Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физическая электроника

Код ВАК 01.04.04

Тема работы	Автор	Год
Разделение и фокусировка ионных потоков в импульсных электрических полях Цели исследования: Разработка новых ?»ютодоб управления ионными потоками при помощи коротких во времени импульсов электрического поля различной пространственной геометрии. Вывод общих формул трансформации поля скоростей и количественная оценка эффективности данного способа обработки потоков в некоторых типах полевых геометрий и синтез новых…	Любчич, Александр Дмитриевич	2001
Релятивистские гиротроны на высоких циклотронных гармониках Как и при индивидуальном излучении одного электрона, получение излучения на высоких циклотронных гармониках облегчается в гиротронах при увеличении вращательной скорости частиц, что особенно легко достигается при переходе к релятивистским энергиям частиц [22]. Однако, принимая во внимание, что с ростом энергии частиц их циклотронная частота…	Калынов, Юрий Константинович	2001
Сканирующая зондовая микроскопия поверхности графита и углеродосодержащих покрытий …	Вакар Зафар	2001
Стабилизация состава активной среды отпаянных лазеров на углекислом газе с поперечным высокочастотным возбуждением …	Веснов, Игорь Геннадьевич	2001
Термодинамический, кристаллографический и дефектно-деформационный аспекты изменения работы выхода электрона В-третьих, РВЭ особо чувствительна к составу адсорбционных пленок и степени покрытия поверхности чужеродными атомами [1,6, 8,ю]. Причем, РВЭ ТТ, покрытого двумя-тремя слоями металла, равна РВЭ поверхности этого покрытия с той же атомной структурой, как и у слоя [1]. Из этого факта еноеь возникает вопрос о связи объемной и дипольной составляющих…	Владимиров, Александр Федорович	2001
Физические принципы организации МГД обратной связи и переноса спектра в молекулярно-электронных системах Однако, на сегодняшний день МЭ преобразователи обладают рядом существенных недостатков. Несмотря на высокую точность и надежность приборов указанного типа, их передаточная функция является «плоской» по отношению к скорости внешнего механического воздействия лишь в довольно узкой полосе частот, которая редко превышает несколько октав. В области…	Харламов, Алексей Валерьевич	2001
Экспериментальное исследование зарядовых флуктуаций в алюминиевых одноэлектронных структурах стековой геометрии Прогресс в нанотехнологии в последние десятилетия дал возможность изучать перемещение единичных элементарных зарядов в электронных схемах и, тем самым, положил начало новой области физики -одноэлектронике. Первый толчок к развитию этой области в 1951 г. дали работы по изучению влияния дискретности туннелирования заряда на проводимость тонкой…	Преснов, Денис Евгеньевич	2001
Эффективные импульсно-периодические источники черенковского излучения на основе сильноточных электронных пучков Теоретическое положение, что КПД приборов может быть того же порядка, как и в нерелятивистской электронике (или больше [157]), вскоре нашло свое экспериментальное подтверждение при реализации лампы обратной волны (ЛОВ) [16,17]. Эффективность преобразования используемой доли мощности электронного пучка в мощность электромагнитного излучения с…	Ростов, Владислав Владимирович	2001
Взаимодействие излучения УФ и видимого диапазонов с полимерными пленками В качестве систем хранения данных широко используются магнитные носители, в передаче информации очень популярно использование электроннолучевых трубок, жидкокристаллических дисплеев, а в последнее время и мониторов на жидких кристаллах…	Плаксин, Вадим Юрьевич	2000
Взаимосвязь электронной и атомной структур адсорбированных слоев Дисертаційна робота присвячена вивченню змін в електронній структурі поверхні, що відбуваються при зміненкі концентрації' адсорбованих атомів лужних і лужноземельних елементів і супроводжуються структурними фазовими переходами в адсорбованих шарах…	Яковкин, Иван Николаевич	2000
Визуализация атомного строения реакционно-способных межфазовых границ на начальных стадиях их формирования При исследовании атомных процессов, протекающих в приповерхностной области твердого тела, большое значение имеет их изучение в режиме реального времени, что недоступно большинству существующих методов структурного анализа поверхности. Поэтому разработка метода визуализации, обладающего такими возможностями, является актуальной задачей физической…	Валдайцев, Дмитрий Александрович	2000
Визуализация кристаллической структуры поверхности отраженными электронами Однако, несмотря на все богатство и разнообразие существующих средств, структурный анализ поверхности ряда важных объектов остается непростой задачей. Как правило, используемые методы сложны в реализации, либо в интерпретации эксперимента. Принципиальным ограничением в ряде случаев является и большая длительность измерений, что затрудняет…	Пронин, Игорь Иванович	2000
Влияние одноосных напряжений на рефракционные свойства кристаллов группы A2BX4 с инверсией знака двупреломления Актуальність теми. Останнім часом значна увага приділяється кристалам з інверсією знака двопроменезаломлення. Після встановлення температурно-спектральних діаграм інверсії знака двопроменезаломлення було запропоновано використати їх для задання і вимірювання температури та створення реперних температурних точок. Ці роботи започатковані у…	Березвин, Руслан Степанович	2000
Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков К настоящему времени существует ряд теоретических моделей для определения разрывов энергетических зон в гетеропереходах, от модели Андерсона для идеального гетероперехода до более сложных моделей, таких как теория атомных орбиталей Харрисона, теория самосогласованного пограничного потенциала и др. Однако при практическом применении теоретические…	Литвинов, Владимир Георгиевич	2000
Динамика одноэлектронных процессов при атомных столкновениях Научная новизна работы состоит в том, что в ней предложен и развит новый метод теоретического описания динамики атомных столкновений, впервые выполнены точные расчеты угловых и энергетических распределений электронов, обеспечивающие надежную интерпретацию экспериментальных данных. Решена обратная задача извлечения параметров квазимолекул из…	Овчинников, Сергей Юрьевич	2000
Дифракция и неупругое рассеяние электронов средних энергий в кристаллах Практическая значимость работы определяется, с одной стороны, тем, что в ее результате создан целый ряд методик, методов и способов, позволяющих по-новому приготавливать объекты исследований, получать новые данные об их структуре и свойствах или уточнять такие данные. Из основных методик можно отметить следующие…	Подсвиров, Олег Алексеевич	2000
Закономерности и механизмы высокочастотного управления колебаниями пространственного заряда и спектрами выходных сигналов в усилителе со скрещенными полями В главе 2 описаны конструкции экспериментальных приборов и установки, а также применявшиеся в работе экспериментальные методики и методики экспериментальных данных…	Воскресенский, Сергей Валерьевич	2000
Исследование процессов релаксации нелинейных ленгмюровских колебаний большой амплитуды с использованием методов компьютерного моделирования При аналітичних дослідженнях особливостей систем, у яких збуджено іенгмюрівські коливання, звичайно використовуються два протилежних наближення. 1. У шпадку малих амплітуд залучаються уявлення про лінійну діелектричну проникність їлазми. Якщо мати на увазі кінетичний розгляд (як найбільш строгий), то лінеаризація )івняння Власова, що провадиться у…	Коваленко, Артем Витальевич	2000
Исследование туннельных эффектов в наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопии Однако, возможности традиционной технологии изготовления сверхмалых микроэлектронных структур ограничены минимальным размером отдельного элемента (транзистора) и плотностью их расположения на поверхности кристалла. Это связано с ограниченностью разрешающей способности нанолитографического оборудования (на уровне несколько нм), химической…	Трифонов, Артем Сергеевич	2000
Лазерная и корпускулярная модификация свойств оксидов переходных металлов Особый интерес представляет проведение таких исследований в материалах с различными электронными и фононными неустойчивостями. Фазовые переходы такого рода типичны для ОПМ. Во многих из них при изменении внешних параметров наблюдается, например, фазовый переход металл-полупроводник (ФПМП) с резким различием физико-химических свойств металлической…	Кикалов, Дмитрий Олегович	2000