Взаимодействие халькогенидов цинка и кадмия с халькогенидами висмута тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§1. Физико-химические свойства Zn ,cd ,Sn

Bi ,Se , Те

§2. Селениды и теллуриды цинка, кадмия и висмута.

Физико-химические свойства

§3. Взаимодействие в тройных системах Zn - Bi- Se, (Gd)Zn - Bi- Те. Тройная взаимная система

CdSe)3+Bi2Te3 = (CdTe)3+Bi2Se

§4. Электрофизические свойства ZnSe , ZnTe , CdSe

CdTe.

§5. Электрофизические свойства Bi2Se3, Bi2Te3 , твердых растворов Bi2Sexie3x и влияние на них легирующих примесей.

Глава II. ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И МЕТОДУ ИССЛЕДОВАНИЯ

§1. Задачи исследования

§2. Приготовление образцов.

§3. Методы исследования

Глава III. ИССЛЕДОВАНИЕ * СИСТЕМ ZnBi-Se, Zn -Bi-Te,

Cd-Bi-Te.

§1. Исследование системы zn- Bi-Se

§2. Исследование системы zn-Bi-Te

§3. Исследование системы cd-Bi-Te

§4. Обсуждение результатов и выводы

Глава 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРОЙНОЙ ВЗАИМНОЙ СИСТЕМЫ CCdSe)3+Bi2Te3 л (CdTe)3+Bi2Se3.

1. Выявление устойчивых разрезов в тройной взаимной системе

2. Поиск четверных фаз в тройной взаимной системе.

3. Поверхность ликвидуса тройной взаимной системы

4. Изотермическое сечение тройной взаимной системы

Глава У. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕШОЭЛЕКТРШЕСКИХ СВОЙСТВ ТВЕРДОС РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА В СИСТЕМАХ Zn -Bi — Те, Cd -Bi - Те, (CdSe)3+Bi2Te3 * (CdTe)3+Bi2Se3.

§1. Термоэлектрические свойства твердых растворов на основе теллурида висмута в системе

ZnTe -Bi2Te

§2. Термоэлектрические свойства твердых растворов на основе теллурида висмута в системе

CdSe - Bi2Te

§3. Термоэлектрические свойства сплавов в псевдотройной системе CdSe -Bi2Se3 -Bi2Te

§4. Термоэлектрические свойства легированных оловом твердых растворов на основе BigTe^ в системе СйТе- Bi2Te^.

§5. Обсуждение результатов и выводы

ОБЩИЕ ВЫВОда.

В связи с быстрым развитием различных областей полупроводтт у-т y YI никового материаловедения соединения А В, Ag Bg приобрели исключительно важное значение.

Селениды и теллуриды цинка и кадмия широко используются в оптоэлектронике и лазерной технике /1-5/.

Полуторные селенвд и теллурид висмута, а также твердые растворы системы Bi^Se^ в±21е3 характеризуются высокой термоэлектрической добротностью, что обусловило их применение в качестве материалов для термоэлектрических преобразователей /6-10/.

Решение задачи получения полупроводниковых соединений с заданными свойствами неразрывно связано с планомерным физико-химическим изучением систем, образованных соответствующими элементами.

Таким образом, цель настоящей работы, состоящая в исследовании систем Zii -Bi -Se , Zn -Bi -Те , Cd -Bi -le , (GdSe)3-bBi2Xe^(Gdie)3+Bi2Se^ несомненно является актуальной.

Впервые построенные Т-Х фазовые диаграммы политермических разрезов, поверхности ликвидуса и изотермические сечения этих систем безусловно найдут применение в связи с теоретической и практической разработкой методов синтеза новых соединений, а также мо1ут быть использованы в качестве справочного материала.

На термоэлектрическую добротность соединений со структурой тетрадимита ( Bi^Se^ , Bi^Te^ , Bi2SexTe^x ) сильно влияют малые добавки халькогенидов элементов IIB группы; при этом возможность направленного легирования во многом зависит от установления характера образования твердых растворов.

В настоящей работе впервые изучены термоэлектрические свойства образцов на основе соединений со структурой тетрадимита. Показана перспективность синтеза более сложных, в сравнении с бинарными, сплавов на основе халькогенидов висмута при разработке новых материалов для полупроводниковых термоэлектрических преобразователей. Практическая ценность установленных закономерностей подтверждена получением образцов с повышенными значениями термоэлектрической добротности.

Исследование выполнялось в соответствии с координационным планом научно-исследовательских работ по направлению: "Синтез полупроводниковых материалов с заданными свойствами", № Государственной регистрации 730I326I; п. 2.2I.I.I по плану НИР АН СССР.

ВЫВОДЫ.

1. Методами физико-химического анализа впервые исследовано взаимодействие в тройных системах Zn-Bi-Se , Zn-Bi--Хе , Cd - Bi - Те ; тройной взаимной системе (CdSe)3+Bi2Te3 * * (CdTe)3+Bi2Se3.

2. В системе Zn - Bi - Se тройные соединения не образуются: триангуляция системы проводится квазибинарными разрезами ZnSe-Bi2Se3 , ZnSe-Bi , выявленными в ходе исследования. Т-Х фазовая диаграмма разреза ZnSe-Bi2Se3 эвтектического типа с ограниченными твердыми растворами на основе компонентов. Координаты эвтектической точки: 7+0,5 мол.% ZnSe , 700+5°С. Эвтектическая точка системы ZnSe-Bi сильно сдвинута по составу в сторону висмута (270°С). Построены Т-Х фазовая диаграмма неквазибинарного разреза ZnSe --BiSe , изотермическое сечение Т-Х фазовой диаграммы системы Zn-Bi-Se при 500°С.

3. В системе Zn-Bi-ie выявлены квазибинарные разрезы znle - Bi2ie3 , ZnTe - Bi ; проведена триан1уляция системы. Твердые растворы на основе Bi2Te3 системы ZnTe - Bi2Te3 образуются по перитектической реакции. Координаты перитектичес-кой точки: 3+0,5 мол.$ Znle ; 600+5°С. Особенностью системы ZnTe - Bi является сильно сдвинутая по составу в сторону висмута эвтектика и расслаивание в жидкой фазе. Построены Т-Х фазовые диаграммы неквазибинарных разрезов Znle - Bile , ZnIe-Bi2Te , Znle -( Zn-Bi)I:I; поверхность ликвидуса и изотермическое сечение Т-Х фазовой диаграммы системы Zn- Bi- Те при 500°С.

4. Проведена триангуляция системы cd - Bi- Те квазибинарными разрезами сате - Bi2Te3 , cdie- Bi. Впервые построены Т-Х фазовые диаграммы неквазибинарных разрезов CdTe

- Bile , CdTe - Bi2Te , Cdle -(Cd - Bi)I:I; поверхность ЛИК— видуса и изотермическое сечение Т-Х фазовой диаграммы системы Cd - Bi- Те при 500°С.

5. Предложена модель образования твердых растворов на основе халькогенидов висмута в системах Bi2Se3 - ZnSe f

Bi2Ie3 - Znle , Bi2Te3- Cdle , Bi^Te-j - CdSe . Атомы цинка, вероятно, занимают положения между слоями квинтетов или между квинтетами слоистой структуры халькогенидов висмута. В кадмиевых системах атомы кадмия (селена) занимают места висмута или теллура в их подрешетках в структуре

6. При исследовании тройной взаимной системы (cdSe)3 + + Bi2ie3 «* (Cdie)3 + Bi2Se3 установлено, что характер взаимодействия в системе определяется равновесиями между фазами на основе твердых растворов Bi2SexTe3-x и cdSeYTeM (0 < х<3, 0 < Y < I). Показано, что равновесие взаимной реакции (CdSe)3 + Bi2le3 as. (CdTe)3 + Bi2Se3 сдвинуто в сторону образования фаз на основе CdSe и Bi2Te3 . Построены поверхность ликвидуса и изотермическое сечение Т-Х фазовой диаграммы тройной взаимной системы при 500°С.

7. Изучены термоэлектрические свойства твердых растворов на основе халькогенидов висмута в системах Bi2ie3 -Znle 9 Bi2Ie3 - CdSe, Bi2Te3 - Bi2Se3 -CdSe , Установлен донорный характер влияния теллурида цинка и селенида кадмия на халькогениды висмута в этих системах. Получены образцы, представляющие интерес в качестве термоэлектрических материалов.

8. Проведено легирование оловом твердых растворов на основе теллурида висмута в системе cdie-Bi2ie3 . Установлено, что олово в этом случае является акцепторной добавкой. Получены образцы с повышенными значениями термоэлектрической добротности z (до 3,7.10""3 град."*-1-). В целом, показана перспективность синтеза более сложных, в сравнении с бинарными, соединений на основе полуторных халькогенидов висмута при разработке новых материалов для полупроводниковых термоэлектрических преобразователей.

1. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Мирнов И.А. Неорганические люминофоры. Ленинград, "Химия", 1975.

2. Кузнецов П.И., Поляков В.И,, Авдеева Л.А. Экситонное поглощение пленок CdSe , полученных из элементоорганичес-ких соединений. Изв. АН СССР, "Неорган.материалы", 1980, т.16, JE6, с.972-975.

3. Алмазов А.Б. Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов. М., "Наука", 1966.

4. Bogdankevich. О.У., ZverevM.M., Krasilnikov A.I. P^chenov А.Ш. Laser emission in electron-beam excited

5. ZnSe. Phys.Stat.Solidi, 1967, v .16, Щ, p. K-5 K-6.

6. Крайнюков Н.И., Кисиль И.И., Сысоев А.А. Сб. "Монокристаллы, сцинтилляторы, люминофоры"-. Вып. I, Харьковский Университет, 1967.

7. Термоэлектрические материалы и преобразователи. Пер. с англ. под редакцией Карчевского А.И. М., "Мир", 1964.

8. Крестовников А.Н., Романцева Л.А., Кулиева Г.А., Евдоки-менко Л.Т., Ципин М.И. Сб. "Термоэлектрические материалы", М., МИСиС, 1971.

9. Ы.J.Goldcmid. Materials used in semiconductor devices. Hagarth Interscience Publ. 1965, M, Chapter7.

10. Ерофеев P.С., Щербина Э.И. Исследование влияния термообработки на свойства образцов Bi2Ie2Se • Изв.АН СССР, "Неорган, материалы", 1981, т.17, Ж, с. 28-31.

11. Алиева Т.Д., Аббинов Д.Ш., Салаев Э.Ю. Влияние обработки поверхностей термоэлектрических материалов на свойства элементов на основе твердых растворов Bi2Sexaie3-x • Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1981, т.17, №11,с. 1996-1999.

12. Свойства элементов. Под редакцией Самсонова Г.В., М., "Металлургия',1 1976.

13. I.Barin, Knacke 0. 'ilhermociiemical properties of inorganic substances. Springer-Verlag, Berlin, 1973.

14. Bar in I.,Knacke 0. ,Kubashewsky 0. 'I'hermochemical properties of inorganic substances.Sprin.-Ver.Berlin 1977.

15. Несмеянов A.H. Давление пара химических элементов, м., Изд. АН СССР, 1961.

16. Справочник "Химия". Пер. с немецкого под редакцией Гаврюченкова Ф.Г., Ленинград, "Химия", 1975.

17. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М., "Металлургия", 1962.

18. Шанк Ф. "Структуры двойных сплавов". Пер. с английского под редакцией Новикова И.И., М., "Металлургия", 1973.

19. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М., "Физматгиз", Т. 1,2, 1962.

20. Полупроводниковые хаяькогениды и сплавы на их основе.

21. Под ред. Абрикосова Н.Х., М., "Наука", 1975.

22. Brebrick R.F. Partial Presaires of Zn and ZnTe up to 9I7°C. J.Electrochem.Soc. 1969, v.II6, Ш, p. 1274-1279.

23. Jardan A.S.,Zupp R.R. Calculation of the minimum Pressure, P-T Diagrams and solidus of ZnTe. J.Electrochem.

24. Soc.1969, v.II6, p.1264-1268.т. 3, Ш, с. 390-391.

25. Mills K.S. Thermodynamic data for inorganic Sulphides, Selenides and Tellurides. London, 1974.

26. Томашик B.H., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений А-^В^. Киев, "Наукова думка", 1982.

27. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Под ред. Абрикосова Н.Х. М., "Наука", 1967.

28. Lorenz М.Е. Phase equilibria in sistern Cd Те.

29. J. Phys. Chem. of Solids, 1962,v .23, №9, p.939-947.

30. Steiniger j.,Brebrick R.P.,Strauss A.J.Phase diagram of Zn Cd - Те Ternary Sistem. J.Electrochem. Soc. 1970, v.II7, №10, p. 1305-1309.

31. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф., Харитонович К.Ф. Исследование диаграммы состояния Se. Журн. структ. химии,1.60, т.5, №9, с. 20II-20I6.

32. Gather B.,Blachnic R. i'ernare chalkogenhaltige Sisteme. Z. Metallkund, 1975, v.66, №6, p. 356-359.

33. Годовиков А.А. Рентгенографическое исследование отдельных представителей системы Bi Se. Журн. структ. химии, 1962, т.З, ЖЕ, с. 44-50.

34. Langston S.A.,Lewis В. Compounds with С^З tetradymite tipe structure. J. Phys. and Chem. of Solids,1963, v.24, MI, p. 1387-1389.

35. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф. Исследование диаграммы состояния системы Bi Те. Журн. неорган, химии, 1958,т.З, вып.З, с.659-667.

36. Boling J.P. Some termal data for BigTe^.

37. J. Chem. Phys. I960, v.33, Щ, p.305-306.

38. Brebrick R.F.,Smith T.J.Homogenity Ranges BigTe^ and Te2 -pressure along the three-phases curves for Bi^Te^and 55-58 at.% Те. J. Phys. and Chem. of Solids.1969,v.30, Щ, p. 719-731.

39. Satterwite C.B.,Ure R.W. Electrical and termal properties of Bi^Te^. Phys. Rev»1957,v .108, №5, p. II64-II70.

40. Glatz A.G. Evolution of the Bismuth Tellurium phase sistem. J. Electrochem. Soc.1965,v .112, № 12, p. 1204-1207.

41. Chung-Chiung Liu, John C. Angus. Electromotive Force investigation of the Bi Те sistem. J.Electroc.Soc.1969, v.II6, № 8, p. 1054-1060.

42. Matsumura Akira,Hayas Chi Akio. Equilibrium phase Diagram of Bi-Sb-Te sistem. Sumitomo El.Techn.Rev.1968, J6 II, p. I03-III.

43. Brown A., Lewis B. The sistems Bismuth-Tellurium and Antimony-Tellurium. J. Phys.and Chem, of Sol.1962, v.23, p. 1597-1604.

44. Brebrick R.F. Characterization of phases in the 50-60 at.% region of Bi-Te sistem. J.Appl.Cryst.1968,v .1, Jfc I, p. 241-246.

45. Стасова M.M. О кристаллической структуре селенидов висмута и теллуридов сурьмы и висмута. Журн.структ.химии,1967, т. 8, № 4, с. 655-661.

46. Стасова М.М., Карпинский О.Г. О слойности в структурах селенидов и теллуридов висмута и теллуридов сурьмы. Журн.структ.химии, 1967, т.8, № I, с. 85-88.

47. Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ. М., "Гостехгеоиздат", 1950.

48. Физика и химия соединений A1*./*. Пер. с английского под ред. Медведева С.А., м., "Мир", 1970.

49. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Селен и селениды.1. М., "Наука", 1964.

50. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.

51. Справочник. А.В.Новоселова, Лазарев В.Б. (отв.редактор), М., "Наука", 1979.

52. Новоселова А.В., Пашинкин А.С. Давление пара летучих халькогенидов металлов. М., "Наука", 1978.

53. Термодинамические константы веществ. Справочник под ред. Глушко В.П. М., Изд. ВИНИТИ, 1970-1978.

54. Регель А.Р., Глазов В.М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов. М., "Наука", 1978.

55. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Теллур и теллуриды.1. М., "Наука'\ 1966.51. a?ebrick R.F.,Smith l.j. Partial and total Vapor Pressures over molten Bigi'e^. J.Electrochem.Soc.1971,v .118, № 6, p.991-996.

56. Стасова M.M. Рентгенографическое исследование области гомогенности в системе Bi Se. Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1965, т.1, № 12, с.2134-2137.

57. Стасова М.М. Кристаллическая структура селенида висмута Bi4Se3 . Изв АН СССР, "Неорган.материалы", 1968, т.4, № I, с. 28-31.

58. Стасова М.М. Рентгенографическое исследование некоторых халькогенидов висмута и сурьмы. Журн.структ.химии, 1964, т.5, № 4, с.793-794.

59. Семилетов С.А. Электронографическое исследование структуры сублимированных слоев системы Bi -Se , Bi i'e.

60. Труды ИКАН, 1954, Изд. АН СССР, с. 76-83.

61. Rubenstein М. Solubilitiers of some II-YI compoundsin Bismuth. J.Electr.Soc. 1966,v .113, № 6, p.623-626.57. 'i'ai H., Hory S. Equilibrium Phase Diagram for the Gd'ie-Sb and Cd'l'e-Bi Sistems. Japan Institute of Met.1970,v .34, № 8, p.843-846.

62. Новоселова А.В., Шер А.А., Один И.Н., Гетерогенные равновесия и термоэлектрические свойства сплавов в системах CdTe Bi2'l1e3 , CdTe - Sb2Te3 . Журн.неорган, химии, 1981, т.26, № 4, с. 1048-1052.

63. Витриховский Н.И., Мизецкая И.Б., Олийнык Г.С. Свойства сплавов системы CdSe CdTe . Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1971, т.7, № 5, с. 757-759.

64. Strauss A.J.,Steiniger J. Phase Diagram of the CdSe--CdTe Pseudobinary sistem. J.Electrochem. Soc.1970,v .117, № II, p.I420-I425.

65. Новоселова А.В., Шер. А.А., Один И.Н. Исследование взаимодействия в системах сульфид (селенид) кадмия сульфид (селенид) сурьмы (висмута). Журн.неорган.химии, 1978,т.23, № 12, с.3321-3325.

66. Бегларьян М.Л., Абрикосов Н.Х. Исследование системы Bi2Se3 Bi2Te3 . Докл. АН СССР, 1959, т.129, с.135-136.

67. Mc.Hugh J.P.,Tiller Y/.A.Solid-liquid phase equilibria in the pseudobinary sistem Bi2Te3-Bi2Se3. Trans. Metal. Society AIME, 1959,v.215, №4, p.65I-655.

68. Гордякова Г.Н., Синани С.С. Анизотропия свойств образцов твердых растворов системы Bigle^ Bi2Se3 , полученных методом порошковой металлургии. Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1965, т.1, № 7, с.1098-1103.

69. Ерофеев Р.С., Щербина Э.И. Особенности энергетического спектра сплава Bi2Te2Se . Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1982, т.18, № II, с.1802-1805.

70. Банкина В.Ф., Абрикосов Н.Х. Система Bi2ie3 Bi2Se3 Журн.неорган.химии, 1964, т.9, № 4, с.931-934.

71. Ullner Н.А. On the solid solutions in pseudobinary sisiem B^Se^-B^Te^. Ann. Physik, 1967, V. 41, H I, p. 44-47.

72. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф. Упорядочение структуры твердого раствора в системе Bi2Sej- Bi Те .

73. Изв. АН СССР, "Неорган.материалы", I966,T.2,N I,с.II-14.

74. Misra S., Bever M.B. On the solid solutions of Bismuth ielluride and Bismuth Selenide. J. Phus. Chem. of Solids.1964, V.25, II, p.1233-1241.

75. Старк H.K., Чижевская C.H., Свечникова Т.Е. Стабильность термоэлектрических свойств твердых растворов п -типа на основе в±21е^ . Изв.-АН СССР, "Неорган.материалы", 1982, т.18, № II, с.1824-1829.

76. Smiifa P.I.J. Evidence for a native donor in ZnSe from high temperatire electrical measurements.

77. Sol. State Communs. 1969, V.7, № 24, p.I757-I763.1. TT YT72. ^ubota H. Electrical properties of АххВах Compaunds

78. CdSe and ZnTe. Japan J. Appl.Phys.1963,V .2, № 5, p. 259-265.

79. Thomas D.G., Sadowsky E.A. The High lemperaiire condac-tiviti of ZnTe in zinc vapor. J.Phys. Chem. of Solids.1964,V .25, № 4, p. 395-399.

80. Smith P.T.J. Native defects in ZnTe J. Phys. Chem. of Solids,1971, v.32, № 21, p.2201-2207.

81. Pisher A.G., Carides J.N., Dresner J. Preparation and properties of n-iipe ZnTe. Sol. State Communes1964, V.2, В 6, p.157-159.

82. Будь Ю.В. , Санин К.В. Влияние давления пара кадмия на электропроводность кристаллов теллурида кадмия при высокой температуре. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, № 2, с. 284-292.

83. Whelan R.S., Shaw D. Evidence of a Doubly Ionized Native

84. Donor in CdTe. Phys. Stat. Solidi.1968, V.29, № I, p. 154-152.

85. Zanio K.R. Condaciiviiy of Cadmium Telluride at 600°C and 700°C. Bull. American Phys. Soc.1969, Ser . П, V .14, J& 8, p. 833-834.

86. Медведев С.А., Максимовский C.H., Киселева К.В., Клевков Ю.В., Сентюрина Н.Н. 0 природе точечных дефектов в нелегированном CdTe . Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1973, т.9, В 3, с.356-360.

87. Goldsmid H. Recent studies of Bismuth ielluride and i±s alloys. J. Appl. Phys. 1961, У .32, MO, p.2198-2205.

88. G.Offergeld, Van Cakenberghe. Determination de la composition a. fusion congruente de semiconducteurs binaires par analyse thermique differeniielle (appl. a Bigle^ ei BigSe^). J. Phys. Chem. of Sol. 1959, V.II, №3,4, p.3I0-3I4.

89. Kroger F.A. On ±he relaiion beiween non-s±oichiomelri and the formation of donor and acceptor centres in compounds. J. Phys. Chem. of Solids. 1958, V.7, $2,3, p.276-288.

90. Дмитриева A.K., Дудкин Л.Д., Ерофеев Р.С., Иванова А.Б., Щербина Э.И. Особенности влияния Sn и рь на свойства Bi2Se3 . Изв. АН СССР, "Неорган, материалы", 1978,т.14, В 3, с. 432-436.

91. Боечко В.Ф., Псарев В.И. Условия кристаллизации и свойства монокристаллов Bi2Se3 р-типа. Изв. АН СССР, "Неорганические материалы", 1975, т.II, №8, с.1510-1511.

92. Боечко В.Ф., Псарев В.И. Электрофизические свойства монокристаллов Bi2Se3 р-типа. Укр.физ. журнал, 1975, т.20, М, с.687-689.

93. Голыщан Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А., Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 #1. М., "Наука", 1972.

94. Champnes С.Н., Kipling A.L. Proc. Intern. Conferencephys. Semicond. Paris, 1964, p.1287.

95. Miller G.R., Che-Yuli. Evidence for ihe existence of antistructure defects in Bismuth telluride by density measurements. J. Phys. Chem. of Solids.1965, V.26, № I, p.173-177.

96. Федорович H.A. Диффузия примесей в термоэлектрических материалах. Автореф. канд. дисс. Ин-т полупроводников АН СССР, 1965.

97. Shewman P.G. Diffusion in Solids. New York,1. Mc Graw Hill , 1963.91. 1Уриева E.A., Кутасов B.A., Смирнов И.А. Теплопроводность кристаллической решетки твердых растворов на основе Bigle^• Физ. тверд, тела, 1964, т.6, № 8,с.2453-2455.

98. Кутасов В.А., Смирнов И.А. Рассеяние фононов на антиструктурных дефектах Bi в Bi2Te^ . Изв. АН СССР, "Неорган-ич. материалы", 1967, т.З, № 2, с.387-390.

99. Гордякова Г.Н., Горбатова А.Н., Синани С.С., Термоэлектрические свойства Bi2ie3 и твердых растворов системы Bi2Se3 Bi2Te^ . Изв. АН СССР, "Неорганические материалы", 1968, т.10, №7, с.1191-1195.

100. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев, "Наукова думка", 1975.

101. Свечникова Т.Е., Старк Н.К., Чижевская С.Н. Исследование термоэлектрических свойств твердых растворов системы Bi2Te3 Bi2Se3 . Изв. АН СССР, "Неорган, материалы",1981, т.17, № II, с.1996-2000.

102. Абрикосов Н.Х, Свечникова Т.Е., Чижевская С.Н. Легирова*ние твердого раствора В12Хе2^88Зе0д|алогенидами У группы. Рукопись деп. в ВИНИТИ, 1977, 101-77 Д.

103. Боечко В.Ф., Псарев В.И. В сб. "Полуметаллы и полупроводники с узкими запрещенными зонами". Львов, 1973,с.125-129.

104. Horak J., Iichy L., Vasko A.,Weissens±ein J. Lailice Defects in Lead-Doped BigSe^ Crystals. Phys.Sial. sol.b),I975, V.69, № 2, KI27-KI3I.

105. Bergmann G. Unlersuchungen fiber die Allerungserschi-nungen des Ge doiierlen Bi^Te^.

106. Phys. Sial. Solidi, 1966, V.I4, $ 2, p.3II-3I8.

107. Абрикосов H.X., Данилова-Добрякова Г.Т. Исследование, области твердого раствора Geie в Bi2ie3 . Изв. АН СССР, "Неорган.материалы", 1972, т.8, Jfc 7, с.1221-1223.

108. I. Гордякова Г.Н., Кокош Г.В., Синани С.С. Изучение термоэлектрических свойств твердых растворов Bi2Ie3 -BigSe^ . Журн.техн.физики, 1958, т.28, № I, с.3-17.

109. Синани С.С., Гордякова Г.Н. Твердые растворы Bi2Te3 -- Bi2Se3 как материал для термоэлементов. Журн.техн. физики, 1956, т.26, № 10, с.2398-2399.

110. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. Изд. АН СССР,1.60.

111. Охотин А.С., Пушкарский Н.С., Боровикова Р.П., Симонов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических . материалов и преобразователей. М., "Наука", 1974.