Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния

Код ВАК 01.04.07

Тема работы	Автор	Год
Влияние рентгеновского излучения на оптические и фоторефрактивные свойства некоторых сегнетоэлектрических ниобатов Таким образом, совместные исследования воздействия проникающего излучения на оптические и фоторефрактивные свойства сегнето-электриков важны как в прикладном, так и в теоретическом аспектах, так как, с одной стороны, открывают возможность прогнозированного изменения характеристик оптической записи, а с другой, позволяют глубже понять механизмы…	Шрамченко, С.А.	1985
Влияние структурной и динамической гетерогенности кристаллических полимеров на механику их деформирования Таким образом подобные полимеры представляют собой своеобразные композиционные материалы, в которых жесткие и податливые элементы содержатся в соизмеримых объемных соотношениях (в отличие от низкомолекулярных твердых тел). Это, естественно, обуславливает разнообразные особенности реакции полимерных тел на механические воздействия…	Аверкин, Борис Алексеевич	1985
Влияние структуры и состава монокристаллов вольфрамовых бронз на каналирование протонов Является очевидной необходимость применения указанного метода для исследования более сложных систем: химических соединений, сплавов, твердых растворов и т.д. Результаты ряда исследований показали, что существуют некоторые особенности ориентационных эффектов, определяемые составом и структурой многокомпонентных кристаллов. Однако число таких работ…	Арбузов, Валерий Яковлевич	1985
Влияние ядерной, упругой и примесной подсистем на релаксацию магнонов в антиферромагнетиках Во-первых, они обладают низкоактивационной, квазиакустической ветвью в спектре магнонов, частота которой соответствует удобному для проведения экспериментов СВЧ диапазону…	Свистов, Леонид Евгеньевич	1985
Деструкция ионных соединений под действием ионизирующих излучений …	Павлык, Богдан Васильевич	1985
Динамические эффекты когерентного и диффузного рассеяния рентгеновских лучей в Лауэ-геометрии дефектными монокристаллами кремния Одним из широко используемых приближений описания механизма рассеяния излучений в реальных кристаллах является приближение теории экстинкции /15/. Эта теория применяется для оценки дефектности и параметров микроструктуры кристаллов, а также в рентгеновской кристаллографии для установления количественной связи между измеряемыми интегральными…	Карпей, Анатолий Леонидович	1985
Дифракция рентгеновского излучения в одномерно разупорядоченных плотноупакованных кристаллах Важную роль в механизме ряда мартенситных превращений играет одномерное разупорядочение кристаллической структуры. Оно влияет также на многие свойства металлов и сплавов, в том числе и такие, как сверхупругость и память формы /9/. Однако развитие методики исследования одномерно разупорядоченных структур не достигло еще такого уровня, на котором…	Пилянкевич, Евгений Александрович	1985
Изучение на атомарном уровне реакций взаимодействия точечных дефектов с ядром краевой дислокации Определение предпочтительных свойств стоков к поглощению того или иного типа точечных дефектов является центральным вопросом при количественных оценках радиационно-стимулированной деформации. Еще в 1959 году Гринвуд, Фореман и Риммер [3] высказали предположение о преимущественном поглощении дислокациями меж-узельных атомов по сравнению с…	Туркебаев, Толеу Эдыгенович	1985
Исследование макронеоднородностей в жидких кристаллах В реальных условиях Ж содержит к тому же большое количество различных дефектов, искажающих его структуру. Многие из них хорошо видны невооруженным глазом. Поэтому даже в самом названии одной из мезофаз жидкого кристалла - нематической, отражена связь с дефектами, так как слово S) h и /I/ в переводе на русский язык означает нити» Именно в виде…	Белоцкий, Евгений Дмитриевич	1985
Исследование некоторых ангармонических эффектов в фононных системах кристаллов методом резонансного комбинационного рассеяния света Экспериментальное подтверждение зависимости (B.I), полученное для самых разных материалов (кристаллические диэлектрики и полупроводники, металлы, полимеры, аморфные вещества) в широком диапазоне температуры и нагрузки, не дало однако ответа на главный вопрос - каким образом термическая флуктуация приводит к разрыву связей, какова динамика и…	Хамдамов, Владимир Гафарович	1985
Исследование неравновесных эффектов при легировании арсенида галлия в процессе жидкофазной эпитаксии Выбор объекта исследования и метода эпитаксии обусловлен тем, что арсенид галлия является важнейшим материалом современной опто- и СВЧ-электроники, а жидкофазная эпитаксия…	Чикичев, Сергей Ильич	1985
Исследование поверхностных слоев железосодержащих материалов методом электронной мессбауэровской спектроскопии Одна из первых работ по МСКЭ на ядрах ^7Ге была выполнена {.Р.Свенсоном и Д.Д.Спикерманом в 1970 году / 2 /. В последние го-щ был достигнут значительный успех в развитии теории КЭМС, теории послойного анализа с помощью МСКЭ, создан ряд оригинальных экспериментальных установок и спектрометров. Все это позволило применить данный метод для…	Томашевский, Николай Антонович	1985
Исследование расширения дислокационной петли в поле случайно расположенных препятствий методом моделирования на ЭВМ Так как концентрация дефектов меняется при легировании, радиационном облучении, деформации, то задача взаимодействия дислокации с другими дефектами кристалла имеет прямое отношение к проблемам примесного, радиационного, деформационного упрочнения [121]. Наиболее перспективно в настоящее время изучение движения дислокации в дефектном кристалле…	Слободской, Михаил Иванович	1985
Кристаллогеометрические особенности и тонкая структура границ зерен в сплавах железа и молибдене В настоящее время недостаточно сведений о влиянии чистоты материала и условий его получения на особенности атомной структуры ГЗ и на параметры разориентировки зерен. К моменту начала настоящей работы была даже неизвестна доля специальных раэори-ентировок и специальных ГЗ в реальных технических поликристаллических материалах…	Скакова, Татьяна Юрьевна	1985
Локализованные состояния и их генеалогия в ковалентных кристаллах Буквенные обозначения в скобках после названия метода указывают на наличие следующих недостатков: а) рассматривается лишь дефектная молекула, молекулярные орбитали которой строятся из орбиталей дефекта и его ближайших (первых) соседей из атомов кристалла; б) кристалл с дефектом имитируется небольшим его фрагментом, состоящим обычно из нескольких…	Хакимов, Зокирхон Муйдинхонович	1985
Магнитные свойства и доменная структура многокомпонентных ортоферритов при переориентационных фазовых переходах Несомненный интерес представляет дальнейшее выяснение воз-иожности изоморфных замещений различными элементами в широком антервале составов как с точки зрения синтеза новых редкоземельных ортоферритов, так и влияния таких замещений на магнитные свойства и характер доменной структуры…	Федотова, Вера Васильевна	1985
Магнитооптическое исследование пленок ферритов-гранатов с компенсационными поверхностями сложного профиля Для физических исследований удобным объектом являются эпи-таксиальные пленки висмутсодержащих ферритов-гранатов, обладающие огромным фарадеевским вращением (Ю^град'см""^ и более), позволяющим эффективно использовать возможности магнитооптических методов…	Арзамасцева, Галина Васильевна	1985
Методы определения параметров граничной диффузии. Теория и экспериментальная практика Уже из этих примеров понятна важность развития количественных методов изучения граничной диффузии. Подчеркнем, что кроме этого практического, данная проблема имеет и теоретическое значение. Диффузионные процессы в ГЗ исследованы гораздо меньше,чем соответствующие процессы в кристаллической решетке, а изучение диффузии по ГФ находится еще на…	Мишин, Юрий Миронович	1985
Многоволновая теория дифракции быстрых электронов в кристаллах Теория электронной дифракции берет свое начало с работы 1928 г. Г.Бете [I], использовавшего созданный к тому времени аппарат квантовой механики для записи бесконечного числа уравнений относительно амплитуд дифрагированных волн и предложившего приближение двух сильных волн, описываемых соответственно двумя уравнениями из указанной системы. Однако…	Вергасов, Владимир Леонидович	1985
Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К Однако, таково положение дел лишь для главного процесса радиационного дефектообразования в анионной подрешетке ЩГК. Процессы же, связанные с последующей стабилизацией дефектов, изучены гораздо слабее, хотя^ начиная с температур, когда междоузельные Н-центры становятся подвижными (в КВг > 40 К), именно они способствуют выживанию дефектов…	Акилбеков, Абдираш Тасанович	1985