Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физическая электроника
Код ВАК 01.04.04Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Резонансные свойства электронных волн в сверхразмерных секционированных черенковских СВЧ-устройствах
Генераторы и усилители СВЧ, использующие механизм черенковского взаимодействия прямолинейных сильноточных релятивистских электронных пучков с полями различных замедляющих структур, на сегодняшний день являются одним из наиболее распространенных классов СВЧ-устройств, обеспечивающих получение мощного и сверхмощного микроволнового излучения в… |
Чернявский, Игорь Александрович | 1996 |
Решение задачи восстановления волнового фронта с помощью модифицированного метода фазовых шагов
Современные методы исследований в оптики требуют наличия современных методов обработки электромагнитных полей на приемном оптическом устройстве. Восстановление фазы оптического волнового фронта по известным амплитудным распределениям позволяет использовать всю информацию, заключенную в поле волны, и таким образом более эффективно решать… |
Сажин, Антон Владимирович | 1996 |
Роль кристаллитов окислов щелочноземельных металлов в механизме эмиссии металлопористых катодов
Оксидний катод (ОК) - найбільш ефективний та економічний з усіх типів термоелектронних еміттерів. Однак він не може застосовуватися в ряді сучасних розробок, де є необхідним відбір струму густиною в декілька ампер з квадратного сантиметра на протязі десятків та сотень тисяч годин при мінімальному споживанні енергії в колах живлення. Для таких… |
Лушкин, Александр Егорович | 1996 |
Теоретическое и экспериментальное исследование мазеров на циклотронном авторезонансе миллиметрового диапазона длин волн
МЦАР является разновидностью мазеров на циклотронном резонансе (МЦР), т.е. электронных СВЧ приборов, основанных на индуцированном циклотронном излучении электронов-осцилляторов, движущихся во внешнем магнитостатическом поле. Одновременно МЦАР является разновидностью мазеров на свободных электронах (МСЭ) - релятивистских СВЧ приборов, в которых… |
Самсонов, Сергей Викторович | 1996 |
Физические процессы при росте полупроводниковых пленок CdS, Cd1-хZnхS послойном хемосорбцией из растворов
Несмотря на разнообразие технологии селективного роста пленок, общей и необходимой для.всех этих процессов стадией является хемо-ссрбция на поверхности конденсированной фазы. Поэтому обобщающим названием следует считать термин "послойная хемосорбция", который преимущественно используегся з данной работе. Послойная хемосорбция является… |
Мурадов, Мустафа Байрам оглы | 1996 |
Взаимодействие неравновесных электрических разрядов в газах с поверхностью компонентов композиционных материалов
… |
Курбанов, Эльчин Джалал оглы | 1995 |
Влияние объемного заряда на процессы формирования сильноточных электронных пучков и их взаимодействия с электромагнитными полями
Одним из основных объектов сильноточной электроники являются релятивистские электронные пучки (РЭП), формируемые в вакуумных диодах с "холодными" катодами в условиях ограничения тока собственным объемным зарядом. Применение сильноточных РЭП в релятивистской высокочастотной электронике позволило достичь рекордных (10М010 Вт) мощностей генерации… |
Пегель, Игорь Валериевич | 1995 |
Возможности повышения энергии и качества излучения XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком
К началу каких исследований по данной проблеме максимальная энергия экстаерного лазера 10 Дж была получен« в ХеИ-лазере, возСуадаемс;.: электронным пучком, эксперименты, направленны'-- на улучаете характеристик излучения проводились, как правило, с »лег.трерззрядкши лазерами, при небольшой .выходной .энергии 'десятки м^у.) и малой апертуре пучка… |
Иванов, Николай Георгиевич | 1995 |
Движение ионов в квадрупольных полях высоких зон стабильности
В основу работы современных KMC заложен принцип разделения онов по удельным зарядок п первой области стабильности I. Другие зоны габильности большинством исследователей игнорировались. К началу астоящен работы (1989 год) было опубликовано всего четыре статьи, освященных зонам высокого порядка. Предварительные вьшоды по их рактическому… |
Коненков, Николай Витальевич | 1995 |
Двумерная пленка графита на поверхности переходных металлов
Образование двумерной графитовой пленки на поверхности переходных металлов сопровождает многие важнейшие процессы гетерогенного катализа, физической электроники, вакуумной и электровакуумной техники, физического металловедения. Такая пленка кардинально изменяет адсорбционные, каталитические и эмиссионные свойства металлов. Например, в гетерогенном… |
Рутьков, Евгений Викторович | 1995 |
Диагностика асимметричных двухсторонних гетероструктур системы GaAs-AlAs с помощью локальной катодолюминесценции и методов светорассеяния
Полупроводниковые инфекционные лазеры на основе двухсторонней гетероструктуры с раздельным ограничением в системе БаАэ / □а1-х А1х Аб могут состоять из 5 - 9 слоев различного состава, при этом характерный размер активной области у промышленно -выпускаемых образцов составляет обычно 0.05 т 0.5 мкм , а волно-водных слоев - 0.1 г1 мкм. В таких… |
Егоренков, Олег Александрович | 1995 |
Интенсивные ионные пучки в плазмооптических системах
Серед ключових ідей плазмодинаміки важлива роль належить ро-іті (Морозов А.І., ДАН СРСР, 1965, 163, с. 1363), де на основі ідеї ігнітної ізоляції електронів і еквіпотенціалізації магнітних силових ній були сформульовані плазмооптичні принципи введення об'ємних іектричних і магнітних полів в квазінейтральне плазмове середоші-е. Запропонован… |
Гончаров, Алексей Антонович | 1995 |
Ионно-электронная и вторичная электронная эмиссия дефектных щелочно-галоидных кристаллов
Среди эмиссионных яглений, вызываемых бомбардировкой поверхности твердого тела атомными частиаага больиой интерес представляет исследование электронной эмиссии (ЗЭ). Происхождение ЭЭ связано с релаксацией электронной подсистемы, возбуждаемой за счэт тормоаения бомбардируема частицы в твердом теле. ЭЭ играет суяествеинув роль п протэкапя… |
Кадыров, Бахадир Абдуллаевич | 1995 |
Исследование ВТСП монокристаллов Y-Ba-Cu-O эмиссионными методами
Во-первых, изучение ВТСП материалов полэвыми эмиссионными методами позволит составить более полное представление об электронном строении новых матерлалоо, внесет вклад в общую физическую картину высокотемпературной сверхпроводимости. ВТСП - достаточно слодашй объект исследования для методов, в которых состояние поверхности является определяющим… |
Иванов, Степан Несторович | 1995 |
Исследование методов повышения эффективности сильноточной релятивистской лампы обратной волны
Решение поставленной задачи возможно как по пути создания принципиально новых устройств с высокой эффективноспо преобразования энергии электронного пучка в энергию электромагнитного поля, так и путем усовершенствования уже предложенных. Развитие вычислительной техники и появившиеся возможности моделирования задач электродинамики на различных… |
Ройтман, Альберт Марсельевич | 1995 |
Исследование образования отрицательно-ионных и нейтральных кластеров пр распылении карбида кремния и щек.... цезия
Распыленней твердих тол називаюг ах разрушение поц деистешм бомбардировки поверхности атомами, ионаки, нийтронами, олс-ктроиаи:і і! фотонами. Это явле.шо впервые наблюдалось как разруаевиі» катода ь газовом разряде, поэтсшу до недавнего времени оно било известно каь "катодное расішлешю". Продуктами распыления является атсш, полоззітельніге и… |
Абдуллаев, Аскар Хусинович | 1995 |
Исследование процессов возбуждения Не I при взаимодействии атомов гелия в основном состоянияя
Особый интерес представляет наименее изученная область низких анергий столкновения, то есть область таких энергий соударения частиц, в которой относительная скорость сталкивающихся атомов много меньше скорости атомных электронов. В этой области энергий теоретическое исследование неупругих процессов затруднено, поэтому информация об эффективности… |
Курсков, Сергей Юрьевич | 1995 |
Исследование резонансных эффектов при взаимодействии лазерного излучения с атомными пучками
Актуальність темп. Дослідження резонансного світлового тиску на атомні частинки є одним ira важливих напрямків квантової електроніки. Інтерес до ціп проблеми пов'язанні! з тпм, що використання енл світлового тиску для глибокого охолодження атомів відкриває нові можливості в лазерній спектроскопії та розробці оптичних стандартів частоти. Гранична… |
Врйцехович, Валерий Степанович | 1995 |
Исследование электрической прочности тонких диэлектрических слоев
Научный интерес к исследованию электрической прочности тонких диэлектрических слоев (ТДС) обусловлен широким спектром их применения в современной микроэлектронной промышленности… |
Ершова, Наталья Юрьевна | 1995 |
Компьютерное моделирование физическихпроцессов при воздействии ионов и электроновна поверхность и газ
Конструирование таких сложных приборов, как и разработка физических основ новых технологий невозможны без глубокого понимания всей совокупности происходящих в среде процессов. Такое понимание п возможность предсказания результатов может дать лишь компьютерное моделирование, основанное на надежных модельных представлениях п эффективных расчетных… |
Рыжов, Виктор Васильевич | 1995 |