Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физическая электроника
Код ВАК 01.04.04Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Структура и макроскопические свойства искусственных и самоорганизованных нанонеоднородных функциональных материалов
… |
Филимонов, Алексей Владимирович | 2013 |
Структурные и динамические свойства разупорядоченных и сильно дефектных кристаллов
… |
Борисов, Сергей Аркадьевич | 2013 |
Структурные особенности и свойства двухфазных железосодержащих композитных структур и пористых магнитных матриц на их основе
Все эти данные необходимы для разработки эффективных технологий создания на основе подобных пористых матриц мультифункциональных нанокомпозитных материалов… |
Поречная, Надежда Ивановна | 2013 |
Теоретический анализ транспорта зарядов и тепла в контактах с высокотемпературными железосодержащими сверхпроводниками
… |
Бурмистрова, Ангелина Владимировна | 2013 |
Транспорт заряженных частиц в вязкой среде при наличии высокочастотных полей
… |
Барышев, Дмитрий Анатольевич | 2013 |
Транспорт ионов через мембрану при наличии низкоинтенсивного СВЧ - излучения
… |
Артемова, Диана Георгиевна | 2013 |
Униполярное резистивное переключение в структурах на основе оксидов ниобия, тантала и циркония
… |
Кундозерова, Татьяна Валерьевна | 2013 |
Физические свойства железосодержащих матриц и нанокомпозитных мультиферроидных материалов на их основе
… |
Поречная, Надежда Ивановна | 2013 |
Электронно-энергетические и оптические характеристики гексагонального нитрида галлия с дефектами замещения
… |
Новиков, Сергей Игоревич | 2013 |
Генерация и усиление мультимегаваттных микросекундных СВЧ импульсов
Следует заметить, что исследования по созданию эффективных мультиме-гаваттных приборов велись и ведутся как в нашей в стране, так и за рубежом: МГУ[4,5] (карсинотрон и клистрон); ИСЭ СО РАН [6] (карсинотрон, совместно с ИПФ РАН); ФИ РАН [7] (карсинотрон) - первое направление; ИЯФ СО РАН [8-10] (гирокон); ФИЯФ РАН по заказу КЕК [10] (клистрон… |
Зайцев, Николай Иванович | 2012 |
Генерация пространственно-когерентного излучения в лазерах с двумерной распределенной обратной связью
… |
Барышев, Владимир Рудольфович | 2012 |
Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия
Оксид цинка нашел применение в устройствах на поверхностно-акустических волнах [3], в солнечных батареях [4], газочувствительных датчиках [5], в устройствах отображения информации, а также в пьезоэлектрических преобразователях [6… |
Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед | 2012 |
Ионный ток на зонд с учетом ионизации и столкновений в области возмущения плазмы
… |
Игнахин, Владимир Станиславович | 2012 |
Кинетические процессы в поперечных наносекундных электрических разрядах с полым катодом
В настоящее время пучки ускоренных электронов получают в высоковольтных наносекундных разрядах при давлениях газа вплоть до атмосферного [21-25]. Ускоренные электроны формируются в стадии запаздывания импульсного пробоя при высоких перенапряжениях [21] и в стадии закарачивания разрядного промежутка приближающимся к аноду плазменным катодом [22… |
Иминов, Кади Османович | 2012 |
Кинетические свойства графена и сверхрешеток на его основе в условиях воздействия высокочастотных электрических полей и постоянного магнитного поля
Графен и наноструктуры на его основе в последние годы являются одними из наиболее изучаемых объектов физики твердого тела. Интерес обусловлен необычностью и красотой эффектов, имеющих место для этого материала, а также широкими перспективами использования его в электронике. Вследствие этого теоретическое исследование кинетических явлений… |
Конченков, Владимир Игоревич | 2012 |
Магнитотранспортные явления в тонких пленках и бикристаллических контактах манганитов
… |
Борисенко, Игорь Васильевич | 2012 |
Низкоэнергетическое травление в пучково-плазменном разряде как метод создания материалов и структур наноэлектроники
… |
Песков, Вадим Вячеславович | 2012 |
Особенности электронного транспорта в неоднородных одноэлектронных структурах
В своём первоначальном варианте одноэлектронное устройство представляет собой структуру проводящих (металлических) островов, соединённых туннельными переходами, роль барьеров в которых, как правило, играет окисный слой, покрывающий поверхность островов. Принцип действия данных устройств достаточно прост и заключается в том, что единичный… |
Залунин, Василий Олегович | 2012 |
Поляризационная томография напряженного состояния в градиентно-оптических структурах
Напряженное состояние, обусловленное ОН, может быть причиной фотоупругих искажений в оптических элементах. ОН в граданах - причина остаточного двулучепреломления (ДЛП), обусловленного оптической анизотропией (ОА), которое вызывает аберрации, ухудшающие функциональные параметры граданов [1-5], что подтверждается исчезновением ДЛП при нагреве… |
Каров, Дмитрий Дмитриевич | 2012 |
Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки
… |
Арыков, Вадим Станиславович | 2012 |