиску. Показано, що із зростанням тиску активаційний об’ єм V зменшується, а елективна ентальпія актива-ціі зростає. Зроблено висновок про підсилення пружної взаємодії дислокації, яка рухається, з локальними перешкодами. •

5. Експериментально виявлено зростання мікротвердості у іонних кристалах та и зменшення у ковалентних напівпрвідникових кристалах із зростанням величини тиску. У іонних кристалах ефект зумовлено зменшенням рухливості дислокацій під ВГТ, а у ковалентних - впливом високого тиску на процеси зародження дислокацій при індентуванні цих кристалів.

6. Встановлено наявність двох областей на залежності мікротвердості від тиску для іонних кристалів: слабка залежність К(Р)

- 13 -

лення цієї залежності із зростанням тиску.

7. Експериментально встановлено, що залежність ашидкості проникнення індентора від величини мікротвердості носить Л1НЄЙНИЙ характер. Активаційний об’єм, що характерізує чутливість ¡швидкості проникнення індентора до мікротвердості, зменшується у КВг із зростанням тиску до 1,2 ГПа у 7 разів, у інших іонних кристалах зміни цього параметра із зростанням тиску не виявлено у границях похибки зиміру.

ПУБЛІКАЦІЇ. Основні результати дисертаціі опубліковані у роботах:

1. Зайцев а і. ,Серова il R .Ткаченко її. 3. ,Токій В. 3. Вплив високого тиску на рухливість дислокацій у кристалах МаС1//Зплиз зисских ти-скіз на речозину/Зб. статей. -К.: Наукова думка, 1975.-С. 73-75.

2. Зайцев В. І. .Барбашов 3. Í. .Ткаченко ¡0. Б. .Попов 3. ÍL Устансзка для дослідження рухливості дислокацій під високим гідростатичним тиском//Фі зичні дослідження при зисоких тисках/Зб. статей, Ч. І. -Таллін, 1977.-С. 46-48.

3. Zaitsev V. I. .Barbashov V. I. .Tkachenko Yu. 3. Effect of high hydrostatic pressure on the dislccaticn mobility in NaCl crystals// Phys. stat. sol. (a). -1977. -V. 44, N1. -P. K39-K41.

4. Зайцев 3. І. .Барбашов R І. .Дулін M. А. .Ткаченко KL Б. Рухливість

гвинтових дислокацій у гідростатично стиснених кристалах NaCl// Ш. -1978. -Т. 20, N8. -С. 2407-2411. .

5. Barbashov I. .Tkachenko Yu. В, Dislocation mobility in hycro-statically ccnpressed LiF crystals//Fhys. stat. sol. (a).-1980. -

V. 62, N1. -P. K1Q3-K105.

6. Барбашов 3. І. .Срельцов R A. , Ткаченко ¡0. R Рухливість гвинтових дислокацій у гідростатично стиснених кристалах КС1 різної чистоти //ÍTT. -1982. -Т. 24, N4. -С. 1187-1192.

7. Barbashov V. I. .Tkachenko Yu. В. Dislocation mobility m hydro-statical ly compressed KBr ,crystals//Phys. stat. sol. (a). -1983. -

Y. 79. -P. K17-K19.

8. Барбалюв R I. .Ткаченко IQ R Вплив гідростатичного тиску на мікротвердість іонних кристал і В//ФГТ.-1991. -Т. 33, N9.-С. 2765-2767.

9. Барбашов R І. .Ткаченко Ю. Б. Вплив високого гідростатичного тиску на мікротвердість кристалів КВг та ВІ//ФГВД.-1991. -N4. -С. 53-55.

10. Барбашов R І. .Ткаченко Ю. R Вплив гідростатичного тиску на міцність та пластичність ковалентних кристаліз//І Мілшародний семінар "Еволюція дефектних структур у металах та сплавах": Тези доп. -Барнаул, 1992. -С. 151-152.

11. Barbashov V. I. .Tkachenko Yu. В. Effect of hydrostatic pressure on dislocation mobility in semiconducting crystals of the АЗБ5 type//XXX EHPRG international conf.: Abstracts.-Baku, 1S92. -P. 52.

Мал. 1. Вплив гідростатичного тиску на залежність швидкості

- дислокацій від прикладеного напруження.

а)крайові (1-3) та гвинтові (4-6) дислокації у кристалах ИаС1. Р.ГБа: 1 и 4 - 0,0001; 2 и 5 - 0,4; 3 - 0.3; 6 - 0,7

б)гвинтові дислокації у кристалах КВг. -

Р, ГПа: 1 - 0,0001; 2 - 0,3; 3 0,6.

4

in І—1—11—'—'—'—'—1—1—|— и 20 40 ■ 60 80 100 • г/мм2 а)

120 160 200 Т. г/мм!

го 30 G, "Па

¡■fe.". 2. Ззле.чяість зведеної явидкссті 50-градусних з-дислокацій зід модуля зсування кристалів Inô'cCl}, ífiAs(2). ’3з5'с(3). ^aAs(4). .^=0,3 ГПа*, & =10 МПа.

Мал. 3. Зазежності мікротвердості ¡онних і козалектнкх кристаліз зід тиску Р.