Вторичное излучение микрокристаллов со структурой типа алмаза и сфалерита тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Введение

1. Методика эксперимента

1.1 Техника эксперимента

1.2 Характеристика исследуемых материалов

1.3 Резюме

2. Фотолюминесценция и светоиндуцированные изменения в оптических спектрах некоторых материалов с низкоразмерной структурой

2.1 Светоиндуцированные изменения в спектрах фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в ультрадисперсных алмазах

2.1.1 Моделирование КР-спектра порошка ультрадисперсного алмаза.

2.2 Исследование гетероэпитаксиальных структур ЗС-81С/8] методом отражательной ИК-спектроскопии

2.3 Фотолюминесценция карбонизированного пористого кремния 70 2.3.1 Аномальный характер кинетики затухания фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния

2.4 Резюме.

3. Двухфотонно возбуждаемая люминесценция сульфида цинка, легированного медью

3.1 Особенности наблюдения

3.2 Результаты эксперимента

3.3 Резюме.

4. Выводы

5. Литература

В последнее время можно отметить рост интереса исследователей к низкоразмерным системам: одномерным (квантовые проволоки) и нульмерным (квантовые точки). Прежде всего, это связано с тем, что характерные размеры данных материалов, лежащие в диапазоне от нескольких единиц до нескольких десятков нанометров, существенно сказываются на их термодинамических, механических и оптических свойствах.

Прогрессу в изучении особенностей физических свойств низкоразмерных твердотельных объектов, несомненно, способствует развитие методов получения подобных систем как в рамках традиционной для микроэлектроники технологии (метод тонко регулируемой конденсации из газовой фазы, золь-гельная технология), так и успех в создании новых технологических приемов (электрохимическое травление кремния, воздействие сдвиговых деформаций на пластины кремния и германия в условиях квазигидростатического сжатия, метод детонационного синтеза взрывчатых веществ и другие).

Одним из методов исследования микрокристаллов является анализ их вторичного излучения (комбинационное рассеяние света (КР), однофо-тонно и двухфотонно возбуждаемая люминесценция). Кроме того, именно в оптических спектрах наиболее ярко проявляются структурные особенности микрокристаллических материалов.

Так, например, наблюдается сильная зависимость ширины запрещенной зоны, массы электрона и дырки от размера частиц, что сказывается на спектрах межзонного поглощения полупроводников. В работе [1] впервые проведены экспериментальные исследования спектров экситонного поглощения микрокристаллов СиС1, диспергированных в объеме прозрач5 ной диэлектрической матрицы. Обнаружен значительный спектральный сдвиг линии экситонного поглощения.

В работе [1] исследовались силикатные стекла, в исходный состав которых были введены в концентрации порядка нескольких процентов соединения меди и хлора. Поскольку концентрации как металла, так и галогена превышали предел их растворимости в матрице, при высокотемпературном прогреве таких стекол происходит фазовый распад пересыщенного твердого раствора и флуктационное образование зародышей новой фазы. Согласно результатам исследования, вид спектров существенно зависит от размера микрокристалла. По мере уменьшения размера микрокристалла происходит значительный сдвиг линий экситонного поглощения в коротковолновую область спектра и их уширение. Необходимо отметить, что линии экситонного поглощения наблюдаются в спектре вплоть до самых малых размеров микрокристаллов (-18 Ä).

Зависимость межзонного поглощения материала от низкоразмерно-сти структуры теоретически рассмотрено в работе [2]. Предлагаемая авторами [2] теория построена в рамках метода эффективной массы, т.е. в предположении, что все существенные длины велики по сравнению с постоянной решетки. Получены выражения для коэффициента поглощения света в трех предельных случаях: 1) радиус полупроводникового шара а меньше боровского радиуса электронов ае и дырок ah; 2) ае «a« ah, 3) ае , üh «а. Показано, что в первых двух случаях коротковолновый сдвиг максимума в коэффициенте поглощения пропорционален величине h /те а , где те - масса электрона. Если же радиус шара а«ае и ah , то сдвиг характеризуется полной массой экситона М=т е+ т h и может быть

2 2 оценен как h /Ма .

Кроме того, низкие размеры кристаллов сказываются как на нелинейном поглощении, так и на нелинейных свойствах материала в целом. 6

Так, согласно теоретическим оценкам, сделанным в работе [3], мнимая часть нелинейной восприимчивости, определяющая величину двухфотон-ного поглощения, может значительно превышать аналогичную величину для объемного полупроводника. Что и было продемонстрировано экспериментально в [4] на примере микрокристаллов СЖ. В частности, было обнаружено, что коэффициент двухфотонного поглощения микрокристаллов более чем на порядок выше соответствующего коэффициента для объемного материала. В работе [5] приведены результаты исследования генерации отраженной второй гармоники, которые показали увеличение интенсивности отраженного сигнала на два порядка при уменьшении радиуса квантовых точек от 500 до 50 А.

Одним из интенсивно изучаемых в настоящее время материалов, обладающих низкоразмерной структурой, является пористый кремний (см., например, обзор [6]).

В 1990 г. Кэнхем [7] обнаружил, что пористый кремний - материал, известный с середины 50-х годов и используемый для приготовления на его основе диэлектрика в интегральных схемах, - при фотовозбуждение сильно излучает в видимой области спектра.

Пористый кремний (ПК) получается при анодировании подложек из кристаллического кремния в растворах плавиковой кислоты и последующем химическом травлении в концентрированной НЕ [8,9]. Изменяя технологические условия приготовления образцов, можно изменять характерные размеры элементов микроструктуры, толщину пористого слоя (от нескольких единиц до сотни мкм). Следует отметить, что путем изменения диаметра квантовых нитей, можно получить излучение в видимой области спектра от красного до голубого.

Несмотря на то, что пористый кремний достаточно интенсивно изучается с 1990 года, природа его видимой люминесценции в настоящее вре7 мя до конца и не выяснена. Так, например, в работе [10] наблюдалась линейная зависимость интенсивности люминесценции от мощности возбуждения (квадратичный закон наблюдается для свободных электронов и дырок), а также экспоненциальная зависимость интенсивности люминесценции от температуры, которая указывает на существование энергии активации, близкой к энергии связи одномерного экситона (оценка такой энергии дает величину 50-60 мэВ). Оба этих факта были интерпретированы авторами работы как свидетельство экситонного механизма рекомбинации в ПК. В работе же [11] проведены измерения люкс-ваттных характеристик ПК, которые показали, что по мере уменьшения интенсивности возбуждения степень рекомбинации изменяется от 1 до 2. Данный факт, по мнению авторов, свидетельствует о том, что рекомбинационные процессы идут не только с участием экситонов, но и с участием разделенных фотовозбужденных электронов и дырок.

Детальные исследования кинетики люминесценции ПК были выполнены в работе [12]. Были исследованы наносекундные процессы в широком температурном интервале. Экспериментальные данные показывают, что существует две группы центров, которые можно условно назвать «голубыми» и «красными». В то время как голубые центры характеризуются быстрой (наносекундной) кинетикой, красные центры «погибают» с временем порядка микросекунд. Данные кинетические особенности люминесценции в работе [8] объясняются с точки зрения модели с переменным радиусом: поскольку поглощение возбуждающего излучения происходит преимущественно в тонких нитях, спектр излучения, наблюдаемого сразу после возбуждения, находится в зеленой области спектра. Затем в процессе энергетической релаксации происходит диффузия носителей в области нити с большими поперечными размерами. 8

В работе [8] представлено теоретическое описание процессов, происходящих в пористом кремнии. Авторы данной работы рассматривают систему квантовых нитей, ориентированных преимущественно вдоль кубической оси кремния [100]. Показано, что неточное сохранение импульса, связанное с пространственным квантованием, значительно увеличивает вероятность излучательных переходов.

В работе [13] выполнен численный расчет зонной структуры ПК в эмпирической модели сильной связи с учетом двух ближайших соседей. Было показано, что при малых поперечных размерах нитей (Ь<3.1 нм) кремний становится прямозонным полупроводником.

Относительно недавно внимание ряда исследовательских коллективов было обращено на возможность создания и исследования свойств других пористых материалов [14 - 17].

Так, например, в работе [14] приводятся технология изготовления и результаты исследования пористого арсенида галлия. Авторами данной работы были исследованы спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях спектра. Все образцы пористого ОаАя обладали широкой полосой фотолюминесценции в видимом диапазоне света, в которой можно было выделить 2 максимума - около 420 и 560 нм. По мнению авторов [14], видимая ФЛ пористых слоев ОаАз в значительной мере связана с излучением гидратированных оксидов галлия и мышьяка. При этом полоса инфракрасной люминесценции пористого СаА,\ была сдвинута относительно кристаллического СаАБ в длинноволновую область спектра и обладала большей шириной, что может быть связано со значительными флуктуациями краев зон врог-ОаАз.

В работе [17] сообщается о наблюдении интенсивной люминесценции пористого карбида кремния. Как и в случае ПК, для изготовления пористого 57С применяется анодное травление кристаллических пластин кар9 бида кремния в растворе плавиковой кислоты. Наблюдался ряд широких, частично перекрывающихся полос, охватывающих область от красного до ближнего ультрафиолетового излучения (-3.5 eV). В данной работы отмечается, что при электролитическом окисление образцов в водном растворе соляной кислоты с целью пассивации поверхности пористого слоя происходило значительное увеличение интенсивности ФЛ. По мнению авторов, определяющее влияние на характер ФЛ пористого карбида кремния оказывают квантоворазмерные эффекты.

Достаточно высокий интерес исследователи проявляют и к порошкообразным материалам с нанокристаллической структурой.

Характерным материалом в данном случае является порошок ультрадисперсного алмаза (УДА), получаемый при детонации взрывчатых веществ и ударно-волновом разложении органических наполнителей в мощных взрывных веществах [18-20]. Порошок УДА состоит из нанокристал-лических алмазных «ядер», покрытых углеродными оболочками [21, 22]. При этом оболочка имеет определенную структуру, в состав которой входят различные формы углерода: графитовые нанопластинки и частицы, а также углерод в «луковичной» форме («onion-like» carbon) [21].

Согласно сообщениям ряда авторов [23, 24] порошок УДА обладает фотолюминесценцией в ультрафиолетовом и видимом диапазонах света. Так, в частности, в [23] .сообщается о наблюдении широкой полосы ФЛ в диапазоне длин волн 500-700 нм с максимумом -550 нм, которую можно отнести к А-полосе крупного алмаза. Однако фотолюминесценция УДА имеет ряд отличий от ФЛ крупных кристаллов алмаза [24]: существенно более слабым разрешением структуры А-полосы и значительной протяженностью «хвостов» полосы в длинноволновую область спектра. Как показал сравнительный анализ спектров УДА с различным образом химиче

10 ски модифицированной поверхностью, вид спектров определяется наличием графитоподобного слоя на поверхности зерен [24].

В работе [25] обнаружено, что порошок УДА обладает относительно большим поглощением в видимом диапазоне света, при этом коэффициент поглощения УДА на несколько порядков превышает коэффициенты поглощения природных монокристаллов алмаза в том же спектральном диапазоне. Из спектральной зависимости коэффициента поглощения была определена ширина запрещенной зоны УДА (-2.06 эВ). Стоит отметить, что ширина запрещенной зоны крупного алмаза равна -5.5 эВ. Сильное отличие оптической ширины запрещенной зоны УДА от соответствующего значения для природного алмаза связано с присутствием в материале определенной доли аморфной sp фазы углерода [25]. Кроме того, был проведен анализ спектра возбуждения полосы люминесценции -360 нм, согласно которому ширина запрещенной зоны составила -5.24 эВ, что соответствует, по мнению авторов [25], ширине запрещенной зоны алмазного ядра кластера УДА.

В работе [26] был проведен анализ влияния высокотемпературного отжига (1100-2200 К) в вакууме на спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света УДА. Наблюдался спад интенсивности фотолюминесценции и уменьшение сигнала КР-линии алмаза (1332 см"1) с ростом температуры отжига. Исследования с помощью электронного микроскопа показывают, что в процессе высокотемпературного отжига происходит образование углерода в луковичной форме (onion-like carbon).

Аналогичные результаты были получены авторами работы [27]. В которой образцы УДА подвергались отжигу в диапазоне температур 1500-1800°С. Анализ электронно-микроскопических изображений показал, что частицы алмаза переходят в частицы с вложенными одна в другую углеродными оболочками, которые являются аналогами фуллереновых наност

11 руктур. Таким образом, при нагревании алмаза в области его термодинамической метастабильности происходит перестройка от ер3- к Бр2-типу углеродных связей, в результате чего грани алмаза преобразуются в грани графита. По мнению авторов [27] образование частиц, состоящих из вложенных углеродных оболочек, объясняется стремлением системы к минимуму поверхностной энергии за счет замыкания высокоэнергонасыщенных свободных связей краевых атомов образующихся графитных сеток.

В связи с этим представляется интересной работа [28]. В которой на основе термодинамического расчета потенциала Гиббса наночастиц графита и алмаза показано, что, несмотря на метастабильность кристаллической решетки крупного алмаза при внешнем давлении Р=0 , более стабильной модификацией в нанометровом диапазоне размеров углерода является алмаз. При этом имеет место определенная связь между температурой и максимальным размером частиц, при котором алмазная фаза остается стабильной. В частности, в [28] приводятся следующие соотношения: г «10.2 нм (комнатная температура); г«6.1 нм (при Т=525°С); г «4.8 нм (при Т=800°С); г «4.3 нм (при Т=1100°С).

Современное состояние физики низкоразмерных полупроводниковых структур позволяет обсудить также и прикладные аспекты, среди которых можно отметить возможность их использования в оптических информационных системах. Этому способствуют ярко выраженные нелинейные оптические свойства, а также важная для гибридных электрооптических устройств высокая чувствительность линейных и нелинейных оптических свойств к электрическому полю [29]. Кроме того, материалы, обладающие нанокристаллической структурой, интересны с точки зрения создания све-тоизлучающих приборов в видимом диапазоне света. Однако практическое применение данных материалов ограничивается их высокой чувствительностью к различным воздействиям.

12

При изучении нанокристаллических систем было обнаружено, что долговременное лазерное возбуждение образцов приводит во многих случаях к заметным изменениям интенсивности фотолюминесценции (ФЛ). В частности, наблюдалось тушение ФЛ частиц СсЛБ в стеклянных матрицах, обусловленное фотохимической деградацией частиц [30].

В работе [31] установлено, что ФЛ образцов пористого кремния уменьшалась при облучении в вакууме. Однако при облучении на воздухе ФЛ возрастала более чем на порядок. При этом имел место голубой сдвиг спектра, достигавший 70 нм. Имеются и другие работы, в которых сообщается о чувствительности ПК к различным воздействиям [9, 32, 33].

Одной из первых была высказана идея о том, что наблюдаемое произвольное уменьшение интенсивности люминесценции связано с деградацией материала, вызванной фотостимулированным окислением ПК [34].

С другой стороны, известны работы, авторы которых уменьшение интенсивности фотолюминесценции ПК связывают с эффектом усталости. Так, например, в работе [11] были исследованы спектры, кинетика люминесценции и кинетика ее деградации под действием света. Показано, что спектральное положение полосы зависит от времени экспозиции. Знак наблюдаемого сдвига — эффективное увеличение длины волны максимума спектра люминесценции со временем — позволяет отказаться, по мнению авторов, от предположения, что причина эффекта усталости состоит в фо-тоиндуцированном окислении. Поскольку, если окисление действительно происходит под действием света, то оно должно приводить к уменьшению толщины кремниевых наноразмерных объектов. Соответственно сдвиг люминесценции должен быть голубым. Длинноволновый сдвиг фотолюминесценции объясняется различием скоростей релаксационных процессов на различных краях полосы люминесценции, что подтверждается проведенными экспериментами.

13

Ясно, что для корректного физического объяснения эффекта фото-стимулированного изменения люминесценции необходимо понимание механизмов излучения, имеющих место в пористом кремнии и других материалах. На основании имеющихся данных вклад в фотолюминесценцию могут давать: 1) излучение нанокристаллитов, сдвинутое в видимую область спектра из-за квантоворазмерных эффектов; 2) излучение адсорбата (силоксаны, гидриды кремния и т.д.), образовавшегося в процессе изготовления пористого материала или в процессе его деградации; 3) излучение границы раздела материал/адсорбат.

В работе [33] предпринята попытка отделить эти источники люминесценции в ПК друг от друга. Авторами реализована замена адсорбата в пористом кремнии в условиях сверхвысокого вакуума. По мере термического разложения и десорбции продуктов анодирования кремния в виде гидридов кремния, атомарного и молекулярного хлора наблюдался коротковолновый сдвиг и гашение фотолюминесценции. Адсорбция молекулярного хлора привела к восстановлению полосы ФЛ с максимумом 560 нм, идентифицированной как излучение наночастиц графита. Восстановление же линии ФЛ с максимумом 690 нм при этом не наблюдалось. К сожалению, вопрос о природе данной полосы люминесценции остается открытым, поскольку воздействие хлора на поверхность кремниевых кристаллитов оказалось неэффективным из-за ее пассивации слоем 8Ю2.

В работе [35] наблюдалась аналогичная линия -560 нм. Но, в отличие от работы [33], в ней была изучена разрешенная во времени фотолюминесценция систем пористый кремний - алмазоподобная пленка углерода. При измерении ФЛ исходного ПК с временем задержки после импульса возбуждающего излучения (А/=337 нм) равным нулю, максимум ФЛ находился около 440 нм. Интенсивность данного максимума ФЛ зависела от условий получения ПК и обычно наблюдалась при длительном травлении.

14

Кроме того, в спектрах наблюдалась полоса при 600 нм. В интегральных спектрах ФЛ ПК обычно преобладает излучение в области А>600 нм. Нанесение тонкой (ё=70 нм) алмазоподобной пленки на поверхность ПК приводит к сдвигу полосы от 600 до 540 нм и резкому увеличению интенсивности. При этом полоса 440 нм, наблюдаемая в спектре ФЛ исходного ПК, исчезает. Данные изменения в спектре ФЛ, по мнению авторов, происходят благодаря тому, что в процессе нанесения алмазоподобной пленки на ПК на поверхности кремниевых нитей образуются углеродные нанокла-стеры, которые выступают как центры излучательной рекомбинации, а ПК играет роль генератора носителей заряда.

В целом можно отметить, что изменение системы пористый крем-ний-адсорбат является не только способом получения дополнительной информации о природе излучательных переходов в ПК, но также и способом повышения деградационных свойств материала [35, 36].

Как видно из вышесказанного, к началу работы над диссертацией несколько групп исследователей уже проявили значительный интерес к изучению проявления эффектов, связанных со структурными особенностями микрокристаллических материалов в оптических спектрах.

Целью настоящей работы является исследование фотолюминесценции микрокристаллических материалов, выявление и изучение характеристик оптических спектров, связанных с особенностями структуры этих объектов, и их чувствительности к внешним воздействиям, анализ возможностей применения .новых экспериментальных методик для исследования микро- и нанокристаллических материалов.

В качестве объектов для исследования нами были выбраны ультрадисперсный порошок алмаза, карбонизированный пористый кремний, микрокристаллический порошок сульфида цинка, легированного медью.

15

Выбор исследуемых микрокристаллических материалов обусловлен следующим:

1) Оптические свойства крупнокристаллических кремния, алмаза, карбида кремния, сульфида цинка в настоящее время достаточно хорошо изучены. Это позволяет акцентировать внимание на изучение эффектов, непосредственно связанных с низкими размерами данных материалов.

2) Кремний является основным материалом современной электроники. Таким образом, полученные результаты могут иметь непосредственную практическую ценность. Исследование карбонизированного пористого кремния представляет интерес с точки зрения создания на его основе све-тоизлучающих приборов в видимом диапазоне света. Искусственные алмазы также имеют большое техническое значение в силу своих уникальных свойств: высокая теплопроводность, высокие диэлектрические свойства. Практическая ценность сульфида цинка определяется высоким коэффициентом квантового выхода как фотолюминесценции, так и электролюминесценции.

3) Кроме сказанного выше, следует отметить, что оптические свойства большинства исследованных микрокристаллических материалов являются малоизученными в силу того, что их получение стало возможным в последнее время. Это обстоятельство позволяет сказать, что изучение данных материалов имеет научную ценность.

В процессе проведения исследований решались следующие основные задачи:

Экспериментальное изучение оптических спектров ультрадисперсных алмазов, карбонизированного пористого кремния.

2) Исследование влияния лазерного излучения на характеристики фотолюминесценции ультрадисперсных алмазов.

16

3) Исследование двухфотонно и однофотонно возбуждаемой люминесценции сульфида цинка, легированного медью. В ходе выполнения работы решены следующие задачи:

1) Получены спектры фотолюминесценции нанокристаллического алмаза. Впервые обнаружено долговременное разгорание фотолюминесценции ультрадисперсных частиц алмаза, помещенных в матрицу из КВг. При непрерывном возбуждении лазерным излучением в течение нескольких часов интенсивность люминесценции заметно увеличивается. Одновременно с этим появляется линия КР алмаза и растет ее интенсивность.

2) Получены спектры ИК-отражения эпитаксиальных пленок 3C-SiC/Si и отработана методика определения некоторых характеристик этой системы.

3) Показано, что в результате карбонизации спектр фотолюминесценции пористого кремния значительно модифицируется - присутствует два четких максимума 1.9 и 2.4 эВ, а исходная для ПК низкочастотная полоса вблизи 1.7 эВ исчезает. Проанализированы КР-спектры карбонизированного пористого кремния в области 800-1100 см"1.

4) Обнаружено, что образцы карбонизированного ПК, легированные бором, имеют аномально большое время затухания ФЛ (т~500 мс) в сине-зеленой области (-2.4 эВ) спектра. При этом кинетика спада интенсивности люминесценции после отключения лазерного облучения носит немонотонный характер.

5) Зарегистрированы спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции (ДВЛ) ZnS-Cu в коротковолновой области спектра при различных интенсивностях возбуждения. При этом двухфотонные переходы для исследуемых образцов наблюдались даже при достаточно низком уровне накачки непрерывным лазером (-500 Вт/см ). Проведен сравнительный ана

17 лиз спектров однофотонно возбуждаемой люминесценции, ДВЛ и спектров возбуждения.

Настоящая работа состоит из введения трех глав и выводов.

Во введении определена тема исследований, дается характеристика состояния исследований до начала работы, обоснована актуальность темы, описана структура и содержание диссертации по главам, перечислены основные результаты.

В первой главе рассмотрены особенности регистрации оптических спектров материалов, имеющих низкоразмерную структуру. Рассмотрена методика матричной изоляции микрокристаллических образцов. Описаны экспериментальное оборудование и методика эксперимента. Дана краткая структурная характеристика исследуемых материалов.

Во второй главе представлены результаты исследований фотолюминесцентных свойств ультрадисперсного алмаза и карбонизированного пористого кремния. Предложена интерпретация экспериментально обнаруженных свойств фотолюминесценции.

В третьей главе дано краткое описание двухфотонно возбуждаемой люминесценции как метода исследования приповерхностной области кристаллов. Приведены и описаны спектры двухфотонно возбуждаемой люминесценции, фотолюминесценции и спектры возбуждения сульфида цинка легированного медью. Из сравнительного анализа спектров сделан вывод о пространственном распределении центров свечения внутри микрокристалла.

Каждая глава заканчивается резюме. Работа завершается общими выводами.

Диссертация содержит 118 страниц машинописного текста, таблиц 3, рисунков 31, ссылок в списке цитированной литературы 127.

18

4. ВЫВОДЫ

1) Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции УДА. Впервые обнаружено долговременное разгорание фотолюминесценции ультрадисперсных частиц алмаза, помещенных в матрицу из КВг. При непрерывном возбуждении лазерным излучением в течение нескольких часов интенсивность люминесценции заметно увеличивается. Одновременно с этим появляется линия КР алмаза и растет ее интенсивность. Данные изменения в спектрах могут быть связаны с процессами на поверхности наночастиц алмаза, вызванными лазерным излучением.

2) Проанализированы особенности спектральных характеристик пористого кремния, подвергнутого высокотемпературной карбонизации. Показано, что в результате карбонизации спектр ФЛ ПК значительно модифицируется - присутствует два четких максимума 1.9 и 2.4 эВ, а низкочастотная полоса в близи 1.7 эВ исчезает. По нашему мнению, модификация спектров ФЛ карбонизированного пористого кремния объясняется тем, что в процессе высокотемпературного отжига перенасыщенный атомами углерода интерфейс, кроме аморфной, содержит монокристаллическую фазу карбида кремния.

3) Проведен анализ кинетических кривых затухания фотолюминесценции образцов карбонизированного пористого кремния, которые были легированы различными примесями. Показано, что образцы, легированные бором, имеют аномально большое время фотолюминесценции в сине-зеленой области (2.4 эВ) спектра. Обнаружен немонотонный характер кинетики спада интенсивности люминесценции после отключения лазерного облучения. Наблюдаемые в эксперименте эффекты объясняются образованием в процессе карбонизации и легирования значительного количества центров прилипания и встроенного поля р—п -перехода. На

101 личие осцилляций и их период объясняются резонансным туннелирова-нием между локализованными центрами прилипания и величиной потенциала взаимодействия.

4) Зарегистрированы спектры ДВЛ 7п8-Си в коротковолновой области спектра при различных интенсивностях возбуждения. При этом двух-фотонные переходы для исследуемых образцов наблюдались даже при достаточно низком уровне накачки непрерывным лазером (100 Вт/см ).

5) Проведен сравнительный анализ спектров ФЛ, ДВЛ и спектров возбуждения. Показано, что при однофотонном поглощении имеет место возбуждение в основном зеленых центров свечения. Тогда как для возбуждения голубых центров свечения необходимо двухфотонное возбуждение. На основании сравнительного анализа сделан вывод о пространственном распределение центров свечения.

102

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах:

1. С.Н. Миков, Ш.Р. Атажанов, И.П. Пузов. Исследование гетероэпитакси-альных структур 3C-SiC/Si методом отражательной ИК-спектроскопии. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая, Ульяновск, УлГУ, 1997, вып. 1(3), с.35-39.

2. С.Н. Миков, И.П. Пузов. Вызванные лазерным облучением временные изменения в спектрах фотолюминесценции ультрадисперсных алмазов. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая, Ульяновск, УлГУ, 1997, вып. 1(3), с.40-43.

3. С.Н. Миков, И.П. Пузов, B.C. Горелик, Ш.Р. Атажанов. Инфракрасные спектры отражения эпитаксиальных пленок 3C-SiC, выращенных на кремниевых подложках. Краткие сообщения по физике ФИАН. 1998 , №8, с. 26-31.

4. С.Н. Миков, И.П. Пузов. Об определении характеристик нанокриталлов по спектрам комбинационного рассеяния света. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая, Ульяновск, УлГУ, 1998, вып. 2(5), с. 30-34.

5. Б.М. Костишко, Ш.Р. Атажанов, С.Н. Миков, И.П. Пузов, К.А. Гордец-кий. Аномальный характер кинетики затухания фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния. Письма в ЖТФ. 1999, т. 25, №. 6, с. 13-19.

6. С.Н. Миков, И.П. Пузов, B.C. Горелик. Исследование фотолюминесценции ZnS-Cu при двухфотонном возбуждении. В сборнике «Комбинационное рассеяние света - 70 лет исследований». Под ред. Горелика B.C. Изд-во ФИАН. 1998, с. 330-334.

7. С.Н. Миков, И.П. Пузов, B.C. Горелик. Светоиндуцированные процессы в спектрах комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для

103 ультрадисперсных алмазов. Краткие сообщения по физике ФИАН. 1999, № 2, с. 3-8.

8. С.Н. Миков, И.П. Пузов, B.C. Горелик. Спектры фотолюминесценции микрокристаллического ZnS-Cu при одно- и двухфотонном возбуждении. - Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, Изд-во УлГУ, 1998, с. 46-47.

9. С.Н. Миков, A.B. Иго, И.П. Пузов, B.C. Горелик. Спектры комбинационного рассеяния и фотолюминесценции нанокристаллического алмаза. - Труды международной конференции «Оптика полупроводников», 1998, Ульяновск, Изд-во УлГУ, с.71-72.

10. Б.М. Костишко, Ш.Р. Атажанов, С.Н. Миков, И.П. Пузов. Влияние водного дотравливания на спектры фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния. - Труды международной конференции «Оптика полупроводников», 1998, Ульяновск, Изд-во УлГУ, с.157- 159.

11. V.S. Gorelik, A.V. Igo, S.N. Mikov, LP. Puzov. Optical spectra of nano-crystalline diamond. - Fourth International Conference on Nanostructured Materials (NANO-98), Book of Abstracts, 1998, Stockholm, p.573.

12. С.Н. Миков, И.П. Пузов. Фотолюминесценция нанокристаллических алмазов при длительном лазерном возбуждении. - Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», 1998, С.-Петербург, с.69.

13. Б.М. Костишко, Ш.Р. Атажанов, С.Н. Миков, P.M. Мефтахутдинов, И.П. Пузов. Изменение структуры и фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния при электронном облучении. - Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», 1998, С.-Петербург, с.89.

14. С.Н. Миков, И.П. Пузов. О голубой и зеленой фотолюминесценции микрокристаллического ZnS-Cu. - Тезисы докладов Всероссийского

104 симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», 1998, С.-Петербург, с. 136.

15.С.Н. Миков, И.П. Пузов, A.B. Иго. Моделирование спектрального контура комбинационного рассеяния для порошка нанокристаллического алмаза. - Тезисы докладов Всероссийской конференции "Математическое моделирование", 1998, Ульяновск, с. 47-48.

16. И.П. Пузов. Фотолюминесценция поликристаллических люминофоров на основе ZnS-Cu. - Материалы докладов VII ежегодной научно-практической конференции «Труды молодых ученых УлГУ», 1998, Ульяновск, с. 25-26.

105

1. Екимов А.И., Онущенко А.А. Квантовый размерный эффект в оптиче-ских спектрах полупроводниковых микрокристаллов. ФТП, 1982, т. 16, №7, с. 1215-1219.

2. Эфрос Ал.Л., Эфрос А.Л. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре. ФТП, 1982, т.16, №7, с.1209-1214.

3. Banyai L., Ни Y. Z., Lindberg М., Koch S.W. Third-order optical nonlinearities in semiconductor microstructures. Phys. Rev. B, 1988, V. 38, №12, pp. 8142-8153.

4. Бугаев A.A., Станкевич А.Л. Двухфотонное поглощение полупроводниковых микрокристаллов с размерным ограничением. ФТТ, 1992, т.34, № 5, с. 1613-1619.

5. Акципетров О.А., Никулин А.А., Елютин Л.В., Островская Е.А. Нелинейная оптика наноструктур. Университеты России. Физика твердофазных структур, с. 116-128.

6. Cullis A.G., Canham L.T., Calcot D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon. J. Appl. Phys., 1997, v. 82, № 3, pp. 909-965.

7. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical andchemical dissolution of wafers. Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, pp. 10461048.

8. Бреслер M. Б., Яссиевич И. H. Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния. ФТП, 1993, т. 27, №5, с. 871-883.

9. Teschke О., Galembeck F., Goncalves М., Davanzo С. Photoluminescencespectrum redshifting of porous silicon by a polymeric carbon layer. Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, №26, pp. 3590-3592.106

10. Gardelis S., Rimmer J., Dawson P., Hamilton В., Kubiak R., Whall Т., Parker E. Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, 2118.

11. Компан E.M., Шабанов И.Ю., Беклемышин В.И., Гонтарь В.М., Махо-нин И.И. О первичной люминесценции пористого кремния. ФТП, 1996, т.ЗО, №6, с. 1095-1103.

12. Андрианов А.В., Ковалев Д.И., Шуман В.Б., Ярошецский И.Д. Письма ЖЭТФ, 1992, т.56, с. 242.

13. Sanders G.D., Chang Y.C. Theory of optical properties of quantum wires in porouse silicon. Phys. Rev. B, 1992-11, v. 45, pp. 9202-9213.

14. Горячев Д.Н., Сресели O.M. Фотолюминесценция пористого арсенида галия. ФТП, 1997, т. 31, №11, с. 1383-1386.

15. Агекян В.Ф., Лебедев А.А., Рудь Ю.В., Степанов Ю.А. Фотолюминесценция анодизированного карбида кремния. ФТП, 1997, т. 31, № 2, с. 251-253.

16. Данишевский A.M., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC. ФТП, 1997, №11, с. 1387-1391.

17. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю. Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках. ФТП, 1997, т. 31, № 4, с. 420-424.

18. Титов В.М., Анисичкин В.М., Мальков И.Ю. Исследование процесса синтеза ультрадисперсного алмаза в детонационных волнах. ФГВ, 1989, №3, с. 117-126.

19. Анисичкин В.М., Мальков И.Ю., Титов В.М. Синтез алмаза при динамическом нагружении органических веществ. ДАН СССР, 1988, т.303, № 3, с. 625-627.107

20. Богданов C.B., Мороз Э.М., Коробов Ю.А. Структурные характеристики высокодисперсных алмазов, полученных методом взрыва. Неорганические материалы, 1995, т. 31, № 6, с. 804-806.

21. Алексенский А.Н., Байдакова М.В., By ль А .Я., Сиклицкий В.И. Структура алмазного нанокластера. ФТТ, 1999, т. 41, № 4, с. 740-743.

22. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В., Валиуллова З.Х. Исследование ультрадисперсных алмазосодержащих паст. Изв. РАН. Сер. физ., 1994, Т. 58., №1, с. 191-194.

23. Obraztsova E.D., Korotushenko K.G., Pimenov S.M. et al. Raman and photoluminescence investigations of nanograined diamond films. Nanos-truct. Materials, 1995, v.6, pp.827-830.

24. Компан M.E., Теруков Е.И., Гордеев C.K., Жуков С.Г., Николаев Ю.А., Спектры люминесценции ультрадисперсных алмазов. ФТТ, 1997, т. 39, №12, с. 2156-2158.

25. Алексенский А.Е., Осипов В.Ю., Крюков H.A., Адамчук В.К., Абаев М.И., Вуль С.П., Вуль А.Я. Оптические свойства слоев ультрадисперсного алмаза, полученных из водной суспензии. Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, №22, с. 39-44.

26. Obraztsova E.D., Fujii M., Hayashi S., Kuznetsov V.L., Butenko Yu. V. Raman identification of onion-like carbon. Nanostruct. Materials, 1998, v. 36, №5-6, pp. 812-826.

27. Мальков И.Ю., Титов B.M., Кузнецов B.JI., Чувилин Ф.Л. Образование частиц углерода луковичной структуры из ультрадисперсного алмаза. ФГВ, 1994, т. 30, № 1, с. 130-132.

28. Gamarnik. M. Energetical preference of diamond nanoparticals. Phys. Rev. B, 1996, v.54, pp. 2150-2156.108

29. Гапоненко С.Б. Оптические процессы в полупроводниковых нанокри-сталлитах (квантовых точках). ФТП, 1996, т. 30, №4, с. 577-619.

30. Yang Y., Chen Y., Lee Y., Liu L. J.Appl.Phys., 1994, v. 76, pp. -3041.

31. Suemune I., Noguchi N., Yammanishi M. Japan. J. Appl. Phys., 1992, v. 31, pp. L494.

32. Образцов A.H., Караванский B.A., Окуши X., Ватанабе X. Поглощения света и фотолюминесценция пористого кремния. ФТП, 1998, т. 32, №8. с. 1001-1003.

33. Ельцов К.Н., Караванский В.А., Мартынов В.В. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию. Письма в ЖЭТФ, 1996, т. 63, № 2, с. 106-111.

34. Tishler М.А., Collins R.T., Stathis J.H., Tsang J.C. Luminescence degradation in porous silicon. Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60, pp. 639-641.

35. Пирятинский Ю.П., Семонович B.A., Клюй Н.И., Рожин A.L. Особенности разрешенной во времени фотолюминесценции систем пористый кремний-алмазоподобная пленка углерода. ЖТФ, 1998, т. 68, №4, с. 8387.

36. Рожин А.Г., Клюй Н.И., Пирятинский Ю.П., Семенович В.А. Фотолюминесценция систем' пористый кремний-азмазоподобная пленка углерода, подвергнутых быстрому термическому отжигу. Письма в ЖТФ, 1999, т. 25, №8, с. 27-32.

37. Горелик B.C., Миков С.Н., Иго A.B. Комбинационное рассеяние света малыми частицами алмазов в бромистом калии. Краткие сообщения по физике ФИАН, 1995, №11-12, с.20-25.109

38. Андреев В.Д., Начальная Т.А., Гарбусенок Е.В. Особенности комбинационного рассеяния света в микропорошках алмаза. Сверхтвердые материалы, 1993, №2, с. 11-16.

39. Sato.Y. Japan Reviews in New Diamond, 1988, pp. 30-35.

40. Дигонский B.B., Дигонский C.B. Закономерности образования алмаза. -СПб.: Недра, 1992.-223 с.

41. Алексенский А.Е., Байдакова М.В., Буль А.Я., Давыдов В.Ю., Певцова Ю.А. Фазовый переход алмаз-графит в кластерах ультрадисперсного алмаза. ФТТ, 1997, Т. 39, №6, с. 1125-1134.

42. Yoshikawa М., Mori Y., Obata Н., at al. Raman scattering from nanometer-sized diamond. Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, №5, pp.694-696.

43. Губаревич T.M., Кулагина Ю.В., Полева Л.И. Окисление ультрадисперсных алмазов в жидких средах. Сверхтвердые материалы, 1993, №3, с.34-40.

44. Grivickas V., Kolenda J., Bernussi A. et al. Brazilian Journal of physics, 1994, v. 24, №1, pp. 349-352.

45. Tsai C., Li K.-H., Sarathz J. et al. Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon. Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, pp. 2814-2816.

46. Chang I.M., Chuo G.S., Chang D.C. et al. J. Appl. Phys., 1995, v. 77, №10, pp. 5365-5368.

47. Migazaki S., Shiba K., Sakomoto K. et al. Optoelectron.: Devices and Technol., 1992, v. 7, №1, pp. 95-102.

48. Орлов A.M., Костишко Б.М., Емельянова Т.Г. Кинетика фотолюминесценции химически обработанного пористого кремния при непрерывном110лазерном облучении. Неорган, материалы, 1996, т. 32, № 12, с. 14321435.

49. Hidenori Mimura, Toshiro Futagi, Takahiro Matsumoto et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1994, v. 33, pp. 586-589.

50. Кашкаров П.К., Константинова E.A., Петров C.A. и др. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния ФТП, 1997, т. 31, № 6, с. 745-748.

51. Б.М. Костишко, Ш.Р. Атажанов, С.Н. Миков. Фотолюминесценция и деградационные свойства карбонизированного пористого кремния, Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 16,с.24-30.

52. Атажанов Ш.Р., Комов А.Н.,Чепурнов В.И. и др. Тез. докл. Международного семинара "Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе". Новгород: Изд. Новг. ГУ. 1995, с. 25-26.

53. Глаговский Ф.Ф., Гранковский Э.В., Дроздов А.К. и др. Некоторые вопросы получения карбида кремния и эпитаксиальных структур на его основе. В сб.: "Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников" Л.: ЛИЯФ, 1979, с. 226 240.

54. Мохов Е.Н., Водаков Ю.Ф., Ломакина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния. В сб.: «Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников» Л.: ЛИЯФ, 1979. с. 136- 149.

55. Vodakov Yu. A., Mokhov Е. N., Ramm М. С., Roenkov A. D. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sandwich method. Cryst. Res. & Techn, 1979, №14(6), pp. 729 741.

56. Patryk L. High electron mobility of cubic SiC. J. Appl. Phys., 1966, v.37, pp. 4911 -4913.1.l

57. Ferry D. K. High-field transport in wide-band-gap semiconductor. Phys. Rew. В., 1975, v.12, pp.2361 2369.

58. Yoshinobu Т., Nakayama M., Shiomi H., Fuyuki Т., Matsunami H. Atomic level control in gas source MBE growth of cubic SiC. J. Cryst. Growth.,1990, v.99, pp.520 524.

59. Yoshinobu Т., Fuyuki Т., Matsunami H. Interface modification by hydrocarbon gas molecular beams in heteroepitaxy of SiC on Si. Jpn. J. Appl. Phys.,1991, № 6 B, pp. L1086 L1088.

60. Nishino S., Suhara H., Ono H., Matsunami H. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on Silicon. J. Appl. Phys., 1987, v.61, № 10, pp. 4889-4893.

61. Furumura Y., Doki M., Mieno F., Eshita Т., Suzuki Т., Maeda M. Hetero-epitaxial p-SiC on Si. J. Electrochem. Soc., 1988, v. 135, №5, pp. 12551260.

62. Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко JI.A., Кокин С.М. Электролюминесцентные источники света. М.: Энергоатомиздат, 1990, 168 с.

63. Георгобиани А.Н., Шейкман М.К. Физика соединений AnBVI, М.: Наука. 1986, 320 с.

64. Андерсон А. Применение спектров комбинационного рассеяния. Перевод с английского, изд-во «Мир», М., 1977, с. 601.112

65. Бурлаков А.В. О спектрах свечения люминофоров ZnS-Cu, А1 под действием разных видов возбуждения. Опт. и спектр., 1963, т. 1, с.308-312.

66. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М. Изд-во иностр. лит., 1961, 107с.

67. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974, 258 с.

68. Верещагин И.К., Косяченко Л.А., Кокин С.М. Введение в оптоэлектро-нику. М.: Высшая школа, 1991.

69. Kroger F.A., Hellingman J.E., Smith N.W. The fluorescence of zinc sulphide activated with copper. Physica, 1949, v.15, pp. 990-1018.

70. Kroger F.A., Smith N.W. The physical chemistry of the formation of fluorescence centers in ZnS-Cu . Ibid., 1950, v. 17, pp. 317-328.

71. Bancie-Grillot M., Grillot E. Sur la constitution des deux sortes de centres luminogenes cuivre dans le sulfure de zink. C. r. Acad. Sci., 1962, v.254, № 9, pp. 1605-1607.

72. Suemune I., Noguchi N., Yammanishi M. Japan.J.Appl.Phys., 1992, v.31, pp. L494.

73. Миков C.H., Пузов И.П., Горелик B.C. Светоиндуцированные процессы в спектрах комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для ультрадисперсных алмазов. Краткие сообщения по физике ФИАН. 1999, № 2, с. 3-8.

74. Миков С.Н., Пузов И.П. Вызванные лазерным облучением временные изменения в спектрах фотолюминесценции ультрадисперсных алмазов. Ученые записки УлГУ. Серия физическая, Ульяновск, УлГУ, 1997, вып. 1(3), с.40-43.113

75. Природные алмазы России. Под ред. Кваскова В.Б. М.: Полярон, 1997, 304 с.

76. Михайлов С.Г., Соломонов В.И., Импульсная катодолюминесценция алмазов. Спектроскопия твердого тела, 1996, т. 80, №5, с. 781-784.

77. Davies G. The Jahn-Teller effect and vibronic coupling at deep levels in diamond. Rep. Prog. Phys., 1981, v. 44. p. 787-830.

78. Миков C.H., Иго A.B., Горелик B.C. Комбинационное рассеяние света на алмазных квантовых точках в матрице бромистого калия. ФТТ, 1995, т. 37, №10, с.3033-3038

79. Миков С.Н., Пузов И.П. Фотолюминесценция нанокристаллических алмазов при длительном лазерном возбуждении. Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», 1998, С.-Петербург, с.69.

80. Соболев Е.В. Тверже алмаза. Новосибирск: «Наука», 2-е издание. 1989, 192 с.

81. Миков С.Н., Иго А.В., Пузов И.П., Горелик B.C. Спектры комбинационного рассеяния и фотолюминесценции нанокристаллического алмаза. Труды международной конференции «Оптика полупроводников», 1998, Ульяновск, Изд-во УлГУ, с.71-72.

82. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Лисицы П.М., Киев: «Наукова Думка», 19.87.

83. Richter Н., Wang Z., Ley L. The one-phonon Raman spectrum in micro-crystalline silicon. Solid State Communications, 1981, v. 39, pp. 625-629.

84. Tiong K.K., Amirhaj P.M.,. Pollak F.H, Aspes D.E. Appl. Phys. Lett., 1984, v.44, pp. 122.114

85. Campbel I.H., Faurchet P.M. The effect of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors. Solid State Communications, 1986, v. 58, pp. 739-741.

86. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978, 616 с.

87. Лебедева В.В. Техника оптической спектроскопии. М.: Изд-во Моск. Ун-та. 1977, 384 с.

88. Миков С.Н., Пузов И.П., Иго А.В. Моделирование спектрального контура комбинационного рассеяния для порошка нанокристаллического алмаза. Тезисы докладов Всероссийской конференции «Математическое моделирование», 1998, Ульяновск, с. 47-48.

89. Миков С.Н., Пузов И.П. Об определении характеристик нанокриталлов по спектрам комбинационного рассеяния света. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая, Ульяновск, УлГУ, 1998, вып. 2(5), с. 30-34.

90. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1977, 368 с.

91. Addamiano A., Klein P. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals. J. Cryst. Growth, 1984, v.70, pp.291 294.115

92. Миков С.Н., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П. Исследование гетероэпитакси-альных структур 3C-SiC/Si методом отражательной ИК-спектроскопии, Уч. Записки Ульяновского гос. ун-та, сер. физ. 1997, Вып. 1(3), с. 35 -39.

93. Миков С.Н., Пузов И.П., Горелик B.C., Атажанов Ш.Р. Инфракрасные спектры отражения эпитаксиальных пленок 3C-SÍC, выращенных на кремниевых подложках. Краткие сообщения по физике ФИАН. 1998, №8, с. 26-31.

94. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н., Пузов И.П. Влияние водного дотравливания на спектры фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния. Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, Изд-во УлГУ, 1998, с. 157- 159.

95. Sanders G.D., Chang Y.-C. Theory of optical propories of quantum wires in porouse silicon. Phys. Rev. B, 1992, v. 45, № 16, pp. 9202-9213.116

96. Hofmann M., Zywietz A., Karch К., Bechstedt F. Lattice dynamics of SiC polytypes within the bond-charge model. Phys. Rev. B, 1994, v. 50, № 18, pp. 13401-13411.

97. Костишко Б.М., Ат'ажанов Ш.Р., Миков C.H. Фотолюминесценция и деградационные свойства карбонизированного пористого кремния. Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 16, с. 24-30.

98. Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. ФТП, 1996, т. 30, с. 1479-1490.

99. Костишко Б.М., Орлов A.M., Емельянова Т.Г. Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при одновременном термическом и лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1996, т. 22, с. 68-73.

100. Костишко Б.М., Гончар Л.И. Аномальная эволюция фотолюминесценции пористого кремния в электрическом поле. Письма в ЖЭТФ, 1997, т. 66, с. 357-362.

101. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н., Пузов И.П., Гордец-кий К.А. Аномальный характер кинетики затухания фотолюминесценции карбонизированного пористого кремния. Письма в ЖТФ. 1999, т. 25, №. 6, с. 13-19.

102. Т. Matsumo, М. Daimon, Т. Futagi et al. Jpn. Appl. Phys. Pt., 1992, v.31, p. L619117

103. Компан М.Е., Шабанов И.Ю. Исследование процессов "усталостной" релаксации люминесценции пористого кремния методом время-разрешенной спектроскопии. ФТТ, 1997, т. 39, №7, с. 1165-1169.

104. Sulston K.W., Amos А.Т., Davison S.G. Many-electron theory of charge transfer in ion-surface scattering. Phys. Rev. B, 1988, v. 37, p. 9121-9128.

105. Басов Н.Г., Граскж A.3., Зубарев И.Г., Катулин В.А., Крохин О.Н. Полупроводниковый квантовых генератор с двухфотонным оптическим возбуждением. ЖЭТФ, 1966, т. 50, вып. 3, с. 551-559.

106. Конюхов В.К., Кулевский Л.А., Прохоров A.M. Оптический генератор CdS при двухвотонном возбуждении рубиновым лазером. ДАН СССР, 1965, т. 164, №5, с. 1012-1015.

107. Агальцов A.M., Горелик B.C., Рахматуллаев И.А. Двухфотонно-возбуждаемая флуоресценция в поликристаллах ZnO. ФТТ, 1996, т. 38, № 11, с. 3322-3326.

108. Горелик B.C., Кудрявцева А.Н., Соколовская А.И., Чернега Н.В. Энергетические характеристики вдухфотонно возбуждаемой люминесценции в органических средах. Опт. и спектр., 1996, т. 81, № 3, с. 409-413.

109. Горелик B.C., Жаботинский Е.В. Объемная фотолюминесценция в молекулярных кристаллах при двухфотонном возбуждении. Квантовая электроника, 1994, т. 21, № 3, с. 291-293.

110. Catalano I.M., Cingolani A., Minafra A. Transmittance, luminescence, and photocurrent in CdS under two-photon excitation. Phys. Rev. B, v. 9, № 2, pp. 707-701.

111. Mang A., Reimann K., Rtibenacke St., Steube M. Two-photon spectroscopy study of ZnS and CdS under hydrostatic pressure. Phys. Rev. B, v. 53, №24, pp. 16283-16288.118

112. Шен И. Принципы нелинейной оптики. М. Наука. 1989.

113. Горелик B.C., Соколовская А.И., Чернега Н.В., Щеглов В.А. О вынужденной двухфотонно возбуждаемой люминесценции в кристаллах стильбена. Квантовая электроника, 1992, №6, В20, с. 586- 588.

114. Горелик B.C., Жаботинский Е.В. Двухфотонно возбуждаемая люминесценция в твердотельных сцинтилляторах. Квантовая электроника, 1992. №11, В.19, с.1084-1085.

115. Пузов И.П. Фотолюминесценция поликристаллических люминофоров на основе ZnS-Cu. Материалы докладов VII ежегодной научно-практической конференции «Труды молодых ученых УлГУ», 1998, Ульяновск, с. 25-26.

116. Физика и химия соединений AnBVI. Перевод с английского под редакцией С.А. Медведева. М. 1970. 624 с.

117. Миков С.Н., Пузов' И.П., Горелик B.C. Исследование фотолюминесценции ZnS-Cu при двухфотонном возбуждении. В сборнике «Комбинационное рассеяние света 70 лет исследований». Под ред. Горелика B.C. Изд-во ФИАН. 1998, с. 330-334.

118. С.Н.Миков, И.П.Пузов. О голубой и зеленой фотолюминесценции микрокристаллического ZnS-Cu. Тезисы докладов Всероссийского симпозиума «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», 1998, С.-Петербург, с. 136.

119. Khosravi A., Kundu M. et al. Green luminescence from copper doped zinc sulphide quantum particle. Appl. Phys. Lett., 1995, v.61, №18, P.2702-2704.

120. Справочник физических величин. Под ред. Григорьева И.С. и Мейли-ховаЕ.З., М.: Энергоатомиздат, 1991.

121. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: Издательство иностранной литературы, 1961.