Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика низких температур
Код ВАК 01.04.09Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца
Существование глубоких примесных уровней позволяет удовлетворительно объяснить возникновение целого ряда необычных свойств легированных полупроводников. В частности, увеличение содержания примеси вызывает изменение концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми, но лишь до некоторых предельных значений. Предельное положение уровня Ферми не… |
Чернова, Наталья Александровна | 2001 |
Транспортные свойства носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs
Транспорт в слоях квантовых точек представляет большой интерес с точки зрения фундаментальной физики, прежде всего с точки зрения теории локализации носителей тока - квантовые точки можно рассматривать как искусственно созданные локализационные центры. Поскольку квантовые точки обладают определенной шириной распределения геометрических параметров… |
Голиков, Артем Викторович | 2001 |
Туннельная, андреевская и джозефсоновская спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников Bi2 Sr2 CuO6+ δ , Bi2 Sr2 CaCu2 O8+ δ и MgB2
Из теоретических расчетов следует, что присутствие некогерентных куперовских пар при Т > Тс в купратном сверхпроводнике с магнонным спариванием должно приводить к эффекту андреевского отражения в интерфейсе нормальный металл-купратный сверхпроводник [14]. Экспериментальная проверка этого предсказания на N-8 микроконтактах (золото-УВСО) дала… |
Ким Ки Ук | 2001 |
Ядерный резонанс в низкоразмерных металлооксидных системах на основе меди
Кроме того, важным и интересным вопросом, которому в последнее время уделяется большое внимание, является вопрос об особенностях смешанного состояния высокотемпературных сверхпроводников и наличии различных режимов движения вихревой решётки. Однако следует отметить, что многочисленные теоретические и экспериментальные исследования этого аспекта не… |
Гиппиус, Андрей Андреевич | 2001 |
Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца
Во-вторых, эти полупроводники относятся к классу узкощелевых материалов и обладают малой шириной запрещенной зоны, малыми эффективными массами носителей заряда и высокими значениями диэлектрической проницаемости. Поэтому мелкие водородоподобные уровни дефектов в этих материалах вообще не наблюдаются, а глубокие уровни радиационных дефектов и… |
Зверева, Елена Алексеевна | 2000 |
Криосорбция изотопов гелия
Рис. 1.1 — вакуумируемый объём; 2 — газовая смесь; 3 — источник газа; 4 — защитный экран; 5 — источник газа сорбента; 6 — сорбент; 7 — криопанель; 8 — криоохладитель данной работе понимаются изотопы гелия (4Не и 3Не) и изотопы водорода… |
Нестеров, Сергей Борисович | 2000 |
Магнитные дефекты в квазиодномерных антиферромагнетиках
По этой причине низкоразмерные >антиферромагнитные системы представляют собой уникальный объект для исследований, ставший чрезвычайно популярным в последние два десятилетия. Особый интерес к этой проблеме возник после опубликования Халдейном гипотезы о существенном различии влияния нулевых колебаний на одномерные цепочки с целым и полуцелым спином… |
Сосин, Сергей Сергеевич | 2000 |
Отражательная инфракрасная спектроскопия монооксидов меди и висмута
Открытие в 1986 году Беднорцем и Мюллером в дотированных лантановых купратах, а затем рядом их последователей в других сложных оксидах меди и висмута сверхпроводимости с удивительно высокой недостижимой ранее температурой перехода Тс стимулировало дополнительный интерес к простым по составу оксидам, являющимся их компонентами. По выражению… |
Кузьменко, Алексей Борисович | 2000 |
Структура и динамика молекулярного комплекса He x|-2 (a3 Σ + u ) в конденсированных фазах гелия
Структура пузырьков, образуемых свободными электронами и возбужденными атомами гелия, довольно подробно изучена как теоретически, так и экспериментально [3, 4, 5, 6]. Расчеты, выполненные в рамках пузырьковой модели, дают удовлетворительное описание наблюдаемых спектральных характеристик и динамических свойств данных систем. Подобных расчетов для… |
Тодощенко, Игорь Анатольевич | 2000 |
Фазовые равновесия жидкость-твёрдое тело в многокомпонентных рабочих телах для ДРС на температурный уровень 70-120 К
Одним из требований , которые предъявляются к дроссельным системам на смесях, является достижение и поддержание температур 70-120К при сохранении высокой эффективности… |
Хайбо, Жан | 2000 |
Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI
Значение эффективной массы носителей заряда определяется величиной энергетической щели между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости. Создание твердых растворов бинарных соединений в пределах указанных семейств позволяет варьировать параметры энергетического спектра и тем самым изменять характеристики создаваемых полупроводниковых… |
Волошок, Татьяна Николаевна | 2000 |
Энергетический спектр, транспортные свойства и локализация носителей тока в соединениях внедрения в графит акцепторного типа
В настоящее время синтезировано большое число соединений внедрения в графит, которые интенсивно исследуются, во-первых, потому, что своеобразие физических и химических свойств этих веществ позволяет найти им широкое практическое применение; во-вторых, СВГ представляют собой весьма интересный объект для исследования физических и химических… |
Лапин, Сергей Анатольевич | 2000 |
Ядерный резонанс в металлооксидных системах HgBa2 CuO4 F и CuGeO3
Помимо ВТСП-систем в работе исследовался неорганический спин-пайерлсовский магнетик СиОеОз. В 1993 году было обнаружено падение восприимчивости, характерное для спин-пайерлсовского перехода, в неорганическом веществе CuGeC>3. Проведённые исследования по неупругому рассеянию нейтронов непосредственно показали удвоения периода и открытие… |
Морозова, Елена Николаевна | 2000 |
ЯМР-исследования мод спиновой прецессии с неравновесной величиной намагниченности в сверхтекучем 3 Не-В
ВВЕДЕНИЕ 6 подтверждено ранними экспериментами по ЯМР [6], [7], в которых обнаружилось неплохое согласие с теорией. Тем не менее, в экспериментах, связанных с нелинейным ЯМР, неоднократно наблюдались эффекты, требовавшие дополнительного теоретического анализа… |
Понарин, Дмитрий Викторович | 2000 |
Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии
… |
Колоколов, Константин Игоревич | 1999 |
Исследование процессов в аккумуляторах холода с теплопроводящей насадкой и разработка расчетных методов их оптимизации
Работоспособность современных чувствительных электронно-оптических приборов может быть обеспечена криостатированием их элементов при помощи низкотемпературных систем с использованием аккумуляторов холода. Таковы, например, приемники инфракрасного излучения, кристаллы оптических преобразователей, катоды фотоэлектронных умножителей, лазерные диоды и… |
Лесюк, Елена Анатольевна | 1999 |
Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/(Al)GaAs при одноосном сжатии
… |
Кравченко, Василий Николаевич | 1999 |
Оптические исследования кристаллов гелия при сверхнизких температурах
… |
Бабкин, Алексей Владимирович | 1999 |
Системы охлаждения с редкоземельными материалами для аэрокосмических применений
Тенденции последних лет показывают, что к орбитальным космическим аппаратам (КА) стали предъявляться повышенные требования по времени активного существования (до 5.10 лет) и по насыщенности оптико-электронной аппаратурой, что накладывает серьезные ограничения на ее энергопотребление и массогабаритные характеристики [102, 14 9, 164, 166… |
Карагусов, Владимир Иванович | 1999 |
Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlGa As структур
… |
Лунин, Роман Анатольевич | 1999 |